TWI725745B

TWI725745B - 基板乾燥腔

Info

Publication number: TWI725745B
Application number: TW109105408A
Authority: TW
Inventors: 申傛湜
Original assignee: 韓商無盡電子有限公司
Priority date: 2019-02-26
Filing date: 2020-02-20
Publication date: 2021-04-21
Also published as: TW202040074A; WO2020175788A1; KR20200104454A; KR102178594B1

Abstract

本發明係關於一種基板乾燥腔。該基板乾燥腔包含：一上殼體；一下殼體；一密封部件，其提供於該下殼體與該上殼體之一耦接表面上；一基板放置板，其耦接至該下殼體之一底表面且其上安置一基板，被一有機溶劑潤濕之一圖案形成於該基板上；一上供應埠，其形成於該上殼體之一中央區中以指向該基板放置板，且經構形以提供乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應/排放埠，其形成於該下殼體中，且經構形以根據該乾燥用超臨界流體之一供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在該基板之乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一異物排放部件，其形成於該下殼體中，且經構形以提供浸漬於該密封部件中或存在於該密封部件周圍之異物透過其引入及排放至外部之一路徑。

Description

基板乾燥腔

本發明係關於一種基板乾燥腔。更特定言之，本發明係關於一種容許在一乾燥程序之後最終排放一超臨界流體時，藉由使用形成於一下殼體中之一異物排放部件排放浸漬於一密封部件中或存在於密封部件周圍之異物(諸如顆粒)來防止異物被引入至一腔中之一基板上之一問題，且容許藉由引發超臨界流體之一對稱流動，在基板乾燥腔內部均勻地分配且供應超臨界流體及排放該超臨界流體而提高基板乾燥效率之基板乾燥腔。

一半導體裝置之製造程序包含各種程序，諸如一微影程序、一蝕刻程序、一離子植入程序及類似者。在各程序結束之後且在執行一後續程序之前，執行一清潔程序及一乾燥程序以移除殘留於一晶圓表面上之雜質及殘餘物以清潔晶圓表面。

例如，在一蝕刻程序之後之一晶圓之一清潔程序中，將用於清潔程序之一化學液體供應至一晶圓表面上，且接著供應去離子水(DIW)使得執行沖洗處理。在沖洗處理之後，執行一乾燥程序以移除殘留於晶圓表面上之DIW以乾燥晶圓。

例如，作為執行乾燥程序之一方法，已知一種藉由用異丙醇(IPA)取代一晶圓上之DIW來乾燥一晶圓之技術。

然而，如圖1中所展示，根據此一習知乾燥技術，在乾燥程序期間，出現形成於晶圓上之一圖案歸因於IPA (其係一液體)之表面張力而塌縮之一問題。

為了解決上述問題，已提出一種其中表面張力變為零之超臨界乾燥技術。

根據此一超臨界乾燥技術，將處於一超臨界狀態之二氧化碳(CO₂ )供應至一晶圓上(該晶圓之一表面在一腔中用IPA潤濕)，使得晶圓上之IPA溶解於一超臨界CO₂ 流體中。接著，自腔逐漸排放IPA溶解於其中之超臨界CO₂ 流體，使得可乾燥晶圓而未使一圖案塌縮。

圖2繪示韓國專利公開申請案第10-2017-0137243號中所揭示之一基板處理腔，該案係與使用此一超臨界流體之一基板處理裝置結合之相關技術。

參考圖2，在一超臨界乾燥程序中移除一有機溶劑之一程序中，可將一有機溶劑引入至構成一高壓腔410且彼此接觸之一上主體430與一下主體420之一耦接表面上。引入至上主體430與下主體420之耦接表面上之有機溶劑變為累積於耦接表面周圍之顆粒。

在超臨界乾燥程序結束之後，敞開腔以將經處理基板卸載至外部。在此情況中，歸因於腔之一內部與外部之間的一壓差，上主體430與下主體420之耦接表面周圍之顆粒可被引入至該腔之內部中。

根據韓國專利公開申請案第10-2017-0137243號，由於一基板定位於上主體430與下主體420之耦接表面下方，而上主體430與下主體420之耦接表面周圍之顆粒被引入至腔之內部中，故存在一些顆粒歸因於重力而被引入至該基板上之一高概率。

如上文所描述，由於引入至基板上之顆粒致使一程序缺陷，因此為了防止引入顆粒，有必要在上主體430與下主體420之耦接表面周圍額外地安裝一阻擋簾。因此，存在設備之一總體結構複雜之一問題。

此外，根據包含韓國專利公開申請案第10-2017-0137243號之相關技術，由於用於供應一初始增壓用超臨界流體之一下供應埠422及用於在一基板之乾燥之後排放超臨界流體之一排放埠426未定位於下主體420之一中心處，因此當供應及排放超臨界流體時，形成超臨界流體之一不對稱流動，使得難以在腔中均勻地分配且供應超臨界流體及自腔排放超臨界流體。因此，出現乾燥效率降級之一問題。

[相關技術文件] [專利文件] (專利文件1)韓國專利公開申請案第10-2017-0137243號(公開日期：2017年12月13日，標題：Apparatus and method for treating substrate)。

技術問題

本發明之一技術目的係在一乾燥程序之後最終排放一超臨界流體時，藉由使用形成於一下殼體中之一異物排放部件排放浸漬於一密封部件中或存在於該密封部件周圍之異物(諸如顆粒)來防止異物被引入至一腔中之一基板上之一問題。

本發明之另一技術目的係藉由將基板配置於一高度高於一下殼體與一上殼體之一耦接表面之基板放置板上而防止以下之一問題：其中當乾燥程序結束且敞開腔時，提供於下殼體與上殼體之耦接表面上之一密封部件周圍的顆粒歸因於重力而根據該基板與該耦接表面之間的一高度差被引入至基板上。

本發明之又一技術目的係透過一個整合式供應/排放埠提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及在一基板之乾燥之後形成於基板上之一有機溶劑溶解於其中之一超臨界流體之一排放路徑，藉此藉由引發所供應及排放之超臨界流體之一對稱流動以在一腔中均勻地分配且供應超臨界流體及自腔排放超臨界流體而提高基板乾燥效率。

本發明之又一技術目的係使用基板放置必不可少之一基板放置板來阻擋在一乾燥程序結束之後敞開腔時再次引入之顆粒，在乾燥程序之一初始階段阻擋初始增壓用超臨界流體直接流向一基板表面以防止形成於基板上之一圖案塌縮，防止初始增壓用超臨界流體中可能含有之顆粒累積於基板上之一問題或減少顆粒之累積量，且因歸因於基板放置板所佔據之一體積減小腔之一工作體積而減少一乾燥程序時間。問題解決方案

一種根據本發明之基板乾燥腔包含：一上殼體；一下殼體，其可拆卸地耦接至該上殼體；一密封部件，其提供於該下殼體與該上殼體之一耦接表面上；一基板放置板，其耦接至該下殼體之一底表面且其上安置一基板，被一有機溶劑潤濕之一圖案形成於該基板上；一上供應埠，其形成於該上殼體之一中央區中以指向該基板放置板，且經構形以提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應/排放埠，其形成於該下殼體中，且經構形以根據該乾燥用超臨界流體之一供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在該基板之乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一異物排放部件，其形成於該下殼體中，且經構形以提供浸漬於該密封部件中或存在於該密封部件周圍之異物透過其引入及排放至外部之一路徑。

在根據本發明之基板乾燥腔中，該異物排放部件可包含：一異物流入路徑，其沿著該下殼體之一邊緣垂直地形成以定位於該密封部件下方，且經構形以提供該等異物透過其引入之一路徑；及一異物排放路徑，其形成為自該異物流入路徑之一遠端延伸至該下殼體之一側表面，且經構形以提供該等異物透過其排放至外部之一路徑。

在根據本發明之基板乾燥腔中，在敞開該異物排放部件且因此排放該等異物之同時，可敞開或閉合提供該混合流體之該排放路徑之該整合式供應/排放埠。

在根據本發明之基板乾燥腔中，形成該異物排放部件之該異物流入路徑可具有對應於該下殼體之該邊緣之一形狀之一凹槽之一形狀。

在根據本發明之基板乾燥腔中，垂直形成之複數個通氣孔可形成於該凹槽之一底表面中，且該異物排放路徑可與該複數個通氣孔連通。

在根據本發明之基板乾燥腔中，該密封部件及該異物流入路徑可以一燕尾形方式耦接，且當該基板乾燥腔歸因於該上殼體與該下殼體之分離而敞開時，可防止該密封部件之釋放。

在根據本發明之基板乾燥腔中，該整合式供應/排放埠可形成為自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且形成於該一個側表面及該另一側表面之一中間區中以指向該基板放置板。

在根據本發明之基板乾燥腔中，該整合式供應/排放埠可包含：一第一管線，其形成為從該下殼體之該一個側表面至該中間區；一共同埠，其形成於該中間區中以與該第一管線連通，且形成為指向該基板放置板；及一第二管線，其經構形以在該中間區中與該共同埠及該第一管線連通，且形成為延伸至該下殼體之該另一側表面。

在根據本發明之基板乾燥腔中，該第一管線及該共同埠可提供該初始增壓用超臨界流體之該供應路徑，且該共同埠及該第二管線可提供其中該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之該混合流體之該排放路徑。

在根據本發明之基板乾燥腔中，該基板可安置於一高度高於該下殼體與該上殼體之該耦接表面之該基板放置板上，且當該乾燥程序結束且該下殼體及該上殼體彼此拆卸時，可防止提供於該耦接表面上之該密封部件周圍之顆粒歸因於重力而根據該基板與該耦接表面之間的一高度差被引入至該基板上。

在根據本發明之基板乾燥腔中，可藉由該基板放置板阻擋透過該第一管線及該共同埠供應之該初始增壓用超臨界流體，使得防止該初始增壓用超臨界流體直接噴灑至該基板上。

根據本發明之基板乾燥腔可進一步包含一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦接至該下殼體之該底表面之一個端及耦接至該基板放置板之另一端，且經構形以在支撐該基板放置板之同時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。

在根據本發明之基板乾燥腔中，歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間可引發透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體沿著該基板放置板之一底表面移動以逐漸擴散至其中安置該基板之一處理區域中。

根據本發明之基板乾燥腔可進一步包含一基板支撐件，該基板支撐件具有耦接至該基板放置板之一頂表面之一個端及耦接至該基板之另一端，且經構形以在支撐該基板之同時將該基板與該基板放置板之該頂表面分離。

在根據本發明之基板乾燥腔中，歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該頂表面與該基板之間的一第二分離空間可使該基板之該底表面暴露於透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體及透過一噴嘴供應之該乾燥用超臨界流體，藉此減少該乾燥程序之一時間。有利發明效應

根據本發明，可在一乾燥程序之後最終排放一超臨界流體時，藉由使用形成於一下殼體中之一異物排放部件排放浸漬於一密封部件中或存在於該密封部件周圍之異物(諸如顆粒)來防止異物被引入至一腔中之一基板上之一問題。

此外，當乾燥程序結束且敞開腔時，可藉由將基板配置於一高度高於一下殼體與一上殼體之一耦接表面之基板放置板上，而防止提供於該下殼體與該上殼體之該耦接表面上之一密封部件周圍之顆粒歸因於重力而根據該基板與該耦接表面之間的一高度差被引入至該基板上之一問題。

此外，根據本發明，可透過一個整合式供應/排放埠提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及一基板之乾燥之後形成於基板上之一有機溶劑溶解於其中之一超臨界流體之一排放路徑，使得可藉由引發所供應及排放之超臨界流體之一對稱流動以將該超臨界流體均勻地分配且供應至一腔中及自該腔排放該超臨界流體而提高基板乾燥效率。

此外，根據本發明，可藉由以下來防止形成於基板上之一圖案之塌縮：使用配置基板必不可少之一基板放置板來阻擋在乾燥程序結束之後敞開腔時再次引入之顆粒，在該乾燥程序之一初始階段防止初始增壓用超臨界流體直接流向基板之一表面，防止初始增壓用超臨界流體中可能含有之顆粒累積於基板上之一問題，減少顆粒之沈積量，及因歸因於基板放置板所佔據之一體積減小該腔之一工作體積而減少該乾燥程序之一時間。

本文中所揭示之本發明之實施例之特定結構及功能描述僅為闡釋性的且出於描述根據本發明之概念之實施例之目的，且根據本發明之概念之此等實施例可以各種形式實施且不應被解釋為限於本文中所描述之實施例。

根據本發明之概念之實施例可以各種方式修改且可具有各種形式，使得此等實施例將在隨附圖式中繪示且在本文中詳細描述。然而，應理解，並不意欲將根據本發明之概念之實施例限於本發明之特定形式，而是包含落入本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代。

術語第一、第二及類似者可用來描述各種組件，但該等組件不應受此等術語限制。此等術語僅可用於區分一個組件與另一組件之目的，且例如，在不脫離本發明之範疇之情況下，一第一組件可被稱為第二元件，且同樣地，第二組件亦可被稱為第一組件。

當一組件被稱為「連接」或「耦接」至另一組件時，其可直接連接或耦接至另一組件，但應理解，在該組件與另一組件之間可存在又一組件。相比之下，當一組件被稱為「直接連接」或「直接耦接」至另一組件時，應理解，在該組件與另一組件之間可不存在另一組件。亦應如上文所描述般解釋描述組件之間的關係之其他表達，即，「在...之間」及「直接在...之間」或「相鄰於」及「直接相鄰於」。

本文中所使用之術語僅用於描述特定實施例之目的且並不意欲限制本發明。除非上下文另有明確指示，否則單數形式包含複數形式。在本說明書中，術語「包括」、「包含」、「具有」及類似者用來指定存在本文中所描述之一特徵、一數目、一步驟、一操作、一組件、一元件或其等之一組合，且應理解，此等並不排除預先存在或添加一或多個其他特徵、數目、步驟、操作、組件、元件或其等之一組合之可能性。

除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含技術或科技術語)具有相同於熟習本發明所屬領域之技術者所通常理解之含義。一字典中所定義之通用術語應被解釋為具有在相關技術之內容背景中一致之含義，且除非在本發明中有明確定義，否則將不被解釋為具有一理想或過分形式化含義。

在下文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明之例示性實施例。

圖3係繪示本發明之一項實施例之一基板乾燥腔之一圖，圖4係繪示根據本發明之一項實施例之形成於一下殼體中之一異物排放部件之一例示性形狀之一圖，圖5係繪示根據本發明之一項實施例之形成於下殼體中之異物排放部件之另一例示性形狀之一圖，圖6係繪示根據本發明之一項實施例之一初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之一圖，圖7係繪示根據本發明之一項實施例之一乾燥用超臨界流體之一擴散路徑之一圖，圖8係繪示根據本發明之一項實施例之其中一有機溶劑溶解於乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑之一圖，且圖9係用於描述防止在一乾燥程序結束時顆粒被引入至一基板上之原理之一圖，其中顆粒存在於提供於一上殼體與下殼體之一耦接表面上之一密封部件上且存在於密封部件周圍。

參考圖3至圖9，根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔1包含一上殼體10、一下殼體20、一密封部件30、一基板放置板40、一整合式供應/排放埠50、一上供應埠60、一基板放置板支撐件70、一基板支撐件80、一殼體驅動器90及一異物排放部件100。

上殼體10及下殼體20彼此可拆卸地耦接，且提供在其中執行一乾燥程序之一空間。例如，上殼體10及下殼體20可各自經構造具有一圓柱形形狀，但本發明不限於此。如下文描述，上供應埠60形成於上殼體10中，且整合式供應/排放埠50及異物排放部件100形成於下殼體20中。

密封部件30提供於下殼體20與上殼體10之一耦接表面上，且維持下殼體20與上殼體10之耦接表面之氣密性以阻隔基板乾燥腔1之一內部區與其外部。例如，密封部件30可包含聚合物材料，但本發明不限於此。

異物排放部件100形成於下殼體20中，且當乾燥程序完成時，異物排放部件100提供在乾燥程序期間浸漬於密封部件30中或存在於密封部件30周圍之異物透過其引入及排放至外部之一路徑。

如下描述異物在乾燥程序期間浸漬於密封部件30中或存在經密封部件30周圍之原因及異物透過異物排放部件100排放之原理。

首先，將如下描述根據本發明之一項實施例之基板乾燥腔之一乾燥處理程序。

首先，在一設定初始增壓時間期間透過構成整合式供應/排放埠50之第一管線510及共同埠520供應一初始增壓用超臨界流體，且在經過一初始增壓時間之後，阻擋初始增壓用超臨界流體之供應且可在一乾燥時間期間透過上供應埠60供應乾燥用超臨界流體，且接著，在經過乾燥時間之後，阻擋乾燥用超臨界流體，且在一排放時間期間透過構成整合式供應/排放埠50之共同埠520及第二管線530排放混合流體。在此情況中，例如，乾燥用超臨界流體之供應及混合流體之排放可重複達預定次數，即，可被清洗。在上述清洗程序中，基板乾燥腔1中之超臨界流體及更明確言之超臨界流體及溶解於超臨界流體中之有機溶劑浸漬於構成密封部件30之聚合物鏈之間的一空間中。

同時，當乾燥程序結束時，由於在最終排放超臨界流體之同時，基板乾燥腔1之一內部壓力降低至一臨界點以下，因此浸漬於密封部件30中之超臨界流體及溶解於超臨界流體中之有機溶劑中發生相變使得超臨界流體汽化，有機溶劑以顆粒之形式自密封部件30排放，且當不對顆粒進行處理時，存在可能歸因於顆粒被引入至一基板W上而出現一程序缺陷之一問題。

本發明之一項實施例係為了防止上述問題。參考圖9用於描述防止顆粒被引入至基板W上之原理，其中顆粒存在於提供於上殼體10與下殼體20之耦接表面上之密封部件30上且存在於密封部件30周圍，當乾燥程序結束時，使用形成於下殼體20中之異物排放部件100提供浸漬於密封部件30中或存在於密封部件30周圍之異物(諸如顆粒)透過其引入及排放至外部之一路徑，使得可防止基板W之污染。

例如，形成於下殼體20中之異物排放部件100可包含一異物流入路徑110及一異物排放路徑120。

異物流入路徑110沿著下殼體20之一邊緣垂直地形成以定位於密封部件30之一下部部分處，且提供浸漬於密封部件30中且存在於密封部件30周圍之異物透過其引入之一路徑。

異物排放路徑120形成為自異物流入路徑110之一下部遠端延伸至下殼體20之一側表面，且提供異物透過其排放之一路徑。例如，用於將異物排放至外部之一管線可連接至異物排放路徑120之一遠端，且可提供用於控制管線之敞開及閉合之一閥。

例如，如圖4中所展示，異物流入路徑110可經形成具有對應於下殼體20之邊緣之一形狀之一凹槽形狀。此外，一或多個異物排放路徑120及121可經提供以形成為自異物流入路徑110之下部遠端延伸至下殼體20之側表面。在圖4中，繪示兩個異物排放路徑120及121，但此僅為一個實例。

例如，密封部件30及構成異物排放部件100之異物流入路徑110以一燕尾形方式耦接，且因此，當基板乾燥腔1歸因於上殼體10與下殼體20之分離而敞開時，異物流入路徑110可經構形以防止密封部件30之釋放。

替代地，如圖5中所展示，垂直形成之複數個通氣孔130可形成於構成圖4中所展示之異物流入路徑110之一凹槽之一底表面上，且異物排放路徑120及121可經構形以與複數個通氣孔130連通。此處，術語「連通」意謂著複數個通氣孔130及異物排放路徑120及121彼此連接及且通向彼此。

同時，例如，當乾燥程序結束且下殼體20及上殼體10彼此拆卸時，基板W可安置於一高度高於下殼體20與上殼體10之耦接表面之基板放置板40上，且當乾燥程序結束且下殼體20及上殼體10彼此拆卸時，可形成基板乾燥腔1以防止顆粒歸因於重力而歸因於基板W與耦接表面之間的一高度差被引入至基板W上，其中顆粒存在於提供於耦接表面上之密封部件30周圍。

基板放置板40耦接至下殼體20之一底表面22，且其係其上安置基板W之一組件，在基板W上潤濕且形成一有機溶劑。

例如，透過構成整合式供應/排放埠50之一第一管線510及一共同埠520供應之一初始增壓用超臨界流體可被基板放置板40阻擋以防止直接噴灑至基板W上。

更明確言之，如繪示初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之圖6及繪示其中有機溶劑溶解於乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑之圖8中所展示，可減少一乾燥程序時間使得可藉由以下來防止形成於基板W上之一圖案之塌縮：使用配置基板W必不可少且係乾燥程序之一目標之基板放置板40來阻擋在乾燥程序結束之後敞開基板乾燥腔1時再次引入之顆粒，及在乾燥程序之一初始階段阻擋初始增壓用超臨界流體直接流向基板W之一表面，且可防止初始增壓用超臨界流體中可能含有之顆粒累積於基板W上之一問題，或可減少顆粒之沈積量，且可因歸因於基板放置板40所佔據之一體積減小基板乾燥腔1之一工作體積而減少乾燥程序時間。

整合式供應/排放埠50形成為自下殼體20之一個側表面24延伸至另一側表面26，且形成為從一個側表面24及另一側表面26之一中間區28朝向基板放置板40。整合式供應/排放埠50係用於提供初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及在基板之乾燥之後形成於基板W上之有機溶劑溶解於其中之超臨界流體之一排放路徑之一組件。

透過一個整合式供應/排放埠50提供初始增壓用超臨界流體之供應路徑及在基板之乾燥之後形成於基板W上之有機溶劑溶解於其中之超臨界流體之排放路徑，使得存在藉由引發所供應及排放之超臨界流體之一對稱流動以將超臨界流體均勻地分配且供應至基板乾燥腔1中及自基板乾燥腔1排放超臨界流體而提高基板乾燥效率之一效應。

例如，整合式供應/排放埠50包含：第一管線510，其形成為自下殼體20之一個側表面24至其中間區28；共同埠520，其形成為在中間區28中與第一管線510連通，且面向基板放置板40；及一第二管線530，其經構形以在中間區28中與共同埠520及第一管線510連通，且形成為延伸至下殼體20之另一側表面26。第一管線510及共同埠520可經構形以提供初始增壓用超臨界流體之供應路徑，且共同埠520及第二管線530可經構形以提供有機溶劑溶解於其中之超臨界流體之排放路徑。

上供應埠60係形成於上殼體10之一中央區中以指向基板放置板40以提供乾燥用超臨界流體之供應路徑之一組件。

基板放置板支撐件70係其一個端耦接至下殼體20之底表面22且另一端耦接至基板放置板40之一組件，且其在支撐基板放置板40之同時將基板放置板40與下殼體20之底表面22分離。

例如，歸因於基板放置板支撐件70而存在於下殼體20之底表面22與基板放置板40之間的一第一分離空間R1可執行藉由容許透過整合式供應/排放埠50供應之初始增壓用超臨界流體沿著基板放置板40之一底表面移動，而引發初始增壓用超臨界流體逐漸擴散至其中安置基板W之一處理區域中之一功能。

基板支撐件80係其一個端耦接至基板放置板40之一頂表面且另一端耦接至基板W之一組件，且其在支撐基板W之同時將基板W與基板放置板40之頂表面分離。

例如，歸因於基板支撐件80而存在於基板放置板40之頂表面與基板W之間的一第二分離空間R2執行藉由使基板W之一底表面暴露於透過整合式供應/排放埠50供應之初始增壓用超臨界流體及透過上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體，而減少一乾燥程序時間之一功能。

殼體驅動器90係用於敞開或閉合腔之一部件。在乾燥程序結束之後，驅動下殼體20與上殼體10分離以敞開腔，或當起始乾燥程序時，殼體驅動器90可執行驅動下殼體20且將下殼體20耦接至上殼體10以閉合腔之一功能。儘管在圖式中已將殼體驅動器90繪示為驅動下殼體20，但此僅為一個實例，且殼體驅動器90可經構形以驅動上殼體10。

例如，初始增壓用超臨界流體及乾燥用超臨界流體可包含二氧化碳(CO₂ )，且有機溶劑可包含醇，但本發明不限於此。作為一特定實例，醇可包含甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(異丙醇(IPA))及1-丁醇，但本發明不限於此。

例如，根據在根據本發明之一項實施例之基板乾燥腔中執行之超臨界乾燥技術，將處於一超臨界狀態之CO₂ 供應至基板W，基板W之一表面在腔中被諸如醇或類似者之有機溶劑潤濕，使得基板W上之醇溶解於一超臨界CO₂ 流體中。接著，自腔逐漸排放醇溶解於其中之超臨界CO₂ 流體，使得可乾燥基板W而未使一圖案塌縮。

1:基板乾燥腔 10:上殼體 20:下殼體 22:底表面 24:一個側表面 26:另一側表面 28:中間區 30:密封部件 40:基板放置板 50:整合式供應/排放埠 60:上供應埠 70:基板放置板支撐件 80:基板支撐件 90:殼體驅動器 100:異物排放部件 110:異物流入路徑 120:異物排放路徑 121:異物排放路徑 130:通氣孔 410:高壓腔 420:下主體 422:下供應埠 426:排放埠 430:上主體 510:第一管線 520:共同埠 530:第二管線 R1:第一分離空間 R2:第二分離空間 W:基板

圖1係繪示根據相關技術之在一基板乾燥程序期間發生之一圖案塌縮現象之一圖。

圖2係繪示一習知基板乾燥腔之一圖。

圖3係繪示根據本發明之一項實施例之一基板乾燥腔之一圖。

圖4係繪示根據本發明之一項實施例之形成於一下殼體中之一異物排放部件之一例示性形狀之一圖。

圖5係繪示根據本發明之一項實施例之形成於下殼體中之異物排放部件之另一例示性形狀之一圖。

圖6係繪示根據本發明之一項實施例之一初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之一圖。

圖7係繪示根據本發明之一項實施例之一乾燥用超臨界流體之一擴散路徑之一圖。

圖8係繪示根據本發明之一項實施例之其中一有機溶劑溶解於乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑之一圖。

圖9係用於描述防止在一乾燥程序結束時顆粒被引入至一基板上之原理之一圖，其中顆粒存在於提供於一上殼體與下殼體之一耦接表面上之一密封部件上且存在於密封部件周圍。

1:基板乾燥腔

10:上殼體

20:下殼體

22:底表面

24:一個側表面

26:另一側表面

30:密封部件

40:基板放置板

50:整合式供應/排放埠

60:上供應埠

70:基板放置板支撐件

80:基板支撐件

90:殼體驅動器

100:異物排放部件

110:異物流入路徑

120:異物排放路徑

121:異物排放路徑

510:第一管線

520:共同埠

530:第二管線

R1:第一分離空間

R2:第二分離空間

W:基板

Claims

一種基板乾燥腔，其包括：一上殼體；一下殼體，其可拆卸地耦接至該上殼體；一密封部件，其提供於該下殼體與該上殼體之一耦接表面上；一基板放置板，其耦接至該下殼體之一底表面且其上安置一基板，被一有機溶劑潤濕之一圖案形成於該基板上；一上供應埠，其形成於該上殼體之一中央區中以指向該基板放置板，且經構形以提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應/排放埠，其形成於該下殼體中，且經構形以根據該乾燥用超臨界流體之一供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在該基板之乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一異物排放部件，其形成於該下殼體中，且經構形以提供浸漬於該密封部件中或存在於該密封部件周圍之異物透過其引入及排放至外部之一路徑，其中該異物排放部件包含：一異物流入路徑，其沿著該下殼體之一邊緣垂直地形成以定位於該密封部件下方，且經構形以提供該等異物透過其引入之一路徑；及一異物排放路徑，其形成為自該異物流入路徑之一遠端延伸至該下殼體之一側表面，且經構形以提供該等異物透過其排放至外部之一路徑。
如請求項1之基板乾燥腔，其中在敞開該異物排放部件且因此排放該等異物之同時，敞開或閉合提供該混合流體之該排放路徑之該整合式供應/排放埠。
如請求項1之基板乾燥腔，其中形成該異物排放部件之該異物流入路徑具有對應該下殼體之該邊緣之一形狀之一凹槽之一形狀。
如請求項3之基板乾燥腔，其中垂直形成之複數個通氣孔形成於該凹槽之一底表面中，且該異物排放路徑與該複數個通氣孔連通。
如請求項1之基板乾燥腔，其中該密封部件及該異物流入路徑以一燕尾形方式耦接，且當該基板乾燥腔歸因於該上殼體與該下殼體之分離而敞開時，防止該密封部件之釋放。
如請求項1之基板乾燥腔，其中該整合式供應/排放埠形成為自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面，且形成於該一個側表面及該另一側表面之一中間區中以指向該基板放置板。
如請求項6之基板乾燥腔，其中該整合式供應/排放埠包含：一第一管線，其形成為從該下殼體之該一個側表面至該中間區；一共同埠，其形成於該中間區中以與該第一管線連通，且形成為指向該基板放置板；及一第二管線，其經構形以在該中間區中與該共同埠及該第一管線連通，且形成為延伸至該下殼體之該另一側表面。
如請求項7之基板乾燥腔，其中：該第一管線及該共同埠提供該初始增壓用超臨界流體之該供應路徑；且該共同埠及該第二管線提供其中該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之該混合流體之該排放路徑。
如請求項7之基板乾燥腔，其中藉由該基板放置板阻擋透過該第一管線及該共同埠供應之該初始增壓用超臨界流體，使得防止該初始增壓用超臨界流體直接噴灑至該基板上。
如請求項1之基板乾燥腔，其中該基板安置於一高度高於該下殼體與該上殼體之該耦接表面之該基板放置板上，且當該乾燥程序結束且該下殼體及該上殼體彼此拆卸時，防止提供於該耦接表面上之該密封部件周圍之顆粒歸因於重力而根據該基板與該耦接表面之間的一高度差被引入至該基板上。
如請求項1之基板乾燥腔，其進一步包括一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦接至該下殼體之該底表面之一個端及耦接至該基板放置板之另一端，且經構形以在支撐該基板放置板之同時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
如請求項11之基板乾燥腔，其中該基板放置板支撐件形成該下殼體之該底表面與該基板放置板之間之一第一分離空間，其中該第一分離空間引發透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體沿著該基板放置板之一底表面移動以逐漸擴散至其中安置該基板之一處理區域中。
如請求項1之基板乾燥腔，其進一步包括一基板支撐件，該基板支撐件具有耦接至該基板放置板之一頂表面之一個端及耦接至該基板之另一端，且經構形以在支撐該基板之同時將該基板與該基板放置板之該頂表面分離。
如請求項13之基板乾燥腔，其中該基板支撐件形成該基板放置板之該頂表面與該基板之間之一第二分離空間，其中該第二分離空間使該基板之該底表面暴露於透過該整合式供應/排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體及透過一噴嘴供應之該乾燥用超臨界流體，藉此減少該乾燥程序之一時間。