[go: up one dir, main page]

TWI721308B - 微型發光二極體顯示裝置 - Google Patents

微型發光二極體顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI721308B
TWI721308B TW107128771A TW107128771A TWI721308B TW I721308 B TWI721308 B TW I721308B TW 107128771 A TW107128771 A TW 107128771A TW 107128771 A TW107128771 A TW 107128771A TW I721308 B TWI721308 B TW I721308B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
light
emitting diode
display units
display
Prior art date
Application number
TW107128771A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202010120A (zh
Inventor
蘇柏仁
許國君
曾春銘
Original Assignee
英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 filed Critical 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司
Priority to TW107128771A priority Critical patent/TWI721308B/zh
Priority to US16/222,695 priority patent/US20200058624A1/en
Publication of TW202010120A publication Critical patent/TW202010120A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI721308B publication Critical patent/TWI721308B/zh

Links

Images

Classifications

    • H10W90/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/84Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種微型發光二極體顯示裝置,包含基板及多個顯示單元。所述的基板具有一承載表面。所述的多個顯示單元設於承載表面上,且每個顯示單元包含多個微型發光二極體。所述的多個顯示單元當中的任二個相鄰的顯示單元之間存在一間距且所述間距的寬度具有變化。

Description

微型發光二極體顯示裝置
本發明係關於一種微型發光二極體顯示裝置,特別是一種具有顯示單元結構的微型發光二極體顯示裝置。
隨著光電科技的進步,許多光電元件的體積逐漸往小型化發展。近幾年來,由於發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)製作尺寸上的突破而開始有微米尺寸的發光二極體問世,亦即微型發光二極體,目前將微型發光二極體以陣列排列製作的微型發光二極體顯示器在市場上逐漸受到重視。
微型發光二極體顯示器屬於主動式發光元件顯示器,其除了相較於有機發光二極體 (Organic Light-Emitting Diode, OLED)顯示器而言更為省電之外,也具備更加優異的對比度表現,而可以在陽光下具有可視性。此外,由於微型發光二極體顯示器採用無機材料,因此其相較於有機發光二極體顯示器而言,具備更加優良的可靠性以及更長的使用壽命。
一般來說,不同產業所需的發光二極體顯示面板的尺寸各有不同,因此於發光二極體顯示面板的製程中,需要對發光二極體顯示面板進行切割與拼接以形成各種尺寸的發光二極體顯示器,進而符合不同的產業的需求。然而,現行的微型發光二極體顯示面板切割良率不佳且拼接後易有熱膨脹等問題,仍有待相關領域之人士提出對應的解決方案。
本發明提出一種微型發光二極體顯示裝置,具有相鄰的顯示單元之間存在間距的結構特性,可以提升面板切割的良率且改善拼接後的所引發的熱膨脹問題。
依據本發明之一實施例揭露一種微型發光二極體顯示裝置,包含基板及多個顯示單元。所述的基板具有一承載表面。所述的多個顯示單元設於承載表面上,且每個顯示單元包含多個微型發光二極體。所述的多個顯示單元當中的任二個相鄰的顯示單元之間存在一間距且所述間距的寬度具有變化。
綜上所述,於本發明提出的微型發光二極體顯示裝置中,主要係藉由相鄰的顯示單元之間存在間距的結構特性,使得切割程序可易於進行,進而提升顯示面板的切割良率。再者,利用此結構特性更可以改善顯示面板拼接後的可能產生的熱膨脹問題。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理,並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點,其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點,但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請一併參照圖1與圖2,圖1係依據本發明之一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的俯視示意圖,而圖2係依據本發明之圖1實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。具體來說,圖2係為根據剖面線BB’於圖1的微型發光二極體顯示裝置所剖切的剖面圖。如圖所示,微型發光二極體顯示裝置1包含基板10與多個顯示單元101~109,且基板10具有承載表面S1。於實務上,基板10可以為印刷電路版(Printed Circuit Board, PCB)、軟性電路板(Flexible Printed Circuit board, FPCB)、薄膜電晶體(TFT)玻璃背板、具導接線路的玻璃背板、具有積體電路(IC)的電路板或是其他具有工作電路的驅動基板。多個顯示單元101~109設於基板10的承載表面S1上,且每個顯示單元包含多個微型發光二極體P。顯示單元101~109與基板10電性連接,使佈置於基板10上的控制元件,例如驅動IC等,可以透過此電性連接關係而驅動微型發光二極體P。於此實施例中,每個顯示單元包含多個畫素PX,且每一畫素包含至少三個不同顏色的微型發光二極體P,例如紅色、綠色、藍色微型發光二極體,其具有最大邊長介於3~150微米(μm)。然而,本發明不以上述實施例為限。
於實作上,微型發光二極體顯示裝置1可以包含其他組件,例如記憶體、觸控螢幕控制器及電池等,但本發明不以此為限。於其他實作的例子中,微型發光二極體顯示裝置1可以是電視機、平板電腦、電話、膝上型電腦、電腦監視器、獨立式終端機服務台、數位相機、手持遊戲控制台、媒體顯示器、電子書顯示器、車用顯示器或大型電子看板顯示器。相較於一般毫米級的發光二極體技術,應用微米級的微型發光二極體技術的顯示面板能夠達到高解析度且降低電力消耗。此外,微型發光二極體顯示面板具有節能、機構簡單及薄型的優勢。
於此實施例中,微型發光二極體顯示裝置1具有的這些顯示單元101~109當中的任二個相鄰的顯示單元之間存在間距,且所述的間距的寬度具有變化。以圖2來說,相鄰的顯示單元101與102之間存在間距DS,其寬度具有變化。於一實施例中,如圖2所示,間距DS靠近基板10的寬度小於間距DS遠離基板10的寬度,能使後續進行顯示面板接拼時能有較佳的對位裕度,以增加製作良率。具體來說,間距DS的寬度自基板10朝遠離基板10的方向漸增。此處,間距DS的寬度自基板10朝遠離基板10的方向連續性的漸增,在未繪示出的實施例中,間距的寬度自基板朝遠離基板的方向亦不連續性的漸增,例如階梯式的漸增。於圖2實施例中,間距DS具有最大寬度D1與最小寬度D2。於一個例子中,最小寬度D2與最大寬度D1的比值大於或等於0.8且小於或等於0.95,比值大於0.95無法避免在日後進行顯示面板的拼接時造成熱膨脹的問題,而比值小於0.8會導致出光光型較為不佳。於另一個例子中,最小寬度D2小於200微米(μm)且大於等於20微米。此例子將最小寬度D2限制在小於200微米(μm)且大於等於20微米的範圍可以有助於避免在日後進行顯示面板的拼接時造成拼接縫過大而影響顯示面板的品質。
本發明所提出的微型發光二極體顯示裝置於實作上可以視為一個製造加工過程中的顯示面板模具,顯示單元101~109為顯示封裝體設於顯示面板上,各個顯示封裝體之間預留有間距可以方便將顯示面板切割為數個小區塊面板,用於進行後續的拼接。於一實施例中,基板10的承載表面S1上定義有切割道,其介於任二個相鄰的顯示單元之間。如圖1所示,縱向的切割道CP1例如介於相鄰的顯示單元101與102之間、相鄰的顯示單元104與105之間以及相鄰的顯示單元107與108之間。另外,橫向的切割道CP2 例如介於相鄰的顯示單元101與104之間、相鄰的顯示單元102與105之間以及相鄰的顯示單元103與106之間。
所述的切割道CP1位於顯示單元101與102的間距、顯示單元104與105的間距以及顯示單元107與108的間距內,而所述的切割道CP2位於顯示單元101與104的間距、顯示單元102與105的間距以及顯示單元103與106的間距內。於一實施例中,切割道與任二個相鄰的顯示單元之一於基板10上的邊緣的距離小於100微米(μm)。舉例來說,切割道CP1與顯示單元101及/或顯示單元102於基板10上的邊緣的距離小於100微米(μm),藉此,可避免拼接後微型發光二極體顯示裝置之間的拼接縫過大而導致顯示品質不佳的問題。
每個顯示單元具有遠離承載表面S1的頂表面及鄰接承載表面的底表面,以顯示單元101舉例說明,如圖2所示,顯示單元101具有遠離承載表面S1的頂表面TS及鄰接承載表面S1的底表面BS,且頂表面TS於基板10的正投影面積小於底表面BS於基板10的正投影面積。換言之,頂表面TS的面積小於底表面BS的面積。於一個例子中,頂表面TS於基板10的正投影面與底表面BS於基板10的正投影面積的比值大於或等於0.8且小於或等於0.95,比值大於0.95無法避免在日後進行顯示面板的拼接時造成熱膨脹的問題,而比值小於0.8會導致出光光型較為不佳。在實作上,可為利用表面粗化技術對顯示單元的頂表面進行粗化處理,藉此增加出光效率。
於一實施例中,顯示單元101~109於基板10上的正投影面積總和小於承載表面S1的面積。於實際的例子中,顯示單元101~109於基板10上的正投影面積總和與承載表面S1的面積的比值大於或等於0.8且小於或等於0.95。更詳細來說,顯示單元101~109於基板10上的正投影面積總和可視為顯示單元101~109的底表面的面積總合,由於相鄰的顯示單元的底表面之間具有間隙用於供切割作業,因此顯示單元101~109的底表面之面積總合會略小於承載表面S1的面積,使後續切割作業有較佳良率。
於一實施例中,每個顯示單元具有多個側表面,每個側表面與基板10的承載表面S1形成夾角A,其中夾角A介於20至80度之間。以圖2的剖面圖來說,顯示單元102具有側表面a1與a2,其中側表面a1與基板10的承載表面S1形成夾角A。更具體來說,每個顯示單元具有四個側表面,每個側表面與頂表面及底表面相接。由於頂表面的面積小於底表面的面積,因此每個側表面與承載表面S1可形成所述的夾角。此處,由於夾角結構特性,每個顯示單元的剖面呈現梯型態樣,例如圖2的剖面圖所示,顯示單元101與102呈現為梯型。於另一實施例中,每個顯示單元的四個側表面與底表面相接形成的夾角視需求而各不同。於另一實施例中,每個顯示單元的剖面可呈現階梯狀。然而,本發明不以上述實施例之顯示單元的剖面型態為限。
於一實施例中,每個微型發光二極體的高度小於每個顯示單元的高度。更具體來說,每個微型發光二極體的高度與每個顯示單元的高度之比值小於0.15。以圖2的顯示單元102及其內部的微型發光二極體P舉例說明,每個微型發光二極體P的高度h2與顯示單元102的高度h1之比值小於0.15。於較佳的實施例中,顯示單元的高度h1可以介於40~250微米(μm)。藉由此高度特性,可以使顯示單元具有較佳光型且避免影響出光。於一實施例中,每個顯示單元具有高度H,且每個微型發光二極體具有寬度W且其側表面與承載表面之間的夾角為A,其中
Figure 02_image001
,所述的pitch為顯示單元中任二個相鄰的畫素的間距。以圖2的顯示單元102舉例說明,顯示單元102具有高度h1且其側表面a1與承載表面S1之間的夾角為A,顯示單元102內的微型發光二極體P的寬度均為W1且相鄰的畫素PX的間距為PH,則將前述關於顯示單元102的相關參數帶入上述公式可得此關係:
Figure 02_image003
於一實施例中,每個顯示單元於基板上的邊緣與微型發光二極體當中的部份微型發光二極體的邊緣相鄰且相距範圍小於600微米(μm)。詳細來說,顯示單元於基板上的邊緣即為顯示單元的側表面與基板的承載表面的連接處,例如圖1和圖2所示的邊緣E1,而相鄰於邊緣E1的數個微型發光二極體P與此邊緣E1之間的相距一段距離SP,其可小於600微米(μm),可以使顯示單元具有較佳光型且避免影響出光。
請一併參照圖3與圖4A,圖3係依據本發明之另一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的俯視示意圖,而圖4A係依據本發明之圖3實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。具體來說,圖4A係為根據剖面線CC’於圖3的微型發光二極體顯示裝置所剖切的剖面圖。圖3與圖4A的微型發光二極體顯示裝置2與前述圖1與圖2的微型發光二極體顯示裝置1大致具有相同結構。由圖3的俯視示意圖所示,微型發光二極體顯示裝置2具有多個顯示單元201~216設於基板20上且個別包含多個微型發光二極體P。基板20上配置有多個縱向的切割道CP3與橫向的切割道CP4。圖1~2與圖3~4A兩個實施例之間主要差異在於圖3與圖4A所示的微型發光二極體顯示裝置2更包含有多個遮光結構,且每個遮光結構覆蓋於對應的顯示單元的頂表面。以圖4A的剖面圖舉例說明,遮光結構201a覆蓋於顯示單元201的頂表面,而遮光結構202a覆蓋於顯示單元202的頂表面。於一個例子中,每個遮光結構於對應的顯示單元上的頂表面之覆蓋面積與對應的顯示單元之頂表面的面積比值大於或等於0.5且小於或等於0.95。亦即,遮光結構不會完全覆蓋對應的顯示單元之頂表面的全部,僅會覆蓋頂表面的一部分。於實務上,前述的遮光結構為黑色矩陣(Black Matrix, BM)層,通常係由黑色光阻材料所組成,主要用於防止漏光且增加顯示面板的對比度。
如前述,每個顯示單元具有側表面,且每個遮光結構會完全覆蓋對應的顯示單元的側表面。以圖4A實施例來說,顯示單元201的側表面b1被遮光結構201a所完全覆蓋,而顯示單元202的側表面b2被遮光結構202a所完全覆蓋,用於防止側漏光。於一實施例中,每個遮光結構於基板20上之正投影覆蓋於對應的顯示單元內的部份微型發光二極體於基板20上之正投影。以圖4A的顯示單元201舉例說明,顯示單元201上的遮光結構201a於基板20上之正投影覆蓋最左側的微型發光二極體P於基板20上之正投影的部分。於此實施例中,遮光結構201a於基板20上之正投影與此最左側的微型發光二極體P於基板20上之正投影的重疊面積與此左側的微型發光二極體P於基板20上之正投影的面積之比值小於或等於0.4,比值大於0.4將會影響出光。
也就是說,遮光結構201a僅覆蓋最左側的微型發光二極體P的一部分,而於此最左側的微型發光二極體P上所覆蓋的面積與此最左側的微型發光二極體P本身的上表面積的比值小於或等於0.4。更佳的,最左側的微型發光二極體P上所覆蓋的面積與此最左側的微型發光二極體P本身的上表面積的比值小於或等於0.1,以增加出光開口率。特別說明的是,遮光結構進一步可配置於各個對應的畫素間。請參照圖4B,圖4B係依據本發明之另一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。如圖4B所示,顯示單元201上的遮光結構201a更配置於每一畫素PX間,用於防止每一畫素P的出光互相影響造成串音(cross talk)且增加顯示面板的對比度。於前述圖3、圖4A及圖4B的實施例中,顯示單元上方所覆蓋的遮光結構可由此顯示單元延伸至位於基板20之承載表面上的切割道CP3。換言之,遮光結構不限於僅設置於顯示單元上,其亦可沿伸而被配置於切割道上。於另一實施例中,遮光結構可僅覆蓋對應的顯示單元的部分頂表面以及其四個側表面,而不延伸配置於切割道。
於一實施例中,為了保留佈線空間,多個顯示單元當中靠近基板邊緣的一部份顯示單元的邊緣與基板邊緣之間的間距大於位在基板之中央區域的另一部份顯示單元之間的間距。若以圖3實施例的俯視示意圖來說,可使佈置使靠近基板邊緣的顯示單元201~205、208、209、212、213~216的邊緣與基板20的邊緣之間的間距(例如間距W2)相對較大,而佈置使上述中央區域的該等顯示單元206、207、210、211之間的間距(例如間距W3)則相對較小,如此一來,可以空出較大空間以供基板邊緣的周邊線路的設置,避免線路因過窄的空間而無法適當佈置,最終導致線路傳輸不良或異常。
請參照圖5,圖5係依據本發明之另一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。圖5的微型發光二極體顯示裝置3與前述圖2的微型發光二極體顯示裝置1大致具有相同結構。由圖5的剖面圖來說,微型發光二極體顯示裝置3具有多個顯示單元301~302設於基板30上且個別包含多個微型發光二極體P。圖2與圖5兩者之間主要差異在於圖5的微型發光二極體顯示裝置3更包含蓋板34,其覆蓋於顯示單元301~302。於實際的例子中,所述的蓋板34可以是玻璃蓋板,其尺寸可以與基板30相同或是略大於基板30。如圖4所示,蓋板34具有覆蓋表面CS,其貼合於顯示單元301~302的頂表面。蓋板34的覆蓋表面CS朝向基板30,且覆蓋表面CS的一部份與二個相鄰的顯示單元301與302的側表面c1、c2以及承載表面S3之一部份環繞形成一個空隙GP。此處,空隙GP為空氣空隙(air gap),可增加顯示單元切割或是拚裝時的製程裕度。於未繪示出的實施例中,空隙GP亦可是填入膠料的空隙,在此所述之膠料的折射率可大於空氣的折射率及/或小於遮光結構的折射率。
請一併參照圖6A至圖6C,圖6A至圖6C係為依據本發明之一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的切割與拼接的過程示意圖。一般來說,為了符合市場上不同尺寸顯示面板的需求,在顯示面板的製程過程中,需要對顯示面板模具進行適當地切割,爾後進行拼接組成適當大小的顯示面板。圖6A所示的是為切割前的微型發光二極體顯示裝置4,其上設有多個顯示單元401~409,各別包含多個微型發光二極體P。相鄰的顯示單元之間的間距內設有切割道,例如圖6A所述的切割道CP1’~CP2’。於製程過程中,可沿著切割道CP1’~CP2’對微型發光二極體顯示裝置4進行切割,以獲得數個獨立顯示單元的區塊,如圖6B所示。本發明所提出的微型發光二極體顯示裝置,其多個顯示單元之間預留有間距,且間距內設置切割道,有利於切割程序的進行。
接著,可進一步將該數個切割開來的顯示單元401~409進行拼接,以組成如圖6C所示的微型發光二極體顯示裝置。承前述,圖6C所示的是拼接後的微型發光二極體顯示裝置4,相鄰的顯示單元之間距內存在拼接縫,例如拼接縫SP1~SP4。如前述實施例所述,切割道與任二個相鄰的顯示單元之一於基板10上的邊緣的距離極小,例如小於100微米(μm),因此將此數個獨立顯示單元的區塊拼接後所形成的拼接縫SP1~SP4不會過於明顯而導致整體顯示面板的顯示品質受到影響。
綜上所述,於本發明所提出的微型發光二極體顯示裝置中,主要係藉由相鄰的顯示單元之間存在間距的結構特性,使得切割程序可易於進行,進而提升顯示面板的切割良率。再者,利用此結構特性更可以改善顯示面板拼接後的可能產生的熱膨脹問題。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內,所為之更動與潤飾,均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1、2、3、4‧‧‧微型發光二極體顯示裝置10、20、30‧‧‧基板101~109、201~216、301~302、401~409‧‧‧顯示單元201a、202a‧‧‧遮光結構34‧‧‧蓋板a1、a2、b1、b2、c1、c2‧‧‧側表面A‧‧‧夾角TS‧‧‧頂表面BS‧‧‧底表面W1‧‧‧寬度DS、W2、W3‧‧‧間距D1‧‧‧最大寬度D2‧‧‧最小寬度E1‧‧‧邊緣h1、h2‧‧‧高度S1‧‧‧承載表面CS‧‧‧覆蓋表面P‧‧‧微型發光二極體PX‧‧‧畫素PH‧‧‧間距CP1~CP2、CP1’~CP2’、CP3、CP4‧‧‧切割道SP1~SP4‧‧‧拼接縫SP‧‧‧距離GP‧‧‧空隙
圖1係依據本發明之一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的俯視示意圖。 圖2係依據本發明之圖1實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面示意圖。 圖3係依據本發明之另一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的俯視示意圖。 圖4A係依據本發明之圖3實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。 圖4B係依據本發明之另一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。 圖5係依據本發明之另一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的剖面圖。 圖6A至圖6C係為依據本發明之一實施例所繪示的微型發光二極體顯示裝置的切割與拼接的過程示意圖。
1‧‧‧微型發光二極體顯示裝置
10‧‧‧基板
101、102‧‧‧顯示單元
a1、a2‧‧‧側表面
A‧‧‧夾角
TS‧‧‧頂表面
BS‧‧‧底表面
W1‧‧‧寬度
DS‧‧‧間距
PH‧‧‧間距
D1‧‧‧最大寬度
D2‧‧‧最小寬度
h1、h2‧‧‧高度
S1‧‧‧承載表面
SP‧‧‧距離
E1‧‧‧邊緣
P‧‧‧微型發光二極體
PX‧‧‧畫素

Claims (18)

  1. 一種微型發光二極體顯示裝置,包含:一基板,具有一承載表面及一工作電路;以及多個顯示單元,設於該承載表面上,每一該顯示單元為一顯示封裝體且包含多個畫素,每一該畫素包含至少三個不同顏色的微型發光二極體,其中該些顯示單元透過該工作電路電性連接於該基板,且該些顯示單元當中的任二個相鄰的顯示單元之間存在一間距,其中該任二個相鄰的顯示單元的側壁底端彼此分隔,且該間距的寬度具有變化;其中該間距具有一最大寬度與一最小寬度,該最小寬度與該最大寬度的比值大於或等於0.8且小於或等於0.95。
  2. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該間距靠近該基板的寬度小於該間距遠離該基板的寬度。
  3. 如請求項2所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該間距的寬度自該基板朝遠離該基板的方向漸增。
  4. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該顯示單元具有遠離該承載表面的一頂表面及鄰接該承載表面的一底表面,該頂表面於該基板的正投影面積小於該底表面於該基板的正投影面積。
  5. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該些顯示單元於該基板上的一正投影面積總和小於該承載表面的面積。
  6. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該微型發光二極體的高度與每一該顯示單元的高度之比值小於0.15。
  7. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,更包含: 多個遮光結構,每一該遮光結構覆蓋於該些顯示單元中對應的一個顯示單元的一頂表面,每一該遮光結構於對應的該顯示單元上的該頂表面之覆蓋面積與對應的該顯示單元之該頂表面的面積比值大於或等於0.5且小於或等於0.95。
  8. 如請求項7所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該顯示單元具有一側表面,每一該遮光結構完全覆蓋對應的該顯示單元的該側表面。
  9. 如請求項7所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該遮光結構於該基板上之正投影覆蓋於對應的該顯示單元內的部份微型發光二極體於該基板上之正投影,該遮光結構於該基板上之正投影與該部份微型發光二極體於該基板上之正投影的重疊面積與該部份微型發光二極體於該基板上之正投影的面積之比值小於或等於0.4。
  10. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,更包含:一蓋板,覆蓋於該些顯示單元且具有一覆蓋表面朝向該基板,該覆蓋表面之一部份與該任二個相鄰的顯示單元的側表面以及該承載表面之一部份環繞形成一空隙。
  11. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該顯示單元於該基板上的邊緣與該些微型發光二極體當中的部份微型發光二極體的邊緣相鄰且相距範圍小於600微米(μm)。
  12. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該顯示單元具有多個側表面,每一該側表面與該基板的該承載表面形成一夾角A,其中該夾角A介於20至80度之間。
  13. 如請求項12所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該顯示單元具有一高度H,且每一該微型發光二極體具有一寬度W,其中
    Figure 107128771-A0305-02-0016-1
    <
    Figure 107128771-A0305-02-0016-2
    ,且pitch為該顯示單元中任二個相鄰的畫素的一間距。
  14. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該基板的該承載表面上定義有一切割道,該切割道介於該任二個相鄰的顯示單元之間且位於該間距內,該切割道與該任二個相鄰的顯示單元之一於該基板上的一邊緣的距離小於100微米(μm)。
  15. 如請求項14所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該任二個相鄰的顯示單元上各別覆蓋有一遮光結構,且該二個遮光結構由該任二個相鄰的顯示單元延伸至位於該承載表面上的該切割道。
  16. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,該些顯示單元中靠近該基板之邊緣的一部份顯示單元的邊緣與該基板的邊緣之間的間距大於位在該基板之中央區域的另一部份顯示單元之間的間距。
  17. 一種微型發光二極體顯示裝置,包含:一基板,具有一承載表面;以及多個顯示單元,設於該承載表面上,每一該顯示單元包含多個微型發光二極體,該些顯示單元當中的任二個相鄰的顯示單元之間存在一間距,其中該任二個相鄰的顯示單元的側壁底端彼此分隔,且該間距的寬度具有變化;其中每一該顯示單元具有多個側表面,每一該側表面與該基板的該承載表面形成一夾角A,其中該夾角A介於20至80度之間,每一 該顯示單元具有一高度H,且每一該微型發光二極體具有一寬度W,每一該顯示單元包括多個畫素,且每一該畫素包括至少三個不同顏色的該微型發光二極體,其中
    Figure 107128771-A0305-02-0017-3
    <
    Figure 107128771-A0305-02-0017-4
    ,且pitch為該顯示單元中任二個相鄰的畫素的一間距。
  18. 一種微型發光二極體顯示裝置,包含:一基板,具有一承載表面及一工作電路;多個顯示單元,設於該承載表面上,每一該顯示單元為一顯示封裝體且包含多個畫素,每一該畫素包含至少三個不同顏色的微型發光二極體,其中該些顯示單元透過該工作電路電性連接於該基板,且該些顯示單元當中的任二個相鄰的顯示單元之間存在一間距,其中該任二個相鄰的顯示單元的側壁底端彼此分隔,且該間距的寬度具有變化;以及多個遮光結構,每一該遮光結構覆蓋於該些顯示單元中對應的一個顯示單元的一頂表面,每一該遮光結構於對應的該顯示單元上的該頂表面之覆蓋面積與對應的該顯示單元之該頂表面的面積比值大於或等於0.5且小於或等於0.95;其中每一該顯示單元具有一側表面,每一該遮光結構完全覆蓋對應的該顯示單元的該側表面。
TW107128771A 2018-08-17 2018-08-17 微型發光二極體顯示裝置 TWI721308B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107128771A TWI721308B (zh) 2018-08-17 2018-08-17 微型發光二極體顯示裝置
US16/222,695 US20200058624A1 (en) 2018-08-17 2018-12-17 Micro-led display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107128771A TWI721308B (zh) 2018-08-17 2018-08-17 微型發光二極體顯示裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202010120A TW202010120A (zh) 2020-03-01
TWI721308B true TWI721308B (zh) 2021-03-11

Family

ID=69523355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107128771A TWI721308B (zh) 2018-08-17 2018-08-17 微型發光二極體顯示裝置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20200058624A1 (zh)
TW (1) TWI721308B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI676851B (zh) * 2018-08-22 2019-11-11 隆達電子股份有限公司 畫素陣列封裝結構及顯示面板
CN111681598A (zh) * 2020-06-03 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN111697122A (zh) * 2020-07-13 2020-09-22 东莞市中麒光电技术有限公司 一种显示模块及其制作方法、led显示模组和led显示屏
CN214253720U (zh) * 2021-02-04 2021-09-21 深圳市洲明科技股份有限公司 一种显示模组及显示屏
US20240154074A1 (en) * 2021-06-22 2024-05-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, method for fabricating display panel and displaying device
CN113451351B (zh) * 2021-07-22 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型发光显示设备
TWI792432B (zh) 2021-07-22 2023-02-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光顯示裝置
TWI843560B (zh) * 2023-05-10 2024-05-21 友達光電股份有限公司 發光元件基板、發光元件結構及顯示裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI372372B (en) * 2007-06-15 2012-09-11 Chimei Innolux Corp Light-emitting diode arrays and methods of manufacture
US20150263066A1 (en) * 2014-03-13 2015-09-17 LuxVue Technology Corporation Led device with embedded nanowire leds
TWI550825B (zh) * 2014-12-05 2016-09-21 財團法人工業技術研究院 發光元件的封裝結構

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3880356B2 (ja) * 2000-12-05 2007-02-14 キヤノン株式会社 表示装置
JP4032918B2 (ja) * 2002-10-24 2008-01-16 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
US8794501B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
GB201121864D0 (en) * 2011-12-20 2012-02-01 Mled Ltd Improving display contrast
GB201202222D0 (en) * 2012-02-09 2012-03-28 Mled Ltd Enhanced light extraction
US9548332B2 (en) * 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9178123B2 (en) * 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9105714B2 (en) * 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9153548B2 (en) * 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
US9818725B2 (en) * 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
TWI557831B (zh) * 2015-05-15 2016-11-11 友達光電股份有限公司 微組件的傳送方法
US10132478B2 (en) * 2016-03-06 2018-11-20 Svv Technology Innovations, Inc. Flexible solid-state illumination devices
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
US11024773B2 (en) * 2016-11-07 2021-06-01 Goertek. Inc Micro-LED with vertical structure, display device, electronics apparatus and manufacturing method
US10756069B2 (en) * 2016-12-12 2020-08-25 Goertek Inc. Display device manufacturing method, display device and electronics apparatus
CN106784203B (zh) * 2017-03-31 2019-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素结构及制造方法
TWI613806B (zh) * 2017-05-16 2018-02-01 PlayNitride Inc. 微型發光二極體裝置及顯示面板
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
TWI643328B (zh) * 2017-10-13 2018-12-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置
TWI626772B (zh) * 2017-11-13 2018-06-11 Au Optronics Corporation 轉置裝置
KR20190114333A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led의 검사방법
TWI683453B (zh) * 2018-06-08 2020-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置的製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI372372B (en) * 2007-06-15 2012-09-11 Chimei Innolux Corp Light-emitting diode arrays and methods of manufacture
US20150263066A1 (en) * 2014-03-13 2015-09-17 LuxVue Technology Corporation Led device with embedded nanowire leds
TWI550825B (zh) * 2014-12-05 2016-09-21 財團法人工業技術研究院 發光元件的封裝結構

Also Published As

Publication number Publication date
TW202010120A (zh) 2020-03-01
US20200058624A1 (en) 2020-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI721308B (zh) 微型發光二極體顯示裝置
CN110379314B (zh) 一种无缝拼接屏
CN109037239B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US20210175465A1 (en) Flexible display substrate, display panel, display device, and manufacturing method
KR102635781B1 (ko) 배선 필름 및 그를 포함한 표시 장치
CN104133307B (zh) 显示面板及显示装置
CN107331685B (zh) 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107193165B (zh) 显示装置
US11994778B2 (en) Color filter substrate and display panel
CN110751922B (zh) 显示面板及显示装置
US20240413283A1 (en) Hybrid panel and spliced panel
TWI738533B (zh) 顯示面板及其製作方法
WO2021258489A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN204964955U (zh) 电连接结构、阵列基板和显示装置
WO2021031389A1 (zh) 柔性微发光二极管显示面板及微发光二极管显示装置
WO2023108737A1 (zh) 显示面板及显示装置
WO2021030971A1 (zh) 显示装置及制备方法、电子设备
CN110838500B (zh) 微型发光二极管显示装置
CN205487282U (zh) 显示模组、显示装置
CN110459563A (zh) 显示面板及电子设备
CN114999334B (zh) 一种拼接显示装置
CN116053270A (zh) 显示面板及拼接显示模组
CN115273677A (zh) 显示面板、拼接显示模组以及拼接显示模组的制作方法
KR20220075554A (ko) 표시장치
WO2025148242A1 (zh) 显示面板及移动终端