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TWI713731B - 溫度控制系統及應用其之用以處理基板之系統及對應之控制基板支撐件組件之溫度的方法 - Google Patents

溫度控制系統及應用其之用以處理基板之系統及對應之控制基板支撐件組件之溫度的方法 Download PDF

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TWI713731B
TWI713731B TW106113742A TW106113742A TWI713731B TW I713731 B TWI713731 B TW I713731B TW 106113742 A TW106113742 A TW 106113742A TW 106113742 A TW106113742 A TW 106113742A TW I713731 B TWI713731 B TW I713731B
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約翰 懷特
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

此處所述實施例一般有關於用於基板處理系統中之基板支撐件組件之溫度控制系統。於實施例中，溫度控制系統係於此揭露。溫度控制系統包括遠端流體源及主機系統。遠端流體源具有第一儲器及第二儲器。主機系統包括第一流體迴路、第二流體迴路及第一比例閥。第一流體迴路耦接於第一儲器，及裝配以接收來自第一儲器之第一流體。第二流體迴路耦接於第二儲器，及裝配以接收來自第二儲器之第二流體。第一比例閥具有第一入口及第二入口，第一入口連通於第一流體迴路，第二入口連通於第二流體迴路。第一比例閥具有出口，裝配以讓第三流體流動。

Description

溫度控制系統及應用其之用以處理基板之系統及對 應之控制基板支撐件組件之溫度的方法
此處所述之數個實施例一般係有關於一種用於一基板處理系統之溫度控制系統，及更特別是有關於一種用以調節設置於一基板處理系統中之一基板支撐件組件之一溫度的溫度控制系統。
平板顯示器(Flat Panel Displays，FPD)一般用於主動矩陣顯示器，例如是電腦及電視監視器、個人數位助理(Personal Digital Assistants，PDAs)、及行動電話，以及太陽能電池及類似物。電漿輔助化學氣相沈積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)可應用於平板顯示器製造中，以沈積薄膜於基板上，基板係於真空處理腔室中支撐於基板支撐件組件上。PECVD一般係藉由激化於真空處理腔室中之前驅物氣體成電漿，且從受激之前驅物氣體沈積薄膜於基板上。
在沈積期間，真空處理腔中之電漿係加熱基板及基板支撐件組件。電漿可致使基板及基板支撐件組件之溫度具有暫時之溫度增加或峰值(舉例為增加約30-50℃，或從90℃增加20%-30%之溫度)。此種基板及基板支撐件組件的溫度大幅度增加係不合需求地導致製程變化及/或基板之過熱。
因此，對於用於基板支撐件組件之改善的溫度控制系統係有需求的。
此處所揭露之數個實施例一般係有關於一種用於設置在一基板處理系統中之一基板支撐件組件的溫度控制系統。於一實施例中，一種溫度控制系統係於此揭露。溫度控制系統包括一遠端流體源及一主機系統。遠端流體源具有一第一儲器及一第二儲器。主機系統耦接於遠端流體源。主機系統包括一第一流體迴路、一第二流體迴路及一第一比例閥。第一流體迴路耦接於第一儲器，及裝配以接收來自第一儲器之一第一流體。第二流體迴路耦接於第二儲器，及裝配以接收來自第二儲器之一第二流體。第一比例閥具有一第一入口及一第二入口，第一入口連通於第一流體迴路，第二入口連通於第二流體迴路。第一比例閥具有出口，裝配以讓一第三流體流動，第三流體包含第一流體、第二流體、或其之選擇性比例混合之任一者。
於另一實施例中，一種用以處理一基板之系統係於此揭露。系統包括一移送室、數個處理腔室、及一溫度控制系統。 此些處理腔室耦接於移送室。各處理腔室具有一基板支撐件組件。溫度控制系統包括一遠端流體源及一主機系統。遠端流體源包括一第一儲器及一第二儲器。主機系統耦接於遠端流體源。主機系統包括一第一流體迴路、一第二流體迴路及第一比例閥。第一流體迴路耦接於第一儲器，及裝配以接收來自第一儲器之一第一流體。第二流體迴路耦接於第二儲器，及裝配以接收來自第二儲器之一第二流體。第一比例閥具有一第一入口及一第二入口，第一入口連通於第一流體迴路，第二入口連通於第二流體迴路。第一比例閥具有一出口，裝配以讓一第三流體流動，第三流體包含第一流體、第二流體、或其之選擇性比例混合之任一者。
於另一實施例中，一種用以控制一基板支撐件組件之一溫度的方法係於此揭露。具有一第一溫度之一第一流體於一第一流體迴路中循環。具有一第二溫度之一第二流體於一第二流體迴路中循環。一比例閥中混合第一流體及第二流體。比例閥裝配以產生具有一第三溫度之一第三流體。比例閥提供第三流體至一處理腔室中的基板支撐件組件。第三流體係裝配以控制基板支撐件組件之溫度。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
100、300、404a-404d:處理腔室
101、401:基板
102:腔室主體
104:側壁
106:底部
108:噴頭
109:開孔
110:處理空間
111:真空幫浦
112:背板
114:懸吊座
116:支撐件
118、318:基板支撐件組件
120:支撐板材
122:管座
124:溫度控制元件
126:升舉系統
128:升舉銷
130:射頻回程帶
132:氣源
134:氣體出口
136:氣體通道
138:射頻電源
140:遠端電漿源
150:溫度控制系統
202:遠端流體源
204:主機系統
206:容器
208:第一儲器
210:第二儲器
212:過渡元件
214:第一流體迴路
216:第二流體迴路
218:第一幫浦
220:第二幫浦
222、302、420a-420d:比例閥
224、304:第一入口
226、306:第二入口
228、308:出口
230:流體返回導管
240:比例-積分-微分控制器
310:返回閥
312:入口
314:第一出口
316:第二出口
400:處理系統
402:移送室
412:控制器
414:中央處理器
416:記憶體
418:輔助電路
422:端效器
424:腕部
426:指狀物
500:方法
502、504、506、508:方塊
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。部份之此些實施例係繪示於所附之圖式中。然而，值得注意的是，針對本揭露可 承認其他等效實施例而言，所附之圖式中僅繪示出本揭露之數個典型實施例，且因而不視為其範圍之限制。
第1圖繪示根據一實施例之處理腔室之剖面圖。
第2圖繪示根據一實施例之第1圖之溫度控制系統之示意圖。
第3圖繪示根據另一實施例之第1圖之溫度控制系統之示意圖。
第4圖繪示根據一實施例之使用第2或3圖之溫度控制系統之基板處理系統的示意圖。
第5圖繪示根據一實施例之使用溫度控制系統控制基板支撐件組件之溫度的方法之流程圖。
為了清楚解說之目的，在可行的情況下，相同參考編號係使用，以表示在此些圖式所共有之相同的元件。一實施例之數個元件可額外有利地適用於此處所述之其他實施例中來使用。
第1圖繪示根據一實施例之具有溫度控制系統150之處理腔室100之剖面圖。處理腔室100可包括腔室主體102，腔室主體102具有側壁104、底部106、及噴頭108。側壁104、底部106、及噴頭108定義處理空間110。進出處理空間110係經由開孔109，開孔109係貫穿側壁104形成。
噴頭108可耦接於背板112。舉例來說，噴頭108可藉由懸吊座114在背板112之周圍耦接於背板112。一或多個耦接 支撐件116可使用來耦接噴頭108於背板112，以有助於控制噴頭108之下垂(sag)。
處理腔室100更包括基板支撐件組件(或基座)118，基板支撐件組件118設置於處理空間110中。基板支撐件組件118包括支撐板材120及管座122，管座122耦接於支撐板材120。支撐板材120係裝配以在處理期間支撐基板101。支撐板材120包括溫度控制元件124。溫度控制元件124裝配以維持基板支撐件組件118於所需之溫度。溫度控制元件124耦接於溫度控制系統150。於一實施例中，溫度控制系統150係在處理腔室100之外部。
升舉系統126可耦接於管座122，以升起及降低支撐板材120。升舉銷128可移動地貫穿支撐板材120設置，以分隔基板101及支撐板材120來有助於機械傳送基板101。基板支撐件組件118可亦包括射頻(RF)回程帶130，以於基板支撐件組件118之周圍提供射頻回程路徑。
氣源132可耦接於背板112，以經由背板112中之氣體出口134提供處理氣體。處理氣體從氣體出口134流動通過噴頭108中之氣體通道136。真空幫浦111可耦接於處理腔室100，以控制處理空間110中之壓力。射頻(RF)電源138可耦接於背板112及/或噴頭108，以提供射頻功率至噴頭108。射頻功率於噴頭108與基板支撐件組件118之間產生電場，使得電漿可從噴頭108及基板支撐件組件118之間的氣體產生。
遠端電漿源140例如是電感耦合遠端電漿源，遠端電漿源140可亦耦接於氣源132及背板112之間。在處理基板之間，清洗氣體可提供於遠端電漿源140，使得遠端電漿係產生且提供至處理空間110中，以清洗腔室元件。清洗氣體可進一步在處理空間110中藉由功率激化，此功率係由射頻電源138提供至噴頭108。合適的清洗氣體包括NF3、F2、及SF6，但不以此為限。
如上方所討論，溫度控制系統150係使用以在處理期間控制基板支撐件組件118及支撐於其上之基板101之溫度。溫度控制系統150一般係提供通過管座122之傳熱流體至設置於基板支撐件組件118中之溫度控制元件124。提供至溫度控制元件124之傳熱流體的溫度及總量可由溫度控制系統150控制，使得基板支撐件組件118及支撐於其上之基板101可在處理期間保持於所需之溫度。
第2圖繪示根據一實施例之溫度控制系統150之示意圖。溫度控制系統150包括遠端流體源202及主機系統204，主機系統204耦接於遠端流體源202。遠端流體源202包括第一儲器208及第二儲器210。第一儲器208及第二儲器210可裝配成一個單一的容器206。第一儲器208係裝配以提供60℃或60℃以下之溫度的傳熱流體(此後意指為「第一流體」)。於一實施例中，第一儲器208係裝配以維持傳熱流體於30℃。第二儲器210係裝配以提供大於60℃之溫度的傳熱流體(此後為「第二流體」)。於一實施例中，第二儲器210係裝配，以維持傳熱流體於比設置於第一儲 器208中之傳熱流體溫暖至少20℃。舉例來說，第二儲器210可裝配以維持傳熱流體於約90℃。容器206可包括過渡元件212，過渡元件212流體耦合第一儲器208於第二儲器210。當存在於第一儲器208及第二儲器210之其中一者之傳熱流體的總量係供應至過渡元件212之位置時，過量之傳熱流體將流至過渡元件212而至包含較少總量之傳熱流體的第一儲器208及第二儲器210二者之另一。
主機系統204包括第一流體迴路214及第二流體迴路216。第一流體迴路214係裝配以讓第一流體從第一儲器208流動及流動回到第一儲器208。於一實施例中，第一流體迴路214係裝配以讓冷卻(也就是少於或等於約60℃)之傳熱流體從第一儲器208流動。冷卻之傳熱流體可藉由第一幫浦218提供，第一幫浦218連通於第一儲器208及第一流體迴路214。冷卻之傳熱流體可循環通過第一流體迴路214且回到第一儲器208。藉由持續地讓冷卻之傳熱流體從第一儲器208流動、通過第一流體迴路214、及回到第一儲器208中，在第一流體迴路214中之傳熱流體係維持在實質上固定之溫度。舉例來說，在第一流體迴路214中之冷卻之傳熱流體可維持在30℃之溫度。
第二流體迴路216係裝配以讓第二流體從第二儲器210流動及流動回到第二儲器210。於一實施例中，第二流體迴路216係裝配以讓熱(也就是多於約60℃)的傳熱流體從第二儲器210流動。熱的傳熱流體可藉由第二幫浦220提供，第二幫浦220 連通於第二儲器210及第二流體迴路216。熱的傳熱流體可循環通過第二流體迴路216且回到第二儲器210中。藉由持續地讓熱的傳熱流體流動通過第二流體迴路216，在第二流體迴路216中之傳熱流體可維持在實質上固定之溫度。舉例來說，熱的傳熱流體可維持在約90℃之溫度。
主機系統204更包括比例閥222。比例閥222包括第一入口224、第二入口226、及出口228。第一入口224係流體耦接於第一流體迴路214。舉例來說，第一入口224可接收通過第一流體迴路214之冷卻之傳熱流體之一部份。第二入口226流體耦接於第二流體迴路216。舉例來說，第二入口226可接收通過第二流體迴路216之熱的傳熱流體之一部份。
比例閥222係裝配以選擇性控制從第一流體迴路214進入第一入口224之第一流體及從第二流體迴路216進入第二入口226之第二流體的比，從第一流體迴路214進入第一入口224之第一流體及從第二流體迴路216進入第二入口226之第二流體係經由出口228離開比例閥222。離開出口228之傳熱流體(此後意指為「第三流體」)之比可透過百分之百的第一流體到百分之百的第二流體的整個範圍控制。離開比例閥222之第一及第二流體係作為第三流體，控制離開比例閥222之第一及第二流體之比係使得第三流體之溫度設定為預定溫度。舉例來說，比例閥222可以控制離開比例閥222之第三流體之溫度的方式混合第一流體及第二流體，以控制耦接於其之特定元件的溫度。第三流體之所需溫度一 般係少於或等同於熱的傳熱流體之溫度，及多於或等同於冷卻之傳熱流體之溫度。第三流體係從出口228提供至處理腔室100中之溫度控制元件124，第三流體係於處理腔室100中用以調節基板支撐件組件118之溫度。
於一實施例中，比例-積分-微分(PID)控制器240可耦接於比例閥222。PID控制器240係裝配，以持續地計算誤差值來作為基板或基板支撐件組件118之所需設定點及測量溫度的差值，以控制第一流體之總量及第二流體之總量，第一流體之總量及第二流體之總量係通過比例閥222提供至基板支撐件組件118。
於一實施例中，主機系統204更包括流體返回導管230。流體返回導管230係裝配，以在第三流體從溫度控制元件124離開基板支撐件組件118時接收第三流體。流體返回導管230係裝配以讓第三流體流動至遠端流體源202。於第2圖中所示之實施例中，第三流體係通過流體返回導管230返回至第一儲器208。
第3圖繪示根據另一實施例之溫度控制系統150之示意圖。溫度控制系統150可更包括比例閥302。比例閥302實質上類似於比例閥222。比例閥302包括第一入口304、第二入口306、及出口308。第一入口304流體耦接於第一流體迴路214。舉例來說，第一入口304可接收通過第一流體迴路214之冷卻之傳熱流體之一部份。第二入口306流體耦接於第二流體迴路216。舉例來說，第二入口306可接收通過第二流體迴路216之熱的傳熱流體之一部份。
比例閥302係裝配以選擇性控制從第一流體迴路214進入第一入口304之第一流體及從第二流體迴路216進入第二入口306之第二流體的比，從第一流體迴路214進入第一入口304之第一流體及從第二流體迴路216進入第二入口306之第二流體係經由出口308離開比例閥302。離開出口308之傳熱流體之比可透過百分之百的第一流體到百分之百的第二流體的整個範圍控制。舉例來說，比例閥302可混合第一流體及第二流體，以調整傳熱流體之溫度至第四溫度(此後為「第四流體」)。第四流體之所需溫度一般係少於或等同於熱的傳熱流體之溫度，及多於或等同於冷卻之傳熱流體之溫度。於一實施例中，第四流體具有等同於第三流體之溫度的溫度。於另一實施例中，第四流體可具有不同於第三流體之溫度的溫度。第四流體係從出口308提供至處理腔室300中之基板支撐件組件318，第四流體係於處理腔室300中用以調節基板支撐件組件318之溫度。
溫度控制系統150可更包括返回閥310。返回閥310包括入口312、第一出口314、及第二出口316。入口312流體耦接於流體返回導管230。返回閥310係裝配來改變狀態，以根據從流體返回導管230接收之流體的溫度導引從流體返回導管230返回之流體至第一儲器208或第二儲器210。舉例來說，如果離開流體返回導管230之流體具有大於60℃之溫度，返回閥310係設定成一狀態，此狀態係導引從流體返回導管230接收之流體經由第一出口314至第二儲器210。然而，如果離開流體返回導管230之流體 具有少於60℃之溫度，返回閥310係設定成一狀態，此狀態係導引從流體返回導管230接收之流體經由第二出口316至第一儲器208。
一般來說，溫度控制系統150可包括比例閥，裝配以提供不同流體至分開之處理腔室。第4圖繪示具有溫度控制系統150之處理系統400之示意圖。
處理系統400包括移送室402及數個處理腔室404a-404d。各處理腔室404a-404d耦接於移送室402。處理腔室404a-404d可裝配以執行許多基板操作，例如是蝕刻、預清洗、烘烤、薄膜沈積、或其他基板製程。於一實施例中，處理腔室404a-404d係各為PECVD腔室，例如是說明於第1圖中之腔室。
處理系統400更包括溫度控制系統150。溫度控制系統150包括比例閥420a-420d，比例閥420a-420d對應於處理腔室404a-404d。各比例閥420a-420d係裝配以提供具有給定之溫度之流體到個別之處理腔室404a-404d。
處理系統400可更包括一或多個裝載腔室、基板處理器、及控制器412。裝載腔室提供基板401之傳送至處理系統400中且離開處理系統400。裝載腔室可對傳入處理系統400之基板抽氣，以維持真空密封。基板處理器包括端效器422。端效器422裝配以藉由基板處理器之剩餘部份支撐且相對於基板處理器之剩餘部份移動，以傳送基板401。端效器422包括腕部424及數個從其水平地延伸之指狀物426。指狀物426適用於支撐基板401於其 上。基板處理器可於裝載腔室及處理腔室404a-404d之間傳送基板。基板處理器可亦於裝載腔室及移送室402之間傳送基板。
控制器412可裝配以操作處理系統400之所有方面，例如是下方結合第5圖所揭露之方法。舉例來說，控制器412可裝配，以藉由於處理系統400中之處理腔室404a-404d之間傳送基板來處理基板。於另一例子中，控制器可裝配，以控制流體之溫度，此流體係從溫度控制系統150提供至各處理腔室404a-404d。
控制器412包括可程式之中央處理器(central processing unit，CPU)414，可與耦接於處理系統之數種元件之記憶體416與大容量儲存裝置、輸入控制單元、及顯示單元(未繪示)一同操作，例如是電源供應器、時鐘、高速緩衝記憶體(cache)、輸入/輸出電路、及襯墊，以有助於基板處理之控制。控制器412亦包括硬體，用以經由於處理系統400中之感測器監控基板處理，硬體包括監控前驅物、處理氣體、及淨化氣體流動之感測器。測量系統參數之其他感測器可亦提供資訊至控制器412，系統參數例如是基板溫度、腔室大氣壓力、及類似者。
為了有助於控制上述之處理系統400，CPU 414可為任何形式之通用計算機處理器的其中一者，可使用於工業設置中，例如是可程式化邏輯控制器(programmable logic controller，PLC)，用以控制多種腔室及次處理器。記憶體416係耦接於CPU 414，及記憶體416係非暫態且可為一或多個隨時 可得之記憶體，例如是隨機存取記憶體(random access memory，RAM)、唯讀記憶體(read only memory，ROM)、軟式磁碟驅動機、硬碟、或任何其他形式之區域或遠端之數位儲存器。輔助電路418係耦接於CPU 414，用以以傳統方式支援CPU 414。帶電體世代(charged species generation)、加熱、及其他製程一般係儲存於記憶體416中，通常係作為軟體常式(software routine)。軟體常式可亦由第二CPU(未繪示)儲存及/或執行，第二CPU遠離由CPU 414控制之硬體。
記憶體416係為電腦可讀取儲存媒體之形式，包含數個指令，當由CPU 414執行指令時係有助於處理系統400之操作。在記憶體416中之指令係為程式產品之形式，例如是應用本揭露之方法的程式。程式碼可符合不同之程式語言的任何一者。於一例子中，本揭露可以儲存在可與電腦系統一同使用之電腦可讀取儲存媒體之一程式產品實現。程式產品之程式係定義實施例之數個功能(包括此處所述之方法)。所說明之電腦可讀取儲存媒體包括下述之產品，但不以此為限：(i)不可覆寫儲存媒體(舉例為在電腦中之唯讀記憶裝置，例如是由CD-ROM驅動器可讀之CD-ROM碟片、快閃記憶體、ROM晶片、或任何形式之固態非揮發性半導體記憶體)，資訊係永久儲存於不可覆寫儲存媒體；以及(ii)可覆寫儲存媒體(舉例為在磁片驅動器或硬碟驅動器中之軟式硬碟或任何固態隨機存取半導體記憶體)，可變資訊係儲存於可覆寫儲存媒體。當執行數個電腦可讀取指令，且此些電腦可讀取指令係管理 此處所述方法的功能時，此種電腦可讀取儲存媒體係為本揭露之實施例。
第5圖繪示使用溫度控制系統控制基板支撐件組件之溫度的方法500之流程圖。於方塊502，具有第一溫度之第一流體係於第一流體迴路中循環。第一流體迴路耦接於第一儲器。舉例來說，第一儲器可裝配以維持第一流體於少於60°之溫度。第一儲器係裝配以提供第一流體至第一流體迴路。
於方塊504，具有第二溫度之第二流體係於第二流體迴路中循環。第二流體迴路耦接於第二儲器。舉例來說，第二儲器可裝配以維持第二流體於多於60°之溫度。第二儲器係裝配以提供第二流體至第二流體迴路。第二流體之第二溫度係高於第一流體之第一溫度。
於方塊506，比例閥可以從0：100至100：0之範圍中的比混合第一流體及第二流體。基於所需之比來取得第三流體的所需溫度，比例閥係裝配以取出第一總量之第一流體及第二總量之第二流體來產生第三流體。
於方塊508，比例閥提供第三流體至處理腔室中之基板支撐件組件。第三流體係裝配以控制基板支撐件組件之溫度。舉例來說，第三流體可流經基板支撐件組件，以維持特定之溫度。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因 此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:處理腔室
101:基板
102:腔室主體
104:側壁
106:底部
108:噴頭
109:開孔
110:處理空間
111:真空幫浦
112:背板
114:懸吊座
116:支撐件
118:基板支撐件組件
120:支撐板材
122:管座
124:溫度控制元件
126:升舉系統
128:升舉銷
130:射頻回程帶
132:氣源
134:氣體出口
136:氣體通道
138:射頻電源
140:遠端電漿源
150:溫度控制系統

Claims (18)

  1. 一種溫度控制系統，包括：一遠端流體源，具有一第一儲器及一第二儲器；一主機系統，耦接於該遠端流體源，該主機系統包括：一第一流體迴路，耦接於該第一儲器，及裝配以接收來自該第一儲器之一第一流體；一第二流體迴路，耦接於該第二儲器，及裝配以接收來自該第二儲器之一第二流體；及一第一比例閥，具有一第一入口及一第二入口，該第一入口連通於該第一流體迴路，該第二入口連通於該第二流體迴路，該第一比例閥具有一出口，裝配以讓一第三流體流動，該第三流體包含該第一流體、該第二流體、或其之選擇性比例混合之任一者；以及一控制器，裝配以回應熱連接於該出口之流體流動的特定元件的一所需溫度，控制進入該第一比例閥之該第一入口之該第一流體及進入該第二入口之該第二流體的比例來控制從該第一比例閥之該出口流動之該第三流體的溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之溫度控制系統，更包括：一流體返回導管，耦接於該遠端流體源。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之溫度控制系統，更包括：一返回閥，具有一入口、一第一出口、及一第二出口，該入口連通於該流體返回導管，該第一出口連通於該第一儲器，該第二出口連通於該第二儲器。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之溫度控制系統，更包括：一比例-積分-微分(PID)控制器，耦接於該第一比例閥。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之溫度控制系統，更包括：一第一基板支撐件組件，設置於一第一處理腔室中，該第一基板支撐件組件耦接於該第一比例閥之該出口。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之溫度控制系統，更包括：一第二基板支撐件組件，設置於一第二處理腔室中；及一第二比例閥，具有另一第一入口、另一第二入口及另一出口，該另一第一入口連通於該第一流體迴路，該另一第二入口連通於該第二流體迴路，該另一出口連通於該第二基板支撐件組件。
  7. 一種用以處理一基板之系統，包括：一移送室； 複數個處理腔室，耦接於該移送室，各該處理腔室具有一基板支撐件組件；以及一溫度控制系統，裝配以控制在一第一處理腔室中之一第一基板支撐件組件之一溫度，該溫度控制系統包括：一遠端流體源，具有一第一儲器及一第二儲器；一主機系統，耦接於該遠端流體源，該主機系統包括：一第一流體迴路，耦接於該第一儲器，及裝配以接收來自該第一儲器之一第一流體；一第二流體迴路，耦接於該第二儲器，及裝配以接收來自該第二儲器之一第二流體；以及一第一比例閥，具有一第一入口及一第二入口，該第一入口連通於該第一流體迴路，該第二入口連通於該第二流體迴路，該第一比例閥具有一出口，裝配以讓一第三流體流動，該第三流體包含該第一流體、該第二流體、或其之選擇性比例混合之任一者；以及一控制器，裝配以回應熱連接於該出口之流體流動的特定元件的一所需溫度，控制進入該第一比例閥之該第一入口之該第一流體及進入該第二入口之該第二流體的比例來控制從該第一比例閥之該出口流動之該第三流體的溫度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該溫度控制系統更包括：一流體返回導管，耦接於該遠端流體源。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之系統，其中該溫度控制系統更包括：一返回閥，具有一入口、一第一出口及一第二出口，該入口連通於該流體返回導管，該第一出口連通於該第一儲器，該第二出口連通於該第二儲器。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該溫度控制系統更包括：一比例-積分-微分(PID)控制器，耦接於該第一比例閥。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該第一流體具有一第一溫度，該第二流體具有一第二溫度，及該第三流體具有一第三溫度，該第一溫度低於該第二溫度，以及該第三溫度高於或等同於該第一溫度，及低於或等同於該第二溫度。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該溫度控制系統更包括：一第二基板支撐件組件，設置於一第二處理腔室中；及一第二比例閥，具有另一第一入口、另一第二入口及另一出口，該另一第一入口連通於該第一流體迴路，該另一第二入口連通於該第二流體迴路，該另一出口連通於該第二基板支撐件組件。
  13. 一種控制一基板支撐件組件之一溫度的方法，包括：於一第一流體迴路中循環具有一第一溫度之一第一流體； 於一第二流體迴路中循環具有一第二溫度之一第二流體；於一比例閥中混合該第一流體及該第二流體，該比例閥裝配以產生具有一第三溫度之一第三流體；以及提供該第三流體至一處理腔室中的該基板支撐件組件，其中該第三流體係裝配以控制該基板支撐件組件之該溫度。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，更包括：讓該第三流體流出該基板支撐件組件而進入一流體返回導管中。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第三溫度高於或等同於該第一溫度，及低於或等同於該第二溫度。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包括：於另一比例閥中混合該第一流體及該第二流體，該另一比例閥裝配以產生具有一第四溫度之一第四流體；以及提供該第四流體至另一處理腔室中的另一基板支撐件組件，其中該第四流體係裝配以控制該另一基板支撐件組件之一溫度，及其中該第四流體具有該第四溫度，不同於該第三流體之該第三溫度。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第四溫度高於或等同於該第一溫度，及低於或等同於該第二溫度。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一流體迴路連通於一第一儲器，及該第二流體迴路連通於一第二儲器。
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