[go: up one dir, main page]

KR20180130601A - 이중 루프 서셉터 온도 제어 시스템 - Google Patents

이중 루프 서셉터 온도 제어 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20180130601A
KR20180130601A KR1020187034741A KR20187034741A KR20180130601A KR 20180130601 A KR20180130601 A KR 20180130601A KR 1020187034741 A KR1020187034741 A KR 1020187034741A KR 20187034741 A KR20187034741 A KR 20187034741A KR 20180130601 A KR20180130601 A KR 20180130601A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
temperature
reservoir
inlet
support assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020187034741A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102204916B1 (ko
Inventor
존 엠. 화이트
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180130601A publication Critical patent/KR20180130601A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102204916B1 publication Critical patent/KR102204916B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/20—Cooling means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B15/00—Systems controlled by a computer
    • G05B15/02—Systems controlled by a computer electric
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/01—Control of temperature without auxiliary power
    • G05D23/13—Control of temperature without auxiliary power by varying the mixing ratio of two fluids having different temperatures
    • G05D23/1393—Control of temperature without auxiliary power by varying the mixing ratio of two fluids having different temperatures characterised by the use of electric means
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0676—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on flow sources
    • H10P72/0432—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템에 배치된 기판 지지 조립체를 위한 온도 제어 시스템에 관한 것이다. 일 실시예에서, 온도 제어 시스템이 본원에서 개시된다. 온도 제어 시스템은 원격 유체 소스 및 메인 프레임 시스템을 포함한다. 원격 유체 소스는 제1 저장조 및 제2 저장조를 포함한다. 메인 프레임 시스템은 제1 유체 루프 및 제2 유체 루프를 포함한다. 제1 유체 루프는 제1 저장조에 커플링되고, 제1 저장조로부터 제1 유체를 수용하도록 구성된다. 제2 유체 루프는 제2 저장조에 커플링되고, 제2 저장조로부터 제2 유체를 수용하도록 구성된다. 제1 프로포셔닝 밸브는 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 및 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구를 갖는다. 제1 프로포셔닝 밸브는 제3 유체를 유동시키도록 구성된 배출구를 갖는다.

Description

이중 루프 서셉터 온도 제어 시스템
[0002] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템을 위한 온도 제어 시스템에 관한 것으로, 더 구체적으로, 기판 프로세싱 시스템에 배치된 기판 지지 조립체의 온도를 조절하기 위한 온도 제어 시스템에 관한 것이다.
[0004] 일반적으로, 평판 디스플레이(FPD)들은 능동 매트릭스 디스플레이들, 이를테면, 컴퓨터 및 텔레비전 모니터들, 개인 정보 단말기(PDA)들, 및 셀 폰들, 뿐만 아니라 솔라 셀들 등에 대해 사용된다. 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 진공 프로세싱 챔버 내에서 기판 지지 조립체 상에 지지된 기판 상에 박막을 증착하기 위해 평판 디스플레이 제작에서 채용될 수 있다. 일반적으로, PECVD는, 진공 프로세싱 챔버 내에서 전구체 가스를 플라즈마로 에너자이징(energize)하고, 에너자이징된 전구체 가스로부터 기판 상에 막을 증착함으로써, 달성된다.
[0005] 증착 동안, 진공 프로세싱 챔버 내의 플라즈마는 기판 및 기판 지지 조립체를 가열한다. 플라즈마는 기판 및 지지 조립체의 온도가 일시적 온도 증가 또는 스파이크(spike)(예컨대, 90 ℃로부터의 20% 내지 30% 온도 증가 또는 약 30 ℃ 내지 50 ℃ 증가)를 갖게 할 수 있다. 기판 및 지지 조립체의 그러한 큰 온도 증가는 바람직하지 않게, 프로세스 변동 및/또는 기판의 과열을 야기한다.
[0006] 따라서, 기판 지지 조립체를 위한 개선된 온도 제어 시스템이 필요하다.
[0007] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템에 배치된 기판 지지 조립체를 위한 온도 제어 시스템에 관한 것이다. 일 실시예에서, 온도 제어 시스템이 본원에서 개시된다. 온도 제어 시스템은 원격 유체 소스 및 메인 프레임 시스템을 포함한다. 원격 유체 소스는 제1 저장조(reservoir) 및 제2 저장조를 포함한다. 메인 프레임 시스템은 원격 유체 소스와 커플링된다. 메인 프레임 시스템은 제1 유체 루프 및 제2 유체 루프를 포함한다. 제1 유체 루프는 제1 저장조에 커플링되고, 제1 저장조로부터 제1 유체를 수용하도록 구성된다. 제2 유체 루프는 제2 저장조에 커플링되고, 제2 저장조로부터 제2 유체를 수용하도록 구성된다. 제1 프로포셔닝 밸브(proportioning valve)는 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 및 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구를 갖는다. 제1 프로포셔닝 밸브는, 제1 유체, 제2 유체, 또는 제1 유체와 제2 유체의 선택적으로 비례하는(proportional) 혼합물 중 어느 하나로 구성된 제3 유체를 유동시키도록 구성된 배출구를 갖는다.
[0008] 다른 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템이 본원에서 개시된다. 시스템은 이송 챔버, 복수의 프로세싱 챔버들, 및 온도 제어 시스템을 포함한다. 복수의 프로세싱 챔버들은 이송 챔버에 커플링된다. 각각의 프로세싱 챔버는 기판 지지 조립체를 갖는다. 온도 제어 시스템은 원격 유체 소스 및 메인 프레임 시스템을 포함한다. 원격 유체 소스는 제1 저장조 및 제2 저장조를 포함한다. 메인 프레임 시스템은 원격 유체 소스와 커플링된다. 메인 프레임 시스템은 제1 유체 루프 및 제2 유체 루프를 포함한다. 제1 유체 루프는 제1 저장조에 커플링되고, 제1 저장조로부터 제1 유체를 수용하도록 구성된다. 제2 유체 루프는 제2 저장조에 커플링되고, 제2 저장조로부터 제2 유체를 수용하도록 구성된다. 제1 프로포셔닝 밸브는 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 및 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구를 갖는다. 제1 프로포셔닝 밸브는, 제1 유체, 제2 유체, 또는 제1 유체와 제2 유체의 선택적으로 비례하는 혼합물 중 어느 하나로 구성된 제3 유체를 유동시키도록 구성된 배출구를 갖는다.
[0009] 다른 실시예에서, 기판 지지 조립체의 온도를 제어하기 위한 방법이 본원에서 개시된다. 제1 온도를 갖는 제1 유체가 제1 유체 루프에서 순환된다. 제2 온도를 갖는 제2 유체가 제2 유체 루프에서 순환된다. 프로포셔닝 밸브가 제1 유체와 제2 유체를 혼합한다. 프로포셔닝 밸브는 제3 온도를 갖는 제3 유체를 생성하도록 구성된다. 프로포셔닝 밸브는 프로세싱 챔버 내의 기판 지지 조립체에 제3 유체를 제공한다. 제3 유체는 기판 지지 조립체의 온도를 제어하도록 구성된다.
[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버의 단면도를 예시한다.
[0012] 도 2는 일 실시예에 따른, 도 1의 온도 제어 시스템을 예시한다.
[0013] 도 3은 다른 실시예에 따른, 도 1의 온도 제어 시스템을 예시한다.
[0014] 도 4는 일 실시예에 따른, 도 2 또는 도 3의 온도 제어 시스템을 사용하는 기판 프로세싱 시스템을 예시한다.
[0015] 도 5는 일 실시예에 따른, 온도 제어 시스템을 사용하여 기판 지지 조립체의 온도를 제어하는 방법을 예시하는 흐름도이다.
[0016] 명확성을 위해, 도면들 간에 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 부가적으로, 일 실시예의 엘리먼트들은 본원에서 설명되는 다른 실시예들에서의 활용을 위해 유리하게 적응될 수 있다.
[0017] 도 1은 일 실시예에 따른, 온도 제어 시스템(150)을 갖는 프로세싱 챔버(100)의 단면도를 예시한다. 프로세싱 챔버(100)는 챔버 바디(102)를 포함할 수 있으며, 그 챔버 바디(102)는 측벽들(104), 바닥부(106), 및 샤워헤드(108)를 갖고, 그 측벽들(104), 바닥부(106), 및 샤워헤드(108)는 프로세싱 볼륨(110)을 정의한다. 프로세싱 볼륨(110)은 측벽들(104)을 통해 형성된 개구(109)를 통해 접근된다.
[0018] 샤워헤드(108)는 배킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 샤워헤드(108)는 배킹 플레이트(112)의 주변부에서 서스펜션(suspension)(114)에 의해 배킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(108)의 처짐을 제어하는 것을 보조하기 위해, 하나 또는 그 초과의 커플링 지지부들(116)이 배킹 플레이트(112)에 샤워헤드(108)를 커플링시키는 데 사용될 수 있다.
[0019] 프로세싱 챔버(100)는 프로세싱 볼륨(110)에 배치된 기판 지지 조립체(또는 서셉터(susceptor))(118)를 더 포함한다. 기판 지지 조립체(118)는 지지 플레이트(120), 및 지지 플레이트(120)에 커플링된 스템(122)을 포함한다. 지지 플레이트(120)는 프로세싱 동안 기판(101)을 지지하도록 구성된다. 지지 플레이트(120)는 온도 제어 엘리먼트들(124)을 포함한다. 온도 제어 엘리먼트들(124)은 기판 지지 조립체(118)를 원하는 온도로 유지하도록 구성된다. 온도 제어 엘리먼트들(124)은 온도 제어 시스템(150)에 커플링된다. 일 실시예에서, 온도 제어 시스템(150)은 프로세싱 챔버(100) 외부에 있다.
[0020] 지지 플레이트(120)를 상승 및 하강시키기 위해, 리프트 시스템(126)이 스템(122)에 커플링될 수 있다. 기판(101)의 로봇식 이송을 가능하게 하기 위하여, 지지 플레이트(120)로부터 기판(101)을 이격시키기 위해, 리프트 핀들(128)이 지지 플레이트(120)를 통해 이동가능하게 배치된다. 기판 지지 조립체(118)는 또한, 기판 지지 조립체(118)의 주변부에 RF 리턴 경로를 제공하기 위해 RF 리턴 스트랩들(130)을 포함할 수 있다.
[0021] 배킹 플레이트(112) 내의 가스 배출구(134)를 통해 프로세싱 가스를 제공하기 위해, 가스 소스(132)가 배킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다. 프로세싱 가스는 가스 배출구(134)로부터 샤워헤드(108) 내의 가스 통로들(136)을 통해 유동한다. 프로세싱 볼륨(110) 내의 압력을 제어하기 위해, 진공 펌프(111)가 프로세싱 챔버(100)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(108)에 RF 전력을 제공하기 위해, RF 전력 소스(138)가 배킹 플레이트(112) 및/또는 샤워헤드(108)에 커플링될 수 있다. RF 전력은 샤워헤드(108)와 기판 지지 조립체(118) 사이에 전기장을 생성하고, 그에 따라, 샤워헤드(108)와 기판 지지 조립체(118) 사이에 가스들로부터 플라즈마가 생성될 수 있다.
[0022] 원격 플라즈마 소스(140), 이를테면 유도성 커플링 원격 플라즈마 소스가 또한, 가스 소스(132)와 배킹 플레이트(112) 사이에 커플링될 수 있다. 기판들의 프로세싱 사이에, 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(140)에 제공될 수 있고, 그에 따라, 원격 플라즈마가 생성되고, 그리고 챔버 컴포넌트들을 세정하기 위해 프로세싱 볼륨(110) 내에 제공된다. 세정 가스는, RF 전력 소스(138)로부터 샤워헤드(108)에 인가된 전력에 의해, 프로세싱 볼륨(110)에 있는 동안 추가로 여기될 수 있다. 적합한 세정 가스들은 NF3, F2, 및 SF6를 포함한다(그러나 이에 제한되지는 않음).
[0023] 위에서 논의된 바와 같이, 온도 제어 시스템(150)은 프로세싱 동안 기판 지지 조립체(118) 및 그 기판 지지 조립체(118) 상에 지지된 기판(101)의 온도를 제어하는 데 활용된다. 일반적으로, 온도 제어 시스템(150)은 기판 지지 조립체(118)에 배치된 온도 제어 엘리먼트들(124)에 스템(122)을 통해 열 전달 유체를 제공한다. 기판 지지 조립체(118) 및 그 기판 지지 조립체(118) 상에 지지된 기판(101)이 프로세싱 동안 원하는 온도로 유지될 수 있도록, 온도 제어 엘리먼트들(124)에 제공되는 열 전달 유체의 온도 및 양이 온도 제어 시스템(150)에 의해 제어될 수 있다.
[0024] 도 2는 일 실시예에 따른 온도 제어 시스템(150)을 예시한다. 온도 제어 시스템(150)은 원격 유체 소스(202), 및 원격 유체 소스(202)와 커플링된 메인 프레임(204)을 포함한다. 원격 유체 소스(202)는 제1 저장조(208) 및 제2 저장조(210)를 포함한다. 제1 저장조(208) 및 제2 저장조(210)는 단일 용기(206)로서 구성될 수 있다. 제1 저장조(208)는 60 ℃ 또는 그 미만의 온도로 열 전달 유체(이하 “제1 유체”라고 지칭됨)를 제공하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제1 저장조(208)는 30 ℃로 열 전달 유체를 유지하도록 구성된다. 제2 저장조(210)는 60 ℃ 초과의 온도로 열 전달 유체(이하 “제2 유체”)를 제공하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제2 저장조(210)는 제1 저장조(208)에 배치된 열 전달 유체보다 적어도 20 ℃ 더 높은 온도로 열 유체를 유지하도록 구성된다. 예컨대, 제2 저장조(210)는 약 90 ℃로 열 유체를 유지하도록 구성될 수 있다. 용기(206)는 제2 저장조(210)에 제1 저장조(208)를 유동적으로 커플링시키는 전환 엘리먼트(transition element)(212)를 포함할 수 있다. 저장조들(208, 210) 중 하나에 존재하는 열 전달 유체의 양이 전환 엘리먼트(212)의 위치까지 채워지는 경우, 과잉 열 전달 유체는 전환 엘리먼트(212)로 유동하여, 더 적은 양의 열 전달 유체를 수용하는 저장조(208, 210)로 유동할 것이다.
[0025] 메인 프레임(204)은 제1 유체 루프(214) 및 제2 유체 루프(216)를 포함한다. 제1 유체 루프(214)는 제1 유체를 제1 저장조(208)로부터 그리고 다시 제1 저장조(208)로 유동시키도록 구성된다. 일 실시예에서, 제1 유체 루프(214)는 제1 저장조(208)로부터 저온의(cold)(즉, 약 60 ℃ 또는 그 미만의) 열 전달 유체를 유동시키도록 구성된다. 저온 유체는 제1 저장조(208)와 제1 유체 루프(214) 둘 모두와 연통하는 제1 펌프(218)에 의해 제공될 수 있다. 저온 유체는 제1 유체 루프(214)를 통해 그리고 다시 제1 저장조(208) 내로 순환할 수 있다. 제1 저장조(208)로부터 제1 유체 루프(214)를 통해 그리고 다시 제1 저장조(208) 내로 저온 유체를 지속적으로 유동시킴으로써, 제1 유체 루프(214) 내의 유체는 실질적으로 일정한 온도로 유지된다. 예컨대, 제1 유체 루프(214) 내의 저온 유체는 30 ℃의 온도로 유지될 수 있다.
[0026] 제2 유체 루프(216)는 제2 유체를 제2 저장조(210)로부터 그리고 다시 제2 저장조(210)로 유동시키도록 구성된다. 일 실시예에서, 제2 유체 루프(216)는 제2 저장조(210)로부터 고온의(hot)(즉, 약 60 ℃ 초과의) 열 전달 유체를 유동시키도록 구성된다. 고온 유체는 제2 저장조(210)와 제2 유체 루프(216) 둘 모두와 연통하는 제2 펌프(220)에 의해 제공될 수 있다. 고온 열 전달 유체는 제2 유체 루프(216)를 통해 그리고 다시 제2 저장조(210) 내로 순환할 수 있다. 제2 유체 루프(216)를 통해 고온 유체를 지속적으로 유동시킴으로써, 제2 유체 루프(216) 내의 열 전달 유체는 실질적으로 일정한 온도로 유지될 수 있다. 예컨대, 고온 유체는 약 90 ℃의 온도로 유지될 수 있다.
[0027] 메인 프레임(204)은 프로포셔닝 밸브(222)를 더 포함한다. 프로포셔닝 밸브(222)는 제1 유입구(224), 제2 유입구(226), 및 배출구(228)를 포함한다. 제1 유입구(224)는 제1 유체 루프(214)에 유동적으로 커플링된다. 예컨대, 제1 유입구(224)는 제1 유체 루프(214)를 통과하는 저온 열 전달 유체의 일부를 수용할 수 있다. 제2 유입구(226)는 제2 유체 루프(216)에 유동적으로 커플링된다. 예컨대, 제2 유입구(226)는 제2 유체 루프(216)를 통과하는 고온 열 전달 유체의 일부를 수용할 수 있다.
[0028] 프로포셔닝 밸브(222)는, 배출구(228)를 통해 프로포셔닝 밸브(222)에서 빠져나가는, 제1 유체 루프(214)로부터 제1 유입구(224)에 진입하는 제1 유체와 제2 유체 루프(216)로부터 제2 유입구(226)에 진입하는 제2 유체의 비율을 선택적으로 제어하도록 구성된다. 배출구(228)에서 빠져나가는 열 전달 유체(이하 “제3 유체”라고 지칭됨)의 비율은 100 퍼센트의 제1 유체 내지 100 퍼센트의 제2 유체의 전체 범위에 걸쳐 제어될 수 있다. 제3 유체로서 프로포셔닝 밸브(222)에서 빠져나가는 제1 유체와 제2 유체의 비율을 제어하는 것은 제3 유체의 온도가 미리 결정된 온도로 세팅될 수 있게 한다. 예컨대, 프로포셔닝 밸브(222)는, 프로포셔닝 밸브(222)에 커플링된 일부 엘리먼트의 온도를 제어하기 위해, 프로포셔닝 밸브(222)에서 빠져나가는 제3 유체의 온도를 제어하는 방식으로, 제1 유체와 제2 유체를 함께 혼합할 수 있다. 일반적으로, 제3 유체의 원하는 온도는 고온 열 전달 유체의 온도 또는 그 미만이고 저온 열 전달 유체의 온도 또는 그 초과이다. 제3 유체는 배출구(228)로부터 프로세싱 챔버(100) 내의 온도 제어 엘리먼트들(124)로 제공되며, 여기서, 제3 유체는 기판 지지 조립체(118)의 온도를 조절하는 데 활용된다.
[0029] 일 실시예에서, PID(proportional-integral-derivative) 제어기(240)가 프로포셔닝 밸브(222)에 커플링될 수 있다. PID 제어기(240)는, 프로포셔닝 밸브(222)를 통해 기판 지지 조립체(118)에 제공되는 제1 유체의 양과 제2 유체의 양을 제어하기 위해, 기판 또는 기판 지지 조립체(118)의 측정된 온도와 원하는 세트 포인트 사이의 차이로서 에러 값을 연속적으로 계산하도록 구성된다.
[0030] 일 실시예에서, 메인 프레임(204)은 유체 리턴 도관(230)을 더 포함한다. 유체 리턴 도관(230)은 제3 유체가 온도 제어 엘리먼트들(124)로부터 기판 지지 조립체(118)에서 빠져나갈 때 제3 유체를 수용하도록 구성된다. 유체 리턴 도관(230)은 제3 유체를 유체 소스(202)로 유동시키도록 구성된다. 도 2에 도시된 실시예에서, 제3 유체는 유체 리턴 도관(230)을 통해 제1 저장조(208)로 리턴된다.
[0031] 도 3은 다른 실시예에 따른 온도 제어 시스템(150)을 예시한다. 온도 제어 시스템(150)은 제2 프로포셔닝 밸브(302)를 더 포함할 수 있다. 제2 프로포셔닝 밸브(302)는 프로포셔닝 밸브(222)와 실질적으로 유사하다. 제2 프로포셔닝 밸브(302)는 제1 유입구(304), 제2 유입구(306), 및 배출구(308)를 포함한다. 제1 유입구(304)는 제1 유체 루프(214)에 유동적으로 커플링된다. 예컨대, 제1 유입구(304)는 제1 유체 루프(214)를 통과하는 저온 열 전달 유체의 일부를 수용할 수 있다. 제2 유입구(306)는 제2 유체 루프(216)에 유동적으로 커플링된다. 예컨대, 제2 유입구(306)는 제2 유체 루프(216)를 통과하는 고온 열 전달 유체의 일부를 수용할 수 있다.
[0032] 제2 프로포셔닝 밸브(302)는, 배출구(308)를 통해 제2 프로포셔닝 밸브(302)에서 빠져나가는, 제1 유체 루프(214)로부터 제1 유입구(304)에 진입하는 제1 유체와 제2 유체 루프(216)로부터 제2 유입구(306)에 진입하는 제2 유체의 비율을 선택적으로 제어하도록 구성된다. 배출구(308)에서 빠져나가는 열 전달 유체의 비율은 100 퍼센트의 제1 유체 내지 100 퍼센트의 제2 유체의 전체 범위에 걸쳐 제어될 수 있다. 예컨대, 제2 프로포셔닝 밸브(302)는 제1 유체와 제2 유체를 혼합하여, 열 전달 유체의 온도를 제4 온도로 변경할 수 있다(이하 “제4 유체”). 일반적으로, 제4 유체의 원하는 온도는 고온 열 전달 유체의 온도 또는 그 미만이고 저온 열 전달 유체의 온도 또는 그 초과이다. 일 실시예에서, 제4 유체는 제3 유체의 온도와 동일한 온도를 갖는다. 다른 실시예에서, 제4 유체는 제3 온도의 온도와 상이한 온도를 가질 수 있다. 제4 유체는 배출구(308)로부터 제2 프로세싱 챔버(300) 내의 제2 기판 지지 조립체(318)로 제공되며, 여기서, 제4 유체는 기판 지지 조립체(318)의 온도를 조절하는 데 활용된다.
[0033] 온도 제어 시스템(150)은 리턴 밸브(310)를 더 포함할 수 있다. 리턴 밸브(310)는 유입구(312), 제1 배출구(314), 및 제2 배출구(316)를 포함한다. 유입구(312)는 유체 리턴 도관(230)에 유동적으로 커플링된다. 리턴 밸브(310)는, 유체 리턴 도관(230)으로부터 수용되는 유체의 온도에 따라, 유체 리턴 도관(230)으로부터 리턴하는 유체를 제1 저장조(208) 또는 제2 저장조(210) 중 어느 하나로 지향시키기 위해 상태들을 변경하도록 구성된다. 예컨대, 유체 리턴 도관(230)에서 빠져나가는 유체가 60 ℃ 초과의 온도를 갖는 경우, 리턴 밸브(310)는 유체 리턴 도관(230)으로부터 수용되는 유체를 제2 배출구(316)를 통해 제2 저장조(210)로 지향시키는 상태로 세팅된다. 그러나, 유체 리턴 도관(230)에서 빠져나가는 유체가 60 ℃ 미만의 온도를 갖는 경우, 리턴 밸브(310)는 유체 리턴 도관(230)으로부터 수용되는 유체를 제1 배출구(314)를 통해 그리고 제1 저장조(208) 내로 지향시키는 상태로 세팅된다.
[0034] 일반적으로, 온도 제어 시스템(150)은 n개의 별개의 프로세싱 챔버들에 n개의 상이한 유체들을 제공하도록 구성된 n개의 프로포셔닝 밸브들을 포함할 수 있다. 도 4는 온도 제어 시스템(150)을 갖는 프로세싱 시스템(400)을 예시한다.
[0035] 프로세싱 시스템(400)은 이송 챔버(402) 및 복수의 프로세싱 챔버들(404a 내지 404d)을 포함한다. 각각의 프로세싱 챔버(404a 내지 404d)는 이송 챔버(402)에 커플링된다. 프로세싱 챔버들(404a 내지 404d)은 다수의 기판 동작들, 이를테면, 에칭, 사전-세정, 베이킹(bake), 박막 증착, 또는 다른 기판 프로세스들을 수행하도록 장비(outfit)될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 챔버들(404a 내지 404d) 각각은 도 1에 묘사된 것과 같은 PECVD 챔버들이다.
[0036] 프로세싱 시스템(400)은 온도 제어 시스템(150)을 더 포함한다. 온도 제어 시스템(150)은 프로세싱 챔버들(404a 내지 404d)에 대응하는 프로포셔닝 밸브들(420a 내지 420d)을 포함한다. 각각의 프로포셔닝 밸브(420a 내지 420d)는 주어진 온도를 갖는 유체를 각각의 프로세싱 챔버(404a 내지 404d)에 제공하도록 구성된다.
[0037] 프로세싱 시스템(400)은 하나 또는 그 초과의 로드 락 챔버들(406), 기판 핸들러(substrate handler)(410), 및 제어기(412)를 더 포함할 수 있다. 로드 락 챔버들(406)은 프로세싱 시스템(400) 내외로 기판들(401)을 이송할 수 있게 한다. 로드 락 챔버들(406)은 진공 밀봉을 유지하기 위해, 프로세싱 시스템(400) 내에 도입되는 기판들을 펌프 다운(pump down)할 수 있다. 기판 핸들러(410)는 엔드 이펙터(412)를 포함한다. 엔드 이펙터(412)는 기판 핸들러(410)의 나머지에 의해 지지되도록 구성되고, 기판(401)을 이송하기 위해 기판 핸들러(410)의 나머지에 대하여 이동하도록 구성된다. 엔드 이펙터(412)는 리스트(414), 및 리스트(414)로부터 수평으로 연장되는 복수의 핑거들(416)을 포함한다. 핑거들(416)은 기판(401)을 상부에 지지하도록 적응된다. 기판 핸들러(410)는 로드 락 챔버들(406)과 프로세싱 챔버들(404a 내지 404d) 사이에서 기판들을 이송할 수 있다. 기판 핸들러(410)는 또한, 로드 락 챔버들(406)과 이송 챔버(402) 사이에서 기판들을 이송할 수 있다.
[0038] 제어기(412)는 프로세싱 시스템(400)의 모든 양상들, 이를테면, 아래에서 도 5와 함께 개시되는 방법을 동작시키도록 구성될 수 있다. 예컨대, 제어기(412)는, 프로세싱 시스템(400) 내의 프로세싱 챔버들(404a 내지 404d) 사이에서 기판을 이송함으로써, 기판을 프로세싱하도록 구성될 수 있다. 다른 예에서, 제어기는 온도 제어 시스템(150)으로부터 각각의 프로세싱 챔버(404a 내지 404d)에 제공되는 유체의 온도를 제어하도록 구성될 수 있다.
[0039] 제어기(412)는, 메모리(416) 및 대용량 저장 디바이스와 동작가능한 프로그래머블 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(414), 입력 제어 유닛, 및 디스플레이 유닛(미도시), 이를테면, 기판 프로세싱의 제어를 가능하게 하기 위해 프로세싱 시스템의 다양한 컴포넌트들에 커플링된, 전력 공급부들, 클록들, 캐시, 입력/출력(I/O) 회로들, 및 라이너를 포함한다. 제어기(412)는 또한, 프로세싱 시스템(400) 내의 센서들을 통해 기판 프로세싱을 모니터링하기 위한 하드웨어를 포함하며, 그 센서들은 전구체, 프로세스 가스, 및 퍼지 가스 유동을 모니터링하는 센서들을 포함한다. 시스템 파라미터들, 이를테면 기판 온도, 챔버 분위기 압력 등을 측정하는 다른 센서들이 또한, 제어기(412)에 정보를 제공할 수 있다.
[0040] 위에서 설명된 프로세싱 시스템(400)의 제어를 가능하게 하기 위해, CPU(414)는 다양한 챔버들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나, 이를테면 프로그래머블 로직 제어기(PLC)일 수 있다. 메모리(416)는 CPU(414)에 커플링되며, 메모리(416)는 비-일시적이고, 그리고 쉽게 이용가능한 메모리, 이를테면, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크 드라이브, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 또는 그 초과 일 수 있다. 지원 회로들(418)은 통상적인 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(414)에 커플링된다. 일반적으로, 대전된 종 생성, 가열, 및 다른 프로세스들이 전형적으로는 소프트웨어 루틴으로서 메모리(416)에 저장된다. 또한, 소프트웨어 루틴은 CPU(414)에 의해 제어되고 있는 하드웨어로부터 원격으로 위치된 제2 CPU(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
[0041] 메모리(416)는, CPU(414)에 의해 실행되는 경우, 프로세싱 시스템(400)의 동작을 가능하게 하는 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 저장 매체들의 형태이다. 메모리(416) 내의 명령들은 본 개시내용의 방법을 구현하는 프로그램과 같은 프로그램 제품의 형태이다. 프로그램 코드는 다수의 상이한 프로그래밍 언어들 중 임의의 하나를 준수할 수 있다. 일 예에서, 본 개시내용은 컴퓨터 시스템과 함께 사용하기 위한, 컴퓨터-판독가능 저장 매체들 상에 저장된 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 (본원에서 설명되는 방법들을 포함하는) 실시예들의 기능들을 정의한다. 예시적인 컴퓨터-판독가능 저장 매체들은, (i) 정보가 영구적으로 저장되는 비-기록가능 저장 매체들(예컨대, 컴퓨터 내의 판독-전용 메모리 디바이스들, 이를테면, CD-ROM 드라이브에 의해 판독가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩들, 또는 임의의 타입의 솔리드-스테이트 비-휘발성 반도체 메모리); 및 (ii) 변경가능한 정보가 저장되는 기록가능 저장 매체들(예컨대, 디스켓 드라이브 내의 플로피 디스크들 또는 하드-디스크 드라이브 또는 임의의 타입의 솔리드-스테이트 랜덤-액세스 반도체 메모리)을 포함한다(그러나 이에 제한되지는 않음). 그러한 컴퓨터-판독가능 저장 매체들은, 본원에서 설명되는 방법들의 기능들을 지시하는 컴퓨터-판독가능 명령들을 보유하는 경우, 본 개시내용의 실시예들이다.
[0042] 도 5는 온도 제어 시스템을 사용하여 기판 지지 조립체의 온도를 제어하는 방법(500)을 예시하는 흐름도이다. 방법(500)은 블록(502)에서 시작된다. 블록(502)에서, 제1 온도를 갖는 제1 유체가 제1 유체 루프에서 순환된다. 제1 유체 루프는 제1 저장조에 커플링된다. 예컨대, 제1 저장조는 60° 미만의 온도로 제1 유체를 유지하도록 구성될 수 있다. 제1 저장조는 제1 유체 루프에 제1 유체를 제공하도록 구성된다.
[0043] 블록(504)에서, 제2 온도를 갖는 제2 유체가 제2 유체 루프에서 순환된다. 제2 유체 루프는 제2 저장조에 커플링된다. 예컨대, 제2 저장조는 60° 초과의 온도로 제2 유체를 유지하도록 구성될 수 있다. 제2 저장조는 제2 유체 루프에 제2 유체를 제공하도록 구성된다. 제2 유체의 제2 온도는 제1 유체의 제1 온도보다 더 높다.
[0044] 블록(506)에서, 프로포셔닝 밸브가 0:100 내지 100:0의 범위의 비율로 제1 유체와 제2 유체를 혼합할 수 있다. 프로포셔닝 밸브는, 제3 유체의 원하는 온도를 획득하는 데 필요한 비율에 기초하여, 제3 유체를 생성하기 위해, 제1 유체의 제1 양 및 제2 유체의 제2 양을 취하도록 구성된다.
[0045] 블록(508)에서, 프로포셔닝 밸브는 프로세싱 챔버 내의 기판 지지 조립체에 제3 유체를 제공한다. 제3 유체는 기판 지지 조립체의 온도를 제어하도록 구성된다. 예컨대, 제3 유체는 주어진 온도를 유지하기 위해 기판 지지 조립체를 통해 유동할 수 있다.
[0046] 전술한 바가 특정 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 본원의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본원의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 온도 제어 시스템으로서,
    제1 저장조(reservoir) 및 제2 저장조를 갖는 원격 유체 소스; 및
    상기 원격 유체 소스와 커플링된 메인 프레임 시스템을 포함하며,
    상기 메인 프레임 시스템은,
    상기 제1 저장조에 커플링되고, 상기 제1 저장조로부터 제1 유체를 수용하도록 구성된 제1 유체 루프;
    상기 제2 저장조에 커플링되고, 상기 제2 저장조로부터 제2 유체를 수용하도록 구성된 제2 유체 루프; 및
    상기 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 및 상기 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구를 갖는 제1 프로포셔닝 밸브(proportioning valve)
    를 포함하고,
    상기 제1 프로포셔닝 밸브는, 상기 제1 유체, 상기 제2 유체, 또는 상기 제1 유체와 상기 제2 유체의 선택적으로 비례하는(proportional) 혼합물 중 어느 하나로 구성된 제3 유체를 유동시키도록 구성된 배출구를 갖는,
    온도 제어 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 원격 유체 소스에 커플링된 유체 리턴 도관을 더 포함하는,
    온도 제어 시스템.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 유체 리턴 도관과 연통하는 유입구, 상기 제1 저장조와 연통하는 제1 배출구, 및 상기 제2 저장조와 연통하는 제2 배출구를 갖는 리턴 밸브를 더 포함하는,
    온도 제어 시스템.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 프로포셔닝 밸브에 커플링된 PID 제어기를 더 포함하는,
    온도 제어 시스템.
  5. 제1 항에 있어서,
    제1 프로세싱 챔버에 배치된 제1 기판 지지 조립체를 더 포함하며,
    상기 제1 기판 지지 조립체는 상기 제1 프로포셔닝 밸브의 배출구에 커플링되는,
    온도 제어 시스템.
  6. 제5 항에 있어서,
    제2 프로세싱 챔버에 배치된 제2 기판 지지 조립체; 및
    상기 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 상기 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구, 및 상기 제2 기판 지지 조립체와 연통하는 배출구를 갖는 제2 프로포셔닝 밸브
    를 더 포함하는,
    온도 제어 시스템.
  7. 제1 항에 있어서,
    배출구 유체 유동과 열적으로 연결된 일부 엘리먼트의 원하는 온도에 대한 응답으로, 상기 제1 프로포셔닝 밸브의 제1 유입구 및 제2 유입구에 진입하는 유체들의 비율을 제어하여, 상기 제1 프로포셔닝 밸브의 배출구로부터 유동하는 유체의 온도를 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함하는,
    온도 제어 시스템.
  8. 기판을 프로세싱하기 위한 시스템으로서,
    이송 챔버;
    상기 이송 챔버에 커플링된 복수의 프로세싱 챔버들 ― 각각의 프로세싱 챔버는 기판 지지 조립체를 가짐 ―; 및
    제1 프로세싱 챔버 내의 제1 기판 지지 조립체의 온도를 제어하도록 구성된 온도 제어 시스템
    을 포함하며,
    상기 온도 제어 시스템은,
    제1 저장조 및 제2 저장조를 갖는 원격 유체 소스; 및
    상기 원격 유체 소스와 커플링된 메인 프레임 시스템
    을 포함하며,
    상기 메인 프레임 시스템은,
    상기 제1 저장조에 커플링되고, 상기 제1 저장조로부터 제1 유체를 수용하도록 구성된 제1 유체 루프;
    상기 제2 저장조에 커플링되고, 상기 제2 저장조로부터 제2 유체를 수용하도록 구성된 제2 유체 루프; 및
    상기 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 및 상기 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구를 갖는 제1 프로포셔닝 밸브
    를 포함하고,
    상기 제1 프로포셔닝 밸브는, 상기 제1 유체, 상기 제2 유체, 또는 상기 제1 유체와 상기 제2 유체의 선택적으로 비례하는 혼합물 중 어느 하나로 구성된 제3 유체를 유동시키도록 구성된 배출구를 갖는,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 원격 유체 소스에 커플링된 유체 리턴 도관을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 유체 리턴 도관과 연통하는 유입구, 상기 제1 저장조와 연통하는 제1 배출구, 및 상기 제2 저장조와 연통하는 제2 배출구를 갖는 리턴 밸브를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 프로포셔닝 밸브에 커플링된 PID 제어기를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 유체는 제1 온도를 갖고, 상기 제2 유체는 제2 온도를 갖고, 상기 제3 유체는 제3 온도를 가지며,
    상기 제1 온도는 상기 제2 온도보다 더 낮고, 상기 제3 온도는 상기 제1 온도 또는 그 초과이고 상기 제2 온도 또는 그 미만인,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  13. 제8 항에 있어서,
    제2 프로세싱 챔버에 배치된 제2 기판 지지 조립체; 및
    상기 제1 유체 루프와 연통하는 제1 유입구, 상기 제2 유체 루프와 연통하는 제2 유입구, 및 상기 제2 기판 지지 조립체와 연통하는 배출구를 갖는 제2 프로포셔닝 밸브
    를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  14. 제8 항에 있어서,
    배출구 유체 유동과 열적으로 연결된 일부 엘리먼트의 원하는 온도에 대한 응답으로, 상기 제1 프로포셔닝 밸브의 제1 유입구 및 제2 유입구에 진입하는 유체들의 비율을 제어하여, 상기 제1 프로포셔닝 밸브의 배출구로부터 유동하는 유체의 온도를 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 시스템.
  15. 기판 지지 조립체의 온도를 제어하는 방법으로서,
    제1 유체 루프에서 제1 온도를 갖는 제1 유체를 순환시키는 단계;
    제2 유체 루프에서 제2 온도를 갖는 제2 유체를 순환시키는 단계;
    프로포셔닝 밸브에서 상기 제1 유체와 상기 제2 유체를 혼합하는 단계 ― 상기 프로포셔닝 밸브는 제3 온도를 갖는 제3 유체를 생성하도록 구성됨 ―; 및
    프로세싱 챔버 내의 기판 지지 조립체에 상기 제3 유체를 제공하는 단계
    를 포함하며,
    상기 제3 유체는 상기 기판 지지 조립체의 온도를 제어하도록 구성되는,
    기판 지지 조립체의 온도를 제어하는 방법.
KR1020187034741A 2016-05-05 2017-04-24 이중 루프 서셉터 온도 제어 시스템 Active KR102204916B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/147,908 2016-05-05
US15/147,908 US10126790B2 (en) 2016-05-05 2016-05-05 Dual loop susceptor temperature control system
PCT/US2017/029188 WO2017192291A1 (en) 2016-05-05 2017-04-24 Dual loop susceptor temperature control system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180130601A true KR20180130601A (ko) 2018-12-07
KR102204916B1 KR102204916B1 (ko) 2021-01-18

Family

ID=60203177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187034741A Active KR102204916B1 (ko) 2016-05-05 2017-04-24 이중 루프 서셉터 온도 제어 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10126790B2 (ko)
JP (1) JP6768835B2 (ko)
KR (1) KR102204916B1 (ko)
CN (1) CN109196140B (ko)
TW (1) TWI713731B (ko)
WO (1) WO2017192291A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101135746B1 (ko) * 2004-04-15 2012-04-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 온도 제어 방법 및 장치
JP2013531364A (ja) * 2010-04-30 2013-08-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 共通のリソースを有するプロセスチャンバ及びその使用方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0791238B1 (en) * 1994-11-10 2004-09-22 Orchid BioSciences, Inc. Liquid distribution system
US5844205A (en) * 1996-04-19 1998-12-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated substrate support structure
US6117245A (en) * 1998-04-08 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling cooling and heating fluids for a gas distribution plate
AU2001271904A1 (en) * 2000-07-10 2002-02-05 Temptronic Corporation Wafer chuck having with interleaved heating and cooling elements
US6855640B2 (en) * 2002-02-26 2005-02-15 Institute Of Microelectronics Apparatus and process for bulk wet etch with leakage protection
US20040187787A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Dawson Keith E. Substrate support having temperature controlled substrate support surface
KR100674922B1 (ko) * 2004-12-02 2007-01-26 삼성전자주식회사 포커스 링을 냉각하는 냉각 유로를 가지는 웨이퍼지지장치
US20070204914A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. Fluid mixing system
US20090047185A1 (en) * 2007-03-06 2009-02-19 Fennimore Keith A Hydrogen generation systems
US8596336B2 (en) * 2008-06-03 2013-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support temperature control
US9267742B2 (en) 2010-01-27 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the temperature uniformity of a substrate
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
WO2011146941A2 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Masco Corporation Of Indiana Electronic shower system
US8410393B2 (en) * 2010-05-24 2013-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support
US20140131004A1 (en) * 2010-07-20 2014-05-15 Gerald J. Sheren Fresh air heat exchanger with air treatment system
US9804607B1 (en) * 2011-11-16 2017-10-31 Zane Coleman Fluid transfer systems, devices, components, and methods of manufacture
US9679792B2 (en) 2012-10-25 2017-06-13 Noah Precision, Llc Temperature control system for electrostatic chucks and electrostatic chuck for same
JP2016186998A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体製造方法
JP6639193B2 (ja) * 2015-11-06 2020-02-05 伸和コントロールズ株式会社 温度制御装置
JP6294365B2 (ja) * 2016-01-29 2018-03-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101135746B1 (ko) * 2004-04-15 2012-04-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 온도 제어 방법 및 장치
JP2013531364A (ja) * 2010-04-30 2013-08-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 共通のリソースを有するプロセスチャンバ及びその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109196140A (zh) 2019-01-11
TW201742950A (zh) 2017-12-16
WO2017192291A1 (en) 2017-11-09
US10126790B2 (en) 2018-11-13
US20170322606A1 (en) 2017-11-09
KR102204916B1 (ko) 2021-01-18
JP2019515137A (ja) 2019-06-06
CN109196140B (zh) 2019-10-25
TWI713731B (zh) 2020-12-21
JP6768835B2 (ja) 2020-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI480918B (zh) 藉由冷卻劑流量控制及加熱器任務週期控制之組件溫度控制
CN102907180B (zh) 使用脉冲传热流体流动的等离子体处理设备中的温度控制
US8596336B2 (en) Substrate support temperature control
US20150107268A1 (en) Temperature control system for semiconductor manufacturing system
TWI773867B (zh) 動態冷卻劑混合歧管
US20130240144A1 (en) Fast response fluid temperature control system
CN109244004B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN106544647A (zh) 衬底处理装置、半导体器件的制造方法
US9916967B2 (en) Fast response fluid control system
US10928145B2 (en) Dual zone common catch heat exchanger/chiller
US10256123B2 (en) Component temperature control using a combination of proportional control valves and pulsed valves
TWI708861B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20250230546A1 (en) Selective control of multi-station processing chamber components
KR102204916B1 (ko) 이중 루프 서셉터 온도 제어 시스템
JPH02125421A (ja) 熱処理装置
US20060130762A1 (en) Wafer heating and temperature control by backside fluid injection
US20150053375A1 (en) Multi-loop temperature control system for a semiconductor manufacture process
WO2014192511A1 (ja) 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20181129

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20200618

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20201208

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210113

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210113

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231227

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241224

Start annual number: 5

End annual number: 5