TWI709021B - 電感用芯、電子筆用芯體部、電子筆及輸入裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之電感用芯包含由磁性體構成之筒狀之磁性體本體10，磁性體本體10具有：傾斜部11，其具有自磁性體本體10之一端10a朝向另一端10b外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面11a；及直體部12，其位於與傾斜部11同軸上，具有自另一端10b朝向一端10a延伸且形成圓筒體之周面之外周面12a、12b，且與傾斜部11連接；直體部12之另一端10b之附近之外周面12c處之算術平均粗糙度Ra小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之算術平均粗糙度Ra。

Description

電感用芯、電子筆用芯體部、電子筆及輸入裝置

本發明係關於一種電感用芯、電子筆用芯體部、電子筆及輸入裝置。

於檢測配設有位置檢測感測器之平板電腦及顯示器等中之位置，而將位置資訊輸入至PC(Personal Computer，個人電腦)及智慧型手機等之輸入裝置中，為了指示位置檢測感測器上之位置，而使用電子筆。

可藉由使位置檢測感測器與電子筆之間利用電磁感應耦合方式、或靜電感應耦合方式等耦合方式進行位置檢測信號之授受，而利用位置檢測裝置進行檢測(例如，專利文獻1)。

此種輸入裝置中所使用之電子筆具有於電子筆之芯體之周圍配設鐵氧體等磁性體而構成之電感用芯。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2017/183526號公報

[解決問題之技術手段]

本發明之電感用芯包含由磁性體構成之筒狀之磁性體本體，上述磁性體本體具有：傾斜部，其具有自上述磁性體本體之一端朝向另一端外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面；及直體部，其位於與上述傾斜部同軸上，具有自上述另一端朝向上述一端延伸且形成圓筒體之周面之外周面，且與上述傾斜部連接；上述直體部之上述另一端之附近之外周面處之算術平均粗糙度Ra小於上述直體部之上述傾斜部之附近之外周面處之算術平均粗糙度Ra。

本發明之電子筆用芯體部包含：上述電感用芯；及芯體，其插通於上述電感用芯，且以前端部自上述電感用芯之一端突出之方式配設。

本發明之電子筆包含：殼體，其具有開口；及上述電子筆用芯體部；上述電子筆用芯體部收納於上述殼體，且以上述電子筆用芯體部之上述前端部自上述殼體之開口突出之方式、或能夠突出地配設。

本發明之輸入裝置包含上述電子筆、及具備檢測上述電子筆所接近之位置之感測器之位置檢測裝置。

以下，參照圖式，對本發明之電感用芯詳細地進行說明。 圖1係表示第1實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。電感用芯1包含由鐵氧體燒結體等磁性體構成之磁性體本體10。

電感用芯1包含筒狀之磁性體本體10，且具有自一端10a朝另一端10b貫通之圓柱狀之筒孔10c。磁性體本體10包含：傾斜部11，其具有自一端10a朝向另一端10b外徑變大且形成圓錐台之周面之傾斜面11a；及直體部12，其於與傾斜部11同軸上，具有自另一端10b朝向一端10a延伸之圓筒體之外周面12a，且與傾斜部11連接。

磁性體本體10之一端10a至另一端10b為止之長度例如為5 mm~15 mm左右，筒孔10c之直徑為0.5 mm~2.0 mm左右。直體部12之長度為3 mm~12 mm左右，直體部12之外徑為2.0 mm~3.0 mm左右。傾斜部11之長度為0.5 mm~2.0 mm左右，傾斜部11之一端10a側之外徑為1 mm~2 mm左右，傾斜部11之與一端10a相反之側之外徑係與直體部12之外徑大致相同。如此，傾斜部11係朝向一端10a而前端變細之形狀。

於磁性體本體10之沿著中心軸之剖面中，傾斜部11之外徑自一端10a朝向另一端10b變大。即，傾斜部11係朝向一端10a而前端變細之形狀。傾斜面11a亦可於剖視圖中包含為直線狀之部分之傾斜面11a1及帶圓弧之傾斜面11a2。傾斜面11a1亦可形成圓錐台之周面。又，一端10a附近之傾斜面11a亦可為凸狀之曲面。亦即，傾斜部11之傾斜面11a1與傾斜部11之端面11b亦可藉由為傾斜面11a之一部分且為凸狀之曲面之傾斜面11a2而連接。

如此，傾斜面11a1與端面11b係藉由為凸狀之曲面之傾斜面11a2連接，因此於例如傾斜部11之端面11b接觸於電子筆之殼體之情形時等，能夠降低破損之可能性。又，於將電子筆放倒而使其接觸於平板電腦等之表面時，存在除了芯體以外，包含磁性體本體10之一端10a在內之前端接觸於平板電腦等之可能性，但由於傾斜面11a1與傾斜部11之端面11b藉由為凸狀之曲面之傾斜面11a2連接，故而無角部，因此能夠藉由電感用芯1而降低平板電腦等之表面損傷之可能性。

於磁性體本體10之筒孔10c之內周面10e中，傾斜部11側之開口10d附近之內周面10e亦可帶圓弧。內周面10e亦可包含內周面10e1、及連接內周面10e1與傾斜部11之端面11b且為凸狀之曲面之內周面10e2。於筒孔10c之內表面與傾斜部11之端面11b藉由為凸狀之曲面之內周面10e2連接時，當芯體被壓抵於平板電腦等之表面時等，能夠抑制應力之集中，而降低磁性體本體10損傷之可能性，因此能夠實現可靠性較高之電感用芯1。

又，於磁性體本體10之沿著中心軸之剖面中，於將連接傾斜部11之傾斜面11a1與傾斜部11之端面11b的傾斜面11a2之曲率半徑設為R1，將連接筒孔10c之內周面10e1與傾斜部11之端面11b的內周面10e2之曲率半徑設為R2時，傾斜面11a2之曲率半徑R1亦可大於內周面10e2之曲率半徑R2。傾斜面11a2之曲率半徑R1例如為0.1 mm~0.2 mm，內周面10e2之曲率半徑R2例如為0.02 mm~0.08 mm。

圖3係表示第2實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。與第1實施形態之電感用芯1相比，直體部12之傾斜部11經由凸緣部13而連接之方面不同。磁性體本體10包含：傾斜部11，其具有自一端10a朝向另一端10b外徑變大且形成圓錐台之周面之傾斜面11a；直體部12，其於與傾斜部11同軸上，形成自另一端10b朝向一端10a延伸之圓筒體之外周面12a；及凸緣部13，其位於傾斜部11與直體部12之間，且連接傾斜部11與直體部12。傾斜部11、凸緣部13及直體部12依序自一端10a朝向另一端10b配置，凸緣部13之外周面13a具有大於傾斜部11之傾斜面11a及直體部12之外周面12a之各外徑的外徑。

例如，於除凸緣部13以外之直體部12之外徑為2.1 mm~2.5 mm之情形時，凸緣部13之外周面13a之外徑之最大值為2.12 mm~2.72 mm，自直體部12之外周面12a最大突出0.02 mm~0.22 mm。藉由凸緣部13而直體部12變得不易變形，因此即便對傾斜部11施加力而傾斜部11變形，亦能夠減少直體部12之變形。

此種第1實施形態及第2實施形態中所示之電感用芯1係將下述芯體插通於筒孔10c而使用。芯體係以芯體之前端部變為磁性體本體10之一端10a側之方式插通。由於傾斜部11為尖細之形狀，故而可使磁性體本體10之一端10a更接近藉由電磁感應方式等檢測位置之平板電腦等位置檢測裝置。如此，藉由將磁性體本體10之傾斜部11設為尖細之形狀，而位置檢測裝置之位置檢測精度提高。又，由於磁性體本體10之前端部尖細，故而構成為於芯體因施加於芯體之前端部之力而欲位移時，傾斜部11容易位移。

又，直體部12之另一端10b之附近之外周面12c處之算術平均粗糙度Ra小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之算術平均粗糙度Ra。藉此，於在直體部12之另一端10b之附近之外周面12c捲繞絞合漆包線(Litz wire)等被覆線而形成線圈之情形時，能夠降低線圈斷線或線圈之被覆部損傷之可能性。

又，直體部12之另一端10b之附近之外周面12c處之均方根粗糙度Rq小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之均方根粗糙度Rq。藉此，於在直體部12之另一端10b之附近之外周面12c捲繞絞合漆包線等被覆線而形成線圈之情形時，能夠降低線圈斷線或線圈之被覆部損傷之可能性。

又，直體部12之另一端10b之附近之外周面12c之切斷高度差(Rδc)小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之切斷高度差(Rδc)。藉此，於在直體部12之另一端10b之附近之外周面12c捲繞絞合漆包線等被覆線而形成線圈之情形時，能夠降低線圈斷線或線圈之被覆部損傷之可能性。

此處，所謂外周面12c、12b之切斷高度差(Rδc)係目標外周面之粗糙度曲線中之25%之負荷長度率下之切斷高度、與該外周面之粗糙度曲線中之75%之負荷長度率下之切斷高度之差。

表1係表示構成上述本發明之電感用芯1之磁性體本體10之表面粗糙度之測定結果之表。粗糙度曲線之算術平均粗糙度Ra及均方根粗糙度Rq係依據JIS B 0601：2001，使用雷射顯微鏡(KEYENCE(股)製造，超深度彩色3D形狀測定顯微鏡(VK-9500))進行測定。作為測定條件，將倍率設為200倍(目鏡：20倍，物鏡：10倍)，將測定模式設為彩色超深度，將高度方向之測定解析力(間距)設為0.05 μm，將光學變焦設為1.0倍，將增益設為953，將觀察範圍設為1315 μm×982 μm，將臨界值λs設為2.5 μm，將臨界值λc設為0.08 mm。又，於觀察範圍之中，選擇焦點對準之範圍(例如，815 μm~1315 μm×425 μm~625 μm)並設為測定範圍。於數值之算出時，將樣品數設為8個以上，將所獲得之值之平均值算出各個部分中之外周面處之粗糙度曲線之算術平均粗糙度Ra、均方根粗糙度Rq及切斷高度差Rδc。

[表1]

如表1所示，算術平均粗糙度Ra係於傾斜部11之傾斜面11a為6.88 μm，於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b為4.96 μm，於直體部12之另一端10b之附近之外周面12c為3.76 μm。如此，直體部12之另一端10b之附近之外周面12c處之算術平均粗糙度Ra小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之算術平均粗糙度Ra。

又，均方根粗糙度Rq係於傾斜部11之傾斜面11a為11.68 μm，於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b為8.36 μm，於直體部12之另一端10b之附近之外周面12c為6.22 μm。如此，直體部12之另一端之附近之外周面12c處之均方根粗糙度Rq小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之均方根粗糙度Rq。

又，切斷高度差Rδc係於傾斜部11之傾斜面11a為7.18 μm，於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b為5.43 μm，於直體部12之另一端10b之附近之外周面12c為4.50 μm。如此，直體部12之另一端之附近之外周面12c處之切斷高度差Rδc小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之切斷高度差Rδc。

藉由將直體部12之傾斜部11附近之外周面12b之算術平均粗糙度Ra設為6 μm以下，而捲繞有線圈之另一端10b附近之外周面12c之算術平均粗糙度Ra進一步變低，因此於在直體部12之另一端10b之附近之外周面12c捲繞絞合漆包線等被覆線而配設線圈之情形時，能夠降低線圈斷線或線圈之被覆部損傷之可能性。

又，藉由將直體部12之傾斜部11附近之外周面12b之均方根粗糙度Rq設為10 μm以下，而捲繞有線圈之另一端10b附近之外周面12c之算術平均粗糙度進一步變低，因此於在直體部12之另一端10b之附近之外周面12c捲繞絞合漆包線等被覆線而形成線圈之情形時，能夠降低線圈斷線或線圈之被覆部損傷之可能性。

又，磁性體本體10係由以包含Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物之鐵氧體為主成分之陶瓷構成，以下述式(1)表示之上述陶瓷之平均結晶粒徑之變異係數CV亦可為0.08以上0.3以下。 CV=σ/x (1) 其中， x為上述陶瓷之平均結晶粒徑之平均值， σ為上述陶瓷之平均結晶粒徑之標準偏差。

若變異係數CV為0.08以上，則晶粒之粒徑適當地不均，而於較大之晶粒彼此之間配置較小之晶粒，因此能夠提高破壞韌性。若變異係數CV為0.3以下，則粒徑大於標準偏差之晶粒之比率增加，因此磁導率變高。只要變異係數CV為0.08以上0.3以下，則能夠兼具較高之破壞韌性及較高之磁導率。

尤其是，變異係數CV宜為0.1以上0.2以下。

此處，平均結晶粒徑可以如下方式求出。 首先，對電感用芯1之斷裂面使用平均粒徑D₅₀ 為3 μm之金剛石研磨粒於銅盤中進行研磨，然後，使用平均粒徑D₅₀ 為0.5 μm之金剛石研磨粒於錫盤中進行研磨。對於藉由該等研磨所獲得之研磨面，將溫度設為950℃並進行蝕刻直至變為能夠識別晶粒與晶界層為止而獲得觀察面。

可藉由如下方法求出平均結晶粒徑，即，於利用掃描式電子顯微鏡將觀察面放大至5000倍所得之155 μm×115 μm之範圍內，以任意點為中心呈放射狀地引出6條相同長度、例如100 μm之直線，用該6條直線之長度除以存在於各條直線上之結晶之個數。

圖7係表示電感用芯之觀察面之一例及直線之引出方法之照片。圖7所示之直線A~直線F分別為長度100 μm之直線，只要使用該等直線求出平均結晶粒徑即可。平均結晶粒徑之平均值、標準偏差及變異係數CV只要對於此種觀察面選擇7個畫面，並以42個平均結晶粒徑為對象而分別算出即可。

又，平均結晶粒徑之峰度(kurtosis)Ku亦可為0以上。

若平均結晶粒徑之峰度Ku為該範圍，則晶粒之粒徑之不均得以抑制，因此氣孔之凝集減少，而能夠減少自氣孔之輪廓或內部產生之脫粒。尤其是，平均結晶粒徑之峰度Ku宜為1以上。

此處，所謂峰度Ku係表示分佈之峰及麓與常態分佈存在何種程度之差異之指標(統計量)，於峰度Ku＞0之情形時為具有尖銳之峰之分佈，於峰度Ku=0之情形時為常態分佈，於峰度Ku＜0之情形時，分佈成為具有帶圓弧之峰之分佈。

平均結晶粒徑之峰度Ku只要使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)中所具備之函數Kurt求出即可。

又，平均結晶粒徑之偏斜度Sk亦可為0以上。

若平均結晶粒徑之偏斜度Sk為該範圍，則晶粒之粒徑之分佈朝粒徑較小之方向移動，因此氣孔之凝集減少，而能夠進一步減少自氣孔之輪廓或內部產生之脫粒。

此處，所謂偏斜度Sk係表示分佈與常態分佈相比以何種程度偏斜、即分佈之左右對稱性之指標(統計量)，於偏斜度Sk＞0之情形時分佈之麓朝向右側，於偏斜度Sk=0之情形時分佈為左右對稱，於偏斜度Sk＜0之情形時分佈之麓朝向左側。

平均結晶粒徑之偏斜度Sk只要使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)中所具備之函數SKEW求出即可。

至少傾斜部11包含Mo，Mo亦可相較於晶粒內更多地包含於晶界層中。

若Mo相較於晶粒內更多地包含於晶界層中，則以鐵氧體為主成分之晶粒彼此之耦合力被抑制，因此能夠容易地獲得曲率半徑R1較大之傾斜面11a2。

晶粒內及晶界層中之Mo之含量只要使用穿透式電子顯微鏡及該穿透式電子顯微鏡所附帶之能量分散型X射線分光器(EDS)而進行元素分析即可。

電感用芯1中所使用之磁性體本體10可以如下方式製造。首先，作為起始原料，準備Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物或藉由燒成而生成氧化物之碳酸鹽、硝酸鹽等金屬鹽。此時，作為平均粒徑，例如於Fe為氧化鐵(Fe₂ O₃ )、Zn為氧化鋅(ZnO)、Ni為氧化鎳(NiO)及Cu為氧化銅(CuO)時，分別為0.5 μm以上5 μm以下。

繼而，當製作由包含Fe₂ O₃ -ZnO-NiO之煅燒粉體構成之第1原料、及由包含Fe₂ O₃ -CuO之煅燒粉體構成之第2原料時，稱量所需之量之氧化鐵、氧化鋅及氧化鎳用作第1原料。又，稱量所需之量之氧化鐵及氧化銅用作第2原料。此處，關於第1原料及第2原料之製作中之氧化鐵之添加量，將第2原料之製作中之氧化鐵之添加量設為例如與氧化銅等莫耳%，並將剩餘量用於第1原料之製作。

然後，將為了用作第1原料及第2原料所稱量之粉末分別藉由不同之球磨機或振磨機等進行粉碎混合之後，於第1原料之製作時在還原氣氛中以750℃煅燒2小時以上，於第2原料之製作時在還原氣氛中以650℃煅燒2小時以上，藉此分別獲得煅燒體。

其次，藉由將成為第1原料及第2原料之煅燒體分別放入至不同之球磨機或振磨機等中進行粉碎，而獲得由煅燒粉體構成之第1原料及第2原料。此時，尤其是，成為第2原料之煅燒體係以平均粒徑D50成為0.7 μm以下之方式進行粉碎。然後，於稱量所需之量之該第1原料及第2原料並進行混合之後，於大氣中於600℃以上700℃以下且升溫速度100℃/h以下之條件下進行再煅燒，藉此獲得合成為包含Fe、Zn、Ni及Cu之氧化物之鐵氧體之煅燒體。

其次，將藉由再煅燒所獲得之煅燒體放入至球磨機或振磨機等中進行粉碎，並添加特定量之黏合劑等而製成漿料，使用噴霧乾燥器將該漿料以噴霧形式噴出而進行造粒，藉此獲得球狀顆粒。

此處，至少傾斜部11包含Mo，且Mo於獲得相較於晶粒內更多地包含於晶界層中之電感用芯1之情形時，只要相對於藉由再煅燒所獲得之煅燒體100質量份，添加例如0.01質量份以上0.03質量份以下之氧化鉬(MoO₃ )之粉末而製成漿料，並將該漿料以噴霧形式噴出而進行造粒，藉此獲得球狀顆粒即可。

然後，使用所獲得之球狀顆粒進行壓製成形而獲得特定形狀之成形體。於該壓製成形時，藉由在調整成形模具之表面性狀之同時以與傾斜部11側相比對直體部12側施加更大之壓力之方式進行調整，而能夠實現如算術平均粗糙度Ra及均方根粗糙度Rq自磁性體本體10之一端10a朝向另一端10b變小般之傾斜面11a及外周面12a之構成，與傾斜面11a相比能夠減小直體部12之外周面12a之表面粗糙度Ra、Rq之值。其後，將成形體於脫脂爐中於400~800℃之範圍內實施脫脂處理而製成脫脂體之後，將其於燒成爐中以1000~1200℃之最高溫度保持2~5小時而進行燒成，藉此可形成磁性體本體10，並獲得本實施形態之電感用芯1。

構成實施形態1及實施形態2之電感用芯1之磁性體本體10係藉由壓製成形而形成，無需進行切削等步驟，故而能夠謀求成本下降。又，若進行切削等後續加工，則存在因後續加工而表面變質從而損害作為電感用芯之特性之情況，但本實施形態之電感用芯1不進行燒成後之加工，故而表面不會變質。藉此，能夠形成可靠性較高之電感用芯1。

圖4係表示本實施形態之電子筆用芯體部之一例之俯視圖。電子筆用芯體部2包含：電感用芯1；線圈21，其捲繞於電感用芯1之磁性體本體10；及芯體22，其插通於磁性體本體10之筒孔10c。此種電子筆用芯體部2可內置於電磁感應方式之平板電腦等輸入裝置之電子筆。

芯體22可使用不易被磁化之SUS304或SUS316等金屬棒、除SUS以外之金屬材料或陶瓷及樹脂等。又，芯體22亦可為例如圓珠筆之芯等可實際地書寫者。芯體22係插通於磁性體本體10之筒孔10c而固定。芯體22之前端部22a係於如自磁性體本體10之一端10a側之開口10d突出1~2 mm左右般之位置固定於磁性體本體10。又，芯體22之後端部22b自磁性體本體10之另一端10b之開口10f突出。

於磁性體本體10之直體部12之接近另一端10b之區域之外周面12a上，配設有捲繞漆包線(enamel wire)等所形成之線圈21。線圈21係以8 mm~12 mm左右之寬度捲繞於磁性體本體10之直體部12中接近另一端側之部位而固定。線圈21之端子21a、21b連接於電路基板(未圖示)。

線圈21係將漆包線、絞合漆包線、USTC(絲包漆包)線或胺基甲酸酯線等被覆線捲繞於磁性體本體10之周圍而配設。線圈21配設於直體部12之另一端10b附近之外周面12c上。若該外周面12c之算術平均粗糙度Ra及均方根粗糙度Rq等表面粗糙度較大，則存在所捲繞之線圈21之被覆損傷之擔憂，但藉由使直體部12之另一端10b之附近之外周面12c處之算術平均粗糙度Ra小於直體部12之傾斜部11之附近之外周面12b處之算術平均粗糙度Ra，而將線圈21配設於平滑之外周面12c上，藉此線圈21變得不易損傷，能夠實現可靠性較高之電子筆用芯體部2。

圖5係表示本實施形態之電子筆之圖，且將電子筆3之殼體31之一部分卸除而表示。將上述電子筆用芯體部2收納於殼體31中而構成電子筆3。電子筆3係將電子筆用芯體部2及電路基板(未圖示)收納於筒狀之殼體31之空腔部31a內而構成。此種電子筆3例如於電磁感應方式之平板電腦等輸入裝置中，可用作輸入位置之構件。於殼體31之前端部31b設置有能夠供芯體22之前端部22a突出之開口31c，且構成為能夠藉由按動機構使前端部22a自開口31c突出或收納至殼體31內。

例如，於殼體31之後端部31d設置有開口31e，按動棒32自開口31e突出。使用者可藉由將按動棒32按下，而使芯體22之前端部22a自殼體31進出。雖然於本實施形態中為芯體22之前端部22a自開口31c進出之構成，但亦可以芯體22之前端部22a自開口31c突出之狀態固定，於此種情形時無需按動機構。此種電子筆3內置有線圈21不易損傷之電子筆用芯體部2，因此能夠實現可靠性較高之電子筆3。

圖6係表示本實施形態之輸入裝置之立體圖。輸入裝置4包含電子筆3、及作為具備檢測位置之感測器之位置檢測裝置之平板電腦41。輸入裝置4能夠檢測芯體22之前端部22a接觸於平板電腦41之位置。作為位置檢測裝置，除平板電腦41以外，亦可為具備觸控面板顯示器之移動終端等。作為輸入裝置4中之位置檢測方法，可使用電磁感應方式。此種輸入裝置具備內置有線圈21不易損傷之電子筆用芯體部2之電子筆3，因此能夠實現可靠性較高之輸入裝置4。

本發明可不脫離其精神或主要特徵而以其他各種形態實施。因此，上述實施形態之所有方面僅為例示，本發明之範圍係申請專利範圍中所示者，不受說明書正文任何限制。進而，從屬於申請專利範圍之全部變化或變更係本發明之範圍內者。例如，根據本發明之實施形態之組合所產生之發明亦為本發明之範圍內者。

1‧‧‧電感用芯 2‧‧‧電子筆用芯體部 3‧‧‧電子筆 4‧‧‧輸入裝置 10‧‧‧磁性體本體 10a‧‧‧一端 10b‧‧‧另一端 10c‧‧‧筒孔 10d‧‧‧開口 10e‧‧‧內周面 10e1‧‧‧內周面 10e2‧‧‧內周面 10f‧‧‧開口 11‧‧‧傾斜部 11a‧‧‧傾斜面 11a1‧‧‧傾斜面 11a2‧‧‧傾斜面 11b‧‧‧端面 12‧‧‧直體部 12a‧‧‧外周面 12b‧‧‧外周面 12c‧‧‧外周面 13‧‧‧凸緣部 13a‧‧‧外周面 21‧‧‧線圈 21a、21b‧‧‧端子 22‧‧‧芯體 22a‧‧‧前端部 22b‧‧‧後端部 31‧‧‧殼體 31a‧‧‧空腔部 31b‧‧‧前端部 31c‧‧‧開口 31e‧‧‧開口 32‧‧‧按動棒 41‧‧‧平板電腦 A~F‧‧‧直線 R1‧‧‧曲率半徑 R2‧‧‧曲率半徑

本發明之目的、特色、及優點當可根據下述詳細之說明及圖式而變得更明確。 圖1係表示第1實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。 圖2係表示第1實施形態之電感用芯之一例之局部剖視圖。 圖3係表示第2實施形態之電感用芯之一例之俯視圖。 圖4係表示本實施形態之電子筆用芯體部之一例之俯視圖。 圖5係表示本實施形態之電子筆之一例之俯視圖。 圖6係表示本實施形態之輸入裝置之一例之立體圖。 圖7係表示電感用芯之觀察面之一例及直線之引出方法之照片。

1‧‧‧電感用芯

10‧‧‧磁性體本體

10a‧‧‧一端

10b‧‧‧另一端

10c‧‧‧筒孔

10d‧‧‧開口

10e‧‧‧內周面

11‧‧‧傾斜部

11a‧‧‧傾斜面

11b‧‧‧端面

12‧‧‧直體部

12a‧‧‧外周面

12b‧‧‧外周面

12c‧‧‧外周面

Claims (11)

1. 一種電感用芯，其包含由磁性體構成之筒狀之磁性體本體，上述磁性體本體具有：傾斜部，其具有自上述磁性體本體之一端朝向另一端外徑變大且形成圓錐台之周面的傾斜面；及直體部，其位於與上述傾斜部同軸上，具有自上述另一端朝向上述一端延伸且形成圓筒體之周面之外周面，且與上述傾斜部連接；上述直體部之上述另一端之附近之外周面處之算術平均粗糙度Ra小於連接上述傾斜部之上述直體部之端部，即上述直體部之上述傾斜部之附近之外周面處之算術平均粗糙度Ra。
2. 如請求項1之電感用芯，其中上述直體部之上述傾斜部之附近之外周面處之算術平均粗糙度Ra為6μm以下。
3. 如請求項1或2之電感用芯，其中上述直體部之上述另一端之附近之外周面處之均方根粗糙度Rq小於上述直體部之上述傾斜部之附近之外周面處之均方根粗糙度Rq。
4. 如請求項3之電感用芯，其中上述直體部之上述傾斜部之附近之外周面處之均方根粗糙度Rq為10μm以下。
5. 如請求項1或2之電感用芯，其中上述磁性體本體由以包含Fe、Zn、 Ni及Cu之氧化物之鐵氧體為主成分之陶瓷構成，以下述式(1)表示之上述陶瓷之平均結晶粒徑之變異係數CV為0.08以上0.3以下；CV=σ/x (1)其中，x為上述陶瓷之平均結晶粒徑之平均值，σ為上述陶瓷之平均結晶粒徑之標準偏差。
6. 如請求項5之電感用芯，其中上述平均結晶粒徑之峰度Ku為0以上。
7. 如請求項5之電感用芯，其中上述平均結晶粒徑之偏斜度Sk為0以上。
8. 如請求項5之電感用芯，其中至少上述傾斜部包含Mo，且於晶界層中相較於晶粒內包含更多Mo。
9. 一種電子筆用芯體部，其包含：如請求項1至8中任一項之電感用芯；及芯體，其插通於上述電感用芯，且以前端部自上述電感用芯之一端突出之方式配設。
10. 一種電子筆，其包含：殼體，其具有開口；及如請求項9之電子筆用芯體部； 上述電子筆用芯體部收納於上述殼體，上述電子筆用芯體部之上述前端部自上述殼體之開口突出、或能夠突出地配設。
11. 一種輸入裝置，其包含：如請求項10之電子筆；及位置檢測裝置，其具備檢測上述電子筆所接近之位置之感測器。

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