[go: up one dir, main page]

TWI704375B - 用於產生輻射及半導體光微影或檢測之設備、多層鏡面、製造及處理用於產生euv輻射之一系統之組件的方法，及處理多層鏡面、euv光學元件及組件的方法 - Google Patents

用於產生輻射及半導體光微影或檢測之設備、多層鏡面、製造及處理用於產生euv輻射之一系統之組件的方法，及處理多層鏡面、euv光學元件及組件的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI704375B
TWI704375B TW105142109A TW105142109A TWI704375B TW I704375 B TWI704375 B TW I704375B TW 105142109 A TW105142109 A TW 105142109A TW 105142109 A TW105142109 A TW 105142109A TW I704375 B TWI704375 B TW I704375B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inert gas
species
hydrogen
component
multilayer mirror
Prior art date
Application number
TW105142109A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201734559A (zh
Inventor
卡爾 羅伯特 阿姆史戴德特
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201734559A publication Critical patent/TW201734559A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI704375B publication Critical patent/TWI704375B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0095—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

本發明揭示一種具有一氫擴散障壁之極紫外線(EUV)系統元件，該氫擴散障壁包括植入有一非氫氣態材料之物種(例如，離子或高能中性原子)的一區。本發明亦揭示一種製造此類組件之包括植入一非氫氣態材料之物種以形成一氫擴散障壁之步驟的方法，及一種處理一EUV系統元件之包括植入一非氫氣態材料之物種以防止氫吸附及擴散之步驟的方法。本發明亦揭示使一EUV系統元件經受非氫氣體離子之一通量以藉由該等非氫氣體物種置換該EUV系統元件之一或多個層中之氫離子，使得該等氣體離子保護該EUV系統元件免受氫損傷。

Description

用於產生輻射及半導體光微影或檢測之設備、多層鏡面、製造及處理用於產生EUV輻射之一系統之組件的方法，及處理多層鏡面、EUV光學元件及組件的方法
本發明係關於經設計以在曝露於諸如氫氣的可損傷元件之物種之環境中操作的元件。此類環境之一實例為用於自經由目標材料之放電或雷射切除產生之電漿產生極紫外線(「EUV」)輻射的設備之真空腔室。在本申請案中，使用光學元件(例如)來收集及引導輻射以用於(例如)半導體光微影及檢測中。
極紫外線輻射(例如，具有大約50nm或更小之波長(有時亦被稱作軟x射線)且包括約13.5nm之波長下之輻射的電磁輻射)可用於光微影製程中以在諸如矽晶圓之基板中產生極小特徵。
用於產生EUV輻射之方法包括將目標材料自液態轉換成電漿狀態。目標材料較佳包括具有在EUV範圍內之一或多個發射譜線的至少一種元素，例如，氙、鋰或錫。目標材料可為固體、液體或氣體。在一個此類方法中，通常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)之所需電漿可藉由使用雷射光束輻射具有所需譜線發射元素之目標材料來產生。
一種LPP技術包括產生目標材料小滴流及藉由雷射輻射脈衝輻照該等小滴中之至少一些。在更理論術語中，LPP源藉由將雷射能量沈積至具有至少一個EUV發射元素(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))之目標材料中從而 產生具有數十eV之電子溫度的高度離子化電漿而產生EUV輻射。
在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係在所有方向上自電漿發射。在一個共同配置中，近正入射鏡面(通常被稱為「集光器鏡面」或僅被稱為「集光器」)經定位以收集、引導且(在一些配置中)聚焦輻射至中間部位。所收集輻射可隨後自中間部位轉送至一組光學件、倍縮光罩、偵測器且最後轉送至晶圓。
在光譜之EUV部分中，對包括集光器、照明器及投影光學件盒之系統中的光學元件使用反射光學件通常被視為有必要的。此等反射光學件可被實施為正入射光學件或掠入射光學件。在所涉及之波長下，集光器被有利地實施為多層鏡面(「MLM」)。如其名稱所暗示，此MLM通常由基礎或基板上方之交替材料層(MLM堆疊)組成。系統光學件亦可經組態為經塗佈光學元件，即使其不實施為MLM亦如此。
該光學元件必須置放於具有電漿之真空腔室內以收集及重引導EUV輻射。腔室內之環境對光學元件有害且因此(例如)藉由降低其反射率而限制其使用壽命。環境內之光學元件可曝露於目標材料之高能量離子或粒子。目標材料之粒子可污染光學元件之經曝露表面。目標材料之粒子亦可導致MLM表面之實體損傷及局部化加熱。目標材料可特定地與組成光學元件表面之至少一個層的材料(例如，鉬及矽)反應。即使對於較少反應性目標材料(例如，錫、銦或氙)，溫度穩定性、離子植入及擴散問題亦可需要解決。亦必須避免MLM塗層之起泡。
存在可用於儘管此等惡劣條件亦增加光學元件壽命之技術。舉例而言，罩蓋層可置放於光學元件上以保護光學元件之表面。為了使得罩蓋層更具反射性，其亦可具有間隔開之多個層以在待反射之輻射之波長下增大 反射率。然而，此類多層罩蓋層自身易於經由諸如氫擴散及起泡之機制而損傷。
在一些系統中，在真空腔室中使用壓力在0.5mbar至3mbar之範圍內的H2氣體以用於碎屑減輕。在無氣體存在之情況下，在真空壓力下，將難以(若非不可能)充分保護集光器以免自電漿噴出之目標材料碎屑。氫氣對具有約13.5nm之波長的EUV輻射相對透明，且因此優於其他候選氣體，諸如He、Ar或在約13.5nm之波長下展現較高吸收率之其他氣體。
H2氣體被引入至真空腔室中以減緩由電漿產生之目標材料的高能碎屑(離子、原子及業集)。碎屑藉由與氣體分子碰撞而減緩。出於此目的，使用亦可與碎屑軌跡相反的H2氣體流。此用以減少沈積、植入及濺鍍目標材料對集光器之光學塗層的損傷。使用此方法，藉由跨越電漿位點與集光器表面之間的距離之氣體碰撞來減緩具有數keV至數十eV之能量的高能粒子被認為係可能的。
將H2氣體引入至真空腔室中之另一原因為促進清潔集光器表面。由電漿產生之EUV輻射藉由解離H2分子而產生氫自由基H*。氫自由基H*又有助於清潔集光器表面上之目標材料沈積。舉例而言，在錫作為目標材料之情況下，氫自由基參與集光器表面上之反應，該等反應導致可經泵出之揮發性氣態錫烷(SnH4)的形成。為了使化學路徑高效，較佳的是在集光器表面上存在低H再結合速率(以形成回H2分子)，使得氫自由基替代地可用於附接至Sn以形成SnH4。一般而言，與由純金屬組成之表面相比，由非金屬化合物(諸如，氮化物、碳化物、硼化物及氧化物)組成之表面具有較低H再結合速率。
然而，H2氣體之使用可對施加至由塗層上之輕氫原子及分子兩者產生 之集光器的塗層具有負面效應。咸信，氫原子極小以使得其可易於將若干層深深地擴散至經組態為多層鏡面之集光器中。低能量氫亦可植入於表面附近且可擴散至集光器蓋及在蓋下方之多層鏡面之層中。此等現象最嚴重地影響最外層(例如，最初的1μm)。
在原子氫侵入多層鏡面之本體之後，原子氫可結合至Si、在層邊界及界面處被捕獲，或兩者皆有。氫可經由MLM堆疊擴散至下方之接合層且甚至擴散至基板。此等效應之量值取決於至表面之氫的通量、經吸收之氫劑量及此等區中之氫的濃度。若氫濃度超過某一臨限值，則其可形成氣態氫化合物之氣泡，從而再結合至H2分子或亦可能形成氫化物。此可通常最嚴重地發生在MLM堆疊下方或基板層中。當氣泡開始形成時，其很可能將在存在額外氫之情況下生長。若此類氣泡的確形成，則其內部氣體壓力將使氣泡之上的層變形，從而導致泡殼形成於各種大小之塗層上。層可隨後爆裂，因此釋放此區域之下的氣體及此區域之上的材料，從而導致塗層分層。
起泡塗層產生若干問題。起泡塗層具有較高表面積，且更易於藉由氧化及其他污染物及藉由沈積目標材料而降級。歸因於較高吸收率，此通常導致EUV反射率降低。起泡塗層亦歸因於較高粗糙度而散射更多光，且因此導致在所要角度下顯著降低之EUV反射率，即使下方之未受損層仍促成EUV光之反射及即使藉由清潔移除目標材料沈積亦如此。泡殼亦導致頻外(OoB)光(可包括由電漿產生之光以及來自驅動雷射之光)之反射的改變及諸如光柵之用於有意地散射來自驅動雷射的光之元件之有效性的損耗。
歸因於H*曝露之集光器起泡嚴重地限制壽命且極大地影響系統可用性。當前損傷模型為存在缺陷之表面處的H*吸附及H原子至主體內之區的傳輸。主要指示為此發生在MLM堆疊之下黏附層中。H*產生隨著EUV功 率縮放，因此可預期EUV MLM光學元件起泡之問題隨著源之功率增加而變得更糟。
除此等效應以外，氫吸取及滲透亦可導致金屬層之脆化且因此導致層降級。
因此需要利用關於增強使用多層光學件之EUV反射率同時具有對諸如起泡之氫損傷具抗性的光學件之優點。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對該等實施例之基本理解。此概述並非所有所涵蓋實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲對任何或所有實施例之範疇設定限制。其唯一目的在於以簡化形式呈現一或多個實施例之一些概念作為稍後呈現之更詳細描述的序言。
根據一態樣，揭示一種設備，其包含用於產生EUV輻射之系統的組件，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該組件曝露於氫離子，該組件包括氫擴散障壁，該氫擴散障壁包含植入有非氫氣體之物種(例如，離子或高能中性原子)的區。如本說明書中在此處及別處及在申請專利範圍中所使用，「非氫氣體」意謂主要由除氫氣以外之氣體組成的氣體。非氫氣體包含氦氣。該組件可包含集光器鏡面之至少一部分，集光器鏡面可為正入射鏡面且可為多層鏡面。該組件亦可為倍縮光罩、偵測器、顯微鏡、檢測系統、護膜、真空腔室襯墊、真空腔室導片及小滴產生器中之一者的至少一部分。
根據另一態樣，揭示一種供在用於產生EUV輻射之系統中使用的多層鏡面，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該多層鏡面曝露於氫離子，該多層鏡面包含基板、基板上之背層及背層上之多層塗層，其中背層及多 層塗層中之一者包括氫擴散障壁，該氫擴散障壁包含植入有非氫氣體之物種的區。非氫氣體可包含惰性氣體，該惰性氣體可為氦氣。
根據另一態樣，揭示一種供在用於產生EUV輻射之系統中使用的多層鏡面，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該多層鏡面曝露於氫離子，該多層鏡面包含基板及基板上之塗層，該塗層包含複數個層，其中該複數個層中之至少一個層植入有惰性氣體之物種。非氫氣體可包含惰性氣體，該惰性氣體可為氦氣。
根據另一態樣，揭示一種用於半導體光微影之設備，其包含：雷射輻射源；目標遞送系統，其用於將目標材料遞送至輻照區，在該輻照區中目標材料由雷射輻射源輻照以產生極紫外線輻射；及反射光學元件，其經配置以收集極紫外線輻射，該反射光學元件包含多層鏡面，該多層鏡面包括多層堆疊及背層，其中多層堆疊及背層中之至少一者包括氫擴散障壁，該氫擴散障壁包含植入有惰性氣體之物種的區，該惰性氣體可為氦氣。
根據另一態樣，揭示一種製造用於產生EUV輻射之系統之組件的方法，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該組件曝露於氫離子，該方法包含將非氫氣體之物種植入於組件之至少一部分中以在組件中形成氫擴散障壁的步驟。非氫氣體可包含氦氣。植入步驟可包含控制物種之植入能量以控制組件中之氫擴散障壁的平均深度。
根據另一態樣，揭示一種處理供在用於產生EUV輻射之系統中使用之多層鏡面的方法，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該多層鏡面曝露於氫離子，該方法包含以下步驟：移除多層鏡面之多層塗層以曝露背層，將非氫氣體之物種植入於背層中，及將多層塗層置放於背層上。非氫氣體可包含惰性氣體，該惰性氣體可包含氦氣。植入步驟可包含控制物種之植 入能量以控制背層中之物種的平均植入深度。
根據另一態樣，揭示一種處理供在用於產生EUV輻射之系統中使用之EUV光學元件的方法，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該EUV光學元件曝露於氫離子，該方法包含將非氫氣體之物種植入於EUV光學元件中以防止EUV光學元件中之氫吸附及擴散的步驟。非氫氣體可包含惰性氣體，該惰性氣體可為氦氣。植入步驟可包含控制物種之植入能量以控制組件中之氫擴散障壁的平均植入深度。
根據另一態樣，揭示一種處理供在用於產生EUV輻射之系統中使用之組件的方法，在用於產生EUV輻射之系統的操作期間該組件已曝露於氫離子，該方法包含使組件經受非氫氣體物種之通量以藉由非氫氣體物種置換組件之至少一部分中的氫離子使得非氫氣體物種保護多層EUV光學元件免受氫損傷的步驟。非氫氣體可包含惰性氣體，該惰性氣體可為氦氣。
20:EUV輻射源
22:脈衝式或連續雷射源
24:目標材料遞送系統
26:真空腔室
28:輻照區
30:集光器
34:襯墊
36:導片
40:中間點/中間焦點
50:積體電路微影或檢測工具
52:矽晶圓工件
54:光罩
56:檢測系統
58:顯微鏡
60:EUV光源控制器系統
62:目標位置偵測回饋系統
65:雷射啟動控制系統
70:小滴成像器
72:防護膜
90:目標遞送控制系統
92:目標遞送機構
100:基板
110:多層塗層/多層堆疊
120:罩蓋層
130:背層
140:界面
150:氦離子
160:源
170:陰極源
180:偏壓電壓源
190:斷裂
200:EUV組件
210:主體材料層
圖1展示根據本發明之一態樣之用於雷射產生電漿EUV輻射源系統之總廣泛概念的示意性未按比例圖。
圖2為具有氫傳輸障壁之EUV光學元件之橫截面的示意性未按比例圖。
圖3為用於製造具有氫傳輸障壁之EUV光學元件之系統的示意性未按比例圖。
圖4為展示EUV光學元件之表面之極小(nm至μm)刮痕及其他損傷的EUV光學元件之橫截面的示意性未按比例圖，其中氦物種(例如，離子或高能中性物)植入於EUV光學元件之表面附近以限制或防止氫吸附及擴散。
圖5為EUV組件之橫截面的示意性未按比例圖，其中氦植入於EUV光 學組件之表面附近以限制或防止氫吸附及擴散。
本申請案主張2016年1月12日申請之美國臨時專利申請案第62/277,807號、2016年1月14日申請之美國臨時專利申請案第62/278,923號及2016年10月31日申請之美國實用專利申請案第15/338,835號的優先權。
現在參看圖式描述各種實施例，其中相同參考數字始終用以指相同元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述眾多特定細節以便增進對一或多個實施例之透徹理解。然而，在一些或所有情況下可為明顯的是，可在不採用下文所描述之特定設計細節的情況下實踐下文所描述之任何實施例。在其他情況下，以方塊圖形式展示熟知結構及裝置以便促進對一或多個實施例之描述。
首先參看圖1，展示根據本發明之一實施例之一態樣的例示性EUV輻射源(例如，雷射產生電漿EUV輻射源20)之示意圖。如所展示，EUV輻射源20可包括脈衝式或連續雷射源22，脈衝式或連續雷射源22可(例如)為產生10.6μm或1μm之波長之輻射的脈衝式氣體放電CO2雷射源。脈衝式氣體放電CO2雷射源可具有在高功率下及高脈衝重複率下操作之DC或RF激發。
EUV輻射源20亦包括用於遞送呈液滴或連續液體流形式之目標材料的目標遞送系統24。在此實例中，目標材料為液體，但目標材料亦可為固體或氣體。目標材料可由錫或錫化合物組成，然而可使用其他材料。目標材料遞送系統24將目標材料引入至真空腔室26之內部中直至輻照區28，在輻照區28中，目標材料可經輻照以產生電漿。在一些情況下，電荷置放於目標材料上以准許朝向或遠離輻照區28來操控目標材料。應注意，如本文 中所使用，輻照區為可發生目標材料輻照之區，且甚至在實際上不發生輻照時亦為輻照區。真空腔室26可具備襯墊34，且可具有一系列導片36。
EUV光源20亦可包括EUV光源控制器系統60，EUV光源控制器系統60亦可包括雷射啟動控制系統65連同(例如)雷射光束定位系統(未圖示)。EUV光源20亦可包括諸如目標位置偵測系統之偵測器，偵測器可包括一或多個小滴成像器70，一或多個小滴影像器70產生指示目標小滴(例如)相對於輻照區28之絕對或相對位置的輸出且將此輸出提供至目標位置偵測回饋系統62。曝露於腔室26之內部的小滴成像器70之部分可具備防護膜72。目標位置偵測回體系統62可使用小滴成像器70之輸出來計算目標位置及軌跡，可自目標位置及軌跡計算目標誤差。可逐滴地或平均地或基於某一其他基礎來計算目標誤差。目標誤差可接著作為輸入而提供至光源控制器60。作為回應，光源控制器60可產生諸如雷射位置、方向或時序校正信號之控制信號，且將此控制信號提供至雷射光束定位控制器(未圖示)。雷射光束定位系統可使用控制信號來控制雷射時序電路及/或控制雷射光束位置及塑形系統(未圖示)，例如，以改變腔室內之雷射光束焦點之定位及/或焦度。
如圖1中所展示，光源20可包括目標遞送控制系統90。目標遞送控制系統90可回應於信號(例如，上文所描述之目標誤差，或自由系統控制器60提供之目標誤差導出的一些量)而操作，以校正輻照區28內之目標小滴之位置的誤差。此可(例如)藉由再定位目標遞送機構92釋放目標小滴之點來實現。目標遞送機構92延伸至腔室26中，且亦外部供應有目標材料及氣體源以使目標遞送機構92中的目標材料在壓力下。
繼續參看圖1，輻射源20亦可包括一或多個光學元件。在以下論述中， 集光器30用作此類光學元件之實例，但該論述亦適用於其他光學元件。集光器30可為(例如)實施為MLM之正入射反射器，亦即，塗佈有接合層或背層且隨後塗佈有鉬/矽(Mo/Si)多層堆疊之碳化矽(SiC)基板，該Mo/Si多層堆疊具有沈積於每一界面處以有效地阻擋經熱誘發之層間擴散的額外薄障壁層，例如，B4C、ZrC、Si3N4或C。亦可使用其他基板材料，諸如鋁(A1)或矽(Si)。集光器30可呈長橢球形式，其具有孔隙以允許雷射輻射傳遞通過且達至輻照區28。集光器30可(例如)呈在輻照區28處具有第一焦點且在所謂中間點40(亦被稱作中間焦點40)處具有第二焦點之橢球的形狀，在集光器30中，EUV輻射可自EUV輻射源20輸出且輸入至(例如)使用輻射之積體電路微影或檢測工具50以使用倍縮光罩或光罩54以已知方式處理矽晶圓工件52。隨後以已知方式另外處理矽晶圓工件52以獲得積體電路裝置。積體電路微影工具50可包括檢測系統56及顯微鏡58。
MLM集光器30之一實例展示於圖2中，圖2為此類集光器之一部分的橫截面。如此處可見，集光器30包括基板100。多層堆疊110位於基板100上。多層堆疊110以已知方式由交替材料(例如，鉬及矽)層之堆疊組成。罩蓋層120位於多層塗層110上，罩蓋層120通常由最外層及一系列重複雙層組成。在基板100與多層堆疊110之間存在接合層或背層130。
再次參看圖2，罩蓋層120之最頂層較佳為對目標材料沈積具高的抗性之氮化物或氧化物。實際上，此等者較佳為具有原子氫之低再結合速率以允許實現錫烷之高形成速率的材料。此等者將通常為具有在約10-4至約10-3之範圍內之氫再結合係數的材料。實際上，此意謂較佳材料展現良好錫清潔速率，此係由於在H再結合為H2之前H可與Sn反應。作為一實例，金屬不鏽鋼具有2.2×10-3之再結合係數。罩蓋層120之最頂層的較佳材料亦較佳展現 入射離子之良好能量減少及低的二次電子發射係數。具有低再結合係數、入射離子之良好能量減少及低二次電子發射係數的材料之實例包括ZrN、TiO2、Ta2O5及ZrO2。
由集光器30之表面吸附的原子氫可經由其頂部(最外)層中之缺陷而滲透集光器30。此氫可經由集光器30之背層130擴散且在背層130與基板100之間的界面140處收集。氫聚集導致氣泡形成，使得間隙可在界面140處生長。此等間隙導致表面起泡及集光器30與經提供以藉由冷卻基板100來冷卻多層塗層110之冷卻系統(未圖示)之間的熱傳導路徑之不連續性。
為了防止起泡及背層130在界面140處與基板100分離，根據本發明之一態樣，非氫氣體(諸如，氦氣)之物種(離子或高能中性物)植入於背層130中以有效地防止氫擴散至背層及基板100之非晶矽材料中，從而防止起泡。如本說明書中在此處及別處及在申請專利範圍中所使用，「非氫氣體」意謂主要由除氫氣以外之氣體組成的氣體。氦氣被視為用於植入之良好選擇，此係因為其為相對具惰性及穩定的，但可使用其他惰性氣體。背層130之植入產生氫擴散障壁，經由氫擴散障壁來減緩或防止氫之擴散或滲透。此氫擴散障壁可僅被概念化為背層之區(物種已植入至其中)或單獨層。可選擇植入能量及因此植入深度，使得氫擴散障壁在背層130內產生於背層130與基板100之間的界面處，或可選擇植入能量，使得氫擴散障壁佔據背層130之較淺區。將理解，一般而言，植入將跨越深度之範圍出現，且將存在物種及因此氫擴散障壁之平均深度。
以下論述係依據作為一實例之氦離子，但可使用其他中性元素。並且，如所提及，可使用高能中性原子來替代離子。可以許多方式產生高能中性離子。舉例而言，可經由氣體傳輸高能量離子，在該氣體中離子與冷中 性原子之間的電荷交換碰撞產生冷離子但高能中性原子。實際上，離子維持其能量但自中性原子獲取電子。對於氦，此電荷交換可呈α氦電荷交換之形式：He2++He→He+He2+
其中左側He2+為高能氦離子，且左側He為冷氦原子，且右側He為高能中性氦原子，且右側He2+為冷氦離子。可隨後植入高能中性氦原子。
圖3展示用於製造具有經植入背層之EUV光學元件的例示性配置。以下論述係依據植入氦離子或高能中性物，但如所提及，可使用其他氣體之離子或高能中性物。作為在如所展示之EUV光學元件之製造期間的製程步驟，將氦離子150植入至背層130中。可藉由更改He離子能量來調整植入之深度。可藉由調整曝露時間來調整He離子通量。另外，可藉由控制氣體密度來調整通量(熱負荷)。並且，該製程可包括額外步驟，諸如在引入氦物種之前或之後對基板100進行熱退火及對基板100進行脫附。
氦離子之所要能量可由模型化(模擬碼，例如，離子在物質中之終止範圍(「SRIM」)/離子在物質中之傳輸(「TRIM」)碼)與實驗測試之組合來判定。參見J.F.Ziegler、M.D.Ziegler及J.P.Biersack「SRIM-離子在物質中之終止及範圍(SRIM-The Stopping and Range of Ions in Matter)」(《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B：Beam Interactions with Materials and Atoms》Volume 268,Issues 11-12,June 2010,pp.1818-1823)，該文件之全文以引用之方式併入。當前較佳使用約100eV氦之能量，其具有多達5.0nm之範圍，其中最大離子濃度出現在材料中之約1.0nm至2.0nm處且密度接近5.3g/cm3。此離子能量應不導致表面損傷且將He安置成極接近背層130與基板100之間的界面。下文展示將 TRIM碼用於此實例之樣本計算。對材料中之H、H2及He捕集/傳輸/滲透的實驗驗證可經由核反應分析(NRA)及熱脫附譜法(TDS)來獲得。
Figure 105142109-A0305-02-0015-1
可(例如)藉由將He氣體自源160引入至陰極源170(He氣體在其中經離子化)來產生此植入層。藉由使用偏壓電壓源180控制陰極源170與基板100之間的電壓梯度(偏壓)來控制離子能量。此配置允許一次性曝露大的表面，從而使進行製程所需之時間量最小化。此製程可作為習知塗佈製程之部分而進行。當然，上文僅描述離子產生及植入之一個可能方法。一般熟習此項技術者將顯而易見，可使用其他方法。可在植入製程之後沈積MLM堆疊110。
上文所描述之此製程不僅可用於新的EUV光學元件之製造中，且亦可用作現有EUV光學元件之再塗佈的部分。此允許在MLM移除之後藉由處理而再次使用經安裝集光器及延長經安裝集光器之壽命。該方法適用於用於背層130之當前材料，亦適用於預期未來可使用之材料。用以使方案最佳化之進階生命週期測試可使用樣本可在相對短的時間內曝露於H*、H+及He+之高通量的電漿源來實現。舉例而言，可使用線性電漿裝置，在線性電漿裝置中，電漿產生於裝置之一端處且傳輸至裝置之另一端。通常加熱LaB6 陰極，使得發射e-以使諸如H2、Ar或He之氣體離子化。電漿密度可為相當大的，但溫度通常小於10eV。樣本可在此電漿中經負偏壓以將淨離子能量設定至表面。
前述描述係依據使用氦氣之製程，但亦可使用其他相對具惰性、穩定的氣體(諸如，氬氣或氖氣)以及非惰性氣體。
亦可應用前述原理以使用氦曝露/植入來維修EUV光學元件或對EUV光學元件進行防治性處理。如圖4中所展示，EUV光學元件可具有其表面之微小損傷(例如，在nm至μm規模上之刮擦/損傷)。此損傷在圖4中描繪為集光器30之頂部表面中的斷裂190。集光器30在此處作為一實例而描述，但此處所描述之原理亦可應用於其他EUV光學元件。使用本發明之原理，可在集光器30之表面附近植入He 150以阻止或防止H吸附及擴散。不時地(例如，以經設定間隔)將集光器30曝露於He物種通量以驅出H且由He替代其亦為可能的，且可降低由氫驅動原因引起之損傷的可能性。在圖4之實施例中，罩蓋層120存在且被植入，但若不使用罩蓋層120，則離子植入可直接至MLM堆疊110之頂部表面中。
如所提及，除實施為MLM之彼等者以外，本發明之原理亦可有利地應用於EUV光學元件。舉例而言，本發明之原理可應用於不被實施為MLM之掠入射鏡面。其亦可在曝露之前或之後應用於倍縮光罩及保護EUV光罩及用作腔室26中之光學件之防護罩的護膜。其亦可用於問題在於氫擴散或脆化之應用中，諸如襯墊、導片及小滴產生器之組件。此展示於圖5中，在圖5中，EUV組件200植入有氦原子或離子150。EUV組件200可為光學元件，諸如鏡面或倍縮光罩，或可為另一組件，諸如護膜、襯墊、導片或小滴產生器組件。EUV組件200展示為具有罩蓋層120、主體材料層210、背層130 及基板100，但罩蓋層120、背層130及基板100取決於所包括之EUV組件之特定類型而可存在或可不存在。另外或作為主體材料層210中之氦植入的替代方案，若罩蓋層120存在，則氦植入可出現在罩蓋層120中。若罩蓋層120並不存在，則氦植入可出現在主體材料層210中。若基板100存在，則氦植入製程可包括額外步驟，諸如在引入氦物種之前或之後對基板100進行熱退火及對基板100進行脫附。
作為一實例，未經塗佈之Cu光學件亦可易於由類似起泡問題而受損。亦可使用He植入及/或至He通量之常規曝露來提供具有較長使用壽命之此類光學件。植入有來自諸如氦氣之氣體之離子的上表面亦可替代或補充當前用於EUV光學元件中之塗層。
本發明之原理亦可應用於檢測系統(諸如，曝露於氫之光化檢測系統)之組件及光學儀器(諸如，用於檢測EUV光罩之顯微鏡)之組件。
以上描述包括一或多個實施例之實例。當然，不可能出於描述前述實施例之目的而描述組件或方法之每一可設想組合，但一般熟習此項技術者可認識到，各種實施例之許多其他組合及排列係可能的。因此，所描述實施例意欲包含屬於隨附申請專利範圍之精神及範疇的所有此類變更、修改及變化。此外，就術語「包括」用於實施方式或申請專利範圍中而言，此術語意欲以類似於術語「包含」在「包含」作為過渡詞用於請求項中時所解譯之方式而為包括性的。此外，儘管所描述之態樣及/或實施例的元件可以單數形式來描述或主張，但除非明確表述限於單數，否則亦涵蓋複數。另外，除非另有陳述，否則任何態樣及/或實施例之全部或一部分可結合任何其他態樣及/或實施例之全部或一部分加以利用。
30:集光器
100:基板
110:多層塗層/多層堆疊
120:罩蓋層
130:背層
140:界面
150:氦離子
190:斷裂

Claims (42)

  1. 一種用於產生輻射之設備，其包含用於產生極紫外線(EUV)輻射之一系統的一組件，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該組件曝露於氫離子，該組件包括一氫擴散障壁，該氫擴散障壁包含植入有一惰性氣體之物種的一區。
  2. 如請求項1之設備，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之離子。
  3. 如請求項2之設備，其中該惰性氣體之該等離子包含氦離子。
  4. 如請求項1之設備，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之高能中性原子(energetic neutral atoms)。
  5. 如請求項4之設備，其中該惰性氣體之該等高能中性原子包含高能中性氦原子。
  6. 如請求項1之設備，其中該組件包含一集光器鏡面之至少一部分。
  7. 如請求項6之設備，其中該集光器鏡面為一正入射鏡面。
  8. 如請求項6之設備，其中該集光器鏡面為一多層鏡面。
  9. 如請求項1之設備，其中該組件包含一倍縮光罩、一偵測器、一顯微鏡、一檢測系統、一護膜、一真空腔室襯墊、一真空腔室導片及一小滴產生器中之一者的至少一部分。
  10. 如請求項1之設備，其中該惰性氣體包含氦。
  11. 如請求項1之設備，其中該惰性氣體包含氬。
  12. 如請求項1之設備，其中該惰性氣體包含氖。
  13. 一種供在用於產生EUV輻射之一系統中使用的多層鏡面，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該多層鏡面曝露於氫離子，該多層鏡面包含：一基板；該基板上之一背層；及該背層上之一多層塗層，其中該背層及該多層塗層中之一者包括一氫擴散障壁，該氫擴散障壁包含植入有一惰性氣體之物種的一區。
  14. 如請求項13之多層鏡面，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之離子。
  15. 如請求項13之多層鏡面，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之高能中性原子。
  16. 如請求項13之多層鏡面，其中該惰性氣體包含氦。
  17. 如請求項13之多層鏡面，其中該惰性氣體包含氖。
  18. 如請求項13之多層鏡面，其中該惰性氣體包含氬。
  19. 一種供在用於產生EUV輻射之一系統中使用的多層鏡面，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該多層鏡面曝露於氫離子，該多層鏡面包含：一基板；及該基板上之一塗層，該塗層包含複數個層，其中該複數個層中之至少一個層植入有一惰性氣體之一物種。
  20. 如請求項19之多層鏡面，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之離子。
  21. 如請求項19之多層鏡面，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之高能中性原子。
  22. 如請求項19之多層鏡面，其中該惰性氣體包含氦。
  23. 一種用於半導體光微影或檢測之設備，其包含：一雷射輻射源；一目標遞送系統，其用於將目標材料遞送至一輻照區，在該輻照區中該目標材料由該雷射輻射源輻照以產生極紫外線輻射；及一反射光學元件，其經配置以收集該極紫外線輻射，該反射光學元件包含一多層鏡面，該多層鏡面包括一多層堆疊及一背層，其中該多層堆疊及該背層中之至少一者包括一氫擴散障壁，該氫擴散障壁包含植入有一惰性氣體之物種的一區。
  24. 如請求項23之設備，其中惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之離子。
  25. 如請求項23之設備，其中惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之高能中性原子。
  26. 如請求項23之設備，其中該惰性氣體包含氦。
  27. 一種製造用於產生EUV輻射之一系統之組件的方法，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該組件曝露於氫離子，該方法包含將一惰性氣體之物種植入於該組件之至少一部分中以在該組件中形成一氫擴散障壁的步驟。
  28. 如請求項27之方法，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之離子。
  29. 如請求項27之方法，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之高能中性原子。
  30. 如請求項27之方法，其中該惰性氣體包含氦。
  31. 如請求項27之方法，其中該植入步驟包含控制該等物種之植入能量以控制該組件中之該氫擴散障壁的一平均深度。
  32. 一種處理供在用於產生EUV輻射之一系統中使用之一多層鏡面的方法，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該多層鏡面曝露於氫離子，該方法包含以下步驟：移除該多層鏡面之一多層塗層以曝露一背層；將一惰性氣體之物種植入於該背層中；及將一多層塗層置放於該背層上。
  33. 如請求項32之方法，其中該惰性氣體包含氦。
  34. 如請求項32之方法，其中該植入步驟包含控制該等物種之植入能量以控制該背層中之該等物種的一平均植入深度。
  35. 一種處理供在用於產生EUV輻射之一系統中使用之一EUV光學元件的方法，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該EUV光學元件曝露於氫離子，該方法包含將一惰性氣體之物種植入於該EUV光學元件中以防止該EUV光學元件中之氫吸附及擴散的步驟。
  36. 如請求項35之方法，其中該惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之離子。
  37. 如請求項35之方法，其中乾惰性氣體之該等物種包含該惰性氣體之高能中性原子。
  38. 如請求項35之方法，其中該惰性氣體包含氦。
  39. 如請求項35之方法，其中該植入步驟包含控制該等物種之植入能量以控制該EUV光學元件中之該等物種的一平均植入深度。
  40. 一種處理供在用於產生EUV輻射之一系統中使用之一組件的方法，在用於產生EUV輻射之該系統的操作期間該組件已曝露於氫離子，該方法包含使該組件經受惰性氣體物種之一通量以藉由該等惰性氣體物種置換該組件之至少一部分中的氫離子使得該等惰性氣體物種保護該組件免受氫損傷的步驟。
  41. 如請求項40之方法，其中該等惰性氣體物種包含一惰性氣體之離子。
  42. 如請求項41之方法，其中該等惰性氣體物種包含氦離子。
TW105142109A 2016-01-12 2016-12-19 用於產生輻射及半導體光微影或檢測之設備、多層鏡面、製造及處理用於產生euv輻射之一系統之組件的方法，及處理多層鏡面、euv光學元件及組件的方法 TWI704375B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662277807P 2016-01-12 2016-01-12
US62/277,807 2016-01-12
US201662278923P 2016-01-14 2016-01-14
US62/278,923 2016-01-14
US15/338,835 2016-10-31
US15/338,835 US10128016B2 (en) 2016-01-12 2016-10-31 EUV element having barrier to hydrogen transport

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201734559A TW201734559A (zh) 2017-10-01
TWI704375B true TWI704375B (zh) 2020-09-11

Family

ID=59275028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105142109A TWI704375B (zh) 2016-01-12 2016-12-19 用於產生輻射及半導體光微影或檢測之設備、多層鏡面、製造及處理用於產生euv輻射之一系統之組件的方法，及處理多層鏡面、euv光學元件及組件的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10128016B2 (zh)
JP (1) JP6830104B2 (zh)
KR (1) KR102774315B1 (zh)
CN (1) CN108463747A (zh)
TW (1) TWI704375B (zh)
WO (1) WO2017123323A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016213831A1 (de) 2016-07-27 2018-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie
KR102574161B1 (ko) 2018-02-06 2023-09-06 삼성전자주식회사 펠리클 및 이를 포함하는 레티클
CN112969720B (zh) * 2018-11-08 2023-06-06 Sabic环球技术有限责任公司 在管式反应器中制备乙烯均聚物或共聚物的方法
US11262664B2 (en) * 2019-11-19 2022-03-01 Kla Corporation System and method for protecting optics from vacuum ultraviolet light
WO2021104794A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 Asml Netherlands B.V. Inhibitor substance for an optical system
TWI768718B (zh) 2020-04-28 2022-06-21 台灣積體電路製造股份有限公司 製造半導體元件的方法
US12482655B2 (en) * 2020-04-28 2025-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV photomask and related methods
US11561482B2 (en) 2021-06-18 2023-01-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for reducing hydrogen permeation from lithographic tool
KR20240029758A (ko) 2021-07-12 2024-03-06 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크 및 그의 제조 방법
KR102750507B1 (ko) 2022-01-21 2025-01-07 한국표준과학연구원 펠리클 성능 평가 시스템 및 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010021554A1 (en) * 2000-02-25 2001-09-13 Joachim Hopfner Method for fabricating a semiconductor component
US20040214430A1 (en) * 2003-04-28 2004-10-28 Hartmut Ruelke Nitrogen-enriched low-k barrier layer for a copper metallization layer
US20050287801A1 (en) * 2004-06-23 2005-12-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating semiconductor device having landing plug contact structure
US20080026545A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Paul Cooke Integrated devices on a common compound semiconductor III-V wafer
TW201213891A (en) * 2010-05-27 2012-04-01 Asml Netherlands Bv Multilayer mirror
TW201429319A (zh) * 2012-10-04 2014-07-16 Cymer LLC 嚴峻環境光學元件保護技術
US20150202564A1 (en) * 2013-01-22 2015-07-23 Robert E. Kirby Method For Permeation Extraction of Hydrogen From an Enclosed Volume
TW201536111A (zh) * 2014-02-07 2015-09-16 Asml Netherlands Bv 具有抗起泡的多層蓋體之極紫外線光學元件
TW201606335A (zh) * 2014-07-11 2016-02-16 應用材料股份有限公司 具有非晶層之極紫外線反射元件及其製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04120732A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Hitachi Ltd 固体素子及びその製造方法
US6524936B2 (en) * 2000-12-22 2003-02-25 Axcelis Technologies, Inc. Process for removal of photoresist after post ion implantation
US7671349B2 (en) 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US6756163B2 (en) 2002-06-27 2004-06-29 Intel Corporation Re-usable extreme ultraviolet lithography multilayer mask blank
US7075713B2 (en) 2003-05-05 2006-07-11 University Of Central Florida Research Foundation High efficiency collector for laser plasma EUV source
US7355672B2 (en) * 2004-10-04 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus
JP2006177740A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Nikon Corp 多層膜反射鏡及びｅｕｖ露光装置
JP2007127698A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Nikon Corp 多層膜反射鏡、その再生方法および露光装置
JP2007165788A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 金属系膜の脱炭素処理方法、成膜方法および半導体装置の製造方法
KR20090094322A (ko) * 2006-11-27 2009-09-04 가부시키가이샤 니콘 광학 소자, 이것을 사용한 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR20110031906A (ko) * 2008-06-19 2011-03-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
EP2297746A1 (en) * 2008-07-07 2011-03-23 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Extreme uv radiation reflecting element comprising a sputter-resistant material
NL1036803A (nl) * 2008-09-09 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Radiation system and lithographic apparatus.
CN102177470B (zh) * 2008-10-17 2014-03-12 Asml荷兰有限公司 收集器组件、辐射源、光刻设备和器件制造方法
CN102203907B (zh) * 2008-10-30 2014-03-26 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模基板
NL2004787A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Spectral purity filter, lithographic apparatus, and method for manufacturing a spectral purity filter.
EP2622609A1 (en) * 2010-09-27 2013-08-07 Carl Zeiss SMT GmbH Mirror, projection objective comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective
JP5888247B2 (ja) * 2011-02-04 2016-03-16 旭硝子株式会社 導電膜付基板、多層反射膜付基板、およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP2012222349A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Asml Netherlands Bv 多層ミラーおよびリソグラフィ装置
US9516730B2 (en) 2011-06-08 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source
DE102011077983A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements für die EUV-Lithographie
JP2013122952A (ja) * 2011-12-09 2013-06-20 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法
JP6002411B2 (ja) * 2012-03-28 2016-10-05 芝浦メカトロニクス株式会社 Ｅｕｖマスク製造方法およびｅｕｖマスク製造装置
DE102012207125A1 (de) 2012-04-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie sowie Verfahren zum Optimieren eines Schutzlagensystems für ein optisches Element
US9773578B2 (en) * 2013-02-15 2017-09-26 Asml Netherlands B.V. Radiation source-collector and method for manufacture
DE102013102670A1 (de) * 2013-03-15 2014-10-02 Asml Netherlands B.V. Optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie sowie Verfahren zur Behandlung eines solchen optischen Elements
JP6037012B2 (ja) * 2013-06-26 2016-11-30 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010021554A1 (en) * 2000-02-25 2001-09-13 Joachim Hopfner Method for fabricating a semiconductor component
US20040214430A1 (en) * 2003-04-28 2004-10-28 Hartmut Ruelke Nitrogen-enriched low-k barrier layer for a copper metallization layer
US20050287801A1 (en) * 2004-06-23 2005-12-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating semiconductor device having landing plug contact structure
US20080026545A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Paul Cooke Integrated devices on a common compound semiconductor III-V wafer
TW201213891A (en) * 2010-05-27 2012-04-01 Asml Netherlands Bv Multilayer mirror
TW201429319A (zh) * 2012-10-04 2014-07-16 Cymer LLC 嚴峻環境光學元件保護技術
US20150202564A1 (en) * 2013-01-22 2015-07-23 Robert E. Kirby Method For Permeation Extraction of Hydrogen From an Enclosed Volume
TW201536111A (zh) * 2014-02-07 2015-09-16 Asml Netherlands Bv 具有抗起泡的多層蓋體之極紫外線光學元件
TW201606335A (zh) * 2014-07-11 2016-02-16 應用材料股份有限公司 具有非晶層之極紫外線反射元件及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102774315B1 (ko) 2025-02-26
US10128016B2 (en) 2018-11-13
WO2017123323A1 (en) 2017-07-20
TW201734559A (zh) 2017-10-01
KR20180101515A (ko) 2018-09-12
US20170200523A1 (en) 2017-07-13
JP2019508728A (ja) 2019-03-28
JP6830104B2 (ja) 2021-02-17
CN108463747A (zh) 2018-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI704375B (zh) 用於產生輻射及半導體光微影或檢測之設備、多層鏡面、製造及處理用於產生euv輻射之一系統之組件的方法，及處理多層鏡面、euv光學元件及組件的方法
CN105940324B (zh) 具有抗起泡的多层盖的euv光学元件
JP6793644B2 (ja) プラズマベース光源
CN101790764B (zh) 用于激光致等离子体euv光源的气体管理系统
EP1896904B1 (en) Method of cleaning optical surfaces of an irradiation unit in a two-step process
EP1896197B1 (en) Method of cleaning and after treatment of optical surfaces in an irradiation unit
TWI650045B (zh) 用於保護極紫外光光學元件之裝置
TWI324281B (en) Method and device for removing particles generated by means of a radiation source during generation of short-wave radiation
EP4427549B1 (en) HIGH-LUMINOSITY LASER PLASMA SOURCE AND RADIATION GENERATION AND COLLECTION METHOD
CN101681114B (zh) 光学设备和原位处理euv光学部件以增强降低的反射率的方法
US11474440B2 (en) Method of and apparatus for in-situ repair of reflective optic
Jurczyk et al. The effect of debris on collector optics, its mitigation and repair: Next-step a gaseous Sn EUV DPP source
Makimura et al. Silica ablation process induced by focused laser plasma soft x-rays
JP2023543850A (ja) 光学素子を製造する方法、光学素子、光学素子を製造する装置、二次ガス、及び投影露光システム
Grisham et al. Materials modification with intense extreme ultraviolet pulses from a compact laser