TWI700760B

TWI700760B - 晶片剝折製程的供料方法及裝置

Info

Publication number: TWI700760B
Application number: TW107137377A
Authority: TW
Inventors: 董聖鑫; 黃子葳
Original assignee: 萬潤科技股份有限公司
Priority date: 2018-10-23
Filing date: 2018-10-23
Publication date: 2020-08-01
Also published as: CN209052085U; TW202017071A; CN111086878A

Abstract

本發明一種晶片剝折製程的供料方法及裝置，用以在一機台上對將一待剝條晶片剝折成條狀晶片的一剝折機構進行供料，其方法包括：提供一設有一電阻部位、一位於該電阻部位一端的廢料部、二位於該電阻部位兩側的側邊部之片狀晶片；使該片狀晶片被置於該機台上一置料機構；以一搬送機構將該置料機構中的片狀晶片搬送至該機台上一折邊機構，以執行剝除該側邊部及廢料部的待剝除部位以剩下該待剝條晶片；以該搬送機構將該折邊機構中的該待剝條晶片搬送到該剝折機構處進行剝折成條狀晶片；藉此使晶片剝折製程可以一貫而有效率的被執行，並大幅提昇產能。

Description

晶片剝折製程的供料方法及裝置

本發明係有關於一種供料方法及裝置，尤指一種使用在晶片型電阻的製程中，用以進行片狀晶片製造的晶片剝折製程的供料方法及裝置。

按，一般晶片型的電阻通常採用片狀的晶片加工多層的電鍍層後，再經剝折成條狀晶片，然後再由條狀晶片剝折成粒狀電阻，此類由片狀晶片剝折成條狀晶片的設備一般稱為堆疊機，由條狀晶片剝折成粒狀電阻的設備一般稱為折粒機；由片狀的晶片剝折成條狀晶片的製程可參考例如申請人取得的新型第M448052號「晶片的剝離裝置」、第M445766號「晶片的傳送裝置」、第M445761號「晶片的收集裝置」、第M445762號「晶片的堆疊裝置」等專利案；此類由片狀晶片剝折成條狀晶片的製程中，常將片狀晶片置於例如該第M448052號「晶片的剝離裝置」中的一剝折機構中一擺座上受一推送機構推送，使片狀晶片前端受一定位裝置定位後，藉受偏心輪驅動的連桿帶動該剝折機構的該擺座作上、下擺動，來使片狀晶片受該定位裝置定位的部份被剝折成條狀晶片。

惟該先前技術中，在進行剝折的機台中，係將片狀晶片直接置於該擺座中作推送，由於該片狀晶片在製成時，其周緣存在並非正矩形輪廓，因此在置入該擺座中一導引槽時，可能存在阻涉，或在推送機構進行推送時，因為歪斜而造成卡料，造成操作人員必須耗費許多時間進行卡料排除，導致高效率的生產難以執行，仍有待改進之處。

爰是，本發明的目的，在於提供一種可使片狀晶片剝折成條狀晶片之製程更具有效益的晶片剝折製程的供料方法。

本發明的另一目的，在於提供一種可使片狀晶片剝折成條狀晶片之製程更具有效益的晶片剝折製程的供料裝置。

本發明的又一目的，在於提供一種用以執行如所述晶片剝折製程的供料方法之裝置。

依據本發明目的之晶片剝折製程的供料方法，包括：提供一片狀晶片，該片狀晶片包括具有一電阻部位、一位於該電阻部位一端的廢料部、二位於該電阻部位兩側的側邊部；提供一機台，該機台上設有一剝折機構，該剝折機構執行將一待剝條晶片剝折成條狀晶片；使該片狀晶片被置於該機台上一置料機構；以一搬送機構將該置料機構中的片狀晶片搬送至該機台上一折邊機構，該折邊機構執行將該片狀晶片剝除該外側邊及廢料部的待剝除部位以剩下該待剝條晶片；以該搬送機構執行將該折邊機構中的該待剝條晶片搬送到該剝折機構處進行剝折成條狀晶片。

依據本發明另一目的之晶片剝折製程的供料裝置，包括：在一機台上設有：一剝折機構，設有可作上、下擺動將一待剝條晶片剝折成條狀晶片的一擺座；一置料機構，設有用以疊置一片狀晶片的一倉座；一折邊機構，設有可對該片狀晶片進行剝折成該待剝條晶片的一折邊架；一搬送機構，設有可受驅動作位移並搬送該片狀晶片及該待剝條晶片的一提座。

依據本發明又一目的之晶片剝折製程的供料裝置，包括：用以執行如所述晶片剝折製程的供料方法之裝置。

本發明實施例之晶片剝折製程的供料方法及裝置，由於該機台上同時以一搬送機構將該置料機構中的片狀晶片搬送至該機台上一折邊機構，該折邊機構執行將該片狀晶片剝除該側邊部及廢料部的待剝除部位以剩下該待剝條晶片；並以該搬送機構執行將該折邊機構中的該待剝條晶片搬送到該剝折機構處進行剝折成條狀晶片；故晶片剝折製程由最初的片狀晶片供應及被剝折成該待剝條晶片到進行剝折成條狀晶片，可以一貫而有效率的被執行，並大幅提昇產能。

請參閱圖1，本發明實施例中用以剝折的晶片為一矩形的片狀晶片A，其具有一矩形區域且表面具積層電鍍層的電阻部位A1，依進行剝折成條狀的剝折順序，該電阻部位A1之X軸向前端形成一段無積層電鍍層的廢料部A2，該電阻部位A1之X軸向後端形成一段無積層電鍍層的夾持部A3，該電阻部位A1之Y軸向兩側分別各形成一段較廢料部A2、夾持部A3狹窄的無積層電鍍層的側邊部A4 、A5；其中，在本發明實施例中，使該側邊部A4、A5分別各區分出包括靠該電阻部位A1的內側邊A41、A51，以及靠電阻部位A1外側的外側邊A42、A52；其中，該外側邊A42、A52包括電阻部位A1、廢料部A2、夾持部A3的邊側部份，而該內側邊A41、A51則僅包括該電阻部位A1的邊側部份；各部位間的分界係如圖1、2所示地分別各在片狀晶片A下表面刻劃有凹溝狀的線痕A6，該電阻部位A1的下表面劃的線痕A6則呈矩陣排列的矩形格狀(圖中未示)，每一矩形格為一電阻元件，未來將剝折成格粒狀的電阻元件。

請參閱圖3、4，在進行剝折成條狀晶片A8前，本發明實施例先執行一將該片狀晶片A的該外側邊A42、A52及該廢料部A2列為待剝除部位，並執行一折邊剝除該待剝除部位的程序，使該片狀晶片A剝折該待剝除部位後，該片狀晶片A形成一僅包括該電阻部位A1、夾持部A3及內側邊A41、A51的待剝條晶片A7，本發明實施例中之晶片剝折製程係將該待剝條晶片A7剝折成其上包括有一部份該電阻部位A1連同其二內側邊A41、A51條狀區域部位的條狀晶片A8。

請參閱圖4、5〜6，本發明實施例係用以在一機台B上對將該待剝條晶片A7剝折成條狀晶片A8的一剝折機構C進行供料；在實施上可採用如圖所示地在同一機台B的一台面B1上依X軸向由左而右直線排列依序設有包括：該剝折機構C、一置料機構D、一折邊機構E、一搬送機構F；其中，該剝折機構C，包括：一擺座C1及依待剝折晶片A7在擺座C1上的輸送方向為位於該擺座C1後端可作前後位移的一推夾C2，該擺座C1前端設有一定位裝置(圖中未示)，該擺座C1受一偏心輪C3驅動的一連桿C4帶動該擺座C1作上、下擺動，藉將待剝條晶片A7置於該擺座C1後，使該待剝條晶片A7後端的該夾持部A3受該推夾C2夾持沿一直線推送流路向前推送，直到該待剝條晶片A7前端受該定位裝置定位，並藉受該偏心輪C3驅動該連桿C4帶動該擺座C1作上、下擺動，使待剝條晶片A7受該定位裝置定位的部份被剝折成圖4中的該條狀晶片A8。

該晶片剝折製程的供料裝置中的：該置料機構D，設於該推夾C2的直線推送流路所向後直線延伸的搬送路徑之該機台B的該台面B1上；該置料機構D用以疊置及定位尚未作任何剝折的片狀晶片A；該折邊機構E，設於該推夾C2的直線推送流路所向後直線延伸的搬送路徑上，該置料機構D與該折邊機構E可共同設於一座板B2上，而使二者共同形成一模組設於該機台B的該台面B1上，並使該置料機構D位於該剝折機構C與該折邊機構E間；該折邊機構E用以將片狀晶片A剝除該外側邊A42、A52及廢料部A2等待剝除部位以剩下該待剝條晶片A7；該搬送機構F，設於該剝折機構C、置料機構D、折邊機構E共同的Y軸向一側，包括一立設於該機台B的該台面B1上的矩形板狀固定座F1，其長度延伸經該剝折機構C、置料機構D、折邊機構E；該固定座F1上設有一可受驅動作X軸向直線位移經該剝折機構C、置料機構D、折邊機構E的提座F2；

請參閱圖5、7，該搬送機構F之該固定座F1背向該剝折機構C、置料機構D、折邊機構E的一側為背側F11，朝向該剝折機構C、置料機構D、折邊機構E的一側為內側F12；該固定座F1的背側F11近上端緣F11處設有水平X軸向的一滑軌F3；該提座F2以一固定件F21設於該滑軌F3的一滑座F31上，該固定件F21受該固定座F1靠該折邊機構E端的一例如馬達的驅動件F4所驅動的該固定座F1的背側F11之一皮帶F41所連動，可在該滑軌F3上作X軸向水平直線位移，該固定件F21並自該固定座F1的該背側F11以Y軸向朝向該內側F12伸設一跨架F22，該跨架F22一端與該固定件F21間設有滑動缸F23，使該跨架F22可被驅動在該固定件F21上作Z軸向上、下位移，該跨架F22另一端下方設有隨該跨架F22連動位移的一提取頭F24，該提取頭F24下方底面F241為一平面並通有負壓以吸附該片狀晶片A(或該待剝條晶片A7)。

請參閱圖8，該置料機構D設有：一設於該台面B1之該座板B2上的ㄇ型座架D1，以及設於該座架D1上的一倉座D2，該倉座D2中設有一鏤空的倉室D21，該倉室 D21之截面約略呈一方形造型，可供該片狀晶片A以水平狀態平落於該倉室 D21內的方形區間中，該倉室 D21並在四角落分別各設一角座D22，每一角座D22朝該倉室D21分別各設有一呈九十度之內角D221，每一內角D221兩內側邊分別各設有凸出表面之墊靠D222，四個內角D221間可供該片狀晶片A四角部對應卡設於其中；該倉室D21中設有一上表面約略平設狀的載台D23，該載台D23下方受一由機台B下方伸經該座架D1中一空間D11及該倉室 D21的升降桿D24所連動，在該升降桿D231受該台面B1及該座板B2下方例如馬達之一驅動件D241的驅動下，使該載台D23可在該倉室D21中作Z軸向的上下位移，以使疊置於該倉室D21中該載台D23上的該片狀晶片A可逐次上昇，使最上方的該片狀晶片A每次可在固定的高度被提取；各該角座D22彼此相鄰的側邊間分別各設有一鏤空的區間D223，在其中一區間D223外側設有可經該區間D223以Y軸向朝該倉室D21中該載台D23吹氣的清潔噴嘴D25及可對該載台D23上該片狀晶片A進行偵測的感應器D26；另在其中一角座D22的外側設有一頂抵機構D27，該頂抵機構D27設有一呈叉狀的抵座D271可受一驅動件D272驅動作前進位移而對該片狀晶片A執行一對位程序，該叉狀的抵座D271包括包繞經該角座D22兩側而伸經該角座D22兩側之該區間D223的二叉件D273，該抵座D271以對應該載台D23上該片狀晶片A對角線的方向進行水平位移，使二叉件D273分別抵推該片狀晶片A的一外側邊52及該夾持部A3的外側邊，以使該片狀晶片A朝與受二叉件D273包繞經的該角座D22對角方向的角座D22之內角D221凸出表面之墊靠D222抵靠，使該片狀晶片A在承受水平對角方向的驅力下朝另一對角端抵靠對位，使每一次受提取的該片狀晶片A保持在預設的水平定位受提取。

請參閱圖9、10，該折邊機構設有一位於該座板B2上的H型座架E1，以及設於該座架E1上的□型框狀的一折邊架E2；其中，該座架E1以相隔間距的兩側板E11、E12立設於該座板B2上表面，兩側板E11間約略中央高度處水平設有一間隔件E13將兩側板E11、E12間的空間區隔出位於上方的第一區間E14及位於下方的第二區間E15，並在該位於上方的第一區間E14中設有一上方設有開口之抽屜狀的廢料盒E16；該折邊架E2以一水平框狀的上底座E21設於該座架E1的上方，該上底座E21上設有一鏤空的洩料區E211，該洩料區E211兩側的該上底座E21下方，分別各設有位於該座架E1之兩側板E11、E12外的二側架E22、E23，兩側架E22、E23下端間水平設有一穿經該座架E1的兩側板E11、E12上鏤空區間E111、E121的下底座E24；其中，該兩側板E11、E12外分別各設有Z軸向的滑軌E112、E122，該滑軌E112上設有滑塊E113，該滑軌E122上設有滑塊E123，該二側架E22、E23分別各與該滑塊E113、E123固設；該下底座E24受該座板B2下方的一驅動件E4所驅動，使整個包括上底座E21、兩側架E22、E23及下底座E24的該折邊架E2可在該鏤空區間E111、E121內的高度範圍內，及在該二側架E22、E23可以該滑塊E113、E123在該兩側板E11、E12上的該滑軌E112、E122導引下作Z軸向上、下位移；該上底座E21的該洩料區E211在Y軸向兩側以相隔間距且對應方式分別各設有立設狀的二側折座E212、E213，二側折座E212、E213在相向朝内的一側於上方分別各設有傾斜面構成的第一、二折抵邊E214、E215，及於該第一、二折抵邊E214、E215下方分別各形成一垂直面狀的第一、二導引邊E216、E217；該上底座E21的該洩料區E211在X軸向的一側設有一立設狀的端折座E218，該端折座E218在朝該洩料區E211另一側的一邊於上方設有傾斜面構成的一第三折抵邊E219，該第三折抵邊E219下方形成一垂直面狀的第三導引邊E220；其中，該第三折抵邊E219較該第一、二折抵邊E214、E215位置低，且該端折座E218與二側折座E212、E213除可分別各自作上、下位移微調外，該第一、二、三導引邊E216、E217、E220間圍成的區間小於該片狀晶片A的面積，但大於該圖3中該待剝條晶片A7的面積。

在進行折邊時，該提取頭F24將片狀晶片A吸附移送至該折邊機構E的該折邊架E2上方，恰使該片狀晶片A位於該第一、二、三折抵邊E214、E215、E219上方，保持在一定的高度定位靜止不動，而該驅動件E4則驅動該下底座E23使該折邊架E2整個被連動上移而相對與該片狀晶片A作相對位移，使該折邊架E2的該上底座E21往該提取頭F24下方吸附的片狀晶片A上昇移靠。

請參閱圖11、12，因該第一、二折抵邊E213、E214位置較該第三折抵邊E217高，故該折邊架E2由下而上執行上昇時，將使該上底座E21上的二側折座E212、E213先分別以該第一、二折抵邊E214、E215觸抵二外側邊A42、A52，而將該片狀晶片A的二外側邊A42、A52剝折；然後剩下的該廢料部A2再受隨後上昇的該端折座E216上該第三折抵邊E217觸抵而剝折；完成該片狀晶片A待剝除部位的該外側邊A42、A52及該廢料部A2剝折後，該驅動件E4驅動該下底座E23使該折邊架E2整個被連動下移，被剝折下的該外側邊A42、A52及該廢料部A2等待剝除部位將落經該端折座E216與二側折座E212三者間圍成的區間，而落入該廢料盒E15被收集，而使該提取頭F24所吸附的僅剩圖3中該待剝條晶片A7。

請參閱圖13，該搬送機構F之該提取頭F24係在每一次的搬送循環中，執行以X軸向由該剝折機構C移至該置料機構D提取一片尚未剝除該外側邊A42、A52及廢料部A2等之待剝除部位的片狀晶片A，然後移至該折邊機構E進行折邊，完成折邊後再直接將該待剝條晶片A7直接搬送越經該置料機構D上方回到該剝折機構C處進行剝折成條狀晶片。

本發明實施例晶片剝折製程的供料方法及裝置，由於該機台B上同時以一搬送機構F將該置料機構D中的片狀晶片A搬送至該機台B上一折邊機構E，該折邊機構E執行將該片狀晶片A剝除該側邊部A4、A5及廢料部A2的待剝除部位以剩下該待剝條晶片A7；並以該搬送機構F執行將該折邊機構E中的該待剝條晶片A7搬送到該剝折機構C處進行剝折成條狀晶片A8；故晶片剝折製程由最初的片狀晶片7供應及被剝折成該待剝條晶片A7到進行剝折成條狀晶片A8，可以一貫而有效率的被執行，並大幅提昇產能。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

A:片狀晶片A1:電阻部位A2:廢料部A3:夾持部A4:側邊部A41:內側邊A42:外側邊A5:側邊部A51:內側邊A52:外側邊A6:線痕A7:待剝條晶片A8:條狀晶片B:機台B1:台面B2:座板C:剝折機構C1:擺座C2:推夾C3:偏心輪C4:連桿D:置料機構D1:座架D11:空間D2:倉座D21:倉室D22:角座D221:內角D222:墊靠D223:區間D23:載台D231:升降桿D24:升降桿D241:驅動件D25:清潔噴嘴D26:感應器D27:頂抵機構D271:抵座D272:驅動件D273:叉件E:折邊機構E1:座架E11:側板E111:鏤空區間E112:滑軌E113:滑塊E12:側板E121:鏤空區間E122:滑軌E123:滑塊E13:間隔件E14:第一區間E15:第二區間E16:廢料盒E2:折邊架E21:上底座E211:洩料區E212:側折座E213:側折座E214:第一折抵邊E215:第二折抵邊E216:第一導引邊E217:第二導引邊E218:端折座E219:第三折抵邊E220:第三導引邊E22:側架E23:側架E24:下底座F:搬送機構F1:固定座F11:上端緣F2:提座F21:固定件F22:跨架F23:滑動缸F24:提取頭F241:底面F3:滑軌F31:滑座

圖1係本發明實施例中片狀晶片之立體示意圖。圖2係本發明實施例中片狀晶片部份放大之立體示意圖。圖3係本發明實施例中片狀晶片之立體分解示意圖。圖4係本發明實施例中待剝條晶片之立體分解示意圖。圖5係本發明實施例中晶片剝折製程的供料裝置之立體示意圖。圖6係本發明實施例中晶片剝折製程的供料裝置之正面示意圖。圖7係本發明實施例中搬送機構之立體示意圖。圖8係本發明實施例中置料機構之立體示意圖。圖9係本發明實施例中折邊機構之立體示意圖。圖10係本發明實施例中折邊機構之正面示意圖。圖11係本發明實施例中折邊機構的上底座及其上機構與提取頭吸附片狀晶片的剝折示意圖。圖12係本發明實施例中折邊機構的折邊架上昇作動示意圖。圖13係本發明實施例中搬送機構的搬送作動示意圖。

B:機台

B1:台面

B2:座板

C:剝折機構

C1:擺座

C2:推夾

D:置料機構

E:折邊機構

F:搬送機構

F1:固定座

F2:提座

Claims

一種晶片剝折製程的供料方法，用以在一機台上對將一待剝條晶片剝折成條狀晶片的一剝折機構進行供料，包括：提供一片狀晶片，該片狀晶片設有一電阻部位、一位於該電阻部位一端的廢料部、二位於該電阻部位兩側的側邊部；使該片狀晶片被置於該機台上一置料機構；以一搬送機構將該置料機構中的片狀晶片搬送至該機台上一折邊機構，該折邊機構執行將該片狀晶片剝除該側邊部及廢料部的待剝除部位，以剩下該待剝條晶片；以該搬送機構執行將該折邊機構中的該待剝條晶片搬送到該剝折機構處進行剝折成條狀晶片。
如申請專利範圍第1項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，該完成折邊後的該待剝條晶片被直接搬送越經該置料機構上方回到該剝折機構處進行剝折成條狀晶片。
如申請專利範圍第1項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，在該置料機構中以一頂抵機構對置於其中的片狀晶片執行一對位程序，使該片狀晶片在承受水平對角方向的驅力下朝另一對角端抵靠對位。
如申請專利範圍第1項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，該片狀晶片的該側邊部包括一靠該電阻部位的內側邊，以及一靠電阻部位外側的外側邊；其中，該側邊部的待剝除部位為該外側邊。
如申請專利範圍第4項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，該折邊機構中係使該外側邊先行剝折，再進行剝折該廢料部。
如申請專利範圍第1項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，該折邊機構中係以一折邊架執行與該片狀晶片作相對位移而觸抵該待剝除部位，而將該待剝除部位剝折。
如申請專利範圍第6項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，該相對位移係以該片狀晶片保持在一定的高度定位靜止不動，而該折邊架由下而上執行上昇時觸抵該待剝除部位而作剝折。
如申請專利範圍第1項所述晶片剝折製程的供料方法，其中，該折邊機構係以傾斜面觸抵而剝折該待剝除部位。
一種晶片剝折製程的供料裝置，用以在一機台上對將一待剝條晶片剝折成條狀晶片的一剝折機構進行供料；包括：一置料機構，設有用以疊置一片狀晶片的一倉座；一折邊機構，設有可對該片狀晶片進行剝折成該待剝條晶片的一折邊架；一搬送機構，設有可受驅動作位移並搬送該片狀晶片及該待剝條晶片的一提座。
如申請專利範圍第9項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該置料機構設有一座架，以及設於該座架上的該倉座，該倉座中設有一鏤空的倉室，該倉室中設有可作上下位移的一載台。
如申請專利範圍第10項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該倉室在四角落分別各設一角座，每一角座朝該倉室分別各設有一內角，各個內角間可供該片狀晶片對應設於其中。
如申請專利範圍第9項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該置料機構設有一頂抵機構，該頂抵機構設有一抵座可受驅動作前進位移抵推該片狀晶片。
如申請專利範圍第9項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該折邊機構設有一座架，以及設於該座架上的該折邊架。
如申請專利範圍第13項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該座架以相隔間距的兩側板間設有一間隔件，該間隔件將兩側板間的空間區隔出位於上方的第一區間及位於下方的第二區間，並在該第一區間中設有一廢料盒。
如申請專利範圍第13項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該折邊架上設有相隔間距且對應的二側折座及一端折座。
如申請專利範圍第15項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該折邊架以一水平框狀的上底座設於該座架的上方，該上底座上設有一鏤空的洩料區，該洩料區兩側的該上底座下方，分別各設有二側架，兩側架下端間水平設有一下底座；該二側折座及該端折座設於該上底座上；該下底座受一驅動件所驅動，使該折邊架作上、下位移。
如申請專利範圍第15項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該二側折座在相向朝内的一側於上方分別各設有傾斜面構成的第一、二折抵邊；該端折座在一側的上方設有傾斜面構成的一第三折抵邊。
如申請專利範圍第9項所述晶片剝折製程的供料裝置，其中，該搬送機構設有一固定座，該固定座設有水平的一滑軌，該提座可在該滑軌上位移；該提座伸設一跨架，該跨架可被驅動作上、下位移，該跨架設有隨該跨架連動位移的一提取頭，該提取頭通有負壓以吸附該片狀晶片或該待剝條晶片。
一種晶片剝折製程的供料裝置，包括：用以執行如申請專利範圍第1至8項中任一項所述晶片剝折製程的供料方法之裝置。