TWI700382B - 氧化物薄膜及用以製造該薄膜之濺鍍靶用氧化物燒結體 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種氧化物薄膜，其係由Nb、Mo、O所構成者，其特徵在於：Nb與Mo之含有比率（原子比）為0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8，且O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率（原子比）為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.0。又，本發明係一種氧化物燒結體，其係由Nb、Mo、O所構成者，其特徵在於：Nb與Mo之含有比率（原子比）為0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率（原子比）為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.1，且MoO2
相之歸屬於（-111）面之XRD波峰強度IMoO2
與背景強度IBG
之關係滿足IMoO2
/IBG
＞3。本發明之課題在於提供一種氧化物薄膜、及適於該薄膜之形成之濺鍍靶用氧化物燒結體，該氧化物薄膜具有如下優異之特性：反射率及穿透率較低，具有優異之光吸收能力，進而溶於蝕刻液，容易加工，且另一方面，耐候性較高，不易發生經時變化。
Description
本發明係關於一種具有光吸收能力之氧化物薄膜及用以製造該薄膜之濺鍍靶用氧化物燒結體。
於液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、或觸控面板、太陽電池等中，作為配線構件，使用由ITO（氧化銦錫）所構成之透明導電膜。ITO對可見光具有優異之穿透性，於氧化物中，由於電阻率較低，故而為作為配線構件優異之材料。但是，於使顯示器或面板大面積化之情形時，產生電阻變高而無法應對大面積化之問題。
根據上述情況，研究出使用電阻率較低之金屬薄膜代替ITO膜作為配線構件。但是，於用作配線構件之情形時，產生金屬薄膜反射可見光而使顯示器或面板之視認性降低之問題。對此，研究出於金屬薄膜之附近形成可吸收反射光之膜，抑制由該金屬薄膜所產生之光之反射，謀求視認性之提高。
關於降低光之反射之膜，例如於專利文獻1中，揭示有使用含有Cu及Fe之任一種、Ni及Mn之任一種之氧化物膜作為降低觸控面板畫面之配線圖案之金屬光澤之膜。又，於專利文獻2中，揭示有與由銅箔等構成之配線層一起形成含有氧、銅、鎳及鉬之黑化層。
於專利文獻3〜5中，關於用於利用太陽熱之太陽光吸收層或液晶顯示器之黑矩陣層中所使用之光吸收層，揭示有於氧化物基質中分散有作為吸收成分之金屬之由兩層所構成之光吸收層。又，記載有層整體之厚度為180〜455 nm之範圍內，於380〜780 nm之波長區域具有未達1%之視感穿透率、未達6%之視感反射率等。
又，此外，作為要求光之穿透率或反射率、膜厚之用途，已知有相位偏移型光罩。相位偏移型光罩係以利用光之干涉提高解析度為目的使用。對於相位偏移型光罩膜，根據所使用之雷射波長，要求特定之膜厚、特定之穿透率（數%左右）、低反射率。進而，於裝飾用途中，亦需要降低光之反射之膜。
再者，於專利文獻6中，記載有一種Nb之含量為1〜35重量%且剩餘部分實質上為Mo之黑矩陣用薄膜，且該薄膜之一部分或全部以氧化物、氮化物、碳化物之任一種或兩種以上之化合物之形式存在。但是，於專利文獻6中，關於氧等之含有比率，並無具體之揭示，可獲得何種程度之反射率或穿透率完全不明確。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2016-160448號公報
專利文獻2：日本特開2017-41115號公報
專利文獻3：日特表2016-504484號公報
專利文獻4：日本特表2016-502592號公報
專利文獻5：日本特表2016-522317號公報
專利文獻6：日本特開2000-214308號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明之課題在於提供一種適於防止光之反射且兼具良好之蝕刻加工性與耐候性之具有光吸收能力的氧化物薄膜、適於成膜上述氧化物薄膜之濺鍍靶用氧化物燒結體。
[解決課題之技術手段]
本發明之實施形態之氧化物薄膜具有如下主旨：其係由Nb、Mo、O（氧）所構成者，且Nb與Mo之含有比率（原子比）為0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率（原子比）為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.0。
又，本發明之實施形態之氧化物燒結體具有如下主旨：其係由Nb、Mo、O（氧）所構成，Nb與Mo之含有比率（原子比）為0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率（原子比）為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.1，且MoO2
相之歸屬於（-111）面之XRD波峰強度IMoO2
與背景強度IBG
之關係滿足IMoO2
/IBG
＞3。
[發明之效果]
根據本發明，可獲得兼具良好之蝕刻加工性與耐候性且適於防止光之反射之具有光吸收能力之氧化物薄膜。又，可獲得適於形成上述氧化物薄膜之濺鍍靶用氧化物燒結體。
亦考慮使用金屬膜作為光吸收膜。但是，於該情形時，光之吸收性較高，可降低穿透率，但會產生金屬特有之金屬反射，難以降低反射率。又，亦考慮於金屬膜上成膜氧化膜，但製造製程增加，而使生產效率降低。另一方面，考慮使用氧化物膜作為光吸收膜。於該情形時，由於不產生金屬反射，故而表面反射得到抑制，但與金屬膜相比光吸收性較低，故而有穿透率增加，來自下部金屬電極等之反射光明顯，而使視認性變差之情況。
就該方面而言，認為於氧化物中，NbO2
或MoO2
係可見光之穿透率相對較低，又，反射率亦相對較低之材料，作為光吸收膜有用。然而，於單獨NbO2
膜之情形時，經時變化較小而耐候性優異，但另一方面，有難溶於氟化氫（HF）以外之蝕刻液，難以進行利用蝕刻之加工之問題。另一方面，於單獨MoO2
膜之情形時，即便為用於金屬配線之過氧化氫（H2
O2
）系蝕刻液，亦可實現利用蝕刻之加工，但有耐候性較差之問題。
根據上述情況，本發明之實施形態之氧化物薄膜係以特定之比率含有耐候性良好但難以進行利用蝕刻之加工之NbO2
、與可實現利用蝕刻之加工但耐候性較差之MoO2
者。即，本發明之實施形態之氧化物薄膜之特徵在於：由Nb、Mo、O（氧）所構成，Nb與Mo之含有比率（原子比）為0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率（原子比）為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.0。
滿足上述組成範圍0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8之本發明之實施形態之氧化物薄膜具有所需之光學特性、膜電阻、非晶性。另一方面，若Nb/（Nb＋Mo）未達0.1，則無法獲得所需之耐候性，若Nb/（Nb＋Mo）超過0.8，則無法獲得所需之蝕刻加工性。較佳為Nb與Mo之含有比率為0.1＜Nb/（Nb＋Mo）＜0.5。又，若O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率O/（Nb＋Mo）為1.5以下，則反射率增大，若為2.0以上，則穿透率增大，無法獲得所需之光學特性。因此，設為上述組成範圍。
又，本發明之實施形態之氧化物薄膜較佳為於玻璃基板上形成有膜厚100±10 nm之薄膜時之對可見光區域（波長：380〜780 nm）之入射光之平均反射率為30%以下。此處，所謂「平均」反射率係指於上述波長區域每5 nm測定反射率，並算出其平均值而得者。
反射率有如圖1所示之自薄膜側入射之光之反射率（膜側反射率）、與如圖2所示之自玻璃基板側入射之光之反射率（基板側反射率），但於本發明中，反射率僅表示膜側反射率。又，反射光有鏡面反射光與漫反射光，但於本發明中，表示將鏡面反射光與漫反射光合併之相對全光線反射率。
又，本發明之實施形態之氧化物薄膜亦較佳為於玻璃基板上形成有膜厚100±10 nm之薄膜時之對可見光區域（波長：380〜780 nm）之入射光之平均穿透率為20%以下。此處，所謂「平均」穿透率係指於上述波長區域每5 nm測定穿透率，並算出其平均值而得者。
若為該等級之反射率及穿透率，則可充分地吸收自顯示器或面板內部之金屬配線（銅箔等）所反射之光，可抑制視認性之降低。進而，可滿足作為相位偏移型光罩用途所要求之較低之反射率。
且說，上述穿透率與氧化物薄膜之膜厚有關，通常隨著膜厚增加，穿透率減少。如上所述，於本發明之實施形態中，對氧化物薄膜之膜厚為100 nm±10 nm以上時之穿透率進行規定，設為±10 nm係考慮到於現實中難以準確地成膜100 nm，即便膜厚變動±10 nm（即，90〜110 nm），理論上穿透率之變動幅度亦為±1.3%以內左右。本發明之實施形態之氧化物薄膜係即便考慮到該穿透率之變動幅度，平均穿透率亦滿足20%以下者。
又，本發明之實施形態之氧化物薄膜之表面電阻率較佳為1.0×105
Ω/sq以下。為了抑制由金屬配線所產生之光反射，作為光吸收膜發揮功能之氧化物薄膜鄰接於金屬配線而積層，但於氧化物薄膜之電阻率高之情形時，無法於金屬配線中流動充分之電流。因此，氧化物薄膜之表面電阻率較佳為設為上述範圍內。
又，本發明之實施形態之氧化物薄膜較佳為耐候性優異，恆溫恆濕試驗前後之可見光區域（波長：380〜780 nm）之平均穿透率及平均反射率之變化率為30%以下。又，恆溫恆濕試驗前後之表面電阻率之變化率較佳為30%以下。
此處，本發明之恆溫恆濕試驗係將成膜於基板上之氧化物薄膜樣品放置於室內A（溫度40℃-濕度90%）、室內B（溫度85℃-濕度85%），測定經過120小時後、經過500小時後及經過1000小時後之穿透率、反射率及表面電阻率，與剛成膜後之各測定值進行對比，而研究其變化率。
又，於本發明之實施形態中，氧化物薄膜之膜厚較佳為20〜2000 nm。若膜厚未達20 nm，則有光吸收能力降低之情況，另一方面，若膜厚超過2000 nm，則成膜會花費超出需要之時間，故而欠佳。但，膜厚最終由裝置設計決定，因此只要確保光吸收能力，則不限定於該膜厚。
又，本發明之實施形態之氧化物薄膜較佳為非晶質（非晶形）。非晶膜與結晶膜相比，膜應力較小，故而不易發生積層時之膜剝離或龜裂。因此，尤其適於用於可撓性裝置。
其次，對本發明之實施形態之氧化物燒結體進行詳細說明。
本發明之實施形態之氧化物燒結體之特徵在於：由Nb、Mo、O（氧）所構成，Nb與Mo之含有比率（原子比）為0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率（原子比）為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.1，且MoO2
相之歸屬於（-111）面之XRD波峰強度IMoO2
與背景強度IBG
之關係滿足IMoO2
/IBG
＞3。具備此種特性之氧化物燒結體可用作濺鍍靶。
滿足上述組成範圍0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8、及1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.1的本發明之實施形態之氧化物燒結體經濺鍍成膜所獲得之薄膜具有所需之光學特性、膜電阻、非晶性。於上述氧化物燒結體中，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.1之情形時，關於使用該氧化物燒結體（濺鍍靶）濺鍍成膜之薄膜，即便於不進行濺鍍時之氧導入之情形時，O與金屬（Nb＋Mo）之含有比率亦成為1.5＜O/（Nb＋Mo）＜2.0之範圍，可獲得所需之膜特性。
本發明之實施形態之氧化物燒結體係MoO2
相之歸屬於（-111）面之XRD波峰強度IMoO2
與背景強度IBG
之關係滿足IMoO2
/IBG
＞3者，若上述XRD波峰強度比滿足IMoO2
/IBG
＞3，則燒結體中之鉬（Mo）之大部分以MoO2
之形式存在，於使用此種氧化物燒結體之情形時，於經濺鍍成膜之薄膜中，可獲得所需之光學特性。
又，本發明之實施形態之氧化物燒結體之相對密度較佳為80%以上。若相對密度為80%以上，則可作為濺鍍靶耐受實用性之用途。更佳為85%以上。
又，本發明之實施形態之氧化物燒結體之體電阻率較佳為100 mΩ·cm以下。藉由降低體電阻率，可實現利用DC濺鍍之成膜。DC濺鍍與RF濺鍍相比，成膜速度較快，濺鍍效率優異，可提高產能。再者，視製造條件亦有進行RF濺鍍之情形，於該情形時，成膜速度亦提高。
本發明之實施形態之氧化物燒結體例如可以如下方式製作。
將NbO2
粉末、MoO2
粉末之原料粉末以成為所需之組成之方式進行稱量、混合。原料粉末較佳為使用純度為99.9%以上、粒徑（D50）為0.5〜10 μm者。作為混合方法，較佳為使用球磨機等進行粉碎並混合。作為原料粉，亦考慮使用Nb2
O5
粉末與Mo粉末，但由於Nb2
O5
與Mo之燒結溫度大不相同，故而難以高密度化。
其次，將混合粉末於Ar環境中，於1100℃以上且1200℃以下、加壓壓力250 MPa以上之條件進行5〜10小時熱壓（單軸加壓燒結）。藉此，可獲得相對密度80%以上之由Nb、Mo、O所構成之氧化物燒結體。又，可將所獲得之氧化物燒結體進行切削、研磨等，而加工成濺鍍靶。
本發明之實施形態之氧化物薄膜例如可以如下方式製作。
將NbO2
濺鍍靶、MoO2
濺鍍靶設置於濺鍍裝置，同時進行濺鍍，而於基板上成膜NbO2
與MoO2
之混合膜。此時，可藉由使濺鍍時各自之濺鍍功率發生變化，而改變膜組成。
或者，將藉由上述方法所製作之濺鍍靶設置於濺鍍裝置，實施濺鍍，而於基板上成膜NbO2
與MoO2
之混合膜。此時，濺鍍靶之組成不會與膜之組成完全相同，但成為接近其之組成。由於靶之組成與膜之組成具有相關性，故而可進行條件確定而把握可獲得所需之膜組成的靶之組成。又，亦可藉由調整於濺鍍時導入之氧流量，而調整膜中之氧量。
＜成膜條件＞
濺鍍裝置：ANELVA SPL-500
基板溫度：室溫（基板未加熱）
成膜環境：Ar或Ar＋O2
氣壓：0.2〜2.0 Pa
氣體流量：50〜100 sccm
功率：100〜1000 W（DC、RF）
基板：Corning製造之EagleXG（ϕ4 mm×0.7 mm）
本發明之實施形態之氧化物薄膜及氧化物燒結體之評價方法等包含實施例及比較例，如下所述。
（關於穿透率、反射率）
裝置：SHIMADZU公司製造 分光光度計 UV-2450
測定樣品：
於厚度0.7 mm之玻璃基板上以膜厚100±10 nm成膜之樣品、及未成膜玻璃基板
測定方法：
（反射率）使用積分球（基準樣品；鏡面鏡）之相對全光線反射率。
自薄膜側入射之光之反射率（膜側反射率）不僅包含自薄膜面之反射率，且包含自位於與薄膜之界面之玻璃基板（表面）之反射率、自玻璃基板之背面之反射率。
自玻璃基板側入射之光之反射率（基板側反射率）包含自玻璃基板面之反射率與自位於與玻璃基板之界面之薄膜之反射率。
（穿透率）使用玻璃基板作為基準樣品之相對穿透率。
（關於膜之成分組成）
裝置：JEOL製造之JXA-8500F
方法：EPMA（電子探針微量分析器）
加速電壓：5〜10 keV
照射電流：1.0×10-8
〜1.0〜10-9
A
以探針直徑10 μm，選擇5點之無污物附著、看不到基板面之平滑之成膜部分進行點分析，算出其等之平均組成。
（關於膜之表面電阻）
裝置：NPS公司製造之電阻率測定器 Σ-5+
方法：直流四探針法
（關於膜之非晶性）
藉由成膜樣品之由X射線繞射所產生之繞射波峰之有無進行判斷。於在下述條件之測定中未觀察到因膜材料產生之繞射波峰之情形時，判斷為非晶膜。此處，所謂不存在繞射波峰，意指於將2θ＝10°〜60°之最大波峰強度設為Imax
，將2θ＝20°〜25°之平均波峰強度設為IBG
時，Imax
/IBG
＜5之情形。又，於表中，作為非晶性之判定基準，將滿足Imax
/IBG
＜5之情形設為○，將不滿足之情形設為×。
裝置：Rigaku公司製造之Smart Lab
管球：Cu-Kα射線
管電壓：40 kV
電流：30 mA
測定方法：2θ-θ反射法
掃描速度：20°/min
採樣間距：0.02°
測定範圍：10°〜60°
測定樣品：玻璃基板（EagleXG）上之成膜樣品（膜厚100 nm以上）
（關於膜厚測定）
觸針式階規 Veeco製造之Dektak8
方法：由成膜後之玻璃基板之成膜面與未成膜面之階差測定膜厚。
（關於膜之蝕刻加工性）
蝕刻液係使用過氧化氫（H2
O2
）系之化學液。蝕刻判定係將蝕刻速率較快之情形設為○，將較慢之情形設為△，將幾乎不溶解之情形設為×。
（關於燒結體之成分組成）
裝置：SII公司製造之SPS3500DD
方法：ICP-OES（高頻感應耦合電漿發光分析法）
（關於燒結體之相對密度）
測定燒結體之尺寸（使用卡尺）與重量並算出尺寸密度，由其尺寸密度與燒結體之理論密度，算出相對密度（%）＝尺寸密度/理論密度×100。
理論密度係由各氧化物之調配比與各者之理論密度進行計算。
於將NbO2
重量設為a（wt%），將MoO2
重量設為b（wt%）時，
理論密度＝100/（a/5.90＋b/6.44）
NbO2
之理論密度：5.90 g/cm3
、MoO2
之理論密度：6.44 g/cm3
（關於燒結體之XRD分析）
裝置：Rigaku公司製造之Smart Lab
管球：Cu-Kα射線
管電壓：40 kV
電流：30 mA
測定方法：2θ-θ反射法
掃描速度：20°/min
採樣間距：0.02°
測定範圍：10°〜60°
樣品測定部位：濺鍍面
再者，以下對MoO2
相之歸屬於（-111）面之XRD峰IMoO2
進行定義。
IMoO2
＝IMoO2’
/IMoO2 - BG
IMoO2’
：25.5°≦2θ≦26.5°之範圍內之XRD波峰強度
IMoO2 -BG
：19.5°≦2θ＜20.5°之範圍內之XRD平均強度。
（關於燒結體之體電阻率）
裝置：NPS公司製造之電阻率測定器 Σ-5+
方法：直流四探針法
實施例
以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施例僅為一例，不受該例任何限制。即，本發明僅受申請專利範圍限制，且包含本發明所含之實施例以外之各種變形。
（實施例1-1〜1-6、比較例1-1〜1-2）
將NbO2
靶（ϕ6 inch）與MoO2
靶（ϕ6 inch）設置於濺鍍裝置（ANELVA SPL-500），藉由同時濺鍍，而於玻璃基板（EagleXG，ϕ4 inch）上形成NbO2
與MoO2
之混合膜。成膜條件如上所述，如表1所示，使濺鍍時之各者之靶之功率變化，而製作表1所記載之組成之膜。再者，比較例1-1係僅濺鍍MoO2
靶而成膜MoO2
膜者，比較例1-2係僅濺鍍NbO2
靶而成膜NbO2
膜者。其後，針對使組成分別變化所獲得之各氧化物薄膜，測定剛成膜後（室溫）之穿透率、正面反射率/背面反射率、及表面電阻率，進而對蝕刻性進行研究。將其結果示於表1。
[表1] 
如表1所示，Nb與Mo之含有比率（原子比）滿足0.1≦Nb/（Nb＋Mo）≦0.8的氧化物薄膜（實施例1-1〜1-6）之平均穿透率及平均反射率均低，顯示出優異之光吸收能力，又，膜電阻較低，蝕刻加工性亦優異，具有非晶性。實施例1-1〜1-5具有尤其快之蝕刻速率。
其次，為了調查耐候性，於各條件將成膜於基板上之各氧化物薄膜放置於室內A（溫度40℃-濕度90%）、室內B（溫度85℃-濕度85%），對經過12小時、500小時及1000小時後之穿透率、正面反射率/背面反射率、表面電阻之變化進行研究。將其結果示於表2。
[表2] 
如表2所示，該氧化物薄膜（實施例1-2〜1-5）之穿透率、反射率及表面電阻之經時變化（變化率）均為30%以下，係耐候性優異之膜。
另一方面，僅含有Mo之氧化物薄膜（比較例1-1）係耐候性較差者，隨著時間經過，穿透率等明顯上升。又，僅含有Nb之氧化物薄膜（比較例1-3）幾乎不溶於蝕刻液。
（實施例2-1〜2-4、比較例2-1）
作為原料粉末，準備純度99.9%以上、粒徑0.5〜10 μm之NbO2
粉與MoO2
粉，以成為表3所記載之特定之比率之方式稱量該等粉末，實施利用球磨機進行之混合、粉碎。其次，將所獲得之混合粉末於氬氣環境中，於燒結溫度1200℃、面壓250 kgf/cm2
之條件進行熱壓燒結，而製作氧化物燒結體。再者，僅調整稱量比，除此以外，均於相同之條件實施混合、粉碎、燒結。將所獲得之氧化物燒結體之評價結果示於表3。如表3所示，所有實施例之MoO2
相之歸屬於（-111）面之XRD波峰強度IMoO2
與背景強度IBG
之關係均滿足IMoO2
/IBG
＞3，又，相對密度為80%以上，體電阻率為100 mΩ·cm以下。另一方面，關於比較例2-1，MoO2
相之XRD波峰強度比為1.7，MoO2
消失。
其次，將實施例、比較例中所獲得之氧化物燒結體加工成濺鍍靶，使用該靶進行濺鍍成膜。將所獲得之濺鍍膜之光學特性示於表3。使用實施例中所獲得之氧化物燒結體進行濺鍍成膜所獲得之膜之平均穿透率及平均反射率均較低，顯示出優異之光吸收能力。
[表3] 
[產業上之可利用性]
本發明之實施形態之氧化物薄膜具有如下優異之特性：穿透率及反射率較低，具有優異之光吸收能力，進而可實現利用蝕刻之加工，耐候性較高，不易發生經時變化。又，本發明之實施形態之氧化物燒結體由於密度較高，故而可用作濺鍍靶。本發明之實施形態之氧化物薄膜作為用於液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、或觸控面板、太陽電池等之防止由金屬配線所產生之光之反射的光吸收膜非常有用，又，作為光罩材料、裝飾用途非常有用。
無
圖1係自薄膜側入射之光之反射率（膜側反射率）之說明圖。
圖2係自玻璃基板側入射之光之反射率（基板側反射率）之說明圖。
Claims (13)
- 一種氧化物薄膜，其係由Nb、Mo、O所構成者，其特徵在於：Nb與Mo之含有比率(原子比)為0.1≦Nb/(Nb+Mo)≦0.8，且O與金屬(Nb+Mo)之含有比率(原子比)為1.5<O/(Nb+Mo)<2.0。
- 如請求項1所述之氧化物薄膜，其於可見光區域(波長：380~780nm)之平均反射率為30%以下。
- 如請求項1所述之氧化物薄膜，其於可見光區域(波長：380~780nm)之平均穿透率為20%以下。
- 如請求項2所述之氧化物薄膜，其於可見光區域(波長：380~780nm)之平均穿透率為20%以下。
- 如請求項1至4中任一項所述之氧化物薄膜，其表面電阻率為1.0×105Ω/sq以下。
- 如請求項1至4中任一項所述之氧化物薄膜，其中，恆溫恆濕試驗前後之可見光區域(波長：380~780nm)之平均反射率之變化率為30%以下。
- 如請求項1至4中任一項所述之氧化物薄膜，其中，恆溫恆濕試驗前後之可見光區域(波長：380~780nm)之平均穿透率之變化率為30%以下。
- 如請求項1至4中任一項所述之氧化物薄膜，其中，恆溫恆濕試驗前後之表面電阻率之變化率為30%以下。
- 如請求項1至4中任一項所述之氧化物薄膜，其膜厚為20~2000nm。
- 如請求項1至4中任一項所述之氧化物薄膜，其為非晶形。
- 一種氧化物燒結體，其係由Nb、Mo、O所構成者，其特徵在 於：Nb與Mo之含有比率(原子比)為0.1≦Nb/(Nb+Mo)≦0.8，O與金屬(Nb+Mo)之含有比率(原子比)為1.5<O/(Nb+Mo)<2.1，且MoO2相之歸屬於(-111)面之XRD波峰強度IMoO2與背景強度IBG之關係滿足IMoO2/IBG>3。
- 如請求項11所述之氧化物燒結體，其相對密度為80%以上。
- 如請求項11或12所述之氧化物燒結體，其體電阻率為100mΩ．cm以下。
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