TWI793029B - 相移光罩 - Google Patents
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Abstract
一種相移光罩，包括基底、相移層與多個不透光輔助圖案。相移層設置在基底上，且具有至少一個矩形開口。矩形開口具有多個轉角。多個不透光輔助圖案設置在相移層上且位在矩形開口的多個轉角處。
Description
本發明實施例是有關於一種光罩，且特別是有關於一種相移光罩(phase shift mask，PSM)。
在半導體製程中，微影技術扮演著舉足輕重的角色。然而，在微影製程中，曝光的解析度(resolution)是微影品質的重要指標。使用相移光罩(phase shift mask，PSM)的微影技術即是為了獲得較佳的解析度而發展出的一種技術。然而，由使用相移光罩的微影製程所形成的光阻圖案常會產生轉角圓化(corner rounding)的缺陷。因此，如何發展出可以改善轉角圓化的相移光罩為目前持續努力的目標。
本發明提供一種相移光罩，其可有效地改善由微影製程所形成的光阻圖案的轉角圓化的情況。
本發明提出一種相移光罩，包括基底、相移層與多個不透光輔助圖案。相移層設置在基底上，且具有至少一個矩形開口。
矩形開口具有多個轉角。多個不透光輔助圖案設置在相移層上且位在矩形開口的多個轉角處。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，可在每個轉角處設置不透光輔助圖案。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，多個不透光輔助圖案可彼此分離。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，不透光輔助圖案的材料例如是鉻(Cr)或氧化鉻(CrOx)。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，相移層可具有多個矩形開口。同一個不透光輔助圖案可位在相鄰兩個矩形開口之間的相鄰兩個轉角處。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，相移層可具有多個矩形開口。彼此分離的兩個不透光輔助圖案可位在相鄰兩個矩形開口之間的相鄰兩個轉角處。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，相移層的透光率可為3%至12%。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，相移層的材料例如是矽化鉬(MoSi)或氮氧化矽鉬(MoSiON)。
依照本發明的一實施例所述，在上述相移光罩中，更可包括不透光邊界圖案。不透光邊界圖案設置在相移層上且圍繞多個矩形開口與多個不透光輔助圖案。
基於上述，在本發明所提出的相移光罩中，多個不透光
輔助圖案設置在相移層上且位在矩形開口的多個轉角處。如此一來，在使用本發明所提出的相移光罩進行微影製程時，可提高光阻層所接收到的光能量強度，因此可有效地改善由微影製程所形成的光阻圖案的轉角圓化的情況。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10,20,30:相移光罩
100:基底
102:相移層
104,104A,104B,104C:不透光輔助圖案
106:不透光邊界圖案
C:轉角
OP:矩形開口
圖1為根據本發明的一些實施例的相移光罩的上視圖。
圖2A為沿著圖1中的I-I’剖面線的剖面圖。
圖2B為沿著圖1中的II-II’剖面線的剖面圖。
圖2C為沿著圖1中的III-III’剖面線的剖面圖。
圖3為根據本發明的另一些實施例的相移光罩的上視圖。
圖4為根據本發明的另一些實施例的相移光罩的上視圖。
下文列舉實施例並配合附圖來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。為了方便理解，在下述說明中相同的構件將以相同的符號標示來說明。此外，附圖僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1為根據本發明的一些實施例的相移光罩的上視圖。圖2A為沿著圖1中的I-I’剖面線的剖面圖。圖2B為沿著圖1中的II-II’剖面線的剖面圖。圖2C為沿著圖1中的III-III’剖面線的剖面圖。圖3為根據本發明的另一些實施例的相移光罩的上視圖。圖4為根據本發明的另一些實施例的相移光罩的上視圖。
請參照圖1與圖2A至圖2C，相移光罩10包括基底100、相移層102與多個不透光輔助圖案104。在一些實施例中，基底100可為透明基底。在一些實施例中，基底的材料例如是石英。
相移層102設置在基底100上，且具有至少一個矩形開口OP。矩形開口OP具有多個轉角C。在本實施例中，相移層102可具有多個矩形開口OP。然而，只要相移層102具有至少一個矩形開口OP即屬於本發明所涵蓋的範圍。在一些實施例中，矩形開口OP可為長方形開口或正方形開口。在本實施例中，矩形開口OP是以長方形開口為例，但本發明並不以此為限。在一些實施例中，相移層102的透光率可為3%至12%。在一些實施例中，相移層102的材料例如是矽化鉬或氮氧化矽鉬。在一些實施例中，通過相移層102的光與通過基底100的光的相位差(△θ)可為180度。
在一些實施例中，矩形開口OP的排列方式可為矩陣排列，但並不限於圖1的開口排列方式。在另一些實施例中，矩形開口OP的排列方式可為圖3的開口排列方式或圖4的開口排列方式。此外，如圖1、圖3與圖4所示，可依據在一些實施例中，多個矩形開口OP的尺寸可彼此相同或彼此不同。
請參照圖1與圖2A至圖2C，多個不透光輔助圖案104設置在相移層102上且位在矩形開口OP的多個轉角C處。在一些實施例中，可在每個轉角C處設置不透光輔助圖案104。在一些實施例中，多個不透光輔助圖案104可彼此分離。在一些實施例中，不透光輔助圖案104的透光率可為0%。在一些實施例中，不透光輔助圖案104的材料例如是鉻或氧化鉻。
在一些實施例中，同一個不透光輔助圖案104(如，圖1、圖3與圖4中的不透光輔助圖案104A)可位在相鄰兩個矩形開口OP之間的相鄰兩個轉角C處。亦即，相鄰兩個矩形開口OP之間的相鄰兩個轉角C可共用同一個不透光輔助圖案104(如，圖1、圖3與圖4中的不透光輔助圖案104A)。在一些實施例中，彼此分離的兩個不透光輔助圖案104(如，圖4中的不透光輔助圖案104B與不透光輔助圖案104C)可位在相鄰兩個矩形開口OP之間的相鄰兩個轉角C處。在一些實施例中，同一個不透光輔助圖案104(如，圖4中的不透光輔助圖案104A)可位在相鄰兩個矩形開口OP之間的相鄰兩個轉角C處，且彼此分離的兩個不透光輔助圖案104(如，圖4中的不透光輔助圖案104B與不透光輔助圖案104C)可位在相鄰兩個矩形開口OP之間的相鄰兩個轉角C處。
相移光罩10中更可包括不透光邊界圖案106。不透光邊界圖案106設置在相移層102上且圍繞多個矩形開口OP與多個不透光輔助圖案104。在一些實施例中，不透光邊界圖案106的透光率可為0%。不透光邊界圖案106的材料例如是鉻或氧化鉻。在一
些實施例中，不透光輔助圖案104與不透光邊界圖案106可源自於同一個材料層。亦即，不透光輔助圖案104與不透光邊界圖案106可藉由相同製程同時形成。
基於上述實施例可知，在相移光罩10中，多個不透光輔助圖案104設置在相移層102上且位在矩形開口OP的多個轉角C處。如此一來，在使用相移光罩10進行微影製程時，可提高光阻層所接收到的光能量強度，因此可有效地改善由微影製程所形成的光阻圖案的轉角圓化的情況。
此外，圖1的相移光罩10、圖3的相移光罩20與圖4的相移光罩30中相同的構件使用相同的符號表示，且圖1的相移光罩10、圖3的相移光罩20與圖4的相移光罩30中相同或相似的內容，可參考上述實施例對相移光罩10的說明，於此不再說明。
綜上所述，在上述實施例的相移光罩中，由於多個不透光輔助圖案設置在相移層上且位在矩形開口的多個轉角處，因此可有效地改善由微影製程所形成的光阻圖案的轉角圓化的情況。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:相移光罩
100:基底
102:相移層
104,104A:不透光輔助圖案
106:不透光邊界圖案
C:轉角
OP:矩形開口
Claims (8)
- 一種相移光罩，包括：基底；相移層，設置在所述基底上，且具有至少一個矩形開口，其中所述矩形開口具有多個轉角；以及多個不透光輔助圖案，設置在所述相移層上且位在所述矩形開口的多個所述轉角處，其中所述相移層具有多個所述矩形開口，且同一個所述不透光輔助圖案位在相鄰兩個所述矩形開口之間的相鄰兩個所述轉角處。
- 如請求項1所述的相移光罩，其中在每個所述轉角處設置所述不透光輔助圖案。
- 如請求項1所述的相移光罩，其中多個所述不透光輔助圖案彼此分離。
- 如請求項1所述的相移光罩，其中所述不透光輔助圖案的材料包括鉻或氧化鉻。
- 如請求項1所述的相移光罩，其中所述相移層具有多個所述矩形開口，且彼此分離的兩個所述不透光輔助圖案位在相鄰兩個所述矩形開口之間的相鄰兩個所述轉角處。
- 如請求項1所述的相移光罩，其中所述相移層的透光率為3%至12%。
- 如請求項1所述的相移光罩，其中所述相移層的材料包括矽化鉬或氮氧化矽鉬。
- 如請求項1所述的相移光罩，更包括：不透光邊界圖案，設置在所述相移層上且圍繞多個所述矩形開口與多個所述不透光輔助圖案。
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| TW200731021A (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Promos Technologies Inc | Phase-shift mask and lithography method thereby |
| CN208588895U (zh) * | 2018-09-07 | 2019-03-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 相位移光罩 |
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2022
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|---|---|---|---|---|
| US7178128B2 (en) * | 2001-07-13 | 2007-02-13 | Synopsys Inc. | Alternating phase shift mask design conflict resolution |
| TW200731021A (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Promos Technologies Inc | Phase-shift mask and lithography method thereby |
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