TW201944168A

TW201944168A - 光罩以及形成圖案的方法

Info

Publication number: TW201944168A
Application number: TW107112549A
Authority: TW
Inventors: 孫家禎; 童宇誠; 薛勝元
Original assignee: 聯華電子股份有限公司
Priority date: 2018-04-12
Filing date: 2018-04-12
Publication date: 2019-11-16
Also published as: TWI753152B; US20190317393A1; US10983428B2

Abstract

一種光罩，包括一基底、一主圖案、一第一輔助圖案以及一第二輔助圖案。主圖案設置於基底上，且主圖案包括一第一圖案以及複數個第二圖案。多個第二圖案中的兩個在一第一方向上設置於第一圖案的相對兩側。第一輔助圖案設置於基底上且設置於主圖案中。第二輔助圖案設置於基底上且設置於主圖案之外。設置於主圖案中的第一輔助圖案可用以改善以光罩進行微影製程時的圖案轉移效果。

Description

光罩以及形成圖案的方法

本發明係關於一種光罩以及形成圖案的方法，尤指一種具有輔助圖案的光罩以及使用此光罩形成圖案的方法。

由於電子產品及其周邊產品係朝輕薄短小方向發展，在半導體製程中，元件縮小化與積集化是必然之趨勢，也是各界積極發展的重要課題，其中微影技術(lithography)更是決定元件性能的關鍵技術。

現行的半導體製程主要是先將積體電路(integrated circuits)的設計圖案形成於光罩上，再將光罩上的圖案藉由曝光與顯影等步驟，以一定比例轉移到半導體基底上的光阻層中，並進一步配合相關的蝕刻製程，將元件逐步形成於半導體基底上。隨著積體電路之積集度的提升，元件尺寸縮小，元件與元件間的距離也隨之縮小。然而，由於光學鄰近效應(optical proximity effect, OPE)等因素的影響，上述元件的距離在曝光製程中已面臨到其極限。舉例來說，當光罩上的圖案排列密度較高時，被許多圖案圍繞的中央圖案容易受到曝光製程時光線繞射、干涉等現象影響而無法有效地轉移到光阻層上，進而造成製程良率上的損失。

本發明提供了一種光罩以及形成圖案的方法，利用於主圖案中設置第一輔助圖案，藉此改善進行曝光製程時的圖案轉移效果。

根據本發明之一實施例，本發明提供了一種光罩，包括一基底、一主圖案、一第一輔助圖案以及一第二輔助圖案。主圖案設置於基底上，且主圖案包括一第一圖案以及複數個第二圖案。多個第二圖案中的兩個在一第一方向上設置於第一圖案的相對兩側。第一輔助圖案設置於基底上且設置於主圖案中。第二輔助圖案設置於基底上且設置於主圖案之外。

根據本發明之一實施例，本發明還提供了一種形成圖案的方法，包括下列步驟。首先，提供一佈局圖案至一電腦系統。布局圖案包括一第一圖案以及複數個第二圖案。多個第二圖案中的兩個在一第一方向上設置於第一圖案的相對兩側。於布局圖案中形成一第一輔助圖案。於布局圖案之外形成一第二輔助圖案。由電腦系統輸出佈局圖案、第一輔助圖案以及第二輔助圖案至一光罩。第一輔助圖案位於布局圖案之內，而第二輔助圖案位於布局圖案之外。

根據本發明之另一實施例，本發明提供了一種光罩，包括一基底、一主圖案以及一輔助圖案。主圖案設置於基底上，且主圖案包括一第一圖案以及複數個第二圖案。第一圖案以及第二圖案排列成一陣列，且第二圖案圍繞第一圖案。輔助圖案設置於基底上，且輔助圖案包括複數個子圖案設置於第一圖案中或設置於第二圖案中。

請參閱第1圖至第4圖。第1圖所繪示為本發明第一實施例之形成圖案的方法的流程示意圖，第2圖所繪示為本實施例之布局圖案的示意圖，第3圖所繪示為本實施例之光罩的示意圖，而第4圖所繪示為本實施例之形成圖案的方法的微影製程的示意圖。如第1圖至第3圖所示，本實施例提供一種形成圖案的方法，包括下列步驟。首先，進行步驟S11，提供一佈局圖案100至一電腦系統。布局圖案100可包括一第一圖案P1以及複數個第二圖案P2。各第二圖案P2以及第一圖案P1彼此互相分離。多個第二圖案P2中的兩個在一第一方向D1上設置於第一圖案P1的相對兩側。此外，在一些實施例中，多個第二圖案P2中的兩個可在不同於第一方向D1的一第二方向D2上設置於第一圖案P1的相對兩側，而第二方向D2可大體上與第一方向D1互相垂直，但並不以此為限。此外，在一些實施例中，第二圖案P2可圍繞第一圖案P1，例如第一圖案P1以及8個第二圖案P2排列成一3乘3的陣列，但並不以此為限。布局圖案100中的第一圖案P1以及第二圖案P2可對應欲形成之積體電路中的特徵圖案，例如元件圖案、佈線圖案或接觸開孔等島狀或凹陷的結構，但並不以此為限。

接著，進行步驟S12，對布局圖案100進行一光學鄰近修正(optical proximity correction，OPC)。於光學鄰近修正，進行步驟S13，確認光學鄰近修正後的布局圖案100中是否有弱型圖案(weak pattern)。經判斷若有弱型圖案，則進行步驟S14，於布局圖案100中形成一第一輔助圖案A1。相對地，若無弱型圖案，則可進行步驟S15，由電腦系統輸出佈局圖案100至一光罩。此外，在一些實施例中，於步驟S14中形成第一輔助圖案A1之後，可再進行步驟S13來再次確認是否仍有弱型圖案，而若無弱型圖案則可進行步驟S15，由電腦系統輸出佈局圖案100以及第一輔助圖案A1至一光罩(例如第3圖所示的光罩101)。此外，在一些實施例中，於步驟S14中形成第一輔助圖案A1之後，亦可接著進行步驟S15，由電腦系統輸出佈局圖案與第一輔助圖案A1至光罩101。

舉例來說，第3圖中所示的第一圖案P1與第二圖案P2可為第2圖中所示的布局圖案100經過光學鄰近修正後的結果，故第一輔助圖案A1係形成於布局圖案100中。此外，本實施例的形成圖案的方法可更包括於布局圖案100之外形成一第二輔助圖案A2，而第二輔助圖案A2可圍繞布局圖案100的第一圖案P1與第二圖案P2以及形成於布局圖案100中的第一輔助圖案A1，但並不以此為限。因此，於上述的步驟S15中，亦可由電腦系統輸出佈局圖案、第一輔助圖案A1以及第二輔助圖案A2至光罩101，其中第一輔助圖案A1位於布局圖案100之內，而第二輔助圖案A2位於布局圖案100之外。值得說明的是，在一些實施例中，亦可視需要未進行上述步驟S12的光學鄰近修正而直接於布局圖案100中形成第一輔助圖案A1並於布局圖案100之外形成第二輔助圖案A2。此外，在一些實施例中，對布局圖案100進行的光學鄰近修正可於形成第一輔助圖案A1的步驟之前進行，而第二輔助圖案A2可由光學鄰近修正所產生，故第二輔助圖案A2可於形成第一輔助圖案A1的步驟之前形成，但並不以此為限。在一些實施例中，亦可視需要於形成第一輔助圖案A1的步驟之後再進行光學鄰近修正。如第3圖所示，被第二圖案P2圍繞的第一圖案P1由於與較多的第二圖案P2相鄰，故可能造成對應第一圖案P1的區域在進行曝光製程時所接受光線能量受到第二圖案P2影響而無法有效地轉移將第一圖案P1轉移圖案到目標層。在此狀況下，第一圖案P1可被判別為一弱型圖案，而第一輔助圖案A1可形成於第一圖案P1或第二圖案P2中，藉此調整第一圖案P1與第二圖案P2進行曝光製程時的光線能量分布而獲得所需的曝光效果。此外，第二輔助圖案A2可圍繞第一圖案P1與第二圖案P2，用以調整第二圖案P2外側進行曝光製程時的光線能量分布狀況。因此，第一輔助圖案A1的大小(dimension)可不同於第二輔助圖案A2的大小，但並不以此為限。在一些實施例中，第一輔助圖案A1大小亦可視需要與第二輔助圖案A2的大小相近。

在本實施例中，光罩101可包括一第一基底10、一主圖案MP、第一輔助圖案A1以及第二輔助圖案A2。第一基底10可包括透明基底，例如石英基底、玻璃基底、塑膠基底、陶瓷基底或其他適合材料所形成之基底。主圖案MP設置於第一基底10上，且主圖案MP包括第一圖案P1以及複數個第二圖案P2。多個第二圖案P2中的兩個在第一方向D1上設置於第一圖案P1的相對兩側。此外，在一些實施例中，多個第二圖案P2中的兩個可在不同於第一方向D1的第二方向D2上設置於第一圖案P1的相對兩側，而第二圖案P2可圍繞第一圖案P1，例如第一圖案P1以及8個第二圖案P2排列成一3乘3的陣列，但並不以此為限。第一輔助圖案A1設置於基底10上且設置於主圖案MP中，而第二輔助圖案A2設置於基底10上且設置於主圖案MP之外。進一步說明，在一些實施例中，第一輔助圖案A1可設置於第一圖案P1中或設置於位於第一圖案P1於第一方向D1上相對兩側的第二圖案P2中。在一些實施例中，第一輔助圖案A1可設置於第一圖案P1中或設置於位於第一圖案P1於第二方向D2上相對兩側的第二圖案P2中。在一些實施例中，第一輔助圖案A1可設置於第一圖案P1中或設置於圍繞第一圖案P1的第二圖案P2中。換句話說，第一輔助圖案A1可設置於第一圖案P1中或至少部分與第一圖案P1相鄰的第二圖案P2中。

此外，第一輔助圖案A1可包括複數個第一子圖案SP1互相分離，而第二輔助圖案A2可包括複數個第二子圖案SP2互相分離且圍繞主圖案MP，但並不以此為限。各第一子圖案SP1可設置於第一圖案P1中靠近相鄰的第二圖案P2的一側或設置於第二圖案P2中靠近第一圖案P1的一側，例如各第一子圖案SP1可設置於第一圖案P1的角落區域或第二圖案P2的角落區域，但並不以此為限。舉例來說，當第一圖案P1為一矩形時，第一輔助圖案A1可包括四個第一子圖案SP1分別設置於第一圖案P1的四個角落區域。在一些實施例中，各第一子圖案SP1的大小可不同於第二子圖案SP2的大小，但並不以此為限。值得說明的是，第一圖案P1、第二圖案P2、第一子圖案SP1以及第二子圖案SP2的形狀並不以第3圖所示的狀況為限，而可視設計需要調整上述圖案的形狀。此外，在一些實施例中，第一圖案P1、第二圖案P2以及第二輔助圖案A2可為遮光圖案，而第一輔助圖案A1可為透光圖案。在另一些實施例中，第一圖案P1、第二圖案P2以及第二輔助圖案A2可為透光圖案，而第一輔助圖案A1可為遮光圖案。換句話說，第一圖案P1、第二圖案P2以及第二輔助圖案A2的透光或遮光狀況可大體上相同，而第一輔助圖案A1的透光或遮光狀況可不同於第一圖案P1、第二圖案P2以及第二輔助圖案A2。上述的遮光圖案可包括光吸收材料、光阻擋材料或其他可改變光罩101所需配合進行之曝光製程之曝光光源的光穿透率或/及光路徑的材料，例如不透光的材料例如鉻(chromium)或樹脂(resin)等或半透光之材料例如矽化鉬(molybdenum silicide)，但並不以此為限。此外，在一些實施例中，上述的透光圖案亦可具有全透光或部分透光的光學性質。

如第3圖與第4圖所示，本實施例的形成圖案的方法可更包括以光罩101通過一微影製程90將佈局圖案自光罩101轉移至一材料層20。在一些實施例中，材料層20可包括一光阻層或其他可光圖案化(photo-patternable)的材料，而材料層20可設置於一第二基底11上，但並不以此為限。第二基底11可包括半導體基底或其他適合種類的基底。在一些實施例中，當第一圖案P1、第二圖案P2以及第二輔助圖案A2為遮光圖案且第一輔助圖案A1為透光圖案時，可搭配正型光阻的材料層20進行微影製程90而於第二基底11上形成對應第一圖案P1的第一圖案化結構21以及對應第二圖案P2的第二圖案化結構22，但本發明並不以此為限。在一些實施例中，亦可依據所需形成結構為島狀或凹陷以及第一圖案P1與第二圖案P2的透光或遮光狀況來選擇正型光阻的材料層20或負型光阻的材料層20。值得說明的是，第一輔助圖案A1以及第二輔助圖案A2經過微影製程90後並未被轉移至材料層20，而第一輔助圖案A1與第二輔助圖案A2僅是用以調整曝光製程時的光線能量分布而使得所獲得的第一圖案化結構21與第二圖案化結構22可更接近原本布局圖案中的設計。也就是說，第一圖案P1與第二圖案P2可為可轉印性(printable)圖案，而第一輔助圖案A1與第二輔助圖案A2可為非可轉印性(non-printable)圖案。

下文將針對本發明的不同實施例進行說明，且為簡化說明，以下說明主要針對各實施例不同之處進行詳述，而不再對相同之處作重覆贅述。此外，本發明之各實施例中相同之元件係以相同之標號進行標示，以利於各實施例間互相對照。

請參閱第5圖。第5圖所繪示為本發明第二實施例之光罩102的示意圖。如第5圖所示，與上述第一實施例不同的地方在於，本實施例的第一輔助圖案A1可設置於第二圖案P2中而未設置於第一圖案P1中。換句話說，在本實施例的形成圖案的方法中，第一輔助圖案A1可形成於位於第一圖案P1於第一方向D1上相對兩側的第二圖案P2中或/及形成於位於第一圖案P1於第二方向D2上相對兩側的第二圖案P2中。此外，第一輔助圖案A1亦可形成於圍繞第一圖案P1的八個第二圖案P2中。在一些實施例中，第一輔助圖案A1可包括複數個第一子圖案SP1分別設置於各第二圖案P2的角落區域，但並不以此為限。

請參閱第6圖。第6圖所繪示為本發明第三實施例之光罩103的示意圖。如第6圖所示，光罩103包括基底10、主圖案MP以及一輔助圖案(也就是第一輔助圖案A1)。主圖案MP設置於基底10上，且主圖案MP包括一第一圖案P1以及複數個第二圖案P2。第一圖案P1以及第二圖案P2排列成一陣列，且第二圖案P2圍繞第一圖案P1。在本實施例中，主圖案MP可包括一個第一圖案P1以及8個第二圖案P2排列成一3乘3的陣列，但並不以此為限。在一些實施例中，第一圖案P1與第二圖案P2亦可排列成其他型態的陣列。第一輔助圖案A1設置於基底10上，且第一輔助圖案A1包括複數個第一子圖案SP1設置於第一圖案P1中，但並不以此為限。在一些實施例中，第一輔助圖案A1的複數個第一子圖案SP1亦可設置於第二圖案P2中而未設置於第一圖案P1中。此外，與上述第一實施例不同的地方在於，本實施例之光罩103可未包括上述第一實施例中所述的第二輔助圖案，而可僅利用第一輔助圖案A1來調整光罩103進行曝光製程時的光線能量分布狀況。

請參閱第7圖與第8圖。第7圖所繪示為本發明第四實施例之光罩104的示意圖，而第8圖所繪示為本發明第五實施例之光罩105的示意圖。如第7圖與第8圖所示，於上述第三實施例不同的地方在於，光罩104中的第一輔助圖案A1可包括一十字形圖案，而光罩105中的第一輔助圖案A1可包括一條狀圖案。此外，光罩104與光罩105中亦可視需要設置如上述第一實施例中圍繞主圖案MP的第二輔助圖案。

請參閱第9圖。第9圖所繪示為本發明第六實施例之光罩106的示意圖。如第9圖所示，與上述第三實施例不同的地方在於，本實施例的第一輔助圖案A1可設置於第二圖案P2中而未設置於第一圖案P1中。第一輔助圖案A1可設置於圍繞第一圖案P1的第二圖案P2中，且第一輔助圖案A1可包括複數個第一子圖案SP1分別設置於各第二圖案P2的角落區域，但並不以此為限。

請參閱第10圖。第10圖所繪示為本發明第七實施例之光罩107的示意圖。如第10圖所示，與上述第六實施例不同的地方在於，本實施例的第一輔助圖案A1可包括複數個環狀圖案的第一子圖案SP1分別設置於各第二圖案P2中，而各第二圖案P2中可僅設置一個第一子圖案SP1。此外，光罩107中亦可視需要設置如上述第一實施例中圍繞主圖案MP的第二輔助圖案。

請參閱第11。第11圖所繪示為本發明第八實施例之光罩108的示意圖。如第11圖所示，與上述第三實施例不同的地方在於，本實施例的主圖案MP可包括兩個第一圖案P1以及4個第二圖案P2排列成一2乘3的陣列。設置於第一圖案P1中的第一輔助圖案A1的各第一子圖案SP1亦可具有不同的形狀，例如可包括條狀子圖案與塊狀子圖案，但並不以此為限。此外，光罩108中亦可視需要設置如上述第一實施例中圍繞主圖案MP的第二輔助圖案。

請參閱第12圖至第15圖。第12圖所繪示為本發明第九實施例之光罩109的示意圖，第13圖所繪示為本發明第十實施例之光罩110的示意圖，第14圖所繪示為本發明第十一實施例之光罩111的示意圖，而第15圖所繪示為本發明第十二實施例之光罩112的示意圖。如第12圖至第15圖所示，與上述第三實施例不同的地方在於，光罩109、光罩110、光罩111以及光罩112中的主圖案MP可僅包括一個第一圖案P1以及兩個第二圖案P2，且兩個第二圖案P2於第一方向D1上設置於第一圖案P1的相對兩側。此外，第一輔助圖案A1可包括複數個第一子圖案SP1設置於第一圖案P1的角落區域或兩個第二圖案P2的角落區域。例如在第13圖中，第一子圖案SP1可僅設置於各第二圖案P2中靠近第一圖案P1的角落區域。此外，如第14圖與第15圖所示，各第一子圖案SP1亦可包括一條狀圖案沿第一方向D1或第二方向D2延伸。此外，光罩109、光罩110、光罩111以及光罩112中亦可視需要設置如上述第一實施例中圍繞主圖案MP的第二輔助圖案。

請參閱第16圖與第17圖。第16圖所繪示為本發明第十三實施例之光罩113的示意圖，而第17圖所繪示為本發明第十四實施例之光罩114的示意圖。如第16圖與第17圖所示，與上述第三實施例以及第六實施例不同的地方在於，在光罩113以及光罩114中，第一圖案P1與第二圖案P2可為透光圖案，而第一輔助圖案A1可為遮光圖案。光罩113以及光罩114可用以搭配正型光阻來形成凹陷狀的圖案化結構例如接觸開孔，但並不以為限。此外，光罩113以及光罩114中亦可視需要設置如上述第一實施例中圍繞主圖案MP的第二輔助圖案，且此第二輔助圖案可為透光圖案。

綜上所述，在本發明之光罩以及形成圖案的方法中，可於主圖案的第一圖案中或與第一圖案相鄰的第二圖案中設置第一輔助圖案，藉此改善第一圖案與第二圖案進行曝光製程時的圖案轉移效果。此外，可於主圖案之外設置第二輔助圖案，用以調整第二圖案的外側進行曝光製程時的光線能量分布狀況，藉此更進一步改善利用光罩進行微影製程時的圖案轉移效果。以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10‧‧‧第一基底

11‧‧‧第二基底

20‧‧‧材料層

21‧‧‧第一圖案化結構

22‧‧‧第二圖案化結構

90‧‧‧微影製程

100‧‧‧布局圖案

101-114‧‧‧光罩

A1‧‧‧第一輔助圖案

A2‧‧‧第二輔助圖案

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

MP‧‧‧主圖案

P1‧‧‧第一圖案

P2‧‧‧第二圖案

S11-S15‧‧‧步驟

SP1‧‧‧第一子圖案

SP2‧‧‧第二子圖案

第1圖所繪示為本發明第一實施例之形成圖案的方法的流程示意圖。第2圖所繪示為本發明第一實施例之布局圖案的示意圖。第3圖所繪示為本發明第一實施例之光罩的示意圖。第4圖所繪示為本發明第一實施例之形成圖案的方法的微影製程的示意圖。第5圖所繪示為本發明第二實施例之光罩的示意圖。第6圖所繪示為本發明第三實施例之光罩的示意圖。第7圖所繪示為本發明第四實施例之光罩的示意圖。第8圖所繪示為本發明第五實施例之光罩的示意圖。第9圖所繪示為本發明第六實施例之光罩的示意圖。第10圖所繪示為本發明第七實施例之光罩的示意圖。第11圖所繪示為本發明第八實施例之光罩的示意圖。第12圖所繪示為本發明第九實施例之光罩的示意圖。第13圖所繪示為本發明第十實施例之光罩的示意圖。第14圖所繪示為本發明第十一實施例之光罩的示意圖。第15圖所繪示為本發明第十二實施例之光罩的示意圖。第16圖所繪示為本發明第十三實施例之光罩的示意圖。第17圖所繪示為本發明第十四實施例之光罩的示意圖。

Claims

一種光罩，包括：一基底；一主圖案設置於該基底上，其中該主圖案包括：一第一圖案；以及複數個第二圖案，其中該等第二圖案中的兩個在一第一方向上設置於該第一圖案的相對兩側；一第一輔助圖案，設置於該基底上且設置於該主圖案中；以及一第二輔助圖案，設置於該基底上且設置於該主圖案之外。
如請求項1所述之光罩，其中該第一輔助圖案設置於該第一圖案中或設置於位於該第一圖案於該第一方向上相對兩側的該等第二圖案中。
如請求項1所述之光罩，其中該等第二圖案中的兩個在不同於該第一方向的一第二方向上設置於該第一圖案的相對兩側，且該第一輔助圖案設置於該第一圖案中或設置於位於該第一圖案於該第二方向上相對兩側的該等第二圖案中。
如請求項1所述之光罩，其中該等第二圖案圍繞該第一圖案，且該第一輔助圖案設置於該第一圖案中或設置於圍繞該第一圖案的該等第二圖案中。
如請求項1所述之光罩，其中該第一輔助圖案包括複數個第一子圖案互相分離。
如請求項5所述之光罩，其中該等第一子圖案設置於該第一圖案的角落區域或該等第二圖案的角落區域。
如請求項1所述之光罩，其中該第二輔助圖案包括複數個第二子圖案圍繞該主圖案。
如請求項1所述之光罩，其中該第一圖案、該等第二圖案以及該第二輔助圖案為遮光圖案，且該第一輔助圖案為透光圖案。
如請求項1所述之光罩，其中該第一圖案、該等第二圖案以及該第二輔助圖案為透光圖案，且該第一輔助圖案為遮光圖案。
如請求項1所述之光罩，其中該第一輔助圖案包括一條狀圖案、一十字形圖案或一環狀圖案。
如請求項1所述之光罩，其中該第一輔助圖案的大小不同於該第二輔助圖案的大小。
一種光罩，包括：一基底；一主圖案設置於該基底上，其中該主圖案包括：一第一圖案；以及複數個第二圖案，其中該第一圖案以及該等第二圖案排列成一陣列，且該等第二圖案圍繞該第一圖案；一輔助圖案，設置於該基底上，其中該輔助圖案包括複數個子圖案設置於該第一圖案中或設置於該等第二圖案中。
如請求項12所述之光罩，其中該等子圖案設置於該第一圖案的角落區域或該等第二圖案的角落區域。
如請求項12所述之光罩，其中該第一圖案以及該等第二圖案為遮光圖案，且該輔助圖案為透光圖案。
如請求項12所述之光罩，其中該第一圖案以及該等第二圖案為透光圖案，且該輔助圖案為遮光圖案。
如請求項12所述之光罩，其中各該子圖案包括一條狀圖案或一環狀圖案。
一種形成圖案的方法，包括：提供一佈局圖案至一電腦系統，其中該布局圖案包括一第一圖案以及複數個第二圖案，且該等第二圖案中的兩個在一第一方向上設置於該第一圖案的相對兩側；於該布局圖案中形成一第一輔助圖案；於該布局圖案之外形成一第二輔助圖案；以及由該電腦系統輸出該佈局圖案、該第一輔助圖案以及該第二輔助圖案至一光罩，其中該第一輔助圖案位於該布局圖案之內，而該第二輔助圖案位於該布局圖案之外。
如請求項17所述之形成圖案的方法，更包括：以該光罩通過一微影製程將該佈局圖案自該光罩轉移至一材料層，其中該第一輔助圖案以及該第二輔助圖案未被轉移至該材料層。
如請求項17所述之形成圖案的方法，更包括：於形成該第一輔助圖案之前，對該布局圖案進行一光學鄰近修正(optical proximity correction，OPC)。
如請求項17所述之形成圖案的方法，其中該第一輔助圖案形成於該第一圖案中或形成於位於該第一圖案於該第一方向上相對兩側的該等第二圖案中。
如請求項17所述之形成圖案的方法，其中該等第二圖案圍繞該第一圖案，且該第一輔助圖案形成於該第一圖案中或形成於圍繞該第一圖案的該等第二圖案中。
如請求項17所述之形成圖案的方法，其中該第二輔助圖案係於形成該第一輔助圖案的步驟之前形成。
如請求項17所述之形成圖案的方法，其中該第一輔助圖案的大小不同於該第二輔助圖案的大小。