TWI791672B - 半導體用黏著薄膜及半導體用黏著片 - Google Patents

Abstract

本發明係提供一種含有熱硬化性黏著劑、及15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料之半導體用黏著薄膜(1)，以及在剝離片(21)上設置有前述半導體用黏著薄膜(1)之半導體用黏著片(2)。

Description

半導體用黏著薄膜及半導體用黏著片

本發明係有關於一種半導體用黏著薄膜及半導體用黏著片。 本申請案係基於2017年11月29日向日本提出申請之特願2017-229522號而主張優先權，並且將其內容引用於此。

半導體用黏著薄膜係被使用於將半導體晶片固定在基板和電極構件。該半導體用黏著薄膜係介電正切(dielectric tangent)越低，越能夠抑制與其它晶片和裝置產生干涉，而且能夠減低雜訊且能夠活用作為電磁波的遮蔽。

專利文獻1係揭示一種用以將已被固定在被黏著物上之第1半導體元件埋封且將與前述第1半導體元件不同之第2半導體元件固定在被黏著物之黏著薄膜，熱硬化後在1MHz之介電常數為4.00以下之該黏著薄膜，係能夠抑制連接構造腐蝕和配線之間導通而製造高可靠性的半導體裝置。 先前技術文獻 專利文獻

[專利文獻1] 日本特開2015-122433號公報

發明欲解決之課題

但是針對藉由添加無機填充劑而降低介電正切且提高電磁波遮蔽性之半導體用黏著薄膜，專利文獻1係完全沒有揭示。

因此，本發明之目的，係提供一種介電正切較低且具有優異的電磁波遮蔽性之半導體用黏著薄膜。 用以解決課題之手段

本發明者等發現藉由在熱硬化性樹脂添加15質量%以上且70質量%以下之氧化鈦，能夠得到熱硬化後的介電正切較低且具有優異的電磁波遮蔽性之半導體用黏著薄膜，而完成了本發明。 亦即，本發明係提供一種具有下述特徵之半導體用黏著薄膜及半導體用黏著片。 [1] 一種半導體用黏著薄膜，係含有熱硬化性黏著劑、及15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料。 [2] 如[1]所述之半導體用黏著薄膜，其中熱硬化後在1MHz之介電正切為0.01以下。 [3] 一種半導體用黏著片，係在剝離片上設置有如[1]或[2]所述之半導體用黏著薄膜。 發明效果

依照本發明，能夠提供一種熱硬化後的介電正切較低且具有優異的電磁波遮蔽性之半導體用黏著薄膜。

本發明的半導體用黏著薄膜係含有熱硬化性黏著劑、及15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料。又，只要未預先告知，在本說明書所謂質量%，係指將半導體用黏著薄膜設為100質量%時之各自成分的比率。

本發明的半導體用黏著薄膜係藉由含有15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料，能夠降低介電正切且具有優異的電磁波遮蔽性。

構成本發明的半導體用黏著薄膜之熱硬化性黏著劑，係以含有熱硬化性成分及黏結劑聚合物成分為佳。

作為熱硬化性成分，例如可舉出環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯并㗁嗪(benzoxazine)樹脂等及該等的混合物。該等之中，能夠適合使用環氧樹脂、酚樹脂及該等的混合物。

環氧樹脂係受到加熱時進行三維網狀化且具有形成堅固的被膜之性質。作為此種環氧樹脂，先前係使用習知的各種環氧樹脂，通常係以分子量200~2000左右之物為佳，以分子量300~500之物為特佳。而且，以將分子量310~400且常態為液狀的環氧樹脂與分子量400~2500、特別是500~2000且常溫為固體的環氧樹脂摻合的形式使用為佳。又，環氧樹脂的環氧當量係以50~5000g/eq為佳。 在本說明書，所謂「環氧當量」，係意味著含有1克當量的環氧基之環氧化合物的克數(g/eq)，能夠依據JIS K 7236：2001的方法而測定。

作為此種環氧樹脂，具體而言，能夠舉出雙酚A、雙酚F、間苯二酚(resorcinol)、苯基酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚類的環氧丙基醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的環氧丙基醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸的環氧丙基醚；苯胺異三聚氰酸酯等使用環氧丙基或烷基環氧丙基取代鍵結在氮原子的活性氫而成之環氧丙基型或烷基環氧丙基型的環氧樹脂；如乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧)環己基-5,5-螺(3,4-環氧)環己烷-間二㗁烷等藉由將分子內的碳-碳雙鍵進行例如氧化而導入環氧而成之所謂脂環型環氧化物，此外，亦能夠使用具有聯苯骨架、二環戊二烯骨架、二環己二烯烯骨架、萘骨架等之環氧樹脂。

該等之中，能夠適合使用雙酚系環氧丙基型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂及具有二環戊二烯骨架之環氧樹脂。該等環氧樹脂係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。

使用環氧樹脂時，作為熱硬化性黏著劑，係以併用熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑為佳。所謂熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑，係指在室溫不與環氧樹脂反應，藉由某溫度以上的加熱而活性化且與環氧樹脂反應之類型的硬化劑。熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑的活性化方法係有下列方法存在：藉由加熱而化學反應且生成活性種(陰離子、陽離子)之方法；在室溫附近係安定地分散在環氧樹脂中，而且在高溫與環氧樹脂相溶‧溶解且開始硬化反應之方法；分子篩封入型的硬化劑且在高溫溶出而開始硬化反應之方法；及採用微膠囊之方法等。

作為熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑的具體例，能夠舉出各種鎓鹽、二元酸二醯肼化合物、氰胍(dicyanodiamide)、胺加成物硬化劑、咪唑化合物等的高熔點活性氫化合物等。該等熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。如上述的熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑係相對於環氧樹脂100質量份，能夠以0.1~20質量份的比率、特佳為0.2~10質量份、更佳為0.3~5質量份的比率而使用。

作為酚樹脂，係沒有特別限制而能夠使用烷基苯酚、多元醇、萘酚等酚類與醛類的縮合物等。具體而言，係能夠使用苯酚酚醛清漆樹脂、鄰甲酚酚醛清漆樹脂、對甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯基苯酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、或該等的改性物等。

在該等酚樹脂所含有的酚性羥基，係藉由加熱而能夠與上述環氧樹脂的環氧基容易地進行加成反應而形成耐衝擊性較高的硬化物。因此，亦可將環氧樹脂與酚樹脂併用。

黏結劑聚合物成分，係能夠對半導體用黏著薄膜提供適當的黏性且提升半導體用黏著片的操作性。黏結劑聚合物的質量平均分子量係通常在2萬~200萬、較佳為5萬~150萬、特佳為10萬~100萬的範圍。分子量太低時，半導體用黏著薄膜的薄膜形成變為不充分。太高時與其它成分的相溶性變差，結果妨礙形成均勻的薄膜。質量平均分子量在2萬~200萬的範圍、較佳為5萬~150萬、特佳為10萬~100萬的範圍時，半導體用黏著薄膜的薄膜係能夠充分地形成，而且與其它成分的相溶性亦良好且能夠形成均勻的薄膜。作為此種黏結劑聚合物，例如能夠使用丙烯酸系聚合物、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、胺甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、橡膠系聚合物等。特別是能夠適合使用丙烯酸系聚合物。 又，在本說明書，所謂「質量平均分子量」，係只要未預先告知，就是依照凝膠滲透層析法(GPC)法而測定之聚苯乙烯換算值。

作為丙烯酸系聚合物，例如可舉出由(甲基)丙烯酸烷酯單體、及從此外的(甲基)丙烯酸衍生物引導的結構單元所構成之(甲基)丙烯酸酯共聚物。在此，作為(甲基)丙烯酸烷酯單體，較佳是烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，例如能夠使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。又，作為(甲基)丙烯酸衍生物，例如能夠舉出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等。

上述之中，將環氧丙基導入至丙烯酸系聚合物時，與作為前述熱硬化性成分的環氧樹脂之相溶性提升，半導體用黏著薄膜硬化後的玻璃轉移溫度(Tg)變高且耐熱性提升。又，上述之中，將丙烯酸羥基乙酯等使用作為結構單元而將羥基導入至丙烯酸系聚合物時，能夠控制對半導體的密著性和黏著物性。

使用丙烯酸系聚合物作為黏結劑聚合物時，該聚合物的質量平均分子量係較佳為10萬以上，特佳為15萬~100萬。丙烯酸系聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)係通常40℃以下，較佳為-70~20℃左右。 在本說明書，所謂「玻璃轉移溫度(Tg)」，係使用差示掃描熱量計而測定試料的DSC曲線且以所得到的DSC曲線的變曲點溫度表示。

熱硬化性成分與黏結劑聚合物成分之調配比率係相對於黏結劑聚合物成分100質量份，係調配將熱硬化性成分，較佳為50~1500質量份，特佳為70~1200質量份，更佳是調配80~1000質量份為佳。以此種比例調配熱硬化性成分及黏結劑聚合物成分時，硬化前係顯示適當的黏性且能夠穩定地進行貼附作業，而且硬化後能夠得到具有優異的被膜強度之薄膜。

在本發明的半導體用黏著薄膜之熱硬化性黏著劑的含量係相對於半導體用黏著薄膜的總質量，以20~75質量%為佳，以20~50質量%為較佳，以20~40質量%為特佳。 相對於熱硬化性黏著劑的總含量，熱硬化性成分含量係以30~95質量%為佳，以40~95質量%為較佳，以40~92質量%為特佳。又，相對於熱硬化性黏著劑的總含量之黏結劑聚合物成分的含量，係以5~70質量%為佳，以5~60質量%為較佳，以8~60質量%為特佳。但是熱硬化性成分的含量與黏結劑聚合物成分的含量之總和為不大於100質量%。

本發明的半導體用黏著薄膜亦可含有偶合劑。藉由使用具有與無機化合物反應的官能基及具有與有機官能基反應的官能基之物作為偶合劑，能夠使半導體用黏著薄膜對被黏著物之黏著性及密著性提升。又，藉由使用偶合劑，不會對將半導體用黏著薄膜硬化而得到的硬化物之耐熱性造成損害且能夠使耐水性提升。

偶合劑係以具有對丙烯酸系聚合物、環氧樹脂、酚樹脂等所具有的官能基進行反應的官能基之化合物為佳，以矽烷偶合劑為佳。 作為較佳前述矽烷偶合劑，能夠例示γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(亦稱為3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺丙基三甲氧基矽烷、γ-脲丙基三乙氧基矽烷、γ-氫硫基丙基三甲氧基矽烷、γ-氫硫基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等的矽烷化合物、該等矽烷化合物的水解縮合物等。 偶合劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

使用偶合劑時，半導體用黏著薄膜的偶合劑含量係相對於熱硬化性成分與黏結劑聚合物的總含量100質量份，以0.03~20質量份為佳，以0.05~10質量份為較佳，以0.1~5質量份為特佳。偶合劑含量太少時，有無法得到藉由使用偶合劑的上述效果之情形，偶合劑含量太多時，有產生排氣之可能性。藉由使偶合劑含量成為上述範圍，不會產生排氣且能夠提升半導體用黏著薄膜對被黏著物之黏著性及密著性，而且不會對將半導體用黏著薄膜硬化而得到的硬化物之耐熱性造成損害且能夠使耐水性提升。

(氧化鈦填料) 本發明的半導體用黏著薄膜係相對於半導體用黏著薄膜的總質量，含有15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料，以20質量%以上且70質量%以下為佳，以20質量%以上且60質量%以下為較佳，以30質量%以上且60質量%為特佳。藉由將氧化鈦填料含量設為上述下限以上，能夠使半導體用黏著薄膜的介電正切進一步低落且能夠使電磁波遮蔽性更進一步地提升。

在本發明的半導體用黏著薄膜所使用的氧化鈦填料可為銳鈦型，亦可為金紅石型，亦可為銳鈦型與金紅石型的混合物。又，為了對氧化鈦粒子賦予親水性或撥水性，亦能夠使用經施行表面改性之氧化鈦填料。該表面處理可為無機系表面處理亦可為有機系表面處理。

氧化鈦填料係以具有粒狀形狀為佳。氧化鈦填料的平均粒徑係以10nm以上且500nm以下為佳，以30nm以上且400nm以下為較佳。藉由使氧化鈦填料的平均粒徑成為上述範圍，半導體用黏著薄膜的介電正切之調整係變為更容易。

本發明的半導體用黏著薄膜，係在不損害本發明的效果之範圍內亦可含有泛用添加劑。 泛用添加劑可為習知物，能夠按照目的而任意地選擇且沒有特別限定，作為較佳物，例如可舉出氧化鈦以外的填料、可塑劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、除氣劑等。

作為氧化鈦以外的填料，可為有機填料及無機填料(但是氧化鈦除外)之任一者。以無機填料(但是氧化鈦除外)為佳。作為較佳無機填料，例如能夠舉出氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鐵紅、碳化矽、氮化硼等的粉末；將該等無機填料球形化而成之珠粒；該等無機填料的表面改質品；該等無機填料的單結晶纖維；玻璃纖維等。該等之中，無機填料係以氧化矽或氧化鋁為佳。氧化矽的粉末(氧化矽填料)亦可在其表面具有有機基等的表面改性基。

氧化鈦以外的填料係以具有粒狀的形狀為佳。氧化鈦以外的填料之平均粒徑可為1nm~25μm，亦可為20nm~1000nm，亦可為30nm~200nm。平均粒徑係設為使用粒度分布測定裝置且依照動態光散射法而測定之體積平均直徑。

半導體用黏著薄膜能夠含有之氧化鈦以外的填料可只有1種，亦可為2種以上，2種以上時，該等的組合及比率係能夠任意地選擇。

本發明的半導體用黏著薄膜熱硬化後在1MHz之介電正切係以0.01以下為佳。藉由半導體用黏著薄膜熱硬化後在1MHz之介電常數為前述上限值以下，能夠使電磁波遮蔽性更進一步地提升。而且前述介電正切係較佳為0.0001以上。本發明的半導體用黏著薄膜熱硬化後在1MHz之介電正切係能夠使用後述方法而測定。

半導體用黏著薄膜可由1層(單層)所構成，亦可由2層以上的複數層所構成。半導體用黏著薄膜係由複數層所構成時，該等複數層可互相相同亦可不同。該等複數層的組合係只要不損害本發明的效果就沒有特別限定。

半導體用黏著薄膜的厚度係沒有特別限定，以1~100μm為佳，以3~40μm為較佳。藉由半導體用黏著薄膜的厚度為上述下限值以上，對半導體晶片等的被黏著物能夠得到較高的黏著力。又，藉由半導體用黏著薄膜的厚度為前述上限值以下，能夠以穩定的厚度進行製造。 在此，所謂「半導體用黏著薄膜的厚度」，係意味著半導體用黏著薄膜全體之厚度。例如，所謂由複數層所構成的半導體用黏著薄膜之厚度，係意味著構成半導體用黏著薄膜之全部層的合計厚度。

在本說明書，「厚度」係設為在任意5處測定厚度之平均表示之值，能夠依據JIS K 6783：1994，使用定壓厚度測定器且在測定子徑5mm、加壓荷重1.22N的條件下進行測定。

硬化前的半導體用黏著薄膜對半導體晶圓之黏著力(N/25mm)係能夠使用以下的方法而測定。 亦即製造寬度25mm且長度為任意之半導體用黏著薄膜及黏著帶的積層片。該積層片係設為在黏著帶的黏著面層積有半導體用黏著薄膜之物。其次，進行製造使用經加熱至40~70℃之半導體用黏著薄膜，將該積層片貼附在半導體晶圓而將黏著帶、半導體用黏著薄膜及半導體晶圓依序層積而成之積層物。將製造後的該積層物立刻在23℃的環境下靜置30分鐘之後，將半導體用黏著薄膜及黏著帶的積層片從半導體晶圓，以半導體用黏著薄膜及半導體晶圓之不互相接觸的面之間成為180°的角度之方式且以剝離速度300mm/min剝下來進行所謂180°剝離。測定此時的剝離力且將其測定值設為硬化前的半導體用黏著薄膜對半導體晶圓之黏著力(N/25mm)。提供測定之前述積層片的長度係只要能夠穩定地測定剝離力之範圍就沒有特別限定，以100~300mm為佳。

硬化前的半導體用黏著薄膜對半導體晶圓之黏著力，係以100mN/25mm以上為佳，例如能夠設為200mN/25mm以上、300mN/25mm以上等的任一者，但是不被該等限定。 又，前述黏著力的上限值係沒有特別限定，例如能夠選自10N/25mm、800mN/25mm、600mN/25mm等，但該等為一個例子。 例如前述黏著力係能夠設為100mN/25mm以上且10N/25mm以下、200mN/25mm以上且800mN/25mm以下、300mN/25mm以上且600mN/25mm以下。

硬化前的半導體用黏著薄膜對半導體晶圓之黏著力，係例如能夠藉由調節半導體用黏著薄膜的含有成分種類及量等而適當地調節。 例如黏結劑聚合物的分子量係能夠藉由調整構成黏結劑聚合物之各單體成分的比率、熱硬化性成分的軟化點、及半導體用黏著薄膜的各含有成分含量等，而能夠容易地調節半導體用黏著薄膜的前述黏著力。但是該等調節方法係只不過是一個例子。

半導體用黏著薄膜的剪切強度係能夠使用以下的方法而測定。將半導體用黏著薄膜貼附在厚度350μm、#2000研摩的矽晶圓背面且切割成為2mm×2mm，將與半導體用黏著薄膜一起拾取而得到之附半導體用黏著薄膜的矽晶片貼附在30mm×30mm、厚度300μm的銅板，使其在160℃硬化60分鐘而作為試樣。使用黏結強度試驗機(bond tester)(Series 4000、Dage公司製)而測定試樣的剪切黏著強度(N/2mm×2mm)。又，測定時係在250℃的加熱板上保持30秒鐘且在該狀態下以荷重速度為0.2mm/秒進行測定。

半導體用黏著薄膜的剪切強度係以2N/(2mm×2mm)以上為佳。藉由半導體用黏著薄膜的剪切強度為2N/(2mm×2mm)以上，作為半導體用黏著薄膜之黏著性為更優異。

本發明的半導體用黏著薄膜，係能夠藉由將熱硬化性黏著劑、氧化鈦填料、及其它上述添加劑混合且按照必要使用乙酸乙酯等的有機溶劑而稀釋來調製半導體用黏著薄膜用塗布劑，而且將其塗布在剝離片等的被黏著物後，使其乾燥而製造。

本發明的半導體用黏著薄膜係能夠使用作為基材與半導體之黏著薄膜。因為本發明的半導體用黏著薄膜係介電正切較低，所以能夠抑制與其它半導體晶片和裝置產生干涉，而且能夠減低雜訊且能夠使用作為電磁波的遮蔽。

本實施形態的半導體用黏著薄膜，係含有熱硬化性黏著劑、及15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料之半導體用黏著薄膜，作為熱硬化性黏著劑，係以含有熱硬化性成分及黏結劑聚合物成分為佳。作為熱硬化性成分，係以環氧樹脂、酚樹脂及該等混合物為佳，以雙酚系環氧丙基型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆里環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂及具有二環戊二烯骨架之環氧樹脂為較佳。作為黏結劑聚合物成分，係以丙烯酸系聚合物為佳。 又，本實施形態的半導體用黏著薄膜，係以熱硬化性黏著劑含量為20質量%以上且75質量%以下而且氧化鈦填料的含量為20質量%以上且70質量以下為佳。以熱硬化性黏著劑含量係以20質量%以上且75質量%以下而且氧化鈦填料含量為20質量%以上且60質量%為較佳。氧化鈦填料的平均粒徑係以10nm以上且500nm以下為佳。

[半導體用黏著片] 本發明係提供一種在剝離片上設置有本發明的半導體用黏著薄膜之半導體用黏著片。第1圖係本發明的實施形態之半導體用黏著片的剖面圖。如第1圖顯示，本實施形態之半導體用黏著片2係具備半導體用黏著薄膜1及剝離片21而構成。但是剝離片21係在使用半導體用黏著薄膜1時被剝離。

剝離片21係至使用半導體用黏著薄膜1為止之期間保護半導體用黏著薄膜之物，而不一定需要。剝離片21的構成為任意，可例示薄膜本身對半導體用黏著薄膜1具有剝離性之塑膠薄膜、及經使用剝離劑等剝離處理塑膠薄膜而成之物。作為塑膠薄膜的具體例，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯薄膜、及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴薄膜。作為剝離劑，能夠使用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，該等之中，以廉價且能夠得到穩定的性能之聚矽氧系為佳。針對剝離片21的厚度係沒有特別限制，通常20~250μm左右。

如上述的剝離片21，亦可被層積在與半導體用黏著薄膜1的剝離片21相反側的面(在第1圖為上側的面)。此時係以將一方的剝離片21的剝離力增大而設為重剝脫模剝離片，而且將另一方的剝離片21的剝離力減小而設為輕剝脫模剝離片為佳。

製造本實施形態之半導體用黏著片2，係將半導體用黏著薄膜1形成在剝離片21的剝離面(具有剝離性之面；通常係經剝離處理之面，但是不被此限定)。具體而言，係調製含有構成半導體用黏著薄膜1的熱硬化性黏著劑之半導體用黏著薄膜用塗布劑，使用輥塗布機、刮刀塗布機、輥式刮刀塗布機、氣動刮刀塗布機、模塗布機、桿塗布機、凹版塗布機、簾流塗布機等的塗布機而塗布在剝離片21的剝離面且使其乾燥，而形成半導體用黏著薄膜1。

半導體用黏著薄膜用塗布劑的乾燥條件係沒有特別限定，半導體用黏著薄膜用塗布劑係含有乙酸乙酯等的有機溶劑時，以使其加熱乾燥為佳，此時，係例如以在70~130℃且10秒鐘~5分鐘的條件下使其乾燥為佳。

(半導體用黏著片的使用方法) 邊參照第2圖邊在以下說明本實施形態之半導體用黏著片2的使用方法。將半導體用黏著薄膜1的表面(與剝離片21相反側之面)作為黏著面而將半導體用黏著片2貼附在基板32上，其次，將剝離片21從半導體用黏著片2剝離之後，將半導體晶片31貼附在半導體黏著用薄膜1的表面且使半導體用黏著薄膜1硬化。 [實施例]

以下，藉由具體的實施例而更詳細地說明本發明。但是本發明係完全不被以下顯示之實施例限定。

[實施例1] 將以下的各成分以表1顯示之調配比(固態物換算)混合，使用甲基乙基酮以固態物濃度成為60質量%的方式稀釋而調製半導體用黏著薄膜用塗布劑。 (a)：丙烯酸共聚物(NAGASE CHEMTEX製「Teisanresin SG-P3」 (b)-1：雙酚F型環氧樹脂(三菱CHEMICAL公司製「jERY L983U」) (b)-2：二環戊二烯骨架環氧樹脂(日本化藥公司製「XD-1000」) (c)：鄰甲酚型酚醛清漆樹脂(DIC公司製「PHENOLITE KA-1160」) (d)：咪唑系熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑(四國化成工業公司製「CUREZOLE 2PHZ-PW」) (e)：矽烷偶合劑(信越化學工業公司製「X-41-1056」) (f)：含氧化鈦的填料(大日精化工業公司製「DIMIC SZ 7030 WHITE」、平均粒徑300nm)(含氧化鈦的填料總量之約60質量%為氧化鈦) (g)：氧化矽填料(ADMATECHS公司製「SC2050MA」、平均粒徑0.5μm)

將上述半導體用黏著薄膜用塗布劑塗布在一面經施行剝離處理的聚對苯二甲酸乙二酯系薄膜之剝離片(SP-PET381031、LINTEC公司製)上之後，在100℃的烘箱乾燥1分鐘，而得到在厚度30μm的半導體用黏著薄膜設置有剝離片上之半導體用黏著片。

[實施例2] 除了將構成半導體用黏著薄膜之各成分的調配量如表1所顯示變更以外，係與實施例1同樣地進行而製造半導體用黏著片。

[比較例1、2] 除了將構成半導體用黏著薄膜之各成分的調配量如表1所顯示變更以外，係與實施例1同樣地進行而製造半導體用黏著片。

[比較例3、4] 除了使用氧化矽填料(g)[ADMATECHS公司製「SC2050MA」；平均粒徑0.5μm]代替氧化鈦填料，而且將構成半導體用黏著薄膜之各成分的調配量如表1顯示變更以外，係使用與實施例1相同方法而製造半導體用黏著片。

[試驗例1]＜介電正切評價＞ 將剝離片從實施例1、2、及比較例1~4所得到的各半導體用黏著片剝離且層積複數片半導體用黏著薄膜之後，將積層體沖切而得到直徑10mm、厚度1mm的試片。將該試片在160℃烘箱加熱硬化1小時。使用Hewlett-Packard公司製4194A，依據JIS C 2138而算出1MHz的介電正切。將結果顯示在表1。

[試驗例2]＜剪切強度的評價＞ 將半導體用黏著薄膜貼附在厚度350μm、#2000研摩的矽晶圓背面且切割成為2mm×2mm。與半導體用黏著薄膜一起拾取，將所得到之附半導體用黏著薄膜的矽晶片貼附在30mm×30mm、厚度300μm的銅板且使其在160℃硬化60分鐘而作為試樣。使用黏結強度試驗機(Series 4000、Dage公司製)而測定試樣的剪切黏著強度(N/(2mm×2mm))。又，測定時係在250℃的加熱板上保持30秒鐘，而且在該狀態下以荷重速度為0.2mm/秒測定。將剪切強度為2N/(2mm×2mm)以上者評定為○，將小於2N/(2mm×2mm)者評定為×。將結果顯示在表1。

[表1]

從表1能夠清楚明白，相對於氧化鈦填料含量為小於15質量%之比較例1及2的半導體用黏著薄膜，其介電正切為大於0.01，氧化鈦填料含量為15質量%以上之實施例1及2的半導體用黏著薄膜，其介電正切為0.01以下。而且實施例1及2的半導體用黏著薄膜係任一者均具有良好的剪切強度。 又，使用氧化矽填料代替氧化鈦填料之比較例3及4的半導體用黏著薄膜，其介電正切為大於0.01。 產業上之可利用性

本發明的半導體用黏著薄膜係在1MHz之介電正切較低且具有優異的電磁波遮蔽性。

1‧‧‧半導體用黏著薄膜 2‧‧‧半導體用黏著片 21‧‧‧剝離片 3‧‧‧半導體裝置 31‧‧‧半導體晶片 32‧‧‧基板

第1圖係本發明的一實施形態之半導體用黏著片的剖面圖。 第2圖係使用本發明的一實施形態之半導體用黏著薄膜之半導體裝置的剖面圖。

1‧‧‧半導體用黏著薄膜

2‧‧‧半導體用黏著片

21‧‧‧剝離片

Claims (2)

1. 一種半導體用黏著薄膜，係含有熱硬化性黏著劑、及15質量%以上且70質量%以下的氧化鈦填料，熱硬化後在1MHz之介電正切為0.01以下。
2. 一種半導體用黏著片，係在剝離片上設置有如申請專利範圍第1項所述之半導體用黏著薄膜。

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