TWI791245B

TWI791245B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI791245B
Application number: TW110126521A
Authority: TW
Inventors: 李佳安; 林冠亨; 陳奕宏
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-07-20
Filing date: 2021-07-20
Publication date: 2023-02-01
Also published as: TW202305769A

Abstract

一種顯示裝置包括驅動背板及發光元件。發光元件包括半導體結構、第一電極、第二電極、絕緣層及反射層。半導體結構包括第一型半導體層、第二型半導體層和主動層。半導體結構具有背向驅動背板的第一表面、面向驅動背板的第二表面和連接第一表面與第二表面的側壁。絕緣層至少覆蓋半導體結構的側壁且未覆蓋半導體結構的第一表面。絕緣層具有延伸部，由半導體結構之側壁與第一表面的交界朝遠離驅動背板的方向延伸。反射層的至少一部分設置絕緣層的延伸部上。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種光電裝置，且特別是有關於一種顯示裝置。

發光二極體顯示面板包括驅動背板及被轉置於主動元件基板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外，相較於有機發光二極體顯示面板，發光二極體顯示面板還具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此，發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。然而，發光二極體的出光分佈廣，造成發光二極體顯示面板的正向光提取效率低，不利於顯示應用。

本發明提供一種顯示裝置，正向光提取效率佳。

本發明的顯示裝置包括驅動背板及發光元件。發光元件設置於驅動背板上，且電性連接至驅動背板。發光元件包括半導體結構、第一電極、第二電極、絕緣層及反射層。半導體結構包括第一型半導體層、第二型半導體層和設置於第一型半導體層與第二型半導體層之間的主動層。第一電極電性連接至半導體結構的第一型半導體層。第二電極電性連接至半導體結構的第二型半導體層。半導體結構具有背向驅動背板的第一表面、面向驅動背板的第二表面和連接第一表面與第二表面的側壁。絕緣層至少覆蓋半導體結構的側壁且未覆蓋半導體結構的第一表面。絕緣層具有延伸部，延伸部由半導體結構之側壁與第一表面的交界朝遠離驅動背板的方向延伸。反射層的至少一部分設置絕緣層的延伸部上。

在本發明的一實施例中，上述的半導體結構、絕緣層的延伸部及反射層的至少一部分形成一反射杯。顯示裝置更包括保護膠層，覆蓋驅動背板及發光元件，且填入反射杯。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層更覆蓋半導體結構的第二表面，且覆蓋在半導體結構之第二表面上的絕緣層的一部分與驅動背板之間具有一間隙。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層的延伸部具有內表面、外表面及端面，內表面位於外表面與半導體結構之間，端面連接內表面與外表面；反射層設置於延伸部的外表面及端面上而未設置於延伸部的內表面上。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層的一部分覆蓋半導體結構的第二表面，且反射層更設置於絕緣層的所述部分上。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層的延伸部具有內表面、外表面及端面，內表面位於外表面與半導體結構之間，端面連接內表面與外表面，反射層設置於延伸部的外表面、內表面及端面上。

在本發明的一實施例中，上述的反射層包括分散式布拉格反射器。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層的延伸部具有內表面、外表面及端面，內表面位於外表面與半導體結構之間，端面連接內表面與外表面，而發光元件的第一電極設置於絕緣層之延伸部的端面上。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件的第一電極更設置於絕緣層之延伸部的內表面上。

在本發明的一實施例中，上述的反射層的至少一部分接觸於半導體結構的第一表面，以電性連接至第一型半導體層，且第一電極電性連接至反射層。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A至圖1G為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面示意圖。以下配合圖1A至圖1G舉例說明本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程及其構造。

請參照圖1A，首先，於成長基板1上依序形成緩衝材料層（未繪示）、第一型半導體材料層（未繪示）、主動材料層（未繪示）及第二型半導體材料層（未繪示）。緩衝材料層、第一型半導體材料層、主動材料層及第二型半導體材料層形成一磊晶疊構（未繪示）。接著，圖案化磊晶疊構，以形成磊晶結構2。磊晶結構2包括依序堆疊於成長基板1上的緩衝層100、第一型半導體層110、主動層120及第二型半導體層130，其中磊晶結構2的緩衝層100是由磊晶疊構的緩衝材料層圖案化而成，磊晶結構2的第一型半導體層110是由磊晶疊構的第一型半導體材料層圖案化而成，磊晶結構2的主動層120是由磊晶疊構的主動材料層圖案化而成，且磊晶結構2的第二型半導體層130是由磊晶疊構的第二型半導體材料層圖案化而成。

舉例而言，在本實施例中，第一型半導體層110可具有一平台部112及一高台部114，主動層120及第二型半導體層130可依序堆疊於第一型半導體層110的高台部114上，且主動層120及第二型半導體層130可露出第一型半導體層110的平台部112。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，磊晶結構2也可呈其它形態。

請參照圖1B，接著，於磊晶結構2上形成絕緣層140、第一電極152及第二電極154。絕緣層140覆蓋磊晶結構2的頂面2a及側壁2b且具有分別暴露出第一型半導體層110及第二型半導體層130的第一接觸窗140a及第二接觸窗140b。第一電極152與第二電極154分別填入第一接觸窗140a及第二接觸窗140b，以分別電性連接至第一型半導體層110及第二型半導體層130。在本實施例中，磊晶結構2、覆蓋磊晶結構2之頂面2a及側壁2b的絕緣層140、第一電極152及第二電極154組成晶粒3。

請參照圖1B及圖1C，接著，將成長基板1及其上的晶粒3倒裝於載體4上。請參照圖1C，然後，再移除成長基板1，以露出緩衝層100的表面102。舉例而言，在本實施例中，載體4可包括載板41及設置於載板41上的黏著層42。在本實施例中，可令晶粒3的第二電極154朝向載體4，進而與載體4的黏著層42連接，以使晶粒3暫時固定於載體4上；當晶粒3暫時固定於載體4上時，成長基板1係位於晶粒3之遠離載體4的一側；然後，可選擇性地利用一雷射剝離技術（Laser lift-off；LLO）移除成長基板1，以露出緩衝層100的表面102；但本發明不以此為限。

請參照圖1D，接著，在晶粒3上形成一反射材料層160，以覆蓋緩衝層100的表面102及設置於磊晶結構2之側壁2b上的部分絕緣層140。舉例而言，在本實施例中，反射材料層160的材質可為鋁。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，反射材料層160的材質也可為具有高反射性的其它材料。

請參照圖1D及圖1E，接著，移除緩衝層100上的部分反射材料層160，以形成反射層162，並移除磊晶結構2的緩衝層100，以形成半導體結構21及絕緣層140的延伸部142。舉例而言，在本實施例中，可利用感應耦合電漿乾式蝕刻（Inductively coupled plasma；ICP）移除緩衝層100及緩衝層100上的部分反射材料層160，但本發明不以此為限。

請參照圖1E，發光元件5包括半導體結構21、第一電極152、第二電極154、絕緣層140及反射層162。半導體結構21包括第一型半導體層110、第二型半導體層130和設置於第一型半導體層110與第二型半導體層130之間的主動層120。第一電極152電性連接至半導體結構21的第一型半導體層110。第二電極154電性連接至半導體結構21的第二型半導體層130。半導體結構21具有背向載體4的第一表面21a、面向載體4的第二表面21b和連接第一表面21a與第二表面21b的側壁21c。絕緣層140至少覆蓋半導體結構21的側壁21c且未覆蓋半導體結構21的第一表面21a。特別是，絕緣層140具有延伸部142，延伸部142由半導體結構21之側壁21c與第一表面21a的交界21d朝遠離載體4的方向k1延伸，且反射層162的至少一部分設置絕緣層140的延伸部142上。

值得注意的是，半導體結構21、絕緣層140的延伸部142及延伸部142上之至少一部分的反射層162可形成反射杯C。反射杯C能反射主動層120所發出的光線，並將光線限制在一小角度範圍內出射，進而增加發光元件5的正向光提取效率。

請參照圖1E，絕緣層140的延伸部142具有內表面142a、外表面142b及端面142c，內表面142a位於外表面142b與半導體結構21之間，端面142c連接內表面142a與外表面142b。請參照圖1D及圖1E，在本實施例中，是在晶粒3上形成反射材料層160之後，才去除緩衝層100及緩衝層100上的部分反射材料層160，以將反射材料層160圖案化為反射層162。因此，在本實施例中，反射層162會設置在絕緣層140之延伸部142的外表面142b及端面142c上而不會設置於絕緣層140之延伸部142的內表面142a上，但本發明不以此為限。

請參照圖1E及圖1F，接著，將載體4上的發光元件5轉置到驅動背板200上，且令發光元件5與驅動背板200電性連接。舉例而言，在本實施例中，驅動背板200包括資料線（未繪示）、掃描線（未繪示）、電源線（未繪示）、共通線（未繪示）、畫素驅動電路（未繪示）、第一接墊210及第二接墊220。畫素驅動電路包括第一電晶體（未繪示）、第二電晶體（未繪示）及電容（未繪示），第一電晶體的第一端電性連接至資料線，第一電晶體的控制端電性連接至掃描線，第一電晶體的第二端電性連接至第二電晶體的控制端，第二電晶體的第一端電性連接至電源線，電容電性連接於第一電晶體的第二端及第二電晶體的第一端，第二電晶體的第二端電性連接至第二接墊220，第一接墊210電性連接至共通線，而發光元件5的第一電極152及第二電極154分別電性連接至驅動背板200的第一接墊210及第二接墊220。

請參照圖1G，接著，在驅動背板200上形成保護膠層300，以覆蓋驅動背板200及發光元件5。保護膠層300更填入由半導體結構21、絕緣層140的延伸部142及設置於延伸部142上之反射層162的至少一部分所定義的反射杯C中。於此，便完成本實施例的顯示裝置10。

請參照圖1G，半導體結構21具有背向驅動背板200的第一表面21a、面向驅動背板200的第二表面21b和連接第一表面21a與第二表面21b的側壁21c，絕緣層140覆蓋半導體結構21的側壁21c且未覆蓋半導體結構21的第一表面21a。在本實施例中，絕緣層140更可覆蓋半導體結構21的第二表面21b，且覆蓋在半導體結構21之第二表面21b上的絕緣層140的一部分146與驅動背板200之間具有一間隙G，而保護膠層300更填入間隙G。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。

圖2A至圖2G為本發明一實施例之顯示裝置10A的製造流程的剖面示意圖。

圖2A至圖2G所示之顯示裝置10A的製造流程與圖1A至圖1G所示之顯示裝置10的製造流程類似，兩者主要的差異在於：圖2D之反射材料層160A的形成位置與圖1D之反射材料層160的形成位置不盡相同，而使最終形成之顯示裝置10A與顯示裝置10的構造略有差異。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式參考前述說明。

請參照圖2C，在本實施例中，當晶粒3被暫時固定於載體4上時，位於磊晶結構2之頂面2a上的部分絕緣層140並未與黏著層42接觸而與黏著層42保持一空隙A。請參照圖2D，藉此，於形成反射材料層160A時，反射材料層160A除了會形成在緩衝層100的表面102及磊晶結構2之側壁2b上的部分絕緣層140上以外，反射材料層160A更會形成在位於磊晶結構2之頂面2a上的部分絕緣層140上。請參照圖2G，因此，在最終形成的顯示裝置10A中，反射層162A不但覆蓋絕緣層140的延伸部142及絕緣層140之設置於半導體結構21側壁2b上的一部分144，更會覆蓋絕緣層140之設置於半導體結構21第二表面21b上的一部分146。

圖3A至圖3G為本發明一實施例之顯示裝置10B的製造流程的剖面示意圖。

圖3A至圖3G所示之顯示裝置10B的製造流程與圖1A至圖1G所示之顯示裝置10的製造流程類似，兩者主要的差異在於：兩者之形成反射層162、162B的時間點不同。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式參考前述說明。

請參照圖3C、圖3D及圖3E，在本實施例中，是在移除緩衝層100以形成絕緣層140的延伸部142之後，才在絕緣層140上形成反射層162B。因此，在本實施例中，反射層162B除了設置在絕緣層140之延伸部142的外表面142b及端面142c上以外，更可設置於絕緣層140之延伸部142的內表面142a上。

圖4A至圖4G為本發明一實施例之顯示裝置10C的製造流程的剖面示意圖。

圖4A至圖4G所示之顯示裝置10C的製造流程與圖3A至圖3G所示之顯示裝置10B的製造流程類似，兩者主要的差異在於：兩者所形成的反射層162B、162C不同。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式對應地參照前述說明。

請參照圖4E至圖4G，在本實施例中，反射層162C可為一分散式布拉格反射器（distributed Bragg reflector；DBR）。分散式布拉格反射器可由折射率不同之多個第一材料層（未繪示）及多個第二材料層（未繪示）交替堆疊而成。

圖5A至圖5F為本發明一實施例之顯示裝置10D的製造流程的剖面示意圖。

圖5A至圖5F所示之顯示裝置10D的製造流程與圖1A至圖1G所示之顯示裝置10的製造流程類似，兩者主要的差異在於：兩者形成反射層162D、162的時間點不同，且兩者的反射層162D、162及其分佈位置也不同。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式對應地參照前述說明。

請參照圖5B及圖5C，在本實施例中，是在晶粒3與成長基板1尚未分離以前，就在晶粒3的絕緣層140上形成反射層162D，其中反射層162D可為分散式布拉格反射器；之後，才令晶粒3、絕緣層140及反射層162D與成長基板1分離。請參照圖5F，因此，在本實施例中，於最終形成的顯示裝置10D中，反射層162D會覆蓋絕緣層140之延伸部142的外表面142b、絕緣層140之設置於半導體結構21側壁21c上的一部分144及絕緣層140之設置於半導體結構21第二表面21b上的一部分146，但反射層162D不會覆蓋絕緣層140之延伸部142的端面142c及內表面142a。

圖6A至圖6G為本發明一實施例之顯示裝置10E的製造流程的剖面示意圖。

圖6A至圖6G所示之顯示裝置10E的製造流程與圖1A至圖1G所示之顯示裝置10的製造流程類似，兩者主要的差異在於：兩者之形成第一電極152、152E的時間點不同，且第一電極152、152E的形成位置也不同。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式對應地參照前述說明。

請參照圖6B及圖6C，在本實施例中，是在形成第二電極154後且尚未形成第一電極152E（標示於圖6F）前，便移除成長基板1，以露出緩衝層100的表面102。請參照圖6D，接著，移除緩衝層100，以形成絕緣層140的延伸部142及半導體結構21。請參照圖6E，然後，於絕緣層140的延伸部142及絕緣層140之設置於半導體結構21側壁21c上的一部分144上形成反射層162。請參照圖6E及圖6F，接著，將半導體結構21及其上的第二電極154、絕緣層140及反射層162轉置於驅動背板200上，且令第二電極154電性連接至驅動背板200；然後，才形成與第一型半導體層110電性連接的第一電極152E；最後，形成保護膠層300，覆蓋發光元件5及驅動基板200，以完成顯示裝置10E。

請參照圖6G，在本實施例中，發光元件5的第一電極152E及第二電極154是分別位於主動層120的相對兩側。換言之，在本實施例中，發光元件5是垂直式發光二極體元件。此外，在本實施例中，第一電極152E可選擇性地設置於絕緣層140之延伸部142的端面142c及內表面142a上並延伸至反射杯C內，進而與第一型半導體層110接觸，但本發明不以此為限。

圖7A至圖7G為本發明一實施例之顯示裝置10F的製造流程的剖面示意圖。

圖7A至圖7G所示之顯示裝置10F的製造流程與圖6A至圖6G所示之顯示裝置10E的製造流程類似，兩者主要的差異在於：兩者之反射層162、162F及第一電極152E、152F的形成位置不同。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式對應地參照前述說明。

請參照圖7G，在本實施例中，反射層162F設置於絕緣層140之設置於半導體結構21側壁21c上的一部分144上。反射層162F更設置於絕緣層140之延伸部142的外表面142b、端面142c及內表面142a上。此外，在本實施例中，延伸至反射杯C內的反射層162F可接觸於半導體結構21的第一表面21a，以電性連接至第一型半導體層110，且第一電極152電性連接至反射層162F。換言之，在本實施例中，第一電極152F可透過延伸至反射杯C內的反射層162F與第一型半導體層110電性連接而不需形成在反射杯C內。

圖8A至圖8F為本發明一實施例之顯示裝置10G的製造流程的剖面示意圖。

圖8A至圖8F所示之顯示裝置10G的製造流程與圖6A至圖6G所示之顯示裝置10E的製造流程類似，兩者主要的差異在於：形成反射層162G、162的時間點不同，且兩者的反射層162G、162及其分佈位置也不同。以下就兩者差異處做說明，兩者相同或相似處請配合圖式對應地參照前述說明。

請參照圖8B及圖8C，在本實施例中，是在磊晶結構2、第二電極154及絕緣層140尚未與成長基板1尚未分離以前，就在絕緣層140上形成反射層162G，其中反射層162G可為分散式布拉格反射器；之後，才令磊晶結構2、絕緣層140、反射層162G及第二電極154與成長基板1分離。請參照圖8F，因此，於最終形成的顯示裝置10G中，反射層162G會覆蓋絕緣層140之延伸部142的外表面142b、絕緣層140之設置於半導體結構21側壁21c上的一部分144及絕緣層140之設置於半導體結構21第二表面21b上的一部分146，但不會覆蓋絕緣層140之延伸部142的端面142c及內表面142a。

圖9示出圖6G之顯示裝置10E的出光分佈。

圖10為一比較例之顯示裝置20的剖面示意圖。圖10之一比較例的顯示裝置20與圖6G之一實施例的顯示裝置10E的差異在於：圖10之比較例的顯示裝置20不具有圖6G之顯示裝置10E的反射杯C，且圖10之第一比較例的顯示裝置20的絕緣層140上也沒有設置反射層。圖11示出圖10之比較例之顯示裝置20的出光分佈。

圖12為一比較例之顯示裝置20A的剖面示意圖。圖12之比較例的顯示裝置20A與圖6G之一實施例的顯示裝置10E的差異在於：圖12之比較例的顯示裝置20A不具有圖6G之顯示裝置10E的反射杯C，圖12之比較例的顯示裝置20A的絕緣層140上也沒有設置反射層，但圖12之比較例的顯示裝置20A的半導體結構21的外圍設有反射堤（Reflective Bank）400。圖13示出圖12之比較例之顯示裝置20A的出光分佈。

圖14為一比較例之顯示裝置20B的剖面示意圖。圖14之比較例的顯示裝置20B與圖6G之實施例的顯示裝置10E的差異在於：圖14之比較例的顯示裝置20B不具有圖6G之顯示裝置10E的反射杯C，但圖14之比較例的顯示裝置20B的絕緣層140上設置有反射層162H。圖15示出圖14之比較例之顯示裝置20B的出光分佈。

比較圖9與圖11、圖13及圖15可發現，圖6G之一實施例的顯示裝置10E的出光分佈較圖10之一比較例的顯示裝置20、圖12之一比較例的顯示裝置20A及圖14之一比較例的顯示裝置20B往正向方向集中。由此可證，本發明一實施例的顯示裝置20的正向光提取效率高。

10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、20、20A、20B: 顯示裝置 1: 成長基板 2: 磊晶結構 2a: 頂面 2b: 側壁 3: 晶粒 4: 載體 5: 發光元件 21: 半導體結構 21a: 第一表面 21b: 第二表面 21c: 側壁 21d: 交界 41: 載板 42: 黏著層 100: 緩衝層 102: 表面 110: 第一型半導體層 112: 平台部 114: 高台部 120: 主動層 130: 第二型半導體層 140: 絕緣層 140a: 第一接觸窗 140b: 第二接觸窗 142: 延伸部 142a: 內表面 142b: 外表面 142c: 端面 144、146: 部分 152、152E、152F: 第一電極 154: 第二電極 160、160A: 反射材料層 162、162A、162B、162C、162D、162F、162G、162H: 反射層 200: 驅動背板 210: 第一接墊 220: 第二接墊 300: 保護膠層 400: 反射堤 A: 空隙 C: 反射杯 G: 間隙 k1: 方向

圖1A至圖1G為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面示意圖。圖2A至圖2G為本發明一實施例之顯示裝置10A的製造流程的剖面示意圖。圖3A至圖3G為本發明一實施例之顯示裝置10B的製造流程的剖面示意圖。圖4A至圖4G為本發明一實施例之顯示裝置10C的製造流程的剖面示意圖。圖5A至圖5F為本發明一實施例之顯示裝置10D的製造流程的剖面示意圖。圖6A至圖6G為本發明一實施例之顯示裝置10E的製造流程的剖面示意圖。圖7A至圖7G為本發明一實施例之顯示裝置10F的製造流程的剖面示意圖。圖8A至圖8F為本發明一實施例之顯示裝置10G的製造流程的剖面示意圖。圖9示出圖6G之顯示裝置10E的出光分佈。圖10為一比較例之顯示裝置20的剖面示意圖。圖11示出圖10之比較例之顯示裝置20的出光分佈。圖12為一比較例之顯示裝置20A的剖面示意圖。圖13示出圖12之比較例之顯示裝置20A的出光分佈。圖14為一比較例之顯示裝置20B的剖面示意圖。圖15示出圖14之比較例之顯示裝置20B的出光分佈。

5: 發光元件 10: 顯示裝置 21: 半導體結構 21a: 第一表面 21b: 第二表面 21c: 側壁 21d: 交界 110: 第一型半導體層 120: 主動層 130: 第二型半導體層 140: 絕緣層 140a: 第一接觸窗 140b: 第二接觸窗 142: 延伸部 142a: 內表面 142b: 外表面 142c: 端面 146: 部分 152: 第一電極 154: 第二電極 162: 反射層 200: 驅動背板 210: 第一接墊 220: 第二接墊 300: 保護膠層 C: 反射杯 G: 間隙 k1: 方向

Claims

一種顯示裝置，包括：一驅動背板；以及一發光元件，設置於該驅動背板上，且電性連接至該驅動背板，其中該發光元件包括：一半導體結構，包括一第一型半導體層、一第二型半導體層和設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間的一主動層；一第一電極，電性連接至該半導體結構的該第一型半導體層；一第二電極，電性連接至該半導體結構的該第二型半導體層；一絕緣層，其中該半導體結構具有背向該驅動背板的一第一表面、面向該驅動背板的一第二表面和連接該第一表面與該第二表面的一側壁，該絕緣層至少覆蓋該半導體結構的該側壁且未覆蓋該半導體結構的該第一表面，該絕緣層具有一延伸部，該延伸部由該半導體結構之該側壁與該第一表面的一交界朝遠離該驅動背板的一方向延伸；以及一反射層，其中該反射層的至少一部分設置該絕緣層的該延伸部上；該絕緣層更覆蓋該半導體結構的該第二表面，且覆蓋在該半導體結構之該第二表面上的該絕緣層的一部分與該驅動背板之間具有一間隙。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該半導體結構、該絕緣層的該延伸部及該反射層的該至少一部分形成一反射杯，該顯示裝置更包括：一保護膠層，覆蓋該驅動背板及該發光元件，且填入該反射杯。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該絕緣層的該延伸部具有一內表面、一外表面及一端面，該內表面位於該外表面與該半導體結構之間，該端面連接該內表面與該外表面；該反射層設置於該延伸部的該外表面及該端面上而未設置於該延伸部的內表面上。
如請求項3所述的顯示裝置，其中該絕緣層的一部分覆蓋該半導體結構的該第二表面，且該反射層更設置於該絕緣層的該部分上。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該絕緣層的該延伸部具有一內表面、一外表面及一端面，該內表面位於該外表面與該半導體結構之間，該端面連接該內表面與該外表面，該反射層設置於該延伸部的該外表面、該內表面及該端面上。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該反射層包括一分散式布拉格反射器。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該絕緣層的該延伸部具有一內表面、一外表面及一端面，該內表面位於該外表面與該半導體結構之間，該端面連接該內表面與該外表面，而該發光元件的該第一電極設置於該絕緣層之該延伸部的該端面上。
如請求項7所述的顯示裝置，其中該發光元件的該第一電極更設置於該絕緣層之該延伸部的該內表面上。
如請求項7所述的顯示裝置，其中該反射層的至少一部分接觸於該半導體結構的該第一表面，以電性連接至該第一型半導體層，且該第一電極電性連接至該反射層。