TWI789631B - 使用發光次組件消毒之發光裝置及方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供涉及消毒發光次組件之方法、系統及設備。一種實例系統包括基板,在該基板上安置有一或多個光發射器。該一或多個光發射器可經組態以藉由發射光來使表面上之微生物滅活。該光可包括在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小於20nm且中心處於大約405nm之波長之半高全寬(FWHM)發射光譜,以集中該光之光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。
Description
本發明之態樣一般而言係關於用於消毒發光次組件之程序、系統及設備。
諸多表面可歸因於其功能之性質而被有害微生物佔據:細菌、黴菌、真菌等。舉例而言,清潔裝置(例如,拖把)可在其清潔表面上包括細菌。作為另一實例,歸因於人類交互作用,用於製備食物之表面(諸如工作臺面)可包括細菌。微生物可透過與表面之接觸傳播(例如,接觸門把手),且可給使用者帶來疾病。由有害微生物佔據的表面可在裝置外部(例如,工作臺面),或裝置內部(例如,加濕器內部)。有害細菌,諸如大腸桿菌(E.coli)、沙氏桿菌、耐性黃色葡萄球菌(MRSA)及困難梭狀芽孢桿菌可見於諸多表面上,且可增加使用者生病或傳播細菌之機會。舉例而言,廚房內之諸多表面(例如,刀板)可與可含有可導致食源性疾病之細菌之生肉及蔬菜接觸。位於內部或外部表面上之微生物可產生令人不愉快的氣味,例如,濕拖把上之細菌;或產生令人不愉快的可見效應,例如,淋浴器表面上之黴菌。有害微生物亦可藏匿於商業環境中之表面上,諸如,舉例而言,食品生產線、室內農業種植室及醫療環境。
以下呈現經簡化發明內容以便提供對本發明之某些方面之基本理解。本發明內容並非係對揭示內容之廣泛概述。其既不意欲識別揭示內容之關鍵或重要元素,亦不意欲描繪本發明之範疇。以下發明內容僅以經簡化方式呈現本發明之某些概念,作為以下說明之前序。
在某些實例中,一種發光裝置可包括:基板及安置在該基板上之一或多個光發射器。該等光發射器可經組態以藉由發射光來滅活遠離該基板一距離之表面上之微生物。該光可包括在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小於20nm且中心處於大約405nm之波長之半高全寬(FWHM)發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。
在某些實例中,一種方法可包括:經由安置在基板上且用以滅活遠離該基板一距離之表面上之微生物之一或多個光發射器發射光。該光可包括在380nm至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小於20nm且中心處於大約405nm之波長之FWHM發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。該光可基於該光之發射導致該表面上之該等微生物之滅活。
在某些實例中,一種發光裝置可包括:基板及安置在該基板上之發光次組件之陣列。該等發光次組件可經組態以藉由發射光來滅活遠離該基板一距離之表面上之微生物。該光可包括在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小
於20nm且中心處於大約405nm之波長之FWHM發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。該發光裝置可包括安置在該基板上且經組態以調整發光次組件之該陣列之輸出之控制器。
100:發光次組件
101:光發射器
102:照明元件
104:基板
106:圓形光引導材料/光引導材料
108:發光次組件
109:光發射器
110:矩形光引導材料/光引導材料
112:基板
114:照明元件
200:發光次組件
201:光發射器
202:第照明元件/照明元件
204:第二照明元件/照明元件
206:基板
208:圓形光引導材料/光引導材料
210:發光次組件
211:光發射器
212:第照明元件/照明元件
214:第二照明元件/照明元件
216:基板
218:正方形光引導材料/光引導材料
300:發光次組件
301:光發射器
302:照明元件
304:基板
306:圓形光引導材料/光引導材料
400:發光次組件
402:光發射器
404:基板
406:控制電路系統
500:發光次組件
502:光發射器
600:發光次組件
602:光發射器
604:矩形基板
700:光發射器
702:距離
704:待消毒之表面/表面/意欲被消毒之表面
706:光束角度
708:光發射器
800:照明裝置
802:光殼體
804:基板
806:光發射器
I:輻射通量
r:激發光源至目標表面之距離
將參考以下各圖詳細闡述本文中之實例,其中相似命名表示相似元件。
圖1A至圖1B圖解說明基板上之實例光發射器之不同視圖。
圖1C至圖1D圖解說明基板上之另一實例光發射器之不同視圖。
圖2A至圖2B圖解說明基板上之具有兩個照明元件之實例光發射器之不同視圖。
圖2C至圖2D圖解說明基板上之具有兩個照明元件之另一實例光發射器之不同視圖。
圖3A至圖3B圖解說明基板上之具有四個照明元件之實例光發射器之不同視圖。
圖4A至圖4B圖解說明實例條帶發光次組件。
圖5A至圖5B圖解說明實例圓形發光次組件。
圖6圖解說明實例矩形發光次組件。
圖7A至圖7B圖解說明用以導致滅活之LED光束角度與對應經照射表面之間的實例關係。
圖8圖解說明實例光發射器及對應基板及殼體。
本申請案主張於2019年9月20日提出申請之美國專利申請案第16/577,766號之權益及優先權。該專利申請案之內容出於任何及所有非限制性目的以全文引用之方式明確併入本文中。
在各種實例之以下說明中,參考形成本發明之一部分且以圖解說明之方式展示之附圖,可實踐本發明之各種實例。應理解,可利用其他實例。
表面可以若干種方式來消毒。一種技術可係使用消毒化學清潔劑或肥皂來進行清潔。化學清潔劑可僅提供間歇式消毒,其可允許有害微生物在清潔之間堆積。某些消毒系統將紫外光(UV)光傳輸至表面以供消毒。UV光曝露對於人類及動物可係有害的,因此當可存在使用者曝露之機會時應關閉UV光。因此,此等系統可涉及複雜控制以防止有害地直接曝露於人。另外,UV光可導致材料(例如,塑膠)及/或表面之降級及泛黃。
380奈米至420奈米(nm)(例如,405nm)之紫色光範圍中之可見光之波長對諸如細菌、酵母菌、黴菌及真菌之微生物可具有致死效應。舉例而言,大腸桿菌(E.coli)、沙氏桿菌、耐性黃色葡萄球菌(MRSA)及困難梭狀芽孢桿菌可易受380nm至420nm光之影響。此等波長可起始與見於此等微生物中之卟啉分子之光反應。卟啉分子可經光敏化且可與其他細胞組分反應以產生活性含氧物(ROS)。ROS可導致無法挽回的細胞損傷且最終破壞、殺死或以其他方式滅活微生物之細胞。由於人類、植物及/或動物不含有相同卟啉分子,因此此技術對於人類曝露可係完全安全的。
在某些實例中,與微生物死亡相關之滅活可包含:當曝露
於消毒光一特定持續時間時,控制及/或減少微生物菌落或個別細胞。
在某些實例中,發光次組件可經組態以藉由使用安全可見光提供連續及/或長期間歇式消毒來進行消毒。在某些實例中,長期間歇式消毒可包括以最小中斷進行連續消毒,例如,消毒若干天或若干週而不中斷。在某些實例中,長期間歇式消毒可包括連續消毒至少2小時。在某些實例中,長期間歇式消毒可包括(例如)連續消毒整夜達大約8小時。本文中所揭示之實例發光次組件可經組態以整合至例如器具或裝置之較大總成中。
本文中所揭示之實例可包含次組件,其包括至少一個光發射器,其中該至少一個光發射器可經組態以發射具有380nm至420nm之範圍中之波長之光。光發射器可包括能夠發射光之任何裝置,諸如,舉例而言,半導體晶粒、LED、具有光轉換層之LED、雷射、電致發光線、電致發光片、撓性LED或OLED。如本文中所闡述,光發射器可包括任何現在已知或後期開發之適合於所陳述波長之材料,諸如,舉例而言,氮化鎵銦(InGaN)或氮化鎵(GaN)。
如本文中所揭示,具有在大約380nm至420nm之範圍中之光之峰值波長,或在某些實例中,多個峰值波長之光可用於細菌性病原體之滅活。舉例而言,大約405nm光可用作峰值波長。在某些實例中,可利用380nm至420nm內之任何波長,且峰值波長可包含特定波長加或減大約5nm。
以瓦特為單位量測之輻射通量係來自光源之總功率。輻照度係在遠離光源一距離處之每單位面積之功率。在某些實例中,目標表面上之來自光源之目標輻照度可係10mW/cm2。舉例而言,可由定位為距目
標表面1cm,具有10mW之輻射通量之光源提供10mW/cm2目標輻照度。在另一實例中,光源可定位為距目標表面5cm。在具有10mW/cm2之目標輻照度之情形下,光源可經組態以產生大約250mW之輻射通量。此等計算可近似地基於平方反比定律,如方程式1中所展示,其中可將激發光源假定為點源,E係輻照度,I係輻射通量,且r係自激發光源至目標表面之距離。
表面上之光之最小輻照度(例如,在380nm至420nm波長中)可導致微生物滅活。舉例而言,0.02毫瓦特/平方釐米(mW/cm2)之最小輻照度隨時間(例如,數個週)可導致表面上之微生物滅活。在某些實例中,0.05mW/cm2之輻照度可滅活表面上之微生物,但諸如0.1mW/cm2、0.5mW/cm2、1mW/cm2或2mW/cm2之較高值可用於較快微生物滅活。在某些實例中,在較短時間週期內可使用甚至更高輻照度,例如,3mW/cm2至10mW/cm2。在其中經發射光極其接近於意欲被消毒之表面(例如,0.5mm至50mm)之某些實例中,可達成甚至更高輻照度,例如,10mW/cm2至50mW/cm2。本文中所揭示之實例光發射器可經組態以在既定表面處產生具有此等輻照度之光。
在某些實例中,用於微生物滅活之光可包含足以滅活至少一種細菌種群,或在某些實例中,複數個細菌種群之輻射量測能量。一或多個光發射器可具有自380nm至420nm光量測之某一最小量的輻射量測能量(例如,針對一個光發射器之10mW、20mW、100mW、1000mW或3000mW)。
劑量(以焦耳/cm2為單位量測)可係用於判定在一時間週期內用於滅活微生物之適當輻照度之另一度量。以下表1展示基於不同曝露時間,以mW/cm2為單位與以焦耳/cm2為單位之輻照度之間的實例相關性。此等值係實例且諸多其他值可係可能的。
表2展示使用405nm光滅活實例細菌物種之劑量之實例。本文中所展示之實例劑量及其他計算可係來自實驗室環境之實例,且可不表示其他情景中之實例劑量或計算。舉例而言,真實世界應用可需要可不同於實例實驗室資料之本文中所執行之劑量或其他計算。滅活可由Log10減少來量測。405nm光之其他劑量可與以下未列舉之其他細菌一起使用。
輻照度可基於劑量及時間來判定。舉例而言,若期望30焦耳/cm2之劑量且待消毒之物件將曝露於光整夜達8小時,則輻照度可係大約1mW/cm2。若期望50焦耳/cm2之劑量且待消毒之物件將曝露於光48小時,則大約0.3mW/cm2之較小輻照度可係充足的。
為本文中所揭示之實例發光次組件供電之一時間週期可基於輻照度及劑量來判定。舉例而言,裝置可經組態以發射一輻照度之消毒能量(例如,0.05mW/cm2)且目標細菌可需要施加20焦耳/cm2之消毒能量劑量來殺死目標細菌。處於0.05mW/cm2之消毒光可具有大約4.6天之最小曝露時間來
達成20焦耳/cm2之劑量。劑量值可由細菌中之目標減少來判定。一旦細菌計數減少至所期望量,便可連續施加消毒光以保持細菌計數下降。
各種色彩之光可以其在380nm至420nm之波長範圍內之光譜功率分佈之一百分比(例如,75%)來加以利用。在某些實例中,光之色彩可與380nm至420nm之波長範圍內之30%至100%光譜功率分佈之百分比一起利用。在其他實例中,諸如,舉例而言,藍色、綠色及紅色之色彩可與380nm至420nm之範圍內,可提供消毒能量之光譜能量之最小百分比(例如,20%)一起使用。
光譜能量之比例可由規定波長範圍內(例如,380nm至420nm)之光譜能量之量除以光譜能量之總量來判定。光譜能量之比例可呈現為能量之總量之百分比。
在某些實例中,歸因於紫色及低色彩品質特性,在380nm至420nm之波長範圍中提供之光可不足以用於普通照射目的。在某些實例中,此光可用於未被人類佔用之空間中,或已使用用於普通照射之額外白色照明之空間中。在其中發光次組件整合至例如加濕器之裝置中之某些實例中,可不需要普通白色光照射。
在某些實例中,可採用連續消毒。舉例而言,可連續照射意欲被消毒之表面(例如,每天照射19小時或一次照射多個星期)。表面可被照射第一百分比之時間(例如,80%之時間)且不被照射第二百分比之時間(例如,20%之時間)。舉例而言,當與物件或表面交互作用時,例如,當使用砧板時,可不照射表面或物件。在某些實例中,可採用間歇式消毒,諸如,舉例而言,表面可僅在夜裡照射及消毒,例如,每天8小時。
在本文中所揭示之實例中,發光次組件100可包括光發射器
101,如圖1A至圖1B中所展示。光發射器101可包括照明元件102,例如,LED晶粒。發光次組件100可進一步包括基板104及圓形光引導材料106,例如,透鏡。光引導材料106可覆蓋照明元件102,使得由照明元件102提供之光可穿過光引導材料106。在某些實例中,光引導材料106可在自照明元件102發射之光之直接路徑中,而不完全覆蓋照明元件102。在某些實例中,光引導材料106可包括照明元件102上方之圓頂形狀,如圖1B中所展示。
在某些實例中,照明元件102可包括能夠發射光之任何裝置,諸如,舉例而言,半導體晶粒、LED、具有光轉換層之LED、雷射、電致發光線、電致發光片、撓性LED及OLED。
圖1C至圖1D圖解說明發光次組件108,其具有矩形光引導材料110。發光次組件108可包括光發射器109及基板112。光發射器109可包括照明元件114。光引導材料110可覆蓋照明元件114,使得由照明元件114提供之光可穿過光引導材料110。在某些實例中,光引導材料110可在自照明元件114發射之光之直接路徑中,而不完全覆蓋照明元件114。光引導材料110可包括垂直於由照明元件114發射之光之扁平定向,如圖1D中所展示。
圖2A至圖2B展示發光次組件200,其可包括光發射器201。光發射器201可包括第一照明元件202及第二照明元件204。在某些實例中,第一照明元件202與第二照明元件204可係相同的且發射實質上類似的光。在其他實例中,第一照明元件202與第二照明元件204可係不同的,例如,發射不同光譜功率分佈之光。發光次組件200可包括基板206。光發射器201可包括圓形光引導材料208。光引導材料208可覆蓋第
一照明元件202及第二照明元件204,使得由第一照明元件202及第二照明元件204提供之光可穿過光引導材料208。在某些實例中,光引導材料208可在自第一照明元件202及第二照明元件204發射之光之直接路徑中,而不完全覆蓋第一照明元件202及第二照明元件204。在某些實例中,光引導材料208可在自第一照明元件202或第二照明元件204中之僅一者發射之光之直接路徑中,或完全覆蓋第一照明元件202或第二照明元件204中之僅一者。在某些實例中,光引導材料208可包括第一照明元件202及第二照明元件204上方之圓頂形狀,如圖2B中所展示。
圖2C至圖2D展示發光次組件210,其可包括光發射器211。光發射器211可包括第一照明元件212及第二照明元件214。在某些實例中,第一照明元件212及第二照明元件214可係相同的且發射實質上類似的光。在其他實例中,第一照明元件212與第二照明元件214可係不同的,例如,發射不同光譜功率分佈之光。發光次組件210可包括基板216及正方形光引導材料218。光引導材料218可覆蓋第一照明元件212及第二照明元件214,使得由第一照明元件212及第二照明元件214提供之光可穿過光引導材料218。在某些實例中,光引導材料218可在自第一照明元件212及第二照明元件214發射之光之直接路徑中,而不完全覆蓋第一照明元件212及第二照明元件214。在某些實例中,光引導材料218可在自第一照明元件212或第二照明元件214中之僅一者發射之光之直接路徑中,或完全覆蓋第一照明元件212或第二照明元件214中之僅一者。在某些實例中,光引導材料218可包括第一照明元件212及第二照明元件214上方之圓頂形狀,如圖2D中所展示。
圖3A至圖3B展示發光次組件300,其可包括光發射器301。
光發射器301可包括四個照明元件302。在某些實例中,四個照明元件302中之每一者可係相同的且發射實質上類似的光。在其他實例中,四個照明元件302可係不同的,例如,發射不同光譜功率分佈之光。在其他實例中,可使用類似或相異照明元件302之任何其他組合。發光次組件300可包括基板304及圓形光引導材料306。光引導材料306可覆蓋照明元件302,使得由照明元件302提供之光可穿過光引導材料306。在某些實例中,光引導材料306可在自照明元件302發射之光之直接路徑中,而不完全覆蓋照明元件302。在某些實例中,光引導材料306可在自照明元件302中之僅數目發射之光之直接路徑中,或完全覆蓋照明元件302中之僅數目。在某些實例中,光引導材料306可包括照明元件302上方之圓頂形狀,如圖3B中所展示。
在某些實例中,光引導材料306可包括光轉換材料,諸如,舉例而言,可用於提供光學濾波(例如,高通、帶通或低通濾波器功能性)之濾波器、漫射器及/或光學器件。舉例而言,若期望400nm至420nm之範圍內之光,光學濾波元件可截止高於、低於及/或所期望範圍之外的波長。光學濾波可減少或阻擋任何潛在的有害波長,例如,低於380nm。光學濾波可減少歸因於UV波長之UV曝露或材料降級之風險。在某些實例中,可用於提供光學濾波之光轉換材料、濾波器、漫射器及/或光學濾波元件可在發光次組件300外部,且在某些實例中可覆蓋光發射器301或整個發光次組件300。
用於燈具或燈泡之透鏡、漫射器、反射器、光學器件、保護屏蔽及其他透射組件之材料選擇可有助於發光次組件100、108、200、210、300之總體效率。材料之選擇可影響透射及/或反射效率。用於普通
照射源(例如,白熾燈、螢光燈及RGB/藍色泵激磷光體轉換LED)之反射器及/或可透射組件可包含舉例而言塑膠、玻璃、塗層及其他材料。白熾燈、螢光燈及RGB/藍色泵激磷光體轉換LED可極少依賴於近UV波長來提供照射。另外,對於近UV範圍中之光之波長(例如,波長係大約380nm至420nm),此等反射器或透射組件中之諸多反射器或透射組件可展現反射比或透射效率之急劇下降(例如,在某些實例中接近於零)。由不適當反射或透射材料製成之燈具或燈泡可導致380nm至420nm範圍中之光展示光譜能量之減小。反射及透射材料可基於來自光源之光之輸出來選擇。在某些實例中,漫射器可允許380nm至420nm範圍中之至少50%總透射。在某些實例中,漫射器可允許380nm至420nm範圍中之至少75%總透射。
在某些實例中,用於反射器或漫射器之材料可經選擇使得其可儘可能多地透射380nm至420nm光。在某些實例中,可期望選擇可不實質上吸收380nm至420nm範圍中之光之材料(例如,塑膠、樹脂、熱塑性樹脂或聚合物)。
在某些實例中,照明元件102、114、202、204、212、214、302可具有小半高全寬(FWHM)發射光譜(例如,12.5nm、13.5nm、14.7nm、16nm、20nm),以便集中圍繞大約405nm之峰值之能量。將能量集中至其中其提供消毒之目標範圍最小化目標範圍之外的不可使用能量之浪費。將能量集中至FWHM發射光譜可藉由減少可滲入UV範圍之波長之強度來增加安全性。在某些實例中,FWHM可小於20nm,介於12nm與20nm之間及/或13.5nm。在某些實例中,光引導材料106、110、208、218、306可提供所期望小FWHM發射光譜。在某些實例中,光引導材料106、110、208、218、306可藉由舉例而言提供濾波或光轉換
來提供所期望小FWHM發射光譜。
在某些實例中,光引導材料106、110、208、218、306可包括磷光體、光學增白劑、磷光體之組合、光學增白劑之組合,或磷光體與光學增白劑之組合。在某些實例中,光引導材料106、110、208、218、306可包括量子點、磷光性材料、螢光團、螢光染料、導電聚合物,或任何一或多種類型之光轉換材料之組合。在某些實例中,光引導材料106、110、208、218、306可包括活化劑(例如,光轉換元件)及宿主(例如,非光轉換元件)。如本文中所揭示,磷光體或其他光轉換材料可直接沈積在發光次組件上,或可距照明元件102、114、202、204、212、214、302遙遠,或自照明元件102、114、202、204、212、214、302進一步移除。舉例而言,光轉換材料可沈積為保形塗層、經摻雜密封劑、黏合劑材料或遠端磷光體。
在某些實例中,可期望耗散由如本文中所揭示之光發射器之照明元件或其他組件產生之熱。經減小操作溫度可增加裝置之可靠性及壽命。熱可影響由LED發射之峰值波長及光譜。舉例而言,隨著溫度升高,峰值波長可移位至較長波長及/或整個光譜可經移動而遠離UV光且朝向可見光。類似地,隨著溫度降低,峰值波長可移位至較短波長及/或整個光譜可經移動而遠離可見光且朝向UV光。因此,可期望將溫度約束至特定範圍以便將所期望峰值波長或光譜維持在某一公差內。在某些實例中,光發射器可耦合至散熱器(未展示)。散熱器可由塑膠、陶瓷或金屬(包含舉例而言鋁、鋼或銅)製成。散熱器亦可由塑膠或陶瓷材料製成。在某些實例中,散熱器可永久地耦合至光發射器,或以其他方式視為組成光發射器或發光次組件之總成之一部分。
在某些實例中,具有光發射器101、109、201、211、301之發光次組件400之基板104、112、206、216、304、404可包括電路板或印刷電路板,如圖4A中所展示。在某些實例中,發光次組件400之電路板可填充有光發射器402。在某些實例中,電路板可含有或連接至控制電路系統406,該控制電路系統可控制自光發射器402發射之光。在某些實例中,控制電路系統406可判定將被供電之光發射器402之數目。控制電路系統406可控制光發射器402並基於若干個因素,諸如,舉例而言,發光次組件400與待消毒之表面之間的距離、時間、起始待滅活之微生物之滅活所需之臨限值輻照度、及由單個光發射器402提供之輻照度來判定接通哪些光發射器402。控制電路系統406亦可控制舉例而言光發射器402接通或關斷之時間量,且可包括例如運動感測器的佔用感測器。控制電路系統406可經組態以基於佔用感測器調整發光次組件400,例如,調整光譜能量在特定波長處之濃度。
光發射器402及控制電路系統406可經組態以連接至電源(未展示)。在某些實例中,本文中所揭示之光發射器402、發光次組件400、燈具、或裝置可透過電源插座、電力供應器、電池或可再充電電池及/或無線或感應充電來供電。在包括可再充電電池之某些實例中,可再充電電池可藉由舉例而言AC電源或太陽能板來充電。在某些實例中,可利用AC電源及AC至DC轉換器,例如,LED驅動器或電力供應器。在某些實例中,當可用時,可利用直流DC電源。在某些實例中,無線或感應充電可為燈具或裝置充電或供電。
發光次組件400之基板404可在材料、形狀、大小、厚度、靈活性上變化,且以其他方式符合特定應用。基板404之基底材料可包括
各種材料,諸如,舉例而言,鋁、FR-4(玻璃增強環氧樹脂層壓材料)、鐵氟龍、聚醯亞胺或銅。
圖4A至圖6展示若干個不同發光次組件形狀,諸如,舉例而言,直線、圓形或矩形。發光次組件之陣列可由多個發光次組件400形成。在某些實例中,發光次組件之陣列可包括多個經連接發光次組件400,如圖4B中所展示。控制電路系統406可基於判定為哪些光發射器402供電來變化提供照射之陣列之形狀,例如,控制電路系統406可為光發射器402之一部分供電以照射較藉由照射發光次組件400之整個陣列可覆蓋的小的區域。
在某些實例中,發光次組件500可形成圓圈,如圖5A至圖5B中所展示。圖5A展示發光次組件500,其具有圓形基板504及圓形地配置於其上之光發射器502。圖5B展示類似發光次組件500,其中圓形基板504在其內具有孔506。
在某些實例中,發光次組件600可形成矩形,如圖6中所展示。圖6展示發光次組件600,其具有矩形基板604及配置於其上之光發射器602。
在某些實例中,光發射器或發光次組件可包括保形塗層。該保形塗層可包括與發光次組件輪廓一致的聚合物膜。保形塗層可提供防止舉例而言冷凝或其他液體之進入保護。
在某些實例中,待消毒之表面可緊鄰近於發光次組件。在此等實例中,發光次組件或發光次組件之陣列可需要較消毒原本所需的多的光發射器。由單個光發射器照射之區域可受到光發射器之光束角度限制。若光發射器被移動得更遠,則相同光發射器可照射待消毒表面之較大
表面積。因此,與較遠距離處之發光次組件相比,發光次組件可需要經增加數目之光發射器來使用消毒光覆蓋待消毒表面之整個表面積。圖7A圖解說明自本文中所揭示之光發射器發射之光之角度。光發射器700可與待消毒之表面704間隔開距離702。光發射器700可發射以光束角度706向外朝向表面704擴散之光。光束角度706可包括自光發射器700發射之光之角度之一半(以度為單位),其中光之強度係光發射器700之最大發射強度之至少50%。在某些實例中,光發射器700可包括LED,且光束角度706可係130度,例如,自光發射器(其中光之強度係最大發射強度之至少50%)發射之光之角度係130度。在其中來自光發射器700之光不擁有合理對稱之某些實例中,可針對彼此成90度之兩個平面給出光束角度706。
如圖7B中所展示,由一個光發射器708照射之總表面積可藉由光束角度706及自光發射器700至意欲被消毒之表面704之距離702來判定。具有較大光束角度706之光發射器700可提供由一個光發射器708照射之較大總表面積。光發射器700與表面704之間的經增加距離702亦可增加由一個光發射器708照射之總表面積。消毒整個待消毒之表面704可需之光發射器700之總數目可係基於由一個光發射器708照射之總表面積。隨著自意欲被消毒之表面704至光發射器700之距離702減小,消毒表面可需之光發射器700之數目可增加。
在某些實例中,意欲被消毒之表面704可係光發射器700上方之保護層。在其他實例中,待消毒之表面704可係可放置於光發射器700上方之保護表面之頂部上之物件,例如,手機。在某些實例中,諸如,舉例而言,當光發射器700接近於(例如,2cm或更少)待消毒之表面704時,由一個光發射器708照射之總表面積可與待消毒之表面704之表面
積實質上相同。在某些實例中,由一個光發射器708照射之總表面積可不與待消毒之表面704之表面積相同。
在一項實例中,由發光次組件照射之總表面積可係15cm x 15cm且待消毒之表面704之表面積可係實質上相同大小。若自發光次組件至表面704之距離702係1.5cm,且光發射器700具有130度之光束角度,則由一個光發射器708照射之總表面積可係32.5cm2,且發光次組件可需要7個光發射器700來覆蓋整個表面704。在另一實例中,由發光次組件照射之總表面積可係100cm x 100cm且待消毒之表面704之表面積可係實質上相同大小。若自發光次組件至表面704之距離702係1cm,且光發射器700具有130度之光束角度,則發光次組件可需要693個光發射器700。在另一實例中,由發光次組件照射之總表面積可係100cm x 100cm且待消毒之表面704之表面積可係實質上相同大小。若自發光次組件至表面704之距離702係4cm,且光發射器700具有130度之光束角度,則由一個光發射器708照射之總表面積可係231.2cm2,且發光次組件可需要44個光發射器700。
在某些實例中,發光次組件可經組態以整合至器具或裝置之總成中。圖8展示照明裝置800。照明裝置800可包括光殼體802。發光次組件可附接至光殼體802,或以其他方式安裝在光殼體802內。發光次組件可包括基板804,其具有形成發光次組件之光發射器806。舉例而言,可包括光殼體802之器具或裝置可係加濕器(未展示)。
藉由實例之方式,下文論述各種光發射器及發光次組件以及特徵。此等特徵可經分離、組合、重新配置及/或一起使用。在某些實例中,光發射器可包括表面安裝LED裝置,其可包含LED及光轉換材料。
在某些實例中,表面安裝LED裝置可安裝至印刷電路板(「PCB」)上,或以其他方式組態以將電力傳送至發光裝置及LED。LED可透過接合線或導線耦合至PCB,該等接合線或導線達成自LED至裝置之外部之電連接。在某些實例中,表面安裝LED裝置可具有透鏡、密封劑或其他保護蓋。
在某些實例中,光發射器可包括晶片級封裝(CSP)或覆晶CSP,其可在不使用傳統陶瓷/塑膠封裝及/或接合線之情形下封裝光發射器,且可使得基板能夠直接附接至PCB。
在某些實例中,可存在一個以上光發射器且光發射器可配置為大致上均勻地間隔開之陣列。
在某些實例中,發光次組件可包括由光轉換材料含納之LED陣列,該光轉換材料可由密封劑含納且支撐於基板上。
在某些實例中,燈具或裝置可與一或多個發光次組件整合。燈具或裝置可包括額外材料及組件,例如,LED驅動器、殼體、塑膠漫射器、端蓋、線束、控制電路系統、硬體及/或用於安裝發光次組件之構件。
在某些實例中,發光次組件可係電路板。
在某些實例中,發光次組件可由鋁製成。
在某些實例中,發光次組件可由FR-4製成。
在某些實例中,發光次組件可填充有一或多個光發射器。
在某些實例中,一或多個光發射器可係一或多個發光二極體(LED)。
在某些實例中,一或多個光發射器可發射380nm至420nm之範圍中之光。
在某些實例中,一或多個光發射器可發射具有大約405nm之峰值波長之光。
在某些實例中,由一或多個光發射器發射之光可係實質上相同的。
在某些實例中,由一或多個光發射器發射之光可具有不超過20nm之半高全寬。
在某些實例中,發光次組件可係撓性的。
在某些實例中,發光次組件可係剛性的。
在某些實例中,一或多個光發射器可經組態以在目標表面上提供至少0.1mW/cm2之輻照度。
在某些實例中,一或多個光發射器可經組態以在目標表面上提供0.1mW/cm2與10mW/cm2之間的輻照度。
在某些實例中,發光次組件可經組態以滅活表面上之微生物。
在某些實例中,發光次組件可包括或以其他方式連接至可控制光輸出之驅動電路系統。
在某些實例中,發光次組件之大小及靈活性可經客製化而用於各種應用。
在某些實例中,發光次組件可包括黏性背部。
在某些實例中,發光次組件可包括除光發射器之外的組件。
在某些實例中,發光次組件之僅一側可填充有光發射器及/或組件。
在某些實例中,發光次組件之兩側可填充有光發射器及/或組件。
在某些實例中,發光次組件可連接至LED驅動器,其控制提供至發光次組件之電壓及電流。
在某些實例中,控制電路系統可能夠控制包含照射之亮度及/或持續時間之光之輸出。
在某些實例中,發光次組件可保形地塗佈,用於保護一或多個光發射器。
在某些實例中,一種發光裝置可包括基板及安置在該基板上之一或多個光發射器。該等光發射器可經組態以藉由發射光來滅活遠離該基板一距離之表面上之微生物。該光可包括在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小於20nm且中心處於大約405nm之波長之半高全寬(FWHM)發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。
在某些實例中,在表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度可包括至少0.02毫瓦特/平方釐米(mW/cm2)。
在某些實例中,發光裝置可包括感測器,其經組態以偵測包括表面之區域之佔用率。發光裝置可包括控制器,其經組態以基於感測器偵測區域之佔用率調整在380nm至420nm波長範圍中量測之0%與100%之間的光之光譜能量之比例。
在其中光係第一光之某些實例中,發光裝置可包括轉換材料,其配置在第一光之直接路徑中且經組態以基於該第一光產生第二光,
該第二光包括380nm至420nm波長範圍之外的波長。
在某些實例中,發光裝置之基板可包括鋁、玻璃增強環氧樹脂壓層、鐵氟龍、聚醯亞胺或銅中之一或多者。
在某些實施例中,光發射器可包括一或多個發光二極體(LED)。
在某些實例中,一或多個光發射器可組態為基板上之光發射器之陣列。
在某些實例中,該等一或多個光發射器之數目可基於表面遠離基板之距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物,或基於一或多個光發射器中之至少一者之光束角度來判定。
在某些實例中,一或多個光發射器可基於表面遠離基板之距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於一或多個光發射器中之至少一者之光束角度來配置。
在某些實例中,由一或多個光發射器發射之光之輻射量測能量可係基於表面遠離基板之距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於一或多個光發射器中之至少一者之光束角度。
在某些實例中,來自發光裝置之光之FWHM發射光譜可包括對應於在380nm至420nm波長範圍中量測之光之FWHM發射光譜。
在某些實例中,一種方法可包括:經由安置在基板上且用以滅活遠離該基板一距離之表面上之微生物之一或多個光發射器發射光。該光可包括在380nm至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小於20nm且中心處於大約405nm之波長之FWHM發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長
範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。該光可基於該光之發射導致該表面上之該等微生物之滅活。
在方法之某些實例中,在表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度可包括至少0.02毫瓦特/平方釐米(mW/cm2)。
在某些實例中,該方法可包括經由感測器偵測包括表面之區域之佔用率。該方法可包括經由與感測器及一或多個光發射器通信之控制器,且基於偵測區域之佔用率調整在380nm至420nm波長範圍中量測之0%與100%之間的光之光譜能量之比例。
其中光係第一光之方法之某些實例可包括:經由配置在第一光之直接路徑中之轉換材料導致第一光之轉換,使第一光轉換為包括在380nm至420nm波長範圍之外的波長之第二光。
在某些實例中,該方法可包括:將一或多個光發射器組態為基板上之光發射器之陣列。
該方法之某些實例可包括:判定光發射器與表面之間的距離,並判定表面之大小。該方法可進一步包括:基於光發射器與表面之間的經判定距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於一或多個光發射器中之至少一者之光束角度,判定用以滅活微生物之光發射器之數目。該方法可包括:為經判定數目之光發射器供電達一時間週期。
在某些實例中,一或多個光發射器可基於表面遠離基板之距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於一或多個光發射器中之至少一者之光束角度來配置。
在某些實例中,由一或多個光發射器發射之光之輻射量測
能量可係基於表面遠離基板之距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於一或多個光發射器中之至少一者之光束角度。
在某些實例中,發光裝置可包括發光次組件之陣列。發光次組件可經組態以藉由發射光來滅活遠離發光次組件一距離之表面上之微生物。該光可包括在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例。該光可包括小於20nm且中心處於大約405nm之波長之FWHM發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量。該光可包括在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。發光裝置可包括安置在基板上且經組態以調整發光次組件之陣列之輸出之控制器。
在某些實例中,控制器可經組態以基於由發光次組件之陣列發射之光已被發射之時間來調整由發光次組件之該陣列發射之光之輻射量測能量。
在某些實例中,發光裝置之控制器可經組態以調整在380nm至420nm波長範圍中量測之0%與100%之間的光譜能量之比例。
在某些實例中,控制器可經組態以判定發光次組件之陣列與表面之間的距離,並判定表面之大小。控制器可經組態以基於發光次組件之陣列與表面之間的經判定距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於至少一個發光次組件之光束角度來判定滅活微生物之發光次組件之數目。控制器可經組態以為經判定數目之發光次組件供電達一時間週期。
在某些實例中,發光次組件可基於發光次組件之陣列與表面之間的距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於發光次組件
中之至少一者之光束角度來配置。
在某些實例中,由發光次組件發射之光之輻射量測能量可係基於發光次組件之陣列與表面之間的一距離,基於表面之大小,基於待滅活之微生物或基於發光次組件中之至少一者之光束角度。
如本文中貫穿本說明書及申請專利範圍所使用,近似語言可經應用以修飾可獲准地變化而不導致與其相關之基本功能之改變之任一定量表示。因此,由諸如「約」、「大約」及「實質上」之一術語或若干術語修飾之值並不限於所規定之精確值。本文中所識別之值可在所陳述值之+/-10%之間變化,且仍如所闡述地起作用。在至少某些例項中,近似語言可對應於用於量測該值之儀器之精確度。在此處及貫穿本說明書及申請專利範圍,範圍限制可經組合及/或互換,此等範圍經識別且包含本文中含納之所有子範圍,除非內容脈絡或語言另有指示。
以上揭示內容陳述各種實例。可視需要針對不同實施方式對其做出修改。舉例而言,步驟及/或組件可經細分、組合、重新配置、移除及/或括增;在單個裝置或複數個裝置上執行;並行、串行地執行或其任何組合。可添加額外特徵。
100:發光次組件
101:光發射器
102:照明元件
104:基板
106:圓形光引導材料/光引導材料
Claims (22)
- 一種發光裝置,其包括:基板;及一定數目個光發射器,其安置在該基板上且經組態以發射光來使遠離該基板一距離之表面上之微生物滅活,其中沒有光轉換材料安置在自該數目個光發射器發射之該光之直接路徑中,其中光發射器之該數目係基於該數目個光發射器之光束角度及該距離,及其中該光之至少一部分垂直於該表面之一部分,該光包括:在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例;小於20nm且中心處於大約405nm之波長之半高全寬(FWHM)發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量;及在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器配置在該基板上以跨越該表面提供至少0.02毫瓦特/平方釐米(mW/cm2)之實質上均勻輻照度。
- 如請求項1之發光裝置,其進一步包括:感測器,其經組態以偵測包括該表面之區域之佔用率;及控制器,其經組態以基於該感測器偵測該區域之佔用率來調整在該 380nm至420nm波長範圍中量測之在0%與100%之間的該光之該光譜能量之該比例。
- 如請求項1之發光裝置,其中該數目個光發射器包括第一數目個光發射器,該發光裝置進一步包括:第二數目個光發射器,其經組態以發射該光;及光轉換材料,其安置在由該第二數目個光發射器發射之該光之直接路徑中且經組態以產生第二光,該第二光包括在該380nm至420nm波長範圍之外的波長。
- 如請求項1之發光裝置,其中該基板包括鋁、玻璃增強環氧樹脂壓層、鐵氟龍、聚醯亞胺或銅中之一或多者。
- 如請求項1之發光裝置,其中該數目個光發射器中之至少一者包括發光二極體(LED)。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器組態為陣列。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係進一步基於該表面之大小、待滅活之微生物或足以起始該表面上之微生物之滅活之最小輻照度。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器基於該距離、該表面之大小或該數目個光發射器之該等光束角度而配置在該基板上。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器配置在該基板上以在該表面處提供最小輻照度,該最小輻照度係該表面處之最大輻照度之至少50%。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器配置在該基板上使得自該數目個光發射器中之鄰近光發射器發射之該光之邊界在該表面處相交。
- 如請求項1之發光裝置,其中光發射器之該數目係一個。
- 一種使用發光次組件消毒之方法,其包括:判定安置在基板上以使遠離該基板一距離之表面上之微生物滅活之光發射器之數目,其中光發射器之該數目係基於該數目個光發射器之光束角度及該距離來判定;經由該數目個光發射器發射光,該光包括:在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例;小於20nm且中心處於大約405nm之波長之半高全寬(FWHM)發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中 之波長相關聯之能量;及在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度,其中沒有光轉換材料安置在經由該數目個光發射器發射之該光之直接路徑中,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器配置在該基板上以跨越該表面提供至少0.02毫瓦特/平方釐米(mW/cm2)之實質上均勻輻照度;及基於發射該光而導致該表面上之該等微生物之滅活。
- 如請求項13之方法,其進一步包括:經由感測器偵測包括該表面之區域之佔用率;及經由與該感測器及該數目個光發射器通信之控制器且基於偵測該區域之佔用率調整在該380nm至420nm波長範圍中量測之在0%與100%之間的該光之該光譜能量之該比例。
- 如請求項13之方法,其中該數目個光發射器包括第一數目個光發射器,該方法進一步包括:由第二數目個光發射器發射該光;及經由安置在由該第二數目個光發射器發射之該光之直接路徑中之光轉換材料產生第二光,該第二光包括在該380nm至420nm波長範圍之外的波長。
- 如請求項13之方法,其中光發射器之該數目係至少兩個,該方法進一步包括將該數目個光發射器組態為該基板上之光發射器陣列。
- 如請求項13之方法,其中判定光發射器之該數目係進一步基於該表面之大小、待滅活之微生物或足以起始該表面上之微生物之滅活之最小輻照度,該方法進一步包括為該等光發射器供電達一時間週期。
- 如請求項13之方法,其中光發射器之該數目係至少兩個,且其中該數目個光發射器基於該距離、該表面之大小、待滅活之微生物或該數目個光發射器之該等光束角度而配置在該基板上。
- 一種發光裝置,其包括:發光次組件之陣列,其安置在基板上且經組態以發射光來使遠離該基板一距離之表面上之微生物滅活,其中沒有光轉換材料安置在自該等發光次組件之該陣列發射之該光之直接路徑中;其中該光包括:在380奈米(nm)至420nm波長範圍中量測之大於50%的該光之光譜能量之比例;小於20nm且中心處於大約405nm之波長之半高全寬(FWHM)發射光譜,以集中該光之該光譜能量並最小化與滲入紫外光波長範圍中之波長相關聯之能量;及在該表面處足以起始該表面上之微生物之滅活之輻照度;及控制器,其與發光次組件之該陣列通信且經組態以調整發光次組件之該陣列之輸出,及其中該控制器經組態以基於由該等發光次組件之該陣列發射之該光已被發射之時間來調整由發光次組件之該陣 列發射之該光之輻射量測能量;其中該等發光次組件之該陣列中之該等發光次組件之數目係基於該等發光次組件之光束角度及該距離。
- 如請求項19之發光裝置,其中該控制器經組態以調整在380nm至420nm波長範圍中量測之在0%與100%之間的該光譜能量之該比例。
- 如請求項19之發光裝置,其中:該等發光次組件之該陣列中之該等發光次組件之該數目係進一步基於該表面之大小、待滅活之微生物或足以起始該表面上之微生物之滅活之最小輻照度;且該控制器為該等發光次組件供電達一時間週期。
- 如請求項19之發光裝置,其中該等發光次組件之該陣列中之該等發光次組件之該數目係至少兩個,且其中該等發光次組件基於該距離、該表面之大小、待滅活之微生物或該等發光次組件之該等光束角度而配置在該基板上。
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