TWI763441B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置包括支撐板、線路圖案、多個顯示模組與光學填充材料。線路圖案與顯示模組設置在支撐板上。各個顯示模組包括控制基板、多個發光元件與光學填充材料。控制基板包括層體與多個導電件。這些導電件位於層體內，並電性連接線路圖案。這些發光元件設置在控制基板上。光學填充材料全面性覆蓋這些顯示模組，並填入於至少相鄰兩個顯示模組之間的縫隙內。

Description

顯示裝置及其製造方法

本發明是有關於一種顯示裝置及其製造方法，且特別是有關於一種拼接型顯示裝置（tiled display device）及其製造方法。

現有的拼接型顯示裝置通常是由多個顯示模組拼裝而成，其中相鄰兩個顯示模組之間難免存有間隙。大部分的拼接型顯示裝置通常會受到上述間隙的影響，以至於現有的拼接型顯示裝置所顯示的影像會清楚地呈現由上述間隙所形成的多條拼接縫（seam），其例如是亮線。因此，目前的拼接型顯示裝置普遍受到上述拼接縫的影響而具有影像品質不佳的缺點。

本發明至少一實施例提出一種顯示裝置的製造方法，以消除拼接縫或減輕拼接縫對影像品質的不良影響。

本發明另一實施例提出一種顯示裝置，其由上述製造方法所製成。

本發明至少一實施例所提出的顯示裝置包括支撐板、線路圖案、多個顯示模組與光學填充材料。支撐板具有支撐面，而線路圖案設置在支撐面上。這些顯示模組設置在支撐面上，其中各個顯示模組包括控制基板、多個發光元件與光學填充材料。控制基板包括層體與多個導電件，其中層體具有第一表面以及相對第一表面的第二表面。這些導電件位於層體內，並從第二表面朝向第一表面延伸，其中這些導電件電性連接線路圖案。這些發光元件設置在第一表面上，並電性連接控制基板。光學填充材料全面性覆蓋這些顯示模組，並填入於至少相鄰兩個顯示模組之間的縫隙內，其中這些顯示模組位於支撐板以及光學填充材料之間。

在本發明至少一實施例中，相鄰兩個顯示模組之間的距離在50微米以下。

在本發明至少一實施例中，上述線路圖案包括多個接合墊（bonding pad）與多個接觸墊（contact pad）。這些走線連接這些接合墊與這些接觸墊，其中這些顯示模組覆蓋這些走線與這些接觸墊，但不覆蓋這些接合墊，而這些導電件分別電性連接這些接觸墊。

在本發明至少一實施例中，上述顯示裝置還包括光學膜層，其中光學膜層設置在光學填充材料上。

在本發明至少一實施例中，各個控制基板還包括畫素陣列與多個接觸窗。畫素陣列與這些接觸窗皆設置在層體內。這些接觸窗設置在層體內，並連接畫素陣列與這些導電件。

在本發明至少一實施例中，各個顯示模組還包括密封材料，其中密封材料設置在控制基板上，並覆蓋這些發光元件。

本發明至少一實施例所提出的顯示裝置的製造方法包括在承載基板上形成控制基板群組，其中控制基板群組包括多個彼此相連的控制基板。之後，設置多個發光元件於控制基板群組上。在設置這些發光元件於控制基板群組上之後，移除承載基板。在移除承載基板之後，切割控制基板群組，以分離這些控制基板。之後，將這些控制基板設置在複合基板上，其中複合基板包括裝設層、線路圖案與剛性基板。裝設層設置在剛性基板上，而線路圖案設置在裝設層上。這些控制基板設置在裝設層上，並電性連接線路圖案。之後，在這些控制基板上形成光學填充材料，其中光學填充材料全面性覆蓋這些控制基板與這些發光元件，並填入於至少相鄰兩個控制基板之間的縫隙內。在形成光學填充材料之後，移除剛性基板。在移除剛性基板之後，將裝設層設置在基板上。

在本發明至少一實施例中，上述製造方法還包括在切割控制基板群組之前，形成至少一密封材料於控制基板群組與這些發光元件上。在切割控制基板群組的過程中，切割密封材料。

在本發明至少一實施例中，上述製造方法還包括在光學填充材料上形成光學膜層，其中剛性基板是在光學膜層形成之後而移除。

在本發明至少一實施例中，上述製造方法還包括在設置這些發光元件於控制基板群組上之後，形成第一保護膜於這些發光元件上。在移除承載基板之後，切割控制基板群組之前，形成第二保護膜於控制基板群組，其中控制基板群組位於第一保護膜與第二保護膜之間。

在本發明至少一實施例中，上述製造方法還包括在這些控制基板設置在複合基板上之前，移除第二保護膜。在形成光學填充材料之前，移除第一保護膜。

基於上述，利用上述導電件，這些控制基板能設置於剛性基板上的裝設層，以控制相鄰兩個控制基板之間的縫隙，從而消除上述縫隙所形成的拼接縫，或是減輕拼接縫對影像品質的不良影響。

在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。

其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。舉例而言，兩物件（例如基板的平面或走線）「實質上平行」或「實質上垂直」，其中「實質上平行」與「實質上垂直」分別代表這兩物件之間的平行與垂直可包括允許偏差範圍所導致的不平行與不垂直。

此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

圖1A至圖1G是本發明至少一實施例的顯示裝置的製造方法的流程示意圖。請參閱圖1A與圖1B，在本實施例的製造方法中，在承載基板10上形成控制基板群組101，其中圖1A為控制基板群組101的俯視示意圖，而圖1B為圖1A中沿線1B-1B剖面而繪製的剖面示意圖。控制基板群組101包括多個控制基板110，而這些控制基板110可呈規則排列，如圖1A所示的矩陣排列。承載基板10具有平面19，而控制基板群組101形成在平面19上。承載基板10可為剛性基板，其例如是玻璃板或剛性的金屬板，以使承載基板10能支撐控制基板群組101。

在本實施例中，控制基板群組101可以還包括切割部102，其中切割部102的形狀為網狀，而至少一個控制基板110被切割部102所圍繞。以圖1A為例，圖1A所示的各個控制基板110皆被切割部102所圍繞，而這些控制基板110皆與切割部102連接，以使這些控制基板110得以彼此相連。

控制基板110與切割部102可以是一體成型（be integrally formed into one），所以在控制基板群組101的實際剖面結構中（如圖1B所示），控制基板110與切割部102之間的相連處不會出現接縫。因此，在圖1B中，控制基板110與切割部102之間邊界（boundary）是以虛線表示，而在實際情況中，上述邊界是看不見的。

請參閱圖1B，各個控制基板110可以是主動元件陣列基板，並包括畫素陣列，其中畫素陣列包括多個主動元件111。主動元件111可以是薄膜電晶體，如圖1B所示。圖1B中的各個主動元件111可以是頂閘極型（top gate）電晶體，並且具有通道層111c、閘極111g、汲極111d與源極111s，其中通道層111c為半導體層，而閘極111g、汲極111d與源極111s皆為導電層。

各個控制基板110還包括層體L11，其中層體L11具有第一表面116a以及相對第一表面116a的第二表面118a，而畫素陣列（包括這些主動元件111）設置在層體L11內。層體L11包括多層彼此堆疊的絕緣層112與118，其中絕緣層118形成在承載基板10的平面19上，並且可以緊貼於平面19，以使絕緣層118具有第二表面118a。

通道層111c與這些絕緣層112形成在絕緣層118上。鄰近絕緣層118的絕緣層112覆蓋通道層111c，並且位於通道層111c與閘極111g之間，其中通道層111c與閘極111g重疊。因此，通道層111c、閘極111g以及位於通道層111c與閘極111g之間的部分絕緣層112能形成電容。

另一絕緣層112覆蓋閘極111g，其中閘極111g位於相鄰兩層絕緣層112之間。源極111s與汲極111d皆形成在通道層111c的上方。從圖1B來看，源極111s的一部分與汲極111d的一部分皆位在閘極111g的上方，而源極111s的其他部分與汲極111d的其他部分皆穿過下方兩層絕緣層112，以使源極111s與汲極111d皆連接於通道層111c。如此，源極111s與汲極111d能電性連接通道層111c。

各個控制基板110還包括多層導電層113a、113c與接觸窗113b，而層體L11還包括多層絕緣層114與116，其中這些導電層113a、113c與接觸窗113b皆設置在層體L11內。絕緣層114覆蓋這些絕緣層112與這些主動元件111，而絕緣層116覆蓋絕緣層114，其中導電層113a、113c與接觸窗113b三者至少一部分位在絕緣層114與116之間。導電層113a穿過絕緣層114與其中一層絕緣層112而連接汲極111d，以使導電層113a電性連接主動元件111。

這些接觸窗113b穿過多層絕緣層，例如接觸窗113b穿過絕緣層114與所有絕緣層112。具體而言，各個控制基板110具有多個接觸孔W11，其中這些接觸孔W11是貫穿絕緣層114與所有絕緣層112而形成，而接觸窗113b從絕緣層114延伸至接觸孔W11中。絕緣層118具有多個貫孔118h，而控制基板110還包括多個位於層體L11內的導電件S11，其中這些導電件S11分別設置在這些貫孔118h內，並從第二表面118a朝向第一表面116a延伸。

此外，絕緣層116與118彼此相對，並皆位於最 外側。絕緣層116具有第一表面116a，而絕緣層118具有第二表面118a，其中接觸窗113b不穿過絕緣層116與118。也就是說，接觸窗113b不會穿過層體L11的最外側的兩層絕緣層116與118。

這些貫孔118h分別對準這些接觸孔W11以及這些位於接觸孔W11內的接觸窗113b，以使接觸窗113b能經由接觸孔W11與貫孔118h而連接導電件S11，其中導電件S11例如是銀膠或焊料。貫孔118h是在主動元件111形成以前而形成，而貫孔118h可用雷射鑽孔、機械鑽孔或蝕刻而形成，其中貫孔118h可具有不均勻的孔徑，而貫孔118h的孔徑可從接觸孔W11內的接觸窗113b朝向第二表面118a而遞減，如圖1B所示。

各個控制基板110可以還包括多個電極115a與115c，其中部分電極115a與部分電極115c皆設置在絕緣層116上。電極115a與115c皆穿過絕緣層116而分別電性連接導電層113a與導電層113c。由於導電層113a電性連接主動元件111的汲極111d，因此汲極111d能透過導電層113a而電性連接電極115a。

值得一提的是，各個控制基板110的畫素陣列可以還包括多條並列的掃描線(未繪示)、多條並列的資料線(未繪示)與多條並列的共用線(未繪示)，其中這些資料線與這些共用線可以彼此並列，並與這些掃描線交錯。掃描線電性連接閘極111g，因此掃描線能控制開啟及關閉主動元件111。共用線電性連接導電層113c，以使 共用線能透過導電層113c電性連接電極115c。

此外，上述資料線、共用線、源極111s與汲極111d可以是由同一層導電層經微影與蝕刻而形成，而上述掃描線與閘極111g可以是由另一層導電層經微影與蝕刻而形成。此外，在圖1B以外的其他剖面結構中，導電層113c可以穿過絕緣層114與其中一層絕緣層112而連接上述共用線，以使共用線能電性連接導電層113c。

接觸窗113b連接畫素陣列與這些導電件S11，其中資料線電性連接源極111s與接觸窗113b，以使導電件S11能透過接觸窗113b與資料線而電性連接源極111s。當掃描線開啟主動元件111時，電流可從導電件S11經由接觸窗113b、資料線以及被開啟的主動元件111的源極111s與汲極111d傳遞至電極115a。

值得一提的是，在圖1B所示的實施例中，控制基板110所包括的這些主動元件111皆為頂閘極型電晶體，但在其他實施例中，主動元件111也可以是底閘極型(bottom gate)電晶體。或者，主動元件111也可以替換成被動元件，例如二極體，而控制基板110也可以是被動元件陣列基板。因此，圖1B所示的控制基板110僅供舉例說明，而圖1B並不限制控制基板110的實施態樣。

請參閱圖1A與圖1B，控制基板110可以還包括擋牆119，其中擋牆119設置在絕緣層116上，並可沿著切割部102分布。因此，各個控制基板110會被擋牆119所圍繞。在圖1B所示的實施例中，擋牆119可包括多個 壁體119a，但在其他實施例中，擋牆119也可以只包括一個壁體119a。因此，圖1B不限制擋牆119所包括的壁體119a的數量。此外，圖1A省略繪示壁體119a，而圖1A所示的擋牆119為擋牆119在俯視方向上的整體輪廓，以清楚揭示擋牆119的分布。

請參閱圖1C，接著，設置多個發光元件120於控制基板群組101的第一表面116a上，而這些設置好的發光元件120電性連接控制基板110。發光元件120可以是發光二極體(Light Emitting Diode，LED)，並且可以透過導電連接件122a與122c電性連接控制基板110，其中導電連接件122a與122c例如是銀膠、焊料或異方向性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)。

在這些發光元件120設置於控制基板群組101上之後，這些發光元件120可以透過導電連接件122a與122c而電性連接電極115a與115c，其中導電連接件122a電性連接電極115a，而導電連接件122c電性連接電極115c。因此，發光元件120能經由導電連接件122a、電極115a與導電層113a而電性連接主動元件111的汲極111d，以及經由導電連接件122c、電極115c與導電層113c電性連接共用線(未繪示)。

當發光元件120為發光二極體時，發光元件120的陽極電性連接導電連接件122a，而發光元件120的陰極電性連接導電連接件122c，以使電流能從導電件S11 經由接觸窗113b、資料線、主動元件111的源極111s與汲極111d、導電層113a、電極115a以及導電連接件122a傳遞至發光元件120的陽極，並從發光元件120的陰極經由導電連接件122c、電極115c與導電層113c傳遞至共用線。如此，這些主動元件111能控制這些發光元件120，以使這些發光元件120能從出光面121發出光線。

之後，形成至少一密封材料130於控制基板群組101與這些發光元件120上。以圖1C為例，多個密封材料130分別設置在這些控制基板110上，並且覆蓋這些發光元件120，以密封這些發光元件120，從而讓外界的水氣難以滲入於發光元件120，其中密封材料130可以是透明的樹脂材料。此外，擋牆119可以位於這些密封材料130的周圍，如圖1C所示。

請參閱圖1C與圖1D，在設置這些發光元件120與密封材料130於控制基板群組101上之後，移除承載基板10，並形成第一保護膜P1於這些發光元件120與密封材料130上。在移除承載基板10之後，形成第二保護膜P2於控制基板群組101，其中控制基板群組101位於第一保護膜P1與第二保護膜P2之間。

第一保護膜P1與第二保護膜P2可以是具有可撓性與黏性的膜層，以使第一保護膜P1與第二保護膜P2能分別貼附於密封材料130與控制基板群組101的絕緣層118，其中第一保護膜P1能完全覆蓋這些密封材料130，而第二保護膜P2能完全覆蓋控制基板群組101的第二表 面118a。如此，第一保護膜P1能保護密封材料130，而第二保護膜P2能保護控制基板群組101的第二表面118a。

請參閱圖1A與圖1D，之後，切割控制基板群組101，以分離這些控制基板110。具體而言，可以利用刀具K1沿著切割部102切割控制基板群組101，以使這些控制基板110能彼此分離，其中切割部102與擋牆119皆可被移除。在切割控制基板群組101的過程中，也會切割密封材料130與第一保護膜P1，所以在切割控制基板群組101之後，部分密封材料130會被移除，而第一保護膜P1會被切割成多片，如圖1E所示。

請參閱圖1E，接著，將這些控制基板110設置在複合基板20上，其中複合基板20包括線路圖案210、裝設層220與剛性基板23。裝設層220設置在剛性基板23上，其中剛性基板23具有平面23a，而裝設層220設置在平面23a上，並可緊貼於平面23a，以使裝設層220能均勻地鋪平在平面23a上，並且具有平坦的支撐面221。線路圖案210設置在裝設層220的支撐面221上，其中這些控制基板110設置在裝設層220的支撐面221上。

例如，複合基板20還可包括接合層240，其中接合層240設置在裝設層220的支撐面221上，而這些控制基板110設置在接合層240上。接合層240可以是膠材，並具有黏性，因此這些控制基板110能黏著於接合層240上，以使這些控制基板110能設置及固定在裝設層 220上。此外，由於接合層240是設置於平坦的支撐面221上，因此接合層240能均勻地鋪平在裝設層220上，以使這些控制基板110的第二表面118a能實質上平行於支撐面221，並緊貼於接合層240，以避免或降低各個控制基板110相對於平面23a的傾斜。

這些控制基板110能電性連接線路圖案210。具體而言，這些控制基板110能透過多個導電材料S12而電性連接線路圖案210，其中接合層240可具有多個開口(未標示)，而這些導電材料S12分別設置在這些開口內。在這些控制基板110設置在複合基板20上之後，位於這些貫孔118h內的導電件S11會分別對準導電材料S12，以使導電件S11電性連接導電材料S12，並透過導電材料S12而電性連接線路圖案210。此外，各個導電件S11與各個導電材料S12可位於線路圖案210與其中一個接觸窗113b之間。

由此可知，這些控制基板110能透過導電件S11與導電材料S12而電性連接線路圖案210。此外，導電材料S12例如是銀膠或焊料。須說明的是，在這些控制基板110設置在複合基板20上之前，會先移除第二保護膜P2，以使導電件S11與導電材料S12能彼此電性連接，從而讓控制基板110電性連接線路圖案210，其中第二保護膜P2可以用剝離(peeling)的方式移除。

請參閱圖1F，之後，在這些控制基板110上形成光學填充材料140，其中光學填充材料140全面性覆蓋這 些控制基板110、發光元件120與密封材料130。光學填充材料140可以是光學膠(Optically Clear Adhesive，OCA)。或者，光學填充材料140可包括光學膠與摻入於光學膠內的多個深色粒子(未繪示)，其中這些深色粒子可以是染料或散射顆粒。此外，在形成光學填充材料140之前，可先移除切割後的第一保護膜P1，以使光學填充材料140能直接形成在密封材料130上。

光學填充材料140填入於至少相鄰兩個控制基板110之間的縫隙G1內，其中縫隙G1可從控制基板110延伸至密封材料130。在這些控制基板110設置在複合基板20上的過程中，相鄰兩個控制基板110會盡量彼此緊靠(abutting)，促使這兩個控制基板110之間不會形成縫隙G1。然而，受到製程公差的影響，至少相鄰兩個控制基板110之間難免會形成如圖1F所示的縫隙G1。

不過，由於這些控制基板110的第二表面118a能實質上平行於支撐面221，並緊貼於接合層240，以避免或降低各個控制基板110相對於平面23a的傾斜，因此這些控制基板110的第二表面118a能實質上共平面，以幫助控制縫隙G1的寬度GW1能限制在相當小的範圍內。例如，寬度GW1可控制在小於或等於50微米的範圍內，從而降低寬度GW1所造成的不良影響。

在形成光學填充材料140之後，可在光學填充材料140上形成光學膜層150，其中光學膜層150可全面性地覆蓋這些控制基板110上的密封材料130。由於光學填 充材料140可為光學膠，或是包括光學膠與多個深色粒子，因此光學填充材料140可具有黏性，並能黏著光學膜層150，以使光學膜層150得以設置及固定在光學填充材料140上。此外，光學膜層150例如是圓偏振片、抗反射層或微鏡膜(micro-lens film)。

請參閱圖1F與圖1G，在形成光學填充材料140之後，移除剛性基板23，其中剛性基板23可在光學膜層150形成之後而移除，而剛性基板23可用剝離的方式移除。在移除剛性基板23之後，將裝設層220設置在基板230上，其中裝設層220可利用膠材而黏著於基板230上。至此，一種顯示裝置100基本上已製造完成。

基板230可以是剛性基板或可撓性基板，以使顯示裝置100能被製成不能撓曲的剛性顯示器或是能捲曲或伸縮的可撓性顯示器，其中剛性的基板230可以是玻璃板或金屬板，而可撓性的基板230可以是高分子材料基板，其可以是由聚醯亞胺(Polyimide，PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)製成。

圖2A是圖1G中的顯示裝置在移除光學填充材料與光學膜層之後的俯視示意圖。請參閱圖1G與圖2A，顯示裝置100包括線路圖案210、支撐板250與多個顯示模組109，其中支撐板250包括裝設層220與基板230，所以支撐板250可為多層板，並具有支撐面221，而這些顯示模組109位於支撐板250與光學填充材料140之間。

各個顯示模組109包括控制基板110、多個發光 元件120以及光學填充材料140，其中光學填充材料140全面性覆蓋這些顯示模組109，並填入於至少相鄰兩個顯示模組109之間的縫隙(未標示)內。上述縫隙相當於圖1F所示的縫隙G1，所以相鄰兩個顯示模組109之間的距離等於縫隙G1的寬度GW1，其可以是在50微米以下。

因此，在顯示裝置100所顯示的影像中，藉由填入於上述縫隙(也等同於縫隙G1)內的光學填充材料140，由縫隙所形成的拼接縫難以被人眼察覺。此外，當光學填充材料140包括光學膠與摻入於光學膠內的多個深色粒子(未繪示)時，縫隙內的光學填充材料140會呈現深的顏色，例如深灰色或黑色。如此，當顯示裝置100顯示暗態影像時，光學填充材料140能有效消除或降低縫隙所造成的不良影響，進而提升顯示裝置100的影像品質。

這些發光元件120能發出多種不同顏色的光線，例如紅光、綠光與藍光，而這些發光元件120可沿著第一方向D1與第二方向D2排列成矩陣。在本實施例中，沿著第一方向D1排成一行的這些發光元件120能發出相同顏色的光線，而沿著第一方向D1排成相鄰兩行的這些發光元件120能發出兩種不同顏色的光線。

支撐板250可凸出於這些控制基板110同一側的側邊E11。也就是說，這些控制基板110不會全面性地覆蓋支撐板250的支撐面221，如圖2A所示。線路圖案210可以包括多個接合墊211，其中這些接合墊211設置在支撐板250的支撐面221上，且不會被控制基板110所覆 蓋。此外，這些接合墊211可沿著第二方向D2排成一列，並且可供驅動元件(未繪示)裝設與電性連接，其中驅動元件可包括至少一源極驅動器與至少一閘極驅動器。

圖2B是圖2A中移除顯示模組後的俯視示意圖，而圖2C是圖2B中的線路圖案的俯視示意圖。請參閱圖2A與圖2B，線路圖案210還包括多個接觸墊213、215與217以及多條走線212、214與216，其中這些顯示模組109覆蓋這些走線212、214與216與這些接觸墊213、215與217。這些接合墊211連接這些走線212、214與216，而這些走線212、214與216連接這些接觸墊213、215與217，其中走線212連接接觸墊213，走線214連接接觸墊215，而走線216連接接觸墊217。

請參閱圖1G與圖2C，這些導電件S11分別電性連接這些接觸墊213。換句話說，圖1G所示的線路圖案210為接觸墊213。如此，上述驅動元件能透過接合墊211、走線212與接觸墊213傳輸電流至導電件S11，以使驅動元件所輸出的電流能傳遞至發光元件120。此外，控制基板110也可以包括其他多個接觸窗與多個導電件，其中上述接觸窗相同或相似於接觸窗113b，而上述導電件相同或相似於接觸窗導電件S11。

承上述，透過這些接觸窗與這些導電件，電性連接閘極111g的掃描線能電性連接接觸墊215，而電性連接導電層113c的共用線能電性連接接觸墊217，以使驅動元件可以經由接合墊211、走線216、接觸墊215、217、 上述導電件與接觸窗而電性連接共用線與掃描線。如此，驅動元件得以控制這些發光元件120發光，以顯示影像。

圖3A與圖3B是本發明另一實施例的顯示裝置的製造方法的流程示意圖。本實施例的製造方法與前述實施例相似，而圖3A與圖3B僅繪示不同於前述實施例的主要差異步驟，所以其他與前述實施例相同或相似的步驟在此不繪示。此外，以下內容主要是配合圖3A與圖3B說明本實施例不同於前述實施例的差異，而兩者相同特徵原則上不再重複敘述。

請先參閱圖1B，在前述實施中，貫孔118h是在主動元件111形成以前而形成，所以在承載基板10上形成控制基板群組101之後，控制基板110的貫孔118h早已形成。請參閱圖3A，在本實施例中，控制基板群組301包括多個控制基板310，其中各個控制基板310包括層體L31與多個接觸窗113b，而層體L31包括絕緣層318。然而，不同於前述實施例的絕緣層118，在移除承載基板10以前，絕緣層318不具有任何貫孔。所以，在承載基板10上形成控制基板群組301之後，絕緣層318內並不會存有任何貫孔，直到移除承載基板10之後，才會形成貫孔。

請參閱圖3B，在移除承載基板10之後以及在這些控制基板110設置在複合基板20上之前，會在層體L31的絕緣層318上形成多個貫孔318h，其中層體L31具有第一表面116a與相對第一表面116a的第二表面318a，而貫孔318h是從第二表面318a朝向第一表面116a延 伸。在形成這些貫孔318h之後，可以在這些貫孔318h內設置多個導電件S11，以使這些控制基板310能電性連接後續流程中的複合基板20。

貫孔318h也可用雷射鑽孔、機械鑽孔或蝕刻而形成，所以貫孔318h可用雷射或蝕刻從第二表面318a進行鑽孔，而貫孔318h也具有不均勻的孔徑。然而，不同於前述實施例的貫孔118h，貫孔318h的孔徑是從接觸窗113b朝向第二表面318a而遞增，如圖3B所示。

綜上所述，利用控制基板所具有的導電件(例如導電件S11)，這些控制基板能設置於剛性基板上的裝設層，以使相鄰兩個控制基板之間的縫隙的寬度能受到控制，從而消除上述縫隙所形成的拼接縫，或是減輕拼接縫對影像品質的不良影響。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:承載基板

19、23a:平面

20:複合基板

23:剛性基板

100:顯示裝置

101、301:控制基板群組

102:切割部

109:顯示模組

110、310:控制基板

111:主動元件

111c:通道層

111d:汲極

111g:閘極

111s:源極

112、114、116、118、318:絕緣層

113a、113c:導電層

113b:接觸窗

115a、115c:電極

116a:第一表面

118a、318a:第二表面

118h、318h:貫孔

119:擋牆

119a:壁體

120:發光元件

121:出光面

122a、122c:導電連接件

130:密封材料

140:光學填充材料

150:光學膜層

210:線路圖案

211:接合墊

212、214、216:走線

213、215、217:接觸墊

220:裝設層

221:支撐面

230:基板

240:接合層

250:支撐板

D1:第一方向

D2:第二方向

E11:側邊

G1:縫隙

GW1:寬度

K1:刀具

L11、L31:層體

P1:第一保護膜

P2:第二保護膜

S11:導電件

S12:導電材料

W11:接觸孔

圖1A至圖1G是本發明至少一實施例的顯示裝置的製造方法的流程示意圖。 圖2A是圖1G中的顯示裝置在移除光學填充材料與光學膜層之後的俯視示意圖。 圖2B是圖2A中移除顯示模組後的俯視示意圖。 圖2C是圖2B中的線路圖案的俯視示意圖。 圖3A與圖3B是本發明另一實施例的顯示裝置的製造方法的流程示意圖。

100:顯示裝置

109:顯示模組

110:控制基板

111:主動元件

111g:閘極

113c:導電層

120:發光元件

130:密封材料

140:光學填充材料

150:光學膜層

210:線路圖案

220:裝設層

221:支撐面

230:基板

240:接合層

250:支撐板

G1:縫隙

GW1:寬度

S11:導電件

Claims (13)

1. 一種顯示裝置，包括：一支撐板，具有一支撐面；一線路圖案，設置在該支撐面上；多個顯示模組，設置在該支撐面上，其中各該顯示模組包括：一控制基板，包括：一層體，包括多層彼此堆疊的絕緣層，其中最外側的相對兩該絕緣層分別具有一第一表面與一相對該第一表面的第二表面，其中具有該第二表面的該絕緣層更具有多個貫孔；多個導電件，分別設置在該些貫孔內，並從該第二表面朝向該第一表面延伸，其中該些導電件電性連接該線路圖案；一畫素陣列，設置在該層體內；多個接觸窗，設置在該層體內，並連接該畫素陣列與該些導電件，其中該些接觸窗穿過多層該絕緣層，但不穿過具有該第一表面與該第二表面的兩該絕緣層，且該些貫孔分別對準該些接觸窗，其中各該導電件位於該線路圖案與其中一該接觸窗之間；多個發光元件，設置在該第一表面上，並電性連接該控制基板；以及一光學填充材料，全面性覆蓋該些顯示模組，並填入於至少相鄰兩該顯示模組之間的一縫隙內，其中該些顯示模 組位於該支撐板以及該光學填充材料之間。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中相鄰兩該顯示模組之間的距離在50微米以下。
3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該線路圖案包括：多個接合墊；多個接觸墊；以及多條走線，連接該些接合墊與該些接觸墊，其中該些顯示模組覆蓋該些走線與該些接觸墊，但不覆蓋該些接合墊，而該些導電件分別電性連接該些接觸墊。
4. 如請求項1所述的顯示裝置，還包括一光學膜層，其中該光學膜層設置在該光學填充材料上。
5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中各該顯示模組還包括一密封材料，該密封材料設置在該控制基板上，並覆蓋該些發光元件。
6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中各該貫孔的孔徑從該接觸窗朝向該第二表面而遞減。
7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中各該貫孔 的孔徑從該接觸窗朝向該第二表面而遞增。
8. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該畫素陣列包括多個設置於該層體內的主動元件，而該些主動元件電性連接該些發光元件。
9. 一種顯示裝置的製造方法，包括：在一承載基板上形成一控制基板群組，其中該控制基板群組包括多個彼此相連的控制基板；設置多個發光元件於該控制基板群組上；在設置該些發光元件於該控制基板群組上之後，移除該承載基板；在移除該承載基板之後，切割該控制基板群組，以分離該些控制基板；將該些控制基板設置在一複合基板上，其中該複合基板包括一裝設層、一線路圖案與一剛性基板，該裝設層設置在該剛性基板上，而該線路圖案設置在該裝設層上，該些控制基板設置在該裝設層上，並電性連接該線路圖案；在該些控制基板上形成一光學填充材料，其中該光學填充材料全面性覆蓋該些控制基板與該些發光元件，並填入於至少相鄰兩該控制基板之間的一縫隙內；在形成該光學填充材料之後，移除該剛性基板；以及在移除該剛性基板之後，將該裝設層設置在一基板上。
10. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，還包括：在切割該控制基板群組之前，形成至少一密封材料於該控制基板群組與該些發光元件上；以及在切割該控制基板群組的過程中，切割該至少一密封材料。
11. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，還包括：在該光學填充材料上形成一光學膜層，其中該剛性基板是在該光學膜層形成之後而移除。
12. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，還包括：在設置該些發光元件於該控制基板群組上之後，形成一第一保護膜於該些發光元件上；以及在移除該承載基板之後，切割該控制基板群組之前，形成一第二保護膜於該控制基板群組，其中該控制基板群組位於該第一保護膜與該第二保護膜之間。
13. 如請求項12所述的顯示裝置的製造方法，還包括：在該些控制基板設置在該複合基板上之前，移除該第二保護膜；以及 在形成該光學填充材料之前，移除該第一保護膜。

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