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TWI785026B - 微粒移除設備及相關系統 - Google Patents

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TWI785026B
TWI785026B TW107110188A TW107110188A TWI785026B TW I785026 B TWI785026 B TW I785026B TW 107110188 A TW107110188 A TW 107110188A TW 107110188 A TW107110188 A TW 107110188A TW I785026 B TWI785026 B TW I785026B
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杜凡柏德 傑隆 凡
吉斯 比卓斯 傑卡布斯 馬利亞 凡
登 奧弗 佩翠斯 裘翰那斯 凡
寇音 修伯特 邁修斯 柏提斯
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明提供一種用於自一夾具移除微粒之設備，該設備可接近於該夾具配置且包含一絕緣部分、一支撐部分，該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分經組態使得當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之一電極時，該支撐部分充當一電極以允許在該設備與該夾具之間產生一電場以供該等微粒自該夾具之移除。

Description

微粒移除設備及相關系統
本發明係關於一種用於自夾具移除微粒之設備及相關聯系統及方法。舉例而言，本發明係關於一種用於自微影設備之夾具移除微粒之設備。
微影設備為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)製造中。舉例而言，微影設備可將圖案自圖案化裝置(例如，光罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。 由微影設備使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。相比於習知微影設備(其可例如使用具有193 nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4 nm至20 nm範圍內之波長之電磁輻射的EUV輻射之微影設備可用以在基板上形成較小特徵。 靜電夾具可在微影設備中用以將諸如光罩或基板之物件分別靜電夾持(或固持)至諸如支撐結構或基板台之物件支撐件。 可存在於物件上之微粒可移動至靜電夾具之表面上，其中該等微粒可在靜電夾具與物件之間引起所謂的黏著效應。舉例而言，此等黏著效應可影響微影設備之重疊控制。 舉例而言，該等微粒可藉由使用清潔產品擦拭靜電夾具之表面而自靜電夾具之表面手動移除。然而，此可影響微影設備之可用性，由於微粒可在微影設備之停工時間期間移除且微粒之手動移除可費時。
根據本發明之第一態樣，提供有一種用於自夾具移除微粒之設備，該設備接近於該夾具配置或可接近於該夾具配置且包含絕緣部分及支撐部分，絕緣部分之至少一部分或全部配置於支撐部分上，其中該支撐部分經組態使得當將電壓施加至設備之支撐部分及/或該夾具之電極時，該支撐部分充當電極以允許該設備與該夾具之間產生電場以供微粒自該夾具之移除。 微粒自該夾具之移除可降低或防止該夾具與由該夾具固持之物件之間的黏著效應。舉例而言，當該設備與微影設備一起使用或包含於微影設備中時，微粒自該夾具之移除可引起微影設備之改良式重疊控制。該設備之使用亦可避免微粒自該夾具之手動移除。舉例而言，此可導致微影設備之提高可用性，由於微粒可不必在微影設備之停工時間期間移除。另外或替代地，藉由提供具有絕緣部分之設備，可防止自夾具移除之微粒返回至該夾具。 該設備可經組態使得該設備之至少一部分之形狀與該夾具之一部分之形狀互補例如以使得該設備與該夾具之間的距離減小或最小化。藉由減小該設備與該夾具之間的距離，可增強電場強度。此可提高、改良或促進微粒自該夾具之移除。 該支撐部分可包含至少一個凹座或複數個凹座。 舉例而言，當該支撐部分包含複數個凹座時，該絕緣部分可在至少兩個鄰近凹座之間延伸。 該至少一個凹座或該複數個凹座中之每個凹座可經定形使得例如當該設備朝向該夾具移動時，該夾具之支撐件可至少部分地收納在該至少一個凹座或該複數個凹座中之每個凹座中。 該絕緣部分可經定形或經組態使得例如當將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極時，該設備與該夾具之間可產生不均勻電場。該設備與該夾具之間不均勻電場之產生可實現諸如非帶電微粒之微粒之移除。 該絕緣部分可經定形或經組態使得例如當將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極時，該設備與該夾具之間產生之電場之至少一部分在絕緣部分上之一或多個點處可集中或增大。 該設備可包含複數個絕緣部分。每個絕緣部分可經配置以自該支撐部分延伸或突出。 該/每個絕緣部分可經配置以自第一端部至第二端部逐漸變窄。該/每個絕緣部分之第一端部可配置在該支撐部分處或該支撐部分上。該第二端部可經配置使得例如在使用中，將該第二端部引向該夾具，例如該夾具之表面或上表面。 該/每個絕緣部分之第二端部可包含尖的或尖銳部分。 該設備之側向延伸部或尺寸可經選擇以對應於，例如大體上對應於該夾具之側向延伸部或尺寸。此可實現微粒自該夾具之接近全部，例如該夾具之一/該表面或上表面之移除。 該設備之側向延伸部或尺寸可經選擇使得該等微粒自該夾具上之預定區域或空間，例如該夾具之一/該表面移除或可自該預定區域或空間移除。此可使得微粒局部地自該夾具，例如該夾具之一/該表面或上表面移除。 該設備可經組態以連接或可連接至控制器。該控制器可經組態以將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極。 該支撐部分及/或該絕緣部分可經配置以界定連續表面。 舉例而言，當將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極時，該電壓可經選擇使得該設備與該夾具之間的電場在與該夾具與該夾具之例如使用中物件之間產生之電場方向相反的方向上延伸。 根據本發明之第二態樣，提供有一種用於自夾具移除微粒之系統，該系統包含根據第一態樣之設備；以及經組態以固持物件之夾具。 該夾具可經組態以用於微影設備或該夾具可係該微影設備之部分或包含於微影設備中。 該夾具可為靜電夾具或包含靜電夾具。 該系統可進一步包含經組態以將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極之控制器。該電壓可經選擇使得該設備與該夾具之間產生之電場作用於該夾具上之微粒上，例如以使得微粒自該夾具移除。 根據本發明之第三態樣，提供有一種自夾具移除微粒之方法，該方法包含接近於該夾具配置用於自夾具移除微粒之設備，該設備包含絕緣部分及支撐部分，其中該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分經組態使得當將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極時，該支撐部分充當電極以允許在該設備與該夾具之間產生電場以供微粒自該夾具之移除；以及將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該夾具之電極以在該設備與該夾具之間產生電場以供微粒自該夾具之移除。 該電壓可經選擇使得微粒黏附至絕緣部分之至少一部分或全部。 根據第四態樣，提供有一種微影設備，包含經組態以調節輻射光束之照明系統；經建構以支撐圖案化裝置之支撐結構，該圖案化裝置能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束：經建構以固持基板之基板台，該基板台包含夾具以用於固持基板；經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板上之投影系統；以及根據第一態樣之用於自該夾具移除微粒之設備。 根據本發明之第五態樣，提供有一種微影設備，包含：經組態以調節輻射光束之照明系統；經建構以支撐圖案化裝置之支撐結構，該支撐結構包含夾具以用於固持圖案化裝置，該圖案化裝置能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；經建構以固持基板之基板台；經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板上之投影系統；以及根據第一態樣之用於自該夾具移除微粒之設備。 根據本發明之第六態樣，提供有一種自基板台移除微粒之設備，該設備可接近於基板台配置且包含：絕緣部分；支撐部分，該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分經組態使得當將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該基板台時，該支撐部分充當電極以允許在該設備與該基板台之間產生電場以供微粒自基板台之移除。 微粒自基板台之移除減少累積污染。此可避免基板邊緣良率之降低且可導致微影設備之提高可用性。另外或替代地，藉由提供具有絕緣部分之設備，可防止自基板台移除之微粒返回至基板台。 該設備可經組態以自基板台之瘤節之頂部表面移除微粒。 該支撐部分及/或該絕緣部分可經配置以界定連續表面。 該絕緣部分及該支撐部分在瘤節之區域中可具有伸出部分。 該支撐部分可為導電板。 該絕緣部分可為聚合物層。 該設備可經組態以連接或可連接至控制器。該控制器可經組態以將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該基板台。 根據本發明之第七態樣，提供有一種用於自基板台移除微粒之系統，該系統包含根據第六態樣之設備；以及經建構以固持基板之基板台。 該基板台可經組態以用於微影設備或該基板台可係該微影設備之部分或包含於該微影設備中。 該系統可進一步包含經組態以將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該基板台之控制器。該電壓可經選擇使得該設備與該基板台之間產生之電場作用於基板台上之微粒上以使得微粒自基板台移除。 根據本發明之第八態樣，提供有一種自基板台移除微粒之方法，該方法包含：接近於基板台配置用於自基板台移除微粒之設備，該設備包含絕緣部分及支撐部分，其中該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分經組態使得當將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該基板台時，該支撐部分充當電極以允許在該設備與該基板台之間產生電場以供微粒自基板台之移除；以及將電壓施加至該設備之支撐部分及/或該基板台以在該設備與該基板台之間產生電場以供微粒自基板台之移除。 該電壓可經選擇使得微粒黏附至該絕緣部分之至少一部分或全部。 根據本發明之第九態樣，提供有一種微影設備，包含：經組態以調節輻射光束之照明系統；經建構以支撐圖案化裝置之支撐結構，該圖案化裝置能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；經建構以固持基板之基板台；經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板上之投影系統；以及根據第六態樣之用於自基板台移除微粒之設備。 如將對熟習此項技術者易於顯而易見，可將上文或下文所闡述之本發明之各種態樣及特徵與本發明之各種其他態樣及特徵組合。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如自動化光阻塗佈及顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光之抗蝕劑之工具)或度量衡工具或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5至20 nm範圍內之波長)以及微粒束，諸如離子束或電子束。 本文中所使用之術語「圖案化裝置」應被廣泛地解譯為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中產生圖案的裝置。應注意，被賦予至輻射光束之圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之裝置(諸如積體電路)中的特定功能層。 圖案化裝置可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩及可程式化鏡面陣列。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交替相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射；以此方式，經反射光束被圖案化。 支撐結構固持圖案化裝置。支撐結構以取決於圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置。支撐可使用機械夾持、真空或其他夾持技術，例如在真空條件下之靜電夾持。支撐結構可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動，且可確保圖案化裝置例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化裝置」同義。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於例如所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤流體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射光學系統。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」同義。術語「透鏡」可在本文中用作對「投影透鏡」之簡寫。 照明系統亦可涵蓋用於導向、塑形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，包括折射、反射及反射折射光學組件，且此等組件亦可在下文中被集體地或單個地稱作「透鏡」。 微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個支撐結構)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。 微影設備亦可屬於以下類型：其中將基板浸沒在例如水之具有相對較高折射率之液體中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。 圖1示意性地描繪根據本發明之特定實施例之微影設備。該設備包含： - 照明系統IL，其用以調節輻射光束PB (例如，UV輻射)； - 支撐結構(例如，光罩台) MT，其用以支撐圖案化裝置(例如，光罩) MA且連接至用以相對於項目PL來準確地定位該圖案化裝置之第一定位裝置PM； - 基板台(例如，基板台) WT，其用於固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至用於相對於項目PL而準確地定位該基板之第二定位裝置PW；以及 - 投影系統(例如，折射投影透鏡) PL，其經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予至輻射光束PB之圖案成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 如此處所描繪，設備為透射類型(例如，使用透射性光罩)。替代地，設備可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之反射性光罩或可程式化鏡面陣列)。 照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為該源形成微影設備之部分，且輻射光束憑藉包含例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，例如當源為水銀燈時，源可為設備之整體部分。輻射源SO及照明系統IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明系統IL可包含用於調整光束之角強度分佈之調整構件AM。可調整照明系統之光瞳平面中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。 另外，照明系統IL通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明系統提供在橫截面中具有所要均一性及強度分佈之經調節輻射光束PB。 輻射光束PB入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上。在已橫穿圖案化裝置MA之情況下，光束PB傳遞通過投影系統PL，該投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位裝置PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置)，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位在光束PB之路徑中。類似地，第一定位裝置PM及另一位置感測器(其在圖1中並不明確地描繪)可用於例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於光束PB之路徑準確地定位圖案化裝置MA。一般而言，將憑藉形成定位裝置PM及PW之零件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT及WT之移動。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置MA及基板W。在替代配置(未被說明)中，物件台MT、WT之移動可受平面馬達及編碼器系統控制。 舉例而言，所描繪設備可在掃描模式下使用，其中同步地掃描支撐結構MT及基板台WT，同時將賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式下，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。掃描方向通常被稱作微影設備之y方向。 應瞭解，在其他實例中，所描繪設備可在在步進模式下使用。在步進模式下，圖案化裝置(例如，光罩台) MT及基板台WT基本上保持靜止，同時將賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式下，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。 在又一實例中，支撐結構(例如，光罩台) MT基本上保持靜止從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT，同時將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上。在此模式下，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 該微影設備可包含用於固持物件之夾具，諸如靜電夾具。該物件可為或包含基板及/或光罩MA。該靜電夾具可係基板台WT及/或支撐結構MT之部分或包含於基板台WT及/或支撐結構MT中。 圖2描繪根據本發明之實施例的用於自夾具移除微粒之系統2。在圖2中所描繪之實施例中，提供呈微影設備之靜電夾具4之形式的夾具。靜電夾具4包含介電部分6及電極8，該電極被介電部分6環繞。介電部分6可包含介電或絕緣材料及/或可被視為非導電或絕緣的。靜電夾具4包含下部部分10。下部部分10可由絕緣材料形成。介電部分6及電極8可配置於下部部分10上。靜電夾具4可包含複數個支撐件12a、12b，在圖2中描繪該複數個支撐件中之兩個以用於固持物件，例如光罩MA及/或基板。應瞭解，在其他實施例中，該夾具可包含多於或少於兩個支撐件。可提供呈瘤節12a、12之形式的支撐件12a、12b。瘤節12a、12b可配置於介電部分6之上表面6a上。瘤節12a、12b可由具有導電塗層之介電材料或導電材料形成。瘤節12a、12b可連接至地面。瘤節12a、12b之上表面可界定可固持有物件之平面14。 靜電夾具4之電極8經組態以保持在一電壓下以在靜電夾具4與該物件之間產生靜電力。換言之，可在將電壓施加至電極8時藉由靜電夾持力將該物件固持在平面14中。靜電或庫侖夾持壓力(每單位夾持力)可根據以下方程式與經施加電場強度相關：
Figure 02_image001
(1) 其中P 為施加於待夾持之物件上之庫侖夾持壓力，ε 0 為真空電容率且E 為所夾持物件經受的電場強度。在實例中，在介電質包含介電材料及真空間距之情況下，電場及介電常數可由反映所涉及材料及/或介質之組合的術語替換。可認為電場強度E 大體上與施加至靜電夾具4之電極8之電壓V 成比例，與介電材料及/或介質之相對電容率成比例且與介電材料及/或介質之厚度，例如介電材料之厚度及真空間距之厚度之總和成反比。 應瞭解，本文中所描述之系統不限於使用圖2中所描繪之例示性靜電夾具且可使用其他靜電夾具。舉例而言，在其他實施例中，可提供呈薄膜夾具形式之靜電夾具。薄膜夾具之介電部分可由諸如聚合物之介電材料形成。替代地或另外，在其他實施例中，該介電部分可配置於電極上而非環繞電極或該電極可包含彼此間隔開的一或多個部分。 圖2描繪用於自夾具移除微粒之系統之設備。可提供呈清潔設備16形式之設備。圖2中所描繪之清潔設備亦可被稱為清潔基板。清潔設備16可適合於自靜電夾具4移除微粒。舉例而言，歸因於施加至電極8之電壓，帶電微粒可吸引至物件及/或可在可存在於物件上之微粒中誘導電荷。帶電微粒可自物件移動至靜電夾具4之介電部分6。帶電微粒可保持在靜電夾具4之介電部分6上，甚至在施加至靜電夾具4之電極8之電壓已經減小至0 V時。 靜電夾具4之介電部分6之上表面6a上存在之微粒可在夾具4與物件之間引起所謂的黏著效應。該等微粒可引起夾具4之介電部分6之上表面6a上之殘餘電荷，這可引起黏著效應。由於該等微粒位於靜電夾具4之介電部分之上表面6a上，因此微粒之電荷無法遠離介電部分6。 在實例中，在物件包含基板之情況下，黏著效應可影響夾具4上之基板之配置或裝載。靜電夾具4之介電部分6上之帶電微粒可作用於基板及/或對基板施加力。該力可影響夾具上基板之裝載/配置。舉例而言，該力可影響微影設備之重疊控制。微影設備之重疊控制可被視為對使投影圖案與基板上之現有圖案對準之控制。投影圖案與基板上之現有圖案之間的未對準可導致多層裝置結構中之短路及/或連接失效。 在使用中，清潔設備16可接近於靜電夾具4配置。清潔設備16包含絕緣部分18。絕緣部分18可包含絕緣或介電材料，諸如玻璃或聚合物。舉例而言，該絕緣或介電材料可包含二氧化矽(SiO2 )、氮化矽(Si3 N4 )或基於苯并環丁烯(BCB)之聚合物。然而，應瞭解，可使用其他絕緣或介電材料。清潔設備16包含支撐部分20。在圖2中，絕緣部分18被描繪為配置於支撐部分20上。絕緣部分18經配置以自支撐部分20延伸或突出。 支撐部分20經組態使得當將電壓施加至支撐部分20及/或靜電夾具4之電極8時，該支撐部分充當電極以允許在清潔設備16與靜電夾具4之間產生電場以供微粒自靜電夾具4之移除。舉例而言，當將電壓施加至靜電夾具4之電極8時，支撐部分20中之電荷可重佈於支撐部分20中，以使得支撐部分20之一部分的極性與施加至靜電夾具4之電極8之電壓之極性相反。換言之，可認為支撐部分20至少部分或完全極化。支撐部分20中極性與施加至靜電夾具4之電極8之電壓之極性相反的部分在使用中可面向靜電夾具4之介電部分6之上表面6a或與該上表面相對配置。支撐部分20中極性與施加至靜電夾具4之電極8之電壓之極性相反的部分可被視為支撐部分20之下部部分20a。施加至靜電夾具4之電極8之電壓可經選擇使得微粒黏附至清潔設備16之絕緣部分18之至少一部分或全部。 圖3A示意性地描繪帶電微粒22與靜電夾具4之介電部分6之間的相互作用。如上文所描述，帶電微粒22可自物件移動至靜電夾具4之介電部分6之上表面6a。帶電微粒22可誘發至靜電夾具4之介電部分6之一部分的極化。舉例而言，微粒22可帶負電且誘發介電部分6之上表面6a上之正電荷，如圖3A中所描繪。此極化可引起帶電微粒22黏附至介電部分6。帶電微粒22至靜電夾具4之介電部分6之黏附可歸因於諸如凡得瓦爾力之第一力F1，作用於帶電微粒22與靜電夾具4之介電部分6之間。作用於帶電微粒22與靜電夾具4之介電部分6之間的第一力F1之方向在圖3A中由實心箭頭指示。儘管施加至靜電夾具4之電極8之電壓可為0 V，但帶電微粒22可例如歸因於第一力F1而黏附至靜電夾具4之介電部分6。 圖3B類似於圖3A，但另外描繪靜電夾具4之電極8及清潔設備16之支撐部分20之下部部分20a。在圖3B中所描繪之實例中，靜電夾具4之電極8帶負電且認為清潔設備16之支撐部分20之下部部分20a帶正電，例如歸因於由施加至靜電夾具4之電極8之負電壓引起的支撐部分20中之電荷分佈。電場E產生於清潔設備16與靜電夾具4之間，由虛線箭頭指示。歸因於清潔設備16之支撐部分20之下部部分20a之正電荷及/或靜電夾具4之帶負電電極8，第二力F2在與第一力F1相反的方向上作用於帶電微粒22。第二力F2可被視為庫侖力，可認為該庫侖力在微粒22與支撐部分之下部部分20a之間相吸引且在微粒22與靜電夾具4之電極8之間相排斥。可認為圖3B中指示之電場E在與可在使用靜電夾具4時存在之電場相反的方向上延伸，例如在物件與靜電夾具4之間延伸。在圖3B中可以看出，電場方向之反轉可不足以自靜電夾具4之介電部分6之上表面6a移除帶電微粒22。清潔設備16與靜電夾具4之間的電場E之強度之增強可為必要的。 圖3C類似於圖3B，但另外描繪清潔設備16之絕緣部分18。在圖3C中，電場E之強度可被視為相對於圖3B中所描繪之電場而增強。舉例而言，電場強度之增強可藉由增大施加至靜電夾具4之電極8之電壓及/或減小清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D而實現，如下文將描述。增強之電場強度可引起作用於帶電微粒22之第二力F2之增大，這可引起帶電微粒22朝向清潔設備16之絕緣部分18之移動。 實現微粒自靜電夾具4之移除所需之電場強度可取決於微粒之大小，諸如微粒之半徑。自靜電夾具4移除微粒所需之電場強度可與
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成比例，其中r 為微粒之半徑。換言之，在粒徑減小之情況下，需要增強電場強度以實現微粒自靜電夾具4之移除。 舉例而言，電場E可包含在使用靜電夾具4時約為產生於物件與靜電夾具4之間的電場強度之1.5倍的強度。舉例而言，電場E可包含約1x108 V/m至2x108 V/m，諸如1.5x108 V/m之強度。包含強度約為1x108 V/m至2x108 V/m，諸如1.5x108 V/m之電場可足夠用於微粒自靜電夾具4之移除。舉例而言，可在真空條件下使用具有上文所描述之例示性強度之電場。施加至靜電夾具4之電極8之電壓可經選擇，跨越清潔設備16與靜電夾具4之間的間距之此電壓為約1000至2000 V，諸如1500 V。跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距之電壓可藉由將約為跨越清潔設備16與靜電夾具4之間的間距之電壓之3倍，諸如3000 V至6000 V的電壓施加至靜電夾具4之電極8而實現。然而，應瞭解，施加至靜電夾具4之電極8以獲得跨越該間距之約1000 V至2000 V之電壓所需的電壓可取決於靜電夾具4之配置及/或清潔設備16之配置。舉例而言，施加至靜電夾具4之電極8以獲得跨越該間距之約1000 V至2000 V之電壓所需的電壓可取決於靜電夾具4之介電部分6之厚度，瘤節12a、12b之厚度，靜電夾具4與清潔設備16之間的距離D及/或清潔設備16之絕緣部分18之厚度。用於自靜電夾具移除微粒所需的跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距之電壓可取決於靜電夾具4與清潔設備16之間的距離D。在實例中，在靜電夾具4與清潔設備16之間的距離D為約10 µm之情況下，可需要跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距約為1500 V之電壓以實現微粒自靜電夾具4之移除。跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距約為1500 V之電壓可產生強度約為108 V/m之電場。在實例中，在靜電夾具4與清潔設備16之間的距離D為約7 µm之情況下，可需要跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距約為1000 V之電壓以實現微粒自靜電夾具4之移除。 在大氣壓下，電場E之強度可相較於在真空條件下使用之電場之強度而降低。舉例而言，空氣可分解，例如可根據帕邢定律在強度約為4x106 V/m至4x107 V/m之電場中形成放電或電弧。電場強度可取決於清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D。舉例而言，在清潔設備16與靜電夾具4之間約為10 µm之距離D下，在約為4x107 V/m之電場強度下空氣可分解。當清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D為約10 µm時，強度約為或低於4x107 V/m之電場可足以自靜電夾具4移除微粒。當清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D為約1 mm時，在約為4x106 V/m之電場強度下空氣可分解。在此距離下，強度約為或低於4x106 V/m之電場可足以自靜電夾具4移除微粒。可在大氣壓下自靜電夾具4移除之微粒可為約或大於至少1 µm。此可歸因於自靜電夾具4移除微粒所需之電場強度與
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成比例，其中r 為微粒之半徑。 在大氣壓下，施加至靜電夾具4之電極8之電壓可經選擇，跨越清潔設備16與靜電夾具4之間的間距之此電壓為約400至4000 V。在實例中，在靜電夾具4與清潔設備16之間的距離D為約10 µm之情況下，可需要跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距約為400 V之電壓以實現微粒自靜電夾具4之移除。在實例中，在靜電夾具4與清潔設備16之間的距離D為約1 mm之情況下，可需要跨越靜電夾具4與清潔設備16之間的間距約為4000 V之電壓以實現微粒自靜電夾具4之移除。應瞭解，本文中所描述之例示性系統不限於上文所描述之電場強度及/或跨越間距之電壓之使用。舉例而言，在其他實施例中，施加至靜電夾具之電極之電壓可經選擇使得產生於清潔設備與靜電夾具之間的電場足以實現微粒自靜電夾具之移除。 應瞭解，清潔設備16與靜電夾具4之間的間距之大小或延伸部可由清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D界定或描述。 如上文所描述，圖3C另外描繪清潔設備16之絕緣部分18。藉由提供具有絕緣部分18之清潔設備16，可防止微粒22之電荷之反轉，例如引起支撐部分20之下部部分20a之正極性。絕緣部分18可防止自靜電夾具4之介電部分6之上表面6a捕獲之微粒22之放電及/或所捕獲微粒返回至靜電夾具4之介電部分6之上表面6a。 儘管微粒在上文描述為帶負電，但應瞭解，在其他實施例中，微粒可帶正電，例如歸因於在靜電夾具之使用期間施加至靜電夾具之電極之負電壓。替代地，微粒可不帶電。施加至靜電夾具4之電極8之電壓，例如電壓之極性可經選擇使得產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的電場E可在與可在靜電夾具4之使用中產生於例如物件與靜電夾具之間的電場相反之方向上延伸。 儘管在圖2之實施例中，電壓施加至靜電夾具之電極，但應瞭解，在其他實施例中，除施加至靜電夾具之電極之電壓之外或替代該電壓，該電壓可施加至清潔設備之支撐部分。施加至清潔設備之支撐部分之電壓可與施加至靜電夾具之電極之電壓以同一方式選擇。 在圖2中所描繪之實施例中，清潔設備16經組態使得清潔設備16之至少一部分之形狀與靜電夾具4之一部分之形狀互補(或大體上互補)，例如以使得清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D減小或最小化。如上文所描述，藉由減小清潔設備16與夾具4之間的距離D，清潔設備16與靜電夾具4之間延伸之電場之強度可增強。除增大施加至例如靜電夾具4之電極8之電壓之外或替代增大該電壓，可減小距離D以增強清潔設備16與靜電夾具4之間延伸之電場之強度。舉例而言，支撐部分20可經定形以與靜電夾具4之上表面6a及/或介電部分6之形狀互補(或大體上互補)，從而使得清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D減小或最小化。舉例而言，清潔設備16與靜電夾具之間的距離D可減小至約5至20 µm，諸如10 µm。應瞭解，在其他實施例中，清潔設備與靜電夾具之間的距離可改變或減小為大於或小於5至20 µm。舉例而言，如上文所描述，在大氣壓下，清潔設備與靜電夾具之間的距離可為約1 mm。支撐部分20可包含複數個凹座20b、20c (在圖2中描繪其中兩個)。儘管圖2描繪兩個凹座20b、20c，但應瞭解，在其他實施例中，電極可包含多於或少於兩個凹座。舉例而言，電極之多個凹座可取決於存在於靜電夾具之介電部分之上表面上的多個瘤節。 每個凹座20b、20c可經定形使得靜電夾具4之各別瘤節12a、12b至少部分或完全收納在每個凹座中，例如當清潔設備16朝向靜電夾具4，例如介電部分6之上表面6a移動時。當支撐部分20與靜電夾具4之瘤節12a、12b接觸時，支撐部分20可被視為接地。應瞭解，在其他實施例中，清潔設備之支撐部分可連接至地面。 在支撐部分20包含複數個凹座20b、20c之實施例中，絕緣部分18可經配置以在支撐部分之兩個鄰近凹座之間延伸。 舉例而言，清潔設備16在圖2中指示之y方向及/或z方向上之側向延伸部或尺寸可取決於靜電夾具4例如在圖2中指示之y方向及/或z方向上之側向延伸部或尺寸而選擇。舉例而言，清潔設備16之側向延伸部或尺寸可經選擇以對應於(或大體上對應於)靜電夾具4之側向延伸部或尺寸。此可實現微粒自靜電夾具4之介電部分6之上表面6a之接近全部之移除。然而，應瞭解，可能需要自靜電夾具之上表面上之預定區域或空間移除微粒。 圖4A描繪用於自夾具移除微粒之系統2之另一實例。圖4A中所描繪之系統2類似於圖2中所描繪之系統。然而，支撐部分20及絕緣部分18經配置以各自界定連續表面。應瞭解，在其他實例中，支撐部分或絕緣部分中之一者可界定連續表面，而另一者包含一或多個凹座。清潔設備16例如在圖4A中指示之y方向及z方向上之側向延伸部或尺寸小於圖2中所描繪之清潔設備之側向延伸部或尺寸。清潔設備16之側向延伸部或尺寸可經選擇使得微粒可自靜電夾具4之介電部分之上表面6a上之預定區域或空間移除或為可自該預定區域或空間移除的。舉例而言，清潔設備16之側向延伸部或尺寸可經選擇以對應於(或大體上對應於)或小於靜電夾具4之兩個鄰近瘤節12a、12b之間的空間或區域。此可使得清潔設備16與靜電夾具之間的距離D減小或最小化，例如以增強清潔設備16與靜電夾具4之間的電場之強度。此亦可使得微粒自靜電夾具4之介電部分6之上表面6a局部移除。儘管清潔設備16在圖4A中描繪為包含小於靜電夾具之側向延伸部或尺寸的側向延伸部或尺寸，但應瞭解，在其他實施例中，清潔設備之側向延伸部或尺寸可經選擇以大體上對應於靜電夾具之側向延伸部或尺寸。 圖4B描繪用於自夾具移除微粒之系統之另一實例。圖4A中所描繪之系統2類似於圖2中所描繪之系統。清潔設備16之絕緣部分18可經定形使得產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的電場包含不均勻電場。絕緣部分18可經定形，產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的此電場在絕緣部分18上之一或多個點處集中或增大。舉例而言，清潔設備16可包含複數個絕緣部分18a、18b、18c、18d，其可經配置以自電極20延伸。每個絕緣部分18a、18b、18c、18d可經配置以自第一端部至第二端部逐漸變窄。每個絕緣部分18a、18b、18c、18d之第一端部可配置在支撐部分20處或該支撐部分上。第二端部可經配置以遠離支撐部分20。第二端部可經配置使得在使用中，將第二端部引向靜電夾具4之介電部分6之上表面6a。 每個絕緣部分18a、18b、18c、18d可包含尖的或尖銳部分19a、19b、19c、19d。尖的或尖銳部分19a、19b、19c、19d可係每個絕緣部分18a、18b、18c、18d之第二端部之部分，包含於該第二端部中或界定該第二端部。該複數個絕緣部分18a、18b、18c、18d可配置於支撐部分20上使得在使用中，將每個絕緣部分18a、18b、18c、18d之每個尖的或尖銳部分19a、19b、19c、19d引向靜電夾具4之介電部分6之上表面6a。當清潔設備16與靜電夾具4之間產生電場時，可認為電場集中在每個絕緣部分18a到18d之尖的或尖銳部分19a到19d上。換言之，可認為所產生電場之強度在每個絕緣部分18a到18d之尖的或尖銳部分19a到19d處增強。此可實現微粒自靜電夾具4之介電部分6之上表面6a之移除，如上文所描述。 可認為圖4B中所描繪之產生於清潔設備16之間的電場不均勻。清潔設備16與靜電夾具4之間不均勻電場之產生可實現非帶電微粒之移除。舉例而言，在使用中，非帶電微粒可被產生於靜電夾具4與物件之間的電場吸引。在一些實例中，非帶電微粒可藉由產生於靜電夾具4與物件之間的電場變得極化。舉例而言，可藉由靜電夾具4與物件之間的電場誘導微粒中之兩個相反電荷。微粒之一部分可變得帶正電且微粒之另一部分可變得帶負電。此可導致微粒變得與電場對準。在均勻電場中，微粒在靜電夾具4上可靜止或不移動，例如歸因於作用於微粒之兩個部分之庫侖力，而在不均勻電場中，微粒可被吸引至電場中具有增強電場強度之一部分。在其他實例中，包含電荷之微粒，諸如預充電微粒，可存在或置放於靜電夾具4與物件之間。微粒可朝向靜電夾具4移動，例如歸因於作用於微粒之庫侖力。可認為非帶電微粒中經誘導之兩個相反電荷之效果大體上比朝向靜電夾具4移動之預充電微粒之效果弱，例如歸因於作用於微粒之庫侖力。 可提供呈自清潔設備之支撐部分20延伸之齒狀物或叉尖形式之絕緣部分18a到18d。應理解，不限於提供呈齒狀物或叉尖形式之絕緣部分且其他形狀之絕緣部分可用於使所產生電場集中在絕緣部分之一或多個點處及/或產生不均勻電場。儘管圖4B描繪四個絕緣部分，但應瞭解，在其他實施例中，多於或少於四個絕緣部分可配置於清潔設備之電極上。 在圖4A及圖4B中，可將電壓施加至支撐部分20，諸如支撐部分20之上部部分20d。施加至支撐部分20之電壓之極性可相同。施加至支撐部分20之電壓可引起電荷在支撐部分20中之重佈，例如當不將電壓施加至靜電夾具4之電極8時。當將電壓施加至清潔設備16之支撐部分20及靜電夾具之電極8時，電荷在支撐部分20中之重佈可增加。此可導致在清潔設備16與靜電夾具4之間延伸之電場之強度增強。舉例而言，當將正電壓施加至清潔設備16之支撐部分20及/或靜電夾具4之電極8時，可認為支撐部分20之下部部分20a帶負電且可認為支撐部分20之上部部分20d帶正電。應瞭解，在將負電壓施加至清潔設備之支撐部分及/或靜電夾具之電極之實施例中，支撐部分之下部部分可被視為帶正電且支撐部分之上部部分可被視為帶負電。 圖2、圖4A及/或圖4B中所描繪之系統2可包含控制器23 (在圖2、圖4A及圖4B中藉由虛線矩形指示)。控制器23可經組態以將電壓施加至靜電夾具4之電極8及/或清潔設備16之支撐部分20。控制器23可包含電壓源24。電壓源24可經組態以將電壓施加至清潔設備16之支撐部分20。系統2可包含經組態以將電壓供應至靜電夾具4之另一電壓源26。另一電壓源26可係控制器23之部分或包含於控制器23中。替代地，另一電壓源26可係另一控制器之部分或包含於另一控制器中。替代地，電壓源24可經組態以將電壓施加至清潔設備16之支撐部分20及靜電夾具4之電極8。應瞭解，在其他實施例中，可提供與控制器(或另一控制器)分離及/或除控制器(或另一控制器)之外的控制器(或另一控制器)。 圖2、圖4A及/或圖4B中所描繪之絕緣部分18可包含最小厚度。絕緣部分之最小厚度可使得絕緣部分18之斷裂得以防止。絕緣部分18可包含最大厚度。該最大厚度可經選擇，使產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的電場之此強度最大化。舉例而言，大於最大厚度的絕緣部分18之厚度可引起電場強度相較於產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的電場強度之增強，該清潔設備包含在厚度等於或小於最大厚度之絕緣部分中。絕緣部分18之厚度可經選擇以例如在清潔設備16之操作期間小於清潔設備16與靜電夾具4之間的距離D。絕緣部分18之厚度可經選擇以在約100 nm至5 µm範圍內。 圖2、圖4A及/或圖4B中所描繪之支撐部分20可包含選定材料使得材料之時間常數小於用於自靜電夾具4移除微粒之時間。材料之時間常數可被視為材料對產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的電場之回應。換言之，材料之時間常數可被視為用於使材料變得至少部分或完全極化所需的時間，例如用於使材料中之電荷重佈所需之時間，如上文所描述。材料之時間常數可由材料之電阻率與材料之電容率之乘積所得。材料可經選擇使得時間常數在小於一秒至大於一天之範圍內。舉例而言，材料可包含等於或小於0.1秒之時間常數。此可使得支撐部分20之材料被視為導電的。舉例而言，圖2、圖4A及/或圖4B中所描繪之支撐部分可包含導電材料，諸如金屬或半導體材料，例如矽、氮化鎵(GaN)或碳化矽(SiC)。 在使用中，圖2、圖4A及/或圖4B中所描繪之清潔設備16可接近於靜電夾具4之上表面6a配置。舉例而言，清潔設備16可相對於靜電夾具4配置使得絕緣部分18朝向靜電夾具4，例如介電部分6之上表面6a引導或延伸。清潔設備16可相對於靜電夾具配置使得絕緣部分18及/或支撐部分20在平行(或大體上平行)於靜電夾具4之介電部分6之上表面6a之方向上延伸。 在使用中，可將電壓施加至靜電夾具4之電極8及/或清潔設備16之支撐部分20以在清潔設備16與靜電夾具4之間產生電場。可選定電壓使得產生於清潔設備16與靜電夾具4之間的電場作用於微粒以引起微粒自靜電夾具4之上表面6a之移除。 系統2及/或清潔設備16可係微影設備之部分。然而，應瞭解，在其他實施例中，系統及/或清潔設備可與微影設備分開提供。舉例而言，系統及/或清潔設備可為獨立清潔台之部分或包含於獨立清潔台中。該系統及/或設備可用於防止微粒朝向靜電夾具4或其他物件移動或防止將微粒朝向靜電夾具4或其他物件輸送。此可防止微粒進入微影設備或可進入微影設備之微粒量之減小。舉例而言，系統及/或設備可係基板裝載系統之部分。 將支撐部分描述為經組態以在將電壓施加至靜電夾具之電極及/或支撐部分時充當電極。如上文所描述，支撐部分可包含半導體材料。在此實施例中，支撐部分可被視為在將支撐部分配置在由靜電夾具產生之電場中或經受該電場，例如施加至靜電夾具之電極之電壓，或電壓時充當電極。替代地，支撐部分可被視為在將電壓施加至支撐部分時充當電極，這可引起電荷在支撐部分中之重佈，如上文所描述。應瞭解，在其他實施例中，支撐部分可包含除半導體材料之外或替代半導體材料之導電材料。當將電壓施加至導電材料時，支撐部分可充當電極。舉例而言，導電材料可經配置以在支撐部分中形成電極。在此類實施例中，施加至靜電夾具之電極及/或支撐部分之電壓，例如電壓之極性可經選擇使得產生於清潔設備與靜電夾具之間的電場作用於微粒以引起微粒自靜電夾具之上表面之移除。 靜電夾具上之微粒可經預充電以促進藉助於靜電力自靜電夾具之改良式移除。此預先充電可如下進行：首先，在夾具上不存在物件之情況下將例如正200伏之夾持電壓(其應小於正或負300伏)施加至靜電夾具。在施加此夾持電壓期間，藉由(EUV)輻射藉助於曝光使靜電夾具及其上之微粒放電。接著，移除夾持電壓且將微粒預充電有負200伏(在夾持電壓為負200伏之情況下預充電有正200伏)。 本發明之實施例可在微影設備中使用，其使用EUV輻射或深紫外線(DUV)輻射(例如，193 nm或248 nm)。可在微影設備LA中使用靜電夾具，在微影設備LA中使用真空夾具並不實際。舉例而言，EUV微影設備LA之一些區域在真空條件下操作，且因此在彼等區域中使用真空夾具可能不實際。可替代地使用靜電夾具。當使用DUV輻射時，微影設備可在周圍環境(非真空條件)下且因此真空夾具可用於將基板W固持至基板台WT。本發明之實施例可用於自包含真空夾具之基板台WT移除污染。 圖5A描繪根據本發明之實施例的用於自基板台WT移除微粒之系統30。基板台WT可包含用於固持基板W (未展示)之複數個支撐件，在此實例中其為瘤節32。將瘤節32提供為二維陣列。在圖5A中可見十五個瘤節32。此可對應於約150個瘤節之二維陣列。應瞭解，在其他實例中，基板台WT可包含其他數目之瘤節。將瘤節32配置於基板台WT之主體36之上表面34上。瘤節32可與基板台WT之主體36整合在一起。瘤節32之上表面可界定可固持有基板W之平面38。 基板W可藉由真空夾具附接至瘤節32。即，藉由施加真空而將基板W固持至瘤節32，該真空提供將基板W吸引至瘤節32之力。為此目的，將密封件49提供於基板台WT上。應瞭解，本文中所描述之系統不限於使用真空夾具且可使用其他夾具。 圖5A描繪用於系統30以用於自基板台WT移除微粒之設備。可提供呈清潔設備40形式之設備。圖5A中所描繪之清潔設備40亦可被稱作清潔基板。清潔設備40可適合於自基板台WT移除微粒。詳言之，清潔設備40可適合於自基板台WT之瘤節32移除微粒。甚至更特定言之，清潔設備40可適合於自基板台WT之瘤節32之頂部表面移除微粒。 在使用中，清潔設備40可接近於基板台WT配置。清潔設備40包含絕緣部分42。絕緣部分42可包含絕緣或介電材料，諸如玻璃或聚合物。絕緣部分42可包含光阻。 清潔設備40包含支撐部分44。支撐部分44可為基板W。支撐部分44可為導電板，更特定言之可為裸露的基板W。在圖5A中，將絕緣部分42描繪為配置於支撐部分44上。絕緣部分42經配置以自支撐部分44延伸或突出。 支撐部分44及絕緣部分42經配置以各自界定大體上連續表面，除了支撐部分44及絕緣部分42中之一者或兩者中可使電連接件通過之一部分。在其他實例中，可不存在使電連接件通過之部分且支撐部分及/或絕緣部分可界定完全連續表面。應瞭解，在其他實例中，支撐部分或絕緣部分中之一者可界定連續表面，而另一者包含一或多個凹座。 支撐部分40經組態使得當將電壓施加至支撐部分44及/或基板台WT時，支撐部分44充當電極以允許在清潔設備40與基板台WT之間產生電場以供微粒自基板台WT之移除。因此，跨越非導電絕緣部分42存在電壓差。施加至支撐部分44及/或基板台WT之電壓可經選擇使得微粒黏附至清潔設備40之絕緣部分38之至少一部分或全部。 系統30可包含控制器46 (在圖5A中由矩形指示)。在此實例中，控制器46可經組態以將電壓施加至清潔設備40之支撐部分44。控制器46可包含電壓源48。該電壓源可為DC。電壓源48可經組態以將電壓施加至清潔設備40之支撐部分44。DC電壓源48之負極性可連接至基板台WT。此可藉由將桿50附接在基板台WT中之孔52中而實現。DC電壓源48之負極性與桿50之間的電連接件可穿過支撐部分44及絕緣部分42中之一者或兩者之各部分。基板台WT可接地。在其他實例中，DC電壓源48之負極性可與基板台WT連接至相同接地。 在其他實例中，系統30可包含經組態以將電壓供應至基板台WT之另一電壓源(未展示)。另一電壓源可係控制器46之部分或包含於該控制器中。替代地，另一電壓源可係另一控制器(未展示)之部分或包含於該另一控制器中。替代地，電壓源48可經組態以將電壓施加至清潔設備40之支撐部分44及基板台WT。 歸因於設置於清潔設備40與基板台WT之間的電場，基板台WT上之微粒將獲取電荷。若電場足夠強，則來自支撐部分44之靜電引力將克服作用於微粒之黏附力(及重力)且微粒將變得附著至絕緣部分42。此類似於上文關於圖2至圖4所描述之方法。 取決於粒徑及電場之大小，重力、黏附力或靜電力中之一者對於微粒將為主要的。在一個實例中，為了200至300 nm粒徑之微粒之移除，若施加1 MW/cm之電場，則所得靜電力將克服重力及黏附力。可使用其他量值之電場。可為了不斷減小微粒大小之微粒之移除而增強電場。即，對於較小微粒，電場對於對小於較大微粒之微粒為主要的靜電力必須較大。 絕緣部分42可具有大致1至10 µm之厚度(亦即，在x方向上)。在其他實例中，取決於要求，絕緣部分42之厚度可小於或大於此。 圖5A之清潔設備可實現高達10 MW/cm之電場。舉例而言，為了獲得10 MW/cm之電場，可針對10 µm絕緣層42施加10 kV之電壓差。在其他實例中，所實現電場可不同於10 MW/cm。 系統30藉由移除此處累積之微粒而清潔瘤節30之頂部表面。清潔基板台WT之其他先前方法並未充分清潔基板台WT。 先前清潔工序/工具/液體被認為不足以適當地清潔經污染之基板台WT。當達到某一污染臨限值時，執行手動清潔。先前，在達到手動清潔污染臨限值之前，就地花崗岩清潔石用於清潔基板台WT。此就地清潔相較於手動清潔(4小時)更為省時(約幾分鐘)，但較不徹底。 使用先前清潔方法，已注意到，正使用之新基板台WT所需之清潔頻率隨時間推移已提高。此歸因於先前清潔方法(就地及手動兩者)未徹底清潔基板台WT。更特定言之，此係由於經主動清潔之唯一表面為瘤節頂部區域，由於清潔石(其亦在手動清潔期間使用)未達至瘤節頂部平面下方。污染(微粒)可未使用此等先前方法移除，相反地其僅可例如移位至瘤節之間。當污染並未移除但移位時，在清潔之後污染瘤節頂部之可能性變得較大。此瘤節頂部污染接著導致聚集斑點(基板W平面在z方向上之偏離)，這導致基板W良率損失。 當微粒未移除時，微粒有機會變得附著至基板台WT表面。舉例而言，矽微粒可沈降在基板台WT表面上且氧化。 圖5A之系統30提供改良式清潔以減少累積污染。微粒可藉由系統30移除。基板台WT上方邊緣上累積之污染不利地影響基板邊緣良率及微影設備LA之機器正常操作時間。因此，使用圖5A之系統30移除污染(微粒)可避免基板邊緣良率之降低且可導致微影設備之提高可用性。 系統30可尤其良好地作用於黏附至瘤節30之頂部表面之硬質微粒(諸如，SiC顆粒或Si微粒)。 圖5B描繪用於自基板台WT移除微粒之系統54之另一實例。此系統54與圖5A之系統30相同，除並不界定大體上連續表面之絕緣部分56以外。 絕緣部分56在基板台WT之瘤節32之區域中具有自支撐部分44朝向基板台WT (x方向)突出之伸出部分58。凹座由於朝向基板台WT伸出之伸出部分58而形成在絕緣部分56中。伸出部分58在y方向上之大小(寬度)與瘤節32在y方向上之大小(寬度)大體上相同，但一些伸出部分58可與瘤節32略微重疊。伸出部分58在z方向上之大小(長度)與瘤節32在z方向上之大小(長度)大體上相同，但一些伸出部分58可與瘤節32略微重疊。一般而言，伸出部分58之面積大小與瘤節32之頂部表面之面積相同或類似。 支撐部分44在基板台WT之瘤節32之區域中亦具有自支撐部分44朝向基板台WT (x方向)突出之伸出部分60。此等伸出部分60由於朝向基板台WT伸出之伸出部分58而填充形成在絕緣部分56中之凹座。因此，支撐部分44距瘤節32之頂部表面仍為同一距離(亦即，絕緣部分56在x方向上之厚度)。 絕緣部分56歸因於伸出部分58之新形狀降低基板台WT之絕緣部分56與主體36之間電弧作用(空氣之電離)之可能性。此係歸因於基板台WT之絕緣部分56之非突出部分與主體36之間的增大距離。空氣中之電弧作用通常變為至少為0.03 MW/cm之電場之問題。當跨越絕緣部分56施加1 MW/cm之電場時，朝向基板台WT之主體36之電場將為0.03 MW/cm。減小絕緣部分之厚度可降低電弧作用之風險。在其他實例中，可以其他方式降低電弧作用之風險，例如藉由增大基板台WT之絕緣部分56與主體36之間的距離。 儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備之部分。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。 術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4 nm至20 nm範圍內(例如，在13 nm至14 nm範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10 nm之波長，例如在4 nm至10 nm範圍內，諸如6.7 nm或6.8 nm。 儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑被固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
2‧‧‧系統4‧‧‧靜電夾具6‧‧‧介電部分6a‧‧‧上表面8‧‧‧電極10‧‧‧下部部分12a‧‧‧支撐件/瘤節12b‧‧‧支撐件/瘤節14‧‧‧平面16‧‧‧清潔設備18‧‧‧絕緣部分18a‧‧‧絕緣部分18b‧‧‧絕緣部分18c‧‧‧絕緣部分18d‧‧‧絕緣部分19a‧‧‧尖的或尖銳部分19b‧‧‧尖的或尖銳部分19c‧‧‧尖的或尖銳部分19d‧‧‧尖的或尖銳部分20‧‧‧支撐部分20a‧‧‧下部部分20b‧‧‧凹座20c‧‧‧凹座20d‧‧‧上部部分22‧‧‧帶電微粒23‧‧‧控制器24‧‧‧電壓源26‧‧‧另一電壓源30‧‧‧系統32‧‧‧瘤節34‧‧‧上表面36‧‧‧主體38‧‧‧平面40‧‧‧清潔設備42‧‧‧絕緣部分44‧‧‧支撐部分46‧‧‧控制器48‧‧‧電壓源49‧‧‧密封件50‧‧‧桿52‧‧‧孔54‧‧‧系統56‧‧‧絕緣部分58‧‧‧伸出部分60‧‧‧伸出部分AM‧‧‧調整構件BD‧‧‧光束遞送系統C‧‧‧目標部分CO‧‧‧聚光器D‧‧‧距離E‧‧‧電場F1‧‧‧第一力F2‧‧‧第二力IF‧‧‧位置感測器IL‧‧‧照明系統IN‧‧‧積光器M1‧‧‧圖案化裝置對準標記M2‧‧‧圖案化裝置對準標記MA‧‧‧圖案化裝置MT‧‧‧支撐結構P1‧‧‧基板對準標記P2‧‧‧基板對準標記PB‧‧‧輻射光束PL‧‧‧項目/投影系統PM‧‧‧第一定位裝置PW‧‧‧第二定位裝置SO‧‧‧輻射源W‧‧‧基板WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： - 圖1描繪根據本發明之實施例之微影設備； - 圖2示意性地描繪根據本發明之實施例的包含用於自夾具移除微粒之設備之系統； - 圖3A示意性地描繪圖2之系統之夾具之介電部分上之微粒； - 圖3B及3C示意性地描繪作用於圖3A之微粒之電場，該電場已產生於該夾具與圖2之設備之間； - 圖4A示意性地描繪根據本發明之另一實施例的包含用於自夾具移除微粒之設備之系統；以及 - 圖4B示意性地描繪根據本發明之又一實施例的包含用於自夾具移除微粒之設備之系統。 - 圖5A示意性地描繪根據本發明之實施例的包含用於自基板台移除微粒之設備之系統。 - 圖5B示意性地描繪根據本發明之另一實施例的包含用於自基板台移除微粒之設備之系統。
2‧‧‧系統
4‧‧‧靜電夾具
6‧‧‧介電部分
6a‧‧‧上表面
8‧‧‧電極
10‧‧‧下部部分
12a‧‧‧支撐件/瘤節
12b‧‧‧支撐件/瘤節
14‧‧‧平面
16‧‧‧清潔設備
18‧‧‧絕緣部分
20‧‧‧支撐部分
20a‧‧‧下部部分
20b‧‧‧凹座
20c‧‧‧凹座
23‧‧‧控制器
26‧‧‧另一電壓源
D‧‧‧距離

Claims (35)

  1. 一種用於自一夾具移除微粒(particle)之設備，該設備可接近於該夾具配置且包含：一絕緣(insulating)部分；一支撐(supporting)部分，該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分經組態使得當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之一電極時，該支撐部分充當一電極以允許在該設備與該夾具之間產生一電場(electric field)以供該等微粒自該夾具之移除，其中該支撐部分包含複數個凹座(recess)及該絕緣部分在至少兩個鄰近凹座之間延伸。
  2. 如請求項1之設備，其中該設備經組態使得該設備之至少一部分之一形狀與該夾具之一部分之一形狀互補以使得該設備與該夾具之間的一距離減小或最小化。
  3. 如請求項1之設備，其中當該設備朝向該夾具移動時，該複數個凹座中之每個凹座經定形使得該夾具之一支撐件可至少部分地收納在該複數個凹座中之每個凹座中。
  4. 如請求項1或2之設備，其中當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之該電極時，該絕緣部分經定形或組態使得在該設備與該夾具之間產生一不均勻電場。
  5. 如請求項1或2之設備，其中當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之該電極時，該絕緣部分經定形或組態使得產生於該設備與該夾具之間的一電場之至少一部分在該絕緣部分上之一或多個點處集中或增大。
  6. 如請求項1或2之設備，其中設備包含複數個絕緣部分，每個絕緣部分經配置以自該支撐部分延伸或突出。
  7. 如請求項6之設備，其中該/每個絕緣部分經配置以自一第一端部至一第二端部逐漸變窄，該/每個絕緣部分之該第一端部配置於該支撐部分處或該支撐部分上，該第二端部經配置使得在使用中將該第二端部引向該夾具。
  8. 如請求項7之設備，其中該/每個絕緣部分之該第二端部包含一尖的或尖銳部分。
  9. 如請求項1或2之設備，其中該設備之一側向延伸部或尺寸經選擇以大體上對應於該夾具之一側向延伸部或尺寸。
  10. 如請求項1或2之設備，其中該設備之一側向延伸部或尺寸經選擇使得該等微粒自該夾具上之一預定區域或空間移除或可自該預定區域或空間移除。
  11. 如請求項1或2之設備，其中該設備經組態以連接或可連接至一控制器，該控制器經組態以將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之該電極。
  12. 如請求項1之設備，其中該支撐部分及/或該絕緣部分經配置以界定一連續表面。
  13. 如請求項1或2之設備，其中當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之一電極時，選擇該電壓使得該設備與該夾具之間的該電場在與該夾具與該夾具之一使用中物件之間產生之一電場之一方向相反的一方向上延伸。
  14. 一種用於自一夾具移除微粒之系統，該系統包含如請求項1至13中任一項之一設備；以及一夾具，經組態以固持一物件。
  15. 如請求項14之系統，其中該夾具經組態以用於一微影設備，或該夾具為該微影設備之部分或包含於該微影設備中。
  16. 如請求項14或15之系統，其中該夾具包含一靜電夾具。
  17. 如請求項14或15之系統，其進一步包含經組態以將一電壓施加至該 設備之該支撐部分及/或該夾具之一電極之一控制器，其中選擇該電壓使得該設備與該夾具之間產生之該電場作用於該夾具上之該等微粒上以使得該等微粒自該夾具移除。
  18. 一種自一夾具移除微粒之方法，該方法包含：接近於該夾具配置用於自一夾具移除微粒之一設備，該設備包含一絕緣部分及一支撐部分，其中該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分包含複數個凹座及該絕緣部分在至少兩個鄰近凹座之間延伸，其中該支撐部分經組態使得當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之一電極時，該支撐部分充當一電極以使得該設備與該夾具之間產生一電場以供該等微粒自該夾具之移除；以及將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該夾具之一電極以在該設備與該夾具之間產生一電場以供該等微粒自該夾具之移除。
  19. 如請求項18之方法，其中選擇該電壓使得該等微粒黏附至該絕緣部分之至少一部分或全部。
  20. 如請求項18或19之方法，其中該夾具上之該等微粒在將其自該夾具移除之前經預充電。
  21. 一種微影設備，包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化裝置，該圖案化裝置能夠在 該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板，該基板台包含一夾具以用於固持該基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；以及如請求項1至13中任一項之一設備，其用於自該夾具移除微粒。
  22. 一種微影設備，包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化裝置，該支撐結構包含一夾具以用於固持該圖案化裝置，該圖案化裝置能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；以及如請求項1至13中任一項之一設備，其用於自該夾具移除微粒。
  23. 一種用於自一基板台移除微粒之設備，該設備可接近於該基板台配置且包含：一絕緣部分；一支撐部分，該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分包含複數個凹座及該絕緣部分在至少兩個鄰近凹座之 間延伸，其中該支撐部分經組態使得當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該基板台時，該支撐部分充當一電極以允許在該設備與該基板台之間產生一電場以供該等微粒自該基板台之移除。
  24. 如請求項23之設備，其中該設備經組態以自該基板台之瘤節之一頂部表面移除微粒。
  25. 如請求項23或24之設備，其中該支撐部分及/或該絕緣部分經配置以界定一連續表面。
  26. 如請求項24之設備，其中該絕緣部分及該支撐部分在該等瘤節之區域中具有伸出部分。
  27. 如請求項23或24之設備，其中該支撐部分為一導電板。
  28. 如請求項23或24之設備，其中該絕緣部分為一聚合物層。
  29. 如請求項23或24之設備，其中該設備經組態以連接或可連接至一控制器，該控制器經組態以將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該基板台。
  30. 一種用於自一基板台移除微粒之系統，該系統包含如請求項23至29中任一項之一設備；以及 一基板台，其經建構以固持一基板。
  31. 如請求項30之系統，其中該基板台經組態以用於一微影設備或該基板台為該微影設備之部分或包含於該微影設備中。
  32. 如請求項30或31之系統，其進一步包含經組態以將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該基板台之一控制器，其中選擇該電壓使得該設備與該基板台之間產生之該電場作用於該基板台上之該等微粒上以使得自該基板台移除該等微粒。
  33. 一種自一基板台移除微粒之方法，該方法包含：接近於該基板台配置用於自一基板台移除微粒之一設備，該設備包含一絕緣部分及一支撐部分，其中該絕緣部分之至少一部分或全部配置於該支撐部分上，其中該支撐部分包含複數個凹座及該絕緣部分在至少兩個鄰近凹座之間延伸，其中該支撐部分經組態使得當將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該基板台時，該支撐部分充當一電極以使得該設備與該基板台之間產生一電場以供該等微粒自該基板台之移除；以及將一電壓施加至該設備之該支撐部分及/或該基板台以在該設備與該基板台之間產生一電場以供該等微粒自該基板台之移除。
  34. 如請求項33之方法，其中選擇該電壓使得該等微粒黏附至該絕緣部分之至少一部分或全部。
  35. 一種微影設備，包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐結構，其經建構以支撐一圖案化裝置，該圖案化裝置能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板上；以及如請求項23至29中任一項之一設備，其用於自該基板台移除微粒。
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