CN203778373U - 一种半导体光刻显影设备清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半导体光刻显影设备清洗装置，包括底座及设置在底座中央的圆柱形吸盘，其特征在于：所述底座上均匀设有若干以吸盘为圆心的背洗喷头，所述底座上还设有一圈挡水圈。由于挡水圈的阻隔，在硅片的上表面进行化学品喷涂时，硅片表面的显影液不会直接污染到硅片背面，由于硅片下表面收到的直接污染较小，那么化学品不会大量聚集进而流到吸盘的连接处导致无法彻底清洗。此外，优化的背洗喷头位置可轻易的将硅片背面少量的显影液冲走，两者结合可完全解决硅片背面的沾污问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体光刻显影设备清洗装置，属于工业控制系统技术领域。
背景技术
显影是光刻工艺中一项重要的工序，首先硅片被传送到真空吸盘上并固定，然后多次在硅片上表面均匀喷覆显影液，硅片静止显影完成后，用去离子水冲洗硅片，去除硅片上下表面的所有化学品，此时吸盘带动硅片高速旋转并将水甩干，显影工序完成。
由于安装在底座上的背洗碰头和吸盘之间有一段距离，经常出现硅片背面无法完全冲洗干净，特别是硅片与吸盘的连接处是清洗死角，更加难以清洗，造成产品沾污，在之后的硬烘工艺中，残留的显影液通常导致产品报废。
实用新型内容
本实用新型的目的：旨在提供一种结构简单，安全可靠的半导体光刻显影设备清洗装置。
这种半导体光刻显影设备清洗装置，包括底座及设置在底座中央的圆柱形吸盘，其特征在于：所述底座上均匀设有若干以吸盘为圆心的背洗喷头，所述底座上还设有一圈挡水圈。
所述背洗喷头的喷嘴与底座夹角为45°并指向硅片外沿。
所述挡水圈的直径小于硅片直径并大于吸盘直径。
所述挡水圈顶端与硅片下表面之间的间距为2mm。
所述挡水圈的侧立面设有若干供液体流出的缺口。
由于挡水圈的阻隔，在硅片的上表面进行化学品喷涂时，硅片表面的显影液不会直接污染到硅片背面，由于硅片下表面收到的直接污染较小，那么化学品不会大量聚集进而流到吸盘的连接处导致无法彻底清洗。此外，优化的背洗喷头位置可轻易的将硅片背面少量的显影液冲走，两者结合可完全解决硅片背面的沾污问题。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是挡水圈的结构示意图；
图中，1-硅片 2-吸盘 3-背洗喷头 4-挡水圈 5-底座 6-缺口。
具体实施方式
下面我们结合附图和具体的实例来对这种半导体光刻显影设备清洗装置进一步的详细说明，以求更为清楚明白地阐述其结构和使用方式。
这种半导体光刻显影设备清洗装置，包括底座5及设置在底座5中央的圆柱形吸盘2，其特征在于：所述底座5上均匀设有若干以吸盘2为圆心的背洗喷头3，所述底座5上还设有一圈挡水圈4。
所述背洗喷头3的喷嘴与底座5夹角为45°并指向硅片1外沿。背洗喷头3均匀环绕在吸盘2周围并斜向指向硅片1外沿，当冲水清洗时，由于冲洗的水柱斜向指向硅片1外沿，化学品还可被水柱直接冲刷至硅片外，不会溶解稀释在硅片1底面的水渍上，从而将硅片1底面残留的化学品冲洗干净。
所述挡水圈4的直径小于硅片1直径并大于吸盘2直径。设置在底座5上的挡水圈4可在硅片1的上表面喷涂化学品的过程中，防止化学品直接喷涂到硅片1的下表面，减少硅片1下表面直接受到污染的几率和程度。
所述挡水圈4顶端与硅片1下表面之间的间距为2mm。
所述挡水圈4的侧立面设有若干供液体流出的缺口6。当背洗喷头3喷水清洗时，一部分水流从挡水圈4顶端与硅片1小表面之间的间距中冲走，一部分水流会汇聚至底座5并从挡水圈4侧立面上设置的缺口6中流出。
Claims (1)
1.一种半导体光刻显影设备清洗装置，包括底座(5)及设置在底座(5)中央的圆柱形吸盘(2)，所述底座(5)上均匀设有若干以吸盘(2)为圆心的背洗喷头(3)，所述底座(5)上还设有一圈挡水圈(4)，其特征在于：所述背洗喷头(3)的喷嘴与底座(5)夹角为45°并指向硅片(1)外沿；所述挡水圈(4)的侧立面设有若干供液体流出的缺口(6)。
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Cited By (1)
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| TWI785026B (zh) * | 2017-06-01 | 2022-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 微粒移除設備及相關系統 |
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