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TWI782585B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI782585B
TWI782585B TW110122478A TW110122478A TWI782585B TW I782585 B TWI782585 B TW I782585B TW 110122478 A TW110122478 A TW 110122478A TW 110122478 A TW110122478 A TW 110122478A TW I782585 B TWI782585 B TW I782585B
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奚鵬博
陳冠勳
許靜宜
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友達光電股份有限公司
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Abstract

一種顯示裝置包含驅動電晶體、控制電路、移位暫存器電路。控制電路耦接於驅動電晶體，並用以控制驅動電晶體。移位暫存器電路耦接於控制電路，並用以根據複數個訊號輸出掃頻訊號至控制電路。移位暫存器電路藉由掃頻訊號以調整控制電路之節點之電壓準位。控制電路根據節點之電壓準位控制驅動電晶體。

Description

顯示裝置
本案涉及一種電子裝置。詳細而言，本案涉及一種顯示裝置。
於現有顯示裝置中，顯示裝置的驅動控制電路採用直接開關的方式。此種設計導致訊號之推力會逐漸下降，進而使面板內部的發光電路產生相位偏移。因此，訊號的些微相位偏移使得顯示裝置產生明顯的顯示瑕疵(mura)。
因此，上述技術尚存諸多缺陷，而有待本領域從業人員研發出其餘適合的電路設計。
本案的一面向涉及一種顯示裝置包含驅動電晶體、控制電路、移位暫存器電路。控制電路耦接於驅動電晶體，並用以控制驅動電晶體。移位暫存器電路耦接於控制電路，並用以根據複數個訊號輸出掃頻訊號至控制電路。移位暫存器電路藉由掃頻訊號以調整控制電路之節點之電壓準位。控制電路根據節點之電壓準位控制驅動電晶體。
以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本案之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本案之實施例後，當可由本案所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本案之精神與範圍。
本文之用語只為描述特定實施例，而無意為本案之限制。單數形式如“一”、“這”、“此”、“本”以及“該”，如本文所用，同樣也包含複數形式。
關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。
關於本文中所使用之用詞（terms），除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在本案之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本案之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本案之描述上額外的引導。
第1圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之電路方塊示意圖。在一些實施例中，請參閱第1圖，顯示裝置100包含驅動電晶體DT1、控制電路110、移位暫存器電路120、第一電晶體T1、第二電晶體T2及發光元件L。在一些實施例中，顯示裝置100採用閘極驅動電路基板(Gate Driver on Array, GOA)技術。在一些實施例中，顯示裝置100採用逐行掃描(progressive scan)的方式以驅動顯示裝置100的面板內部的畫素電路。
在一些實施例中，請以圖式中元件之上端及右端起算為第一端，驅動電晶體DT1包含第一端、第二端及控制端。驅動電晶體DT1之第一端耦接於第一電晶體T1。驅動電晶體DT1之第二端耦接於第二電晶體T2。驅動電晶體DT1之控制端耦接於控制電路110。
在一些實施例中，第一電晶體T1包含第一端、第二端及控制端。第一電晶體T1之第一端接收電源供應電壓VDD。第一電晶體T1之第二端耦接於驅動電晶體DT1之第一端。第一電晶體T1之控制端接收驅動訊號EM1[n]。
在一些實施例中，第二電晶體T2包含第一端、第二端及控制端。第二電晶體T2之第一端耦接於驅動電晶體DT1之第二端。第二電晶體T2之第二端耦接於發光元件L。在一些實施例中，發光元件L包含第一端及第二端。發光元件L之第一端耦接於第二電晶體T2之第二端。發光元件L之第二端接收電源供應電壓VSS。須說明的是，本案顯示裝置100之發光路徑為電源供應電壓VDD與電源供應電壓VSS之間的最短路經。本案顯示裝置100之發光路徑係經由第一電晶體T1、驅動電晶體DT1及第二電晶體T2。由第一電晶體T1、驅動電晶體DT1及第二電晶體T2控制發光元件L。
在一些實施例中，控制電路110耦接於驅動電晶體DT1，並用以控制驅動電晶體DT1。移位暫存器電路120耦接於控制電路110，並用以根據複數個訊號(例如：掃頻時脈訊號SW_CLK、掃頻高準位SW_H及掃頻低準位SW_L)輸出掃頻訊號SWEEP[n]至控制電路110。移位暫存器電路120藉由掃頻訊號SWEEP[n]調整控制電路110之節點N2之電壓準位。在一些實施例中，移位暫存器電路120藉由掃頻訊號SWEEP[n]以抬升或降低控制電路110之節點N2之電壓準位。
在一些實施例中，控制電路110包含電晶體T3、電晶體T4、電晶體T5、電晶體T6、脈衝寬度調變電晶體PT1、電容C1、節點N1及節點N2。在一些實施例中，電晶體T3包含第一端、第二端及控制端。電晶體T3之第一端接收截止訊號PPO。電晶體T3之控制端接收第一驅動訊號EM[n]。脈衝寬度調變電晶體PT1包含第一端、第二端及控制端。脈衝寬度調變電晶體PT1之第一端耦接於節點N2。脈衝寬度調變電晶體PT1之第二端耦接於電晶體T3之第二端。脈衝寬度調變電晶體PT1之控制端耦接於節點N1。
在一些實施例中，電晶體T4包含第一端、第二端及控制端。電晶體T4之第一端耦接於節點N2。電晶體T4之第二端耦接於節點N1。電晶體T4之控制端接收閘極訊號Gate[n]。電晶體T5包含第一端、第二端及控制端。電晶體T5之第一端接收直流訊號RES_DC。電晶體T5之第二端耦接於節點N1。電晶體T5之控制端接收重置訊號R[n]。電晶體T6包含第一端、第二端及控制端。電晶體T6之第一端耦接於脈衝寬度調變電晶體PT1之第二端及電晶體T3之第二端。電晶體T6之第二端接收輸入訊號Input。電晶體T6之控制端接收閘極訊號Gate[n]。電容C1包含第一端及第二端。電容C1之第一端耦接於節點N1。電容C1之第二端耦接於控制電路110的輸入端(即掃描電阻電容端111)，並接收掃頻訊號SWEEP[n]。
在一些實施例中，移位暫存器電路120包含選擇電晶體ST1、電容C2、輸出電路121及掃頻電壓驅動電路122。在一些實施例中，輸出電路121耦接於選擇電晶體ST1及電容C2。在一些實施例中，掃頻電壓驅動電路122耦接於輸出電路121。
在一些實施例中，選擇電晶體ST1根據驅動訊號輸出掃頻訊號SWEEP[n]至控制電路110之輸出入端(即掃描電阻電容端111)。電容C2用以穩定掃頻訊號SWEEP[n]之電壓。
在一些實施例中，電容C2包含第一端及第二端。電容C2之第一端耦接於輸出電路121。電容C2之第二端係為控制電路110之輸入端(即掃描電阻電容端111)。選擇電晶體ST1包含第一端、第二端及控制端。選擇電晶體ST1之第一端耦接於控制電路110之輸入端(即掃描電阻電容端111)。選擇電晶體ST1之第二端根據輸出電路121接收到的驅動訊號EM[n]及斜率訊號SW_slope[P]輸出掃頻訊號SWEEP[n]。
在一些實施例中，驅動電晶體DT1、第一電晶體T1、第二電晶體T2、電晶體T3、電晶體T4、電晶體T5、電晶體T6、脈衝寬度調變電晶體PT1及選擇電晶體ST1均為P型金屬氧化物半導體場效電晶體PMOS(p type Metal Oxide Semiconductor, PMOS)。雖然本案之實施例採用PMOS，但不以圖式實施例為限。詳細而言，若電晶體T7至電晶體T15採用N型金屬氧化物半導體場效電晶體(N type Metal Oxide Semiconductor, NMOS)。本案之顯示裝置100之電性操作會相反。
在一些實施例中，顯示裝置100更包含驅動移位暫存器電路910、第一掃描移位暫存器電路930以及第二掃描移位暫存器電路950。在一些實施例中，驅動移位暫存器電路910、第一掃描移位暫存器電路930以及第二掃描移位暫存器電路950均由顯示裝置100之系統端(圖中未示)所控制。
在一些實施例中，驅動移位暫存器電路910用以接收驅動時脈訊號EM_CLK、第一串列輸入訊號S1及閘極驅動訊號GOA，藉以輸出驅動訊號EM1[n]至第一電晶體T1以及移位暫存器電路120之輸出電路121或輸出驅動訊號EM2[n]至第二電晶體T2。
在一些實施例中，第一掃描移位暫存器電路930用以接收第一掃描時脈訊號SC_CLK1及第二串列輸入訊號S2[N]，藉以輸出閘極訊號Gate[n]或多級閘極訊號。在一些實施例中，第一掃描移位暫存器電路930輸出閘極訊號Gate[n]或多級閘極訊號至控制電路110或移位暫存器電路120。
在一些實施例中，第二掃描移位暫存器電路950用以接收第二掃描時脈訊號SC_CLK2及次級第二串列輸入訊號S2[N+1]，藉以輸出閘極訊號Gate[n]或多級閘極訊號。在一些實施例中，第二掃描移位暫存器電路950輸出閘極訊號Gate[n]或多級閘極訊號至控制電路110或移位暫存器電路120。
在一些實施例中，為使第1圖之顯示裝置100的操作易於理解，請一併參閱第2圖，第2圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之驅動訊號時序示意圖。在一些實施例中，移位暫存器電路120用以根據複數個訊號輸出掃頻訊號SWEEP[n]至控制電路110。移位暫存器電路120藉由掃頻訊號SWEEP[n]以調整控制電路110之節點N2之電壓準位。控制電路110根據節點N2之電壓準位控制驅動電晶體DT1。須說明的是，階段I11至階段I17為顯示裝置100的一個驅動週期。
在一些實施例中，第一電晶體T1、驅動電晶體DT1及第二電晶體T2控制發光元件L。第一電晶體T1之控制端響應驅動訊號EM1[n]導通。第二電晶體T2之控制端響應驅動訊號EM2[n]導通。驅動電晶體DT1響應控制電路110之節點N2之電壓準位導通，藉以與第一電晶體T1及第二電晶體T2共同控制發光元件L。
在一些實施例中，驅動訊號EM1[n]之工作週期P1大於驅動訊號EM2[n]之工作週期P2。須說明的是，R[n]為重置訊號，控制電路110用以根據重置訊號R[n]進行重置。訊號PAM[n]為控制電路110之節點N2之電壓準位變化。訊號PAM[n]響應掃頻訊號SWEEP[n]變化，並與移位暫存器電路120內部操作密切相關。為了更佳地理解移位暫存器電路120內部操作，其詳細步驟將於下面段落中解釋之。
實質上，驅動訊號EM1[n]之工作週期P1為顯示裝置100的控制階段。驅動訊號EM2[n]之工作週期P2為發光元件L的發光階段。調整工作週期P2的時間長短，以達成類似脈衝寬度調變的驅動方式。
在一些實施例中，為使移位暫存器電路120內部操作易於理解，請一併參閱第3圖及第4圖。第3圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之電路方塊示意圖。在一些實施例中，第3圖為第1圖中顯示裝置100之移位暫存器電路120之內部結構的展開圖。第4圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之驅動訊號時序示意圖。在一些實施例中，請參閱第3圖及第4圖，輸出電路121用以根據驅動訊號EM[n]控制選擇電晶體ST1。掃頻電壓驅動電路122用以根據選擇訊號PHG[n]透過輸出電路121控制選擇電晶體ST1。由輸出電路121及掃頻電壓驅動電路12控制的選擇電晶體ST1根據驅動訊號EM[n]仿製斜率訊號SW_slope[P]，藉以輸出掃頻訊號SWEEP[n]。
須說明的是，電壓準位VGH及VGL均為直流準位。掃頻高準位SW_H及掃頻低準位SW_L均為直流準位。階段I21至至階段I24為顯示裝置100之移位暫存器電路120的一個驅動週期。
在一些實施例中，移位暫存器電路120包含輸出電路121及掃頻電壓驅動電路122。在一些實施例中，輸出電路121包含電晶體T9、電晶體T11及電晶體T12。在一些實施例中，掃頻電壓驅動電路122包含電晶體T7、電晶體T8、電晶體T10、電晶體T13、電晶體T14、電晶體T15、電容C3及電容C4。
在一些實施例中，電晶體T7至電晶體T15均為P型金屬氧化物半導體場效電晶體PMOS(p type Metal Oxide Semiconductor, PMOS)。雖然本案之實施例採用PMOS，但不以圖式實施例為限。詳細而言，若電晶體T7至電晶體T15採用N型通道金屬氧化物半導體場效電晶體NMOS(N type Metal Oxide Semiconductor, NMOS)。本案之顯示裝置100之電性操作會相反。
第5圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第4圖及第5圖，於階段I21中，移位暫存器電路120之掃頻電壓驅動電路122接收掃頻時脈訊號SW_CLK。掃頻時脈訊號SW_CLK用以穩壓掃頻電壓驅動電路122之內部電壓。此時，驅動電壓EM[n]為高準位，電晶體T7、電晶體T8及電晶體T9導通，藉以將從移位暫存器電路120之輸出端Output輸入的電流引導至掃頻低準位SW_L。須說明的是，於階段I21中，斜率訊號SW_slope[P]將被先行輸入至選擇電晶體ST1之第一端。
第6圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之控制電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第2圖及第6圖，於階段I12中，閘極訊號Gate[n]為低準位，電晶體T6及電晶體T4響應閘極訊號Gate[n]導通。此時，輸入訊號Input透過電晶體T6之第二端輸入，並經由脈衝寬度調變電晶體PT1、節點N2、電晶體T4、節點N1及電容C1將電壓準位輸入至上述移位暫存器電路120之輸出端Output，藉以進行補償。須說明的是，第2圖之階段I12大致上對應至第4圖之階段I21。
在一些實施例中，請參閱第2圖，於階段I11中，重置電位R[n]為低準位，電晶體T5導通，以將節點N1或節點N2之電位重置到直流訊號RES_DC。
第7圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第4圖及第7圖，於階段I22中，選擇訊號PHG[n]為低準位，電晶體T15之控制端響應選擇訊號PHG[n]導通，電晶體T10之控制端及電晶體T14之控制端響應電壓準位VGL導通。此時，電晶體T7、電晶體T8及電晶體T9關閉。掃頻高準位SW_H透過電晶體T10開始輸出高準位至移位暫存器電路120之輸出端Output，進而輸出高準位至上述控制電路110。
第8圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之控制電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第2圖及第8圖，於階段I13中，掃頻訊號SWEEP[n]為高準位。從移位暫存器電路120之輸出端Output輸出的掃頻訊號SWEEP[n]抬升節點N1的電壓準位，進而產生一股高推力藉以間接抬升節點N2的電壓準位。
第9圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第4圖及第9圖，於階段I22中，選擇訊號PHG[n]從低準位轉為高準位，電晶體T15之控制端響應選擇訊號PHG[n]關閉。此時，電晶體T10之控制端及電晶體T14之控制端維持低準位，掃頻高準位SW_H透過電晶體T10持續輸出高準位至移位暫存器電路120之輸出端Output，進而輸出高準位至上述控制電路110。須說明的是，第2圖之階段I13大致上對應至第4圖之階段I22。
第10圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第4圖及第10圖，於階段I23中，驅動訊號EM[n]為低準位，電晶體T11、電晶體T12、電晶體T13及選擇電晶體ST1響應驅動訊號EM[n]導通，電晶體T10之控制端及電晶體T14之控制端響應電壓準位VGH關閉。斜率訊號SW_slope[P]透過選擇電晶體ST1輸出至移位暫存器電路120之輸出端Output。選擇電晶體ST1開始仿製斜率訊號SW_slope[P]之下降緣，以輸出逐漸下降的斜率訊號至上述控制電路110。
第11圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之控制電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第2圖及第11圖，於階段I14、階段I15及階段I16中，由於掃頻訊號SWEEP[n]逐漸下降，節點N2的電壓變化(即訊號PAM[n])響應節點N1而逐漸下降，驅動訊號EM[n]為低準位，截止訊號PPO透過電晶體T3及脈衝寬度調變電晶體PT1寫入節點N2。驅動電經體DT1之控制端響應節點N2截止，並與第一電晶體T1及電晶體T2輸出電流至發光元件L，以達成脈衝振幅調變的驅動方式。須說明的是，第2圖之階段I14、階段I15及階段I16大致上對應至第4圖之階段I23。
第12圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路120之狀態示意圖。在一些實施例中，請參閱第4圖及第12圖，於階段I24中，驅動電壓EM[n]為高準位，電晶體T7、電晶體T8及電晶體T9導通，藉以將從移位暫存器電路120之輸出端Output輸入的電流引導至掃頻低準位SW_L。須說明的是，第2圖之階段I17大致上對應至第4圖之階段I24。
第13圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置100A之電路方塊示意圖。在一些實施例中，相較於第1圖之顯示裝置100，第13圖之實施例於控制電路110A中增加兩顆電晶體(例如：電晶體T16及電晶體T17)，以及增加一個設定移位暫存器電路970A及驅動電晶體DT2。設定移位暫存器電路970A耦接於電晶體T17之控制端。須說明的是，藉由增加第13圖之電路結構，以同時控制驅動電晶體DT1及驅動電晶體DT2，藉以減少顯示裝置的顯示缺陷(mura)。
依據前述實施例，本案提供一種顯示裝置，藉由本案之電路架構產生一股掃頻訊號之持續推力，以減少顯示裝置的相位偏移而產生的顯示瑕疵(mura)。
雖然本案以詳細之實施例揭露如上，然而本案並不排除其他可行之實施態樣。因此，本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，而非受於前述實施例之限制。
對本領域技術人員而言，在不脫離本案之精神和範圍內，當可對本案作各種之更動與潤飾。基於前述實施例，所有對本案所作的更動與潤飾，亦涵蓋於本案之保護範圍內。
100, 100A:顯示裝置 110, 110A:控制電路 111, 111A:掃描電阻電容端 120, 120A:移位暫存器電路 121, 121A:輸出電路 122, 122A:掃頻電壓驅動電路 910, 910A:驅動移位暫存器電路 930, 930A:第一掃描移位暫存器電路 950, 950A:第二掃描移位暫存器電路 970A:設定移位暫存器電路 T1~T17:電晶體 DT1, DT2:驅動電晶體 ST1:選擇電晶體 PT1:脈衝寬度調變電晶體 C1~C4:電容 N1~N2:節點 L:發光元件 R[n]:重置訊號 EM[n], EM1[n], EM[n]:驅動訊號 VDD, VSS:電源供應電壓 Gate[n], Gate[n+1]:閘極訊號 EM_CLK:驅動時脈訊號 S1:第一串列輸入訊號 GOA:閘極驅動訊號 SC_CLK1:第一掃描時脈訊號 S2[N]:第二串列輸入訊號 SC_CLK2:第二掃描時脈訊號 S2[N+1]:次級第二串列輸入訊號 SW_CLK:掃頻時脈訊號 SW_H:掃頻高準位 SW_L:掃頻低準位 SW_slope[P]:斜率訊號 RES_DC:直流訊號 SWEEP[n]:掃頻訊號 PAM[n]:訊號 P1~P3:工作週期 I11~I17:階段 I21~I24:階段 VGL, VGH:電壓準位 PHG[n]:選擇訊號 Input:輸入訊號 Output:輸出端 PWD_DC:直流訊號 SET[n]:設定訊號 SET_CLK:時脈訊號
參照後續段落中的實施方式以及下列圖式，當可更佳地理解本案的內容： 第1圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之電路方塊示意圖； 第2圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之驅動訊號時序示意圖； 第3圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之電路方塊示意圖； 第4圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之驅動訊號時序示意圖； 第5圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之狀態示意圖； 第6圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之控制電路之狀態示意圖； 第7圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之狀態示意圖； 第8圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之控制電路之狀態示意圖； 第9圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之狀態示意圖； 第10圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之狀態示意圖； 第11圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之控制電路之狀態示意圖； 第12圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之移位暫存器電路之狀態示意圖；以及 第13圖為根據本案一些實施例繪示的顯示裝置之電路方塊示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
120:移位暫存器電路
121:輸出電路
122:掃頻電壓驅動電路
910:驅動移位暫存器電路
930:第一掃描移位暫存器電路
950:第二掃描移位暫存器電路
T7~T15:電晶體
C2~C4:電容
ST1:選擇電晶體
EM_CLK:驅動時脈訊號
S1:第一串列輸入訊號
GOA:閘極驅動訊號
SC_CLK1:第一掃描時脈訊號
S2[N]:第二串列輸入訊號
SC_CLK2:第二掃描時脈訊號
S2[N+1]:次級第二串列輸入訊號
SW_CLK:掃頻時脈訊號
SW_H:掃頻高準位
SW_L:掃頻低準位
SW_slope[P]:斜率訊號
VGL,VGH:電壓準位
PHG[n]:選擇訊號
Output:輸出端
EM[n]:驅動訊號
SWEEP[n]:掃頻訊號

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，包含：一驅動電晶體；一控制電路，耦接於該驅動電晶體，並用以控制該驅動電晶體；以及一移位暫存器電路，耦接於該控制電路，並用以根據複數個訊號輸出一掃頻訊號至該控制電路，其中該掃頻訊號於一第一階段為一高準位，且該掃頻訊號於一第二階段自該高準位逐漸下降；其中該移位暫存器電路藉由該掃頻訊號以調整該控制電路之一節點之一電壓準位，其中該控制電路根據該節點之該電壓準位控制該驅動電晶體。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該移位暫存器電路藉由該掃頻訊號以抬升或降低該控制電路之該節點之該電壓準位。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該移位暫存器電路包含一選擇電晶體，其中該選擇電晶體根據該些訊號之一第一驅動訊號輸出該掃頻訊號至該控制電路。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該移位暫存器電路包含一電容，其中該電容用以穩定該掃頻訊號之電壓。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該移位暫存器電路包含一輸出電路，耦接於該選擇電晶體及該電容，並用以根據該些訊號之該第一驅動訊號控制該選擇電晶體，藉以驅動該驅動電晶體輸出一電流至一發光元件。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該移位暫存器電路包含一掃頻電壓驅動電路，其中該掃頻電壓驅動電路耦接於該輸出電路，並用以根據該些訊號之一選擇訊號以透過該輸出電路控制該選擇電晶體，藉以輸出該掃頻訊號。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該控制電路包含一脈衝寬度調變電晶體，其中該脈衝寬度電晶體包含一第一端、一第二端及一控制端，其中該脈衝寬度電晶體之該第一端耦接於該驅動電晶體，該脈衝寬度電晶體之該控制端響應該節點之該電壓準位，以控制該驅動電晶體。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示裝置包含一第一電晶體，其中該第一電晶體耦接於該驅動電晶體，該第一電晶體根據一第二驅動訊號而與該控制電路共同控制該驅動電晶體。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該顯示裝置包含一第二電晶體，其中該第二電晶體耦接於該驅動電晶體，該第二電晶體根據一第三驅動訊號而與該控制電路及該第一電晶體共同控制該驅動電晶體。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該第二驅動訊號之一第一工作週期大於該第三驅動訊號之一第二工作週期。
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