TWI779081B - 磁性碟片用基板及其之製造方法 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供一種磁性碟片用基板，其係比起以往可以實現高度的表面的平滑化與無缺陷化。 　　[解決手段] 磁性碟片用基板(10)在基板(11)的主面具有無電解NiP鍍覆被覆膜(12)。基板(11)，係在把主面的內周圍區域(10i)與最外周圍區域(10p)之間的外周圍區域(10c)以特定的角度間隔在圓周方向(Dc)繞基板(11)一整圈所分割出的各個的評量區間中，圓周方向(Dc)的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[m]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。

Description

磁性碟片用基板及其之製造方法

本發明有關磁性碟片用基板及其之製造方法。

以往，使用在例如硬碟裝置(HDD)的磁性碟片用基板及其製造方法是廣為人知(參閱下述專利文獻1至4)。

專利文獻1揭示出一種磁記錄媒體用基板，係主面中的表面粗糙度在圓周方向的起伏的空間週期(L)為10～1000μm的範圍中的均方根粗糙度(Rq)下，為1Å以下。該基板具有以下般的特徵。就前述表面粗糙度進行頻譜解析，得到表示在以其空間週期(L)為橫軸[μm]、以其功率頻譜密度(PSD)為縱軸[k・Ų ・μm](k為常數)之雙對數圖表上的曲線S。於該曲線S，把連結空間週期(L)為10μm的點A、與空間週期(L)為1000μm的點B之線段Z的縱軸方向的成分，定為H。把相對於該線段Z之曲線S的縱軸方向的成分為最大的位移，定為ΔH。此時，以 ΔH/H×100[%]來表示的值(P)為15%以下。經此，可以提供表面平滑性優異的磁記錄媒體用基板(參閱同文獻，第0013段的段落等)。

專利文獻2揭示出一種資訊記錄媒體用玻璃基板，係表面的算術平均起伏Wa未達0.6nm，而且，在徑方向，測定波長為80μm以上120μm以下的範圍中的微小起伏的均方根高度Rq未達0.01nm。經此，可以提供一種資訊記錄媒體用玻璃基板，其係可以得到低的滑移崩潰的值(GA值)(參閱同文獻，第0016段的段落等)。

專利文獻3揭示出具有以下般的特徵之磁性碟片用玻璃基板。於比起玻璃基板的外周圍端還要靠中心部側的主表面，選擇外周圍端部、以及記錄再生區域的中心部之2處的區域。於該已選擇的各區域，在各區域中的表面形狀之中，抽出形狀波長為60～500μm帶域的表面形狀，把該表面形狀的均方根粗糙度Rq決定為微小起伏Rq。此時，前述2處的各區域間的微小起伏Rq的標準偏差的差為0.04nm以下。而且，相對於前述記錄再生區域的中心部的微小起伏Rq的標準偏差之前述外周圍端部的微小起伏Rq的標準偏差的比，為1.1以下。而且，前述主表面的整個面中的微小起伏Rq的平均值為0.4nm以下。而且，前述玻璃基板的外周圍端部的Duboff為30nm以下。經此，可以提供一種磁性碟片用玻璃基板，其係藉由把基板表面中的微小起伏決定在特定的關係、特定的範圍，來達成期望的滑移高度(著陸高度)(參閱同文獻，第0049段的段落)。

專利文獻4揭示出一種在中心部具有圓孔的圓盤形狀的磁記錄媒體用玻璃基板的製造方法。該磁記錄媒體用玻璃基板的製造方法，具有：具有板形狀的玻璃基板之賦形工序、該玻璃基板的主平面之研磨工序、以及該玻璃基板之洗淨工序。前述研磨工序，具有：終飾研磨工序，該終飾研磨工序係使用含有平均粒子直徑為100nm以下的磨粒之研磨液，來同時研磨玻璃基板的兩主平面。以前述終飾研磨工序所研磨的玻璃基板，係在同一批內所研磨的玻璃基板間的板厚偏差為1.5μm以下。經此，可以高生產力製造出主平面的平滑性與端部形狀優異的磁記錄媒體用玻璃基板(參閱同文獻，第0012段的段落等)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-114730號專利公報 　　[專利文獻2]國際公開第2011/033948號專利公報 　　[專利文獻3]日本特開2013-225372號專利公報 　　[專利文獻4]日本特開2011-210286號專利公報

[發明欲解決之課題]

HDD，係為了提升每1臺的記憶容量，所以增加搭載在一個框體的磁性碟片的片數，要求磁性碟片更薄型化。而且，用在HDD的磁性碟片，係被要求每一片的記憶容量的提升。為了回應該要求，是有必要擴大磁性碟片的記錄區域，或是減低磁性碟片與進行資訊的記錄及讀取的磁頭之距離，亦即上浮高度。但是，薄型化基板的話，基板的徑方向外側的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差擴大，記錄區域的擴大或上浮高度的減少變得困難。

本發明提供一種磁性碟片用基板及其製造方法，其係即便在已使基板薄型化的情況下，也可以抑制基板的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差，達成磁性碟片的薄型化與記憶容量的提升。 [解決課題之手段]

本發明的磁性碟片用基板，乃是在基板的主面具有無電解NiP鍍覆被覆膜；其特徵為：前述基板，係在把前述主面的內周圍區域與最外周圍區域之間的外周圍區域以特定的角度間隔在圓周方向繞前述基板一整圈所分割出的各個的評量區間中，前述圓周方向的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。

磁性碟片用基板中，基板的圓周方向中的平滑度或起伏的影響是有以下的傾向：比起靠近基板的中心之內周圍區域，於靠近外緣之外周圍區域會更大。而且，磁性碟片用基板的主面的圓周方向中的表面形狀，係特定的空間週期的波長帶中的均方根粗糙度Rq，是有可能會對磁性碟片的磁頭所致之資訊的寫入時或讀取時的性能有影響。

在此，本發明的磁性碟片用基板，係著眼於基板的圓周方向中的平滑度或起伏的影響大的外周圍區域，並規定該外周圍區域中的圓周方向的表面形狀。更進一步，該外周圍區域的圓周方向的表面形狀的規定，係並非規定涵蓋基板的一整圈的粗糙度的平均值，而是規定把外周圍區域以特定的角度間隔在圓周方向繞基板一整圈所分割出的各個的評量區間中的均方根粗糙度Rq。

還有，該均方根粗糙度Rq的規定，被限定在評量區間的圓周方向的表面形狀中，具有磁性碟片的磁頭所致之資訊的寫入時或讀取時的性能有影響的可能性之特定的波長帶。亦即，把各個的評量區間的圓周方向的表面形狀所包含之空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶的表面形狀的均方根粗糙度Rq，規定在1.5[Å]以下。

經此，磁性碟片用基板中，於具有基板的圓周方向中的平滑度或起伏的影響會變得更大的傾向之外周圍區域，可以抑制圓周方向的起伏的偏差。在此，所謂起伏，例如是空間週期為500[μm]以上、1000[μm]以下的波長帶的表面形狀；所謂起伏的偏差，例如是，起伏的振幅局部變大或變小者。而且，如前述，於磁性碟片用基板，規定具有磁性碟片的磁頭所致之資訊的寫入時或讀取時的性能有影響的可能性之特定的空間週期的波長帶的表面形狀，藉此，可以提升磁性碟片的薄型化與記憶容量。

在基板的圓周方向產生的起伏的偏差方面，例如，考慮到下述般理由所致者。基板相對於研磨墊難以產生滑動，以及基板相對於研磨墊難以產生旋轉。這麼一來，基板係因為研磨墊，被偏到沿基板的特定的徑方向之研磨方向研磨。基板的圓周方向的起伏，係在沿其特定的研磨方向之圓周方向上變小，或是在與其特定的研磨方向交叉之圓周方向上變大。

尚且，各個的評量區間的圓周方向中的角度範圍，亦即在圓周方向繞基板一整圈分割基板的主面的外周圍區域時的前述特定的角度間隔，可以決定為例如2[°]以上8[°]以下。如此，以把外周圍區域予以分割的角度間隔決定為2[°]以上的方式，可以防止評量區間的數目不必要地增加。而且，以把角度間隔決定為8[°]以下的方式，可以抑制基板的外周圍區域中的圓周方向之局部的起伏。

而且，基板的主面的外周圍區域，係在把基板的半徑決定為R[mm]時，從基板的中心起算的半徑方向的距離，為R-2.5[mm]以上、R-0.5[mm]以下的範圍的區域者為佳。以把該範圍決定為外周圍區域，藉此，於基板的圓周方向中平滑度或起伏的影響會變得更大的區域，可以更有效果地抑制圓周方向的起伏的偏差。

而且，全部的前述評量區間的前述均方根粗糙度Rq的平均值，為0.9[Å]以下者為佳。經此，更提升基板的主面的外周圍區域中的平滑性，可以更有效果地抑制外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差。

而且，前述基板的表背(面)的前述主面，係前述均方根粗糙度Rq的前述平均值的差，為0.1[Å]以下者為佳。經此，可以提升磁性碟片用基板的品質，可以提升磁性碟片的品質。

而且，前述基板為鋁基板者為佳。鋁基板係因為便宜且加工性優異的緣故，可以減低磁性碟片用基板的生產成本，提升磁性碟片用基板的生產力。

而且，本發明的磁性碟片用基板的製造方法，具有：使研磨墊旋轉來研磨基板的主面的無電解NiP鍍覆被覆膜之研磨工序；其特徵為：於前述研磨工序，以前述基板相對於前述研磨墊產生與前述研磨墊的旋轉方向相異的方向的不規則的滑動之加工壓力，研磨前述無電解NiP鍍覆被覆膜，藉此，得到前述基板，該基板係在把前述主面的內周圍區域與最外周圍區域之間的外周圍區域以特定的角度間隔在圓周方向繞前述基板一整圈所分割出的各個的評量區間中，前述圓周方向的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。

根據本發明的磁性碟片用基板的製造方法，於研磨工序中調整加工壓力，基板相對於研磨墊在與研磨墊的旋轉方向相異的方向不規則地滑動，藉此，可以抑制基板的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差。經此，如前述般，可以製造出一種磁性碟片用基板，其係可以達成磁性碟片的薄型化與記憶容量的提升。

更具體方面，可以於前述研磨工序，使前述基板旋轉而使前述研磨墊所致之前述無電解NiP鍍覆被覆膜的研磨方向變化，從多方向均等地研磨前述無電解NiP鍍覆被覆膜。經此，可以更有效果地抑制基板的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差。

前述研磨工序，具有：進行前述主面的粗面終飾之一次研磨工序、以及進行前述主面的最終終飾之二次研磨工序；前述二次研磨工序，具有：與前述加工壓力相異之複數個加工步驟；於前述加工壓力為最高的前述加工步驟，前述加工壓力為7[kPa]以上、9[kPa]以下者為佳。如此，於進行最終終飾之二次研磨工序中，以把前述加工壓力決定為7[kPa]以上、9[kPa]以下的方式，不會使生產力過度下降，基板可以相對於研磨墊在與研磨墊的旋轉方向相異的方向不規則地滑動，可以從多方向均等地研磨前述無電解NiP鍍覆被覆膜。 [發明效果]

根據本發明，可以提供一種磁性碟片用基板及其製造方法，其係即便在已使基板薄型化的情況下，也可以抑制基板的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差，達成磁性碟片的薄型化與記憶容量的提升。

以下，參閱圖面說明有關本發明的磁性碟片用基板及其製造方法的一實施方式。

[磁性碟片用基板] 　　圖1為表示使用了有關本發明的實施方式的磁性碟片用基板10之硬碟裝置(HDD)的其中一例之立體圖。HDD例如具有：框體101；複數個磁性碟片102，其係藉由本實施方式的磁性碟片用基板10所構成，且被收容到框體101的內部；以及碟片驅動部103，其係使該磁性碟片102旋轉。

而且，HDD例如具有：磁頭104，其係進行對磁性碟片102記錄資訊與從磁性碟片102讀取資訊；以及頭驅動部105，其係相對於磁性碟片102使磁頭104進行相對的移動。而且，HDD例如具有：訊號處理部106，其係處理與記錄到磁性碟片102的資訊相關的訊號、以及與從磁性碟片102讀取出的資訊相關的訊號。

圖2為構成圖1表示的HDD的磁性碟片102之磁性碟片用基板10的俯視圖。本實施方式的磁性碟片用基板10，具有：基板11、以及形成在該基板11的主面之無電解NiP鍍覆被覆膜12。基板11例如是在中央部具有圓形的開口11a之圓板狀的基材。基板11例如是以鋁或是鋁合金為原材料的鋁基板。亦即，本實施方式的磁性碟片用基板10例如是磁性碟片用鋁基板。

磁性碟片用基板10，係從提升磁性碟片102的記憶容量的觀點來看，例如在基板11的表背(面)的主面，具有非晶質質的無電解NiP鍍覆被覆膜12者為佳。在該磁性碟片用基板10的主面的無電解NiP鍍覆被覆膜12之上，形成例如複數個磁性層及非磁性層、保護層、以及潤滑膜等，藉此，製造出磁性碟片102。

磁性碟片用基板10的尺寸亦即直徑，例如是2.5[in]、3.5[in]、95[mm]，或是97[mm]。亦即磁性碟片用基板10的直徑為63.5[mm](2.5[in])以上、97[mm]以下，更佳為95[mm]以上、97[mm]以下。而且，磁性碟片用基板10的厚度為0.6[mm]以上、1.27[mm]以下，較佳為0.6[mm]以上、0.8[mm]以下，更佳為0.6[mm]以上、0.8[mm]以下。磁性碟片用基板10的中央的開口11a的直徑，亦即磁性碟片用基板10的內徑，例如為20[mm]以上、25[mm]以下。磁性碟片用基板10的尺寸並不限定在上述的尺寸。而且，磁性碟片用基板10，係即便是在比起上述的厚度還薄的情況下，也可以得到與上述的厚度的磁性碟片用基板10同樣的效果，這也是包含在本發明的。

如此，本實施方式的磁性碟片用基板10，係在基板11的主面具有無電解NiP鍍覆被覆膜12，主要特徵為以下的構成。基板11，係在把主面的內周圍區域10i與最外周圍區域10p之間的外周圍區域10c以特定的角度間隔在圓周方向Dc繞基板11一整圈所分割出的各個的評量區間中，圓周方向Dc的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。

在此，基板11的主面的外周圍區域10c，乃是例如把基板11的半徑決定為R[mm]時，從基板11的中心C起算的半徑方向的距離為R-a[mm]以上、R-b[mm]以下的範圍的區域。尚且，圖2表示的例子中，a例如為2.5[mm]，b例如為0.5[mm]。基板11的主面的最外周圍區域10p，乃是外周圍區域10c的徑方向外側的區域；內周圍區域10i，乃是外周圍區域10c的徑方向內側的區域。前述的外周圍區域10c的各個的評量區間中，圓周方向Dc的表面形狀的特定的波長帶中的均方根粗糙度Rq，係例如可以藉由以下的程序得到。

圖3為表示圖2表示的磁性碟片用基板10的主面的表面形狀的其中一例之圖表。圖3中，橫軸為磁性碟片用基板10的圓周方向Dc的角度θ，縱軸為表面形狀的凹凸的高度h(θ)。首先，於基板11的主面的外周圍區域10c，繞基板11的一整圈，測定基板11的圓周方向Dc的表面形狀。基板11的主面的圓周方向Dc中的表面形狀的測定，例如可以用KLA-Tencor社製的檢查裝置「Candela」來進行。

接著，把繞基板11的一整圈所測定出的外周圍區域10c的圓周方向Dc的表面形狀，以特定的角度間隔做分割。此時，分割外周圍區域10c的表面形狀之特定的角度間隔，可以是2[°]以上、8[°]以下。該表面形狀之被分割出的各區間，係示出了各個的評量區間10z的圓周方向Dc的表面形狀。接著，例如藉由「Candela」，進行評量區間10z的各個圓周方向Dc的表面形狀的頻譜解析。

圖4為表示圖3表示的各評量區間10z的波長與功率頻譜密度(PSD)的關係之圖表。以進行各個的評量區間10z的圓周方向Dc的表面形狀的頻譜解析的方式，得到各個的評量區間10z的圓周方向Dc的表面形狀的波長[μm]與PSD[Ų μm]之關係。從該頻譜解析的結果，抽出空間週期為500[μm]以上、1000[μm]以下的波長帶的PSD，求出各個的評量區間10z的均方根粗糙度Rq。

圖5為表示各個的評量區間10z中，圓周方向Dc的表面形狀的空間週期為500[μm]以上、1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq之圖表。本實施方式的磁性碟片用基板10，係如前述般所得到的各個的評量區間10z中，圓周方向Dc的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。

磁性碟片用基板10中，基板11的圓周方向Dc中的平滑度或起伏的影響是有以下的傾向：比起靠近基板11的中心C之內周圍區域10i，於靠近外緣之外周圍區域10c會更大。而且，磁性碟片用基板10的主面的圓周方向Dc中的表面形狀，係特定的空間週期的波長帶中的均方根粗糙度Rq，是有可能會對磁性碟片102的磁頭104所致之資訊的寫入時或讀取時的性能有影響。

在此，本實施方式的磁性碟片用基板10，係著眼於基板11的圓周方向Dc中的平滑度或起伏的影響大的基板11的主面的內周圍區域10i與最外周圍區域10p之間的外周圍區域10c，並規定該外周圍區域10c中的圓周方向Dc的表面形狀。更進一步，該外周圍區域10c的圓周方向Dc的表面形狀的規定，係並非規定涵蓋基板11一整圈的粗糙度的平均值，而是規定把外周圍區域10c以特定的角度間隔在圓周方向Dc繞基板11一整圈所分割出的各個的評量區間10z中的均方根粗糙度Rq。

還有，該均方根粗糙度Rq的規定，被限定在評量區間10z的圓周方向Dc的表面形狀中，具有磁性碟片102的磁頭104所致之資訊的寫入時或讀取時的性能有影響的可能性之特定的波長帶。亦即，把各個的評量區間10z的圓周方向Dc的表面形狀所包含之空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶的表面形狀的均方根粗糙度Rq，規定在1.5[Å]以下。

經此，磁性碟片用基板10中，於具有基板11的圓周方向Dc中的平滑度或起伏的影響會變得更大的傾向之外周圍區域10c，可以抑制圓周方向Dc的起伏的偏差。而且，如前述，於磁性碟片用基板10，規定具有磁性碟片102的磁頭104所致之資訊的寫入時或讀取時的性能有影響的可能性之特定的空間週期的波長帶的表面形狀，藉此，可以提升磁性碟片102的薄型化與記憶容量。

而且，如前述，在得到評量區間10z時，把外周圍區域10c繞基板11一整圈分割在圓周方向Dc之特定的角度間隔，係如前述般，例如為2[°]以上8[°]以下。如此，以把外周圍區域10c予以分割的角度間隔決定為2[°]以上的方式，可以防止評量區間10z的數目不必要地增加。而且，以把角度間隔決定為8[°]以上的方式，可以抑制基板11的外周圍區域10c中的圓周方向Dc之局部的起伏。

而且，如前述，基板11的主面的外周圍區域10c，係在把基板11的半徑決定為R[mm]時，從基板11的中心C起算的半徑方向的距離被決定在例如R-2.5[mm]以上、R-0.5[mm]以下的範圍的區域。以把該範圍決定為外周圍區域10c，藉此，於基板11的圓周方向Dc中平滑度或起伏的影響會變得更大的區域，可以更有效果地抑制圓周方向Dc的起伏的偏差。

而且，本實施方式的磁性碟片用基板10，係全部的評量區間10z的均方根粗糙度Rq的平均值，為0.9[Å]以下者為佳。經此，更提升基板11的主面的外周圍區域10c中的平滑性，可以更有效果地抑制外周圍區域10c中的圓周方向Dc的起伏的偏差。

而且，於本實施方式的磁性碟片用基板10，基板11的表背(面)的主面，係前述的均方根粗糙度Rq的平均值的差，為0.1[Å]以下者為佳。經此，可以提升磁性碟片用基板10的品質，可以提升磁性碟片102的品質。

而且，於本實施方式的磁性碟片用基板10，在基板11乃是便宜且加工性優異的鋁基板的情況下，可以減低磁性碟片用基板10的生產成本，提升磁性碟片用基板10的生產力。

如以上說明，根據本實施方式，可以提供一種磁性碟片用基板10，其係即便在已使基板11薄型化的情況下，也可以抑制基板11的外周圍區域10c中的圓周方向Dc的起伏的偏差，達成磁性碟片102的薄型化與記憶容量的提升。

[磁性碟片用基板的製造方法] 　　接著，說明本發明的磁性碟片用基板的製造方法的一實施方式。圖6為表示有關本發明的實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100的工序的其中一例之流程圖。

本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法，具有例如：端面加工工序S10、第1熱處理工序S20、研削工序S30、第2熱處理工序S40、無電解NiP鍍覆工序S50、第3熱處理工序S60、研磨工序S70、洗淨工序S80、以及表面檢查工序S90。有關詳細部分後述之，本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100，係在研磨工序S70具有特徵。以下，有關本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100的各工序，詳細說明之。

端面加工工序S10，乃是例如，把作為材料而被容納之加工前的基板11，藉由車床等進行切削加工，藉此，調整基板11的端面形狀之工序。基板11，例如是以前述的鋁為原材料的鋁基板，是在中央部具有圓形的開口11a之圓板狀的基材。

第1熱處理工序S20，乃是進行經過了端面加工工序S10之基板11的退火，緩和基板11的殘留應力之工序。研削工序S30，乃是在第1熱處理工序S20結束後，例如藉由磨床進行基板11的粗研削，之後，進行終飾研削來調整基板11的板厚之工序。第2熱處理工序S40，乃是進行經過了研削工序S30之基板11的退火，緩和基板11的殘留應力之工序。

無電解NiP鍍覆工序S50，乃是在對經過了第2熱處理工序S40之基板11進行了前處理後，使基板11含浸到鍍覆液，藉此，利用藉由鍍覆液所包含的還原劑的氧化所放出的電子，使無電解NiP鍍覆被覆膜12析出到基板11之工序。經由該工序，在基板11的主面形成無電解NiP鍍覆被覆膜12，得到了在主面具有無電解NiP鍍覆被覆膜12之基板11。無電解NiP鍍覆被覆膜12的膜厚，例如為7[μm]以上、15[μm]以下。第3熱處理工序S60，乃是進行在主面形成有無電解NiP鍍覆被覆膜12之基板11的退火，使無電解NiP鍍覆被覆膜12的緊貼性提升，緩和基板11的殘留應力之工序。

圖7為表示在圖6表示的研磨工序S70所使用的研磨裝置200的其中一例之概略的立體圖。研磨工序S70，乃是例如藉由研磨裝置200來研磨基板11的表背(面)的主面，來調整具有無電解NiP鍍覆被覆膜12之主面的表面粗度及起伏之工序。研磨裝置200，具有例如：相互地反方向旋轉之上平板210與下平板220。在上平板210的下表面、以及下平板220的上表面，分別安裝有研磨墊230。作為研磨墊230，例如可以使用胺基甲酸乙酯等，具有特定的範圍的開孔徑之多孔質的研磨布。

下平板220，具有：設在上表面的中心部之太陽齒輪221、設在上表面的周緣部之內齒輪222、以及配置在這些太陽齒輪221與內齒輪222之間之複數個載具223。於圖示的例子中，在太陽齒輪221與內齒輪222之間，載置4個載具223。太陽齒輪221與內齒輪222，係分別以特定的旋轉比例被旋轉驅動。

載具223乃是圓板狀的構件，其係具有保持要研磨的基板11之基板保持部223a。基板保持部223a乃是形成在載具223之圓形的開口，具有與基板11的外形對應之內徑。基板保持部223a，係使保持了基板11的狀態下的基板11的表背(面)的主面，相對於上平板210及下平板220的研磨墊230而露出。而且，載具223乃是在外周圍具有複數個齒223t之齒輪狀的構件，與太陽齒輪221及內齒輪222嚙合，太陽齒輪221與內齒輪222係以特定的旋轉比例進行旋轉，經此，進行與齒數的差相應之行星運動。

藉由這樣的構成的研磨裝置200，在研磨基板11方面，首先，藉由省略圖示的裝填器握持部來搬運複數個基板11，並配置在載具223的基板保持部223a。接著，使上平板210與下平板220接近，把基板11包挾在上平板210的下表面的研磨墊230與下平板220的上表面的研磨墊230之間。接著，把研磨用的料漿供給到上平板210的下表面的研磨墊230與下平板220的上表面的研磨墊230之間，一邊使上平板210與下平板220旋轉在反方向，一邊使太陽齒輪221與內齒輪222旋轉，來使載具223做行星運動。

如此，在研磨工序S70，使研磨墊230旋轉，研磨基板11的主面的無電解NiP鍍覆被覆膜12。本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100，係在該研磨工序S70中，以基板11相對於研磨墊230產生與研磨墊230的旋轉方向相異的方向的不規則的滑動之加工壓力，研磨無電解NiP鍍覆被覆膜12。如此，在研磨工序S70，以基板11相對於研磨墊230產生滑動般低的加工壓力來進行研磨的方式，可以防止基板11被偏到特定的方向研磨。

經此，如前述般，可以製造抑制了基板11的外周圍區域10c中的圓周方向Dc的起伏的偏差之磁性碟片用基板10。更具體方面，根據本實施方式的製造方法製造出的磁性碟片用基板10，具有以下般的特徵。基板11，係在把主面的內周圍區域10i與最外周圍區域10p之間的外周圍區域10c以特定的角度間隔在圓周方向Dc繞基板11一整圈所分割出的各個的評量區間10z中，圓周方向Dc的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。

在研磨工序S70，例如，以使用前述的研磨裝置200，使基板11與載具223一起旋轉，來變化研磨墊230所致之無電解NiP鍍覆被覆膜12的研磨方向，可以從多方向均等地研磨無電解NiP鍍覆被覆膜12。經此，可以更有效果地抑制基板11的外周圍區域10c中的圓周方向Dc的起伏的偏差。

圖8為表示圖6表示的研磨工序S70所包含的工序的其中一例之流程圖。研磨工序S70，例如具有：一次研磨工序S71，其係進行具有無電解NiP鍍覆被覆膜12之基板11的主面的粗面終飾(rough finishing)；以及二次研磨工序S72，其係進行其主面的最終終飾(final finishing)。尚且，一次研磨工序S71及二次研磨工序S72，係可以使用前述的研磨裝置200來進行。

在一次研磨工序S71，例如，可以使用：包含從20[nm]到400[nm]左右的粒徑的SiO₂ 磨粒且pH從1.2到1.6左右的料漿、以及開孔徑為從20[μm]到60[μm]左右的研磨墊230。在二次研磨工序S72，例如，可以使用：包含從10[nm]到30[nm]左右的粒徑的SiO₂ 磨粒且pH從1.2到1.8左右的料漿、以及開孔徑為20[μm]以下的研磨墊230。

一次研磨工序S71，係例如可以具有加工壓力相異之複數個加工步驟。更具體方面，一次研磨工序S71，係例如可以具有：從第1加工步驟到第5加工步驟為止的5階段的加工步驟。

一次研磨工序S71的第1加工步驟，係例如，為了防止研磨墊230的損傷而使料漿滲進研磨墊230，所以以即便各加工步驟之中也是比較低的加工壓力，並以比較短的時間，來進行加工。一次研磨工序S71的第2加工步驟，係為了在接下來的第3加工步驟使加工壓力上升到各加工步驟中的最高的加工壓力，所以使加工壓力上升到比第1加工步驟的還高一點點，且除此以外的條件乃是與第1加工步驟同樣的條件，來進行加工。

在一次研磨工序S71的第3加工步驟，為了控制基板11的主面的加工裕量與表背(面)的差，以在各加工步驟中最高的加工壓力來進行基板11的研磨。於該第3加工步驟，研磨基板11的加工壓力，例如為，從約10kPa到約14kPa左右。該第3加工步驟的加工時間，係例如，花費了從第1加工步驟及第2加工步驟的加工時間的10倍到20倍左右的長時間。在該第3加工步驟，例如，比起第1加工步驟及第2加工步驟，還要增加上平板210的旋轉速度與下平板220的旋轉速度。

一次研磨工序S71的第4加工步驟中的研磨，係為了改善做過第3加工步驟中的高壓加工之基板11的主面的無電解NiP鍍覆被覆膜的表面品質，例如刮擦傷或起伏等，所以以比起第3加工步驟中的加工壓力還要稍微低的加工壓力來進行加工。該第4加工步驟的加工時間，係例如，花費了與第1加工步驟及第2加工步驟的加工時間的同等或是1.5倍左右的時間。在該第4加工步驟，把上平板210的旋轉速度與下平板220的旋轉速度，例如決定為與第3加工步驟同等。

一次研磨工序S71的第5加工步驟，乃是例如取代研磨用的料漿而供給洗淨用的純水，把附著在做過了第4加工步驟之基板11的研磨劑洗掉之清洗工序。該第5加工步驟中的基板11的加工壓力，係在各加工步驟的中為最低。該第5加工步驟的加工時間，係例如，花費了第1加工步驟及第2加工步驟的加工時間的一半左右的時間。在該第5加工步驟，把上平板210的旋轉速度與下平板220的旋轉速度，例如決定為與第1加工步驟及第2加工步驟同等。

把以上的一次研磨工序S71的各加工步驟的加工條件表示在以下的表1。

表1中，一次研磨工序S71的各加工步驟中的加工時間T₁₁ ～T₁₅ 、上平板旋轉速度Vu₁₁ ～Vu₁₅ 、下平板旋轉速度Vd₁₁ ～Vd₁₅ 、加工壓力P₁₁ ～P₁₅ 、太陽齒輪旋轉速度Vs₁₁ ～Vs₁₅ ，係分別成立有以下的關係。

加工時間：T₁₅ ＜T₁₁ =T₁₂ ≦T₁₄ ＜T₁₃ 上平板旋轉速度：Vu₁₁ =Vu₁₂ =Vu₁₅ ＜Vu₁₃ =Vu₁₄ 下平板旋轉速度：Vd₁₁ =Vd₁₂ =Vd₁₅ ＜Vd₁₃ =Vd₁₄ 加工壓力：P₁₅ ＜P₁₁ ＜P₁₂ ＜P₁₄ ＜P₁₃ 太陽齒輪旋轉速度：Vs₁₁ =Vs₁₂ =Vs₁₃ =Vs₁₄ =Vs₁₅

尚且，第3加工步驟的加工壓力P₁₃ ，係如前述般，例如滿足10[kPa]≦P₁₃ ≦14[kPa]。而且，加工時間係可以盡可能地長。一次研磨工序S71結束後，係如圖8表示，進行二次研磨工序S72。

二次研磨工序S72，係與一次研磨工序S71同樣，例如可以具有加工壓力相異的複數個加工步驟。更具體方面，二次研磨工序S72，係例如可以具有：從第1加工步驟到第6加工步驟為止的6階段的加工步驟。

二次研磨工序S72，乃是進行基板11的主面的最終終飾之工序。從二次研磨工序S72中的第1加工步驟到第5加工步驟為止的各加工步驟目的，係與一次研磨工序S71中的各加工步驟的目的同樣。但是，在二次研磨工序S72，如前述般，使用包含比起一次研磨工序S71更細微的磨粒之料漿、以及更細微的開孔徑的研磨墊230，進行基板11的主面的無電解NiP鍍覆被覆膜12的研磨。

而且，在二次研磨工序S72，在把附著在做過了第4加工步驟之基板11之研磨劑洗掉之第5加工步驟之後，更進一步，還具有第6加工步驟。二次研磨工序S72的第6加工步驟，乃是與第5加工步驟同樣，例如取代研磨用的料漿而供給洗淨用的純水，把附著在做過了第5加工步驟之基板11的研磨劑洗掉之清洗工序。

二次研磨工序S72的第1加工步驟的加工時間，係可以決定為例如從一次研磨工序S71的第1加工步驟的加工時間的一半到2倍左右。而且，二次研磨工序S72的第2加工步驟的加工時間，係可以決定為例如一次研磨工序S71的第1加工步驟的加工時間的2倍左右。而且，二次研磨工序S72的第3加工步驟的加工時間，係可以決定為例如從與一次研磨工序S71的第3加工步驟的加工時間同等到1.5倍左右。而且，二次研磨工序S72的第4加工步驟的加工時間，係可以決定為從二次研磨工序S72的第2加工步驟的加工時間的0.75倍到5倍左右。而且，二次研磨工序S72的第5加工步驟及第6加工步驟的加工時間，係可以決定為與一次研磨工序S71的第5加工步驟的加工時間同等。

二次研磨工序S72的第1加工步驟的上平板210的旋轉速度，係可以決定為例如一次研磨工序S71的第1加工步驟的上平板210的旋轉速度的0.4倍左右。二次研磨工序S72的第2加工步驟的上平板210的旋轉速度，係可以決定為例如二次研磨工序S72的第1加工步驟的上平板210的旋轉速度的2倍左右。二次研磨工序S72的第3加工步驟的上平板210的旋轉速度，係可以決定為例如二次研磨工序S72的第1加工步驟的上平板210的旋轉速度的3倍左右。二次研磨工序S72的第4加工步驟的上平板210的旋轉速度，係可以決定為例如與二次研磨工序S72的第2加工步驟的上平板210的旋轉速度同等。二次研磨工序S72的第5加工步驟及第6加工步驟的上平板210的旋轉速度，係可以決定為例如與二次研磨工序S72的第1加工步驟的上平板210的旋轉速度同等。

二次研磨工序S72的第1加工步驟的下平板220的旋轉速度，係可以決定為例如一次研磨工序S71的第1加工步驟的下平板220的旋轉速度的0.6倍左右。二次研磨工序S72的第2加工步驟的下平板220的旋轉速度，係可以決定為例如二次研磨工序S72的第1加工步驟的下平板220的旋轉速度的2倍左右。二次研磨工序S72的第3加工步驟的下平板220的旋轉速度，係可以決定為例如一次研磨工序S71的第3加工步驟的下平板220的旋轉速度的1．25倍左右。二次研磨工序S72的第4加工步驟的下平板220的旋轉速度，係可以決定為例如與二次研磨工序S72的第2加工步驟的下平板220的旋轉速度同等。二次研磨工序S72的第5加工步驟及第6加工步驟的下平板220的旋轉速度，係可以決定為例如與二次研磨工序S72的第1加工步驟的下平板220的旋轉速度同等。

二次研磨工序S72的第1加工步驟及第2加工步驟的加工壓力，係可以決定為例如與一次研磨工序S71的第1加工步驟及第2加工步驟的加工壓力同等。二次研磨工序S72的第3加工步驟的加工壓力，係可以決定為例如比起一次研磨工序S71的第3加工步驟的加工壓力還要低壓。更具體方面，二次研磨工序S72的第3加工步驟的加工壓力，係可以決定為例如7[kPa]以上、9[kPa]以下。二次研磨工序S72的第4加工步驟的加工壓力，係可以決定為例如比起二次研磨工序S72的第3加工步驟的加工壓力還稍稍低壓。二次研磨工序S72的第5加工步驟的加工壓力，係可以決定為例如一次研磨工序S71的第5加工步驟的加工壓力的2倍左右。二次研磨工序S72的第6加工步驟的加工壓力，係可以決定為例如與一次研磨工序S71的第5加工步驟的加工壓力同等。

從二次研磨工序S72的第1加工步驟到第4加工步驟為止的太陽齒輪221的旋轉速度，係可以決定為例如從一次研磨工序S71的第1加工步驟到第5加工步驟為止的太陽齒輪221的旋轉速度的1.5倍左右。二次研磨工序S72的第5加工步驟及第6加工步驟的太陽齒輪221的旋轉速度，係可以決定為從二次研磨工序S72的第1加工步驟到第4加工步驟為止的太陽齒輪221的旋轉速度的0.3倍以下。

把以上的二次研磨工序S72的各加工步驟的加工條件表示在以下的表2。

表2中，二次研磨工序S72的各加工步驟中的加工時間T₂₁ ～T₂₆ 、上平板旋轉速度Vu₂₁ ～Vu₂₆ 、下平板旋轉速度Vd₂₁ ～Vd₂₆ 、加工壓力P₂₁ ～P₂₆ 、太陽齒輪221旋轉速度Vs₂₁ ～Vs₂₆ ，係分別成立有以下的關係。

加工時間：T₂₅ =T₂₆ ≦T₂₁ ≦T₂₂ ≦T₂₄ ＜T₂₃ 上平板旋轉速度：Vu₂₁ =Vu₂₅ =Vu₂₆ ＜Vu₂₂ =Vu₂₄ ＜Vu₂₃ 下平板旋轉速度：Vd₂₁ =Vd₂₅ =Vd₂₆ ＜Vd₂₂ =Vd₂₄ ＜Vd₂₃ 加工壓力：P₂₆ ＜P₂₁ =P₂₅ ＜P₂₂ ＜P₂₄ ＜P₂₃ 太陽齒輪旋轉速度：Vs₂₅ =Vs₂₆ ＜Vs₂₁ =Vs₂₂ =Vs₂₃ =Vs₂₄

圖9為表示二次研磨工序S72的各加工步驟的加工時間T₂₁ ～T₂₆ 與加工壓力P₂₁ ～P₂₆ 的關係的其中一例圖表。尚且，二次研磨工序S72的第3加工步驟的加工壓力P₂₃ ，係如前述般，例如滿足7[kPa]≦P₂₃ ≦9[kPa]。該加工壓力P₂₃ ，係比起一次研磨工序S71中的最高的加工壓力也就是P₁₃ 還要低壓。而且，以往，研磨工序的最終終飾的最高的加工壓力，係與一次研磨工序S71的最高的加工壓力同等。亦即，在本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100中，把二次研磨工序S72的最高的加工壓力，決定為比起一次研磨工序S71的最高的加工壓力、或是以往的研磨工序的最終終飾的加工壓力，還要低壓。

經此，於二次研磨工序S72的第3加工步驟，基板11相對於研磨墊230產生與研磨墊230的旋轉方向相異的方向之不規則的滑動。如此，在研磨工序S70，以基板11相對於研磨墊230產生滑動般低的加工壓力來進行研磨的方式，可以防止基板11被偏到特定的方向研磨。因此，如前述般，可以製造抑制了基板11的外周圍區域10c中的圓周方向Dc的起伏的偏差之磁性碟片用基板10。尚且，各加工步驟中的加工時間T₂₁ ～T₂₆ ，係可以盡可能地長。二次研磨工序S72結束後，係如圖6表示，進行洗淨工序S80。

洗淨工序S80，乃是在研磨工序S70結束後，例如從研磨裝置200取出基板11，浸漬到洗淨液，進行了超音波所致之精密洗淨後，經過純水所致之洗淨，乾燥基板11之工序。表面檢查工序S90，乃是藉由檢查機器檢查經過了洗淨工序S80後的基板11，檢查有無突起或凹蝕等的缺陷之工序。根據本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100，經由以上的工序，可以製造磁性碟片用基板10。

如以上說明，本實施方式的磁性碟片用基板的製造方法S100，係在研磨工序S70中，以基板11相對於研磨墊230產生與研磨墊230的旋轉方向相異的方向的不規則的滑動之加工壓力，研磨無電解NiP鍍覆被覆膜12。經此，可以提供一種磁性碟片用基板的製造方法S100，其係即便在已使基板11薄型化的情況下，也可以抑制基板11的外周圍區域10c中的圓周方向Dc的起伏的偏差，達成磁性碟片102的薄型化與記憶容量的提升。

以上，使用圖面詳述了本發明的實施方式，但是，具體的構成並不被限定於該實施方式，只要是不逸脫本發明的要旨的範圍中的設計變更等，都是本發明所包含的。

[實施例] 　　根據前述的實施方式中所說明的磁性碟片用基板的製造方法，製造出從實施例1到實施例5的磁性碟片用基板。尚且，在實施例1至實施例3中，使用厚度為0.610[mm]、外徑約97[mm]的鋁基板，在實施例4及實施例5中，使用厚度為0.610[mm]、外徑約95[mm]的鋁基板。

而且，在各實施例的磁性碟片用基板的製造時，在研磨工序中，以基板相對於研磨墊產生與研磨墊的旋轉方向相異的方向的不規則的滑動之低的加工壓力，研磨無電解NiP鍍覆被覆膜。更具體方面，實施包含有一次研磨工序與二次研磨工序之研磨工序，把二次研磨工序的第3加工步驟的加工壓力決定為7[kPa]以上9[kPa]以下，來製造出磁性碟片用基板。

之後，藉由KLA-Tencor社製的檢查裝置「Candela」，測定所製造出的從實施例1到實施例5的磁性碟片用基板的表背(面)具有無電解NiP鍍覆被覆膜之主面的外周圍區域的圓周方向中的表面形狀。在此，在從實施例1至實施例3的磁性碟片用基板中，把外周圍區域決定為從基板的中心起算的距離為94.5[mm]以上、96.5[mm]以下的範圍。而且，在實施例4及實施例5的磁性碟片用基板中，把外周圍區域決定為從基板的中心起算的距離為92.5[mm]以上、94.5[mm]以下的範圍。

接著，使用檢查裝置「Candela」，繞基板的一整圈，以5.8[°]的角度間隔，分割外周圍區域的圓周方向的表面形狀的輪廓。接著，使用檢查裝置「Candela」，進行分割好的外周圍區域的評量區間之各個的圓周方向的表面形狀的輪廓的頻譜解析，得到了各個的評量區間的波長[μm]與功率頻譜密度(PSD)[Ų μm]的關係。接著，從該頻譜解析的結果，抽出空間週期為500[μm]以上、1000[μm]以下的波長帶的PSD，求出各個的評量區間的均方根粗糙度Rq。

在以下的表3，表示有關從實施例1到實施例5的磁性碟片用基板中，二次研磨工序中的第3加工步驟的加工壓力。而且，於表3，表示有關從實施例1到實施例5的磁性碟片用基板的表(頂部)與裡(底部)之各個的主面中，各評量區間中的均方根粗糙度Rq的最大值(Rq_max)、全部的評量區間的均方根粗糙度Rq的平均值(Rq_ave)、及表背(面)的主面的均方根粗糙度Rq的平均值(Rq_ave)的差(ΔRq_ave)。

如表3表示，在從實施例1到實施例5的磁性碟片用基板中，於各個的評量區間中，圓周方向的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，是為1.5[Å]以下。而且，全部的評量區間的均方根粗糙度Rq的平均值(Rq_ave)，為0.9[Å]以下。而且，基板的表背(面)的主面，係均方根粗糙度Rq的平均值的差(ΔRq_ave)，為0.1[Å]以下。

這些從實施例1到實施例5的磁性碟片用基板，係可以抑制基板的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差，從可以磁性碟片的薄型化與記憶容量的提升的觀點來看，得到了良好的評量。

[比較例] 　　研磨工序以外的工序，係與從前述的實施例1到實施例5的磁性碟片用基板的製造方法同樣，製造出從比較例1到比較例5的磁性碟片用基板。尚且，在從比較例1到比較例5中，使用了厚度為0.610[mm]、外徑約95[mm]的鋁基板。而且，在各比較例的磁性碟片用基板的製造時，在研磨工序中，以基板相對於研磨墊不產生與研磨墊的旋轉方向相異的方向的不規則的滑動般那樣之比較高的加工壓力，研磨無電解NiP鍍覆被覆膜。更具體方面，實施包含有一次研磨工序與二次研磨工序之研磨工序，把二次研磨工序的第3加工步驟的加工壓力決定為10[kPa]以上，來製造出磁性碟片用基板。

接著，使用檢查裝置「Candela」，就從比較例1到比較例5的磁性碟片用基板，進行了與從實施例1到實施例5同樣的測定。在以下的表4表示結果。

如表4表示，在從比較例1到比較例5的磁性碟片用基板中，於各個的評量區間，圓周方向的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq的最大值(Rq_max)，係除了比較例2及比較例5的表面(頂部)，都是1.5[Å]以上。而且，於比較例1及比較例2的背面、比較例3的表背(面)、比較例5的背面，全部的評量區間的均方根粗糙度Rq的平均值(Rq_ave)，都超過0.9[Å]。而且，在比較例1、比較例2、及比較例5中，基板的表背(面)的主面，係均方根粗糙度Rq的平均值的差(ΔRq_ave)，都超過了0.1[Å]。

尚且，在比較例2及比較例3中，於前述專利文獻1所規定的ΔH/H×100[%]的值，為7%以上9%以下。

這些從比較例1到比較例5的磁性碟片用基板，係產生基板的外周圍區域中的圓周方向的起伏的偏差，從可以磁性碟片的薄型化與記憶容量的提升的觀點來看，無法得到良好的評量。

10‧‧‧磁性碟片用基板10c‧‧‧外周圍區域10i‧‧‧內周圍區域10p‧‧‧最外周圍區域10z‧‧‧評量區間11‧‧‧基板12‧‧‧無電解NiP鍍覆被覆膜230‧‧‧研磨墊C‧‧‧中心Dc‧‧‧圓周方向S70‧‧‧研磨工序S71‧‧‧一次研磨工序S72‧‧‧二次研磨工序S100‧‧‧磁性碟片用基板的製造方法

[圖1]為表示使用了有關本發明的一實施方式的磁性碟片用基板之HDD之立體圖。 　　[圖2]為構成圖1表示的HDD的磁性碟片用基板的俯視圖。 　　[圖3]為表示圖2表示的磁性碟片用基板的主面的表面形狀的其中一例之圖表。 　　[圖4]為表示圖3表示的各評量區間的表面形狀的波長與PSD的關係之圖表。 　　[圖5]為表示有關各個的評量區間之均方根粗糙度Rq之圖表。 　　[圖6]為表示使用了有關本發明的一實施方式的磁性碟片用基板的製造工序之流程圖。 　　[圖7]為表示在圖6表示的研磨工序所使用的研磨裝置的其中一例之概略的立體圖。 　　[圖8]為表示在圖6表示的研磨工序所包含的工序的其中一例之流程圖。 　　[圖9]為表示圖8表示的二次研磨工序的加工時間與加工壓力的其中一例之圖表。

10‧‧‧磁性碟片用基板

10c‧‧‧外周圍區域

10i‧‧‧內周圍區域

10p‧‧‧最外周圍區域

11‧‧‧基板

11a‧‧‧開口

12‧‧‧無電解NiP鍍覆被覆膜

C‧‧‧中心

Dc‧‧‧圓周方向

Claims (7)

1. 一種磁性碟片用基板，乃是在基板的主面具有無電解NiP鍍覆被覆膜；其特徵為：在把前述基板的半徑決定為R[mm]時，把從前述基板的中心起算的半徑方向的距離為R-2.5[mm]以上、R-0.5[mm]以下的範圍的前述主面的區域，作為外周圍區域；前述基板，係在把前述主面的內周圍區域與最外周圍區域之間的前述外周圍區域以2[°]以上8[°]以下的角度間隔在圓周方向繞前述基板一整圈所分割出的各個的評量區間中，前述圓周方向的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。
2. 如請求項1的磁性碟片用基板，其中，全部的前述評量區間的前述均方根粗糙度Rq的平均值，為0.9[Å]以下。
3. 如請求項2的磁性碟片用基板，其中，前述基板的表背(面)的前述主面，係前述均方根粗糙度Rq的前述平均值的差，為0.1[Å]以下。
4. 如請求項1至請求項3中任一項的磁性碟片用基板， 其中，前述基板，為鋁基板。
5. 一種磁性碟片用基板的製造方法，具有：使研磨墊旋轉來研磨基板的主面的無電解NiP鍍覆被覆膜之研磨工序；其特徵為：在把前述基板的半徑決定為R[mm]時，把從前述基板的中心起算的半徑方向的距離為R-2.5[mm]以上、R-0.5[mm]以下的範圍的前述主面的區域，作為外周圍區域；於前述研磨工序，以前述基板相對於前述研磨墊產生不規則的滑動般低的加工壓力，研磨前述無電解NiP鍍覆被覆膜，藉此，得到前述基板，該基板係在把前述主面的內周圍區域與最外周圍區域之間的前述外周圍區域以2[°]以上8[°]以下的角度間隔在圓周方向繞前述基板的一整圈所分割出的各個的評量區間中，前述圓周方向的表面形狀的空間週期為500[μm]以上1000[μm]以下的波長帶中的均方根粗糙度Rq，為1.5[Å]以下。
6. 如請求項5的磁性碟片用基板的製造方法，其中，於前述研磨工序，使前述基板旋轉而使前述研磨墊所致之前述無電解NiP鍍覆被覆膜的研磨方向變化，從多方向均等地研磨前述無電解NiP鍍覆被覆膜。
7. 如請求項5或是請求項6的磁性碟片用基板的製造方法，其中，前述研磨工序，具有：進行前述主面的粗面終飾之一次研磨工序、以及進行前述主面的最終終飾之二次研磨工序；前述二次研磨工序，具有：與前述加工壓力相異之複數個加工步驟；於前述加工壓力為最高的前述加工步驟，前述加工壓力為7[kPa]以上、9[kPa]以下。

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