TWI774805B

TWI774805B - 晶圓加工方法

Info

Publication number: TWI774805B
Application number: TW107125158A
Authority: TW
Inventors: 竹川真弘; 森竜彥
Original assignee: 日商迪思科股份有限公司
Priority date: 2017-07-25
Filing date: 2018-07-20
Publication date: 2022-08-21
Also published as: KR20190011677A; CN109290876A; JP2019029374A; CN109290876B; JP6917233B2; KR102507675B1; TW201909270A

Abstract

[課題]目的在於提供一種晶圓加工方法，謀求降低晶圓的研磨不良。[解決手段] 本發明實施形態的晶圓加工方法具備：規定值設定步驟，將對於研磨單元（5）的卡盤台（9）的旋轉軸（92）的適當傾斜度（θ）作為規定值而設定；研削步驟，藉由粗研削單元與精研削單元研削保持在卡盤台（9）的晶圓（200）；研磨準備步驟，旋轉旋轉台並將研削過的晶圓（200）定位在研磨單元（5）之下；旋轉軸調整步驟，使控制裝置驅動傾斜度調整手段，而將位在研磨單元（5）之下的卡盤台（9）的旋轉軸（92）的傾斜度（θ）調整為上述規定值；以及研磨步驟，藉由研磨單元（5）研磨晶圓（200）。

Description

晶圓加工方法

本發明係關於一種加工晶圓的晶圓加工方法。

一般而言，由形成在半導體元件的正面的矽晶而成的半導體晶圓或由形成光學元件的藍寶石、SiC（碳化矽）等而成的光學元件晶圓等的各種晶圓係背面側以研削磨石研削而薄化（例如參照專利文獻1）後，再研磨背面。作為加工這種晶圓的加工裝置，已知一種將一片晶圓以粗研削、精研削、研磨的順序連續加工者，具有：多個卡盤台，分別保持晶圓；旋轉台，配設多個卡盤台；粗研削用的研削手段，分別設在卡盤台的上方；精研削用的研削手段以及研磨手段。

在這種加工裝置，為了抑制加工後晶圓的厚度偏差，對於精研削用的研削手段係調整卡盤台的旋轉軸的傾斜度。而多個卡盤台在支撐各卡盤台的構件（基座部或多孔部）的高度或形狀係具有個體差。因此，每個卡盤台會有如後述的情況：產生旋轉軸的傾斜度相異的狀態。相對於此，在進行最終加工的研磨用的研磨手段，習知上並未進行卡盤台的旋轉軸的傾斜度的調整。

理由是因為：（1）研磨量為數μm的微小量；（2）因為研磨墊相較於研削用輪為柔軟的材料，所以保持晶圓的卡盤台的旋轉軸的傾斜度即使每個卡盤台些許相異，在將研磨墊按壓晶圓而研削時，研磨墊會變形而按壓晶圓做研磨；（3）即使發生研磨不良，亦在不影響品質的範圍。

[習知技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2013-119123號公報。

[發明所欲解決的課題] 但是，近年來研磨墊的材質係為多樣化，亦存在有如後述的研磨墊：具有無法跟隨卡盤台的旋轉軸的傾斜度變形的硬度。在使用這種研磨墊進行研磨加工的情況，根據卡盤台的旋轉軸的傾斜度會發生如後述的問題：對晶圓加工面的品質造成阻礙的未加工區域或燒焦等的研磨不良。又，即使在不影響品質的情況，亦有以外觀欠佳的理由而要求解決加工面的未加工區域或燒焦的需求。

本發明為有鑑於上述課題者，目的在於提供一種晶圓加工方法，謀求降低晶圓的研磨不良。

[解決課題的技術手段] 為解決上述課題並達成本發明目的，本發明係一種晶圓加工方法，藉由加工裝置將晶圓薄化至預定厚度，該加工裝置至少具備：卡盤台，可旋轉地保持該晶圓；研削手段，研削該晶圓；研磨手段，研磨已藉由該研削手段研削的晶圓；旋轉台，配設多個該卡盤台且為可旋轉；及控制部，驅動控制各構成要素；其特徵在於：其中，該卡盤台至少具備：保持面，保持該晶圓；旋轉軸，通過該保持面的中心；及傾斜度調整手段，調整該旋轉軸的傾斜度；該晶圓加工方法具備：規定值設定步驟，將相對於該研磨手段的該旋轉軸的適當傾斜度作為規定值而設定；研削步驟，藉由該研削手段研削保持在該卡盤台的晶圓；研磨準備步驟，旋轉該旋轉台並將在該研削步驟中研削過的晶圓定位在該研磨手段之下；旋轉軸調整步驟，該控制部驅動該傾斜度調整手段，並將位在該研磨手段之下的該卡盤台的該旋轉軸的傾斜度調整為該規定值；以及研磨步驟，藉由該研磨手段研磨該晶圓。

若根據此構成，因為事先設定對於研磨手段的適當卡盤台的旋轉軸的傾斜度的規定值，所以在研磨開始前能調整卡盤台的旋轉軸的傾斜度，能防止晶圓的研磨不良。

又，在該規定值設定步驟中，該旋轉軸的傾斜度的規定值係按如後述的每個類型事先基於實驗而設定：將成為研磨對象的晶圓的種別以及該研磨手段具備的研磨墊的種別分別做組合；當選擇了該晶圓的種別與該研磨墊的種別，則在該旋轉軸調整步驟中，控制部可將該旋轉軸的傾斜度調整為對應該類型的規定值。

[發明功效] 若根據本發明，因為事先設定對於研磨手段的適當卡盤台的旋轉軸的傾斜度的規定值，所以在研磨開始前能調整卡盤台的旋轉軸的傾斜度，能防止晶圓的研磨不良。

針對用以實施本發明的形態（實施形態），係一邊參照圖式一邊詳細地說明。本發明並非限定為以下實施形態記載的內容者。又，在以下記載的構成要素，係包含所屬技術領域中具有通常知識者能輕易地想到者、實質上為相同者。更進一步，以下記載的構成係能適當地組合。又，在不脫離本發明主旨的範圍內，能進行構成的各種省略、替換或變更。

現基於圖式說明本發明實施形態中晶圓加工方法。圖1係本發明實施形態中晶圓加工方法的加工對象的晶圓的立體圖。圖2係使用在本發明實施形態中晶圓加工方法的研削研磨裝置構成例的立體圖。圖3係表示圖2所示的研削研磨裝置的研磨單元、卡盤台及傾斜度調整機構的側視圖。圖4係表示構成圖3所示的傾斜度調整機構的位置調整單元配置例的俯視圖。圖5係表示相對於研磨單元傾斜卡盤台的狀態的概念圖。

本發明實施形態中晶圓加工方法為研削與研磨圖1所示的晶圓200的背面201的加工方法，且為將晶圓200薄化至預定精工厚度的方法。晶圓200為令矽晶為母材的圓板狀半導體晶圓或令藍寶石、SiC（碳化矽）等為母材的光學元件晶圓；其中，晶圓200係本發明實施形態中晶圓加工方法的加工對象。晶圓200如圖1所示，在格子狀的分割預定線203劃分的多個區域形成有元件204，格子狀的分割預定線203形成在正面202。晶圓200如圖2所示，在保護構件205黏貼在正面202的狀態，藉由研削研磨裝置1對背面201施予研削，在薄化至預定厚度後，對該背面201施予研磨。保護構件205形成為相同於晶圓200大小的圓板狀，且由具有可撓性的合成樹脂構成。

研削研磨裝置1如圖2所示，主要具備：裝置本體2、粗研削單元（研削手段）3、精研削單元（研削手段）4、研磨單元（研磨手段）5、研磨單元移動機構6、加工液供給單元7、設置在旋轉台8上的例如4個卡盤台9（9a～9d）、卡匣11與12、定位台13、搬送臂15、機械拾取器16、旋轉清洗裝置17以及控制裝置（控制部）100。

粗研削單元3一邊旋轉裝設在主軸3a下端的粗研削輪3b，一邊推壓保持在卡盤台9的晶圓200的背面201，藉此粗研削加工該晶圓200的背面201。同樣地，精研削單元4一邊旋轉裝設在主軸4a的精研削輪4b，一邊推壓經上述粗研削後的晶圓200的背面201，藉此精研削加工該晶圓200的背面201。

研磨單元5如圖3所示，具備透過研磨架5c而裝設在主軸5a下端的研磨墊5b。研磨墊5b與主軸5a一起以圖3中用單點鏈線表示的旋轉軸53為中心一邊旋轉，一邊推壓保持在卡盤台9的精研削加工後的晶圓200的背面201，藉此研磨加工該晶圓200的背面201；其中，旋轉軸通過此研磨墊5b的中心。研磨墊5b跟隨成為研磨對象的晶圓200的形狀而變形，研磨墊5b的下表面係接觸晶圓200的背面201而成為該背面201的研磨面。

研磨單元移動機構6如圖2所示，能將研磨單元5往水平方向（研磨墊5b的徑方向，在圖2為X軸方向）與垂直方向（主軸5a的軸方向，在圖2為Z軸方向）移動。加工液供給單元7在研磨加工時，對研削加工後的晶圓200的背面201選擇性地供給研磨液與清洗液。此加工液供給單元7透過加工液供給路72而連結研磨單元5的上端部，並對研磨單元5供給研磨液或清洗液。

旋轉台8為設在裝置本體2上表面的圓盤狀的工作台，且在水平方向可旋轉地設置，並以預定時序旋轉驅動。在此旋轉台8上，以例如90度的相位角等間隔地配設例如4個卡盤台9（9a～9d）。

卡盤台9如圖3所示，具備：保持面91，透過保護構件205保持晶圓200的正面202側；旋轉軸92，通過保持面91的中心並在圖3中以一點鏈線表示；以及傾斜度調整機構（傾斜度調整手段）40，將此旋轉軸92相對於垂直方向傾斜。卡盤台9為在保持面91具備真空卡盤的卡盤台構造者，且真空吸附並保持載置於保持面91的晶圓200。

保持面91如圖5所詳示，外周部91B形成為相較於中心91A呈些微低的圓錐狀。亦即，保持面91形成為令中心91A為頂點的圓錐面，而形成為如後述的斜面：具有從中心91A朝向外周部91B下降的傾斜。卡盤台9循著保持面91的圓錐面而保持加工對象的晶圓200。附帶一提的是，圖5係誇大表示保持面91的圓錐面的傾斜，惟保持面91的圓錐面的傾斜實際上是以肉眼無法辨識的些微傾斜。

傾斜度調整機構40安裝在各卡盤台9。傾斜度調整機構40為用以變更（調整）相對於旋轉軸92的垂直方向（Z方向）的傾斜度θ（圖5）者。傾斜度調整機構40如圖3所示，具備支撐台22與連結在支撐台22的位置調整單元23。支撐台22具備：支撐筒部220，透過未圖示的軸承自由旋轉地支撐卡盤台9且形成為圓筒狀；以及凸緣部221，由支撐筒部220擴徑而成。傾斜度調整機構40藉由調整凸緣部221的傾斜度而調整旋轉軸92的傾斜度θ。

位置調整單元23如圖4所示，沿著凸緣部221的圓弧等間隔地設置2個以上。在本發明實施形態中，傾斜度調整機構40配置有以120度間隔的2個位置調整單元23與固定凸緣部221的固定部23a，惟在本發明亦可將位置調整單元23配置為3個以上。

位置調整單元23如圖3所示，具備：筒部230，固定在旋轉台8；軸231，貫穿筒部230；驅動部232，連結軸231的下端；以及固定部233，在軸231上端固定在凸緣部221。驅動部232具備：馬達232a，旋轉軸231；以及減速機232b，減弱軸231的旋轉速度且固定在旋轉台8。

固定部233設有未圖示的外螺紋螺合的未圖示的內螺紋；其中，外螺紋形成在軸231的上端部。位置調整單元23藉由如後述者而調整旋轉軸92的傾斜度θ：馬達232a透過減速機232b將軸231繞軸心地旋轉。又，在旋轉台8安裝有將卡盤台9以旋轉軸92為中心旋轉的馬達24。

卡盤台9在研削時與研磨時係令旋轉軸92為中心，並藉由馬達24而被旋轉驅動。像這樣的卡盤台9係藉由旋轉台8的旋轉，如圖2所示依搬入搬出區域A、粗研削區域B、精研削區域C、研磨區域D的順序移動而巡迴。

卡匣11與12為具有多個槽的晶圓200用的容納器。其中之一的卡匣11係容納研削研磨前的晶圓200，其中之另一的卡匣12則容納研磨加工後的晶圓200。定位台13為如後述的台：暫時放置從卡匣11取出的晶圓200，並用以進行其中心位置對位。

搬送臂15構成為在水平方向（Y軸方向）可移動，且搬送載置於定位台13的研削研磨前的晶圓200，而將晶圓載置於位在搬入搬出區域A的卡盤台9a。又，搬送臂15還搬送載置於卡盤台9a的研磨後的晶圓200，而將晶圓載置於旋轉清洗裝置17的清洗台；其中，卡盤台9a位在搬入搬出區域A。

機械拾取器16具備晶圓保持部（例如U字型手臂）16A，藉由此晶圓保持部16A吸附保持晶圓200而搬送。具體而言，機械拾取器16將研削研磨前的晶圓200從卡匣11往定位台13搬送。又，還將研磨後的晶圓200從旋轉清洗裝置17往卡匣12搬送。旋轉清洗裝置17清洗研磨後的晶圓200，而除去附著在經研削與研磨的加工面上的研削屑或研磨屑等的汙染物。

控制裝置100為分別控制構成研削研磨裝置1的上述構成要素者。亦即，控制裝置100為使研削研磨裝置1執行對晶圓200的研削研磨動作者。控制裝置100為可執行電腦程式的電腦。控制裝置100具有：具有如CPU（central processing unit，中央處理單元）的微處理器的運算處理部101、具有如ROM（read only memory，唯讀記憶體）或RAM（random access memory，隨機存取記憶體）的記憶體的記憶部102、輸出入介面裝置。運算處理部101係在RAM上執行儲存在ROM的電腦程式，而產生用以控制研削研磨裝置1的控制訊號，產生的控制訊號係透過輸出入介面裝置輸出至研削研磨裝置1的各構成要素。

又，本發明實施形態的記憶部102在進行研磨加工時，相對於研磨單元5的卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ的規定值係儲存在設定的資料庫103。在此資料庫103係按如後述的每個類型設定適當的傾斜度θ的規定值：例如將晶圓200的種別（材質或大小）與研磨墊5b的種別（例如研磨墊5b的素材或硬度、研磨墊5b的磨粒的有無或磨粒的種類）分別做組合。此規定值係藉由如後述者而設定：準備多個精研削後的晶圓200，對這些晶圓200按上述每個類型事先進行一邊變更旋轉軸92的傾斜度θ一邊研磨的實驗，並分別觀察研磨後的狀態。

又，如本發明實施形態，在多個（4個）卡盤台9（9a～9d）與旋轉台8一起旋轉的構成，因為亦會發生卡盤台9a～9d的個體差，所以較佳為上述實驗在實際機台（卡盤台9a～9d）進行，且在資料庫103儲存卡盤台9a～9d的號碼。又，在資料庫103亦可追加對於晶圓200的研磨加工條件（化學性機械研磨或去疵層加工等）。在此構成，因為事先對應各種類型而設定卡盤台9的傾斜度θ的規定值，所以在實際的研磨步驟中，選擇對應該類型的規定值而驅動卡盤台9的位置調整單元23即可。因此，即使研磨對象的晶圓200或研磨墊5b的種別改變，亦能進行適當的研磨加工，能防止研磨不良的發生。

接著，針對本發明實施形態中晶圓加工方法說明。圖6係表示晶圓加工方法的步驟的流程圖。首先，將相對於研磨單元5的卡盤台9的旋轉軸92的適當傾斜度θ作為規定值而設定（步驟S1，規定值設定步驟）。此規定值設定步驟係在實際晶圓200的加工之前進行。舉例而言，使作為研磨對象的晶圓200在材料或大小為相異而多種類存在，且使研磨墊5b在素材或硬度、或者在磨粒的有無、磨粒的種類為相異而多種類存在。

作業員製作組合多種類（種別）的晶圓200與研磨墊5b的類型。然後，按每一個組合的類型，將保持在卡盤台9的保持面91的多個晶圓200一邊變更相對於研磨單元5的卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ，一邊進行研磨加工的實驗。然後，判斷研磨後的加工狀態的優劣，將能在適當（最佳）加工狀態做研磨加工的傾斜度θ與晶圓200及研磨墊5b組合的類型一起儲存至資料庫103。

此作業只按使用的晶圓與研磨墊的組合數事先執行，並將其適當（最佳）的傾斜度θ與組合的類型一起儲存至資料庫103。於此，如在本發明實施形態所使用的研削研磨裝置1，在多個（4個）卡盤台9（9a～9d）與旋轉台8一起旋轉的構成，因為亦會發生卡盤台9a～9d的個體差異，所以較佳為上述實驗按每個卡盤台9a～9d進行，且在資料庫103配合卡盤台9a～9d的號碼做儲存。又，在對晶圓200的研磨加工條件為多個存在的情況，較佳為將各條件（例如，化學性機械研磨或去疵層加工等）追加至資料庫103。

事先進行上述規定值設定步驟，並基於在此規定值設定步驟設定的規定值而執行研削研磨加工。在開始此研削研磨加工時，係選擇晶圓200的種別或設在研磨單元5的研磨墊5b的種別而登錄；其中，晶圓為加工對象。

接著，將晶圓200保持在卡盤台9的保持面91（步驟S2，保持步驟）。晶圓200係在正面202側黏貼保護構件205，並使背面201側朝向上方，而在旋轉台8的搬入搬出區域A被保持在卡盤台9的保持面91。

接著，對保持在卡盤台9的晶圓200施予粗研削與精研削加工（步驟S3，研削步驟）。保持在卡盤台9的晶圓200係藉由旋轉台8的旋轉往粗研削區域B移動。在此粗研削區域B係進行如後述的粗研削：在旋轉卡盤台9的狀態，使粗研削單元3的粗研削輪3b一邊旋轉一邊下降，將旋轉的粗研削輪3b接觸晶圓200的背面201而薄化至預定厚度。粗研削結束後，藉由更進一步旋轉旋轉台8，使保持經粗研削的晶圓200的卡盤台9藉由旋轉台8的旋轉往精研削區域C移動。在此精研削區域C係進行如後述的精研削：在旋轉卡盤台9的狀態，使精研削單元4的精研削輪4b一邊旋轉一邊下降，將旋轉的精研削輪4b接觸晶圓200的背面201而薄化至預定精工厚度。在此情況，卡盤台9的旋轉軸92係對應精研削加工而調整為設定的傾斜度，且精研削輪4b呈恆常接觸晶圓200的背面201的旋轉中心。

接著，保持經精研削的晶圓200的卡盤台9係藉由旋轉台8的旋轉往研磨區域D移動，並定位在研磨單元5之下（步驟S4，研磨準備步驟）。然後，接著驅動傾斜度調整機構40，將位在研磨單元5之下的卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度調整為規定值（步驟S5，旋轉軸調整步驟）。控制裝置100的運算處理部101將如後述的傾斜度θ的規定值從記憶部102的資料庫103讀出，並將卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ調整為此規定值：對應組合在加工開始時登錄的晶圓200與研磨墊5b的種類的類型。藉此，能將卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ調整為如後述的適當傾斜度：對應組合晶圓200與研磨墊5b的類型。於此，運算處理部101辨識往研磨區域D移動的卡盤台9為4個卡盤台9a～9d中的何者。因此，在資料庫103亦配合卡盤台9a～9d的個體差異而做儲存的情況，則讀出對應位於研磨區域D的卡盤台9a～9d的傾斜度θ的規定值。藉此，能考慮卡盤台9a～9d的個體差異，並將卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ調整為更適當傾斜度。

接著，藉由研磨單元5研磨晶圓200（步驟S6，研磨步驟）。在將卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ調整為規定值的前提下，旋轉此卡盤台9。在此狀態，使研磨單元5的研磨墊5b一邊旋轉一邊下降，將旋轉的研磨墊5b接觸晶圓200的背面201而進行研磨。在此情況，因為從加工液供給單元7供給加工液，所以藉由研磨墊5b與加工液能將晶圓200的背面201做化學性機械研磨（CMP研磨）。又，亦可進行不使用加工液而研磨的乾式拋光。

以上，本發明實施形態的晶圓加工方法因為具備以下步驟，所以藉由事先設定相對於研磨單元5的適當卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ的規定值，所以在研磨開始前能調整卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度，能防止晶圓200的研磨不良：規定值設定步驟S1，將相對於研磨單元5的卡盤台9的旋轉軸92的適當傾斜度θ作為規定值而設定；研削步驟S3，藉由粗研削單元3與精研削單元4研削保持在卡盤台9的晶圓200；研磨準備步驟S4，旋轉旋轉台8而將在研削步驟S3中研削過的晶圓200定位在研磨單元5之下；旋轉軸調整步驟S5，使控制裝置100驅動傾斜度調整機構40，而將位在研磨單元5之下的卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ調整為上述規定值；以及研磨步驟S6，藉由研磨單元5研磨晶圓200。

又，若根據本發明實施形態，在規定值設定步驟S1中，卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ的規定值係按如後述的每個類型事先基於實驗而設定：將成為研磨對象的晶圓200的種別以及研磨單元5具備的研磨墊5b的種別分別做組合；當選擇了晶圓200的種別與研磨墊5b的種別，則在旋轉軸調整步驟S5中，因為控制裝置100為對應該類型的規定值調整旋轉軸92的傾斜度θ，所以即使在晶圓200或研磨墊5b變更的情況，藉由調整為適當的旋轉軸92的傾斜度θ，能良好地保持晶圓200的研磨狀態。

附帶一提的是，若根據上述本發明實施形態中的加工方法，能得到以下的加工裝置。（附註1）一種加工裝置，該加工裝置至少具備：卡盤台，可旋轉地保持晶圓；研磨手段，研磨保持在該卡盤台的晶圓；以及控制部，驅動控制各構成要素；其特徵在於：該卡盤台具備傾斜度調整手段，其調整旋轉軸的傾斜度，該旋轉軸通過保持該晶圓的保持面的中心；該控制部具備：記憶部，儲存按如後述的每個類型事先基於實驗而設定的該旋轉軸的傾斜度的規定值：將成為研磨對象的晶圓的種別以及該研磨手段具備的研磨墊的種別分別做組合；以及運算處理部，在選擇了該晶圓的種別與該研磨墊的種別的情況，則驅動該傾斜度調整手段，將位在該研磨手段之下的該卡盤台的該旋轉軸的傾斜度調整為對應該類型的規定值。

上述加工裝置係相同於本發明實施形態中加工方法，因為事先設定相對於研磨單元5的適當的卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度θ的規定值，所以在研磨開始前能適當地調整卡盤台9的旋轉軸92的傾斜度，能防止晶圓200的研磨不良。

附帶一提的是，本發明並非限定為上述實施形態者。亦即，在不脫離本發明精神的範圍內能做各種變化並實施。

1‧‧‧研削研磨裝置（加工裝置）2‧‧‧裝置本體3‧‧‧粗研削單元（研削手段）3a‧‧‧主軸3b‧‧‧粗研削輪4‧‧‧精研削單元（研削手段）4a‧‧‧主軸4b‧‧‧精研削輪5‧‧‧研磨單元（研磨手段）5a‧‧‧主軸5b‧‧‧研磨墊5c‧‧‧研磨架7‧‧‧加工液供給單元8‧‧‧旋轉台9、9a、9b、9c、9d‧‧‧卡盤台22‧‧‧支撐台23‧‧‧位置調整單元23a‧‧‧固定部24‧‧‧馬達40‧‧‧傾斜度調整機構（傾斜度調整手段）91‧‧‧保持面91A‧‧‧中心91B‧‧‧外周部92‧‧‧旋轉軸100‧‧‧控制裝置（控制部）101‧‧‧運算處理部102‧‧‧記憶部103‧‧‧資料庫200‧‧‧晶圓201‧‧‧背面202‧‧‧正面203‧‧‧分割預定線204‧‧‧元件205‧‧‧保護構件

圖1係本發明實施形態中晶圓加工方法的加工對象的晶圓的立體圖。圖2係使用在本發明實施形態中晶圓加工方法的研削研磨裝置構成例的立體圖。圖3係表示圖2所示的研削研磨裝置的研磨單元、卡盤台及傾斜度調整機構的側視圖。圖4係表示構成圖3所示的傾斜度調整機構的位置調整單元配置例的俯視圖。圖5係表示相對於研磨單元傾斜卡盤台的狀態的概念圖。圖6係表示本發明實施形態中晶圓加工方法的步驟的流程圖。

5‧‧‧研磨單元(研磨手段)

5a‧‧‧主軸

5b‧‧‧研磨墊

5c‧‧‧研磨架

9‧‧‧卡盤台

53‧‧‧旋轉軸

91‧‧‧保持面

91A‧‧‧中心

91B‧‧‧外圍部

92‧‧‧旋轉軸

200‧‧‧晶圓

201‧‧‧背面

202‧‧‧正面

205‧‧‧保護構件

Z‧‧‧Z軸方向

θ‧‧‧傾斜度

Claims

一種晶圓加工方法，藉由加工裝置將晶圓薄化至預定厚度，該加工裝置至少具備：卡盤台，可旋轉地保持該晶圓；研削手段，研削該晶圓；研磨手段，研磨已藉由該研削手段研削的晶圓；旋轉台，配設多個該卡盤台且為可旋轉；及控制部，驅動控制各構成要素；其特徵在於：其中，該卡盤台至少具備：保持面，保持該晶圓；旋轉軸，通過該保持面的中心；及傾斜度調整手段，調整該旋轉軸的傾斜度；該晶圓加工方法具備：規定值設定步驟，將相對於該研磨手段的該旋轉軸的適當傾斜度作為規定值而設定；研削步驟，藉由該研削手段研削保持在該卡盤台的晶圓；研磨準備步驟，旋轉該旋轉台而將在該研削步驟中研削過的晶圓定位在該研磨手段之下；旋轉軸調整步驟，該控制部驅動該傾斜度調整手段，而將位在該研磨手段之下的該卡盤台的該旋轉軸的傾斜度調整為該規定值；以及研磨步驟，藉由該研磨手段研磨該晶圓；在該規定值設定步驟中，該旋轉軸的傾斜度的規定值係按如後述的每個類型事先基於實驗而設定：將成為研磨對象的晶圓的種別以及該研磨手段具備的研磨墊的種別分別做組合；當選擇了該晶圓的種別與該研磨墊的種別，則在該旋轉軸調整步驟中，該控制部將該旋轉軸的傾斜度調整為對應該類型的規定值。