TWI766069B

TWI766069B - 樹脂薄片

Info

Publication number: TWI766069B
Application number: TW107124231A
Authority: TW
Inventors: 渡邉康貴; 根津裕介; 杉野貴志
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2017-09-29
Filing date: 2018-07-13
Publication date: 2022-06-01
Also published as: TW201918509A; JP2019067853A; KR20190038317A; CN109575822A; JP7025879B2; KR102531074B1

Abstract

本發明是一種樹脂薄片，是在半導體裝置的製造方法，用於密封電子零件的樹脂薄片，上述樹脂薄片，具備硬化性的樹脂組成物層，上述樹脂組成物層，由含有著色材料的樹脂組成物形成，上述著色材料，包含構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例超過3質量%的碳系材料、及絕緣性的金屬化合物的至少一方，上述樹脂組成物層硬化而成的硬化層，在波長1500～1000nm的光線穿透率在40%以下，波長800～400nm的光線穿透率在10%以下。根據該樹脂薄片，在所得半導體裝置，可達成電子零件優良的隱蔽性的同時，亦可抑制因來自外部電磁波的錯誤動作，使樹脂組成物層硬化而成的硬化層具有優良的絕緣性。

Description

樹脂薄片

本發明是關於在半導體裝置的製造方法使用於密封電子零件的樹脂薄片。

先前在半導體裝置的製造方法，使用具有硬化性的樹脂組成物層的樹脂薄片，進行密封半導體晶片等的電子零件。例如，對設於基板上的電子零件，積層該樹脂薄片的樹脂組成物層之後，使該樹脂組成物層硬化形成硬化層，進行電子零件的密封。

例如，在專利文獻1，揭示如上所述的樹脂薄片的一例。在專利文獻1，由得到良好的雷射標記性的觀點，揭示可在樹脂組成物層含有顏料（專利文獻1的段落0055及0056），特別是在實施例，製造含有碳黑作為顏料的樹脂薄片（專利文獻1的表1）。［先前技術文獻］［專利文獻］

專利文獻1︰日本特開2016-000784號公報

［發明所欲解決的課題］

但由於碳黑是導電性，故使用專利文獻1所揭示的樹脂薄片所形成的硬化層，無法具有充分絕緣性，在使用該樹脂薄片所形成的半導體裝置，可能發生短路所造成的錯誤動作，或發生絕緣破壞。

另一方面，使用不含碳黑的樹脂薄片製造半導體裝置時，難以良好地隱蔽密封的電子零件，而有損及所得半導體裝置外觀之虞。

此外，半導體裝置，有時因來自外部的電磁場而發生錯誤動作，而要求抑制如此的問題。

本發明有鑑於如此的實際情況所完成，以提供可在所得到的半導體裝置達成電子零件優良的隱蔽性的同時，亦可抑制來自外部電磁波的錯誤動作，此外，使樹脂組成物層硬化而成的硬化層可成為具有優良絕緣性的樹脂薄片為目標。［用於解決課題的手段］

為達成上述目標，第1，本發明提供一種樹脂薄片，其特徵在於：其是在半導體裝置的製造方法，用於密封電子零件的樹脂薄片，上述樹脂薄片，具備硬化性的樹脂組成物層，上述樹脂組成物層，是由含有著色材料的樹脂組成物形成，上述著色材料，包含構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例超過3質量%的碳系材料、及絕緣性的金屬化合物的至少一方，使上述樹脂組成物層硬化而成的硬化層，在波長1500～1000nm的光線穿透率在40%以下，波長800～400nm的光線穿透率在10%以下（發明1）。

在關於上述發明（發明1）的樹脂薄片，藉由樹脂組成物層由含有上述著色材料的樹脂組成物所形成的同時，將該硬化該樹脂組成物層硬化而成的硬化層顯示上述光線穿透率，在所製造的半導體裝置，可達成電子零件優良的隱蔽性的同時，亦可抑制於來自外部電磁波的錯誤動作。再者，上述著色材料，由於具有良好的絕緣性，將含有該著色材料的樹脂組成物所成的樹脂組成物層硬化而成的硬化層亦具有良好的絕緣性，在使用上述樹脂薄片所製造的半導體裝置，可抑制因短路所造成的錯誤動作及發生絕緣破壞。

在上述發明（發明1），其中上述樹脂組成物中的上述著色材料的含量，以0.5質量%以上，5質量%以下為佳（發明2）。

在上述發明（發明1、2），其中上述著色材料以黑色為佳（發明3）。

在上述發明（發明1～3），其中上述碳系材料的平均粒徑以0.1μm以上，10μm以下為佳（發明4）。

在上述發明（發明1～3），其中上述金屬化合物的平均粒徑以10nm以上，500nm以下為佳（發明5）。

在上述發明（發明1～5），其中上述金屬化合物是第4族元素的金屬的氮化物（發明6）。

在上述發明（發明1～6），其中上述樹脂組成物，含有熱硬化性樹脂為佳（發明7）。

在上述發明（發明1～7），其中上述樹脂組成物，含有熱塑性樹脂為佳（發明8）。

在上述發明（發明1～8），其中上述樹脂組成物，含有二氧化矽填充劑為佳（發明9）。

在上述發明（發明9），其中上述樹脂組成物中的上述二氧化矽填充劑的含量，以65質量%以上，95質量%以下為佳（發明10）。［發明的效果］

本發明的樹脂薄片，可在所得到的半導體裝置，達成電子零件優良的隱蔽性的同時，亦可抑制來自外部電磁波的錯誤動作，此外，使樹脂組成物層硬化而成的硬化層具有優良的絕緣性。

以下，說明關於本發明的實施形態。 1. 樹脂組成物層關於本實施形態的樹脂薄片，具備硬化性樹脂組成物層。在此，所謂樹脂組成物層具有硬化性，是指樹脂組成物層可藉由加熱等而硬化。即，樹脂組成物層在構成樹脂薄片的狀態為未硬化。樹脂組成物層，可為熱硬化性，或活性能量線硬化性亦佳，惟以熱硬化性為佳。藉由具有熱硬化性，即使是難以對積層的樹脂組成物層照射能量線時，亦可良好地硬化該樹脂組成物層。

在關於本實施形態的樹脂薄片，樹脂組成物層由含有著色材料的樹脂組成物形成。然後，該著色材料，包含構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例超過3質量%的碳系材料、及絕緣性的金屬化合物的至少一方。再者，在關於本實施形態的樹脂薄片，在使樹脂組成物層硬化而成的硬化層，在波長1500～1000nm的光線穿透率在40%以下，在波長800～400nm的光線穿透率在10%以下。

藉由樹脂組成物層由含有上述著色材料的樹脂組成物形成的同時，使該樹脂組成物層硬化而成的硬化層顯示上述光線穿透率，藉此硬化層可良好地遮斷可見光，而可達成電子零件優良的隱蔽性。此外，由於硬化層亦可良好地遮斷誘發半導體裝置的錯誤動作的電磁波的穿透，故所製造的半導體裝置，可抑制來自外部的該電磁波所引起的錯誤動作。

再者，由於上述的著色材料具有良好的絕緣性，故將含有該著色材料的樹脂組成物層硬化而成的硬化層亦成為具有良好的絕緣性之物。因此，使用上述樹脂薄片所製造的半導體裝置，可抑制短路所造成的錯誤動作及發生絕緣破壞。

此外，藉由樹脂組成物層由含有上述著色材料的樹脂組成物形成，對使該樹脂組成物層硬化而成的硬化層進行雷射印刷時，該硬化層的表面成為容易吸收雷射的能量。藉此，可良好地進行打印，而達成優良的雷射標記性。

再者，在本實施形態的樹脂組成物，與上述著色材料一起，以含有熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂及二氧化矽填充劑為佳，進一步含有硬化觸媒為佳。

（1）著色材料本實施形態的著色材料，包含構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例超過3質量%的碳系材料、及絕緣性的金屬化合物的至少一方。藉由使本實施形態的樹脂組成物層，由含有如此的著色材料的樹脂組成物所形成，可達成如上所述的優良的隱蔽性、遮斷誘發錯誤動作的電磁波的效果、優良的絕緣性比、及優良的雷射標記性。再者，由容易達成該等效果的觀點，上述碳系材料，以碳系顏料為佳。

上述著色材料，以黑色為佳。藉此，使樹脂組成物層硬化而成的硬化層變成黑色，使硬化層容易滿足上述光線穿透率的同時，可製造具有所期望的外觀的半導體裝置。此外，藉由使硬化層為黑色，對該硬化層的表面雷射印刷時，可使列印的文字與其周圍的對比變得更明確，而雷射標記性變得更優良。

構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例超過3質量%的碳系材料之例，碳填充劑、焦炭、木炭、鑽石等，該等之中，由容易達成關於本實施形態的樹脂薄片的上述效果的觀點，以碳填充劑為佳。所謂碳填充劑，雖主要是具有碳原子的共軛系連接的構造，但具有該碳原子的共軛被脂肪烴基適度遮斷的構造的非晶質碳物質。碳填充劑，主要是藉由碳原子的共軛系，吸收既定波長的電磁波。因此，藉由使用碳填充劑作為著色材料，可得如上所述的優良隱蔽性、有效地遮斷誘發錯誤動作的電磁波及優良的雷射標記性的效果。再者，碳填充劑，碳原子的共軛被脂肪烴基遮斷，電子不容易在碳骨架上非局部化，而成為絕緣性優良。因此，藉由使用碳填充劑作為著色材料，使用關於本實施形態的樹脂薄片所形成的硬化層容易達成優良的絕緣性。

再者，碳黑，是主要具有碳原子共軛的構造的結晶性物質。碳黑，雖有在其表面具有脂肪烴基的情形，但構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例在3質量%以下。因此，通常，碳黑並不符合本實施形態的碳系材料。碳黑，構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例在3質量%以下，由於具有碳原子充分連接的構造，故電子可在碳骨架上活躍地發生移動，顯示優良的導電性。因此，在具備含有碳黑的樹脂組成物層的先前的樹脂薄片，使該樹脂組成物層硬化而成的硬化層不具有絕緣性。因此，使用如此的先前的樹脂所製造的半導體裝置，有因短路而造成的錯誤動作，或發生絕緣破壞之虞。

碳系材料的平均粒徑，以10μm以下為佳，以5μm以下特別佳，進一步以3μm以下為佳。碳系材料的平均粒徑在10μm以下，則碳系材料的表面積會變得充分大，而可有效地吸收既定波長的電磁波。藉此可得如上所述的優良的隱蔽性、遮斷誘發錯誤動作的電磁波及優良的雷射標記性的效果。再者，碳系材料的平均粒徑的下限值，並無特別限定，例如，以0.1μm以上為佳，以0.5μm以上特別佳。再者，在本說明書的碳系材料的平均粒徑，以動態光散射法所測定之值，例如使用粒度分佈測定裝置（日機裝公司製，產品名「Nanotrac Wave-UT151」）測定。

絕緣性的金屬化合物，只要是具有絕緣性的同時，亦可吸收既定的波長的電磁波，使關於本實施形態的樹脂薄片可達成如上所述的優良的隱蔽性及遮斷誘發錯誤動作的電磁波的效果，則並無限定。再者，二氧化矽(silica)是從金屬化合物去除。該絕緣性的金屬化合物之例，可列舉第4族元素金屬的氮化物、鐵及其他的第4週期過渡金屬的複合氧化物等。該等之中，由絕緣性優良的同時，亦可良好地吸收既定波長的電磁波的觀點，以4族元素金屬的氮化物為佳。

第4族元素金屬的氮化物，可舉鈦、鋯、鉿等的氮化物。特別是如上所述，由容易得到吸收既定波長的電磁波的效果的觀點，4族元素金屬的氮化物，以鈦的氮化物為佳，此外，由同樣的觀點，以第4族元素的金屬的氮化物、以第4族元素的金屬的氮化氧化物為佳。第4族元素的金屬氮化物之例，可舉氮氧化鈦、氮化鈦、氮氧化鋯、氮化鋯、氮氧化鉿、氮化鉿等，該等之中，由容易得到如上所述的吸收既定波長的電磁波的效果的觀點，使用氮氧化鈦為佳。

在本實施形態的金屬化合物的絕緣性，只要本實施形態的硬化層顯示所期望的絕緣性，並無特別限定，該金屬化合物的體積電阻率，以1Ω‧cm以上為佳，以2Ω‧cm以上特別佳，進一步以2.5Ω‧cm以上為佳。藉由該體積電阻率在1Ω‧cm以上，本實施形態的硬化層可容易達成良好的絕緣性，所製造的半導體裝置具有更優良的性能。

金屬化合物的平均粒徑，以500nm以下為佳，以300nm以下特別佳，進一步以150nm以下為佳。金屬化合物的平均粒徑在500nm以下，則金屬化合物的表面積變得充分大，可有效吸收既定波長的電磁波。藉此，可有效地得到如上所述的優良的隱蔽性、遮斷誘發錯誤動作的電磁波及優良的雷射標記性的效果。再者，金屬化合物的平均粒徑的下限值，並無特別限定，例如以10nm以上為佳，以20nm以上更佳。再者，在本說明書的金屬化合物的平均粒徑，以動態光散射法所測定之值，例如使用粒度分佈測定裝置（日機裝公司製，產品名「Nanotrac Wave-UT151」）測定。

以上所說明的著色材料，可以單獨使用1種，亦可以組合2種以上使用。

在樹脂組成物中的著色材料的含量，以0.5質量%以上為佳，以1.0質量%以上更佳。此外，該含量以5質量%以下為佳，以3質量%以下更佳。藉由使該含量在0.5質量%以上，可有效地得到如上所述的優良的隱蔽性、遮斷誘發錯誤動作的電磁波及優良的雷射標記性的效果。此外，藉由使該含量在5質量%以下，變得容易確保其他成分在在樹脂組成物的含量，容易形成具有所期望性質的樹脂組成物層。

（2）熱硬化性樹脂在關於本實施形態的樹脂薄片，樹脂組成物含有熱硬化性樹脂為佳。藉此，可使該樹脂組成物所形成的樹脂組成物層良好地硬化，可將電子零件牢固的密封。熱硬化性樹脂，只要是可使樹脂組成物層硬化，並無特別限定，可使用例如，密封材通常含有的樹脂。具體可舉環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚酯樹脂、胺甲酸乙脂樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並㗁樹脂、苯氧基樹脂、酸酐化合物、胺系化合物、萘酚系樹脂、活性酯系樹脂、苯並㗁系樹脂、氰酸酯系樹脂等，該等可以1種單獨或組合2種以上使用。該等之中使用環氧樹脂、酚樹脂，或該等的混合物。

環氧樹脂一般具有受到加熱會三維網狀化，形成堅固的硬化物的性質。如此的環氧樹脂，可使用習知的各種環氧樹脂，具體可舉雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯酚酚醛、甲酚酚醛等的酚類的縮水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等的醇類的縮水甘油醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫化鄰苯二甲酸等的羧酸的縮水甘油醚；將鍵結在苯胺異三聚氰酸酯的氮原子的活性氫以縮水甘油基取代的縮水甘油型或烷基縮水甘油型的環氧樹脂；乙烯基環己烷二環氧化合物、3,4-環氧基環己基甲基-3,4-二環己酸酯、2-(3,4-環氧基)環己基-5,5-螺(3,4-環氧基)環己烷-間二噁烷等，將在分子內的碳-碳雙鍵鍵結，例如藉由氧化導入環氧基的所謂脂環型環氧化合物。其他，亦可使用具有，聯苯骨架、三苯基甲烷骨架、二環己二烯骨架、萘骨架等的環氧樹脂。該等環氧樹脂，可以1種單獨或組合2種以上使用。上述環氧樹脂之中，使用具有雙酚A的縮水甘油醚（雙酚A型環氧樹脂）、具有聯苯骨架的環氧樹脂（聯苯型環氧樹脂）、具有萘骨架的環氧樹脂（萘型環氧樹脂）或該等的組合為佳。

酚樹脂，可舉例如，雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、雙苯酚、雙酚F、二烯丙基雙酚F、三苯甲烷型酚、四酚、酚醛型酚、甲酚酚醛樹脂、具有聯苯芳烷基骨架的酚（聯苯型酚）等，該等之中，使用聯苯型酚為佳。該等酚樹脂，可以1種單獨或組合2種以上使用。再者，使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，與環氧樹脂的反應性等的觀點，並用酚樹脂為佳。

熱硬化性樹脂在樹脂組成物中的含量，以10質量%以上為佳，以15質量%以上特別佳，進一步以20質量%以上為佳。此外，該含量，以60質量%以下為佳，以50質量%以下特別佳，進一步以40質量%以下為佳。藉由使該含量，在10質量%以上，可使樹脂組成物層的硬化更充分，可更堅固地密封電子零件。此外，藉由使該含量在60質量%以下，可更加抑制樹脂組成物層在非預期階段的硬化，使儲存穩定性更優良。

（3）熱塑性樹脂關於本實施形態的樹脂薄片，樹脂組成物進一步含有熱塑性樹脂為佳。藉此，容易將樹脂組成物層形成為薄片狀。熱塑性樹脂之例，可舉苯氧基系樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺甲酸乙酯系樹脂、聚酯胺甲酸乙酯系樹脂、醯胺系樹脂、苯乙烯系樹脂、矽烷系樹脂、橡膠系樹脂等，該等可以1種單獨或組合2種以上使用。

上述苯氧基系樹脂，雖並無特別限定，可例示例如，雙酚A型、雙酚F型、雙酚A/雙酚F共聚合型、雙酚S型、雙酚苯乙酮型、酚醛型、茀型、二環戊二烯型、降莰烯型、萘型、蒽型、金剛烷型、萜烯型、三甲基環己烷型、二苯酚型、聯苯型等，該等之中，使用雙酚A型苯氧基樹脂為佳。

在樹脂組成物中的熱塑性樹脂的含量，以1質量%以上為佳，以3質量%以上特別佳，進一步以5質量%以上為佳。此外，該含量，以30質量%以下為佳，以20質量%以下，進一步以10質量%以下為佳。藉由使該含量在上述範圍，可更容易將樹脂組成物層形成為板片狀。

（4）二氧化矽填充劑關於本實施形態的樹脂薄片，樹脂組成物進一步含有二氧化矽填充劑為佳。藉此，使樹脂組成物層硬化而成的硬化層，可有效地發揮優良的機械強度。

二氧化矽填充劑的形狀，可為粒狀、針狀、板狀、不定型等的任一，惟該等之中，以球狀為佳。

上述二氧化矽填充劑的平均粒徑，以0.01μm以上為佳，以0.1μm以上特別佳，進一步以0.3μm以上為佳。此外，上述二氧化矽填充劑的平均粒徑，以3.0μm以下為佳，以1.0μm以下特別佳。藉由使二氧化矽填充劑的平均粒徑在上述範圍，可使樹脂組成物層硬化而成的硬化層，可有效地發揮優良的機械強度。再者，在本說明書的二氧化矽填充劑的平均粒徑，以動態光散射法所測定之值，例如使用粒度分佈測定裝置（日機裝公司製，產品名「Nanotrac Wave-UT151」）測定。

此外，上述二氧化矽填充劑的最大粒徑，以0.05μm以上為佳，以0.5μm以上特別佳。此外，該最大粒徑，以5μm以下為佳，以3μm以下特別佳。藉由使二氧化矽填充劑的最大粒徑在上述範圍，容易在硬化層中填充二氧化矽填充劑，使硬化層具有更優良的機械強度。再者，在本說明書的二氧化矽填充劑的最大粒徑，是使用動態光散射法測定之值，例如可使用粒度分佈測定裝置（日機裝公司製，產品名「Nanotrac Wave-UT151」）測定。

關於本實施形態的樹脂薄片，二氧化矽填充劑以表面處理劑進行表面處理為佳。藉此，可改善二氧化矽填充劑在樹脂組成物中的分散性及填充性。特別是該表面處理劑的最小披覆面積，以未滿550m² /g為佳，以520m² /g以下特別佳，進一步以450m² /g以下為佳，此外，表面處理劑的最小披覆面積，以100m² /g以上為佳，以200m² /g以上特別佳，進一步以300m² /g以上為佳。藉由使表面處理劑的最小披覆面積在上述範圍，可使二氧化矽填充劑在樹脂組成物中的分散性及填充性更優良。

上述表面處理劑之例，可舉環氧基矽烷及乙烯基矽烷。該等之中，使用環氧基矽烷為佳。環氧基矽烷的具體例，可舉例如3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧矽烷、2-(3,4-環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷等。該等之中，使用3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷為佳。

上述乙烯基矽烷的具體例，可舉例如，乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基）矽烷等。該等之中，使用乙烯基三甲氧基矽烷為佳。

將二氧化矽填充劑以表面處理劑進行表面處理的方法，並無特別限定，能夠以一般的方法進行。例如，使用混合機，將未處理的二氧化矽填充劑在常溫攪拌，對此噴霧表面處理劑之後，進一步藉由攪拌既定時間進行表面處理。噴霧後的攪拌時間，例如以5分鐘以上，15分鐘以下為佳。再者，為使表面處理劑充分固定在二氧化矽填充劑，亦可在上述操作之後，將二氧化矽填充劑從混合機取出放置1天以上，此外，亦可進行輕微的加熱處理。此外，為均勻地進行表面處理，亦可在噴霧表面處理劑之後，進一步添加有機溶劑，進行上述攪拌。混合機，可使用習知的混合機，例如，V形混合器、螺帶式混合器、雙錐混合機等的混合器、亨舍爾攪拌機、混凝土攪拌機等的攪拌機、球磨機等，該等之中，使用攪拌機為佳。

在樹脂組成物中的二氧化矽填充劑的含量，以65質量%以上為佳，以70質量%以上特別佳，進一步以72質量%以上為佳。此外，該含量以95質量%以下為佳，以90質量%以下特別佳，進一步以80質量%以下為佳。藉由使二氧化矽填充劑的含量在65質量%以上，能夠使樹脂組成物層硬化而成的硬化層具有更良好的機械強度。此外，藉由使二氧化矽填充劑的含量在95質量%以下，可使樹脂組成物層容易硬化，可使用樹脂薄片製造品質更佳的半導體裝置。

（5）硬化觸媒關於本實施形態的樹脂薄片，樹脂組成物進一步含有硬化觸媒為佳。藉此可有效地進行熱硬化性樹脂的硬化反應，可更良好地硬化樹脂組成物層。硬化觸媒之例，可舉咪唑系硬化觸媒、胺系硬化觸媒、磷系硬化觸媒等。

咪唑系硬化觸媒的具體例，可舉2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二(羥基甲基)咪唑等，由反應性的觀點，使用2-乙基-4-甲基咪唑為佳。

胺系硬化觸媒的具體例，可舉2,4-二胺基-6-(2'-甲基咪唑基-(1'))乙基-s-三嗪等的三嗪化合物、1,8-二氮雜二環[5,4,0]十一烯-7（DBU）、三伸乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺等的三級胺化合物。其中，以2,4-二胺基-6-(2'-甲基咪唑基-(1'）)乙基-s-三嗪為佳。

此外，磷系硬化觸媒的具體例，可舉三苯膦、三丁膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦等。

上述硬化觸媒，可以1種單獨使用，亦可並用2種以上。

硬化觸媒在樹脂組成物中的含量，以0.01質量%以上為佳，以0.05質量%以上特別佳，進一步以0.1質量%以上為佳。此外，該含量以2.0質量%以下為佳，以1.5質量%以下特別佳，進一步以1.0質量以下為佳。藉由使該含量在上述範圍，可使樹脂組成物層更良好地硬化。

（6）其他的成分本實施形態的樹脂組成物，可進一步含有可塑劑、穩定劑、黏著賦予劑、偶合劑、帶電防止劑、抗氧化劑等。

（7）樹脂組成物層的物性等本實施形態的樹脂薄片，使樹脂組成物層硬化而成的硬化層，在波長1500～1000nm的光線穿透率在40%以下，以30%以下為佳，以20%以下特別佳。在波長1500～1000nm的光線穿透率超過40%，則該波長區域的光穿透硬化層，而到達存在於所製造的半導體裝置內的電子零件，而成為發生電子零件的錯誤動作的原因。特別是在波長1500～1000nm的光，由於屬於用於紅外線照相機及紅外線通信等的近紅外光的光，是在製造半導體裝置所使用的環境常用的光，上述光線穿透率超過40%時，無法充分抑制上述的錯誤動作。雖關於波長1500～1000nm的光線穿透率的下限值，並無特別限定，惟例如以1%以上為佳，以2%以上特別佳。再者，在本說明書，所謂「波長1500～1000nm的光線穿透率在40%以下」表示在波長1500～1000nm的全範圍，光線穿透率在40%以下的意思，別的類似的表示亦相同。上述波長1500～1000nm的光線穿透率的測定方法，如後述試驗例所述。

在本實施形態的樹脂薄片，在硬化樹脂組成物層而成的硬化層，在波長800～400nm的光線穿透率，在10%以下，以5%以下為佳，以1%以下特佳。波長800～400nm的光是可見光，波長800～400nm的光線穿透率超過10%，則在製造的半導體裝置，可視認被密封的電子零件，而損及半導體裝置的外觀。關於波長800～400nm的光線穿透率的下限值，並無特別限定，惟例如以0.01%以上為佳，以0.1%以上特別佳。再者，在本說明書，所謂「波長800～400nm的光線穿透率在10%以下」的表現，指光線穿透率在波長800～400nm的全範圍均在10%以下，別的類似的表現亦相同。上述波長800～400nm的光線穿透率的測定方法，如後述試驗例所述。

在本實施形態的樹脂組成物層的厚度，以20μm以上為佳，以50μm以上特別佳，進一步以100μm以上為佳。另一方面，樹脂組成物層的厚度，在1000μm以下，以500μm以下為佳，以300μm以下特別佳。藉由使樹脂組成物層的厚度在20μm以上，可使對電子零件的包埋性優良。此外，樹脂組成物層的厚度在1000μm以下，使用本實施形態的樹脂薄片容易使製造的半導體裝置小型化‧薄膜化。

2. 剝離薄片關於本實施形態的樹脂薄片，亦可在樹脂組成物層的至少一方的面積層剝離薄片。剝離薄片的構成為任意，可舉例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯薄膜、聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴薄膜等的塑膠薄膜。在該等的剝離面（與樹脂薄片的樹脂組成物層接觸的面），施以剝離處理為佳。用於剝離處理的剝離劑，可舉例如聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等的剝離劑。

關於剝離板片的厚度，並無特別限制，通常為20μm以上，250μm以下。

3. 樹脂薄片的製造方法關於本實施形態的樹脂薄片，並無特別限定，例如調製含有上述樹脂組成物的塗層液，藉由塗佈該塗層液形成樹脂組成物層而製造樹脂薄片，或者亦可藉由將上述的樹脂組成物擠出成形，形成樹脂組成物層而製造樹脂薄片。

藉由塗佈上述塗層液形成樹脂組成物層的方法，可例如，調製含有樹脂組成物、及根據所期望進一步含有溶劑或分散劑的塗層液，在剝離薄片的剝離面上，以模具塗佈機、淋幕塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機等塗佈該塗層液形成塗膜，藉由將該塗膜乾燥而製造樹脂薄片。

塗層液，只要可以進行塗佈，其性狀，並無特別限定，有含有用於形成樹脂層的成分作為溶質之情形，亦有含有作為分散質之情形。上述溶劑之例，可舉環己酮、甲苯、乙酸乙酯、甲乙酮、丙酮、二甲苯等的有機溶劑等。剝離薄片可作為工程材料剝離，亦可用於保護樹脂組成物層到使用之前。

此外，在樹脂組成物層的兩面分別積層剝離薄片的積層體的製造方法，可在一剝離薄片的剝離面上塗佈塗層液形成塗膜，將此乾燥、形成由樹脂組成物層與一剝離薄片所形成的積層體，在該積層體的樹脂組成物層側的與一剝離片的相反側的面黏貼其他剝離薄片的剝離面，得到具有一剝離薄片/樹脂組成物層/其他剝離薄片所構成的樹脂薄片。此時，剝離薄片的至少一方可作為工程材料剝離，亦可用於保護樹脂組成物層到使用之前。

4. 樹脂薄片的使用方法關於本實施形態的樹脂薄片是在半導體裝置的製造方法，用於電子零件的密封。可例如，對設於基板上、或黏著薄片等的假固定材上的電子零件，積層樹脂薄片的樹脂組成物層之後，使樹脂組成物層硬化形成硬化層，而進行電子零件的密封。

在關於本實施形態的樹脂薄片，藉由樹脂組成物層由含有上述著色材料的樹脂組成物形成的同時，使該樹脂組成物層硬化而成硬化層顯示上述光線穿透率，在所製造的半導體裝置，可達成電子零件優良的隱蔽性的同時，亦可抑制來自外部電磁波的錯誤動作。再者，藉由樹脂組成物層由含有上述著色材料的樹脂組成物所形成，硬化層具有良好的絕緣性。因此，藉由使用關於本實施形態的樹脂薄片，具有優良的外觀的同時，亦可製造抑制錯誤動作或發生絕緣破壞的品質優良的半導體裝置。

上述硬化，藉由加熱樹脂組成物層進行為佳。此時，加熱溫度，以100℃以上為佳，以120℃以上特別佳。此外，該溫度，以240℃以下為佳，以200℃以下特別佳。此外，上述加熱時間，以15分鐘以上為佳，以20分鐘以上特別佳。此外，該時間，以300分鐘以下為佳，以100分鐘以下特別佳。

此外，樹脂組成物層以上述加熱的硬化，以複數次的加熱處理分階段進行為佳。此時的加熱，分成2次以上進行為佳，特別是進行以溫度T1使之熱硬化的第1加熱處理，及以較溫度T1高的溫度T2使之熱硬化的第2加熱處理的2階段加熱處理為佳。此時，在第1加熱處理，溫度T1，以100℃以上，130℃以下為佳，加熱處理的時間，以15分鐘以上，60分鐘以下為佳。此外，在第2加熱處理，溫度T2，以150℃以上，220℃以下為佳，加熱處理的時間，以30分鐘以上，120分鐘以下為佳。

關於本實施形態的樹脂薄片，僅在樹脂組成物層的單面具有剝離薄片時，該剝離薄片，在將樹脂組成物層積層於電子零件之後，可在將樹脂組成物層硬化前從樹脂組成物層剝離，或亦可使樹脂組成物層硬化之後，從形成的硬化層剝離。關於本實施形態的樹脂薄片，在樹脂組成物層的兩面具有剝離薄片時，將一剝離薄片剝離，使露出的樹脂組成物層的露出面積層於電子零件，而其他剝離薄片，則可在樹脂組成物層的硬化前後的任一時點剝離。

上述電子零件之例，只要是一般成為密封對象的電子零件，並無特別限定，可舉例如，半導體晶片等。此外，製造的半導體裝置，可舉零件內藏基板、半導體封裝等，以零件內藏基板為佳。

以上說明的實施形態，是為容易理解本發明所記載，並非用於限定本發明的記載。因此，揭示於上述實施形態的各要素，包含屬於本發明的技術上範圍的所有設計變更或均等物。［實施例］

以下藉由表示實施例及試驗例等更詳細地說明本發明，惟本發明不應限定於下述試驗例等。

［實施例1～2及比較例1～3］將表1所示構成成分混合，以環己酮稀釋，得到固體成分濃度為58質量%的樹脂組成物的塗層液。將該塗層液，塗佈在一面經聚矽氧系剝離處理的剝離薄膜（LINTEC公司製，產品名「SP-PET382150」）的剝離面上，將所得塗膜以烘箱以100℃乾燥1分鐘，得到厚度25μm的樹脂組成物層與剝離薄膜所形成的樹脂薄片。

再者，以目視確認製造的樹脂薄片的樹脂組成物層的顏色，實施例1～2及比較例1的樹脂組成物層為黑色，比較例2～3的樹脂組成物層為灰色。

在此，表1所示構成成分的細節如下所示。［熱硬化性樹脂］ BisA型環氧樹脂︰雙酚A型環氧樹脂（三菱化學公司製，產品名「jER828」）聯苯型環氧樹脂：聯苯型環氧樹脂（日本化藥公司製，產品名「NC-3000-L」）萘型環氧樹脂︰萘型環氧樹脂（DIC公司製，產品名「HP-6000」）聯苯型酚︰聯苯型酚（明和化成公司製，產品名「MEHC-7851-H」）［熱塑性樹脂］ BisA型苯氧基樹脂︰雙酚A型苯氧基樹脂（三菱化學公司製，產品名「jER1256」）［硬化觸媒］咪唑系熱硬化觸媒︰2-乙基-4-甲基咪唑（四國化成公司製，產品名「2E4MZ」）［二氧化矽填充劑］經環氧基矽烷處理二氧化矽填充劑︰二氧化矽（將ADOMATEX公司製，產品名「SO-C2」，平均粒徑︰0.5μm，最大粒徑︰2μm，形狀︰球狀），以3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷（信越化學公司製，產品名「KBM-403」，最小披覆面積︰330m² /g）表面處理之物［著色材料］碳填充劑︰碳填充劑（Cosmo石油公司製，產品名「CCF-R01L」，形狀︰不定形，平均粒徑︰1μm，脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例︰5%）氮氧化鈦︰氮氧化鈦（三菱材料公司製，產品名「13M」，形狀︰六面晶，平均粒徑︰97nm，體積電阻率︰2.5Ω‧cm）碳黑︰碳黑（三菱化學公司製，產品名「#3030B」，形狀︰球狀，平均粒徑︰60nm，脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例︰＜1.0%）鐵錳複合氧化物︰鐵錳複合氧化物（東罐材料技術公司製，產品名「42-313A」，形狀︰不定形，平均粒徑︰1.3μm）鐵鎳複合氧化物︰鐵鎳複合氧化物（東罐材料技術公司製，產品名「42-714A」，形狀︰不定形，平均粒徑︰1.7μm）

［試驗例1］（光線穿透率的評估）從實施例及比較例所製作的樹脂薄片剝離剝離薄膜，以100℃加熱30分鐘，進一步以180℃加熱60分鐘使樹脂組成物層硬化，形成厚度25μm的硬化層。

對該硬化層，使用分光光度計（SHIMADZU公司製，產品名「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」）測定穿透率。測定是使用附屬的大形試料室MPC-3100，不使用內建的積分球進行測定。

從上述測定結果，取出波長在400～800nm的範圍的光線穿透率（%），根據以下的基準評估可見光區域（波長400～800nm）的光線穿透率。將結果示於表1。 ○：在波長400～800nm的全範圍光線穿透率在10%以下。 ×：在波長400～800nm的至少一部分波長，光線穿透率超過10%。

再者，從上述測定結果，取出波長在1000～1500nm的範圍的光線穿透率（%），根據以下的基準評估近紅外光區域（波長1000～1500nm）的光線穿透率。將結果示於表1。 ○：在波長1000～1500nm的全範圍光線穿透率在40%以下。 ×：在波長1000～1500nm的至少一部分波長，光線穿透率超過40%。

再者，使用在近紅外光區域（波長1000～1500nm）的光線穿透率為「○」的樹脂薄片所製造的半導體裝置，由於近紅外光區域的光可藉由硬化層良好地遮斷，故可良好地抑制起因於該光的半導體裝置的錯誤動作。

［試驗例2］（絕緣性的評估）將實施例及比較例所調製的塗層液、塗佈在一面經聚矽氧剝離處理的剝離薄膜（LINTEC公司製，產品名「SP-PET382150」）的剝離面上，將所得塗膜以烘箱以100℃乾燥1分鐘，得到2片厚度25μm的樹脂組成物層與剝離薄膜所形成的樹脂薄片。將所得2片樹脂薄片的樹脂組成物層，以熱層壓機（Roye1 Sovereign公司製，產品名「RSL-382S」，層壓溫度︰120℃）黏合，作成厚度50μm的單一樹脂組成物層。將該單一樹脂組成物層，以100℃加熱30分鐘，進一步以180℃加熱60分鐘使之硬化，形成厚度50μm的硬化層。

接著，使用絕緣電阻試驗機（菊花水電子工業社製，產品名「TOS9201」），對所得到的硬化層的一面與另一面之間，施加10秒5.0kV的電壓，確認有無發生絕緣破壞，根據以下的基準評估絕緣性。將結果示於表1。 ○：沒有發生絕緣破壞 ×︰發生絕緣破壞。

［試驗例3］（以雷射印刷的文字深度的測定）將實施例及比較例所製作的樹脂薄片，以100℃加熱60分鐘，進一步以180℃加熱60分鐘使樹脂組成物層硬化，形成厚度25μm的硬化層。

接著，使用雷射刻印機（EO TECHNICS公司製，產品名「CSM300」），從如上述所得硬化層的一面側，使用波長532nm的雷射光，以4.2mW的輸出照射，在該面雷射印刷。然後，使用雷射顯微鏡（KEYENCE公司製，產品名「VK-9710」），測定構成印刷文字的溝的深度（μm）。將結果示於表1。再者，關於無法藉由雷射印刷適當的印刷，而無法測定上述深度之例，則記「無法測定」。

［試驗例4］（隱蔽性的評估）將實施例及比較例所製作的樹脂薄片的樹脂組成物層側的面，在矽晶圓（直徑150mm，厚度100μm）的2000號研磨面，使用真空層壓裝置，以溫度90℃，壓力0.2MPa，及時間30秒的條件黏貼。之後，將剝離薄膜從樹脂薄片剝離，以100℃加熱30分鐘，進一步以180℃加熱60分鐘使樹脂組成物層硬化，形成硬化層。接著，隔著該硬化層，以目視確認研磨面，根據以下基準，評估所形成的硬化層的隱蔽性。將結果示於表1。 ○：不能確認研磨痕。 ×︰可確認研磨痕。

[表1]

如上根據實施例所得樹脂薄片，可形成具有優良的絕緣性的硬化層。再者，根據實施例所得樹脂薄片，對硬化層以雷射印刷印刷時，構成印刷的文字的溝具有充分的深度，可藉此印刷視認性優良的文字。 [產業上的可利性]

關於本發明的樹脂薄片，可良好地利用在零件內藏基板的半導體裝置的製造。

無。

Claims

一種樹脂薄片，其特徵在於：其係在半導體裝置的製造方法，用於密封電子零件的樹脂薄片，上述樹脂薄片，具備硬化性的樹脂組成物層，上述樹脂組成物層，係由含有著色材料的樹脂組成物所形成，上述著色材料，包含構成脂肪烴基的碳原子對全部碳原子的比例超過3質量%的碳系材料，使上述樹脂組成物層硬化而成的硬化層，在波長1500~1000nm的光線穿透率在40%以下，波長800~400nm的光線穿透率在10%以下。
如申請專利範圍第1項之樹脂薄片，其中上述樹脂組成物中的上述著色材料的含量在0.5質量%以上，5質量%以下。
如申請專利範圍第1項之樹脂薄片，其中上述著色材料為黑色。
如申請專利範圍第1項之樹脂薄片，其中上述碳系材料的平均粒徑在0.1μm以上，10μm以下。
如申請專利範圍第1項之樹脂薄片，其中上述樹脂組成物，含有熱硬化性樹脂。
如申請專利範圍第1項之樹脂薄片，其中上述樹脂組成物，含有熱塑性樹脂。
如申請專利範圍第1項之樹脂薄片，其中上述樹脂組成物，含有二氧化矽填充劑。
如申請專利範圍第7項之樹脂薄片，其中上述樹脂組成物中的上述二氧化矽填充劑的含量在65質量%以上，95質量%以下。