TWI764963B - 基板、電子裝置及具有其之顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種基板包含基底基材及位於基底基材一側的墊體，其中該墊體包含：位於基底基材上方的第一導電圖案、包含暴露部分第一導電圖案的複數個接觸孔的絕緣層，及複數個第二導電圖案分別於絕緣層上且通過複數個接觸孔連接於第一導電圖案，其中複數個第二導電圖案的側表面係暴露的。

Description

基板、電子裝置及具有其之顯示裝置

相關申請案之交互參照

本申請主張於2016年12月16日向韓國智慧財產局提出之申請案號為10-2016-0172753之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。

本公開例示性實施例的觀點涉及基板、電子裝置及具有其之顯示裝置。

近來，高性能及高整合性的電子裝置，如半導體裝置及顯示面板，已經導致這些電子裝置提供的連接端子數量明顯增加。因此，該連接端子尺寸被削減，且相鄰的連接端子之間的距離同樣被削減。

電子裝置可通過使用如異方性導電膜(ACF)的附著劑連接另一個電子裝置。然而，當使用異方性導電膜連接電子裝置，連接端子之間可能會發生短路故障或電子裝置之間可能發生開路故障。舉例來說，包含於異方性導電膜中的導電粒子可連接於相鄰的連接端子的側表面周圍，如凸塊，且短路故障可能發生於相鄰的凸塊之間。開路故障可能發生於電子裝置之間由於異方性導電膜中的導電粒子不接觸具精密尺寸的凸塊。

本揭露例示性實施例涉及一種基板可避免由異方性導電膜的導電粒子引起的短路故障或開路故障(或能夠降低故障的可能性或程度)、電子裝置及具有其之顯示裝置。

根據本揭露例示性實施例，基板包含基底基材(base substrate)，與墊體被提供於基底基材的一側，其中墊體包含：第一導電圖案被提供於基底基材上、包含暴露部分第一導電圖案的複數個接觸孔的絕緣層，與複數個第二導電圖案分別提供於絕緣層上且通過複數個接觸孔連接於第一導電圖案，其中複數個第二導電圖案的側表面係暴露的。

複數個第二導電圖案可包含依序堆疊的第一導電層及第二導電層，且可暴露第一導電層的側表面。

第二導電層可包含比包含於第一導電層的材料更具剛性的材料。

第一導電層可包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)中的至少之一。

第二導電層可包含選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及一導電氧化物中的至少之一。

導電氧化物可包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銻鋅(AZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅(ZnO)及二氧化錫(SnO₂)中的至少之一。

基板可進一步包含提供第三導電層被提供於第一導電層及第一導電圖案之間。

第三導電層可包含選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及導電氧化物中的至少之一。第三導電層可包含與第二導電層相同(例如：實質上相同)的材料。

根據一些實施例，電子裝置可包括包含基底基材與提供於基底基材上的墊體的基板，與包含連接於墊體的凸塊的電子元件，其中墊體包含：提供於基底基材上的第一導電圖案、包含暴露部分第一導電圖案的複數個接觸孔的絕緣層，與複數個第二導電圖案分別提供於絕緣層上且通過複數個接觸孔連接於第一導電圖案，其中至少一部分的複數個第二導電圖案連接於凸塊，且剩餘的複數個第二導電圖案的側表面係暴露的。

連接於凸塊的複數個第二導電圖案可包含第一導電層。電子裝置可進一步包含被提供於第一導電圖案與凸塊之間的混合導電層，且包含第一導電層材料與凸塊材料的混合物。

剩餘的複數個第二導電圖案可包含第一導電層與提供於第一導電層上的第二導電層，且可暴露第一導電層的側表面。

混合導電層可包括包含第二導電層材料的分割塊(fragments)。

電子裝置可進一步包含填充與凸塊及墊體連接區域不同的區域的非導電膜。

非導電膜可包含熱流動性聚合物材料。

根據一些實施例，電子裝置可包括包含基底基材與提供於基底基材上的墊體的基板，與包含連接於墊體的凸塊的電子元件，其中墊體包含：提供於基底基材上的第一導電圖案、包含暴露部分第一導電圖案的複數個接觸孔的絕緣層、複數個第二導電圖案分別提供於絕緣層上且包含通過複數個接觸孔 連接於第一導電圖案的第一導電層，與提供於複數個第二導電圖案與凸塊之間的混合導電層，其中混合導電層包含第一導電層材料及凸塊材料的混合物。

根據一些實施例，顯示裝置可包含：包含顯示區域及非顯示區域的顯示面板，其中顯示面板在非顯示區域中包括包含複數個第一墊體的第一墊體單元與包含複數個第二墊體的第二墊體單元、包含複數個第一凸塊連接於複數個第一墊體的第一驅動器、包含複數個第二凸塊連接於複數個第二墊體單元的可撓式印刷電路板，與第二驅動器連接於可撓式印刷電路板的一端，其中從可撓式印刷電路板及第二驅動器中選擇一個包含複數個第三凸塊，而另一個包含連接於複數個第三凸塊的複數個第三墊體，而其中每個複數個第一墊體、複數個第二墊體及複數個第三墊體包含：第一導電圖案、包含暴露部分第一導電圖案的複數個接觸孔的絕緣層，與複數個第二導電圖案分別提供於絕緣層上且通過複數個接觸孔連接於第一導電圖案，其中至少一部分的複數個第二導電圖案與從複數個第一凸塊至第三凸塊中擇一連接，而剩餘的複數個第二導電圖案的側表面係暴露的。

AE:第一電極

ARS:陣列基板

BMP:凸塊

BMP1:第一凸塊

BMP2:第二凸塊

BMP3:第三凸塊

BS:基底基材

BUL:緩衝層

CE:第二電極

CL1:第一導電層

CL2:第二導電層

CL3:第三導電層

CML:混合導電層

CP1:第一導電圖案

CP2:第二導電圖案

DA:顯示區域

DE:汲極電極

DPL:顯示層

DPS:絕緣基板

DVL:驅動層

DVR1:第一驅動器

DVR2:第二驅動器

EA1、EA2、EA3、EA4:區域

ECL:密封層

ED:電子裝置

ED1:第一電子裝置

ED2:第二電子裝置

FPC:可撓式印刷電路板

FRM:分割塊

GE:閘極電極

GI:閘極絕緣層

ILD:層間絕緣層

NCF:非導電膜

NCF1:第一非導電膜

NCF2:第二非導電膜

NDA:非顯示區域

OL:有機層

OLED:顯示元件

PD:墊體

PD1:第一墊體

PD2:第二墊體

PD3:第三墊體

PDA:墊體單元

PDA1:第一墊體單元

PDA2:第二墊體單元

PDL:像素定義層

PIL:墊體絕緣層

PNL:顯示面板

PSV:保護層

PX:像素

SCL:半導體層

SE:源極電極

SUB:基板

TFT:薄膜電晶體

一些實施例的觀點將在下文中參照圖式進行描述。然而，本系統及方法不應被理解為限於這些實施例。相反的，提供這些實施例是為了便於使本領域具通常知識者理解。

圖式中，為了清楚起見圖式的尺寸可被誇大。應理解的是，當元件被稱為在兩個元件「之間」，除非另有說明，它可能是兩個元件之間唯一元件，或也可存在一個或多個中間元件。相同的數字標記始終指相同的元件。

第1圖是繪示根據本揭露實施例基板的透視圖。

第2圖是第1圖中墊體單元的放大視圖。

第3圖是繪示第2圖中一個墊體的平面圖。

第4圖是沿著第3圖的線I-I’的截面圖。

第5圖是沿著第3圖的線II-II’的截面圖。

第6圖至第7圖是繪式第1圖至第5圖示出的基板電連接於電子裝置的截面圖。

第8圖是繪示第6圖至第7圖中示出的混合導電層的概念視圖。

第9圖至第13圖是繪示第1圖至第8圖連接基板與電子裝置的流程的截面圖。

第14圖至第20圖是繪示第1圖至第5圖示出的墊體形狀的範例的平面圖。

第21圖是繪示根據本揭露的實施例顯示裝置的透視圖。

第22圖是繪示第21圖示出的顯示面板的平面圖。

第23圖是沿著第21圖的線III-III’的截面圖。

第24圖是第23圖示出的區域EA1的放大視圖。

第25圖是沿著第21圖的線IV-IV’的截面圖。

第26圖是第25圖示出的區域EA2的放大視圖。

第27圖是沿著第21圖的線V-V’的截面圖。

第28圖是第27圖示出的區域EA3的放大視圖。

第29圖是沿著第21圖的線VI-VI’的截面圖。

第30圖是第29圖示出的區域EA4的放大視圖。

雖然參考圖式描述本揭露的一些例示性實施例，但應理解的是，在不脫離其精神及範圍的情況下，對本揭露例示性實施執行多種變化及修改。此外，應理解的是本揭露不限於本文揭露的實施例，在不脫離本揭露例示性實施例精神及範圍的情況下，可進行各種改變、相等及替換。

相同參考數字標示於圖式中表示相同的元件。在圖式中，為了清楚起見本揭露的元件尺寸可能被誇大。雖然本文使用的「第一(first)」及「第二(second)」等術語用以描述不同的元件，但這些元件不應受限於這些術語。這些術語僅用於分辨一個元件和另一個元件。舉例來說，在不脫離本揭露範圍的情況下第一元件可被指定為第二元件。相同的，第二元件可被指定為第一元件。此外，除非上下文清楚的指示否則單一的形式「一(a)」及「一(an)」包含旨在包含複數形式。

應當理解的是術語「包含(include)」或「具有(have)」其包括特徵、數字、步驟、操作、元件、片段或組合，但其不排除一個或多個特徵、數字、步驟、操作、元件、片段或組合。此外，當元件例如層、薄膜、區域或平板被稱為在另一個元件「上(on)」，它可直接於另一個元件上或可在另一個元件上其間有一個或多個中間元件。同時，當元件例如層、薄膜、區域或平板的被稱為在另一個元件「下(under)」，它可正好在其他元件下或可在其他元件下其間有一個或多個中間元件。在本揭露中，術語「實質上(substantially)」在一些情況下並根據本領域技術人員包含整體、幾乎整體或任何顯著程度的含意。並且，「形成在(formed on)」也意味著「形成於(formed over)」。

這裡使用的術語僅用於描述特定實施例的目的，而非用於限制本揭露。如本文所使用的，除非文中另行明確地表示，單數形式「一(a)」及「一(an)」也意指包含複數形式。將進一步理解的是當術語「包括(comprises)」、「包括(comprising)」、「包含(includes)」及「包含(including)」使用於本說明書時，具體指明特性、整體、步驟、操作、元件和/或組合的存在，但不排除或添加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組合的存在。如本文所使用，術語「和/或(and/or)」包含一個或多個相關列出項目的任何及所有組合。當表達如「至少一個(at least one of)」置於一個元件列表前時，修改整個列表的元件而非修改列表中的單一元件。

如本文所使用的，術語「實質上(substantially)」、「約(about)」及相似術語使用於近似術語而非程度的術語，且旨在說明由本領域通常技術人員將認識到在測量或計算的值中的固有偏差。此外，當描述本揭露實施例時，使用「可(may)」是指「本揭露一個或多個實施例(one or more embodiments of the present disclosure)」。如本文所使用的，術語「使用(use)」、「使用(using)」及「使用(used)」可分別被認為與用語「利用(utilize)」、「利用(utilizing)」、「利用(utilized)」為同義字。而且，術語「例示性(exemplary)」旨在意指實例或說明。

下文中，一些例示性實施例的方面將係更詳細的描述於參考附圖。

第1圖是繪示根據本揭露實施例的基板的透視圖。第2圖是第1圖中墊體單元PDA的放大視圖。第3圖是繪示第2圖中一個墊體PD的平面圖。第4圖是沿著第3圖的線I-I’的截面圖，第5圖是沿著第3圖的線II-II’的截面圖。

參照第1圖至第5圖，基板SUB可包含基底基材BS及墊體單元PDA提供於基底基材BS的至少一側。

基底基材BS可是但不限於選自於半導體基板、可撓式印刷電路板、印刷電路板及顯示面板的陣列基板的其中的一種。此外，半導體基板可為半導體晶圓。然而，半導體基板不限於此。決定基板SUB的材料及基底基材的形狀是可改變的。根據一實施例，其上設置多種適合的電路裝置及/或金屬線的電路層可內嵌於半導體基板中。

墊體單元PDA可設置於基底基材BS的至少一個表面。墊體單元PDA可包含複數個墊體PD。墊體PD可被提供將基板SUB電連接至另一個電子裝置。墊體PD可為一種輸入/輸出端子。

每個墊體PD可包含第一導電圖案CP1提供於基底基材BS上、有暴露部分第一導電圖案CP1的複數個接觸孔的墊體絕緣層PIL，與複數個第二導電圖案CP2提供於墊體絕緣層上PIL。

第一導電圖案CP1可包含一種選自導電金屬、傳導性有機材料與導電氧化物中。舉例來說，第一導電圖案CP1可包含選自：銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鋁(Al)、鈷(Co)、銠(Rh)、銥(Ir)、鐵(Fe)、釕(Ru)、鋨(Os)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉍(Bi)、銻(Sb)及鉛(Pb)中的至少之一。此外，第一導電圖案CP1可包含選自聚噻吩類化合物(polythiophene-based compound)、聚吡咯類化合物(polypyrrole-based compound)、聚苯胺類化合物(polyaniline-based compound)、聚乙炔類化合物(polyacetylene-based compound)、聚伸苯類化合物(polyphenylene-based compound)與其混合物中 的至少一種。此外，第一導電圖案CP1可包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銻鋅(AZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅(ZnO)與二氧化錫(SnO₂)中的至少之一。如前所述，第一導電圖案CP1包含選自導電金屬、傳導性有機材料及導電氧化物中的至少之一，然而，本揭露不限於此。第一導電圖案CP1可包含導電材料除了導電金屬、傳導性有機材料和/或導電氧化物。

墊體絕緣層PIL可包含選自於有機絕緣層及無機絕緣層中的至少之一。有機絕緣層可包含透光的有機絕緣材料(例如：透光的有機絕緣材料)。例如：有機絕緣層可包含選自於聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylates resin)、聚亞醯胺(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamides resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimides rein)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚樹脂(poly-phenylene ethers resin)、聚苯硫醚樹脂(poly-phenylene sulfides resin)及苯並環丁烯樹脂(benzocyclobutenes resin)中的至少之一。無機絕緣層可包含選自氧化矽(SiOx，其中1

x

2)及氮化矽(SiNx,1

x

1.33)中的至少之一。例如：絕緣層可包括包含氧化矽的第一層與第二層被設置於第一層上並包含氮化矽。

墊體絕緣層PIL中的接觸孔可暴露第一導電圖案CP1。這些接觸孔可於第一導電圖案CP1的長度方向或寬度方向彼此分離。

複數個第二導電圖案CP2可提供於墊體絕緣層PIL上並在第一導電圖案的長度方向或寬度方向中彼此分離。每個第二導電圖案CP2可通過每個接觸孔電連接於第一導電圖案CP1。

第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1提供於墊體絕緣層PIL上且第二導電層CL2提供於第一導電層CL1上。

第一導電層CL1可具有導電性且包含可撓性材料。例如：第一導電層CL1可包含選自：金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)中的至少之一。此外，由於相鄰的複數個第二導電圖案CP2彼此分離，第一導電層CL1的側表面可暴露於外側。

第二導電層CL2可具有導電性且包括比包含於第一導電層CL1的材料(下文中稱為「第一導電層材料」)更具剛性的材料，此外，包含於第二導電層CL2中的材料(下文中稱為「第二導電層材料」)的熔點可高於第一導電層材料的熔點。例如：第二導電層CL2可包含選自鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)與導電氧化物中的至少之一。

第二導電層CL2可具有比第一導電層CL1更小的厚度。例如：第二導電層CL2可具有10nm至100nm的厚度。

複數個第二導電圖案CP2可進一步包含第三導電層CL3提供於第一導電層CL1下。第三導電層CL3可被提供於墊體絕緣層PIL與第一導電層CL1之間及第一導電圖案CP1與第一導電層CL1之間。

第三導電層CL3可包含比第一導電層的材料更具剛性的材料。例如：第三導電層CL3可包含選自鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)與導電氧化物中的至少之一。此外，第三導電層CL3可包含與第二導電層CL2相同(例如：實質上相同)的材料。

第6圖至第7圖是繪示第1圖至第5圖示出的基板SUB電連接於電子裝置的截面圖。第8圖是繪式第6圖至第7圖示出的混合導電層的概念視圖。第6圖是第3圖線I-I’方向的連接架構的截面圖。第7圖是第3圖線II-II’方向的連接架構的截面圖。

參照第1圖至第8圖，基板SUB可包含基底基材BS與墊體單元PDA提供於基底基材BS的至少一側並包含複數個墊體PD。

墊體PD可分別連接於電子裝置ED的凸塊BMP。

電子裝置ED可依據基板SUB而變化。當基板SUB為半導體基板，電子裝置ED可選自顯示面板的陣列基板、可撓式印刷電路板與印刷電路板中的一種。此外，當基板SUB是選自顯示面板的陣列基板、可撓式印刷電路板與印刷電路板中的一種，電子裝置ED可為半導體基板。

凸塊BMP可為用於基板SUB與電子裝置ED之間電連接的輸入/輸出端子。凸塊BMP可為電子裝置ED的一表面突出。凸塊BMP的表面，例如：與墊體PD相對的凸塊BMP可為選自平面、凹面及凸面中的一種。

凸塊BMP可具有導電性且包含相較於墊體PD的第二導電層材料更具可撓性的材料。此外，包含於凸塊BMP中的材料(下文中稱為「凸塊材料」)的熔點可低於墊體PD的第二導電層材料的熔點。例如：凸塊BMP可包含選自金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)中的至少之一。此外，凸塊BMP可包含與墊體PD的第一導電層CL1相同(例如：實質上相同)的材料。此外，凸塊BMP可包含與墊體PD的第一導電層CL1不同的材料。

凸塊BMP與墊體PD可透過超音波接合工序連接。超音波接合工序可這樣的方法執行，凸塊BMP及墊體PD可設置為彼此接觸然後藉由施加壓力及超聲波使其彼此連接。

每個凸塊BMP不需要與每個墊體PD的所有第二導電圖案CP2連接。在本案中，一些凸塊BMP可不連接於剩餘的第二導電圖案CP2。

每個沒有連接於凸塊BMP的第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1、第二導電層提供於第一導電層CL1上及第三導電層提供於第一導電層CL1與第一導電圖案CP1之間並連接於第一導電圖案CP1。

每個第二導電圖案CP2連接於凸塊BMP可包含第一導電層CL1及第三導電層CL3。準確的說，第二導電圖案CP2連接於凸塊BMP可不包含第二導電層CL2。然而，混合導電層CML可安排於凸塊BMP與耦合至凸塊BMP的第二導電圖案CP2的第一導電層CL1之間。此外，混合導電層CML可填充於相鄰的第二導電圖案CP2之間的區域。

在一些實施例中，例如凸塊，面對墊體PD的一部分凸塊BMP在超音波接合工序期間可由設定或預定厚度局部熔化並設置於於第二導電圖案CP2。此外，在超音波接合工序期間，第二導電圖案CP2的第二導電層CL2連接於凸塊BMP可能會破裂，且例如第一導電圖案CL1，面對凸塊BMP的一部分第一導電層CL1可局部熔化。在這種情況下，熔化的凸塊材料及第一導電層材料可彼此混合。凸塊材料及第一導電層材料的混合物可被設置於凸塊BMP與墊體PD之間與相鄰的第二導電圖案CP2之間，並冷卻形成混合導電層CML。

在混合導電層CML中，第一導電層材料及凸塊材料的混合比例可能不一致。換句話說，第一導電層材料及凸塊材料的混合比例可在混合導電層CML中變化。

此外，混合導電層CML可包含第二導電層材料。由於第二導電層材料的熔點高於第一導電層材料與凸塊材料的熔點，如第8圖所示，由於第二導電層材料的熔點高於第一導電層材料及凸塊材料的熔點，因此混合導電層CML中的第二導電層材料可作為分割塊FRM存在。

凸塊BMP與墊體PD的區域可填充非導電性膜NCF。非導電膜NCF可包含通過加熱(例如：加熱時能夠流動)流動聚合物材料。因此，在凸塊BMP及墊體PD的超音波接合期間當熱與超音波一起施加時，熱可導致非導電膜NCF流動。當非導電性膜NCF透過熱移開時，非導電膜NCF可在凸塊BMP及墊體PD的超音波接合工序期間填充於凸塊BMP及墊體PD連接的區域不同的區域。因此，基板SUB與電子裝置ED之間的結合力可透過非導電膜NCF改善。

第9圖至第13圖是繪示第1圖至第8圖連接基板SUB與電子裝置ED的流程的截面圖。

參照第9圖，首先，基板SUB包含基底基材BS，且可準備墊體PD提供於基底BS上。

基底基材BS可為選自於半導體基板、可撓式印刷電路板、印刷電路板與顯示面板的陣列基板中的一種。

墊體PD可包含提供於基材BS上的第一導電圖案CP1、具有暴露部分第一導電圖案CP1的複數個接觸孔的墊體絕緣層PIL，與提供於墊體絕緣層PIL上的第二導電圖案CP2。

第一導電圖案可包含導電材料。

墊體絕緣層PIL可被提供於第一導電圖案CP1，其可通過墊體絕緣層PIL中的接觸孔被暴露。

第二導電圖案CP2可包含提供於墊體絕緣層PIL上的第一導電層、提供於第一導電層CL1上的第二導電層CL2，及提供於第一導電圖案CP1與第一導電層CL1之間的第三導電層CL3。

第一導電層材料的熔點可低於第二導電層材料的熔點。此外，第二導電層材料可包含比第一導電層材料更具剛性的材料。包含於第三導電層CL3的材料可包含與第二導電層材料相同(例如：實質上相同)的材料。

參照第10圖，在準備基板SUB之後，第一非導電膜NCF1可設置於基板SUB上。第一非導電膜NCF1可包含能通過熱流動聚合物材料。

第一非導電膜NCF1被設置之後，第一電子裝置ED1可被安排於第一非導電膜NCF1上。

凸塊BMP可提供於第一電子裝置ED1的一表面上，例如：第一電子裝置ED1與基板SUB相對的表面。凸塊BMP可面對墊體PD。每個凸塊BMP的表面，例如：面對每個墊體PD的每個凸塊BMP的表面可為選自於平面、凹面及凸面中的一種。

凸塊BMP可具有導電性且包含可撓性材料。例如：凸塊BMP可包含比第二導電層材料更具可撓性的材料。此外，包含於凸塊BMP中的材料的熔點可比第二導電層材料的熔點低。

在一些實施例中，氧化層(未示出)可被提供於凸塊BMP的表面上。氧化層可藉由暴露凸塊BMP於空氣(或包含氧的任何合適氣體)成形並包含凸塊材料的氧化物。

本一些第二導電圖案CP2可不連接於凸塊BMP的情況下，藉此當基板SUB與第一電子裝置ED1之間發生連接故障時可執行返工程序。

參照第11圖，第一電子裝置ED1安排於第一非導電膜NCF1上之後，可藉由超音波接合以電連接基板SUB及第一電子裝置ED1連接凸塊BMP及墊 體PD。在超音波接合工序透過提供熱、壓力及超音波期間基板SUB與第一電子裝置ED1可電連接。

凸塊BMP及墊體PD可透過如下的超音波接合工序彼此連接。

首先，當熱施加於第一非導電膜NCF1，熱可導致第一非導電膜NCF1流動。隨後，壓力可施加於基板SUB及第一電子裝置ED1且超音波可提供於凸塊BMP及墊體PD。

當壓力被施加時，墊體PD及凸塊BMP可彼此直接接觸，且第一非導電膜NCF1可移動至墊體PD及凸塊BMP彼此接觸的不同區域。此外，當超音波被提供，墊體PD及凸塊BMP可振動。墊體PD及凸塊BMP的振動方向可與超音波的振動方向相同(例如：實質上相同)。

當墊體PD及凸塊BMP振動時，磨擦會發生於墊體PD及凸塊BMP之間的接觸區域。摩擦可在第二導電層中CL2中導致破裂。此外，摩擦也可在凸塊BMP的表面上的氧化層導致破裂。

通過這種方式，當氧化層及第二導電層CL2破裂時，第一導電層CL1及凸塊BMP可彼此接觸。當第一導電層CL1及凸塊BMP彼此接觸，摩擦可導致面對凸塊BMP的部分第一導電層CL1與面對第一導電層CL1的部分凸塊BMP熔化。

熔化的部分可變成包含第一導電層材料與凸塊材料的混合導電層CML位於第一導電層CL1與凸塊BMP之間。

更仔細的看，由於凸塊材料的氧化物及第二導電層材料的熔點可高於第一導電層材料及凸塊材料的熔點，因此凸塊材料的氧化物及第二導電層材料可作為分割塊FRM存在於混合導電層CML中。

凸塊BMP與墊體PD之間的區域可由第一非導電膜NCF1填充。當第一非導電膜NCF1冷卻時，第一非導電膜NCF1可連接基板SUB至第一電子裝置ED1。因此，第一非導電膜NCF1可改善基板SUB與第一電子裝置ED1之間的結合力。

根據一實施例，已經描述了在超音波接合期間持續提供熱、壓力及超音波。然而，本揭露不限於此。例如：在超音波接合期間，可同時(例如：實質上相同)提供熱、壓力及超音波。

參照第12圖，電連接基板SUB及第一電子裝置ED1之後，可在基板SUB及第一電子裝置ED1上進行連接失敗測試。當檢測到連接失敗時，第一電子裝置ED1可從基板SUB移除。當第一電子裝置ED1被移除時，部分第一導電層CL1上的混合導電層CML也被移除。

隨後，第一電子裝置ED1被移除之後，第二非導電膜NCF2及第二電子裝置ED2可被提供於基板SUB上。第二非導電膜NCF2可包含與第一非導電膜NCF1相同(例如：實質上相同)的材料。第二電子裝置ED2可與第一電子裝置ED1是相同(例如：實質上相同)的電子裝置。換句話說，與第一電子裝置ED1相似，凸塊BMP可被提供於面對第二電子裝置ED2的一表面上。

參照第13圖，通過對第二電子裝置ED2的墊體PD及凸塊BMP施加熱量、壓力及超音波，基板SUB及第二電子裝置ED2可彼此電連接。

第二電子裝置ED2的凸塊BMP可連接於不再連接於第一電子裝置ED1的凸塊BMP的第二導電圖案CP2，在第二導電圖案CP2中。

包含第一導電層材料及凸塊材料的混合導電層CML可在第二電子裝置ED2的凸塊BMP與不再連接於第一電子裝置ED1的凸塊BMP的第二導電 圖案CP2的第一導電層CL1之間產生。此外，第二導電層材料可作為分割塊FRM存在於混合導電層CML中。當第一電子裝置ED1及基板SUB彼此連接時，產生的混合導電層CML可連接於形成的混合導電層CML。

此外，第二電子裝置ED2的凸塊BMP可部分重疊並連接於至少一部分連接於第一電子裝置ED1的凸塊BMP的第二導電圖案CP2。換句話說，第二電子裝置ED2的凸塊BMP可部分重疊至少一部分的第二導電圖案CP2。

凸塊BMP與墊體PD之間的區域可藉由透過熱流動的第二非導電膜NCF2填充。當第二非導電膜NCF2冷卻時，第二非導電膜NCF2可將基板SUB連接至第二電子裝置ED2。因此，基板SUB與第二電子裝置ED2之間的結合力可透過第二非導電膜NCF2改善。

第14圖至第20圖是繪示第1圖至第5圖示出的墊體PD形狀的範例的平面圖。。

參照第1圖至第5圖及第14圖至第20圖，墊體PD可包含基底基材BS上的第一導電圖案CP1及彼此分離的複數個第二導電圖案CP2並提供設置於第一導電圖案CP1上的絕緣層PIL並包含接觸孔。

第一導電圖案CP1可具有正方形形狀，但本揭露不限於此。例如：第一導電圖案CP1可有多種適合的形狀如圓形、橢圓形、半圓形及半橢圓形。

第二導電圖案CP2可有多種適合的形狀。例如：如第3圖、第4圖及第15圖所示，第二導電圖案CP2可具有長方形形狀。如第16圖所示，第二導電圖案CP2可相對於第一導電圖案CP1的一側傾斜的延伸。如第17圖所示，第二導電圖案CP2可有菱形或六邊形的形狀。如第18圖所示，第二導電圖案CP2可有圓 形形狀。如第19圖至第20圖所示，每個第二導電圖案CP2可形成其主軸與第一導電圖案CP1的短邊平行(例如：實質上平行)的橢圓形狀。

如第3圖、第5圖、第16圖、第17圖及第19圖所示，第二導電圖案CP2可安排於與超音波的期望振動方向(例如：超音波振動方向)平行(例如：實質上平行)的方向上。例如：相鄰的第二導電圖案CP2可沿著平行(例如：實質上平行)於超音波振動方向(例如：超音波振動傳播方向)的方向彼此間隔開。然而，本揭露不限於此。例如：第二導電圖案CP2可被安排為如第14圖、第18圖及20圖所示的矩陣形式。

第21圖是繪示根據本揭露的實施例顯示裝置的透視圖。第22圖是繪示第21圖示出的顯示面板的平面圖。第23圖是沿著第21圖的線III-III’的截面圖。第24圖是第23圖示出的區域EA1的放大視圖。

參照第1圖至第8圖及第21圖至第24圖，顯示裝置可包含顯示面板PNL、安裝於顯示面板PNL的一側上的第一驅動器DVR1、連接於顯示面板PNL的一側上的可撓式印刷電路板FPC，與連接於可撓式印刷電路板FPC的第二驅動器DVR2。

顯示面板PNL可有多種適合形狀。第21圖中，例如：顯示面板PNL可有包含直邊的閉合多邊形形狀。此外，顯示面板PNL可具有如圓形或橢圓形的形狀，或包含曲面的另一種這樣的形狀。此外，顯示面板PNL可包含具有曲面及直邊的半圓形或半橢圓形。

顯示面板PNL可包含顯示區域DA及提供於顯示區域DA周圍的非顯示區域NDA。

複數個像素PX可提供於顯示區域DA中。在顯示區域DA中可提供與閘極線交叉的複數條閘極線及複數條數據線。每個像素PX可包含至少一個薄膜電晶體TFT連接於其中一條閘極線及其中一條數據線，及連接到薄膜電晶體TFT的顯示元件OLED。

顯示元件OLED可為一種選擇於液晶顯示(LCD)元件、電泳式顯示器(EPD)元件、電濕潤顯示器(EWD)元件及有機發光顯示器(OLED)元件。在下文中，為了便於解釋，OLED元件將被描述為顯示元件OLED的實例。

非顯示區域NDA可案排於顯示區域DA周圍。例如：非顯示區域NDA可設置於顯示區域DA的外部並圍繞顯示區域DA。此外，包含複數個連接於第一驅動器DVR1的第一墊體PD1的第一墊體單元PDA1與包含複數個連接於可撓式印刷電路板FPC的第二墊體PD2的第二墊體單元PDA2，可提供於部分非顯示區域NDA上的。

在下文中，顯示面板PNL的結構將根據堆疊順序描述。

在顯示區域DA中，顯示面板PNL可包含陣列基板ARS及提供於陣列基板ARS上的顯示層DPL。

陣列基板ARS可包含絕緣基板DPS，與提供於絕緣基板DPS上的驅動層DVL。

絕緣基板DPS可包含透射光的透明絕緣材料。絕緣基板DPS可為剛性基板。例如：絕緣基板DPS可選自玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板與結晶陶瓷基板中的一種。

在一些期望的條件中，絕緣基板DPS可為可撓式基板。在本案中，絕緣基板DPS可為選自包含聚合物有機材料及塑膠基板的薄膜基板中的一種。例 如：絕緣基板DPS可包含選自聚苯乙烯(polystyrene)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、聚醚(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳香酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、三醋酸纖維素(triacetate cellulose)及醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate)中的一種。然而，絕緣基板DPS的材料可進行各種變化並包含玻璃纖維加強塑膠(FRP)。

在像素PX中，驅動層DVL可包含至少一個薄膜電晶體TFT。

薄膜電晶體TFT可包含半導體層SCL、與半導體層SCL絕緣的閘極電極GE，及連接到半導體層SCL的源極電極SE與汲極電極DE。

半導體層SCL可設置於絕緣基板DPS上。半導體層SCL可包含選自於非晶矽(a-Si)、多晶矽(p-Si)、氧化物半導體及有機半導體中的一種。氧化半導體可包含鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)和/或其混合物。例如：氧化半導體可包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。

在半導體層中SCL中，源極電極SE及汲極電極DE連接於半導體層SCL的區域可為摻雜或注入雜質的源極區及汲極區。此外，源極區與汲極區之間的區域可為通道區。

當半導體層SCL包含氧化半導體時，遮光層可設置於半導體層SCL之上或之下以阻擋光進入半導體層SCL。

緩衝層BUL可安排於絕緣基板DPS與半導體層SCL之間。緩衝層BUL可防止雜質從絕緣基板DPS擴散及滲透進入半導體層SCL中(或可減少這種雜質的擴散及滲透)，使得可防止(或減少)薄膜電晶體TFT的電特性的劣化。

緩衝層BUL可包含選自有機絕緣層及無機絕緣層中的至少之一。有機絕緣層可包含透射光的有機絕緣材料。例如：有機絕緣層可包含選自聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylates resin)、聚亞醯胺(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamides resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimides rein)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚樹脂(poly-phenylene ethers resin)、聚苯硫醚樹脂(poly-phenylene sulfides resin)及苯並環丁烯樹脂(benzocyclobutenes resin.)中的至少之一。無機絕緣層可包含選自氧化矽SiOx(其中1

x

2)及氮化矽SiNx(其中1

x

1.33)中的至少之一。例如：無機絕緣層可包括包含氧化矽的第一層及包含氮化矽且設置在第一層上的第二層。

此外，緩衝層BUL可防止(或減少)濕氣及氧氣從外部侵入顯示元件OLED。緩衝層BUL可使絕緣基板DPS的表面平坦化。

覆蓋半導體層SCL的閘極絕緣層GI可安排於絕緣基板DPS及半導體層SCL上。閘極絕緣層GI可使半導體層SCL及閘極電極GE絕緣。相似於緩衝層BUL，閘極絕緣層GI可包含選自有機絕緣層及無機絕緣層中的至少之一。

閘極電極GE可安排於閘極絕緣層GI上。閘極電極GE可與半導體層SCL部分重疊。此外，閘極電極GE可包含導電材料。

層間絕緣層ILD可安排於閘極絕緣層GI及閘極電極GE上。換句話說，層間絕緣層ILD可覆蓋閘極電極GE。相似於閘極絕緣層GI，層間絕緣層ILD 可包含選自有機絕緣層及無機絕緣層中的至少一個。此外，可移除部分的層間絕緣層ILD以暴露半導體層SCL的源極區及汲極區。

源極電極SE及汲極電極DE可安排於層間絕緣層ILD上。源極電極SE及汲極電極DE可藉由層間絕緣層ILD與閘極電極GE絕緣。此外，源極電極SE及汲極電極DE可接觸源極區及汲極區。

源極電極SE及汲極電極DE可包含提供於層間絕緣層ILD上的第一導電層CL1、提供於第一導電層CL1上的第二導電層CL2，及提供於第一導電層CL1與層間絕緣層ILD之間的第三導電層CL3。

第一導電層CL1可具有導電性且包含有可撓性材料的第一導電層材料。舉例來說，第一導電層CL1可包含選自金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)中的至少之一。

第二導電層CL2可具有導電性且包含比第一導電層材料更具剛性的第二導電層材料。此外，第二導電層材料的熔點可高於第一導電層材料的熔點。例如：第二導電層CL2可包含選自鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及導電氧化物中的至少之一。

第三導電層CL3可包含比第一導電層材料更具剛性的材料。例如：第三導電層CL3可包含選自鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及導電氧化物中的至少之一。此外，第三導電層CL3可包含與第二導電層CL2相同(例如：實質上相同)的材料。

根據實施例，描述薄膜電晶體TFT具有頂部閘極結構的示例。然而，本揭露不限於此。例如：薄膜電晶體TFT可具有底部閘極結構。

驅動層DVL可進一步包含覆蓋薄膜電晶體TFT的保護層PSV。保護層可部分暴露汲極電極DE。

保護層PSV可包含至少一層。例如：保護層可包含選自：無機保護層及有機保護層中的至少之一。例如：保護層PSV可包含覆蓋薄膜電晶體TFT的無機保護層及提供於無機保護層上的有機保護層。

顯示層DPL可被提供於保護層PSV上。在像素PX中，顯示層DPL可包含連接於薄膜電晶體TFT的顯示元件OLED。

顯示元件OLED可包含連接於汲極電極DE的第一電極AE、設置於第一電極AE上的有機層OL，及提供於有機層OL上的第二電極CE。

選擇第一電極AE及第二電極CE中的一個可為陽極電極而另一個可為陰極電極。例如：第一電極AE可為陽極電極而第二電極CE可為陰極電極。

此外，選自第一電極AE及第二電極CE中的至少一個可為透射電極。例如：當顯示元件OLED為底部發射型(或種類)的有機發光元件時，第一電極AE可為透射電極而第二電極CE可為反射電極。當顯示元件OLED為頂部發射型(或種類)的有機發光元件時，第一電極AE可為反射電極而第二電極CE可為透射電極。當顯示元件OLED是雙發射型(或種類)有機發光元件時，第一電極AE及第二電極CE可均為透射電極。例如在下文中，第一電極AE可為陽極電極且顯示元件OLED可為顯示裝置的頂部發射型(或種類)。

第一電極AE可設置於保護層PSV上。第一電極AE可包含反射光的反射層，及設置於反射層之上或之下的透明導電層。選自反射層及透明導電層中至少之一可接觸汲極電極DE。

反射層可包含光反射材料。例如：反射層可包含選自金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鎳(Ni)及其合金中的至少一種。

透明導電層可包含透明導電氧化物。例如：透明導電層可包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銻鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵錫(GTO)及摻雜氟的氧化錫(FTO)中的至少一種。

像素定義層PDL可安排於第一電極AE及保護層PSV上。像素定義層PDL可部分暴露第一電極AE。像素定義層PDL可覆蓋第一電極AE及保護層PSV的邊緣。

像素定義層PDL可包含有機絕緣材料。例如：像素定義層PDL可包含選自聚苯乙烯(polystyrene)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚胺(PA)、聚亞醯胺(PI)、聚芳醚(PAE)、雜環高分子(heterocyclic polymer)、聚對二甲苯(parylene)、聚亞醯胺(epoxy resin)、苯並環丁烯(BCB)、矽氧烷類樹脂(siloxane based resin)及矽烷類樹脂(silane based resin)中的至少一種。

有機層OL可包括包含發光層(EML)的多層薄膜結構。例如：有機層OL可包含用於注入電洞的電洞注入層(HIL)、具有優異的可傳輸性與藉由防止(或減少)不能在發光層中組合的電子移動增加電洞與電子之間的再結合的電洞傳送層(HTL)，藉由注入電子與電洞之間的再結合而發光的發光層、順利的傳送電子至發光層的電子傳輸層(ETL)，與注入電子的電子注入層(EIL)。電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層可延伸至相鄰的像素PX並被像素PX共享。發光層可產生選自紅色、綠色、藍色及白色中的一種 光。然而，本揭露不受限於此。例如：由有機層OL的發光層發射的光的顏色可選自洋紅色、青色及黃色中的一種。

第二電極CE可安排於有機層OL上。第二電極CE可為半透射式層。例如：第二電極CE可為足夠厚(或薄)以發射光的薄金屬層。第二電極CE可發射由有機層OL產生的部分的光並反射由(或從)有機層OL產生的剩餘部分的光的。由第二電極CE反射的光可從第一電極AE的反射層反射，並透過結構干擾穿過第二電極CE。

第二電極CE可包含具有比第一電極AE的透明導電層更低的功函數的材料。例如：第二電極CE可包含選自鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)及其合金中的至少一種。

密封層ECL可安排於第二電極CE上。密封層ECL可將顯示元件OLED與外部環境隔離。例如：密封層可防止(或減少)外部水氣及氧氣侵入顯示元件OLED中。密封層ECL可為包含複數個無機層及複數個安排於第二電極CE上的有機層的薄膜密封層。例如：密封層ECL可具有彼此交互堆疊的無機層及有機層。

例如根據實施例，密封層ECL被形成以將顯示元件OLED與外部環境隔離。然而，本揭露不限於此。代替密封層ECL，密封基板可被提供以將顯示元件OLED與外部環境隔離。密封基板可藉由密封劑黏結至絕緣基板DPS。當密封基板用於將顯示元件OLED與外部環境隔離(例如：實質上絕緣)，可省略密封層ECL。

在非顯示區域NDA中，第一墊體PD1及第二墊體PD2可提供於絕緣基板上DPS。第一墊體PD1及第二墊體PD2可具有與第1圖至第8圖所示的墊體PD有相同(例如：實質上相同)的結構。換句話說，每個第一墊體PD1及第二墊體PD2可包含第一導電圖案CP1、提供於第一導電圖案CP1上的墊體絕緣層PIL，與複數個提供於墊體絕緣層PIL上的第二導電圖案CP2且彼此分離。墊體絕緣層PIL可包含暴露第一導電圖案CP1的複數個接觸孔。第二導電圖案CP2可通過接觸孔連接於第一導電圖案CP1。

第一導電圖案CP1及閘極電極GE可包含相同(例如：實質上相同)的材料且藉由相同(例如：實質上相同)的工序成形。墊體絕緣層PIL及層間絕緣層ILD可包含相同(例如：實質上相同)的材料且藉由相同(例如：實質上相同)的工序成形。第二導電圖案CP2可與源極電極SE及汲極電極DE具有相同(例如：實質上相同)結構。

每個第一墊體PD1及每個第二墊體PD2可分別連接於閘極線及數據線。例如：每個第一墊體PD1可連接於閘極線，而每個第二墊體可連接於數據線。

第一墊體PD1或第二墊體PD2可連接於第一驅動器DVR1。本案中，第一墊體PD1可連接於第一驅動器DVR1，第二墊體PD2可連接於可撓式印刷電路板FPC，反之亦然。

第一驅動器DVR1可為第6圖至第7圖所示的電子裝置ED。例如：第一驅動器DVR1可為半導體基板，與第一墊體PD1相對的凸塊BMP可被提供於第一驅動器DVR1的一表面上。

第一驅動器DVR1於掃描信號及數據信號中選擇一個提供至顯示面板PNL。例如：第一驅動器DVR1可提供掃描訊號至顯示面板PNL。

可撓式印刷電路板FPC的一端可連接於第二墊體PD2。此外，可撓式印刷電路板FPC的其他端可連接於第二驅動器DVR2。相對於第二墊體PD2的凸塊BMP可提供於可撓式印刷電路板FPC的一端上。凸塊BMP或導電墊體連接於第二驅動器DVR2可被提供於可撓式印刷電路板FPC的其他端上

第二驅動器DVR2可連接於可撓式印刷電路板FPC上。第二驅動器DVR2可通過可撓式印刷電路板FPC及第二墊體PD2提供數據信號至顯示面板PNC。

第二驅動器DVR2可由印刷電路板組成。當第二驅動器DVR2提供數據信號時，第二驅動器DVR2可由安裝數據驅動晶片的印刷電路板組成。

第25圖是沿著第21圖的線IV-IV’的截面圖。第第26圖是第25圖示出的區域EA2的放大視圖。

參照第1圖至第8圖及第21圖至第25圖，顯示面板PNL的第一墊體PD1可經由第一凸塊BMP1連接於第一驅動器DVR1。連接於第一墊體PD1的第一凸塊BMP1可被提供於第一驅動器DVR1的表面上。第一凸塊BMP1可具有與第6圖至第7圖所示的凸塊BMP具有相同(例如：實質上相同)結構。

第一墊體PD1可與第1圖至第8圖所示的墊體PD具有相似結構。換句話說，每個第一墊體PD1可包含第一導電圖案CP1、提供於第一導電圖案CP1上的墊體絕緣層PIL，及複數個提供於墊體絕緣層PIL上的第二導電圖案CP2且彼此分離。墊體絕緣層PIL可具有暴露第一導電圖案CP1的複數個接觸孔。第二導電圖案CP2可通過接觸孔連接於第一導電圖案CP1。

第一導電圖案CP1及薄膜電晶體TFT的閘極電極GE可包含相同(例如：實質上相同)材料並藉由相同(例如：實質上相同)工序形成。墊體絕緣層PIL及陣列基板ARS的層間絕緣層ILD可包含相同(例如：實質上相同)材料並藉由相同(例如：實質上相同)工序形成。

每個第一墊體PD1的一些第二導電圖案CP2可連接於每個第一凸塊BMP1且剩餘的第二導電圖案CP2可不連接於第一凸塊BMP1。

沒有連接於第一凸塊BMP1的第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1、提供於第一導電層CL1上的第二導電層CL2，及提供於第一導電層CL1與第一導電圖案CP1之間的第三導電層CL3並連接於第一導電圖案CP1的。

第二導電圖案CP2連接於第一凸塊BMP1可包含設置於混合導電層CML與第三導電層CL3之間的第一導電層CL1，及設置於第一導電圖案CP1上的第三導電層CL3。換句話說，連接於第一凸塊BMP1上的第二導電圖案CP2可不包含第二導電層CL2。然而，混合導電層CML可設置於第一凸塊BMP1及第二導電圖案CP2的第一導電層CL1之間。此外，混合導電層CML可填充第二導電圖案CP2之間的區域。

混合導電層CML可包含第一導電層材料及凸塊材料的混合物。在混合導電層CML中，第一導電層材料與凸塊材料之間的混合比例可不一致。換句話說，第一導電層材料與凸塊材料之間的混合比例可在混合導電層CML內變化。此外，混合導電層CML可包含第二導電層材料的分割塊FRM。

第一凸塊BMP1與第一墊體PD1之間的區域可被可連接顯示面板PNL至第一驅動器DVR1的非導電膜NCF填充。因此，顯示面板PNL與第一驅動器DVR1之間的結合力可藉由非導電膜NCF改善。

第27圖是沿著第21圖的線V-V’的截面圖。第28圖是第27圖示出的區域EA3的放大視圖。

參照第1圖至第8圖、第21圖至第24圖、第27圖及第28圖，顯示面板PNL的第二墊體PD2可經由第二凸塊BMP2連接於可撓式印刷電路板FPC的一端。第二凸塊BMP2可提供於可撓式印刷電路板FPC的一表面上，使得每個第二凸塊BMP2可連接於每個第二墊體PD2。第二凸塊BMP2可具有與第6圖至第7圖所示的凸塊BMP具有相似的結構。

第二墊體PD2可具有與第1圖至第8圖所示的墊體PD相同(例如：實質上相同)結構。換句話說，每個第二墊體PD2可包含第一導電圖案CP1、提供於第一導電圖案CP1上的墊體絕緣層PIL，及複數個提供於墊體絕緣層PIL上且彼此分離的第二導電圖案CP2。

第一導電圖案CP1及薄膜電晶體TFT的閘極電極GE可包含相同(例如：實質上相同)材料並藉由相同(例如：實質上相同)工序成形。墊體絕緣層PIL及陣列基板ARS的層間絕緣層ILD可包含相同(例如：實質上相同)材料並藉由相同(例如：實質上相同)工序成形。

每個第二墊體PD2的一些第二導電圖案CP2可連接於每個第二凸塊BMP2，且一些其他的第二導電圖案CP2可不連接於第二凸塊BMP2。

沒有連接於第二凸塊BMP2的第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1、提供於第一導電層CL1上的第二導電層CL2，及提供於第一導電層CL1與第一導電圖案CP1之間的第三導電層CL3並連接於第一導電圖案CP1。

每個連接於第二凸塊BMP2的第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1及提供於第一導電層CL1與第一導電圖案之間的第三導電層CL3並連接於 第一導電圖案CP1。換句話說，第二導電圖案CP2連接於第二凸塊BMP2可不包含第二導電層CL2。然而，混合導電層CML可設置於第二凸塊BMP2及連接於第二凸塊BMP2的第二導電圖案CP2的第一導電層CL1之間。此外，混合導電層CML可填充相鄰的第二導電圖案CP2之間的區域。

混合導電層CML可包含第一導電層材料及凸塊材料的混合物。在混合導電層CML中，第一導電層材料與凸塊材料之間的混和比例可能不一致。換句話說，第一導電層材料與凸塊材料之間的混合比例可在混合導電層CML內變化。此外，混合導電層CML可包含第二導電層材料的分割塊FRM。

第二凸塊BMP2與第二墊體PD2之間的區域可由非導電膜NCF填充。非導電膜NCF可連接顯示面板PNL至可撓式印刷電路板FPC。因此，顯示面板PNL與可撓式印刷電路板FPC之間的結合力可藉由非導電膜NCF改善。

第29圖是沿著第21圖的線VI-VI’的截面圖。第30圖是第29圖示出的區域EA4的放大視圖。

參照第1圖至第8圖、第21圖至第24圖、第29圖及第30圖，可撓式印刷電路板FPC的另一端可連接於第二驅動器DVR2。

第三墊體PD3可提供於選自可撓式印刷電路板FPC及第二驅動器DVR2的一表面上。此外，連接到第三墊體PD3的第三凸塊BMP3可提供於另一表面上。例如：第三墊體PD3可提供於第二驅動器DVR2的一表面上，且第三凸塊BMP3可提供於可撓式印刷電路板的一表面上。第三凸塊BMP3可與第6圖至第7圖所示的凸塊BMP具有相同(例如：實質上相同)結構。

第三墊體PD3可與第1圖至第8圖所示的墊體PD具有相同(例如：實質上相同)的結構。換句話說，每個第三墊體PD3可包含第一導電圖案CP1、 提供於第一導電圖案CP1上的墊體絕緣層PIL，及複數個提供於電絕緣層PIL上且彼此分離的第二導電圖案CP2。

每個第三墊體PD3的一些第二導電圖案CP2可連接於每個第三凸塊BMP3，且一些其他的第二導電圖案CP2可不連接於第三凸塊BMP3。

沒有連接於第三凸塊BMP3的第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1、提供於第一導電層CL1上的第二導電層CL2，及提供於第一導電層CL1與第一導電圖案CP1之間的第三導電層CL3並連接於第一導電圖案CP1。

連接於第三凸塊BMP3的第二導電圖案CP2可包含第一導電層CL1，及提供於第一導電層CL1與第一導電圖案CP1之間的第三導電層CL3並連接於第一導電圖案CP1。換句話說，第二導電圖CP2連接於第三凸塊BMP3可不包含第二導電層CL2。然而，混合導電層CML可提供於第三凸塊BMP3與連接於第三凸塊BMP3的第二導電圖案CP2的第一導電層CL1之間。此外，混合導電層CML可填充第二導電圖案CP2之間的區域。

混合導電層CML可包含第一導電層材料及凸塊材料的混合物。在混合導電層CML中，第一導電層材料與凸塊材料之間的混合比例可能不一致。換句話說，第一導電層材料與凸塊材料之間的混合比例可於混合導電層CML內變化。此外，混合導電層CML可包含第二導電層材料的分割塊FRM。

第三凸塊BMP3與第三墊體PD3之間的區域可由非導電膜NCF填充。非導電膜NCF可連接第二驅動器DVR2至可撓式印刷電路板FPC。因此，第二驅動器DVR2與可撓式印刷電路板FPC之間的結合力可藉由非導電膜NCF改善。

根據實施例，基板上的墊體可連接於電子裝置的輸入/輸出端子，例如：藉由超音波接合的凸塊。因此，由於在基板與電子裝置之間的連接結構中不使用異方性導電膜，所以可防止(或者這種故障的可能性或程度可能降低)短路故障或開路故障。

儘管在本文中揭露例示性實施例，但不應理解限於這些實施例。本領域具通常知識者將理解，在不脫離本公開的精神和範圍的情況下，可對其進行形式和細節上的各種改變。此外，不同領域之技術人員將理解，本文中描述的揭露內容將提出其他任務的解決方案及其他應用的調整。通過本文專利申請範圍申請人意圖覆蓋所有使用於本揭露的技術主題，且為了揭露目的可對本文所選擇揭露的例示性實施例進行改變及修改，均不脫離本揭露的精神及範圍。因此，本揭露的例示性實施例透過專利申請範圍及其等價物的精神與範疇，在所有方面皆認為涉及說明性而非限制性。

BS:基底基材

CL1:第一導電層

CL2:第二導電層

CL3:第三導電層

CP1:第一導電圖案

CP2:第二導電圖案

PIL:墊體絕緣層

Claims (41)

1. 一種適用於顯示裝置之電子裝置之基板，包含：一基底基材；以及一墊體，位於該基底基材的一側；其中該墊體包含：一第一導電圖案，在該基底基材上；一絕緣層，包含暴露部分該第一導電圖案的複數個接觸孔；以及複數個第二導電圖案，分別位於該絕緣層上且通過該複數個接觸孔連接於該第一導電圖案；其中該複數個第二導電圖案的側表面係暴露的，其中該複數個第二導電圖案包含依順序堆疊的一第一導電層及一第二導電層，以及其中該第一導電層包含一第一導電層材料，該第二導電層包含一第二導電層材料，該第二導電層材料比該第一導電層材料更具剛性。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該第一導電層的側表面係暴露的。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板，其中該第一導電層包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
4. 如申請專利範圍第2項所述之基板，其中該第二導電層包含 選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及一導電氧化物所組成的群組中的至少之一。
5. 如申請專利範圍第4項所述之基板，其中該導電氧化物包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銻鋅(AZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅(ZnO)及二氧化錫(SnO₂)所組成的群組中的至少之一。
6. 如申請專利範圍第2項所述之基板，其進一步包含於一第三導電層位於該第一導電層與該第一導電圖案之間。
7. 如申請專利範圍第6項所述之基板，其中該第三導電層包含選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及一導電氧化物所組成的群組中的至少之一。
8. 如申請專利範圍第6項所述之基板，其中該第三導電層包含與該第二導電層相同的材料。
9. 一種適用於顯示裝置之電子裝置，包含：一基板，包含一基底基材及位於該基底基材上的一墊體；以及一電子元件，包含一凸塊連接於該墊體，其中該墊體包含：一第一導電圖案，位於該基底基材上；一絕緣層，包含暴露部分該第一導電圖案的複數個接觸孔；以及複數個第二導電圖案，分別位於該絕緣層上且通過該複數個接觸孔連接於該第一導電圖案，其中至少一部分的該複數個第二導電圖案連接於該凸塊， 其中剩餘的該複數個第二導電圖案的側表面係暴露的，其中連接於該凸塊的該複數個第二導電圖案包含一第一導電層，其中該剩餘的複數個第二導電圖案包含該第一導電層及位於該第一導電層上的一第二導電層，且其中該第一導電層包含一第一導電層材料，該第二導電層包含一第二導電層材料，該第二導電層材料比該第一導電層材料更具剛性。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電子裝置，其中該電子裝置進一步包含一混合導電層，係位於該第一導電層與該凸塊之間且包含該第一導電層材料及一凸塊材料的混合物。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電子裝置，其中該第一導電層的一側表面係暴露的。
12. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一導電層包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
13. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第二導電層包含選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及一導電氧化物所組成的群組中的至少之一。
14. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其進一步包含一第三導電層位於該第一導電層與該第一導電圖案之間。
15. 如申請專利範圍第14項所述之電子裝置，其中該第三導電層包含與該第二導電層相同的材料。
16. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該凸塊包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
17. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該凸塊包含與該第一導電層相同的材料。
18. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該混合導電層包含包括該第二導電層材料的一分割塊(fragments)。
19. 如申請專利範圍第9項所述之電子裝置，其進一步包含填充一區域的一非導電膜，該區域係不同於該凸塊與該墊體連接的區域。
20. 如申請專利範圍第19項所述之電子裝置，其中該非導電膜包含一熱流動性聚合物材料。
21. 一種適用於顯示裝置之電子裝置，包含：一基板，包含一基底基材及位於基底基材上的一墊體；以及一電子元件，包含一凸塊連接於該墊體，其中該墊體包含：一第一導電圖案，位於該基底基材上；一絕緣層，包含暴露部分該第一導電圖案的複數個接觸孔；複數個第二導電圖案，分別於該絕緣層上且包含一第一導電層通過該複數個接觸孔連接於該第一導電圖案；以及一混合導電層，位於該複數個第二導電圖案與該凸塊之間，其中該混合導電層包含一第一導電層材料及一凸塊材料的混合物，且 其中一第三導電層係位於該第一導電層與該第一導電圖案之間。
22. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中該第一導電層包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
23. 如申請專利範圍第22項所述之電子裝置，其中該凸塊包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
24. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中該混合導電層包含包括一第二導電層材料的一分割塊。
25. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中該第一導電層包含該第一導電層材料，該第二導電層包含一第二導電層材料，該第二導電層材料比該第一導電層材料更具剛性。
26. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中該第二導電層包含選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及一導電氧化物所組成的群組中的至少之一。
27. 如申請專利範圍第22項所述之電子裝置，其中該第一導電層及該凸塊包含相同的材料。
28. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其進一步包含填充一區域的一非導電膜，該區域係不同於該凸塊與該墊體連接的區域。
29. 如申請專利範圍第28項所述之電子裝置，其中該非導電膜包含一熱流動性聚合物材料。
30. 一種顯示裝置，包含：一顯示面板，包含一顯示區域及一非顯示區域，其中該顯示面板於該非顯示區域包含包括複數個第一墊體的一第一墊體單元及包含複數個第二墊體的一第二墊體單元；一第一驅動器，包含複數個第一凸塊連接於該複數個第一墊體；一可撓式印刷電路板，包含複數個第二凸塊連接於該複數個第二墊體單元；以及一第二驅動器，連接於該可撓式印刷電路板的一端；其中該可撓式印刷電路板及該第二驅動器中選擇一個包含複數個第三凸塊，而另一個包含連接於該複數個第三凸塊的複數個第三墊體；且其中該複數個第一墊體、該複數個第二墊體及該複數個第三墊體中的每一個包含：一第一導電圖案；一絕緣層，包含暴露部分該第一導電圖案的複數個接觸孔；以及複數個第二導電圖案，分別於該絕緣層上且通過該複數個接觸孔連接於該第一導電圖案，其中至少一部分的該複數個第二導電圖案連接於選自該複數個第一凸塊至第三凸塊中之一，且其中剩餘的該複數個第二導電圖案的側表面係暴露的。
31. 如申請專利範圍第30項所述之顯示裝置，其中連接於選自 該複數個第一凸塊至第三凸塊中之一的該複數個二導電圖案包含一第一導電層，且其中該顯示裝置進一步包含一混合導電層，係位於該第一導電層與該選自該複數個第一凸塊至第三凸塊中之一之間，且包含一第一導電層材料及一凸塊材料的混合物。
32. 如申請專利範圍第31項所述之顯示裝置，其中該剩餘的複數個第二導電圖案包含該第一導電層，及位於該第一導電層上的一第二導電層，且該第一導電層的側表面係暴露的。
33. 如申請專利範圍第32項所述之顯示裝置，其中該第一導電層包含該第一導電層材料，該第二導電層包含一第二導電層材料，該第二導電層材料比該第一導電層材料更具剛性。
34. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中該第一導電層包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
35. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中該第二導電層包含選自由鈦(Ti)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鎳(Ni)及一導電氧化物所組成的群組中的至少之一。
36. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其進一步包含一第三導電層位於該第一導電層與該第一導電圖案之間。
37. 如申請專利範圍第36項所述之顯示裝置，其中該第三導電層包含與該第二導電層相同的材料。
38. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中該複數個第一凸塊至第三凸塊包含選自由金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及鉬(Mo)所組成的群組中的至少之一。
39. 如申請專利範圍第33項所述之顯示裝置，其中該混合導電 層包含包括該第二導電層材料的一分割塊。
40. 如申請專利範圍第30項所述之顯示裝置，其進一步包含填充一區域的一非導電膜，該區域係不同於該複數個第一凸塊至第三凸塊及該複數個第一墊體至第三墊體連接的區域。
41. 如申請專利範圍第40項所述之顯示裝置，其中該非導電膜包含一熱流動性聚合物材料。

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