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TWI762610B - 物體保持裝置、處理裝置、平板顯示器的製造方法、元件製造方法以及物體保持方法 - Google Patents

物體保持裝置、處理裝置、平板顯示器的製造方法、元件製造方法以及物體保持方法 Download PDF

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Publication number
TWI762610B
TWI762610B TW107111132A TW107111132A TWI762610B TW I762610 B TWI762610 B TW I762610B TW 107111132 A TW107111132 A TW 107111132A TW 107111132 A TW107111132 A TW 107111132A TW I762610 B TWI762610 B TW I762610B
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TW
Taiwan
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substrate
drive system
moving body
object holding
tile
Prior art date
Application number
TW107111132A
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English (en)
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TW201842545A (zh
Inventor
青木保夫
吉田亮平
Original Assignee
日商尼康股份有限公司
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Publication date
Application filed by 日商尼康股份有限公司 filed Critical 日商尼康股份有限公司
Publication of TW201842545A publication Critical patent/TW201842545A/zh
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Abstract

本發明提供一種能以高的平面度保持基板的基板台裝置。 基板台裝置20具備:微動台22,保持基板P,且具有與包含X軸方向及Y軸方向的既定平面平行的上表面部104、以及於Z軸方向上與上表面部104相向的下表面部102;以及X音圈馬達70X,以於X軸方向及Y軸方向上與上表面部104及下表面部102重疊,且於Z軸方向上由上表面部104及下表面部102夾持的方式配置,並且驅動微動台22。

Description

物體保持裝置、處理裝置、平板顯示器的製造方法、元件製造方法以及物體保持方法
本發明是有關於一種物體保持裝置、處理裝置、平板顯示器的製造方法、元件製造方法以及物體保持方法,更詳細而言,本發明是有關於一種保持物體的物體保持層裝置及方法、具備所述物體保持裝置的處理裝置、以及使用所述處理裝置的平板顯示器或元件的製造方法。
先前,於製造液晶顯示器件、半導體器件(積體電路等)等電子元件(微元件)的微影步驟中,一直使用曝光裝置,該曝光裝置使用能量射束(energy beam)將形成於罩幕或光罩(以下統稱為「罩幕」)上的圖案轉印至玻璃板或晶圓(以下統稱為「基板」)上。
關於此種曝光裝置,已知具備基板台裝置的曝光裝置,所述基板台裝置吸附保持基板(例如參照專利文獻1)。
此處,為了確保曝光精度,要求基板台裝置以高的平面度保持基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4136363號公報
根據第一態樣,提供一種物體保持裝置,具備:移動體,保持物體,且具有與包含第一方向及第二方向的既定平面平行的第一面、及於與所述既定平面交差的第三方向上與所述第一面相向的第二面;以及驅動系統,以於所述第一方向及所述第二方向上與所述第一面及所述第二面重疊,且於所述第三方向上由所述第一面及所述第二面夾持的方式配置,並且驅動所述移動體。
根據第二態樣,提供一種處理裝置,具備第一態樣的物體保持裝置、及對所述物體實行既定處理的處理部。
根據第三態樣,提供一種平板顯示器的製造方法,包括:使用第二態樣的處理裝置對所述物體進行曝光;以及對經曝光的所述物體進行顯影。
根據第四態樣,提供一種元件製造方法,包括:使用第二態樣的處理裝置對所述物體進行曝光;以及對經曝光的所述物體進行顯影。
根據第五態樣,提供一種物體保持方法,保持物體,並且所述物體保持方法包括:使用移動體來保持所述物體,所述移動體具有與包含第一方向及第二方向的既定平面平行的第一面、及於與所述既定平面交差的第三方向上與所述第一面相向的第二面; 以及以於所述第一方向及所述第二方向上與所述第一面及所述第二面重疊,且於所述第三方向上由所述第一面及所述第二面夾持的方式配置驅動系統,驅動所述移動體。
9A、10A、Q:符號
10:液晶曝光裝置
12:照明系統
14:罩幕台裝置
16:投影光學系統
18:架台
19:光學壓盤
20、920、1020:基板台裝置
22、220、320、422、522、622、922、1022:微動台
26:粗動台
28:自重支持裝置
32:Y粗動台
34:X粗動台
36:X梁
38、50:機械線性導件裝置
40、52:連結構件
42:重量消除裝置
44:Y步進導件
46:調平裝置
48:空氣軸承
54、56、58:支柱
60:基板驅動系統
62:第一驅動系統
64:第二驅動系統
66:第三驅動系統
70X:X音圈馬達
70Y:Y音圈馬達
70Z:Z音圈馬達
72X、72Y、72Z:動子
74X、74Y、74Z:定子
76、276:收納部
78、278:缺口
80X、80Y:條狀鏡
82X、82Y:鏡基座
84:Z感測器
86:探針
88:靶
90:主控制裝置
92:罩幕驅動系統
94:罩幕測量系統
96:基板測量系統
96A:光干涉計系統
96B:Z傾斜測量系統
100、450、650:壓盤部
102、452:下表面部
102a、452a:開口
104、454:上表面部
106、456:外壁部
108、608:肋部
110、110P、110Vc、110Vp、462、462a~462d:管
112P、112V、564P、564V:孔部
114:中心塊
120、482、720、820:瓦片
122、126、482a、482c、482d、722:銷
124、128、482b、482e、724:周壁部
130、476、822:凸部
132、134、468、472b、482f、482g:貫通孔
136:環構件
138、344、492:凹部
140、478:緊固構件
142、494:嵌條
340:音圈馬達單元
342:板狀構件、凸緣部
346:螺栓
372:開口部
374:隔片
458:蜂窩構造體
460:管路部
464、572:插塞
466、568:接頭
470、560:基部
472、562:板岩
472a:接縫材
480:吸盤部
566、574、574P、574Vc、574Vp:槽
570:連接構件
726:階差部
930、1030:編碼器系統
932、1034:標尺基線
934:向上標尺
940:測量桌台
942:Y線性致動器
950x:向下X頭
950y:向下Y頭
952x:向上X頭
952y:向上Y頭
960:向下標尺
1032、1040:頭基部
1036、1038:臂構件
G:重心位置
IL:照明光
M:罩幕
MB:測長光束
P:基板
PG:加壓氣體
VF:真空抽吸力
圖1為概略性地表示第一實施形態的液晶曝光裝置的構成的圖。
圖2為圖1的1A-1A箭視剖面圖。
圖3為圖1的1B-1B箭視剖面圖。
圖4為圖1的液晶曝光裝置所具備的微動台的分解圖。
圖5為用以說明微動台的內部構造的圖。
圖6為表示圖4的微動台所具備的吸盤瓦片的上表面的平面圖。
圖7為表示圖6的吸盤瓦片的下表面的平面圖。
圖8為圖6的吸盤瓦片的剖面圖。
圖9為用以說明微動台中的吸盤瓦片的保持構造的圖。
圖10為表示核心地構成液晶曝光裝置的控制系統的主控制裝置的輸入輸出關係的區塊圖。
圖11為表示第二實施形態的基板台裝置的圖。
圖12為圖11的2A-2A箭視剖面圖。
圖13為圖11的2B-2B箭視剖面圖。
圖14為表示第三實施形態的基板台裝置的圖。
圖15為圖14的基板台裝置的分解圖。
圖16為圖14的3A-3A箭視剖面圖。
圖17為圖15的3B-3B箭視剖面圖。
圖18(A)為自上方觀察圖14的基板台裝置所具備的VCM單元的圖,圖18(B)為自VCM單元的下方觀察的圖,圖18(C)為VCM單元的剖面圖。
圖19為第四實施形態的微動台的立體圖。
圖20為圖19的微動台的分解立體圖。
圖21為圖19的微動台的平面圖。
圖22為圖21的4A-4A箭視剖面圖。
圖23為圖21的4B-4B箭視剖面圖。
圖24為自圖19的微動台去掉一部分構件的平面圖。
圖25為用以說明圖19的微動台的組裝順序的圖。
圖26為圖19的微動台所具備的吸盤瓦片的平面圖。
圖27為圖19的微動台的剖面圖。
圖28為自背面側觀察圖26的吸盤瓦片的平面圖。
圖29為用以說明圖19的微動台的內部構造的圖。
圖30為表示第五實施形態的微動台的立體圖。
圖31為圖30的微動台的分解立體圖。
圖32為圖30的微動台所具備的基部的平面圖。
圖33為自下方觀察圖30的微動台的分解立體圖。
圖34(A)為表示圖30的基部所具備的板岩的端部附近的立體圖,圖34(B)為表示鄰接的一對板岩的接合部附近的立體圖,圖34(C)為板岩的側面圖。
圖35為用以說明圖30的微動台的內部構造的圖。
圖36為第六實施形態的微動台的分解立體圖。
圖37(A)為第七實施形態的吸盤瓦片的平面圖,圖37(B)為圖37(A)的7A-7A箭視剖面圖。
圖38(A)為第七實施形態的吸盤瓦片的立體圖,圖38(B)為鋪滿多個吸盤瓦片的狀態下的立體圖。
圖39為第八實施形態的吸盤瓦片的平面圖。
圖40為表示第九實施形態的基板台裝置的圖。
圖41為圖40的9A部的放大圖。
圖42為圖40的基板台裝置所具備的微動台的平面圖。
圖43為第九實施形態的編碼器系統的概念圖。
圖44為表示第十實施形態的基板台裝置的圖。
圖45為圖44的10A部的放大圖。
圖46為第十實施形態的基板台裝置的平面圖。
圖47為第十實施形態的編碼器系統的概念圖。
《第一實施形態》
以下,使用圖1~圖10對第一實施形態進行說明。
圖1中概略性地示出第一實施形態的曝光裝置(此處為液晶曝光裝置10)的構成。液晶曝光裝置10為以物體(此處為玻璃基板P)作為曝光對象物的步進掃描(step-and-scan)方式的投影曝光裝置,所謂掃描器(scanner)。玻璃基板P(以下簡稱為「基板P」)形成為俯視矩形(方型),被用於液晶顯示裝置(平板顯示器)等。
液晶曝光裝置10具有照明系統12、保持形成有電路圖案等的罩幕M的罩幕台裝置14、投影光學系統16、使表面(圖1中為朝向+Z側的面)上塗佈有抗蝕劑(感應劑)的基板P相對於投影光學系統16而相對移動的移動體裝置(此處為基板台裝置20)、及該些各部的控制系統等。以下,將於曝光時相對於投影光學系統16使罩幕M與基板P分別相對掃描的方向設為X軸方向,將於水平面內與X軸正交的方向設為Y軸方向,將與X軸及Y軸正交的方向設為Z軸方向,將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉方向分別設為θx方向、θy方向及θz方向而進行說明。另外,將與X軸方向、Y軸方向及Z軸方向有關的位置分別設為X位置、Y位置及Z位置而進行說明。
照明系統12是與美國專利第5,729,331號說明書等中揭示的照明系統同樣地構成,將自未圖示的光源(水銀燈或雷射二極體等)射出的光分別經由未圖示的反射鏡、分色鏡(dichroic mirror)、光閘(shutter)、波長選擇濾波器、各種透鏡等而作為多束曝光用照明光(照明光)IL照射於罩幕M。照明光IL可使用i射線(波 長365nm)、g射線(波長436nm)、h射線(波長405nm)等光(或所述i射線、g射線、h射線的合成光)。
關於罩幕台裝置14所保持的罩幕M,可使用在下表面(圖1中為朝向-Z側的面)形成有既定電路圖案的穿透式光罩。主控制裝置90(參照圖10)經由包含線性馬達(linear moter)等的罩幕驅動系統92(參照圖10),相對於照明系統12(照明光IL)於X軸方向(掃描方向)上以既定的長行程(stroke)驅動罩幕M,並且於Y軸方向及θz方向上適當地微小驅動。罩幕M的水平面內的位置資訊是藉由包含光干涉計系統或編碼器系統等的罩幕測量系統94(參照圖10)而求出。
投影光學系統16配置於罩幕台裝置14的下方。投影光學系統16為與美國專利第6,552,775號說明書等中揭示的投影光學系統相同構成的所謂多透鏡(multi-lens)投影光學系統,具備以雙側遠心的等倍系形成正像的多個透鏡模組。
液晶曝光裝置10中,若藉由來自照明系統12的多束照明光IL將罩幕M上的照明區域照明,則利用通過(穿透)罩幕M的照明光IL,經由投影光學系統16而將該照明區域內的罩幕M的電路圖案的投影像(部分正立像)形成於基板P上的與照明區域共軛的照明光的照射區域(曝光區域)中。然後,罩幕M相對於照明區域(照明光IL)而於掃描方向上相對移動,並且基板P相對於曝光區域(照明光IL)而於掃描方向上相對移動,由此進行基板P上的一個投影曝光(shot)區域的掃描曝光,將形成於罩 幕M上的圖案轉印至該投影曝光區域中。
基板台裝置20為用以相對於投影光學系統16(照明光IL)而高精度地對基板P進行位置控制的裝置,具體而言,相對於照明光IL沿著水平面(X軸方向及Y軸方向)以既定的長行程驅動基板P,並且於六個自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy及θz的各方向)上微小驅動。基板台裝置20為除了後述微動台22以外,與美國專利申請公開第2012/0057140號說明書等中揭示的基板台裝置同樣地構成的所謂粗微動構成的台裝置,且具備保持基板P的微動台22、支架型(gantry type)的粗動台26、自重支持裝置28、及用以驅動構成基板台裝置20的各要素的基板驅動系統60(圖1中未圖示,參照圖10)、用以求出所述各要素的位置資訊的基板測量系統96(圖1中未圖示,參照圖10)等。
微動台22整體形成為俯視矩形(參照圖3)的板狀(或箱形),於其上表面(基板載置面)載置基板P。微動台22的上表面的X軸方向及Y軸方向的尺寸是設定為與基板P相同程度(實際上略短)。基板P在載置於微動台22的上表面的狀態下由微動台22真空吸附保持,藉此沿著微動台22的上表面對大致整體(整個面)進行平面矯正。因此,亦可謂本實施形態的微動台22為與現有基板台裝置所具備的基板固持器相同功能的構件。關於微動台22的詳細構成,將於下文中描述。
粗動台26具備Y粗動台32及X粗動台34。Y粗動台32位於微動台22的下方(-Z側),且載置於設置在潔淨室(clean room)的地面上的未圖示的基架(base frame)構件上。Y粗動台32具有於Y軸方向上以既定間隔平行地配置的一對X梁36。一對X梁36以於Y軸方向上移動自如的狀態而載置於所述基架構件上。
X粗動台34配置於Y粗動台32的上方(+Z側)且微動台22的下方(微動台22與Y粗動台32之間)。X粗動台34為YZ剖面呈倒U字狀的構件,且Y粗動台32插入至X粗動台34的一對相向面間。X粗動台34經由多個機械線性導件裝置38而載置於Y粗動台32所具有的一對X梁36上,可相對於Y粗動台32而於X軸方向上自如地相對移動,相對於此,於Y軸方向上與Y粗動台32一體地移動。
自重支持裝置28具備自下方支持微動台22的自重的重量消除裝置42、及自下方支持該重量消除裝置42的Y步進導件44。重量消除裝置42(亦被稱為心柱等)插入至形成於X粗動台34的開口部(未圖示)中,經由被稱為彎曲(flexure)裝置的多個連結構件40而與X粗動台34機械連接。重量消除裝置42藉由被牽引至X粗動台34而與該X粗動台34一體地於X軸方向及/或Y軸方向上移動。
重量消除裝置42經由被稱為調平裝置46的支持裝置而自下方支持微動台22的自重。調平裝置46相對於XY平面而搖動(傾斜動作)自如地支持微動台22。調平裝置46經由未圖示的空氣軸承(air bearing)而自下方以非接觸狀態支持重量消除裝置 42。藉此,容許微動台22相對於重量消除裝置42(及X粗動台34)於X軸方向、Y軸方向及θz方向上相對移動,及相對於水平面而搖動(θx方向、θy方向上的相對移動)。關於重量消除裝置42、調平裝置46、連結構件40等的構成的詳情,已揭示於美國專利申請公開第2010/0018950號說明書等中,故省略說明。
Y步進導件44是由與X軸平行地延伸的構件所構成,且配置於Y粗動台32所具有的一對X梁36之間。Y步進導件44經由空氣軸承48而以非接觸狀態自下方支持重量消除裝置42,作為重量消除裝置42於X軸方向上移動時的壓盤而發揮功能。Y步進導件44經由機械線性導件裝置50而載置於與Y粗動台34振動分離地配置的架台18上,相對於架台18而於Y軸方向上移動自如。Y步進導件44經由多個連結構件52(彎曲裝置)而與一對X梁36機械連接,藉由牽引至Y粗動台32而與Y粗動台32一體地於Y軸方向上移動。
基板驅動系統60(圖1中未圖示。參照圖10)具備用以相對於投影光學系統16(照明光IL)於六個自由度方向上驅動微動台22的第一驅動系統62(參照圖10)、用以於Y軸方向上以長行程驅動Y粗動台32的第二驅動系統64(參照圖10)、及用以於Y粗動台32上於X軸方向上以長行程驅動X粗動台34的第三驅動系統66(參照圖10)。構成第二驅動系統64及第三驅動系統66的致動器的種類並無特別限定,作為一例,可使用線性馬達或滾珠螺桿驅動裝置等(圖1中圖示出線性馬達)。關於第二驅動系 統64及第三驅動系統66的構成的詳情,已記載於美國專利申請公開第2012/0057140號說明書等中,故省略說明。
圖2中示出微動台22的剖面圖(圖1的1A-1A箭視剖面圖)。如圖2所示,第一驅動系統62(圖2中未圖示。參照圖10)具有用以對微動台22賦予X軸方向的推力的一對X線性馬達(此處為X音圈馬達70X)、及用以對微動台22賦予Y軸方向的推力的一對Y線性馬達(此處為Y音圈馬達70Y)。一對X音圈馬達70X是於微動台22內部的+X側端部附近,於Y軸方向上隔開而配置。另外,一對Y音圈馬達70Y是於微動台22內部的+Y側端部附近,於X軸方向上隔開而配置。回到圖1,一對X音圈馬達70X配置成相對於微動台22的重心位置G而對稱(圖1中為左右對稱)。雖圖1中未圖示,但同樣地,一對Y音圈馬達70Y亦配置成相對於重心位置G而對稱(參照圖2。圖2中為上下對稱)。
如圖2所示,關於一對X音圈馬達70X及一對Y音圈馬達70Y,分別使用動磁(moving magnet)式。X音圈馬達70X收納於作為形成於微動台22的+X側的側面附近的空間部的收納部76內。收納部76是於微動台22的內部於Y軸方向上隔開而形成有一對,分別收納一對X音圈馬達70X各自。同樣地,於微動台22的+Y側的側面附近,於X軸方向上隔開而形成有用以分別收納一對Y音圈馬達70Y各自的一對收納部76。如此,於本實施形態的微動台22的側面,與合計4個音圈馬達70X、音圈馬達 70Y對應地形成有合計4個收納部76。各收納部76於微動台22的側面(+X側或+Y側的側面)開口,各音圈馬達70X、音圈馬達70Y於微動台22的側面露出(參照圖1)。
如圖1所示,X音圈馬達70X的動子72X固定於微動台22。動子72X形成為YZ剖面呈U字狀,於一對相向面分別固定有包含多個永久磁石的磁石單元。動子72X是以一對相向面與XY平面平行的方式(橫向)配置。
相對於此,X音圈馬達70X的定子74X固定於自X粗動台34的上表面突出的支柱54的前端部。定子74X形成為YZ剖面呈T字狀,以前端部可經由既定的間隙而插入至所述動子72X的一對相向面間的方式,與所述動子同樣地橫向配置。於定子74X的前端部(插入至動子72X的一對相向面間的部分),收納有未圖示的線圈單元。
再者,雖圖1中未圖示,但如圖2所示,一對Y音圈馬達70Y是以使一對X音圈馬達70X繞Z軸旋轉90。的方式配置。Y音圈馬達70Y(包含動子72Y、定子74Y)的構成除了推力的產生方向不同的方面以外,與X音圈馬達70X相同,故省略詳細說明。
於掃描曝光動作時等而於X軸方向上驅動微動台22的情形時,主控制裝置90(參照圖10)經由第三驅動系統66(參照圖10)使X粗動台34於X軸方向(掃描方向)上以長行程移動,並且使用第一驅動系統62所具備的兩個X音圈馬達70X,自X粗 動台34對微動台22賦予X軸方向(+X方向或-X方向)的推力。另外,於掃描曝光動作時,主控制裝置90根據對準測量結果等而適當使用兩個X音圈馬達70X(或兩個Y音圈馬達70Y),相對於投影光學系統16(參照圖1)於水平面內三個自由度方向(X軸方向、Y軸方向及θz方向)中的至少一個方向上微小驅動微動台22。另外,主控制裝置90於Y軸方向上的基板P的投影曝光區域間進行移動動作(Y步進動作)時,經由第二驅動系統64(參照圖10)於Y軸方向上驅動Y粗動台32及X粗動台34,並且使用第一驅動系統62所具備的兩個Y音圈馬達70Y,自X粗動台34對微動台22賦予Y軸方向(+Y方向或-Y方向)的推力。
此處,如圖1所示,X音圈馬達70X的定子74X的Z軸方向的位置(高度位置)與微動台22的Z軸方向上的重心位置G大致一致。雖然圖1中未圖示,但Y音圈馬達70Y的定子74Y(參照圖2)的Z軸方向的位置亦同樣地與微動台22的Z軸方向上的重心位置G大致一致。因此,於使用4個音圈馬達70X、音圈馬達70Y對微動台22賦予水平面內三個自由度方向的推力時,抑制縱搖力矩(pitching moment)作用於微動台22。
圖3中示出自下方觀察微動台22的圖(圖1的1B-1B箭視剖面圖)。如圖3所示,於微動台22的下表面,與所述4個音圈馬達70X、70Y對應地於四處形成有缺口(開口部)78,以供所述支柱54穿插。於形成缺口78的開口端部與支柱54之間,以微動台22相對於X粗動台34(參照圖1)以微小行程移動時所述 開口端部與支柱54不接觸的方式,形成有(考慮到音圈馬達70X、音圈馬達70Y的最大進給量而設定的最低限度的)間隙。
另外,第一驅動系統62(參照圖10)具有Z音圈馬達70Z,該Z音圈馬達70Z用於在Z軸方向、θx方向及θy方向(以下稱為「Z傾斜方向」)的至少一個方向上驅動微動台22。本實施形態中,Z音圈馬達70Z配置於XY平面內的並非位於同一直線上的三處。Z音圈馬達70Z為與所述X音圈馬達70X相同的動磁式,其構成亦除了推力的產生方向不同的方面以外,與X音圈馬達70X相同。各Z音圈馬達70Z如圖1所示,包含磁石單元的動子72Z經由支柱56而固定於微動台22的下表面,包含線圈單元的定子74Z經由支柱58而固定於X粗動台34的上表面。主控制裝置90(參照圖10)適當使用3個Z音圈馬達70Z,自X粗動台34於Z傾斜方向上以微小行程驅動微動台22。再者,Z音圈馬達70Z的個數不限定於3個,亦可為4個以上,較佳為至少配置於並非位於同一直線上的三處。
繼而,對微動台22的測量系統進行說明。用以求出微動台22的六個自由度方向的位置資訊的基板測量系統96(參照圖10)包含光干涉計系統96A(參照圖10)。光干涉計系統96A為用於求出微動台22的水平面內三個自由度方向(X軸方向、Y軸方向及θz方向)的位置資訊的測量系統,具備未圖示的照射部(光干涉計)。如圖2所示,於微動台22上分別經由鏡基座(mirror base)82X、鏡基座82Y而固定有X條狀鏡(bar mirror)80X及 Y條狀鏡80Y,該X條狀鏡80X及Y條狀鏡80Y用於將自照射部照射的多束測長光束MB(圖2中未圖示。參照圖1)反射。用以求出微動台22的X軸方向(及θz方向)的位置資訊的X條狀鏡80X固定於微動台22的-X側的側面,用以求出微動台22的Y軸方向(及θz方向)的位置資訊的Y條狀鏡80Y固定於微動台22的-Y側的側面(參照圖1)。關於包含光干涉計系統的台裝置的測量系統的詳情,已揭示於美國專利第8059260號說明書等中,故此處省略詳細說明。
此處,由圖2及圖3得知,X條狀鏡80X(包含鏡基座82X)固定於微動台22的-X側的側面,相對於此,一對X音圈馬達70X配置於與其相反之側即微動台22的+X側的端部附近。另外,雖圖2及圖3中未圖示,但於微動台22的+X側的側面固定有照度感測器等各種測量裝置。對於微動台22而言,藉由所述X條狀鏡80X、X音圈馬達70X的動子72X、及所述未圖示的各種測量裝置而調整X軸方向的動態平衡。另外,於Y軸方向上,將一對Y音圈馬達70Y配置於與Y條狀鏡80Y相反之側,並且將3個Z音圈馬達70Z的動子72Z(參照圖3)中的2個固定於微動台22的+Y側(與Y條狀鏡80Y相反之側)的區域的下表面,而調整微動台22的Y軸方向上的動態平衡。藉由該些平衡調整,重量消除裝置42(參照圖3)可自下方支持微動台22的XY平面內的重心位置附近。
回到圖1,微動台22的Z傾斜方向的位置資訊是經由 包含多個Z感測器84的Z傾斜測量系統96B由主控制裝置90(分別參照圖10)求出。Z感測器84包含固定於微動台22的下表面的探針86(圖3中未圖示)及固定於重量消除裝置42的框體上的靶88。因將靶88固定於重量消除裝置42,故Z感測器84可測量以Y步進導件44的上表面(水平面)為基準的微動台22的Z軸方向的位移。Z感測器84配置於XY平面內的並非位於同一直線上的三處,主控制裝置90根據三個Z感測器84的輸出而求出微動台22的Z傾斜方向的位置(位移量)資訊。
繼而,使用圖4及圖5對微動台22的詳細構成進行說明。圖4中示出將微動台22分解的立體圖。如圖4所示,微動台22具備壓盤部100及多個吸盤瓦片(chucking tile)120(以下簡稱為「瓦片120」)。壓盤部100形成為俯視呈矩形的箱狀。微動台22是藉由在壓盤部100上鋪滿(積層)多個瓦片120而整體成為雙層構造。再者,圖4中就避免圖式錯綜複雜的觀點而言,將所述X音圈馬達70X及Y音圈馬達70Y、用以收納各音圈馬達70X及70Y的收納部76、用以穿插支柱54的缺口78、及條狀鏡80X、條狀鏡80Y、以及後述多個肋部108(分別參照圖2)等的圖示省略。
如圖4所示,作為下層的壓盤部100具備下表面部102、上表面部104、外壁部106、及作為剛性增強構件的多個肋部108(圖4中未圖示。參照圖2)。下表面部102及上表面部104分別為由碳纖維強化塑膠(carbon-fiber-reinforced plastic,CFRP)所形成的俯視呈矩形的板狀構件,於Z軸方向上相向(平行)地配置。 外壁部106為俯視呈矩形的框狀構件,且由CFRP所形成。下表面部102及上表面部104分別藉由黏著劑而一體地黏著於外壁部106的上端部及下端部。再者,如圖4所示,本實施形態的上表面部104是藉由將兩片板狀構件接合而形成,但不限於此,可藉由一片板狀構件而形成,亦可藉由三片以上的板狀構件而形成。關於下表面部102、外壁部106,亦同樣地可藉由將多個板狀構件接合而形成。另外,本實施形態中,將下表面部102及上表面部104的X軸方向及Y軸方向的尺寸設定為相同,但不限於此,亦可不同。
如圖5所示,於外壁部106的內部,以架設於下表面部102與上表面部104的狀態而收納有多個肋部108。肋部108是由CFRP所形成。肋部108形成為與XY平面正交的板狀,壓盤部100的內部除了架設有肋部108的部分及收納有調平裝置46的部分以外,成為中空。再者,圖5為用以說明微動台22的內部構造的圖(未圖示外壁部106中+X側的面部及一部分肋部108的圖),且並非表示微動台22的特定剖面。
如圖2及圖5所示,多個肋部108藉由黏著劑而分別一體地黏著於下表面部102、上表面部104及外壁部106。藉此,壓盤部100為輕量且高剛性(尤其於厚度方向上為高剛性),並且亦容易製作。再者,圖2中配置有於X軸方向上延伸的構件、於Y軸方向上延伸的構件及自微動台22的中心附近呈放射狀(X字狀)延伸的構件作為多個肋部108,但只要可確保作為壓盤部100所需的剛性,則肋部108的配置、個數及構成並無特別限定,可適當變 更。另外,形成構成壓盤部100的各要素的材料不限於所述說明的材料(CFRP),亦可為鋁合金等金屬材料或合成樹脂材料等。另外,下表面部102、上表面部104及外壁部106以及肋部108的緊固構造亦不限於黏著,亦可使用螺栓等機械緊固構造。壓盤部100m的厚度方向(Z軸方向)的尺寸是設定得較藉由多個瓦片100所形成的層更厚。另外,壓盤部100的重量較所有瓦片100的合計重量更重,例如具有2.5倍左右的重量。
此處,如圖5所示,所述X音圈馬達70X(參照圖2)的動子72X是於壓盤部100的內部以夾持於下表面部102與上表面部104之間的方式配置,且固定於下表面部102、上表面部104及肋部108的至少一個。如圖1所示,X音圈馬達70X的定子74X亦同樣地配置於夾持在下表面部102與上表面部104之間的空間內(其中將形成有缺口78的部分除外)。另外,雖然圖1中未圖示,但一對Y音圈馬達70Y的動子72Y及定子74Y(分別參照圖2)亦相同。如此,本實施形態的一對X音圈馬達70X及一對的Y音圈馬達70Y是以XY平面內的位置成為與壓盤部100的下表面部102及上表面部104重疊的區域內的方式設定(參照圖2及圖3),且以Z軸方向的位置成為下表面部102與上表面部104之間的(上表面部104及下表面部102與Z位置不重疊的)區域內的方式設定。如上所述,形成於微動台22的下表面部102的用以使支柱54穿插的缺口78(參照圖5)是以必要的最低程度的大小形成,因而壓盤部100(即微動台22)的剛性降低得到抑制。另外, 各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的Z軸方向上的位置是設定為與外力作用於壓盤部100而上表面部104變形時的變形中心重疊的位置。
回到圖4,於下表面部102的中央部形成有開口102a。如圖5所示,於壓盤部100內部的與開口102a對應的部分形成有凹部(凹陷),於該凹部中嵌入有所述調平裝置46。此處,調平裝置46只要具有相對於水平面(於θx方向及θy方向上)而搖動自如地支持微動台22的功能,則其構成並無特別限定。因此,雖圖1中圖示了球面軸承裝置,但調平裝置46不限於此,亦可為彈性鉸鏈裝置、美國專利申請公開第2010/0018950號說明書等中揭示般的模擬球面軸承裝置等。
如圖4所示,於壓盤部100的內部收納有多根管110。管110為於Y軸方向上延伸的構件,且XZ剖面形成為U字狀(朝+Z側開口)。管110以後述既定間隔而配置於X軸方向上,但圖4中就避免圖式錯綜複雜的觀點而言,省略大部分管110的圖示。另外,於圖2及圖5等中,就避免圖式錯綜複雜的觀點而言,省略所有管110的圖示。
圖9中示出微動台22(及壓盤部100)的內部構造。如圖9所示,多根管110(圖9中為管110Vc、管110P、管110Vp)是以上端部(開口端部)與上表面部104的下表面無間隙地接觸的方式而黏著於所述上表面部104的下表面。管110與上表面部104的下表面形成後述加壓氣體供給用或真空抽吸力供給用的流 路。本實施形態中,以對一片瓦片120配置四根管110的方式設定多根管110的X軸方向的間隔。再者,雖圖4及圖9中未圖示,但於壓盤部100內的肋部108(參照圖2)中形成有用以避免與管110接觸的缺口。另外,雖然未圖示,但同樣地於壓盤部100的外壁部106亦形成有用以使管110的端部於壓盤部100的外部露出的缺口。於自外壁部106露出的管110的一端連接有未圖示的接頭,經由該接頭而自微動台22的外部供給壓縮空氣或真空抽吸力。管110的另一端藉由未圖示的插塞(栓塞)而堵塞。
對與一片瓦片120對應的四根管110(圖9中為管110Vc、管110P、管110Vp)中的一根(圖9中為管110P)供給加壓氣體(參照圖9的向上箭頭PG)。另外,於上表面部104中形成有孔部112P,該孔部112P用於將經由管110P自微動台22的外部供給的所述加壓氣體吐出至上表面部104的上表面側。另外,對與一片瓦片120對應的四根管110中的三根(圖9中為一根管110Vp及兩根管110Vc)供給真空抽吸力(參照圖9的向下箭頭VF)。另外,於上表面部104中形成有孔部112V,該孔部112V用於使經由管110Vp、管100Vc自微動台22的外部供給的所述真空抽吸力作用於上表面部104的上表面側。孔部112P、孔部112V分別與一片瓦片120對應地於Y軸方向(紙面深度方向)上隔開而形成有兩個。
回到圖4,於壓盤部100的上表面(上表面部104上)鋪滿多個瓦片120(圖4中省略一部分圖示)。多個瓦片120以可 分別裝卸(更換、分離)的方式由壓盤部100吸附保持。關於用以使壓盤部100吸附保持瓦片120的構造(瓦片120的吸附保持構造),將於下文中說明。瓦片120為俯視呈矩形的薄板狀構件,且由陶瓷等硬質材料所形成。藉由利用陶瓷來形成瓦片120,可抑制自基板P產生靜電。再者,瓦片120的素材並無特別限定,較佳為輕量且容易進行高精度加工的材料,藉此可抑制壓盤部100的變形。
關於微動台22,於藉由鋪滿多個瓦片120而形成的平面上載置基板P(參照圖1)。多個瓦片120與壓盤部100協作而吸附保持基板P。關於用以使多個瓦片120吸附保持基板P的構造(基板P的吸附保持構造),將於下文中說明。
此處,對於微動台22而言,藉由多個瓦片120而形成基板載置面,故於在壓盤部100上鋪滿多個瓦片120的狀態下,對藉由該些多個瓦片120所形成的面要求高的平面度。因此,本實施形態中,預先以壓盤部100的上表面的平面度成為所需平面度(例如20μm)以下的方式加工,於該壓盤部100上鋪滿多個瓦片120之後,藉由手動拋光(hand lap)加工而進行精飾,以使藉由多個瓦片120所形成的面的平面度變得更高(例如10μm以下)。再者,壓盤部100的上表面的平面加工較佳為於將音圈馬達70X、音圈馬達70Y的動子72X、動子72Y(分別參照圖2)固定於壓盤部100之後進行,但不限於此,亦可於固定動子72X、動子72Y之前進行。
繼而,對瓦片120的構成進行說明。微動台22為所謂銷吸盤(pin chuck)型的基板固持器,且如圖6所示,於各瓦片120的上表面突出地形成有多個銷122及周壁部124。於圖6及圖8中,就避免圖式錯綜複雜的觀點而言大部分未圖示,但多個銷122是以大致均等的間隔而配置於瓦片120的整個上表面。銷吸盤型固持器中的銷122的直徑非常小(例如直徑1mm左右),另外周壁部124的寬度亦細,故可降低於基板P的背面夾入垃圾或異物而進行支持的可能性,從而亦可降低因該異物夾入而導致基板P變形的可能性。再者,銷122的根數及配置並無特別限定,可適當變更。周壁部124是以包圍瓦片120的上表面的外周的方式形成。關於多個銷122與周壁部124,將前端的高度位置(Z位置)設定為相同。另外,於瓦片120的上表面,為了抑制照明光IL(參照圖1)的反射,而以表面成為黑色的方式實施有皮膜處理、陶瓷噴鍍等各種表面加工。
對於微動台22(參照圖1)而言,於將基板P(參照圖1)載置於多個銷122及周壁部124上的狀態下,對經周壁部124所包圍的空間供給真空抽吸力(將空間內的空氣真空抽吸),藉此將基板P吸附保持於瓦片120。基板P是仿照多個銷122及周壁部124的前端部而進行平面矯正。關於用以使瓦片120吸附保持基板P的構造(基板P的吸附保持構造),將於下文中說明。
另外,關於微動台22(參照圖1),於將基板P(參照圖1)載置於多個銷122及周壁部124上的狀態下,對經周壁部124 所包圍的空間供給加壓氣體(壓縮空氣等),藉此可解除基板載置面上的基板P的吸附,並且於基板載置面上使基板P上浮。關於基板載置面上的基板P的吸附解除、及用以進行上浮支持的構造(基板P的上浮支持構造),將於下文中說明。
另外,如圖7所示,於瓦片120的下表面亦突出地形成有多個銷126及周壁部128。圖7及圖8中,就避免圖式錯綜複雜的觀點而言大部分未圖示,但多個銷126亦是以大致均等的間隔而配置於瓦片120的整個下表面。即,瓦片120的下表面亦成為銷吸盤構造。另外,於瓦片120的下表面,與所述銷126無關而另突出地形成有多個(本實施形態中為8根)凸部130。於凸部130的大致中央分別形成有貫通孔132、貫通孔134。於瓦片120載置於壓盤部100(參照圖9)上的狀態下,以多個銷126、周壁部128及多個凸部130的前端部分別與壓盤部100的上表面接觸的方式,將前端的高度位置(Z位置)設定為相同。凸部130是設定為徑方向尺寸較銷126更大(粗),對壓盤部100的接觸面積較銷126更廣。另外,對於瓦片120而言,背面側的銷126形成得較表面側的銷122(參照圖6)更粗。
如圖9所示,形成於所述凸部130中的貫通孔132、貫通孔134是分別以貫通瓦片120的方式構成,於將瓦片120載置於壓盤部100上的狀態下,與形成於上表面部104中的抽吸用的孔部112V、或排氣用的孔部112P連通。貫通孔132為用以抽吸空氣的孔,經由貫通孔132對由形成於瓦片120的上表面的多個 銷122與基板P(參照圖1)所形成的空間(空氣)進行真空抽吸而吸附保持基板P。貫通孔134為用以將空氣排氣(吹出)的加壓排氣孔,構成為孔徑(開口徑)較貫通孔132更小,於解除吸附於瓦片120的上表面的基板P的吸附時,經由貫通孔134對基板P吹附具有使基板P上浮的趨勢的空氣。於凸部130與壓盤部100的接觸面,為了亦不產生空氣洩漏而插入有橡膠製的環構件136(所謂O-環)。
再者,銷126及凸部130的根數及配置並無特別限定,可適當變更。另外,多個銷122與多個銷126於XY平面內的位置可相同,亦可不同。微動台22中,於將瓦片120載置於壓盤部100上的狀態下對經周壁部128包圍的空間供給真空抽吸力,藉此將瓦片120吸附保持於壓盤部100。即,於瓦片120的下表面(背面)側,經由被壓盤部100、瓦片120的周壁部128、銷126及凸部130所包圍的空間(經真空抽吸的空間),而將瓦片120固著於壓盤部100。另一方面,如上文所述,瓦片120的下表面的貫通孔132、貫通孔134是以與壓盤部100的孔部112P、孔部112V連通的方式配置,故並未固著於壓盤部100。
此處,本實施形態中所謂瓦片120對壓盤部100的固著是指可維持以下狀態:於如所述真空吸附般吸附力對壓盤部100的下表面的一部分(所述空間)發揮作用的期間中,不自壓盤部100剝離(不產生Z方向的位置偏移),且不產生相對於壓盤部100的相對位置偏移(X方向、Y方向的位置偏移)。進而,若解除該真 空吸附而所述吸附力對瓦片120的作用消失,則亦可使瓦片120自壓盤部100脫離(取下)。再者,對仿照壓盤部100的上表面而載置瓦片120進行了說明,但亦可不為平面。只要壓盤部100的上表面與瓦片120的下表面的形狀實質上相同,則壓盤部100的上表面亦可為曲面而非平面。
此處,微動台22具有用以防止多個瓦片120自壓盤部100上浮的各種機構。如圖8所示,於瓦片120的+X側及-X側的端部分別形成有凹部138。如圖9所示,沿著微動台22的外周而配置的瓦片120是藉由一部分插入至凹部138中的緊固構件140而機械緊固於壓盤部100。另外,對於鄰接的一對瓦片120而言,於相向的一對凹部138內插入有嵌條(band)142。嵌條142緊固於壓盤部100,藉此防止瓦片120自壓盤部100上浮。
繼而,使用圖9對所述微動台22中的瓦片120的吸附保持構造、基板P的吸附保持構造及基板P的上浮支持構造分別進行說明。如上文所述,微動台22的壓盤部100如圖4所示般具有多根管110。如圖9所示,多根管110中包含用以供給吸附瓦片120的真空抽吸力的抽吸用管110Vc、用以供給吸附基板P的真空抽吸力的抽吸用管110Vp、及用以供給使基板P上浮的加壓氣體的排氣用的管110P。再者,圖9中示出與一片瓦片120對應地配置有四根一組的管110(吸盤部抽吸用的管110Vc為兩根,基板抽吸用的管110Vp為一根,排氣用的管110P為一根)的例子,但各管的根數、組合、配置等不限於此,可適當變更。另外,亦可設置 抽吸及排氣兼用的管。
如上文所述,於壓盤部100的上表面部104中形成有與管110Vp的內部連通的孔部112V。另外,於瓦片120中,於將該瓦片120載置於壓盤部100上的狀態下XY平面內的位置與孔部112V大致相同的位置,形成有貫通孔132。孔部112V及貫通孔132連通,若對管110V內供給真空抽吸力,則經由所述孔部112V及貫通孔132而對瓦片120上表面中經周壁部124包圍的空間供給真空抽吸力VF。藉此,微動台22吸附保持載置於瓦片120上的基板P(參照圖1)。
再者,亦可根據微動台22內的位置而變更對貫通孔132供給的真空抽吸力的強度。例如,藉由將對配置於微動台22中央部的貫通孔132供給的真空抽吸力的強度增強,可消除基板P的中央部產生的空氣積存。另外,於空氣積存消失時,亦可減弱真空抽吸力的強度。另外,亦可使對配置於微動台22中央部的貫通孔132供給的真空抽吸力較對配置於微動台22周邊部的貫通孔132供給的真空抽吸力更早,即,附加時間差而供給真空抽吸力。此處,貫通孔132是以貫通凸部130(粗銷)的方式形成,且插入有環構件136,故不會將來自管110Vp的真空抽吸力供給於瓦片120的下表面側。
再者,貫通孔132(對應的孔部112V、孔部112P亦相同)的個數及配置不限於此,可適當變更。另外,孔部112V及貫通孔132的直徑亦可分別不同。可使位於更靠下方的孔的直徑增 大,即,使孔部112V的直徑大於貫通孔132的直徑,或亦可與此相反而使位於更靠上方的孔的直徑增大,即,使貫通孔132的直徑大於孔部112V的直徑。藉此,於壓盤部100上積層(載置)瓦片120時的對位變容易。另外,關於孔部112V及貫通孔132的直徑,亦可越是位於微動台22的中央附近的孔部112V及貫通孔132則越增大所述直徑。另外,孔部112V及貫通孔132的直徑亦可於Y軸方向上越接近堵塞端則越增大。
瓦片120的吸附保持構造是與所述基板P的吸附保持構造大致相同地構成。即,於吸盤部抽吸用的管110Vc的內部,自微動台22的外部供給真空抽吸力VF。於壓盤部100的上表面部104中,以與管110Vc的內部連通的方式而形成有孔部112V,經由該孔部112V而對瓦片120下表面中經周壁部128(參照圖7)包圍的空間供給真空抽吸力。孔部112V是形成於將瓦片120載置於壓盤部100上的狀態下不與銷126及凸部130(分別參照圖7)重疊的位置,因而真空抽吸力不作用於銷126及凸部130。
基板P的上浮支持是藉由對基板上浮用的管110P供給加壓氣體PG而進行。若對管110P內供給加壓氣體PG,則經由形成於壓盤部100的上表面部104中的孔部112P、及瓦片120的貫通孔134而對瓦片120上表面側的周壁部124內供給加壓氣體。藉此,微動台22可使載置於瓦片120上的基板P(參照圖1)自下方上浮。如以上般,微動台22藉由壓盤部100及瓦片120而吸附保持基板P,並沿著基板載置面對其進行平面矯正。即,亦可謂 藉由壓盤部100及多個瓦片120的雙層構造而具有基板固持器的功能。
圖10中示出表示主控制裝置90的輸入輸出關係的區塊圖,所述主控制裝置90核心地構成液晶曝光裝置10(參照圖1)的控制系統,總括控制構成各部。主控制裝置90包含工作站(work station)(或微電腦)等,總括控制液晶曝光裝置10的構成各部。
於如以上般所構成的液晶曝光裝置10(參照圖1)中,於主控制裝置90(參照圖10)的管理下,藉由未圖示的板裝載機(plate loader)而進行向微動台22上的基板P的裝載,並且使用未圖示的對準檢測系統實行對準測量,於該對準測量結束後,對設定於基板P上的多個投影曝光區域依次進行步進掃描方式的曝光動作。該曝光動作與先前以來進行的步進掃描方式的曝光動作相同,故省略其詳細說明。
於所述對準測量時及掃描曝光時,微動台22藉由自兩個X音圈馬達70X及兩個Y音圈馬達70Y所賦予的推力而於X軸方向及Y軸方向上以既定的長行程移動,並且藉由所述推力而相對於投影光學系統16(參照圖1)於XY平面內的三個自由度方向上以次微米級(submicron order)的微小行程移動。
根據以上所說明的本實施形態,音圈馬達70X、音圈馬達70Y(動子72X、動子72Y及定子74X、定子74Y)是配置於微動台22的內部且壓盤部100的彼此相向的上表面部104與下表面部102之間,故而與假設將音圈馬達70X、音圈馬達70Y配置 於壓盤部100的外側的情形(於該情形時,將各動子72X、動子72Y固定於壓盤部100的側面)相比,可抑制壓盤部100的剛性降低(壓盤部100不易撓曲)。因此,可高精度地確保微動台22的基板載置面的平面度,對基板P的曝光精度提昇。
另外,微動台22中,用以收納音圈馬達70X、音圈馬達70Y的收納部76(空間)於壓盤部100的側面開口,從而可容易地進行音圈馬達70X、音圈馬達70Y的維護(修理或更換等)。另外,雖然音圈馬達70X、音圈馬達70Y因通電而發熱,但由於所述收納部76開口,故而容易向微動台22的外部散熱。
《第二實施形態》
繼而,使用圖11~圖13對第二實施形態的基板台裝置進行說明。第二實施形態的基板台裝置除了微動台220的構成不同的方面以外,與所述第一實施形態相同,因此以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第一實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第一實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
圖12中示出微動台220的剖面圖(圖11的2A-2A線箭視圖)。於所述第一實施形態中,如圖2所示,合計4個音圈馬達70X、音圈馬達70Y分別收納於在微動台22的側面開口(形成於微動台22的端部附近)的收納部76內,與此相對,該第二實施形態中,如圖12所示,將4個音圈馬達70X、音圈馬達70Y分別收納於形成在微動台22的靠中央部的位置的收納部276內,此方面不同。
如圖11所示,微動台220與所述第一實施形態同樣地具備下表面部102、上表面部104、外壁部106及多個肋部108,整體形成為輕量且高剛性的中空箱形。另外,於微動台220的內部的中央部附近,配置有長方體狀(或立方體狀)的中心塊(center block)114。中心塊114與上表面部104及多個肋部108(參照圖12)一體地連接。於中心塊114的下方,形成有供調平裝置46的一部分插入的凹部,微動台220中,中心塊114自下方經由調平裝置46而由重量消除裝置42支持。微動台220的重心位置G位於中心塊114內。
回到圖12,該第二實施形態的微動台220亦與所述第一實施形態同樣地,藉由一對X音圈馬達70X及一對Y音圈馬達70Y而被賦予水平面內三個自由度方向的推力,但各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置與所述第一實施形態不同。一對X音圈馬達70X隔著中心塊114(微動台22的重心位置)而分別對稱地配置於中心塊114的+Y側及-Y側。另外,一對Y音圈馬達70Y隔著中心塊114而分別對稱地配置於中心塊114的+X側及-X側。
回到圖11,X音圈馬達70的動子72X是與所述第一實施形態(參照圖1)同樣地橫置配置。一對動子72X配置成彼此朝向相反方向(背面相向),且分別固定於中心塊114。將定子74Y經由支柱54而固定於X粗動台34的上表面的方面與所述第一實施形態相同。將支柱54的前端部經由形成於微動台22的下表面部102中的缺口(開口部)278而插入至微動台220的內部的方面 亦與所述第一實施形態相同。一對Y音圈馬達70Y是以使一對X音圈馬達70X繞Z軸旋轉90。的方式配置的方面亦與所述第一實施形態相同。因此,Y音圈馬達70Y的動子亦固定於中心塊114。
此處,於所述第一實施形態中,缺口78是考慮到音圈馬達70X、音圈馬達70Y的最大進給量而以最低限度的大小形成(參照圖3),相對於此,於該第二實施形態中,如圖13所示,考慮到各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的安裝時的作業性及維護性,將缺口278形成得較所述第一實施形態更大。其中,根據圖11得知,一對X音圈馬達70X是與所述第一實施形態同樣地收納於夾持在微動台22的下表面部102與上表面部104之間的空間內。一對Y音圈馬達70Y亦相同。
關於多個Z音圈馬達70Z的構成或功能、以及微動台220的測量系統等,與所述第一實施形態相同,故省略說明。另外,關於多個瓦片120(參照圖11)對基板P的吸附保持構造及基板P的上浮支持構造、以及壓盤部100對瓦片120的吸附保持構造,亦與所述第一實施形態相同,故省略說明。
根據以上所說明的第二實施形態,除了所述第一實施形態中獲得的效果以外,因將各音圈馬達70X、音圈馬達70Y配置於重量消除裝置42的支持點附近,故可抑制推力產生時的壓盤部100的撓曲,且慣性力矩小,故可提高微動台220的控制性。
再者,該第二實施形態的微動台220中,亦能以將缺口278的一部分堵塞的方式(以成為於支柱54的周圍形成有最低限 度的間隙的狀態的方式),將蓋體以可裝卸的方式安裝於下表面部102。藉此,可提高壓盤部100的剛性。另外,亦可配置將因各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的發熱而溫度上升的收納部276內冷卻的冷卻機構。關於冷卻機構,亦可自支柱54的前端部(插入至壓盤部100中的部分)將經調溫(冷卻)的氣體供給於收納部76內。
《第三實施形態》
繼而,使用圖14~圖18(C)對第三實施形態的基板台裝置進行說明。第三實施形態的基板台裝置除了微動台320的構成不同的方面以外,與所述第二實施形態相同,因此以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第二實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第二實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
如圖14所示,該第三實施形態的微動台320亦與所述第二實施形態同樣地,將一對X音圈馬達70X配置於微動台320的中央部附近,將動子72X固定於中心塊114。雖圖14中未圖示,但Y音圈馬達70Y(參照圖16)亦與所述第二實施形態同樣地配置。此處,於該第三實施形態中,如圖15所示,將多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y(Y音圈馬達70Y參照圖16)與中心塊114及調平裝置46一併單元化,且可對微動台320的壓盤部100裝卸該音圈馬達單元340(以下稱為「VCM單元340」),此方面與所述第二實施形態不同。
由圖18(A)及圖18(B)得知,VCM單元340具備俯 視呈「+」字型的板狀構件342。由圖18(B)及圖18(C)得知,板狀構件342的中央部以向+Z側伸出的方式呈杯狀形成有凹部344,於該凹部344內插入有調平裝置46。另外,由圖18(C)得知,於凹部344的上方一體地連接有中心塊114。自中心塊114觀察,所述板狀構件342形成為向±X方向及±Y方向延伸的凸緣狀,故以下將板狀構件342稱為凸緣部342來進行說明。VCM單元340如圖16所示,經由多個螺栓346將凸緣部342以可裝卸的方式緊固於壓盤部100的下表面部102。如此,凸緣部342為壓盤部100的下表面部102的一部分,由圖14及圖16得知,各音圈馬達70X、音圈馬達70Y(音圈馬達70Y參照圖16)配置於壓盤部100的上表面部104與下表面部102(實際上為凸緣部342)之間的空間中。
如圖17所示,於壓盤部100的下表面部102,形成有用以插入VCM單元340(參照圖16)的俯視呈「+」字狀的開口部(缺口)372。於壓盤部100的內部,於不與所述VCM單元340抵觸的位置配置有多個肋部108,此方面與所述第二實施形態相同。另外,由圖15及圖17得知,於上表面部104的下表面(壓盤部100的內側面)的中央部固定有隔片374,如圖14所示,於將VCM單元340安裝於壓盤部100的狀態下,中心塊114的前端與隔片374接觸。
於該第三實施形態中,如圖14所示,X音圈馬達70X的定子74X是由支柱54的上端部自下方支持。由圖16得知,於 將VCM單元340安裝於壓盤部100的狀態下,於形成開口部372的開口端部與凸緣部342之間,僅形成有用以使支柱54(圖16中未圖示。參照圖14)穿插的必要最低限度的開口部,微動台320的剛性降低得到抑制。
關於多個Z音圈馬達70Z的構成及功能、微動台320的測量系統等,與所述第一實施形態相同,故省略說明。另外,關於多個瓦片120(參照圖14)對基板P的吸附保持構造及基板P的上浮支持構造、以及壓盤部100對瓦片120的吸附保持構造,亦與所述第一實施形態相同,故省略說明。此處,壓盤部100的上表面部104的平面精飾加工較佳為將VCM單元340組裝於壓盤部100之後進行,藉此可確保藉由將多個瓦片120於壓盤部100的上表面鋪滿所形成的基板載置面的平面度。
根據以上所說明的第三實施形態,除了所述第二實施形態中獲得的效果以外,因將多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y單元化,故微動台320的組裝時的作業性提高。另外,因將VCM單元340的凸緣部342一體地緊固於壓盤部100,故確保與所述第二實施形態的微動台220(參照圖11)同等的剛性。
《第四實施形態》
繼而,使用圖19~圖29對第四實施形態的基板台裝置進行說明。第四實施形態的基板台裝置除了微動台422的構成不同的方面以外,與所述第一實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第一實施形態相同的構成或功能的要素標註與 所述第一實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
於所述第一實施形態(參照圖4)中,微動台22為於壓盤部100上鋪滿多個瓦片120而成的二層構造,相對於此,如圖19所示,該第四實施形態的微動台422成為具備壓盤部450、積層於壓盤部450上的管路部460、積層於管路部460上的基部470及積層於基部470上的吸盤部480的四層構造,此方面不同。
再者,雖圖19等中未圖示,但該第四實施形態中,亦經由第一驅動系統62所具備的多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y(分別參照圖10)對微動台422賦予水平面內三個自由度方向的推力,此方面與所述第一實施形態~第三實施形態相同。另外,未圖示的各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置亦無特別限定,可選擇性地使用所述第一實施形態~第三實施形態的音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置的任一種。
以下,對該第四實施形態的微動台422的構成進行說明。如圖19所示,微動台422具備壓盤部450、管路部460、基部470及吸盤部480。壓盤部450形成為俯視呈矩形的箱狀,管路部460、基部470及吸盤部480分別形成為俯視呈矩形的板狀。微動台422藉由在壓盤部450上配置(積層)管路部460,於管路部460上配置(積層)基部470,進而於基部470上配置(積層)吸盤部480,而整體成為四層構造。
壓盤部450、管路部460、基部470及吸盤部480各自的長度方向及寬度方向(X軸方向及Y軸方向)的尺寸是設定為 大致相同,相對於此,壓盤部450的厚度方向(Z軸方向)的尺寸是設定得較管路部460、基部470及吸盤部480更大(厚)。將壓盤部450、管路部460及基部470合計的厚度方向(Z軸方向)的尺寸是設定得較吸盤部480更大(厚)。另外,將壓盤部450、管路部460及基部470合計的重量具有較吸盤部480更重,例如2.5倍左右的重量。
作為最下層的壓盤部450為成為微動台422的基礎的部分。如圖20所示,壓盤部450具備下表面部452、上表面部454、外壁部456及蜂窩構造體458。下表面部452及上表面部454分別為由CFRP(carbon-fiber-reinforced plastic)所形成的俯視呈矩形的板狀構件。外壁部456為俯視呈矩形的框狀構件,且由鋁合金或CFRP所形成。於外壁部456的內部填充有蜂窩構造體458。蜂窩構造體458是由鋁合金所形成。再者,圖20中就避免圖式錯綜複雜的觀點而言,蜂窩構造體僅圖示一部分,但實際上蜂窩構造體458是大致無間隙地配置於外壁部456的內部(參照圖22及圖23)。
對於內部填充有蜂窩構造體458的外壁部456,於上表面黏著上表面部454,並且於下表面黏著下表面部452。藉此,壓盤部450採取所謂夾層構造,輕量且為高剛性(尤其於厚度方向上為高剛性),製作亦容易。再者,形成構成壓盤部450的各要素的材料不限於所述說明的材料,可適當變更。另外,下表面部452、上表面部454及外壁部456的緊固構造亦不限於黏著。
於下表面部452的中央部形成有開口452a。於蜂窩構造體458中,於與開口452a對應的部分形成有凹部(凹陷)(參照圖22及圖23),於該凹部中嵌入有所述調平裝置46(參照圖25)。此處,調平裝置46只要具有相對於水平面(於θx方向及θy方向上)而搖動自如地支持微動台422的功能,則其構成並無特別限定。因此,雖圖1中圖示了球面軸承裝置,但調平裝置46不限於此,亦可為圖22及圖23所示般的彈性鉸鏈裝置。
如圖20所示,管路部460具備於Y軸方向上延伸的多根管462。多根管462以既定的間隔而排列配置於X軸方向上。管462的長邊方向(Y軸方向)的尺寸是設定為與壓盤部450的Y軸方向的尺寸大致相同。再者,管462的根數並無特別限定,可根據微動台422所要求的所需性能而適當變更。於圖23等中,為了容易地理解微動台422的構成或功能,使管462的根數較實際少而進行圖示。另外,管462的XZ剖面的剖面形狀亦無特別限定。於圖23等中,使用XZ剖面為矩形的所謂方管作為管462,但不限於此,亦可使用圖29所示般的所謂圓管。於使用圓管的情形時,以該圓管的外周面的上表面與下表面彼此成平行的方式(以與長邊方向正交的剖面成為桶型的方式)進行加工即可。本實施形態中,管462是由CFRP所形成,但管462的素材亦無特別限定,可適當變更。於不使用CFRP作為管462的素材的情形時,較佳為使用膨脹係數與CFRP近似的構件。另外,對多根管462於Y軸方向上延伸且於X軸方向上排列配置進行了說明,但不限定於 此,亦可於X軸方向上延伸且於Y軸方向上排列配置。
如圖20所示,基部470是藉由多片被稱為板岩(slate)472的構件而形成。板岩472為俯視呈矩形的薄板狀構件,且由石材或陶瓷等所形成。再者,板岩472的素材並無特別限定,較佳為硬度優異且容易進行高精度加工的材料。微動台422中,將多片板岩472載置於構成管路部460的多根管462上。各板岩472以彼此密接(以可忽視間隙的程度接觸)的狀態於管路部460上呈瓦片狀鋪滿,且藉由黏著劑而固定於多根管462。
各板岩472分別以表面(與對管462的黏著面相反之側的面)的平面度變得非常高的方式經加工(拋光(lap)加工等)。另外,多個板岩472是以於管路部460上鋪滿的狀態下各板岩472間的階差成為實質上可忽視的程度的方式,調整各自的表面高度位置。再者,只要可於管路部460的上方形成具有與基板P(參照圖1)同等面積的平面,則各板岩472的大小(面積)可如圖20所示般具有共同的大小,亦可如圖24所示般混合存在尺寸不同的板岩472。另外,板岩472的總片數並無特別限定,亦可藉由一片板岩472而構成。再者,對於板岩472,對以平面度變得非常高的方式經加工進行了說明,但不限於此。亦可為一個或一部分板岩472低於其他板岩472的情形,或板岩472的一部分缺損或有凹陷。將吸盤部480載置於板岩472上時吸盤部480表面的平面度只要高則佳(下文將述),因此板岩472亦可具有較吸盤部480的大小更小的缺損或凹陷。
所述各板岩472間的表面高度位置調整可藉由拋光加工等而進行。於該情形時,拋光加工較理想為於微動台422上安裝有各種附屬物(條狀鏡80X、條狀鏡80Y(參照圖2)等)的狀態下以成為所需精度的方式考慮撓曲而進行。另外,如圖27所示,板岩472的上表面的端部附近經實施倒角加工,於鋪滿多個板岩472的狀態下,於鄰接的板岩472間形成有V字槽。於該V字槽中填充有接縫材472a,從而可防止拋光加工時的水分等滲入至鄰接的板岩472間。
回到圖20,吸盤部480為載置基板P(參照圖1)的部分。吸盤部480與管路部460及板岩472協作而吸附保持基板P。吸盤部480是藉由多片瓦片482而形成。瓦片482為俯視呈矩形的薄板狀構件,且由陶瓷等所形成。藉由利用陶瓷來形成瓦片482,可抑制自基板P產生靜電。再者,瓦片482的素材並無特別限定,較佳為輕量且容易進行高精度加工的材料。藉由使用輕量的素材作為瓦片482的素材,可防止基部470及/或管路部460的變形。瓦片482的厚度(例如8mm)是相對於板岩472的厚度(例如12mm)而設定得更薄。於微動台422中,於藉由鋪滿多個板岩472而形成的平面上鋪滿多片瓦片482(圖19及圖20中省略一部分圖示)。瓦片482是由對應的(該瓦片482下方的)板岩472吸附保持。關於用以使板岩472吸附保持瓦片482的構造(瓦片482的吸附保持構造),將於下文中說明。
一個(一片)瓦片482是設定為面積較一個(一片)板 岩472更小。於圖20所示的例子中,示出於一片板岩472上載置有兩片瓦片482的情形,但載置於一片板岩472上的瓦片482的片數並無特別限定。另外,一片瓦片482的面積亦不限於所述面積,可具有與一片板岩472相同的面積,或亦可具有大於一片板岩472的面積。而且,於面積相同的情形時,能以於一片板岩472上載置一片瓦片482的方式構成,或於瓦片482的面積更大的情形時,亦可由多片板岩472支持一片瓦片482。再者,亦可將基部470與吸盤部480合併而稱為固持器部。於該情形時,固持器部成為多片板岩472(下層)與多片瓦片482(上層)的兩層構造。如上文所述,微動台422成為壓盤部450、管路部460、基部470、吸盤部480的四層構造,但亦可謂微動台422為由壓盤部450、管路部460及固持器部所構成的三層構造。
微動台422中,藉由載置(鋪滿)於多片板岩472上的多片瓦片482而形成基板載置面。各瓦片482是以厚度實質上相同的方式經高精度加工。因此,藉由多片瓦片482所形成的微動台422的基板載置面仿照藉由多個板岩472所形成的平面,平面度形成得高。瓦片482以可更換、分離的方式載置於板岩472上。另外,瓦片482是相對於壓盤部450及/或管路部460而以可更換、分離的方式載置。
繼而,對瓦片482的構成進行說明。微動台422為所謂銷吸盤型的固持器,且如圖26所示,於各瓦片482的上表面形成有多個銷482a及周壁部482b。多個銷482a是以大致均等的間隔 配置。銷吸盤型固持器的銷482a的直徑非常小(例如直徑1mm左右),另外周壁部482b的寬度亦細,故而可降低於基板P的背面夾入垃圾或異物而進行支持的可能性,從而亦可降低因該異物夾入而導致基板P變形的可能性。再者,銷482a的根數及配置並無特別限定,可適當變更。周壁部482b是以包圍瓦片482的上表面的外周的方式形成。關於多個銷482a與周壁部482b,將前端的高度位置(Z位置)設定為相同。另外,於瓦片482的上表面,為了抑制照明光IL(參照圖1)的反射,而以表面成為黑色的方式實施有皮膜處理、陶瓷噴鍍等各種表面加工。
關於微動台422(參照圖19),於將基板P(參照圖1)載置於多個銷482a及周壁部482b上的狀態下,對經周壁部482b所包圍的空間供給真空抽吸力(將空間內的空氣真空抽吸),藉此將基板P吸附保持於瓦片482。基板P是仿照多個銷482a及周壁部482b的前端部而經平面矯正。關於使瓦片482吸附保持基板P的構造(基板P的吸附保持構造),將於下文中說明。
另外,對於微動台422而言,於將基板P(參照圖1)載置於多個銷482a及周壁部482b上的狀態下,對經周壁部482b包圍的空間供給加壓氣體(壓縮空氣等),藉此可解除基板載置面上的該基板P的吸附。關於用以使基板載置面上的基板P的吸附解除、換言之用以使基板載置面上的基板P上浮的構造(基板P的上浮支持構造),將於下文中說明。
另外,如圖28所示,於瓦片482的下表面亦形成有多 個銷482c、銷482d及周壁部482e。即,瓦片482的下表面亦成為銷吸盤構造。於將瓦片482載置於板岩472(參照圖19)上的狀態下,多個銷482c、銷482d及周壁部482e的前端部與板岩472的上表面接觸。多個銷482c、銷482d是以大致均等的間隔配置。銷482d是設定為徑方向尺寸較銷482c更大(粗),對板岩472(參照圖27)的接觸面積較銷482c更廣。於銷482d的大致中央分別設有貫通孔482f、貫通孔482g。該些貫通孔482f、貫通孔482g分別以貫通瓦片482的方式構成,且與設於板岩472中的與抽吸用管462b(參照圖27)連通的貫通孔472b(參照圖27)、及與排氣用管462c(參照圖24)連通的板岩472的貫通孔連通。貫通孔482f為用以抽吸空氣的孔,經由貫通孔482f對由形成於瓦片482的上表面的銷吸盤及基板P所形成的空間(空氣)進行真空抽吸而吸附保持基板P。貫通孔482g為用以將空氣排氣(吹出)的加壓排氣孔,構成為孔徑(開口徑)較貫通孔482f更小,於解除吸附於瓦片482的上表面的基板P的吸附時,經由貫通孔482g對基板P吹附具有使基板P上浮的趨勢的空氣。
再者,銷482c、銷482d的根數及配置並無特別限定,可適當變更。多個銷482a與多個銷482c、銷482d的XY方向的位置可相同,或亦可配置於不同位置。周壁部482e是以包圍瓦片482的下表面的外周的方式形成。關於多個銷482c、銷482d與周壁部482e,將前端的高度位置(Z位置)設定為相同。微動台422中,於將瓦片482載置於板岩472上的狀態下對經周壁部482e所 包圍的空間供給真空抽吸力,藉此將瓦片482吸附保持於板岩472。即,於瓦片482的下表面(背面)側,經由被板岩472、瓦片482的周壁部482e、銷482c及銷482d所包圍的空間(進行真空抽吸的空間),而將瓦片482固著於板岩472。另一方面,如上文所述,瓦片482的下表面的貫通孔482f、貫通孔482g是以與板岩472的貫通孔連通的方式配置,故未固著於板岩472。
此處,本實施形態所謂瓦片482對板岩472的固著是指可維持以下狀態:於如所述真空吸附般吸附力對瓦片482的下表面的一部分(所述空間)發揮作用的期間中,不自板岩472剝離(不產生Z方向的位置偏移),且不產生相對於板岩472的相對位置偏移(X方向、Y方向的位置偏移)。進而,若解除該真空吸附而所述吸附力對瓦片482的作用消失,則亦可使瓦片482自板岩472脫離(取下)。再者,對仿照藉由多個板岩472所形成的平面而載置瓦片482進行了說明,但亦可不為平面。只要藉由多個板岩472所形成的面與瓦片482的下表面的形狀實質上相同,則多個板岩472亦可為曲面而非平面。
此處,微動台422具有用以防止多個瓦片482自板岩472上浮的各種機構。於圖21~圖23所示的例子中,於瓦片482的+Y側端部形成有平板狀的凸部476,於-Y側端部形成有與凸部476對應的凹部(因與凸部476重疊故未圖示)。鄰接的瓦片482藉由使凸部476與對應的凹部嵌合而機械緊固。另外,沿著微動台422的外周而配置的瓦片482藉由緊固構件478而機械緊固於 板岩472。再者,各瓦片482亦可緊固於壓盤部450或管路部460(參照圖29)。緊固構件478可設於板岩472、壓盤部450或管路部460的例如+X側且+Y側的角,或亦可使用其他構件,自-X側及-Y側將瓦片482按壓於緊固構件478並加以緊固。
另外,於圖29所示的緊固構造的例子中,於瓦片482的+Y側及-Y側的端部分別形成有凹部492,於相向的一對凹部492內插入有帶狀的構件494(嵌條494)。嵌條494緊固於壓盤部450(亦可為板岩472或管路部460),藉此防止瓦片482自板岩472上浮。再者,瓦片482的緊固構造及防上浮構造可適當變更。凸部476及與該凸部476對應的凹部是設於瓦片482的Y側端部,但亦可設於X側端部,或亦可設於Y側與X側的兩端部。
繼而,使用圖24等對所述微動台422中的瓦片482的吸附保持構造、基板P的吸附保持構造及基板P的上浮支持構造分別進行說明。如上文所述,微動台422的管路部460是由多根管462而構成。如圖24所示,多根管462中包含用以供給吸附瓦片482的真空抽吸力的抽吸用管462a、用以供給吸附基板P的真空抽吸力的抽吸用管462b、用以供給使基板P上浮的加壓氣體的排氣用管462c、及配置於所述管462a~管462c間的間隙中的管462d。對於管462d,不供給真空抽吸力或加壓氣體,而專門作為用以與各管462a~管462c一併支持多個板岩472的構件而發揮功能。再者,圖24中示出於五根一組的管462(管462a為兩根,管462b為一根,管462c為兩根)上介隔板岩472而載置瓦片482 的例子(與一片瓦片482對應地配置有五根一組的管462的例子),但各管462a~管462c的根數、組合、配置等不限於此,可適當變更。另外,亦可不分別設置抽吸用管462b及排氣用管462c,而設置兼具各功能的兼用管。
如圖27所示,於基板抽吸用的管462b的長邊方向的一端(本實施形態中為-Y側端部)嵌入有插塞464。另外,於管462b的長邊方向的另一端嵌入有帶接頭的插塞466(以下簡稱為「接頭466」)。對於接頭466,經由未圖示的管路構件(管道等)而自微動台422的外部供給真空抽吸力(參照圖27的黑箭頭)(將管462b內部設為真空狀態)。於設有兼用管的情形時,可切換供給真空抽吸力與加壓氣體。
於管462b的上表面形成有多個貫通孔468。另外,於基部470的板岩472中,於將該板岩472載置於管462b上的狀態下XY平面內的位置與貫通孔468大致相同的位置,形成有貫通孔472b。進而,於吸盤部480的瓦片482中,於將該瓦片482載置於板岩472上的狀態下XY平面內的位置與貫通孔468、貫通孔472b大致相同的位置,形成有貫通孔482f。貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f連通,若對管462b內供給真空抽吸力,則經由所述貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f而對瓦片482上表面中經周壁部482b(參照圖26)包圍的空間供給真空抽吸力。藉此,微動台422吸附保持載置於瓦片482上的基板P(參照圖1)。
再者,亦可根據微動台內的位置而變更對貫通孔468、 貫通孔472b、貫通孔482f供給的真空抽吸力的強度。藉由將對配置於微動台422中央部的貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f供給的真空抽吸力的強度增強,可消除基板P的中央部產生的空氣積存。另外,於空氣積存消失時,亦可減弱真空抽吸力的強度。另外,亦可使對配置於微動台422中央部的貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f供給的真空抽吸力較對配置於微動台422周邊部的貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f供給的真空抽吸力更早,即,亦可附加時間差而供給真空抽吸力。此處,如圖28所示,貫通孔482f是以貫通銷482d(粗銷)的方式形成,故不將來自管462b的真空抽吸力供給於瓦片482的下表面側。
再者,於圖26中示出於瓦片482中形成有兩個貫通孔482f的例子,但貫通孔482f(對應的貫通孔468、貫通孔472b亦相同)的個數及配置不限於此,可適當變更。再者,貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f的直徑亦可分別不同。可使位於更靠下方的貫通孔的直徑增大,即,使貫通孔468的直徑大於貫通孔482f的直徑,或亦可與此相反而使位於更靠上方的貫通孔的直徑增大,即,使貫通孔482f的直徑大於貫通孔468的直徑。藉此,積層(載置)瓦片482、板岩472及管462b時的對位變容易。另外,關於貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f的直徑,亦可越是位於微動台的中央附近的貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f則越增大所述直徑。另外,貫通孔468、貫通孔472b、貫通孔482f的直徑亦可於Y軸方向上越接近插塞464則越增大。
瓦片482的吸附保持構造是與所述基板P的吸附保持構造大致相同地構成。即,於吸盤部抽吸用的管462a的兩端部分別插入有插塞464及接頭466,經由接頭466自微動台422的外部對管462a內供給真空抽吸力。於管462a的上表面形成有貫通孔(參照圖24),經由該貫通孔及形成於板岩472中的貫通孔(參照圖24),對瓦片482下表面中經周壁部482e(參照圖28)包圍的空間供給真空抽吸力。圖28中的符號Q表示與形成於板岩472中的貫通孔對應的區域,得知將真空抽吸力供給於不與銷482c、銷482d重疊的位置。
再者,所述說明中,關於對板岩472固著瓦片482的方法(構成),對真空吸附的方法(構成)進行了說明,但固著瓦片482的方法不限於吸附。例如亦可利用黏著材將瓦片482的背面的一部分黏著於板岩472,由此將瓦片482固著於板岩472。於該情形時,將瓦片482與板岩472黏著的黏著劑所需求的性能為兩者容易剝離,且不易偏移。要求不產生以下情況:黏著劑硬化時變得非常硬而膨脹,黏著劑將瓦片482自板岩472舉起,即要求不產生階差。因藉由瓦片482背面與板岩472密接而決定瓦片482上表面的平面度,故黏著劑較佳為於硬化前以膏狀進入瓦片482背面的槽部,但於硬化後為具有彈力性的橡膠狀,例如較佳為使用濕氣硬化型的可剝離的改質矽酮系密封材等。
另外,關於將瓦片482固著於板岩472的方法,亦可兼用所述利用真空吸附的方法與利用黏著的方法。
再者,空氣無法自於瓦片482上塗佈有黏著材的部位進出,故於將黏著劑塗佈於瓦片482的背面的情形時,塗佈於不將用以吸附保持基板P的空氣的流路及抽吸孔堵塞般的位置。
另外,亦可於瓦片482的內部內置磁體,並且預先利用磁性材料來形成板岩472,藉由該磁體的磁力將瓦片482固著於板岩472。
另外,亦可想到使磁體與磁性材料的關係反轉,以利用磁性材料來形成瓦片482並於板岩472中設置磁體的方式構成,但於該情形時,於磁性材料為例如金屬的情形時,於瓦片482的表面容易產生靜電,故需要靜電對策(利用去靜電裝置)。另外,需要亦進行曝光用光的照射熱或自台傳遞的熱等的熱對策、溫度管理(利用冷卻用氣體)。
再者,於裝置的搬運時或組裝時等無法將瓦片482吸附保持(真空吸附)於板岩472的情形時,亦可使用所述黏著劑或磁體等,使瓦片482不自板岩472偏移(不脫落)。
基板P的上浮支持構造亦是與所述基板P的吸附保持構造大致相同地構成。即,若對基板上浮用的管462c供給加壓氣體,則經由形成於該管462c中的貫通孔、與該貫通孔分別連通的板岩472的貫通孔及瓦片482的貫通孔482g(參照圖26)對周壁部482b內供給加壓氣體。藉此,微動台422可使載置於瓦片482上的基板P(參照圖1)自下方上浮。如以上般,藉由管路部460、板岩472、瓦片482而吸附保持基板P並沿著基板載置面進行平面矯 正。即,亦可謂藉由管路部460、基部470(板岩472)及吸盤部480(瓦片482)的三層構造而具有基板固持器的功能。
再者,微動台422亦可具有使用機械構件使基板P自瓦片482上浮的上浮銷。上浮銷具有抵接於基板P的面,藉由支持該面的棒狀的構件而構成。由上浮銷的面及瓦片482的上表面而形成基板載置面。另外,上浮銷藉由配置於與各瓦片482之間,亦作為瓦片482的防上浮構造而發揮功能。再者,上浮銷的個數或配置並無特別限定。
再者,關於管路部460,以具備多根管462的構成的形式進行了說明,但亦可於一片或多個板狀構件中設置槽,並藉由壓盤部450及/或板岩472覆蓋該槽,由此形成流動加壓氣體(壓縮空氣等)的流路,或形成供給真空抽吸力(將空間內的空氣真空抽吸)的流路。
另外,該第四實施形態中,壓盤部450為於內部填充有蜂窩構造體458作為剛性增強構件的構造,但亦可如所述第一實施形態~第三實施形態般,將多個肋部108(參照圖2等)作為剛性增強構件而配置於壓盤部450的內部。同樣地,亦可於所述第一實施形態~第三實施形態中,與該第四實施形態同樣地於壓盤部100的內部填充蜂窩構造體458代替肋部108。另外,該第四實施形態中亦可將蜂窩構造體458與肋部108併用作為剛性增強構件。於該情形時,將音圈馬達70X、音圈馬達70Y的動子固定於肋部108。
《第五實施形態》
繼而,使用圖30~圖35對第五實施形態的基板台裝置進行說明。第五實施形態的基板台裝置除了微動台522的構成不同的方面以外,與所述第四實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第四實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第四實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
如圖20所示,所述第四實施形態的微動台422為於壓盤部450上分別積層有管路部460、基部470及吸盤部480的四層構造,相對於此,如圖31所示,該第五實施形態的微動台522為於壓盤部450上積層有基部560,於該基部560上積層有吸盤部480的三層構造,此方面不同。
再者,雖圖30等中未圖示,但該第五實施形態中,亦經由第一驅動系統62所具備的多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y(分別參照圖10)對微動台522賦予水平面內三個自由度方向的推力,此方面與所述第一實施形態~第三實施形態相同。另外,未圖示的各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置亦無特別限定,可選擇性地使用所述第一實施形態~第三實施形態的音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置的任一種。
以下,對該第五實施形態的微動台522的構成進行說明。如圖30所示,微動台522具備壓盤部450、基部560及吸盤部480。如此,該第五實施形態的微動台522不具備相當於所述第四實施形態中的管路部460(參照圖20等)的要素。相對於此,該 第五實施形態中,基部560兼具管路部的功能。再者,關於壓盤部450及吸盤部480的構成,與所述第四實施形態相同,故省略說明。另外,此處對使用與所述第一實施形態相同的瓦片120作為構成吸盤部480的多個瓦片的情形進行說明,但亦可使用與所述第四實施形態相同的瓦片482(參照圖26等)作為瓦片。
如圖31所示,與所述第四實施形態的微動台422的基部470(分別參照圖20)同樣地,基部560是藉由多片被稱為板岩562的構件所形成。板岩562為與所述第四實施形態的板岩472(參照圖20)相同的由石材或陶瓷等所形成的俯視呈矩形的薄板狀構件。如圖32所示,多片板岩562於壓盤部450(圖32中未圖示。參照圖31)上呈瓦片狀鋪滿,並藉由黏著劑而固定於壓盤部450。
如圖35所示,於各板岩562的上表面,孔部564P及孔部564V開口。孔部564P、孔部564V的配置與形成於第一實施形態(參照圖4)的微動台22中的壓盤部100的上表面部104中的多個孔部112P、孔部112V(參照圖9)相同。
此處,於所述第一實施形態中,將用以供給真空抽吸力的管路(管110Vc、管110Vp)及用以供給加壓氣體的管路(管110P)形成於壓盤部100(分別參照圖9)的內部,相對於此,該第五實施形態中,取而代之而如圖34(A)所示,於板岩562的下表面形成有多個槽566。槽566於Y軸方向上延伸且於板岩562的±Y側的端部開口。所述多個孔部564P及孔部564V形成於槽 566的底部,多個孔部564P及孔部564V與對應的槽566連通。
對於配置於基部560(參照圖33)中-Y側端部附近的板岩562,於所述槽566的開口端部連接有接頭568。對槽566內經由接頭568自微動台522(參照圖33)的外部供給加壓氣體或真空抽吸力。另外,如圖34(B)所示,於在Y軸方向上鄰接的一對板岩562間插入有流路連接構件570。藉此,形成於在Y軸方向上鄰接的多個板岩562中的槽566作為一條槽而發揮功能。於形成在配置於+Y側端部附近的板岩562中的槽566的開口端部,安裝有插塞572(參照圖32)。
如圖34(C)所示,於板岩562的下表面,與所述多個槽566無關而另形成有將板岩562與壓盤部450(參照圖33)黏著的黏著劑用的槽574。藉由將板岩562黏著於壓盤部450,槽574與壓盤部450的上表面部454(參照圖33)協作,形成氣體的流路。
關於使用對槽566供給的加壓氣體或真空抽吸力而吸附保持瓦片120的構造、及吸附保持載置於瓦片120上的基板P(參照圖1)的構造、以及使載置於瓦片120上的基板P上浮的構造,與所述第一實施形態大致相同。如圖35所示,於將瓦片120載置於板岩562上的狀態下,被供給有真空抽吸力(參照箭頭VF)的槽(圖35中為槽574Vc)經由孔部564V而真空吸附保持瓦片120。另外,被供給有真空抽吸力的其他槽(圖35中為槽574Vp)經由孔部564V及貫通孔132而真空吸附保持載置於瓦片120上的基 板P(參照圖1)。另外,被供給有加壓氣體(參照箭頭PG)的槽(圖35中為槽574P)經由孔部564P及貫通孔134而對載置於瓦片120上的基板P的下表面噴出加壓氣體。
於以上所說明的第五實施形態中,微動台522為三層構造,故構成較所述第四實施形態更為簡單。
再者,於該第五實施形態中,亦可於壓盤部450的內部配置多個肋部108(參照圖2等)作為剛性增強構件。另外,亦可將蜂窩構造體458(參照圖20)與肋部108併用作為剛性增強構件。於該情形時,亦可將音圈馬達70X、音圈馬達70Y的動子固定於肋部108。
《第六實施形態》
繼而,使用圖36對第六實施形態的基板台裝置進行說明。第六實施形態的基板台裝置除了微動台622的構成不同的方面以外,與所述第一實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第一實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第一實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
於所述第一實施形態中,如圖2所示,於微動台22的內部配置有多個肋部108作為剛性增強構件。該些肋部108是以於X軸方向上、於Y軸方向上或自中心部呈放射狀(X字狀)延伸的方式配置。因此,呈放射狀延伸的肋部108的片數合計為四片。相對於此,於該第六實施形態中,如圖36所示,將收納於外壁部106內的多個肋部608全部以自壓盤部650的中央部呈放射 狀延伸的方式配置。再者,肋部608的片數不限於圖36所示的片數,可適當變更。於壓盤部650的內部收容有多根管110,與上表面部104的下表面協作而形成加壓氣體及真空抽吸力供給用的流路,此方面與所述第一實施形態相同。另外,雖圖36中未圖示,但於壓盤部650的上表面部104上鋪滿多個瓦片120(參照圖4)而形成基板載置面的方面亦與所述第一實施形態相同。
再者,雖圖36中未圖示,但該第六實施形態中,亦經由第一驅動系統62所具備的多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y(分別參照圖10)對微動台622賦予水平面內三個自由度方向的推力,此方面與所述第一實施形態~第三實施形態相同。另外,未圖示的各音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置亦無特別限定,可選擇性地使用所述第一實施形態~第三實施形態的音圈馬達70X、音圈馬達70Y的配置的任一種。
再者,亦可將所述第四實施形態的剛性增強構件即蜂窩構造體與肋部608併用作為剛性增強構件。另外,亦可與所述呈放射狀延伸的肋部608無關而另配置用以固定音圈馬達70X、音圈馬達70Y的動子的肋部。
《第七實施形態》
繼而,使用圖37(A)~圖38(B)對第七實施形態的基板台裝置進行說明。第七實施形態的基板台裝置除了形成基板載置面的多個瓦片720的構成不同的方面以外,與所述第一實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第一實施形態相同 的構成或功能的要素標註與所述第一實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
所述第一實施形態的瓦片120的周壁部124(分別參照圖6)是沿著瓦片120的外周緣部而形成,相對於此,如圖37(A)所示,該第七實施形態的瓦片720於較外周緣部稍更靠內側的區域中形成有周壁部724,此方面不同。如圖37(B)所示,於瓦片720中,周壁部724的前端的高度位置是設定為與銷722的高度位置相同,相對於此,較周壁部724更靠外側的區域的高度位置與上表面的未形成銷722的部分相同。以下,將瓦片720中較周壁部724更靠外側的區域稱為階差部726來進行說明。另外,由圖38(A)及圖38(B)得知,該第七實施形態的瓦片720的四角部經倒角加工。再者,瓦片720的背面的構造與所述第一實施形態的瓦片120相同,故省略說明。
若將該第七實施形態的瓦片720排列配置多片,則如圖37(A)所示,於鄰接的一對瓦片720間,彼此的周壁部724隔開,並且彼此的階差部726鄰接,藉此於一對瓦片720的接合部分形成有槽。
根據該第七實施形態,如圖37(B)所示,鄰接的周壁部724彼此隔開,故即便於假設鄰接的瓦片720具有厚度差的情形時,亦可避免於鄰接的瓦片720間形成急遽的階差。
再者,該第七實施形態的瓦片720亦可應用於所述第二實施形態~第六實施形態的微動台220(參照圖11)、微動台320 (參照圖14)、微動台422(參照圖19)、微動台522(參照圖30) 等。
《第八實施形態》
進而,使用圖39對第八實施形態的基板台裝置進行說明。第八實施形態的基板台裝置除了形成基板載置面的多個瓦片820的構成不同的方面以外,與所述第七實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第七實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第七實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
如圖39所示,與所述第七實施形態同樣地,於瓦片820的外周緣部形成有高度與各銷722相同的周壁部724。另外,於較周壁部724更靠外側的區域中形成有階差部726的方面亦與所述第七實施形態相同。
該第八實施形態的瓦片820中,多個凸部822以既定的間隔自周壁部724的外側面呈梳齒狀突出而形成於階差部726上。凸部822的高度位置是設定為與周壁部724及銷722相同。多個凸部822各自是以如下方式設定:於排列配置有多個瓦片820的情形時,鄰接的一對瓦片820的凸部822的前端部彼此不接觸(錯離)(一個瓦片820的凸部822與另一瓦片820的階差部726相向)。
根據該第八實施形態,除了所述第七實施形態的效果以外,因在形成於相向的一對周壁部724間的槽內配置有多個凸部822,故吸附保持基板P(參照圖1)時的基板P的平面度提昇。 另外,因將凸部822彼此錯離配置,故可避免於鄰接的瓦片820間形成急遽的階差。再者,該第八實施形態的瓦片820亦可應用於所述第二實施形態~第六實施形態的微動台220(參照圖11)、微動台320(參照圖14)、微動台422(參照圖19)、微動台522(參照圖30)等。
《第九實施形態》
繼而,使用圖40~圖43對第九實施形態的基板台裝置進行說明。第九實施形態的基板台裝置920除了用以測量微動台922的水平面內位置的測量系統的構成不同的方面以外,與所述第二實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第二實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第二實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
作為用以測量所述第二實施形態的微動台220(參照圖11)的水平面內位置的測量系統,使用與所述第一實施形態相同構成的光干涉計系統96A(參照圖10),相對於此,於該第九實施形態的基板台裝置920中,使用編碼器系統930來測量微動台922的水平面內位置。再者,基板台裝置920的構成除了於微動台922上配置有以下將說明的編碼器系統的構成要素代替條狀鏡80X、條狀鏡80Y(分別參照圖12)的方面以外,與所述第二實施形態相同。再者,包含多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y(參照圖13)且用以驅動基板台裝置920的各要素的驅動系統(基板驅動系統60。參照圖10)的構成與所述第二實施形態相同,故此處省略說 明。
圖41為圖40中符號9A所表示的部分的放大圖。由圖40及圖41得知,於微動台922的壓盤部100的+Y側的側面及-Y側的側面分別安裝有標尺基線(scale base)932。如圖42所示,標尺基線932是由在X軸方向上延伸的構件所構成,且其X軸方向的長度設定得較基板P的X軸方向的尺寸稍長。標尺基線932較佳為由陶瓷等不易產生熱變形的素材所形成。
於一對標尺基線932各自的上表面固定有向上標尺934。向上標尺934為於X軸方向上延伸的板狀(帶狀)的構件,且於其上表面(朝向+Z側(上側)的面),形成有以彼此正交的二軸方向(本實施形態中為X軸方向及Y軸方向)作為週期方向的反射式二維繞射柵(所謂光柵(grating))。
回到圖40,編碼器系統930具有一對測量桌台940。其中一個測量桌台940配置於投影光學系統16的+Y側,另一測量桌台940配置於投影光學系統16的-Y側。測量桌台940是由Y線性致動器942於Y軸方向上以既定的(與微動台922的Y軸方向上的可移動距離同等的)行程驅動,所述Y線性致動器942是於支持投影光學系統16的支持構件19(以下稱為「光學壓盤19」)的下表面以懸吊狀態固定。Y線性致動器942的種類並無特別限定,可使用線性馬達或滾珠螺桿裝置等。
另外,於光學壓盤19的下表面,與各測量桌台940對應地固定有於Y軸方向上延伸的一對向下標尺960(參照圖40)。 於向下標尺960的下表面(朝向-Z側(下側)的面),形成有以彼此正交的二軸方向(本實施形態中為X軸方向及Y軸方向)作為週期方向的反射式二維繞射柵(所謂光柵)。
於測量桌台940的下表面,以與向上標尺934相向的方式安裝有兩個向下X頭950x及兩個向下Y頭950y(分別與紙面深度方向重疊,其中一者未圖示)。另外,於測量桌台940的上表面,以與向下標尺960相向的方式安裝有兩個向上X頭952x及兩個向上Y頭952y(於紙面深度方向上與兩個X頭952x重疊,未圖示。參照圖43)。各頭950x、頭950y、頭952x、頭952y的位置關係已知。另外,為了使各頭950x、頭950y、頭952x、頭952y的位置關係不易變化,測量桌台940較佳為由陶瓷等不易產生熱變形的素材所形成。
圖43中示出編碼器系統930的概念圖。於編碼器系統930中,藉由向上X頭952x及向上Y頭952y以及與該些向上X頭952x及向上Y頭952y對應的向下標尺960,構成用以進行以光學壓盤19為基準的測量桌台940(向下X頭950x及向下Y頭950y)的XY平面內的位置測量的第一編碼器系統。另外,編碼器系統930中,藉由向下X頭950x及向下Y頭950y以及與該些向下X頭950x及向下Y頭950y對應的向上標尺934,構成用以進行以測量桌台940為基準的微動台922的XY平面內的位置測量的第二編碼器系統。如此,該第九實施形態的編碼器系統930經由所述第一編碼器系統及第二編碼器系統的二階段的編碼器系統 而進行以光學壓盤19為基準的微動台922的位置測量。
主控制裝置90(參照圖10)於使微動台922僅於X軸方向上以長行程移動時,以維持測量桌台940(向下X頭950x及向下Y頭950y)與對應的向上標尺934的相向狀態的方式,一面進行測量桌台940的Y軸方向的定位,一面使微動台922相對於靜止狀態的測量桌台940而於X軸方向上相對移動。藉此,可根據第一編碼器系統及第二編碼器系統的累加值而進行以光學壓盤19為基準的微動台922的位置測量。
相對於此,於使微動台922於Y軸方向上以長行程移動時,主控制裝置90(參照圖10)使測量桌台940與微動台922一併於Y軸方向上以長行程移動。此時,藉由所述第一編碼器系統一直進行測量桌台940的位置測量,故無需使微動台922與測量桌台940嚴格地同步移動。主控制裝置90根據第一編碼器系統的輸出(以光學壓盤19為基準的測量桌台940的位置資訊)、與第二編碼器系統的輸出(以測量桌台940為基準的微動台922的位置資訊)的累加值,進行以光學壓盤19為基準的微動台922的位置測量。
根據該第九實施形態,可藉由空氣擾動(air turbulence)等的影響小於光干涉計系統的編碼器系統930來高精度地求出微動台922的XY平面內的位置資訊。
再者,以上所說明的該第九實施形態的編碼器系統930亦可應用於所述第一實施形態及第三實施形態~第八實施形態的 微動台22(參照圖1)、微動台320(參照圖14)、微動台422(參照圖19)、微動台522(參照圖30)等的測量。
另外,於所述說明中,對使用X軸方向的尺寸較基板P稍長的標尺作為向上標尺934的情形進行了說明,但亦可於X軸方向上以既定間隔排列配置更短的標尺。於該情形時,能以頭一直與鄰接標尺的至少一者相向的方式設定鄰接標尺(及頭)的間隔,進行各頭的輸出的連接處理。另外,對在標尺934、標尺960上形成有二維光柵的情形進行了說明,但不限於此,亦可分別形成有以X軸方向作為週期方向的X標尺、與以Y軸方向作為週期方向的Y標尺。
《第十實施形態》
繼而,使用圖44~圖47對第十實施形態的基板台裝置進行說明。第十實施形態的基板台裝置1020除了用以測量微動台1022的水平面內位置的編碼器系統的構成不同的方面以外,與所述第九實施形態相同,故以下僅對不同點進行說明,對具有與所述第九實施形態相同的構成或功能的要素標註與所述第九實施形態相同的符號,省略其說明及圖示。
所述第九實施形態(參照圖40)的編碼器系統930經由配置於微動台922上方的測量桌台940而以光學壓盤19為基準來測量微動台922的水平面內位置,相對於此,該第十實施形態的編碼器系統1030經由用以使微動台922於Y軸方向上以長行程移動的Y粗動台32,以光學壓盤19為基準來測量微動台1022的 水平面內位置,此方面不同。再者,包含多個音圈馬達70X、音圈馬達70Y(參照圖13)且用以驅動基板台裝置1020的各要素的驅動系統(基板驅動系統60。參照圖10)的構成與所述第二實施形態相同,故此處省略說明。
圖45為圖44中符號10A所表示的部分的放大圖。由圖44及圖45得知,於微動台922的壓盤部100的+Y側的側面及-Y側的側面分別安裝有頭基部1032。於頭基部1032的下表面,以與所述第九實施形態的測量桌台940(參照圖41)的下表面相同的配置而安裝有兩個向下X頭950x及兩個向下Y頭950y(參照圖47)。
於Y粗動台32上,分別經由L字狀的臂構件1036而安裝有一對標尺基線1034。再者,一對標尺基線1034亦可安裝於在Y軸方向上與Y粗動台32一體地動作的Y步進導件44。標尺基線1034為與所述第九實施形態的標尺基線932(參照圖42)實質上相同的構件。如圖46所示,標尺基線1034是由在X軸方向上延伸的構件所構成,且於其上表面固定有與所述第九實施形態相同的向上標尺934。安裝於所述頭基部1032的各頭950x、頭950y是以與向上標尺934相向的方式配置(參照圖47)。
回到圖45,於編碼器系統1030中,經由L字狀的臂構件1038將頭基部1040安裝於標尺基線1034(即Y粗動台32)。於頭基部1040的上表面,以與所述第九實施形態的測量桌台940(參照圖41)的上表面相同的配置而固定有兩個向上X頭952x 及兩個向上Y頭952y(參照圖47)。
於光學壓盤19的下表面,與一對頭基部1040對應地固定有於Y軸方向上延伸的一對向下標尺960(參照圖44),此方面與所述第九實施形態相同。安裝於所述頭基部1040的各頭952x、頭952y是以與向下標尺960相向的方式配置。
圖46中示出編碼器系統1030的概念圖。於編碼器系統1030中,藉由向上X頭952x及向上Y頭952y以及與該些向上X頭952x及向上Y頭952y對應的向下標尺960,構成用以進行以光學壓盤19為基準的Y粗動台32的XY平面內的位置測量的第一編碼器系統。另外,於編碼器系統1030中,藉由向下X頭950x及向下Y頭950y以及與該些向下X頭950x及向下Y頭950y對應的向上標尺934,構成用以進行以Y粗動台32為基準的微動台1022的XY平面內的位置測量的第二編碼器系統。如此,該第十實施形態的編碼器系統1030經由所述第一編碼器系統及第二編碼器系統的二階段編碼器系統來進行以光學壓盤19為基準的微動台1022的位置測量。
主控制裝置90(參照圖10)於使微動台1022僅於X軸方向上以長行程移動時,於一直維持向下X頭950x及向下Y頭950y與向上標尺934的相向狀態的狀態(Y粗動台32為靜止狀態)下,使微動台922相對於靜止狀態的Y粗動台32而於X軸方向上相對移動。藉此,可根據第一編碼器系統及第二編碼器系統的累加值而進行以光學壓盤19為基準的微動台1022的位置測量。
相對於此,於使微動台1022於Y軸方向上以長行程移動時,藉由所述第一編碼器系統而進行Y粗動台32的位置測量。因Y粗動台32與微動台1022一併於Y軸方向上以長行程移動,故於Y軸方向上以長行程移動的微動台1022的位置資訊可根據第一編碼器系統的輸出(以光學壓盤19為基準的Y粗動台32的位置資訊)、與第二編碼器系統的輸出(以Y粗動台32為基準的微動台1022的位置資訊)的累加值而求出。
根據該第十實施形態,除了所述第九實施形態的效果以外,因於微動台1022上安裝有編碼器頭代替標尺,故較所述第九實施形態更為輕量,基板P的位置控制性提昇。
再者,以上所說明的該第十實施形態的編碼器系統1030亦可應用於所述第一實施形態及第三實施形態~第八實施形態的微動台22(參照圖1)、微動台320(參照圖14)、微動台422(參照圖19)、微動台522(參照圖30)等的測量。
再者,以上所說明的第一實施形態~第十實施形態的各要素的構成不限定於所述說明,可適當變更。作為一例,所述各實施形態的第一驅動系統62具備合計4個音圈馬達(一對X音圈馬達70X及一對Y音圈馬達70Y),但音圈馬達的個數不限於此,X軸用及Y軸用的音圈馬達亦可分別為1個,亦可分別為3個以上。另外,X音圈馬達70X與Y音圈馬達70Y彼此的個數亦可不同。另外,音圈馬達70X、音圈馬達70Y亦可為動圈(moving coil)式。另外,對使用音圈馬達作為線性馬達的情形進行了說明,但不 限於此,亦可使用其他種類的致動器,於該情形時亦可混合存在多種致動器。另外,對使用單軸方向的線性馬達作為致動器的情形進行了說明,但亦可使用可於X軸方向及Y軸方向上產生推力的雙軸致動器或者可於X軸方向、Y軸方向及θz方向的三個自由度方向上產生推力的致動器。
另外,所述各實施形態為於一個收納部76(形成於微動台中的空間)內收納一個音圈馬達的構成,但不限於此,亦可於一個收納部(空間)內收納多個音圈馬達(致動器)。於該情形時,關於多個音圈馬達,亦可混合存在推力的產生方向不同的音圈馬達。
另外,微動台(微動台22等)為於其內部僅收納產生水平面內(X軸或Y軸)的推力的致動器(所述各實施形態中為音圈馬達70X、音圈馬達70Y)的構成,但亦可將於與水平面交叉的方向(Z軸方向等)上產生推力的致動器(所述各實施形態的Z音圈馬達70Z等)的至少一部分收容於內部。
另外,所述各實施形態中,微動台的最下層且收納多個音圈馬達的壓盤部(壓盤部100等)為於中空的箱體內收納有剛性增強構件的構造,但不限於此,亦可藉由實心的構件而形成。另外,各實施形態的微動台(微動台22等)是藉由以壓盤部(壓盤部100等)為最下層的多層(二層~四層)所構成,但不限於此,亦可為於壓盤部100等的上表面直接載置基板的單層構造,亦可為五層以上(於該情形時,壓盤部100等亦可不為最下層)的構 造。
另外,所述各實施形態中,微動台(微動台22等)中,形成基板載置面的最上層是藉由作為硬質構件的多個板狀構件(瓦片120等)而形成,但形成最上層(基板載置面)的構件不限於此,亦可為具有柔軟性的構件。具有柔軟性的構件可使用由合成樹脂系或橡膠系的材料所形成的片狀(或膜狀)構件。於該情形時,該片狀構件成為最上層,故沿著(仿照)該片狀構件正下方的第二層(自上而下第2個層)的表面對所述片狀構件進行平面矯正,進而載置於片狀構件上的基板P亦仿照第二層的上表面而經平面矯正。因此,較佳為使該第二層的表面(上表面)的平面度形成得高。於該情形時,於片狀構件上,較佳為與所述瓦片(瓦片120等)同樣地形成有支持基板P的下表面的多個銷狀突起。片狀構件的大小並無特別限定,可藉由排列多片片狀構件而形成最上層,亦能以覆蓋第二層的整個面的方式利用一片片狀構件形成最上層。再者,片狀構件亦可與瓦片同樣地真空吸附保持於第二層,但不限於此,亦可藉由黏著等而固著。
另外,所述各實施形態的基板台裝置(基板台裝置20等)的構成亦不限於所述實施形態中說明的構成,可適當變更,於該等變形例中亦可應用與所述實施形態相同的基板驅動系統60。即,基板台裝置亦可為美國專利申請公開第2010/0018950號說明書中揭示般的於X粗動台上配置有Y粗動台的類型的粗動台(於該情形時,自Y粗動台藉由各音圈馬達對微動台22等賦予推力)。另 外,基板台裝置亦可未必具有自重支持裝置28。另外,基板台裝置亦可僅於掃描方向上對基板P進行長行程驅動。
另外,照明光亦可為ArF準分子雷射光(波長193nm)、KrF準分子雷射光(波長248nm)等紫外光或F2雷射光(波長157nm)等真空紫外光。另外,照明光亦可使用高次諧波,該高次諧波是利用摻雜有鉺(或鉺與鐿兩者)的光纖放大器(fiber amplifier)將自分佈回饋(Distributed Feedback,DFB)半導體雷射或光纖雷射所振盪的紅外範圍或可見光範圍的單一波長雷射光放大,並使用非線性光學晶體將波長變換為紫外光而成。另外,亦可使用固體雷射(波長:355nm、266nm)等。
另外,對投影光學系統16為具備多支光學系統的多透鏡方式的投影光學系統的情形進行了說明,但投影光學系統的支數不限於此,只要為一支以上即可。另外,不限於多透鏡方式的投影光學系統,亦可為使用奧夫納(Offner)型大型鏡的投影光學系統等。另外,投影光學系統16亦可為放大系或縮小系。
另外,曝光裝置的用途不限定於將液晶顯示器件圖案轉印至方型玻璃板上的液晶用的曝光裝置,亦可廣泛地應用於有機電致發光(Electro-Luminescence,EL)面板製造用的曝光裝置、半導體製造用的曝光裝置以及用以製造薄膜磁頭、微機器及去氧核糖核酸(Deoxyribonucleic acid,DNA)晶片等的曝光裝置。另外,不僅可應用於半導體器件等微元件,亦可應用於為了製造光曝光裝置、極紫外線(Extreme Ultraviolet,EUV)曝光裝置、X射線 曝光裝置及電子束曝光裝置等中使用的罩幕或光罩而於玻璃基板或矽晶圓等上轉印電路圖案的曝光裝置。另外,所述各實施形態的基板台裝置(基板台裝置20等)亦可用於曝光裝置以外的裝置,例如基板檢查裝置或用以對基板實施既定處理的處理裝置等。
另外,成為曝光對象的物體不限於玻璃板,亦可為晶圓、陶瓷基板、膜構件或罩幕坯料等其他物體。另外,於曝光對象物為平板顯示器用的基板的情形時,該基板的厚度並無特別限定,亦包含膜狀(具有可撓性的片狀構件)的基板。再者,本實施形態的曝光裝置於一邊的長度或對角長為500mm以上的基板為曝光對象物的情形時特別有效。
液晶顯示器件(或半導體器件)等電子元件是經由以下步驟而製造:進行元件的功能、性能設計的步驟;製作基於所述設計步驟的罩幕(或光罩)的步驟;製作玻璃基板(或晶圓)的步驟;藉由所述各實施形態的曝光裝置及其曝光方法將罩幕(光罩)的圖案轉印至玻璃基板上的微影步驟;對經曝光的玻璃基板進行顯影的顯影步驟;藉由蝕刻將抗蝕劑殘存的部分以外的部分的露出構件去除的蝕刻步驟;將蝕刻後變得不需要的抗蝕劑去除的抗蝕劑除去步驟;元件組裝步驟;以及檢查步驟等。於該情形時,於微影步驟中使用所述實施形態的曝光裝置實行上文所述的曝光方法,於玻璃基板上形成元件圖案,故能以良好的生產性製造高積體度的元件。
[產業上的可利用性]
如以上所說明,本發明的物體保持裝置及物體保持方法適於保持物體。另外,本發明的處理裝置適於對物體實行既定處理。另外,本發明的平板顯示器的製造方法適於生產平板顯示器。另外,本發明的元件製造方法適於生產微元件。
10‧‧‧液晶曝光裝置
12‧‧‧照明系統
14‧‧‧罩幕台裝置
16‧‧‧投影光學系統
18‧‧‧架台
20‧‧‧基板台裝置
22‧‧‧微動台
26‧‧‧粗動台
28‧‧‧自重支持裝置
32‧‧‧Y粗動台
34‧‧‧X粗動台
36‧‧‧X梁
38、50‧‧‧機械線性導件裝置
40、52‧‧‧連結構件
42‧‧‧重量消除裝置
44‧‧‧Y步進導件
46‧‧‧調平裝置
48‧‧‧空氣軸承
54、56、58‧‧‧支柱
70X‧‧‧X音圈馬達
70Z‧‧‧Z音圈馬達
72X、72Z‧‧‧動子
74X、74Z‧‧‧定子
76‧‧‧收納部
78‧‧‧缺口
80Y‧‧‧條狀鏡
82Y‧‧‧鏡基座
84‧‧‧Z感測器
86‧‧‧探針
88‧‧‧靶
100‧‧‧壓盤部
102‧‧‧下表面部
104‧‧‧上表面部
106‧‧‧外壁部
120‧‧‧瓦片
G‧‧‧重心位置
IL‧‧‧照明光
M‧‧‧罩幕
MB‧‧‧測長光束
P‧‧‧基板

Claims (29)

  1. 一種物體保持裝置,包括:移動體,保持物體,且具有與包含第一方向及第二方向的既定平面平行的第一面、及於與所述既定平面交差的第三方向上與所述第一面相向的第二面;以及驅動系統,於所述第三方向上由所述第一面及所述第二面夾持的方式配置,並且驅動所述移動體,所述驅動系統的一部分固定於所述移動體,所述驅動系統的另一部分,透過所述另一部分可通過的所述第二面的開口固定於平台,所述平台與所述第二面在所述第三方向上相對於所述第一面的另一側上相向,所述一部分與所述另一部分由所述第一面及所述第二面夾持,所述驅動系統藉由所述驅動系統的所述一部分與所述驅動系統的所述另一部分,使具有所述第一面及所述第二面的所述移動體相對於所述平台相對移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的物體保持裝置,其中所述驅動系統是設於所述第一面或所述第二面的至少任一個面上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的物體保持裝置,其中所述移動體具有將所述第一面或所述第二面的至少一個面與所述驅動系統連結的中間構件。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的物體保持裝置,其中所述驅動系統的所述另一部分是設於不與所述第 一面及所述第二面重疊的位置。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的物體保持裝置,更包括蓋部,所述蓋部是設於所述移動體中,且於所述第一方向及所述第二方向上使所述開口的區域變窄。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的物體保持裝置,其中所述蓋部是以可裝卸的方式設於所述移動體中。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的物體保持裝置,其中所述驅動系統具有多個於所述第一方向上驅動所述移動體的第一驅動系統,所述多個第一驅動系統是以隔著自所述移動體的既定點於所述第一方向上延伸的第一既定線的方式而排列配置於所述第二方向上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的物體保持裝置,其中所述驅動系統具有多個於所述第二方向上驅動所述移動體的第二驅動系統,所述多個第二驅動系統是以隔著自所述既定點於所述第二方向上延伸的第二既定線的方式而排列配置於所述第一方向上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的物體保持裝置,其中所述第一驅動系統及所述第二驅動系統是於所述第三方向上設於與作為所述既定點的所述移動體的重心重疊的位置。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的物體保持裝置,更包括於所述重心的位置自所述第三方向支持所述移動體的支持裝置, 所述驅動系統是於所述第一方向及所述第二方向上設於所述支持裝置的周圍。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的物體保持裝置,其中所述驅動系統是於所述第一方向及所述第二方向上設於距所述重心的位置而對稱的位置。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的物體保持裝置,其中所述驅動系統是於所述第三方向上設於與所述第一面變形的變形中心重疊的位置。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的物體保持裝置,更包括於所述第三方向上相對於所述第一驅動系統而相對移動所述移動體的驅動部,所述驅動部是於所述第一方向及所述第二方向的至少一個方向上設於所述移動體中較所述驅動系統而更遠離所述重心的位置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的物體保持裝置,其中所述驅動部是於所述第三方向上設於所述移動體中較所述第二驅動系統而更遠離所述重心的位置。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的物體保持裝置,其中所述驅動部是設於未由所述第一面與所述第二面夾持的位置。
  16. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的物體保持裝置,更包括取得部,所述取得部取得所述移動體的基於與所述第一方向及所述第二方向有關的位置資訊的資訊。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的物體保持裝置,其中所 述取得部的一部分是於所述第三方向上設於第一面側。
  18. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的物體保持裝置,更包括更換構件,所述更換構件是對所述移動體於所述第三方向上設於所述第一面側,載置所述物體且相對於所述移動體而可更換。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的物體保持裝置,其中所述更換構件具有於所述更換構件與所述物體之間供給氣體的供給孔。
  20. 如申請專利範圍第18項所述的物體保持裝置,其中所述更換構件具有於所述更換構件與所述物體之間抽吸氣體的抽吸孔。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的物體保持裝置,更包括中間構件,所述中間構件是於所述第三方向上設於所述更換構件與所述移動體之間,且載置所述更換構件。
  22. 一種處理裝置,具備:如申請專利範圍第1項至第21項中任一項所述的物體保持裝置;以及對所述物體實行既定處理的處理部。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的處理裝置,其中所述處理裝置藉由能量射束對所述物體進行曝光。
  24. 如申請專利範圍第22項或第23項所述的處理裝置,其中所述物體的一邊或其對角長的長度至少為500mm以上。
  25. 一種平板顯示器的製造方法,包括:使用如申請專利範圍第22項至第24項中任一項所述的處理裝置對所述物體進行曝光;以及對經曝光的所述物體進行顯影。
  26. 一種元件製造方法,包括:使用如申請專利範圍第22項至第24項中任一項所述的處理裝置對所述物體進行曝光;以及對經曝光的所述物體進行顯影。
  27. 一種物體保持方法,保持物體,且所述物體保持方法包括:使用移動體來保持所述物體,所述移動體具有與包含第一方向及第二方向的既定平面平行的第一面、及於與所述既定平面交差的第三方向上與所述第一面相向的第二面;以及以於所述第三方向上由所述第一面及所述第二面夾持的方式配置驅動系統,驅動所述移動體,所述驅動系統的一部分固定於所述移動體,所述驅動系統的另一部分,透過所述另一部分可通過的所述第二面的開口固定於平台,所述平台與所述第二面在所述第三方向上,相對於所述第一面的另一側上相向,所述一部分與所述另一部分由所述第一面及所述第二面夾持,所述驅動系統藉由所述驅動系統的所述一部分與所述驅動系統的所述另一部分,使具有所述第一面及所述第二面的所述移動 體相對於所述平台相對移動。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的物體保持方法,其中藉由進行所述驅動,而使用設於所述移動體中的所述驅動系統來驅動所述移動體。
  29. 如申請專利範圍第27項或第28項所述的物體保持方法,其中藉由進行所述驅動,而使用設於所述第一面或所述第二面的至少任一個面上的所述驅動系統來驅動所述移動體。
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