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TWI758779B - 一種以等離子處理氣體汙染物的裝置 - Google Patents

一種以等離子處理氣體汙染物的裝置 Download PDF

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TWI758779B
TWI758779B TW109123559A TW109123559A TWI758779B TW I758779 B TWI758779 B TW I758779B TW 109123559 A TW109123559 A TW 109123559A TW 109123559 A TW109123559 A TW 109123559A TW I758779 B TWI758779 B TW I758779B
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志偉 田
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新加坡商鑑鋒國際股份有限公司
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Abstract

一種以等離子處理氣體汙染物的裝置，包括一微波源、一波導組件及一諧振腔，該微波源產生一微波振蕩，該波導組件耦接至該微波源，該諧振腔耦接至該波導組件，該微波振蕩實質上朝一波導方向傳遞，該諧振腔包括一第一腔室及一第二腔室，該波導方向實質上平行於該第一腔室的一基準軸線，該第一腔室具有一圍繞該基準軸線的內壁，該內壁包括一朝該基準軸線傾斜的第一內壁及一相對該基準軸線實質上平行的第二內壁，該第一內壁的面積大於該第二內壁使該第一腔室形成一漸縮的錐形空間，該微波振蕩於該第二腔室和一點火氣體反應而形成一火炬。

Description

一種以等離子處理氣體汙染物的裝置
本發明有關一種處理氣體汙染物的裝置，尤指一種以等離子處理氣體汙染物的裝置。
半導體製程中的尾氣含有多種對人體或環境有害的化學物質，例如最為大眾所關注的全氟碳化物(PerFluoroCompounds，PFCs)，例如CF4、C2F6、C3F8等，常見的尾氣處理設備，包括燃燒式、等離子式、加熱式、水洗式以及觸媒式等，由於全氟碳化物被分解的溫度較高，故通常採用燃燒式和等離子式來處理。其中，等離子式屬於較成熟且穩定的技術，而火炬所產生的溫度較高，更適合用於分解全氟碳化物，故為燃燒式之後逐漸受到矚目的技術。
依照等離子的來源區分，火炬的尾氣處理設備主要包括直流式火炬以及微波式火炬，前述的已公開技術可見於美國發明專利公開美國發明專利公開第US20180071751A1號、美國發明專利公告第US9937467號、美國發明專利公告第US9346005號、美國發明專利公告第US9371581號、美國發明專利公告第US10064262號、美國發明專利公告第US9512518號、美國發明專利公告第US9277636號、美國發明專利公開第US20100074821A1號、美國發明專利公開第US20100290966A1號、美國發明專利公開第US20090301298A1號、US9937467號等。
然而，現存技術的缺點為，需要大量的電力以及燃料的消耗，因此，使得利用火炬處理尾氣的成本難以降低至合理的範圍內。
本發明的主要目的在於解決習知火炬需要大量的電力以及燃料的消耗的問題。
為達上述目的，本發明提供一種以等離子處理氣體汙染物的裝置，包括：一微波源，產生一微波振蕩；一波導組件，耦接至該微波源並傳遞該微波振蕩；以及一諧振腔，耦接至該波導組件且供該微波振蕩在該諧振腔內實質上朝一波導方向傳遞，該諧振腔包括一靠近該波導組件的第一腔室以及一遠離該波導組件的第二腔室，該第一腔室包括一連接該波導組件的一入口端和一遠離該波導組件的出口端，該第二腔室包括一連通至該出口端的連通端以及一遠離該連通端的封閉端，該第二腔室接收通過該第一腔室的該微波振蕩，該微波振蕩於該第二腔室和一點火氣體反應而形成一火炬；其中，該波導方向實質上平行於該第一腔室的一基準軸線，該第一腔室具有一圍繞該基準軸線且沿該基準軸線延伸的內壁，該內壁包括一朝該基準軸線傾斜的第一區域以及一相對該基準軸線實質上平行的第二區域，該第一區域的面積大於該第二區域使該第一腔室從該入口端至該出口端形成一漸縮的錐形空間。
在一實施例中，該內壁包括一第一內側壁以及一相對該第一內側壁的第二內側壁，該第一內側壁和該第二內側壁從該入口端至該出口端往該基準軸線向內傾斜。
在一實施例中，該內壁具有一第一內側壁以及一相對該第一內側壁的第二內側壁，該第一內側壁和該第二內側壁之間具有一沿該基準軸線遞減的漸變寬度差。
在一實施例中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二頂壁相對該第一頂壁具有一第一高度差。
在一實施例中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二底壁相對該第一底壁具有一第二高度差。
在一實施例中，還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室且具有一靠近至該點火源的一第一端以及一遠離該點火源的第二端，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該介電管的該第二端突出於該第二腔室且相對該第二腔室的該第二底壁具有一第三高度差。
在一實施例中，還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室，該點火源包括一探針組件，該探針組件包括一承載體以及至少一設置於該承載體的尖端，該尖端具有一介於1.6mm至2mm之間的外徑。
在一實施例中，該點火氣體擇自於空氣、氮氣及氬氣所組成的群組。
本發明還提供一種以等離子處理氣體汙染物的裝置，包括：一微波源，產生一微波振蕩；一波導組件，耦接至該微波源並傳遞該微波振蕩；以及一諧振腔，耦接至該波導組件且供該微波振蕩在 該諧振腔內實質上朝一波導方向傳遞，該諧振腔包括一靠近該波導組件的第一腔室以及一遠離該波導組件的第二腔室，該第一腔室包括一連接該波導組件的一入口端和一遠離該波導組件的出口端，該第二腔室包括一連通至該出口端的連通端以及一遠離該連通端的封閉端，該第二腔室接收通過該第一腔室的該微波振蕩，該微波振蕩於該第二腔室和一點火氣體反應而形成一火炬；其中，該波導方向實質上平行於該第一腔室的一基準軸線，該第一腔室包括一第一內側壁、一相對該第一內側壁的第二內側壁、一第一頂壁以及一第一底壁，該第一內側壁和該第二內側壁從該入口端至該出口端往該基準軸線向內傾斜。
在一實施例中，該第一內側壁和該第二內側壁之間具有一沿該基準軸線遞減的漸變寬度差。
在一實施例中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二頂壁相對該第一頂壁具有一第一高度差。
在一實施例中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二底壁相對該第一底壁具有一第二高度差。
在一實施例中，還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室且具有一靠近至該點火源的一第一端以及一遠離該點火源的第二端，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該介電管的該第二端突出於該第二腔室且相對該第二腔室的該第二底壁具有一第三高度差。
在一實施例中，還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室，該點火源包括一探針組件，該探針組件包括一承載體以及至少一設置於該承載體的尖端，該尖端具有一介於1.6mm至2mm之間的外徑。
本發明利用特殊的腔室結構設計，將該第一腔室的錐面增加，例如達到類似雙錐狀腔室的空間，藉此提升微波場強度，讓該第二腔室的微波場強度達最大化。如此一來，可以大幅降低該微波源所需要的電力，也可以不用燃料氣體，除了降低成本外，也更達到節能的目的。另外，本發明的點火源只需要探針，不需要如傳統技術配置點火變壓器和輝光放電電極，也不用點火變壓器供電給輝光放電電極。
在一方面，本發明等離子處理氣體汙染物的裝置可以直接作為一尾氣處理設備；或者，本發明等離子處理氣體汙染物的裝置也可以作為一尾氣處理模組，而和其他形式的尾氣處理設備整合。
θ2:夾角
G:氣體汙染物
H:中空部
H1D:漸變高度差
H2D:高度差
H1:第一高度
H2:第二高度
H3:第三高度
Ha、Hb、Hc:高度
Hd:距離
L:基準軸線
T:火炬
W1D:漸變寬度差
W1:第一寬度
W2:第二寬度
W3:第三寬度
10:微波源
20:波導組件
21:腔室
21a:入口端
21b:出口端
30:隔離件
40:諧振腔
41:第一腔室
411:內壁
411a:第一內側壁
411b:第二內側壁
411c:第一頂壁
411d:第一底壁
42:第二腔室
42a:第一本體
42b:第二本體
42c:第三本體
421a:第一內側壁
421b:第二內側壁
421c:第二頂壁
421d:第二底壁
422:上開口
423:下開口
424:開口
43:入口端
44:連通端
45:封閉端
50:介電管
51:第一段部
52:第二段部
53:第三段部
54:頂端
55:底端
60:探針組件
61:承載體
611:端面
62:尖端
62a:第一尖端
62b:第二尖端
70:移動件
80:冷卻組件
81:氣體腔室
811:氣孔
82:氣體管路
83:冷卻管路
90:介電窗組件
90a:第一介電窗
90b:第二介電窗
100:進氣模組
100a:第一管路
100b:第二管路
『圖1』，為本發明一實施例的立體組裝示意圖。
『圖2』，為『圖1』沿XZ平面的部分剖面立體示意圖。
『圖3A』，為『圖1』沿XZ平面的剖面示意圖。
『圖3B』，為『圖3A』的部分放大示意圖。
『圖4A』，為『圖1』沿XY平面的剖面示意圖。
『圖4B』，為『圖4A』的部分放大示意圖。
『圖5』，為本發明一實施例中，該探針組件的立體組裝示意圖。
『圖6A』，為本發明第一實施例的部分立體組裝示意圖。
『圖6B』，為『圖6A』的側視示意圖。
『圖7A』，為本發明第二實施例的部分立體組裝示意圖。
『圖7B』，為『圖7A』的側視示意圖。
『圖8A』，為本發明第三實施例的部分立體組裝示意圖。
『圖8B』，為『圖8A』的側視示意圖。
『圖9』，為本發明第四實施例的部分立體組裝示意圖。
『圖10』，為本發明另一實施例的立體組裝示意圖。
『圖11』，為『圖10』沿YZ平面的剖面示意圖。
有關本發明的詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：本發明揭露一種以等離子處理氣體汙染物的裝置，參閱『圖1』至『圖4B』，在一實施例中，該裝置包括一微波源10、一波導組件20、一隔離件30、一諧振腔40、一介電管50、一探針組件60、一移動件70、一冷卻組件80以及一介電窗組件90，該微波源10用以產生一微波振蕩，在本實施例中，該微波源10採用一磁控管，該波導組件20靠近該微波源10且和該微波源10耦接，該波導組件20包括一腔室21，該腔室21呈一長方體狀，該腔室21包括一入口端21a以及一出口端21b，該入口端21a連接該微波源10，該隔離件30設置於該波導組件20和該諧振腔40之間。該介電窗組件90包括至少一第一介電窗90a以及至少一第二介電窗90b，該第一介電窗90a設置於該波導組件20和該隔離件30之間，該第二介電窗90b設置於該隔離件30和該諧振腔40之間。在本實施例中，該隔離件30包括一環形器以 及一水負載，且該第一介電窗90a和該第二介電窗90b由一石英玻璃製成。
參閱『圖2』、『圖3A』及『圖3B』，該諧振腔40包括一第一腔室41、一第二腔室42、一入口端43、一連通端44以及一封閉端45，本發明的一實施例中，該第一腔室41沿一基準軸線L延伸，該微波振蕩在該諧振腔40內實質上平行一波導方向傳遞，該波導方向接近或實質上相等於該基準軸線L，該第一腔室41具有一內壁411，該內壁411圍繞一基準軸線L且沿該基準軸線L延伸，該內壁411包括一第一區域以及一第二區域，其中，該第一區域朝該基準軸線L傾斜，而該第二區域相對該基準軸線L實質上平行，該第一區域的面積大於該第二區域，使該第一腔室41從該入口端43至該連通端44形成一漸縮的錐形空間。
參閱『圖3A』至『圖4B』，本實施例中，該內壁411包括一第一內側壁411a、一第二內側壁411b、一第一頂壁411c以及一第一底壁411d，而該第一內側壁411a和該第二內側壁411b對稱地相對該基準軸線L朝內傾斜，該第一內側壁411a或該第二內側壁411b和該基準軸線L之間形成一夾角θ2，該夾角θ2介於1°至5°之間，較佳地，該夾角θ2介於1°至3°之間。該第一頂壁411c相對該基準軸線L朝內傾斜，該第一頂壁411c和該基準軸線L之間形成一夾角θ1，該夾角θ1介於10°至15°之間，較佳地，該夾角θ1介於10°至13°之間，該第一頂壁411c包括一靠近該入口端43的高端以及靠近該連通端44的低端，該第一底壁411d則相對該基準軸線L實質上平行。換言之，在本實施例中，該第一區域包括該第一內側壁411a、該第二內側壁 411b和該第一頂壁411c，而該第二區域包括該第一底壁411d，在本實施例中，該第一區域和該第二區域的面積比介於1.2至2之間。如『圖4B』所示，該第一內側壁411a和該第二內側壁411b之間具有一沿該基準軸線L遞減的漸變寬度差W1D；如『圖3B』所示，該第一頂壁411c和該第一底壁411d間具有一沿該基準軸線L遞減的漸變高度差H1D。
參閱『圖3A』至『圖4B』，本實施例中，該第二腔室42包括一第一內側壁421a、一第二內側壁421b、一第二頂壁421c以及一第二底壁421d，該第二頂壁421c包括一上開口422，該第二底壁421d包括一下開口423，該介電管50插設於該上開口422和該下開口423，該介電管50包括一第一段部51、一第二段部52、一第三段部53、一頂端54以及一底端55，該第一段部51以及該第三段部53分別突出於該上開口422和該下開口423，該第二段部52位於該第二腔室42內。本實施例中，該第二腔室42的該第一內側壁421a和該第一腔室41的該第一內側壁411a係相對該基準軸線L形成一連續傾斜面，該第二腔室42的該第二內側壁421b和該第一腔室41的該第二內側壁411b也相對該基準軸線L形成一連續傾斜面，該第二腔室42的該第二頂壁421c以及該第二底壁421d則相互平行，在一實施例中，該第二腔室42的該第二底壁421d和該第一腔室41的該第一底壁411d位在同一高度；該第二腔室42的該第二頂壁421c則和該第一腔室的該第一頂壁411c的低端位在同一高度。該第二腔室42的該第二頂壁421c以及該第二底壁421之間具有一高度差H2D，本實施例中，該高 度差H2D沿該基準軸線L為一固定值，而在其他實施例中，該高度差H2D沿基準軸線L為一漸變值或具有一落差。
在該諧振腔40中，該入口端43具有一第一高度H1以及一第一寬度W1，該連通端44具有一第二高度H2以及一第二寬度W2，該封閉端45具有一第三高度H3以及一第三寬度W3，本實施例中，該入口端43的該第一高度H1以及該第一寬度W1分別大於該連通端44的該第二高度H2以及該第二寬度W2，該連通端44的該第二高度H2等於該封閉端45的該第三高度H3，而該連通端44的該第二寬度W2大於該封閉端45的該第三寬度W3，而在其他實施例中，該連通端44的該第二寬度W2也可等於該封閉端45的該第三寬度W3。
參閱『圖2』及『圖3B』，該冷卻組件80裝設於該介電管50的該頂端54一側並罩覆該介電管50的該第一段部51，該移動件70和該探針組件60連接，並裝設於該冷卻組件80上，該探針組件60包括一承載體61以及至少一設置於該承載體61的一端面611的尖端62。該移動件70控制該探針組件60相對該第二腔室42的垂直移動，該冷卻組件80包括一氣體腔室81、一氣體管路82以及一冷卻管路83，該氣體腔室81和該介電管50的一中空部H連通，該氣體腔室81的內壁具有至少一氣孔811，至少一點火氣體從該氣孔811進入該氣體腔室81並進入該介電管50的該中空部H，在一實施例中，該點火氣體為一非燃料氣體，例如惰性氣體，如氮氣(N2)、氬氣(Ar)或壓縮乾燥空氣(Clean Dry Air/Compressed dry air,CDA)，該冷卻管路83用以供冷卻流體流動，以控制該氣體腔室81的溫度避免元件損壞。在本實施例中，該探針組件60、該移動件70和該冷卻組件80構成一點 火源，然此僅為舉例說明，依照實際應用，該點火源亦可以採其他配置。
參閱『圖3B』，該微波振蕩將在該諧振腔40的該第二腔室42達到一最大強度，該最大強度將發生在該介電管50的該第二段部52內的該中空部H，當該點火氣體充滿於該介電管50的該中空部H，讓該移動件70控制該探針組件60向下進入該第二段部52內的該中空部H，當該微波振蕩的該最大強度達到一最低閥值時，將使得該探針組件60的該尖端62形成一火炬T。在本實施例中，該移動件70可採用一汽缸。
請參閱『圖5』，在本發明的一實施例中，該探針組件60包括一第一尖端62a以及一第二尖端62b，該第一尖端62a和該第二尖端62b分別包括一漸縮的端部，該端部的直徑介於1.6mm至2.0mm之間，該第一尖端62a和該第二尖端62b的長度介於30mm至50mm之間，該第一尖端62a和該第二尖端62b的材質可以為銅(Cu)、鎢(W)或鎳鉻合金，例如：Inconel®600。利用設置複數個該尖端，可以增加點火的機率，此外，在其他實施例中，該端部也可以採用直徑小於1.6mm。
根據本發明的一實施例，該第一腔室41的該第一頂壁411c相對該第二腔室42的該第二頂壁421c具有一第一高度差；根據本發明的另一實施例，該第一腔室41的該第一底壁411d相對該第二腔室42的該第二底壁421d具有一第二高度差，該介電管50的該底端55突出於該第二腔室42且相對該第二腔室42的該第二底壁421d具有一第三高度差。
繼續參閱『圖6A』至『圖9』，根據本發明的不同實施例，透過改變調整該第一高度差、該第二高度差和該第三高度差，以及該介電管的各段部尺寸，可以進一步調整或提升微波場強度。請參閱『圖6A』和『圖6B』，分別為本發明第一實施例的部分立體組裝示意圖以及側視示意圖，本實施例中，該第二腔室42包括有一第一本體42a以及一第二本體42b，該第一本體42a以及該第二本體42b分別具有高度Ha和Hb，該介電管50的該底端55和該第二腔室42的該第一本體42a的外底壁之間具有一距離Hd，該第一本體42a為一圓柱體，該第二本體42b為一方形體。該第一本體42a的高度Ha為20mm，該第二本體42b的直徑為80mm，該第一本體42a的一開口424的直徑為36mm，該介電管50的總長度為20cm。下表1為根據不同的該第二本體42b的高度Hb以及該距離Hd，量測該第二腔室42內的最大場強度(V/m)。
Figure 109123559-A0305-02-0012-2
請參閱『圖7A』和『圖7B』，分別為本發明第二實施例的部分立體組裝示意圖以及側視示意圖，本實施例中，該第二腔室42包括有一第一本體42a以及一第二本體42b，該第一本體42a以及該第二本體42b分別具有高度Ha和Hb，該介電管50的該底端55和該第二腔室42的該第一本體42a的外底壁之間具有一距離Hd，該第一本 體42a和該第二本體42b均為一方形體。該第一本體42a的高度Ha為20mm，該第二本體42b的邊長為80mm，該第一本體42a的一開口424的直徑為36mm，該介電管50的總長度為20cm。下表2為根據不同的該第二本體42b的高度Hb以及該距離Hd，量測該第二腔室42內的最大場強度(V/m)。
Figure 109123559-A0305-02-0013-3
請參閱『圖8A』和『圖8B』，分別為本發明第三實施例的部分立體組裝示意圖以及側視示意圖，本實施例中，該第二腔室42包括有一第一本體42a、一第二本體42b以及一第三本體42c，該第一本體42a、該第二本體42b以及該第三本體42c分別具有高度Ha和Hb和Hc，該介電管50的該底端55和該第二腔室42的該第三本體42c的外底壁之間具有一距離Hd，該第一本體42a、該第二本體42b以及該第三本體42c均為一方形體。該第一本體42a的高度Ha為20mm，該第一本體42a和該第三本體42c的邊長為80mm，該第一本體42a的一開口424的直徑為36mm，該介電管50的總長度為20cm。下表3和表4為根據不同的該第二本體42b的高度Hb、該第三本體42c的高度Hc以及該距離Hd，量測該第二腔室42內的最大場強度(V/m)。
Figure 109123559-A0305-02-0013-4
Figure 109123559-A0305-02-0014-6
Figure 109123559-A0305-02-0014-7
其中，表4的最後一組配置，係具有最佳的最大場強度，該組的具體結構可參閱『圖9』。
請參閱『圖10』和『圖11』，為本發明另一實施例的立體組裝示意圖以及『圖10』沿YZ平面的剖面示意圖。本實施例中，該處理氣體汙染物的裝置進一步包括一進氣模組100，該進氣模組100包括一第一管路100a以及一第二管路100b，該第一管路100a和該第二管路100b裝設於該冷卻組件80，且和該氣體腔室81相互連通，該進氣模組100用於將至少一待處理的氣體汙染物G導入該氣體腔室81內，並經由該氣體腔室81進入該介電管50的該中空部H而被該火炬所形成的高溫而分解。
10:微波源
20:波導組件
30:隔離件
40:諧振腔
50:介電管
70:移動件
80:冷卻組件
90:介電窗組件
90a:第一介電窗
90b:第二介電窗

Claims (14)

  1. 一種以等離子處理氣體汙染物的裝置，包括：一微波源，產生一微波振蕩；一波導組件，耦接至該微波源並傳遞該微波振蕩；以及一諧振腔，耦接至該波導組件且供該微波振蕩在該諧振腔內實質上朝一波導方向傳遞，該諧振腔包括一靠近該波導組件的第一腔室以及一遠離該波導組件的第二腔室，該第一腔室包括一連接該波導組件的一入口端和一遠離該波導組件的出口端，該第二腔室包括一連通至該出口端的連通端以及一遠離該連通端的封閉端，該第二腔室接收通過該第一腔室的該微波振蕩，該微波振蕩於該第二腔室和一點火氣體反應而形成一火炬；其中，該波導方向實質上平行於該第一腔室的一基準軸線，該第一腔室具有一圍繞該基準軸線且沿該基準軸線延伸的內壁，該內壁包括一朝該基準軸線傾斜的第一區域以及一相對該基準軸線實質上平行的第二區域，該第一區域的面積大於該第二區域使該第一腔室從該入口端至該出口端形成一漸縮的錐形空間。
  2. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該內壁包括一第一內側壁以及一相對該第一內側壁的第二內側壁，該第一內側壁和該第二內側壁從該入口端至該出口端往該基準軸線向內傾斜。
  3. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該內壁具有一第一內側壁以及一相對該第一內側壁的第二內側壁， 該第一內側壁和該第二內側壁之間具有一沿該基準軸線遞減的漸變寬度差。
  4. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二頂壁相對該第一頂壁具有一第一高度差。
  5. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二底壁相對該第一底壁具有一第二高度差。
  6. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室且具有一靠近至該點火源的一第一端以及一遠離該點火源的第二端，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該介電管的該第二端突出於該第二腔室且相對該第二腔室的該第二底壁具有一第三高度差。
  7. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室，該點火源包括一探針組件，該探針組件包括一承載體以及至少一設置於該承載體的尖端，該尖端具有一介於1.6mm至2mm之間的外徑。
  8. 如請求項1所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該點火氣體擇自於空氣、氮氣及氬氣所組成的群組。
  9. 一種以等離子處理氣體汙染物的裝置，包括：一微波源，產生一微波振蕩； 一波導組件，耦接至該微波源並傳遞該微波振蕩；以及一諧振腔，耦接至該波導組件且供該微波振蕩在該諧振腔內實質上朝一波導方向傳遞，該諧振腔包括一靠近該波導組件的第一腔室以及一遠離該波導組件的第二腔室，該第一腔室包括一連接該波導組件的一入口端和一遠離該波導組件的出口端，該第二腔室包括一連通至該出口端的連通端以及一遠離該連通端的封閉端，該第二腔室接收通過該第一腔室的該微波振蕩，該微波振蕩於該第二腔室和一點火氣體反應而形成一火炬；其中，該波導方向實質上平行於該第一腔室的一基準軸線，該第一腔室包括一第一內側壁、一相對該第一內側壁的第二內側壁、一第一頂壁以及一第一底壁，該第一內側壁和該第二內側壁從該入口端至該出口端往該基準軸線向內傾斜。
  10. 如請求項9所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該第一內側壁和該第二內側壁之間具有一沿該基準軸線遞減的漸變寬度差。
  11. 如請求項9所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二頂壁相對該第一頂壁具有一第一高度差。
  12. 如請求項9所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中，該第一腔室的該內壁具有一第一頂壁以及一第一底壁，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該第二底壁相對該第一底壁具有一第二高度差。
  13. 如請求項9所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室且具有一靠近至該點火源的一第一端以及一遠離該點火源的第二端，該第二腔室具有一第二頂壁以及一第二底壁，該介電管的該第二端突出於該第二腔室且相對該第二腔室的該第二底壁具有一第三高度差。
  14. 如請求項9所述之以等離子處理氣體汙染物的裝置，其中還包括一點火源以及一介電管，該介電管插設於該第二腔室，該點火源包括一探針組件，該探針組件包括一承載體以及至少一設置於該承載體的尖端，該尖端具有一介於1.6mm至2mm之間的外徑。
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