TWI484871B - 大氣電漿裝置及其波導 - Google Patents
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Description
以下本發明涉及一種大氣等離子體設備和用於該設備的波導,尤其涉及一種能夠同時獲得使經由具有一個或多個階梯的波導所施加的電磁波產生聚集效應以及穩定地保持所產生的等離子體的效果的大氣等離子體設備和用於該設備的波導。
現有等離子體發生裝置包括經由其傳播電磁波的波導、調整等離子體阻抗的3-短管和產生等離子體的等離子體發生部,其中排出管被設置在等離子體發生部中。當電磁波經由波導傳播時,電場聚集到波導的等離子體發生部上且從該處產生等離子體。
因此,當設計能夠有效地使電場聚集的結構時波導是重要因素。
波導的結構已經從現有矩形平坦結構發展成在高度上逐漸降低。
第1圖是示出在韓國專利申請公開No.10-2008-0033408(下文中稱為現有技術)中公開的等離子體反應器的整體示意圖。
參考第1圖,根據現有技術的等離子體反應器具有其高度以預定角度降低的錐形形狀,從而使得從導波施加的電場(電磁波)聚集,波導的後端設有反應器腔室,在施加電場的情況下,在該反應器腔室中產生等離子體。現有技術公開了最小化反射的電磁波量的錐形波導,但是存在如下問題:與波導的後端相比,在產生等離子體的實際腔室中電場的實際聚集效應減少。
因此,當設計能夠有效地使電場聚集的結構時波導是重要因素。
波導的結構已經從現有矩形平坦結構發展成在高度上逐漸降低。
第1圖是示出在韓國專利申請公開No.10-2008-0033408(下文中稱為現有技術)中公開的等離子體反應器的整體示意圖。
參考第1圖,根據現有技術的等離子體反應器具有其高度以預定角度降低的錐形形狀,從而使得從導波施加的電場(電磁波)聚集,波導的後端設有反應器腔室,在施加電場的情況下,在該反應器腔室中產生等離子體。現有技術公開了最小化反射的電磁波量的錐形波導,但是存在如下問題:與波導的後端相比,在產生等離子體的實際腔室中電場的實際聚集效應減少。
本發明意在提供一種具有能夠以相對低的功耗使電場聚集最大化的新結構的波導以及使用該波導的大氣等離子體設備。
在一個方面中,大氣等離子體設備包括:產生電磁波的振盪器;和從所述振盪器產生的電磁波被輸入到其中以經由其傳播的波導,其中所述波導包括至少一個或多個階梯,在包括末端矮部的波導區域產生等離子體。
產生等離子體的矮部可以比電磁波被輸入其中的導波的第一高度短,所述波導的至少一個階梯可通過其高度以預定角度連續降低的錐形結構實現。
波導的至少一個階梯的高度可垂直地降低,矮部的高度可降低以具有錐形結構。
階梯可全部由其高度以預定角度連續降低的錐形結構實現。
波導可以具有雙錐形結構,錐形波導可包括:具有預定高度的第一高部;與所述第一高部的端部連接且在高度上以預定角度降低的第一錐形部;與所述第一錐形部的端部連接的第二高部;與所述第二高部的端部連接的第二錐形部;和與所述第二錐形部的端部連接的矮部。
可在所述矮部、所述第二錐形部或它們的邊界區域中產生等離子體,所述第二高部可比所述第一錐形部的所述端部高。
所述第二高部的長度可以為預定長度或者更長或者為0。
在另一方面中,提供了一種具有用於大氣等離子體設備中的結構的波導。
從以下詳細描述、附圖和申請專利範圍中,其他特徵和方面將變得顯而易見。
在一個方面中,大氣等離子體設備包括:產生電磁波的振盪器;和從所述振盪器產生的電磁波被輸入到其中以經由其傳播的波導,其中所述波導包括至少一個或多個階梯,在包括末端矮部的波導區域產生等離子體。
產生等離子體的矮部可以比電磁波被輸入其中的導波的第一高度短,所述波導的至少一個階梯可通過其高度以預定角度連續降低的錐形結構實現。
波導的至少一個階梯的高度可垂直地降低,矮部的高度可降低以具有錐形結構。
階梯可全部由其高度以預定角度連續降低的錐形結構實現。
波導可以具有雙錐形結構,錐形波導可包括:具有預定高度的第一高部;與所述第一高部的端部連接且在高度上以預定角度降低的第一錐形部;與所述第一錐形部的端部連接的第二高部;與所述第二高部的端部連接的第二錐形部;和與所述第二錐形部的端部連接的矮部。
可在所述矮部、所述第二錐形部或它們的邊界區域中產生等離子體,所述第二高部可比所述第一錐形部的所述端部高。
所述第二高部的長度可以為預定長度或者更長或者為0。
在另一方面中,提供了一種具有用於大氣等離子體設備中的結構的波導。
從以下詳細描述、附圖和申請專利範圍中,其他特徵和方面將變得顯而易見。
從以下參考附圖對實施例的描述中,本發明的優勢、特徵和方面將變得顯而易見,在下文中闡述該描述。然而,本發明可體現為不同形式且不應該被解釋為限制於本文闡述的實施例。相反,這些實施例被提供為使得本發明全面和完整,且將本發明的範圍充分傳達給本領域技術人員。本文中使用的術語僅是為了描述特定實施例的目的,且不打算成為示例性實施例的限制。除了上下文明確表示之外,本文使用的單數形式“一”和“該”打算也包括複數形式。應該進一步理解,在本說明書中使用的術語“包含(comprise)”和/或“包含(comprising)”指存在所陳述的特徵、整體、步驟、操作、元件和/或構件,但是不排除存在或附加一個或更多其他特徵、整體、步驟、操作、元件、構件和/或它們的組。
下文中,將參考附圖詳細描述示例性實施例。相同附圖標記將用於附圖中的相同構件,相同構件將不再描述。
在說明書的整個描述中,當描述某部件包括某構件時,除非有特定說明,不排除其他構件,而是可能其中還包括其他構件。此外,說明書中提到的諸如“單元”、“組”、“模組”和“塊”之類的術語表示執行至少一個功能或操作的單元,它們可通過硬體、軟體或其組合來實現。
本發明可同時獲得使得經由具有一個或多個階梯的波導所施加的電磁波聚集的效果和穩定地保持所產生的等離子體的效果。
這裏,高度表示對其施加電磁波的波導的一個方向上的長度,矮部表示長度縮短以使得電磁波在其上聚集的區域。
發明人發現在現有技術中,在高度連續或間斷降低的波導中產生電磁波的聚集效應,但該效應不足夠大。為了提高該效應,發明人已製造出一結構,其中在波導中設置至少一個或多個階梯以便通過諧振最大化電磁波的聚集效應,在波導的電磁波被最終反射的端部處形成矮部,在包括該矮部的區域中產生等離子體,從而實現等離子體的穩定性提高以及電磁波的聚集。在說明書中使用的階梯表示一種技術構造,其中波導的高度降低且再次增加,波導部分地包括矮部和高部。
作為一種技術構造,根據本發明一個實施例的波導,其末端波導的端部比第一波導短,兩者之間設置至少一個或多個階梯。如上所述,本說明書的階梯表示其高度降低且再次增加的結構。
第2圖是說明根據本發明一個實施例的波導的剖面圖。然而,本發明的範圍不限於以下波導的形狀。
參考第2圖,根據本發明的波導200形成為雙錐形結構,波導200包括第一高部210和第一錐形部220,其中由例如磁控管等的振盪器產生的電磁波施加到該第一高部210上,第一錐形部220連接到該第一高部210的端部且其高度以預定的角度降低。電磁波經由第一錐形部220聚集。
第一錐形部220的後端(這裏,後端表示對其施加電磁波的後端)設置有具有預定長度的平行結構的第二高部230,並且波導的高度經過該第一高部、該錐形部以及該第二高部(產生階梯)降低且再次增加。因此,聚集在第一錐形部220上的電磁波在第二高部230中產生諧振效應。在其高度以預定角度降低的現有波導中,當能量聚集且被反射時,能量正好從波導的一端反射到其另一端。然而,在根據本發明的波導中,當從能量被反射的方向上看去時,由於第二高度的下降部分(在第2圖中,指的是第一錐形部的後端部),使得不再允許反射。結果,電磁波在施加方向上更集中於第一高度的下降部分(位元於第一錐形部內)上。因此,由於一部分特定波長產生聚集並且消失,電場強度將隨著第二高度的下降部分(第二錐形部)的位置而改變,並且該電場比第一高度的下降部分的電場更強,從而電場強度在整體上增加了。第二高部的高度可設定為不同,但是從諧振效應的觀點出發,該高度最好比第一錐形部的後端部的高度h1高一些。
第二高部230的後端部設有第二錐形部240,以使得通過第二高部230的電磁波再次聚集,且該電磁波在與第二錐形部240的後端部連接的矮部250上聚集。此時,從波導的遠端250a反射的電磁波以及在通過兩個階梯(第一高部和第一錐形部之間的階梯以及第二高部和第二錐形部之間的階梯)之後被最大化的電磁波在矮部250處聚集並且被最大化。
第3圖是說明根據本發明另一實施例的波導的剖面圖。第二高部不具有預定長度,並且該波導具有連續的雙錐形部。即,波導包括第一高部210和第一錐形部220,第一錐形部220的端部直接設有第二錐形部240。即,在上述構造中,第二高部的長度為0,但是如第2圖所示形成了一個階梯(高度降低且再次增加的構造)。
在第2圖和第3圖中,公開了波導的階梯通過錐形結構來實現的技術構造,但是可以提供其中階梯僅僅通過垂直地降低高度來形成技術構造以代替錐形結構。
第4圖是說明根據本發明又一實施例的波導的剖面圖。
參考第4圖,波導包括位於第一高部410和第二高部430之間的另一矮部420。即,電磁波經由高度垂直降低的該矮部整流,且在第二高部430中產生電磁波的諧振效應。
接下來,第二高部430的後端部設有錐形部440,並且該電磁波經受諧振而聚集。錐形部440的後端部設有第二矮部450,從該端部反射的電磁波和經由錐形部聚集的電磁波在該矮部處聚集。
因此,根據本發明的大氣等離子體設備的等離子體發生區域(點)是包括末端設置在具有階梯的波導處的矮部的全部或至少一部分的區域。因此,產生的等離子體可被穩定地保持,即使所處理氣體的流率存在變化。
通過這種方式,階梯可以通過其預度長度的一部分在高度上以預定角度降低的錐形結構或高度垂直降低的結構來實現,並且穿過至少第一階梯的電磁波進入具有比第一階梯的體積更大的區域。本發明還包括一個或多個階梯,其中從末端矮部產生等離子體的任何波導包括在本發明的申請專利範圍的範圍內。
第5圖說明根據本發明一個實施例的波導的測試結果,第6圖說明其高度簡單且連續降低的波導的測試結果。
參考第5圖和第6圖,可以發現在根據本發明的包括一個或多個階梯的波導的端部(即包括矮部的錐形部)所產生的等離子體的強度(相應於圖中的E-場)大於根據現有技術的其高度連續降低而不具有任何階梯的波導所產生的等離子體的強度(第6圖上的紅色或黑色)。
根據本發明的大氣等離子體設備可同時獲得使經由具有一個或多個階梯的波導所施加的電磁波的聚集效應以及穩定地保持所產生的等離子體的效果。
雖然本發明已參照具體實施例進行了描述,但是對於本領域技術人員而言,在不背離由所列申請專利範圍限定的本發明的精神和範圍的情況下可以進行各種改變和變型。
下文中,將參考附圖詳細描述示例性實施例。相同附圖標記將用於附圖中的相同構件,相同構件將不再描述。
在說明書的整個描述中,當描述某部件包括某構件時,除非有特定說明,不排除其他構件,而是可能其中還包括其他構件。此外,說明書中提到的諸如“單元”、“組”、“模組”和“塊”之類的術語表示執行至少一個功能或操作的單元,它們可通過硬體、軟體或其組合來實現。
本發明可同時獲得使得經由具有一個或多個階梯的波導所施加的電磁波聚集的效果和穩定地保持所產生的等離子體的效果。
這裏,高度表示對其施加電磁波的波導的一個方向上的長度,矮部表示長度縮短以使得電磁波在其上聚集的區域。
發明人發現在現有技術中,在高度連續或間斷降低的波導中產生電磁波的聚集效應,但該效應不足夠大。為了提高該效應,發明人已製造出一結構,其中在波導中設置至少一個或多個階梯以便通過諧振最大化電磁波的聚集效應,在波導的電磁波被最終反射的端部處形成矮部,在包括該矮部的區域中產生等離子體,從而實現等離子體的穩定性提高以及電磁波的聚集。在說明書中使用的階梯表示一種技術構造,其中波導的高度降低且再次增加,波導部分地包括矮部和高部。
作為一種技術構造,根據本發明一個實施例的波導,其末端波導的端部比第一波導短,兩者之間設置至少一個或多個階梯。如上所述,本說明書的階梯表示其高度降低且再次增加的結構。
第2圖是說明根據本發明一個實施例的波導的剖面圖。然而,本發明的範圍不限於以下波導的形狀。
參考第2圖,根據本發明的波導200形成為雙錐形結構,波導200包括第一高部210和第一錐形部220,其中由例如磁控管等的振盪器產生的電磁波施加到該第一高部210上,第一錐形部220連接到該第一高部210的端部且其高度以預定的角度降低。電磁波經由第一錐形部220聚集。
第一錐形部220的後端(這裏,後端表示對其施加電磁波的後端)設置有具有預定長度的平行結構的第二高部230,並且波導的高度經過該第一高部、該錐形部以及該第二高部(產生階梯)降低且再次增加。因此,聚集在第一錐形部220上的電磁波在第二高部230中產生諧振效應。在其高度以預定角度降低的現有波導中,當能量聚集且被反射時,能量正好從波導的一端反射到其另一端。然而,在根據本發明的波導中,當從能量被反射的方向上看去時,由於第二高度的下降部分(在第2圖中,指的是第一錐形部的後端部),使得不再允許反射。結果,電磁波在施加方向上更集中於第一高度的下降部分(位元於第一錐形部內)上。因此,由於一部分特定波長產生聚集並且消失,電場強度將隨著第二高度的下降部分(第二錐形部)的位置而改變,並且該電場比第一高度的下降部分的電場更強,從而電場強度在整體上增加了。第二高部的高度可設定為不同,但是從諧振效應的觀點出發,該高度最好比第一錐形部的後端部的高度h1高一些。
第二高部230的後端部設有第二錐形部240,以使得通過第二高部230的電磁波再次聚集,且該電磁波在與第二錐形部240的後端部連接的矮部250上聚集。此時,從波導的遠端250a反射的電磁波以及在通過兩個階梯(第一高部和第一錐形部之間的階梯以及第二高部和第二錐形部之間的階梯)之後被最大化的電磁波在矮部250處聚集並且被最大化。
第3圖是說明根據本發明另一實施例的波導的剖面圖。第二高部不具有預定長度,並且該波導具有連續的雙錐形部。即,波導包括第一高部210和第一錐形部220,第一錐形部220的端部直接設有第二錐形部240。即,在上述構造中,第二高部的長度為0,但是如第2圖所示形成了一個階梯(高度降低且再次增加的構造)。
在第2圖和第3圖中,公開了波導的階梯通過錐形結構來實現的技術構造,但是可以提供其中階梯僅僅通過垂直地降低高度來形成技術構造以代替錐形結構。
第4圖是說明根據本發明又一實施例的波導的剖面圖。
參考第4圖,波導包括位於第一高部410和第二高部430之間的另一矮部420。即,電磁波經由高度垂直降低的該矮部整流,且在第二高部430中產生電磁波的諧振效應。
接下來,第二高部430的後端部設有錐形部440,並且該電磁波經受諧振而聚集。錐形部440的後端部設有第二矮部450,從該端部反射的電磁波和經由錐形部聚集的電磁波在該矮部處聚集。
因此,根據本發明的大氣等離子體設備的等離子體發生區域(點)是包括末端設置在具有階梯的波導處的矮部的全部或至少一部分的區域。因此,產生的等離子體可被穩定地保持,即使所處理氣體的流率存在變化。
通過這種方式,階梯可以通過其預度長度的一部分在高度上以預定角度降低的錐形結構或高度垂直降低的結構來實現,並且穿過至少第一階梯的電磁波進入具有比第一階梯的體積更大的區域。本發明還包括一個或多個階梯,其中從末端矮部產生等離子體的任何波導包括在本發明的申請專利範圍的範圍內。
第5圖說明根據本發明一個實施例的波導的測試結果,第6圖說明其高度簡單且連續降低的波導的測試結果。
參考第5圖和第6圖,可以發現在根據本發明的包括一個或多個階梯的波導的端部(即包括矮部的錐形部)所產生的等離子體的強度(相應於圖中的E-場)大於根據現有技術的其高度連續降低而不具有任何階梯的波導所產生的等離子體的強度(第6圖上的紅色或黑色)。
根據本發明的大氣等離子體設備可同時獲得使經由具有一個或多個階梯的波導所施加的電磁波的聚集效應以及穩定地保持所產生的等離子體的效果。
雖然本發明已參照具體實施例進行了描述,但是對於本領域技術人員而言,在不背離由所列申請專利範圍限定的本發明的精神和範圍的情況下可以進行各種改變和變型。
200...波導
210、410...第一高部
220...第一錐形部
230、430...第二高部
240...第二錐形部
250...矮部
250a...波導的遠端
420...另一矮部
440...錐形部
450...第二矮部
從以下與附圖結合的某些示例性實施例的描述中,本發明的上述和其他目的、特徵和優勢將變得顯而易見,在附圖中:
第1圖是說明在韓國專利申請公開No.10-2008-0033408(以下稱為現有技術)中公開的等離子體反應器的整體示意圖;
第2圖是說明根據本發明一個實施例的波導的剖面圖;
第3圖是說明根據本發明另一實施例的波導的剖面圖;
第4圖是說明根據本發明又另一實施例的波導的剖面圖;
第5圖說明根據本發明一個實施例的波導的測試結果;和
第6圖說明其高度簡單地連續降低的波導的測試結果。
第1圖是說明在韓國專利申請公開No.10-2008-0033408(以下稱為現有技術)中公開的等離子體反應器的整體示意圖;
第2圖是說明根據本發明一個實施例的波導的剖面圖;
第3圖是說明根據本發明另一實施例的波導的剖面圖;
第4圖是說明根據本發明又另一實施例的波導的剖面圖;
第5圖說明根據本發明一個實施例的波導的測試結果;和
第6圖說明其高度簡單地連續降低的波導的測試結果。
200...波導
210、410...第一高部
220...第一錐形部
230、430...第二高部
240...第二錐形部
250...矮部
250a...波導的遠端
Claims (4)
- 一種大氣等離子體設備,包括:振盪器,用於產生電磁波;和波導,從所述振盪器產生的電磁波被輸入到所述波導中以經由所述波導傳播,其中所述波導包括至少一個或多個階梯,並且在包括末端矮部的波導區域產生等離子體,其中所述波導的至少一個階梯通過其高度以預定角度連續降低的錐形結構來實現,且所述波導具有雙錐形結構,並且其中所述錐形波導包括:具有預定高度的第一高部;與所述第一高部的端部連接且其高度以預定角度降低的第一錐形部;與所述第一錐形部的端部連接的第二高部;與所述第二高部的端部連接的第二錐形部;和與所述第二錐形部的端部連接的矮部。
- 如申請專利範圍第1項所述的大氣等離子體設備,其中在所述矮部、所述第二錐形部或它們的邊界區域產生等離子體。
- 如申請專利範圍第1項所述的大氣等離子體設備,其中所述第二高部比所述第一錐形部的端部高。
- 如申請專利範圍第1項所述的大氣等離子體設備,其中所述第二高部的長度為0。
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|---|---|---|---|
| TW100125987A TWI484871B (zh) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | 大氣電漿裝置及其波導 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201306670A TW201306670A (zh) | 2013-02-01 |
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ID=48169400
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| TW100125987A TWI484871B (zh) | 2011-07-22 | 2011-07-22 | 大氣電漿裝置及其波導 |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09295900A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ基板処理装置 |
| TW413731B (en) * | 1997-04-25 | 2000-12-01 | Air Liquide | Device for exciting a gas by a surface wave plasma and gas treatment apparatus incorporating such a device |
| US7799119B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-09-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Microwave plasma exciters |
-
2011
- 2011-07-22 TW TW100125987A patent/TWI484871B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09295900A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ基板処理装置 |
| TW413731B (en) * | 1997-04-25 | 2000-12-01 | Air Liquide | Device for exciting a gas by a surface wave plasma and gas treatment apparatus incorporating such a device |
| US7799119B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-09-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Microwave plasma exciters |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201306670A (zh) | 2013-02-01 |
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