TWI758160B

TWI758160B - 可撓性線路基板及薄膜覆晶封裝結構

Info

Publication number: TWI758160B
Application number: TW110113321A
Authority: TW
Inventors: 黃瑞達; 江咏芳; 吳政鴻
Original assignee: 南茂科技股份有限公司
Priority date: 2021-04-14
Filing date: 2021-04-14
Publication date: 2022-03-11
Also published as: TW202241222A; CN115226300A

Abstract

提供一種可撓性線路基板，包括可撓性薄膜、防銲層以及圖案化線路層。可撓性薄膜具有晶片接合區。防銲層設置於可撓性薄膜上且具有暴露出晶片接合區的開口及由開口界定出的內緣。圖案化線路層包括多個引腳與至少一參考標記。至少一參考標記位於開口的至少一角落。至少一參考標記的一部分位於晶片接合區內並具有第一端部，而其另一部分為防銲層所覆蓋並具有第二端部。第一端部與第二端部之間的最短距離等於內緣的預定形成位置的容許公差範圍。另提供一種薄膜覆晶封裝結構。

Description

可撓性線路基板及薄膜覆晶封裝結構

本發明是有關於一種線路基板及封裝結構，且特別是有關於一種可撓性線路基板及包括其的薄膜覆晶封裝結構。

一般而言，薄膜覆晶(Chip on Film, COF)封裝結構是以覆晶接合方式將晶片接合至可撓性線路基板上，且通常為了保護可撓性線路基板上的線路，避免因刮傷或污染造成短路、斷路現象和達成防銲功能會在可撓性線路基板上形成保護膜，稱之為防銲層(Solder Resist, SR)。而防銲層在預計設置晶片的位置會形成一開口以定義出晶片接合區，然而，塗佈或印刷形成防銲層時，防銲材料可能會因流體特性或塗佈/印刷精準度差異而產生溢流或覆蓋不足的問題，造成晶片接合區的範圍超出預定規格。特別是在晶片接合區的角落處，容易聚積過多的防銲材料而溢流進入晶片接合區的預定範圍內。如此，易導致防銲層與晶片之間的間隙過狹，而影響封裝膠體填充進入晶片底部的順暢度。再者，溢流進入晶片接合區內的防銲材料也可能會影響晶片與線路間的電性連接。因此，目前通常會以人工方式藉由尺規進行量測，以確認實際上防銲層的開口形成位置(實物規格)是否符合理論上防銲層的開口形成位置(圖面規格)的設計規格。然而，在此確認的過程中往往耗時費力，進而會增加許多人力與時間成本且也容易有汙染材料的風險。

本發明提供一種可撓性線路基板及薄膜覆晶封裝結構，其可以在減少人力與時間成本的同時降低汙染材料的機率。

本發明的一種可撓性線路基板，包括可撓性薄膜、防銲層以及圖案化線路層。可撓性薄膜具有晶片接合區。防銲層設置於可撓性薄膜上且具有暴露出晶片接合區的開口及由開口界定出的內緣。圖案化線路層包括多個引腳與至少一參考標記。至少一參考標記位於開口的至少一角落且其一部分位於晶片接合區內並具有第一端部，而其另一部分為防銲層所覆蓋並具有第二端部。第一端部與第二端部之間的最短距離等於內緣的預定形成位置的容許公差範圍。

在本發明的一實施例中，上述的內緣具有相互垂直的第一邊與第二邊，第一邊與第二邊相連形成位於至少一角落的轉角。

在本發明的一實施例中，上述的至少一參考標記為矩形長條圖案且數量為至少二個，且至少二個參考標記分別位於形成所述轉角的第一邊與第二邊上。

在本發明的一實施例中，上述的矩形長條圖案的相對二個側壁分別構成第一端部與第二端部。

在本發明的一實施例中，上述的至少一參考標記具有位在晶片接合區內的第一部分、為防銲層覆蓋的第二部分以及連接第一部分與第二部分的第三部分。第一部分與第二部分具有平行第一邊與第二邊的區段。

在本發明的一實施例中，上述的第一部分與第二部分的形狀包括L型或弧形。

在本發明的一實施例中，上述的第一部分的一側壁構成第一端部，第二部分的一側壁構成第二端部。

在本發明的一實施例中，上述的至少一參考標記不耦接多個引腳。

在本發明的一實施例中，上述的至少一參考標記為多個參考標記且分別位於開口的四個角落。

本發明的一種薄膜覆晶封裝結構，包括上述的可撓性線路基板、晶片以及封裝膠體。晶片設置於晶片接合區內且電性連接多個引腳。封裝膠體至少填充於晶片與可撓性薄膜之間。晶片暴露出至少一參考標記。

基於上述，本發明於防銲層的開口的角落上設置參考標記，並將參考標記設計為第一端部與第二端部之間的最短距離等於由開口界定出的防銲層的內緣的預定形成位置的容許公差範圍，如此一來，可以直接以外觀圖形判斷防銲層是否有溢流超出規格或覆蓋不足的情形產生，不需再以人工方式藉由尺規進行量測，降低確認時間、人力支出與汙染材料的風險，因此可以在減少人力與時間成本的同時降低汙染材料的機率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本文所使用之方向用語（例如，上、下、右、左、前、後、頂部、底部）僅作為參看所繪圖式使用且不意欲暗示絕對定向。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層或區域的厚度、尺寸或大小會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1A是依照本發明一實施例的薄膜覆晶封裝結構的部分俯視示意圖。圖1B是圖1A中的晶片接合區的角落部分的放大示意圖。請參考圖1A與圖1B，在本實施例中，薄膜覆晶封裝結構1包括可撓性線路基板10、晶片20以及封裝膠體30，其中可撓性線路基板10包括具有晶片接合區101的可撓性薄膜100，晶片20設置於晶片接合區101內，而封裝膠體30至少填充於晶片20與可撓性薄膜100之間。在此，可撓性薄膜100的材質例如是聚醯亞胺(Polyimide, PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚醚(polyethersulfone, PES)、碳酸脂(polycarbonate, PC)或其他適合的可撓性材料，晶片20例如是驅動晶片或任何適宜的晶片。

此外，可撓性線路基板10還包括防銲層110以及圖案化線路層120，其中防銲層110設置於可撓性薄膜100上且具有暴露出晶片接合區101的開口OP及由開口OP界定出的內緣IE。另一方面，圖案化線路層120包括與晶片20電性連接的多個引腳122與至少一參考標記124，至少一參考標記124位於開口OP的至少一角落C，其中至少一參考標記124的一部分P1位於晶片接合區101內並被晶片20所暴露出來且具有第一端部E1，而至少一參考標記124的另一部分P2為防銲層110所覆蓋並具有第二端部E2。在此，防銲層110以及圖案化線路層120可以是任何適宜的材料，本發明不加以限制。

在本實施例中，參考標記124設置於防銲層110的開口OP的角落C上且其第一端部E1與第二端部E2之間的最短距離等於防銲層110的內緣IE的預定形成位置的容許公差範圍R，如此一來，可以直接以外觀圖形判斷防銲層110是否有溢流超出規格或覆蓋不足的情形產生，不需再以人工方式藉由尺規進行量測，降低確認時間、人力支出與汙染材料的風險，因此可以在減少人力與時間成本的同時降低汙染材料的機率。

舉例而言，防銲層110的內緣IE的預定形成位置的容許公差範圍R例如是±150微米(即偏差上限值為＋150微米，偏差下限值為－150微米)，也就是第一端部E1至內緣IE的預定形成位置與第二端部E2至內緣IE的預定形成位置的最短距離不大於150微米，但本發明不限於此，容許公差範圍R可以依照晶片接合區101的尺寸而調整。

在一實施例中，內緣IE具有相互垂直的第一邊IE1與第二邊IE2，且第一邊IE1與第二邊IE2相連形成位於角落C的轉角IE3。進一步而言，晶片接合區101具有相對的二個長邊與二個短邊，而第一邊IE1可以是位於晶片接合區101的長邊，第二邊IE2可以是位於晶片接合區101的短邊，但本發明不限於此。此外，如圖1A所示，至少一參考標記124的數量可以為多個(圖1A中示意地繪示出八個)且分別位於開口OP的四個角落C，其中每個角落C上的參考標記124的數量為二個，且分別垂直於第一邊IE1與第二邊IE2而設置，但本發明不限於此。

在一實施例中，參考標記124可以為矩形長條圖案124’且數量為至少二個，換句話說，角落C上可以包括至少二個矩形長條圖案124’的參考標記124，其中至少二個參考標記124分別位於形成轉角IE3的第一邊IE1與第二邊IE2上，如圖1B所示，但本發明不限於此，在其他實施例中，參考標記可以依實際設計上的需求而具有不同數量與形狀。

在一實施例中，矩形長條圖案124’的相對二個側壁分別構成第一端部E1與第二端部E2，舉例而言，矩形長條圖案124’具有相對的二個長邊與相對的二個短邊，分別構成第一端部E1與第二端部E2的相對二個側壁為其二個短邊，但本發明不限於此，在未繪示的實施例中，分別構成第一端部E1與第二端部E2的相對二個側壁也可以為其二個長邊。

在一實施例中，角落C為可撓性線路基板10上的空白區域(不具有功能性引腳存在)，因此設置於其上的參考標記124不耦接引腳122。進一步而言，由於空白區域具有較大的空間且不會影響到可撓性線路基板10上的線路連接，因此參考標記124在此設計下可以在不影響可撓性線路基板10的電性能力之下具有較大的空間設置彈性，但本發明不限於此。

在一實施例中，圖案化線路層120的引腳122與參考標記124例如是藉由相同製程及相同材料所形成，換句話說，引腳122與參考標記124為一體成型結構，但本發明不限於此。

在此必須說明的是，以下實施例沿用上述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2A是依照本發明另一實施例的薄膜覆晶封裝結構的部分俯視示意圖。圖2B是圖2A中的晶片接合區的角落部分的放大示意圖。請參考圖2A與圖2B，本實施例的薄膜覆晶封裝結構1a類似於上述實施例的薄膜覆晶封裝結構1，而其差別在於：本實施例的薄膜覆晶封裝結構1a的圖案化線路層120a的參考標記124a具有位在晶片接合區101內的第一部分P1a、為防銲層110所覆蓋的第二部分P2a以及連接第一部分P1a與第二部分P2a的第三部分P3a，其中第一部分P1a與第二部分P2a具有平行防銲層110的內緣IE的第一邊IE1與第二邊IE2的區段。進一步而言，在本實施例中，第一部分P1a平行第一邊IE1的區段P1a1與平行第二邊IE2的區段P1a2相連構成L型的形狀，第二部分P2a平行第一邊IE1的區段P2a1與平行第二邊IE2的區段P2a2相連構成L型的形狀，而第三部分P3a可以連接第一部分P1a的L型轉折點(即區段P1a1與區段P1a2的交點)與第二部分P2a的L型轉折點(即區段P2a1與區段P2a2的交點)，但本發明不限於此，在其他實施例中，第一部分與第二部分可以具有其他態樣。

在一實施例中，第一部分P1a的一側壁構成第一端部E1a，第二部分P2a的一側壁構成第二端部E2a，其中第一部分P1a中構成第一端部E1a的側壁例如是第一部分P1a最遠離內緣IE的側壁，第二部分P2a中構成第二端部E2a的側壁例如是第二部分P2a最遠離內緣IE的側壁，但本發明不限於此。

圖3A是依照本發明又一實施例的薄膜覆晶封裝結構的部分俯視示意圖。圖3B是圖3A中的晶片接合區的角落部分的放大示意圖。請參考圖3A與圖3B，本實施例的薄膜覆晶封裝結構1b類似於上述實施例的薄膜覆晶封裝結構1a，而其差別在於：本實施例的薄膜覆晶封裝結構1b的圖案化線路層120b的參考標記124b的第一部分P1b與第二部分P2b的形狀為弧形。進一步而言，第一部分P1b平行第一邊IE1的區段P1b1與平行第二邊IE2的區段P1b2以及第二部分P2b平行第一邊IE1的區段P2b1與平行第二邊IE2的區段P2b2可以順應內緣IE的轉角IE3的轉彎弧度相連構成弧形，而第三部分P3b可以連接第一部分P1b的弧形頂點與第二部分P2b的弧形頂點，但本發明不限於此。

在一實施例中，第一部分P1b的一側壁構成第一端部E1b，第二部分P2b的一側壁構成第二端部E2b，而第一端部E1b與第二端部E2b可以類似於第一端部E1a與第二端部E2a，於此不再贅述。

綜上所述，本發明於防銲層的開口的角落上設置參考標記，並將參考標記設計為第一端部與第二端部之間的最短距離等於由開口界定出的防銲層的內緣的預定形成位置的容許公差範圍，如此一來，可以直接以外觀圖形判斷防銲層是否有溢流超出規格或覆蓋不足的情形產生，不需再以人工方式藉由尺規進行量測，降低確認時間、人力支出與汙染材料的風險，因此可以在減少人力與時間成本的同時降低汙染材料的機率。此外，當角落為可撓性線路基板上的空白區域時，由於空白區域具有較大的空間且不會影響到可撓性線路基板上的線路連接，因此參考標記在此設計下可以在不影響可撓性線路基板的電性能力之下具有較大的空間設置彈性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1、1a、1b:薄膜覆晶封裝結構 10:可撓性線路基板 100:可撓性薄膜 110:防銲層 120、120a、120b:圖案化線路層 122:引腳 124、124a、124b:參考標記 124’:矩形長條圖案 101:晶片接合區 20:晶片 30:封裝膠體 C:角落 E1、E1a、E1b:第一端部 E2、E2a、E2b:第二端部 IE:內緣 IE1:第一邊 IE2:第二邊 IE3:轉角 OP:開口 P1、P2:部分 P1a、P1b:第一部分 P2a、P2b:第二部分 P3a、P3b:第三部分 P1a1、P1a2、P2a1、P2a2:區段 R:容許公差範圍

圖1A是依照本發明一實施例的薄膜覆晶封裝結構的部分俯視示意圖。圖1B是圖1A中的晶片接合區的角落部分的放大示意圖。圖2A是依照本發明另一實施例的薄膜覆晶封裝結構的部分俯視示意圖。圖2B是圖2A中的晶片接合區的角落部分的放大示意圖。圖3A是依照本發明又一實施例的薄膜覆晶封裝結構的部分俯視示意圖。圖3B是圖3A中的晶片接合區的角落部分的放大示意圖。應說明的是，為清楚表示，圖1A、圖2A與圖3A的晶片、防銲層與封裝膠體採用透視繪法呈現。

101:晶片接合區

110:防銲層

124:參考標記

124’:矩形長條圖案

C:角落

E1:第一端部

E2:第二端部

IE:內緣

IE1:第一邊

IE2:第二邊

IE3:轉角

P1、P2:部分

R:容許公差範圍

Claims

一種可撓性線路基板，包括：可撓性薄膜，具有晶片接合區；防銲層，設置於所述可撓性薄膜上，其中所述防銲層具有暴露出所述晶片接合區的開口及由所述開口界定出的內緣；以及圖案化線路層，包括多個引腳與至少一參考標記，所述至少一參考標記位於所述開口的至少一角落，其中所述至少一參考標記的一部分位於所述晶片接合區內並具有第一端部，所述至少一參考標記的另一部分為所述防銲層所覆蓋並具有第二端部，所述第一端部與所述第二端部之間的最短距離等於所述內緣的預定形成位置的容許公差範圍。
如請求項1所述的可撓性線路基板，其中所述內緣具有相互垂直的第一邊與第二邊，所述第一邊與所述第二邊相連形成位於所述至少一角落的轉角。
如請求項2所述的可撓性線路基板，其中所述至少一參考標記為矩形長條圖案且數量為至少二個，且所述至少二個參考標記分別位於形成所述轉角的所述第一邊與所述第二邊上。
如請求項3所述的可撓性線路基板，其中所述矩形長條圖案的相對二個側壁分別構成所述第一端部與所述第二端部。
如請求項2所述的可撓性線路基板，其中所述至少一參考標記具有位在所述晶片接合區內的第一部分、為所述防銲層覆蓋的第二部分以及連接所述第一部分與所述第二部分的第三部分，所述第一部分與所述第二部分具有平行所述第一邊與所述第二邊的區段。
如請求項5所述的可撓性線路基板，其中所述第一部分與所述第二部分的形狀包括L型或弧形。
如請求項5所述的可撓性線路基板，其中所述第一部分的一側壁構成所述第一端部，所述第二部分的一側壁構成所述第二端部。
如請求項1所述的可撓性線路基板，其中所述至少一參考標記不耦接所述多個引腳。
如請求項1所述的可撓性線路基板，其中所述至少一參考標記為多個參考標記，分別位於所述開口的四個角落。
一種薄膜覆晶封裝結構，包括：如請求項1至請求項9任一項所述的可撓性線路基板；晶片，設置於所述晶片接合區內且電性連接所述多個引腳，其中所述晶片暴露出所述至少一參考標記；以及封裝膠體，至少填充於所述晶片與所述可撓性薄膜之間。