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TWI745993B - α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途 - Google Patents

α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途 Download PDF

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TWI745993B
TWI745993B TW109118820A TW109118820A TWI745993B TW I745993 B TWI745993 B TW I745993B TW 109118820 A TW109118820 A TW 109118820A TW 109118820 A TW109118820 A TW 109118820A TW I745993 B TWI745993 B TW I745993B
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羅世強
李玫樺
蘇子麟
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Abstract

本發明關於一種α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途，其中α-突觸核蛋白感測薄膜包含一基板以及聚合於該基板上的複數個α-突觸核蛋白辨識聚合物，每一α-突觸核蛋白辨識聚合物表面具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞；該α-突觸核蛋白辨識聚合物係藉由電聚合法製成，且表面的微孔洞是利用α-突觸核蛋白胜肽拓印所獲得；將一樣本與上述的α-突觸核蛋白感測薄膜反應，便可以偵測樣本中的α-突觸核蛋白。

Description

α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途
本發明係關於一種α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途，係使用α-突觸核蛋白拓印於高分子聚合物上，以製得α-突觸核蛋白感測薄膜，並用於偵測樣本中的α-突觸核蛋白。
α-突觸核蛋白(α-synuclein)在人腦組織中的含量高，其在細胞中主要分布於神經細胞的尖端，目前認為α-突觸核蛋白與調節多巴胺(dopamine)的釋放有關。正常的α-突觸核蛋白為可溶性蛋白，但是發生變異後的α-突觸核蛋白會大量堆積在神經元內部，且無法被清除，進而影響到腦部的正常功能，甚至會使神經元大量死亡；目前認為α-突觸核蛋白與多種神經性退化疾病，例如巴金森氏症(Parkinson’s disease)、路易氏體失智症(dementia with Lewy bodies)或是多發性系統萎縮症(multiple system atrophy)都有關連性。
現今檢測血清或血漿中α-突觸核蛋白的方法主要是利用抗體偵測α-突觸核蛋白，例如中國專利第CN109001452(A)號公開案揭露一種α-突觸核蛋白積聚的檢測探針，係以磁性顆粒為載體，並在其表面連接α-突觸核蛋白單株抗體，以合成一種可偵測帕金森氏病的探針；又中國專利第CN109180812(A)號公開案揭露一種識別α-突觸核蛋白的抗體，此抗體會結合到α-突觸核蛋白的第118~126胺基酸，以診斷α-突觸核蛋白的相關疾病。然而，抗體的篩選與製備不易，且以抗體偵測α-突觸核蛋白的方法所需要的時間也較高，因此在使用上不僅成本較高，且不方便。
本發明係關於一種α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途，係使用α-突觸核蛋白的胜肽片段拓印於高分子聚合物上，以製得α-突觸核蛋白感測薄膜，並用於偵測樣本中的α-突觸核蛋白。
本發明揭露之α-突觸核蛋白感測薄膜，包含一基板以及一聚合於基板上的複數個α-突觸核蛋白辨識聚合物，其中每一該α-突觸核蛋白辨識聚合物表面具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞。
本發明亦揭露一種製備α-突觸核蛋白感測薄膜的方法，係將一α-突觸核蛋白胜肽與一高分子聚合物單體混合，以電聚合方法設置於一導電基板上，其中該α-突觸核蛋白胜肽序列係選自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所構成之群組。
本發明也揭露一種偵測α-突觸核蛋白的方法，係將一待測樣本與一α-突觸核蛋白感測薄膜反應，以偵測該待測樣本中的α-突觸核蛋白，其中該α-突觸核蛋白感測薄膜包含一基板以及一聚合於該基板上的複數個α-突觸核蛋白辨識聚合物，且其中每一該α-突觸核蛋白辨識聚合物表面具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞。
於本發明之一實施例中，基板為導電基板，α-突觸核蛋白辨識聚合物為α-突觸核蛋白胜肽拓印之高分子聚合物。
於本發明之一實施例中，導電基板為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)基板、PET可撓式導電玻璃基板、摻鋁氧化鋅(AZO)導電基板、摻氟氧化錫(FTO)導電基板與二氧化矽導電基板其中至少之一者，且該高分子聚合物之單體為3,4-亞乙基二氧噻吩(3,4-ethylenefioxythiophene，簡稱EDOT)以及羥甲基3,4-二氧乙基噻吩(hydroxymethyl 3,4-ethylenedioxy-thiophene，簡稱EDOT-OH)其中至少之一者。
於本發明之一實施例中，α-突觸核蛋白胜肽序列係選自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所構成之群組。
於本發明之一實施例中，α-突觸核蛋白感測薄膜的電流密度介於2~500 mA。
於本發明之一實施例中，測樣本為一血液樣本、一尿液樣本、一唾液樣本、一腦脊液樣本或是自組織或器官中獲得的樣本其中至少之一者。
藉此，本發明製得的α-突觸核蛋白感測薄膜，係將α-突觸核蛋白胜肽與高分子材料混合後，經過電聚合反應，以在一基板上形成可辨識α-突觸核蛋白的聚合物，其能專一性辨識並結合α-突觸核蛋白，且使用上相當方便。
為令本發明之技術手段其所能達成之效果，能夠有更完整且清楚的揭露，茲詳細說明如下，請一併參閱揭露之圖式。
本發明揭露一種α-突觸核蛋白感測薄膜、其製造方法與用途，α-突觸核蛋白感測薄膜包含一基板以及聚合於基板上的複數個α-突觸核蛋白辨識聚合物，其中每一α-突觸核蛋白辨識聚合物表面具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞；基板為導電基板，可為但不限於氧化銦錫基板、PET可撓式導電玻璃基板、摻鋁氧化鋅(AZO)導電基板、摻氟氧化錫(FTO)導電基板與二氧化矽導電基板，且α-突觸核蛋白辨識聚合物係為一α-突觸核蛋白胜肽拓印之高分子聚合物，其中的高分子聚合物的單體可為3,4-亞乙基二氧噻吩以及羥甲基3,4-二氧乙基噻吩其中至少之一者，且高分子聚合物是經過電聚合反應後所獲得；此外，用於拓印的α-突觸核蛋白胜肽序列係選自由SEQ ID NO:1、SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:3以及SEQ ID NO:4所構成之群組，而製得的α-突觸核蛋白感測薄膜可用於偵測待測樣品中的α-突觸核蛋白。
一、α-突觸核蛋白感測薄膜的製備
準備一可導電的氧化銦錫(ITO)基板，並依序以去離子水、異丙醇以及酒精清潔後烘乾。
首先，於ITO基板上以循環伏安法沉積一聚羥甲基3,4-二氧乙基噻吩(poly(EDOT-OH))薄層，以獲得一預沉積基板，製作方法簡述如下：將ITO基板為工作電極、以銀/氯化銀(Ag/AgCl)作為參考電極、以及以含有1~100 mM之EDOT-OH、1~2000 mM之過氯酸鋰(LiClO 4)、以及2~1000 mM之十二烷基硫酸鈉(Sodium dodecyl sulfate，SDS)之水溶液作為電解溶液，以-0.6 V~100 V之循環電位、掃描速率100 mV/sec的條件，進行小於3次循環的掃瞄，以在ITO基板上沉積一poly(EDOT-OH)薄層，poly(EDOT-OH)可以提高後續電聚合反應中、聚合物與ITO基板的附著力。
接著，將3,4-亞乙基二氧噻吩(EDOT)、EDOT-OH以及含有等莫耳數之EDOT與EDOT-OH的混合物分別溶解於含有10~500 mM之高氯酸四丁基銨(tetrabutylammonium perchlorate，TBAP)的二氯甲烷(CH 2Cl 2)溶劑中，以配置1~100 mM(濃度)的EDOT溶液、1~100 mM(濃度)EDOT-OH溶液以及包含10 mM的EDOT/EDOT-OH混合溶液；接著，先將溶液放置於0°C作用3分鐘，再實施電聚合反應，本實施例的電聚合反應是於固定電壓1.1 V vs Ag/Ag +之條件，作用10秒，以於上述之預沉積基板的表面沉積具有微奈米結構的PEDOT(poly-EDOT)、poly(EDOT-OH)以及EDOT/EDOT-OH的共聚物。
於進行胜肽拓印時，先將α-突觸核蛋白的胜肽，溶解於去離子水中，以獲得一α-突觸核蛋白胜肽溶液，本次實驗中分別使用四段α-突觸核蛋白的胜肽進行拓印，以下稱為胜肽1、胜肽2、胜肽3與胜肽4，胜肽1的序列為SEQ ID NO: 1，胜肽2的序列為SEQ ID NO: 1，胜肽3的序列為SEQ ID NO: 3，以及胜肽4的序列為SEQ ID NO: 4。
接著將上述配置的EDOT溶液、EDOT-OH溶液以及EDOT/EDOT-OH混合溶液，分別與四種α-突觸核蛋白胜肽溶液混合，並使α-突觸核蛋白胜肽混合溶液中的胜肽濃度為0.01 mg/mL，以獲得一α-突觸核蛋白胜肽混合溶液；接著進行電聚合反應，步驟簡述如下：以上述準備的可導電的ITO基板為工作電極(working electrode)，以白金電極作為輔助電極(counter electrode)，以及使用銀/氯化銀(Ag/AgCl)電極做為參考電極，並以上述的α-突觸核蛋白胜肽混合溶液作為導電液，固定電壓1.1 V vs Ag/Ag +之條件，進行電聚合反應，接著取出氧化銦錫基板，依序以去離子水、5 wt%酒精水溶液交替清洗兩次，以洗去未聚合化合物單體以及胜肽，便可獲得α-突觸核蛋白感測薄膜(後續簡稱MIPs)；在α-突觸核蛋白感測薄膜上形成有複數個α-突觸核蛋白辨識聚合物，且每一α-突觸核蛋白辨識聚合物上具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞。此外，同時製備僅使用EDOT溶液、EDOT-OH溶液以及EDOT/EDOT-OH混合溶液、而沒有加入胜肽溶液進行電聚合反應的組別，以獲得一無拓印感測薄膜，以作為對照組，後續將其簡稱為NIPs。
此外，為了區分不同材料與α-突觸核蛋白胜肽製備的α-突觸核蛋白感測薄膜，後續的MIPs將以「MIPs_高分子材料_胜肽種類」方式呈現，例如「MIPs_EDOT_胜肽1」代表用於電聚合的高分子材料為EDOT，且是使用胜肽1作為拓印模板，以此類推。
接著，將面積1平方公分的α-突觸核蛋白感測薄膜作為工作電極，以白金電極、鎢鉬合金電極或是陶瓷銅合金作為輔助電極(counter electrode)，以及使用銀/氯化銀電極、銅鎢合金、銀鎢合金、鎢鉬合金或鉻銅合金等等做為參考電極，再將三種電極浸泡於鐵氯化鉀/亞鐵氰化鉀電解液中，再以恆電位儀進行電化學測量分析；以下實施例中，輔助電極為白金電極、參考電極為銀/氯化銀電極。
首先，請參見第二圖(A)，為使用安培法(IT)測試無拓印感測薄膜(NIPs)、以及以胜肽1搭配不同單體，經過電聚合後獲得的感測薄膜(MIPs)的電流-時間分析圖；再請參見第二圖(B)，為各感測薄膜於通電後20秒時的電流密度，其中經胜肽拓印所置得的感測薄膜(MIPs)，其電流密度都高於無拓印感測薄膜(NIPs)。
將製得的α-突觸核蛋白感測薄膜以循環伏安法分析，掃描電壓為-0.85~0.8伏特 (V)，掃描速率為0.1 V/秒，並將所得到的結果計算拓印效率；拓印效率的計算公式為：
拓印效率(α)=MIPs電流量 / NIPs電流量
請參見第三圖(A)，為使用胜肽1拓印所得到的MIPs，MIPs_EDOT_胜肽1的電流密度差值(current density differences，Δcurrent density)為0.586 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.361 mA/cm 2；又，MIPs_EDOT/EDOT-OH_胜肽1的電流密度差值也為0.572 mA/cm 2，而NIPs_EDOT/EDOT-OH的電流密度差值則為0.552 mA/cm 2；此外，MIPs_EDOT_OH-胜肽1的電流密度差值為0.439 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.173 mA/cm 2；而各組的拓印效率分別為：EDOT_胜肽1之α值為1.623，EDOT/EDOT-OH_胜肽1之α值為1.036，以及EDOT-OH_胜肽1之α值為2.537，表示在使用胜肽1為拓印模板的各組別中，以EDOT-OH作為高分子原料所獲得的α-突觸核蛋白感測薄膜具有較佳的拓印效率。
請參閱第三圖(B)，為使用胜肽2拓印所得到的MIPs，MIPs_EDOT_胜肽2的電流密度差值為0.369 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.203 mA/cm 2；又，MIPs_EDOT/EDOT-OH_胜肽2的電流密度差值也為0.740 mA/cm 2，而NIPs_EDOT/EDOT-OH的電流密度差值則為0.475 mA/cm 2；此外，MIPs_EDOT-OH_胜肽2的電流密度差值為0.530 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.444 mA/cm 2；而各組的拓印效率分別為：EDOT_胜肽2之α值為1.82，EDOT/EDOT-OH_胜肽2之α值為1.56，以及EDOT-OH_胜肽2之α值為1.19，表示在使用胜肽2為拓印模板的各組別中，以EDOT作為高分子原料所獲得的α-突觸核蛋白感測薄膜具有較佳的拓印效率。
請再參閱第四圖，為使用胜肽3拓印所得到的MIPs，MIPs_EDOT_胜肽3的電流密度差值為0.6205 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.565 mA/cm 2；又，MIPs_EDOT/EDOT-OH_胜肽3的電流密度差值為0.688 mA/cm 2，而NIPs_EDOT/EDOT-OH的電流密度差值則為0.602 mA/cm 2；此外，MIPs_EDOT-OH_胜肽3的電流密度差值為0.333 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.144 mA/cm 2；各組的拓印效率分別為：EDOT_胜肽3之α值為1.10，EDOT/EDOT-OH_胜肽3之α值為1.14，以及EDOT-OH_胜肽3之α值為2.31，表示在使用胜肽3為拓印模板的各組別中，以EDOT-OH作為高分子原料所獲得的α-突觸核蛋白感測薄膜具有較佳的拓印效率。
再請參見第五圖，再將EDOT-OH_胜肽1、EDOT_胜肽2與EDOT-OH_胜肽3組別的α-突觸核蛋白感測薄膜進行檢測，MIPs_EDOT-OH_胜肽1的電流密度差值為0.439 mA/cm 2，而NIPs_EDOT-OH的電流密度差值則為0.173 mA/cm 2，拓印效率α值為2.54；MIPs_EDOT_胜肽2的電流密度差值為0.369 mA/cm 2，而NIPs_EDOT的電流密度差值則為0.203 mA/cm 2，拓印效率α值為1.82；MIPs_EDOT-OH_胜肽3的電流密度差值為0.333 mA/cm 2，而NIPs_EDOT-OH的電流密度差值則為0.144 mA/cm 2，拓印效率α值為2.31；此結果表示以EDOT-OH作為高分子原料、以胜肽1作為拓印模板所獲得的α-突觸核蛋白感測薄膜具有較佳的拓印效率。
請參見第六圖，為MIPs_EDOT-OH_胜肽1、MIPs_EDOT-OH_胜肽2與MIPs_EDOT-OH_胜肽3，分別與1 ng/mL之目標胜肽作用後，所得到的電流密度差值，以MIPs_EDOT-OH_胜肽1的電流密度差值最高。請再參見第七圖，為MIPs_EDOT-OH_胜肽1(圖中標示為MIPs)與NIPs_EDOT-OH(圖中標示為NIPs)的電流密度對應掃描速率之平方根的分析圖，係用於分析二者電流峰值(peak current)的線性關係。
請參見第八圖，為以胜肽1拓印之各種α-突觸核蛋白感測薄膜(MIPs)，以及無拓印感測薄膜(NIPs)，與1 ng/mL之胜肽1溶液作用後，所獲得的電流密度分析圖；根據第八圖，以胜肽1拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜(MIPs)，與胜肽1作用後，其電流密度都會高於無拓印感測薄膜(NIPs)，又其中以MIPs_EDOT-OH_胜肽1的電流密度值與NIPs_EDOT-OH的電流密度值差異最大。
接著請參見第九圖，為使用50 μg之胜肽4進行拓印，所獲得α-突觸核蛋白感測薄膜(MIPs)，以及使用無拓印感測薄膜(NIPs)，感測濃度介於0.001~1000 pg/mL的α-突觸核蛋白，進行電流密度差值分析的結果；根據第九圖，MIPs_胜肽4的拓印效率α值為1.69。又，第十圖為使用50 μg之胜肽4與50 μg硫化鎢(WS2)進行拓印所獲得α-突觸核蛋白感測薄膜(MIPs_胜肽4+WS 2)，以及使用無拓印感測薄膜(NIPs)，感測濃度介於0.001~1000 pg/mL的α-突觸核蛋白，再進行電流密度差值分析的結果，根據第十圖，MIPs_胜肽4+WS 2的拓印效率α值為2.3。
請參見第十一圖，為使用濃度為0.1 zg/mL~0.1 ng/mL之胜肽1溶液，與以EDOT-OH為單體製備的α-突觸核蛋白感測薄膜作用後，再以循環伏安法分析，以獲得的循環伏安分析圖；再請參見第十二圖，為使用不同聚合物單體、以胜肽1拓印獲得的α-突觸核蛋白感測薄膜，與不同濃度之α-突觸核蛋白作用後，以循環伏安分析法所獲得的氧化峰值(oxidation peak current)電流密度的校正曲線圖，其中有胜肽拓印所獲得的α-突觸核蛋白感測薄膜，與無胜肽拓印的組別相比，都具有較高的氧化峰值電流密度。
請參見第十三圖，為本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之交流阻抗(AC impedance)分析法測量不同感測薄膜，於拓印後洗去目標物質(圖中標示為「After washing」)，以及再與目標物質結合後(圖中標示為「Rebound」)的電阻抗訊號測量結果，本實施例中是使用以胜肽1拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜(MIPs)進行測試，且以胜肽1做為目標物質以與α-突觸核蛋白感測薄膜再次結合；其中，無拓印感測薄膜(NIPs)的電阻抗訊號，於洗去目標物質以及與目標物質結合後，都無明顯變化，但是胜肽1拓印之感測薄膜(MIPs)，於有無結合與胜肽1結合的狀況下，其交流電阻抗訊號有明顯變化。
請參見十四圖，為本發明MIPs_EDOT-OH_胜肽1之重複使用次數分析圖，將MIPs_EDOT-OH_胜肽1與1 ng/mL之胜肽1溶液作用後，測量其電流密度，以獲得第一次的測量結果；接著以清水清洗MIPs_EDOT-OH_胜肽、陰乾，再與1 ng/mL之胜肽1溶液作用，再測量電流密度，以獲得第二次的測量結果；重複上述步驟，總共進行六次的測量，並將第一次測量結果視為100%，計算第2~6次測量結果的相對電流(relative current)；根據第十四圖，六次測量結果的差距都不大，只有第六次測量結果的相對電流有些微下降的情形，表示本發明之α-突觸核蛋白感測薄膜確實可以重複使用，且重複使用後的測量結果也具有可信度。
請再參見第十五圖，為本發明MIPs_EDOT-OH_胜肽1，以及NIPs_EDOT-OH，與不同濃度的α-突觸核蛋白(SNCA)溶液，分別作用5分鐘、10分鐘與20分鐘後，其電流密度差值的測量結果；第十五圖顯示，作用20分鐘後，MIPs_EDOT-OH_胜肽1具有最高的電流密度差值，且與NIPs_EDOT-OH具有明顯差異，其次為作用10分鐘的組別，也與NIPs_EDOT-OH具有明顯差異；而作用5分鐘的組別，MIPs_EDOT-OH_胜肽1，以及NIPs_EDOT-OH的電流密度差值並無明顯差異。
此外，本發明製得之α-突觸核蛋白感測薄膜，可用於檢測多種樣本中的α-突觸核蛋白含量，這些樣本可為但不限於血液樣本、尿液樣本、唾液樣本、腦脊液樣本、或是自組織或器官中萃取得之樣本內的α-突觸核蛋白含量，使用方便且準確性高。
綜上，本發明α-突觸核蛋白感測薄膜及其製造方法與用途，的確能藉由上述所揭露之實施例，達到所預期之使用功效，且本發明亦未曾公開於申請前，誠已完全符合專利法之規定與要求。爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並賜准專利，則實感德便。
惟，上述所揭之說明，僅為本發明之較佳實施例，非為限定本發明之保護範圍；其；大凡熟悉該項技藝之人士，其所依本發明之特徵範疇，所作之其它等效變化或修飾，皆應視為不脫離本發明之設計範疇。
無
第一圖：本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之製造方法示意圖。
第二圖：本發明之α-突觸核蛋白感測薄膜之安培法檢測分析圖。
第三圖：本發明以胜肽1或胜肽2拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜的電流密度差值分析圖。
第四圖：：本發明以胜肽3拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜的電流密度差值分析圖。
第五圖：本發明以胜肽1、胜肽2或胜肽3拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜的電流密度差值分析圖(一)。
第六圖：本發明之以胜肽1、胜肽2或胜肽3拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜吸附胜肽之電流密度分析圖(二)。
第七圖：本發明之α-突觸核蛋白感測薄膜之電流密度對應掃描速率之平方根分析圖。
第八圖：本發明之以胜肽1拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜之電流密度分析圖。
第九圖：本發明以胜肽4拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜吸附胜肽之電流密度差值分析圖。
第十圖：本發明以胜肽4與硫化鎢拓印之α-突觸核蛋白感測薄膜之電流密度分析圖。
第十一圖：本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之循環伏安分析圖。
第十二圖：本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之氧化峰值(oxidation peak current)電流密度校正曲線圖。
第十三圖：本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之交流阻抗(AC impedance)分析圖。
第十四圖：本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之重複使用次數分析圖。
第十五圖：本發明α-突觸核蛋白感測薄膜之α-突觸核蛋白吸附時間與電流密度差值分析圖。
無
Figure pseq-0
Figure pseq-1

Claims (7)

  1. 一種α-突觸核蛋白感測薄膜，係包含一基板以及一聚合於該基板上的複數個α-突觸核蛋白辨識聚合物，其中每一該α-突觸核蛋白辨識聚合物表面具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞，其中該基板為導電基板，其中該α-突觸核蛋白辨識聚合物為α-突觸核蛋白胜肽拓印之高分子聚合物，其中該高分子聚合物之單體為3,4-亞乙基二氧噻吩以及羥甲基3,4-二氧乙基噻吩單體其中至少之一者，且其中該α-突觸核蛋白胜肽之序列係選自由SEQ ID NO：1、SEQ ID NO：2、SEQ ID NO：3以及SEQ ID NO：4所構成之群組。
  2. 如請求項1所述之α-突觸核蛋白感測薄膜，其中該導電基板為一氧化銦錫基板。
  3. 如請求項1所述之α-突觸核蛋白感測薄膜，該α-突觸核蛋白感測薄膜的電流密度介於2~500mA。
  4. 一種製備α-突觸核蛋白感測薄膜的方法，係將一α-突觸核蛋白胜肽與一高分子聚合物單體混合，並以電聚合方法聚合於一導電基板上，其中該α-突觸核蛋白胜肽序列係選自由SEQ ID NO：1、SEQ ID NO：2、SEQ ID NO：3以及SEQ ID NO：4所構成之群組，其中該高分子聚合物單體為3,4-亞乙基二氧噻吩以及羥甲基3,4-二氧乙基噻吩單體其中至少之一者。
  5. 如請求項4所述之製備α-突觸核蛋白感測薄膜的方法，其中該導電基板為一氧化銦錫基板。
  6. 一種偵測α-突觸核蛋白的方法，係將一待測樣本與一α-突觸核蛋白感測薄膜反應，以偵測該待測樣本中的α-突觸核蛋白，其中該α-突觸核蛋白感測薄膜包含一基板以及一聚合於該基板上的複數個α-突觸核蛋白辨識聚合 物，且其中每一該α-突觸核蛋白辨識聚合物表面具有複數個可辨識α-突觸核蛋白之微孔洞，其中該α-突觸核蛋白感測薄膜的該基板為一導電基板，且該α-突觸核蛋白辨識聚合物之製備方法為將一α-突觸核蛋白胜肽與一高分子聚合物單體混合，並以電聚合方法聚合於該導電基板上，其中該高分子聚合物單體為3,4-亞乙基二氧噻吩以及羥甲基3,4-二氧乙基噻吩單體其中至少之一者，且該α-突觸核蛋白胜肽的序列係選自由SEQ ID NO：1、SEQ ID NO：2、SEQ ID NO：3以及SEQ ID NO：4所構成之群組。
  7. 如請求項6所述之偵測α-突觸核蛋白的方法，其中該待測樣本為一血液樣本、一尿液樣本、一唾液樣本、一腦脊液樣本其中至少之一者。
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