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TWI745781B - 半導體晶圓的評估方法及製造方法以及半導體晶圓製造步驟管理方法 - Google Patents

半導體晶圓的評估方法及製造方法以及半導體晶圓製造步驟管理方法 Download PDF

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TWI745781B
TWI745781B TW108140612A TW108140612A TWI745781B TW I745781 B TWI745781 B TW I745781B TW 108140612 A TW108140612 A TW 108140612A TW 108140612 A TW108140612 A TW 108140612A TW I745781 B TWI745781 B TW I745781B
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村上雅大
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日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司
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Abstract

提供可判別研磨晶圓的研磨面上存在的缺陷．異物的種類的新評估方法。 半導體晶圓的評估方法，係具有研磨面的半導體晶圓的評估方法，包括洗淨步驟，利用一種以上的洗淨液洗淨上述半導體晶圓；並包括，分別在上述洗淨步驟之前及之後，利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD，根據上述測量得到的測量結果並依照表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類。 表A 測量結果 缺陷或異物的種類 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X>Y關係的LPD PID 上述洗淨步驟前檢出而上述洗淨步驟後未檢出的LPD 通常微粒 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X≧Y關係的LPD 黏附微粒

Description

半導體晶圓的評估方法及製造方法以及半導體晶圓製造步驟管理方法
本發明，係有關於半導體晶圓的評估方法及製造方法以及半導體晶圓製造步驟管理方法，詳細係關於具有研磨面的半導體晶圓的評估方法及製造方法以及具有研磨面的半導體晶圓製造步驟管理方法。
作為評估半導體晶圓的裝置，普遍使用雷射表面檢查裝置(例如參照專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 專利公開第2016-212009號公報
[發明所欲解決的課題]
根據雷射表面檢查裝置的評估，係入射光至評估對象的半導體晶圓表面，透過檢出來自此表面的放射光(散射光及反射光)，評估半導體晶圓的缺陷．異物的有無、大小。
半導體晶圓中，研磨晶圓(polished wafer)，係經過包含研磨步驟的各種步驟製造的半導體晶圓，其表面(最表面)係研磨面。在此所謂的研磨面，係施加鏡面研磨(也稱作鏡面最後加工。)的面。研磨面上，能夠存在各種缺陷．異物。因為這些缺陷．異物的產生原因不同，用以降低的對策(再加工、步驟管理)也不同。因此，如果可以判別研磨面上存在的缺陷．異物的種類，透過施行對應種類的對策，可以提供缺陷、異物少的研磨晶圓。
本發明的一形態，目的在於提供可判別研磨晶圓的研磨面上存在的缺陷．異物的種類之新評估方法。 [用以解決課題的手段]
研磨晶圓的研磨面上存在的缺陷．異物，一般，大致分成微粒(Particle)與PID(Polished Induced Defect(研磨感應缺陷))。微粒係附著於研磨面上的異物，PID係研磨步驟中導入的凸狀缺陷。因為微粒是研磨面表面上附著的異物，以往，認為透過對半導體晶圓通常施加的洗淨處理可以輕易除去。相對於此，因為PID是缺陷，不能透過這樣的洗淨處理除去。於是，為了判別微粒與PID，認為將某洗淨步驟前測量為LPD(Light Point Defect(光點缺陷))，而其洗淨步驟後沒測量為LPD之物判別為微粒，將其洗淨步驟之前及之後都測量為LPD之物判別為PID。但是，在本發明者們的反覆研討中，新發現例如重複使用相同洗淨液，由於洗淨液惡化，某洗淨步驟的洗淨力下降時，產生其洗淨步驟後殘留的微粒數量增加的現象。關於這點，本發明者們，決定分類以某洗淨步驟(研討對象步驟)除去的微粒為「通常微粒(Normal Particle)」而某洗淨步驟後殘留的微粒為「黏附微粒(Firmly-adherent Particle)」。可以判別通常微粒與黏附微粒的話，例如經由以黏附微粒數量為指標等，可以偵測出某洗淨步驟的洗淨力下降，例如，可以掌握應交換其洗淨步驟使用的洗淨液的時期。但是，某洗淨步驟後測量為LPD的缺陷．異物，不限於黏附微粒，也可能是PID。因此，如上述，為了偵測出洗淨步驟的洗淨力下降，也要求可以判別黏附微粒與PID。 有鑑於上述，本發明者們，為了判別PID、通常微粒與黏附微粒，更專心反覆研討的結果，完成以下的評估方法。
即，本發明的一形態中， 半導體晶圓的評估方法(以下也僅記載為「評估方法」)，係具有研磨面的半導體晶圓的評估方法，包括洗淨步驟，以一種以上洗淨液洗淨上述半導體晶圓； 包括： 在上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD； 根據以上述測量得到的測量結果，並依照下列判別基準： 表A
測量結果 缺陷或異物的種類
上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X>Y關係的LPD PID
上述洗淨步驟前檢出而上述洗淨步驟後未檢出的LPD 通常微粒
上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X≧Y關係的LPD 黏附微粒
判別測量為LPD的缺陷或異物的種類。
「通常微粒」，同上述，係以某洗淨步驟(研討對象的洗淨步驟)的洗淨可以除去的異物。上述評估方法中，判別上述洗淨步驟前檢出但上述洗淨步驟後未檢出的LPD為「通常微粒」。 相對於此，上述洗淨步驟未除去的缺陷．異物，係「黏附微粒」及「PID」。因為上述洗淨步驟中未除去，都測量為LPD。 但是，根據本發明者們的研討，判明「黏附微粒」係洗淨步驟之前及之後檢出尺寸不變或洗淨步驟後檢出尺寸變小。推測理由為，黏附微粒，由於洗淨步驟，其一部分有時溶解變小。 另一方面，根據本發明者們的研討，也判明「PID」與黏附微粒不同，洗淨步驟後的檢出尺寸變得比洗淨步驟前的檢出尺寸大。推測理由為以洗淨步驟蝕刻研磨面之際PID起了像光罩的作用選擇性留下。 根據以以上本發明者們的研討新判明的現象為基礎決定的上述表A中所示的判別基準，可以判別「PID」、「通常微粒」及「黏附微粒」。結果，例如，可以偵測出洗淨步驟的洗淨力下降。藉此，可以判斷洗淨液交換的必要性及是否應再洗淨洗淨步驟後的半導體晶圓。還有，例如根據以測量為LPD的PID數量作為指標等，可以判定再研磨必要性及是否需要研磨步驟的步驟管理。
一形態中，上述洗淨步驟，可以是一種以上的無機酸含有洗淨液的洗淨步驟。
一形態中，上述洗淨步驟，可以包含HF洗淨與SC-1洗淨。
本發明的一形態，關於具有研磨面的半導體晶圓製造方法(以下，也僅記載為「製造方法」)，包括： 對半導體晶圓施行鏡面研磨，形成研磨面； 進行以一種以上的洗淨液洗淨形成上述研磨面的半導體晶圓的洗淨步驟； 上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD；以及 根據上述測量得到的測量結果並依照上述表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類； 更包括： 將根據上述判別結果判定為良品的半導體晶圓作為製品提交給用以出貨的準備步驟。
一形態中，上述製造方法可以更包括將上述判別結果，判定為不良品的半導體晶圓提交給再加工步驟，以及將上述再加工步驟後的半導體晶圓作為製品提交給用以出貨的準備步驟。
一形態中，上述再加工步驟，可以是從研磨步驟及洗淨步驟構成的群組中選擇的至少1個步驟。
本發明的一形態係關於半導體晶圓製造步驟管理方法(以下，也僅記載為「管理方法」)，其中， 管理對象的製造步驟，包括： 研磨步驟，對半導體晶圓施行鏡面研磨，形成研磨面；以及 洗淨步驟，以一種以上的洗淨液洗淨形成上述研磨面的半導體晶圓； 包括： 上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD；以及 根據上述測量得到的測量結果並依照上述表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類； 更包括： 根據上述判別結果，判定上述研磨步驟的管理及上述洗淨步驟的管理中一方或兩方的必要性。
一形態中，上述洗淨步驟的管理，可以包含交換一種以上在上述洗淨步驟中使用的洗淨液。 [發明效果]
根據本發明的一形態，可以判別研磨晶圓的研磨面上存在的各種缺陷．異物的種類。
[半導體晶圓的評估方法] 本發明的一形態，係關於有研磨面的半導體晶圓的評估方法，包括洗淨步驟，利用一種以上的洗淨液洗淨上述半導體晶圓；包括，分別在上述洗淨步驟之前及之後，利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD，根據上述測量得到的測量結果並依照表A所示的判別基準，判定測量為LPD的缺陷或異物的種類。 以下，關於上述評估方法，更詳細說明。
>評估對象的半導體晶圓> 根據上述評估方法評估的半導體晶圓，係具有研磨面(施行鏡面研磨的面)的半導體晶圓，即研磨晶圓。上述半導體晶圓，可以是矽晶圓等各種半導晶圓。其直徑，例如可以是200mm(毫米)、300mm或450mm，不特別限定。
>洗淨步驟> 上述評估方法中，關於評估對象的半導體晶圓，施行洗淨步驟之前及之後，分別實施雷射表面檢查裝置的LPD測量。這些2次LPD測量之間實施的洗淨步驟，係利用一種以上的洗淨液洗淨上述半導體晶圓的洗淨步驟。如此的洗淨步驟中，作為洗淨液，可以使用含有一種以上無機酸的洗淨液等通常用於半導體晶圓洗淨的一種或二種以上的洗淨液。作為無機酸含有洗淨液，可以舉出含有氟化氫(HF)、H2 O2 (過氧化氫)、鹽酸、硫酸、硝酸等一種以上無機酸的水溶液。洗淨液的無機酸濃度，可以是半導體晶圓的洗淨中通常使用的濃度，不特別限定。一形態中，2次LPD測量之間實施的洗淨步驟，可以包含HF洗淨與SC-1洗淨。所謂「HF洗淨」，係利用氫氟酸(氟化氫的水溶液)的洗淨處理，氫氟酸的氟化氫濃度，例如可以是0.05〜5質量%。所謂「SC-1洗淨(標準洗淨-1)」，係混合氨水、雙氧水及H2 O的SC1液的洗淨處理。氨水的氨濃度，例如可以是25〜35質量%，雙氧水的H2 O2 濃度，例如可以是25〜35質量%。關於SC1液的氨水、雙氧水及H2 O的混合比，例如，以雙氧水的體積為基準(為1)，可以是氨水的體積0.1〜1，水的體積5〜15。又，洗淨，可以透過浸泡晶圓在各洗淨液中實行。各洗淨液內的晶圓浸泡時間，例如可以是0.5〜10分，根據要求的洗淨水準決定即可，不特別限定。
>LPD測量> LPD測量，利用雷射表面檢查裝置實行。作為雷射表面檢查裝置，也稱作光散射式表面檢查裝置、面檢機等用以檢查半導體晶圓表面的裝置，無任何限制可以使用眾所周知的構成的雷射表面檢查裝置。雷射表面檢查裝置，通常以雷射光掃描評估對象的半導體晶圓表面，利用放射光(散射光或反射光)檢出晶圓表面的缺陷．異常為LPD。又，透過測量來自LPD的放射光，可以辨識缺陷．異常的尺寸、位置。作為雷射光，可以使用紫外線、可見光等，其波長不特別限定。所謂紫外線，係指不到400nm的波長區的光，可見光係指400〜600nm的波長區的光。雷射表面檢查裝置的解析部，通常根據標準粒子尺寸與標準粒子帶來的LPD尺寸的相關式，轉換雷射表面檢查裝置檢出的LPD尺寸為缺陷．異常的尺寸。實行如此的轉換的解析部，通常包含裝載轉換軟體的PC(個人電腦)，解析部的構成是眾所周知的。所謂表A中記載的檢出尺寸，可以是LPD尺寸，也可以是如上述轉換的缺陷．異常的尺寸。作為市售的雷射表面檢查裝置的具體例，可以舉出KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP1、SP2、SP3、SP5等。但是這些裝置是例示，也可以使用其它的雷射表面檢查裝置。
>缺陷．異常的判別> 上述評估方法中，根據上述洗淨步驟之前及之後分別實施的LPD測量結果，依照下列表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷．異物的種類。關於與此點有關的本發明者們的研討細節，與先前記載相同。
[表2] 表A
測量結果 缺陷或異物的種類
上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X>Y關係的LPD PID
上述洗淨步驟前檢出而上述洗淨步驟後未檢出的LPD 通常微粒
上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X≧Y關係的LPD 黏附微粒
根據以上說明的上述評估方法，可以判別「PID」、「通常微粒」與「黏附微粒」。
[半導體晶圓的製造方法] 本發明的一形態，係關於具有研磨面的半導體晶圓即研磨晶圓的製造方法，包括： 對半導體晶圓施行鏡面研磨，形成研磨面； 實行洗淨步驟，以一種以上的洗淨液洗淨形成上述研磨面的半導體晶圓； 上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD；以及 根據上述測量得到的測量結果並依照上述表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類； 更包括： 將根據上述判別結果判定為良品的半導體晶圓作為製品提交給用以出貨的準備步驟。
研磨晶圓，利用包括來自矽單結晶鑄塊等半導體鑄塊的晶圓切斷(切割)、去角加工、粗研磨(例如lapping)、蝕刻、鏡面研磨(最後加工研磨)、以及上述加工步驟間或加工步驟後實行的洗淨步驟之製造步驟可以製造。上述製造方法中，研磨晶圓的研磨面(施行鏡面研磨的面)中，在洗淨步驟之前及之後分別實施LPD測量。關於如此的洗淨步驟，可以參照有關上述評價方法中洗淨步驟的先前記載。又，一形態中，LPD測量前實行的洗淨步驟前，更包含洗淨步驟也可以。關於可以更包含的洗淨步驟，也可以參照上述評估方法中洗淨步驟之先前記載。
上述製造方法中，根據LPD測量之前及之後實施的LPD測量的測量結果並依照表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類。於是，將根據這樣得到的判別結果判定為良品的半導體晶圓作為製品提交給用以出貨的準備步驟。良品判定的判定基準，不特別限定，根據上述2次LPD測量之間實行的洗淨步驟要求的洗淨水準及製品半導體晶圓要求的PID降低水準，可以任意設定。透過這樣進行良品判定，可以穩定供給市場微粒或PID少的半導體晶圓。又，上述製造方法中，直到研磨晶圓的出貨為止實行的一連串製造步驟中，透過作為非破壞檢查進行可實施的LPD測量，可以實行良品判定。作為用以出貨為製品半導體晶圓的準備，例如可以舉出更進一步的洗淨步驟等後步驟、捆包等。
另一方面，根據上述判別結果判定為不良品的半導體晶圓，可以提交給再加工步驟。例如，因為判別為PID的LPD數量超過良品容許的水準，關於判定為不良品的半導體晶圓，作為再加工步驟實施研磨步驟，可以降低PID。又，因為判別為黏附微粒的LPD數量超過良品容許的水準，關於判定為不良品的半導體晶圓，作為再加工步驟實施洗淨步驟，可以降低黏附微粒。於是，判定為不良品的半導體晶圓，經過再加工步驟後，透過提交給作為製品用以出貨的準備步驟，可以穩定供給市場微粒、PID少的半導體晶圓。關於作為再加工步驟實施的研磨步驟及洗淨步驟，可以應用有關半導體晶圓的研磨、洗淨的眾所周知的技術。
[半導體晶圓的製造步驟管理方法] 本發明的一形態，係關於半導體晶圓的製造步驟管理方法，其中管理對象的製造步驟，包括：研磨步驟，對半導體晶圓施行研磨處理，形成研磨面；以及洗淨步驟，以一種以上的洗淨液洗淨形成上述研磨面的半導體晶圓；包括：上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD；以及根據上述測量得到的測量結果，依照上述表A所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類；更包括：根據上述判別結果，判定上述研磨步驟的管理及上述洗淨步驟的管理中一方或兩方的必要性。
上述管理對象製造步驟，可以是作為研磨晶圓製造步驟通常實行的製造步驟。於是上述管理方法中，將管理對象製造步驟中製造的研磨晶圓在上述洗淨步驟之前及之後分別提交給LPD測量。關於如此的洗淨步驟，可以參照有關上述評估方法中的洗淨步驟之先前記載。又，一形態中，LPD測量前實行的洗淨步驟前，更包含洗淨步驟也可以。關於可以更包含的洗淨步驟，也可以參照有關上述評價方法中的洗淨步驟之先前記載。 關於洗淨步驟，可以參照有關洗淨步驟的先前記載。又，一形態中，LPD測量前實行的洗淨步驟前，更包含洗淨步驟也可以。關於可以更包含的洗淨步驟，也可以參照有關洗淨步驟之先前記載。
上述研磨步驟的管理中，包括研磨液的交換、研磨液的組成改變、研磨墊的交換、研磨墊的種類改變、研磨裝置的運轉條件改變等各種研磨條件改變。上述洗淨步驟的管理中，包括洗淨液的交換、洗淨液的組成改變、洗淨時間的改變、洗淨次數的改變、洗淨裝置的運轉條件改變等各種洗淨條件改變。
上述管理方法中，根據分別在LPD測量之前及之後實施的LPD測量的測量結果，並依照上述表A中所示的判別基準，判別測量為LPD的缺陷或異物的種類。於是，根據這樣得到的判別結果，判定上述研磨步驟的管理及上述洗淨步驟的管理中一方或兩方的必要性。例如，判別為PID的LPD數量超過良品容許的水準的話，判定需要研磨步驟的管理，透過實施研磨步驟的管理，研磨步驟的管理後，能夠製造PID少的研磨晶圓。另一方面，判別為黏附微粒的LPD數量超過良品容許的水準的話，判定需要洗淨步驟的管理，透過實施洗淨液的交換等洗淨步驟的管理，洗淨步驟的管理後，能夠製造微粒少的研磨晶圓。
[實施例]
以下，根據實施例進一步說明本發明。但是，本發明不限定於實施例所示的形態。
以下，作為雷射表面檢查裝置，使用KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP5。KLA TENCOR公司製Surfscan系列SP5的入射系統是1個，作為1入射系統具有對評估對象晶圓表面將入射光斜入射的紫外線源。作為受光系統，具有稱作DNO(Dark-Field Narrow Oblique(暗場窄傾斜))通道、DW1O(Dark-Field Wide 1 Oblique(暗場寬1傾斜))通道、及DW2O(Dark-Field Wide 2 Oblique(暗場寬2傾斜))通道的3個受光系統。DW1O通道及DW2O通道，係對DNO通道低角度側的受光系統。以下的LPD測量，使用DW1O通道作為受光系統實行，也可以使用DNO通道及DW2O通道。
以下，對評估對象的研磨晶圓的研磨面全區掃描入射光，檢出缺陷．異常作為LPD，而且根據LPD的尺寸，上述雷射表面檢查裝置配備的解析部中實行尺寸轉換，算出缺陷．異常的尺寸(檢出尺寸)。
以下記載的HF洗淨，係利用氟化氫濃度0.05〜5質量%的氫氟酸的洗淨，以下記載的SC-1洗淨，係利用氨濃度25〜35質量%的氨水：H2 O2 濃度25〜35質量%的雙氧水：H2 O=0.5：1：10(體積比)的SC1溶液的洗淨。各洗淨，透過浸泡洗淨對象的晶圓全體在各洗淨液中分別0.5〜10分實施。
準備具有施行鏡面研磨形成的研磨面之矽單結晶晶圓(直徑300mm的研磨晶圓)，提交此研磨晶圓給第一洗淨步驟(依序實施HF洗淨與SC-1洗淨)。 關於第一洗淨步驟後的研磨晶圓的研磨面，利用雷射表面檢查裝置實行第1次的LPD測量。 將第1次LPD測量後的研磨晶圓，提交給第二洗淨步驟(依序實施HF洗淨與SC-1洗淨)。 關於第二洗淨步驟後的研磨晶圓的研磨面，利用雷射表面檢查裝置實行第2次LPD測量。 以SEM(Scanning Electron Microscope(掃描電子顯微鏡))觀察第2次LPD測量後的研磨晶圓的研磨面，分類研磨面上的缺陷．異常為PID與微粒。根據SEM的形態觀察可以判別PID與微粒。
根據LPD座標資料，分別明確指定根據第1次LPD測量檢出但根據第2次LPD測量未檢出的LPD以及根據第1次LPD測量及第2次LPD測量的兩測量檢出的LPD，按照表A所示的判別基準，判別各種LPD為PID、黏附微粒及通常微粒中哪個。 又，根據SEM觀察的缺陷．異物的判別，以LPD座標資料與SEM觀察的缺陷．異物的位置特定及種類的判別結果為基礎，按照以下判別基準，實行PID、黏附微粒及通常微粒的判別。分類第1次LPD測量檢出為LPD但上述SEM觀察未檢出的為「通常微粒」。以第1次LPD測量及第2次LPD測量兩測量檢出為LPD的缺陷．異物中，根據上述SEM觀察判別為微粒的，分類至「黏附微粒」。以第1次LPD測量及第2次LPD測量兩測量檢出為LPD的缺陷．異物中，根據上述SEM觀察判別為PID的，分類至「PID」。 對比根據LPD測量得到的結果與根據SEM觀察測量得到的結果後，確認根據SEM觀察分類為PID的缺陷．異常的86.5%以LPD測量也分類為PID，根據SEM觀察分類為黏附微粒的缺陷．異常的96.4%以LPD測量也分類為黏附微粒，根據SEM觀察分類為通常微粒的缺陷．異常的99.3%以LPD測量也分類為通常微粒。 根據以上結果，根據利用表A所示的判別基準的上述評價方法，可以確認可以精確判別LPD、黏附微粒及通常微粒。研磨面上存在的缺陷．異常分別以SEM形態觀察，為了判別其種類，需要長時間。相對於此，以雷射表面檢查裝置的LPD測量為基礎的判別，可以不需要那麼長的時間實行。 [產業上的利用可能性]
本發明，在研磨晶圓的製造領域中是有用的。
無。
無。

Claims (8)

  1. 一種半導體晶圓的評估方法，其中，評估對象的半導體晶圓係具有研磨面的半導體晶圓，半導體晶圓的評估方法包括： 洗淨步驟，以一種以上洗淨液洗淨上述半導體晶圓； 以及包括： 在上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD， 根據以上述測量得到的測量結果，並依照下列判別基準： [表1] 表A 測量結果 缺陷或異物的種類 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X>Y關係的LPD PID 上述洗淨步驟前檢出而上述洗淨步驟後未檢出的LPD 通常微粒 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X≧Y關係的LPD 黏附微粒
    判別測量為LPD的缺陷或異物的種類。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的評估方法，其中， 上述洗淨步驟，係利用一種以上的無機酸含有洗淨液的洗淨步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的半導體晶圓的評估方法，其中， 上述洗淨步驟，包括HF洗淨與SC-1洗淨。
  4. 一種具有研磨面的半導體晶圓的製造方法，包括： 對半導體晶圓施行鏡面研磨，形成研磨面的研磨步驟； 以一種以上的洗淨液洗淨形成上述研磨面的半導體晶圓的洗淨步驟； 上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD；以及 根據上述測量得到的測量結果，並依照下列判別標準： [表2] 表A 測量結果 缺陷或異物的種類 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X>Y關係的LPD PID 上述洗淨步驟前檢出而上述洗淨步驟後未檢出的LPD 通常微粒 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X≧Y關係的LPD 黏附微粒
    判別測量為LPD的缺陷或異物的種類； 更包括： 將根據上述判別結果判定為良品的半導體晶圓作為製品提交給用以出貨的準備步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的半導體晶圓的製造方法，其中， 將上述判別結果，判定為不良品的半導體晶圓提交給再加工步驟，以及將上述再加工步驟後的半導體晶圓作為製品提交給用以出貨的準備步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體晶圓的製造方法，其中， 上述再加工步驟，係從研磨步驟及洗淨步驟構成的群組中選擇的至少1個步驟。
  7. 一種半導體晶圓的製造步驟管理方法，其中， 管理對象的製造步驟，包括： 研磨步驟，對半導體晶圓施行鏡面研磨，形成研磨面；以及 洗淨步驟，以一種以上的洗淨液洗淨形成上述研磨面的半導體晶圓； 包括： 上述洗淨步驟之前及之後分別利用雷射表面檢查裝置測量上述研磨面的LPD；以及 根據上述測量得到的測量結果並依照下列判別基準： [表3] 表A 測量結果 缺陷或異物的種類 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X>Y關係的LPD PID 上述洗淨步驟前檢出而上述洗淨步驟後未檢出的LPD 通常微粒 上述洗淨步驟前的檢出尺寸X與上述洗淨步驟後的檢出尺寸Y係滿足X≧Y關係的LPD 黏附微粒
    判別測量為LPD的缺陷或異物的種類； 更包括： 根據上述判別結果，判定上述研磨步驟的管理及上述洗淨步驟的管理中一方或兩方的必要性。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的半導體晶圓的製造步驟管理方法，其中， 上述洗淨步驟的管理，包括交換上述洗淨步驟中使用的一種以上的洗淨液。
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