TWI622121B

TWI622121B - 靜電卡盤、玻璃基板處理方法及其玻璃基板

Info

Publication number: TWI622121B
Application number: TW102142789A
Authority: TW
Inventors: 辰巳良昭; Yoshiaki Tatsumi; 菅原利文; Toshifumi Sugawara
Original assignee: 創意科技股份有限公司; Creative Technology Corporation
Priority date: 2012-11-27
Filing date: 2013-11-25
Publication date: 2018-04-21
Also published as: WO2014083965A1; CN104854692A; US9866151B2; TW201430993A; KR20150088789A; KR102098981B1; JPWO2014083965A1; US20150288302A1; CN104854692B; JP6152994B2

Abstract

本發明提供一種靜電卡盤、玻璃基板處理方法及其玻璃基板，其係將基材予以輕量化且強度化，藉此維持基材之平坦度，並防止被加工板體之落下等，並且能夠對於被加工板體進行高速且高品質的處理。

靜電卡盤1係具備有基材2、及靜電吸附層3。基材2係由底面板20、側面板21至24、以及頂面板25所形成，且在基材2之內部構成有多巢構造部4。多巢構造部4係藉由正六角形筒狀體40所成之蜂巢構造體，而謀求基材2之輕量化、及強度化。靜電吸附層3係利用介電體31、及吸附電極32所構成，且利用接著材30接著在基材2上表面。介電體31係將表面設為玻璃基板W之吸附面的介電體，且在內部收納吸附電極32。

Description

靜電卡盤、玻璃基板處理方法及其玻璃基板

本發明係有關於一種用以保持玻璃基板等被加工板體的靜電卡盤、玻璃基板處理方法及其玻璃基板。

近年來，FPD(flat panel display，平板顯示器)領域中，隨著顯示器的大型化，在顯示器之製程處理步驟中，例如，在G8(第8代)需要有能夠搬運、加工處理2200mm×2500mm之大型的玻璃基板之裝置。

以往，在採用靜電吸附技術而將大型之玻璃基板予以搬運等之裝置中，例如，在蒸鍍玻璃基板之表面的一貫式蒸鍍裝置中，形成數m至數10m左右的長度。

前述之蒸鍍裝置係例如專利文獻1及專利文獻2所揭示，藉由從下方的蒸鍍源朝向大型玻璃基板之表面噴射已沸騰之蒸鍍材料，俾使在玻璃基板表面蒸鍍所希望之電路圖案等。因此，在使業已吸附玻璃基板之靜電吸附裝置整體朝下側旋轉，而使玻璃基板位於下方的狀態下，將玻璃基板搬運至蒸鍍源的正上方。並且，在蒸鍍處理後，將玻璃基板自吸附裝置釋放，而傳遞至下一個步驟。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2011-094196號公報

專利文獻2：日本特開2010-132978號公報

然後，上前述之習知技術中，會有如下述之問題。

在蒸鍍裝置所使用之靜電吸附裝置，係形成在由沉重的實心之鋁合金等所構成的基材上設置藉由熔射等所形成之靜電吸附層之構造。該靜電吸附裝置雖在將玻璃基板予以吸附於裝置上表面的狀態下進行搬運，惟搬運係藉由使支持裝置之基材之兩端部之軸體移動而進行。並且，在蒸鍍源之正前方，使軸體旋轉，藉此使靜電吸附裝置與玻璃基板一體地朝下側旋轉，在保持這樣的狀態下，使之通過蒸鍍源正上方。

換言之，在蒸鍍裝置等之製程處理裝置中，由於需要利用軸體將非常沉重的靜電吸附裝置予以支持而使之搬運或旋轉的構造，因此會導致使裝置整體更大型化之問題。

此外，因靜電吸附裝置非常地沉重，故當利用軸體將靜電吸附裝置予以支持而使之搬運或旋轉時，會有很大的負載施加在軸體與基材的支持點。因此，基材會翹曲而使靜電吸附裝置整體之平坦度惡化，亦有無法在將玻璃基板保持成預定之平坦度的狀態下進行搬運之問題。

進而，在靜電吸附裝置之平坦度不良之狀態下，當使靜電吸附裝置及玻璃基板一體地朝下側旋轉時，會有使高價之玻璃基板自靜電吸附裝置脫落的疑慮。當玻璃基板落下並破裂時，玻璃片會形成粒子而飛散。結果，會有蒸鍍裝置內部受到污染而不得不使裝置停止，導致生產性降低的疑慮。此外，即便玻璃基板未落下之情形時，亦因在平坦度不良之玻璃基板執行蒸鍍，故會有產生蒸鍍(含膜厚)不均勻、電路圖案偏移等的疑慮。

本發明為有鑑於前述之課題所開發者，其目的在於提供一種靜電卡盤、玻璃基板處理方法及其玻璃基板，將基材予以輕量化且強度化，藉此維持基材的平坦度，來防止被加工板體之落下等，並且能夠對被加工板體進行高速且高品質之處理。

為了解決前述課題，申請專利範圍第1項之發明係構成一種靜電卡盤，其具備有靜電吸附層、及基材，該靜電吸附層係具有將表面設為被加工板體之吸附面的介電體、及配置於該介電體內部的吸附電極，而該基材係在其上表面配設有該靜電吸附層；其中，基材係具備有底面板、多巢構造部、以及側面板，該多巢構造部係在使複數個多角形筒狀體或者圓形筒狀體豎立於該底面板上之狀態下鋪滿而形成者，而該側面板係覆蓋該多巢構造部之側面。

根據這樣的構成，將玻璃基板等被加工板體載置於靜電吸附層之表面，當對吸附電極通電時，藉由產生在被加工板體與靜電吸附層表面的靜電力，使被加工板體吸附在靜電吸附層表面。

在這樣的狀態下，藉由利用軸體等支持構件支持基材的兩端部，即能夠與靜電卡盤一體地搬運被加工板體。

然而，當靜電卡盤之基材由沉重之實心的鋁合金等所形成時，極大的負載會施加於支持軸體之兩端部的部分，會使基材產生翹曲之疑慮。

然而，在本發明中，由於基材係以底面板、在該底面板上鋪滿複數個多角形筒狀體或者圓形筒狀體而形成的多巢構造部、以及覆蓋該多巢構造部之側面的側面板所構成，而形成非常輕量且具有強度之構造，故使靜電卡盤本身輕盈。

因此，即使在利用軸體支持基材之兩端部的狀態下對業已吸附被加工板體之靜電卡盤進行搬運、或使之旋轉的情形時，負載亦幾乎不會施加在支持於軸體之基材兩端部的部分。因此，幾乎不會有使基材產生翹曲之疑慮。

申請專利範圍第2項之發明係構成在申請專利範圍第1項所述之靜電卡盤中，多巢構造部係呈將三角形筒狀體、四角形筒狀體或者六角形筒狀體之任一者予以無間隙地鋪滿在底面板上之構造。

根據這樣的構成，能夠既維持基材之輕量性且提高強度。

申請專利範圍第3項之發明係構成在申請專利範圍第1項或申請專利範圍第2項所述之靜電卡盤中，靜電吸附層係直接黏貼在基材之多巢構造部的上表面。

申請專利範圍第4項之發明係構成在申請專利範圍第1項至申請專利範圍第3項中任一項所述之靜電卡盤中，在基材之底面板設置流體供應口，該流體供應口係與複數個多角形筒狀體或圓形筒狀體中至少1個多角形筒狀體或圓形筒狀體之下開口連通；在底面板且為與流體供應口相異的位置設置流體排出口，該流體排出口係與至少1個多角形筒狀體或圓形筒狀體之下開口連通；在下開口與流體供應口連通之多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁，設置用以使來自流體供應口之流體流出至相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體的連通孔，並且在下開口與流體排出口連通之多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁，設置供流體自相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體流入的連通孔，並且藉由在其他之多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁，設置供來自相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體之流體流入的一個連通孔、以及用以使流體流出至其他相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體的另一個連通孔，而形成從流體供應口到達至流體排出口之流路。

根據這樣的構成，當從流體供應口供給冷卻用之流體時，流體係流入至下開口與流體供應口連通之多角形筒狀體或圓形筒狀體。並且，流體係從設置於該多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁的連通孔流出至相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體。此後，流體係從相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體通過一個連通孔而流入至其他之多角形筒狀體或圓形筒狀體，且通過另一個連通孔而流出至其他之相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體。流體係對於複數個其他之多角形筒狀體或圓形筒狀體反覆進行流入、流出，最後，流入至下開口與流體排出口連通之多角形筒狀體或圓形筒狀體，且從流體排出口排出至外部。

換言之，根據本發明之靜電卡盤，流體係流通於從流體供應口通過複數個多角形筒狀體或圓形筒狀體而到達流體排出口之流路內，而使基材上表面的靜電吸附層藉由該流體而冷卻。

申請專利範圍第5項之發明係構成在申請專利範圍第4項所述之靜電卡盤中，在各多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁的最上部設置連通孔。

根據這樣的構成，從流體供應口所供給之流體係通過連通孔而流通在複數個多角形筒狀體或圓形筒狀體間。此時，當空氣存在於多角形筒狀體或圓形筒狀體內時，空氣會藉由受流體而推升至多角形筒狀體或圓形筒狀體之上部，而有滯留之疑慮。當空氣滯留在多角形筒狀體或圓形筒狀體之上部時，形成空氣介在於靜電吸附層與流體之間之狀態，使由流體對靜電吸附層之冷卻作用降低。

然而，在本發明之靜電卡盤中，由於將連通孔設置於各多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁的最上部，故多角形筒狀體或圓形筒狀體上部之空氣係隨著流體一同通過連通孔而沖刷至流體排出口側。因此，不會產生空氣滯留在多角形筒狀體或圓形筒狀體之上部的情事，能夠有效地冷卻靜電吸附層。

申請專利範圍第6項之發明之玻璃基板處理方法係構成具備有：利用如申請專利範圍第1項至申請專利範圍第5項中任一項所述之靜電卡盤之表面吸附玻璃基板的第1過程；支持業已吸附玻璃基板之靜電卡盤之基材之兩側端部的第2過程；在支持靜電卡盤之狀態下，以使玻璃基板朝向下側之方式使靜電卡盤整體朝下方旋轉的第3過程；以及自玻璃基板之下方，進行玻璃基板表面之處理的第4過程。

根據這樣的構成，執行第1過程，藉此利用靜電卡盤之表面吸附玻璃基板，然後執行第2過程，藉此支持業已吸附玻璃基板之靜電卡盤之基材的兩側端部。

如此，當支持靜電卡盤之基材兩端部時，有很大的負載會施加在該部分，而有使基材產生翹曲之疑慮。然而，在本發明中，由於採用申請專利範圍第1項至申請專利範圍第3項中任一項所述之靜電卡盤來作為用以吸附玻璃基板之靜電卡盤，故靜電卡盤本身非常輕盈。因此，即便在利用軸體支持靜電卡盤基材之兩端部的狀態下進行搬運等，幾乎不會施加負載，而不會有使基材產生翹曲之疑慮。

於是，執行第3過程，藉此在支持靜電卡盤的狀態下，以使玻璃基板朝向下側之方式使靜電卡盤整體朝下方旋轉。

此時，由於基材無翹曲，且靜電卡盤之平坦度維持在所希望值，因此在旋轉時，玻璃基板不會自靜電卡盤脫落。結果，玻璃基板亦一面保持所希望之平坦度一面朝向下側。

在這樣的狀態下，執行第4過程，藉此從玻璃基板的下方進行玻璃基板表面之處理。

此時，由於玻璃基板係保持所希望之平坦度，故不會發生蒸鍍(包含膜厚)不均勻、電路圖案偏移等，且能夠進行蒸鍍等之正確的處理。

申請專利範圍第7項之發明之玻璃基板係設為藉由申請專利範圍第6項所述之玻璃基板處理方法所處理過之構成。

如以上詳細地說明，根據申請專利範圍第1項之發明之靜電卡盤，由於將基材予以輕量化且強度化，故即便利用軸體來支持被加工板體吸附狀態的靜電卡盤，並使之搬運及旋轉，亦幾乎不會在靜電卡盤之基材產生翹曲，結果，具有能夠將基材之平坦度保持成所希望值之優越的效果。

根據前述，亦能夠謀求蒸鍍裝置等之裝置整體的小型化及構造簡易化。

並且，由於能夠防止於靜電卡盤旋轉時之被加工板體的落下，故亦能夠防止因被加工板體之損壞而造成之裝置內污染或裝置停止等。

此外，由於能夠將基材之平坦度保持成所希望值，並維持被加工板體之平坦度，故能夠防止蒸鍍等之處理之蒸鍍(包含膜厚)不均勻、電路圖案偏移等之產生。

又，藉由靜電卡盤本身之輕量化，能夠使被加工板體之搬運及旋轉等之動作皆高速化，結果，亦有能夠謀求生產週程時間(tact time)之高速化及生產性之提升的效果。

此外，根據申請專利範圍第2項之發明之靜電卡盤，由於將多巢構造部設為在底面板上無間隙地鋪滿三角形筒狀體、四角形筒狀體或六角形筒狀體之任一者之構造，故具有能夠既維持基材之輕量性且提高強度的效果。

此外，根據申請專利範圍第3項之發明之靜電卡盤，能夠謀求靜電卡盤之更進一步的輕量化。

又，根據申請專利範圍第4項及申請專利範圍第5項之發明之靜電卡盤，藉由流通在多角形筒狀體或圓形筒狀體內之流體，能夠有效地冷卻被加熱之靜電吸附層。

此外，根據申請專利範圍第6項之發明之玻璃基板處理方法，由於能夠一面將玻璃基板保持成預定之平坦度，一面進行玻璃基板之處理，因此具有在蒸鍍等之處理中能夠進行高速且正確之處理的效果。

又，採用輕量之靜電卡盤，藉此能夠使玻璃基板之搬運或旋轉等之動作皆高速化，結果，亦具有能夠謀求生產週程時間之高速化及生產性之提升的效果。

又，根據申請專利範圍第7項之發明之玻璃基板，由於藉由申請專利範圍第6項所述之玻璃基板處理方法所處理，因此具有能夠提供無蒸鍍(包含膜厚)不均勻、電路圖案偏移等之高品質的玻璃基板的效果。

1、1’、1”‧‧‧靜電卡盤

2‧‧‧基材

3‧‧‧靜電吸附層

4‧‧‧多巢構造部

5‧‧‧流路

20‧‧‧底面板

21至24‧‧‧側面板

25‧‧‧頂面板

30‧‧‧接著材

31‧‧‧介電體

32‧‧‧吸附電極

33‧‧‧直流電源

34‧‧‧開關

40、40-1至40-n+1、40-n、40-n-1‧‧‧正六角形筒狀體

41‧‧‧圓形筒狀體

42‧‧‧正三角形筒狀體

43‧‧‧正四角形筒狀體

50‧‧‧流體供應口

51、52‧‧‧流體排出口

61至66‧‧‧連通孔

100‧‧‧軸體

110‧‧‧蒸鍍源

111‧‧‧蒸鍍材料

120‧‧‧遮罩

40a-1至40a-3‧‧‧下開口

40b-1至40b-n‧‧‧周壁

L‧‧‧流體

W‧‧‧玻璃基板

第1圖係顯示本發明之第1實施例之靜電卡盤的分解立體圖。

第2圖係靜電卡盤的剖面圖。

第3圖係顯示基材的分解立體圖。

第4圖係顯示正六角形筒狀體的立體圖。

第5圖(a)至(d)係顯示使用靜電卡盤之玻璃基板處理之步驟圖。

第6圖(a)及(b)係顯示利用軸體將基材予以支持之過程的概略俯視圖。

第7圖係顯示本發明之第2實施例之靜電卡盤的剖面圖。

第8圖係顯示本發明之第3實施例之靜電卡盤的剖面圖。

第9圖係用以說明各正六角形筒狀體之連通孔的概略俯視圖。

第10圖係顯示流體之流動的剖面圖。

第11圖係顯示流體之流動的概略俯視圖。

第12圖(a)至(c)係顯示筒狀體之變形例的立體圖。

以下，參照圖式針對本發明之實施方式加以說明。

(第1實施例)

第1圖係顯示本發明之第1實施例之靜電卡盤的分解立體圖，第2圖係靜電卡盤的剖面圖。

如第1圖及第2圖所示，本實施例之靜電卡盤1係具備有基材2、及靜電吸附層3。

第3圖係顯示基材2的分解立體圖，而第4圖係顯示正六角形筒狀體的立體圖。

如第3圖所示，基材2係以底面板20、側面板21至24、以及頂面板25所形成之箱狀體，在該基材2的內部，構成有利用正六角形筒狀體40所構成之多巢構造部4。

如第4圖所示，正六角形筒狀體40係在上下具有開口之正六角形的筒狀體。

如第3圖所示，多巢構造部4係在使如前述之正六角形筒狀體40豎立在底面板20上的狀態下，無間隙地鋪滿而構成之蜂巢構造體。

4片之側面板21至24係氣密地覆蓋該蜂巢構造體之多巢構造部4的側面，1片之頂面板25係氣密地覆蓋多巢構造部4之上表面。

在本實施例中，係利用經Al2O3之陽極氧化膜處理(鋁表面鈍化(alumite)處理)之鋁合金形成多巢構造部4、載置有多巢構造部4之底面板20、側面板21至24、以及頂面板25。

然而，基材2當然亦可由SUS(steel use stainless，不鏽鋼)鐵、銅、鈦、陶瓷(包含ALN、SiC、Al2O3、SiN、氧化鋯(zirconia)、BN、TiC、TiN)之鋁合金以外的素材所形成。

另外，在本實施例中，雖利用鋁表面鈍化處理被覆有絕緣膜，然而例如亦可藉由對Al2O3等之陶瓷進行熔射，而對基材2整體鍍膜，以謀求以其他絕緣膜絕緣。

在第1圖中，靜電吸附層3係用以吸附屬於被加工板體之大型之玻璃基板W的部分，亦如第2圖所示，該靜電吸附層3係藉由接著材30，而接著在基材2之上表面。

具體而言，將接著材30塗佈於基材2之頂面板25(亦塗佈於側面板21至24之上表面)或靜電吸附層3之底面中任一者後，進行加熱，而使接著材30硬化，藉此使靜電吸附層3完全地接著在基材2之上表面。

如此，在本實施例中，接著材30雖使用熱硬化式者，然而即使採用紫外線硬化式者作為接著材30，亦可使靜電吸附層3接著在基材2。

在第1圖中，靜電吸附層3係由介電體31、及吸附電極32所構成。

介電體31係將表面設為玻璃基板W之吸附面的介電體，且在內部收納有吸附電極32。

配置在介電體31內之吸附電極32係如第2圖所示，連接於直流電源33，且將開關34設為導通(ON)，藉此形成通電。

在本實施例中，利用Kapton(註冊商標)等之聚醯亞胺薄膜(polyimide film)形成介電體31。此外，吸附電極32係利用碳印墨

(carbon ink)或Cu(銅)等形成。然而，就吸附電極32而言，除了該等素材之外，亦可採用以SUS、鐵、鎳、銀、白金等為主成分或混合導電性物質(箔體或膏體)來形成。

此外，藉由採用陶瓷，且採用鍍覆有該陶瓷膜之金屬板來作為介電體，亦可構成具有介電體31、及吸附電極32的靜電吸附層3。

又，在本實施例中，如第1圖及第2圖所示，例示庫侖力(Coulomb’force)型之電極作為吸附電極32。然而，亦可將吸附電極32設為梯度電源(GRADIENT POWER)式之交錯型電極，而提高對於玻璃等非導體的吸附力。

以下，針對本實施例之靜電卡盤之使用例加以說明。

另外，該使用例亦為具體地執行本發明之玻璃基板處理方法者。

第5圖係顯示使用靜電卡盤之玻璃基板處理之步驟圖，而第6圖係顯示利用軸體將基材予以支持之過程的概略俯視圖。

如第5圖(a)所示，首先，將玻璃基板W載置於靜電吸附層3之表面，且當將第2圖所示之開關34設為導通(ON)時，使直流電源33施加在吸附電極32，而使吸附電極32形成通電狀態。如此一來，藉由感應在玻璃基板W與靜電吸附層3的靜電力，使玻璃基板W吸附在靜電吸附層3之表面(第1過程之執行)。

在第5圖(a)及第6圖(a)中，符號100係裝設於未圖示之蒸鍍裝置之雙叉狀的軸體，俾能夠將軸體之前端部插入至設置在基材2之兩端部的孔2a。

如第5圖(b)及第6圖(b)所示，在將玻璃基板W吸附在靜電吸附層3表面的狀態下，將軸體100插入至基材2之兩端部的孔2a內，並以軸體100支持靜電卡盤1，藉此能夠與靜電卡盤1一體地搬運玻璃基板W(第2過程之執行)。

如此，當利用軸體100支持靜電卡盤1之基材2兩端部時，在該部分施加有很大的負載，而有使基材2產生翹曲的疑慮。

然而，在本實施例之靜電卡盤1中，由於基材2之內部係構成為多巢構造部4，並且，該多巢構造部4係將正六角形筒狀體40予以無間隙地鋪滿在底面板20上而構成之蜂巢構造體，故極為輕量並且對於側壓縱壓之強度亦高。

因此，由於即便利用軸體100來支持基材2之兩端部，負載亦幾乎不會施加在基材2，故基材2不會翹曲。

並且，如第5圖(c)所示，在支持靜電卡盤1之狀態下，使軸體100旋轉，藉此將靜電卡盤1整體朝向下方，並使玻璃基板W位於下側(第3過程之執行)。

此時，如前所述，由於基材2沒有翹曲，使靜電卡盤1之平坦度維持在所希望值，故玻璃基板W係處於牢固地吸附於靜電吸附層3的狀態。因此，玻璃基板不會自靜電卡盤1脫落。換言之，玻璃基板係一邊保持所希望之平坦度，一邊形成朝下側之狀態。

在這樣的狀態下，如第5圖(d)所示，在利用軸體100支持靜電卡盤1之狀態下，使之通過蒸鍍源110之正上方，藉此進行玻璃基板W的蒸鍍處理(執行第4過程)。

具體而言，在將開孔有電路圖案等之遮罩120配置於玻璃基板W之正下方的狀態下，將蒸鍍材料111自蒸鍍源110朝向靜電卡盤1的玻璃基板W噴射。

此時，由於玻璃基板W係保持所希望之平坦度，故不會發生蒸鍍(包含膜厚)不均勻、電路圖案偏移等，對於玻璃基板W能夠進行正確的蒸鍍處理。

如前述之方式，根據本實施例之靜電卡盤1，由於基材2形成輕量且堅固的構造，故不會因施加在基材2之負載而翹曲，而將平坦度維持在所希望值。結果，能夠防止玻璃基板W之損壞及/或周圍環保之污染等，並且能夠謀求蒸鍍裝置等之裝置整體之小型化或構造簡易化。

進而，藉由靜電卡盤1本身的輕量化，亦能夠令玻璃基板W之搬運及旋轉等之動作高速化，結果，能夠謀求生產週程時間之高速化及生產性之提升。

(第2實施例)

以下，針對本發明之第2實施例加以說明。

第7圖係顯示本發明之第2實施例之靜電卡盤的剖面圖。

如第7圖所示，在本實施例之靜電卡盤1’中，利用底面板20、側面板21至24、及多巢構造部4來構成基材2，並省略頂面板25。

並且，使用接著材30將以陶瓷所形成之靜電吸附層3直接黏貼在無頂面板25之基材2的多巢構造部4之上表面。

如此，由於在基材2之構成上省略頂面板25，而可謀求構件數量的減少，結果，能夠謀求靜電卡盤之更輕量化及廉價化。

由於其他的構成、作用及效果係與前述第1實施例相同，故省略該等之記載。

(第3實施例)

以下，針對本發明之第3實施例加以說明。

第8圖係顯示本發明之第3實施例之靜電卡盤的剖面圖，而第9圖係用以說明各正六角形筒狀體之連通孔的概略俯視圖。

如第8圖所示，在本實施例之靜電卡盤1”中係在多巢構造部4內形成有流路5。

流路5係供冷卻用之流體流通的流路，且從流體供應口50通過多巢構造部4內而到達流體排出口51、52。

具體而言，將流體供應口50設置在基材2之底面板20的中央部，且使之與中央部之正六角形筒狀體40-1的下開口40a-1連通。

並且，將流體排出口51、52設置於底面板20之兩角落部，並使之與兩角落部之正六角形筒狀體40-2、40-3的下開口40a-2、40a-3連通。

與流體供應口50連通之正六角形筒狀體40-1係具有1對連通孔61、62。

亦如第9圖所示，連通孔61、62係設置於正六角形筒狀體40-1之周壁40b-1的最上部，且能夠使來自流體供應口50之流體L通過連通孔61、62而流出至相鄰的正六角形筒狀體40、40之各者。

與流體排出口51(52)連通之正六角形筒狀體40-2(40-3)係具有1個連通孔63(64)。

連通孔63(64)係設置於正六角形筒狀體40-2(40-3)之周壁40b-2(40b-3)的最上部，且能夠使來自相鄰之正六角形筒狀體40的流體L通過該連通孔63(64)而流入至正六角形筒狀體40-2 (40-3)。

正六角形筒狀體40-1至40-3以外之其他的正六角形筒狀體40-n亦具有1對連通孔65、66。

該等連通孔65、66亦設置在正六角形筒狀體40-n之周壁40b-n的最上部。連通孔65係供來自相鄰接之正六角形筒狀體40-n-1之流體L流入的連通孔，且連通孔66係供流體L流出至相鄰之正六角形筒狀體40-n+1的連通孔。另外，第9圖上，與正六角形筒狀體40-1至40-3相鄰之正六角形筒狀體40，亦能夠視為任意之正六角形筒狀體40-n。

以下，針對本實施例之靜電卡盤1”所示之作用及效果加以說明。

第10圖係顯示流體L之流動的剖面圖，而第11圖係顯示流體L之流動的概略俯視圖。

如以第10圖之箭頭所示，當將冷卻水或冷卻氣體等之流體L，從流體供應口50供給至多巢構造部4的正六角形筒狀體40-1時，流體L係通過正六角形筒狀體40-1之連通孔61、62，而流出至相鄰的正六角形筒狀體40、40。

此後，流體L係通過多數個正六角形筒狀體40之連通孔，而到達流體排出口51(52)。換言之，流體L係從相鄰之正六角形筒狀體40-n-1通過連通孔65而流入至任意之正六角形筒狀體40-n，並通過連通孔66而流出至相鄰之正六角形筒狀體40-n+1。並且最後，流體L係到達正六角形筒狀體40-2(40-3)，且從流體排出口51(52)排出至基材2的外部。

換言之，如第11圖所示，流體L係從流體供應口50大致通過全部的正六角形筒狀體40而到達流體排出口51(52)，有效地冷卻底面板20上表面的靜電吸附層3(參照第10圖)。

然而，當空氣存在於正六角形筒狀體40內時，空氣藉由流體L推升至正六角形筒狀體40之上部而滯留。藉此，形成空氣介在於靜電吸附層3與流體L之間之狀態，而有使對靜電吸附層3之冷卻作用降低之疑慮。

因此，如第8圖所示，在本實施例中，將連通孔61至66設置在各正六角形筒狀體40之周壁的最上部，俾能夠使空氣通過連通孔61至66而沖刷至流體排出口51(52)側。

因此，當空氣不滯留在正六角形筒狀體40之上部之情形時、或即使滯留亦不會對靜電吸附層3之冷卻造成影響之情形時，並無須將連通孔61至66設置於正六角形筒狀體40之周壁的最上部。在該情形下，例如當然能夠設置在周壁之中央部或最下部。

由於其他之構成、作用及效果係與前述第1及第2實施例相同，故省略該等之記載。

另外，本發明並未受前述實施例之限制，在發明之主旨的範圍內能夠進行各種的變形及變更。

例如，在前述實施例中，雖將多巢構造部4設為蜂巢構造體，惟就多巢構造部而言，只要將複數個多角形筒狀體或圓形筒狀體鋪滿在基材2之底面板20上之構成即可，並不限定於蜂巢構造體。因此，以蜂巢之方式鋪滿六角形以外之多角形筒狀體、或第12圖(a)所示之圓形筒狀體41的多巢構造部，亦包含在本發明之範圍。

然而，就多巢構造部而言，係以耐側壓縱壓、且能夠對輕量化有所貢獻之構造體為佳。

從這樣之觀點考察後，由於即便以蜂巢之方式將三角形筒狀體、四角形筒狀體或六角形筒狀體以外鋪滿，亦會在相鄰之筒狀體間產生間隙，故強度比不上屬於蜂巢構造體之實施例的多巢構造部4。因此，如第12圖(b)、(c)所示，採用正三角形筒狀體42、正四角形筒狀體43或前述實施例之正六角形筒狀體40，無間隙地鋪滿該等筒狀體而構成多巢構造部者，強度上為最佳。

在前述第3實施例中，雖針對將1個或2個連通孔設置在各正六角形筒狀體40之周壁之例加以說明，惟連通孔的數量為任意。換言之，由於與1個正六角形筒狀體40相鄰接之正六角形筒狀體40的數量為6個，故在該1個正六角形筒狀體40設置3個以上之連通孔，俾能夠與相鄰接之6個正六角形筒狀體40中的3個以上之正六角形筒狀體40連通。

Claims

一種靜電卡盤，係具備有靜電吸附層、及基材，該靜電吸附層係具有將表面設為被加工板體之吸附面的介電體、及配置於該介電體內部的吸附電極，而該基材係在其上表面配設有該靜電吸附層；其中前述基材係具備有底面板、多巢構造部、以及側面板，該多巢構造部係在使複數個多角形筒狀體或圓形筒狀體豎立於該底面板上之狀態下鋪滿而形成者，而該側面板係覆蓋該多巢構造部之側面，在前述基材之底面板設置流體供應口，該流體供應口係與前述複數個多角形筒狀體或圓形筒狀體中之至少1個多角形筒狀體或圓形筒狀體之下開口連通；在前述底面板且為與前述流體供應口相異的位置設置流體排出口，該流體排出口係與至少1個多角形筒狀體或圓形筒狀體之下開口連通；在下開口與前述流體供應口連通之前述多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁，設置用以使來自流體供應口之流體流出至相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體的連通孔，並且在下開口與前述流體排出口連通之前述多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁，設置用以使流體自相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體流入的連通孔，並且藉由在其他之多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁，設置供來自相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體之流體流入的一個連通孔、以及用以使流體流出至其他相鄰之多角形筒狀體或圓形筒狀體的另一個連通孔，而形成從前述流體供應口到達至前述流體排出口之流路。
如申請專利範圍第1項所述之靜電卡盤，其中前述多巢構造部係呈將三角形筒狀體、四角形筒狀體或六角形筒狀體之任一者予以無間隙地鋪滿在前述底面板上之構造。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之靜電卡盤，其中前述靜電吸附層係直接黏貼在前述基材之多巢構造部的上表面。
如申請專利範圍第1項所述之靜電卡盤，其中在前述各多角形筒狀體或圓形筒狀體之周壁的最上部設置前述連通孔。
一種玻璃基板處理方法，係具備有：利用申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之靜電卡盤之表面吸附玻璃基板的第1過程；支持業已吸附玻璃基板之前述靜電卡盤之基材之兩側端部的第2過程；在支持前述靜電卡盤之狀態下，以使玻璃基板朝向下側之方式使靜電卡盤整體朝下方旋轉的第3過程；以及自前述玻璃基板之下方進行玻璃基板表面之處理的第4過程。