TWI612068B - 氫化嵌段共聚物、聚丙烯樹脂組合物以及成形體 - Google Patents

Abstract

本發明之氫化嵌段共聚物係於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)、以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)及以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S)者，且上述氫化嵌段共聚物中，上述聚合物嵌段(C)之含量為1~20質量%，上述聚合物嵌段(B)之含量為69~98質量%，上述聚合物嵌段(S)之含量為1~15質量%，上述聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量為1~25mol%，上述聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量為60~100mol%，上述氫化嵌段共聚物之氫化率為80mol%以上，上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。

Description

氫化嵌段共聚物、聚丙烯樹脂組合物以及成形體

本發明係關於一種氫化嵌段共聚物、以及使用其之聚丙烯樹脂組合物及其成形體。

聚丙烯系樹脂組合物一般情況下耐化學品性、機械特性優異，因此於包裝材料、機械零件、汽車零件等廣泛範圍中使用。又，最近根據針對環境問題之必要性而進行非鹵素系透明高分子材料之開發，特別是於管體、片材、及膜領域中，使用聚丙烯系樹脂，根據用途而提出了使聚丙烯系樹脂軟質化、透明化等之要求。 於專利文獻1中揭示有氫化二烯系共聚物，其係對如下之嵌段共聚物進行高度氫化而成者，上述嵌段共聚物於氫化前包含聚合物嵌段A、B、C，A中乙烯基芳香族為80重量%以上，B包含70重量%以上之共軛二烯化合物，共軛二烯化合物之乙烯基鍵含量高於70重量%，C係乙烯基鍵含量為30重量%以下之聚丁二烯。又，記載有將此種氫化後之嵌段共聚物與丙烯等熱塑性樹脂摻合而成形之成形體於耐熱性、加工性、透明性、剛性、成型外觀之方面優異之意旨。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平7-118335號公報

[發明所欲解決之問題] 對於食品用包裝領域、衣料用包裝領域、以及輸液管及輸液袋等醫療領域中所使用之聚丙烯系樹脂組合物之成形體，要求透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性、表面平滑性等各特性之平衡良好。然而，如專利文獻1中所記載之氫化後之嵌段共聚物於製成聚丙烯成形體，例如管狀、片狀、及膜狀等時之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性、表面平滑性等各特性之平衡方面存在改善之餘地。 本發明係鑒於上述先前技術所具有之課題而成者，其目的在於提供一種氫化嵌段共聚物，該氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失、耐溶劑性優異，進而於應用於聚丙烯樹脂組合物中時，可使其成形體之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性及表面平滑性之平衡良好。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人為了解決上述先前技術之課題而銳意研究並反覆實驗，結果發現藉由具有特定構成之氫化嵌段共聚物可解決上述課題，從而完成本發明。 本發明如下所示。 [1] 一種氫化嵌段共聚物，其係於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)、以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)及以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S)者，且 上述氫化嵌段共聚物中，上述聚合物嵌段(C)之含量為1～20質量%，上述聚合物嵌段(B)之含量為69～98質量%，上述聚合物嵌段(S)之含量為1～15質量%， 上述聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量為1～25 mol%，上述聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量為60～100 mol%， 上述氫化嵌段共聚物之氫化率為80 mol%以上， 上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。 [2] 如[1]之氫化嵌段共聚物，其中上述聚合物嵌段(C)之含量為3～15質量%，聚合物嵌段(C)與聚合物嵌段(S)之含量之合計為6～25質量%。 [3] 如[1]或[2]之氫化嵌段共聚物，其中上述氫化嵌段共聚物含有兩個以上之上述聚合物嵌段(B)， 上述聚合物嵌段(B)中，存在於上述氫化嵌段共聚物之末端的聚合物嵌段(B-1)之含量為1～10質量%。 [4] 如[1]至[3]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中上述聚合物嵌段(C)包含丁二烯，上述聚合物嵌段(B)包含異戊二烯。 [5] 如[1]至[4]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中於上述聚合物嵌段(B)內，以自聚合起始末端側起依序分別成為等質量之方式設為第1區域～第6區域，將該第1區域～第6區域之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H 、最小值設為V_L 時，由V_H －V_L 所獲得之值為10 mol%以下。 [6] 如[1]至[5]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中上述聚合物嵌段(S)之含量為3～10質量%。 [7] 一種氫化嵌段共聚物，其係於分子中含有共軛二烯化合物單元及乙烯基芳香族化合物單元者，且 上述乙烯基芳香族化合物單元之含量為1～15質量%， 上述氫化嵌段共聚物之氫化率為80 mol%以上， 相對於上述共軛二烯化合物單元之合計100 mol%而言，丁烯量及/或丙烯量為50～95 mol%， 上述氫化嵌段共聚物於-20～80℃處具有結晶化之波峰，結晶化熱量為0.1～10 J/g， 上述氫化嵌段共聚物之蕭氏A硬度為15～65， 上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。 [8] 如[1]至[7]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.2以上，且tanδ波峰之半高寬為18℃以下。 [9] 如[1]至[8]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中具有峰值重量平均分子量之2倍以上之重量平均分子量的成分之含有率與具有峰值重量平均分子量之0.5倍以下之重量平均分子量的成分之含有率之合計為15%以下。 [10] 如[1]至[9]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中上述氫化嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為10萬～30萬，上述氫化嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比(Mw)/(Mn)為1.01～1.30。 [11] 如[1]至[10]中任一項之氫化嵌段共聚物，其中g因數為0.11～0.25。 [12] 一種聚丙烯樹脂組合物，其係含有10～90質量%之如[1]至[11]中任一項之氫化嵌段共聚物與10～90質量%之聚丙烯樹脂者，且 上述聚丙烯樹脂組合物之廣角X射線繞射測定中的散射角(2θ)15°之繞射峰強度(I15)與散射角(2θ)14°之繞射峰強度(I14)之強度比(I14/I15)為0.1以上且未達1.4。 [13] 如[12]之聚丙烯樹脂組合物，其中上述聚丙烯樹脂係無規聚丙烯樹脂。 [14] 如[12]或[13]之聚丙烯樹脂組合物，其中藉由交叉區分層析法而測定之-20℃以下之積分溶出量為總容量之0.1%以上且未達50%，超過-20℃且未達60℃之範圍之積分溶出量為總容量之10%以上且未達90%，60℃以上且150℃以下之範圍之積分溶出量為總容量之10%以上且未達90%。 [15] 如[12]至[14]中任一項之聚丙烯樹脂組合物，其中藉由交叉區分層析法而測定之10℃以上且未達60℃之範圍之溶出成分之分子量分佈(Mw/Mn)為1.05以上且1.50以下。 [16] 一種管體，其含有如[12]至[15]中任一項之聚丙烯樹脂組合物。 [17] 一種片狀成形體，其含有如[12]至[15]中任一項之聚丙烯樹脂組合物。 [18] 一種黏著性膜，其包含： 基材膜；及 黏著層，其配置於上述基材膜上，且含有如[1]至[11]中任一項之氫化嵌段共聚物。 [19] 如[18]之黏著性膜，其中上述黏著層進而含有5～95質量%之氫化嵌段共聚物(b)及/或氫化嵌段共聚物(c)， 上述氫化嵌段共聚物(b)於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)與以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)， 上述氫化嵌段共聚物(b)中，上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)之含量為95～70質量%，上述以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)之含量為5～30質量%， 上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)之氫化前之乙烯基鍵結量為30～100 mol%，上述氫化嵌段共聚物(b)之氫化率為80 mol%以上， 上述氫化嵌段共聚物(c)於分子中含有包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段(B2)與以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)， 上述氫化嵌段共聚物(c)中，上述包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段(B2)之含量為95～70質量%，上述以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)之含量為5～30質量%， 上述氫化嵌段共聚物(c)之氫化率為80 mol%以上。 [20] 如[18]或[19]之黏著性膜，其中上述黏著層進而含有0.5～50質量%之黏著賦予劑。 [21] 如[20]之黏著性膜，其中上述黏著賦予劑包含選自由氫化萜烯樹脂、芳香族改性氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂、及萜烯酚樹脂所組成之群中之至少1種。 [22] 一種氫化嵌段共聚物之製造方法，其係如[1]至[11]中任一項之氫化嵌段共聚物之製造方法， 其包含如下聚合步驟：於乙烯基化劑、有機鋰化合物、及鹼金屬烷氧化物之存在下，於上述乙烯基化劑與有機鋰化合物之莫耳比(乙烯基化劑/有機鋰化合物)為0.2以上且未達3.0，且上述鹼金屬烷氧化物與有機鋰化合物之莫耳比(鹼金屬烷氧化物/有機鋰化合物)為0.01以上且0.3以下之條件下，使乙烯基芳香族化合物及共軛二烯化合物進行聚合。 [23] 如[22]之氫化嵌段共聚物之製造方法，其中於上述聚合步驟中，形成上述聚合物嵌段(B)時之聚合溫度之溫度差為20℃以內， 於上述聚合物嵌段(B)內，以自聚合起始末端側起依序分別成為等質量之方式設為第1區域～第6區域，將該第1區域～第6區域之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H 、最小值設為V_L 時，由V_H －V_L 所獲得之值為10 mol%以下。 [發明之效果] 本發明之氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失、耐溶劑性優異，進而於應用於聚丙烯樹脂組合物中時，可使其成形體之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性及表面平滑性之平衡良好。

以下，對用以實施本發明之形態(以下簡稱為「本實施形態」)加以詳細說明。以下之本實施形態係用以說明本發明之例示，並非將本發明限定為以下內容之宗旨。本發明可於其主旨之範圍內進行適宜變化而實施。 ＜氫化嵌段共聚物＞ 本實施形態之氫化嵌段共聚物係於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)、以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)及以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S)者，且上述氫化嵌段共聚物中，上述聚合物嵌段(C)之含量為1～20質量%，上述聚合物嵌段(B)之含量為69～98質量%，上述聚合物嵌段(S)之含量為1～15質量%，上述聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量為1～25 mol%，上述聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量為60～100 mol%，上述氫化嵌段共聚物之氫化率為80 mol%以上，上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。 又，上述本實施形態之氫化嵌段共聚物亦可如下所述地特定。亦即，本實施形態之氫化嵌段共聚物係於分子中含有共軛二烯化合物單元及乙烯基芳香族化合物單元者，且乙烯基芳香族化合物單元之含量為1～15質量%，氫化嵌段共聚物之氫化率為80 mol%以上，相對於共軛二烯化合物單元之合計100 mol%而言，丁烯量及/或丙烯量為50～95 mol%，上述氫化嵌段共聚物於-20～80℃處具有結晶化之波峰，結晶化熱量為0.1～10 J/g，上述氫化嵌段共聚物之蕭氏A硬度為15～65，上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。 由於如上所述地構成，因此本實施形態之氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性、耐溶劑性優異，進而於將其應用於聚丙烯樹脂組合物中時，可使其成形體之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性及表面平滑性之平衡良好。 (氫化嵌段共聚物) 本實施形態中之氫化嵌段共聚物(以下亦簡記為「氫化嵌段共聚物(a)」)於分子中包含以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)(以下亦簡記為「聚合物嵌段(C)」)、以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)(以下亦簡記為「聚合物嵌段(B)」)、及以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S)(以下亦簡記為「聚合物嵌段(S)」)。聚合物嵌段(C)、(B)如後所述般分別具有特定之氫化前之乙烯基鍵結量。 於本實施形態中，所謂「以……為主體」係指於對象聚合物嵌段中含有60質量%以上之對象單體單元。自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性、耐溶劑性之觀點、以及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性、及表面平滑性之觀點考慮，以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)及聚合物嵌段(B)中之共軛二烯化合物之含量分別獨立地較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上。 自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點、及於聚丙烯樹脂中之高分散性之觀點考慮，以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S)中之乙烯基芳香族化合物之含量較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上。 共軛二烯化合物之含量及乙烯基芳香族化合物之含量可藉由核磁共振譜分析(NMR)而測定。 再者，所謂共軛二烯化合物單元係指構成氫化嵌段共聚物(a)且源自共軛二烯化合物之單體之結構單元。又，所謂乙烯基芳香族化合物單元係指構成氫化嵌段共聚物(a)且源自乙烯基芳香族化合物之單體之結構單元。 聚合物嵌段(C)、(B)中之所謂「氫化前之乙烯基鍵結量」係指氫化前之共軛二烯之藉由1,2-鍵、3,4-鍵及1,4-鍵之鍵結樣式而組入中之藉由1,2-鍵及3,4-鍵而組入者之比率(mol%)。 乙烯基鍵結量可藉由核磁共振譜分析(NMR)而測定。 於本實施形態中，氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(C)及(B)中所使用之共軛二烯係具有1對共軛雙鍵之二烯烴。作為二烯烴，例如可列舉1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯(異戊二烯)、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、1,3-己二烯、及法呢烯，但並不限定於以上。作為特別一般之二烯烴，可列舉1,3-丁二烯、及異戊二烯。該等不僅可使用一種，亦可使用兩種以上。 再者，於本實施形態中，自於聚丙烯樹脂中之高分散性之觀點考慮，較佳為聚合物嵌段(C)包含丁二烯，上述聚合物嵌段(B)包含異戊二烯。 又，於本實施形態中，作為氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(S)中所使用之芳香族乙烯系化合物，例如可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、二乙烯基苯、1,1-二苯基乙烯、N,N-二甲基-對胺基乙基苯乙烯、N,N-二乙基-對胺基乙基苯乙烯等乙烯基芳香族化合物，但並不限定於以上。該等中，自獲得性及生產性之觀點考慮，可較佳地使用苯乙烯、α-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯。特佳為苯乙烯。聚合物嵌段(S)可由1種芳香族乙烯系化合物單元構成，亦可由2種以上構成。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性、耐溶劑性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性、表面平滑性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(C)之含量為1～20質量%。自同樣之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(C)之含量較佳為3～17質量%，更佳為3～15質量%，進而較佳為5～15質量%。聚合物嵌段(C)之含量可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性、耐溶劑性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之加工性、低黏膩性、表面平滑性之觀點考慮，聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量為1～25 mol%。自同樣之觀點考慮，聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量較佳為3～22 mol%，更佳為5～20 mol%。 上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量具體而言可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 又，上述乙烯基鍵結量可藉由極性化合物等、路易斯鹼、醚、胺等乙烯基化劑之使用而控制。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性、低黏膩性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(B)之含量為69～98質量%。自同樣之觀點考慮，聚合物嵌段(B)之含量較佳為75～95質量%，更佳為80～90質量%。聚合物嵌段(B)之含量可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性、低黏膩性之觀點考慮，聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量為60～100 mol%。自同樣之觀點考慮，聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量較佳為68～95 mol%，更佳為73～90 mol%。 上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量具體而言可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 又，上述乙烯基鍵結量可藉由極性化合物等、路易斯鹼、醚、胺等乙烯基化劑之使用而控制。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(S)之含量為1～15質量%。自同樣之觀點考慮，聚合物嵌段(S)之含量較佳為2～12質量%，更佳為3～10質量%，進而較佳為3～8質量%。又，自同樣之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)中之乙烯基芳香族化合物單元之含量為1～15質量%，較佳為2～12質量%，更佳為3～10質量%，進而較佳為3～8質量%。氫化嵌段共聚物中之聚合物嵌段(S)之含量及乙烯基芳香族化合物單元之含量可分別藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點、及於聚丙烯樹脂中之高分散性之觀點考慮，於氫化嵌段共聚物(a)中，相對於共軛二烯化合物單元之合計100 mol%而言，丁烯量及/或丙烯量為50～95 mol%，較佳為57～87 mol%，更佳為65～80 mol%。上述之丁烯量及/或丙烯量可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。再者，上述之丁烯量及/或丙烯量可藉由極性化合物等、路易斯鹼、醚、胺等乙烯基化劑之使用、及氫化率而控制。 於本實施形態中，自氫化嵌段共聚物之硬度平衡之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之柔軟性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)中之聚合物嵌段(C)與聚合物嵌段(S)之含量之合計較佳為2～31質量%，更佳為6～25質量%，進而較佳為8～20質量%。 本實施形態之氫化嵌段共聚物(a)之結構並無特別限定，例如可列舉具有如下述式所表示之結構者。 (C-B)_n -S (C-B-S)_n (C-B-S)_n -(B-1) (C-B-S-(B-1))_n (C-B-S)_m -X (C-B-S-(B-1))_m -X (於上式中，C、B、S、B-1分別表示聚合物嵌段(C)、(B)、(S)及後述之(B-1)。於存在複數個之情形時可不同亦可相同。n為1以上，較佳為1～3之整數。m表示2以上，較佳為2～6之整數。X表示偶合劑殘基或多官能起始劑殘基) 特佳為藉由C-B-S、C-B-S-(B-1)之結構式所表示之聚合物。 自氫化嵌段共聚物及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之加工性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)較佳為於分子中含有兩個以上之聚合物嵌段(B)，且聚合物嵌段(B)中，存在於氫化嵌段共聚物(a)之末端之聚合物嵌段(B-1)之含量為氫化嵌段共聚物(a)中之1～10質量%。自同樣之觀點考慮，聚合物嵌段(B-1)之含量更佳為氫化嵌段共聚物(a)中之1.5～7質量%，進而較佳為2～5質量%。 上述存在於氫化嵌段共聚物(a)之末端之聚合物嵌段(B-1)之含量可藉由聚合單體之進給組成而控制。 較佳為本實施形態中之聚合物嵌段(B)中，以自聚合起始末端側起依序分別成為等質量之方式決定第1區域～第6區域，將該第1區域～第6區域之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H 、最小值設為V_L 時，由V_H －V_L 所獲得之值(以下亦稱為ΔV)為10 mol%以下。於ΔV為10 mol%以下之情形時存在如下傾向：可獲得氫化嵌段共聚物之tanδ波峰之值較高、tanδ波峰之半高寬較窄之氫化嵌段共聚物，聚丙烯樹脂組合物之分散性穩定，所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之物性平衡優異。自同樣之觀點考慮，ΔV更佳為8 mol%以下，進而較佳為6 mol%以下。 上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量(V_H 、V_L )具體而言可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 ΔV例如可藉由使形成聚合物嵌段(B)時之聚合溫度之溫度差變低而控制為上述之較佳範圍。 氫化嵌段共聚物(a)之氫化率、亦即氫化嵌段共聚物(a)中所含之所有共軛二烯化合物單元之氫化率為80 mol%以上，較佳為85 mol%以上，更佳為90 mol%以上，進而較佳為95 mol%以上。 氫化嵌段共聚物(a)之共軛二烯單體單元中所含之所有不飽和基單元之氫化率可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 藉由將氫化率設為80 mol%以上，聚合物嵌段(C)之結晶化提高，氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性、耐溶劑性、以及所獲得之聚丙烯樹脂組合物成形體之加工性、低黏膩性、表面平滑性變良好。又，聚合物嵌段(B)與聚丙烯系樹脂之溶解參數值接近，氫化嵌段共聚物(a)之分散性變良好，因此所獲得之聚丙烯樹脂組合物成形體之柔軟性、透明性變良好。 氫化率例如可藉由氫化時之觸媒量而控制，氫化速度例如可藉由氫化時之觸媒量、氫進給量、壓力及溫度等而控制。 於本實施形態中，藉由將氫化嵌段共聚物(a)供至動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性之觀點考慮，上述tanδ波峰較佳為處於-40～0℃之範圍，更佳為處於‑35～-5℃之範圍。又，自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之柔軟性、低黏膩性之觀點考慮，tanδ波峰之值較佳為1.2以上，更佳為1.5以上。進而，自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之加工性、低黏膩性、表面平滑性之觀點考慮，tanδ波峰之半高寬較佳為18℃以下，更佳為16℃以下。 根據上述之觀點，特佳為tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.2以上，且tanδ波峰之半高寬為18℃以下。 tanδ波峰藉由極性化合物等、路易斯鹼、醚、胺等乙烯基化劑之使用量而控制，於依照後述之氫化嵌段共聚物之較佳之製造方法而製造之情形時，存在滿足上述範圍之傾向。例如，若後述之實施例1中所示之聚合物嵌段(B)之聚合時之乙烯基化劑之量減少，則存在tanδ波峰溫度變低之傾向。又，亦可藉由氫化率而控制tanδ波峰溫度，若氫化率變低，則存在tanδ波峰溫度變低之傾向。 又，關於tanδ波峰之值與半高寬之控制，於依照後述之氫化嵌段共聚物之較佳之製造方法而製造之情形時，存在滿足上述之範圍之傾向。例如，聚合物嵌段(B)聚合時之乙烯基化劑之量較多時存在tanδ波峰值變高、半高寬變窄之傾向，另一方面存在分子量分佈變廣之傾向。因此，除了上述控制以外，藉由適宜調整聚合物嵌段(B)之含量、及聚合溫度，變得容易控制為上述之範圍。又，存在聚合物嵌段(B)之含量越變多則tanδ波峰值越變高之傾向，且存在半高寬越變窄之傾向。進而，存在越使聚合物嵌段(B)聚合時之聚合溫度為等溫(溫度差較少之條件)而進行聚合則tanδ波峰值越變高之傾向，且存在半高寬越變窄之傾向。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性、耐溶劑性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之透明性、柔軟性、加工性、低黏膩性、表面平滑性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)於-20～80℃處具有結晶化波峰，結晶化熱量為0.1～10 J/g。自同樣之觀點考慮，上述具有結晶化波峰之溫度範圍較佳為-10～70℃，更佳為0～60℃。又，上述結晶化熱量較佳為1.0～7.5 J/g，更佳為2.0～5.0 J/g。 具有結晶化波峰之溫度範圍、及結晶化熱量可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 氫化嵌段共聚物(a)之結晶化波峰溫度範圍、結晶化熱量可藉由聚合物嵌段(C)之含量、以及極性化合物等、路易斯鹼、醚、胺等乙烯基化劑之使用、以及氫化率而控制。又，於依照後述之氫化嵌段共聚物之較佳之製造方法而製造之情形時，存在滿足上述之範圍之傾向。例如，存在聚合物嵌段(C)之含量越增加則結晶化波峰溫度範圍、結晶化熱量越變高之傾向，且存在聚合物嵌段(C)聚合時之乙烯基化劑越增加則結晶化波峰溫度範圍、結晶化熱量越變低之傾向。又，存在若氫化率變低則結晶化波峰溫度範圍、結晶化熱量變低之傾向。 自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之柔軟性、表面平滑性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)之蕭氏A硬度為15～65，較佳為25～55，更佳為30～50。蕭氏A硬度可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。氫化嵌段共聚物(a)之蕭氏A硬度例如可藉由以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)、(B)、(A)之含量、氫化率、及聚合時所使用之極性化合物等、路易斯鹼、醚、胺等乙烯基化劑而控制。存在聚合物嵌段(C)與聚合物嵌段(A)之含量之合計越增加則蕭氏A硬度越變高之傾向，且存在乙烯基化劑越增加則蕭氏A硬度越變低之傾向，且存在若氫化率變低則蕭氏A硬度變低之傾向。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之加工性、低黏膩性、表面平滑性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)之熔體流動速率(MFR；依據ISO 1133)較佳為0.5～10 g/10分鐘之範圍，更佳為1.0～8 g/10分鐘以下，進而較佳為1.5～6 g/10分鐘以下，進而更佳為2.0～5.0 g/10分鐘以下。 自氫化嵌段共聚物之低遲滯損失性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)之分散度較佳為0.20～0.50，更佳為0.25～0.40，進而較佳為0.28～0.35。上述分散度可藉由後述之實施例中所記載之方法而求出，可藉由聚合物嵌段(C)、(B)、(S)之含量、氫化率、及聚合溫度而控制為上述範圍。 自氫化嵌段共聚物之低黏連性、低遲滯損失性、耐溶劑性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之加工性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)之重量平均分子量(Mw)(以下亦稱為「Mw」)較佳為10萬～30萬，更佳為13萬～28萬，進而較佳為15萬～26萬。 氫化嵌段共聚物(a)之重量平均分子量(Mw)係基於根據市售之標準聚苯乙烯之測定而求出之校準曲線(使用標準聚苯乙烯之峰值分子量而製成)，求出藉由利用GPC之測定而獲得之層析圖之波峰之分子量而得的重量平均分子量(Mw)。氫化嵌段共聚物之分子量分佈、及高分子量成分之含有率與低分子量成分之含有率之合計亦可同樣地由利用GPC之測定而求出，分子量分佈係作為重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比率而算出，後述之高分子量成分之含有率與低分子量成分之含有率之合計係作為將高分子量成分與低分子量成分之合計峰面積除以波峰之總面積所得之值而求出。 自於聚丙烯樹脂中之分散性之均一性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)之重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比(Mw)/(Mn)較佳為1.01～1.30，更佳為1.02～1.25，進而較佳為1.03～1.20。 上述(Mw)/(Mn)可藉由適宜地設定聚合時間、極性物質等之添加量、聚合溫度而控制為上述數值範圍。 於如上所述地對氫化嵌段共聚物(a)進行GPC測定之情形時，自氫化嵌段共聚物之低黏連性之觀點、及所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之低黏膩性之觀點考慮，具有峰值重量平均分子量之2倍以上之重量平均分子量的成分(以下亦稱為高分子量成分)之含有率與具有峰值重量平均分子量之0.5倍以下之重量平均分子量的成分(以下亦稱為低分子量成分)之含有率之合計較佳為15%以下。自同樣之觀點考慮，高分子量成分之含有率與低分子量成分之含有率之合計更佳為13%以下，進而較佳為10%以下。上述高分子量成分及低分子量成分之含量可藉由聚合溫度等聚合條件而控制為上述範圍。 自加工性之觀點考慮，氫化嵌段共聚物(a)之布勒格面間距較佳為25 nm以上且47 nm以下，更佳為28 nm以上且46 nm以下，進而較佳為30 nm以上且45 nm以下。上述布勒格面間距係根據由X射線小角度散射(SAXS)分析獲得之一次波峰而計算出之值，可藉由後述之實施例中所記載之方法而求出。再者，自加工性之觀點考慮，上述SAXS分析中獲得之g因數較佳為0.11～0.25，更佳為0.12～0.24，進而較佳為0.13～0.23。g因數係表示源自微相分離結構之混亂之指標，值較大時表示混亂之程度較大。上述布勒格面間距及g因數例如可藉由調整後述之較佳之聚合溫度或聚合物嵌段(C)或(S)之含量、聚合時所使用之極性化合物、作為路易斯鹼之醚、胺等乙烯基化劑、及氫化率等而控制為上述範圍。 ＜氫化嵌段共聚物之製造方法＞ 作為氫化嵌段共聚物之製造方法，並無特別限定，例如可藉由如下方法而製造：於有機溶劑中，以有機鹼金屬化合物為聚合起始劑進行聚合而獲得嵌段共聚物後，進行氫化反應。作為聚合之態樣，可為分批聚合亦可為連續聚合，或者亦可為該等之組合。自獲得分子量分佈較窄、具有較高強度之嵌段共聚物之觀點考慮，較佳為分批聚合方法。 聚合溫度一般為0～150℃，較佳為20～120℃，更佳為40～100℃，進而較佳為55～65℃。再者，自實現各聚合物嵌段之乙烯基量之均一化之觀點考慮，形成聚合物嵌段(B)時之聚合溫度之溫度差較佳為20℃以下，更佳為15℃以下，進而較佳為10℃以下。再者，本實施形態中之「聚合溫度之溫度差」係指形成聚合物嵌段(B)時之最大聚合溫度與最小聚合溫度之差。聚合時間因目標聚合物而異，通常為24小時以內，較佳為0.1～10小時。自獲得分子量分佈較窄、具有較高強度之嵌段共聚物之觀點考慮，更佳為0.5～3小時。聚合系之環境只要為足以將氮氣及溶劑維持為液相之壓力之範圍即可，並無特別限定。較佳為於聚合系內不存在使起始劑及活性聚合物惰性化之雜質，例如水、氧氣、二氧化碳氣體等。 作為有機溶劑之例，並無特別限定，可列舉正丁烷、異丁烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷等脂肪族烴類；環己烷、環庚烷、甲基環戊烷等脂環式烴類；苯、二甲苯、甲苯、乙基苯等芳香族烴。 作為聚合起始劑之有機鹼金屬化合物較佳為有機鋰化合物。作為有機鋰化合物，可使用有機單鋰化合物、有機二鋰化合物、有機多鋰化合物。作為有機鋰化合物，例如可列舉乙基鋰、正丙基鋰、異丙基鋰、正丁基鋰、第二丁基鋰、第三丁基鋰、苯基鋰、六亞甲基二鋰、丁二烯基鋰、及異丙烯基二鋰等，但並不限定於以上。其中，於聚合活性之方面而言，較佳為正丁基鋰、第二丁基鋰。 作為聚合起始劑之有機鹼金屬化合物之使用量取決於目標嵌段共聚物之分子量，一般情況下較佳為0.01～0.5 phm(相對於每100質量份單體之質量份)之範圍，更佳為0.03～0.3 phm之範圍，進而較佳為0.05～0.15 phm之範圍。 氫化嵌段共聚物之乙烯基鍵結量可藉由將路易斯鹼、例如醚、胺等化合物用作乙烯基化劑而調節。乙烯基化劑之使用量可藉由目標乙烯基鍵結量而調整。又，藉由分為2個以上之條件而添加乙烯基化劑及後述之金屬烷氧化物，可製造於以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段中，乙烯基鍵結量不同之聚合物嵌段。 作為乙烯基化劑之例，可列舉醚化合物、具有2個以上之氧原子之醚系化合物、及三級胺系化合物等，但並不限定於以上。 作為三級胺系化合物，例如可列舉吡啶、N,N,N',N'-四甲基乙二胺、三丁基胺、四甲基丙二胺、1,2-二哌啶基乙烷、雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚等，但並不限定於該等。該等可單獨使用，亦可併用兩種以上。作為三級胺化合物，較佳為具有2個胺之化合物。進而，該等中，更佳為於分子內具有顯示對稱性之結構者，進而較佳為N,N,N',N'-四甲基乙二胺、雙[2-(N,N-二甲基胺基)乙基]醚或1,2-二哌啶基乙烷。 於本實施形態中，亦可於上述之乙烯基化劑、有機鋰化合物、及鹼金屬烷氧化物之共存下進行氫化嵌段共聚物之共聚。此處，所謂鹼金屬烷氧化物係以通式MOR(式中，M為鹼金屬、R為烷基)所表示之化合物。 作為鹼金屬烷氧化物之鹼金屬，自較高之乙烯基鍵結量、較窄之分子量分佈、較高之聚合速度、及較高之嵌段率之觀點考慮，較佳為鈉或鉀。作為鹼金屬烷氧化物，較佳為具有碳數為2～12之烷基之鈉烷氧化物、鋰烷氧化物、鉀烷氧化物，更佳為具有碳數為3～6之烷基之鈉烷氧化物或鉀烷氧化物，進而較佳為鈉-第三丁氧化物、鈉-第三戊氧化物、鉀-第三丁氧化物、鉀-第三戊氧化物，但並不限定於以上。其中，進而更佳為作為鈉烷氧化物之鈉-第三丁氧化物、鈉-第三戊氧化物。 本實施形態中之氫化嵌段共聚物之聚合步驟中，於乙烯基化劑、有機鋰化合物、及鹼金屬烷氧化物之共存下進行乙烯基芳香族化合物及共軛二烯化合物之聚合之情形時，較佳為使乙烯基化劑與有機鋰化合物之莫耳比(乙烯基化劑/有機鋰化合物)、及鹼金屬烷氧化物與有機鋰化合物之莫耳比(鹼金屬烷氧化物/有機鋰化合物)以下述莫耳比而共存。 乙烯基化劑/有機鋰化合物為0.2～3.0 鹼金屬烷氧化物/有機鋰化合物為0.01～0.3 關於乙烯基化劑/有機鋰化合物之莫耳比，自較高之乙烯基鍵結量、較高之聚合速度之觀點考慮，較佳為設為0.2以上，自獲得較窄之分子量分佈、及較高之氫化活性之觀點考慮，較佳為設為未達3.0。又，關於鹼金屬烷氧化物/有機鋰化合物之莫耳比，自較高之乙烯基鍵結量、較高之聚合速度、及較高之嵌段率之觀點考慮，較佳為設為0.01以上，自獲得較窄之分子量分佈、及較高之氫化活性之觀點考慮，較佳為設為0.3以下。藉此，存在如下傾向：實現聚合速度之提高，可提高目標氫化嵌段共聚物之乙烯基鍵結量，並且可使分子量分佈變窄，進而嵌段率提高。其結果，存在如下傾向：對聚丙烯系樹脂組合物所賦予之性能，亦即低各向異性、柔軟性、透明性、平滑性、耐黏膩性、耐扭結性、應變恢復性變得更良好。 關於聚合步驟中之乙烯基化劑/有機鋰化合物之莫耳比，自較高之乙烯基鍵結量及較高之聚合速度之觀點考慮，更佳為0.8以上，自較窄之分子量分佈及較高之氫化活性之觀點考慮，進而較佳為2.5以下，進而更佳為1.0以上且2.0以下之範圍。 又，關於鹼金屬烷氧化物/有機鋰化合物之莫耳比，自較高之乙烯基鍵結量、較高之聚合速度及較高之嵌段率之觀點考慮，更佳為0.02以上，自較窄之分子量分佈或較高之氫化活性之觀點考慮，進而較佳為0.2以下，進而更佳為0.03以上且0.1以下，更進一步較佳為0.03以上且0.08以下。 進而，關於鹼金屬烷氧化物/乙烯基化劑之莫耳比，自較高之乙烯基鍵結量、較高之聚合速度及較高之嵌段率之觀點考慮，較佳為0.010以上，自實現較窄之分子量分佈、且獲得較高之氫化活性之觀點考慮，較佳為0.100以下，更佳為0.012以上且0.080以下，進而較佳為0.015以上且0.06以下，進而更佳為0.015以上且0.05以下。 於本實施形態中，氫化嵌段共聚物特佳為藉由如下方法而製造。亦即，本實施形態之氫化嵌段共聚物之製造方法較佳為於上述之聚合步驟中，形成聚合物嵌段(B)時之聚合溫度之溫度差為20℃以內，於上述聚合物嵌段(B)內，以自聚合起始末端側起依序分別成為等質量之方式設為第1區域～第6區域，將該第1區域～第6區域之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H 、最小值設為V_L 時，由V_H －V_L 所獲得之值為10 mol%以下。於設為此種聚合步驟之情形時，存在藉由將氫化嵌段共聚物供至動態黏彈性測定(1 Hz)而獲得之tanδ波峰之值(高度)、tanδ波峰之半高寬被控制為較佳之範圍，氫化嵌段共聚物之柔軟性、低遲滯損失性變得更良好之傾向，進而存在所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之柔軟性、耐扭結性、應變恢復性變得更良好之傾向。 作為製造以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段中之乙烯基鍵結量不同之嵌段之手法，亦可使用針對乙烯基化劑之去活劑。作為去活劑，可列舉烷基金屬化合物，選自每一個烷基取代基具有1至20個碳原子之烷基鋁、鋅及鎂、以及該等之混合物。 於本實施形態中，氫化之方法並無特別限定，例如可於氫化觸媒之存在下供給氫，對上述所獲得之嵌段共聚物進行氫化，藉此可獲得共軛二烯化合物單元之雙鍵殘基進行氫化而成之氫化嵌段共聚物。 藉由對氫化嵌段共聚物進行顆粒化，可製造氫化嵌段共聚物之顆粒。作為顆粒化之方法，並無特別限定，例如可列舉：自單軸或雙軸擠出機，將氫化嵌段共聚物擠出為股線狀，藉由設置於模頭部前面之旋轉刀而於水中進行切斷之方法；自單軸或雙軸擠出機，將氫化嵌段共聚物擠出為股線狀，進行水冷卻或空氣冷卻後，藉由股線切割器而進行切斷之方法；藉由開口輥(open roll)、班布里混合機而進行熔融混合後，藉由輥而成型為片狀，進而將該片材切割為短條狀後，藉由造粒機而切斷為立方狀顆粒之方法等。再者，氫化嵌段共聚物之顆粒成形體之大小、形狀並無特別限定。 氫化嵌段共聚物可視需要較佳為於其顆粒中以防止顆粒黏連為目的而調配抗顆粒黏連劑。作為抗顆粒黏連劑，並無特別限定，例如可列舉硬脂酸鈣、硬脂酸鎂、硬脂酸鋅、聚乙烯、聚丙烯、伸乙基雙硬脂醯胺、滑石、非晶形二氧化矽等。自所獲得之無規聚丙烯組合物及含其之管狀成形體、片狀成形體之透明性之觀點考慮，較佳為硬脂酸鈣、聚乙烯、及聚丙烯。作為較佳之量，相對於氫化嵌段共聚物而言為500～6000 ppm。作為更佳之量，相對於氫化嵌段共聚物而言為1000～5000 ppm。抗顆粒黏連劑較佳為以附著於顆粒表面之狀態而進行調配，但亦可某種程度地含有於顆粒內部。 ＜聚丙烯樹脂組合物＞ 本實施形態之聚丙烯樹脂組合物含有10～90質量%之本實施形態之氫化嵌段共聚物與10～90質量%之聚丙烯樹脂。 自所獲得之聚丙烯組合物成形體之低各向異性、平滑性、及低黏膩性之觀點考慮，聚丙烯組合物中之氫化嵌段共聚物之含量為90質量%以下，自所獲得之聚丙烯組合物成形體之柔軟性、透明性、平滑性、耐扭結性、及應變恢復性之觀點考慮，為10質量%以上。 自聚丙烯組合物成形體之柔軟性及透明性、耐扭結性、及應變恢復性之性能平衡之觀點考慮，氫化嵌段共聚物之含量較佳為15～85質量%，更佳為20～80質量%，進而較佳為25～70質量%，聚丙烯樹脂之含量較佳為15～85質量%，更佳為20～80質量%，進而較佳為25～75質量%。 自所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之柔軟性及透明性之觀點考慮，本實施形態之聚丙烯樹脂組合物較佳為廣角X射線繞射測定中之散射角(2θ)15°之繞射峰強度(I(15))與散射角(2θ)14°之繞射峰強度(I(14))之強度比(I(14)/I(15))為0.1以上且未達1.4。自同樣之觀點考慮，上述強度比更佳為0.1～1.35，進而較佳為0.1～1.30。上述強度比可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 此處，上述波峰強度比係起因於聚丙烯樹脂組合物之結晶性之值，例如可藉由氫化嵌段共聚物中之聚合物嵌段(C)或聚合物嵌段(S)之含量而控制。存在若該等聚合物嵌段之含量增加則波峰強度比變大之傾向。 較佳為藉由交叉區分層析法(以下稱為「CFC」)對本實施形態之聚丙烯樹脂組合物或其成形體所測定之-20℃以下之積分溶出量為總容量之0.1%以上且未達50%，超過-20℃且未達60℃之範圍之積分溶出量為總容量之10%以上且未達90%，60℃以上且150℃以下之範圍之積分溶出量為總容量之10%以上且未達90%。再者，上述「總容量」係指供給至CFC測定之聚丙烯樹脂組合物或成形體之總容量。 於觀測到上述行為之情形時，存在所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之低溫衝擊性、柔軟性、透明性及低黏膩性之平衡變得更良好之傾向。 自同樣之觀點考慮，上述-20℃以下可溶之成分之積分溶出量更佳為總容量之0.1%以上且未達20%，進而較佳為0.1%以上且未達10%。又，上述超過-20℃且未達60℃之範圍之積分溶出量更佳為總容量之15%以上且未達85%，進而較佳為20%以上且未達80%。又，上述60℃以上且150℃以下之範圍之積分溶出量更佳為總容量之15%以上且未達85%，進而較佳為20%以上且未達80%。 又，上述CFC溶出量例如可藉由上述聚合物嵌段(C)、(B)之比率、及氫化嵌段共聚物(a)之調配比與聚丙烯樹脂之種類而控制，上述CFC溶出量可藉由後述之實施例中所記載之方法而測定。 又，上述藉由CFC而測定之10℃以上且未達60℃之範圍之溶出成分之分子量分佈(Mw/Mn)較佳為1.05以上且1.50以下。於觀測到上述行為之情形時，存在所獲得之聚丙烯樹脂組合物之成形體之柔軟性、透明性及低黏膩性之平衡變得更良好之傾向。 自同樣之觀點考慮，上述10℃以上且未達60℃之範圍之溶出成分之Mw/Mn更佳為1.07以上且1.45以下，進而較佳為1.1以上且1.4以下。 上述藉由CFC而測定之10℃以上且未達60℃之範圍之Mw/Mn可藉由適宜設定聚丙烯之種類、及氫化嵌段共聚物(a)之聚合時間、極性物質等之添加量、聚合溫度而控制為上述數值範圍。 作為聚丙烯樹脂，可列舉無規聚丙烯樹脂、均聚丙烯樹脂、嵌段聚丙烯樹脂。聚丙烯樹脂較佳為無規聚丙烯樹脂。 此處，無規聚丙烯中之所謂「無規」係指使丙烯與丙烯以外之單體進行共聚合而成，於丙烯鏈中無規地導入有丙烯以外之單體，丙烯以外之單體實質上並未連鎖者。 作為無規聚丙烯，只要丙烯單元之含量未達99質量%則並無特別限定。作為無規聚丙烯之適宜例，可列舉丙烯與乙烯之無規共聚物或丙烯與碳數為4～20之α-烯烴之無規共聚物等。於使用丙烯與乙烯之無規共聚物或丙烯與碳數為4～20之α-烯烴之無規共聚物而作為無規聚丙烯之情形時，存在柔軟性、透明性、耐衝擊性及耐扭結性變得更良好之傾向。 作為α-烯烴，例如可列舉乙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯等，但並不限定於以上。較佳為碳數為2～8之α-烯烴，可列舉乙烯、1-丁烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯。該等α-烯烴可單獨使用1種或組合使用2種以上。又，無規聚丙烯亦可單獨使用1種或組合使用2種以上。 於無規聚丙烯中，自所得之無規聚丙烯組合物及含其之管狀成形體、片狀成形體之柔軟性、透明性、耐衝擊性、耐扭結性之觀點考慮，更佳為使用選自由丙烯-乙烯無規共聚物、丙烯-1-丁烯無規共聚物及丙烯-乙烯-1-丁烯三元無規共聚物所組成之群中之至少1種。 自柔軟性、透明性、低黏膩性、耐衝擊性、耐扭結性之觀點考慮，無規聚丙烯為丙烯與乙烯之無規共聚物或丙烯與碳數為4～12之α-烯烴之無規共聚物，無規聚丙烯中之乙烯或α-烯烴單元之含量較佳為超過1質量%且未達40質量%，丙烯單元之含量較佳為60質量%以上且未達99質量%。自上述同樣之觀點考慮，乙烯或α-烯烴單元之含量更佳為超過2質量%且未達30質量%，進而較佳為2.5質量%以上且未達25質量%，進而更佳為3質量%以上且未達20質量%。又，丙烯單元之含量更佳為70質量%以上且未達98質量%，進而較佳為75質量%以上且未達97.5質量%，進而更佳為80質量%以上且未達97質量%。 自所獲得之無規聚丙烯組合物之加工性與低黏膩性之觀點考慮，無規聚丙烯之熔體流動速率(MFR；230℃、依據ISO 1133)較佳為1～30 g/10分鐘，更佳為1～25 g/10分鐘，進而較佳為2～20 g/10分鐘，進而更佳為3～15 g/10分鐘。 關於製造無規聚丙烯時所使用之觸媒，並無特別限定，例如較佳為使用立體規則性觸媒之聚合法。作為立體規則性觸媒，例如可列舉齊格勒觸媒或茂金屬觸媒等，但並不限定於以上。該等觸媒中，自所獲得之無規聚丙烯組合物及含其之管狀成形體、片狀成形體之低黏膩性、撕裂強度、耐衝擊性、耐扭結性之觀點考慮，較佳為茂金屬觸媒。 自所獲得之無規聚丙烯組合物及含其之管狀成形體、片狀成形體之低黏膩性、撕裂強度、耐衝擊性、耐扭結性之觀點考慮，無規聚丙烯之分子量分佈(Mw/Mn)較佳為3.5以下。Mw/Mn更佳為3.0以下，進而更佳為2.8以下。下限值並無特別限定，較佳為1.5以上。特佳為無規聚丙烯為藉由茂金屬系觸媒聚合而成者，且分子量分佈(Mw/Mn)為1.5以上且3.5以下。再者，無規聚丙烯之分子量分佈係根據藉由利用GPC之測定而獲得之重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比率而求出。 本實施形態之聚丙烯組合物亦可根據要求性能而併用其他添加劑。作為添加劑，並無特別限定，例如可列舉阻燃劑、穩定劑、著色劑、顏料、抗氧化劑、抗靜電劑、分散劑、流動增強劑、硬脂酸金屬鹽等脫模劑、聚矽氧油、礦物油系軟化劑、合成樹脂系軟化劑、銅毒抑制劑、交聯劑、成核劑等。 ＜聚丙烯樹脂組合物之製造方法＞ 本實施形態之聚丙烯組合物例如可藉由如下方法而製造：將本實施形態之氫化嵌段共聚物、聚丙烯、及視需要而加入之其他成分根據該各成分之組成比進行乾摻之方法；藉由提供至通常之高分子物質之混合的裝置而進行製備之方法等；但並不限定於以上。 作為可於此時使用之混合裝置，並無特別限定，例如可列舉班布里混合機、Laboplast Mill、單軸擠出機、雙軸擠出機等混練裝置，自生產性、良好之混練性之觀點考慮，較佳為藉由使用擠出機之熔融混合法而製造。混練時之熔融溫度可適宜設定，但通常為130～300℃之範圍內，較佳為150～250℃之範圍。 ＜成形體＞ 本實施形態之成形體含有本實施形態之聚丙烯樹脂組合物。作為成形體，可列舉片狀成形體(片材、膜)、管體、袋、醫療用成形體、例如醫療用管體、醫療用膜、醫療用輸液袋、以及包裝材料、例如食品包裝材料、及衣料包裝材料等，但並不限定於上述。 本實施形態之成形體可藉由以下所述之方法而成形。例如，作為管體之成形方法，並無特別限定，例如可將聚丙烯樹脂組合物投入至擠出機中進行熔融，使其通過模頭而製為管狀，並進行水冷卻或空氣冷卻而製成管體。作為擠出機，可使用單軸或多軸之擠出機，且亦可成形使用複數台擠出機而多層擠出之多層管體。又，亦可自製造聚丙烯樹脂組合物時之擠出機直接成形為管體。 管體之形狀並無特別限定，通常使用圓形、橢圓形等之管體。管體之粗細並無特別限定，例如較佳為外徑為1～50 mm者，更佳為2～30 mm者，進而較佳為3～20 mm者。又，管體之厚度較佳為0.3～30 mm，更佳為0.4～20 mm，進而較佳為0.5～10 mm。 本實施形態之管體亦可於不阻礙本實施形態之目的之範圍內積層其他聚合物而製成多層管體。上述聚合物可為單獨1種或組合2種以上，可以單層或每層種類亦可不同之多層進行積層而使用。上述為多層結構之管體的包含上述聚合物之層可根據所賦予之所期望之性能而處於最內層、中間層、最外層之任一者中。於本實施形態中，進而為了抑制壁厚之增加而維持柔軟性，且使耐壓性等提高，可捲繞編織補強絲或螺旋補強體而製成耐壓管體(軟管)。編織補強絲設於厚度方向之內部或層間，可使用維尼綸、聚醯胺、聚酯、芳族聚醯胺纖維、碳纖維、金屬線等，螺旋補強體設於外周，可使用金屬、塑膠等。 本實施形態之片狀成形體之製造方法並無特別限定，例如作為將聚丙烯樹脂組合物投入至擠出機中而擠出之成型法，可採用T模法、吹脹法等。作為吹脹成型，可採用通常之空氣冷卻吹脹成型、空氣冷卻2段吹脹成型、高速吹脹成型、水冷卻吹脹成型等。又，亦可採用直接吹塑、射出吹塑等吹塑成型法、加壓成型法。作為所使用之擠出機，可使用單軸或多軸之擠出機，且亦可成形為使用複數台擠出機而多層擠出之多層片材。又，亦可由製造聚丙烯樹脂組合物時之擠出機直接成形為片材。 一般情況下，將厚度為0.005 mm以上且未達0.2 mm之片狀成形體稱為膜，將厚度為0.2 mm以上且50 mm以下之片狀成形體稱為片材。於本案說明書中，「片狀成形體」包含上述膜及片材。本實施形態之片狀成形體之厚度並無特別限定，自成型加工性、柔軟性等之觀點考慮，較佳為0.005 mm～0.5 mm之範圍內，更佳為0.01 mm～0.3 mm。 於本實施形態中，藉由T模法而製造片狀成型體之情形時之擠出溫度可適宜設定，通常為130～300℃之範圍內，較佳為180～250℃之範圍。於本實施形態中，自T型模頭擠出之片狀成型體藉由冷卻輥被夾持加壓、冷卻，並搬送至下一裝置。此處，冷卻輥只要為一個以上即可，但較佳為具有複數個，例如於為包含第1輥及第2輥之兩個一對之冷卻輥之情形時，上述片狀成型體被夾持加壓、冷卻，並經由該第2輥搬送至下一裝置。於本實施形態中，所謂冷卻輥係指可使用冷媒而調整表面之溫度之輥。自T型模頭噴出之熔融擠出物與冷卻輥接觸，被冷卻至冷卻輥之表面溫度。冷卻輥之表面材質並無特別限定，作為適宜例，可列舉鍍鉻。此時，為了使所獲得之片狀成型體之強度比(I14/I15)未達1.4，使透明性、透明性、及各向異性良好，較佳為將T型模唇開度設為0.2 mm～1.2 mm。若T型模唇開度未達0.2 mm，則所擠出之樹脂成型體被急遽冷卻，雖然不產生充分之結晶成長，但恢復至室溫時之急遽之結晶化所造成之結晶尺寸變大，因此存在強度比(I14/I15)變大之傾向。另一方面，若T型模唇開度為1.2 mm以上，則所擠出之樹脂成型體之厚度變大，因此產生厚度方向之表面部與中央部之冷卻速度差，特別是於厚度中央部，由於冷卻速度慢，因此進行由熱所造成之結晶化，存在強度比(I14/I15)變大之傾向。 又，較佳為將冷卻輥之表面溫度設為25〜85℃，更佳為30〜70℃，進而較佳為35～60℃。若冷卻輥之溫度未達25℃，則經熔融之樹脂組合物被過度冷卻，雖然不產生充分之結晶成長，但恢復至室溫時之急遽之結晶化所造成之結晶尺寸變大，因此存在強度比(I14/I15)變大之傾向。另一方面，若超過85℃，則進行經熔融之樹脂組合物之熱所造成之結晶化，存在強度比(I14/I15)變大之傾向。於冷卻輥具有複數個之情形時，雖然最受到最初之輥之表面溫度之影響，但較佳為第2個輥以後之表面溫度亦為25〜85℃。於利用冷卻輥之夾持加壓結束後，片狀成型體被搬送至捲取輥。此時，若片狀成型體之對於冷卻輥之黏著力較小，則存在如下傾向：順利地進行向捲取輥之移動，防止剝離面之粗糙，變得容易獲得透明性優異之片狀成型體。因此，藉由控制為上述之溫度範圍，可使對於冷卻輥之黏著力成為適宜之範圍，成為可更順利地進行片狀成型體向捲取輥之移動之狀態。控制冷卻輥之表面溫度之方法並無特別限制，可使用通常所實施之方法，例如使溫水、加壓水蒸氣、加熱油等熱媒體於設置於輥內部之夾套中循環之方法。再者，本實施形態中之輥之表面溫度係與片狀成型體反覆接觸之部分之輥表面之溫度，其係使用紅外線溫度計等而測定者。 又，捲取速度較佳為設為1 m/分鐘～10 m/分鐘。若捲取速度未達1 m/分鐘，則因樹脂成型體之厚度變大，導致冷卻速度變慢而進行結晶化，因此強度比(I14/I15)容易變大。另一方面，若捲取速度為10 m/分鐘以上，則進行樹脂成型體之配向結晶化，因此強度比(I14/I15)容易變大。 本實施形態之片狀成型體可設為單層片材，亦可於不損及本實施形態之主旨之範圍內積層其他聚合物而設為多層片材。 作為該其他聚合物，例如可列舉聚丙烯、聚乙烯、乙烯-丙烯共聚橡膠(EPM)及乙烯-丙烯-非共軛二烯共聚橡膠(EPDM)等烯烴系聚合物；聚酯彈性體、聚對苯二甲酸乙二酯及聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯系聚合物；聚醯胺6、聚醯胺6・6、聚醯胺6・10、聚醯胺11、聚醯胺12及聚醯胺6・12等聚醯胺系樹脂；聚丙烯酸甲酯及聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚甲醛均聚物及聚甲醛共聚物等聚甲醛系樹脂；苯乙烯均聚物、丙烯腈-苯乙烯樹脂及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂等苯乙烯系樹脂；聚碳酸酯樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠及苯乙烯-異戊二烯共聚物橡膠等苯乙烯系彈性體以及其氫化物或其改性物；天然橡膠；合成異戊二烯橡膠及液狀聚異戊二烯橡膠以及其氫化物或改性物；氯丁二烯橡膠；丙烯酸系橡膠；丁基橡膠；丙烯腈-丁二烯橡膠；表氯醇橡膠；聚矽氧橡膠；氟橡膠；氯磺化聚乙烯；胺基甲酸酯橡膠；聚胺基甲酸酯系彈性體；聚醯胺系彈性體；聚酯系彈性體；軟質氯乙烯樹脂等；但並不限定於以上。 可以單層或每層種類不同之多層積層該等其他聚合物之1種或2種以上之摻合物而使用。 於與其他聚合物之積層化時，可採用多層T模法、多層吹脹法及擠出層壓法等共擠出成型法、濕式層壓、乾式層壓及加壓成型等一般之多層片材或膜成型法、共射出吹塑等多層射出吹塑以及多層直接吹塑等吹塑成型法。 又，所成型之多層積層體可未延伸，或者亦可進行單軸或雙軸延伸。 袋係指可由本實施形態之片狀成形體而成形之袋狀之成形體。作為袋，可列舉食品包裝用袋、衣物包裝用袋、醫療用袋、例如醫療用輸液袋、藥品包裝用袋等。 ＜黏著性膜＞ 本實施形態之黏著性膜包含：基材膜；及黏著層，其配置於上述基材膜上，且含有本實施形態之氫化嵌段共聚物。 本實施形態之黏著性膜之黏著層中亦可含有黏著賦予劑。 作為黏著賦予劑，只要為可對黏著層賦予黏性之樹脂，則並無特別限定，例如可列舉氫化萜烯樹脂、松香系萜烯系樹脂、氫化松香萜烯系樹脂、芳香族改性氫化萜烯樹脂、薰草咔系樹脂、酚系樹脂、萜烯酚系樹脂、氫化萜烯酚樹脂、芳香族烴樹脂、脂肪族烴樹脂等公知之黏著賦予樹脂。 特別是氫化萜烯樹脂、芳香族改性氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂、及萜烯酚樹脂較佳。 黏著賦予劑可僅單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。 作為黏著賦予劑之具體例，可使用「橡膠/塑膠調配藥品」(Rubber Digest公司編)中所記載者。藉由使用黏著賦予劑而實現黏著力之改良。 黏著層中之黏著賦予劑之含量較佳為於黏著層中含有0.5～50質量%，更佳為5～45質量%，進而較佳為10～30質量%。 若黏著層中之黏著賦予劑之含量為50質量%以下，則存在可有效地防止黏著亢進，而可進一步減低剝離時之糊劑殘留量之傾向，因此較佳。若為0.5質量%以上，則存在獲得適度之黏著力之傾向。 (基材膜) 作為基材膜之材料，並無特別限定，可使用非極性樹脂及極性樹脂之任一者。 自性能或價格方面等考慮，作為非極性樹脂，可例示聚乙烯、均或嵌段聚丙烯而作為較佳者，作為極性樹脂，可例示聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及其水解物等而作為較佳者。 基材膜之厚度較佳為1 mm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為10～200 μm。 若基材膜之厚度為10 μm以上，則可充分地進行被黏著體之保護，若基材膜之厚度為1 mm以下，則獲得實用上良好之彈性模數，獲得良好之凹凸追隨性，可有效地防止隆起或剝離。 (黏著層) 本實施形態之黏著性膜於上述基材膜上具有至少含有氫化嵌段共聚物(a)之黏著層，於該黏著層中亦可含有後述之其他材料。 ＜黏著層之其他材料＞ (氫化嵌段共聚物(b)、(c)) 本實施形態之黏著性膜中，上述黏著層亦可進而含有5～95質量%之氫化嵌段共聚物(b)及/或氫化嵌段共聚物(c)。 較佳為上述氫化嵌段共聚物(b)於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)與以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)，於上述氫化嵌段共聚物(b)中，上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)之含量為95～70質量%，上述以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)之含量為5～30質量%，上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)之氫化前之乙烯基鍵結量為30～100 mol%，上述氫化嵌段共聚物(b)之氫化率為80 mol%以上。 又，較佳為上述氫化嵌段共聚物(c)於分子中含有包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段(B2)、與以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)，於上述氫化嵌段共聚物(c)中，上述包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段(B2)之含量為95～70質量%，上述以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)之含量為5～30質量%，上述氫化嵌段共聚物(c)之氫化率為80 mol%以上。此處，所謂「包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段」係指包含源自共軛二烯化合物之單體的結構單元與源自乙烯基芳香族化合物之單體的結構單元之聚合物嵌段。 藉由具有上述構成，而存在獲得黏著性更適度、黏著亢進性低、凹凸追隨性優異之黏著性膜之傾向。 再者，於氫化嵌段共聚物(b)、氫化嵌段共聚物(c)中，關於「以……為主體」之定義、或共軛二烯化合物、乙烯基芳香族化合物之各材料、乙烯基鍵結量、氫化率，可與上述之氫化嵌段共聚物(a)同樣地定義，且可同樣地控制。 又，氫化嵌段共聚物(b)及氫化嵌段共聚物(c)可藉由與上述之氫化嵌段共聚物(a)之製造方法同樣之方法而製造。 (氫化嵌段共聚物(b)之結構例) 作為上述之氫化嵌段共聚物(b)，例如可列舉具有如下述通式所表示之結構者。 (S1-B1)_n 、 S1-(B1-S1)_n 、 B1-(S1-B1)_n 、 [(B1-S1)_n ]_m -Z、 [(S1-B1)_n ]_m -Z、 [(B1-S1)_n -B1]_m -Z、 [(S1-B1)_n -S1]_m -Z 上述通式中，S1為以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)，B1為以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)。 聚合物嵌段(S1)與聚合物嵌段(B1)之邊界線未必需要明確地區別。 又，n為1以上之整數，較佳為1～5之整數。 m為2以上之整數，較佳為2～11，更佳為2～8之整數。 Z表示偶合劑殘基。此處，所謂偶合殘基係指為了使共軛二烯化合物單體單元與乙烯基芳香族烴化合物單體單元之共聚物之複數個於聚合物嵌段(S1)-聚合物嵌段(S1)間、聚合物嵌段(B1)-聚合物嵌段(B1)間、或聚合物嵌段(S1)-聚合物嵌段(B1)間鍵結而使用的偶合劑之鍵結後之殘基。 作為偶合劑，可列舉2官能偶合劑或多官能偶合劑。作為2官能基偶合劑，例如可列舉：二甲基二氯矽烷、二甲基二溴矽烷等二鹵素化合物；苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸苯酯、鄰苯二甲酸酯類等酸酯類等；但並不限定於以上。 作為3官能基以上之多官能偶合劑，例如可列舉：3元以上之多元醇類、環氧化大豆油、二縮水甘油基雙酚A等多元環氧化合物；式R1_(4-n) SiX_n (此處，R1表示碳數1至20之烴基、X表示鹵素、n表示3或4之整數)所表示之鹵化矽化合物、及鹵化錫化合物；但並不限定於以上。 作為鹵化矽化合物，例如可列舉甲基三氯矽烷、第三丁基三氯矽烷、四氯化矽、及該等之溴化物等，但並不限定於以上。 作為鹵化錫化合物，例如可列舉甲基三氯化錫、第三丁基三氯化錫、四氯化錫等多元鹵素化合物等，但並不限定於以上。又，亦可使用碳酸二甲酯或碳酸二乙酯等。 於上述通式中，聚合物嵌段(S1)及聚合物嵌段(B1)中之乙烯基芳香族化合物單體單元可均一地分佈，亦可分佈為錐狀。又，於聚合物嵌段(S1)及聚合物嵌段(B1)為乙烯基芳香族化合物單體單元與共軛二烯化合物單體單元之共聚物嵌段之情形時，該共聚物嵌段中之乙烯基芳香族化合物單體單元亦可均一地分佈之部分及/或分佈為錐狀之部分分別存在複數個。進而，於上述共聚物嵌段部分中，亦可共存乙烯基芳香族化合物單體單元之含量不同之部分複數個。 (氫化嵌段共聚物(c)之結構例) 作為上述之氫化嵌段共聚物(c)，例如可列舉具有如下述通式所表示之結構者。 (S2-B2)_n 、 B2-(S2-B2)_n 、 [(B2-S2)_n ]_m -Z、 [(B2-S2)_n -B2]_m -Z、 於上述通式中，B2係包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段，S2係以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)。 聚合物嵌段(S2)與聚合物嵌段(B2)之邊界線未必需要明確地區別。 又，n為1以上之整數，較佳為1～5之整數。 m為2以上之整數，較佳為2～11，更佳為2～8之整數。 Z表示偶合劑殘基。 此處，所謂偶合殘基係指為了使共軛二烯化合物單體單元與乙烯基芳香族烴化合物單體單元之共聚物之複數個於聚合物嵌段(S2)-聚合物嵌段(S2)間、聚合物嵌段(B2)-聚合物嵌段(B2)間、或聚合物嵌段(S2)-聚合物嵌段(B2)間鍵結而使用的偶合劑之鍵結後之殘基。 作為偶合劑，可列舉2官能偶合劑或多官能偶合劑。 作為2官能基偶合劑，例如可列舉：二甲基二氯矽烷、二甲基二溴矽烷等二鹵素化合物；苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸苯酯、鄰苯二甲酸酯類等酸酯類等；但並不限定於以上。 作為3官能基以上之多官能偶合劑，例如可列舉：3元以上之多元醇類、環氧化大豆油、二縮水甘油基雙酚A等多元環氧化合物；式R1_(4-n) SiX_n (此處，R1表示碳數1至20之烴基、X表示鹵素、n表示3或4之整數)所表示之鹵化矽化合物、及鹵化錫化合物；但並不限定於以上。 作為鹵化矽化合物，例如可列舉甲基三氯矽烷、第三丁基三氯矽烷、四氯化矽、及該等之溴化物等，但並不限定於以上。 作為鹵化錫化合物，例如可列舉甲基三氯化錫、第三丁基三氯化錫、四氯化錫等多元鹵素化合物等，但並不限定於以上。又，亦可使用碳酸二甲酯或碳酸二乙酯等。 於上述通式中，聚合物嵌段(S2)及聚合物嵌段(B2)中之乙烯基芳香族化合物單體單元可均一地分佈，亦可分佈為錐狀。又，於聚合物嵌段(S2)及聚合物嵌段(B2)為乙烯基芳香族化合物單體單元與共軛二烯化合物單體單元之共聚物嵌段之情形時，該共聚物嵌段中之乙烯基芳香族化合物單體單元亦可均一地分佈之部分及/或分佈為錐狀之部分分別存在複數個。進而，於上述共聚物嵌段部分中，亦可共存乙烯基芳香族化合物單體單元之含量不同之部分複數個。 (氫化苯乙烯系彈性體) 本實施形態之黏著性膜之黏著層亦可進而含有氫化苯乙烯系彈性體。作為氫化苯乙烯系彈性體，並無特別限定，例如可列舉以下結構之彈性體：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯(SIS)、苯乙烯-丁二烯無規聚合物(SBR)、藉由氫化使SBS飽和而成之苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(SEPS)作為代表性之氫化苯乙烯系彈性體，另外亦可為苯乙烯-乙烯-丁烯(SEB)、苯乙烯-乙烯-丙烯(SEP)、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SIBS)。 又，上述氫化苯乙烯系彈性體亦可使用賦予有各種官能基之反應性彈性體。作為上述官能基，例如可列舉羥基、羧基、羰基、硫代羰基、醯鹵基、酸酐基、硫代羧酸基、醛基、硫代醛基、羧酸酯基、醯胺基、磺酸基、磺酸酯基、磷酸基、磷酸酯基、胺基、亞胺基、腈基、吡啶基、喹啉基、環氧基、硫代環氧基、硫基、異氰酸酯基、異硫氰酸酯基、鹵化矽基、烷氧基矽基、鹵化錫基、硼酸基、含硼基、硼酸鹽基、烷氧基錫基、苯基錫基，但並不限定於以上。 (烯烴系樹脂、烯烴系彈性體) 本實施形態之黏著性膜之黏著層亦可進而含有烯烴系樹脂、烯烴系彈性體。作為烯烴系樹脂、烯烴系彈性體，可列舉碳數2～20之α-烯烴聚合物或共聚物、乙烯與不飽和羧酸或不飽和羧酸酯之共聚物。 作為上述之具體例，可列舉乙烯-丙烯共聚物、乙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-1-己烯共聚物、乙烯-4-甲基戊烯共聚物、乙烯-1-辛烯共聚物、丙烯均聚物、丙烯-乙烯共聚物、丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、1-丁烯均聚物、1-丁烯-乙烯共聚物、1-丁烯-丙烯共聚物、4-甲基戊烯均聚物、4-甲基戊烯-1-丙烯共聚物、4-甲基戊烯-1-丁烯共聚物、4-甲基戊烯-1-丙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物等，但並不限定於以上。 自黏著力之經時穩定性之觀點考慮，較佳為丙烯均共聚物、丙烯-乙烯共聚物、丙烯-1-丁烯共聚物、丙烯-乙烯-1-丁烯共聚物、聚乙烯。 (丙烯酸系共聚物) 本實施形態之黏著性膜之黏著層亦可進而含有丙烯酸系共聚物。丙烯酸系共聚物並無特別限定，例如可列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈等與乙酸乙烯酯、氯乙烯、苯乙烯等之共聚物。 (軟化劑) 本實施形態之黏著性膜之黏著層亦可進而含有軟化劑。作為軟化劑，並無特別限定，例如可使用礦物油系軟化劑及合成樹脂系軟化劑之任一者。作為礦物油系軟化劑，一般情況下可列舉芳香族系烴、環烷系烴及石蠟系烴之混合物。再者，將石蠟系烴之碳原子數占所有碳原子中之50%以上者稱為石蠟系油，將環烷系烴之碳原子為30～45%者稱為環烷系油，又，將芳香族系烴之碳原子為35%以上者稱為芳香族系油。作為礦物油系軟化劑，較佳為作為橡膠用軟化劑之石蠟系油，作為合成樹脂系軟化劑，較佳為聚丁烯、低分子量聚丁二烯等。藉由含有軟化劑，存在於本實施形態之黏著性膜中黏著性得到進一步改善之傾向。 自抑制軟化劑滲出、或者確保實用上充分之黏著力之觀點考慮，本實施形態之黏著性膜之黏著層中之軟化劑之含量於將上述之氫化嵌段共聚物(a)、氫化嵌段共聚物(b)、氫化嵌段共聚物(c)之質量之合計設為100質量份時，較佳為0～100質量份，更佳為0.1～80質量份。 (抗氧化劑、光穩定劑等) 本實施形態之黏著性膜之黏著層中亦可進而添加抗氧化劑、光穩定劑等穩定劑。 作為抗氧化劑，例如可列舉：2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、3-(4'-羥基-3',5'-二-第三丁基苯基)丙酸正十八烷基酯、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、2,4-雙[(辛硫基)甲基]-鄰甲酚、丙烯酸2-第三丁基-6-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯酯、丙烯酸2,4-二-第三戊基-6-[1-(3,5-二-第三戊基-2-羥基苯基)乙基]苯酯、丙烯酸2-[1-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)]酯等受阻酚系抗氧化劑；硫代二丙酸二月桂酯、硫代二丙酸月桂酯硬脂酯、季戊四醇-四(β-月桂基硫代丙酸酯)等硫系抗氧化劑；亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三(2,4-二-第三丁基苯基)酯等磷系抗氧化劑；但並不限定於以上。 作為光穩定劑，例如可列舉2-(2'-羥基-5'-甲基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-第三丁基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑等苯并三唑系紫外線吸收劑或2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系紫外線吸收劑、或受阻胺系光穩定劑，但並不限定於以上。 (顏料、蠟類、熱塑性樹脂、天然橡膠、合成橡膠) 本實施形態之黏著性膜之黏著層除了上述之外，亦可視需要含有各種添加劑。 作為上述添加劑，例如可列舉：鐵丹、二氧化鈦等顏料；石蠟、微晶蠟、低分子量聚乙烯蠟等蠟類；無定形聚烯烴、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等聚烯烴系或低分子量之乙烯基芳香族系熱塑性樹脂；天然橡膠；聚異戊二烯橡膠、聚丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、乙烯-丙烯橡膠、氯丁二烯橡膠、丙烯酸系橡膠、異戊二烯-異丁烯橡膠、聚戊烯橡膠等合成橡膠；但並不限定於以上。作為上述合成橡膠，除了上述以外，亦可列舉「橡膠/塑膠調配藥品」(Rubber Digest公司編)等中所記載者。 (飽和脂肪酸雙醯胺) 本實施形態之黏著性膜之黏著層可含有具有黏著亢進之抑制效果之飽和脂肪酸雙醯胺。 作為飽和脂肪酸雙醯胺，例如可列舉伸乙基雙硬脂醯胺(EBSA)、亞甲基雙硬脂醯胺、六亞甲基雙硬脂醯胺等飽和脂肪酸脂肪族雙醯胺，以及間苯二甲基雙硬脂醯胺、及N,N'-二硬脂基間苯二甲醯胺等飽和脂肪酸芳香族雙醯胺，但並不限定於以上。 飽和脂肪酸脂肪族雙醯胺中，更佳為伸乙基雙硬脂醯胺。 又，飽和脂肪酸芳香族雙醯胺中，更佳為間苯二甲基雙硬脂醯胺。 該等飽和脂肪酸雙醯胺可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。 進而，亦可調配具有抑制黏著亢進之效果之苯乙烯系嵌段相補強劑。作為苯乙烯系嵌段相補強劑，例如可列舉苯乙烯及α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、第三丁基苯乙烯、對乙基苯乙烯、二乙烯基苯等苯乙烯系化合物而作為單體，但並不限定於以上。該等可僅單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。 ＜構成黏著性膜之黏著層的樹脂材料之製造方法＞ 構成本實施形態之黏著性膜之黏著層之樹脂材料例如可藉由如下方法而製造：對氫化嵌段共聚物(a)、氫化嵌段共聚物(b)、氫化嵌段共聚物(c)、及視需要而加入之其他成分進行乾摻之方法；藉由提供至通常之高分子物質之混合的裝置而進行製備之方法等。 作為混合裝置，並無特別限定，例如可列舉班布里混合機、Laboplast Mill、單軸擠出機、雙軸擠出機等混練裝置，自生產性、良好之混練性之觀點考慮，較佳為藉由使用擠出機之熔融混合法而製造。 又，特別是於調配黏著賦予劑之情形時，亦可使用上述乾摻法，但黏著賦予劑由於黏膩性強，且為鱗片狀，因此處理性差，因此亦可製作預先混練於上述氫化嵌段共聚物(a)或(b)、或者(c)中之母料。混練時之熔融溫度可適宜設定，通常為130～300℃之範圍內，較佳為150～250℃之範圍。 對於構成本實施形態之黏著層之樹脂材料，為了實現輕量化、柔軟化及密接性之提高效果，亦可實施發泡處理。 作為發泡方法，例如存在有化學方法、物理方法、熱膨脹型微球之利用等，但並不限定於以上。可分別藉由無機系發泡劑、有機系發泡劑等化學發泡劑、物理發泡劑等之添加、熱膨脹型微球之添加等而使氣泡分佈於材料內部。又，亦可藉由添加中空填料(已膨脹球)而實現輕量化、柔軟化、密接性之提高。 ＜黏著性膜之製造方法＞ 本實施形態之黏著性膜於基材膜上包含含有氫化嵌段共聚物之黏著層。 本實施形態之黏著性膜之製造方法並無特別限定，例如可列舉將構成黏著層之樹脂材料之溶液或熔融物塗佈於基材膜上之方法、使用膜擠出機之方法等。 此處，於使用構成黏著層之樹脂材料之溶液或熔融物之情形時，可於製成組合物後製成溶液或熔融物，亦可於製成加入有氫化嵌段共聚物(a)、視需要之氫化嵌段共聚物(b)、氫化嵌段共聚物(c)之溶液或熔融物後進行混合。 於塗佈樹脂材料之溶液之方法中，例如可藉由如下等方法而製造：將該等溶解於可溶解其等之溶劑中，使用塗佈機等而塗佈於基材膜上，對溶劑進行加熱乾燥，但並不限定於以上。 於使樹脂材料熔融並進行塗佈之方法中，例如可藉由如下等方法而製造：使用熱熔式塗佈機等，於基材膜上塗佈經熔融之樹脂材料，但並不限定於以上。於此情形時，較佳為使用具有比塗佈溫度高之玻璃轉移溫度、熔點或軟化點之各種基材膜。 作為利用膜擠出機之方法，例如可藉由如下方法而製造：藉由熔融共擠出機使含有樹脂材料之黏著層之成分、與可構成基材膜之熱塑性樹脂等成分成為兩個流向，亦即，使黏著層形成用流體與基材體膜形成用流體於模嘴內合流而形成單一流體進行擠出，將黏著層與樹脂膜層複合，但並不限定於以上。 於利用膜擠出機之方法之情形時，形成黏著層之樹脂材料亦可藉由預先將黏著層用各成分加以乾摻而製造，因此其係生產性優異之方法。又，於進行擠出成型之情形時，存在所製作之表面保護膜之密接性、接著強度特別優異之傾向。 本實施形態之黏著性膜可暫時黏於導光板或稜鏡片等光學系統成形體、合成樹脂板、金屬板、化妝合板、被覆塗裝鋼板、各種銘牌等之表面，用作該等被黏著體之加工時或搬送、保管時之損傷防止或污垢防止用保護膜。 [實施例] 以下，藉由實施例而對本實施形態加以具體說明，但本實施形態並不限定於該等實施例。於實施例及比較例中，藉由以下所說明之方法而進行氫化嵌段共聚物之製備，製造丙烯系樹脂組合物，並進行物性之比較。此時，氫化嵌段共聚物之特性或丙烯系樹脂組合物之物性可如下所述地進行測定。 ＜測定方法＞ 1)氫化嵌段共聚物中之各聚合物嵌段之含量 將氫化前之嵌段共聚物之聚合過程之每個步驟中所取樣之聚合物溶液約20 mL注入至密封有作為內部標準之0.50 mL正丙基苯、約20 mL甲苯之100 mL之瓶中而製作樣品。 藉由安裝有擔載了阿匹松密封臘(Apiezon grease)之填充管柱之氣相層析儀(島津製作所製造之GC-14B)而對該樣品進行測定，根據事先獲得之丁二烯單體與苯乙烯單體之校準曲線而求出聚合物溶液中之殘留單體量，確認丁二烯單體及苯乙烯單體之聚合率為100%，根據下述式計算各聚合物嵌段之含量。 再者，丁二烯之聚合率係於固定為90℃之條件下測定，苯乙烯之聚合率係自90℃(保持10分鐘)升溫至150℃(10℃/分鐘)之條件下測定。 各嵌段之含量＝(各步驟中所進給之單體合計量)/(所有單體量)×100質量% 2)聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量ΔV值(V_H －V_L )之測定 於聚合物嵌段(B)中，將自聚合起始時至聚合結束時之反應時間6等分，設為第1區域～第6區域，對該第1區域～第6區域之共軛二烯化合物進行取樣而進行乙烯基鍵結量之測定，將(B)之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H 、最小值設為V_L 時，將V_H －V_L 作為ΔV值。 再者，所謂聚合物嵌段(B)之「聚合起始時」係將聚合物嵌段(B)之原料單體投入至反應器中之時，所謂聚合物嵌段(B)之「聚合結束時」係即將將聚合物嵌段(S)之原料單體投入至反應器中之前。 3)氫化嵌段共聚物之氫化前之乙烯基鍵結量 藉由質子核磁共振(¹ H-NMR)法對氫化前之嵌段共聚物之聚合過程之每個步驟中及聚合物嵌段(B)之聚合中途所取樣之聚合物進行測定。測定機器使用JNM-LA400(JEOL製造)，溶劑使用氘化氯仿，樣品濃度為50 mg/mL，觀測頻率為400 MHz，化學位移基準使用四甲基矽烷，於脈衝延遲為2.904秒、掃描次數為64次、脈衝寬度為45°、及測定溫度為26℃之條件下進行。乙烯基鍵結量係根據歸屬於1,4-鍵及1,2-鍵之訊號之積分值算出各鍵結樣式之每1H之積分值後，根據1,4-鍵與1,2-鍵(於丁二烯之情形時，若為異戊二烯之情形則成為3,4-鍵)之比率而算出。 又，針對氫化前之嵌段共聚物之聚合過程之每個步驟中所取樣的每種聚合物而算出乙烯基鍵結量，藉此算出(C)嵌段與(B)嵌段各自之乙烯基鍵結量。 4)氫化嵌段共聚物之基於共軛二烯化合物單元之不飽和鍵之氫化率(hydrogenation rate) 使用氫化後之聚合物，藉由質子核磁共振(¹ H-NMR)而進行測定。測定條件及測定資料之處理方法與上述3)相同。氫化率係算出4.5～5.5 ppm之源自殘存雙鍵之訊號及源自經氫化之共軛二烯之訊號之積分值，算出其比率。 5)相對於共軛二烯化合物單元之合計100 mol%之丁烯量及/或丙烯量 使用氫化後之聚合物，藉由質子核磁共振(¹ H-NMR)而測定氫化嵌段共聚物中之共軛二烯化合物單元之合計量、與丁烯量及/或丙烯量。測定條件及測定資料之處理方法與上述3)及4)相同。丁烯含量係算出光譜之0～2.0 ppm處之歸屬於丁烯(經氫化之1,2-鍵)之訊號之積分值，根據其比率而算出。 6)氫化嵌段共聚物之乙烯基芳香族化合物單元之含量(以下亦表記為「苯乙烯含量」) 使用氫化後之聚合物，藉由質子核磁共振(¹ H-NMR)法而進行測定。測定機器使用JNM-LA400(JEOL製造)，溶劑使用氘化氯仿，樣品濃度為50 mg/mL，觀測頻率為400 MHz，化學位移基準使用四甲基矽烷，於脈衝延遲為2.904秒、掃描次數為64次、脈衝寬度為45°、及測定溫度為26℃之條件下進行。苯乙烯含量係使用光譜之6.2～7.5 ppm處之總苯乙烯芳香族訊號之累計值而算出。 又，針對氫化前之嵌段共聚物之聚合過程之每個步驟中所取樣的每種聚合物算出乙烯基芳香族化合物單元之含量，藉此算出所有乙烯基芳香族化合物之含量(所有苯乙烯含量)、及聚合物嵌段(S)中之苯乙烯含量。 7)DSC測定 於鋁製鍋中分別準確稱量氫化嵌段共聚物10 mg，使用示差掃描熱量計(DSC)(TA Instruments製造、Q2000)，於氮氣環境(流量為50 mL/分鐘)下，以10℃/分鐘之升溫速度自初始溫度為-50℃升溫至150℃，將150℃保持5分鐘，其後以10℃/分鐘降溫至-50℃而進行測定。將所描繪之DSC曲線之降溫過程中所出現之結晶化波峰作為結晶化溫度(℃)，將結晶化波峰面積所表示之熱量作為結晶化熱量(J/g)。 8)氫化嵌段共聚物之動態黏彈性測定 藉由下述方法測定動態黏彈性光譜，獲得損耗係數tanδ之波峰高度(最大值)、提供該最大值之溫度及波峰半高寬。 首先，將氫化嵌段共聚物成形為厚度2 mm之片材後切為寬10 mm、長35 mm之尺寸，作為測定用試樣。 於裝置ARES(TA Instruments股份有限公司製造、商品名)之扭轉型之幾何形狀上設置測定用試樣，藉由有效測定長度為25 mm、應變為0.5%、頻率為1 Hz、測定範圍為-100℃至100℃、升溫速度為3℃/分鐘之條件而進行測定。 9)氫化嵌段共聚物之重量平均分子量 氫化嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)係藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定而求出。亦即，測定裝置使用島津製作所製造之LC-10、管柱使用TSK gel GMHXL(4.6 mmID×30 cm、2根)、溶劑使用四氫呋喃(THF)，作為利用市售之標準聚苯乙烯之聚苯乙烯換算分子量而求出。 再者，如上所述而獲得之峰值重量平均分子量之高分子量成分之含有率與低分子量成分之含有率之合計係設為將高分子量成分與低分子量成分之合計峰面積除以波峰之總面積所得之值，求出該等之含有率之合計值(高/低分子量率合計)。 又，利用藉由上述GPC而測定之分子量分佈(Mw/Mn)，使用偶合前之峰面積與偶合後之峰面積而求出偶合率。 10)氫化嵌段共聚物之熔體流動速率(以下亦稱為「MFR」) 氫化嵌段共聚物與丙烯系樹脂之MFR係依據ISO 1133，於230℃、2.16 kg荷重下進行測定。 11)氫化嵌段共聚物之分散度及片狀成型體之分散度 藉由四氧化釕對將實施例1～10及比較例1～11中所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)單體於200℃下加壓成型為2 mm厚而成之片狀成型體、及實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之片狀成型體之剖面進行染色後，使用穿透式電子顯微鏡(TEM)以50000倍之倍率對藉由切片機而獲得之超薄切片進行觀察。使用圖像分析軟體(旭化成工程公司製造、A像君)，算出在所觀測之TEM圖像中以經染色之芳香族乙烯系化合物粒子之重心為母點進行沃羅諾伊(Voronoi)分割而成之多邊形之平均面積與其標準偏差之比，將其作為分散度。 12)氫化嵌段共聚物之蕭氏A硬度 重疊4片將實施例1～10及比較例1～11中所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)單體於200℃下加壓成型為2 mm厚而成之片狀成型體，依據ASTM D-2240，藉由A型硬度計測定瞬間之值。 13)氫化嵌段共聚物之耐黏連性 實施例1～10及比較例1～11中所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)之顆粒之耐黏連性係將氫化嵌段共聚物之顆粒60 g移至直徑為6 cm之圓筒狀金屬製容器中，施加1160 g之荷重而於60℃下靜置24小時，其後自金屬製容器中取出顆粒，振盪後測定3連球以上之顆粒重量之比率(黏連強度(%))，藉由如下基準進行評價。 5：黏連強度未達5% 4：黏連強度為5%以上且未達10% 3：黏連強度為10%以上且未達15% 2：黏連強度為15%以上且未達20% 1：黏連強度為20%以上 再者，上述所使用之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)之顆粒係如下所述地進行製造。亦即，自設定為200℃之單軸擠出機(30 mm

)將氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)擠出為股線狀，藉由設置於模頭部前面之旋轉刀而於水中進行切斷，藉由該方法獲得顆粒後，將聚乙烯系粉體(Acumist B4 Honeywell公司製造)作為抗顆粒黏連劑，以氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)之顆粒/聚乙烯系粉體＝100/0.3之調配比，使用滾筒(tumbler)將兩者加以混合而獲得氫化嵌段共聚物顆粒。 14)氫化嵌段共聚物之300%伸長遲滯損失 使用將實施例1～10及比較例1～11中所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)單體於200℃下加壓成型為2 mm厚而成之片狀成型體，使用沖裁為JIS 5號啞鈴之樣品，依據JIS K6251，藉由拉伸試驗機(Minebea、Tg-5kN)而以500 mm/min之拉伸速度進行300%伸長，將以500 mm/min之速度恢復時，拉伸強度成為0 MPa時之殘留延伸之比率作為遲滯損失率。根據所獲得之遲滯損失率(%)，藉由如下基準進行評價。 5：遲滯損失率未達5% 4：遲滯損失率為5%以上且未達10% 3：遲滯損失率為10%以上且未達15% 2：遲滯損失率為15%以上且未達20% 1：遲滯損失率為20%以上 15)氫化嵌段共聚物之耐溶劑性 使用實施例1～10及比較例1～11中所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)之顆粒，於甲苯中、23℃下浸漬1小時，對於浸漬後之外觀(顆粒形狀狀態)，藉由目視觀察狀態，藉由以下之基準評價耐溶劑性。 5：顆粒以原來之大小維持形狀之狀態 4：顆粒稍許膨潤，但維持形狀之狀態 3：顆粒膨潤、缺損之狀態 2：顆粒之一部分未熔融而殘存之狀態 1：顆粒完全溶解之狀態 16)布勒格面間距及g因數之算出 對實施例1～10及比較例1～11中所獲得之氫化嵌段共聚物進行壓縮成型而製作厚度為2 mm之片材，於以下之測定中使用所獲得之片材。 使用奈米尺度X射線結構評價裝置NANO-Viewer[裝置係RIGAKU製造]與PILATUS100K(2維半導體檢測器)而測定氫化嵌段共聚物之布勒格面間距。於測定時，第一狹縫使用0.2 mmΦ之針孔、第二狹縫使用0.1 mmΦ之針孔。對於藉由上述方法而製作之片材，自片材面法線方向入射X射線，藉由PILATUS100K檢測透過散射光。對所獲得之2維SAXS圖案實施檢測器之背景、空槽散射修正後，採取圓環平均，藉此求出1維散射分佈。視需要亦進行針對由入射X射線束之擴寬所造成之SAXS分佈之拖尾的修正(去拖尾)。自1維散射分佈讀取源自微相分離結構之散射1次波峰位置(2θm)，根據布勒格方程式(1)而算出區域間距離d、亦即布勒格面間距。 d＝λ/2/sin(θm) (1) (θm：散射1次波峰位置之布勒格角、λ：入射X射線波長) 又，g因數可如下所述地算出。 考慮球狀結構採用具有2維之結構混亂(具有副晶結構)之體心立方晶格之結構的微相分離結構模式，使用該模式之理論散射式而對上述SAXS分佈實施擬合分析。理論散射式使用Hideki Matsuoka, Hideaki Tanaka, Takeji Hashimoto, Norio Ise, Physical Review B, vol.36, number 3 (1987) 1754中所記載之式。以擬合曲線與各試樣之SAXS分佈一致之方式調整g因數，藉此算出各試樣之g因數。所謂g因數係將自布勒格面間距之平均之偏移之標準偏差除以d而得者。 17-1)片狀成形體之透明性 使用實施例11～24及比較例12～22中所獲得之200 μm之厚度之片狀成形體，利用霧度計(日本電色工業製造、NDH-1001DP)測定霧度值(%)，而作為透明性之指標。根據所獲得之霧度值，藉由如下之基準進行評價。 根據200 μm之厚度之片狀成形體，藉由如下之基準進行評價。 5：霧度值未達3% 4：霧度值為3%以上且未達8% 3：霧度值為8%以上且未達13% 2：霧度值為13%以上且未達20% 1：霧度值為20%以上 17-2)片狀成形體之透明性 使用實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之厚度之片狀成形體，利用霧度計(日本電色工業製造、NDH-1001DP)測定霧度值(%)，而作為透明性之指標。根據所獲得之霧度值，藉由如下之基準進行評價。 根據250 μm之厚度之片狀成形體，藉由如下之基準進行評價。 5：霧度值未達5% 4：霧度值為5%以上且未達10% 3：霧度值為10%以上且未達15% 2：霧度值為15%以上且未達20% 1：霧度值為20%以上 18)片狀成形體之柔軟性 使用實施例11～24及比較例12～24中所獲得之200 μm之厚度之片狀成形體、及實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之厚度之片狀成形體，關於捲取方向(MD)，使用沖裁為JIS 5號啞鈴之樣品，依據JIS K6251，藉由拉伸試驗機(Minebea、Tg-5kN)以200 mm/min之拉伸速度測定拉伸彈性率(MPa)，而作為柔軟性之指標。根據所獲得之拉伸彈性率，藉由如下之基準進行評價。 5：拉伸彈性率未達250 MPa 4：拉伸彈性率為250 MPa以上且未達300 MPa 3：拉伸彈性率為300 MPa以上且未達350 MPa 2：拉伸彈性率為350 MPa以上且未達400 MPa 1：拉伸彈性率為400 MPa以上 19)片狀成形體之各向異性 使用實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之厚度之片狀成形體，關於捲取方向(MD)及與其垂直之方向(TD)，使用沖裁為JIS 5號啞鈴之樣品，依據JIS K6251，藉由拉伸試驗機(Minebea、Tg-5kN)以200 mm/min之拉伸速度測定拉伸彈性率(MPa)。根據所獲得之拉伸彈性率MD/TD之比，藉由如下之標準評價各向異性。 5：MD/TD之值為0.95～1.05之範圍 4：MD/TD之值為0.92～1.08之範圍(其中，上述5之範圍除外) 3：MD/TD之值為0.89～1.11之範圍(其中，上述5與4之範圍除外) 2：MD/TD之值為0.85～1.15之範圍(其中，上述5、4、3之範圍除外) 1：MD/TD之值未達0.85或超過1.15 20)片狀成形體之加工性 對於在實施例11～24及比較例12～24中所記載之調配條件下，僅改變溫度條件，藉由後述之(片狀成形體之製造)中所記載之方法所獲得之片狀成型體之外觀，藉由目視觀察狀態，確認外觀良好之狀態(完全無模線或皺褶及波紋之狀態)之溫度範圍之廣度，藉由以下標準而評價成型加工性。 5：150℃～200℃(50℃) 4：160℃～200℃(40℃) 3：170℃～200℃(30℃) 2：180℃～200℃(20℃) 1：190℃～200℃(10℃) 21)片狀成形體之表面平滑性 使用實施例11～24及比較例12～24中所獲得之200 μm之厚度之片狀成形體、及實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之厚度之片狀成形，利用雷射顯微鏡(基恩士公司製造之VK-X8500)而測定片材之表面粗糙度(10點平均粗糙度：Rz)。根據所獲得之值，藉由如下之基準進行評價。 5：Rz之值未達20 μm 4：Rz之值為20 μm以上且未達30 μm 3：Rz之值為30 μm以上且未達40 μm 2：Rz之值為40 μm以上且未達50 μm 1：Rz之值為50 μm以上 22)片狀成形體之低黏膩性 將實施例11～24及比較例12～24中所獲得之200 μm之厚度之片狀成形體、及實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之厚度之片狀成形切出為5 cm×8 cm及4 cm×6 cm之試片。將所獲得之試片2片重疊(上表面：5 cm×8 cm、下表面：4 cm×5 cm)後，於其上表面放置500 g之荷重(大小：6 cm×10 cm×1 cm)，靜止60秒後，藉由拉伸試驗機(Minebea、Tg-5kN)以100 mm/分鐘之速度進行180°剝離，測定此時之黏著強度(J)，而作為低黏膩性之指標。根據所獲得之黏著強度，藉由如下之基準進行評價。 5：黏著強度未達3 N 4：黏著強度為3 N以上且未達5 N 3：黏著強度為5 N以上且未達10 N 2：黏著強度為10 N以上且未達15 N 1：黏著強度為15 N以上 23)聚丙烯樹脂組合物之廣角X射線繞射測定 將實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之片狀成型體作為試片，使用RIGAKU製造之奈米尺度X射線結構評價裝置NANO-Viewer，利用波長為0.154 nm之X射線，自成型體之側面向成型體面平行地入射X射線(邊緣入射)，其中上述波長為0.154 nm之X射線係使用作為光學系統之點準直(第1狹縫：0.4 mm

、第2狹縫：0.2 mm

、防護狹縫：0.8 mm

)而進行了平行化者。此時，X射線入射方向之試樣厚度設為片材厚度以下。使用成像板作為檢測器，相機長度(camera length)設為74.5 mm、曝光時間設為15分鐘。為了防止源自空氣之散射，將自第2狹縫以後起直至檢測器之間設為真空。對於散射進行空槽散射修正與裝置之背景修正。將所獲得之2維散射圖案於-15°＜χ＜15°(χ：將成形體之厚度方向設為0°所定義之方位角)之範圍進行扇狀平均而獲得1維散射分佈。將所獲得之散射分佈中之連結2θ＝5°之散射強度與2θ＝30°之散射強度之直線作為基準線，將自基準線之位於2θ＝14°之散射峰頂(自聚丙烯樹脂之α結晶之(110)面散射)之強度設為I14，將自基準線之2θ＝15°之散射強度設為I15，算出其強度比(I14/I15)。 24)樹脂組合物之成形體之CFC測定 將實施例25～38及比較例23～38中所獲得之250 μm之片狀成型體作為試驗試樣，如下所述地測定藉由升溫溶離區分獲得之溶出溫度-溶出量曲線，求出各溫度下之溶出量、溶出積分量、及溶出成分之分子量分佈。 首先，將含有填充劑之管柱升溫至145℃，導入於使氫化嵌段共聚物溶解於鄰二氯苯中而成之試樣溶液，於140℃下保持30分鐘。其次，將管柱之溫度以1℃/分鐘之降溫速度降溫至-20℃後，保持60分鐘，使試樣析出至填充劑表面。 其後，將管柱之溫度以40℃/分鐘之升溫速度以5℃之間隔依序進行升溫，檢測於各溫度下溶出之試樣之濃度。繼而，根據試樣之溶出量(質量%)與此時之管柱內溫度(℃)之值測定溶出溫度-溶出量曲線，求出各溫度下之溶出量與分子量分佈。 裝置：CFC型交叉區分層析儀(Polymer Char公司製造) 檢測器：IR型紅外分光光度計(Polymer Char公司製造) 檢測波長：3.42 μm 管柱：Shodex HT-806M×3根(昭和電工公司製造) 管柱校準：單分散聚苯乙烯(東曹公司製造) 分子量校準法：標本校準法(聚苯乙烯換算) 溶離液：鄰二氯苯 流量：1.0 mL/分鐘 試樣濃度：120 mg/30 mL 注入量：0.5 mL 根據所獲得之溶出溫度-溶出量曲線，求出-20℃以下之總容量中之積分溶出量(%)、超過-20℃且未達60℃之範圍之總容量中之積分溶出量(%)、60℃以上且150℃以下之範圍之總容量中之積分溶出量(%)及10～60℃之溶出成分之分子量分佈。 [膜之黏著特性] 25)初始黏著力之評價 作為測定裝置，使用萬能拉伸壓縮試驗機「Technograph TGE-500N；Minebea股份有限公司製造」。 於下述實施例39～59、比較例39～53中，將所製作之表面保護膜設為25 mm寬而分別貼附於PMMA板(表面之算術平均粗糙度為0.1 μm)與SUS304HL板上，藉由重量為2 kg之橡膠輥(直徑為10 cm)滾動而進行貼附，於溫度23℃×50%相對濕度中放置30分鐘，其後將剝離速度設為300 mm/分鐘而進行180度剝離，基於試驗JIS K6854-2測定初始黏著力，進行下述之評價。 將於PMMA板中為400(g/25 mm)以上者設為○，將200(g/25 mm)以上且未達400(g/25 mm)者設為△，將未達200(g/25 mm)者設為×。 26)黏著亢進性之評價 於下述實施例39～59、比較例39～53中，將所製作之表面保護膜設為25 mm寬而分別貼附於PMMA板(表面之算術平均粗糙度為0.1 μm)上，進而藉由重量為2 kg之橡膠輥(直徑為10 cm)滾動而進行貼附。其後，於溫度為80℃之烘箱中保管1小時，進而其後於23℃×50%相對濕度中放置30分鐘，其後將剝離速度設為300 mm/分鐘而以180度之角度進行剝離，基於試驗JIS K6854-2而測定黏著力。 根據下述式而對黏著亢進性進行評價。 黏著亢進性＝(以80℃加熱1小時後之黏著力)/(初始黏著力) 黏著亢進性之值越小越良好，將1.7以下設為○，將超過1.7且2以下設為△，將超過2者設為×。 27)凹凸追隨性之評價 根據上述之初始黏著力之數值，依照以下之式而判斷凹凸追隨性。 凹凸追隨性＝(PMMA板之初始黏著力)/(於SUS304HL上之初始黏著力) 凹凸追隨性係將3以下設為○，將超過3且5以下設為△，將超過5者設為×。 ＜氫化嵌段共聚物之製造＞ [實施例1] (氫化觸媒之製備) 藉由下述方法而製備氫化嵌段共聚物之氫化反應中所使用之氫化觸媒。於進行了氮氣置換之反應容器中放入經乾燥及純化之環己烷1 L，添加雙(η5-環戊二烯基)二氯化鈦100毫莫耳，一面充分進行攪拌一面添加含有200毫莫耳三甲基鋁之正己烷溶液，於室溫下進行約3日之反應。 (氫化嵌段共聚物之製作) ＜氫化嵌段共聚物(a)＞ 使用內部容積為10 L之附有攪拌裝置及夾套之槽型反應器而進行分批聚合。於反應器內放入1 L之環己烷，其後添加相對於所有單體100質量份而言為0.050質量份之正丁基鋰(以下亦稱為「Bu-Li」)、相對於1莫耳Bu-Li而言為0.05莫耳之作為乙烯基化劑之N,N,N',N'-四甲基乙二胺(以下亦稱為「TMEDA」)。作為第1步驟，歷時10分鐘投入含有10質量份丁二烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行10分鐘聚合。再者，於聚合中將溫度控制為65℃。其次，作為第2步驟，添加相對於1莫耳Bu-Li而言為1.50莫耳之TMEDA、相對於1莫耳Bu-Li而言為0.05莫耳之鈉第三戊氧化物(以下稱為NaOAm)，歷時60分鐘投入含有85質量份丁二烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行10分鐘之聚合。再者，於聚合中將溫度控制為60℃。其次，作為第3步驟，歷時5分鐘投入含有5質量份苯乙烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行10分鐘聚合。再者，於聚合中將溫度控制為65℃。 再者，於嵌段共聚物之製備過程中，於每個步驟中對所獲得之聚合物進行取樣。所獲得之嵌段共聚物之分析值係苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為249,000、分子量分佈為1.12、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為3.5莫耳%。 其次，於所獲得之嵌段共聚物中，以每100質量份嵌段共聚物中鈦為100 ppm之方式添加上述氫化觸媒，於氫壓為0.7 MPa、溫度為70℃下進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次添加相對於嵌段共聚物而言為0.3質量份之作為穩定劑之3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)之氫化率為99.5%、MFR為2 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)之分析結果表示於表1中。 [實施例2] 將Bu-Li設為0.050質量份，作為第1步驟，設為丁二烯10質量份，作為第2步驟，設為丁二烯82質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯5質量份，追加第4步驟，歷時5分鐘投入含有3質量份丁二烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行10分鐘之聚合。再者，於聚合中將溫度控制為65℃而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-2)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-2)之苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為251,000、分子量分佈為1.14、氫化率為99.8%、MFR為4 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-2)之分析結果表示於表1中。 [實施例3] 將Bu-Li設為0.060質量份，作為第1步驟，設為丁二烯15質量份，作為第2步驟，設為丁二烯78質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯7質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-3)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-3)之苯乙烯含量為7質量%、重量平均分子量為204,000、分子量分佈為1.19、氫化率為99.6%、MFR為2.9 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-3)之分析結果表示於表1中。 [實施例4] 將Bu-Li設為0.053質量份，作為第1步驟，設為丁二烯3質量份，作為第2步驟，設為丁二烯85質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯12質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-4)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-4)之苯乙烯含量為12質量%、重量平均分子量為225,000、分子量分佈為1.22、氫化率為99.3%、MFR為1.9 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-4)之分析結果表示於表1中。 [實施例5] 將Bu-Li設為0.042質量份，作為第1步驟，設為丁二烯6質量份，作為第2步驟，設為丁二烯91質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯3質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-5)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-5)之苯乙烯含量為3質量%、重量平均分子量為282,000、分子量分佈為1.29、氫化率為98.6%、MFR為3.9 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-5)之分析結果表示於表1中。 [實施例6] 將Bu-Li設為0.078質量份，作為第1步驟，設為丁二烯16質量份，作為第2步驟，設為丁二烯72質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯12質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-6)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-6)之苯乙烯含量為12質量%、重量平均分子量為161,000、分子量分佈為1.12、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為3.3莫耳%、氫化率為99.0%、MFR為1.5 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-6)之分析結果表示於表1中。 [實施例7] 將Bu-Li設為0.062質量份，作為第1步驟，設為丁二烯7質量份，作為第2步驟，設為丁二烯78質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯15質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-18)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-18)之苯乙烯含量為15質量%、重量平均分子量為198,000、分子量分佈為1.29、氫化率為99.4%、MFR為2.9 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-18)之分析結果表示於表1中。 [實施例8] 將Bu-Li設為0.050質量份，將第1步驟前之TMEDA設為0.03莫耳，作為第1步驟，設為丁二烯10質量份，作為第2步驟，歷時60分鐘投入丁二烯85質量份，其後進而進行10分鐘之聚合。再者，於聚合中，溫度係自45℃開始歷時60分鐘控制至66℃。亦即，第2步驟中之聚合溫度之溫度差為21℃。其次，作為第3步驟，設為苯乙烯5質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-19)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-19)之苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為248,000、分子量分佈為1.28、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為10.2莫耳%、氫化率為98.5%、MFR為3.2 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-19)之分析結果表示於表1中。 [實施例9] 使嵌段共聚物之氫化反應於中途停止，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-20)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-20)之苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為251,000、分子量分佈為1.13、氫化率為85.0%、MFR為3.2 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-20)之分析結果表示於表1中。 [實施例10] 將Bu-Li設為0.058質量份，將第1步驟前之TMEDA設為0.04莫耳，作為第1步驟，設為丁二烯5質量份，將第2步驟前之TMEDA設為1.15莫耳，並未添加NaOAm，作為第2步驟，設為異戊二烯77質量份，其次作為第3步驟，設為苯乙烯15質量份，將所獲得之嵌段共聚物之氫化反應之氫化觸媒設為2-乙基-己酸鎳/氫化鋰，以每100質量份嵌段共聚物中鎳為100 ppm之方式進行添加，於氫壓為4.5 MPa、溫度為90℃下進行氫化反應而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-21)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-21)之苯乙烯含量為15質量%、重量平均分子量為206,000、分子量分佈為1.14、氫化率為91.2%、MFR為2.2 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-21)之分析結果表示於表1中。 [比較例1] 將Bu-Li設為0.099質量份，作為第1步驟，設為丁二烯17質量份，作為第2步驟，設為丁二烯67質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯16質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-7)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-7)之苯乙烯含量為16質量%、重量平均分子量為117,000、分子量分佈為1.09、氫化率為99.2%、MFR為1.8 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-7)之分析結果表示於表1中。 [比較例2] 將Bu-Li設為0.050質量份，作為第1步驟，設為丁二烯20質量份，作為第2步驟，設為丁二烯80質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-8)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-8)之苯乙烯含量為0質量%、重量平均分子量為250,000、分子量分佈為1.08、氫化率為99.5%、MFR為32 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-8)之分析結果表示於表1中。 [比較例3] 將Bu-Li設為0.122質量份，作為第1步驟，設為丁二烯5質量份，作為第2步驟，設為丁二烯70質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯25質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-9)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-9)之苯乙烯含量為25質量%、重量平均分子量為88,000、分子量分佈為1.11、氫化率為99.0%、MFR為3.1 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-9)之分析結果表示於表1中。 [比較例4] 將Bu-Li設為0.072質量份，作為第1步驟，設為丁二烯35質量份，作為第2步驟，設為丁二烯63質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯2質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-10)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-10)之苯乙烯含量為2質量%、重量平均分子量為169,000、分子量分佈為1.12、氫化率為98.3%、MFR為4.8 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-10)之分析結果表示於表1中。 [比較例5] 將Bu-Li設為0.065質量份，作為第1步驟，設為苯乙烯8質量份，作為第2步驟，設為丁二烯85質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯7質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-11)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-11)之苯乙烯含量為15質量%、重量平均分子量為178,000、分子量分佈為1.12、氫化率為99.2%、MFR為4.8 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-11)之分析結果表示於表1中。 [比較例6] 將Bu-Li設為0.050質量份，將第1步驟前之TMEDA設為0.250莫耳，作為第1步驟，設為丁二烯10質量份，作為第2步驟，設為丁二烯85質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯5質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-12)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-12)之苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為248,000、分子量分佈為1.16、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為4.2莫耳%、氫化率為99.1%、MFR為9.2 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-12)之分析結果表示於表1中。 [比較例7] 進行與(a-1)同樣之操作，使嵌段共聚物聚合後，製造氫化率得到控制之氫化嵌段共聚物(a-13)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-13)之苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為253,000、分子量分佈為1.15、氫化率為70.0%、MFR為15.2 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-13)之分析結果表示於表1中。 [比較例8] 將Bu-Li設為0.055質量份，將第2步驟前之TMEDA設為0.65莫耳，並未添加NaOAm而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-14)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-14)之苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為239,000、分子量分佈為1.08、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為3.8莫耳%、氫化率為99.4%、MFR為2.9 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-14)之分析結果表示於表1中。 [比較例9] 將Bu-Li設為0.060質量份，作為第1步驟，設為丁二烯10質量份，作為第2步驟，添加丁二烯45質量份及苯乙烯40質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯5質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(a-15)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-15)之苯乙烯含量為45質量%、重量平均分子量為141,000、分子量分佈為1.27、氫化率為99.9%、MFR為7.8 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-15)之分析結果表示於表1中。 [比較例10] (隔熱聚合) 於反應器內放入1 L環己烷，控制為30℃，放入0.050質量份Bu-Li、0.05莫耳TMEDA，作為第1步驟，瞬間投入含有10質量份丁二烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行30分鐘之聚合。再者，聚合溫度達到60℃。其次，將反應器內溫歷時30分鐘冷卻至10℃。其次，作為第2步驟，添加相對於1莫耳Bu-Li而言為1.80莫耳之TMEDA，瞬間投入含有85質量份丁二烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行60分鐘聚合。再者，聚合溫度達到70℃。亦即，第2步驟中之聚合溫度之溫度差為60℃。其次，作為第3步驟，瞬間投入含有5質量份苯乙烯之環己烷溶液(濃度為20質量%)，其後進而進行30分鐘聚合。再者，聚合溫度達到75℃。 再者，於嵌段共聚物之製備過程中，於每個步驟中對所獲得之聚合物進行取樣。所獲得之嵌段共聚物之分析值係苯乙烯含量為5質量%、重量平均分子量為253,000、分子量分佈為1.31、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為18.4莫耳%。 其次，於所獲得之嵌段共聚物中，以每100質量份嵌段共聚物中鈦為100 ppm之方式添加上述氫化觸媒，於氫壓為0.7 MPa、溫度為70℃下進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次添加相對於嵌段共聚物而言為0.3質量份之作為穩定劑之3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-16)之氫化率為98.5%、MFR為4.7 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-16)之分析結果表示於表1中。 [比較例11] (隔熱聚合) 將Bu-Li設為0.110質量份，作為第1步驟，設為丁二烯16質量份，作為第2步驟，設為丁二烯66質量份，作為第3步驟，設為苯乙烯18質量份而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-16)同樣之操作，製造氫化嵌段共聚物(a-17)。所獲得之氫化嵌段共聚物(a-17)之苯乙烯含量為18質量%、重量平均分子量為102,000、分子量分佈為1.35、第2步驟之丁二烯嵌段(B)內之Δ乙烯基鍵結量：(V_H －V_L )為16.3莫耳%、氫化率為97.5%、MFR為3.8 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(a-17)之分析結果表示於表1中。 將如上所述而獲得之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-17)之分析結果表示於表1中。 [表1]

(氫化嵌段共聚物(b)) ＜氫化嵌段共聚物(b)之製備＞ 於反應器內放入1 L之環己烷，控制為60℃，將Bu-Li設為0.07質量份、將TMEDA設為1.8莫耳、將NaOAm設為0.05莫耳，作為第1步驟，歷時6分鐘投入含有4.5質量份丁二烯之環己烷溶液，其後進而進行10分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為60℃。其次，作為第2步驟，歷時10分鐘投入含有8.3質量份苯乙烯之環己烷溶液，其後進而進行10分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為60℃。其次，作為第3步驟，歷時70分鐘投入含有80.5質量份丁二烯之環己烷溶液，其後進而進行10分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為60℃。其次，作為第4步驟，歷時10分鐘投入含有6.7質量份苯乙烯之環己烷溶液，其後進而進行10分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為60℃而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(b)。 所獲得之氫化嵌段共聚物(b)之苯乙烯含量為15質量%、重量平均分子量為167,000、氫化率為98%、MFR為7.0 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(b)之分析結果表示於表2中。 (氫化嵌段共聚物(c)) ＜氫化嵌段共聚物(c-1)之製備＞ 於反應器內放入1 L之環己烷，控制為70℃，將Bu-Li設為0.05質量份、將TMEDA設為0.4莫耳、並未添加NaOAm，作為第1步驟，歷時3分鐘投入含有5質量份苯乙烯之環己烷溶液，其後進而進行20分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為70℃。其次，作為第2步驟，歷時60分鐘投入含有42質量份苯乙烯與48質量份丁二烯之環己烷溶液，其後進而進行30分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為70℃。其次，作為第3步驟，歷時3分鐘投入含有5質量份苯乙烯之環己烷溶液，其後進而進行20分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為70℃而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(c-1)。 所獲得之氫化嵌段共聚物(c-1)之總苯乙烯含量為52質量%、嵌段苯乙烯含量為10.0質量%、重量平均分子量為163,000、氫化率為98%、MFR為4.5 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(c-1)之分析結果表示於表2中。 ＜氫化嵌段共聚物(c-2)之製備＞ 於反應器內放入1 L之環己烷，控制為70℃，將Bu-Li設為0.085質量份、將TMEDA設為0.7莫耳、並未添加NaOAm，作為第1步驟，歷時3分鐘投入含有10質量份苯乙烯之環己烷溶液，其後進而進行20分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為70℃。其次，作為第2步驟，歷時60分鐘投入含有57質量份苯乙烯與33質量份丁二烯之環己烷溶液，其後進而進行30分鐘之反應。再者，於聚合中將溫度控制為70℃。於該時間點對聚合物溶液進行取樣，重量平均分子量為95,000。其後，添加相對於正丁基鋰中之鋰含量1莫耳而言為0.5莫耳之苯甲酸乙酯，使其反應10分鐘而進行偶合反應。再者，於反應中將溫度控制為70℃而製造嵌段共聚物，除此以外，進行與(a-1)同樣之操作而製造氫化嵌段共聚物(c-2)。 所獲得之氫化嵌段共聚物(c-2)之總苯乙烯含量為67質量%、嵌段苯乙烯含量為20.0質量%、重量平均分子量為190,000、偶合率為53%、氫化率為98%、MFR為6.0 g/10分鐘。將所獲得之氫化嵌段共聚物(c-2)之分析結果表示於表2中。 [表2]

＜氫化嵌段共聚物單獨評價＞ [實施例1～10、及比較例1～11] 進行實施例1～10、比較例1～11之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)之耐黏連性、遲滯損失、耐溶劑性之測定。具體而言，針對各物性分別進行1～5點之5階段評價，基於評分點之合計值而評價物性平衡。再者，以合計點為8點以上，且並無1點之項目為基準，評價為氫化嵌段共聚物之物性平衡良好。將所獲得之評價結果表示於表3中。 [表3]

＜聚丙烯樹脂＞ 實施例及比較例中所使用之聚丙烯樹脂 (d-1)：SunAllomer公司製造之「PC630A」(丙烯-乙烯無規共聚物、MFR＝7 g/10分鐘) (d-2)：SunAllomer公司製造之「PM931M」(丙烯-乙烯無規共聚物、MFR＝25 g/10分鐘) (d-3)：SunAllomer公司製造之「PL500A」(均丙烯聚合物、MFR＝3 g/10分鐘) ＜片狀成形體之製造例 其一＞ [實施例11～24、及比較例12～22] 將實施例1～10、比較例1～11之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)與上述之聚丙烯樹脂以表4所示之調配比率加以乾摻，藉由雙軸擠出機(L/D＝42、30 mmΦ)，於200℃、150 rpm、擠出量為5 Kg/h之條件下進行熔融混練，製造丙烯樹脂組合物之顆粒。使用該等顆粒如下所示地進行而製成實施例11～24、及比較例12～22之片狀成形體，進行各物性之測定。具體而言，對各物性分別進行1～5點之5階段評價，基於評分點之合計值而對物性平衡進行評價。再者，以合計點為16點以上，且並無1點之項目為基準，評價為片狀成形體之物性平衡良好。將所獲得之評價結果表示於表4中。 (片狀成形體之製造) 使用T型模頭，於樹脂溫度為190℃、螺桿轉數為30 rpm、T型模頭狹縫厚度為0.4 mm、T型模頭之狹縫寬度為400 mm、壓延輥表面溫度為35℃、捲取速度為1.5 m/min下，將丙烯系樹脂組合物顆粒製成為厚度約200 μm之片狀成形體。再者，厚度可藉由改變螺桿轉數而進行調整。 [表4]

＜片狀成形體之製造例 其二＞ [實施例25～38、及比較例23～38] 將實施例1～10、比較例1～11之氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)與上述之聚丙烯樹脂以表5所示之調配比率加以乾摻，藉由雙軸擠出機(L/D＝42、30 mmΦ)，於200℃、150 rpm、擠出量為5 Kg/h之條件下進行熔融混練，製造丙烯樹脂組合物之顆粒。使用該等顆粒如下所示地進行而製成實施例25～38、及比較例23～38之片狀成形體，進行各物性之測定。具體而言，對各物性分別進行1～5點之5階段評價，基於評分點之合計值而對物性平衡進行評價。再者，以合計點為16點以上，且並無1點之項目為基準，評價為片狀成形體之物性平衡良好。將所獲得之評價結果表示於表5中。 (片狀成形體之製造) 使用T型模頭，於樹脂溫度為190℃、螺桿轉數為30 rpm、T型模頭之狹縫寬度為400 mm，且以表5中所示之條件改變T型模頭狹縫厚度、壓延輥表面溫度、捲取速度，將丙烯系樹脂組合物顆粒製成為厚度約250 μm之片狀成形體。再者，厚度可藉由改變螺桿轉數或噴出量而進行調整。 [表5]

＜表面保護膜之製造例＞ [實施例39～61、比較例39～53] 將構成基材層之聚乙烯(HDPE、旭化成化學公司製造、商品名「CREOLEX T5070L」、MFR(190℃、2.16 kg荷重)＝7.0 g/10分鐘)、及構成黏著層之上述氫化嵌段共聚物(a-1)～(a-21)、(b)、(c-1)、(c-2)、黏著賦予劑-1～4以下述表6及表7中所示之比率加以調配而分別供給至擠出機，藉由T型模頭方式共擠出法而使兩層一體化而進行共擠出，製造基材層厚度為40 μm、黏著層厚度為10 μm之表面保護膜。 為了評價實施例39～61及比較例39～53中所獲得之表面保護膜之性能而測定初始黏著力、黏著亢進性、凹凸追隨性，進行評價。 將該等之結果表示於下述表6及表7。 [表6]

膜之基材層：HDPE(旭化成化學股份有限公司製造之CREOLEX T5070L) 基材層之厚度＝40 μm、黏著層之厚度＝10 μm [表7]

膜之基材層：HDPE(旭化成化學股份有限公司製造之CREOLEX T5070L) 基材層之厚度＝40 μm、黏著層之厚度＝10 μm 黏著賦予劑-1：Clearon P125(氫化萜烯樹脂/安原化學股份有限公司製造) 黏著賦予劑-2：YS Polystar G150(萜烯酚樹脂/安原化學股份有限公司製造) 黏著賦予劑-3：Clearon M(芳香族改性萜烯樹脂/安原化學股份有限公司製造) 黏著賦予劑-4：YS Polystar UH(氫化萜烯酚樹脂/安原化學股份有限公司製造) SEBS-1：Tuftec H1051(苯乙烯含量＝42%/旭化成股份有限公司製造) 本申請係基於2015年9月9日向日本專利廳提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-177959號)、2015年9月9日向日本專利廳提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-177957號)、2015年9月9日向日本專利廳提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-177968號)及2015年9月9日向日本專利廳提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-177956號)者，其內容作為參照而併入本文中。

無

Claims (23)

1. 一種氫化嵌段共聚物，其係於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(C)、以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B)及以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S)者，且上述氫化嵌段共聚物中，上述聚合物嵌段(C)之含量為1~20質量%，上述聚合物嵌段(B)之含量為69~98質量%，上述聚合物嵌段(S)之含量為1~15質量%，上述聚合物嵌段(C)之氫化前之乙烯基鍵結量為1~25mol%，上述聚合物嵌段(B)之氫化前之乙烯基鍵結量為60~100mol%，上述氫化嵌段共聚物之氫化率為80mol%以上，上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波峰之半高寬為20℃以下。
2. 如請求項1之氫化嵌段共聚物，其中上述聚合物嵌段(C)之含量為3~15質量%，聚合物嵌段(C)與聚合物嵌段(S)之含量之合計為6~25質量%。
3. 如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中上述氫化嵌段共聚物含有兩個以上之上述聚合物嵌段(B)，上述聚合物嵌段(B)中，存在於上述氫化嵌段共聚物之末端的聚合物嵌段(B-1)之含量為1~10質量%。
4. 如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中上述聚合物嵌段(C)包含丁二烯，上述聚合物嵌段(B)包含異戊二烯。
5. 如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中於上述聚合物嵌段(B)內，以自聚合起始末端側起依序分別成為等質量之方式設為第1區域~第6區域，將該第1區域~第6區域之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H、最小值設為V_L時，由V_H-V_L所獲得之值為10mol%以下。
6. 如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中上述聚合物嵌段(S)之含量為3~10質量%。
7. 一種氫化嵌段共聚物，其係於分子中含有共軛二烯化合物單元及乙烯基芳香族化合物單元者，且上述乙烯基芳香族化合物單元之含量為1~15質量%，上述氫化嵌段共聚物之氫化率為80mol%以上，相對於上述共軛二烯化合物單元之合計100mol%而言，丁烯量及/或丙烯量為50~95mol%，上述氫化嵌段共聚物於-20~80℃處具有結晶化之波峰，結晶化熱量為0.1~10J/g，上述氫化嵌段共聚物之蕭氏A硬度為15~65，上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.0以上，且tanδ波 峰之半高寬為20℃以下。
8. 如請求項1或7之氫化嵌段共聚物，其中上述氫化嵌段共聚物之藉由動態黏彈性測定(1Hz)而獲得之tanδ波峰處於超過-45℃且10℃以下之範圍，且tanδ波峰之值為1.2以上，且tanδ波峰之半高寬為18℃以下。
9. 如請求項1或7之氫化嵌段共聚物，其中具有峰值重量平均分子量之2倍以上之重量平均分子量的成分之含有率與具有峰值重量平均分子量之0.5倍以下之重量平均分子量的成分之含有率之合計為15%以下。
10. 如請求項1或7之氫化嵌段共聚物，其中上述氫化嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為10萬~30萬，上述氫化嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比(Mw)/(Mn)為1.01~1.30。
11. 如請求項1或7之氫化嵌段共聚物，其中g因數為0.11~0.25。
12. 一種聚丙烯樹脂組合物，其係含有10~90質量%之如請求項1至11中任一項之氫化嵌段共聚物與10~90質量%之聚丙烯樹脂者，且上述聚丙烯樹脂組合物之廣角X射線繞射測定中的散射角(2θ)15°之繞射峰強度(I15)與散射角(2θ)14°之繞射峰強度(I14)之強度比(I14/I15)為0.1以上且未達1.4。
13. 如請求項12之聚丙烯樹脂組合物，其中上述聚丙烯樹脂係無規聚丙 烯樹脂。
14. 如請求項12或13之聚丙烯樹脂組合物，其中藉由交叉區分層析法而測定之-20℃以下之積分溶出量為總容量之0.1%以上且未達50%，超過-20℃且未達60℃之範圍之積分溶出量為總容量之10%以上且未達90%，60℃以上且150℃以下之範圍之積分溶出量為總容量之10%以上且未達90%。
15. 如請求項12或13之聚丙烯樹脂組合物，其中藉由交叉區分層析法而測定之10℃以上且未達60℃之範圍之溶出成分之分子量分佈(Mw/Mn)為1.05以上且1.50以下。
16. 一種管體，其含有如請求項12至15中任一項之聚丙烯樹脂組合物。
17. 一種片狀成形體，其含有如請求項12至15中任一項之聚丙烯樹脂組合物。
18. 一種黏著性膜，其包含：基材膜；及黏著層，其配置於上述基材膜上，且含有如請求項1至11中任一項之氫化嵌段共聚物。
19. 如請求項18之黏著性膜，其中上述黏著層進而含有5~95質量%之氫化嵌段共聚物(b)及/或氫化嵌段共聚物(c)， 上述氫化嵌段共聚物(b)於分子中含有以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)與以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)，上述氫化嵌段共聚物(b)中，上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)之含量為95~70質量%，上述以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S1)之含量為5~30質量%，上述以共軛二烯化合物為主體之聚合物嵌段(B1)之氫化前之乙烯基鍵結量為30~100mol%，上述氫化嵌段共聚物(b)之氫化率為80mol%以上，上述氫化嵌段共聚物(c)於分子中含有包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段(B2)與以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)，上述氫化嵌段共聚物(c)中，上述包含共軛二烯化合物與乙烯基芳香族化合物之聚合物嵌段(B2)之含量為95~70質量%，上述以乙烯基芳香族化合物為主體之聚合物嵌段(S2)之含量為5~30質量%，上述氫化嵌段共聚物(c)之氫化率為80mol%以上。
20. 如請求項18或19之黏著性膜，其中上述黏著層進而含有0.5~50質量%之黏著賦予劑。
21. 如請求項20之黏著性膜，其中上述黏著賦予劑包含選自由氫化萜烯樹脂、芳香族改性氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂、及萜烯酚樹脂所組成之群中之至少1種。
22. 一種氫化嵌段共聚物之製造方法，其係如請求項1至11中任一項之氫化嵌段共聚物之製造方法，其包含如下聚合步驟：於乙烯基化劑、有機鋰化合物、及鹼金屬烷氧化物之存在下，於上述乙烯基化劑與有機鋰化合物之莫耳比(乙烯基化劑/有機鋰化合物)為0.2以上且未達3.0，且上述鹼金屬烷氧化物與有機鋰化合物之莫耳比(鹼金屬烷氧化物/有機鋰化合物)為0.01以上且0.3以下之條件下，使乙烯基芳香族化合物及共軛二烯化合物進行聚合。
23. 如請求項22之氫化嵌段共聚物之製造方法，其中於上述聚合步驟中，形成上述聚合物嵌段(B)時之聚合溫度之溫度差為20℃以內，於上述聚合物嵌段(B)內，以自聚合起始末端側起依序分別成為等質量之方式設為第1區域~第6區域，將該第1區域~第6區域之氫化前之乙烯基鍵結量中最大值設為V_H、最小值設為V_L時，由V_H-V_L所獲得之值為10mol%以下。