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TWI609001B - Glass substrate for display and its manufacturing method - Google Patents

Glass substrate for display and its manufacturing method Download PDF

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TWI609001B
TWI609001B TW102131105A TW102131105A TWI609001B TW I609001 B TWI609001 B TW I609001B TW 102131105 A TW102131105 A TW 102131105A TW 102131105 A TW102131105 A TW 102131105A TW I609001 B TWI609001 B TW I609001B
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fine particles
display
coating liquid
roughness
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TW102131105A
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岡田悟史
佐藤啓史
城山厚
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旭硝子股份有限公司
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Description

顯示器用玻璃基板及其製造方法
本發明係關於一種顯示器用玻璃基板及其製造方法。
於電漿顯示面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、電致發光顯示器(ELD)、場發射顯示器(FED)等平板顯示器中，使用有於玻璃基板上形成有透明電極、半導體元件等之基板。例如，於LCD中使用有於玻璃基板上形成有透明電極、TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)等之基板。
透明電極、半導體元件等於玻璃基板上之形成係於利用真空吸附將玻璃基板固定於吸附台上的狀態下進行。
然而，玻璃基板為絕緣體，藉由與異種物質之接觸或摩擦而容易帶電，從而導致較強地貼附於吸附台。因此，於將形成有半導體元件等之玻璃基板自吸附台剝離時，玻璃基板難以自吸附台剝離，若欲強制剝離，則導致玻璃基板破損。
又，於在將玻璃基板自吸附台剝離時產生剝離帶電之情形時，發生形成於玻璃基板之TFT等半導體元件之靜電擊穿。
因此，對接觸於吸附台之側之玻璃基板之表面進行粗面化處理，而縮小玻璃基板與吸附台之接觸面積。若縮小玻璃基板與吸附台之接觸面積，則玻璃基板之帶電量變少而容易自吸附台剝離，並且剝離帶電量變少。
作為粗面化處理之方法，例如，已知有將包含液體及研磨粒之 漿料向玻璃基板之一面吹送並且以刷對玻璃基板之表面進行研磨的方法(專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2001-343632號公報
然而，於以先前之方法經粗面化處理之玻璃基板中，將玻璃基板自吸附台剝離時之剝離帶電之產生未充分受到抑制，從而有發生半導體元件之靜電擊穿之情形。又，先前之經粗面化處理之玻璃基板係要求有更進一步容易自吸附台剝離。
本發明提供一種接觸於吸附台之側之表面具有可充分縮小與吸附台之接觸面積之粗糙度的顯示器用玻璃基板及其製造方法。
[1]一種顯示器用玻璃基板，其具有於玻璃基板上附著有微粒子之一面，且上述一面之粗糙度Ra為0.5~10nm。
[2]如[1]之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子之平均粒徑為50nm以下。
[3]如[1]或[2]之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子為包含金屬氧化物者。
[4]如[1]至[3]中任一項之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子為選自氧化鈰微粒子、氧化鋯微粒子、二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子中之1種或2種以上者。
[5]一種顯示器用玻璃基板之製造方法，其係如[1]至[4]中任一項之顯示器用玻璃基板之製造方法，且包含：塗佈步驟，其於玻璃基板之一面上塗佈含有微粒子之塗佈液；清洗步驟，其以純水沖洗上述一 面上之上述微粒子之一部分；及乾燥步驟，其乾燥上述玻璃基板。
本發明之顯示器用玻璃基板中，由於一面之粗糙度Ra為0.5~10nm，故而藉由於接觸於吸附台之側配置一面，而可充分縮小與吸附台之接觸面積。因此，本發明之顯示器用玻璃基板係於自吸附台剝離時可容易剝離，並且難以產生剝離帶電。
根據本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法，可製造接觸於吸附台之側之表面具有可充分縮小與吸附台之接觸面積之粗糙度的顯示器用玻璃基板。
1‧‧‧顯示器用玻璃基板
2‧‧‧玻璃基板
2a‧‧‧被附著面
2b‧‧‧正面
3‧‧‧微粒子
3a‧‧‧微粒子
4‧‧‧塗佈液
5‧‧‧純水
21‧‧‧背面(一面)
41‧‧‧塗佈液槽
42‧‧‧塗佈輥
圖1係表示本發明之顯示器用玻璃基板之一例之剖面圖。
圖2係用以說明圖1所示之顯示器用玻璃基板之製造方法之圖。
圖3係用以說明圖1所示之顯示器用玻璃基板之製造方法之圖。
圖4係表示本發明之顯示器用玻璃基板中所使用之玻璃基板之一例的剖面圖。
圖5(a)~(c)係用以說明圖1所示之顯示器用玻璃基板之另一製造方法之圖。
<顯示器用玻璃基板>
圖1係表示本發明之顯示器用玻璃基板之一例之剖面圖。圖1所示之顯示器用玻璃基板1具有於玻璃基板2上附著有微粒子3之背面21(一面(於圖1中為上表面))。
顯示器用玻璃基板1之背面21係於在顯示器用玻璃基板1上形成透明電極、半導體元件等時接觸於吸附台而配置之面。
另一方面，顯示器用玻璃基板1之正面2b(與一面為相反側之面(於圖1中為下表面))係形成透明電極、半導體元件等之面。如圖1所 示，顯示器用玻璃基板1之正面2b包含玻璃基板2之正面。顯示器用玻璃基板1之正面2b(玻璃基板2之正面)被設為粗糙度Ra為0.2~0.4nm左右之平滑面。
圖1所示之顯示器用玻璃基板1之背面21之粗糙度Ra為0.5~10nm，較佳為0.7~5nm，更佳為1~4nm。
本發明中之粗糙度Ra係藉由利用原子力顯微鏡測定5μm×5μm之測定區域而求出JIS B0601(2001年)所規定之算術平均高度，並藉由求出該平均值而算出者。於使用原子力顯微鏡測定5μm×5μm之微小之測定區域之情形時，可純粹地測定玻璃基板2之「粗糙度」而不考慮玻璃基板2之「不平整」。
若背面21之粗糙度Ra為0.5nm以上，則於在顯示器用玻璃基板1之正面2b形成透明電極、半導體元件等時，背面21與吸附台之接觸面積會變得充分小。其結果為，顯示器用玻璃基板1於自吸附台剝離時可容易剝離，並且難以產生剝離帶電。又，於背面21之粗糙度Ra為10nm以下之情形時，可抑制可見光之散射之產生，且可維持可見光之高透射率。
於圖1所示之顯示器用玻璃基板1中，玻璃基板2上之附著有微粒子3之被附著面2a例如可為粗糙度Ra 0.2nm左右之火焰拋光面，或者如圖4所示，亦可為經粗面化處理之粗糙度Ra 0.4nm左右之面。
對被附著面2a進行粗面化處理之顯示器用玻璃基板1成為玻璃基板2之背面21與吸附台之接觸面積進一步更小者。因此，於將顯示器用玻璃基板1自吸附台剝離時，可更容易地剝離並且可更有效地抑制剝離帶電之產生。
作為玻璃基板2，可列舉：鹼石灰矽酸鹽玻璃基板等含鹼玻璃基板、硼矽酸玻璃基板等無鹼玻璃基板等。
玻璃基板2之形狀及平面尺寸並無特別限定，若為矩形狀且縱及 橫均為100~3000mm，則作為顯示器用之基板而較佳。又，玻璃基板2之厚度較佳為0.1~3mm，以用作顯示器用之基板。
於玻璃基板2為無鹼玻璃基板之情形時，玻璃基板2之組成例如以莫耳%表示，較佳為包含SiO2：66~70%、Al2O3：9~14%、B2O3：6~9.5%、MgO：1~5%、CaO：1~6%、SrO：2~8%、MgO+CaO+SrO：9~16%，且實質上不含有BaO。又，於玻璃基板2為無鹼玻璃基板之情形時，尤佳為0.3~1.0mm之厚度。
微粒子3較佳為包含金屬氧化物。包含金屬氧化物之微粒子3較佳為選自氧化鈰(CeO2)微粒子、氧化鋯(ZrO2)微粒子、二氧化矽(SiO2)微粒子、氧化鋁(Al2O3)微粒子中之1種或2種以上者，其中，就因表面電位之差所引起之附著力之觀點而言尤佳為使用氧化鈰微粒子。
微粒子3之平均粒徑只要為可形成Ra為0.5~10nm之背面21之大小即可，並無特別限定，較佳為50nm以下，更佳為5~30nm，更佳為10~20nm。
再者，微粒子3之平均粒徑係根據利用BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)吸附法之比表面積測定值(依據JIS Z8830 1990年制定(最新修正年2013年))的換算值。
若微粒子3之平均粒徑為50nm以下，則於使用含有微粒子之塗佈液使微粒子3附著於玻璃基板2之情形時，塗佈液中之微粒子3難以沈澱而可使微粒子3良好地分散於塗佈液中，且塗佈液之處理容易，從而較佳。又，若微粒子3之平均粒徑為50nm以下，則於下述清洗步驟中被沖洗、或於附著於玻璃基板2後脫落之微粒子3不會以雜質之形式對顯示器之製造步驟造成影響。
<製造方法>
繼而，作為本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法之一例，使 用圖2及圖3，對圖1所示之顯示器用玻璃基板之製造方法進行說明。
於製造圖1所示之顯示器用玻璃基板1中，首先，準備玻璃基板2。
繼而，如圖2所示，於玻璃基板2之被附著面2a(顯示器用玻璃基板1之成為背面21之側之面)上，塗佈含有微粒子3之塗佈液4(塗佈步驟)。
藉由進行塗佈步驟而將微粒子3供給至玻璃基板2之被附著面2a上，且藉由因玻璃基板2與微粒子3之表面能或表面電位之差所引起之附著力，而使微粒子3附著於玻璃基板2之被附著面2a上。
作為含有微粒子3之塗佈液4，可列舉使微粒子3分散於水中而成者。塗佈液中之微粒子3之含量可根據顯示器用玻璃基板1之背面21上之微粒子3之密度、塗佈液4之塗佈量、塗佈液4之易於塗佈之黏度等適當決定，並無特別限定。於塗佈液4中，視需要亦可包含硝酸等pH值調整劑或醇等介電常數調整劑等添加劑。
再者，作為塗佈液4，亦可使用使微粒子3分散於水與乙醇之混合溶液、或水與甘油之混合溶液中而成者。
塗佈液4之塗佈量可根據塗佈液中之微粒子3之含量等適當決定，較佳為使玻璃基板2之被附著面2a之Ra成為0.5~10nm。
塗佈液4之塗佈方法並無特別限定，較佳為可將塗佈液4僅塗佈於玻璃基板2之被附著面2a側之方法，例如可列舉：將玻璃基板2之被附著面2a朝向上方而滴加塗佈液4之方法、將被附著面2a朝向下方而使用塗佈輥或噴霧器塗佈之方法等。
繼而，如圖3所示，進行以純水5沖洗被附著面2a上之微粒子3之一部分之清洗步驟。於清洗步驟中，例如可使用如下方法：使用噴嘴將純水5供給至塗佈有塗佈液4之玻璃基板2之被附著面2a上。
於本實施形態中，即便進行清洗步驟，亦如圖3所示，藉由因表 面能或表面電位之差所引起之附著力而附著於玻璃基板2之被附著面2a上的微粒子3殘留而未被去除，從而僅將存在於玻璃基板2之被附著面2a上之剩餘之微粒子3選擇性地去除。
於本實施形態中，所謂剩餘之微粒子3係指未與玻璃基板2之被附著面2a直接相互作用之微粒子3a(3)。
接著，乾燥已結束清洗步驟之玻璃基板2，去除清洗步驟中使用之純水5(乾燥步驟)。作為乾燥方法，並無特別限定，可使用鼓風乾燥法等。
於本實施形態中，於乾燥步驟之前進行清洗步驟而將存在於玻璃基板2之被附著面2a上的剩餘之微粒子3a(3)去除。因此，於乾燥步驟中，可防止未附著於被附著面2a上而殘留之剩餘之微粒子3a(3)折入至顯示器用玻璃基板1之正面2b上而附著於顯示器用玻璃基板1之正面2b上。
又，玻璃基板2之被附著面2a上之微粒子3係藉由因表面能或表面電位之差所引起之附著力而附著於被附著面2a上，故而即便進行乾燥步驟亦難以去除。因此，於乾燥步驟後之被附著面2a上亦以充分之密度殘留微粒子3。因此，乾燥步驟後之顯示器用玻璃基板1之背面21之粗糙度Ra成為0.5~10nm之範圍內。又，由於即便進行乾燥步驟亦難以去除被附著面2a上之微粒子3，故而例如可使用鼓風乾燥法等可高效且容易進行乾燥之方法進行乾燥步驟。
藉由以上之步驟，可獲得圖1所示之顯示器用玻璃基板1。
其後，於以此種方式所獲得之圖1所示之顯示器用玻璃基板1之正面2b(於圖1中為下表面)形成透明電極、半導體元件等。於形成透明電極、半導體元件等之前，亦可洗滌洗淨顯示器用玻璃基板1之兩面。於圖1所示之顯示器用玻璃基板1中，微粒子3藉由因表面能或表面電位之差所引起之附著力而附著於玻璃基板2之被附著面2a上，故 而即便進行洗滌洗淨亦難以去除微粒子3。因此，即便附著於被附著面2a上之微粒子3之一部分因洗滌洗淨而脫落，仍可於顯示器用玻璃基板1之背面21確保1nm左右之充分之粗糙度Ra。
本發明之顯示器用玻璃基板之製造方法並不限定於上述方法。例如，上述塗佈步驟、清洗步驟、乾燥步驟亦可使用具備搬送機構之製造裝置，例如一面於圖5(a)所示之箭頭之方向上以80~1500cm/分鐘搬送玻璃基板2一面連續進行。
於本實施形態中所使用之製造裝置具備例如包含複數個搬送輥(未圖示)之搬送機構。作為搬送輥，例如可使用以夾持玻璃基板2之方式上下成對地配置而成者。
於本實施形態中，利用搬送機構，將被附著面2a朝向下地搬送玻璃基板2。
如圖5(a)所示，於本實施形態中所使用之製造裝置具備塗佈機構，且該塗佈機構具有配置於搬送中之玻璃基板2之下之塗佈液槽41、與塗佈輥42。如圖5(a)所示，於塗佈液槽41中加入含有微粒子3之塗佈液4。塗佈輥42係與玻璃基板2之搬送方向正交之方向之尺寸長於玻璃基板2之寬度(與玻璃基板2之搬送方向正交之方向)者。如圖5(a)所示，塗佈輥42係以於與玻璃基板2之搬送方向正交之方向上延伸之旋轉軸為中心，於沿玻璃基板2之搬送方向之方向上旋轉者。
如圖5(a)所示，塗佈輥42之下表面係與加入至塗佈液槽41內之塗佈液4接觸。塗佈輥42之上表面係以與於搬送方向上移動之玻璃基板2之被附著面2a接觸的方式配置。
於圖5(a)所示之塗佈機構中，伴隨所搬送之玻璃基板2之移動，與玻璃基板2接觸之塗佈輥42旋轉，從而將塗佈液4供給至與塗佈輥42之上表面接觸之移動中之玻璃基板2之被附著面2a上。藉此，將塗佈液4塗佈於玻璃基板2之被附著面2a(塗佈步驟)。
於本實施形態中所使用之製造裝置具備純水供給機構，且該純水供給機構使用噴嘴(未圖示)對藉由搬送機構搬送之玻璃基板2之上下兩表面供給純水5。於圖5(b)所示之純水供給機構中，噴嘴係以夾持所搬送之玻璃基板2之上下兩表面之方式對向地配置複數個。
於本實施形態中，使塗佈有塗佈液4之玻璃基板2利用搬送機構搬送，且如圖5(b)所示，使其通過純水供給機構之供給純水5之區域。藉此，存在於搬送中之玻璃基板2之被附著面2a上的微粒子3之一部分經純水5沖洗(清洗步驟)。於本實施形態中，如圖5(b)所示，即便進行清洗步驟，藉由因表面能或表面電位之差所引起之附著力而附著於玻璃基板2之被附著面2a上之微粒子3亦殘留而未被去除，從而僅將存在於玻璃基板2之被附著面2a上之剩餘之微粒子3a(3)選擇性地去除。
再者，於圖5(b)所示之純水供給機構中，於清洗步驟中，不僅對搬送中之玻璃基板2之被附著面2a供給純水5，而且亦對正面2b供給純水5。而且，於本實施形態中，將被附著面2a朝向下地搬送玻璃基板2，故而於清洗步驟中經沖洗之剩餘之微粒子3a(3)向下方排出。藉由該等，於本實施形態中，有效地防止於清洗步驟中經沖洗之未附著於被附著面2a上之剩餘之微粒子3a(3)附著於玻璃基板2之正面2b。
於本實施形態中所使用之製造裝置具備分別配置於玻璃基板2之上下之乾燥機構(未圖示)。作為乾燥機構，例如可列舉：朝向玻璃基板2，沿與玻璃基板2之搬送方向正交之方向呈壁狀地噴出空氣之氣刀。
於本實施形態中，使已結束清洗步驟之玻璃基板2利用搬送機構搬送，且使其通過自作為乾燥機構之氣刀呈壁狀地噴出空氣之區域。藉此，如圖5(c)所示，將清洗步驟中使用之純水5自搬送中之玻璃基板2之兩面去除(乾燥步驟)。
實施例
以下，列舉實施例具體說明本發明，但本發明並不受該等例所限定。
「實施例1」
使用以下所示之方法，製造實施例1之顯示器用玻璃基板。
首先，作為玻璃基板，準備藉由於利用浮式法成形並切斷後依次進行用以去除不平整之研磨、與用以去除研磨後之殘渣之洗淨，而對兩面進行粗面化處理者(旭硝子公司製造：AN100，縱550mm×橫440mm×厚度0.7mm)。
繼而，將含有微粒子之塗佈液200mL以擴展至基板整體之方式滴加至玻璃基板之被附著面(顯示器用玻璃基板之成為背面之側之面)上(塗佈步驟)。
作為塗佈液，使用有將包含20~21質量%之平均粒徑8~12nm之氧化鈰微粒子之CE-20A(商品名：日產化學公司製造)以純水稀釋而使氧化鈰含量為0.01質量%而成的溶液。
繼而，如圖3所示，進行以純水沖洗被附著面上之微粒子之一部分之清洗步驟。清洗步驟係藉由使用噴嘴以流量2000mL/分鐘並花費5秒將純水供給至玻璃基板之被附著面上而進行。
接著，使用鼓風乾燥法乾燥已結束清洗步驟之玻璃基板，去除清洗步驟中使用之純水(乾燥步驟)。
藉由以上之步驟，獲得實施例1之顯示器用玻璃基板。
實施例1之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為2.78nm。
「實施例2」
作為塗佈液，使用有將包含12質量%之平均粒徑15nm之二氧化矽微粒子之PL-1(商品名：扶桑化學公司製造)以純水稀釋而使二氧化矽含量為0.01質量%而成的溶液，除此以外，以與實施例1同樣之方 式，獲得實施例2之顯示器用玻璃基板。
實施例2之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為5.37nm。
「實施例3」
作為塗佈液，使用有將包含40質量%之平均粒徑15nm之二氧化矽微粒子之COMPOL20(商品名：Fujimi Incorporated公司製造)以純水稀釋而使二氧化矽含量為0.01質量%而成的溶液，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得實施例3之顯示器用玻璃基板。
實施例3之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為1.22nm。
「實施例4」
作為塗佈液，使用有將CE-20A(商品名：日產化學公司製造)以純水稀釋而使氧化鈰含量為0.1質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得實施例4之顯示器用玻璃基板。
實施例4之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為4.29nm。
「實施例5」
作為塗佈液，使用有將CE-20A(商品名：日產化學公司製造)以純水稀釋而使氧化鈰含量為0.001質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得實施例5之顯示器用玻璃基板。
實施例5之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為1.16nm。
「實施例6」
作為玻璃基板，準備於利用浮式法成形並切斷後之被附著面為火焰拋光面者(旭硝子公司製造：AN100，縱550mm×橫440mm×厚度0.7mm)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，獲得實施例6之顯示器用玻璃基板。
實施例6之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為2.19nm。
「實施例7」
作為塗佈液，使用有將CE-20A(商品名：日產化學公司製造)以 純水稀釋而使氧化鈰含量為0.001質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例6同樣之方式，獲得實施例7之顯示器用玻璃基板。
實施例7之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為1.47nm。
「實施例8」
將實施例1中製作而成之Ra=2.78nm之玻璃基板之背面以2000mL/分鐘之流水進行5秒之洗滌洗淨，獲得實施例8之顯示器用玻璃基板。
實施例8之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為2.46nm。
「實施例9」
將實施例6中製作而成之Ra=2.19nm之玻璃基板之背面以2000mL/分鐘之流水進行5秒之洗滌洗淨，獲得實施例9之顯示器用玻璃基板。
實施例9之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為0.96nm。
「實施例10」
作為塗佈液，使用有將CE-20A(商品名：日產化學公司製造)以純水/乙醇為1/1(重量比)之溶液稀釋而使氧化鈰含量為0.01質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例6同樣之方式，獲得實施例10之顯示器用玻璃基板。
實施例10之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為2.94nm。
「實施例11」
作為塗佈液，使用有將CE-20A(商品名：日產化學公司製造)以純水/甘油為1/1(重量比)之溶液稀釋而使氧化鈰含量為0.01質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例6同樣之方式，獲得實施例11之顯示器用玻璃基板。
實施例11之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為2.56nm。
「實施例12」
作為塗佈液，使用有將Snowtex AK(商品名：日產化學公司製造)以純水稀釋而使陽離子性二氧化矽含量為0.01質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例6同樣之方式，獲得實施例12之顯示器用玻璃基板。
實施例12之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為2.16nm。
「實施例13」
作為塗佈液，使用有將超微粒子氧化鋯溶膠#1(商品名：日產化學公司製造)以純水稀釋而使氧化鋯含量為0.01質量%而成之溶液，除此以外，以與實施例6同樣之方式，獲得實施例13之顯示器用玻璃基板。
實施例13之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為1.57nm。
「比較例1」
使用以下所示之方法，製造比較例1之顯示器用玻璃基板。
將於實施例6中準備而成之進行塗佈步驟前之玻璃基板設為比較例1之顯示器用玻璃基板。
比較例1之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為0.20nm。
繼而，藉由以下所示之方法，對實施例6與比較例1之顯示器用玻璃基板之剝離帶電量進行評價。
(剝離帶電量)
將顯示器用玻璃基板真空吸附於吸附台上一定時間，其後使用頂起銷進行剝離。每經過一個時間地測定自吸附台剝離時產生之帶電所帶來之玻璃基板與吸附台之間之電壓。
若設為Q：帶電量、d：玻璃基板與吸附台之距離、S：玻璃基板面積、ε：大氣中之介電常數，則帶電所帶來之玻璃基板與吸附台之間之電壓(V)係以下式(1)表示。
V=dQ/εS (1)
玻璃基板與吸附台之距離d係由頂起銷上升速度v與時間t之積所表示，故而式(1)係以下式(2)表示。
V=vtQ/εS (2)
若將(2)式進行時間微分則可獲得下式(3)。
dV/dt=vQ/εS (3)
式(3)係表示藉由測定所獲得之資料之斜率與帶電量成比例。帶電量Q係隨著時間經過而因干擾所致減少，故而將剝離之瞬間之斜率之最大值設為剝離帶電量。
以此種方式算出之剝離帶電量係於將比較例1設為「1」時，實施例6為較低之「0.66」。
「比較例2」
使用以下所示之方法，製造比較例2之顯示器用玻璃基板。
藉由以一面吹送專利文獻1所記載之包含研磨材之研磨液一面以刷摩擦的方法對實施例6中準備而成之進行塗佈步驟前之玻璃基板進行處理，而製成比較例2之顯示器用玻璃基板。
比較例2之顯示器用玻璃基板之背面之粗糙度Ra為0.42nm。
繼而，對實施例11與比較例2之顯示器用玻璃基板之剝離帶電量進行評價。
算出之剝離帶電量係於將比較例2設為「1」時，實施例11為較低之「0.64」。
已詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但業者應當明白只要不脫離本發明之精神及範圍則可添加各種變更或修正。
本申請案係基於2012年9月10日申請之日本專利申請案2012-198825者，其內容以參照之形式併入本文中。
產業上之可利用性
本發明之顯示器用玻璃基板係作為PDP、LCD、ELD、FED等顯 示器之基板而有用。
1‧‧‧顯示器用玻璃基板
2‧‧‧玻璃基板
2a‧‧‧被附著面
2b‧‧‧正面
3‧‧‧微粒子
21‧‧‧背面(一面)

Claims (7)

  1. 一種顯示器用玻璃基板，其於玻璃基板上具有附著有微粒子之一面，上述微粒子係藉由因與上述玻璃基板之表面能或表面電位之差所引起之附著力而附著於上述一面，且上述一面之粗糙度Ra為0.5~10nm。
  2. 如請求項1之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子之平均粒徑為50nm以下。
  3. 如請求項1之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子之平均粒徑為5~30nm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子為包含金屬氧化物者。
  5. 如請求項1至3中任一項之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子為選自氧化鈰微粒子、氧化鋯微粒子、二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子中之1種或2種以上者。
  6. 如請求項4之顯示器用玻璃基板，其中上述微粒子為選自氧化鈰微粒子、氧化鋯微粒子、二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子中之1種或2種以上者。
  7. 一種顯示器用玻璃基板之製造方法，其係如請求項1至6中任一項之顯示器用玻璃基板之製造方法，且包含：塗佈步驟，其於玻璃基板之一面上塗佈含有微粒子之塗佈液；清洗步驟，其以純水沖洗上述一面上之上述微粒子之一部分；及乾燥步驟，其乾燥上述玻璃基板。
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