TWI608291B

TWI608291B - 模型化規則表的產生方法

Info

Publication number: TWI608291B
Application number: TW104138012A
Authority: TW
Inventors: 余瑞晉; 周碩彥
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2015-08-21
Filing date: 2015-11-18
Publication date: 2017-12-11
Also published as: US20170053058A1; CN106469234B; CN106469234A; TW201708938A

Description

模型化規則表的產生方法

本發明涉及半導體技術領域，更具體的係模型化規則表的產生方法。

電子業已經歷到對於更小且更快的電子裝置不斷增加的需求，以支援更大量且越來越複雜而精密的功能。因此，半導體業持續存在製造低成本、高性能且低功率的積體電路(IC)的趨勢。至此，這些目標在很大程度上已經藉由縮小半導體IC尺寸(例如，最小線寬尺寸)並由此改進生產效率且降低相關成本來實現。然而，此類微縮製程增加半導體製造過程的複雜性。因此，要實現半導體IC和裝置的持續進步，需要在半導體製造過程和技術中也有相對應的進展。

僅作為一個實例，IC尺寸的縮小已經藉由使用一或多種解析度增強技術(RET)(例如相位移光罩(PSM)、離軸照明(OAI)以及光學近接校正(OPC))以延續既有微影產生方法的可用解析度來實現。RET可以用於修改光罩佈局以補償用於IC製造中的處理限制，所述處理限制會在製程技術世代(node)進行尺寸縮小時出現。在沒有RET的情況下，對較大技術世代所使用的佈局設計進行簡易微縮，通常導致線寬不精確或圖形成形不良。例如，原本設計為直角拐角的圖形出現的磨圓拐角，在尺寸較小的技術世代可能變得更加顯著和/或可能變得嚴重變形，從而使具有該變形圖形的裝置無法正常運作。不精確或成形不良的圖案圖形的其它實例可以包含捏縮(pinching)、頸縮(necking)、橋接、凹陷、腐蝕、金屬線條粗細變化，和/或其它此類會直接影響裝置性能的特性。一種OPC技術包含將次解析度輔助圖形(sub-resolution assist features,SRAF)插入到設計佈局中以防止不精確或成形不良的圖形。然而，SRAF的插入主要依賴憑經驗產生的規則表。在常規的實例中，可以微影方式(例如，曝光和顯影)處理大量直覺式設計的圖案，之後憑經驗測量所述圖案且產生和/或更新規則表。此類圖案設計、處理和經驗資料的收集是勞動力密集且耗時的過程，而添加不必要的技術開發週期延遲。因此，現有技術尚未證明在各方面中完全令人滿意。

根據本揭露一實施例的半導體裝置製造的方法包括：接收積體電路(IC)佈局圖案；利用製程模擬模型，經配置以模擬IC佈局圖案的處理條件，藉由模型化(Model-based，MB)的光罩校正製程產生第二佈局圖案，其中第二佈局圖案與IC佈局圖案相關聯；產生第三佈局圖案，第三佈局圖案是第二佈局圖案的近似物；以及基於第三佈局圖案計算次解析度輔助圖形(SRAF)規則。

在一實施例中，其中藉由該模型化光罩校正製程產生該第二佈局圖案的步驟包含：藉由反向微影技術(ILT)製程產生該第二佈局圖案。

在一實施例中，其中該計算該次解析度輔助圖形規則的步驟進一步包含：基於該製程模擬模型計算該次解析度輔助圖形規則。

在一實施例中，其中該第二佈局圖案包含自由形式佈局圖案，並且其中該第三佈局圖案包含簡化圖案。

在一實施例中，其中該第三佈局圖案包含多個使用者定義的形狀，並且其中該多個使用者定義的形狀包含選自正方形、矩形以及橢圓形的一或多者。

在一實施例中，其中該產生該第三佈局圖案的步驟包含：執行圖案簡化製程以產生該第三佈局圖案。

在一實施例中，其進一步包括更新次解析度輔助圖形規則表。

在一實施例中，其中該次解析度輔助圖形規則表包含模型化規則表(MBRT)，並且其中該模型化規則表包含用於該第三佈局圖案的規則配置。

在一實施例中，其中該次解析度輔助圖形規則表是混合規則表，並且其中該混合規則表包含基於規則的規則表和該模型化規則表。

在一實施例中，其進一步包括：識別在該所接收的積體電路佈局圖案內的佈局熱點；以及利用經配置以模擬用於該所識別的佈局熱點的處理條件的該製程模擬模型，藉由該反向微影技術製程產生該第二佈局圖案，其中該第二佈局圖案與該佈局熱點相關聯。

在一實施例中，其進一步包括：在計算該次解析度輔助圖形規則之後，將經修改的積體電路佈局圖案傳送到光罩製造者，其中該經修改的積體電路佈局圖案包含與該所計算的次解析度輔助圖形規則相對應的修改，以及基於該經修改的積體電路佈局圖案製造光罩。

根據本揭露另一實施例的半導體裝置製造的方法，其中藉由模組化光罩校正製程產生第二佈局圖案包含：藉由反向微影技術(ILT)製程產生第二佈局圖案；計算SRAF規則進一步包含：基於製程模擬模型計算SRAF規則；第二佈局圖案包含自由形式佈局圖案，並且其中第三佈局圖案包含簡化圖案；第三佈局圖案包含多個使用者定義的形狀，並且其中多個用戶定義的形狀包含選自正方形、矩形以及橢圓形的一或多者；產生第三佈局圖案包含：執行圖案簡化製程以產生第三佈局圖案；本揭露另一實施例的半導體裝置製造的方法進一步包括更新SRAF規則表；本揭露另一實施例的半導體裝置製造的方法進一步包括：識別在所接收的IC佈局圖案內的佈局熱點；以及利用經配置以模擬用於所識別的佈局熱點的處理條件的製程模擬模型，藉由ILT製程產生第二佈局圖案，其中第二佈局圖案與佈局熱點相關聯。

根據本揭露又一實施例半導體裝置製造的方法包括：執行反向微影技術(ILT)製程以產生自由形式佈局圖案；利用製程模擬模型且基於多個製造限制，決定與自由形式佈局圖案相對應的簡化佈局圖案；從簡化佈局圖案獲取多個規則；以及基於所獲取的多個規則產生規則表。

在一實施例中，其中該自由形式佈局圖案與佈局熱點相對應。

在一實施例中，其中該規則表包含次解析度輔助圖形規則表，並且其中該次解析度輔助圖形規則表提供用於多個使用者定義的形狀的規則配置。

在一實施例中，其中該執行該反向微影技術製程以產生該自由形式佈局圖案的步驟包含：利用該製程模擬模型以產生符合由該製程模擬模型界定的多個製程限制的特定自由形式佈局圖案。

在一實施例中，其中該執行該反向微影技術製程、該決定該簡化佈局圖案、該獲取該多個規則以及該產生該規則表的步驟係藉由光罩設計系統執行，該光罩設計系統在該光罩設計系統的處理器內執行軟體指令。

在一實施例中，其進一步包括：基於該所產生的規則表製造包含光罩圖案的光罩；以及將該光罩圖案轉印到半導體晶片以在該半導體晶片上製造積體電路裝置。

根據本揭露又一實施例的方法包括：接收積體電路(IC)設計佈局；藉由光罩設計系統識別在所接收的IC設計佈局中的至少一個佈局熱點；藉由光罩設計系統產生與所識別的至少一個佈局熱點相對應的反向微影技術(ILT)產生的佈局圖案；藉由光罩設計系統執行佈局簡化製程以產生與ILT產生的佈局圖案相對應的簡化佈局圖案；以及藉由光罩設計系統基於所產生的簡化佈局圖案計算次解析度輔助圖形SRAF規則。

在一實施例中，其進一步包括基於該所計算的次解析度輔助圖形規則產生規則表。

在一實施例中，其進一步包括：藉由該光罩設計系統識別在該所接收的積體電路設計佈局中的另一佈局熱點，其中該另一佈局熱點包含與該至少一個佈局熱點相同的圖案；以及將用於該至少一個佈局熱點的相同的該所產生的簡化佈局圖案和所計算的次解析度輔助圖形規則應用到該另一佈局熱點，其中該應用包含基於該所計算的次解析度輔助圖形規則將次解析度輔助圖形插入到該另一佈局熱點。

100‧‧‧積體電路(IC)製造系統

120‧‧‧設計公司

122‧‧‧IC設計佈局

130‧‧‧光罩廠

132‧‧‧光罩資料準備

144‧‧‧光罩製造

150‧‧‧IC製造商

152‧‧‧生產晶片

154‧‧‧研發(R&D)晶片

156‧‧‧經驗分析

160‧‧‧IC裝置

182‧‧‧處理器

184‧‧‧系統記憶體

186‧‧‧大容量存儲裝置

188‧‧‧通信模組

190‧‧‧光罩

192、194‧‧‧GDSII檔

200、250、400‧‧‧方法

202、204、252、254、256‧‧‧步驟

258、260、262‧‧‧步驟

402、404、406、408‧‧‧步驟

500‧‧‧IC圖案

502‧‧‧自由形式佈局圖案

504‧‧‧簡化圖案

602、702、802、902‧‧‧佈局

604、704、804、904‧‧‧簡化圖案

506、606、706、806、906‧‧‧模型化規則表(MBRT)

1002‧‧‧近似佈局

1010、1107、1205‧‧‧模型化規則表(MBRT)

1100、1200‧‧‧方法

1102、1104、1106、1108、1110‧‧‧步驟

1202、1204、1206、1208‧‧‧步驟

1103、1105‧‧‧簡化圖案

由以下詳細說明與附隨圖式得以最佳瞭解本揭露之各方面。注意，根據產業之標準實施方式，各種圖形並非依比例繪示。實際上，為了清楚討論，可任意增大或縮小各種圖形的尺寸。

圖1是積體電路(IC)製造系統和相關聯的IC製造流程的實施例的簡化方塊圖；圖2圖示根據現有技術方法的用於產生用於IC光罩圖案的輔助圖形規則表的方法的流程圖；圖3是根據本揭露的各種方面的圖1中顯示的光罩廠(mask house)的更詳細方塊圖；圖4顯示根據本揭露的各種方面的產生用於IC光罩圖案的輔助圖形規則表的方法400的高階流程圖；圖5A圖示根據方法400一些實施例的IC設計佈局的IC圖案；圖5B圖示根據方法400一些實施例中與IC圖案相關聯的自由形式佈局圖案；圖5C圖示根據方法400一些實施例中為自由形式佈局圖案近似物的簡化圖案；圖5D圖示根據方法400一些實施例中部分藉由圖5C的簡化圖案決定的模型化規則表(model-based rule table,MBRT)；圖6A到6C、7A到7C、8A到8C以及9A到9C圖示根據方法400一些實施例中可以用於近似自由形式佈局圖案的簡化圖案的各種實施例；圖10A和10B圖示方法400的實施例，應用在替代的IC設計佈局中；圖11A到11D圖示根據一些實施例用於至少一些佈局圖案類型的示例性SRAF規則表產生法；以及圖12A到12D圖示根據一些實施例的用於至少一些佈局圖案的替代類型的示例性SRAF規則表產生法。

以下揭示內容提供許多不同的實施例或範例，用於實施本揭露之不同圖形。元件與配置的特定範例之描述如下，以簡化本揭露之揭示內容。當然，這些僅為範例，並非用於限制。例如，以下描述在第二圖形上或上方形成第一圖形，可包含第一與第二圖形直接接觸的之實施例，亦可包含在該第一與第二圖形之間形成其他圖形的實施例，因而該第一與第二圖形並非直接接觸。此外，本揭露可在不同範例中重複元件符號與/或字母。此重複係為了簡化與清楚之目的，而非描述不同實施例與/或所討論架構之間的關係。

再者，本揭露可使用空間相對用語，例如「之下」、「低於」、「較低」、「高於」、「較高」等類似用語之簡單說明，以描述圖式中一元件或圖形與另一元件或圖形的關係。空間相對用語係用以包括除了裝置在圖式中描述的位向之外，還有在使用中或步驟中之不同位向。該裝置或可被重新定位(旋轉90度或是其他位向)，並且可相應解釋本揭露案使用的空間對應描述。

本揭露大體上涉及一種模型化規則表的產生方法，所述方法有效地克服基於憑經驗產生規則表的SRAF插入的缺點。確切地說，本揭露的實施例提供用於SRAF插入的製程感知規則表的產生。如本文中所使用，術語“製程感知規則表”用於界定至少部分藉由針對給定佈局圖形的製程模擬產生的規則表。與需要微影處理和經驗資料收集的常規方法相比，本文中所揭示的實施例可根據具調適性且迅速的建立規則表的模擬過程提供規則表的自動產生方法而用於SRAF的插入，而不致於延遲開發週期而耗費成本。

圖1是可以得益於本揭露的各種方面的積體電路(IC)製造系統100和與其相關聯的IC製造流程的實施例的簡化方塊圖。IC製造系統100包含多個實體，例如設計公司(design house)120、光罩廠(mask house)130以及IC製造商150(即製造廠)，所述實體在設計、開發以及製造週期和/或與製造積體電路(IC)裝置160相關的服務中彼此互動。多個實體藉由通信網路連線，所述通信網路可以是單一網路或多種不同網路，例如內聯網和網際網路，且可以包含有線和/或無線通訊通道。每個實體都可以與其它實體互動且可以向其它實體提供服務和/或從其它實體接收服務。設計公司120、光罩廠130以及IC製造商150中的一或多者可以具有共同的所有者，且甚至可以共存於共同的設施中且使用共同資源。

在各種實施例中，可以包含一或多個設計小組的設計公司120產生IC設計佈局122。IC設計佈局122可以包含經設計用於製造IC裝置160的各種幾何圖案。作為舉例，所述幾何圖案可以與構成待製造的IC裝置160的各種元件的金屬、氧化物或半導體層的圖案相對應。所述各種層經組合以形成IC裝置160的各種圖形。例如，IC設計佈局122的各種部分可以包含多個圖形，例如主動區、柵極電極、源極和汲極區、金屬線或金屬互連的通路、接墊的開口、以及所屬領域中已知形成在半導體基板(例如，矽晶片等)和安置在半導體基板上的各種材料層內的其它圖形。在各種實例中，設計公司120實施設計程式以形成IC設計佈局122。所述設計程式可以包含邏輯設計、實體層設計和/或佈局和佈線。IC設計佈局122可以呈現在一或多個資料檔案中，其具有與用於製造IC裝置160的幾何圖案相關的資訊。在一些實例中，IC設計佈局122可以用GDSII檔案格式或DFII檔案格式表示。

在一些實施例中，設計公司120可以例如經由上文所描述的網路連線將IC設計佈局122傳送到光罩廠130。光罩廠130隨後可以使用IC設計佈局122來製造一或多個光罩，所述光罩將用於根據IC設計佈局122製造IC裝置160的各種層。在各種實例中，光罩廠130執行光罩資料準備132，其中IC設計佈局122轉化成可以藉由光罩寫入器實體寫入的形式；以及光罩製造144，其中藉由光罩資料準備132來準備的設計佈局經修改以配合特定的光罩寫入器和/或光罩製造商且隨後被製造。在圖1的實例中，光罩資料準備132和光罩製造144顯示為分開的單位；然而，在一些實施例中，光罩資料準備132和光罩製造144可以共同稱為光罩資料準備。

在一些實例中，光罩資料準備132包含應用一或多種解析度增強技術(resolution enhancement technologies,RETs)以補償可能的微影誤差，例如可能由繞射、干涉或其它製程效應引起的那些微影誤差。在一些實例中，光學近接校正(optical proximity correction,OPC)可以用於取決於周圍的幾何結構的密度調整線寬度、將“狗骨式”端蓋添加到線的末端以防止線末端縮短、針對電子束(e-beam)近接效應進行校正，或用於如所屬領域中已知的其它目的。例如，OPC技術可以添加次解析度輔助圖形(SRAF)，這例如可以包含根據光學模型或規則將散射條、襯線和/或錘頭添加到IC設計佈局122，使得在微影製程之後，晶片上的最終圖案以增強的解析度和精度得到改進。光罩資料準備132還可以包含另外的RET，例如離軸照明(off-axis illumination,OAI)、相位移光罩(phase-shifting mask,PSM)、其它合適的技術或其組合。可以結合OPC而使用的一種技術是反向微影技術(inverse lithography technology,ILT)，所述反向微影技術將OPC處理為反向成像問題且使用設計圖案的整個區域而非僅設計圖案的邊緣來計算光罩圖案。儘管ILT可能在一些情況下產生非直觀光罩圖案，但ILT可以用於製造具有高保真度和/或實質上改善焦深和曝光寬容度的光罩，由此實現圖形(即幾何圖案)的列印，這可能是以其它方式做不到的。在一些實施例中，ILT製程可以更一般地被稱作模型化(model-based,MB)的光罩校正製程。當然，在一些實例中，例如上文所描述的那些RET技術且可以使用例如模型來計算SRAF形狀等的其它RET技術也落入MB光罩校正製程的範圍內。

光罩資料準備132可以進一步包含光罩規則檢查器(mask rule checker,MRC)，所述光罩規則檢查器利用一組光罩產生規則檢查在一或多個RET製程(例如，OPC、ILT等)中的IC設計佈局，所述光罩產生規則可以包含某些幾何和連接限制以確保足夠的餘裕、以考慮在半導體製造過程中的變異等。在一些情況下，MRC修改IC設計佈局以補償在光罩製造144期間可能遇到的限制，所述MRC可以修正部分藉由一或多個RET製程執行的修改結果以便滿足光罩產生規則。例如，MRC可以執行曼哈頓(Manhattan)轉換以將經ILT處理過非常彎曲和/或波狀(即難以製造的)的光罩設計轉換成更加簡化的常規多邊形圖案(即適於製造的)，例如以配合電子束光罩寫入器，如下文所論述。

在一些實施例中，光罩資料準備132可以進一步包含微影製程檢查(lithography process checking,LPC)，所述微影製程檢查模擬IC製造商150製造IC裝置160的實施過程。LPC可以根據IC設計佈局122模擬此流程以產生模擬的製成裝置，例如IC裝置160。在LPC模擬中的製程參數可以包含與IC製造週期各種製程相關的參數、與製造IC的工具相關的參數和/或製造過程的其它方面相關的參數。作為舉例，LPC可以考慮各種因素，例如投影對比度、焦深(depth of focus,DOF)、光罩誤差增強因素(mask error enhancement factor,MEEF)、其它合適的因素或其組合。如下文更詳細地描述，模擬的製程(例如由LPC實施)可以用於提供製程感知規則表的產生(例如用於SRAF插入)。因此，在各種實施例中，考慮到IC製造商150的處理條件，可以針對具體IC設計佈局122產生SRAF規則表。

在一些實施例中，在模擬的製造裝置已經由LPC產生之後，如果模擬的裝置佈局在形狀上並不足夠精確地滿足設計規則，那麼可以重複在光罩資料準備132中的某些步驟，例如OPC和MRC，以進一步優化IC設計佈局122。在此類情況下，還可以更新先前產生的SRAF規則表。

應理解的是，光罩資料準備132的上述描述已因便於描述的目的進行簡化，且資料準備可以包含另外的圖形，例如用於根據製造規則修改IC設計佈局的邏輯運算(logic operation,LOP)。另外，在資料準備132期間應用到IC設計佈局122的製程可以按多種不同次序執行。

在光罩資料準備132之後且在光罩製造144期間，可以基於經修改的IC設計佈局製造一個或一組光罩。例如，電子束(e-beam)或多個電子束的機制可根據經修改的IC設計佈局用於在光罩上形成圖案。光罩可以用各種技術形成。在實施例中，光罩使用二元技術形成。在一些實施例中，光罩圖案包含不透明區和透明區。用於曝光塗覆在晶片上的輻射敏感的材料層(例如，光阻材料)的輻射束(例如紫外線(UV)束)被不透明區阻斷且透射穿過透明區。在一個實例中，二元光罩包含透明基板(例如，熔融石英)和塗覆在光罩的不透明區中的不透明材料(例如，鉻)。在一些實例中，光罩使用相位移技術形成。在相位移光罩(PSM)中，形成於光罩上的圖案中的各種圖形經配置以具有預配置相位差以增強圖像解析度和成像品質。在各種實例中，相位移光罩可以是衰減PSM或交替式PSM。

在一些實施例中，IC製造商150(例如半導體製造廠)使用藉由光罩廠130製造的光罩以將一或多個光罩圖案轉印到生產晶片152上，且因此在生產晶片152上製造IC裝置160。IC製造商150可以具有IC製造設施，所述IC製造設施可以包含用於製造多種不同IC產品的大量製造設施。例如，IC製造商150可以包含用於多個IC產品的前端製造(即前段製程(FEOL)製造)的第一製造設施，而第二製造設施可以提供用於IC產品的互連和封裝的後端製造(即後段制程(BEOL)製造)，且第三製造設施可以提供用於製造廠業務的其它服務。在各種實施例中，其內和/或其上製造有IC裝置160的半導體晶片(即生產晶片152)可以包含矽基板或具有形成於其上的材料層的其它基板。其它基板材料可以包含另一合適的基本半導體，例如金剛石或鍺；合適的化合物半導體，例如碳化矽、砷化銦或磷化銦；或合適的合金半導體，例如碳化矽鍺、磷化鎵砷、或磷化鎵銦。在一些實施例中，半導體晶片可以進一步包含各種摻雜區、介電材料組件以及多層互連(於隨後的製造步驟中形成)。此外，光罩可以用於多個製程。例如，光罩可以用於離子植入製程以形成在半導體晶片中的各種摻雜區、用於蝕刻製程以形成在半導體晶片中的各種蝕刻區和/或用於其它合適的製程。

與本文中所揭示的實施例相比，常規技術可能不使用模擬製程(例如，由LPC提供)以提供產生製程感知規則表(例如用於SRAF插入)。作為舉例且參考圖1和2，在常規方法200中，(例如從光罩廠130)所接收的IC設計佈局122可以包含新佈局，其中依不同佈局而定的SRAF規則並不存在(方塊202)。在一些情況下，光罩資料準備132可以因此簡單地使用由常規圖案產生的SRAF規則表(方塊204)。在此類實例中，常規的SRAF規則表可能不考慮非常規圖案(例如，單一圖案佈局的圖形)(例如，在光罩製造144期間)，這可能導致圖案變形和/或IC裝置160的故障或退化。圖2的方法250圖示根據一些常規實施例的替代的方法。如方法250中顯示，在方塊252處可以接收新佈局。在方塊254處，新佈局的一或多個圖形可以圖案化到一或多個光罩上(例如，藉由光罩製造144)以用於新佈局的經驗式測試。作為舉例，IC製造商150可以使用藉由光罩廠130製造的光罩(具有新佈局的一或多個圖形)將一或多個光罩圖案傳遞到研發(R&D)晶片154(圖1)上且因此在研發晶片 154上執行一或多個微影製程(方塊256)。在不同實施例中，微影製程包含將實驗SRAF圖案圖案化到研發晶片154上。在研發晶片154的微影處理之後，隨後可以將研發晶片154傳遞到測試實驗室(例如，計量實驗室或參數測試實驗室)以用於經驗式分析156。因此，在方塊258處可以收集來自研發晶片154的經驗式資料，包含對實驗SRAF圖案的評估。在各種實例中，隨後可以將經驗式SRAF圖案資料傳遞到光罩廠130，其中例如基於經驗式SRAF資料可以決定所接收的新佈局的SRAF規則(方塊260)。之後，SRAF規則表(其先前可能僅包含藉由常規圖案決定的SRAF規則)可以在方塊262處更新以包含如在方塊260處決定以用於新佈局的SRAF規則。光罩廠130可以由此產生耐用的SRAF規則表並且其後將所述耐用的SRAF規則表用於光罩製造144。

儘管常規技術可以提供耐用的SRAF規則表，如上文所描述，但提供此憑經驗產生SRAF規則表的成本相當高。在各種常規實例中，光罩廠130可能必須提供大量經直覺式(heuristically)設計的圖案，所述圖案隨後由IC製造商150以微影方式處理(例如，曝光和顯影)，在這之後憑經驗測量所述圖案(例如，藉由經驗式分析156)且產生和/或更新規則表(例如，藉由光罩廠130)。因此，圖案設計、處理以及收集經驗式資料是勞動力密集的且耗時的過程，所述過程對技術開發週期添加不必要的延遲，且所述過程顯然不是每當遇到新佈局設計和/或新單一佈局圖形時都可以重複。替代地，如下文更詳細地描述，本揭露的實施例非經處理研發晶片和收集經驗式SRAF資料(其過程成本過高且導致技術開發週期延遲)，而是根據具調適性且迅速的建立規則表的模擬過程(例如，如藉由LPC模擬)提供SRAF規則表的自動產生方法，使SRAF規則表用於提供SRAF的插入。

現在參考圖3，其中提供的是根據本揭露各方面而在圖1中顯示的光罩廠130的更詳細方塊圖。在圖3的實例中，光罩廠130包含光罩設計系統180，所述光罩設計系統可操作以執行結合圖1的光罩資料準備132且結合下文所論述的圖4的方法400所描述的功能。光罩設計系統180是資訊處理系統，例如電腦、伺服器、工作站或其它合適的裝置。系統180包含以通信方式耦合到系統記憶體184、大容量存儲裝置186以及通信模組188的處理器182。系統記憶體184將非暫時性、電腦可讀存儲裝置提供給處理器182以促成處理器執行電腦指令。系統記憶體的實例可以包含隨機存取記憶體(RAM)裝置，例如動態RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、固態記憶體裝置和/或所屬領域中已知的多種其它記憶體裝置。電腦程式、指令以及資料存儲在大容量存儲裝置186內。大型存儲裝置的實例可以包含硬碟、光碟、磁光碟、固態存儲裝置和/或所屬領域中已知的一種其它大型儲存裝置。通信模組188可操作以與IC製造系統100中的其它組件(例如設計公司120)交流IC設計佈局檔等資訊。通信模組的實例可以包含乙太網卡、802.11 WiFi裝置、蜂窩式資料無線電裝置和/或所屬領域中已知的其它合適的裝置。

在操作時，光罩設計系統180經配置以在IC設計佈局122藉由光罩製造144傳遞到光罩190之前根據多種設計規則和限制操縱所述IC設計佈局。例如，在實施例中，包含ILT、OPC、MRC以及LPC的光罩資料準備132可以實施為在光罩設計系統180上執行的軟體指令。在此類實施例中，光罩設計系統180從設計公司120接收包含IC設計佈局122的第一GDSII檔192。在完成光罩資料準備132(其可以在完成圖4的方法400之後)之後，光罩設計系統180將包含經修改IC設計佈局的第二GDSII檔194傳送到光罩製造144(即到光罩製造廠)。在替代實施例中，IC設計佈局可以替代的檔案格式(例如DFII、CIF、OASIS或任何其它合適的檔案類型)在IC製造系統100中的組件之間傳送。此外，在替代實施例中，光罩設計系統180和光罩廠130可以包含另外和/或不同的組件。

圖4顯示根據各種實施例用於在光罩製造之前修改IC設計佈局的方法400流程圖。在一些實施例中，方法400可以在圖1中顯示的光罩廠130的光罩資料準備132中實施。儘管當前實施例將方法400描述為從IC圖案產生光罩圖案，但所述方法還可以被視為藉由轉換或修改現有光罩圖案而從現有光罩圖案產生另一光罩圖案。此外，方法400還可以用於無光罩的製造過程中，其中IC設計佈局藉由包含方法400的過程轉換成可藉由無光罩的製造工具(例如電子束直接寫入器)存取的格式。可以在方法400之前、期間和之後提供另外步驟，且所描述的一些步驟可以被取代、消除或移動以用於所述方法的另外實施例。還應注意，方法400是示例性的，且並無意將本揭露限於後附專利申請範圍中明確地敘述的範圍。下文將結合圖1、3、5A-5D、6A-6C、7A-7C、8A-8C、9A-9C以及10A/10B進一步描述方法400。

方法400開始於方塊402處，其中光罩廠130接收IC設計佈局122。IC設計佈局122包含表示積體電路(IC)的圖形的各種幾何圖案。例如，IC設計佈局122可以包含主要IC圖形，例如主動區、柵極電極、源極和汲極區、金屬線或金屬互連的通路、接墊的開口，所述IC圖形可以形成於半導體基板(例如矽晶片)和安置在半導體基板上的各種材料層中。在一些實施例中，IC設計佈局122還可以包含某些輔助圖形，例如用於成像效果、製程改善和/或光罩識別資訊的圖形。

參考圖5A的實例，在方塊402的實施例中，其中所說明的是實例IC圖案500，其可以是所接收IC設計佈局122中包含的圖案。在圖5A的實例中，IC圖案500包含正方形，所述正方形在一些實例中可以表示通路或接點圖形。方法400前進到方塊404，其中執行(例如，藉由光罩資料準備132)模型化(MB)光罩校正製程。在至少一些實例中，MB光罩校正製程包含反向微影技術(ILT)製程。具體來說，提供(例如，藉由光罩資料準備132)理論模型，所述理論模型模擬將藉由IC製造商150實施以製造IC圖案500的處理。如本文中所使用且描述，術語“理論模型”可以等效地被稱作“製程模擬模型”。作為舉例，理論/製程模擬模型可以包含藉由同調系統總和(sum of coherent system,SOCS)呈現的模型。在各種實例中，藉由理論/製程模擬模型執行的成像公式可以利用如所屬領域中已知的一或多個模型/公式，例如科勒(Köhler)照明模型、阿貝(Abbe)方法以及霍普金(Hopkin)方法等等。在一些情況下，理論/製程模擬模型可以包含部分同調的成像系統、同調的成像系統或非同調的成像系統的模型化。

在各種實施例中，藉由理論模型提供的製程模擬係在ILT製程期間使用以產生自由形式佈局圖案502，如圖5B中顯示，其中自由形式佈局圖案502與圖5A的IC圖案500相關聯。在一些實例中，自由形式佈局圖案與佈局熱點相對應。在一些情況下，自由形式佈局圖案與沒有原始SRAF表的佈局相對應。在一些實施例中，ILT製程考慮多個製造限制(例如由IC製造商的製程而來)，例如針對不同曝光/離焦值(defocus)的圖案精準度、製程容忍範圍和/或光罩複雜性。在不同實例中，一或多個不同的製造限制可能大過另一者，由此允許ILT製程根據各種製程和/或裝置需要產生各種自由形式佈局圖案。

在各種實施例中，給定IC製造商製程的製造限制且給定用於製造IC圖案500的製程模擬，由ILT製程產生的自由形式佈局圖案502可以是用於IC圖案500的理想佈局設計。然而，自由形式佈局圖案502並不是對製造友善的，且因此對隨後的處理(例如光罩製造144)產生困難。因此，將自由形式佈局圖案502轉換成一或多個對製造友善的形狀(或幾何圖案)是適當的。如本文中所使用“對製造不友善”的圖案可以用於描述給定IC製造商150所使用的製程或處理/微影設備時不可製造的圖案，和/或可製造但花費太多時間以用於產生光罩(即用於光罩寫入)的圖案。

方法400前進到方塊406，其中(例如，藉由光罩資料準備132)執行簡化製程以產生“對製造友善的”(即可以在可接受的時間中寫入的可製造光罩佈局)。具體來說，簡化製程的目標是得到近似自由形式佈局圖案502的一或多個對製造友善的形狀。在實施例中，選擇多個使用者定義的對製造友善的形狀中的一者，例如正方形或矩形，且隨後決定所述形狀的位置和大小以便取代IC設計佈局122中的自由形式佈局圖案502，或替代地以便用於從IC設計佈局122轉換的另一設計佈局。在一些實施例中，近似於自由形式佈局圖案502(圖5B)的簡化圖案504(圖5C)藉由簡化製程(在方塊406處)得到。如圖5C的實例中顯示，簡化圖案504包含由多個矩形邊散射條包圍的正方形。然而，在其它實例中，簡化製程可以產生其它類型的簡化圖案，如下文參考圖6A-6C、7A-7C、8A-8C、9A-9C以及10A/10B所論述。

方法400前進到方塊408，其中(例如，藉由光罩資料準備132)決定SRAF規則且更新SRAF規則表。具體來說，可以基於理論模型和簡化圖案504獲取和/或計算用於IC圖案500的SRAF規則。如圖5D中所示，基於理論模型和簡化圖案504決定模型化規則表(MBRT)506。如圖5D的實例中顯示，MBRT 506可以包含各種資訊，例如圍繞中心正方形的兩個簡化環(“環1”和“環2”)的散射條中的每一者的配置名稱、間距、樣式、接近性以及幾何結構的規格(例如，間隔、寬度和長度)。在各種實施例中，決定MBRT 506可以包含創建新規則表或更新先前現有的規則表。在一些實施例中，SRAF規則表可以包含基於規則的規則表，其中所述規則藉由常規圖案決定。另外，在一些實施例中，SRAF規則表包含模型化規則表(例如，MBRT 506)。在一些情況下，SRAF規則表可以包含由基於規則的表和模型化規則表構成的混合規則表。一經決定，MBRT 506就可以應用到任何類似的佈局圖案(例如，其包含類似的佈局熱點)。作為舉例，“類似的佈局圖案”或“類似的佈局熱點”可以指具有實質上類似的幾何形狀(例如，在預定義/用戶定義的容差內)的圖案/熱點，如所屬領域中所習知。在一些實施例中，方法400可以同樣應用於每個關鍵佈局圖案、應用於任何單一圖案佈局圖形、和/或應用於需要SRAF圖形插入的任何其它佈局圖案或圖形。如本文中所使用，術語“關鍵佈局圖案”或“關鍵圖形”是指在微影處理期間在佈局中更易於出現缺陷的區域。在一些實例中，此類易錯的佈局區域可以被稱作佈局“熱點”。儘管不同的佈局設計(例如，與不同電路或裝置相對應和/或來自多種不同設計公司或客戶)可以包含不同類型的佈局熱點，但本文中所揭示的實施例不限於特定類型的熱點，而是可以按需要或希望應用到任何佈局圖案和/或圖形。因此，在一些實施例中，方法400可以進一步提供用於佈局熱點的識別，接著是基於所接收IC圖案的模擬製程來自動產生(例如，藉由光罩資料準備132)用於SRAF插入的規則表，其具調適性、迅速的規則表建立方法不會產生常規SRAF規則表產生方法所遭遇的高成本開發週期延遲問題。

作為舉例且在各種實施例中，SRAF規則表產生可以包含多個步驟(例如，藉由光罩資料準備132所執行)。圖11A-11D圖示用於包含常規/陣列單位圖案(例如，類似於圖5B/5C、7A/7B、8A/8B、9A/9B中顯示的實例)的實施例的SRAF規則表產生的示例性方法。參考圖11A，其中所說明的是根據一些實施例用於SRAF規則表產生的方法1100。方法1100開始於方塊1102處，其獲取可實行的單位晶胞(例如，圖11B中顯示的單位晶胞1103)。方法1100前進到方塊1104，其界定原點和參考座標(例如，亦在圖11B中顯示)。方法1100隨後前進到方塊1106，其識別最小對稱象限(例如，圖11C中顯示的右上象限1105等)。方法1100前進到方塊1108，其計算相關幾何資訊(例如，亦在圖11C中顯示的‘長度1’、‘長度2’、‘寬度1’、‘寬度2’、‘間隔1’、‘間隔2’等)。方法1100隨後可以前進到方塊1110，其將規則表(例如，圖11D中顯示的規則表1107)製成表和/或以其它方式決定規則表。

圖12A-12D圖示用於包含任意圖案(例如，類似於圖10A中顯示的實例)的實施例的SRAF規則表產生的示例性方法。參考圖12A，其中所說明的是根據一些實施例的用於SRAF規則表產生的方法1200。方法1200開始於方塊1202處，其中獲取可實行的圖案組(例如，圖12B和12C中顯示的矩形1、2、3、4)。方法1200前進到方塊1204，其界定原點/參考頂點和參考座標(例如，亦在圖12B中圖顯示)。方法1200隨後前進到方塊1206，其計算相關的幾何資訊(例如，亦在圖12C中顯示的‘長度1’、‘寬度1’、‘角度1’、‘中心1’等)。方法1200隨後可以前進到方塊1208，其將規則表(例如，圖12D中顯示的規則表1205)製成表和/或以其它方式決定規則表。

類似於方法400，方法1100和1200也可以用於如上文所描述的無光罩的製造過程。並且，在方法1100和1200之前、期間和之後可以提供另外步驟，且所描述的一些步驟可以經取代、消除或移動以用於所述方法的另外實施例。還應注意，方法1100和1200是示例性的，且並不意圖將本揭露限於所附專利申請範圍中所明確地敘述的範圍。

現在參考圖6A-6C、7A-7C、8A-8C以及9A-9C，其中所說明的是可以從圖5B中顯示的自由形式佈局圖案502產生的簡化圖案(即對製造友善的圖案)的各種實施例。例如，圖6B圖示包含雙重同心正方形環圖案的簡化圖案604，圖7B圖示包含雙邊散射條圖案的簡化圖案704，圖8B圖示包含具有拐角輔助圖形的雙邊散射條圖案的簡化圖案804，且圖9B圖示包含具有斜拐角輔助圖形的雙邊散射條圖案的簡化圖案904。如上文所描述，儘管由ILT製程產生的自由形式佈局圖案502可以是IC圖案500的理想佈局設計，但它並不是對製造友善的圖案。因此，在各種實施例中，可以將簡化圖案504、604、704、804、904提供為自由形式佈局圖案502的可行、對製造友善的替代方案。然而，在決定實施所述簡化圖案中的哪一者來替代自由形式佈局圖案502時，可以考慮各種因素，包含IC製造商的製程的製造限制和用於製造給定簡化圖案504、604、704、804、904中的每一者的製程模擬。一般來說，(例如，光罩資料準備132的)計算能力、(例如，IC製造商150的)生產能力以及IC裝置160的設計和性能限制可以全部同時被認為是簡化圖案選擇決策過程的部分。僅作為一個實例，此決策過程可以針對簡化圖案504、604、704、804、904中的每一者中例如關於微影性能和/或製造光罩的製造時間以決定何者可接受。在本文中所描述的各種實施例中，決策過程(即選擇使用哪一個簡化圖案)是自動的(例如，藉由光罩資料準備132自動地執行)且是本文中所描述的製程感知方法的部分，其中例如所選擇的簡化圖案和隨後產生的SRAF規則表都在考慮IC製造商150的處理條件等的情況下這樣實現。

參考圖6A、7A、8A以及9A，其中所說明的是佈局602、702、802以及902，所述佈局顯示疊加到自由形式佈局圖案502上的簡化圖案604、704、804、904中的每一者。作為舉例，圖6A圖示疊加到自由形式佈局圖案502上的簡化圖案604，圖7A圖示疊加到自由形式佈局圖案502上的簡化圖案704，圖8A圖示疊加到自由形式佈局圖案502上的簡化圖案804，且圖9A圖示疊加到自由形式佈局圖案502上的簡化圖案904。如可以藉由對圖6A、7A、8A以及9A的檢查瞭解，簡化圖案604、704、804、904中的每一者以不同的保真度近似自由形式佈局圖案502。在一些實施例中，簡化圖案904可以最佳地近似自由形式佈局圖案502；然而，由於一或多個限制(例如，IC製造商150可能不可製造傾斜的散射條)，可以選擇簡化圖案中的另一者。在各種實例中，不同的簡化圖案可以是可用的和/或可以提供，且隨後考慮到一或多個限制可以(例如，藉由資料準備132動態地)選擇適當的簡化圖案，如上文所描述。

再次參考圖6B、7B、8B以及9B的簡化圖案604、704、804、904，其中還說明的是用於形成各種簡化圖案的幾何形狀中的每一者的規則配置。例如，如圖6B中顯示，簡化圖案604可以包含‘間隔1’(在中心正方形和內環之間)和內環(‘環1’)的‘寬度1’，以及‘間隔2’(在內環和外環之間)和外環(‘環2’)的‘寬度2’。如果選擇簡化圖案604來表示自由形式佈局圖案502，那麼在方法400的方塊408的實施例中，可以(例如，藉由光罩資料準備132)決定SRAF規則且更新SRAF規則表。具體來說，可以基於理論模型和簡化圖案604獲取和/或計算SRAF規則。如圖6C中顯示，決定MBRT 606。在各種實例中，MBRT 606可以包含資訊，例如用於圍繞中心正方形的簡化環(‘環1’和‘環2’)中的每一者的配置名稱(例如，正方形陣列)、間距(例如，隔離)、樣式(例如，雙重同心正方形環)、接近性以及幾何結構的規格(例如，間隔和寬度)。在一些實例中，MBRT 606還可以提供中心正方形的規格。

在圖7B中顯示的實例中，簡化圖案704可以包含‘間隔 1’(在中心正方形與每個相鄰的內部散射條-‘環1’之間)、散射條的內環(‘環1’)的每個條的‘寬度1’，以及散射條的內環(‘環1’)的每個條的‘長度1’。簡化圖案704可以進一步包含‘間隔2’(在內部散射條與相鄰的外部散射條-‘環2’之間)、散射條的外環(‘環2’)的每個條的‘寬度2’，以及散射條的外環(‘環2’)的每個條的‘長度2’。如果選擇簡化圖案704來表示自由形式佈局圖案502，那麼在方法400的方塊408的實施例中，可以(例如，藉由光罩資料準備132)決定SRAF規則且更新SRAF規則表。具體來說，可以基於理論模型和簡化圖案704獲取和/或計算SRAF規則。如圖7C中顯示，決定MBRT 706。在各種實例中，MBRT 706可以包含資訊，例如用於圍繞中心正方形的簡化環(‘環1’和‘環2’)中的每一者的配置名稱(例如，正方形陣列)、間距(例如，隔離)、樣式(例如，雙邊散射條)、接近性以及幾何結構的規格(例如，間隔、寬度和長度)。在一些實例中，MBRT 706還可以提供中心正方形的規格。

在圖8B中顯示的實例中，簡化圖案804可以包含‘間隔1’(在中心正方形與每個相鄰的內部散射條-‘環1’之間)、散射條的內環(‘環1’)的每個條的‘寬度1’，以及散射條的內環(‘環1’)的每個條的‘長度1’。簡化圖案804可以進一步包含‘間隔2’(在內部散射條與相鄰的外部散射條-‘環2’之間)、散射條的外環(‘環2’)的每個條的‘寬度2’、散射條的外環(‘環2’)的每個條的‘長度2’、‘間隔3’(在中心正方形與拐角輔助圖形之間)、‘方位角3’(界定從中心正方形到拐角輔助圖形的角度)，以及界定拐角輔助圖形的幾何結構的‘寬度3’。如果選擇簡化圖案804來表示自由形式佈局圖案502，那麼在方法400的方塊408的實施例中，可以(例如，藉由光罩資料準備132)決定SRAF規則且更新SRAF規則表。具體來說，可以基於理論模型和簡化圖案804獲取和/或計算SRAF規則。如圖8C中顯示，決定MBRT 806。在各種實例中，MBRT 806可以包含資訊，例如用於圍繞中心正方形的簡化環(‘環1’和‘環2’)中的每一者且用於拐角輔助圖形的配置名稱(例如，正方形陣列)、間距(例如，隔離)、樣式(例如，具有拐角輔助圖形的雙邊散射條)、接近性，以及幾何結構的規格(例如，間隔、寬度、長度、方位角)。在一些實例中，MBRT 806還可以提供中心正方形的規格。

在圖9B中顯示的實例中，簡化圖案904可以包含‘間隔1’(在中心正方形與每個相鄰的內部散射條-‘環1’之間)、散射條的內環(‘環1’)的每個條的‘寬度1’，以及散射條的內環(‘環1’)的每個條的‘長度1’。簡化圖案904可以進一步包含‘間隔2’(在內部散射條與相鄰的外部散射條-‘環2’之間)、散射條的外環(‘環2’)的正交於中心正方形的條的‘寬度2’、散射條的外環(‘環2’)的正交於中心正方形的條的‘長度2’、‘間隔3’(在中心正方形與拐角輔助圖形之間)、‘方位角3’(界定從中心正方形到拐角輔助圖形的角度)、界定用作拐角輔助圖形的散射條的寬度的‘寬度3’、界定用作拐角輔助圖形的散射條的長度的‘長度3’，以及界定用作拐角輔助圖形的傾斜散射條的旋轉位置的‘角度3’。如果選擇簡化圖案904來表示自由形式佈局圖案502，那麼在方法400的方塊408的實施例中，可以(例如，藉由光罩資料準備132)決定SRAF規則且更新SRAF規則表。具體來說，可以基於理論模型和簡化圖案904獲取和/或計算SRAF規則。如圖9C中顯示，決定MBRT 906。在各種實例中，MBRT 906可以包含資訊，例如用於圍繞中心正方形的簡化環(‘環1’和‘環2’)中的每一者且用於用作拐角輔助圖形的傾斜散射條的配置名稱(例如，正方形陣列)、間距(例如，隔離)、樣式(例如，具有拐角輔助圖形的雙邊散射條)、接近性，以及幾何結構的規格(例如，間隔、寬度、長度、方位角、角度)。在一些實例中，MBRT 906還可以提供中心正方形的規格。

儘管已經參考正方形圖案(例如，正方形IC圖案500)提供以上論述，但本文中所描述的各種實施例和方法並不意欲限於此類簡單圖案或圖形。確切地說，本揭露的實施例(包含方法400)可以應用到任何佈局圖案、任何任意圖形和/或關鍵佈局熱點(如上文所描述)以提供用於SRAF圖形插入的規則表的自動產生(例如，藉由光罩資料準備132)。例如，圖10A圖示可以得益于本文中提供本揭露的方面的包含由自由形式不規則形狀表示的關鍵圖案(即佈局熱點)的佈局1002。在一些實施例中，所述自由形式不規則形狀可以藉由反向微影技術(ILT)製程形成。此外，在方法400的方塊406的實施例中，可以(例如，藉由光罩資料準備132)執行簡化製程以得到近似佈局1002的自由形式不規則形狀的簡化的對製造友善的圖案。在圖10A的實例中，簡化圖案由多個矩形(矩形1、矩形2、矩形3和矩形4)表示。然而，如上文所論述，所述簡化圖案可以包含多種幾何形狀中的任一者，其中決定實施哪一個形狀來替代佈局1002的自由形式不規則形狀是基於各種因素，例如(例如，IC製造商的製程)製造限制、用於製造簡化圖案的製程模擬、計算能力，以及隨後製成的IC裝置的設計和性能限制。

如圖10A中顯示，如由多個矩形表示的自由形式不規則形狀的簡化圖案可以包含用於形成簡化圖案的每一個幾何形狀(例如，矩形)的的規則配置。例如，矩形1、2、3、4中的每一者的中心點可以相對於包圍所有主要圖形(例如，包含自由形式不規則形狀以及圖形1004、1006、1008)的最小方塊的頂點(例如，左上頂點)決定。在圖10A的實例中，多個圖形1004、1006、1008可以包含通路或接點圖形；然而，在其它實施例中，還可以存在其它相鄰圖形。同樣地，在其它實施例中，包圍所有主要圖形的最小方塊的其它頂點或相鄰圖形(例如圖形1004、1006、1008)的頂點可以替代地用作參考點，從所述參考點測量矩形1、2、3、4中的每一者的中心點。另外，可以決定矩形1、2、3、4中的每一者的寬度、長度以及角度(例如，相對于例如水準的參考平面)。在一些實例中，給定簡化圖案(例如，如由多個矩形表示)且在方法400的方塊408的實施例中，可以(例如，藉由光罩資料準備132)決定SRAF規則且更新SRAF規則表。具體來說，可以基於理論模型和矩形的簡化圖案獲取和/或計算SRAF規則。如圖10B中顯示，決定MBRT 1010。在各種實例中，MBRT 1010可以包含資訊，例如用於矩形(‘矩形1’、‘矩形2’、‘矩形3’以及‘矩形4’)中的每一者的配置名稱(例如，隨機關鍵圖案)、間距(例如，非週期性)、樣式(例如，三個靠近的通路)、座標(例如，相對於包圍所有主要圖形的最小方塊的左上頂點，所述座標還可以與圖形1004的拐角相對應)，以及幾何結構的規格(例如，中心、寬度、長度、角度)。

在以上論述中，正方形和矩形呈現為對製造友善的形狀。然而，應注意，在一些實施例中還可以使用其它形狀，例如橢圓形。在一些實例中，可以使用超過一種類型的對製造友善的形狀的混合。例如，在一些實施例中，自由形式佈局圖案(例如，自由形式佈局圖案502)可以藉由正方形、矩形和/或橢圓形的組合近似。

另外，本文中所揭示的各種實施例，包含方法400，可以在任何合適的計算系統上實施，例如結合圖3所描述的光罩設計系統180。在一些實施例中，方法400可以在單一電腦、局域網、用戶端-伺服器網路、廣域網路、互聯網、掌上型和其它可擕式無線裝置和網路上執行。此系統架構可以採用完全硬體實施例、完全軟體實施例、或包含硬體和軟體兩者組件的實施例形式。作為舉例，硬體大體上包含至少具有處理器功能的平臺，例如用戶機(也被稱作個人電腦或伺服器)；以及掌上型處理裝置(例如智慧型電話、個人數位助理(PDA)或個人計算裝置(PCD)等)。另外，硬體可以包含能夠存儲機器可讀指令的任何實體裝置，例如記憶體或其它資料存儲裝置。其它形式的硬體包含硬體子系統，其包含例如數據機、數據機卡、埠以及埠卡等傳遞裝置。在各種實例中，軟體大體上包含存儲在任何存儲媒體(例如RAM或ROM)中的任何機器碼，以及存儲在其它裝置(例如軟碟、快閃記憶體或CD-ROM等)上的機器碼。在一些實施例中，軟體可以包含例如原始碼或物件碼。另外，軟體可以涵蓋能夠在客戶機或伺服器中執行的任何指令集。

此外，本揭露的實施例可以採用可從有形的電腦可用或電腦可讀媒體存取的電腦程式產品的形式，所述電腦可用或電腦可讀媒體提供程式碼以供或結合電腦或任何指令執行系統使用。出於此描述的目的，有形的電腦可用或電腦可讀媒體可以是可以包含、存儲、傳送、傳播或傳輸供或結合指令執行系統、設備或裝置使用的程式的任何設備。所述媒體可以是電子、磁性、光學、電磁、紅外線、半導體系統(或設備或裝置)、或傳播媒體。

在一些實施例中，可以提供經界定的資料組織，其被稱為資料結構，以實現本揭露的一或多個實施例。例如，資料結構可以提供資料的組織、或可執行碼的組織。在一些實例中，資料信號可以被攜載在一或多個傳輸媒體上且存儲和傳輸各種資料結構，且因此可以用於傳輸本揭露的實施例。

本揭露的實施例提供優於現有技術的優點，但應理解，其它實施例可以提供不同的優點，並非所有優點都有必要在本文中論述，且對於所有實施例並不需要特定的優點。藉由所揭示的模型化規則表產生方法，有效地克服經驗式規則表的SRAF插入的缺點。例如，本揭露的實施例提供用於SRAF插入的製程感知規則表的產生，其中此SRAF規則表至少部分藉由利用針對給定佈局圖形(例如，佈局熱點等)的製程模擬而產生。與需要微影處理和經驗式資料收集的常規方法相比，本文中所揭示的實施例提供用於SRAF插入的規則表的自動產生方法，其根據具調適性且迅速的建立規則表的模擬過程，不產生高成本的開發週期延遲。所屬領域的技術人員將容易瞭解，在本文中所描述的方法可以應用到多種其它半導體佈局、半導體裝置以及半導體工藝以在不脫離本揭露的範圍的情況下有利地實現與本文中所描述的益處類似的益處。

因此，本揭露的實施例中的一者描述一種用於製造半導體裝置的方法，所述方法包含例如從設計公司接收積體電路(IC)佈局圖案。在一些實施例中，利用製程模擬模型以藉由反向微影技術(ILT)製程產生第二佈局圖案。所述製程模擬模型經配置以模擬用於IC佈局圖案的處理條件。在各種實施例中，所述第二佈局圖案與IC佈局圖案相關聯。在一些實例中，(例如，藉由資料準備132)產生第三佈局圖案，其中所述第三佈局圖案是第二佈局圖案的近似。之後，可以基於第三佈局圖案(例如，藉由資料準備132)計算次解析度輔助圖形(SRAF)規則。

在實施例中的另一者中，所論述的是一種用於製造半導體裝置的方法，所述方法包含執行ILT製程以產生自由形式佈局圖案。在一些實施例中，利用製程模擬模型且基於多個製造限制，決定簡化佈局圖案。作為舉例，簡化佈局圖案與自由形式佈局圖案相對應。可以從簡化佈局圖案獲取多個規則，且基於所獲取的多個規則產生規則表。

在又其它實施例中，所論述的是一種包含接收IC設計佈局且藉由光罩設計系統識別在所接收的IC設計佈局中的至少一個佈局熱點的方法。在各種實施例中，光罩設計系統可以提供與所識別的至少一個佈局熱點相對應的ILT產生的佈局圖案。在一些實例中，光罩設計系統隨後可以執行佈局簡化製程以產生與ILT產生的佈局圖案相對應的簡化佈局圖案。在一些實施例中，光罩設計系統可以基於所產生的簡化佈局圖案進一步計算次解析度輔助圖形(SRAF)規則。

前述內容概述一些實施方式的圖形，因而熟知此技藝之人士可更加理解本申請案揭示內容之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本申請案揭示內容作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案該之實施方式具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本申請案揭示內容的精神與範圍，以及熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本申請案揭示內容之精神與範圍。

400‧‧‧方法

402、404、406、408‧‧‧步驟

Claims

一種製造半導體裝置的方法，其包括：接收積體電路佈局圖案；利用製程模擬模型，經配置以模擬用於該佈局圖案的處理條件，藉由模型化光罩校正製程而產生第二佈局圖案，其中該第二佈局圖案與該IC佈局圖案相關聯；產生第三佈局圖案，該第三佈局圖案是該第二佈局圖案的近似物；以及基於該第三佈局圖案計算次解析度輔助圖形(SRAF)規則。
根據請求項1所述的方法，其中藉由該模型化光罩校正製程產生該第二佈局圖案的步驟包含：藉由反向微影技術(ILT)製程產生該第二佈局圖案。
根據請求項1所述的方法，其中該計算該次解析度輔助圖形規則的步驟進一步包含：基於該製程模擬模型計算該次解析度輔助圖形規則。
根據請求項1所述的方法，其中該第二佈局圖案包含自由形式佈局圖案，並且其中該第三佈局圖案包含簡化圖案。
根據請求項1所述的方法，其中該第三佈局圖案包含多個使用者定義的形狀，並且其中該多個使用者定義的形狀包含選自正方形、矩形以及橢圓形的一或多者。
根據請求項1所述的方法，其中該產生該第三佈局圖案的步驟包含：執行圖案簡化製程以產生該第三佈局圖案。
根據請求項1所述的方法，其進一步包括更新次解析度輔助圖形規則表。
根據請求項1所述的方法，其進一步包括：識別在該所接收的積體電路佈局圖案內的佈局熱點；以及利用經配置以模擬用於該所識別的佈局熱點的處理條件的該製程模擬模型，藉由該反向微影技術製程產生該第二佈局圖案，其中該第二佈局圖案與該佈局熱點相關聯。
一種製造半導體裝置的方法，其包括：執行反向微影技術製程以產生自由形式佈局圖案；利用製程模擬模型且基於多個製造限制，決定與該自由形式佈局圖案相對應的簡化佈局圖案；從該簡化佈局圖案獲取多個規則；以及基於該所獲取的多個規則產生規則表。
一種製造半導體裝置的方法，其包括：接收積體電路設計佈局；藉由光罩設計系統識別在該所接收的積體電路設計佈局中的至少一個佈局熱點；藉由該光罩設計系統產生與該所識別的至少一個佈局熱點相對應的反向微影技術產生的佈局圖案；藉由該光罩設計系統執行佈局簡化製程以產生與該反向微影技術產生的佈局圖案相對應的簡化佈局圖案；以及藉由該光罩設計系統基於該所產生的簡化佈局圖案計算次解析度輔助圖形規則。