CN115004107B - 用于开发光刻掩模的布局的骨架表示 - Google Patents

Abstract

一种方法，包括以下步骤：访问在光刻掩模开发过程中使用的布局，例如，该布局可以是掩模本身的布局，或者它可以是晶圆上的所得印刷图案的布局；布局包括多个不相交的形状；确定用于布局中不相交的形状中的至少一些不相交的形状的骨架表示；个体形状的骨架表示具有由边连接的两个或两个以上节点的元素；它还包括用于元素中的至少一些元素的尺寸参数；形状的骨架表示被用在掩模开发过程中。一种系统，包括用于执行该方法的处理器。一种非暂态计算机可读介质，包括用于执行该方法的存储的指令。

Description

用于开发光刻掩模的布局的骨架表示

相关申请

本申请要求于2020年02月14日提交的美国临时申请号62/977020，“SkeletonMask Representation”的权益，通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开涉及光刻掩模的开发，例如用于集成电路的制造。

背景技术

随着集成电路的设计变得更大、更密集和更复杂，对开发在制造中使用的掩模的计算光刻解决方案的需求不断增加。掩模上的特征变得更小并且直线更少。例如，先进的掩模写入工具可以产生曲线形状。这使得他们的仿真更加困难并且更加计算密集。此外，掩模上特征的数目不断增加，从而进一步增加了计算要求。光刻过程本身也变得更加复杂。例如，照射源变得更加复杂。这又需要更复杂的分析。因此，当通过掩模相关应用(诸如光学邻近校正(OPC)、逆光刻技术(ILT)和光刻验证)处理掩模布局时，需要采取措施来降低处理需求。

发明内容

在某些实施例中，一种方法包括以下步骤。访问在光刻掩模开发过程中使用的布局。例如，布局可以是掩模本身的布局，或者它可以是晶圆上所得印刷图案的布局。布局包括许多不相交的形状。确定用于布局中的不相交的形状中的至少一些不相交的形状的骨架表示。个体形状的骨架表示具有由边连接的两个或两个以上节点的元素。它还包括用于元素中的至少一些元素的尺寸参数。形状的骨架表示被用于掩模开发过程。

其他方面包括与以上任何内容相关的组件、设备、系统、改进、方法、过程、应用、计算机可读介质和其他技术。

附图说明

从下面给出的详细描述并且从本公开的实施例的附图，将更充分地理解本公开。附图用于提供对本公开的实施例的知识和理解，并且不将本公开的范围限制于这些特定实施例。此外，附图不一定按比例绘制。

图1描绘了根据本公开的一些实施例的掩模开发过程的流程图。

图2A-图2C描绘了多边形表示的示例以及布局中个体形状的对应的骨架表示。

图3A-图3B描绘了将多边形表示转换为骨架表示。

图3C-图3D描绘了将骨架表示转换为多边形表示。

图4A描绘了形状的尖端的扰动。

图4B描绘了形状的扰动的另一个示例。

图5和图6描绘了使用骨架表示来进行掩模规则检查。

图7描绘了根据本公开的一些实施例在集成电路的设计和制造期间使用的各种过程的流程图。

图8描绘了本公开的实施例可以在其中操作的示例计算机系统的抽象图。

具体实施方式

本公开的方面涉及用于开发光刻掩模的布局的骨架表示。传统上，掩模布局由多边形表示，并且更具体地，由直线多边形表示。然而，随着光刻变得更加复杂和具有挑战性，掩模布局也变得更加复杂。亚分辨率辅助特征和非矩形甚至弯曲形状的使用使得基于直线多边形的传统表示不太理想。用直线多边形表示弯曲的形状需要大量的多边形，并且仍然由阶梯近似表示弯曲的边。即使允许非直线多边形，弯曲的边将仍然需要具有大量边的多边形来近似曲线。

在掩模开发中使用的许多过程(诸如，光学邻近校正(OPC)、逆光刻技术(ILT)和光刻验证)需要对这些表示进行分析或操纵。例如，这些掩模开发过程可以在布局中引入细微改变，以确定这些改变是否有益。

在下面描述的方法中，布局由骨架表示来表示，而不是由多边形表示。布局可以是掩模本身的布局、晶圆上所得印刷图案的布局、由掩模产生的空间像(aerial image)的二维表示，或用于掩模开发的其他类型的二维图像。布局包括大量形状，这些形状传统上可以由直线多边形表示。在这里，形状中的至少一些形状由骨架表示来表示，作为其他类型的表示的代替或补充。个体形状的骨架表示包括“骨架”(skeleton)，“骨架”对应于形状的轴线或中心线。骨架的元素包括由边连接的两个或两个以上节点。节点是骨架的“关节”，并且边是骨架的“骨骼”。骨架表示还包括用于这些元素中的至少一些元素的尺寸参数。这些尺寸参数提供关于在沿骨架的不同位置处的形状的尺寸的信息。例如，用于骨架表示中的边元素的尺寸参数可以是基于形状沿那些边的宽度。用于骨架表示中的节点的尺寸参数可以是基于形状在那些节点处的局部半径。

对于某些掩模开发过程，骨架表示可以是布局的更紧凑和计算效率更高的表示。例如，如果需要移动形状的位置或改变形状的厚度，这可以简单地通过修改对应的元素(节点和边)和/或通过改变用于那些元素的各种尺寸参数来实现。结果，计算速度提高，并且所需的计算资源(存储器和处理器利用率)减少。

图1描绘了根据本公开的一些实施例的掩模开发过程的流程图。本公开中描述的技术可以被应用于许多类型的掩模开发过程120。这包括掩模合成过程(例如，设计掩模以实现期望的结果)和掩模验证过程(例如，确认掩模设计是否产生期望的结果)。它还包括前向传播过程(例如，预测由掩模产生的空间像)和反向传播(例如，根据所需的空间像，向后传播以确定将产生该空间像的掩模)。掩模开发过程120的示例包括光学邻近校正(OPC)、逆光刻技术(ILT)和光刻验证(包括掩模设计规则检查)。

掩模开发过程120的输入是各种几何形状的布局110。对于掩模开发过程120，布局110可以是用于制造集成电路的掩模的布局，但骨架表示不限于该示例。在许多情况下，布局中的形状被表示为多边形，如图1的多边形表示115中所示。

一般将掩模开发过程120的结果被称为“解决方案”190。解决方案将取决于掩模开发过程120。下面的表1列出了一些示例应用。“布局”列是掩模开发过程的输入，并且“解决方案”列是输出。“骨架表示”列指示骨架表示可以表示哪些量。

表1：一些示例掩模开发过程

在一种方法中，掩模开发过程120通过针对形状中的至少一些形状使用骨架表示125，而被应用于布局中的形状，如图1的右手侧中所示。布局110包括大量不相交的形状。为形状中的至少一些形状确定122骨架表示。个体形状的骨架表示包括由边连接的两个或两个以上节点的元素。骨架表示还包括用于元素中的至少一些元素的尺寸参数。然后使用形状的骨架表示来应用124掩模开发过程。

图2A-图2C描绘了多边形表示的示例以及布局中的个体形状的对应的骨架表示。在每个图中，左侧示出了仅具有以虚线叠加的骨架的多边形表示，并且右侧示出了骨架表示，其中骨架和边两者由尺寸参数定义。多边形表示210是形状的边界的分段线性近似。在这些示例中，多边形表示210是基于45度角的边界段。骨架表示250包括节点和边的分段连接的骨架252。在图中，节点是圆，并且边是连接圆的较粗的线。骨架252是二维掩模多边形210的表示，但是在“较低”维度中。它可以基于形状210的形态学侵蚀。

骨架表示250可以具有附加属性。在图2A中，节点和边与尺寸参数相关联。节点N以局部半径R为特征，并且边E以宽度W为特征。这些尺寸参数表示由节点定义的曲线的局部半径R，以及由边定义的形状的宽度W。节点N1是末端节点(即，仅连接到一个其他节点)，因此该形状具有半径为R＝R0的尖端。边E1、E2、E3全部具有宽度W＝W0＝R0。节点N4也是末端节点，具有半径R＝R0。节点N2和N3是内部节点(连接到两个或两个以上其他节点)。它们的半径R＝R0定义了以这些节点为中心的局部弯曲形状的形状。这些属性可以用于通过扩张或缩放程序从基本骨架252重建原始形状210。缩放程序使用在节点/边处定义的尺寸参数来适当地缩放基本形状210的对应的段。将掩模表示降低到较低维度允许为各种几何操纵实现更简单的算法，并且掩模上存在许多特征，诸如辅助特征，辅助特征具有高纵横比并且可以由非分支骨架很好地表示，诸如如图2A中所示。

骨架表示可以包括附加属性以表示更复杂的形状，包括具有分支骨架的那些形状。在图2B中，形状的轴线具有呈“H”形的多个分支，因此骨架252是分叉的。它包括节点N1-N6和边E1-E5。此外，形状的尖端是圆化的拐角而不是圆弧。为了捕捉这一点，末端节点N1由两个尺寸参数表征：R和r。R定义末端形状的宽度，并且r定义拐角的局部半径。因此，r＝0指定方形尖端，并且r＝R指定了圆形尖端，如图2A中所示。在图2B中，0<r<R并且尖端具有圆化的拐角。此外，节点N2和N5可以具有负值的r，以指定沿“H”的横杆的内部拐角的形状。也可以使用其他参数来提供更多的自由度。例如，与节点相对应的尖端和其他曲线可以是椭圆形、多边形或其他形状。对应于边的分支在宽度上可以变化：线性增加或减少，周期性变化或其他方式变化。可以使用不同的参数来捕捉这些和其他变化。

图2C示出了另一示例，其中骨架252具有六个节点N1-N6，但节点N1-N3被连接为多边形，节点N4-N6也是如此。在一些情况下，形状可以具有内部孔。

节点和边还可以具有捕获除了原始形状之外的信息的属性。一个示例是从节点或边到特定多边形特征的关联。例如，特定的骨架节点N或边E可以与(多个)特定的多边形段相关联。这可以被用在OPC求解器中，其中节点N及其参数(诸如半径)被调整，直到仿真掩模(由N和其他骨架节点定义)印刷出在多边形段处的目标上或在该段上的一个点上的图像。其他示例包括对节点/边的位移的约束、对节点/边的尺寸的约束、以及对与节点/边相关联的段或形状的其他约束。

可以使用不同的技术根据多边形或其他表示生成骨架表示。图3A-图3B中示出了一个示例。在该示例中，形状的多边形表示310首先被转换为沃罗诺伊(Voronoi)图320，如图3A中所示。沃罗诺伊图是多边形的中轴线。如图3B中所示，然后，沃罗诺伊图被修整(trim)以创建节点和边的骨架330。修整可以是基于多边形边界上的点之间的距离的函数，这些点定义了沃罗诺伊图上的特定点。备选地，修整可以是基于中轴线与边界的临近度。然后，附加属性(诸如，宽度和半径以及哪些多边形段对应于哪些骨架元素)可以被附加到骨架。

在相反的方向上，可以使用不同的技术将骨架表示转换为完整的形状，诸如多边形表示。在图3C-图3D中示出了一种方法。图3C示出了骨架340。骨架的节点和边根据它们的半径和宽度进行扩展，如浅箭头所指示的。备选地，可以为节点和边创建多边形，然后合并多边形，所得的多边形350在图3D中被示出。在一些情况下，可以在创建多边形之前简化骨架。

存在骨架表示比其他表示更有效的许多用例。在一类用例中，期望在垂直于形状的轴线的方向上移动形状或移动形状的一部分。骨架表示自然允许这样做。该用例的一个示例是对OPC使用扰动表。当对掩模M的边界施加扰动时(即，当形状的边界移动时)，扰动表允许工具快速计算由掩模M的光刻仿真产生的解决方案上的改变。例如，扰动表可以将针对给定掩模扰动的晶圆强度上的改变制成表格。下面描述了对骨架使用扰动表。

一般的掩模合成问题可以被表达为成本函数C(L)的优化，该函数将光刻信号L(例如掩模布局)作为输入，并且返回成本值C。C关于不同扰动P的梯度可以被计算。这些梯度dC/dP可以用于通过基于梯度的优化方案来优化布局。

如图4A描绘了形状的端部490的扰动。在骨架表示450中，端部由节点N1、N2和边E1表示。节点N1、N2具有半径R＝R0，并且边E1具有宽度W＝W0＝R0。如果使用多边形表示410，则尖端由近似圆化尖端的七个边界段421-427表示。这甚至不是一个很好的近似。更准确的近似将使用甚至更多的边界段。

对尖端进行扰动将需要将所有受影响的边界段一起移动。随着每个个体边界段被扰动，成本函数的所得改变被测量，并且可以针对给定扰动P计算光刻成本梯度dC/dP。然而，如果使用针对该形状的骨架表示，则可以关于骨架的几何参数来计算梯度dC/dP，这可以更简单并且计算效率更高。

例如，假设感兴趣的扰动正在增加端部490的尺寸。对于骨架表示，这相当于增加尺寸参数W＝R，其中节点N2的位置有一些对应的移动。扰动的影响由梯度dC/dW给出。在多边形表示中，七个边界段421-428一起移动，并且总梯度是关于每个边界段的个体梯度的总和。

现在考虑如图4B中所示的另一个示例。在该示例中，节点N1是要被优化的骨架元素。特别地，考虑节点N1沿特定方向v的位置的优化。首先假设v＝t(N1)，即连接到节点N1的骨架边E1的切线。这考虑沿形状的轴线拉伸和收缩形状。如果公式可用，则梯度dC/dN_T可以被计算并且被用于优化。

备选地，梯度可以根据与节点N相关联的多边形边界段的集体导数构建。称该集合D＝{D_i}。根据多边形从骨架的构建，集合D包括边界段423-425。这些段D_i中的每个段将具有其自己的成本改变幅度dC_i，并且这些段的法线{n_i}和长度{L_i}可以用于根据等式(1)将成本改变投影到t(N)上。

其中求和是针对多边形段i(段423-425)，并且“·”是点积。

现在考虑节点N1的半径R上的改变。为了计算关于节点N1处的半径的改变的导数(dC/dR)，系统可以使用被投影到对应的多边形边423-425的外法线上的dC_i之和。

现在考虑形状的横向移位，横向移位是边E1在垂直于其方向的方向上的移动。为了计算关于形状的横向移位的导数，系统可以找到关于在与边正交的方向上移动边E1的导数(dC/dE)。

如果使用多边形表示来计算这一点，则段D被投影到边E1的法线矢量n(E1)上。这是由等式(2)给出。

其中针对受影响的多边形段i求和。注意，与关联于等式(1)中的节点N1的那些边界段相比，与等式(2)中的E1相关联的边界段D是不同的集合。可以计算这些导数的组合的其他变型，以便允许其他骨架修改，根据应用需要，其他骨架修改可能是有用的。

在计算这些梯度之后，就可以使用基于梯度的优化方案来移动骨架元素或修改它们的参数，从而优化掩模以实现改进的成本函数C。

上述用于OPC的方法也可以用于ILT和其他掩模开发过程。在ILT中，骨架元素的优化使用ILT成本函数和对应的梯度场，除了导数值dC_i是从可以在多边形边处采样的ILT成本函数梯度场计算之外，梯度场可以如上所述那样计算。通过切向节点移位、修改半径或边移位的后续移动将与上面描述的类似。这是因为ILT梯度是关于水平集函数计算的，该水平集函数的外法线在多边形边处具有幅度＝1。

与基于光刻成本的优化步骤类似，MRC(掩模规则检查)的实施也可以通过如下方式来完成：计算掩模多边形边上的适当校正，然后以上述方式应用它们来修改骨架元素位置和/或参数。因此，可以应用可以用于多边形的标准MRC检查，然后可以使用违反信息来指导骨架几何操作以解决MRC违反。在图5中，多边形表示510的边界段512和514是彼此最接近的两个段。它们太接近，并且产生掩模规则违反。基于多边形的MRC检查标识这两个边界段和规则违反。段512与顶部骨架的节点N1相关联，并且段514与底部骨架的边E1相关联。然后，可以以减少或消除MRC违反的方式修改这些骨架元素550。

计算估计MRC结果的另一种方式是计算相邻骨架和骨架元素之间的距离。图6示出了两个分开的骨架650和655。骨架655用于自身折叠的形状，例如U形。注意，这些是骨架本身，而不是形状。为清楚起见，省略了形状的边界。双向箭头示出了可能的MRC违反的位置。给定在这些位置处的两个骨架之间的距离及其对应的尺寸参数，可以评估MRC间距违反。

该检测可以通过使用边到边搜索算法来完成。备选地，可以通过创建掩模骨架650、655的附加“MRC”骨架670、675来完成。在该图中，MRC骨架被示为虚线，并且这些骨架包含关于哪些掩模骨架边最接近该MRC骨架以及它们有多远的信息。该信息可以用于计算MRC违反的位置。这是一种有用的技术，因为骨架创建自然地确定骨架655的哪些边可以相互比较，以确定MRC间距违反。

图7图示了在诸如集成电路的制品的设计、验证和制造期间使用的过程700的示例集合，以转换和验证表示集成电路的设计数据和指令。这些过程中的每个过程可以被结构化和使能为多个模块或操作。术语“EDA”表示术语“电子设计自动化”。这些过程从利用设计师提供的信息创建产品创意710开始，该信息被转换以使用EDA过程712的集合来产生制品。在完成设计时，设计被流片(tape-out)734，这是将集成电路的图稿(例如，几何图案)发送到制造工厂以制造掩模组的时候，然后掩模组被用来制造集成电路。在流片之后，制造736半导体裸片，并且执行封装和组装过程738以生产成品集成电路740。

电路或电子结构的规格范围可以从低级晶体管材料布局到高级描述语言。使用诸如VHDL、Verilog、SystemVerilog、SystemC、MyHDL或OpenVera的硬件描述语言(“HDL”)，可以使用高级抽象来设计电路和系统。HDL描述可以被转换为逻辑级寄存器传输级(“RTL”)描述、门级描述、布局级描述或掩模级描述。每个较低的抽象级别(即不太抽象的描述)将更多有用的细节添加到设计描述中，例如，针对包括该描述的模块的更多细节。较低的抽象级别(即不太抽象的描述)可以由计算机生成、从设计库导出或由另一个设计自动化过程创建。用于指定更详细描述的较低抽象语言级别的规范语言的一个示例是SPICE，它用于具有许多模拟组件的电路的详细描述。在每个抽象级别处的描述被使能，以供该层的对应工具使用(例如形式验证工具)。设计过程可以使用图7中描述的序列。所描述的过程由EDA产品(或工具)使能。

在系统设计714期间，指定要被制造的集成电路的功能。可以针对期望特性(诸如功耗、性能、面积(物理和/或代码行)和成本降低等)对设计进行优化。在该阶段，可以将设计划分为不同类型的模块或组件。

在逻辑设计和功能验证717期间，以一种或多种描述语言指定电路中的模块或组件，并且检查该规格的功能准确性。例如，可以验证电路的组件，以生成与所设计的电路或系统的规格要求进行匹配的输出。功能验证可以使用仿真器和其他程序，诸如测试台生成器、静态HDL检查器和形式验证器。在一些实施例中，被称为“仿真器”或“原型系统”的组件的特殊系统被用来加速功能验证。

在用于测试718的综合和设计期间，HDL代码被转换为网表。在一些实施例中，网表可以是图形结构，其中图形结构的边表示电路的组件，并且其中图形结构的节点表示组件如何被互连。HDL代码和网表两者是制造的分层产品，其可以由EDA产品使用来验证：集成电路在被制造时是否根据指定的设计执行。可以针对目标半导体制造技术优化网表。附加地，成品集成电路可以被测试，以验证集成电路是否满足规格的要求。

在网表验证720期间，检查网表是否符合时序约束以及是否与HDL代码相对应。在设计计划722期间，构造并分析集成电路的总体平面图，以进行时序和顶层布线。

在布局或物理实现724期间，进行物理放置(电路组件(诸如晶体管或电容器)的放置)和布线(电路组件通过多个导体的连接)，并且可以执行从库中选择单元以使能特定的逻辑功能。如本文所使用的，术语“单元”可以指定晶体管、其他组件和互连的集合，其提供布尔逻辑功能(例如，AND、OR、NOT、XOR)或存储功能(诸如，触发器或锁存器)。如本文所使用的，电路“块”可以指代两个或两个以上的单元。单元和电路块两者可以被称为模块或组件，并且可以被使能为物理结构和仿真两者。诸如尺寸的参数被指定为用于所选择的单元(基于“标准单元”)，并且使得其在数据库中可访问，以供EDA产品使用。

在分析和提取726期间，在布局级验证电路功能，该布局级允许对布局设计的改进。在物理验证728期间，检查布局设计以确保制造约束(诸如DRC约束、电气约束、光刻约束)是正确的，并且确保电路功能与HDL设计规格匹配。在解析增强730期间，布局的几何形状被变换以改善电路设计被制造的方式。

在流片期间，创建数据以用于(如果合适，在应用光刻增强之后)生产光刻掩模。在掩模数据准备732期间，“流片”数据用于产生光刻掩模，该光刻掩模用于生产成品集成电路。

计算机系统(诸如，图8的计算机系统800)的存储子系统可以用于存储程序或数据结构，该程序和数据结构由本文所述的EDA产品中的一些或所有EDA产品使用，并且由用于开发库的单元的产品以及用于使用该库的物理和逻辑设计的产品使用。

图8图示了计算机系统800的示例机器，在其中可以执行用于使该机器执行本文所讨论的方法中的任何一个或多个的指令集。在备选实施方式中，该机器可以连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其他机器。该机器可以在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的能力操作，可以作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器操作，或者可以作为云计算基础架构或环境中的服务器或客户端计算机操作。

机器可以是个人计算机(PC)、平板电脑、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、web设备、服务器、网络路由器、交换机或网桥，或能够执行指令集(顺序或以其他方式)的任何机器，指令集指定要由该机器执行的动作。此外，虽然图示了单个机器，但是术语“机器”也应当被理解为包括机器的任何集合，这些机器单独地或共同地执行一组(或多组)指令以执行本文讨论的任何一个或多个方法。

示例计算机系统800包括处理设备802、主存储器804(例如，只读存储器(ROM)、闪存、诸如同步DRAM(SDRAM)的动态随机存取存储器(DRAM))、静态存储器806(例如，闪存、静态随机存取存储器(SRAM)等))以及数据存储设备818，它们经由总线830彼此通信。

处理设备802表示一个或多个处理器，诸如微处理器、中央处理单元等。更具体地，处理设备可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器，或者是实现其他指令集的处理器，或者是实现指令集的组合的处理器。处理设备802还可以是一个或多个专用处理设备，诸如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理设备802可以被配置成执行指令826以执行本文描述的操作和步骤。

计算机系统800可以进一步包括网络接口设备808，以通过网络820进行通信。计算机系统800还可以包括视频显示单元810(例如，液晶显示器(LCD)或阴极射线管(CRT))、字母数字输入设备812(例如键盘)、光标控制设备814(例如鼠标)、图形处理单元822、信号生成设备816(例如扬声器)、图形处理单元822、视频处理单元828和音频处理单元832。

数据存储设备818可以包括机器可读存储介质824(也被称为非暂态计算机可读介质)，其上存储着体现本文所述的方法或功能中的任何一个或多个方法或功能的一个或多个指令集826或软件。在由计算机系统800执行指令826期间，指令826也可以全部地或至少部分地驻留在主存储器804内和/或驻留在处理设备802内，主存储器804和处理设备802也构成机器可读存储介质。

在一些实施方式中，指令826包括用于实现与本公开相对应的功能的指令。尽管在示例实施方式中将机器可读存储介质824示为单个介质，但是术语“机器可读存储介质”应当被认为包括存储一个或多个指令集的单个介质或多个介质(例如，中心化或分布式数据库，和/或相关联的缓存和服务器)来。术语“机器可读存储介质”也应当被认为包括能够存储或编码指令集的任何介质，该指令集用于由机器执行并且使机器和处理设备802执行本公开的方法中的任何一个或多个方法。因此，术语“机器可读存储介质”应当被认为包括但不限于固态存储器、光学介质和磁性介质。

已经根据对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示，呈现了前述详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地向本领域的其他技术人员传达其工作实质的方式。算法可以是导致期望结果的运算的序列。这些运算是需要对物理量进行物理操纵的运算。这种量可以采取能够被存储、组合、比较以及以其他方式操纵的电或磁信号的形式。这种信号可以被称为位、值、元素、符号、字符、项、数字等。

但是，应当记住，所有这些和类似术语均应当与适当的物理量相关联，并且仅仅是应用于这些量的方便标签。除非从本公开中另外明确指出，否则应当理解，贯穿本描述，某些术语指代计算机系统或类似电子计算设备的动作和过程，其将计算机系统的寄存器内和存储器内的表示为物理(电子)量的数据操纵和转换为类似地被表示为计算机系统存储器或寄存器或其他这种信息存储设备内的物理量的其他数据。

本公开还涉及用于执行本文中的操作的装置。该装置可以被特别构造以用于预期目的，或者它可以包括由计算机中存储的计算机程序选择性地激活或重新配置的计算机。这种计算机程序可以被存储在计算机可读存储介质中，诸如但不限于任何类型的磁盘(包括软盘、光盘、CD-ROM和磁光盘)、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光学卡，或适于存储电子指令的任何类型的介质，每个均耦合到计算机系统总线。

本文提出的算法和显示不与任何特定的计算机或其他装置固有地相关。各种其他系统可以与根据本文的教导的程序一起使用，或者它可以证明易于构造更专用的装置来执行该方法。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应当理解，可以使用各种编程语言来实现如本文所述的本公开的教导。

本公开可以被提供为计算机程序产品或软件，其可以包括其上存储有指令的机器可读介质，该指令可以用于对计算机系统(或其他电子设备)进行编程以执行根据本公开的过程。机器可读介质包括用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。例如，机器可读(例如，计算机可读)介质包括机器(例如，计算机)可读存储介质，诸如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存设备等。

在前述公开中，已经参考本公开的具体示例实施方式描述了本公开的实施方式。明显的是，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的更广泛的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改。在本公开以单数形式指代一些元素的情况下，在附图中可以描绘一个以上的元素，并且相同的元素用相同的附图标记来标记。因此，本公开和附图应当被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (20)

1.一种表示布局的方法，包括：

访问在用于光刻掩模的掩模开发过程中使用的布局，所述布局包括多个不相交的形状；

由处理器确定用于所述布局中的所述不相交的形状中的至少一些不相交的形状的骨架表示，其中个体形状的所述骨架表示包括由边连接的两个或多于两个节点的元素，并且包括用于所述元素中的至少一些元素的尺寸参数，其中每条边连接所述节点中的两个节点并且位于所述个体形状的边界内；以及

在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述个体形状是多边形，并且确定所述个体形状的所述骨架表示包括：

确定用于所述多边形的沃罗诺伊图；以及

根据所述沃罗诺伊图，确定所述骨架表示。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述个体形状的所述骨架表示的所述节点和所述边是基于所述个体形状的形态学侵蚀。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述个体形状根据用于所述节点和所述边的所述尺寸参数，通过对所述个体形状的所述骨架表示的所述节点和所述边进行形态学扩张而可重构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中用于骨架表示的边的所述尺寸参数是基于所述个体形状沿着那些边的宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用于骨架表示的节点的所述尺寸参数是基于所述个体形状在那些节点处的局部半径。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述边对应于所述个体形状的轴线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述轴线是分叉的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模开发过程是光学邻近校正和逆光刻技术中的一种，并且在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示包括：

确定对所述掩模开发过程的成本函数的影响，所述影响由所述骨架表示的所述元素的位置上的改变导致。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模开发过程是光学邻近校正和逆光刻技术中的一种，并且在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示包括：

确定对所述掩模开发过程的成本函数的影响，所述影响由所述骨架表示的所述尺寸参数的改变导致。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模开发过程是掩模规则检查，并且在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示包括：

基于用于所述布局中的两个形状的所述骨架表示的所述元素之间的间距并且基于所述元素的所述尺寸参数，确定所述两个形状之间的间距。

12.一种用于表示布局的系统，包括：

存储器，所述存储器存储指令；以及

处理器，所述处理器与所述存储器耦合并且用于执行所述指令，所述指令在被执行时使所述处理器：

访问在用于光刻掩模的掩模开发过程中使用的布局，所述布局包括多个不相交的形状；

确定用于所述布局中的所述不相交的形状中的至少一些不相交的形状的骨架表示，其中个体形状的所述骨架表示包括由边连接的两个或多于两个节点的元素，并且包括用于所述元素中的至少一些元素的尺寸参数，其中每条边连接所述节点中的两个节点并且位于所述个体形状的边界内；以及

在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述布局是用于由所述掩模开发过程开发的掩模的掩模布局。

14.根据权利要求12所述的系统，其中所述布局是以下项中的一种：由所述光刻掩模产生的空间像和由所述光刻掩模在晶圆上产生的印刷图案。

15.根据权利要求12所述的系统，其中所述个体形状是多边形，并且确定所述个体形状的所述骨架表示包括：

确定用于所述多边形的沃罗诺伊图；以及

根据所述沃罗诺伊图，确定所述骨架表示。

16.根据权利要求12所述的系统，其中所述个体形状的所述骨架表示的所述节点和所述边是基于所述个体形状的形态学侵蚀。

17.根据权利要求12所述的系统，其中所述个体形状根据用于所述节点和所述边的所述尺寸参数，通过对所述个体形状的所述骨架表示的所述节点和所述边进行形态学扩张而可重构。

18.一种非暂态计算机可读介质，所述非暂态计算机可读介质包括存储的指令，所述指令在由处理器执行时，使所述处理器：

访问在用于光刻掩模的掩模开发过程中使用的布局，所述布局包括多个不相交的形状；

确定所述布局中的所述不相交的形状中的至少一些不相交的形状的骨架表示，其中个体形状的所述骨架表示包括由边连接的两个或多于两个节点的元素，并且包括用于所述元素中的至少一些元素的尺寸参数，其中每条边连接所述节点中的两个节点并且位于所述个体形状的边界内；以及

提供用于在所述掩模开发过程使用的所述骨架表示。

19.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读介质，其中所述掩模开发过程是光学邻近校正和逆光刻技术中的一种，并且在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示包括：

确定对所述掩模开发过程的成本函数的影响，所述影响由所述骨架表示的改变导致。

20.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读介质，其中所述掩模开发过程是掩模规则检查，并且在所述掩模开发过程中使用所述骨架表示包括：

基于用于所述布局中的两个形状的所述骨架表示，确定所述两个形状之间的间距。