[go: up one dir, main page]

TWI601115B - Display device and method of driving the same - Google Patents

Display device and method of driving the same Download PDF

Info

Publication number
TWI601115B
TWI601115B TW103122412A TW103122412A TWI601115B TW I601115 B TWI601115 B TW I601115B TW 103122412 A TW103122412 A TW 103122412A TW 103122412 A TW103122412 A TW 103122412A TW I601115 B TWI601115 B TW I601115B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
period
electro
characteristic
during
transistor
Prior art date
Application number
TW103122412A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201506884A (zh
Inventor
Noritaka Kishi
Noboru Noguchi
Masanori Ohara
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of TW201506884A publication Critical patent/TW201506884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI601115B publication Critical patent/TWI601115B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0291—Details of output amplifiers or buffers arranged for use in a driving circuit
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/041—Temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0626—Adjustment of display parameters for control of overall brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

顯示裝置及其驅動方法
本發明係關於一種顯示裝置及其驅動方法，更詳細而言，本發明係關於一種包括像素電路之顯示裝置及其驅動方法，該像素電路包含有機EL(Electro Luminescence，電致發光)元件等電光元件。
先前以來，作為顯示裝置所具備之顯示元件，已存在藉由施加之電壓而控制亮度之電光元件與藉由流動之電流而控制亮度之電光元件。作為藉由施加之電壓而控制亮度之電光元件之代表例，可列舉液晶顯示元件。另一方面，作為藉由流動之電流而控制亮度之電光元件之代表例，可列舉有機EL元件。有機EL元件亦稱為OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體)。使用有自發光型電光元件即有機EL元件之有機EL顯示裝置與需要背光源及彩色濾光片等之液晶顯示裝置相比較，能夠容易地實現薄型化、低耗電化、高亮度化等。因此，近年來，正在積極地開發有機EL顯示裝置。
作為有機EL顯示裝置之驅動方式，已知有被動矩陣方式(亦稱為單純矩陣方式)與主動矩陣方式。採用被動矩陣方式之有機EL顯示裝置雖然構造簡單，但是難以實現大型化及高精細化。相對於此，採用主動矩陣方式之有機EL顯示裝置(以下稱為「主動矩陣型有機EL顯示裝置」)與採用被動矩陣方式之有機EL顯示裝置相比較，能夠容易地實現大型化及高精細化。
於主動矩陣型有機EL顯示裝置中，呈矩陣狀地形成有複數個像 素電路。典型而言，主動矩陣型有機EL顯示裝置之像素電路包含：選擇像素之輸入電晶體、與控制對於有機EL元件之電流供給之驅動電晶體。再者，以下存在將自驅動電晶體流入至有機EL元件之電流稱為「驅動電流」之情形。
圖37係表示先前之一般之像素電路91之構成的電路圖。該像素電路91係對應於配設於顯示部之複數條資料線S與複數條掃描線G之各交叉點而設置。如圖37所示，該像素電路91包括：2個電晶體T1、T2、一個電容器Cst、及一個有機EL元件OLED。電晶體T1為輸入電晶體，電晶體T2為驅動電晶體。
電晶體T1設置於資料線S與電晶體T2之閘極端子之間。關於該電晶體T1，其閘極端子連接於掃描線G，其源極端子連接於資料線S。電晶體T2與有機EL元件OLED串聯地設置。關於該電晶體T2，其汲極端子連接於供給高位準電源電壓ELVDD之電源線，其源極端子連接於有機EL元件OLED之陽極端子。再者，以下將供給高位準電源電壓ELVDD之電源線稱為「高位準電源線」，對高位準電源線施加與高位準電源電壓相同之符合ELVDD。關於電容器Cst，其一端連接於電晶體T2之閘極端子，其另一端連接於電晶體T2之源極端子。有機EL元件OLED之陰極端子連接於供給低位準電源電壓ELVSS之電源線。再者，以下將供給低位準電源電壓ELVSS之電源線稱為「低位準電源線」，對低位準電源線施加與低位準電源電壓相同之符合ELVSS。又，此處，方便起見，將電晶體T2之閘極端子、電容器Cst之一端、與電晶體T1之汲極端子之連接點稱為「閘極節點VG」。再者，一般而言，汲極與源極中之電位較高者被稱為汲極，但於本說明書之說明中，將一方定義為汲極，將另一方定義為源極，因此，有時源極電位亦高於汲極電位。
圖38係用以對圖37所示之像素電路91之動作進行說明之時序 圖。於時刻t1以前，掃描線G成為非選擇狀態。因此，於時刻t1以前，電晶體T1成為斷開狀態，閘極節點VG之電位維持初始位準(例如與前一個訊框中之寫入相對應之位準)。到達時刻t1之後，掃描線G成為選擇狀態，電晶體T1導通。藉此，經由資料線S及電晶體T1，與該像素電路91所形成之像素(子像素)之亮度相對應之資料電壓Vdata供給至閘極節點VG。其後，於直至時刻t2為止之期間，閘極節點VG之電位根據資料電壓Vdata而發生變化。此時，電容器Cst被充電至閘極-源極間電壓Vgs，該閘極-源極間電壓Vgs為閘極節點VG之電位與電晶體T2之源極電位之差。到達時刻t2之後，掃描線G成為非選擇狀態。藉此，電晶體T1斷開，電容器Cst所保持之閘極-源極間電壓Vgs確定。電晶體T2根據電容器Cst所保持之閘極-源極間電壓Vgs，將驅動電流供給至有機EL元件OLED。其結果，有機EL元件OLED以對應於驅動電流之亮度發光。
而且，於有機EL顯示裝置中，典型而言，採用薄膜電晶體(TFT)作為驅動電晶體。然而，對於薄膜電晶體而言，臨限值電壓容易產生不均。若設置於顯示部內之驅動電晶體的臨限值電壓產生不均，則亮度會產生不均，故而顯示品質會下降。因此，先前已提出有抑制有機EL顯示裝置之顯示品質下降之技術。例如於日本專利特開2005-31630號公報中，揭示補償有驅動電晶體之臨限值電壓之不均之技術。又，於日本專利特開2003-195810號公報及日本專利特開2007-128103號公報中，揭示有使自像素電路流入至有機EL元件OLED之電流固定之技術。進而，於日本專利特開2007-233326號公報中，揭示有與驅動電晶體之臨限值電壓或電子遷移率無關而顯示均勻亮度之圖像之技術。
根據上述先前技術，即使設置於顯示部內之驅動電晶體的臨限值電壓產生不均，仍能夠根據所期望之亮度(目標亮度)，將固定電流供給至有機EL元件(發光元件)。然而，對於有機EL元件而言，其電流 效率會隨著時間經過而下降。即，即使將固定電流供給至有機EL元件，亮度仍會隨著時間經過而逐步下降。其結果，會產生燒痕。
根據以上內容，若不對驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化進行任何補償，則如圖39所示，會產生由驅動電晶體之劣化引起之電流下降，並且會產生由有機EL元件之劣化引起之亮度下降。又，即使對驅動電晶體之劣化進行補償，如圖40所示，隨著時間經過，仍會產生由有機EL元件之劣化引起之亮度下降。因此，於日本專利特表2008-523448號公報中，除了揭示有根據驅動電晶體之特性而修正資料之技術之外，亦揭示有根據有機EL元件OLED之特性而修正資料之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-31630號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-195810號公報
[專利文獻3]日本專利特開2007-128103號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-233326號公報
[專利文獻5]日本專利特表2008-523448號公報
然而，根據日本專利特表2008-523448號公報所揭示之技術，於選擇期間中，僅能夠檢測驅動電晶體或有機EL元件中之任一者之特性。因此，無法同時補償驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化該兩者。又，為了檢測驅動電晶體及有機EL元件雙方之特性，需要延長選擇期間。與此相關，於日本專利特表2008-523448號公報所揭示之技術中，於延長了進行特性檢測之列之選擇期間之情形時，導致進行特性檢測之列與除此以外之列之發光時間的長度不同，無法進行所 期望之亮度顯示。又，於欲以能夠檢測驅動電晶體之特性或檢測有機EL元件之特性的方式而構成顯示裝置之情形時，較為理想的是儘可能不增大電路規模。原因在於：若電路規模增大，則例如不利於實現低耗電化或小型化。
因此，本發明之目的在於實現能夠抑制電路規模增大且能夠補償電路元件之劣化之顯示裝置(尤其為能夠同時補償驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化該兩者之顯示裝置)。
本發明之第1形態之特徵在於：其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；各像素電路包含： 上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資 料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線。
如本發明之第1形態，本發明之第2形態之特徵在於：上述像素電路驅動部包含輸出/電流監視電路，該輸出/電流監視電路具有將上述資料信號施加至上述資料線之功能及測定流入至上述資料線之電流之功能，上述輸出/電流監視電路包括：運算放大器，其非反轉輸入端子被給予上述資料信號，且反轉輸入端子連接於上述資料線；第2電容器，其一端連接於上述資料線，且另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；以及開關，其一端連接於上述資料線，且另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；於上述電流測定期間，將上述開關設為導通狀態，將上述第2特定電位給予至上述資料線之後，將上述開關設為斷開狀態，藉此，測定流入至上述資料線之電流。
如本發明之第2形態，本發明之第3形態之特徵在於：對於複數條資料線，設置一個輸出/電流監視電路，於每個特定期間，上述複數條資料線依序電性連接於上述輸出/電流監視電路。
如本發明之第1形態，本發明之第4形態之特徵在於：上述特性檢測處理期間設於垂直掃描期間內。
如本發明之第4形態，本發明之第5形態之特徵在於：當將任意之電光元件定義為目標電光元件時，上述像素電路驅動部於上述目標電光元件包含於上述監視列之情形時，於上述發光準備期間中，將相當於如下灰階電壓之資料信號之電位給予至上述資料 線，上述灰階電壓係大於上述目標電光元件包含於上述非監視列時之灰階電壓。
如本發明之第1形態，本發明之第6形態之特徵在於：上述特性檢測處理期間設於垂直回描線期間(vertical retrace line period)內。
如本發明之第6形態，本發明之第7形態之特徵在於：當將任意之電光元件定義為目標電光元件時，上述像素電路驅動部於上述目標電光元件包含於上述監視列之情形時，當於垂直掃描期間中進行對於上述監視列中所含之像素電路之上述資料信號之寫入時，將相當於如下灰階電壓之資料信號之電位給予至上述資料線，上述灰階電壓係大於上述目標電光元件包含於上述非監視列時之灰階電壓。
如本發明之第1形態，本發明之第8形態之特徵在於：於一個訊框期間，僅對上述像素矩陣之一列進行上述特性檢測處理。
如本發明之第1形態，本發明之第9形態之特徵在於：存在僅檢測作為上述特性檢測對象電路元件之上述驅動電晶體之特性之訊框、與僅檢測作為上述特性檢測對象電路元件之上述電光元件之特性之訊框。
如本發明之第1形態，本發明之第10形態之特徵在於：上述電流測定期間包含：驅動電晶體特性檢測期間，其進行用以檢測上述驅動電晶體之特性之電流測定；以及電光元件特性檢測期間，其進行用以檢測上述電光元件之特性之電流測定；上述像素電路驅動部於上述驅動電晶體特性檢測期間與上述電光元件特性檢測期間，將作為上述第2特定電位之不同電位給予至上述資料線。
如本發明之第10形態，本發明之第11形態之特徵在於： 當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，將於上述驅動電晶體特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_TFT，且將於上述電光元件特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下式之方式決定Vmg之值。
Vmg>Vm_TFT+Vth(T2)
Vmg<Vm_oled+Vth(T2)
此處，Vth(T2)為前驅驅動電晶體之臨限值電壓。
如本發明之第10形態，本發明之第12形態之特徵在於：當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，且將於上述驅動電晶體特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_TFT時，以滿足以下式之方式決定Vm_TFT之值。
Vm_TFT<Vmg-Vth(T2)
Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)
此處，Vth(T2)為上述驅動電晶體之臨限值電壓，Vth(oled)為上述電光元件之發光臨限值電壓，ELVSS為上述電光元件之陰極之電位。
如本發明之第10形態，本發明之第13形態之特徵在於：當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，且將於上述電光元件特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下式之方式決定Vm_oled之值。
Vm_oled>Vmg-Vth(T2)
Vm_oled>ELVSS+Vth(oled)
此處，Vth(T2)為上述驅動電晶體之臨限值電壓，Vth(oled)為上述電光元件之發光臨限值電壓，ELVSS為上述電光元件之陰極之電位。
如本發明之第10形態，本發明之第14形態之特徵在於： 當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，將於上述驅動電晶體特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_TFT，且將於上述電光元件特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下關係之方式決定Vmg、Vm_TFT、及Vm_oled之值。
Vm_TFT<Vmg-Vth(T2)
Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)
Vm_oled>Vmg-Vth(T2)
Vm_oled>ELVSS+Vth(oled)
此處，Vth(T2)為上述驅動電晶體之臨限值電壓，Vth(oled)為上述電光元件之發光臨限值電壓，ELVSS為上述電光元件之陰極之電位。
如本發明之第1形態，本發明之第15形態之特徵在於進而包括：溫度檢測部，其檢測溫度；以及溫度變化補償部，其對於上述特性資料實施基於上述溫度檢測部所檢測出之溫度之修正；藉由上述溫度變化補償部實施修正後之資料作為上述修正資料而記憶於上述修正資料記憶部。
如本發明之第1形態，本發明之第16形態之特徵在於：進而包括記憶資訊之監視區域記憶部，該資訊確定電源斷開時，最後進行上述特性檢測處理之區域，電源導通之後，自根據上述監視區域記憶部中所記憶之資訊而獲得之區域附近的區域起，進行上述特性檢測處理。
本發明之第17形態之特徵在於：其係顯示裝置之驅動方法，該顯示裝置包括：n列×m行之像素矩陣，其包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路，該n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉 由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；掃描線，其以對應於上述像素矩陣之各列之方式設置；監視控制線，其以對應於上述像素矩陣之各列之方式設置；以及資料線，其以對應於上述像素矩陣之各行之方式設置；上述顯示裝置之驅動方法包含：像素電路驅動步驟，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶步驟，其使預先準備之修正資料記憶部記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料，作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正步驟，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且 將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；於上述像素電路驅動步驟中，驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線。
根據本發明之第1形態，具有像素電路之顯示裝置於訊框期間檢測電路元件(電光元件或驅動電晶體中之至少一者)之特性，上述像素電路包含藉由電流而控制亮度之電光元件(例如有機EL元件)與用以控制應供給至該電光元件之電流之驅動電晶體。繼而，使用考慮其檢測結果而獲得之修正資料，修正影像信號。基於以上述方式修正後之影像信號之資料信號供給至像素電路，因此，補償電路元件之劣化之大小之驅動電流供給至電光元件。此處，藉由測定流入至資料線之電流 而檢測電路元件之特性。即，資料線不僅用作傳輸如下信號之信號線，而且亦用作特性檢測用之信號線，上述信號用以使各像素電路內之電光元件以所期望之亮度發光。因此，無需為了檢測電路元件之特性而於顯示部內設置新的信號線。因此，能夠抑制電路規模之增大且補償電路元件之劣化。
根據本發明之第2形態，能夠不使像素電路驅動部之構成複雜化而將資料線用作傳輸如下信號之信號線，並且用作特性檢測用之信號線，上述信號用以使各像素電路內之電光元件以所期望之亮度發光。
根據本發明之第3形態，採用源極共享驅動(SSD)方式之顯示裝置能夠抑制電路規模之增大且補償電路元件之劣化。
根據本發明之第4形態，與在垂直回描線期間內設置有特性檢測處理期間之構成不同，監視列中之對應於目標亮度之寫入於一個訊框期間只要進行一次即可。
根據本發明之第5形態，考慮到監視列中之電光元件之發光期間之長度較非監視列中之電光元件之發光期間之長度更短，從而調整資料信號之電位。因此，抑制顯示品質之下降。
根據本發明之第6形態，關於監視列，於垂直掃描期間中之寫入之後，於垂直回描線期間中之發光準備期間再次進行寫入。與此相關，為了能夠於發光準備期間進行寫入，需要於垂直掃描期間中之寫入之後，預先保持該資料。關於該方面，應保持之資料僅為一條線路之資料，因此，記憶體容量會稍微增大。相對於此，對於在垂直掃描期間內設置有特性檢測處理期間之構成而言，有時亦需要數十條線路之線路記憶體。根據以上內容，與在垂直掃描期間內設置有特性檢測處理期間之構成相比較，必需之記憶體容量減少。
根據本發明之第7形態，考慮到於監視列中，電光元件在垂直回描線期間中暫時熄燈，從而調整資料信號之電位。因此，抑制顯示品 質之下降。
根據本發明之第8形態，於訊框期間中，只要包含僅與一列相關之特性檢測處理期間即可。因此，關於訊框期間，可確保充分長度之垂直回描線期間。
根據本發明之第9形態，於訊框期間中，只要包含用以檢測電光元件或驅動電晶體中之任一者之特性的特性檢測處理期間即可。因此，關於訊框期間，可確保充分長度之垂直回描線期間。
根據本發明之第10形態，於訊框期間檢測電光元件及驅動電晶體之特性。因此，能夠抑制電路規模之增大且補償電光元件之劣化及驅動電晶體之劣化該兩者。
根據本發明之第11形態，於驅動電晶體特性檢測期間，驅動電晶體確實地成為導通狀態，於電光元件特性檢測期間，電光元件確實地成為導通狀態。
根據本發明之第12形態，於驅動電晶體特性檢測期間，驅動電晶體確實地成為導通狀態，並且電光元件確實地成為斷開狀態。
根據本發明之第13形態，於電光元件特性檢測期間，驅動電晶體確實地成為斷開狀態，並且電光元件確實地成為導通狀態。
根據本發明之第14形態，於驅動電晶體特性檢測期間，驅動電晶體確實地成為導通狀態，並且電光元件確實地成為斷開狀態。又，於電光元件特性檢測期間，驅動電晶體確實地成為斷開狀態，並且電光元件確實地成為導通狀態。
根據本發明之第15形態，使用考慮了溫度變化之修正資料而修正影像信號。因此，能夠充分地補償驅動電晶體之劣化及電光元件之劣化該兩者而與溫度變化無關。
根據本發明之第16形態，例如可防止於上方之列與下方之列之間，特性檢測對象電路元件之特性之檢測次數產生差異。因此，能夠 於整個畫面中，一致地對特性檢測對象電路元件之劣化進行補償，從而有效果地防止亮度不均之產生。
根據本發明之第17形態，於顯示裝置之驅動方法之發明中，能夠產生與本發明之第1形態相同之效果。
1~4‧‧‧有機EL顯示裝置
10‧‧‧顯示部
11、91‧‧‧像素電路
11(B)‧‧‧藍色用之像素電路
11(G)‧‧‧綠色用之像素電路
11(R)‧‧‧紅色用之像素電路
20‧‧‧控制電路
30‧‧‧源極驅動器
31‧‧‧驅動信號產生電路
32‧‧‧信號轉換電路
33‧‧‧輸出部
40‧‧‧閘極驅動器
50‧‧‧修正資料記憶部
51a‧‧‧TFT用補償記憶體
51b‧‧‧OLED用補償記憶體
52a‧‧‧TFT用增益記憶體
52b‧‧‧OLED用增益記憶體
60‧‧‧溫度感測器
70‧‧‧非揮發性記憶體
71~76‧‧‧箭頭
80‧‧‧連接控制部
201‧‧‧監視列記憶部
202‧‧‧溫度變化補償部
211‧‧‧LUT
212、213、216、221‧‧‧乘法部
214、215、222‧‧‧加法部
230‧‧‧CPU
330‧‧‧輸出/電流監視電路
331‧‧‧運算放大器
332‧‧‧電容器
333‧‧‧開關
Cst‧‧‧電容器
D、D(i，j)、Vdata‧‧‧資料電位
DA‧‧‧資料信號
ELVDD‧‧‧高位準電源電壓、高位準電源線
ELVSS‧‧‧低位準電源電壓、低位準電源線
G‧‧‧掃描線
G1、G1(1)~G1(n)‧‧‧掃描線
G2、G2(1)~G2(n)‧‧‧監視控制線
GCTL‧‧‧閘極控制信號
MO‧‧‧監視資料
OLED‧‧‧有機EL元件
P‧‧‧灰階
S、S(1)~S(m)‧‧‧資料線
S110~S160、S210~S250、S310~S360、S410~S460‧‧‧步驟
Sclk‧‧‧控制時脈信號
SCTL‧‧‧源極控制信號
SMP(B)、SMP(G)、SMP(R)‧‧‧控制信號
T1~T3‧‧‧電晶體
t1、t2‧‧‧時刻
Ta‧‧‧檢測準備期間
Tb‧‧‧TFT特性檢測期間
Tc‧‧‧OLED特性檢測期間
Td‧‧‧發光準備期間
TE1~TE3‧‧‧溫度
Tf‧‧‧垂直回描線期間
THm‧‧‧與監視列相關之一個水平掃描期間
THn‧‧‧與非監視列相關之一個水平掃描期 間
TL‧‧‧發光期間
TS(B)、TS(G)、TS(R)‧‧‧電晶體
Tv‧‧‧垂直掃描期間
Tz‧‧‧期間
VG‧‧‧閘極節點
Vmg、Vm_oled、Vm_TFT‧‧‧電位
Vs‧‧‧類比電壓
圖1係對於本發明之一實施形態，用以對與監視列相關之一個水平掃描期間之詳情進行說明之時序圖。
圖2係表示上述實施形態之主動矩陣型有機EL顯示裝置之整體構成之方塊圖。
圖3係對於上述實施形態，用以對閘極驅動器之動作進行說明之時序圖。
圖4係對於上述實施形態，用以對閘極驅動器之動作進行說明之時序圖。
圖5係對於上述實施形態，用以對閘極驅動器之動作進行說明之時序圖。
圖6係對於上述實施形態，用以對輸出部內之輸出/電流監視電路之輸入輸出信號進行說明之圖。
圖7係對於上述實施形態，表示像素電路及輸出/電流監視電路之構成之電路圖。
圖8係對於上述實施形態，用以對各列之動作之推移進行說明之圖。
圖9係對於上述實施形態，用以對進行通常動作時之電流之流動進行說明之圖。
圖10係對於上述實施形態，用以對監視列中所含之像素電路(i列j行之像素電路)之動作進行說明之時序圖。
圖11係對於上述實施形態，用以對檢測準備期間之電流之流動進 行說明之圖。
圖12係對於上述實施形態，用以對TFT特性檢測期間之電流之流動進行說明之圖。
圖13係對於上述實施形態，用以對OLED特性檢測期間之電流之流動進行說明之圖。
圖14係對於上述實施形態，用以對發光準備期間之電流之流動進行說明之圖。
圖15係對於上述實施形態，用以對發光期間之電流之流動進行說明之圖。
圖16係對於上述實施形態，比較了監視列中之一個訊框期間與非監視列中之一個訊框期間之圖。
圖17係對於上述實施形態，用以對修正資料記憶部內之修正資料之更新順序進行說明之流程圖。
圖18係對於上述實施形態，用以對影像信號之修正進行說明之圖。
圖19係對於上述實施形態，用以對與TFT特性及OLED特性之檢測相關聯之動作之概略進行說明的流程圖。
圖20係用以對上述實施形態之效果進行說明之圖。
圖21係用以對上述實施形態之效果進行說明之圖。
圖22係表示上述實施形態之第1變化例中之有機EL顯示裝置之整體構成的方塊圖。
圖23係對於上述實施形態之第1變化例，表示連接控制部之詳細構成之圖。
圖24係對於上述實施形態之第1變化例，用以對與監視列相關之一個水平掃描期間之詳情進行說明之時序圖。
圖25係對於上述實施形態之第1變化例，用以對監視列中所含之 像素電路11(設為i列j行之像素電路)之動作進行說明的時序圖。
圖26係表示上述實施形態之第2變化例中之有機EL顯示裝置之整體構成的方塊圖。
圖27係用以對有機EL元件之電流-電壓特性之溫度依賴性進行說明之圖。
圖28係表示上述實施形態之第3變化例中之有機EL顯示裝置之整體構成的方塊圖。
圖29係對於上述實施形態之第3變化例，用以對修正資料記憶部內之修正資料之更新順序進行說明之流程圖。
圖30係對於上述實施形態之第4變化例，用以對各列之動作之推移進行說明之圖。
圖31係對於上述實施形態之第4變化例，用以對與監視列相關之一個水平掃描期間之詳情進行說明之時序圖(監視列進行OLED特性檢測動作之訊框之時序圖)。
圖32係對於上述實施形態之第4變化例，用以對與監視列相關之一個水平掃描期間之詳情進行說明之時序圖(監視列進行TFT特性檢測動作之訊框之時序圖)。
圖33係對於上述實施形態之第4變化例，用以對修正資料記憶部內之修正資料之更新順序進行說明之流程圖。
圖34係用以說明一個訊框期間之構成之圖。
圖35係對於上述實施形態之第5變化例，用以對監視列中所含之像素電路(設為i列j行之像素電路)之垂直回描線期間中的動作進行說明之時序圖。
圖36係對於上述實施形態之第5變化例，用以對監視列中所含之像素電路(設為i列j行之像素電路)之一個訊框期間中的動作進行說明之時序圖。
圖37係表示先前之一般之像素電路之構成的電路圖。
圖38係用以說明圖37所示之像素電路之動作之時序圖。
圖39係用以說明不對驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化進行任何補償之情形的圖。
圖40係用以說明僅對驅動電晶體之劣化進行補償之情形的圖。
以下，一面參照隨附圖式，一面說明本發明之一實施形態。再者，以下假設m及n為2以上之整數，i為1以上n以下之整數，j為1以上m以下之整數。又，以下將設置於像素電路內之驅動電晶體之特性稱為「TFT特性」，將設置於像素電路內之有機EL元件之特性稱為「OLED特性」。
<1.整體構成>
圖2係表示本發明之一實施形態之主動矩陣型有機EL顯示裝置1之整體構成的方塊圖。該有機EL顯示裝置1包括：顯示部10、控制電路20、源極驅動器(資料線驅動電路)30、閘極驅動器(掃描線驅動電路)40、及修正資料記憶部50。於本實施形態中，藉由源極驅動器30及閘極驅動器40實現像素電路驅動部。再者，亦可為如下構成，即，源極驅動器30及閘極驅動器40中之一方或雙方與顯示部10形成為一體。
於顯示部10中，配設有m條資料線S(1)~S(m)及與該等資料線正交之n條掃描線G1(1)~G1(n)。以下，將資料線之延伸方向設為Y方向，將掃描線之延伸方向設為X方向。存在將沿著Y方向之構成要素稱為「行」之情形，且存在將沿著X方向之構成要素稱為「列」之情形。又，於顯示部10中，以與n條掃描線G1(1)~G1(n)逐一對應之方式，配設有n條監視控制線G2(1)~G2(n)。掃描線G1(1)~G1(n)與監視控制線G2(1)~G2(n)彼此平行。而且，於顯示部10中，以對應於n條 掃描線G1(1)~G1(n)與m條資料線S(1)~S(m)之交叉點之方式，設置有n×m個像素電路11。以上述方式設置n×m個像素電路11，藉此，於顯示部10中形成n列×m行之像素矩陣。又，於顯示部10中，配設有供給高位準電源電壓之高位準電源線、與供給低位準電源電壓之低位準電源線。
再者，以下於無需彼此區分m條資料線S(1)~S(m)之情形時，僅利用符號S表示資料線。同樣地，於無需彼此區分n條掃描線G1(1)~G1(n)之情形時，僅利用符號G1表示掃描線，於無需彼此區分n條監視控制線G2(1)~G2(n)之情形時，僅利用符號G2表示監視控制線。
本實施形態中之資料線S不僅用作傳輸亮度信號之信號線，而且亦用作用以將TFT特性或OLED特性之檢測用之控制電位給予至像素電路11之信號線、及成為如下電流之路徑之信號線：即表示TFT特性或OLED特性之電流，且係由後述之輸出/電流監視電路330能夠測定之電流，上述亮度信號係用以使像素電路11內之有機EL元件以理想之亮度發光之信號。
控制電路20藉由將資料信號DA及源極控制信號SCTL給予至源極驅動器30而控制源極驅動器30之動作，且藉由將閘極控制信號GCTL給予至閘極驅動器40而控制閘極驅動器40之動作。源極控制信號SCTL中，例如包含源極起動脈衝、源極時脈、鎖存選通信號。閘極控制信號GCTL中，例如包含閘極起動脈衝、閘極時脈、及輸出賦能信號。又，控制電路20接收源極驅動器30所給予之監視資料MO，對儲存於修正資料記憶部50之修正資料進行更新。再者，所謂監視資料MO，係指為了求出TFT特性或OLED特性而測定之資料。
閘極驅動器40連接於n條掃描線G1(1)~G1(n)及n條監視控制線G2(1)~G2(n)。閘極驅動器40包含移位暫存器及邏輯電路等。而且，於本實施形態之有機EL顯示裝置1中，根據TFT特性及OLED特性，對 自外部輸送來之影像信號(成為上述資料信號DA之基礎之資料)實施修正。與此相關，於本實施形態中，在各訊框中進行與一列相關之TFT特性及OLED特性之檢測。即，若於某訊框中進行與第1列相關之TFT特性及OLED特性之檢測，則於下一訊框中進行與第2列相關之TFT特性及OLED特性之檢測，進而於下一訊框中進行與第3列相關之TFT特性及OLED特性之檢測。如此，耗費n個訊框期間而進行n列份之TFT特性及OLED特性之檢測。再者，於本說明書中，將著眼於任意訊框時進行TFT特性及OLED特性之檢測之列稱為「監視列」，將監視列以外之列稱為「非監視列」。
此處，若將進行與第1列相關之TFT特性及OLED特性之檢測之訊框定義為第(k+1)個訊框，則n條掃描線G1(1)~G1(n)及n條監視控制線G2(1)~G2(n)如圖3所示在第(k+1)個訊框中被驅動，如圖4所示在第(k+2)個訊框中被驅動，且如圖5所示在第(k+n)個訊框中被驅動。再者，關於圖3~圖5，高位準之狀態為活動狀態。又，於圖3~圖5中，利用符號THm表示與監視列相關之一個水平掃描期間，利用符號THn表示與非監視列相關之一個水平掃描期間。
根據圖3~圖5可掌握監視列與非監視列之一個水平掃描期間之長度不同。詳細而言，與監視列相關之一個水平掃描期間之長度成為與非監視列相關之一個水平掃描期間之長度的4倍。然而，本發明並不限定於此。關於非監視列，與一般之顯示裝置同樣地，於一個訊框期間中存在一次選擇期間。關於監視列，與一般之顯示裝置不同，於一個訊框期間中存在2次選擇期間。第一次之選擇期間為一個水平掃描期間THm中的最初之四分之一個期間，第2次之選擇期間為一個水平掃描期間THm中的最後之四分之一個期間。再者，關於與監視列相關之一個水平掃描期間THm之更詳細之說明將後述。
如圖3~圖5所示，於各訊框中，對應於非監視列之監視控制線 G2維持於非活動狀態。對應於監視列之監視控制線G2於一個水平掃描期間THm中的選擇期間以外之期間(掃描線G1成為非活動狀態之期間)中，維持於活動狀態。於本實施形態中，以依照如上所述之方式驅動n條掃描線G1(1)~G1(n)及n條監視控制線G2(1)~G2(n)之方式而構成閘極驅動器40。再者，對於監視列，為了於一個訊框期間中使掃描線G1產生2次脈衝，只要使用眾所周知之方法，控制自控制電路20輸送至閘極驅動器40之輸出賦能信號之波形即可。
源極驅動器30連接於m條資料線S(1)~S(m)。源極驅動器30係藉由驅動信號產生電路31、信號轉換電路32、及包含m個輸出/電流監視電路330之輸出部33構成。輸出部33內的m個輸出/電流監視電路330分別連接於m條資料線S(1)~S(m)中的相對應之資料線S。
驅動信號產生電路31中包含移位暫存器、取樣電路、及鎖存電路。於驅動信號產生電路31中，移位暫存器與源極時脈同步地，自輸入端向輸出端依序傳送源極起動脈衝。對應於源極起動脈衝之該傳送，自移位暫存器輸出對應於各資料線S之取樣脈衝。取樣電路根據取樣脈衝之時序而依序記憶一列份之資料信號DA。鎖存電路根據鎖存選通信號而獲取且保持取樣電路所記憶之一列份之資料信號DA。
再者，於本實施形態中，資料信號DA中包含亮度信號與監視控制信號，上述亮度信號用以使各像素之有機EL元件以所期望之亮度發光，上述監視控制信號用以於檢測TFT特性或OLED特性時，控制像素電路11之動作。
信號轉換電路32中包含D/A轉換器及A/D轉換器。以上述方式保存於驅動信號產生電路31內的鎖存電路之一列份之資料信號DA藉由信號轉換電路32內之D/A轉換器而被轉換為類比電壓。該轉換所得之類比電壓被給予至輸出部33內之輸出/電流監視電路330。又，監視資料MO自輸出部33內之輸出/電流監視電路330被給予至信號轉換電路 32。該監視資料MO由信號轉換電路32內之A/D轉換器，自類比電壓轉換為數位信號。繼而，已轉換為數位信號之監視資料MO經由驅動信號產生電路31而被給予至控制電路20。
圖6係用以對輸出部33內之輸出/電流監視電路330之輸入輸出信號進行說明之圖。作為資料信號DA之類比電壓Vs自信號轉換電路32被給予至輸出/電流監視電路330。該類比電壓Vs經由輸出/電流監視電路330內之緩衝器而施加至資料線S。又，輸出/電流監視電路330具有對流入至資料線S之電流進行測定之功能。輸出/電流監視電路330所測定之資料係作為監視資料MO而被給予至信號轉換電路32。再者，輸出/電流監視電路330之詳細構成將後述(參照圖7)。
修正資料記憶部50中包含TFT用補償記憶體(offset memory)51a、OLED用補償記憶體51b、TFT用增益記憶體52a、及OLED用增益記憶體52b。再者，上述4個記憶體既可為物理上之一個記憶體，亦可為物理上之不同之記憶體。修正資料記憶部50記憶修正資料，該修正資料用於修正自外部輸送來之影像信號。詳細而言，TFT用補償記憶體51a將基於TFT特性檢測結果之補償值記憶為修正資料。OLED用補償記憶體51b將基於OLED特性檢測結果之補償值記憶為修正資料。TFT用增益記憶體52a將基於TFT特性檢測結果之增益值記憶為修正資料。OLED用增益記憶體52b將基於OLED特性檢測結果之劣化修正係數記憶為修正資料。再者，典型而言，數量與顯示部10內之像素數相等之補償值及增益值作為基於TFT特性檢測結果之修正資料，分別記憶於TFT用補償記憶體51a及TFT用增益記憶體52a。又，典型而言，數量與顯示部10內之像素數相等之補償值及劣化修正係數作為基於OLED特性檢測結果之修正資料，分別記憶於OLED用補償記憶體51b及OLED用增益記憶體52b。然而，亦可針對複數個像素中之每一個像素，將一個值記憶於各記憶體。
控制電路20根據源極驅動器30所給予之監視資料MO，更新TFT用補償記憶體51a內之補償值、OLED用補償記憶體51b內之補償值、TFT用增益記憶體52a內之增益值、及OLED用增益記憶體52b內之劣化修正係數。又，控制電路20讀出TFT用補償記憶體51a內之補償值、OLED用補償記憶體51b內之補償值、TFT用增益記憶體52a內之增益值、及OLED用增益記憶體52b內之劣化修正係數而修正影像信號。藉由該修正而獲得之資料作為資料信號DA而輸送至源極驅動器30。
<2.像素電路及輸出/電流監視電路之構成>
<2.1像素電路>
圖7係表示像素電路11及輸出/電流監視電路330之構成之電路圖。再者，圖7所示之像素電路11為i列j行之像素電路11。該像素電路11包括：一個有機EL元件OLED、3個電晶體T1~T3、及一個電容器Cst。電晶體T1作為選擇像素之輸入電晶體而發揮功能，電晶體T2作為驅動電晶體而發揮功能，該驅動電晶體控制對於有機EL元件OLED之電流供給，電晶體T3作為監視控制電晶體而發揮功能，該監視控制電晶體控制是否檢測TFT特性或OLED特性。
電晶體T1設置於資料線S(j)與電晶體T2之閘極端子之間。關於該電晶體T1，其閘極端子連接於掃描線G1(i)，其源極端子連接於資料線S(j)。電晶體T2與有機EL元件OLED串聯地設置。關於該電晶體T2，其閘極端子連接於電晶體T1之汲極端子，其汲極端子連接於高位準電源線ELVDD，其源極端子連接於有機EL元件OLED之陽極端子。關於電晶體T3，其閘極端子連接於監視控制線G2(i)，其汲極端子連接於有機EL元件OLED之陽極端子，其源極端子連接於資料線S(j)。關於電容器Cst，其一端連接於電晶體T2之閘極端子，其另一端連接於電晶體T2之汲極端子。再者，藉由該電容器Cst實現第1電容 器。有機EL元件OLED之陰極端子連接於低位準電源線ELVSS。
而且，於圖37所示之構成中，電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-源極之間。相對於此，於本實施形態中，電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-汲極之間。該理由如下所述。於本實施形態中，在一個訊框期間中進行如下控制，即，於使電晶體T3導通之狀態下，使資料線S(j)之電位變動。若將電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-源極之間，則電晶體T2之閘極電位亦會對應於資料線S(j)之電位變動而發生變動。如此會產生如下情形，即，電晶體T2之導通/斷開狀態不會成為所期望之狀態。因此，於本實施形態中，如圖7所示，將電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-汲極之間，以使電晶體T2之閘極電位不會對應於資料線S(j)之電位變動而發生變動。然而，於資料線S(j)之電位變動對電晶體T2之閘極電位造成之影響小之情形時，亦可將電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-源極之間。
<2.2關於像素電路內之電晶體>
於本實施形態中，像素電路11內之電晶體T1~T3均為n通道型。又，於本實施形態中，採用氧化物TFT(於通道層中使用有氧化物半導體之薄膜電晶體)作為電晶體T1~T3。
以下，說明氧化物TFT中所含之氧化物半導體層。氧化物半導體層例如為In-Ga-Zn-O系半導體層。氧化物半導體層例如包含In-Ga-Zn-O系半導體。In-Ga-Zn-O系半導體為In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)之三元系氧化物。In、Ga及Zn之比例(組成比)並無特別限定。例如亦可為In：Ga：Zn=2：2：1、In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=1：1：2等。
具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT具有高遷移率(遷移率超過非晶矽TFT 20倍)與低漏電流(漏電流不足非晶矽TFT之百分之一)，因此，可較佳地用作像素電路內之驅動TFT(上述電晶體T2)及開關TFT(上述 電晶體T1)。若使用具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT，則可大幅度地削減顯示裝置之消耗電力。
In-Ga-Zn-O系半導體可為非晶，亦可包含結晶質部分且具有結晶性。作為結晶質In-Ga-Zn-O系半導體，c軸與層面大致垂直地配向之結晶質In-Ga-Zn-O系半導體較佳。此種In-Ga-Zn-O系半導體之結晶構造例如已揭示於日本專利特開2012-134475號公報。
氧化物半導體層亦可包含其他氧化物半導體代替In-Ga-Zn-O系半導體。例如亦可包含Zn-O系半導體(ZnO)、In-Zn-O系半導體(IZO(註冊商標))、Zn-Ti-O系半導體(ZTO)、Cd-Ge-O系半導體、Cd-Pb-O系半導體、CdO(氧化鎘)、Mg-Zn-O系半導體、In-Sn-Zn-O系半導體(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O系半導體等。
<2.3輸出/電流監視電路>
一面參照圖7，一面說明本實施形態中之輸出/電流監視電路330之詳細構成。該輸出/電流監視電路330中包含運算放大器331、電容器332、及開關333。再者，藉由電容器332實現第2電容器。關於運算放大器331，其反轉輸入端子連接於資料線S(j)，非反轉輸入端子被給予作為資料信號DA之類比電壓Vs。電容器332及開關333設置於運算放大器331之輸出端子與資料線S(j)之間。如上所述，該輸出/電流監視電路330包含積分電路。於此種構成中，若開關333因控制時脈信號Sclk而成為導通狀態，則運算放大器331之輸出端子-反轉輸入端子之間會成為短路狀態。藉此，運算放大器331之輸出端子及資料線S(j)之電位與類比電壓Vs之電位相等。當測定流入至資料線S(j)之電流時，藉由控制時脈信號Sclk而將開關333設為斷開狀態。藉此，由於存在電容器332，運算放大器331之輸出端子之電位會對應於流入至資料線S(j)之電流之大小而發生變化。來自該運算放大器331之輸出作為監視資料MO而輸送至信號轉換電路32內之A/D轉換器。
<3.驅動方法>
<3.1概要>
其次，說明本實施形態中之驅動方法。如上所述，於本實施形態中，在各訊框中進行一列之TFT特性及OLED特性之檢測。於各訊框中，關於監視列而進行用以檢測TFT特性及OLED特性之動作(以下稱為「特性檢測動作」)，關於非監視列而進行通常動作。即，若將進行與第1列相關之TFT特性及OLED特性之檢測之訊框定義為第(k+1)個訊框，則各列之動作如圖8所示地推移。又，進行TFT特性及OLED特性之檢測之後，使用其檢測結果，對修正資料記憶部50內之修正資料進行更新。繼而，使用記憶於修正資料記憶部50之修正資料而修正影像信號。
圖1係用以對與監視列相關之一個水平掃描期間THm之詳情進行說明之時序圖。再者，藉由該一個水平掃描期間THm實現特性檢測處理期間。如圖1所示，與監視列相關之一個水平掃描期間THm包含：進行針對監視列而檢測TFT特性及OLED特性之準備之期間(以下稱為「檢測準備期間」)Ta、進行用以檢測TFT特性之電流測定之期間(以下稱為「TFT特性檢測期間」)Tb、進行用以檢測OLED特性之電流測定之期間(以下稱為「OLED特性檢測期間」)Tc、及進行針對監視列而使有機EL元件OLED發光之準備之期間(以下稱為「發光準備期間」)Td。再者，於本實施形態中，藉由TFT特性檢測期間與OLED特性檢測期間實現電流測定期間。
於檢測準備期間Ta中，掃描線G1設為活動(active)狀態，監視控制線G2設為非活動(inactive)狀態，電位Vmg被給予至資料線S。於TFT特性檢測期間Tb中，掃描線G1設為非活動狀態，監視控制線G2設為活動狀態，電位Vm_TFT被給予至資料線S。於OLED特性檢測期間Tc中，掃描線G1設為非活動狀態，監視控制線G2設為活動狀態， 電位Vm_oled被給予至資料線S。於發光準備期間Td中，掃描線G1設為活動狀態，監視控制線G2設為非活動狀態，與監視列中所含之有機EL元件OLED之目標亮度相對應之資料電位D被給予至資料線S。於本實施形態中，藉由電位Vmg實現第1特定電位，藉由電位Vm_TFT及電位Vm_oled實現第2特定電位。再者，與電位Vmg、電位Vm_TFT、及電位Vm_oled相關之詳細說明將後述。
<3.2像素電路之動作>
<3.2.1通常動作>
於各訊框中，非監視列進行通常動作。於非監視列中所含之像素電路11中，在選擇期間中進行基於與目標亮度相對應之資料電位Vdata之寫入之後，電晶體T1維持於斷開狀態。藉由基於資料電位Vdata之寫入，電晶體T2成為導通狀態。電晶體T3維持於斷開狀態。根據以上內容，如圖9中的由符號71表示之箭頭所示，驅動電流經由電晶體T2而供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED以對應於驅動電流之亮度發光。
<3.2.2特性檢測動作>
於各訊框中，監視列進行特性檢測動作。圖10係用以對監視列中所含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)之動作進行說明的時序圖。再者，於圖10中，以第i列被設為監視列之訊框中的第i列之第1次選擇期間開始時點為基準而表示「一個訊框期間」。又，此處，將監視列之一個訊框期間中的上述一個水平掃描期間THm以外之期間稱為「發光期間」。對於發光期間附加有符號TL。
於檢測準備期間Ta中，掃描線G1(i)設為活動狀態，監視控制線G2(i)維持於非活動狀態。藉此，電晶體T1成為導通狀態，電晶體T3維持於斷開狀態。又，於該期間中，電位Vmg被給予至資料線S(j)。藉由基於該電位Vmg之寫入而對電容器Cst充電，電晶體T2成為導通 狀態。根據以上內容，於檢測準備期間Ta中，如圖11中的由符號72表示之箭頭所示，驅動電流經由電晶體T2而供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED以對應於驅動電流之亮度發光。然而，有機EL元件OLED發光之時間為極短之時間。
於TFT特性檢測期間Tb中，掃描線G1(i)設為非活動狀態，監視控制線G2(i)設為活動狀態。藉此，電晶體T1成為斷開狀態，電晶體T3成為導通狀態。又，於該期間中，電位Vm_TFT被給予至資料線S(j)。再者，於後述之OLED特性檢測期間Tc中，電位Vm_oled被給予至資料線S(j)。又，如上所述，於檢測準備期間Ta中，進行基於電位Vmg之寫入。
此處，若將根據TFT用補償記憶體51a中所儲存之補償值而求出之電晶體T2之臨限值電壓設為Vth(T2)，則以使下式(1)、(2)成立之方式，設定電位Vmg之值、電位Vm_TFT之值、及電位Vm_oled之值。
Vm_TFT+Vth(T2)<Vmg．．．(1)
Vmg<Vm_oled+Vth(T2)．．．(2)
又，若將根據OLED用補償記憶體51b中所儲存之補償值而求出之有機EL元件OLED之發光臨限值電壓設為Vth(oled)，則以使下式(3)成立之方式，設定電位Vm_TFT之值。
Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)．．．(3)
進而，若將有機EL元件OLED之擊穿電壓設為Vbr(oled)，則以使下式(4)成立之方式，設定電位Vm_TFT之值。
Vm_TFT>ELVSS-Vbr(oled)．．．(4)
如上所述，於檢測準備期間Ta中，進行基於滿足上式(1)、(2)之電位Vmg之寫入之後，於TFT特性檢測期間Tb中，滿足上式(1)、(3)、及(4)之電位Vm_TFT被給予至資料線S(j)。根據上式(1)，於TFT特性檢測期間Tb中，電晶體T2成為導通狀態。又，根據上式(3)、 (4)，於TFT特性檢測期間Tb中，電流不會流入至有機EL元件OLED。
根據以上內容，於TFT特性檢測期間Tb中，如圖12中的由符號73表示之箭頭所示，流經電晶體T2之電流經由電晶體T3而輸出至資料線S(j)。藉此，藉由輸出/電流監視電路330測定輸出至資料線S(j)之電流(匯流電流)。如此，於將電晶體T2之閘極-源極之間之電壓設為特定大小(Vmg-Vm_TFT)之狀態下，測定流經該電晶體T2之汲極-源極之間之電流之大小，且檢測TFT特性。
於OLED特性檢測期間Tc中，掃描線G1(i)維持於非活動狀態，監視控制線G2(i)維持於活動狀態。因此，於該期間中，電晶體T1維持於斷開狀態，電晶體T3維持於導通狀態。又，如上所述，於該期間中，電位Vm_oled被給予至資料線S(j)。
此處，以使上式(2)及下式(5)成立之方式，設定電位Vm_oled之值。
ELVSS+Vth(oled)<Vm_oled．．．(5)
又，若將電晶體T2之擊穿電壓設為Vbr(T2)，則以使下式(6)成立之方式，設定電位Vm_oled之值。
Vm_oled<Vmg+Vbr(T2)．．．(6)
如上所述，於OLED特性檢測期間Tc中，滿足上式(2)、(5)、及(6)之電位Vm_oled被給予至資料線S(j)。根據上式(2)、(6)，於OLED特性檢測期間Tc中，電晶體T2成為斷開狀態。又，根據上式(5)，於OLED特性檢測期間Tc中，電流流入至有機EL元件OLED。
根據以上內容，於OLED特性檢測期間Tc中，如圖13中的由符號74表示之箭頭所示，電流自資料線S(j)經由電晶體T3而流入至有機EL元件OLED，有機EL元件OLED發光。於該狀態下，藉由輸出/電流監視電路330測定流入至資料線S(j)之電流。如此，於將有機EL元件OLED之陽極(anode)-陰極(cathode)之間之電壓設為特定大小 (Vm_oled-ELVSS)之狀態下，測定流經該有機EL元件OLED之電流之大小，且檢測OLED特性。
再者，關於電位Vmg之值、電位Vm_TFT之值、及電位Vm_oled之值，除了上式(1)~(6)之外，亦考慮且決定所採用之輸出/電流監視電路330中之電流之可測定範圍等。
此處，對輸出/電流監視電路330內之開關333之導通/斷開狀態之變化進行說明。若將開關333自斷開狀態切換為導通狀態，則會釋放電容器332中所積累之電荷。其後，若將開關333自導通狀態切換為斷開狀態，則開始對電容器332充電。繼而，輸出/電流監視電路330作為積分電路而進行動作。再者，開關333於欲測定流入至資料線S之電流之期間，維持於斷開狀態。具體而言，首先於TFT特性檢測期間Tb中，將開關333設為導通狀態，將電位Vm_TFT給予至資料線S之後，將開關333設為斷開狀態，測定流入至資料線S之電流。其次，於OLED特性檢測期間Tc中，將開關333設為導通狀態，將電位Vm_oled給予至資料線S之後，將開關333設為斷開狀態，測定流入至資料線S之電流。
於發光準備期間Td中，掃描線G1(i)設為活動狀態，監視控制線G2(i)設為非活動狀態。藉此，電晶體T1成為導通狀態，電晶體T3成為斷開狀態。又，於該期間中，對應於目標亮度之資料電位D(i，j)被給予至資料線S(j)。藉由基於該資料電位D(i，j)之寫入而對電容器Cst充電，電晶體T2成為導通狀態。根據以上內容，於發光準備期間Td中，如圖14中的由符號75表示之箭頭所示，驅動電流經由電晶體T2而供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED以對應於驅動電流之亮度發光。
於發光期間TL中，掃描線G1(i)設為非活動狀態，監視控制線G2(i)維持於非活動狀態。藉此，電晶體T1成為斷開狀態，電晶體T3 維持於斷開狀態。電晶體T1成為斷開狀態，但於發光準備期間Td中，藉由基於與目標亮度相對應之資料電位D(i，j)之寫入而對電容器Cst充電，因此，電晶體T2維持於導通狀態。因此，於發光期間TL中，如圖15中的由符號76表示之箭頭所示，驅動電流經由電晶體T2而供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED以對應於驅動電流之亮度發光。即，於發光期間TL中，有機EL元件OLED對應於目標亮度而發光。而且，若電晶體T1成為斷開狀態，則理想而言，電晶體T2之閘極電位得以保持。然而實際上，由於電晶體T1之電荷注入、掃描線G1(i)之饋通、及與寄生電容之電荷分配等二次效果，電晶體T2之閘極電位會自寫入之電位起發生變動。另一方面，在先於發光期間TL之TFT特性檢測期間Tb之前，電晶體T1亦成為斷開狀態，電晶體T2之閘極成為保持狀態，因此，TFT特性檢測期間Tb與發光期間TL中之二次效果之影響大致相等。因此，即使每個像素之上述二次效果之影響之大小(因寄生電容值之不均等)不均，亦考慮二次效果而進行TFT特性檢測，且實施修正。藉此，能夠使每個像素之二次效果之不均彼此抵消。
如上所述，於非監視列中，與一般之顯示裝置同樣地，進行使有機EL元件OLED發光之處理。相對於此，於監視列中，進行用以檢測TFT特性及OLED特性之處理之後，進行使有機EL元件OLED發光之處理。因此，根據圖16可掌握監視列中之發光期間之長度較非監視列中之發光期間之長度更短。因此，以使訊框期間內之積分亮度與在非監視列中所表現出之亮度相等之方式，對在發光準備期間Td中施加至資料線S(j)之資料電位D(i，j)之大小實施調整。詳細而言，相當於較非監視列中之灰階電壓稍大之灰階電壓之資料電位於發光準備期間Td中，被給予至資料線S(j)。換言之，當將任意之有機EL元件OLED定義為目標有機EL元件時，於目標有機EL元件包含於監視列之情形 時，於發光準備期間Td中，藉由源極驅動器30將相當於如下灰階電壓之資料電位給予至資料線S(j)，該灰階電壓大於目標有機EL元件包含於非監視列時之灰階電壓。藉此，抑制顯示品質之下降。
再者，於本實施形態中，如圖8所示，每當訊框改變時，監視列亦會改變，但本發明並不限定於此。亦可於複數個訊框中，將相同列設為監視列。如此，於一列中反覆地進行特性檢測處理，藉此，可獲得使S/N比提高之效果。又，於本實施形態中，在各訊框中僅將一列設為監視列，但本發明並不限定於此。於不損害顯示品質之範圍內，可在各訊框中將複數個列設為監視列，亦可以面板之電源剛導通之後或電源斷開期間、或者非顯示期間之任意時序，連續地執行全部列之特性檢測。
<3.3修正資料記憶部內之修正資料之更新>
其次，說明如何更新記憶於修正資料記憶部50之修正資料(記憶於TFT用補償記憶體51a之補償值、記憶於OLED用補償記憶體51b之補償值、記憶於TFT用增益記憶體52a之增益值、及記憶於OLED用增益記憶體52b之劣化修正係數)。圖17係用以對修正資料記憶部50內之修正資料之更新順序進行說明之流程圖。再者，此處著眼於與一個像素相對應之修正資料。
首先，於TFT特性檢測期間Tb中進行TFT特性之檢測(步驟S110)。藉由該步驟S110，求出用以修正影像信號之補償值及增益值。繼而，將步驟S110中所求出之補償值作為新的補償值而儲存於TFT用補償記憶體51a(步驟S120)。又，將步驟S110中所求出之增益值作為新的增益值而儲存於TFT用增益記憶體52a(步驟S130)。其後，於OLED特性檢測期間Tc中進行OLED特性之檢測(步驟S140)。藉由該步驟S140，求出用以修正影像信號之補償值及劣化修正係數。繼而，將步驟S140中所求出之補償值作為新的補償值而儲存於OLED用補償記 憶體51b(步驟S150)。又，將步驟S140中所求出之劣化修正係數作為新的劣化修正係數而儲存於OLED用增益記憶體52b(步驟S160)。如此，更新對應於一個像素之修正資料。於本實施形態中，在各訊框中進行與一列相關之TFT特性及OLED特性之檢測，因此，對於一個訊框期間，更新TFT用補償記憶體51a內之m個補償值、TFT用增益記憶體52a內之m個增益值、OLED用補償記憶體51b內之m個補償值、及OLED用增益記憶體52b內之m個劣化修正係數。
再者，於本實施形態中，藉由根據步驟S110及步驟S140中之檢測結果而獲得之資料(補償值、增益值、劣化修正係數)實現特性資料。
而且，如上所述，於OLED特性檢測期間Tc中，根據固定電壓(Vm_oled-ELVSS)而測定流經有機EL元件OLED之電流之大小。作為其測定結果之檢測電流越小，則有機EL元件OLED之劣化程度越大。因此，更新OLED用補償記憶體51b及OLED用增益記憶體52b內之資料，使得檢測電流越小，則補償值越大且劣化修正係數越大。
<3.4影像信號之修正>
於本實施形態中，為了補償驅動電晶體之劣化及有機EL元件OLED之劣化，使用儲存於修正資料記憶部50之修正資料而修正自外部輸送來之影像信號。以下，一面參照圖18，一面說明影像信號之該修正。
如圖18所示，於控制電路20中設置有LUT(Look Up Table，查找表)211、乘法部212、乘法部213、加法部214、加法部215、及乘法部216作為用以修正影像信號之構成要素。又，於控制電路20中設置有乘法部221及加法部222作為如下構成要素，該構成要素用以修正於OLED特性檢測期間Tc中給予至資料線S之電位Vm_oled。控制電路20內之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)230例如控制上述各 構成要素之動作，對修正資料記憶部50內之各記憶體(TFT用補償記憶體51a、TFT用增益記憶體52a、OLED用補償記憶體51b、及OLED用增益記憶體52b)進行資料之更新/讀出，對非揮發性記憶體70進行資料之更新/讀出，及與源極驅動器30之間收發資料。再者，於本實施形態中，藉由LUT211、乘法部212、乘法部213、加法部214、加法部215、及乘法部216實現影像信號修正部。
於如上所述之構成中，以如下方式修正自外部輸送來之影像信號。首先，使用LUT211，對自外部輸送來之影像信號實施伽馬修正。即，藉由伽馬修正而將影像信號所示之灰階P轉換為控制電壓Vc。乘法部212接收控制電壓Vc與自TFT用增益記憶體52a讀出之增益值B1，輸出將上述控制電壓Vc與增益值B1相乘所得之值“Vc．B1”。乘法部213接收自乘法部212輸出之值“Vc．B1”與自OLED用增益記憶體52b讀出之劣化修正係數B2，輸出將上述值“Vc．B1”與劣化修正係數B2相乘所得之值“Vc．B1．B2”。加法部214接收自乘法部213輸出之值“Vc．B1．B2”與自TFT用補償記憶體51a讀出之補償值Vt1，輸出藉由將上述值“Vc．B1．B2”與補償值Vt1相加而獲得之值“Vc．B1．B2+Vt1”。加法部215接收自加法部214輸出之值“Vc．B1．B2+Vt1”與自OLED用補償記憶體51b讀出之補償值Vt2，輸出藉由將上述值“Vc．B1．B2+Vt1”與補償值Vt2相加而獲得之值“Vc．B1．B2+Vt1+Vt2”。乘法部216接收自加法部215輸出之值“Vc．B1．B2+Vt1+Vt2”與用以補償像素電路11內之寄生電容所引起之資料電位之衰減之係數Z，輸出將上述值“Vc．B1．B2+Vt1+Vt2”與係數Z所得之值“Z(Vc．B1．B2+Vt1+Vt2)”。以上述方式獲得之值“Z(Vc．B1．B2+Vt1+Vt2)”作為資料信號DA，自控制電路20輸送至源極驅動器30。亦藉由與影像信號相同之處理，修正於檢測準備期間Ta中給予至資料線S之電位Vmg。再者，並非必需設置進行如下處理之乘法部216，該處理係指將用以補償資料電位之 衰減之係數Z乘以自加法部215輸出之值。
又，以如下方式修正於OLED特性檢測期間Tc中給予至資料線S之電位Vm_oled。乘法部221接收pre_Vm_oled(修正前之Vm_oled)與自OLED用增益記憶體52b讀出之劣化修正係數B2，輸出將上述pre_Vm_oled與劣化修正係數B2相乘所得之值“pre_Vm_oled．B2”。加法部222接收自乘法部221輸出之值“pre_Vm_oled．B2”與自OLED用補償記憶體51b讀出之補償值Vt2，輸出藉由將上述值“pre_Vm_oled．B2”與補償值Vt2相加而獲得之值“pre_Vm_oled．B2+Vt2”。以上述方式獲得之值“pre_Vm_oled．B2+Vt2”作為指示OLED特性檢測期間Tc中之資料線S之電位Vm_oled之資料，自控制電路20輸送至源極驅動器30。
<3.5驅動方法之總結>
圖19係用以對與TFT特性及OLED特性之檢測相關聯之動作之概略進行說明的流程圖。首先，於TFT特性檢測期間Tb中檢測TFT特性(步驟S210)。繼而，使用步驟S210中之檢測結果，對TFT用補償記憶體51a及TFT用增益記憶體52a進行更新(步驟S220)。其次，於OLED特性檢測期間Tc中檢測OLED特性(步驟S230)。繼而，使用步驟S230中之檢測結果，對OLED用補償記憶體51b及OLED用增益記憶體52b進行更新(步驟S240)。其後，使用TFT用補償記憶體51a、TFT用增益記憶體52a、OLED用補償記憶體51b、及OLED用增益記憶體52b中所儲存之修正資料，修正自外部輸送來之影像信號(步驟S250)。
再者，於本實施形態中，藉由步驟S220及步驟S240實現修正資料記憶步驟，藉由步驟S250實現影像信號修正步驟。
<4.效果>
根據本實施形態，於各訊框中進行與一列相關之TFT特性及OLED特性之檢測。監視列中之一個水平掃描期間THm長於非監視列中之一個水平掃描期間THn，於監視列之一個水平掃描期間THm中進 行TFT特性之檢測及OLED特性之檢測。繼而，使用考慮TFT特性之檢測結果及OLED特性之檢測結果該兩者而求出之修正資料，修正自外部輸送來之影像信號。基於以上述方式修正後之影像信號之資料電位施加至資料線S，因此，當使各像素電路11內之有機EL元件OLED發光時，將補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化之大小之驅動電流供給至有機EL元件OLED(參照圖20)。又，如圖21所示，配合劣化最少之像素之劣化位準而使電流增加，藉此，能夠對燒痕進行補償。此處，本實施形態中之資料線S不僅用作傳輸亮度信號之信號線，而且亦用作特性檢測用之信號線(將特性檢測用之控制電位(Vmg、Vm_TFT、Vm_oled)給予至像素電路11之信號線，成為表示特性之電流即輸出/電流監視電路330能夠測定之電流之路徑的信號線)，上述亮度信號用以使各像素電路11內之有機EL元件OLED以所期望之亮度發光。即，無需為了檢測TFT特性或OLED特性而於顯示部10內設置新的信號線。因此，能夠抑制電路規模之增大且同時補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化該兩者。
又，於本實施形態中，採用氧化物TFT(具體而言為具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT)作為像素電路11內之電晶體T1~T3，因此，可獲得能夠確保充分之S/N比之效果。以下對此進行說明。再者，此處將具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT稱為「In-Ga-Zn-O-TFT」。對In-Ga-Zn-O-TFT與LTPS(Low Temperature Poly silicon，低溫多晶矽)-TFT進行比較之後，In-Ga-Zn-O-TFT相較於LTPS-TFT，斷開電流極小。例如，於採用LTPS-TFT作為像素電路11內之電晶體T3之情形時，斷開電流最大為1pA左右。相對於此，於採用In-Ga-Zn-O-TFT作為像素電路11內之電晶體T3之情形時，斷開電流最大為10fA左右。因此，例如1000列份之斷開電流於採用LTPS-TFT之情形時最大為1nA左右，於採用In-Ga-Zn-O-TFT之情形時最大為10pA左右。於採用 In-Ga-Zn-O-TFT與LTPS-TFT中之任一者之情形時，檢測電流均為10nA~100nA左右。而且，各資料線S連接於相對應之行之全部列之像素電路11內的電晶體T3。因此，進行特性檢測時之資料線S之S/N比依賴於非監視列之電晶體T3之合計漏電流。具體而言，進行特性檢測時之資料線S之S/N比由「檢測電流/(漏電流×非監視列之列數)」表示。根據以上內容，例如在具有“Landscape FHD(橫向顯示全高清)”之顯示部10之有機EL顯示裝置中，於採用有LTPS-TFT之情形時，S/N比為10左右，相對於此，於採用有In-Ga-Zn-O-TFT之情形時，S/N比為1000左右。如此，於本實施形態中，當檢測電流時，能夠確保充分之S/N比。
<5.變化例>
以下，說明上述實施形態之變化例。再者，以下僅詳細地說明與上述實施形態不同之方面，關於與上述實施形態相同之方面，省略說明。
<5.1第1變化例>
於上述實施形態中，以顯示部10內之資料線S與源極驅動器30內之輸出/電流監視電路330逐一對應為前提。然而，本發明並不限定於此，亦能夠採用如下構成(本變化例之構成)，即，一個輸出/電流監視電路330對應於複數條資料線S。再者，將如下方式稱為「源極共享驅動(SSD)方式」等，該方式係如本變化例般，將來自源極驅動器之一個輸出分配至複數條資料線S之方式。
圖22係表示本變化例中之有機EL顯示裝置2之整體構成之方塊圖。根據圖22可掌握於本變化例中，對於3條資料線S，設置有一個輸出/電流監視電路330。又，於本變化例中，用以控制輸出/電流監視電路330與資料線S之電性連接狀態之連接控制部80設置於顯示部10與源極驅動器30之間。
如圖23所示，連接控制部80中包含用以控制輸出/電流監視電路330與紅色用之資料線S(R)之電性連接狀態之電晶體TS(R)、用以控制輸出/電流監視電路330與綠色用之資料線S(G)之電性連接狀態之電晶體TS(G)、及用以控制輸出/電流監視電路330與藍色用之資料線S(B)之電性連接狀態之電晶體TS(B)。電晶體TS(R)之導通/斷開狀態由控制信號SMP(R)控制。電晶體TS(G)之導通/斷開狀態由控制信號SMP(G)控制。電晶體TS(B)之導通/斷開狀態由控制信號SMP(B)控制。紅色用之資料線S(R)連接於紅色用之像素電路11(R)，綠色用之資料線S(G)連接於綠色用之像素電路11(G)，藍色用之資料線S(B)連接於藍色用之像素電路11(B)。
圖24係對於本變化例，用以對與監視列相關之一個水平掃描期間THm之詳情進行說明的時序圖。圖25係對於本變化例，用以對監視列中所含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)之動作進行說明的時序圖。與上述實施形態同樣地，與監視列相關之一個水平掃描期間THm包含：檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td。於檢測準備期間Ta中，掃描線G1設為活動狀態，監視控制線G2設為非活動狀態。於TFT特性檢測期間Tb中，掃描線G1設為非活動狀態，監視控制線G2設為活動狀態。於OLED特性檢測期間Tc中，掃描線G1維持於非活動狀態，監視控制線G2維持於活動狀態。於發光準備期間Td中，掃描線G1設為活動狀態，監視控制線G2設為非活動狀態。
根據圖24及圖25可掌握檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td均被分割為3個期間。對於上述任一個期間而言，於最初之三分之一個期間中，控制信號SMP(R)均為高位準，於第2個三分之一個期間中，控制信號SMP(G)均為高位準，且於最後之三分之一個期間中，控制信號SMP(B)均為 高位準。因此，對於檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td中之任一個期間而言，於最初之三分之一個期間中，電晶體TS(R)均成為導通狀態，輸出/電流監視電路330與紅色用之資料線S(R)電性連接，於第2個三分之一個期間中，電晶體TS(G)均成為導通狀態，輸出/電流監視電路330與綠色用之資料線S(G)電性連接，且於最後之三分之一個期間中，電晶體TS(B)均成為導通狀態，輸出/電流監視電路330與藍色用之資料線S(B)電性連接。
自輸出/電流監視電路330給予至資料線S之電位如下所述。於檢測準備期間Ta中，作為電位Vmg，紅色用之電位、綠色用之電位、及藍色用之電位依序自輸出/電流監視電路330給予至資料線S。於TFT特性檢測期間Tb中，作為電位Vm_TFT，紅色用之電位、綠色用之電位、及藍色用之電位依序自輸出/電流監視電路330給予至資料線S。於OLED特性檢測期間Tc中，作為電位Vm_oled，紅色用之電位、綠色用之電位、及藍色用之電位依序自輸出/電流監視電路330給予至資料線S。於發光準備期間Td中，作為資料電位D，紅色用之電位、綠色用之電位、及藍色用之電位依序自輸出/電流監視電路330給予至資料線S。
根據以上內容，於檢測準備期間Ta中，依序進行基於紅色用之電位之對於紅色用之像素電路11(R)之寫入、基於綠色用之電位之對於綠色用之像素電路11(G)之寫入、及基於藍色用之電位之對於藍色用之像素電路11(B)之寫入。於TFT特性檢測期間Tb中，依序進行紅色用之像素電路11(R)內之電晶體T2之特性的檢測、綠色用之像素電路11(G)內之電晶體T2之特性的檢測、及藍色用之像素電路11(B)內之電晶體T2之特性的檢測。於OLED特性檢測期間Tc中，依序進行紅色用之像素電路11(R)內之有機EL元件OLED之特性的檢測、綠色用之像素 電路11(G)內之有機EL元件OLED之特性的檢測、及藍色用之像素電路11(B)內之有機EL元件OLED之特性的檢測。於發光準備期間Td中，依序進行對應於目標亮度之對於紅色用之像素電路11(R)之寫入、對應於目標亮度之對於綠色用之像素電路11(G)之寫入、及對應於目標亮度之對於藍色用之像素電路11(B)之寫入。
根據本變化例，如上所述，採用SSD方式之有機EL顯示裝置能夠抑制電路規模之增大且同時補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化該兩者。
<5.2第2變化例>
根據上述實施形態，若有機EL顯示裝置1於短時間內反覆地運轉，則於顯示部10上方之列與顯示部10下方之列之間，TFT特性及OLED特性之檢測次數會產生較大差異。因此，於本變化例之有機EL顯示裝置3中，如圖26所示，於控制電路20內設置有用以記憶監視列之監視列記憶部201。於此種構成中，當電源斷開時，確定最後進行TFT特性及OLED特性之檢測之列之資訊儲存於監視列記憶部201。電源導通之後，自根據儲存於監視列記憶部201之資訊而確定之列的下一列起，進行TFT特性及OLED特性之檢測。再者，於本實施形態中，藉由監視列記憶部201實現監視區域記憶部。
根據以上內容，根據本變化例，可防止於顯示部10上方之列與顯示部10下方之列之間，TFT特性及OLED特性之檢測次數產生差異。因此，能夠於整個畫面中，一致地對驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化進行補償，從而有效果地防止亮度不均之產生。
再者，電源導通之後首先進行TFT特性及OLED特性之檢測之列，並不限定於根據儲存於監視列記憶部201之資訊而確定之列的下一列，亦可為根據儲存於監視列記憶部201之資訊而確定之列附近的 列。例如，亦可存在於電源剛斷開之前與電源剛導通之後重複地進行特性檢測動作之列。
又，可記憶確定最後進行TFT特性及OLED特性之檢測之行之資訊，亦可記憶確定最後進行TFT特性及OLED特性之檢測之列及行該兩者之資訊。
<5.3第3變化例>
圖27係用以對有機EL元件之電流-電壓特性之溫度依賴性進行說明之圖。於圖27中表示有溫度TE1下之有機EL元件之電流-電壓特性、溫度TE2下之有機EL元件之電流-電壓特性、及溫度TE3下之有機EL元件之電流-電壓特性。再者，“TE1>TE2>TE3”。根據圖27可掌握為了將特定電流供給至有機EL元件，溫度越低，則需要使電壓越高。如此，有機EL元件之電流-電壓特性大幅度地依賴於溫度。因此，較佳為採用能夠補償溫度變化之構成(本變化例之構成)。
圖28係表示本變化例中之有機EL顯示裝置4之整體構成之方塊圖。於本變化例中，除了上述實施形態中之構成要素之外，亦設置有溫度感測器60。藉由該溫度感測器60實現溫度檢測部。又，於控制電路20中設置有溫度變化補償部202。溫度感測器60隨時將測定溫度後之結果即溫度資訊TE給予至控制電路20。溫度變化補償部202對於源極驅動器30所給予之監視資料MO，實施基於溫度資訊TE之修正。詳細而言，溫度變化補償部202將對應於檢測時之溫度之監視資料MO之值轉換為對應於某標準溫度之值，且根據利用該轉換而獲得之值，更新OLED用補償記憶體51b內之補償值及OLED用增益記憶體52b內之劣化修正係數。
圖29係用以說明本變化例中之修正資料記憶部50內之修正資料(記憶於TFT用補償記憶體51a之補償值、記憶於OLED用補償記憶體51b之補償值、記憶於TFT用增益記憶體52a之增益值、及記憶於 OLED用增益記憶體52b之劣化修正係數)之更新順序的流程圖。再者，本變化例(圖29)中之步驟S310~步驟S340之處理與上述實施形態(圖17)中之步驟S110~步驟S140之處理相同，本變化例(圖29)中之步驟S350~步驟S360之處理與上述實施形態(圖17)中之步驟S150~步驟S160之處理相同。於本變化例中，檢測OLED特性之後，且於更新補償值及劣化修正係數之前，根據溫度感測器60所給予之溫度資訊TE，對補償值及劣化修正係數實施修正(步驟S345)。
根據以上內容，根據本變化例，藉由考慮了溫度變化之修正資料而修正自外部輸送來之影像信號。因此，有機EL顯示裝置能夠同時補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化該兩者而與溫度變化無關。
<5.4第4變化例>
<5.4.1概要>
於上述實施形態中，在各訊框中進行與一列相關之TFT特性及OLED特性該兩者之檢測。然而，本發明並不限定於此，亦能夠採用如下構成(本變化例之構成)，即，於各訊框中進行與一列相關之TFT特性檢測或與一列相關之OLED特性檢測中的任一個檢測。
於本變化例中，若於某訊框中進行與第1列相關之OLED特性檢測，則於下一訊框中進行與第2列相關之OLED特性檢測，進而於下一訊框中進行與第3列相關之OLED特性檢測。其後，依序進行與第4~n列相關之OLED特性檢測。進行與第n列相關之OLED特性檢測之後，進行與第1列相關之TFT特性檢測。繼而，依序進行與第2~n列相關之TFT特性檢測。如此，於不同訊框中進行TFT特性檢測與OLED特性檢測。如上所述，於各訊框中，關於監視列而進行用以檢測TFT特性之動作(以下稱為「TFT特性檢測動作」)或用以檢測OLED特性之動作(以下稱為「OLED特性檢測動作」)中之任一個動作，關於非監視列 而進行通常動作。即，若將進行與第1列相關之OLED特性檢測之訊框定義為第(k+1)個訊框，則各列之動作如圖30所示地推移。再者，自第(k+1)個訊框至第(k+n)個訊框為止，任一列均不進行TFT特性檢測動作。又，自第(k+n+1)個訊框至第(k+2n)個訊框為止，任一列均不進行OLED特性檢測動作。
於監視列中進行OLED特性檢測動作之後，根據檢測結果而更新OLED用補償記憶體51b及OLED用增益記憶體52b。於監視列中進行TFT特性檢測動作之後，根據檢測結果而更新TFT用補償記憶體51a及TFT用增益記憶體52a。與上述實施形態同樣地修正影像信號。
<5.4.2驅動方法>
<5.4.2.1像素電路之動作>
一面參照圖31及圖32，一面說明本變化例中之驅動方法。圖31及圖32係用以對監視列中所含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)之動作進行說明的時序圖。圖31係於監視列中進行OLED特性檢測動作之訊框之時序圖，圖32係於監視列中進行TFT特性檢測動作之訊框之時序圖。再者，非監視列於各訊框中，與上述實施形態同樣地進行通常動作。以下，對監視列中所含之像素電路11之動作進行說明。
首先，對監視列進行OLED特性檢測動作之訊框中之動作進行說明。如圖31所示，於該訊框中，與監視列相關之一個水平掃描期間THm包含：檢測準備期間Ta、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td。
於檢測準備期間Ta中，掃描線G1(i)設為活動狀態，監視控制線G2(i)維持於非活動狀態。又，於該期間中，電位Vmg被給予至資料線S(j)。根據以上內容，於該期間中，藉由基於電位Vmg之寫入而對像素電路11內之電容器Cst充電。
於OLED特性檢測期間Tc中，掃描線G1(i)設為非活動狀態，監視 控制線G2(i)設為活動狀態。因此，於該期間中，電晶體T1成為斷開狀態，電晶體T3成為導通狀態。又，於該期間中，電位Vm_oled被給予至資料線S(j)。
此處，若將根據OLED用補償記憶體51b中所儲存之補償值而求出之有機EL元件OLED之發光臨限值電壓設為Vth(oled)，將電晶體T2之擊穿電壓設為Vbr(T2)，則以使上式(2)、(5)、及(6)成立之方式，設定電位Vmg之值及電位Vm_oled之值。根據上式(2)、(6)，於OLED特性檢測期間Tc中，電晶體T2成為斷開狀態。又，根據上式(5)，於OLED特性檢測期間Tc中，電流流入至有機EL元件OLED。
根據以上內容，於OLED特性檢測期間Tc中，如圖13中的由符號74表示之箭頭所示，電流自資料線S(j)經由電晶體T3而流入至有機EL元件OLED，有機EL元件OLED發光。於該狀態下，藉由輸出/電流監視電路330測定流入至資料線S(j)之電流。如此，檢測OLED特性。
於發光準備期間Td中，掃描線G1(i)設為活動狀態，監視控制線G2(i)設為非活動狀態。藉此，電晶體T1成為導通狀態，電晶體T3成為斷開狀態。又，於該期間中，對應於目標亮度之資料電位D(i，j)被給予至資料線S(j)。根據以上內容，於該期間中，藉由基於資料電位D(i，j)之寫入而對像素電路11內之電容器Cst充電。
於發光期間TL中，掃描線G1(i)設為非活動狀態，監視控制線G2(i)維持於非活動狀態。藉此，電晶體T1成為斷開狀態，電晶體T3維持於斷開狀態。電晶體T1成為斷開狀態，但於發光準備期間Td中，藉由基於與目標亮度相對應之資料電位D(i，j)之寫入而對電容器Cst充電，因此，電晶體T2維持於導通狀態。因此，於發光期間TL中，如圖15中的由符號76表示之箭頭所示，驅動電流經由電晶體T2而供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED以對應於驅動電流之亮度發光。即，於發光期間TL中，有機EL元件OLED對應於目標 亮度而發光。
其次，對於監視列中進行TFT特性檢測動作之訊框中之動作進行說明。再者，關於檢測準備期間Ta、發光準備期間Td、及發光期間TL中之動作，與於監視列中進行OLED特性檢測動作之訊框相同，因此省略說明。
於TFT特性檢測期間Tb中，掃描線G1(i)設為非活動狀態，監視控制線G2(i)設為活動狀態。因此，於該期間中，電晶體T1成為斷開狀態，電晶體T3成為導通狀態。又，於該期間中，電位Vm_TFT被給予至資料線S(j)。
此處，若將根據TFT用補償記憶體51a中所儲存之補償值而求出之電晶體T2之臨限值電壓設為Vth(T2)，將根據OLED用補償記憶體51b中所儲存之補償值而求出之有機EL元件OLED之發光臨限值電壓設為Vth(oled)，且將有機EL元件OLED之擊穿電壓設為Vbr(oled)，則以使上式(1)、(3)、及(4)成立之方式，設定電位Vmg之值及電位Vm_TFT之值。根據上式(1)，於TFT特性檢測期間Tb中，電晶體T2成為導通狀態。又，根據上式(3)、(4)，於TFT特性檢測期間Tb中，電流不會流入至有機EL元件OLED。
根據以上內容，於TFT特性檢測期間Tb中，如圖12中的由符號73表示之箭頭所示，流經電晶體T2之電流經由電晶體T3而輸出至資料線S(j)。藉此，藉由輸出/電流監視電路330測定輸出至資料線S(j)之電流(匯流電流)。如此，檢測TFT特性。
<5.4.2.2修正資料記憶部內之修正資料之更新>
其次，說明修正資料記憶部50內之修正資料(記憶於TFT用補償記憶體51a之補償值、記憶於OLED用補償記憶體51b之補償值、記憶於TFT用增益記憶體52a之增益值、及記憶於OLED用增益記憶體52b之劣化修正係數)之更新。圖33係用以對修正資料記憶部50內之修正 資料之更新順序進行說明之流程圖。再者，此處著眼於與一個像素相對應之修正資料。而且，根據圖30可掌握於本變化例中，當著眼於任意一個像素時，TFT特性之檢測係於進行了OLED特性檢測之訊框的n個訊框後進行。因此，此處，於第K個訊框中進行OLED特性檢測，於第(K+n)個訊框中進行TFT特性檢測。
首先，於第K個訊框中，在OLED特性檢測期間Tc中檢測OLED特性(步驟S410)。藉由該步驟S410，求出用以修正影像信號之補償值及劣化修正係數。繼而，將步驟S410中所求出之補償值作為新的補償值而儲存於OLED用補償記憶體51b(步驟S420)。又，將步驟S410中所求出之劣化修正係數作為新的劣化修正係數而儲存於OLED用增益記憶體52b(步驟S430)。其後，於第(K+n)個訊框中，在TFT特性檢測期間Tb中檢測TFT特性(步驟S440)。藉由該步驟S440，求出用以修正影像信號之補償值及增益值。繼而，將步驟S440中所求出之補償值作為新的補償值而儲存於TFT用補償記憶體51a(步驟S450)。又，將步驟S440中所求出之增益值作為新的增益值而儲存於TFT用增益記憶體52a(步驟S460)。
如此，更新對應於一個像素之補償值及增益值。於本變化例中，在各訊框中進行與一列相關之OLED特性檢測或與一列相關之TFT特性檢測中之任一個檢測。因此，於進行OLED特性檢測之訊框中，對於一個訊框，更新OLED用補償記憶體51b內之m個補償值及OLED用增益記憶體52b內之m個劣化修正係數，於進行TFT特性檢測之訊框中，對於一個訊框，更新TFT用補償記憶體51a內之m個補償值及TFT用增益記憶體52a內之m個增益值。
<5.4.3效果>
根據本變化例，關於各像素，於n個訊框(n為構成像素矩陣之列之數量)各自中交替地進行OLED特性檢測與TFT特性檢測。繼而，與 上述實施形態同樣地，使用考慮OLED特性之檢測結果及TFT特性之檢測結果該兩者而求出之修正資料，修正自外部輸送來之影像信號。因此，當使各像素電路11a內之有機EL元件OLED發光時，將補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化之大小之驅動電流供給至有機EL元件OLED。此處，於本變化例中，資料線S亦不僅用作傳輸亮度信號之信號線，而且亦用作特性檢測用之信號線，該亮度信號用以使各像素電路11內之有機EL元件OLED以所期望之亮度發光。因此，能夠抑制電路規模之增大且同時補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化該兩者。
<5.5第5變化例>
一般對於有機EL顯示裝置而言，一個訊框期間包含：垂直掃描期間，其係依照自最前列朝向最終列之順序，依序向像素寫入影像信號之期間；以及垂直回描線期間(垂直同步期間)，其係為了使影像信號之寫入自最終列返回至最前列而設置之期間。而且，於有機EL顯示裝置進行動作過程中，如圖34所示，垂直掃描期間Tv與垂直回描線期間Tf交替地反覆出現。而且，於上述實施形態中，在垂直掃描期間Tv中進行TFT特性檢測及OLED特性檢測。然而，本發明並不限定於此，亦能夠採用如下構成(本變化例之構成)，即，於垂直回描線期間Tf中進行TFT特性檢測及OLED特性檢測。
於本變化例中，例如若於第(k+1)個訊框之垂直回描線期間Tf中，進行與第1列相關之TFT特性及OLED特性之檢測，則於第(k+2)個訊框之垂直回描線期間Tf中，進行與第2列相關之TFT特性及OLED特性之檢測，於第(k+3)個訊框之垂直回描線期間Tf中，進行與第3列相關之TFT特性及OLED特性之檢測，於第(k+n)個訊框之垂直回描線期間Tf中，進行與第n列相關之TFT特性及OLED特性之檢測。即，每當訊框改變時，監視列亦會改變。再者，於垂直掃描期間Tv中，進 行與一般之有機EL顯示裝置相同之動作。
圖35係用以對監視列中所含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)的垂直回描線期間Tf中之動作進行說明之時序圖。如圖35所示，於本變化例中，垂直回描線期間Tf中包含：檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td。
於本變化例的垂直回描線期間Tf中之檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td中，分別進行與上述實施形態中之檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td相同之動作。如此，亦能夠於垂直回描線期間Tf而非於垂直掃描期間Tv中進行TFT特性及OLED特性之檢測。
而且，對於非監視列，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間中進行對應於目標亮度之寫入，基於該寫入，有機EL元件OLED於大致一個訊框期間中持續發光。相對於此，對於監視列，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間中進行寫入，但變為垂直回描線期間Tf之後，有機EL元件OLED之發光暫時中斷。因此，於垂直回描線期間Tf中之發光準備期間Td中進行基於資料電位D(i，j)之寫入，使得於垂直回描線期間Tf結束之後，在監視列中，有機EL元件OLED發光。
即，對於監視列，如圖36所示，首先根據先行訊框之垂直掃描期間Tv中之選擇期間中的寫入，有機EL元件OLED發光。其後，於垂直回描線期間Tf中，有機EL元件OLED暫時熄燈。其後，根據垂直回描線期間Tf中之發光準備期間Td中的寫入，有機EL元件OLED發光。與此相關，為了能夠於發光準備期間Td中進行基於資料電位D(i，j)之寫入，需要於垂直掃描期間Tv中之選擇期間中的寫入之後，預先保持該資料。關於該方面，應保持之資料僅為一條線路之資料，因此，記憶體容量會稍微增大。相對於此，於上述實施形態中，監視列與非監視 列之一個水平掃描期間之長度不同，因此，根據自控制電路20傳送資料之時序，有時亦需要數十條線路之線路記憶體。根據以上內容，本變化例與上述實施形態相比較，必需之記憶體容量減少。
再者，亦可考慮於垂直回描線期間Tf中，監視列中之有機EL元件OLED之發光暫時中斷之情形，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間(圖36中的由符號Tz表示之期間)中，預先將相當於較原本之灰階電壓更大之灰階電壓之資料電位給予至資料線S。換言之，當將任意之有機EL元件OLED定義為目標有機EL元件時，於目標有機EL元件包含於監視列之情形時，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間中，亦可藉由源極驅動器30將相當於如下灰階電壓之資料電位給予至資料線S(j)，該灰階電壓大於目標有機EL元件包含於非監視列時之灰階電壓。藉此，抑制顯示品質之下降。
<6.其他>
本發明並不限定於上述實施形態及變化例，能夠於不脫離本發明宗旨之範圍內，進行各種變形而實施。例如，能夠適用本發明之有機EL顯示裝置並不限定於包括上述實施形態中所例示之像素電路11者。像素電路只要至少包括藉由電流控制之電光元件(有機EL元件OLED)、電晶體T1~T3、及電容器Cst，則亦可為上述實施形態中所例示之構成以外之構成。
D‧‧‧資料電位
G1‧‧‧掃描線
G2‧‧‧監視控制線
S‧‧‧資料線
Ta‧‧‧檢測準備期間
Tb‧‧‧TFT特性檢測期間
Tc‧‧‧OLED特性檢測期間
Td‧‧‧發光準備期間
THm‧‧‧與監視列相關之一個水平掃描期間
Vmg、Vm_oled、Vm_TFT‧‧‧電位

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子； 監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性 相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；上述特性檢測處理期間設於垂直掃描期間內。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中當將任意之電光元件定義為目標電光元件時，上述像素電路驅動部於上述目標電光元件包含於上述監視列之情形時，於上述發光準備期間中，將相當於如下灰階電壓之資料信號之電位給予至上述資料線，上述灰階電壓係大於上述目標電光元件包含於上述非監視列時之灰階電壓。
  3. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之 資料信號；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發 光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；上述特性檢測處理期間設於垂直回描線期間(vertical retrace line period)內。
  4. 如請求項3之顯示裝置，其中當將任意之電光元件定義為目標電光元件時，上述像素電路驅動部於上述目標電光元件包含於上述監視列之情形時，當於垂直掃描期間中進行對於上述監視列中所含之像素電路之上述資料信號之寫入時，將相當於如下灰階電壓之資料信號之電位給予至上述資料線，上述灰階電壓係大於上述目標電光元件包含於上述非監視列時之灰階電壓。
  5. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及 上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料 線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；於一個訊框期間，僅對上述像素矩陣之一列進行上述特性檢測處理。
  6. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之 電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備 期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；存在僅檢測作為上述特性檢測對象電路元件之上述驅動電晶體之特性之訊框、與僅檢測作為上述特性檢測對象電路元件之上述電光元件之特性之訊框。
  7. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監 視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；以及影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位； 當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；上述電流測定期間包含：驅動電晶體特性檢測期間，其進行用以檢測上述驅動電晶體之特性之電流測定；以及電光元件特性檢測期間，其進行用以檢測上述電光元件之特性之電流測定；上述像素電路驅動部於上述驅動電晶體特性檢測期間與上述 電光元件特性檢測期間，將作為上述第2特定電位之不同電位給予至上述資料線。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，將於上述驅動電晶體特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_TFT，且將於上述電光元件特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下式之方式決定Vmg之值：Vmg>Vm_TFT+Vth(T2) Vmg<Vm_oled+Vth(T2)此處，Vth(T2)為前驅驅動電晶體之臨限值電壓。
  9. 如請求項7之顯示裝置，其中當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，且將於上述驅動電晶體特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_TFT時，以滿足以下式之方式決定Vm_TFT之值：Vm_TFT<Vmg-Vth(T2) Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)此處，Vth(T2)為上述驅動電晶體之臨限值電壓，Vth(oled)為上述電光元件之發光臨限值電壓，ELVSS為上述電光元件之陰極之電位。
  10. 如請求項7之顯示裝置，其中當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，且將於上述電光元件特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下式之方式決定Vm_oled之值：Vm_oled>Vmg-Vth(T2) Vm_oled>ELVSS+Vth(oled)此處，Vth(T2)為上述驅動電晶體之臨限值電壓，Vth(oled)為 上述電光元件之發光臨限值電壓，ELVSS為上述電光元件之陰極之電位。
  11. 如請求項7之顯示裝置，其中當將於上述檢測準備期間給予至上述資料線之電位設為Vmg，將於上述驅動電晶體特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_TFT，且將於上述電光元件特性檢測期間給予至上述資料線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下關係之方式決定Vmg、Vm_TFT、及Vm_oled之值：Vm_TFT<Vmg-Vth(T2) Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled) Vm_oled>Vmg-Vth(T2) Vm_oled>ELVSS+Vth(oled)此處，Vth(T2)為上述驅動電晶體之臨限值電壓，Vth(oled)為上述電光元件之發光臨限值電壓，ELVSS為上述電光元件之陰極之電位。
  12. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發 光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；溫度檢測部，其檢測溫度；以及溫度變化補償部，其對於上述特性資料實施基於上述溫度檢測部所檢測出之溫度之修正；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位；當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元 件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；藉由上述溫度變化補償部實施修正後之資料作為上述修正資料而記憶於上述修正資料記憶部。
  13. 一種顯示裝置，其其特徵在於其係主動矩陣型顯示裝置，其包括：顯示部，其具有包含n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路之n列×m行之像素矩陣、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之掃描線、以對應於上述像素矩陣之各列之方式而設置之監視控制線、及以對應於上述像素矩陣之各行之方式而設置之資料線，上述n×m個(n及m為2以上之整數)像素電路分別包含藉由 電流控制亮度之電光元件及用以控制應供給至上述電光元件之電流之驅動電晶體；像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監視控制線、及上述資料線，以於訊框期間進行檢測特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，且使各電光元件對應於目標亮度而發光，上述特性檢測對象電路元件包含上述電光元件或上述驅動電晶體中之至少一者；修正資料記憶部，其記憶根據上述特性檢測處理之結果而獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料；影像信號修正部，其根據記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，生成應供給至上述n×m個像素電路之資料信號；以及記憶資訊之監視區域記憶部，該資訊確定電源斷開時，最後進行上述特性檢測處理之區域；各像素電路包含：上述電光元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述資料線，且第2導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子；監視控制電晶體，其控制端子連接於上述監視控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述電光元件之陽極，且第2導通端子連接於上述資料線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被給予驅動電源電位；以及第1電容器，其一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位； 當將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監視列，且將上述監視列以外之列定義為非監視列時，上述訊框期間中包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行針對上述監視列而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定流入至上述資料線之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；以及發光準備期間，其進行針對上述監視列而使上述電光元件發光之準備；上述像素電路驅動部係驅動上述掃描線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述輸入電晶體成為導通狀態，且於上述電流測定期間，上述輸入電晶體成為斷開狀態，驅動上述監視控制線，使得於上述檢測準備期間及上述發光準備期間，上述監視控制電晶體成為斷開狀態，且於上述電流測定期間，上述監視控制電晶體成為導通狀態，於上述檢測準備期間，將根據上述電光元件之特性及上述驅動電晶體之特性而決定之第1特定電位給予至上述資料線，於上述電流測定期間，將第2特定電位給予至上述資料線，上述第2特定電位係用以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相對應之電流流入至上述資料線，於上述發光準備期間，將與上述電光元件之目標亮度相對應之電位給予至上述資料線；電源導通之後，自根據上述監視區域記憶部中所記憶之資訊而獲得之區域附近的區域起，進行上述特性檢測處理。
TW103122412A 2013-06-27 2014-06-27 Display device and method of driving the same TWI601115B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013134638 2013-06-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201506884A TW201506884A (zh) 2015-02-16
TWI601115B true TWI601115B (zh) 2017-10-01

Family

ID=52141799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103122412A TWI601115B (zh) 2013-06-27 2014-06-27 Display device and method of driving the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9430968B2 (zh)
JP (1) JP6138254B2 (zh)
CN (1) CN105247603B (zh)
TW (1) TWI601115B (zh)
WO (1) WO2014208459A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI781442B (zh) * 2020-09-18 2022-10-21 大陸商宸鴻科技（廈門）有限公司 顯示裝置和顯示方法

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015197477A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 ソニー株式会社 信号処理方法、表示装置、及び電子機器
JP6284636B2 (ja) * 2014-06-10 2018-02-28 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
WO2015199051A1 (ja) * 2014-06-23 2015-12-30 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
KR102316986B1 (ko) * 2014-12-09 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN107111986B (zh) * 2015-01-19 2020-06-23 夏普株式会社 显示装置以及其驱动方法
KR102242034B1 (ko) * 2015-02-04 2021-04-21 삼성디스플레이 주식회사 전류 센싱 회로 및 이를 포함한 유기전계발광 표시장치
US10269301B2 (en) 2015-03-27 2019-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and drive method therefor
CN107533825B (zh) * 2015-04-02 2020-05-01 夏普株式会社 显示装置
CN104882100A (zh) * 2015-06-29 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 检测电路、方法和像素电路
US10573209B2 (en) * 2015-10-09 2020-02-25 Apple Inc. Systems and methods for indirect threshold voltage sensing in an electronic display
US10614757B2 (en) 2015-12-02 2020-04-07 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible display device and method for detecting bending state thereof
KR102423861B1 (ko) * 2016-04-08 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 전류 센싱형 센싱 유닛과 그를 포함한 유기발광 표시장치
CN106328059B (zh) 2016-09-07 2017-10-27 京东方科技集团股份有限公司 用于电学补偿的存储器中数据更新的方法和装置
US10545242B2 (en) * 2016-09-14 2020-01-28 Apple Inc. Systems and methods for in-frame sensing and adaptive sensing control
US20180075798A1 (en) * 2016-09-14 2018-03-15 Apple Inc. External Compensation for Display on Mobile Device
US10573234B2 (en) 2016-09-14 2020-02-25 Apple Inc. Systems and methods for in-frame sensing and adaptive sensing control
KR102650339B1 (ko) * 2016-12-27 2024-03-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
CN106782333B (zh) * 2017-02-23 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 Oled像素的补偿方法和补偿装置、显示装置
CN106910463B (zh) * 2017-04-28 2021-03-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled驱动电路及显示装置
US10424247B2 (en) 2017-04-28 2019-09-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd AMOLED driving circuit and AMOLED display device
CN108877650B (zh) * 2017-05-12 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动补偿方法、显示基板和显示装置
US10943516B2 (en) * 2017-05-15 2021-03-09 Apple Inc. Systems and methods of utilizing output of display component for display temperature compensation
US11189201B2 (en) * 2017-11-22 2021-11-30 Ignis Innovation Inc. Display, pixel circuit, and method
CN111971739B (zh) * 2018-03-30 2022-05-17 夏普株式会社 显示装置的驱动方法以及显示装置
KR102661852B1 (ko) * 2018-08-13 2024-04-30 삼성디스플레이 주식회사 센싱 동작을 수행하는 표시 장치
WO2020053693A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の動作方法
KR102750942B1 (ko) * 2018-10-30 2025-01-08 엘지디스플레이 주식회사 게이트 드라이버와 이를 포함한 유기발광 표시장치
CN109545141A (zh) * 2018-12-14 2019-03-29 昆山国显光电有限公司 显示面板、像素电路及其驱动方法
US11430387B2 (en) 2019-03-29 2022-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and driving method therefor
JP7345268B2 (ja) * 2019-04-18 2023-09-15 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置及びその制御方法
US11854478B2 (en) * 2019-05-31 2023-12-26 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and drive method for same
WO2021079423A1 (ja) * 2019-10-23 2021-04-29 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
US11164540B2 (en) 2019-12-11 2021-11-02 Apple, Inc. Burn-in statistics with luminance based aging
US11164541B2 (en) 2019-12-11 2021-11-02 Apple, Inc. Multi-frame burn-in statistics gathering
JP7523106B2 (ja) * 2020-02-12 2024-07-26 深▲セン▼通鋭微電子技術有限公司 表示装置
CN111312129A (zh) * 2020-02-28 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、发光器件老化的检测补偿方法及显示基板
US11874997B2 (en) * 2020-11-27 2024-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device equipped with touch panel and control method therefor
WO2025041184A1 (ja) * 2023-08-18 2025-02-27 シャープ株式会社 制御装置およびそれを備えた表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010281874A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Casio Computer Co Ltd 発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器
TW201137830A (en) * 2010-04-14 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and method for driving the same
TW201232514A (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device aging compensation with multilevel drive

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195810A (ja) * 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
KR100560780B1 (ko) * 2003-07-07 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
KR20070101275A (ko) 2004-12-15 2007-10-16 이그니스 이노베이션 인크. 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템
CA2490860A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Ignis Innovation Inc. Real-time calibration scheduling method and algorithm for amoled displays
KR100671669B1 (ko) * 2006-02-28 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동부 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치와 그의구동방법
JP4424346B2 (ja) 2006-12-11 2010-03-03 カシオ計算機株式会社 駆動回路及び駆動装置
JP2009042486A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2010134169A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Panasonic Corp アクティブマトリクス型表示装置及びそのような表示装置の検査方法並びに製造方法
JP2011141418A (ja) * 2010-01-07 2011-07-21 Sony Corp 表示装置、光検出方法、電子機器
CN103500712B (zh) * 2010-12-03 2016-05-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
EP2715710B1 (en) * 2011-05-27 2017-10-18 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
CN102768821B (zh) * 2012-08-07 2015-02-18 四川虹视显示技术有限公司 Amoled显示器及其驱动方法
CN102881257B (zh) * 2012-10-18 2015-02-04 四川虹视显示技术有限公司 主动式有机发光二极管显示器及其驱动方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010281874A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Casio Computer Co Ltd 発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器
TW201137830A (en) * 2010-04-14 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and method for driving the same
TW201232514A (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device aging compensation with multilevel drive

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI781442B (zh) * 2020-09-18 2022-10-21 大陸商宸鴻科技（廈門）有限公司 顯示裝置和顯示方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9430968B2 (en) 2016-08-30
CN105247603B (zh) 2017-07-11
CN105247603A (zh) 2016-01-13
JPWO2014208459A1 (ja) 2017-02-23
US20160111044A1 (en) 2016-04-21
TW201506884A (zh) 2015-02-16
JP6138254B2 (ja) 2017-05-31
WO2014208459A1 (ja) 2014-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI601115B (zh) Display device and method of driving the same
TWI581237B (zh) A display device and a driving method thereof
US9697769B2 (en) Display device and drive method for same
CN106165007B (zh) 显示装置及其驱动方法
US9837016B2 (en) Display device and drive method therefor
CN105190739B (zh) 显示装置及其驱动方法
US11257430B2 (en) Drive method and display device
KR102006382B1 (ko) 화소, 이를 포함하는 표시장치 및 그 구동 방법
WO2016158745A1 (ja) 表示装置
KR20180075054A (ko) 유기발광소자표시장치
KR20140064483A (ko) 화소, 이를 포함하는 표시장치 및 그 구동 방법