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TWI581237B - A display device and a driving method thereof - Google Patents

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TWI581237B
TWI581237B TW103129605A TW103129605A TWI581237B TW I581237 B TWI581237 B TW I581237B TW 103129605 A TW103129605 A TW 103129605A TW 103129605 A TW103129605 A TW 103129605A TW I581237 B TWI581237 B TW I581237B
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TW
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data
monitoring
signal line
Prior art date
Application number
TW103129605A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201525966A (zh
Inventor
Noritaka Kishi
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of TW201525966A publication Critical patent/TW201525966A/zh
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Publication of TWI581237B publication Critical patent/TWI581237B/zh

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Description

顯示裝置及其驅動方法
本發明係關於顯示裝置及其驅動方法，更詳細為關於具備包含有機EL(Electro Luminescence：電致發光)元件等光電元件之像素電路之顯示裝置及其驅動方法。
自先前以來，作為顯示裝置所具備之顯示元件，有藉由施加之電壓控制亮度之光電元件與藉由流通之電流控制亮度之光電元件。作為藉由施加之電壓控制亮度之光電元件之代表例，例舉液晶顯示元件。另一方面，作為藉由流通之電流控制亮度之光電元件之代表例，例舉有機EL元件。有機EL元件亦稱為OLED(Organic Light-Emitting Diode：有機發光二極體)。使用自發光型之光電元件即有機EL元件之有機EL顯示裝置與需要背光源及彩色濾光片等之液晶顯示裝置比較，可更容易謀求薄型化、低消耗電力化、高亮度化等。因此，近年來，正積極發展有機EL顯示裝置之開發。
作為有機EL顯示裝置之驅動方式，已知有被動矩陣方式(亦稱為單純矩陣方式)與主動矩陣方式。採用被動矩陣方式之有機EL顯示裝置雖構造單純，但難以大型化及高精細化。對此，採用主動矩陣方式之有機EL顯示裝置(以下稱為「主動矩陣型之有機EL顯示裝置」)與採用被動矩陣方式之有機EL顯示裝置比較，可更容易實現大型化及高精細化。
於主動矩陣型之有機EL顯示裝置中，矩陣狀地形成有複數個像 素電路。典型而言，主動矩陣型之有機EL顯示裝置之像素電路包含選擇像素之輸入電晶體、即控制對有機EL元件之電流供給之驅動電晶體。另，於以下中，有將自驅動電晶體流動至有機EL元件之電流稱為「驅動電流」之情形。
圖32係顯示先前之一般之像素電路91之構成之電路圖。該像素電路91係對應於配設於顯示部之複數個資料信號線S與複數個掃描線G之各交叉點而設置。如圖32所示，該像素電路91具備2個電晶體T1、T2、1個電容器Cst、及1個有機EL元件OLED。電晶體T1係輸入電晶體，電晶體T2係驅動電晶體。
電晶體T1設置於資料信號線S與電晶體T2之閘極端子之間。關於該電晶體T1，閘極端子連接於掃描線G，源極端子連接於資料信號線S。電晶體T2係與有機EL元件OLED串聯地設置。關於該電晶體T2，汲極端子連接於供給高位準電源電壓ELVDD之電源線，源極端子連接於有機EL元件OLED之陽極端子。另，以下將供給高位準電源電壓ELVDD之電源線稱為「高位準電源線」，對高位準電源線標註與高位準電源電壓相同之符號ELVDD。關於電容器Cst，一端連接於電晶體T2之閘極端子，另一端連接於電晶體T2之源極端子。有機EL元件OLED之陰極端子連接於供給低位準電源電壓ELVSS之電源線。另，以下將供給低位準電源電壓ELVSS之電源線稱為「低位準電源線」，對低位準電源線標註與低位準電源電壓相同之符號ELVSS。又，此處，為便利起見，將電晶體T2之閘極端子、電容器Cst之一端、及電晶體T1之汲極端子之連接點稱為「閘極節點VG」。另，一般而言，汲極與源極中電位較高者稱為汲極，但於本說明書之說明中，由於將一者定義為汲極，將另一者定義為源極，故亦有源極電位較汲極電位更高之狀況。
圖33係用以說明圖32所示之像素電路91之動作之時序圖。於時 刻t1以前，掃描線G為非選擇狀態。因此，於時刻t1以前，電晶體T1為斷開狀態，閘極節點VG之電位維持初始位準(例如，與前1個訊框中之寫入相應之位準)。於時刻t1時，掃描線G為選擇狀態，電晶體T1接通。藉此，經由資料信號線S及電晶體T1，將與該像素電路91形成之像素(子像素)之亮度對應之資料電壓Vdata供給至閘極節點VG。此後，至時刻t2之期間，閘極節點VG之電位係根據資料電壓Vdata發生變化。此時，電容器Cst係充電為閘極節點VG之電位與電晶體T2之源極電位之差即閘極-源極間電壓Vgs。於時刻t2時，掃描線G為非選擇狀態。藉此，電晶體T1斷開，電容器Cst所保持之閘極-源極間電壓Vgs確定。電晶體T2係根據電容器Cst所保持之閘極-源極間電壓Vgs將驅動電流供給至有機EL元件OLED。其結果，有機EL元件OLED以與驅動電流相應之亮度進行發光。
然而，於有機EL顯示裝置中，典型而言，採用薄膜電晶體(TFT)作為驅動電晶體。然而，關於薄膜電晶體，容易於閾值電壓產生不均。當於設置於顯示部內之驅動電晶體產生閾值電壓之不均時，由於產生亮度之不均，故而顯示品質降低。因此，先前以來有人提出抑制有機EL顯示裝置之顯示品質降低之技術。例如，於日本特開2005-31630號公報中，揭示有補償驅動電晶體之閾值電壓之不均之技術。又，於日本特開2003-195810號公報及日本特開2007-128103號公報中，揭示有將自像素電路流動至有機EL元件OLED之電流設為一定之技術。再者，於日本特開2007-233326號公報中，揭示有不論驅動電晶體之閾值電壓或電子遷移率均顯示均一亮度之圖像之技術。
根據上述先前技術，即使於設置於顯示部內之驅動電晶體產生閾值電壓之不均，亦可根據所期望之亮度(目標亮度)將一定電流供給至有機EL元件(發光元件)。然而，關於有機EL元件，電流效率隨著時間之經過而降低。即，即使對有機EL元件供給一定電流，隨著時間 之經過，亮度亦逐漸降低。其結果，產生殘像。
根據以上，若對驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化不進行任何補償，則如圖34所示，產生因驅動電晶體之劣化引起之電流降低且產生因有機EL元件之劣化引起之亮度降低。又，即使對驅動電晶體之劣化進行補償，亦如圖35所示，隨著時間經過，產生因有機EL元件之劣化引起之亮度降低。因此，於日本特表2008-523448號公報中，除基於驅動電晶體之特性修正資料之技術外，亦揭示有基於有機EL元件OLED之特性修正資料之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-31630號公報
[專利文獻2]日本特開2003-195810號公報
[專利文獻3]日本特開2007-128103號公報
[專利文獻4]日本特開2007-233326號公報
[專利文獻5]日本特表2008-523448號公報
然而，根據揭示於日本特表2008-523448號公報之技術，於選擇期間中只能檢測驅動電晶體或有機EL元件之任一者之特性。因此，無法同時補償驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化兩者。
又，欲以可進行驅動電晶體之特性之檢測與有機EL元件之特性之檢測之方式構成顯示裝置之情形時，期望儘可能不增大電路規模。理由係若電路規模增大，則於謀求例如低消耗電力化或小型化方面不利。關於該點，於揭示於日本特表2008-523448號公報之技術中，如圖36所示，除了用以將資料信號供給至像素電路之資料信號線VDATA以外，且設置有用於特性檢測之電流檢測用之監控線 MONITOR。因此，電路規模之增大程度較大。
因此，本發明之目的在於實現可抑制電路規模之增大且補償電路元件之劣化之顯示裝置(尤其是可同時補償驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化兩者之顯示裝置)。
本發明之第1態樣之特徵在於：其係主動矩陣型之顯示裝置，且包含：顯示部，其具有：n列×m行之像素矩陣，其包含n×m個(n及m係2以上之整數)像素電路，該n×m個像素電路分別包含藉由電流控制亮度之光電元件、及用以控制應供給於上述光電元件之電流之驅動電晶體；掃描線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；監控控制線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；及資料信號線，其係以與上述像素矩陣之各行對應之方式設置；像素電路驅動部，其係以於訊框期間進行檢測包含上述光電元件或上述驅動電晶體之至少一者之特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，使各光電元件根據目標亮度進行發光之方式，驅動上述掃描線、上述監控控制線、及上述資料信號線；修正資料記憶部，其係將基於上述特性檢測處理之結果所獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料加以記憶；及影像信號修正部，其係基於記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，且產生應供給於上述n×m個像素電路之資料信號；且各像素電路包含：上述光電元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子，第2導通端子連接於上述資料信號 線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被賦予驅動電源電位；監控控制電晶體，其控制端子連接於上述監控控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述光電元件之陽極，第2導通端子連接於上述資料信號線；第1電容器，其用以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位，且一端連接於上述驅動電晶體之控制端子；且上述像素電路驅動部包含：輸出/電流監控電路，其具有將上述資料信號施加至上述資料信號線之功能，及取得與上述資料信號線中流動之電流之大小相應之資料作為成為上述特性資料之基礎之監控資料之功能；及AD轉換電路，其係將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且上述輸出/電流監控電路包含：內部資料線，其連接於上述資料信號線；運算放大器，其非反轉輸入端子被賦予上述資料信號，且反轉輸入端子連接於上述內部資料線；第2電容器，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第1控制開關，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第2控制開關，其一端連接於上述資料信號線，另一端連接於上述內部資料線；上述AD轉換電路係對複數個上述輸出/電流監控電路各設置1個，將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監控列，將上述監控列以外之列定義為非監控列時，於訊框期間包含特性檢測處理 期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其進行於上述監控列檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其藉由測定上述資料信號線中流動之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；及發光準備期間，其進行於上述監控列使上述光電元件發光之準備；於上述電流測定期間中包含：資料信號線充電期間，其係以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相應之大小之電流流動於上述資料信號線之方式對上述資料信號線進行充電；監控期間，其係藉由將上述資料信號線中流動之電流之時間積分值累積於上述第2電容器而取得上述監控資料；及AD轉換期間，其係使上述AD轉換電路將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且於上述AD轉換期間中，藉由將上述第2控制開關設為斷開狀態，而電性切斷上述資料信號線與上述內部資料線，且於上述AD轉換電路中，將藉由對應之複數個上述輸出/電流監控電路分別取得之複數個上述監控資料依序自類比值轉換為數位值。
本發明之第2態樣係如本發明之第1態樣，其中上述電流測定期間包含：驅動電晶體特性檢測期間，其係進行用以檢測上述驅動電晶體之特性之電流測定；及光電元件特性檢測期間，其係進行用以檢測上述光電元件之特性之電流測定。
本發明之第3態樣係如本發明之第2態樣，其中上述輸出/電流監控電路進而包含：第3控制開關，其一端連接於上述資料信號線，另一端連接於特定之控制線，於上述電流測定期間中之上述驅動電晶體特性檢測期間，於上述AD轉換期間，藉由將上述第3控制開關設為接通狀態而電性連接上述資料信號線與上述控制線，且對上述控制線賦予與上述資料信號線 充電期間內賦予至上述資料信號線之電位之大小相等大小之電位。
本發明之第4態樣係如本發明之第3態樣，其中於上述電流測定期間中之上述光電元件特性檢測期間中，於上述AD轉換期間，以上述資料信號線成為高阻抗狀態之方式，而將上述第3控制開關設為斷開狀態且將上述監控控制電晶體設為斷開狀態。
本發明之第5態樣係如本發明之第3態樣，其中於上述電流測定期間中之上述光電元件特性檢測期間中，於上述AD轉換期間，藉由將上述第3控制開關設為接通狀態而電性連接上述資料信號線與上述控制線，且對上述控制線賦予與上述資料信號線充電期間內賦予至上述資料信號線之電位之大小實質上相等大小之電位。
本發明之第6態樣係如本發明之第3態樣，其中於上述電流測定期間中之上述光電元件特性檢測期間中，於上述AD轉換期間，藉由將上述第3控制開關設為接通狀態而電性連接上述資料信號線與上述控制線，且對上述控制線賦予與上述資料信號線充電期間內應賦予至上述資料信號線之電位相近之一定大小之電位。
本發明之第7態樣係如本發明之第2態樣，其中將上述檢測準備期間內賦予至上述資料信號線之電位設為Vmg，將上述驅動電晶體特性檢測期間內賦予至上述資料信號線之電位設為Vm_TFT，將上述光電元件特性檢測期間內賦予至上述資料信號線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下關係之方式決定Vmg、Vm_TFT、及Vm_oled之值。
Vm_TFT<Vmg-Vth(T2)
Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)
Vm_oled>Vmg-Vth(T2)
Vm_oled>ELVSS+Vth(oled)
此處，Vth(T2)係上述驅動電晶體之閾值電壓，Vth(oled)係上述光電元件之發光閾值電壓，ELVSS係上述光電元件之陰極之電位。
本發明之第8態樣係如本發明之第1態樣，其中 上述特性檢測處理期間設置於垂直返馳期間內。
本發明之第9態樣係如本發明之第8態樣，其中將任意之光電元件定義為著眼光電元件時，上述像素電路驅動部係於上述著眼光電元件包含於上述監控列之情形時，於垂直掃描期間進行對上述監控列所含之像素電路之上述資料信號之寫入時，將相當於較上述著眼光電元件包含於上述非監控列之情形之階度電壓更大之階度電壓之資料信號之電位賦予至上述資料信號線。
本發明之第10態樣係如本發明之第1態樣，其中上述特性檢測處理期間設置於垂直掃描期間內。
本發明之第11態樣係如本發明之第1態樣，其中於用以檢測1個上述特性檢測對象電路元件之特性之電流測定期間中，複數次反復包含上述資料信號線充電期間、上述監控期間及上述AD轉換期間之循環。
本發明之第12態樣係如本發明之第1態樣，其中於1個訊框期間進行僅對上述光電元件或上述驅動電晶體之任一者之上述特性檢測處理。
本發明之第13態樣之特徵在於：其係顯示裝置之驅動方法，該顯示裝置具備：n列×m行之像素矩陣，其包含n×m個(n及m係2以上之整數)像素電路，該n×m個像素電路分別包含藉由電流控制亮度之光電元件、及用以控制應供給於上述光電元件之電流之驅動電晶體；掃描線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；監控控制線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；資料信號線，其係以與 上述像素矩陣之各行對應之方式設置；及像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監控控制線、及上述資料信號線；且該驅動方法包含：特性檢測步驟，其係於訊框期間檢測包含上述光電元件或上述驅動電晶體之至少一者之特性檢測對象電路元件之特性；修正資料記憶步驟，其係將基於上述特性檢測步驟之檢測結果獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料，記憶於預先準備之修正資料記憶部；影像信號修正步驟，其係基於記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，且產生應供給於上述n×m個像素電路之資料信號；且各像素電路包含：上述光電元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子，第2導通端子連接於上述資料信號線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被賦予驅動電源電位；監控控制電晶體，其控制端子連接於上述監控控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述光電元件之陽極，第2導通端子連接於上述資料信號線；第1電容器，其用以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位，且一端連接於上述驅動電晶體之控制端子；且上述像素電路驅動部包含：輸出/電流監控電路，其具有將上述資料信號施加至上述資料信號線之功能，及取得與上述資料信號線中流動之電流之大小相應之資料作為成為上述特性資料之基礎之監控資料之功能；及 AD轉換電路，其係將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且上述輸出/電流監控電路包含：內部資料線，其連接於上述資料信號線；運算放大器，其非反轉輸入端子被賦予上述資料信號，且反轉輸入端子連接於上述內部資料線；第2電容器，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第1控制開關，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第2控制開關，其一端連接於上述資料信號線，另一端連接於上述內部資料線；上述AD轉換電路係對複數個上述輸出/電流監控電路各設置1個，將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監控列，將上述監控列以外之列定義為非監控列時，上述特性檢測步驟包含：檢測準備步驟，其係進行於上述監控列檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定步驟，其係藉由測定上述資料信號線中流動之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；及發光準備步驟，其係進行於上述監控列使上述光電元件發光之準備；上述電流測定步驟包含：資料信號線充電步驟，其係以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相應之大小之電流流動於上述資料信號線之方式對上述資料信號線進行充電； 監控步驟，其係藉由將上述資料信號線中流動之電流之時間積分值累積於上述第2電容器而取得上述監控資料；AD轉換步驟，其係藉由上述AD轉換電路將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且於上述AD轉換步驟中，藉由將上述第2控制開關設為斷開狀態，而電性切斷上述資料信號線與上述內部資料線，且於上述AD轉換電路中，將藉由對應之複數個上述輸出/電流監控電路分別取得之複數個上述監控資料依序自類比值轉換為數位值。
根據本發明之第1態樣，於具有包含藉由電流控制亮度之光電元件(例如有機EL元件)與用以控制應供給於該光電元件之電流之驅動電晶體的像素電路之顯示裝置中，於訊框期間進行電路元件(光電元件或驅動電晶體之至少一者)之特性之檢測。接著，使用考慮該檢測結果所獲得之修正資料修正影像信號。由於基於如此修正之影像信號之資料信號係供給至像素電路，故將如補償電路元件之劣化之大小之驅動電流供給至光電元件。此處，電路元件之特性係藉由測定資料信號線中流動之電流而檢測出。即，資料信號線不僅作為傳達用以使各像素電路內之光電元件以所期望之亮度發光之信號之信號線使用，亦作為特性檢測用之信號線使用。因此，無需為了檢測電路元件之特性而將新的信號線設置於顯示部內。故，可抑制電路規模之增大，且補償電路元件之劣化。
又，於AD轉換期間，藉由使第2開關為斷開狀態，將監控期間取得之類比資料保持於輸出/電流監控電路內。利用保持類比資料此功能(取樣保持功能)，以複數行共有AD轉換電路。藉此，隨著設為可檢測電路元件特性之構成，可有效地抑制電路規模之增大。
根據本發明之第2態樣，於訊框期間進行光電元件及驅動電晶體之特性之檢測。因此，可有效地抑制電路規模之增大，且可補償光電元件之劣化及驅動電晶體之劣化兩者。
根據本發明之第3態樣，於驅動電晶體特性檢測期間內之AD轉換期間，電性切斷資料信號線與內部資料線，將與該AD轉換期間之前之資料信號線之電位相等大小之電位自控制線賦予至資料信號線。因此，防止因AD轉換電路之共有化引起於AD轉換中資料信號線之電位變動之狀況。又，由於以極短時間進行資料信號線之再充電，故可反復進行用於特性檢測之電流測定。藉此，可於用以檢測驅動電晶體之特性之電流測定時確保充分之S/N比。
根據本發明之第4態樣，於光電元件特性檢測期間內之AD轉換期間，將資料信號線設為高阻抗狀態。因此，防止因AD轉換電路之共有化引起於AD轉換中資料信號線之電位變動之狀況。又，由於以極短時間進行資料信號線之再充電，故可反復進行用於特性檢測之電流測定。藉此，可於用以檢測光電元件之特性之電流測定時確保充分之S/N比。
根據本發明之第5態樣，於光電元件特性檢測期間內之AD轉換期間，電性切斷資料信號線與內部資料線，將與該AD轉換期間之前之資料信號線之電位相等大小之電位自控制線賦予至資料信號線。因此，防止因AD轉換電路之共有化引起於AD轉換中資料信號線之電位變動之狀況。又，由於以極短時間進行資料信號線之再充電，故可反復進行用於特性檢測之電流測定。藉此，可於用以檢測光電元件之特性之電流測定時確保充分之S/N比。
根據本發明之第6態樣，與本發明之第5態樣相同，可於用以檢測光電元件之特性之電流測定時確保充分之S/N比。
根據本發明之第7態樣，於驅動電晶體特性檢測期間，使驅動電 晶體確實為接通狀態且光電元件確實為斷開狀態。又，於光電元件特性檢測期間，使驅動電晶體確實為斷開狀態且光電元件確實為接通狀態。
根據本發明之第8態樣，對監控列，於垂直掃描期間之寫入後、垂直返馳期間中之發光準備期間進行再次寫入。關於此，為實現發光準備期間之寫入，於垂直掃描期間之寫入後，必須保持該資料。關於該點，由於應保持之資料不過是1列量之資料，故記憶體容量之增大係略微。對此，於將特性檢測處理期間設置於垂直掃描期間內之構成中，亦有需要數十列量之列記憶體。根據以上，與將特性檢測處理期間設置於垂直掃描期間內之構成比較，可減少所必要之記憶體容量。
根據本發明之第9態樣，考慮於監控列中光電元件於垂直返馳期間中暫時熄滅之狀況而調整資料信號之電位。因此，抑制顯示品質之降低。
根據本發明之第10態樣，與將特性檢測處理期間設置於垂直返馳期間內之構成不同，監控列之與目標亮度相應之寫入係只要於1個訊框期間進行1次即可。
根據本發明之第11態樣，於用以檢測特性檢測對象電路元件之特性之各電流測定期間，複數次反復電流之測定。因此，可確保充分之S/N比。
根據本發明之第12態樣，藉由於每1個訊框期間僅對光電元件或驅動電晶體中之任一者進行特性檢測處理，充分地確保AD轉換後用以傳送AD轉換所獲得之資料之時間。
根據本發明之第13態樣，可於顯示裝置之驅動方法之發明中發揮與本發明之第1態樣相同之效果。
1‧‧‧有機EL顯示裝置
10‧‧‧顯示部
11‧‧‧像素電路
20‧‧‧控制電路
30‧‧‧源極驅動器
31‧‧‧驅動信號產生電路
32‧‧‧信號轉換電路
33‧‧‧輸出部
40‧‧‧閘極驅動器
50‧‧‧修正資料記憶部
51a‧‧‧TFT用偏移記憶體
51b‧‧‧OLED用偏移記憶體
52a‧‧‧TFT用增益記憶體
52b‧‧‧OLED用增益記憶體
70‧‧‧非揮發性記憶體
71‧‧‧箭頭符號
72‧‧‧箭頭符號
73‧‧‧箭頭符號
74‧‧‧箭頭符號
75‧‧‧箭頭符號
76‧‧‧箭頭符號
91‧‧‧像素電路
211‧‧‧LUT
212‧‧‧乘法部
213‧‧‧乘法部
214‧‧‧加法部
215‧‧‧加法部
216‧‧‧乘法部
221‧‧‧乘法部
222‧‧‧加法部
230‧‧‧CPU
311‧‧‧邏輯部
321‧‧‧D/A轉換器
322‧‧‧選擇器
323‧‧‧偏移電路
324‧‧‧A/D轉換器
330‧‧‧輸出/電流監控電路
331‧‧‧運算放大器
332‧‧‧電容器
333‧‧‧開關
334‧‧‧開關
335‧‧‧開關
B1‧‧‧增益值
B2‧‧‧劣化修正係數
CL‧‧‧控制線
CLK1‧‧‧控制時脈信號
CLK2‧‧‧控制時脈信號
CLK2B‧‧‧控制時脈信號
Cst‧‧‧電容器
DA‧‧‧資料信號
D(i，j)‧‧‧資料電位
ELVDD‧‧‧高位準電源電壓/高位準電源線
ELVSS‧‧‧低位準電源電壓/低位準電源線
G‧‧‧掃描線
G1‧‧‧掃描線
G1(1)~G1(n)‧‧‧掃描線
G2‧‧‧監控控制線
G2(1)~G1(n)‧‧‧監控控制線
GCTL‧‧‧閘極控制信號
MO‧‧‧監控資料
OLED‧‧‧有機EL元件
P‧‧‧灰階
Pre_Vm_oled‧‧‧修正前之Vm_oled
S‧‧‧資料信號線
S110~S160‧‧‧步驟
S210~S250‧‧‧步驟
SCTL‧‧‧源極控制信號
S(j)‧‧‧資料信號線
S(1)~S(m)‧‧‧資料信號線
Sin‧‧‧內部資料線
Sin(j)‧‧‧內部資料線
Sin(1)~S(m)‧‧‧內部資料線
t1‧‧‧時刻
t2‧‧‧時刻
T1‧‧‧電晶體
T2‧‧‧電晶體
T3‧‧‧電晶體
Ta‧‧‧檢測準備期間
Tb‧‧‧TFT特性檢測期間
Tb1‧‧‧資料信號線充電期間
Tb2‧‧‧監控期間
Tb3‧‧‧AD轉換期間
Tb4‧‧‧資料信號線充電期間
Tb5‧‧‧監控期間
Tb6‧‧‧AD轉換期間
Tc‧‧‧OLED特性檢測期間
Tc1‧‧‧資料信號線充電期間
Tc2‧‧‧監控期間
Tc3‧‧‧AD轉換期間
Tc4‧‧‧資料信號線充電期間
Tc5‧‧‧監控期間
Tc6‧‧‧AD轉換期間
Td‧‧‧發光準備期間
Tf‧‧‧垂直返馳期間
THm‧‧‧針對監控列之1水平掃描期間
THn‧‧‧針對非監控列之1水平掃描期間
TL‧‧‧發光期間
Tv‧‧‧垂直掃描期間
Tz‧‧‧垂直掃描期間Tv中之選擇期間
Vc‧‧‧控制電壓
VDATA‧‧‧資料信號線
Vdata‧‧‧資料電位/資料電壓
VG‧‧‧閘極節點
Vmg‧‧‧電位
Vm_TFT‧‧‧電位
Vm_oled‧‧‧電位
Vs‧‧‧類比電壓
Vt1‧‧‧偏移值
Vt2‧‧‧偏移值
Z‧‧‧係數
圖1係顯示本發明之一實施形態中像素電路、輸出/電流監控電 路、及信號轉換電路之詳細構成之電路圖。
圖2係顯示上述實施形態之主動矩陣型有機EL顯示裝置之整體構成之方塊圖。
圖3係用以說明上述實施形態中閘極驅動器之動作之時序圖。
圖4係用以說明上述實施形態中閘極驅動器之動作之時序圖。
圖5係用以說明上述實施形態中閘極驅動器之動作之時序圖。
圖6係用以說明上述實施形態中輸出部內之輸出/電流監控電路之輸入輸出信號之圖。
圖7係用以說明上述實施形態中藉由控制時脈信號CLK1之控制調整積分時間之長度之圖。
圖8係用以說明上述實施形態中A/D轉換器之共有之圖。
圖9係用以說明上述實施形態中各列之動作之變化之圖。
圖10係用以說明上述實施形態中監控列所含之像素電路(i列j行之像素電路)之動作之時序圖。
圖11係用以說明上述實施形態中進行普通動作時之電流流動之圖。
圖12係用以說明上述實施形態中針對監控列之1水平掃描期間之詳情之時序圖。
圖13係用以說明上述實施形態中檢測準備期間之電流流動之圖。
圖14係用以說明上述實施形態中TFT特性檢測期間內之期間Tb2之電流流動之圖。
圖15係用以說明上述實施形態中TFT特性檢測期間內之期間Tb3之電路狀態之圖。
圖16係用以說明上述實施形態中OLED特性檢測期間內之期間Tc2之電流流動之圖。
圖17係用以說明上述實施形態中發光準備期間之電流流動之圖。
圖18係用以說明上述實施形態中發光期間之電流流動之圖。
圖19係比較上述實施形態中監控列之1個訊框期間與非監控列之1個訊框期間之圖。
圖20係用以說明上述實施形態中修正資料記憶部內之修正資料之更新程序之流程圖。
圖21係用以說明上述實施形態中影像信號之修正之圖。
圖22係用以說明上述實施形態中與TFT特性及OLED特性之檢測關聯之動作之概略之流程圖。
圖23係用以說明上述實施形態之效果之圖。
圖24係用以說明上述實施形態之效果之圖。
圖25係用以說明上述實施形態之第2變化例中監控列所含之像素電路(i列j行之像素電路)之動作之時序圖。
圖26係用以說明上述實施形態之第2變化例中針對監控列之1水平掃描期間之詳情之時序圖。
圖27係顯示上述實施形態之第2變化例中，自圖1所示之構成削除控制線CL及開關335之構成之電路圖。
圖28係用以說明1個訊框期間之構成之圖。
圖29係用以說明上述實施形態之第3變化例中監控列所含之像素電路(設為i列j行之像素電路)之垂直返馳期間中之動作之時序圖。
圖30係用以說明上述實施形態之第3變化例中垂直返馳期間之詳情之時序圖。
圖31係用以說明上述實施形態之第3變化例中監控列所含之像素電路(設為i列j行之像素電路)之1個訊框期間中之動作之時序圖。
圖32係顯示先前之一般像素電路之構成之電路圖。
圖33係用以說明圖32所示之像素電路之動作之時序圖。
圖34係用以說明對驅動電晶體之劣化及有機EL元件之劣化不進行任何補償之情形之圖。
圖35係用以說明僅對驅動電晶體之劣化進行補償之情形之圖。
圖36係日本特表2008-523448號公報之圖14。
以下，參照附加圖式，對本發明之一實施形態進行說明。另，以下，假定m及n係2以上之整數，i係1以上n以下之整數，j係1以上m以下之整數。又，以下，將設置於像素電路內之驅動電晶體之特性稱為「TFT特性」，將設置於像素電路內之有機EL元件之特性稱為「OLED特性」。
<1.整體構成>
圖2係顯示本發明之一實施形態之主動矩陣型之有機EL顯示裝置1之整體構成之方塊圖。該有機EL顯示裝置1具備顯示部10、控制電路20、源極驅動器(資料信號線驅動電路)30、閘極驅動器(掃描線驅動電路)40、及修正資料記憶部50。於本實施形態中，藉由源極驅動器30及閘極驅動器40實現像素電路驅動部。另，亦可為源極驅動器30及閘極驅動器40之一者或兩者與顯示部10形成為一體之構成。
於顯示部10中，配設有m條資料信號線S(1)~S(m)及與其等正交之n條掃描線G(1)~G(n)。以下，將資料信號線之延伸方向設為Y方向，將掃描線之延伸方向設為X方向。有將沿著Y方向之構成要素稱為「行」之情形，且有將沿著X方向之構成要素成為「列」之情形。又，於顯示部10中，以與n條掃描線G1(1)~G1(n)1對1地對應之方式，配設有n條監控控制線G2(1)~G2(n)。掃描線G1(1)~G1(n)與監控控制線G2(1)~G2(n)係互相平行。再者，於顯示部10中，以對應於n條掃描線G1(1)~G1(n)與m條資料信號線S(1)~S(m)之交叉點之方式，設置有n ×m個像素電路11。藉由如此設置n×m個像素電路11，將n列×m行之像素矩陣形成於顯示部10。又，於顯示部10中，配設有供給高位準電源電壓之高位準電源線、與供給低位準電源電壓之低位準電源線。
另，以下，於無需互相區別m條資料信號線S(1)~S(m)之情形時簡單地以符號S表示資料信號線。同樣，於無需互相區別n條掃描線G1(1)~G1(n)之情形時簡單地以符號G1表示掃描線，於無需互相區別n條監控控制線G2(1)~G2(n)之情形時簡單地以符號G2表示監控控制線。
本實施形態之資料信號線S係不僅作為傳達用以使像素電路11內之有機EL元件以所期望之亮度發光之亮度信號之信號線使用，亦作為用以將TFT特性或OLED特性之檢測用之控制電位賦予至像素電路11之信號線及成為表示TFT特性或OLED特性之電流且可以後述之輸出/電流監控電路330測定之電流之路徑之信號線使用。
控制電路20係藉由對源極驅動器30賦予資料信號DA及源極控制信號SCTL而控制源極驅動器30之動作，且藉由對閘極驅動器40賦予閘極控制信號GCTL而控制閘極驅動器40之動作。於源極控制信號SCTL中，除了例如先前以來所使用之源極啟動脈衝、源極時脈、閂鎖選通信號之外，亦包含有用以控制輸出/電流監控電路330之動作之控制時脈信號CLK1、CLK2、及CLK2B。於閘極控制信號GCTL中，包含有例如閘極啟動脈衝、閘極時脈、及輸出啟用信號。又，控制電路20接收自源極驅動器30賦予之監控資料MO，且進行儲存於修正資料記憶部50之修正資料之更新。另，所謂監控資料MO係為求得TFT特性或OLED特性而測定之資料。
閘極驅動器40係連接於n條掃描線G1(1)~G1(n)及n條監控控制線G2(1)~G2(n)。閘極驅動器40係藉由位移暫存器及邏輯電路等構成。然而，於本實施形態之有機EL顯示裝置1中，基於TFT特性及OLED特 性，對自外部發送之影像信號(成為上述資料信號DA之基礎之資料)實施修正。關於此，於本實施形態中，於各訊框中進行針對1列之TFT特性及OLED特性之檢測。即，於某訊框進行針對第1列之TFT特性及OLED特性之檢測後，於下一個訊框進行針對第2列之TFT特性及OLED特性之檢測，進而於下一個訊框進行針對第3列之TFT特性及OLED特性之檢測。如此，於n個訊框期間，進行n列量之TFT特性及OLED特性之檢測。另，於本說明書中，將著眼於任意訊框時進行TFT特性及OLED特性之檢測之列稱為「監控列」，將監控列以外之列稱為「非監控列」。
此處，將進行針對第1列之TFT特性及OLED特性之檢測之訊框定義為第(k+1)訊框時，n條掃描線G1(1)~G1(n)及n條監控控制線G2(1)~G2(n)係於第(k+1)訊框中如圖3所示被驅動，於第(k+2)訊框中如圖4所示被驅動，於第(k+n)訊框中如圖5所示被驅動。另，關於圖3~圖5，高位準狀態為主動狀態。又，於圖3~圖5中，以符號THm表示針對監控列之1水平掃描期間，以符號THn表示針對非監控列之1水平掃描期間。
如自圖3~圖5掌握般，可知於監控列與非監控列之間，1水平掃描期間之長度不同。詳細而言，針對監控列之1水平掃描期間之長度較針對非監控列之1水平掃描期間之長度更長。關於非監控列，與一般之有機EL顯示裝置相同，於1個訊框期間中有1次選擇期間。關於監控列，與一般之有機EL顯示裝置不同，於1個訊框期間中有2次選擇期間。另，後述關於針對監控列之1水平掃描期間THm之更詳細說明。
如圖3~圖5所示，於各訊框中，與非監控列對應之監控控制線G2係維持在非主動狀態。關於與監控列對應之監控控制線G2，於1水平掃描期間THm中之選擇期間以外之期間(掃描線G1為非主動狀態之期 間)係維持在主動狀態。於本實施形態中，以如以上般驅動n條掃描線G1(1)~G1(n)及n條監控控制線G2(1)~G2(n)之方式，構成閘極驅動器40。另，為於監控列中於1個訊框期間中於掃描線G1產生2次脈衝，只要使用周知之技術控制自控制電路20發送至閘極驅動器40之輸出啟用信號之波形即可。
源極驅動器30係連接於m條資料信號線S(1)~S(m)。源極驅動器30係藉由驅動信號產生電路31、信號轉換電路32、及包含m個輸出/電流監控電路330之輸出部33構成(參照圖2)。輸出部33內之m個輸出/電流監控電路330係分別連接於m條資料信號線S(1)~S(m)中之對應之資料信號線S。
於驅動信號產生電路31中，包含有位移暫存器、取樣電路、及閂鎖電路。於驅動信號產生電路31中，位移暫存器係與源極時脈同步，將源極啟動脈衝自輸入端依序傳送至輸出端。根據源極啟動脈衝之該傳送，自位移暫存器輸出與各資料信號線S對應之取樣脈衝。取樣電路係按照取樣脈衝之時序依序記憶1列量之資料信號DA。閂鎖電路係根據閂鎖選通信號提取記憶於取樣電路之1列量之資料信號DA且加以保持。
另，於本實施形態中，於資料信號DA中，包含有用以使各像素之有機EL元件以所期望之亮度發光之亮度信號、及於檢測TFT特性或OLED特性時用以控制像素電路11之動作之監控控制信號。
於信號轉換電路32中，包含有D/A轉換器及A/D轉換器。如上述般保持於驅動信號產生電路31內之閂鎖電路之1列量之資料信號DA係藉由信號轉換電路32內之D/A轉換器轉換為類比電壓。該經轉換之類比電壓係賦予至輸出部33內之輸出/電流監控電路330。又，於信號轉換電路32中，自輸出部33內之輸出/電流監控電路330賦予監控資料MO。該監控資料MO係以信號轉換電路32內之A/D轉換器自類比電壓 轉換為數位信號。接著，經轉換為數位信號之監控資料MO係經由驅動信號產生電路31賦予至控制電路20。
圖6係用以說明輸出部33內之輸出/電流監控電路330之輸入輸出信號之圖。於輸出/電流監控電路330中，自信號轉換電路32賦予作為資料信號DA之類比電壓Vs。該類比電壓Vs係經由輸出/電流監控電路330內之緩衝器施加至資料信號線S。又，輸出/電流監控電路330具有將資料信號線S中流動之電流之大小作為類比資料(類比電壓)取得之功能，及將於某時序取得之類比資料之值通過進行AD轉換之期間進行保持之功能(即取樣保持功能)。以輸出/電流監控電路330取得之資料係作為監控資料MO賦予至信號轉換電路32。另，關於輸出/電流監控電路330之詳細構成進行後述(參照圖1)。
於修正資料記憶部50中，包含有TFT用偏移記憶體51a、OLED用偏移記憶體51b、TFT用增益記憶體52a、及OLED用增益記憶體52b(參照圖2)。另，該等4個記憶體可於物理上為1個記憶體，亦可為物理上不同之記憶體。修正資料記憶部50記憶有自外部發送之使用於影像信號之修正之修正資料。詳細而言，TFT用偏移記憶體51a將基於TFT特性之檢測結果之偏移值作為修正資料進行記憶。OLED用偏移記憶體51b係將基於OLED特性之檢測結果之偏移值作為修正資料進行記憶。TFT用增益記憶體52a將基於TFT特性之檢測結果之增益值作為修正資料進行記憶。OLED用增益記憶體52b係將基於OLED特性之檢測結果之劣化修正係數作為修正資料進行記憶。另，典型而言，將與顯示部10內之像素數量相等數量之偏移值及增益值作為基於TFT特性之檢測結果之修正資料，分別記憶於TFT用偏移記憶體51a及TFT用增益記憶體52a。又，典型而言，將與顯示部10內之像素數量相等數量之偏移值及劣化修正係數作為基於OLED特性之檢測結果之修正資料，分別記憶於OLED用偏移記憶體51b及OLED用增益記憶體52b。 然而，亦可於每複數個像素將1個值記憶於各記憶體。
控制電路20係基於自源極驅動器30賦予之監控資料MO，更新TFT用偏移記憶體51a內之偏移值、OLED用偏移記憶體51b內之偏移值、TFT用增益記憶體52a內之增益值、及OLED用增益記憶體52b內之劣化修正係數。又，控制電路20讀取TFT用偏移記憶體51a內之偏移值、OLED用偏移記憶體51b內之偏移值、TFT用增益記憶體52a內之增益值、及OLED用增益記憶體52b內之劣化修正係數，進行影像信號之修正。藉由該修正所獲得之資料係作為資料信號DA發送至源極驅動器30。
<2.主要部分之詳細構成>
接著，對本實施形態之主要部分之詳細構成進行說明。圖1係顯示像素電路11、輸出/電流監控電路330、及信號轉換電路32之詳細構成之電路圖。以下，對該等電路之構成及動作進行詳細說明。
<2.1像素電路>
圖1所示之像素電路11係i列j行之像素電路11。該像素電路11具備1個有機EL元件OLED、3個電晶體T1~T3、及1個電容器Cst。電晶體T1係作為選擇像素之輸入電晶體發揮功能，電晶體T2係作為控制對有機EL元件OLED之電流供給之驅動電晶體發揮功能，電晶體T3係作為控制是否檢測TFT特性或OLED特性之監控控制電晶體發揮功能。另，於本實施形態中，電晶體T2及有機EL元件OLED相當於特性檢測對象電路元件。又，關於各電晶體，閘極端子相當於控制端子，汲極端子相當於第1導通端子，源極端子相當於第2導通端子。
電晶體T1設置於資料信號線S(j)與電晶體T2之閘極端子之間。關於該電晶體T1，閘極端子連接於掃描線G1(i)，源極端子連接於資料信號線S(j)。電晶體T2係與有機EL元件OLED串聯設置。關於該電晶體T2，閘極端子連接於電晶體T1之汲極端子，汲極端子連接於高位 準電源線ELVDD，源極端子連接於有機EL元件OLED之陽極端子。關於電晶體T3，閘極端子連接於監控控制線G2(i)，汲極端子連接於有機EL元件OLED之陽極端子，源極端子連接於資料信號線S(j)。關於電容器Cst，一端連接於電晶體T2之閘極端子，另一端連接於電晶體T2之汲極端子。另，藉由該電容器Cst實現第1電容器。有機EL元件OLED之陰極端子連接於低位準電源線ELVSS。
然而，於圖32所示之構成中，電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-源極間。對此，於本實施形態中，電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-汲極間。該理由係如以下所述。於本實施形態中，於1個訊框期間中，於將電晶體T3設為接通之狀態下進行使資料信號線S(j)之電位變動之控制。若假定電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-源極間，則電晶體T2之閘極電位亦隨著資料信號線S(j)之電位變動而產生變動。如此，可能產生電晶體T2之接通/斷開狀態達不到所期望之狀態之狀況。因此，於本實施形態中，為避免電晶體T2之閘極電位隨著資料信號線S(j)之電位變動而變動，而如圖1所示將電容器Cst設置於電晶體T2之閘極-汲極間。
<2.2關於像素電路內之電晶體>
於本實施形態中，像素電路11內之電晶體T1~T3全部係n通道型。又，於本實施形態中，於電晶體T1~T3中，採用氧化物TFT(將氧化物半導體使用於通道層之薄膜電晶體)。
以下，對包含於氧化物TFT之氧化物半導體層進行說明。氧化物半導體層係例如In-Ga-Zn-O系之半導體層。氧化物半導體層包含例如In-Ga-Zn-O系之半導體。In-Ga-Zn-O系半導體係In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)之三元系氧化物。In、Ga及Zn之比例(組合比)不特別限定。可為例如In：Ga：Zn=2：2：1、In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=1：1：2等。
具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT由於具有高遷移率(與非晶矽TFT比較超過20倍之遷移率)及低洩漏電流(與非晶矽TFT比較不滿100分之1之洩漏電流)，故可較好地作為像素電路內之驅動TFT(上述電晶體T2)及切換TFT(上述電晶體T1)使用。若使用具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT，則可大幅地削減顯示裝置之消耗電力。
In-Ga-Zn-O系半導體可為非晶質，亦可包含結晶質部分，而具有結晶性。作為結晶質In-Ga-Zn-O系半導體，較好為c軸大致垂直配向於層面之結晶質In-Ga-Zn-O系半導體。此種In-Ga-Zn-O系半導體之結晶構造係揭示於例如日本特開2012-134475號公報。
氧化物半導體層係亦可代替In-Ga-Zn-O系半導體，而包含其他氧化物半導體。亦可包含例如Zn-O系半導體(ZnO)、In-Zn-O系半導體(IZO(註冊商標))、Zn-Ti-O系半導體(ZTO)、Cd-Ge-O系半導體、Cd-Pb-O系半導體、CdO(氧化鎘)、Mg-Zn-O系半導體、In-Sn-Zn-O系半導體(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O系半導體等。
<2.3輸出/電流監控電路>
參照圖1，對本實施形態之輸出/電流監控電路330之構成及動作進行詳細說明。於輸出/電流監控電路330中，包含有運算放大器331、電容器332、及3個開關(開關333、334、及335)。
如圖1所示，輸出/電流監控電路330之內部資料線Sin(j)係經由開關334連接於資料信號線S(j)。關於運算放大器331，反轉輸入端子連接於內部資料線Sin(j)，於非反轉輸入端子賦予作為資料信號DA之類比電壓Vs。電容器332及開關333設置於運算放大器331之輸出端子與內部資料線Sin(j)之間。於開關333中，賦予控制時脈信號CLK1。藉由運算放大器331、電容器332、及開關333，構成有積分電路。此處，對該積分電路之動作進行說明。藉由控制時脈信號CLK1將開關333自斷開狀態切換至接通狀態時，累積於電容器332之電荷放電。此 後，將開關333自接通狀態切換至斷開狀態時，基於流通內部資料線Sin(j)之電流進行對電容器332之充電。即，將內部資料線Sin(j)中流動之電流之時間積分值累積於電容器332。藉此，運算放大器331之輸出端子之電位根據流通內部資料線Sin(j)之電流之大小產生變化。來自該運算放大器331之輸出係作為監控資料MO發送至信號轉換電路32。另，藉由控制時脈信號CLK1將開關333設為接通狀態時，運算放大器331之輸出端子-反轉輸入端子間為短路狀態。藉此，運算放大器331之輸出端子及內部資料線Sin(j)之電位與類比電壓Vs之電位相等。
開關334設置於資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)之間。於開關334中，賦予控制時脈信號CLK2。藉由基於該控制時脈信號CLK2切換開關334之狀態，控制資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)之電性連接狀態。於本實施形態中，若控制時脈信號CLK2為高位準，則資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)為電性連接之狀態，若控制時脈信號CLK2為低位準，則資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)為電性切斷之狀態。
開關335設置於資料信號線S(j)與特定之控制線CL之間。於開關335中，賦予控制時脈信號CLK2B。藉由基於該控制時脈信號CLK2B切換開關335之狀態，控制資料信號線S(j)與控制線CL之電性連接狀態。於本實施形態中，若控制時脈信號CLK2B為高位準，則資料信號線S(j)與控制線CL為電性連接之狀態，若控制時脈信號CLK2B為低位準，則資料信號線S(j)與控制線CL為電性切斷之狀態。
如上述般，開關334為接通狀態時，資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)為電性切斷之狀態。此時，若開關333為斷開狀態，則維持內部資料線Sin(j)之電位。於本實施形態中，以如此般維持內部資料線Sin(j)之電位之狀態，進行信號轉換電路32內之A/D轉換器324中之AD轉換。
另，於本實施形態中，藉由開關333實現第1控制開關，藉由開關334實現第2控制開關，藉由開關335實現第3控制開關。又，藉由電容器332實現第2電容器。
<2.4信號轉換電路>
參照圖1，對本實施形態之信號轉換電路32之構成及動作進行詳細說明。於該信號轉換電路32中，包含有D/A轉換器321、選擇器322、偏移電路323及A/D轉換器324。D/A轉換器321係將自驅動信號產生電路31輸出之數位信號即資料信號DA轉換為類比電壓Vs。於本實施形態中，以複數行共有A/D轉換器324。為實現此點，將選擇器322設置於信號轉換電路32內。於選擇器322中，自複數個輸出/電流監控電路330賦予監控資料MO。選擇器322係將所賦予之複數個監控資料MO分時依序輸出。偏移電路323具有於TFT特性檢測時與OLED特性檢測時將對A/D轉換器324之輸入位準設為相同之功能(補償調整功能)。設置有該偏移電路323之理由係由於TFT特性檢測時之基準電位即Vm_TFT與OLED特性檢測時之基準電位即Vm_oled為不同之電位。A/D轉換器324係將自偏移電路323輸出之類比電壓轉換為數位信號。另，使用於補償調整之偏移值依存於Vm_TFT之值及Vm_oled之值即可。根據以上，關於信號轉換電路32內之構成要素，對各行設置1個D/A轉換器321，對每複數行設置有1個選擇器322、偏移電路323、及A/D轉換器324。
此處，對因Vm_TFT與Vm_oled為不同大小引起之對AD轉換之影響及其對策進行更詳細說明。由於Vm_TFT與Vm_oled係不同大小之電位，故若未設置偏移電路323，則於TFT特性檢測時與OLED特性檢測時之間對A/D轉換器324之輸入DC位準產生變化。因此，浪費藉由A/D轉換器324進行之AD轉換之解析度(未被有效活用)。因此，於本實施形態中，設置有上述偏移電路323。於該偏移電路323中，於TFT 特性檢測時藉由Voffset1，於OLED特性檢測時藉由Voffset2，進行對A/D轉換器324之輸入DC位準之調整。藉此，可將藉由A/D轉換器324進行之AD轉換時之DC位準設為大致一定，而有效活用AD轉換之解析度。另，此處舉例說明補償位準之種類為2種之情形，但本發明不限定於此。例如，於R、G及B中Vm_oled之值不同之情形時，亦可準備3種補償位準用於OLED特性檢測時，切換使用其等。又，根據電流測定條件，有測定電流之預測值較大時與測定電流之預測值較小時。關於此，亦可藉由例如如圖7所示控制賦予至開關333之控制時脈信號CLK1且使積分時間(控制時脈信號CLK1之斷開時間)之長度發生變化，有效活用藉由A/D轉換器324進行之AD轉換之解析度。藉此，即使測定電流較小時亦能確保充分之S/N比。
<2.5A/D轉換器之共有>
如上述般，於本實施形態中，以複數行共有A/D轉換器324。關於此，參照圖8進行詳細說明。另，於圖8中，顯示源極驅動器30具有1440通道之輸出部33之情形(即，設置有1440條資料信號線S之情形)之例。於圖8所示之例中，以144行共有1個A/D轉換器324。因此，於每144行設置有1個選擇器322。於各選擇器322中，自144個輸出/電流監控電路330賦予監控資料MO。接著，各選擇器322係將144個監控資料MO分時依序賦予至偏移電路323。賦予至偏移電路323之監控資料MO係於輸入位準之調整後賦予至A/D轉換器324。然而，如上述般，於輸出/電流監控電路330中，藉由上述取樣保持功能，通過進行AD轉換之期間保持類比資料之值。藉此，於全部行以相同時序取得之類比資料之值依序賦予至A/D轉換器324。另，AD轉換後之監控資料MO係經由驅動信號產生電路31內之邏輯部311發送至控制電路20。
於上述之例中以144行共有1個A/D轉換器324，但本發明不限定於此。對於共有1個A/D轉換器324之行之數量，根據A/D轉換器324之 能力即A/D轉換器324之取樣頻率決定即可。A/D轉換器324之取樣頻率越大，可將共有1個A/D轉換器324之行之數量設為越多。
<3.驅動方法>
<3.1概要>
接著，對本實施形態之驅動方法進行說明。如上述般，於本實施形態中，於各訊框進行1列之TFT特性及OLED特性之檢測。於各訊框中，針對監控列進行用以進行TFT特性及OLED特性之檢測之動作(以下，稱為「特性檢測動作」。)，針對非監控列進行普通動作。即，將進行針對第1列之TFT特性及OLED特性之檢測之訊框定義為第(k+1)訊框時，如圖9所示，各列之動作變化。又，進行TFT特性及OLED特性之檢測時，使用其檢測結果，進行修正資料記憶部50內之修正資料之更新。接著，使用記憶於修正資料記憶部50之修正資料進行影像信號之修正。
圖10係用以說明監控列所包含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)之動作之時序圖。另，於圖10中，以將第i列設為監控列之訊框之第i列之第1次選擇期間開始時點為基準表示「1個訊框期間」。又，此處，將1個訊框期間中之監控列之1水平掃描期間THm以外之期間稱為「發光期間」。對發光期間標註符號TL。如圖10所示，針對監控列之1水平掃描期間THm包含進行於監控列檢測TFT特性及OLED特性之準備之期間(以下，稱為「檢測準備期間」。)Ta、進行用以檢測TFT特性之電流測定之期間(以下，稱為「TFT特性檢測期間」。)Tb、進行用以檢測OLED特性之電流測定之期間(以下，稱為「OLED特性檢測期間」。)Tc、及於監控列進行使有機EL元件OLED發光之準備之期間(以下，稱為「發光準備期間」。)Td。另，於本實施形態中，藉由TFT特性檢測期間Tb與OLED特性檢測期間Tc實現電流測定期間。
於檢測準備期間Ta，將掃描線G1(i)設為主動狀態，將監控控制 線G2(i)設為非主動狀態，於資料信號線S(j)賦予電位Vmg。於TFT特性檢測期間Tb，將掃描線G1(i)設為非主動狀態，將監控控制線G2(i)設為主動狀態，於資料信號線S(j)賦予電位Vm_TFT。於OLED特性檢測期間Tc，將掃描線G1(i)設為非主動狀態，將監控控制線G2(i)設為主動狀態，於資料信號線S(j)賦予電位Vm_oled。於發光準備期間Td，將掃描線G1(i)設為主動狀態，將監控控制線G2(i)設為非主動狀態，於資料信號線S(j)賦予與監控列所包含之有機EL元件OLED之目標亮度相應之資料電位D(i，j)。於發光期間TL，將掃描線G1(i)及監控控制線G2(i)設為非主動狀態。又，於TFT特性檢測期間Tb，例如自電源電路將電位Vm_TFT賦予至.控制線CL，於OLED特性檢測期間Tc，例如自電源電路將電位Vm_oled賦予至控制線CL。另，後述關於電位Vmg、電位Vm_TFT、及電位Vm_oled之詳細說明。
<3.2像素電路之動作>
<3.2.1普通動作>
於各訊框中，於非監控列進行普通動作。於非監控列所包含之像素電路11中，於選擇期間進行基於與目標亮度對應之資料電位Vdata之寫入後，電晶體T1係以斷開狀態維持。電晶體T2係藉由基於資料電位Vdata之寫入成為接通狀態。關於電晶體T3係以斷開狀態維持。根據以上，如圖11中符號71所示之箭頭符號，驅動電流經由電晶體T2供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED係以與驅動電流相應之亮度進行發光。
<3.2.2特性檢測動作>
於各訊框中，於監控列進行特性檢測動作。圖12係用以說明針對監控列之1水平掃描期間THm之詳情之時序圖。另，藉由該1水平掃描期間THm實現特性檢測處理期間。如圖12所示，於本實施形態中，TFT特性檢測期間Tb係由期間Tb1~Tb6構成，OLED特性檢測期間Tc 係由期間Tc1~Tc6構成。另，於本實施形態中，藉由期間Tb1、Tb4、Tc1及Tc4實現資料信號線充電期間。藉由期間Tb2、Tb5、Tc2及Tc5實現監控期間，藉由期間Tb3、Tb6、Tc3及Tc6實現AD轉換期間。
於檢測準備期間Ta中，將掃描線G1(i)設為主動狀態，監控控制線G2(i)係以非主動狀態維持。藉此，電晶體T1為接通狀態，電晶體T3係以斷開狀態維持。又，於該期間Ta中，控制時脈信號CLK1、CLK2、及CLK2B係分別為高位準、高位準、及低位準。因此，開關333、334、及335係分別為接通狀態、接通狀態、及斷開狀態。又，於該期間Ta中，於資料信號線S(j)經由運算放大器331賦予電位Vmg。藉由基於該電位Vmg之寫入將電容器Cst充電，使電晶體T2為接通狀態。根據以上，於檢測準備期間Ta中，如圖13中符號72所示之箭頭符號，驅動電流經由電晶體T2供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED係以與驅動電流相應之亮度進行發光。然而，有機EL元件OLED發光為極短之時間。
到了期間Tb1(資料信號線充電期間)時，將掃描線G1(i)設為非主動狀態，將監控控制線G2(i)設為主動狀態。藉此，電晶體T1係斷開狀態，電晶體T3係接通狀態。另，通過TFT特性檢測期間Tb，電晶體T1係以斷開狀態維持，電晶體T3係以接通狀態維持。又，到了期間Tb1時，經由運算放大器331對資料信號線S(j)賦予電位Vm_TFT。根據以上，於期間Tb1中，以使資料信號線S(j)之電位成為Vm_TFT之方式進行充電。另，如後述般，於OLED特性檢測期間Tc內之期間Tc1中，以使資料信號線S(j)之電位成為Vm_oled之方式進行充電。
到了期間Tb2(監控期間)時，控制時脈信號CLK1自高位準變化為低位準。藉此，開關333為斷開狀態。此處，將基於儲存於TFT用偏移記憶體51a之偏移值求出之電晶體T2之閾值電壓設為Vth(T2)時，以使下式(1)、(2)成立之方式，設定電位Vmg之值、電位Vm_TFT之值、 及電位Vm_oled之值。
Vm_TFT+Vth(T2)<Vmg……(1)
Vmg<Vm_oled+Vth(T2)……(2)
又，將基於儲存於OLED用偏移記憶體51b之偏移值求出之有機EL元件OLED之發光閾值電壓設為Vth(oled)時，以使下式(3)成立之方式設定電位Vm_TFT之值。
Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled)……(3)
此外，將有機EL元件OLED之降伏電壓設為Vbr(oled)時，以使下式(4)成立之方式設定電位Vm_TFT之值。
Vm_TFT>ELVSS一Vbr(oled)……(4)
如以上般，於檢測準備期間Ta進行基於滿足上式(1)、(2)之電位Vmg之寫入後，於期間Tb1~Tb2中將滿足上式(1)、(3)及(4)之電位Vm_TFT賦予至資料信號線S(j)。根據上式(1)，於期間Tb2，電晶體T2為接通狀態。又，根據上式(3)、(4)，於期間Tb2，有機EL元件OLED中不流通電流。
根據以上，於期間Tb2，如圖14中符號73所示之箭頭符號，流通電晶體T2之電流經由電晶體T3輸出至資料信號線S(j)。又，於期間Tb2，開關334成為接通狀態。藉此，根據於期間Tb2輸出至資料信號線S(j)之電流(同步電流)之大小(時間積分值)，於電容器332累積電荷，使運算放大器331之輸出端子之電位產生變化。
到了期間Tb3(AD轉換期間)時，控制時脈信號CLK2自高位準變化為低位準。藉此，如圖15所示，開關334為斷開狀態，資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)為電性切斷之狀態。其結果，將表示期間Tb2之結束時點之資料信號線S(j)之電流大小之類比資料保持於輸出/電流監控電路330。以此種狀態，藉由使選擇器322依序輸出複數行之類比資料(監控資料MO)，以各A/D轉換器324對複數行之類比資料依序進 行AD轉換。
又，於期間Tb3，控制時脈信號CLK2B自低位準變化為高位準。藉此，如圖15所示，開關335為接通狀態，資料信號線S(j)與控制線CL為電性連接之狀態。其結果，於期間Tb3，以使資料信號線S(j)之電位為Vm_TFT之方式進行充電，如此，於進行AD轉換之期間中，經由控制線CL進行資料信號線S(j)之充電。
到了期間Tb4(資料信號線充電期間)時，控制時脈信號CLK1自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2B自高位準變化為低位準。藉此，開關333、334、及335分別為接通狀態、接通狀態、及斷開狀態。如此般開關333及開關334為接通狀態，電位Vm_TFT經由運算放大器331賦予至資料信號線S(j)。根據以上，於期間Tb4，以資料信號線S(j)之電位成為Vm_TFT之方式進行再充電。然而，如上述般，於期間Tb3，經由控制線CL進行資料信號線S(j)之充電。因此，期間Tb4可為極短長度之期間。
於期間Tb5(監控期間)，進行與期間Tb2相同之動作。於期間Tb6(AD轉換期間)，進行與期間Tb3相同之動作，如以上般，以將電晶體T2之閘極-源極間之電壓設為特定大小(Vmg-Vm_TFT)之狀態，反復測定於該電晶體T2之汲極-源極間流動之電流之大小，而檢測TFT特性。
於期間Tc1((資料信號線充電期間)，控制時脈信號CLK1自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2B自高位準變化為低位準。藉此，開關333、334、及335分別為接通狀態、接通狀態、及斷開狀態。又，於本實施形態中，與TFT特性檢測期間Tb相同，通過OLED特性檢測期間Tc，電晶體T1係以斷開狀態維持，電晶體T3係以接通狀態維持。又，到了期間Tc1時，將電位Vm_oled經由運算放大器331賦予至資料信號線S(j)。根據 以上，於期間Tc1，以使資料信號線S(j)之電位成為Vm_oled之方式進行充電。
到了期間Tc2(監控期間)，控制時脈信號CLK1自高位準變化為低位準。藉此，開關333為斷開狀態。此處，以使上式(2)及下式(5)成立之方式設定電位Vm_oled之值。
ELVSS+Vth(oled)<Vm_oled……(5)
又，將電晶體T2之降伏電壓設為Vbr(T2)時，以使下式(6)成立之方式設定電位Vm_oled之值。
Vm_oled<Vmg+Vbr(T2)……(6)
如以上般，於期間Tc1~Tc2中，將滿足上式(2)、(5)及(6)之電位Vm_oled賦予至資料信號線S(j)。根據上式(2)、(6)，於期間Tc2，電晶體T2為斷開狀態。又，根據上式(5)，於期間Tc2，於有機EL元件OLED電流流動。
根據以上，於期間Tc2，如圖16中符號74所示之箭頭符號，電流自資料信號線S(j)經由電晶體T3流動至有機EL元件OLED，有機EL元件OLED進行發光。根據此時之電流之大小(時間積分值)，於電容器332累積電荷，使運算放大器331之輸出端子之電位產生變化。
到了期間Tc3時，控制時脈信號CLK2自高位準變化為低位準。藉此，與期間Tb3相同，開關334為斷開狀態，資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)為電性切斷狀態。其結果，將表示期間Tc2之結束時點之資料信號線S(j)之電流大小之類比資料保持於輸出/電流監控電路330。以此種狀態，藉由使選擇器322依序輸出複數行之類比資料(監控資料MO)，以各A/D轉換器324對複數行之類比資料依序進行AD轉換。
又，於期間Tc3(AD轉換期間)，控制時脈信號CLK2B自低位準變化為高位準。藉此，與期間Tb3相同，開關335為接通狀態，資料信號線S(j)與控制線CL為電性連接之狀態。其結果，於期間Tc3，以資料 信號線S(j)之電位成為Vm_oled之方式進行充電。如此，於進行AD轉換之期間中，經由控制線CL進行資料信號線S(j)之充電。
到了期間Tc4(資料信號線充電期間)，控制時脈信號CLK1自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2B自高位準變化為低位準。藉此，開關333、334、及335分別為接通狀態、接通狀態、及斷開狀態。如此般開關333及開關334為接通狀態，將電位Vm_oled經由運算放大器331賦予至資料信號線S(j)。根據以上，於期間Tc4，以資料信號線S(j)之電位成為Vm_oled之方式進行再充電。然而，如上述般，於期間Tc3，經由控制線CL進行資料信號線S(j)之充電。因此，期間Tc4可為極短長度之期間。
於期間Tc5(監控期間)，進行與期間Tc2相同之動作。於期間Tc6(AD轉換期間)，進行與期間Tc3相同之動作，如以上般，以將有機EL元件OLED之陽極(anode)-陰極(cathode)間之電壓設為特定大小(Vm_oled-ELVSS)之狀態，反復測定流通該有機EL元件OLED之電流之大小，而檢測OLED特性。
另，關於電位Vmg之值、電位Vm_TFT之值及電位Vm_oled之值，係除上式(1)~(6)之外，亦考慮所採用之輸出/電流監控電路330中之電流之可測定範圍等而決定。
到了發光準備期間Td時，將掃描線G1(i)設為主動狀態，將監控控制線G2(i)設為非主動狀態。藉此，電晶體T1為接通狀態，電晶體T3為斷開狀態。又，於發光準備期間Td，控制時脈信號CLK1自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2自低位準變化為高位準，控制時脈信號CLK2B自高位準變化為低位準。藉此，開關333、334、及335分別為接通狀態、接通狀態、及斷開狀態。又，於發光準備期間Td，與目標亮度相應之資料電位D(i，j)經由運算放大器331賦予至資 料信號線S(j)。藉由基於該資料電位D(i，j)之寫入將電容器Cst充電，電晶體T2為接通狀態。根據以上，於發光準備期間Td，如圖17中符號75所示之箭頭符號，驅動電流經由電晶體T2供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED係以與驅動電流相應之亮度進行發光。
於發光期間TL(參照圖10)，將掃描線G1(i)設為非主動狀態，監控控制線G2(i)係以非主動狀態維持。藉此，電晶體T1為斷開狀態，電晶體T3係以斷開狀態維持。雖電晶體T1為斷開狀態，但因於發光準備期間Td中藉由基於與目標亮度相應之資料電位D(i，j)之寫入將電容器Cst充電，故電晶體T2係以接通狀態維持。因此，於發光期間TL，如圖18中符號76所示之箭頭符號，驅動電流經由電晶體T2供給至有機EL元件OLED。藉此，有機EL元件OLED以與驅動電流相應之亮度進行發光。即，於發光期間TL，有機EL元件OLED根據目標亮度進行發光。然而，電晶體T1為斷開狀態時，理想上保持電晶體T2之閘極電位。然而，實際上，因電晶體T1所引起之電荷注入、掃描線G1(i)之饋通、與寄生電容之電荷分配等二次效應，關於電晶體T2之閘極電位，產生自所寫入之電位之變動。另一方面，較發光期間TL先行之TFT特性檢測期間Tb之前，電晶體T1亦為斷開狀態而使電晶體T2之閘極為保持狀態，故而TFT特性檢測期間Tb與發光期間TL之二次效應之影響係大致相等。因此，即使該等二次效應造成之影響之大小(根據寄生電容值之偏差等)於每個像素不均，亦可考慮二次效應進行TFT特性之檢測，實施修正，因而，可將每個像素之二次效應之不均互相抵消。
如以上般，於非監控列中，與一般有機EL顯示裝置相同，進行使有機EL元件OLED發光之處理。相對於此，於監控列中，於進行用以檢測TFT特性及OLED特性之處理後，進行使有機EL元件OLED發光 之處理。因此，如自圖19掌握般，監控列之發光期間之長度係較非監控列之發光期間之長度更短。因此，針對於發光準備期間Td施加於資料信號線S(j)之資料電位D(i，j)之大小，以使訊框期間內之積分亮度與非監控列中顯現之亮度相等之方式實施調整。詳細為將相當於較非監控列之階度電壓略微大之階度電壓之資料電位於發光準備期間Td賦予至資料信號線S(j)。換言之，將任意有機EL元件OLED定義為著眼有機EL元件時，於著眼有機EL元件包含於監控列之情形時，於發光準備期間Td，將相當於較著眼有機EL元件包含於非監控列之情形之階度電壓更大之階度電壓之資料電位藉由源極驅動器30賦予至資料信號線S(j)。藉此，抑制顯示品質之降低。
另，於本實施形態中，於TFT特性檢測期間Tb進行2次用以檢測TFT特性之電流測定，於OLED特性檢測期間Tc進行2次用以檢測OLED特性之電流測定，但本發明不限定於此。於TFT特性檢測期間Tb及OLED特性檢測期間Tc，用以檢測TFT特性之電流測定及用以檢測OLED特性之電流測定可分別進行1次，亦可分別進行3次以上。又，用以檢測TFT特性之電流測定之次數亦可與用以檢測OLED特性之電流測定之次數不同。又，可為僅具有TFT特性檢測期間Tb之訊框，亦可為僅具有OLED特性檢測期間Tc之訊框。即，可於每1個訊框期間僅進行TFT特性檢測或OLED特性檢測之任一者。於該情形時，於進行TFT特性檢測之訊框期間，將電位Vm_TFT通過圖10中Tb~Tc所示之期間賦予至資料信號線S(j)，於進行OLED特性檢測之訊框期間，將電位Vm_oled通過圖10中Tb~Tc所示之期間賦予至資料信號線S(j)。藉由如此，充分確保AD轉換後用以將AD轉換所獲得之監控資料MO傳送至控制電路20之時間。
又，於本實施形態中，如圖9所示每次訊框變化監控列亦變化，但本發明不限定於此。可遍及複數個訊框將相同列作為監控列。例 如，亦可遍及以2種Vm_TFT進行電晶體T2(驅動電晶體)之特性檢測之2個訊框與以2種Vm_oled進行有機EL元件OLED(光電元件)之特性檢測之2個訊框合計4個訊框將相同列設為監控列。此外，亦可以相同監控電壓(Vm_TFT、Vm_oled)遍及複數個訊框將相同列設為監控列。藉由如此於1列反復進行特性檢測之處理，可獲得S/N比提高之效果。此外，於本實施形態中，於各訊框僅將1列設為監控列，本發明不限定於此。於不損害顯示品質之範圍內，亦可於各訊框將複數列設為監控列，且亦可於面板之電源剛接通後或電源斷開期間、或非顯示期間之任意時序，連續執行全部列之特性檢測。
<3.3修正資料記憶部內之修正資料之更新>
接著，對如何更新記憶於修正資料記憶部50之修正資料(記憶於TFT用偏移記憶體51a之偏移值、記憶於OLED用偏移記憶體51b之偏移值、記憶於TFT用增益記憶體52a之增益值、及記憶於OLED用增益記憶體52b之劣化修正係數)進行說明。圖20係用以說明修正資料記憶圖50內之修正資料之更新程序之流程圖。另，此處著眼於與1個像素對應之修正資料。
首先，於TFT特性檢測期間Tb進行TFT特性之檢測(步驟S110)。藉由該步驟S110，求出用以修正影像信號之偏移值及增益值。接著，將以步驟S110求出之偏移值作為新的偏移值儲存至TFT用偏移記憶體51a(步驟S120)。又，將以步驟S110求出之增益值作為新的增益值儲存至TFT用增益記憶體52a(步驟S130)。此後，於OLED特性檢測期間Tc，進行OLED特性之檢測(步驟S140)。藉由該步驟S140，求出用以修正影像信號之偏移值及劣化修正係數。接著，將以步驟S140求出之偏移值作為新的偏移值儲存至OLED用偏移記憶體51b(步驟S150)。又，將以步驟S140求出之劣化修正係數作為新的劣化修正係數儲存至OLED用增益記憶體52b(步驟S160)。如以上般，進行與1個像素對應 之修正資料之更新。於本實施形態中，由於於各訊框進行針對1列之TFT特性及OLED特性之檢測，故於每1個訊框期間，進行TFT用偏移記憶體51a內之m個偏移值、TFT用增益記憶體52a內之m個增益值、OLED用偏移記憶體51b內之m個偏移值、及OLED用增益記憶體52b內之m個劣化修正係數之更新。
另，於本實施形態中，藉由基於步驟S110及步驟S140中之檢測結果所獲得之資料(偏移值、增益值、劣化修正係數)實現特性資料。
然而，如上述般，於OLED特性檢測期間Tc，基於一定電壓(Vm_oled-ELVSS)進行流通有機EL元件OLED之電流大小之測定。作為該測定結果之檢測電流越小，有機EL元件OLED之劣化程度越大。因此，以檢測電流越小，偏移值越大且劣化修正係數越大之方式，進行OLED用偏移記憶體51b及OLED用增益記憶體52b內之資料之更新。
<3.4影像信號之修正>
於本實施形態中，為補償驅動電晶體之劣化及有機EL元件OLED之劣化，使用儲存於修正資料記憶部50之修正資料，進行自外部發送之影像信號之修正。以下，參照圖21對影像信號之該修正進行說明。
如圖21所示，於控制電路20中，作為用以修正影像信號之構成要素，設置有LUT211、乘法部212、乘法部213、加法部214、加法部215、及乘法部216。又，於控制電路20中，作為用以修正於OLED特性檢測期間Tc賦予至資料信號線S之電位Vm_oled之構成要素，設置有乘法部221及加法部222。控制電路20內之CPU230進行上述各構成要素之動作之控制、對修正資料記憶部50內之各記憶體(TFT用偏移記憶體51a、TFT用增益記憶體52a、OLED用偏移記憶體51b、及OLED用增益記憶體52b)之資料之更新/讀取、對非揮發性記憶體70之資料之更新/讀取、及與源極驅動器30之間之資料交換等。
於如以上之構成中，自外部發送之影像信號係如以下般被修正。首先，使用LUT211，對自外部發送之影像信號實施伽馬修正。即，將影像信號表示之灰階P藉由伽馬修正轉換為控制電壓Vc。乘法部212接收控制電壓Vc與自TFT用增益記憶體52a讀取之增益值B1，且輸出將其等相乘所獲得之值“Vc．B1”。乘法部213接收自乘法部212輸出之值“Vc．B1”與自OLED用增益記憶體52b讀取之劣化修正係數B2，且輸出將其等相乘所獲得之值“Vc．B1．B2”。加法部214接收自乘法部213輸出之值“Vc．B1．B2”與自TFT用偏移記憶體51a讀取之偏移值Vt1，且輸出藉由將其等相加所獲得之值“Vc．B1．B2+Vt1”。加法部215接收自加法部214輸出之值“Vc．B1．B2+Vt1”與自OLED用偏移記憶體51b讀取之偏移值Vt2，且輸出藉由將其等相加所獲得之值“Vc．B1．B2+Vt1+Vt2”。乘法部216接收自加法部215輸出之值“Vc．B1．B2+Vt1+Vt2”與用以補償因像素電路11內之寄生電容引起之資料電位衰減之係數Z，且輸出將其等相乘所獲得之值“Z(Vc．B1．B2+Vt1+Vt2)”。將如以上般獲得之值“Z(Vc．B1．B2+Vt1+Vt2)”作為資料信號DA自控制電路20發送至源極驅動器30。針對於檢測準備期間Ta賦予至資料信號線S之電位Vmg，亦藉由與影像信號相同之處理進行修正。另，關於進行將用以補償資料電位之衰減之係數Z相乘於自加法部215輸出之值之處理之乘法部216，並非必須設置。
又，於OLED特性檢測期間Tc賦予至資料信號線S之電位Vm_oled係如以下般被修正。乘法部221接收pre_Vm_oled(修正前之Vm_oled)與自OLED用增益記憶體52b讀取之劣化修正係數B2，且輸出將其等相乘所獲得之值“pre_Vm_oled．B2”。加法部222接收自乘法部221輸出之值“pre_Vm_oled．B2”與自OLED用偏移記憶體51b讀取之偏移值Vt2，且輸出藉由將其等相加所獲得之值“pre_Vm_oled．B2+Vt2”。將 如以上般獲得之值“pre_Vm_oled．B2+Vt2”作為指示OLED特性檢測期間Tc中之資料信號線S之電位Vm_oled之資料自控制電路20發送至源極驅動器30。
<3.5驅動方法之總結>
圖22係用以說明與TFT特性及OLED特性之檢測關聯之動作之概略之流程圖。首先，於TFT特性檢測期間Tb進行TFT特性之檢測(步驟S210)。接著，使用步驟S210中之檢測結果，進行TFT用偏移記憶體51a及TFT用增益記憶體52a之更新(步驟S220)。接著，於OLED特性檢測期間Tc進行OLED特性之檢測(步驟S230)。接著，使用步驟S230中之檢測結果，進行OLED用偏移記憶體51b及OLED用增益記憶體52b之更新(步驟S240)。此後，使用儲存於TFT用偏移記憶體51a、TFT用增益記憶體52a、OLED用偏移記憶體51b、及OLED用增益記憶體52b之修正資料，進行自外部發送之影像信號之修正(步驟S250)。
另，於本實施形態中，藉由步驟S210及步驟S230實現特性檢測步驟，藉由步驟S220及步驟S240實現修正資料記憶步驟，藉由步驟S250實現影像信號修正步驟。
<4.效果>
根據本實施形態，於各訊框中進行針對1列之TFT特性及OLED特性之檢測。監控列之1水平掃描期間THm係較非監控列之1水平掃描期間THn更長，於監控列中，於該1水平掃描期間THm中進行TFT特性檢測及OLED特性檢測。接著，使用考慮TFT特性之檢測結果及OLED特性之檢測結果兩者而求出之修正資料，修正自外部發送之影像信號。由於將基於如此般修正之影像信號之資料電位施加於資料信號線S，故使各像素電路11內之有機EL元件OLED發光時，將如補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化之大小之驅動電流供給至有機EL元件OLED(參照圖23)。又，如圖24所示藉由配合劣化最 少之像素之劣化位準增加電流，可進行對殘像之補償。此處，本實施形態之資料信號線S係不僅作為傳達用以使各像素電路11內之有機EL元件OLED以所期望之亮度發光之亮度信號之信號線使用，亦作為特性檢測用之信號線(將特性檢測用之控制電位(Vmg、Vm_TFT、Vm_oled)賦予至像素電路11之信號線，成為表示特性之電流且以輸出/電流監控電路330可測定之電流之路徑之信號線)使用。即，無需為了檢測TFT特性或OLED特性而將新的信號線設置於顯示部10內。因此，可抑制電路規模之增大，且可同時補償驅動電晶體(電晶體T2)之劣化及有機EL元件OLED之劣化兩者。
又，於本實施形態中，設置於各行之輸出/電流監控電路330具有保持表示TFT特性或OLED特性之類比資料之功能(取樣保持功能)。利用該取樣保持功能，以複數行共有用以將上述類比資料轉換為數位資料之A/D轉換器324。藉此，有效抑制由設為可檢測電路元件之特性之構成引起之電路規模之增大。又，於輸出/電流監控電路330中，設置有用以控制資料信號線S與內部資料線Sin之連接狀態之開關334、及用以控制資料信號線S與特定控制線CL之連接狀態之開關335。且，於藉由A/D轉換器324進行AD轉換之期間中，電性切斷資料信號線S與內部資料線Sin，將特定電位(Vm_TFT或Vm_oled)自控制線CL賦予至資料信號線S。藉此，防止因A/D轉換器324之共有化引起於AD轉換中資料信號線S之電位變動。藉此，由於以極短時間進行資料信號線S之再充電，故可反復進行用於特性檢測之電流測定。藉此，獲得可確保充分之S/N比之效果。
此外，於本實施形態中，像素電路11內之電晶體T1~T3採用氧化物TFT(具體而言係具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT)。自此觀點，亦可獲得可確保充分之S/N比之效果。以下對此進行說明。另，此處將具有In-Ga-Zn-O系半導體層之TFT稱為「In-Ga-Zn-O-TFT」。若比較 In-Ga-Zn-O-TFT與LTPS(Low Temperature Ploy Silicon：低温多晶矽)-TFT，則相較於LTPS-TFT，In-Ga-Zn-O-TFT之斷開電流極小。例如，於像素電路11內之電晶體T3採用LTPS-TFT之情形時，斷開電流係最大為1pA左右。相對於此，於像素電路11內之電晶體T3採用In-Ga-Zn-O-TFT之情形時，斷開電流係最大為10fA左右。因此，例如1000列量之斷開電流係於採用LTPS-TFT之情形時最大為1nA左右，於採用In-Ga-Zn-O-TFT之情形時最大為10pA左右。關於檢測電流，於採用任一者之情形時均為10~100nA左右。然而，各資料信號線S連接於對應行之全部列之像素電路11內之電晶體T3。因此，進行特性檢測時之資料信號線S之S/N比係依存於非監控列之電晶體T3之洩漏電流之合計。具體而言，進行特性檢測時之資料信號線S之S/N比係以「檢測電流/(洩漏電流×非監控列之列數)」表示。自以上之狀況，例如，於具有“Landscape FHD”之顯示部10之有機EL顯示裝置中，採用LTPS-TFT之情形時S/N比係10左右，相對於此，採用In-Ga-Zn-O-TFT之情形時S/N比係1000左右。如此般，於本實施形態中，可於進行電流檢測時確保充分之S/N比。
<5.變化例>
以下，對上述實施形態之變化例進行說明。另，於以下中，僅對與上述實施形態不同之方面進行詳細說明，關於與上述實施形態相同之方面省略說明。
<5.1第1變化例>
於上述實施形態中，針對於OLED特性檢測期間Tc賦予至資料信號線S之電位，基於儲存於OLED用偏移記憶體51b之偏移值Vt2及儲存於OLED用增益記憶體52b之劣化修正係數B2實施修正(參照圖21)。即，電位Vm_oled之大小係可因像素而異。關於此，由於如上述般於AD轉換中開關334為斷開狀態，故為暫時將因像素而異之大小之電位 Vm_oled自控制線CL供給至資料信號線S，必須具備與圖1所示之D/A轉換器321不同之D/A轉換器。
然而，若以短時間進行AD轉換後之資料信號線S之再充電，則無須將由每個像素決定之電位Vm_oled自控制線CL供給至資料信號線S。因此，於本變化例中，於OLED特性檢測期間Tc，將接近於電位Vm_oled之一定之電位自電源電路賦予至控制線CL。藉此，於OLED特性檢測期間Tc，將上述一定之電位自控制線CL賦予至資料信號線S。
如以上般，若於OLED特性檢測期間Tc賦予至控制線CL之電位之大小與由每個像素決定之電位Vm_oled之大小實質上相等，則可為與電位Vm_oled完全相同之大小，亦可為接近於電位Vm_oled之電位。
<5.2第2變化例>
於上述實施形態中，採用於OLED特性檢測期間Tc內進行AD轉換之期間(期間Tc3及期間Tc6)時將電位Vm_oled自控制線CL賦予至資料信號線S之構成。然而，本發明不限定於此。亦可採用於OLED特性檢測期間Tc內進行AD轉換之期間時將資料信號線S設為高阻抗狀態之構成(本變化例之構成)。以下，對本變化例之驅動方法，以與上述實施形態不同之方面為中心進行說明。
圖25係用以說明本變化例中監控列所包含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)之動作之時序圖。如自圖10及圖25掌握般，OLED特性檢測期間Tc之監控控制線G2(i)之波形係於上述實施形態與本變化例中不同。
圖26係用以說明本變化例中針對監控列之1水平掃描期間THm之詳情之時序圖。參照該圖26，對本變化例之特性檢測動作進行說明。關於檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、及發光準備期間Td，由於進行與上述實施形態相同之動作，故省略說明。
與上述實施形態相同，OLED特性檢測期間Tc係由期間Tc1~Tc6構成。於期間Tc1(資料信號線充電時間)及期間Tc2(監控期間)，進行與上述實施形態相同之動作。到了期間Tc3(AD轉換期間)，控制時脈信號CLK2自高位準變化為低位準。藉此，開關334為斷開狀態，資料信號線S(j)與內部資料線Sin(j)為電性切斷之狀態。接著，與上述實施形態相同，以各A/D轉換器324對複數行之類比資料依序進行AD轉換。又，於期間Tc3，與上述實施形態不同，以低位準維持控制時脈信號CLK2B，將監控控制線G2(i)設為非主動狀態。藉此，以斷開狀態維持開關335，且電晶體T3亦為斷開狀態。根據以上，於期間Tc3，資料信號線S(j)為高阻抗之狀態。如此，於期間Tc3，防止來自資料信號線S(j)之電荷流出，而將資料信號線S(j)之電位維持於接近於Vm_oled之電位。
於期間Tc4(資料信號線充電期間)，與上述實施形態相同，進行資料信號線S(j)之再充電。如上述般，於期間Tc3，資料信號線S(j)為高阻抗之狀態，且資料信號線S(j)之電位維持於接近於Vm_oled之電位。因此，於期間Tc4，以極短時間，以使資料信號線S(j)之電位為Vm_oled之方式進行再充電。於期間Tc5(監控期間)，進行與期間Tc2相同之動作，於期間Tc6(AD轉換期間)，進行與期間Tc3相同之動作。
如以上般，根據本變化例，於OLED特性檢測期間Tc藉由A/D轉換器324進行AD轉換之期間中，將資料信號線S設為高阻抗之狀態。又，於TFT特性檢測期間Tb藉由A/D轉換器324進行AD轉換之期間中，與上述實施形態相同，將特定之電位(Vm_TFT)自控制線CL賦予至資料信號線S。藉此，即使於本變化例中，亦可以極短時間進行資料信號線S之再充電。因此，可反復進行用於特性檢測之電流測定，而可確保充分之S/N比。
另，於TFT特性檢測期間Tb內進行AD轉換之期間(期間Tb3及期 間Tb6)，亦可將電晶體T3設為斷開狀態且將資料信號線S(j)設為高阻抗之狀態。該情形之電路構成係自圖1所示之構成削除控制線CL及開關335之構成(參照圖27)。然而，於該情形時，由於電晶體T2為接通狀態，故導致於有機EL元件OLED供給電流而使有機EL元件OLED發光。又，由於電晶體T2之源極電位產生較大變動，故必須延長AD轉換後之再充電期間。因此，對TFT特性檢測期間Tb內進行AD轉換之期間，較好為如上述實施形態般，將電晶體T3維持於接通狀態，且將電位Vm_TFT自控制線CL賦予至資料信號線S(j)。然而，於採用圖27所示之構成之情形時，亦可獲得可以複數行共有A/D轉換器324之效果，可縮短OLED特性檢測時之再充電期間之效果，及與採用圖1所示之構成之情形比較可縮小電路規模之效果。
<5.3第3變化例>
一般，於有機EL顯示裝置中，1個訊框期間包含以自關端列至最終列之順序依序進行對像素之影像信號之寫入之期間即垂直掃描期間，及為使影像信號之寫入自最終列返回至開端列而設置之期間即垂直返馳期間(垂直同步期間)。且，於有機EL顯示裝置之動作中，如圖28所示，交替反復垂直掃描期間Tv與垂直返馳期間Tf。然而，於上述實施形態中，於垂直掃描期間Tv中進行TFT特性檢測及OLED特性檢測。然而，本發明不限定於此，亦可採用於垂直返馳期間Tf中進行TFT特性檢測及OLED特性檢測之構成(本變化例之構成)。
於本變化例中，於例如第(k+1)訊框之垂直返馳期間Tf進行針對第1列之TFT特性及OLED特性之檢測時，於第(k+2)訊框之垂直返馳期間Tf，進行針對第2列之TFT特性及OLED特性之檢測，於第(k+3)訊框之垂直返馳期間Tf，進行針對第3列之TFT特性及OLED特性之檢測，於第(k+n)訊框之垂直返馳期間Tf，進行針對第n列之TFT特性及OLED特性之檢測。即，每次訊框變化時監控列亦變化。另，於垂直掃描期 間Tv，進行與一般有機EL顯示裝置相同之動作。
圖29係用以說明本變化例中監控列所包含之像素電路11(設為i列j行之像素電路11)之垂直返馳期間Tf中之動作之時序圖。如圖29所示，於本變化例中，垂直返馳期間Tf中之一部分期間為包含檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb、OLED特性檢測期間Tc、及發光準備期間Td之特性檢測處理期間。
圖30係用以說明本變化例之垂直返馳期間Tf之詳情之時序圖。如自圖30掌握般，於本變化例之垂直返馳期間Tf中之檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb(Tb1~Tb6)、及發光準備期間Td，分別進行與上述實施形態之檢測準備期間Ta、TFT特性檢測期間Tb(Tb1~Tb6)、及發光準備期間Td相同之動作(上述第2變化例亦相同)。於本變化例之垂直返馳期間Tf中之OLED特性檢測期間Tc(Tc1~Tc6)，進行與上述第2變化例之OLED特性檢測期間Tc(Tc1~Tc6)相同之動作。如此，亦可並非於垂直掃描期間Tv，而是於垂直返馳期間Tf進行TFT特性及OLED特性之檢測。另，亦可於本變化例之OLED特性檢測期間Tc進行與上述實施形態之OLED特性檢測期間Tc相同之動作。
然而，於非監控列中，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間進行與目標亮度相應之寫入，且基於該寫入之有機EL元件OLED之發光係大致持續1個訊框期間。相對於此，於監控列中，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間進行寫入，但到了垂直返馳期間Tf時，有機EL元件OLED之發光暫時中斷。因此，為使於垂直返馳期間Tf結束後於監控列有機EL元件OLED發光，於垂直返馳期間Tf中之發光準備期間Td進行基於資料電位D(i，j)之寫入。
即，於監控列中，如圖31所示，首先，有機EL元件OLED基於先行訊框之垂直掃描期間Tv中之選擇期間之寫入進行發光。此後，於垂直返馳期間Tf，有機EL元件OLED暫時熄滅。此後，有機EL元件 OLED基於垂直返馳期間Tf中之發光準備期間Td之寫入進行發光。關於此，為可於發光準備期間Td進行基於資料電位D(i，j)之寫入，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間之寫入後，必須保持該資料。關於該方面，由於應保持之資料不過是1列量之資料，故記憶體容量之增大係甚小。相對於此，於上述實施形態中，由於監控列與非監控列之間1水平掃描期間之長度不同，故根據來自控制電路20之資料傳送之時序，有時亦需要數十列量之列記憶體。根據以上，根據本變化例，與上述實施形態比較，可降低必要之記憶體容量。
另，考慮到於垂直返馳期間Tf監控列中之有機EL元件OLED之發光暫時中斷，可於垂直掃描期間Tv中之選擇期間(圖31中符號Tz所示之期間)預先將相當於較本來之階度電壓更大之階度電壓之資料電位賦予至資料信號線S。換言之，將任意有機EL元件OLED定義為著眼有機EL元件時，於著眼有機EL元件包含於監控列之情形時，於垂直掃描期間Tv中之選擇期間，可將相當於較著眼有機EL元件包含於非監控列之情形之階度電壓更大之階度電壓之資料電位藉由源極驅動器30賦予至資料信號線S(j)，藉此，抑制顯示品質之降低。
<6.其他>
本發明並非限定於上述實施形態及變化例，於不脫離本發明趣旨之範圍可進行各種變化而實施。例如，可應用本發明之有機EL顯示裝置並非限定於具備上述實施形態所例示之像素電路11。像素電路若至少具備藉由電流控制之光電元件(有機EL元件OLED)、電晶體T1~T3、及電容器Cst，則亦可為上述實施形態所例示之構成以外之構成。
11‧‧‧像素電路
32‧‧‧信號轉換電路
321‧‧‧D/A轉換器
322‧‧‧選擇器
323‧‧‧偏移電路
324‧‧‧A/D轉換器
330‧‧‧輸出/電流監控電路
331‧‧‧運算放大器
332‧‧‧電容器
333‧‧‧開關
334‧‧‧開關
335‧‧‧開關
CL‧‧‧控制線
CLK1‧‧‧控制時脈信號
CLK2‧‧‧控制時脈信號
CLK2B‧‧‧控制時脈信號
Cst‧‧‧電容器
DA‧‧‧資料信號
ELVDD‧‧‧高位準電源電壓/高位準電源線
ELVSS‧‧‧低位準電源電壓/低位準電源線
G1(i)‧‧‧掃描線
G2(i)‧‧‧監控控制線
MO‧‧‧監控資料
OLED‧‧‧有機EL元件
S(j)‧‧‧資料信號線
Sin(j)‧‧‧內部資料線
T1‧‧‧電晶體
T2‧‧‧電晶體
T3‧‧‧電晶體
Vm_OLED‧‧‧電位
Vm_TFT‧‧‧電位
Vs‧‧‧類比電壓

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於其係主動矩陣型者，且包含：顯示部，其具有：n列×m行之像素矩陣，其包含n×m個(n及m係2以上之整數)像素電路，該n×m個像素電路分別包含藉由電流控制亮度之光電元件、及用以控制應供給於上述光電元件之電流之驅動電晶體；掃描線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；監控控制線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；及資料信號線，其係以與上述像素矩陣之各行對應之方式設置；像素電路驅動部，其係以於訊框期間進行檢測包含上述光電元件或上述驅動電晶體之至少一者之特性檢測對象電路元件之特性之特性檢測處理，使各光電元件根據目標亮度進行發光之方式，驅動上述掃描線、上述監控控制線、及上述資料信號線；修正資料記憶部，其係將基於上述特性檢測處理之結果所獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料加以記憶；影像信號修正部，其係基於記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，且產生應供給於上述n×m個像素電路之資料信號；且各像素電路包含：上述光電元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子，第2導通端子連接於上述資料信號線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被賦予驅動電源電位； 監控控制電晶體，其控制端子連接於上述監控控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述光電元件之陽極，第2導通端子連接於上述資料信號線；第1電容器，其用以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位，且一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，另一端連接於上述驅動電晶體之第1導通端子；且上述像素電路驅動部包含：輸出/電流監控電路，其具有將上述資料信號施加至上述資料信號線之功能，及取得與上述資料信號線中流動之電流之大小相應之資料作為成為上述特性資料之基礎之監控資料之功能。 AD轉換電路，其係將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且上述輸出/電流監控電路包含：內部資料線，其連接於上述資料信號線；運算放大器，其非反轉輸入端子被賦予上述資料信號，且反轉輸入端子連接於上述內部資料線；第2電容器，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第1控制開關，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第2控制開關，其一端連接於上述資料信號線，另一端連接於上述內部資料線；且上述AD轉換電路係對複數個上述輸出/電流監控電路各設置1個，將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監控列，將 上述監控列以外之列定義為非監控列時，於訊框期間包含特性檢測處理期間，該特性檢測處理期間包含：檢測準備期間，其係進行於上述監控列檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定期間，其係藉由測定上述資料信號線中流動之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；及發光準備期間，其係進行於上述監控列使上述光電元件發光之準備；於上述電流測定期間中包含：資料信號線充電期間，其係以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相應之大小之電流流動於上述資料信號線之方式對上述資料信號線進行充電；監控期間，其係藉由將上述資料信號線中流動之電流之時間積分值累積於上述第2電容器而取得上述監控資料；及AD轉換期間，其係使上述AD轉換電路將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且於上述AD轉換期間中，藉由將上述第2控制開關設為斷開狀態，而電性切斷上述資料信號線與上述內部資料線，且於上述AD轉換電路中，將藉由對應之複數個上述輸出/電流監控電路分別取得之複數個上述監控資料依序自類比值轉換為數位值。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述電流測定期間包含：驅動電晶體特性檢測期間，其係進行用以檢測上述驅動電晶體之特性之電流測定；及光電元件特性檢測期間，其係進行用以檢測上述光電元件之特性之電流測定。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中上述輸出/電流監控電路進而包含第3控制開關，其一端連接於上述資料信號線，另一端連接於特定控制線，且於上述電流測定期間中之上述驅動電晶體特性檢測期間，於 上述AD轉換期間，藉由將上述第3控制開關設為接通狀態而電性連接上述資料信號線與上述控制線，且，對上述控制線賦予與上述資料信號線充電期間內賦予至上述資料信號線之電位之大小相等大小之電位。
  4. 如請求項3之顯示裝置，其中於上述電流測定期間中之上述光電元件特性檢測期間，於上述AD轉換期間，以上述資料信號線成為高阻抗之狀態之方式，將上述第3控制開關設為斷開狀態且將上述監控控制電晶體設為斷開狀態。
  5. 如請求項3之顯示裝置，其中於上述電流測定期間中之上述光電元件特性檢測期間，於上述AD轉換期間，藉由將上述第3控制開關設為接通狀態而電性連接上述資料信號線與上述控制線，且，對上述控制線賦予與上述資料信號線充電期間內賦予至上述資料信號線之電位大小實質上相等大小之電位。
  6. 如請求項3之顯示裝置，其中於上述電流測定期間中之上述光電元件特性檢測期間，於上述AD轉換期間內，藉由將上述第3控制開關設為接通狀態而電性連接上述資料信號線與上述控制線，且，對上述控制線賦予接近於上述資料信號線充電期間內賦予至上述資料信號線之電位之一定大小之電位。
  7. 如請求項2之顯示裝置，其中將上述檢測準備期間內賦予至上述資料信號線之電位設為Vmg，將上述驅動電晶體特性檢測期間內賦予至上述資料信號線之電位設為Vm_TFT，將上述光電元件特性檢測期間內賦予至上述資料信號線之電位設為Vm_oled時，以滿足以下關係之方式決定Vmg、Vm_TFT、及Vm_oled之值，Vm_TFT<Vmg-Vth(T2) Vm_TFT<ELVSS+Vth(oled) Vm_oled>Vmg-Vth(T2) Vm_oled>ELVSS+Vth(oled)此處，Vth(T2)係上述驅動電晶體之閾值電壓，Vth(oled)係上述光電元件之發光閾值電壓，ELVSS係上述光電元件之陰極之電位。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中上述特性檢測處理期間設置於垂直返馳期間內。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中將任意之光電元件定義為著眼光電元件時，上述像素電路驅動部係於上述著眼光電元件包含於上述監控列中之情形時，於垂直掃描期間進行對上述監控列所含之像素電路寫入上述資料信號時，將相當於較上述著眼光電元件包含於上述非監控列之情形之階度電壓更大之階度電壓之資料信號電位賦予至上述資料信號線。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中上述特性檢測處理期間設置於垂直掃描期間內。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中於用以檢測1個上述特性檢測對象電路元件之特性之電流測定期間中，複數次反復包含上述資料信號線充電期間、上述監控期間及上述AD轉換期間之循環。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其中於每1訊框期間進行僅對上述光電元件或上述驅動電晶體之任一者之上述特性檢測處理。
  13. 一種驅動方法，其特徵在於：其係顯示裝置之驅動方法，該顯示裝置具備：n列×m行之像素矩陣，其包含n×m個(n及m係2以上之整數)像素電路，該n×m個像素電路分別包含藉由電流控制亮度之光電元件、及用以控制應供給於上述光電元件之電流之驅動電晶體；掃描線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；監控控制線，其係以與上述像素矩陣之各列對應之方式設置；資料信號線，其係以與 上述像素矩陣之各行對應之方式設置；及像素電路驅動部，其驅動上述掃描線、上述監控控制線、及上述資料信號線；且該驅動方法包含：特性檢測步驟，其係於訊框期間檢測包含上述光電元件或上述驅動電晶體之至少一者之特性檢測對象電路元件之特性；修正資料記憶步驟，其係將基於上述特性檢測步驟中之檢測結果所獲得之特性資料作為用以修正影像信號之修正資料，記憶於預先準備之修正資料記憶部；影像信號修正步驟，其係基於記憶於上述修正資料記憶部之修正資料而修正上述影像信號，且產生應供給於上述n×m個像素電路之資料信號；且各像素電路包含：上述光電元件；輸入電晶體，其控制端子連接於上述掃描線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之控制端子，第2導通端子連接於上述資料信號線；上述驅動電晶體，其第1導通端子被賦予驅動電源電位；監控控制電晶體，其控制端子連接於上述監控控制線，第1導通端子連接於上述驅動電晶體之第2導通端子及上述光電元件之陽極，第2導通端子連接於上述資料信號線；第1電容器，其用以保持上述驅動電晶體之控制端子之電位，且一端連接於上述驅動電晶體之控制端子，另一端連接於上述驅動電晶體之第1導通端子；且上述像素電路驅動部包含：輸出/電流監控電路，其具有將上述資料信號施加至上述資料信號線之功能，及取得與上述資料信號線中流動之電流大 小相應之資料作為成為上述特性資料之基礎之監控資料之功能；及AD轉換電路，其係將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且上述輸出/電流監控電路包含：內部資料線，其連接於上述資料信號線；運算放大器，其非反轉輸入端子被賦予上述資料信號，且反轉輸入端子連接於上述內部資料線；第2電容器，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第1控制開關，其一端連接於上述內部資料線，另一端連接於上述運算放大器之輸出端子；第2控制開關，其一端連接於上述資料信號線，另一端連接於上述內部資料線；且上述AD轉換電路係對複數個上述輸出/電流監控電路各設置1個，將於訊框期間進行上述特性檢測處理之列定義為監控列，將上述監控列以外之列定義為非監控列時，上述特性檢測步驟包含：檢測準備步驟，其進行於上述監控列檢測上述特性檢測對象電路元件之特性之準備；電流測定步驟，其係藉由測定上述資料信號線中流動之電流而檢測上述特性檢測對象電路元件之特性；及發光準備步驟，其進行於上述監控列使上述光電元件發光之準備；上述電流測定步驟包含： 資料信號線充電步驟，其係以使與上述特性檢測對象電路元件之特性相應之大小之電流流動於上述資料信號線之方式對上述資料信號線進行充電；監控步驟，其係藉由將上述資料信號線中流動之電流之時間積分值累積於上述第2電容器而取得上述監控資料；AD轉換步驟，其係用於藉由上述AD轉換電路將上述監控資料自類比值轉換為數位值；且於上述AD轉換步驟中，藉由將上述第2控制開關設為斷開狀態，而電性切斷上述資料信號線與上述內部資料線，且於上述AD轉換電路中，將藉由對應之複數個上述輸出/電流監控電路分別取得之複數個上述監控資料依序自類比值轉換為數位值。
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