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TWI699385B - 樹脂組成物以及使用其的聚醯亞胺樹脂膜、顯示器基板與其製造方法 - Google Patents

樹脂組成物以及使用其的聚醯亞胺樹脂膜、顯示器基板與其製造方法 Download PDF

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TWI699385B
TWI699385B TW107131461A TW107131461A TWI699385B TW I699385 B TWI699385 B TW I699385B TW 107131461 A TW107131461 A TW 107131461A TW 107131461 A TW107131461 A TW 107131461A TW I699385 B TWI699385 B TW I699385B
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上田篤
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日商日立化成杜邦微系統股份有限公司
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Abstract

本發明的樹脂組成物含有（a）聚醯亞胺前驅物、（b）烷氧基矽烷化合物、（c）有機溶劑，相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）的含量為0.01質量%～2質量%。相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）烷氧基矽烷化合物的含量較佳為0.02質量%～2質量%，更佳為0.05質量%～1質量%。

Description

樹脂組成物以及使用其的聚醯亞胺樹脂膜、顯示器基板與其製造方法
本發明是有關於一種兼具適度的密接性與良好的剝離性的樹脂組成物。並且是有關於一種使用本發明的樹脂組成物的聚醯亞胺樹脂膜、顯示器基板與其製造方法。
近年來，以智慧型手機（smart phone）或平板（tablet）終端機為代表的中小型顯示器正在擴大市場規模。這些中小型顯示器中所用的顯示器基板可藉由在玻璃基板上形成薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）等而獲得。但是，一方面，玻璃基板的耐熱性或尺寸穩定性優異，另一方面，若進行輕量化及薄型化，則有強度降低的問題。
因此，提出塑膠基板作為代替玻璃基板的基板。塑膠基板由於成形容易、且具有高的韌性而彎折性強，因此適合於半導體元件的輕量化及薄型化，而且有效用作可撓性基材。
使用經薄型化的塑膠基板製造顯示器基板的方法包括：在支撐體上形成塑膠基板的步驟；在該塑膠基板上形成TFT等半導體元件的步驟；以及將塑膠基板自支撐體剝離的步驟。
例如專利文獻1中記載以下的顯示器基板的製造法：在硬質載體基板（支撐體）上介隔剝離層設置塑膠基板，在其上形成像素電路及顯示器層後，自上述硬質載體基板藉由雷射進行剝離。
利用藉由該方法而製造的可撓性顯示器基板，可形成輕量且薄的基板。
另一方面，在形成TFT時，需要在200℃以上的高溫下的處理。但是塑膠基板與玻璃基板相比，存在耐熱性及尺寸穩定性差的傾向。因此，專利文獻1中，作為耐熱性高者是使用包含聚對二甲苯（parylene）的塑膠層。但是包含聚對二甲苯的塑膠層的形成存在製程繁雜的問題。
另外，專利文獻1中所記載的顯示器基板的製造方法中，由於需要藉由雷射剝離塑膠基板，因此需要準分子雷射裝置等。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-512568號公報 [專利文獻2]日本專利特開2011-11455號公報
因此，提出在無機層（支撐體）與作為塑膠基板的聚醯亞胺層之間設置矽烷偶合層的方法（例如專利文獻2）。專利文獻2的方法中，在剝離步驟中無需雷射，而自支撐體物理性剝離聚醯亞胺樹脂膜。
但是專利文獻2的製造方法中，由於需要形成矽烷偶合層與聚醯亞胺層等二層，因此步驟繁雜。
因此，本發明的目的是提供一種可形成聚醯亞胺樹脂膜（塑膠基板）的樹脂組成物，該聚醯亞胺樹脂膜（塑膠基板）在形成TFT等半導體元件時，與支撐體具有充分的密接性，且自支撐體剝離時可不使用雷射而藉由物理性方法完美地剝離。另外，本發明的目的是提供一種可形成具有良好的機械特性及耐熱性的聚醯亞胺樹脂膜的樹脂組成物。
另外，本發明的目的是提供一種使用該樹脂組成物的聚醯亞胺樹脂膜、以及顯示器基板的製造方法。進一步，本發明的目的是提供一種藉由該製造方法而形成的顯示器基板。
通常，矽烷偶合劑在將調配了其的組成物塗佈於被黏接體上，形成組成物的層或膜時，存在所形成的層或膜與被黏接體的密接強度顯著增加，而提高黏接性的傾向。並且，為了提高黏接力，而需要某種程度地增加矽烷偶合劑的調配量，為了將層或膜自被黏接體剝離而不使用矽烷偶合劑。本發明發現與現有的使用方法相反，藉由在（a）聚醯亞胺前驅物中調配少量的矽烷偶合劑中的特定的（b）烷氧基矽烷化合物，而可表現適度的密接強度，從而完成了本發明。
本發明是關於如下者。
＜1＞一種樹脂組成物，其含有（a）聚醯亞胺前驅物、（b）烷氧基矽烷化合物、（c）有機溶劑，相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）烷氧基矽烷化合物的含量為0.01質量%～2質量%。
＜2＞如上述的樹脂組成物，其中（a）聚醯亞胺前驅物是具有通式（1）所示的結構單元的聚醯胺酸：
Figure 02_image001
（通式（1）中，R1 表示具有芳香族環的2價有機基，R2 表示具有芳香族環的4價有機基）。
＜3＞如上述的樹脂組成物，其中相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）烷氧基矽烷化合物的含量為0.02質量%～2質量%。
＜4＞如上述的樹脂組成物，其中相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）烷氧基矽烷化合物的含量為0.05質量%～1質量%。
＜5＞如上述的樹脂組成物，其中（b）烷氧基矽烷化合物是通式（2）或通式（3）所示的任一種化合物：
Figure 02_image003
（通式（2）、通式（3）中，R1 及R2 分別獨立地表示1價有機基）。
＜6＞如上述的樹脂組成物，其中（a）聚醯亞胺前驅物的重量平均分子量為15,000～200,000。
＜7＞如上述的樹脂組成物，其用於包括以下步驟的顯示器基板的製造方法：將樹脂組成物塗佈於支撐體上進行加熱而形成聚醯亞胺樹脂膜的步驟；在該聚醯亞胺樹脂膜上形成半導體元件的步驟；以及將形成有該半導體元件的聚醯亞胺樹脂膜自支撐體剝離的步驟。
＜8＞一種聚醯亞胺樹脂膜，其將如上述的樹脂組成物加熱而得。
＜9＞一種顯示器基板的製造方法，其包括下述各步驟：將如上述的樹脂組成物塗佈於支撐體上進行加熱而形成聚醯亞胺樹脂膜的步驟；在該聚醯亞胺樹脂膜上形成半導體元件的步驟；以及將形成有該半導體元件的聚醯亞胺樹脂膜自支撐體剝離的步驟。
＜10＞一種顯示器基板，其藉由如上述的顯示器基板的製造方法而形成。
根據本發明，可提供一種可形成聚醯亞胺樹脂膜（塑膠基板）的樹脂組成物，該聚醯亞胺樹脂膜（塑膠基板）在形成TFT等半導體元件時，與支撐體具有充分的密接性，且自支撐體剝離時不使用雷射，而可藉由物理性方法完美地剝離（剝離性良好）。另外，可提供一種可形成聚醯亞胺樹脂膜的樹脂組成物，該聚醯亞胺樹脂膜在形成半導體元件時，即便暴露於高溫下，熱膨脹亦小。若聚醯亞胺樹脂膜的熱膨脹小，則在形成TFT等半導體元件時，可抑制尺寸偏差。另外，使用本發明的樹脂組成物的聚醯亞胺樹脂膜的機械特性及耐熱性優異。
另外，本發明可提供一種使用該樹脂組成物的顯示器基板的製造方法。進一步，本發明可提供一種藉由該製造方法而形成的顯示器基板。
（樹脂組成物） 本發明的樹脂組成物含有（a）聚醯亞胺前驅物、（b）烷氧基矽烷化合物、（c）有機溶劑，相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）的含量為0.01質量%～2質量%。以下對各成分進行記載。
（（a）聚醯亞胺前驅物） 本發明的樹脂組成物含有（a）聚醯亞胺前驅物。藉由含有聚醯亞胺前驅物，而可形成耐熱性及機械特性優異的聚醯亞胺樹脂膜。 就耐熱性、機械特性的觀點而言，（a）聚醯亞胺前驅物較佳為具有通式（1）所示的結構單元的聚醯胺酸。
Figure 02_image005
（通式（1）中，R1 表示具有芳香族環的2價有機基，R2 表示具有芳香族環的4價有機基。）
（a）聚醯亞胺前驅物通常藉由將四羧酸二酐與二胺聚合而得。該聚合可藉由將兩者混合於有機溶劑中而進行。
用以合成（a）聚醯亞胺前驅物的四羧酸二酐可列舉：均苯四甲酸二酐、環己基四羧酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-雙環己基四羧酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、4,4'-磺醯基二鄰苯二甲酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐等，另外，這些可併用2種以上。
用以合成（a）聚醯亞胺前驅物的二胺可列舉：對苯二胺、間苯二胺、聯苯胺、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、對苯二甲基二胺（p-xylylene diamine）、間苯二甲基二胺、1,5-二胺基萘、3,3'-二甲氧基聯苯胺、4,4'-（或3,4'-、3,3'-、2,4'-）二胺基二苯基甲烷、4,4'-（或3,4'-、3,3'-、2,4'-）二胺基二苯醚、4,4'-（或3,4'-、3,3'-、2,4'-）二胺基二苯基碸、4,4'-（或3,4'-、3,3'-、2,4'-）二胺基二苯硫醚、4,4'-二苯甲酮二胺、3,3'-二苯甲酮二胺、4,4'-二(4-胺基苯氧基)苯基碸、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、3,3-二甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3',5,5'-四甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二(3-胺基苯氧基)苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、2,2'-雙(4-胺基苯基)丙烷、5,5'-亞甲基-雙-(鄰胺苯甲酸)、3,5-二胺基苯甲酸、3,3'-二羥基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯-6,6'-二磺酸等芳香族二胺，2,6-二胺基吡啶、2,4-二胺基吡啶、2,4-二胺基-均三嗪、2,7-二胺基苯并呋喃、2,7-二胺基咔唑、3,7-二胺基酚噻嗪、2,5-二胺基-1,3,4-噻二唑、2,4-二胺基-6-苯基-均三嗪等雜環式二胺，三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、2,2-二甲基丙二胺、1,4-環己二胺等，另外，這些可併用2種以上。
用以合成（a）聚醯亞胺前驅物的有機溶劑可列舉：N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、γ-丁內酯、ε-己內酯、γ-己內酯、γ-戊內酯、二甲基亞碸、1,4-二噁烷、環己酮等，另外，這些可併用2種以上。
就硬化膜的伸長率及在溶劑中的溶解性的觀點而言，（a）聚醯亞胺前驅物的重量平均分子量以重量平均分子量計，較佳為5,000～300,000，更佳為10,000～300,000，特佳為15,000～200,000。重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography）進行測定，藉由標準聚苯乙烯校準曲線進行換算而算出。
另外，通式（1）所示的聚醯亞胺前驅物是具有芳香族環的2價有機基，作為上述二胺的殘基（自二胺除去2個胺基者）的R1 ，較佳為下述結構式（4）～結構式（6）的任一式所示的2價有機基。
Figure 02_image007
（通式（4）、通式（5）中，R'分別獨立地表示1價烷基。另外，R'的烷基中的氫原子的一部分或全部可被鹵素原子（氟、氯、溴、碘）取代。） 通式（1）的R1 為結構式（3）～結構式（6）的任一式所示的2價有機基時，機械特性或耐熱性優異，並且可降低熱膨脹係數。 此處，表示1價烷基的通式（4）、通式（5）中的R'較佳為碳原子數1～3的烷基。另外，該烷基的氫原子的一部分或全部可被鹵素原子取代。 通式（1）的R1 為結構式（3）～結構式（6）的任一式所示的2價有機基時，（a）聚醯亞胺前驅物的合成中所用的二胺可列舉：對苯二胺、間苯二胺、聯苯胺、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-二乙基-4,4'-二胺基聯苯。相對於（a）聚醯亞胺前驅物的合成中所用的二胺的總量，這些二胺較佳為使用40質量%以上，更佳為使用60質量%以上，尤佳為使用80質量%～100質量%。
另外，在通式（1）所示的結構單元中，表示具有芳香族環的4價有機基的R2 ，較佳為下述結構式（7）或結構式（8）所示的4價有機基。
Figure 02_image009
R2 為上述的任一基團時，機械特性或耐熱性優異，並且可降低熱膨脹係數。 通式（1）的R2 為結構式（7）或結構式（8）所示的4價有機基時，（a）聚醯亞胺前驅物的合成中所用的四羧酸二酐可列舉：均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐。相對於（a）聚醯亞胺前驅物的合成中所用的四羧酸二酐的總量，這些四羧酸二酐較佳為使用40質量%以上，更佳為使用60質量%以上，尤佳為使用80質量%～100質量%。
相對於樹脂組成物整體，（a）聚醯亞胺前驅物較佳為含有5質量%～100質量%。
（（b）烷氧基矽烷化合物） 相對於（a）聚醯亞胺前驅物，本發明的樹脂組成物含有0.01質量%～2質量%的（b）烷氧基矽烷化合物。
藉由含有0.01質量%～2質量%的（b）烷氧基矽烷化合物，而可提供能形成聚醯亞胺樹脂膜（塑膠基板）的樹脂組成物，該聚醯亞胺樹脂膜（塑膠基板）在形成TFT等半導體元件時，與支撐體具有充分的密接性，且自支撐體剝離時不使用雷射，而可藉由物理性方法完美地剝離（剝離性良好）。
藉由（b）烷氧基矽烷化合物的含量為0.01質量%以上，而可賦予良好的與支撐體的充分的密接性，並且藉由（b）烷氧基矽烷化合物的含量為2質量%以下，而可賦予良好的剝離性，而且對聚醯亞胺樹脂膜賦予良好的耐熱性與機械特性。相對於（a）聚醯亞胺前驅物，（b）烷氧基矽烷化合物的含量較佳為0.02質量%～2質量%，更佳為0.05質量%～1質量%，尤佳為0.05質量%～0.5質量%，特佳為0.1質量%～0.5質量%。
作為確認樹脂組成物中的（b）烷氧基矽烷化合物的含量的方法，可列舉1 H NMR（核磁共振，Nuclear Magnetic Resonance）。
（b）烷氧基矽烷化合物較佳為使用通式（2）或通式（3）所示的任一種化合物。
Figure 02_image011
（通式（2）、通式（3）中，R1 及R2 分別獨立地表示1價有機基）
通式（2）或通式（3）所示的化合物可列舉：3-脲丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三丙氧基矽烷、γ-胺基丙基三丁氧基矽烷、γ-胺基乙基三乙氧基矽烷、γ-胺基乙基三甲氧基矽烷、γ-胺基乙基三丙氧基矽烷、γ-胺基乙基三丁氧基矽烷、γ-胺基丁基三乙氧基矽烷、γ-胺基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丁基三丙氧基矽烷、γ-胺基丁基三丁氧基矽烷等，另外，這些可併用2種以上而使用。這些中，就提供與支撐體具有充分的密接性、且自支撐體剝離時剝離性良好的聚醯亞胺樹脂膜的觀點而言，較佳為使用3-脲丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷的任一種，最佳為使用3-脲丙基三乙氧基矽烷。
（（c）有機溶劑） 本發明的樹脂組成物含有（c）有機溶劑。藉由含有（c）有機溶劑，而在支撐體上的塗佈性、及聚醯亞胺樹脂膜的均勻性提高。
（c）有機溶劑可為合成（a）聚醯亞胺前驅物時所殘留的有機溶劑，另外，為了調整樹脂組成物的黏度而可使用進一步的有機溶劑。
在（c）有機溶劑為合成（a）聚醯亞胺前驅物時所殘留的有機溶劑時，（c）有機溶劑可列舉：N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、γ-丁內酯、ε-己內酯、γ-己內酯、γ-戊內酯、二甲基亞碸、1,4-二噁烷、環己酮等。
另外，在為了調整樹脂組成物的黏度而使用（c）有機溶劑時，可使用上述溶劑，並且亦可使用：丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲苯、二甲苯、乙醇、異丙醇、正丁醇等，這些可併用2種以上。
本發明的樹脂組成物中，就可形成良好的薄膜的塗佈性等的觀點而言，相對於（a）聚醯亞胺前驅物的含量，（c）有機溶劑的含量以質量比（（a）聚醯亞胺前驅物的質量/（c）有機溶劑的質量）計，較佳為5/95～95/5，更佳為20/80～80/20，尤佳為30/70～50/50。另外，質量比（（a）聚醯亞胺前驅物的質量/（c）有機溶劑的質量）可藉由以下方式算出：在金屬或玻璃製皿（dish）中加入樹脂組成物，精確地測定樹脂組成物與皿的合計質量，將其在有機溶劑的沸點附近的溫度下使有機溶劑飛散，並精確地測定皿與處理後的樹脂組成物的合計質量，自處理前後的皿與樹脂組成物的各合計質量減去皿的質量，將處理後的樹脂組成物質量除以處理前的樹脂組成物質量而算出。此時，溫度是在聚醯亞胺前驅物的聚醯胺酸閉環為聚醯亞胺的溫度以下使其飛散。通常為150℃以下，較佳為設為更低的溫度。
（其他成分） 本發明的樹脂組成物根據需要可賦予感光性。例如在賦予負型感光性時，可在作為聚醯亞胺前驅物的聚醯胺酸（通式（1）中與R2 鍵結的羧酸的氫原子）中調配具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基的胺而賦予感光性。此種胺例如可列舉：甲基丙烯酸N,N-二乙基胺基丙酯、甲基丙烯酸N,N-二甲基胺基丙酯、丙烯酸N,N-二乙基胺基丙酯、甲基丙烯酸N,N-二乙基胺基乙酯等，但並不限定於該範圍。在賦予負型感光性時，通常更佳為相對於樹脂組成物總量而使用0.01質量%～10質量%的自由基聚合起始劑等光聚合起始劑。
本發明的樹脂組成物中另外根據需要，在不損及耐熱性與機械特性的範圍內，可含有其他成分（密接助劑、酸產生劑等）。
本發明的樹脂組成物較佳為用於包括以下步驟的顯示器基板的製造方法：將該樹脂組成物塗佈於支撐體上進行加熱而形成聚醯亞胺樹脂膜的步驟；在該聚醯亞胺樹脂膜上形成半導體元件的步驟；以及將形成有該半導體元件的聚醯亞胺樹脂膜自支撐體剝離的步驟。
本發明的聚醯亞胺樹脂膜由於與支撐體具有良好的密接性（例如50 kg/cm2 ～950 kg/cm2 、柱栓下拉（stud pull）評價法），因此可在聚醯亞胺樹脂膜上簡單地形成TFT等半導體元件。另外，本發明的聚醯亞胺樹脂膜是低的熱膨脹係數（例如100℃～200℃時的熱膨脹係數為15×10-6 /K以下），並且玻璃轉移溫度高（例如250℃以上），因此在形成TFT等半導體元件時，即便暴露在高溫下，亦可抑制尺寸偏差。
（聚醯亞胺樹脂膜） 本發明的聚醯亞胺樹脂膜可藉由將本發明的樹脂組成物加熱而形成。藉由加熱，樹脂組成物中的聚醯亞胺前驅物變為聚醯亞胺，而可對聚醯亞胺樹脂膜賦予良好的機械特性及耐熱性。 本發明的聚醯亞胺樹脂膜是所謂的塑膠基板。
（顯示器基板的製造方法） 本發明的顯示器基板的製造方法包括下述各步驟：將本發明的樹脂組成物塗佈於支撐體上進行加熱而形成聚醯亞胺樹脂膜的步驟；在該聚醯亞胺樹脂膜上形成半導體元件的步驟；以及將形成有該半導體元件的聚醯亞胺樹脂膜自支撐體剝離的步驟。
本說明書中，所謂顯示器基板，並無特別限制，是指在塑膠基板（在本發明中為聚醯亞胺樹脂膜）上形成有TFT等半導體元件的基板。
將本發明的樹脂組成物塗佈於支撐體上的步驟，若為可在支撐體上形成均勻的厚度的方法，則並無特別限定，例如可為模塗或旋塗、藉由網版印刷的塗佈。
塗佈本發明的樹脂組成物的支撐體只要是具有自支撐性的硬質者，且具有耐熱性，在塗佈樹脂組成物的面上無粗糙而平滑者即可。即若為暴露於顯示器基板的製造步驟中所需要的高溫下亦難以變形者，則並無特別限制。具體而言，較佳為使用具有200℃以上、較佳為250℃以上的玻璃轉移溫度的原材料，作為此種支撐體，可列舉玻璃。支撐體的厚度較佳為0.3 mm～5.0 mm，更佳為0.5 mm～3.0 mm，尤佳為0.7 mm～1.5 mm。
藉由將樹脂組成物塗佈於支撐體上的步驟形成的樹脂組成物膜，接著較佳為進行乾燥步驟。藉由乾燥步驟而可階段性地除去樹脂組成物中的溶劑，藉此可抑制加熱硬化後的聚醯亞胺樹脂膜表面的粗糙。乾燥步驟較佳為使用加熱板在80℃～150℃下進行30秒～5分鐘。
藉由將樹脂組成物膜加熱而可形成聚醯亞胺樹脂膜。藉由該加熱步驟，樹脂組成物中的聚醯亞胺前驅物的醯亞胺環發生閉環，而對聚醯亞胺樹脂膜賦予良好的機械特性及耐熱性。加熱裝置只要是可控制升溫速度及硬化中的環境，且可將特定溫度保持固定時間的裝置即可。加熱步驟中的溫度較佳為100℃～500℃，更佳為200℃～475℃，尤佳為250℃～450℃。另外，加熱時間較佳為1分鐘～6小時，更佳為3分鐘～4小時，尤佳為15分鐘～2小時。
本發明中的聚醯亞胺樹脂膜的厚度較理想為1 μm～50 μm。藉由厚度為1 μm以上，而聚醯亞胺樹脂膜具有良好的機械特性，並可抑制在自支撐體的剝離步驟中在聚醯亞胺樹脂膜上產生缺陷。另外，藉由厚度為50 μm以下，而可抑制因乾燥中溶劑未均勻氣化而產生的聚醯亞胺膜表面粗糙。聚醯亞胺樹脂膜的厚度更佳為3 μm～40 μm，尤佳為5 μm～30 μm。
本發明的顯示器基板的製造方法包括：在聚醯亞胺樹脂膜上形成TFT等半導體元件的步驟。本發明中所得的聚醯亞胺樹脂膜由於耐熱性及機械特性優異，因此形成半導體元件等的方法並無特別限制，半導體元件的形成方法因顯示器基板中所用的元件（element）的種類而不同。
例如在製造TFT液晶顯示器裝置（TFT Liquid Crystal Display Device）時，可在其上形成例如非晶矽的TFT。TFT包括：閘極金屬層、氮化矽閘極介電層、氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）像素電極。而且亦可藉由公知的方法在其上形成液晶顯示器所需要的結構。
聚醯亞胺樹脂膜在形成半導體元件後自支撐體剝離。剝離方法並無特別限制，使用本發明的樹脂組成物的聚醯亞胺樹脂膜由於具有良好的剝離性與機械特性，因此可藉由物理性方法而完美地剝離。另外，亦可自支撐體側照射雷射等進行剝離。
本發明中的顯示器基板可列舉：可撓性配線版、液晶元件、電子紙。特別是最佳為應用於欲賦予薄型化且可撓性（flexible）的器件。
此處使用圖來表示使用本發明的顯示器基板的製造方法的可撓性液晶顯示器基板的製造例。
如圖1所示，準備玻璃基板1作為支撐體，藉由旋塗在玻璃基板1上塗佈本發明的樹脂組成物後，藉由130℃的加熱板進行2分鐘烘烤，以厚度為約5 μm的方式進行製膜，而獲得樹脂組成物膜2。接著，如圖2所示，使用硬化爐以200℃加熱硬化30分鐘、接著以350℃加熱硬化60分鐘，而將樹脂組成物中的聚醯亞胺前驅物醯亞胺化，而形成作為固體狀樹脂膜的聚醯亞胺樹脂膜3。該聚醯亞胺樹脂膜3的膜厚為3 μm。在該聚醯亞胺樹脂膜3上，如圖3所示般，根據已知的方法形成TFT電極層4。接著在其上根據已知的方法形成液晶顯示元件層5、覆蓋膜層6。然後，如圖4所示，自玻璃基板1物理性剝離形成有TFT電極層4等的聚醯亞胺樹脂膜3。藉由此種方法，可獲得可靠性優異的可撓性液晶顯示器基板。
本發明的聚醯亞胺樹脂膜的熱膨脹率在100℃～200℃的範圍中較佳為50×10-6 /K以下，更佳為30×10-6 /K以下，尤佳為與支撐體（例如玻璃基板）同等程度的熱膨脹率。支撐體的熱膨脹率與聚醯亞胺樹脂膜的熱膨脹率越為同等程度，則在半導體元件形成的製程中，越難以產生支撐體與聚醯亞胺膜的剝離或翹曲、尺寸偏差，而可提供可靠性高的顯示器基板。
熱膨脹率可藉由使用將脫水閉環後的聚醯亞胺膜切出為5 mm×15 mm者，利用熱機械分析儀（Thermal Mechanical Analyzer）（例如理學（Rigaku）股份有限公司製造），以每分鐘5℃自25℃升溫至450℃而進行測定。
聚醯亞胺樹脂膜的斷裂伸長率較佳為5%以上（25℃），更佳為10%以上，尤佳為15%以上。斷裂伸長率可使用將脫水閉環後的聚醯亞胺膜切出為10 mm×60 mm的樣品，藉由自動測圖儀（autograph）（例如島津製作所股份有限公司製造）進行測定。若斷裂伸長率為5%以上，則即便彎折亦是有可能的，因此有可進一步賦予可撓性的傾向。
聚醯亞胺樹脂的彈性模數（拉伸彈性模數）較佳為1 GPa以上（25℃），更佳為1.5 GPa以上，尤佳為2 GPa以上。彈性模數可使用將脫水閉環後的聚醯亞胺膜切出為10 mm×60 mm的樣品，藉由自動測圖儀（例如島津製作所股份有限公司製造）進行測定。若彈性模數為1 GPa以上，則有熱膨脹係數變小的傾向，因此有高溫曝露時的變形變小，即難以產生尺寸偏差，而使用本發明的聚醯亞胺樹脂的各種裝置的可靠性提高的傾向。
接著，所形成的聚醯亞胺樹脂與基板的密接力（柱栓下拉評價法）較理想為50 kg/cm2 以上、950 kg/cm2 以下、更佳為300 kg/cm2 以下。在密接力弱於該範圍時，在形成、積層中容易產生半導體元件與支撐體的剝離，另外，在為超過該範圍的密接力時，有自支撐體剝離時對聚醯亞胺樹脂膜或半導體元件造成損傷的可能性。
[實施例]
（合成例1：聚醯亞胺前驅物溶液A的合成） 在氮氣環境下的200 ml燒瓶中，投入對苯二胺6.99 g與N-甲基吡咯烷酮174 g，以40℃加熱攪拌15分鐘使單體溶解。 然後添加均聯苯四羧酸二酐（2,3,3',4'-聯苯四羧酸2,3：3',4'-二酐）19.01 g，接著攪拌30分鐘，獲得黏度1100 mPa·s（25℃）的聚醯亞胺前驅物溶液A。該聚醯亞胺前驅物的重量平均分子量為70,000。所得的聚醯亞胺前驅物溶液A中，聚醯亞胺前驅物的含量為13質量%。
（合成例2：聚醯亞胺前驅物溶液B的合成） 在氮氣環境下的200 ml燒瓶中，投入對苯二胺10.85 g、二胺基二苯醚0.10 g、N-甲基吡咯烷酮164 g，以40℃加熱攪拌15分鐘使單體溶解。然後添加均聯苯四羧酸二酐11.88 g與均苯四甲酸二酐13.21 g，接著攪拌30分鐘，獲得黏度1200 mPa·s（25℃）的聚醯亞胺前驅物溶液B。該聚醯亞胺前驅物溶液B的重量平均分子量為65,000。所得的聚醯亞胺前驅物溶液B中，聚醯亞胺前驅物的含量為18質量%。
（合成例3：聚醯亞胺前驅物溶液C的合成） 在氮氣環境下的200 ml燒瓶中，投入對苯二胺7.22 g、二胺基二苯醚0.07 g、N-甲基吡咯烷酮173 g，以40℃加熱攪拌15分鐘使單體溶解。然後添加均聯苯四羧酸二酐19.64 g與均苯四甲酸二酐0.07 g，接著攪拌30分鐘，獲得黏度13000 mPa·s（25℃）的液狀聚醯亞胺前驅物C。該聚醯亞胺前驅物的重量平均分子量為72,000。聚醯亞胺前驅物的含量為13質量%。
（合成例4：聚醯亞胺前驅物溶液D的合成） 在氮氣環境下的200 ml燒瓶中，投入對苯二胺11.33 g、二胺基二苯醚0.11 g、N-甲基吡咯烷酮164 g，以40℃加熱攪拌15分鐘使單體溶解。然後添加均聯苯四羧酸二酐6.20 g與均苯四甲酸二酐18.37 g，接著攪拌30分鐘，獲得黏度1200 mPa·s（25℃）的液狀聚醯亞胺前驅物D。該聚醯亞胺前驅物的重量平均分子量為60,000。聚醯亞胺前驅物的含量為18質量%。
（實施例1） 在聚醯亞胺前驅物溶液A 100 g中添加0.013 g的UCT-801（3-脲丙基三乙氧基矽烷的50%甲醇溶液：以下相同）後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物1。另外，相對於（a）聚醯亞胺前驅物，烷氧基矽烷化合物的含量為0.05質量%。 在6英吋矽晶圓上藉由旋塗而塗佈所得的樹脂組成物1後，藉由130℃的加熱板進行2分鐘烘烤（乾燥），以厚度為18 μm的方式進行製膜。接著，使用硬化爐以200℃加熱硬化30分鐘、接著以450℃加熱硬化60分鐘，將樹脂組成物中的聚醯亞胺前驅物進行醯亞胺化，而獲得聚醯亞胺樹脂膜。加熱硬化後的聚醯亞胺樹脂膜的膜厚為10 μm。對該聚醯亞胺樹脂膜測定與矽基板的密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（密接性的評價） 密接性是藉由使用美國方群（Quad Group）公司製造的Romulus（薄膜密接強度測定機）的柱栓下拉評價法（柱栓拉伸剝離強度測定）進行測定。具體而言，製作將藉由上述方法形成了聚醯亞胺樹脂膜的矽基板切割成1 cm見方的樣品片，在其中央立起附環氧樹脂的柱螺栓銷（stud pin）且藉由夾具固定，藉由150℃的烘箱使其加熱硬化1小時，將附環氧樹脂的柱螺栓銷固定於聚醯亞胺樹脂膜而製作評價用樣品。將該評價用樣品設置於Romulus上，以5 kg/min的比例增加負載並朝垂直方向施加拉伸的負載，將聚醯亞胺樹脂膜自矽基板剝離時的強度設為剝離強度。
（剝離性的評價） 在形成於矽基板上的聚醯亞胺樹脂膜上藉由剃刀切入切口，嘗試物理性剝離，藉由以下所示的A～D進行評價。 「A」：剝離性優異，藉由剃刀切入切口後，自其自然剝離。 「B」：剝離性良好（可藉由鑷子容易地剝離），但藉由剃刀切入切口亦未自然剝離。 「C」：可剝離（藉由鑷子剝離），但對在聚醯亞胺樹脂膜上產生負擔（伸長或變形、一部分破碎）的膜造成負擔。 「D」：無法剝離。
（耐熱性（熱膨脹率及減少1%質量的溫度）的評價） 熱特性是使用理學股份有限公司製造的熱機械分析儀，對切出為5 mm×15 mm的聚醯亞胺樹脂膜，測定以每分鐘5℃自25℃升溫至450℃時的100℃～200℃的範圍的熱膨脹係數及減少1%質量的溫度。
（機械特性（斷裂伸長率及彈性模數）的評價） 機械特性是對切出為10 mm×60 mm的聚醯亞胺樹脂膜，使用島津製作所股份有限公司製造的自動測圖儀，測定斷裂伸長率及彈性模數（對於拉伸的楊氏模數、拉伸彈性模數）。
（實施例2） 在聚醯亞胺前驅物溶液A 100 g中添加0.052 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物2。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液A中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.2質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例3） 在聚醯亞胺前驅物溶液A 100 g中添加0.13 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物3。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液A中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.5質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例4） 在聚醯亞胺前驅物溶液A 100 g中添加0.26 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物4。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液A中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為1.0質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例5） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.018 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物5。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.05質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例6） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.072 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物6。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.2質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例7） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.18 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物7。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.5質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例8） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.072 g的SIB1140.0（雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷的50%甲醇溶液）後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物8。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.2質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例9） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.18 g的SIB1140.0後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物9。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.5質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例10） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.36 g的SIB1140.0後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物10。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為1.0質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例11） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.072 g的KBM-103（苯基三甲氧基矽烷）後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物11。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.4質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例12） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.18 g的KBM-103後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物12。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為1.0質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例13） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.36 g的KBM-103後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物13。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為2.0質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例14） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.072 g的KBM-403（3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷）後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物14。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為0.4質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表2。
（實施例15） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.18 g的KBM-403後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物15。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為1.0質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表3。
（實施例16） 在聚醯亞胺前驅物溶液B 100 g中添加0.36 g的KBM-403後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物16。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液B中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為2.0質量%。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表3。
（實施例17） 在液狀聚醯亞胺前驅物C 100 g中添加0.14 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得液狀聚醯亞胺前驅物樹脂組成物17。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例18） 在液狀聚醯亞胺前驅物C 100 g中添加0.27 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得液狀聚醯亞胺前驅物樹脂組成物18。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例19） 在液狀聚醯亞胺前驅物C 100 g中添加0.54 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得液狀聚醯亞胺前驅物樹脂組成物19。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例20） 在液狀聚醯亞胺前驅物D 100 g中添加0.18 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得液狀聚醯亞胺前驅物樹脂組成物20。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例21） 在液狀聚醯亞胺前驅物D 100 g中添加0.36 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得液狀聚醯亞胺前驅物樹脂組成物21。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（實施例22） 在液狀聚醯亞胺前驅物D 100 g中添加0.54 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得液狀聚醯亞胺前驅物樹脂組成物22。 以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（比較例1） 藉由實施例1所記載的方法將聚醯亞胺前驅物溶液A成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表3。
（比較例2） 藉由實施例1所記載的方法將聚醯亞胺前驅物溶液B成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表3。
（比較例3） 在經矽烷偶合劑預處理（將3-胺基丙基三乙氧基矽烷0.1質量%的1-甲氧基-2-丙醇溶液旋塗於6英吋矽晶圓上後，以130℃烘烤將溶劑除去，藉此形成3-胺基丙基三乙氧基矽烷的單層膜）的6英吋矽晶圓上，藉由旋塗而塗佈聚醯亞胺前驅物溶液A後，藉由130℃的加熱板進行2分鐘烘烤，以厚度為18 μm的方式進行製膜。接著，使用硬化爐以200℃加熱硬化30分鐘、接著以450℃加熱硬化60分鐘而進行醯亞胺化，獲得聚醯亞胺樹脂膜。醯亞胺化後的膜厚為10 μm。 對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表3。
（比較例4） 在經矽烷偶合劑預處理的6英吋矽晶圓上，藉由旋塗而塗佈聚醯亞胺前驅物溶液B後，藉由130℃的加熱板進行2分鐘烘烤，以厚度為18 μm的方式進行製膜。接著，使用硬化爐以200℃加熱硬化30分鐘、接著以450℃加熱硬化60分鐘而進行醯亞胺化，獲得包含聚醯亞胺樹脂膜的樹脂膜。 醯亞胺化後的膜厚為10 μm。 對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表3。
（比較例5） 在聚醯亞胺前驅物溶液A 100 g中添加0.78 g的UCT-801後，攪拌3小時，獲得樹脂組成物。另外，相對於聚醯亞胺前驅物（聚醯亞胺前驅物溶液A中的聚醯亞胺前驅物成分），烷氧基矽烷化合物的含量為3.0質量%。
以與實施例1相同的方式進行成膜，對所得的聚醯亞胺樹脂膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（比較例6） 藉由實施例1所記載的方法將液狀聚醯亞胺前驅物C成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
（比較例7） 藉由實施例1所記載的方法將液狀聚醯亞胺前驅物D成膜，對所得的聚醯亞胺膜評價密接性、熱特性、機械特性，將其結果匯總示於表1。
[表1]
Figure 107131461-A0304-0001
 ※（b）烷氧基矽烷化合物的含量表示（b）成分的固體成分相對於（a）聚醯亞胺前驅物溶液中的聚醯亞胺前驅物成分（固體成分）的含量（質量%）。
[表2]
Figure 107131461-A0304-0002
[表3]
Figure 107131461-A0304-0003
如實施例1～實施例22所示可知，使用含有0.01質量%～2質量%的烷氧基矽烷化合物的樹脂組成物的樹脂膜，其密接性、剝離性、耐熱性（熱膨脹率、減少1%質量的溫度）、及機械特性（斷裂伸長率、及彈性模數）優異。如實施例1～實施例17的聚醯亞胺樹脂膜即便為10 μm的薄膜，亦可容易地形成TFT等半導體元件，另外，可簡單地自支撐體剝離。
另一方面，在使用不含矽烷偶合劑的樹脂組成物的比較例1及比較例2中，密接性降低。另外，在藉由矽烷偶合劑對晶圓進行預處理來代替使用含有矽烷偶合劑的樹脂組成物的比較例3及比較例4中，剝離性差。另外，在使用3質量%的矽烷偶合劑的比較例5中，剝離性差。
上述對幾個本發明的實施方式及/或實施例進行了詳細說明，但業者在不實質性脫離本發明的新穎的主旨及效果的情況下，容易對這些例示的實施方式及/或實施例施加大量的變更。因此，這些大量的變更包含在本發明的範圍中。
本說明書所記載的文獻及本申請案的成為巴黎優先權的基礎的日本專利申請案說明書的內容全部引用至此。
1‧‧‧玻璃基板2‧‧‧樹脂組成物膜3‧‧‧聚醯亞胺樹脂膜4‧‧‧TFT電極層5‧‧‧液晶顯示元件層6‧‧‧覆蓋膜層
圖1是表示本發明的顯示器基板的製造方法的一個形態的剖面圖。 圖2是表示本發明的顯示器基板的製造方法的一個形態的剖面圖。 圖3是表示本發明的顯示器基板的製造方法的一個形態的剖面圖。 圖4是表示本發明的顯示器基板的製造方法的一個形態的剖面圖。
1‧‧‧玻璃基板
3‧‧‧聚醯亞胺樹脂膜
4‧‧‧TFT電極層
5‧‧‧液晶顯示元件層
6‧‧‧覆蓋膜層

Claims (8)

  1. 一種樹脂組成物，其含有(a)聚醯亞胺前驅物、(b)烷氧基矽烷化合物及(c)有機溶劑，上述(a)聚醯亞胺前驅物的重量平均分子量為15,000~200,000，相對於上述(a)聚醯亞胺前驅物，上述(b)烷氧基矽烷化合物的含量為0.1質量%~0.4質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，其中上述(a)聚醯亞胺前驅物是具有通式(1)所示的結構單元的聚醯胺酸：
    Figure 107131461-A0305-02-0038-1
     (通式(1)中，R1表示具有芳香族環的2價有機基、R2表示具有芳香族環的4價有機基)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，其中上述(b)烷氧基矽烷化合物是通式(2)或通式(3)所示的任一種化合物：
    Figure 107131461-A0305-02-0038-2
     (通式(2)、通式(3)中，R1及R2分別獨立地表示1價有機基)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，其中上述(b)烷氧基矽烷化合物是選自由雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三丙氧基矽烷、γ-胺基丙基三丁氧基矽烷、γ-胺基乙基三乙氧基矽烷、γ-胺基乙基三甲氧基矽烷、γ-胺基乙基三丙氧基矽烷、γ-胺基乙基三丁氧基矽烷、γ-胺基丁基三乙氧基矽烷、γ-胺基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丁基三丙氧基矽烷及γ-胺基丁基三丁氧基矽烷所組成的群組中的一種以上。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的樹脂組成物，其用於包括以下步驟的顯示器基板的製造方法：將樹脂組成物塗佈於支撐體上進行加熱而形成聚醯亞胺樹脂膜的步驟；在上述聚醯亞胺樹脂膜上形成半導體元件的步驟；以及將形成有上述半導體元件的上述聚醯亞胺樹脂膜自上述支撐體剝離的步驟。
  6. 一種聚醯亞胺樹脂膜，其將如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的樹脂組成物進行加熱而得。
  7. 一種顯示器基板的製造方法，其包括下述各步驟：將如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的樹脂組成物塗佈於支撐體上進行加熱而形成聚醯亞胺樹脂膜的步驟；在上述聚醯亞胺樹脂膜上形成半導體元件的步驟；以及將形成有上述半導體元件的上述聚醯亞胺樹脂膜自上述支撐體剝離的步驟。
  8. 一種顯示器基板，其藉由如申請專利範圍第7項所述的顯示器基板的製造方法而形成。
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