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TWI681945B - 胺系化合物及包含其之有機發光二極體 - Google Patents

胺系化合物及包含其之有機發光二極體 Download PDF

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TWI681945B
TWI681945B TW102104287A TW102104287A TWI681945B TW I681945 B TWI681945 B TW I681945B TW 102104287 A TW102104287 A TW 102104287A TW 102104287 A TW102104287 A TW 102104287A TW I681945 B TWI681945 B TW I681945B
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黃晳煥
鄭惠珍
林珍娛
韓相鉉
鄭恩在
金秀娟
朴俊河
李銀永
李鍾赫
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三星顯示器有限公司
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Abstract

本實施例提供一種胺系化合物及包含該胺系化合物之有機發光二極體。

Description

胺系化合物及包含其之有機發光二極體
相關申請案之交互參照
本申請案主張2012年2月07日向韓國智慧財產局提出之案號為10-2012-0012532及2012年6月08日向韓國智慧財產局提出之案號為10-2012-0061676之韓國申請案之權益，其全部內容藉參照整合於此。
本實施例係關於一種用於有機發光二極體之化合物及包含該化合物之有機發光二極體。
有機發光二極體(OLEDs)為具有例如廣視角、良好對比、反應快速、高亮度、良好驅動電壓之優點之自發光二極體，且可提供彩色影像。
傳統的有機發光二極體包含具有基板之結構，且陽極、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)及陰極依序堆疊於基板上。關於此點，電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層為包含有機化合物之有機薄膜。
具有上述結構之有機發光二極體之操作原則如下。
當電壓施加於陽極與陰極間時，自陽極注入之電洞經由電洞傳輸層移至發光層，而自陰極注入之電子經由電子傳輸層移至發光層。電洞與電子於發光層中再結合以產生激子。當激子自激發態落回基態時發出光線。
本發明實施例提供一種具有新型結構之胺系化合物，及包含該胺系化合物之有機發光二極體。
根據本發明之一態樣提供由以下化學式1表示之胺系化合物：
Figure 102104287-A0305-02-0004-2
其中，於化學式1中，Ar1與Ar2各獨立地為經取代或未經取代之C6-C60芳基或經取代或未經取代之C2-C60雜芳基；X1為經取代或未經取代之C6-C60伸芳基或經取代或未經取代之C2-C60伸雜芳基；m為1至5之整數；且各經取代之C6-C60芳基、經取代之C2-C60雜芳基、經取代之C6-C60伸芳基與經取代之C2-C60伸雜芳基的至少一取代基為氘原子；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羥基；-NO2；氨基；甲脒 基；胼；腙；羧基或其鹽；磺酸基或其鹽；磷酸基或其鹽；三(C6-C60芳基)矽烷基；C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽或磷酸基或其鹽的至少之一取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、及C2-C60炔基；C3-C60環烷基、C3-C60環烯基、C6-C60芳基、C2-C60雜芳基、C6-C60芳烷基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個氟(F)取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C3-C60環烷基、C3-C60環烯基、C6-C60芳基、C2-C60雜芳基、C6-C60芳烷基、C6-C60芳氧基及C6-C60芳硫基的其中之一，
其中Ar1與Ar2的至少之一為經選自由-F；-CN；-NO2；經至少一個-F取代之C1-C60烷基；C2-C60雜芳基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個-F取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C2-C60雜芳基組成之群組的至少一拉電子基取代之C6-C60芳基。
根據本發明之另一態樣，提供有機發光二極體包含第一電極、相對於第一電極設置之第二電極、及設置於第一電極與第二電極間之有機層，該有機層包含至少一種胺系化合物。
10‧‧‧有機發光二極體
11‧‧‧基板
13‧‧‧第一電極
15‧‧‧有機層
17‧‧‧第二電極
藉參照附圖詳細描述例示性實施例，本發明之以上及其他特徵及優點將變得顯而易知，其中： 第1圖為描繪根據一實施例之有機發光二極體的結構之示意圖。
如用於本文中，用詞「和/或」包含一或多個相關表列元件之任何或全部組合。當例如「至少之一」之表述詞前綴於一列元件時，係修飾整列元件而非修飾該列中之個別元件。
根據本發明之一態樣，提供由化學式1表示之胺系化合物：
Figure 102104287-A0305-02-0006-3
於化學式1中，Ar1與Ar2各獨立地為經取代或未經取代之C6-C60芳基或經取代或未經取代之C2-C60雜芳基；且X1為經取代或未經取代之C6-C60伸芳基或經取代或未經取代之C2-C60伸雜芳基，且m為1至5之整數。
各經取代之C6-C60芳基、經取代之C2-C60雜芳基、經取代之C6-C60伸芳基與經取代之C2-C60伸雜芳基的至少一取代基可為 氘原子；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羥基；-NO2；氨基；甲脒基；胼；腙；羧基或其鹽；磺酸基或其鹽；磷酸基或其鹽；三(C6-C60芳基)矽烷基；C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基與C2-C60炔基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽或磷酸基或其鹽的至少之一取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基與C2-C60炔基；C3-C60環烷基、C3-C60環烯基、C6-C60芳基、C2-C60雜芳基、C6-C60芳烷基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個氟(F)取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C3-C60環烷基、C3-C60環烯基、C6-C60芳基、C2-C60雜芳基、C6-C60芳烷基、C6-C60芳氧基與C6-C60芳硫基的其中之一。
於以上化學式1中，Ar1與Ar2的至少之一為經選自由-F；-CN；-NO2；經至少一個-F取代之C1-C60烷基；C2-C60雜芳基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個-F取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C2-C60雜芳基組成之群組的至少一拉電子基取代之C6-C60芳基。
舉例而言，至少一拉電子基可選自由：-F；-CN；-NO2；經至少一個-F取代之C1-C20烷基；包含環形成N原子(ring-forming N atom)之C2-C20雜芳基；及包含環形成N原子並經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之 C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C6-C20芳基與C2-C20雜芳基的至少之一取代之C2-C20雜芳基所組成之群組。
於一些實施例中，化學式1中之至少一拉電子基可選自由-F；-CN；經至少一個-F取代之C1-C20烷基；吡咯基(pyrrolyl group)、吡唑基(pyrazolyl group)、咪唑基(imidazolyl group)、咪唑啉基(imidazolinyl group)、咪唑吡啶基(imidazopyridinyl group)、咪唑嘧啶基(imidazopyrimidinyl group)、吡啶基(pyridinyl group)、吡嗪基(pyrazinyl group)、嘧啶基(pyrimidinyl group)、苯並咪唑基(benzoimidazolyl group)、吲哚基(indolyl group)、嘌呤基(purinyl group)、喹啉基(quinolinyl group)、異喹啉基(isoquinolinyl group)、酞嗪基(phthalazinyl group)、吲哚嗪基(indolizinyl group)、喹唑啉基(quinazolinyl group)、噌啉基(cirnnolinyl group)、吲唑基(indazolyl group)、咔唑基(carbazolyl group)、吩嗪基(phenazinyl group)、菲啶基(phenanthridinyl group)、三嗪基(triazinyl group)、噠嗪基(pyridazinyl group)、三唑基(triazolyl group)及四唑基(tetrazolyl group)及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基(phenanthrenyl group)、芘基(pyrenyl group)、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡咯基、吡唑基、咪唑基、咪唑啉基、咪唑吡啶基、咪唑嘧啶基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、苯並咪唑基、吲哚基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、呔嗪基、吲哚嗪基、喹唑啉基、噌啉基、吲唑基、咔唑基、吩嗪基、菲啶基、三嗪基、噠嗪基、三唑基及四唑基組成之群組。
舉例而言，化學式1中之至少一拉電子基可選自由：F； -CN；經至少一個-F取代之C1-C20烷基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組，但不限於此。
於一些實施例中，以上化學式1中之至少一拉電子基可選自由-F；-CN；-CH2F；-CHF2；-CF3；與由以下化學式2(1)至化學式2(14)表示之基團所組成之群組：
Figure 102104287-A0305-02-0009-4
Figure 102104287-A0305-02-0010-5
於以上化學式2(1)至化學式2(14)中，Z11至Z18可各獨立地為氫原子、氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基或咔唑基。
舉例而言，以上化學式2(1)至化學式2(14)中之Z11至Z18可各獨立地為氫原子、氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基或咔唑基，但不限於此，*表示鍵結位置。
於以上化學式1中，Ar1與Ar2的至少之一可為經至少兩個拉電子基取代之C6-C60芳基。
於一些實施例中，Ar1與Ar2的至少之一可為經至少兩個拉電子基取代之苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或茀基(fluorenyl group)。拉電子基可各獨立地選自由吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、 腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、酞嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組。
以上化學式1之胺系化合物中的Ar1與Ar2的至少之一為經至少一個以上之拉電子基取代之C6-C60芳基。據此，胺系化合物可由以下化學式1(1)或化學式1(2)表示：
Figure 102104287-A0305-02-0011-6
於以上化學式1(1)中，Ar2為經取代或未經取代之C6-C20芳基或經取代或未經取代之C2-C20雜芳基。於以上化學式1(1)與化學式1(2)中，A環與B環各獨立地為經取代之C6-C20芳基；R1與R2各獨立地為選自由：-F；-CN；-NO2；經至少一個-F取代之C1-C60烷基；C2-C60雜芳基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個-F取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C2-C60雜芳基組成之群組之拉電子基；且p與q各獨立地為1至9之整數。
化學式1(1)至化學式1(2)中之拉電子基如上所述，因此其詳細之描述於此將不再重複。
舉例而言，胺系化合物可由以上化學式1(1)表示，其中化學式1(1)中p數量個R1中的至少之一可為-CN。
於一些實施例中，胺系化合物可由以上化學式1(2)表示，其中化學式1(2)中p數量個R1與q數量個R2中的至少之一可為-CN。
於一些實施例中，胺系化合物可由以上化學式1(1)表示，其中化學式1(1)中之A環可為經取代之苯基、經取代之聯苯基、經取代之萘基、經取代之蒽基、經取代之菲基、經取代之芘基或經取代之茀基，但不限於此。
於一些實施例中，胺系化合物可由以上化學式1(2)表示，其中化學式1(2)中之A環與B環可各獨立地為經取代之苯基、經取代之聯苯基、經取代之萘基、經取代之蒽基、經取代之菲基、經取代之芘基或經取代之茀基。
於一些實施例中，胺系化合物可由化學式1(1)表示，其中A環可為經取代之苯基、經取代之聯苯基、經取代之萘基、經取代之蒽基、經取代之菲基、經取代之芘基或經取代之茀基；R1可為選自由吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；與經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、酞嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組之至少一拉電子基；而 p可為2、3或4，舉例而言，可為2。
於一些其他實施例中，胺系化合物可由化學式1(2)表示，其中A環與B環可各獨立地為經取代之苯基其中A環可為經取代之苯基、經取代之聯苯基、經取代之萘基、經取代之蒽基、經取代之菲基、經取代之芘基或經取代之茀基；R1與R2可各獨立地為選自由吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；與經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、酞嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組之至少一拉電子基；而p與q可各獨立地為2、3或4之整數，舉例而言，可皆為2之整數。
以上化學式1中Ar1與Ar2的至少之一可為經上列至少一拉電子基取代之苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或茀基。
於以上化學式1中，Ar1與Ar2可各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之並環戊二烯基(pentalenyl group)、經取代或未經取代之茚基(indenyl group)、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之薁基(azulenyl group)、經取代或未經取代之並環庚三烯基(heptalenyl group)、經取代或未經取代之二環戊二烯並苯基(indacenyl group)、經取代或未經取代之苊基(acenaphthyl group)、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之丙烯合萘基(phenalenyl group)、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之丙二烯合茀基(fluoranthenyl group)、經取 代或未經取代之聯伸三苯基(triphenylenyl group)、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之蒯基(chrysenyl group)、經取代或未經取代之稠四苯基(naphthacenyl group)、經取代或未經取代之苉基(picenyl group)、經取代或未經取代之苝基(perylenyl group)、經取代或未經取代之五苯基(pentaphenyl group)、經取代或未經取代之稠六苯基(hexacenyl group)、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之咪唑啉基、經取代或未經取代之咪唑吡啶基、經取代或未經取代之咪唑嘧啶基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之苯並咪唑基、經取代或未經取代之吲哚基、經取代或未經取代之嘌呤基、經取代或未經取代之喹啉基、經取代或未經取代之酞嗪基、經取代或未經取代之吲哚嗪基、經取代或未經取代之萘啶基(naphthyridinyl group)、經取代或未經取代之喹唑啉基、經取代或未經取代之噌啉基、經取代或未經取代之吲唑基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之吩嗪基、經取代或未經取代之菲啶基、經取代或未經取代之吡喃基(pyranyl group)、經取代或未經取代之色烯基(chromenyl group)、經取代或未經取代之呋喃基(furanyl group)、經取代或未經取代之苯並呋喃基(benzofuranyl group)、經取代或未經取代之噻吩基(thienyl group)經取代或未經取代之苯並噻吩基(benzothienyl group)、經取代或未經取代之異噻唑基(isothiazolyl group)、經取代或未經取代之苯並咪唑基(benzoimidazolyl group)、經取代或未經取代之異噁唑基(isoxazolyl group)、經取代或未經取代之二苯並噻吩基(dibenzothienyl group)、經取代或未經取代之二苯並呋喃基(dibenzofuranyl group)、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之噁二唑基(oxadiazolyl group)、 經取代或未經取代之噠嗪基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之四唑基或經取代或未經取代之啡啉基(phenanthrolinyl group)。Ar1與Ar2的至少之一可為經上列至少一拉電子基取代之苯基聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或茀基。
舉例而言，以上化學式1中之Ar1與Ar2可各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之聯伸三苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之蒯基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之喹啉基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之二苯並噻吩基、經取代或未經取代之二苯並呋喃基或經取代或未經取代之啡啉基。Ar1與Ar2的至少之一可為經選自由-F；-CN；經至少一個-F取代之C1-C20烷基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組之至少一拉電子基取代之苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或茀基。
於一些實施例中，化學式1中之Ar1與Ar2可藉單鍵鍵結在一起。
於一些實施例中胺系化合物可由以下化學式1A至化學式1J中之任一表示：
Figure 102104287-A0305-02-0016-7
Figure 102104287-A0305-02-0017-8
化學式1A至化學式1I中之Ar2可與以上結合其他化學式所述者相同。
化學式1A與化學式1B中之R11至R15的至少之一、化學式1C與化學式1D中之R11至R17的至少之一、化學式1E與化學式1J中之R11至R18的至少之一與化學式1F及化學式1G、化學式1H與化學式1I中之R11至R19的至少之一可各獨立地為選自由-F；-CN；-NO2；經至少一個-F取代之C1-C60烷基；C2-C60雜芳基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個-F取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C2-C60雜芳基組成之群組之拉電子基。
舉例而言，化學式1A與化學式1B中之R11至R15的至少之一、化學式1C與化學式1D中之R11至R17的至少之一、化學式1E與化學式1J中之R11至R18的至少之一與化學式1F及化學式1G、化學式1H與化學式1I中之R11至R19的至少之一可各獨立地為選自由-F；-CN；經至少一個-F取代之C1-C20烷基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、 腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、酞嗪基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組之拉電子基，但不限於此。
於一些實施例中，化學式1A至化學式1I中之Ar2可為，但不限於經由-F；-CN；經至少一個-F取代之C1-C20烷基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；與經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、酞嗪基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組之至少一拉電子基取代之苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或茀基。
於一些實施例中，胺系化合物可由以下化學式1A-(1)或化學式1A-(2)表示：
Figure 102104287-A0305-02-0018-9
於化學式1A-(1)與化學式1A-(2)中，R12、R14、R22與R24可各獨立地為選自由吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、三嗪基、苯並咪唑基及咔唑基；與經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、經至少一個-F取代之C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、吡啶基、三嗪基與咔唑基的至少之一取代之吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、酞嗪基、苯並咪唑基及咔唑基組成之群組之拉電子基；且Ar2可為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之茀基。
於一些實施例中，化學式1A-(1)與化學式1A-(2)中之R12、R14、R22與R24可各獨立地選自由-F；-CN；-CH2F；-CHF2；-CF3；與由以上化學式2(1)至化學式2(14)表示之基團所組成之群組。
於一些實施例中，以上化學式1A-(1)與化學式1A-(2)中之R12、R14、R22與R24可各獨立地為由以上化學式2(1)至化學式2(8)表示之基團。
於一些實施例中，以上化學式1A-(1)與化學式1A-(2)中之R12、R14、R22與R24可各獨立地為由以上化學式2(2)表示，但不限於此。
於化學式1A-(1)中，Ar2的可為苯基、聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或茀基，但不限於此。
於化學式1中，X1可為經取代或未經取代之伸苯基 (phenylene group)、經取代或未經取代之伸並環戊二烯基(pentalenylene group)、經取代或未經取代之伸茚基(indenylene group)、經取代或未經取代之伸萘基(naphthylene group)、經取代或未經取代之伸薁基(azulenylene group)、經取代或未經取代之伸並環庚三烯基(heptalenylene group)、經取代或未經取代之伸二環戊二烯並苯基(indacenylene group)、經取代或未經取代之伸苊基(acenaphthylene group)、經取代或未經取代之伸茀基(fluorenylene group)、經取代或未經取代之伸丙烯合萘基(phenalenylene group)、經取代或未經取代之伸菲基(phenanthrenylene group)、經取代或未經取代之伸蒽基(anthrylene group)、經取代或未經取代之伸丙二烯合茀基(fluoranthenylene group)、經取代或未經取代之伸聯伸三苯基(triphenylenylene group)、經取代或未經取代之伸芘基(pyrenylene group)、經取代或未經取代之伸蒯基(chrysenylene group)、經取代或未經取代之伸稠四苯基(naphthacenylene group)、經取代或未經取代之伸苉基(picenylene group)、經取代或未經取代之伸苝基(perylenylene group)、經取代或未經取代之伸五苯基(pentaphenylene group)、經取代或未經取代之伸稠六苯基(hexacenylene group)、經取代或未經取代之伸吡咯基(pyrrolylene group)、經取代或未經取代之伸吡唑基(pyrazolylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑基(imidazolylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑啉基(imidazolinylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑吡啶基(imidazopyridinylene group)、經取代或未經取代之伸咪唑嘧啶基(imidazopyrimidinylene group)、經取代或未經取代之伸吡啶基(pyridinylene group)、經取代或未經取代之伸吡嗪基(pyrazinylene group)、經取代或未經取代之伸嘧啶基(pyrimidinylene group)、經取代或未經取代之伸吲哚基(indolylene group)、經取代或未經取代之伸 嘌呤基(purinylene group)、經取代或未經取代之伸喹啉基(quinolinylene group)、經取代或未經取代之伸酞嗪基(phthalazinylene group)、經取代或未經取代之伸吲哚嗪(indolizinylene group)、經取代或未經取代之伸萘啶基(naphthyridinylene group)、經取代或未經取代之伸喹唑啉基(quinazolinylene group)、經取代或未經取代之伸噌啉基(cinnolinylene group)、經取代或未經取代之伸吲唑基(indazolylene group)、經取代或未經取代之伸咔唑基(carbazolylene group)、經取代或未經取代之伸吩嗪基(phenazinylene group)、經取代或未經取代之伸菲啶基(phenanthridinylene group)、經取代或未經取代之伸哌喃基(pyranylene group)、經取代或未經取代之伸色烯基(chromenylene group)、經取代或未經取代之伸呋喃基(furanylene group)、經取代或未經取代之伸苯並呋喃基(benzofuranylene group)、經取代或未經取代之伸噻吩基(thienylene group)、經取代或未經取代之伸苯並噻吩基(benzothienylene group)、經取代或未經取代之伸異噻唑基(isothiazolylene group)、經取代或未經取代之伸苯並咪唑基(benzoimidazolylene group)、經取代或未經取代之伸異噁唑基(isoxazolylene group)、經取代或未經取代之伸二苯並噻吩基(dibenzothienylene group)、經取代或未經取代之伸二苯並呋喃基(dibenzofuranylene group)、經取代或未經取代之伸三嗪基(triazinylene group)、經取代或未經取代之伸噁二唑基(oxadiazolylene group)、經取代或未經取代之伸噠嗪基(pyridazinylene group)、經取代或未經取代之伸三唑基(triazolylene group)或經取代或未經取代之伸四唑基(tetrazolylene group)。化學式中之X1可具有可選自上述取代基中之至少一取代基。
於一些實施例中，化學式1中之X1可為但不限於經取 代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸萘基、經取代或未經取代之伸茀基、經取代或未經取代之伸菲基、經取代或未經取代之伸蒽基、經取代或未經取代之伸聯伸三苯基、經取代或未經取代之伸芘基、經取代或未經取代之伸蒯基、經取代或未經取代之伸吡啶基、經取代或未經取代之伸吡嗪基、經取代或未經取代之伸嘧啶基、經取代或未經取代之伸喹啉基、經取代或未經取代之伸喹唑啉基、經取代或未經取代之伸咔唑基、經取代或未經取代之伸二苯並噻吩基、經取代或未經取代之伸二苯並呋喃基、經取代或未經取代之伸三嗪基或經取代或經取代或未經取代之伸噠嗪基、經取代或未經取代之伸三唑基或經取代或未經取代之伸四唑基。
舉例而言，以上化學式1中之X1可為由以下化學式5(1)至化學式5(16)的其中之一表示之基團：
Figure 102104287-A0305-02-0022-10
Figure 102104287-A0305-02-0023-11
於化學式5(1)至化學式5(16)中，Z1至Z8可各獨立地為氫原子；氘原子；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羥基；-NO2；氨基；甲脒基；胼；腙；羧基或其鹽；磺酸基或其鹽；磷酸基或其鹽；C1-C20烷基；C1-C20烷氧基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽的至少之一取代之C1-C20烷基與C1-C20烷氧基；C6-C20芳基；C2-C20雜芳基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C6-C20芳基與C2-C20雜芳基的至少之一取代之C6-C20芳基與C2-C20雜芳基。
於化學式5(1)至化學式5(16)中，*表示至化學式1中之 蒽的鍵結位置，而*’表示至化學式1中之N的鍵結位置。
舉例而言，化學式5(1)至化學式5(16)中之Z1至Z8可各獨立地為氫原子；氘原子；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羥基；-NO2；氨基；甲脒基；胼；腙；羧基或其鹽；磺酸基或其鹽；磷酸基或其鹽；甲基、乙基、丙基、丁基與戊基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基與戊氧基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽的至少之一取代之甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基與戊氧基；苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、茀基；吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基與咔唑基；經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基的至少之一取代之苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、茀基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基與咔唑基，但不限於此。
於化學式1中，m為1至5之整數，且於一些實施例中，可為1、2或3，但不限於此。
化學式1之胺系化合物可為，例如以下化合物1至化合物109的其中之一，但不限於此：
Figure 102104287-A0305-02-0025-12
Figure 102104287-A0305-02-0026-13
Figure 102104287-A0305-02-0027-14
Figure 102104287-A0305-02-0028-15
Figure 102104287-A0305-02-0029-16
Figure 102104287-A0305-02-0030-17
Figure 102104287-A0305-02-0031-18
Figure 102104287-A0305-02-0032-19
Figure 102104287-A0305-02-0033-20
以上化學式1之胺系化合物中之Ar1與Ar2的至少之一為經由-F；-CN；-NO2；經至少一個-F取代之C1-C60烷基；C2-C60雜芳基；及經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基與C2-C60雜芳基的至少之一取代之C2-C60雜芳基組成之群組的至少一拉電子 基取代之C6-C60芳基，由以下化學式1’中之「A1」表示之部份能夠拉電子。
Figure 102104287-A0305-02-0034-21
化學式1’之胺系化合物具有豐富電子之萘-蒽核心與具拉電子能力之A1部分，而因此可具有良好之電子傳輸能力。當拉電子基為經取代或未經取代之C2-C60雜芳基時，經取代或未經取代之C2-C60雜芳基經由C6-C60芳基非直接地連結至化學式1’之N。從而包含化學式1之胺系化合物之有機發光二極體可具有改良之效率特性。 當拉電子基為-CN時，包含化學式1之胺系化合物之有機發光二極體可具有改良之使用壽命特性。
不希望被特定的理論束縛，於i)缺乏上述拉電子基之包含萘-蒽核心之胺系化合物或ii)具有直接連結至N之吡啶之包含萘-蒽核心之胺系化合物的任一種，最高佔有分子軌域(HOMO)電子密度可能集中於蒽部分附近。然而，於以上化學式1之蒽系化合物中，HOMO電子密度可能散佈於胺部分附近，從而最低未佔有分子軌域(LUMO)電子密度可能相對地定於蒽附近。此可能賦予化學式1之胺系化合物改良之偶極特性。從而可改良化學式1之胺系化合物之電子傳輸特性。
從而，包含任一由以上化學式1表示之胺系化合物之有機發光二極體可能具有低驅動電壓、高亮度、高效率與長使用壽命。
化學式1之胺系化合物可以已知之有機合成方法合成。從將詳細描述於下之實例，領域內之習知技術者可理解化學式1之胺系化合物之合成方法。
至少一種化學式1之胺系化合物可用於有機發光二極體之一對電極間。舉例而言，至少一種胺系化合物可於發光層中和/或於陰極與發光層間(例如電子傳輸層、電子注入層或兼具電子傳輸與電子注入能力之功能層)。
根據本實施例之其他態樣，有機發光二極體包含第一電極、相對於第一電極設置之第二電極以及設置於第一電極與第二電極間之有機層，其中有機層包含至少一種上述化學式1之胺系化合物。
如用於本文中，片語「(例如有機層)包含至少一胺系化合物」意指「(有機層)包含一種以上化學式1之胺系化合物或至少二種不同的以上化學式1之胺系化合物」。
於一些實施例中，有機層可僅包含化合物1作為胺系化合物。化合物1可於有機發光二極體之發光層或電子傳輸層中。於一些實施例中，有機層可包含化合物1與化合物3作為胺系化合物。化合物1與化合物3可於相同層中(例如電子傳輸層中)或可於不同層中(例如，分別於發光層與電子傳輸層中)。
有機層可包含選自電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、兼具電洞注入及電洞傳輸能力之功能層(以下稱為H-功能層)、緩衝層、電子阻擋層(EBL)、發光層(EML)、電洞阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、以及兼具電子注入及電子傳輸能力之功能 層(以下稱為E-功能層)間的至少一層。
於此使用之詞彙「有機層」表示位於有機發光二極體之第一電極與第二電極間之單層及/或複數層。
有機層可包含發光層，其中至少一種胺系化合物可包含於發光層中。
發光層中之胺系化合物可用作為基質。當發光層中之胺系化合物用作為基質時，發光層可更包含螢光摻質。螢光摻質可為藍色螢光摻質。於一些實施例中，發光層中之胺系化合物可用作為摻質。 當發光層中之胺系化合物用作為摻質時，胺系化合物可為藍色螢光摻質。
於一些實施例中，有機層可包含電子傳輸層，其中至少一種胺系化合物可包含於電子傳輸層中。
第1圖為根據一實施例之有機發光二極體10之剖面示意圖。下文中，根據一實施例之有機發光二極體之結構及其製造方法現將參照第1圖描述。
基板11可為用於現存有機發光二極體之任何基板。於一些實施例中基板11可為例如具強機械強度、熱穩定、透明、表面光滑、易於處理並防水之玻璃基板或透明塑膠基板。
第一電極13可藉沈積或濺鍍第一電極形成材料於基板11上而形成。當第一電極13建構為陽極時，具高功函數之材料可用作為第一電極形成材料以利於電洞注入。第一電極13可為反射電極或透明電極。適合之第一電極形成材料包含透明及導電材料，例如ITO、IZO、SnO2及ZnO。第一電極13可使用鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁- 鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)或鎂-銀(Mg-Ag)等以形成為反射電極。
第一電極13可具有單層結構或包含至少兩層之多層結構。舉例而言，第一電極13可具有ITO/銀/ITO之三層結構，但不限於此。
有機層15可設置於第一電極13上。
有機層15可包含電洞注入層、電洞傳輸層、緩衝層、發光層、電子傳輸層與電子注入層。
電洞注入層可藉真空沈積、旋轉塗佈、澆鑄、蘭慕爾-布羅吉(LB)沈積等形成於第一電極13上。
當電洞注入層使用真空沈積形成時，沈積條件可根據用以形成電洞注入層之化合物、將形成之電洞注入層所需之結構及熱特性而有所變動。舉例而言，真空沈積可於約100℃至約500℃之溫度、約10-8torr至約10-3torr之真空程度及約0.01Å/sec至約100Å/sec之沈積速率下執行。然而，沉積條件不限於此。
當電洞注入層係使用旋轉塗佈形成時，塗佈條件可根據用以形成電洞注入層之化合物、將形成之電洞注入層所需之結構及熱特性而有所變動。舉例而言，塗佈速度可於約2,000rpm至約5,000rpm之範圍內及在塗佈後執行以移除剩餘溶劑之熱處理溫度為約80℃至約200℃之範圍內。然而，塗佈條件不限於此。
電洞注入層可包含任何一般用以形成電洞注入層之材料。可用以形成電洞注入層之材料之實例為N,N'-聯苯-N,N'-雙-[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯苯-4,4'-二胺 (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4' -diamine ,DNTPD)、例如酞菁銅之酞菁化合物、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine,NPB)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙烯基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(polyaniline/camphor sulfonicacid(Pani/CSA)或聚苯胺/聚(4-硫磺苯乙烯)(polyaniline/poly(4-styrenesulfonate),PANI/PSS)，但不限於此。
Figure 102104287-A0305-02-0038-22
電洞注入層之厚度可為約100Å至約10,000Å，且於一些實施例中，可為約100Å至約1,000Å。當電洞注入層之厚度於此範圍內時，不需大幅(substantial)增加驅動電壓，電洞注入層即可獲得良好之電洞注入能力。
接著，電洞傳輸層可藉真空沈積、旋轉塗佈、澆鑄或蘭慕爾-布羅吉(LB)沈積等形成於電洞注入層上。當電洞傳輸層使用真 空沈積或旋轉塗佈形成時，縱然沈積或塗佈條件可根據用以形成電洞傳輸層之材料而有所變動，沈積或塗佈條件可與用以形成電洞注入層者相似。
適合之習知之電洞傳輸材料之非限制實例為例如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)之咔唑衍生物(carbazole derivative)、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine,TPD)、4,4',4"-三(N-咔唑)三苯胺(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine),NPB)。
Figure 102104287-A0305-02-0039-23
電洞傳輸層之厚度可為約50Å至約2,000Å，且於一些實施例中，可為約100Å至約1,500Å。當電洞傳輸層之厚度於此範圍內時，不需大幅增加驅動電壓，電洞傳輸層即可獲得良好之電洞傳輸能力。
H-功能層(兼具電洞注入與電洞傳輸能力之功能層)可包含來自電洞注入層材料及電洞傳輸層材料各群組之至少一材料。H- 功能層之厚度可為約100Å至約10,000Å，且於一些實施例中，可為約100Å至約1,000Å。當H-功能層之厚度於此範圍內時，不需大幅增加驅動電壓，H-功能層即可良好之電洞注入與傳輸能力。
於一些實施例中，電洞注入層、電洞傳輸層與H-功能層的至少之一可包含由化學式300之化合物與化學式350之化合物的至少之一：
Figure 102104287-A0305-02-0040-24
於化學式300與化學式350中，Ar11與Ar12可各獨立地為經取代或未經取代之C6-C60伸芳基，而Ar21與Ar22可各獨立地為經取代或未經取代之C6-C60芳基。Ar11與Ar12可各獨立地為伸苯基、伸萘基、伸菲基及伸芘基；與經苯基、萘基、蒽基的至少之一取代之伸苯基、伸萘基、伸菲基、伸茀基及伸芘基。Ar21與Ar22可各獨立地為苯基、萘基、菲基及伸芘基；與經苯基、萘基、蒽基的至少之一取代之苯基、萘基、菲基、茀基及芘基的期中之一。
於化學式300中，e與f可各獨立地為0至5之整數，例如可為0、1或2。於非限制實施例中，e可為1而f可為0，但本揭露不限於此。
於化學式300與化學式350中，R51至R58、R61至R69、R71與R72可各獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、-NO2、氨基、甲脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、經取代或未經取代之C1-C60烷基、經取代或未經取代之C2-C60烯基、經取代或未經取代之C2-C60炔基、經取代或未經取代之C1-C60烷氧基、經取代或未經取代之C3-C60環烷基、經取代或未經取代之C6-C60芳基、經取代或未經取代之C6-C60芳氧基或經取代或未經取代之C6-C60芳硫基。於一些非限制實施例中，R51至R58、R61至R69、R71與R72可各獨立地為氫原子；氘原子；鹵素原子；羥基；氰基；-NO2；氨基；甲脒基；肼；腙；羧基或其鹽；磺酸基或其鹽；磷酸基或其鹽；C1-C10烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)；C1-C10烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基等)；經氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、-NO2、氨基、甲脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽及磷酸基或其鹽的至少之一取代之C1-C10烷基或C1-C10烷氧基；苯基；萘基；蒽基；茀基；芘基；及經氘原子、鹵素原子、 羥基、氰基、-NO2、氨基、甲脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C10烷基及C1-C10烷氧基的至少之一取代之苯基、萘基、蒽基、茀基與芘基的其中之一。
於化學式300中，R59可為苯基；萘基；蒽基；聯苯基；吡啶基；及經氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、-NO2、氨基、甲脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、經取代或未經取代之C1-C20烷基及經取代或未經取代之C1-C20烷氧基的至少之一取代之苯基、萘基、蒽基、聯苯基或吡啶基的其中之一。
於實施例中，化學式300之化合物可為由以下化學式300A表示之化合物：
Figure 102104287-A0305-02-0042-25
化學式300A中之R51、R62、R61與R59與以上之定義相同，因此其詳細描述於此將不提供。
於一些非限制實施例中，電洞注入層、電洞傳輸層或H-功能層的至少之一可包含以下化學式301至化學式320表示之至少 一化合物：
Figure 102104287-A0305-02-0043-26
Figure 102104287-A0305-02-0044-27
電洞注入層、電洞傳輸層或H-功能層的至少之一除了如上述之已知之電洞注入材料、電洞傳輸材料和/或兼具電洞注入與電洞傳輸能力之材料外，可更包含電荷產生材料以增加層導電度。
電荷產生材料可為例如p摻質。p摻質可為奎寧衍生物 (quinine derivative)、金屬氧化物及含氰化合物的其中之一，但不限於此。p摻質之非限制實例包含例如四氰基對苯二醌二甲烷(tetracyanoquinonedimethane,TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰-1,4-二甲基對苯醌(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedimethane,F4-TCNQ)等之醌衍生物(quinone derivative)；例如鎢氧化物(tungsten oxide)、鉬氧化物(molybdenum oxide)等之金屬氧化物；及例如以下化合物200之含氰化合物。
Figure 102104287-A0305-02-0045-28
當電洞注入層、電洞傳輸層或H-功能層更包含電荷產生材料時，電荷產生材料可均勻地或不均勻地散布於層中。
緩衝層可設置於電洞注入層、電洞傳輸層或H-功能層的至少之一與發光層間。緩衝層可藉根據發光層所發出之光的波長而補償光學共振距離，且因此可增加效率。緩衝層可包含俇為人知之電洞注入材料或電洞傳輸材料。於一些其他實施例中，緩衝層可包含與包含於位於緩衝層下方之電洞注入層、電洞傳輸層或H-功能層的其中之一材料相同的材料。
接著，發光層可藉真空沈積、旋轉塗佈、澆鑄或蘭慕爾-布羅吉(LB)沈積等形成於電洞傳輸層、H-功能層或緩衝層上。當發光層使用真空沈積或旋轉塗佈形成時，縱然沈積或塗佈條件可根據用以形成發光層之材料而有所變動，沈積或塗佈條件可與用以形成電洞注入層者相似。
發光層可包含至少一種化學式1之胺系化合物。
發光層中之胺系化合物可用作為摻質，例如藍色螢光摻質。除了胺系化合物外發光層可更包含基質。
基質之實例為Alq3、4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯(4,4’-N,N’-dicarbazole-biphenyl,CBP)、聚(n-乙烯咔唑)(poly(n-vinylcarbazole),PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene,ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene,TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di-2-naphthylanthracene,TBADN)、E3、聯苯乙烯(distyrylarylene,DSA)、dmCBP(參見以下化學式)及以下化合物501至化合物509，但不限於此。
Figure 102104287-A0305-02-0046-29
Figure 102104287-A0305-02-0047-30
於一些實施例中，由以下化學式400表示之蒽系化合物可用作為基質。
Figure 102104287-A0305-02-0048-31
化學式400中，Ar111與Ar112各獨立地為經取代或未經取代之C6-C60伸芳基；Ar113至Ar116各獨立地為經取代或未經取代之C1-C10烷基或經取代或未經取代之C6-C60芳基；而g、h、i與j各獨立地為0至4之整數。
於一些非限制實施例中，化學式400中之Ar111與Ar112可各獨立地為伸苯基、伸萘基、伸菲基或伸芘基；或經苯基、萘基及蒽基的至少之一所取代之伸苯基、伸萘基、伸菲基、伸茀基(fluorenyl group)或伸芘基。
以上化學式400中，g、h、i與j可各獨立地為0、1或2。
於一些非限制實施例中，化學式400之Ar113至Ar116可各獨立地為經苯基、萘基或蒽基的至少之一取代之C1-C10烷基；苯基；萘基；蒽基；芘基；菲基；茀基；經氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、-NO2、氨基、甲脒基、肼、腙、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、 磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基與茀基之至少之一所取代之苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基與茀基；及
Figure 102104287-A0305-02-0049-33
的其中之一。
舉例而言，以上化學式400之蒽系化合物可為由以下化學式表示之化合物的其中之一，但不限於此：
Figure 102104287-A0305-02-0049-34
Figure 102104287-A0305-02-0050-35
Figure 102104287-A0305-02-0051-36
於一些實施例中，由以下化學式401表示之蒽系化合物可用作為基質。
Figure 102104287-A0305-02-0051-37
化學式401中之Ar122至Ar125可定義如同以上關於化學式400之Ar113描述，因此其詳細描述於此將不提供。
以上化學式401中之Ar126至Ar127可各獨立地為C1-C10烷基，例如甲基、乙基或丙基。
於化學式401中，k及l可各獨立地為0至4的整數，例如0、1或2。
舉例而言，以上化學式401之蒽系化合物可為以下化學式表示之化合物的其中之一，但不限於此：
Figure 102104287-A0305-02-0052-38
發光層中之胺系化合物可用作為基質。除了胺系化合物外，發光層可更包含摻質，例如藍色摻質、綠色摻質或紅色摻質。
藍色摻質之非限制實施例為由以下化學式表示之化合物。
Figure 102104287-A0305-02-0052-39
Figure 102104287-A0305-02-0053-40
紅色摻質之非限制實施例為由以下化學式表示之化合物。於一些實施例中，紅色摻質可為於後繪示之DCM或DCJTB。
Figure 102104287-A0305-02-0054-41
綠色摻質之非限制實施例為由以下化學式表示之化合物。於一些實施例中，綠色摻質可為呈現於下之C545T。
Figure 102104287-A0305-02-0055-42
可用於發光層的摻質之非限制實例為由以下化學式表示之錯合物。
Figure 102104287-A0305-02-0055-43
Figure 102104287-A0305-02-0056-44
Figure 102104287-A0305-02-0057-45
Figure 102104287-A0305-02-0058-46
Figure 102104287-A0305-02-0059-47
可用於發光層的摻質之非限制實例為由以下化學式表示之鋨錯合物。
Figure 102104287-A0305-02-0060-48
當發光層包含基質與摻質時，發光層中摻質之量可為以基質之重量為100重量份為基準，大致於約0.01至15重量份。然而摻質之量不限於此範圍內。
發光層之厚度可於約100Å至約1,000Å，且於一些實施例中，可為約200Å至約600Å之範圍內。當發光層之厚度於此範圍內時，不需大幅增加驅動電壓，發光層即可獲得良好之發光能力。
接著，電子傳輸層可藉真空沈積、旋轉塗佈、澆鑄等形成於發光層上。當電子傳輸層以真空沈積或旋轉塗佈形成時，縱然沈積或塗佈條件可根據用以形成電子傳輸層之材料而有所變動，沈積或塗佈條件可與用以形成電洞注入層者相似。用以形成電子傳輸層之材料可為任何已知之能穩定傳輸自電子注入電極(陰極)注入之電子的材料。用以形成電子傳輸層之材料之實例為喹啉衍生物(quinoline derivative)，例如三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinorate)aluminum,Alq3)、TAZ、BAlq、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate,Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、化合物201與化合物202，但不限於此。
Figure 102104287-A0305-02-0061-50
電子傳輸層可包含至少一種上述之胺系化合物。
當化學式1之胺系化合物用作為形成電子傳輸層之材料時，可改良有機發光二極體之效率和/或使用壽命。包含化學式1之胺系化合物之電子傳輸層可更包含金屬錯合物，例如8-羥基喹啉鋰(lithium quinolate)。
電子傳輸層之厚度可於約100Å至約1,000Å，且於一些實施例中，可為約150Å至約500Å。當電子傳輸層於此範圍內時，不需大幅增加驅動電壓，電子傳輸層即可獲得令人滿意之電子傳輸能力。
於一些實施例中，除了已知之電子傳輸有機化合物外，電子傳輸層可更包含含金屬材料。
含金屬材料可為鋰錯合物。鋰錯合物之非限制實例為羥基喹啉鋰(lithium quinolate,Liq)與以下化合物203：
Figure 102104287-A0305-02-0062-51
接著，幫助電子自陰極注入之電子注入層可形成於電子傳輸層上。任何適合之電子注入材料可用以形成電子注入層。
用以形成電子注入層之材料之實例為領域內已知之LiF、NaCl、CsF、Li2O與BaO。用以形成電子注入層之沈積或塗佈條件縱然可根據用以形成電子注入層之材料而有所變動，沈積或塗佈條件可與用以形成電洞注入層者相似。
電子注入層之厚度可於約1Å至約100Å，且於一些實施例中，可為約3Å至約90Å。當電子注入層之厚度於此範圍內時，不需大幅增加驅動電壓，電子注入層即可獲得令人滿意之電子注入能 力。
第二電極17設置於有機層15上。第二電極17可為係電子注入電極之陰極。用以形成第二電極17之材料可包含具低功函數之金屬、合金、導電化合物或其混合物。關於此點，第二電極17可包含鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等，且可行為為薄膜形式透明電極。於一些實施例中，為製造頂發光型發光二極體，透明電極可包含氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
雖然第1圖之有機發光裝置描述於上，本發明不限於此。
當磷光摻質用於發光層中時，電洞阻擋層可藉使用真空沈積、旋轉塗佈、澆鑄、蘭慕爾-布羅吉(LB)沈積等形成於電子傳輸層與發光層間或E-功能層與發光層間，以防止三重態激子或電洞擴散至電子傳輸層。當電洞阻擋層使用真空沈積或旋轉塗佈形成時，縱然沈積或塗佈條件可根據用以形成電洞阻擋層之材料而有所變動，沈積或塗佈條件可與用以形成電洞注入層者相似。可使用任何已知之電洞阻擋材料。電洞阻擋材料之非限制實例為噁二唑衍生物(oxadiazole derivative)、三唑衍生物(triazole derivative)、以及啡啉衍生物(phenanthroline derivative)。舉例而言，由以下化學式表示之BCP可用作為形成電洞阻擋層之材料。
Figure 102104287-A0305-02-0064-52
電洞阻擋層之厚度可於約20Å至約1,000Å，且於一些實施例中，可為約30Å至約300Å。當電洞阻擋層之厚度於此範圍內時，不需大幅增加驅動電壓，電洞阻擋層即可具有良好之電洞阻擋能力。
用於本文中之未經取代之C1-C60烷基(或C1-C60烷基)之實例為C1-C60線形或分支烷基，例如甲基、乙基、丙基、異丁基(isobutyl)、第二丁基(sec-butyl)、戊基、異戊基(iso-amyl)與己基。經取代之C1-C60烷基之實例為至少一氫原子經氘原子；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羥基；-NO2；氨基；甲脒基；胼；腙；羧基或其鹽；磺酸基或其鹽；磷酸基或其鹽；三(C6-C60芳基)矽烷基；C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基與C2-C60炔基；至少一氫原子經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽或磷酸基或其鹽的至少之一取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基或C2-C60炔基；C3-C60環烷基、C3-C60環烯基、C6-C60芳基、C2-C60雜芳基、C6-C60芳烷基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或經氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羥基、-NO2、氨基、甲脒基、胼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、經至少一個-F取代之C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C6-C60芳基或C2-C60雜芳基的至少之一取代之C3-C60環 烷基、C3-C60環烯基、C6-C60芳基、C2-C60雜芳基、C6-C60芳烷基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基的至少之一取代之C1-C60烷基。
未經取代之C1-C60烷氧基(或C1-C60烷氧基)可為由化學式-OA表示之基團，其中A為如上述之未經取代之C1-C60烷基。未經取代之C1-C60烷氧基之實例為甲氧基(methoxy group)與異丙氧基(isopropyloxy group)。烷氧基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
未經取代之C2-C60烯基(或C2-C60烯基)為具有少一或多個碳-碳雙鍵於未經取代C2-C60烷基之中心或末端之烴鏈。烯基之實例為乙烯基(ethenyl)、丙烯基(propenyl)、丁烯基(butenyl)等。未經取代之C2-C60烯基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
未經取代之C2-C60炔基(C2-C60炔基)為具有至少一碳-碳參鍵於其中心或末端之未經取代C2-C60烷基。未經取代之C2-C60炔基(或C2-C60炔基)之實例包含乙炔基(ethynyl)、丙炔(propynyl)基等炔基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
如用於本文中，未經取代之C3-C60環烷基指環狀、單價(monovalent)C3-C60碳之飽和烴基。未經取代之C3-C60環烷基之非限制實例為環丙基(cyclopropyl)、環丁基(cyclobutyl)、環戊基(cylcopentyl)、環己基(cyclohexyl)、環辛基(cyclooctyl)。環烷基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
如用於本文中，未經取代之C3-C60環烯基指非芳族、具至少一碳-碳雙鍵之環狀不飽和烴基。未經取代之C3-C60環烯基之實 例為環丙烯基(cyclopropenyl)、環丁烯基(cyclobutenyl)、環戊烯基(cylcopentenyl)、環己烯基(cyclohexcenyl)、環庚烯基(cycloheptenyl)、1,3-環己二烯基(1,3-cyclohexadienyl group)、1,4-環己二烯基(1,4-cyclohexadienyl group)、2,4-環庚二烯基(2,4-cycloheptadienyl group)與1,5-環辛二烯基(1,5-cyclooctadineyl group)。環烯基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
未經取代之C6-C60芳基為包含至少一芳香環之具有6至60個碳原子之碳環系統之單價基。未經取代之C6-C60伸芳基為包含至少一芳香環之具有6至60個碳原子之碳環系統之二價基(divalent group)。當芳基與伸芳基具有至少兩個環時，其可透過單鍵彼此融合。 參照C1-C60烷基，芳基與伸芳基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
經取代或未經取代之C6-C60芳基之實例為苯基、C1-C10烷苯基(alkylphenyl group)(例如，乙苯基(ethylphenyl group))、C1-C10烷基聯苯基(alkylbiphenyl group)(e.g.,乙基聯苯基(ethylbiphenyl group))、鹵苯基(halophenyl group)(例如，o-、m-或p-氟苯基(fluorophenyl group)及二氯苯基(dichlorophenyl group)、二氰苯基(dicyanophenyl group)、三氟甲氧基苯基(trifluoromethoxyphenyl group)、o-、m-或p-甲苯基(tolyl group)、o-、m-或p-異丙苯基(cumenyl group)、2,4,6-三甲苯基(mesityl group)、苯氧基苯基(phenoxyphenyl group)、(α,α-二甲基苯)苯基((α,α-dimethylbenzene)phenyl group)、(N,N'-二甲基)胺苯基((N,N'-dimethyl)aminophenyl group)、(N,N'-二苯基)胺苯基((N,N'-diphenyl)aminophenyl group)、並環戊二烯基、茚基、萘基、鹵萘基(halonaphthyl group)(例如，氟萘基(fluoronaphthyl group))、C1-C10烷基萘基(alkylnaphthyl group)(例如，甲基萘基 (methylnaphthyl group))、C1-C10烷氧基萘基(alkoxynaphthyl group)(例如，甲氧基萘基(methoxynaphthyl group))、蒽基、薁基、並庚間三烯基、苊烯基(acenaphthylenyl group)、萉基(phenalenyl group)、茀基、蒽醌基(anthraquinolyl group)、甲基蒽基(methylanthryl group)、菲基、聯三伸苯、芘基、蒯基、乙基-蒯基(ethyl-chrysenyl group)、苉基(picenyl group)、苝基(perylenyl group)、氯苝基(chloroperylenyl group)、五苯基(pentaphenyl group)、稠五苯基、聯四苯基(tetraphenylenyl group)、六苯基(hexaphenyl group)、稠六苯基、茹基(rubicenyl group)、蔻基(coronenyl group)、聯伸三萘基(trinaphthylenyl group)、異稠七苯基(heptaphenyl group)、並環庚三烯基(heptalenyl group)、芘蒽基(pyranthrenyl group)及莪基(ovalenyl group)。經取代之C6-C60芳基之實例可依據上述之未經取代之C6-C60芳基與經取代之C1-C60烷基而推斷。經取代或未經取代之C6-C60伸芳基可依據上述經取代或未經取代之C6-C60芳基而推斷。
未經取代之C2-C60雜芳基為具有包含選自N、O、P及S之至少一雜原子作為環形成原子之至少一芳香環之單價基。未經取代之C2-C60伸雜芳基為具有包含選自N、O、P及S之至少一雜原子之至少一芳香環之二價基。關於此點，當雜芳基與伸雜芳基具有至少兩個環時，其可透過單鍵彼此融合。雜芳基與伸雜芳基中之至少一氫原子可經結合C1-C60烷基而描述於上之取代基取代。
未經取代之C2-C60雜芳基之實例為吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、吡啶基、嗒嗪基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吲哚基、喹啉基、異喹啉基、苯並咪唑基、咪唑吡啶基、咪唑嘧啶基、二苯並噻吩基、二苯並呋喃基與啡啉基。未經取代之C2-C60伸雜芳基之實例，可依據上述經取代或未經取代之 C2-C60伸芳基而推斷。
經取代或未經取代之C6-C60芳氧基指式-OA2(其中A2為上述經取代或未經取代之C6-C60芳基)。經取代或未經取代之C6-C60芳硫基指-SA3(其中A3為上述經取代或未經取代之C6-C60芳基)。
下文中，本實施例將藉參照以下合成例與其他實例詳細描述。然而此些實例僅為說明之目的而不意圖限制本實施例之範疇。
實例 合成例1：化合物1之合成
化合物1根據以下反應流程圖1合成：
Figure 102104287-A0305-02-0068-53
中間物3-1之合成
將8.60g(20.0mmol)之中間物1-1、5.66g(20.0mmol)之中間物2-1、1.15g(1.0mmol)之四(三苯基林)鈀 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)(Pd(PPh3)4)及8.29g(60.0mmol)之K2CO3溶於50mL之THF/H2O(2：1)混合溶液，接著於70℃下攪拌所得溶液5小時。將所得混合物冷卻至室溫，接著以50mL的水與50mL的乙醚萃取三次。搜集有機層並使用硫酸鎂乾燥以蒸發溶劑。以矽膠管柱層析(silica gel column chromatography)分離並純化殘留物以獲得7.33g(產率80%)之中間物3-1。
化合物1之合成
將4.58g(10.0mmol)之中間物3-1、2.85g(12.0mmol)之中間物4-1、0.18g(0.2mmol)之Pd2(dba)3(三(二亞苄基丙酮)二鈀[(tris(dibenzylidine acetone)dipalladium(0))])、0.04g(0.4mmol)之三叔丁基磷(tri-tert-butylphosphine(P(t-Bu)3))及1.44g(15.0mmol)之NaOtBu溶於50mL之甲苯中，並接著回流所得溶液約3小時。將所得混合物冷卻至室溫，接著以40mL的水與40mL的乙醚萃取三次。搜集有機層並使用硫酸鎂乾燥以蒸發溶劑。以矽膠管柱層析分離並純化殘留物以獲得4.80g(產率78%)之化合物1。使用質譜分析法/快速原子撞擊法(MS/FAB)與1H NMR驗證此化合物。
C46H30FN：計算值615.24，而實測615.22
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.13-8.11(dd,1H),7.87-7.85(m,1H),7.84-7.80(m,3H),7.72-7.69(m,2H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.59-7.56(m,2H),7.54-7.51(dd,1H),7.48-7.41(m,4H),7.37-7.23(m,6H),7.18-7.14(m,2H),7.09-7.06(m,1H),6.98-6.94(m,2H),6.85-6.83(dd,1H),6.79-6.75(m,2H)
合成例2：化合物3之合成
除了使用中間物4-3而非中間物4-1外，以與合成例1 之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.98g之化合物3(產率80%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物3。
C47H30N2：計算值622.24，而實測622.23
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.84-7.82(m,2H),7.81(d,1H),7.78-7.76(m,1H),7.72-7.68(m,3H),7.66(d,1H),7.65(d,1H),7.63-7.59(m,2H),7.57-7.52(m,3H),7.47-7.43(m,3H),7.41-7.38(m,2H),7.37-7.27(m,6H),7.17(dd,1H),7.13-7.09(m,2H),6.99-6.95(m,1H),6.88-6.85(m,1H)
合成例3：化合物4之合成
除了使用中間物4-4而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.86g之化合物4(產率75%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物4。
C49H32N2：計算值648.26，而實測648.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.86-7.82(m,2H),7.81(d,1H),7.73-7.68(m,2H),7.66(d,1H),7.65-7.52(m,3H),7.60-7.58(m,2H)7.54-7.49(m,3H),7.46-7.42(m,3H),7.40-7.28(m,8H),6.99-6.95(m,1H),6.90-6.84(m,4H),6.74-6.70(m,2H)
合成例4：化合物5之合成
除了使用中間物4-5而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.77g之化合物5(產率70%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物5。
C51H36FN：計算值681.28，而實測681.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.84-7.82(m,2H),7.80(d,1H),7.78-7.75(m,1H),7.72-7.68(m,2H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.62-7.58(m,2H),7.56-7.52(m,2H),7.47-7.44(m,1H),7.38-7.27(m,6H),7.14-7.08(m,2H),6.98-6.96(m,1H),6.94-6.89(m,2H),6.85-6.83(dd,1H),6.79-6.77(m,2H),6.75(d,1H),6.73-6.70(m,2H),1.66(s,6H)
合成例5：化合物6之合成
除了使用中間物4-6而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.87g之化合物6(產率66%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物6。
C55H35N3：計算值737.28，而實測737.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.07-8.05(m,1H),7.86-7.83(m,2H),7.81(d,1H),7.73-7.69(m,2H),7.68-7.64(m,2H),7.62-7.58(m,2H),7.50-7.44(m,6H),7.42-7.28(m,11H),7.26-7.23(m,2H),6.99-6.96(m,1H),6.90-6.86(m,2H),6.81-6.78(dd,1H),6.73-6.69(m,2H)
合成例6：化合物7之合成
除了使用中間物4-7而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.82g之化合物7(產率71%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物7。
C49H30N2S：計算值678.21，而實測678.22
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.15-8.13(m,1H),8.09-8.06(m,1H),7.84-7.80(m,4H),7.72-7.69(m,2H),7.68-7.64(m,2H),7.61-7.58 (m,2H),7.54-7.51(m,1H),7.47-7.41(m,2H),7.39-7.27(m,8H),7.16(d,1H),7.13-7.10(dd,1H),7.04-7.01(m,1H),6.93-6.90(m,2H),6.88-6.84(m,2H)
合成例7：化合物11之合成
除了使用中間物4-11而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.17g之化合物11(產率62%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物11。
C48H29F2NO：計算值673.22，而實測673.21
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.87-7.85(m,1H),7.84-7.81(m,3H),7.76-7.70(m,3H),7.68-7.66(dd,1H),7.65-7.64(m,1H),7.62-7.58(m,3H),7.55-7.50(m,3H),7.46-7.40(m,2H),7.37-7.29(m,5H),7.16-7.13(dd,1H),7.10-7.03(m,2H),6.98-6.93(m,2H),6.86-6.82(m,2H)
合成例8：化合物13之合成
除了使用中間物4-13而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.52g之化合物13(產率79%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物13。
C43H28N2：計算值572.23，而實測572.23
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.84-7.82(m,2H),7.80(d,1H),773-7.70(m,2H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.62-7.58(m,2H),754-7.52(dd,1H),7.47-7.43(m,2H),7.38-7.29(m,7H),7.22-7.14(m,4H),7.11-7.06(m,1H),6.97-6.95(m,1H),6.89-6.86(m,1H),6.84-6.81(m,2H)
合成例9：化合物14之合成
除了使用中間物4-14而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.29g之化合物14(產率75%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物14。
C43H28N2：計算值572.23，而實測572.24
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.86-7.82(m,2H),7.81(d,1H),7.73-7.68(m,2H),7.66(d,1H),7.65(d,1H),7.61-7.57(m,2H),7.54-7.49(m,1H),7.46-7.42(m,1H),7.40-7.28(m,7H),7.22-7.17(m,4H),7.10-7.06(m,1H),6.98-6.95(m,2H),6.88-6.84(m,1H),6.80-6.76(m,2H)
合成例10：化合物17之合成
除了使用中間物4-17而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.94g之化合物17(產率73%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物17。
C43H28F3N：計算值615.22，而實測615.23
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.85-7.81(m,2H),7.79(d,1H),7.74-7.69(m,2H),7.67(d,1H),7.66(d,1H),7.62-7.59(m,2H),7.56-7.48(m,3H),7.43-7.41(m,1H),7.34-7.23(m,5H),7.18-7.15(m,4H),7.06-7.03(m,1H),6.97-6.95(m,2H),6.86-6.83(m,1H),6.78-6.74(m,2H)
合成例11：化合物18之合成
除了使用中間物4-18而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.81g之化合物18(產率 70%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物18。
C61H42N2Si：計算值830.31，而實測830.30
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.82-7.80(m,2H),7.79(d,1H),7.73-7.68(m,2H),7.66(d,1H),7.65(d,1H),7.60-7.55(m,8H),7.52-7.49(m,1H),7.45-7.42(m,1H),7.37-7.26(m,15H),7.24-7.20(m,3H),7.16-7.14(m,1H),7.06-7.02(m,2H),6.96-6.94(m,2H),6.80-6.76(m,2H)
合成例12：化合物19之合成
除了使用中間物4-19而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製3.70g之化合物19(產率58%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物19。
C42H24F5N：計算值637.18，而實測637.19
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.85-7.83(m,2H),7.81(d,1H),7.75-7.71(m,2H),7.68(d,1H),7.66-62(m,3H),7.56-7.54(dd,1H),7.50-7.46(m,1H),7.40-7.31(m,5H),7.25-7.20(m,2H),7.12-7.09(m,1H),7.02-6.99(m,1H),6.92-6.88(m,4H)
合成例13：化合物20之合成
除了使用中間物4-20而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.54g之化合物20(產率76%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物20。
C44H27N3：計算值597.22，而實測597.23
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.83-7.81(m,2H),7.80(d,1H), 7.72-7.69(m,2H),7.67(d,1H),7.66(d,1H),7.62-7.58(m,2H),7.54-7.51(m,1H),7.47-7.43(m,1H),7.40-7.28(m,9H),7.13-7.10(m,1H),7.02-6.99(m,4H),6.89-6.85(m,2H)
合成例14：化合物21之合成
除了使用中間物4-21而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製3.44g之化合物21(產率59%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物21。
C42H27F2N：計算值583.21，而實測583.22
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.84-7.82(m,2H),7.81(d,1H),7.74-7.70(m,2H),7.68(d,1H),7.67(d,1H),7.64-7.61(m,2H),7.55-7.52(dd,1H),7.48-7.44(m,1H),7.37-7.30(m,5H),7.23-7.20(m,4H),7.15-7.09(m,5H),7.04-7.00(m,2H)
合成例15：化合物22之合成
除了使用中間物4-22而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.03g之化合物22(產率56%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物22。
C51H33FN4：計算值720.27，而實測720.28
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.52-8.47(m,4H),7.87-7.82(m,5H),7.76-7.73(m,2H),7.70(d,1H),7.68(d,1H),7.62-7.56(m,5H),7.50-7.46(m,1H),7.44-7.31(m,7H),7.24-7.18(m,2H),7.13-7.09(m,2H),7.00-6.98(m,1H),6.85-6.82(m,2H)
合成例16：化合物23之合成
除了使用中間物4-23而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.35g之化合物23(產率70%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物23。
C56H36N4：計算值764.29，而實測764.28
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.85-7.82(m,3H),7.81-7.77(m,3H),7.74-7.70(m,2H),7.69-7.67(m,1H),7.66-7.65(m,2H),7.61-7.52(m,5H),7.47-7.30(m,12H),7.27-7.23(m,1H),7.12-7.10(m,1H),7.02-6.98(m,4H),6.93-6.91(m,2H)
合成例17：化合物24之合成
除了使用中間物4-24而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.74g之化合物24(產率76%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物24。
C47H32N2：計算值624.26，而實測624.25
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.49-8.46(m,1H),7.84-7.78(m,5H),7.76-7.68(m,3H),7.67-7.64(m,3H),7.62-7.59(m,2H),7.55-7.53(m,1H),7.48-7.45(m,1H),7.39-7.28(m,6H),7.23-7.19(m,4H),7.11-7.09(m,1H),7.02-6.98(m,3H),6.90-6.86(m,2H)
合成例18：化合物25之合成
除了使用中間物4-25而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.93g之化合物25(產率79%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物25。
C47H32N2：計算值624.26，而實測624.25
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.69(d,1H),8.46-8.42(m,1H),7.91-7.97(m,1H),7.86-7.81(m,3H),7.75-7.70(m,2H),7.69-7.66(m,2H),7.63-7.60(m,2H),7.57-7.54(m,1H),7.51-7.47(m,2H),7.40-7.29(m,7H),7.15-7.10(m,4H),6.98-6.91(m,3H),6.87-6.85(m,1H),6.82-6.78(m,2H)
合成例19：化合物26之合成
除了使用中間物4-26而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.99g之化合物26(產率80%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物26。
C47H32N2：計算值624.26，而實測624.25
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.56-8.53(m,2H),7.85-7.82(m,2H),7.80(d,1H),7.73-7.69(m,2H),7.68-7.66(m,1H),7.65(d,1H),7.61-7.51(m,7H),7.47-7.44(m,1H),7.38-7.26(m,5H),7.18-7.13(m,4H),7.09-7.04(m,1H),6.93-6.88(m,3H),6.84-6.80(m,2H)
合成例20：化合物27之合成
除了使用中間物4-27而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.29g之化合物27(產率66%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物27。
C48H31N3：計算值649.25，而實測649.26
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.72(d,1H),8.42-8.39(m,1H),7.95-7.92(m,1H),7.84-7.81(m,2H),7.79(d,1H),7.71-7.68(m,2H),7.66(d,1H),7.64(d,1H),7.62-7.57(m,2H),7.55-7.52(m,1H),7.49-7.44(m,2H),7.40-7.26(m,9H),7.11-7.06(m,1H),7.02-7.00(m, 2H),6.93-6.89(m,2H),6.79-6.77(m,2H)
合成例21：化合物30之合成
除了使用中間物4-30而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.99g之化合物30(產率74%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物30。
C51H34N2：計算值674.27，而實測674.26
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.74(d,1H),8.44-8.31(m,1H),8.12-8.08(dd,1H),7.94-7.90(m,1H),7.87-7.80(m,4H),7.75-7.71(m,2H),7.68(d,1H),7.65(d,1H),7.60-7.56(m,2H),7.54-7.52(m,1H),7.49-7.41(m,5H),7.38-7.21(m,8H),7.11-7.07(m,2H),7.03-7.00(m,3H),6.87-6.85(dd,1H)
合成例22：化合物31之合成
除了使用中間物4-31而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.98g之化合物31(產率80%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物31。
C47H30N2：計算值622.24，而實測622.23
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.05-8.01(dd,1H),7.89-7.86(m,1H),7.84-7.80(m,3H),7.74-7.69(m,2H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.59-7.56(m,2H),7.53-7.50(m,1H),7.48-7.41(m,4H),7.40-7.22(m,8H),7.13-7.09(m,2H),7.05-7.03(m,1H),6.96-6.93(dd,1H),6.88-6.84(m,2H)
合成例23：化合物32之合成
除了使用中間物4-32而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.40g之化合物32(產率73%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物32。
C56H40N2：計算值740.32，而實測740.31
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.76(d,1H),8.51-8.47(dd,1H),7.91-7.88(m,1H),7.83-7.79(m,3H),7.78-7.76(m,1H),7.73-7.69(m,2H),7.68(d,1H),7.66(d,1H),7.62-7.58(m,2H),7.56-7.51(m,2H),7.47-7.43(m,2H),7.39-7.26(m,8H),7.15-7.10(m,2H),7.06-7.04(m,1H),6.94-6.90(m,3H),6.87(d,1H),6.83-6.81(m,2H),1.67(s,6H)
合成例24：化合物35之合成
除了使用中間物4-35而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.05g之化合物35(產率67%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物35。
C58H38N2O：計算值778.30，而實測778.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.84-7.80(m,4H),7.78-7.76(m,1H),7.74-7.65(m,6H),7.62-7.59(m,3H),7.55-7.49(m,4H),7.46-7.40(m,3H),7.38-7.27(m,5H),7.19-7.11(m,2H),7.05(d,1H),6.87(d,1H),6.79-6.74(m,2H),1.64(s,6H)
合成例25：化合物36之合成
除了使用中間物4-36而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.80g之化合物36(產率70%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物36。
C63H44N2：計算值828.35，而實測828.34
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.08-8.04(m,2H),7.85-7.82(m,2H),7.81(d,1H),7.77-7.75(m,1H),7.72-7.68(m,2H),7.68(d,1H),7.66(d,1H),7.62-7.58(m,2H),7.56-7.52(m,2H),7.47-7.43(m,1H),7.36-7.26(m,12H),7.15-7.10(m,4H),7.04-7.02(m,1H),6.99-6.91(m,3H),6.89(d,1H),6.85-6.81(m,2H),1.65(s,6H)
合成例26：化合物38之合成
除了使用中間物4-38而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.04g之化合物38(產率75%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物38。
C51H32N2：計算值672.26，而實測672.25
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.50-8.47(m,1H),8.16-8.12(m,1H),7.96-7.92(m,1H),7.86-7.82(m,2H),7.80(d,1H),7.73-7.69(m,4H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.60-7.52(m,5H),7.47-7.41(m,2H),7.39-7.28(m,8H),7.22-7.18(m,2H),7.07-7.03(m,1H),6.97-6.95(m,2H)
合成例27：化合物42之合成 中間物3-42之合成
除了使用中間物2-42而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-42。
化合物42之合成
除了使用中間物3-42與中間物4-27而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.54g之化合物42(產率65%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合 物42。
C52H33N3：計算值699.27，而實測699.28
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.78(d,1H),8.45-8.42(m,1H),8.11-8.08(m,1H),7.94-7.91(m,1H),7.89-7.86(m,1H),7.83-7.80(m,2H),7,78(d,1H),7.72-7.67(m,3H),7.65-7.62(dd,1H),7.58-7.55(m,3H),7.54-7.52(m,1H),7.48-7.43(m,2H),7.40-7.33(m,5H),7.31-7.27(m,4H),7.18-7.15(dd,1H),6.99-6.95(m,1H),6.82-6.79(m,2H),6.77-6.73(m,2H)
合成例28：化合物43之合成
除了使用中間物4-43而非中間物4-27外，以與合成例27之化合物42之備製的方法相同之方式備製5.24g之化合物43(產率71%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物43。
C56H38N2：計算值738.30，而實測738.31
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.10-8.08(m,1H),7.90-7.87(m,1H),7.85-7.82(m,2H),7.80(d,1H),7.78-7.75(m,1H),7.71-7.65(m,4H),7.59-7.57(m,1H),7.55-7.51(m,4H),7.46-7.42(m,1H),7.39-7.27(m,8H),7.16-7.10(m,3H),6.97-6.93(m,1H),6.89-6.86(m,2H),6.83-6.81(dd,1H),6.79(d,1H),1.66(s,6H)
合成例29：化合物45之合成 中間物3-45之合成
除了使用中間物2-45而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-45。
化合物45之合成
除了使用中間物3-45與中間物4-31而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.38g之化合物45(產率80%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物45。
C51H32N2：計算值672.26，而實測672.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.03-8.00(m,1H),7.88-7.85(m,1H),7.84-7.79(m,5H),7.73-7.68(m,2H),7.65-7.63(m,1H),7.60(d,1H),7.55-7.37(m,9H),7.35-7.28(m,5H),7.20-7.15(m,2H),7.10-7.06(m,1H),6.97-6.92(m,1H),6.86-6.85(dd,1H),6.80-6.77(m,2H)
合成例30：化合物48之合成
除了使用中間物4-48而非中間物4-31外，以與合成例29之化合物45之備製的方法相同之方式備製5.50g之化合物48(產率76%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物48。
C55H36N2：計算值724.29，而實測724.30
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.56-8.53(dd,1H),8.06-8.03(m,1H)，7.85-7.78(m,6H),7.76-7.69(m,5H),7.66-7.60(m,3H),7.55-7.40(m,7H),7.36-7.32(m,5H),7.29-7.25(m,1H),7.21-7.17(m,2H),7.11-7.07(m,1H),6.99-6.94(m,1H),6.87-6.85(dd,1H),6.82-6.79(m,2H)
合成例31：化合物51之合成 中間物3-51之合成
除了使用中間物2-51而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-51。
化合物51之合成
除了使用中間物3-51與中間物4-4而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.29g之化合物51(產率66%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物51。
C48H31N3：計算值649.25，而實測649.26
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.50(d,1H),7.93-7.90(m,2H),7.89-7.87(m,2H),7.85(d,1H),7.84-7.81(m,1H),7.74-7.69(m,2H),7.65-7.61(m,2H),7.56-7.49(m,5H),7.46-7.37(m,6H),7.36-7.34(m,1H),7.32-7.27(m,2H),7.14-7.10(m,2H),6.99-6.94(m,2H),6.83-6.79(m,2H)
合成例32：化合物54之合成
除了使用中間物4-27而非中間物4-4外，以與合成例31之化合物51之備製的方法相同之方式備製4.23g之化合物54(產率65%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物54。
C47H30N4：計算值650.25，而實測650.24
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.73(m,1H),8.55(d,1H),8.52-8.47(m,1H),7.96-7.88(m,5H),7.86(d,1H),7.84-7.81(m,1H),7.73-7.68(m,2H),7.56-7.53(m,1H),7.49-7.38(m,6H),7.36-7.28(m,5H),7.16-7.13(m,2H),7.00-6.95(m,2H),6.89-6.85(m,2H)
合成例33：化合物57之合成 中間物3-57之合成
除了使用中間物2-57而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-57。
化合物57之合成
除了使用中間物3-57與中間物4-32而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.97g之化合物57(產率67%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物57。
C55H39N3：計算值741.31，而實測741.32
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.77(dd,1H),8.52(d,1H),8.23-8.20(m,1H),7.93-7.90(m,1H),7.89(d,1H),7.87(d,1H),7.85-7.82(m,1H),7.78-7.75(m,1H),7.72-7.68(m,2H),7.53-7.44(m,6H),7.42-7.23(m,9H),7.14-7.09(m,2H),6.99-6.95(m,1H),6.87-6.83(m,4H),6.78(d,1H),1.63(s,6H)
合成例34：化合物58之合成 中間物3-58之合成
除了使用中間物2-58而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-58。
化合物58之合成
除了使用中間物3-58與中間物4-25而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.67g之化合物58(產率81%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合 物58。
C53H36N2：計算值700.29，而實測700.30
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.74(dd,1H),8.51-8.48(m,1H),7.94-7.90(m,1H),7.83-7.77(m,5H),7.74-7.65(m,6H),7.55-7.52(m,1H),7.48-7.44(m,4H),7.38-7.25(m,7H),7.19-7.15(m,2H),7.08-7.03(m,3H),6.96-6.92(m,2H),6.86-6.83(m,1H),6.80-6.79(m,2H)
合成例35：化合物59之合成
除了使用中間物4-24而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.46g之化合物59(產率78%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物59。
C53H36N2：計算值700.29，而實測700.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.58-8.54(m,1H),7.86-7.80(m,7H),7.78-7.70(m,5H),7.68-7.65(m,3H),7.54-7.51(m,1H),7.47-7.44(m,3H),7.37-7.26(m,6H),7.17-7.13(m,2H),7.09-7.07(m,1H),7.01-6.97(m,2H),6.98-6.93(m,3H),6.84-6.81(m,2H)
合成例36：化合物60之合成
除了使用中間物4-27而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.08g之化合物60(產率70%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物60。
C54H35N3：計算值725.28，而實測725.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.71-8.69(m,1H),8.44-8.41(m,1H),7.93-7.91(m,1H),7.84-7.78(m,5H),7.74-7.69(m,4H),7.68-7.65 (m,2H),7.55-7.52(m,1H),7.48-7.43(m,4H),7.39-7.24(m,9H),7.12-7.11(m,1H),7.03-6.99(m,2H),6.93-6.89(m,2H),6.82-6.80(m,2H)
合成例37：化合物61之合成
除了使用中間物4-32而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製6.04g之化合物61(產率74%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物61。
C62H44N2：計算值816.35，而實測816.34
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.69-8.67(dd,1H),8.41-8.38(m,1H),7.91-7.88(m,1H),7.83-7.76(m,6H),7.74-7.68(m,4H),7.67-7.64(m,2H),7.56-7.51(m,2H),7.47-7.44(m,4H),7.37-7.25(m,8H),7.15-7.09(m,2H),6.99-6.94(m,1H),6.90-6.86(m,3H),6.83-6.79(m,2H),6.77-6.76(m,1H),1.64(s,6H)
合成例38：化合物62之合成
除了使用中間物4-30而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.93g之化合物62(產率79%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物62。
C57H38N2：計算值750.30，而實測750.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.51-8.48(m,2H),8.17-8.15(dd,1H),7.87-7.78(m,6H),7.74-7.65(m,6H),7.55-7.51(m,5H),7.48-7.40(m,6H),7.38-7.28(m,5H),7.23(t,1H),7.14-7.13(m,1H),7.06-7.02(m,2H),6.95-6.93(dd,1H),6.88-6.85(m,2H)
合成例39：化合物63之合成
除了使用中間物4-63而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.85g之化合物63(產率78%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物63。
C57H38N2：計算值750.30，而實測750.31
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.50-8.47(m,2H),8.15-8.13(dd,1H),7.86-7.77(m,6H),7.73-7.69(m,4H),7.68-7.65(m,2H),7.56-7.52(m,5H),7.49-7.39(m,6H),7.37-7.29(m,5H),7.22(t,1H),7.18-7.16(m,1H),7.11-7.07(m,2H),6.96-6.94(dd,1H),6.89-6.86(m,2H)
合成例40：化合物64之合成
除了使用中間物4-48而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.40g之化合物64(產率72%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物64。
C57H38N2：計算值750.30，而實測750.31
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.48-8.45(m,1H),8.16-8.14(dd,1H),7.87-7.82(m,3H),7.81-7.68(m,10H),7.67-7.64(m,3H),7.54-7.51(m,1H),7.48-7.40(m,6H),7.38-7.21(m,7H),7.09-7.07(m,1H),7.01-6.99(m,2H),6.95-6.94(dd,1H),6.87-6.83(m,2H)
合成例41：化合物66之合成
除了使用中間物4-31而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.38g之化合物66(產率77%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物66。
C53H34N2：計算值698.27，而實測698.28
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.06-8.04(dd,1H),7.88-7.85(m,1H),7.84-7.79(m,4H),7.78-7.76(m,1H),7.74-7.69(m,4H),7.67-7.64(m,2H),7.56-7.52(m,1H),7.48-7.29(m,13H),7.22(t,1H),7.13-7.11(m,1H),7.05-7.01(m,2H),6.96-6.94(dd,1H),6.87-6.84(m,2H)
合成例42：化合物67之合成
除了使用中間物4-67而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.36g之化合物67(產率74%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物67。
C55H36N2：計算值724.29，而實測724.30
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.85-7.82(m,2H),7.81-7.79(m,2H),7.78-7.76(m,1H),7.73-7.68(m,4H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.60-7.57(m,2H),7.54-7.52(dd,1H),7.48-7.28(m,13H),7.26-7.22(m,2H),7.16-7.15(m,1H),7.06-7.01(m,2H),6.94-6.90(m,2H),6.87-6.84(m,2H)
合成例43：化合物68之合成
除了使用中間物4-68而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.45g之化合物68(產率78%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物68。
C53H34N2：計算值698.27，而實測698.28
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.86-7.83(m,2H),7.82-7.79(m,2H),7.78-7.76(m,2H),7.74-7.68(m,4H),7.66-7.63(m,3H),7.57-7.54(m,2H),7.53-7.50(m,2H),7.47-7.43(m,3H),7.41-7.28(m,8H),7.18-7.16(m,1H),7.06-7.05(dd,1H),6.92-6.88(m,2H),6.85-6.82(m, 2H)
合成例44：化合物70之合成
除了使用中間物4-70而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製3.56g之化合物70(產率53%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物70。
C50H29N3：計算值671.24，而實測671.23
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.22-8.20(m,2H),7.92-7.88(m,2H),7.85-7.82(m,2H),7.80(d,1H),7.75-7.69(m,4H),7.67-7.66(dd,1H),7.65-7.63(m,2H),7.61(d,1H),7.55-7.53(dd,1H),7.49-7.42(m,7H),7.38-7.29(m,5H),7.02-6.97(m,1H)
合成例45：化合物73之合成
除了使用中間物4-43而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製4.97g之化合物73(產率65%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物73。
C58H40N2：calc.764.32,and found；764.33
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)7.85-7.82(m,2H),7.81-7.79(m,2H),7.78-7.75(m,2H),7.73-7.68(m,4H),7.67-7.64(m,2H),7.56-7.52(m，2H),7.47-7.44(m,3H),7.39-7.27(m,8H),7.13-7.09(m,2H),7.02-7.00(m,1H),6.96-6.92(m,2H),6.86-6.84(dd,1H),6.82-6.79(m,2H),6.77(d,1H),1.65(s,6H)
合成例46：化合物76之合成
除了使用中間物4-76而非中間物4-25外，以與合成例 34之化合物58之備製的方法相同之方式備製6.06g之化合物76(產率78%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物76。
C59H40N2：計算值776.32，而實測776.32
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.68-8.67(m,1H),8.39-8.36(m,1H),7.94-7.91(m,1H),7.84-7.80(m,3H),7.79-7.78(m,1H),7.73-7.69(m,4H),7.67-7.61(m,4H),7.55-7.38(m,10H),7.37-7.24(m,7H),7.18-7.16(m,1H),7.06-7.02(m,2H),6.91-6.88(m,2H),6.82-6.78(m,2H)
合成例47：化合物77之合成
除了使用中間物4-77而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.22g之化合物77(產率72%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物77。
C54H35N3：計算值725.28，而實測725.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.55-8.52(m,2H),7.85-7.82(m,2H),7.81-7.77(m,3H),7.74-7.70(m,4H),7.67(d,1H),7.65(d,1H),7.58-7.52(m,5H),7.47-7.44(m,3H),7.39-7.28(m,7H),7.11-7.09(m,1H),7.02-6.99(m,2H),6.93-6.89(m,2H),6.81-6.77(m,2H)
合成例48：化合物78之合成
除了使用中間物4-78而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.63g之化合物78(產率75%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物78。
C57H38N2：計算值750.30，而實測750.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.67-8.65(dd,1H),8.40-8.37(m,1H),7.95-7.92(m,1H),7.85-7.82(m,2H),7.81-7.79(m,2H),7.78-7.76(m,2H),7.74-7.68(m,4H),7.66-7.63(m,3H),7.58-7.52(m,4H),7.48-7.44(m,4H),7.37-7.25(m,8H),7.16-7.15(m,1H),7.02-7.00(dd,1H),6.95-6.91(m,2H),6.84-6.81(m,2H)
合成例49：化合物79之合成
除了使用中間物4-79而非中間物4-25外，以與合成例34之化合物58之備製的方法相同之方式備製5.00g之化合物79(產率69%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物79。
C54H35N3：計算值725.28，而實測725.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.49-8.46(m,1H),7.84-7.77(m,7H),7.74-7.68(m,5H),7.67-7.63(m,3H),7.56-7.54(dd,1H),7.47-7.43(m,3H),7.39-7.26(m,8H),7.19-7.17(m,1H),7.03-6.99(m,2H),6.92-6.88(m,2H),6.81-6.78(m,2H)
合成例50：化合物82之合成 中間物3-82之合成
除了使用中間物2-82而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-82。
化合物82之合成
除了使用中間物3-82與中間物4-25而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.20g之化合物82(產率67%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物82。
C59H40N2：計算值776.32，而實測776.33
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.68(d,1H),8.41-8.38(m,1H),7.94-7.91(m,1H),7.86-7.80(m,5H),7.74-7.64(m,10H),7.56-7.53(m,1H),7.49-7.44(m,4H),7.38-7.24(m,7H),7.13-7.09(m,2H),7.04-6.99(m,3H),6.96-6.92(m,2H),6.87-6.83(m,1H),6.81-6.78(m,2H)
合成例51：化合物83之合成
除了使用中間物4-48而非中間物4-25外，以與合成例50之化合物82之備製的方法相同之方式備製5.58g之化合物83(產率68%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物83。
C63H42N2：計算值826.33，而實測826.32
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.46-8.43(m,1H),8.17-8.14(m,1H),7.87-7.80(m,6H),7.79-7.75(m,2H),7.74-7.63(m,12H),7.56-7.54(dd,1H),7.49-7.40(m,6H),7.38-7.22(m,7H),7.16-7.14(m,1H),7.05-7.00(m,2H),6.95-6.93(dd,1H),6.85-6.82(m,2H)
合成例52：化合物84之合成 中間物3-84之合成
除了使用中間物2-84而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-84。
化合物84之合成
除了使用中間物3-84與中間物4-30而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.90g之化合物84(產率62%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合 物84。
C60H42N2：計算值790.33，而實測790.32
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.69(d,1H),8.40-8.37(m,1H),8.11-8.08(m,1H),7.93-7.90(m,2H),7.89-7.85(m,2H),7.84-7.79(m,4H),7.72-7.68(m,2H),7.62-7.59(m,2H),7.53-7.51(m,1H),7.49-7.42(m,6H),7.40-7.25(m,8H),7.13-7.11(m,1H),7.07-7.05(dd,1H),6.98-6.96(dd,1H),6.90-6.86(m,2H),6.82(d,1H),1.62(s,6H)
合成例53：化合物85之合成
除了使用中間物4-27而非中間物4-30外，以與合成例52之化合物84之備製的方法相同之方式備製4.90g之化合物84(產率64%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物84。
C57H39N3：計算值765.31，而實測765.30
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.68(d,1H),8.38-8.35(m,1H),7.95-7.92(m,2H),7.90-7.88(m,1H),7.85-7.80(m,4H),7.73-7.69(m,2H),7.63-7.60(m,2H),7.55-7.52(m,2H),7.48-7.44(m,2H),7.41-7.33(m,5H),7.32-7.25(m,4H),7.12-7.09(m,1H),7.03-6.96(m,2H),6.93-6.90(dd,1H),6.88-6.84(m,2H),6.80(d,1H),1.61(s,6H)
合成例54：化合物86之合成
除了使用中間物4-31而非中間物4-30外，以與合成例52之化合物84之備製的方法相同之方式備製4.73g之化合物86(產率64%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物86。
C56H38N2：計算值738.30，而實測738.31
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.11-8.08(m,1H),7.94-7.91(m,1H),7.89-7.85(m,2H),7.84-7.79(m,4H),7.72-7.69(m,2H),7.62-7.59(m,2H),7.54-7.51(m,1H),7.49-7.41(m,5H),7.40-7.34(m,5H),7.32-7.25(m,3H),7.14-7.12(m,1H),7.01-6.99(m,1H),6.93-6.87(m,3H),6.85(d,1H),1.62(s,6H)
合成例55：化合物89之合成 中間物3-89之合成
除了使用中間物2-89而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-89。
化合物89之合成
除了使用中間物3-89與中間物4-4而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.61g之化合物89(產率75%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物89。
C57H36N2：計算值748.29，而實測748.30
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.25-8.19(m,2H),8.11-8.09(m,1H),8.06-8.04(m,1H),7.85-7.82(m,2H),7.81-7.80(m,1H),7.78-7.77(m,1H),7.72-7.68(m,3H),7.64-7.61(m,2H),7.59-7.55(m,3H),7.54-7.48(m,3H),7.47-7.43(m,3H),7.42-7.35(m,5H),7.34-7.27(m,3H),7.12-7.08(m,2H),7.02-6.98(m,2H),6.90-6.86(m,2H)
合成例56：化合物92之合成 中間物3-92之合成
除了使用中間物2-92而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-92。
化合物92之合成
除了使用中間物3-92與中間物4-27而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.61g之化合物92(產率61%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物92。
C54H33N3S：計算值755.24，而實測755.25
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.70-8.68(m,1H),8.40-8.37(m,2H),8.01(d,1H),7.93-7.91(m,1H),7.88-7.86(dd,1H),7.85-7.82(m,2H),7.81-7.80(m,1H),7.78-7.76(m,1H),7.73-7.69(m,2H),7.64(d,1H)7.63-7.62(m,1H),7.54-7.51(m,1H),7.48-7.43(m,2H),7.40-7.35(m,4H),7.34-7.24(m,5H),7.13-7.12(m,1H),7.06-7.03(dd,1H),6.98-6.93(m,1H),6.92-6.84(m,4H)
合成例57：化合物95之合成 中間物3-95之合成
除了使用中間物2-95而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-95。
化合物95之合成
除了使用中間物3-95與中間物4-30而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.74g之化合物95(產率62%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物95。
C57H36N2O：計算值764.28，而實測764.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.69-8.67(m,1H),8.41-8.38(m,1H),8.11-8.08(m,1H),8.04-8.02(m,1H),7.99-7.96(m,2H),7.94-7.91(m,1H),7.87-7.85(m,1H),7.84-7.77(m,6H),7.73-7.69(m,2H),7.55-7.52(m,1H),7.48-7.41(m,5H),7.40-7.36(m,3H),7.35-7.25(m,5H),7.10-7.04(m,2H),6.98-6.96(m,1H),6.94-6.92(dd,1H),6.88-6.85(m,2H)
合成例58：化合物97之合成 中間物3-97之合成
除了使用中間物2-97而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-97。
化合物97之合成
除了使用中間物3-97與中間物4-4而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製4.96g之化合物97(產率61%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物97。
C61H39N3：計算值813.31，而實測813.32
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.31-8.29(m,1H),7.84-7.82(m,2H),7.81-7.80(m,1H),7.77-7.74(m,1H),7.72-7.68(m,4H),7.64-7.61(m,2H),7.60-7.58(m,1H),7.54-7.47(m,7H),7.46-7.41(m,4H),7.40-7.36(m,5H),7.34-7.28(m,4H),7.24-7.22(m,1H),7.16-7.14(m,1H),7.06-7.00(m,2H),6.86-6.80(m,3H)
合成例59：化合物98之合成
除了使用中間物4-31而非中間物4-4外，以與合成例58之化合物97之備製的方法相同之方式備製4.65g之化合物98(產率59%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物98。
C59H37N3：計算值787.30，而實測787.29
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.32-8.30(m,1H),8.10-8.07(dd,1H),7.87-7.85(m,1H),7.84-7.80(m,2H),7.80-7.79(m,1H),7.76-7.74(m,1H),7.73-7.68(m,4H),7.61-7.58(m,1H),7.55-7.51(m,1H),7.50-7.43(m,7H),7.42-7.35(m,6H),7.34-7.23(m,6H),7.13-7.10(m,1H),7.04-7.03(dd,1H),6.94-6.91(dd,1H),6.87-6.84(m,2H)
合成例60：化合物99之合成 中間物3-99之合成
除了使用中間物2-98而非中間物2-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-99。
化合物99之合成
除了使用中間物3-99與中間物4-30而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.03g之化合物99(產率55%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物99。
C69H45N3：計算值915.36，而實測915.35
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.90(s,1H),8.60-8.58(dd,1H),8.45(s,1H),8.13-8.11(dd,1H),7.94-7.91(m,1H),7.87-7.75(m,5H),7.72-7.58(m,7H),7.54-7.21(m,23),7.16-7.14(m,1H),7.03-6.99(m,2H),6.89-6.84(m,2H)
合成例61：化合物103之合成
除了使用中間物B37而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.71g之化合物103(產率76%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物103。
C56H37N3：計算值751.30，實測751.28
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.76(s,2H),8.57(d,2H),8.12(d,1H),7.93(d,2H),7.87-7.65(m,9H),7.61-7.27(m,15H),7.14-7.10(m,2H),7.08-7.05(m,3H),6.98(d,1H)
合成例62：化合物104之合成
除了使用中間物B38而非中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製5.23g之化合物104(產率72%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物104。
C53H34N4：計算值726.28，實測726.27
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.78(s,2H),8.56(d,2H),7.94(d,2H),7.84-7.80(m,3H),7.72-7.60(m,7H),7.54-7.25(m,11H),7.12-7.08(m,5H),7.02-6.99(m,2H)
合成例63：化合物107之合成
除了使用中間物3-58與中間物B37而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製6.21g之化合物107(產率75%)。使用MS/FAB與1H NMR驗證化合物107。
C62H41N3：計算值827.33，實測827.31
1H NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)8.76(s,2H),8.57(d,2H),8.11(d,1H),7.94(d,2H),7.87-7.62(m,13H),7.54-7.26(m,15H),7.12-7.10(m,3H),7.06-7.03(m,1H),6.96-6.92(m,2H)
Figure 102104287-A0305-02-0100-54
Figure 102104287-A0305-02-0101-55
Figure 102104287-A0305-02-0102-56
實例1
為製造陽極，將Corning 15Ω/cm2(1200Å)ITO玻璃基板裁成50mm x 50mm x 0.7mm之尺寸，接著於異丙醇與純水中以各超音波5分鐘，並以紫外線照射30分鐘並暴露於臭氧下。將所得玻璃基板置於真空沈積二極管(vacuum deposition diode)中。
將2-TNATA沈積於ITO玻璃基板上以於陽極上形成具有600Å厚度之電洞注入層，接著沈積4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl(NPS))於電洞注入層上以形成具有300Å厚度之電洞傳輸層。
接著，9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene(ADN))與4,4'-二[2-(4-(N,N-二苯胺基)-苯基)乙烯基]聯苯(4,4’-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi))以98：2之重量比共沈積於電洞傳輸層上以形成具有約300Å厚度之發光層。
接著，沈積化合物1於發光層上以形成具有約300Å厚度之電子傳輸層，然後沈積LiF於電子傳輸層上以形成具有約10Å厚度之電子注入層。接著沈積Al於電子注入層上以形成具有約3,000Å厚度之第二電極(陰極)，從而完成有機發光二極體之製造。
<DPAVBi>
Figure 102104287-A0305-02-0103-57
實例2
除了使用化合物4而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例3
除了使用化合物14而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例4
除了使用化合物23而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例5
除了使用化合物25而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例6
除了使用化合物27而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例7
除了使用化合物31而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例8
除了使用化合物32而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例9
除了使用化合物42而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例10
除了使用化合物48而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例11
除了使用化合物58而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例12
除了使用化合物60而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例13
除了使用化合物62而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例14
除了使用化合物66而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例15
除了使用化合物70而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例16
除了使用化合物77而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例17
除了使用化合物82而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例18
除了使用化合物86而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例19
除了使用化合物97而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例20
除了使用化合物25而非DPAVBi形成發光層，及Alq3而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例21
除了使用化合物86而非DPAVBi形成發光層，及Alq3而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例22
除了使用化合物103而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例23
除了使用化合物104而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
實例24
除了使用化合物107而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
比較例1
除了使用Alq3而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
Figure 102104287-A0305-02-0107-58
比較例2
化合物A係根據以下反應流程圖A合成：
Figure 102104287-A0305-02-0107-59
中間物3-A之合成
除了使用中間物1-A而非中間物1-1外，以與合成例1之中間物3-1之備製的方法相同之方式備製中間物3-A。
化合物A之合成
除了使用4.24g(10mmol)之中間物3-A與2.23g(12.0mmol)之中間物4-A而非中間物3-1與中間物4-1外，以與合成例1之化合物1之備製的方法相同之方式備製3.23g之化合物A(產率63%)。
有機發光二極體之製造
除了使用化合物A而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
比較例3
化合物B係根據以下反應流程圖B合成：
Figure 102104287-A0305-02-0108-60
化合物B之合成
除了使用中間物4-B而非中間物4-A外，以與合成比較例2之化合物A之備製的方法相同之方式備製化合物B。
有機發光二極體之製造
除了使用化合物B而非化合物1形成電子傳輸層外，與 實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
比較例4
化合物C係根據以下反應流程圖C合成：
Figure 102104287-A0305-02-0109-61
化合物C之合成
除了使用中間物4-C而非中間物4-A外，以與合成比較例2之化合物A之備製的方法相同之方式備製化合物C。
有機發光二極體之製造
除了使用化合物C而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
比較例5
化合物D係根據以下反應流程圖D合成：
Figure 102104287-A0305-02-0110-62
化合物D之合成
除了使用中間物4-D而非中間物4-A外，以與合成比較例2之化合物A之備製的方法相同之方式備製化合物D。
有機發光二極體之製造
除了使用化合物D而非化合物1形成電子傳輸層外，與實例1相同之方式製造之有機發光二極體。
評估例1
使用PR650(Spectroscan)光源量測單元(得自Photo Research,Inc.)實例1至實例24與比較例1至5之有機發光二極體之驅動電壓、亮度、發光顏色、效率(@50mA/cm2之電流密度)與使用壽命(@100mA/cm2)。結果呈現於以下表1。
Figure 102104287-A0305-02-0111-63
參照表1，發現相較於比較例1至比較例5之有機發光二極體，實例1至實例19與實例22至實例24之有機發光二極體具有較低之驅動電壓、較高之亮度、較高之效率與較佳之使用壽命特性。 發現相較於比較例1之有機發光二極體，實例20至實例21之有機發光二極體具有較低之驅動電壓與較佳之使用壽命。
如上所述，根據實施例包含任何胺系化合物之有機發光二極體可具有低驅動電壓、高亮度、高效率與長使用壽命。
雖然本實施例已藉參照其例示性實施例而具體顯示與描述，其將為習知技術者所理解的是對其所進行之各種形式與細節上之改變皆未脫離附隨申請專利範圍定義之本實施例之範疇與精神。
Figure 102104287-A0305-02-0002-80
10‧‧‧有機發光二極體
11‧‧‧基板
13‧‧‧第一電極
15‧‧‧有機層
17‧‧‧第二電極

Claims (15)

  1. 一種由以下化學式1表示之胺系化合物：
    Figure 102104287-A0305-02-0113-64
     其中於化學式1中，Ar1與Ar2各獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基或經取代或未經取代之茀基，且經取代之苯基、經取代之萘基或經取代之茀基的至少一取代基為甲基或苯基；X1為伸苯基、伸萘基、伸咔唑基或伸二甲基茀基；且m為1至3之整數；其中，Ar1與Ar2的至少之一由以下至少一拉電子基取代；其中，該拉電子基係選自由-F；-CN；吡啶基；及經苯基取代的苯並咪唑基。
  2. 一種由以下化學式1表示之胺系化合物：化學式1
    Figure 102104287-A0305-02-0114-66
     其中於化學式1中，Ar1與Ar2各獨立地為經-CN取代之伸苯基；X1為伸苯基；且m為1至5之整數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之胺系化合物，其中該胺系化合物為以下化合物70：
    Figure 102104287-A0305-02-0114-67
  4. 如申請專利範圍第2項所述之胺系化合物，其中m為1、2或3。
  5. 一種胺系化合物，其中該胺系化合物為以下化合物1至化合物69、化合物71至化合物73及化合物75至化合物109的其中之一：
    Figure 102104287-A0305-02-0115-68
    Figure 102104287-A0305-02-0116-69
    Figure 102104287-A0305-02-0117-70
    Figure 102104287-A0305-02-0118-71
    Figure 102104287-A0305-02-0119-72
    Figure 102104287-A0305-02-0120-73
    Figure 102104287-A0305-02-0121-74
    Figure 102104287-A0305-02-0122-75
    Figure 102104287-A0305-02-0123-77
  6. 一種有機發光二極體，其包含一第一電極、相對於該第一電極設置之一第二電極及設置於該第一電極與該第二電極間之一有機層，該有機層包含至少一種如申請專利範圍第1項至第5項中之任一項所述之胺系化合物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體，其中該有機層包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、兼具電洞注入及電洞傳輸能力之一功能層、一緩衝層、一電子阻擋層、一發光層、一電洞阻擋層、一電子傳輸層、一電子注入層以及兼具電子傳輸及電子注入能力之一功能層中的至少之一。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體，其中該有機層包含該電子傳輸層，且該胺系化合物包含於該電子傳輸層中。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體，其中該電子傳輸層更包含一金屬錯合物。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體，其中該金屬錯合物為8-羥基喹啉鋰。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體，其中該有機層包含該發光層，且該胺系化合物包含於該發光層中。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體，其中該發光層中之該胺系化合物用作為一基質，且該發光層更包含一藍色螢光摻質。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體，其中該發光層中之該胺系化合物用作為一摻質，且該發光層更包含由以下化學式400表示之蔥系化合物與以下化學式401表示之蔥系化合物中的至少之一：
    Figure 102104287-A0305-02-0125-78
     其中於化學式400與化學式401中，Ar111及Ar112各獨立地為經取代或未經取代之C6-C60伸芳基；Ar113至Ar116與Ar122至Ar125各獨立地為經取代或未經取代之C1-C10烷基或經取代或未經取代之C6-C60芳基；Ar126與Ar127各獨立地為C1-C10烷基；且g、h、i、j、k與1各獨立地為0至4之整數。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光二極體，其中Ar111與Ar112各獨立地為伸苯基、伸萘基、伸菲基或伸芘基；或經苯基、萘基及蒽基的至少之一所取代之伸苯 基、伸萘基、伸菲基、伸茀基或伸芘基；Ar113至Ar116與Ar122至Ar125各獨立地為經苯基、萘基及蒽基的至少之一取代之C1-C10烷基；苯基；萘基；蒽基；芘基；菲基；茀基；經氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、-NO2、氨基、甲脒基、肼、腙、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基與茀基之至少之一所取代之苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基與茀基；及
    Figure 102104287-A0305-02-0126-79
    的其中之一； Ar126及Ar127各獨立地為甲基、乙基或丙基；且g、h、i、j、k與l各獨立地為0、1或2。
  15. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體，其中該有機層包含該電洞注入層、該電洞傳輸層與兼具電洞注入及電洞傳輸能力之該功能層中的至少之一，且該電洞注入層、該電洞傳輸層與兼具電洞注入及電洞傳輸能力之該功能層中的至少之一包含一p摻質。
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