TWI675469B

TWI675469B - 用於顯示靜態圖案的顯示裝置以及其製作方法與禮盒

Info

Publication number: TWI675469B
Application number: TW107128085A
Authority: TW
Inventors: 江佳玲; 吳學憲; 賴奕廷
Original assignee: 矽碁科技股份有限公司
Priority date: 2018-04-26
Filing date: 2018-08-10
Publication date: 2019-10-21
Also published as: TW201946263A

Abstract

本發明提供一種用以顯示第一圖案的顯示裝置以及其製作方法與應用其之禮盒。顯示裝置包括基板以及設置於基板上的發光二極體。發光二極體包括第一電極、透明絕緣圖案層、發光層以及第二電極。透明絕緣圖案層設置於第一電極上，其中透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與第一圖案互補。發光層覆蓋於透明絕緣圖案層與第一電極上，且發光層電連接第一電極。第二電極設置於發光層上。

Description

用於顯示靜態圖案的顯示裝置以及其製作方法與禮盒

本發明係關於一種用於顯示靜態圖案的顯示裝置以及其製作方法與禮盒，尤指一種可切換圖案顯示模式與無圖案模式的顯示裝置以及其製作方法與應用顯示裝置之禮盒。

傳統顯示裝置為了依據需求顯示出圖案，因此包含有主動陣列電路以及複數個像素，以透過主動陣列電路控制像素的顯示。然而，針對顯示特定圖案的需求而言，例如名片或展示解說牌，傳統顯示裝置雖然可顯示出特定圖案，以滿足此需求，但其成本過高，甚至遠超過產品原有的價格，故傳統顯示裝置並不會應用至這些需求中。目前針對顯示特定圖案的需求，一般僅以已印刷有圖案的紙張來滿足，雖然可顯示出所需的圖案，但使用者可直接看到圖案，也就是紙張並無法在不同的狀態進行切換，因此限制了此紙張的應用範圍，進而無法提供使用者有更廣泛的需求。

本發明的目的之一在於提供一種用於顯示靜態圖案的顯示裝置、其製作方法與禮盒，以降低成本，並提升顯示裝置的應用範圍。

本發明的一實施例提供一種顯示裝置，用以顯示第一圖案。顯示裝置包括基板以及發光二極體。發光二極體設置於基板上，並包括第一電極、透明絕緣圖案層、發光層以及第二電極。透明絕緣圖案層設置於第一電極上，其中透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與第一圖案互補。發光層覆蓋於透明絕緣圖案層上，且發光層電連接第一電極。第二電極設置於發光層上。

本發明的另一實施例提供一種用以顯示出第一圖案的顯示裝置之製作方法。首先，提供一基板以及一第一電極，其中第一電極形成於基板上。之後，於第一電極上形成一透明絕緣圖案層，其中透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與第一圖案互補。接著，形成發光層覆蓋於透明絕緣圖案層與第一電極上，其中發光層電連接第一電極。然後，於發光層上形成一第二電極，以形成一發光二極體。

本發明的又一實施例提供一種禮盒，其包括一開口以及一顯示裝置。顯示裝置覆蓋開口，並用以顯示一第一圖案，且顯示裝置包括基板以及發光二極體。發光二極體設置於基板上，並包括第一電極、透明絕緣圖案層、發光層以及第二電極。透明絕緣圖案層設置於第一電極上，其中透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與第一圖案互補。發光層覆蓋於透明絕緣圖案層上，且發光層電連接第一電極。第二電極設置於發光層上。

於本發明的顯示裝置的製作方法中，透過原子層沉積製程、濺鍍製程或電子束蒸鍍製程形成厚度小於或等於100奈米的透明絕緣圖案層，可使透明絕緣圖案層達到絕緣的效果，因此顯示裝置可具有可切換圖案顯示模式與無圖案模式的功用。再者，透過將透明絕緣圖案層的厚度降低至小於或等於50奈米，還可降低透明絕緣圖案層的可視度，以提升顯示裝置的透明度。

100、404‧‧‧顯示裝置

102‧‧‧基板

104‧‧‧第一電極

106‧‧‧透明絕緣圖案層

106a‧‧‧透明絕緣層

108‧‧‧犧牲圖案層

108a‧‧‧犧牲層

110‧‧‧注入層

112‧‧‧發光層

114‧‧‧第二電極

116‧‧‧保護層

302‧‧‧網版

LD‧‧‧發光二極體

P1‧‧‧第一圖案

P2‧‧‧第二圖案

P3、P4‧‧‧圖案

PW‧‧‧電源

OP1‧‧‧第一開口

OP2‧‧‧第二開口

OP3‧‧‧第三開口

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

L1、L2、L3、L4‧‧‧曲線

LB1、LB2‧‧‧光線

400‧‧‧禮盒

402‧‧‧開口

406‧‧‧盒體

408‧‧‧上蓋

406R‧‧‧凹槽

410‧‧‧連接轉軸

第1圖至第7圖繪示本發明第一實施例的顯示裝置的製作方法示意圖。

第8圖為利用原子層沉積製程所形成的透明絕緣層與基板的穿透度與波長的關係示意圖。

第9圖為利用濺鍍製程所形成的透明絕緣層與基板的穿透度與波長的關係示意圖。

第10圖為利用電子束蒸鍍製程所形成的透明絕緣層與基板的穿透度與波長的關係示意圖。

第11圖與第12圖繪示本發明第二實施例的顯示裝置的製作方法示意圖。

第13圖繪示本發明第三實施例的顯示裝置的製作方法示意圖。

第14圖繪示本發明第四實施例的禮盒在上蓋闔上時的側視示意圖。

第15圖繪示本發明第四實施例的禮盒在上蓋掀開時的側視示意圖。

第1圖至第7圖繪示本發明第一實施例的顯示裝置的製作方法示意圖，其中第6圖為本發明第一實施例的顯示裝置的剖視示意圖，第7圖為本發明第一實施例的顯示裝置的俯視示意圖。本發明的顯示裝置100係用於顯示靜態且具有涵義之一第一圖案P1，如第7圖所示。舉例來說，第一圖案P1可包括文字描述、徽章圖案或商標圖案，但不以此為限。本實施例的顯示裝置100的製作方法包含以下步驟。如第1圖所示，首先提供一基板102以及一第一電極104，其中第一電極104形成於基板102上。基板102用於承載後續步驟所形成的元件，且基板102可為硬質基板或可撓性基板。硬質基板可例如玻璃、塑膠、石英、藍寶石或其他適合的材料。可撓性基板可例如包括聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二脂(PET)或其他適合的材料中的至少一種。第一電極104可包括透明導電材料。透明導電材料例如包括透明金屬氧化物材料或具有薄厚度的金屬材料，其中透明金屬氧化物材料包括例如銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、銻錫氧化物(antimony tin oxide,ATO)、鋁鋅氧化物(aluminum zinc oxide,AZO)、銦鍺鋅氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)、其他適合的氧化物或上述至少兩者的組合或堆疊，金屬材料的厚度可例如小於100奈米，使金屬材料呈現透明狀態，但不限於此。於一實施例中，基板102可在形成有第一電極104之後再切割至符合需求的尺寸，但不限於此。

接下來，於第一電極104上形成一透明絕緣圖案層106。本實施例形成透明絕緣圖案層106詳細說明如下，但不以此為限。首先於第一電極104上形成一犧牲層108a。犧牲層108a可例如包括光阻材料或膠布，但不以此為限。然後，對犧牲層108a進行一圖案化製程，以於第一電極104上形成一犧牲圖案層108，並曝露出第一電極104。犧牲圖案層108可具有一圖案P3，與顯示裝置100欲顯示出的第一圖案P1相同。於本實施例中，圖案化製程可包括微影製程(photolithographic process)，但不限於此。具體來說，如第2圖所示，可先透過曝光(exposure)製程搭配光罩PM，使部分犧牲層108a不易溶解於顯影液或易於溶解於顯影液。以犧牲層108a為負型光阻材料為例來說，光罩PM可具有與顯示裝置100欲顯示出的第一圖案P1相同的圖案，透過光源的光線LB1經過光罩PM而成為具有圖案的光線LB2，並將其照射在犧牲層108a上，使得犧牲層108a具有圖案P3的部分被強化而不易溶解於顯影液。因此，如第3圖所示，在曝光製程之後，對犧牲層108a進行顯影(development)製程，以移除未被光線照射的部分，進而形成犧牲圖案層108。詳細來說，犧牲圖案層108可具有至少一第一開口OP1，且第一開口OP1曝露出位於犧牲圖案層108下的第一電極104，並可具有與圖案P3互補的圖案P4。於另一實施例中，圖案化製程也可為壓印(imprint)製程。於又一實施例中，圖案化製程也可包括雷射蝕刻製程，以直接利用雷射移除具有圖案P4的部分犧牲層108，進而形成具有圖案P3的犧牲圖案層108。

如第4圖所示，在形成犧牲圖案層108之後，於犧牲圖案層108與曝露出的第一電極104上形成一透明絕緣層106a。於本實施例中，形成透明絕緣層106a可例如包括原子層沉積製程(atomic layer deposition process)、濺鍍製程(sputter process)或電子束蒸鍍製程(electron gun evaporation process)。值得一提的是，當犧牲圖案層108包括光阻材料時，為了避免高溫對犧牲圖案層108中的光阻材料產生交叉鏈接(cross-link)，而造成光阻材料在後續的製程中不易移除，原子層沉積製程的溫度可小於150℃。

如第5圖所示，隨後移除犧牲圖案層108與位於犧牲圖案層108上的透明絕緣層106a，以於第一電極104上形成透明絕緣圖案層106。以犧牲層108a為光阻材料為例，移除犧牲圖案層108的步驟可稱為舉離(lift-off)製程，但本發明不限於此。於另一實施例中，當犧牲層108a為膠布時，可直接透過撕離膠布，以形成透明絕緣圖案層106，並曝露出第一電極104。由於犧牲圖案層108具有與顯示裝置100欲顯示出的第一圖案P1相同的圖案P3，因此透過移除犧牲圖案層108所形成的透明絕緣圖案層106可具有與第一圖案P1互補的第二圖案P2，以及具有第一圖案P1的至少一第二開口OP2，其中第二開口OP2曝露出第一電極104。透明絕緣圖案層106可例如包括氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鋡(HfO₂)、氧化矽(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、鈦酸鍶(SrTiO₃)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化釓(Gd₂O₃)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化釩(V₂O₅)、氧化鈷(Co₃O₄)、氧化鋅(ZnO)、摻雜鋁之氧化鋅(ZnO：Al)、摻雜硼之氧化鋅(ZnO：B)、摻雜氫之氧化銦(In₂O₃：H)、氧化鎢(WO₃)、氧化鉬(MoO₃)、氧化鈮(Nb₂O₅)、氧化鎳(NiO)、氧化鎂(MgO)、氧化釕(RuO₂)或上述任兩者之結合。

如第6圖與第7圖所示，在形成透明絕緣圖案層106之後，形成一發光層112覆蓋於透明絕緣圖案層106與第一電極104上。由於透明絕緣圖案層106曝露出第一電極104，因此所形成的發光層112可透過第二開口OP2電連接第一電極104。然後，於發光層112上形成一第二電極114，以形成發光二極體LD。發光二極體LD可例如有機發光二極體、量子點發光二極體、其他類型發光二極體或上述至少一類型的複數個堆疊。當發光二極體LD為有機發光二極體時，發光層112包括有機發光材料。第一電極104與第二電極114可分別為陽極與陰極，或者兩者可彼此互換。於本實施例中，發光二極體LD為透明，也就是說第一電極104與第二電極114可由透明導電材料所形成，例如金屬氧化物或具有薄厚度的金屬，因此發光二極體LD可分別從上下兩側射出光線(如第6圖的箭頭所示)，讓位於顯示裝置100兩側的使用者均可觀看到第一圖案P1。形成發光二極體LD的方法為所屬領域具有通常知識者所熟知，因此本文省略相關描述。此外，本發明的第一開口OP1與第二開口OP2的數量與大小係依據第一圖案P1的樣式來決定，因此第3圖與第4圖所示的第一開口OP1的數量與大小以及第5圖與第6圖所示的第二開口OP2的數量與大小僅為示意，並非用來限制本發明的範圍。

於本實施例中，於形成透明絕緣圖案層106與形成發光層112之間，可選擇性另形成一注入層110覆蓋於透明絕緣圖案層106與第一電極104上。當第一電極104為陽極時，注入層110可為電洞注入層，以有助於將來自第一電極104的電洞注入至發光層112中。當第一電極104為陰極時，注入層110可為電子注入層，以有助於將來自第一電極104的電子注入至發光層112中。注入層110可透過第二開口OP2電連接或接觸第一電極104。於另一實施例中，於形成發光層112與形成第二電極114之間，也可選擇性形成另一注入層，於發光層112與第二電極114之間。當第二電極114為陽極時，此另一注入層可為電洞注入層。當第二電極114為陰極時，此另一注入層可為電子注入層。電子注入層可例如包括電子注入材料及/或電子傳輸材料，電洞注入層可例如包括電洞注入材料及/或電洞傳輸材料。於又一實施例中，形成透明絕緣圖案層106與形成注入層110之間也可選擇形成額外的透明導電層，但不以此為限。

於本實施例中，於形成發光二極體LD之後，可選擇性於發光二極體LD上形成一保護層116，以形成本實施例的顯示裝置100。保護層116覆蓋發光二極體LD，用以保護發光二極體LD，特別是當發光二極體LD為有機發光二極體時，保護層116可避免發光二極體LD受到濕氣或氧氣的破壞。舉例而言，保護層116可包括有機材料、無機材料或有機材料與無機材料的堆疊。

於本實施例中，第二電極114與第一電極104分別為顯示裝置100的兩電極端，用以電連接至一電源PW。當電源PW開啟，第二電極114與第一電極104之間施加有電壓時，顯示裝置100切換至圖案顯示模式，以顯示出靜態的第一圖案P1。並且，透過透明絕緣圖案層106的阻隔，電源所提供的電流必須流過第二開口OP2，因此發光二極體LD對應具有第一圖案P1的第二開口OP2的部分才會產生光線，使得發光二極體LD顯示出預先定義好的第一圖案P1。藉此，顯示裝置100可分別從第一表面S1與第二表面S2顯示出第一圖案P1。由於本實施例的基板102、發光二極體LD與保護層116均為透明的，因此電源關閉時，顯示裝置100可為透明的顯示裝置，也就是在未施加電壓於顯示裝置100時處於無圖案模式，且呈現透明狀態，使得使用者可觀看到顯示裝置100後方的景象。由此可知，本實施例的顯示裝置100具有可切換圖案顯示模式與無圖案模式的功用，因此可改善傳統紙張的限制，並提升顯示裝置100的應用範圍。舉例來說，顯示裝置100可在使用者剛開始使用時處於無圖案模式，而在使用者觸發特定動作時顯示裝置100進行圖案顯示模式以顯示出第一圖案P1，如此可提升使用者的使用感受。並且，本實施例的顯示裝置100僅包含發光二極體LD，且透過提供發光二極體LD電壓即可顯示出第一圖案P1，因此大大地降低顯示裝置100的成本以及操作的複雜度。顯示裝置100可例如為一名片、一展示解說牌、禮盒的上蓋或其他適合的產品。

本發明的發光二極體並不以此為限。於另一實施例中，第一電極104可包括不透明導電材料，且第二電極114包括透明導電材料，因此發光二極體LD為單側發光。於此情況下，顯示裝置100係從其第一表面S1顯示出第一圖案P1。於又一實施例中，第一電極104可包括透明導電材料，且第二電極包括不透明導電材料，因此發光二極體LD亦為單側發光。於此情況下，顯示裝置100係從其第二表面S2顯示出第一圖案P1。

值得一提的是，由於透明絕緣圖案層106的沉積品質與厚度決定透明絕緣圖案層106是否會有漏電的問題，也就是決定發光二極體LD能否清楚顯示出第一圖案P1，因此本實施例形成透明絕緣層106a的方式係使用原子層沉積製程、濺鍍製程或電子束蒸鍍製程，以維持透明絕緣圖案層106的品質，且透明絕緣圖案層106可具有一厚度，小於或等於100奈米。此外，於本實施例透明的顯示裝置100中，由於透明絕緣圖案層106具有第二圖案P2，因此顯示裝置100的透明度取決於透明絕緣圖案層106的可視度。透明絕緣圖案層106的厚度決定透明絕緣圖案層106的可視度(visibility)，因此透明絕緣圖案層106的厚度較佳可小於或等於50奈米，使得使用者不易從外觀察覺透明絕緣圖案層106，藉此可提升顯示裝置100的透明度。不過，透明絕緣圖案層106的厚度亦會影響漏電，因此當透明絕緣圖案層106的厚度越薄時，形成透明絕緣層106a的方式較佳使用原子層沉積製程，以避免透明絕緣圖案層106產生漏電，並維持透明絕緣圖案層106的品質。舉例來說，在使用原子層沉積製程形成透明絕緣層106a的條件下，透明絕緣圖案層106的厚度可小於或等於30奈米。

下文將進一步比較原子層沉積製程、濺鍍製程與電子束蒸鍍製程所形成的透明絕緣圖案層106的可視度。第8圖為利用原子層沉積製程所形成的透明絕緣層與基板的穿透度與波長的關係示意圖，第9圖為利用濺鍍製程所形成的透明絕緣層與基板的穿透度與波長的關係示意圖，且第10圖為利用電子束蒸鍍製程所形成的透明絕緣層與基板的穿透度與波長的關係示意圖，其中第8圖、第9圖與第10圖中的透明絕緣層106a的厚度以30奈米為例，且基板102以玻璃為例，但不以此為限。如第8圖、第9圖與第10圖所示，曲線L1代表基板102的穿透度與波長的關係曲線，曲線L2代表利用原子層沉積製程所形成的透明絕緣層106a的穿透度與波長的關係曲線，曲線L3代表利用濺鍍製程所形成的透明絕緣層106a的穿透度與波長的關係曲線，且曲線L4代表利用電子束蒸鍍製程所形成的透明絕緣層106a的穿透度與波長的關係曲線。依據曲線L1、曲線L2、曲線L3與曲線L4，當所形成的透明絕緣層106a在厚度為30奈米時，透過原子層沉積製程、濺鍍製程與電子束蒸鍍製程所形成的透明絕緣層106a的穿透度可接近基板102的穿透度，因此儘管透明絕緣圖案層106具有第二開口OP2，但透明絕緣圖案層106依然不易被使用者所觀看到。值得說明的是，透過原子層沉積製程、濺鍍製程與電子束蒸鍍製程所形成的透明絕緣層106在波長為550奈米時的穿透度可分別大於99%、98%與92%，且基板102在波長為550奈米時的穿透度可大於99%，因此透明絕緣圖案層106較佳透過原子層沉積製程形成。

第11圖與第12圖繪示本發明第二實施例的顯示裝置的製作方法示意圖。本實施例的製作方法與上述第一實施例的製作方法的差異在於本實施例形成透明絕緣圖案層106的方式係直接圖案化透明絕緣層106a。具體來說，如第11圖所示，於提供基板102與第一電極104之後，直接於第一電極104上形成透明絕緣層106a。然後，如第12圖所示，對透明絕緣層106a進行圖案化製程，以於第一電極104上形成透明絕緣圖案層106。於本實施例中，圖案化製程可例如包括雷射雕刻製程或微影與蝕刻製程，但不限於此。本實施例於形成透明絕緣圖案層106之後的步驟係與第一實施例相同，因此在此不多贅述。

第13圖繪示本發明第三實施例的顯示裝置的製作方法示意圖。本實施例的製作方法與上述第一實施例的製作方法的差異在於本實施例形成透明絕緣圖案層106的方式係利用網版印刷製程。具體來說，如第13圖所示，在提供基板102與第一電極104之後，於第一電極104上設置具有與第一圖案P1相同圖案的網版302，其中網版302可具有至少一第三開口OP3，且第三開口OP3曝露出第一電極104，並可具有與第一圖案P1互補的圖案。然後，於曝露出的第一電極104與網版302上形成一透明絕緣層106a。本實施例形成透明絕緣層106a的方法可與第一實施例相同，因此不多贅述。接著，移除網版302與位於網版302上的透明絕緣層106a，以形成透明絕緣圖案層106，如第6圖所示。本實施例於形成透明絕緣圖案層106之後的步驟係與第一實施例相同，因此在此不多贅述。

本發明另提供一種應用上述任一實施例的顯示裝置的禮盒。第14圖繪示本發明第四實施例的禮盒在上蓋闔上時的側視示意圖，第15圖繪示本發明第四實施例的禮盒在上蓋掀開時的側視示意圖。本實施例的禮盒400包括一開口402，且顯示裝置404可覆蓋開口402，以在開口402處顯示出第一圖案P1。在本實施例中，禮盒400可包括一盒體406以及一上蓋408，盒體406可包括複數個側牆以及一底部，且側牆豎立於底部的邊緣上，並依序連接，使側牆與底部可構成一凹槽406R，用以容置一物件，例如禮物。此外，凹槽406R中亦可依據實際需求容置固定物件的固定結構或其他裝飾物件。上蓋408用以蓋合凹槽406R，使禮盒400可完整保護物件。盒體406與上蓋408可包括紙、塑料或其他適合的材料，且可由相同或不同的材料所構成。

本實施例的禮盒400可選擇性另包括一連接轉軸410，連接於上蓋408的側邊與盒體406其中一側牆的頂端之間，使上蓋408可掀起或闔上。於其他實施例中，上蓋408與盒體406亦可為一體成型。

本實施例的上蓋408可具有開口402，且顯示裝置404的邊緣可鑲嵌於上蓋408的開口402的側壁中，但本發明不限於此。依據實際的設計需求，顯示裝置404也可設置於上蓋408面對凹槽406R的內側上或上蓋408的外側上。於一些實施例中，開口402也可設置於盒體406的其中至少一側牆或底部。於一些實施例中，顯示裝置404可為透明顯示裝置，以使位於禮盒400的外側的使用者得以透過顯示裝置404觀看到位於禮盒400內部中的物件。盒體406形狀不限為立方體形狀，可依據實際需求作對應調整。舉例來說，盒體406形狀也可為柱狀體、球體、橢圓體或其他適合的形狀。本實施例的顯示裝置404可適用上述任一實施例的顯示裝置。值得說明的是，本實施例的顯示裝置404可在上蓋408闔上時呈現透明狀態，而不顯示第一圖案P1，且在上蓋408掀開時顯示出第一圖案P1，以使收到禮盒的使用者不僅對禮物的好感之外，還可因第一圖案P1的顯示而感到驚喜，並可透過所顯示的第一圖案P1(例如文字描述)了解送禮者的心意。於一些實施例中，顯示裝置404顯示第一圖案的時間點可依實際需求而定，例如也可在上蓋408闔上時或使用者拿到禮盒時顯示第一圖案，而於掀開時呈現透明狀態，但不以此為限。

綜上所述，於本發明的顯示裝置的製作方法中，透過原子層沉積製程、濺鍍製程或電子束蒸鍍製程形成厚度小於或等於100奈米的透明絕緣圖案層，可使透明絕緣圖案層達到絕緣的效果，因此顯示裝置可具有可切換圖案顯示模式與無圖案模式的功用。再者，透過將透明絕緣圖案層的厚度降低至小於或等於50奈米，還可降低透明絕緣圖案層的可視度，以提升顯示裝置的透明度。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

Claims

一種顯示裝置，用以顯示一第一圖案，且該顯示裝置包括：一基板；以及一發光二極體，設置於該基板上，且該發光二極體包括：一第一電極；一透明絕緣圖案層，設置於該第一電極上，其中該透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且該透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與該第一圖案互補；一發光層，覆蓋於該透明絕緣圖案層與該第一電極上，且該發光層電連接該第一電極；以及一第二電極，設置於發光層上。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該透明絕緣圖案層包括複數個開口，且該發光層透過該等開口與該第一電極電連接。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該等開口具有該第一圖案。
如請求項2所述的顯示裝置，其中該發光二極體另包括一注入層，夾設於該發光層與該透明絕緣圖案層之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該透明絕緣圖案層的該厚度小於或等於30奈米。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該透明絕緣圖案層包括氧化鋁 (Al₂O₃)、氧化鋡(HfO₂)、氧化矽(SiO₂)、氧化鈦(TiO₂)、鈦酸鍶(SrTiO₃)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化釓(Gd₂O₃)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化釩(V₂O₅)、氧化鈷(Co₃O₄)、氧化鋅(ZnO)、摻雜鋁之氧化鋅(ZnO：Al)、摻雜硼之氧化鋅(ZnO：B)、摻雜氫之氧化銦(In₂O₃：H)、氧化鎢(WO₃)、氧化鉬(MoO₃)、氧化鈮(Nb₂O₅)、氧化鎳(NiO)、氧化鎂(MgO)、氧化釕(RuO₂)或上述任兩者之結合。
如請求項1所述的顯示裝置，另包括一保護層，覆蓋於該發光二極體。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一圖案包括文字描述、徽章圖案或商標圖案。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該顯示裝置為一名片或一展示解說牌。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該透明絕緣圖案層在波長為550奈米時的穿透度大於92%。
一種顯示裝置之製作方法，該顯示裝置用以顯示出一第一圖案，且該製作方法包括：提供一基板以及一第一電極，其中該第一電極形成於該基板上；於該第一電極上形成一透明絕緣圖案層，其中該透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且該透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與該第一圖案互補；形成一發光層覆蓋於該透明絕緣圖案層與該第一電極上，其中該發光層電連接該第一電極；以及於該發光層上形成一第二電極，以形成一發光二極體。
如請求項11所述的顯示裝置之製作方法，其中形成該透明絕緣圖案層包括：於該第一電極上形成一犧牲層；對該犧牲層進行一圖案化製程，以形成一犧牲圖案層，並曝露出該第一電極，其中該犧牲圖案層具有該第一圖案；於該犧牲圖案層與曝露出的該第一電極上形成一透明絕緣層；以及移除該犧牲圖案層與位於該犧牲圖案層上的該透明絕緣層，以形成該透明絕緣圖案層。
如請求項12所述的顯示裝置之製作方法，其中該犧牲層包括光阻材料或膠布。
如請求項12所述的顯示裝置之製作方法，其中圖案化該犧牲層包括微影製程或雷射蝕刻製程。
如請求項12所述的顯示裝置之製作方法，其中形成該透明絕緣層包括原子層沉積製程、濺鍍製程或電子束蒸鍍製程。
如請求項11所述的顯示裝置之製作方法，其中形成該透明絕緣圖案層包括：於該第一電極上形成一透明絕緣層；以及對該透明絕緣層進行一圖案化製程，以形成一透明絕緣圖案層。
如請求項16所述的顯示裝置之製作方法，其中該圖案化製程包括雷射雕刻製程。
如請求項11所述的顯示裝置之製作方法，其中形成該透明絕緣圖案層包括：於該第一電極上設置一網版；於該第一電極與該網版上形成一透明絕緣層；以及移除該網版與位於該網版上的該透明絕緣層，以形成該透明絕緣圖案層。
如請求項11所述的顯示裝置之製作方法，另包括於該發光二極體上形成一保護層，且該保護層覆蓋該發光二極體。
如請求項11所述的顯示裝置之製作方法，其中該透明絕緣圖案層包括至少一開口，且該發光層透過該開口與該第一電極電連接。
如請求項20所述的顯示裝置之製作方法，另包括於形成該透明絕緣圖案層與形成該發光層之間，形成一注入層覆蓋於該透明絕緣圖案層與該第一電極上。
一種禮盒，包括：一盒體，具有一凹槽，用以容置一物件，且該盒體包括複數個側牆以及一底部；一上蓋，用以蓋合該盒體的該凹槽，且該等側牆、該底部與該上蓋的其中至少一個具有一開口；以及一顯示裝置，覆蓋該開口，並用以顯示一第一圖案，且該顯示裝置包括：一基板；以及一發光二極體，設置於該基板上，且該發光二極體包括：一第一電極；一透明絕緣圖案層，設置於該第一電極上，其中該透明絕緣圖案層具有一厚度，小於或等於100奈米，且該透明絕緣圖案層具有一第二圖案，與該第一圖案互補；一發光層，覆蓋於該透明絕緣圖案層與該第一電極上，且該發光層電連接該第一電極；以及一第二電極，設置於發光層上。
如請求項22所述的禮盒，其中該上蓋具有該開口。
如請求項23所述的禮盒，另包括一連接轉軸，連接於該上蓋的側邊與該盒體的側牆的頂端之間。
如請求項22所述的禮盒，其中該顯示裝置為一透明顯示裝置，以使位於該禮盒的外側的使用者得以透過該顯示裝置觀看到該禮盒的內部。