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TWI670765B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

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TWI670765B
TWI670765B TW106131585A TW106131585A TWI670765B TW I670765 B TWI670765 B TW I670765B TW 106131585 A TW106131585 A TW 106131585A TW 106131585 A TW106131585 A TW 106131585A TW I670765 B TWI670765 B TW I670765B
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TW
Taiwan
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suction
substrate
liquid
processing liquid
processing
Prior art date
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TW106131585A
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English (en)
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TW201820453A (zh
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岩尾通矩
Michinori IWAO
菊本憲幸
Noriyuki KIKUMOTO
安田周一
Shiuchi Yasuda
藤田和宏
Kazuhiro Fujita
大澤瑞樹
Mizuki OSAWA
戎居博志
Hiroshi EBISUI
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
SCREEN Holdings Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TW201820453A publication Critical patent/TW201820453A/zh
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    • H10P52/00
    • H10P72/0404
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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Abstract

本發明之基板處理裝置包含:基板保持單元,其保持基板;處理液配管,其與用以朝向保持於上述基板保持單元之基板之主面吐出處理液之吐出口連通;處理液供給單元,其用以對上述處理液配管供給處理液;抽吸單元,其用以對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;以及控制裝置,其控制上述處理液供給單元及上述抽吸單元;上述控制裝置執行:處理液供給步驟,其係藉由上述處理液供給單元對上述處理液配管供給處理液以自上述吐出口吐出;及抽吸步驟,其係藉由上述抽吸單元對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;且上述控制裝置於上述抽吸步驟中選擇性地執行第1抽吸步驟與第2抽吸步驟,該第1抽吸步驟係抽吸處理液,使抽吸後之處理液之前端面配置於上述處理液配管之內部之預先規定之待機位置,該第2抽吸步驟係抽吸處理液,使處理液之前端面較上述待機位置後退。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象之基板包含例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機電致發光(EL,electroluminescence)顯示裝置等平板顯示器(FPD,Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中,使用用於對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理之基板處理裝置。逐片地處理基板之單片式基板處理裝置例如包含:旋轉夾盤,其將基板保持為水平並使其旋轉;對向構件,其自上方與保持於旋轉夾盤之基板對向;中心軸噴嘴,其收容於形成在對向構件之中央部之中央開口;處理液配管,其對中心軸噴嘴供給處理液;及抽吸裝置,其對處理液配管內部之處理液進行抽吸。對向構件係接近基板之上表面而用於使該上表面與其周圍之空間阻斷之構件。已知於吐出處理液後抽吸處理液而使中心軸噴嘴內之處理液之前端面後退。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-135843號公報
於處理液配管內之處理液經時變化之情況(例如處理液配管內之處理液發生成分變化(劣化)或溫度降低之情況)下,不宜將該處理液用於下一基板處理,因此必須於下一基板處理之前將處理液配管內之處理液全部排出至配管外。另一方面,於能夠將處理液配管內之處理液直接用於下一基板處理之情況下,亦抽吸處理液配管內之處理液而使處理液之前端面後退以免處理液自吐出口滴落。
然而,若不論抽吸之目的而一律藉由處理液之抽吸將處理液配管內之處理液全部排出至配管外,則處理液之消耗量增大。不僅如此,而且為了進行處理液配管之各抽吸而需要較長時間,有導致產出量降低之虞。因此,要求一方面實現處理液之消耗量之減少並且抑制產出量之降低,一方面抽吸處理液配管內之處理液而使處理液之前端面後退。
因此,本發明之一目的在於提供一種可一方面實現處理液之消耗量之減少、一方面抽吸處理液配管內之處理液之基板處理裝置及基板處理方法。又,本發明之另一目的在於提供一種可一方面抑制產出量之降低、一方面抽吸處理液配管內之處理液之基板處理裝置及基板處理方法。
本發明提供一種基板處理裝置,其包含:基板保持單元,其保持基板;處理液配管,其與用以朝向保持於上述基板保持 單元之基板之主面吐出處理液之吐出口連通;處理液供給單元,其用以對上述處理液配管供給處理液;抽吸單元,其用以對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;以及控制裝置,其控制上述處理液供給單元及上述抽吸單元;上述控制裝置執行:處理液供給步驟,其係藉由上述處理液供給單元對上述處理液配管供給處理液以自上述吐出口吐出;及抽吸步驟,其係藉由上述抽吸單元對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;且上述控制裝置於上述抽吸步驟中選擇性地執行第1抽吸步驟與第2抽吸步驟,該第1抽吸步驟係抽吸處理液,使抽吸後之處理液之前端面配置於上述處理液配管之內部之預先規定之待機位置,該第2抽吸步驟係抽吸處理液,使處理液之前端面較上述待機位置後退。
根據該構成,於抽吸步驟中,抽吸存在於處理液配管之內部之處理液,使處理液之前端面後退。作為抽吸步驟,選擇性地執行使處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟與使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟。
又,於第1抽吸步驟中,所抽吸之處理液之量及時間較第2抽吸步驟減少。因此,於所有的抽吸步驟中,與執行第2抽吸步驟之情況相比,可實現處理液之消耗量之減少,又,亦可抑制產出量之降低。
藉由以上,可一方面實現處理液之消耗量之減少且抑制產出量之降低,一方面抽吸處理液配管內之處理液。
於該發明之一實施形態中,進而包含連接部,該連接部連接於上述處理液配管,且於內部具有用以供液體流通之流通空間。該情況下,上述控制裝置亦可於上述第2抽吸步驟中執行使處 理液之前端面較上述連接部之上游端後退之步驟。
根據該構成,於第2抽吸步驟中使處理液之前端面較連接部之上游端後退。即,於第2抽吸步驟中可自處理液配管之內部及連接部之流通空間之全域排除處理液。藉此,於處理液配管內之處理液經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之情況下,可確實地防止該處理液用於下一基板處理。
又,上述抽吸單元亦可包含:第1抽吸裝置,其以既定之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液;及第2抽吸裝置,其以較上述第1抽吸裝置大之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液。於該情況下,上述控制裝置亦可於上述第1抽吸步驟中藉由上述第1抽吸裝置抽吸處理液,於上述第2抽吸步驟中藉由上述第2抽吸裝置抽吸處理液。
又,若於第1及第2抽吸步驟兩者中以較強之抽吸力抽吸處理液,則有無法準確地控制第1抽吸步驟之抽吸後之處理液之前端面之虞。若於第1及第2抽吸步驟兩者中以較弱之抽吸力抽吸處理液,則有第2抽吸步驟之執行需要較長時間之虞。
根據該構成,於第1抽吸步驟中,以相對較弱之抽吸力抽吸處理液配管內之處理液,使處理液之前端面後退。因此,能準確地控制第1抽吸步驟之抽吸後之處理液之前端面,且能以短時間進行第2抽吸步驟之執行。
又,上述基板處理裝置亦可進而包含連接部,該連接部連接於上述處理液配管,且於內部具有用以供液體流通之流通空間。於該情況下,上述第1抽吸裝置亦可介裝於上述處理液配管或分支連接於上述處理液配管。上述第2抽吸裝置亦可經由連接於上 述連接部之抽吸配管而抽吸處理液。
根據該構成,第1抽吸裝置相對於連接部而配置於吐出口側,第2抽吸裝置相對於連接部而配置於與吐出口相反之側。即,構成為能夠實現使利用第1抽吸步驟之抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置,且於第2抽吸步驟中使處理液之前端面較連接部之上游端後退。
又,上述第2抽吸裝置亦可包含噴射器式抽吸裝置。
又,上述第1抽吸裝置亦可包含隔膜式抽吸裝置。
上述基板處理裝置亦可進而包含:抽吸配管,其連接於上述處理液配管,介裝有上述隔膜式抽吸裝置;及處理液閥,其開關上述處理液配管。於該情況下,用以驅動上述隔膜式抽吸裝置之第1驅動源與用以驅動上述處理液閥之第2驅動源亦可彼此獨立。
假設用以驅動隔膜式抽吸裝置之驅動源與用以驅動處理液閥之驅動源共用,則有與處理液閥之開關連動而進行隔膜式抽吸裝置之抽吸/抽吸解除之虞。
根據該構成,由於用以驅動隔膜式抽吸裝置之驅動源與用以驅動處理液閥之驅動源彼此獨立,故而可分別於最佳之動作時刻進行處理液閥之開關與隔膜式抽吸裝置之抽吸/抽吸解除。
又,上述第1抽吸裝置亦可包含虹吸管式抽吸裝置。
又,上述控制裝置亦可於連續進行使用自上述吐出口吐出之處理液處理基板之基板處理的連續處理中執行上述第1抽吸步驟。於該情況下,上述控制裝置亦可於上述連續處理之前及/或上述連續處理之後執行上述第2抽吸步驟。
根據該構成,連續處理中,由於連續地執行基板處理,故而處理液不會長時間地持續滯留於處理液配管內。因此,就減少處理液消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,連續處理中,執行使抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟作為抽吸步驟。
另一方面,於連續處理之前及/或連續處理之後,處理液長時間地持續滯留於處理液配管內。由於不能將經時變化之處理液用於下一基板處理,故而於連續處理之前及/或連續處理之後,執行使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟作為抽吸步驟。
藉由以上,可將殘留於處理液配管內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
上述控制裝置亦可於使用自上述吐出口吐出之處理液處理一片基板之基板處理期間執行上述第1抽吸步驟。於該情況下,上述控制裝置亦可於上述基板處理之前及/或上述基板處理之後執行上述第2抽吸步驟。
根據該構成,對一片基板之基板處理中,處理液不會長時間地持續滯留於處理液配管內。因此,就減少處理液消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,基板處理中,執行使抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟作為抽吸步驟。
另一方面,根據基板處理之內容,於基板處理之前及/或基板處理之後,有處理液長時間地持續滯留於處理液配管內之情況。由於不能將經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之處理液用 於下一基板處理,故而於連續處理之前及/或連續處理之後,執行使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟作為抽吸步驟。
藉由以上,可將殘留於處理液配管內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
上述控制裝置亦可於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為未滿既定期間之情況下執行上述第1抽吸步驟。於該情況下,上述控制裝置亦可於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為既定期間以上之情況下執行上述第2抽吸步驟。
根據該構成,於自處理液從吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間不那麼長之情況下,滯留於處理液配管內之處理液未發生經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低),因此可用於下一基板處理。於該情況下,就減少處理液消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,執行使抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟作為抽吸步驟。
另一方面,於自處理液之吐出停止起經過較長時間之情況下,有殘留於處理液配管內之處理液經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之情況。此種處理液不宜直接用於處理,因此必須於下一基板處理之前將處理液配管內之處理液全部排出至配管外。因此,於該情況下,執行使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟作為抽吸步驟。
藉由以上,可將殘留於處理液配管內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
上述控制裝置亦可進而執行計測自處理液從上述吐 出口之吐出停止起之經過期間的經過期間計測步驟。此時,亦可於上述經過期間為未滿上述既定期間之情況下,由上述控制裝置執行上述第1抽吸步驟,於上述經過期間為上述既定期間以上之情況下,由上述控制裝置執行上述第2抽吸步驟。
根據該構成,藉由計測自處理液從吐出口之吐出停止起之經過期間,可高精度地判別自處理液從吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間是否為上述既定期間以上。
上述吐出口亦可設置為無法於沿著保持在上述基板保持單元之基板之主面之方向上移動。根據該構成,吐出口設置為無法於沿著保持在基板保持單元之基板之表面之方向上移動。
又,於處理液配管之內部之處理液經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之情況下,必須於下一基板處理之開始前將處理液配管內之處理液全部排出至配管外。然而,於吐出口設置為無法於沿著保持在基板保持單元之基板之主面之方向上移動之情況下,無法進行自吐出口吐出處理液之方式之處理液排出。因此,必須使用抽吸進行殘留於處理液配管之內部之處理液之排出。又,於吐出口設置為無法於沿著保持在基板保持單元之基板之主面的方向上移動之情況下,於吐出口與基板之主面對向之情況下,為了防止自吐出口之處理液之落液(所謂滴落),必須於自吐出口吐出處理液後對處理液配管之內部進行抽吸而使處理液之前端面後退。
又,藉由根據處理液配管內之抽吸之目的(用於防止滴落之抽吸或用於排出處理液之抽吸)分開使用抽吸步驟,可一方面實現處理液之消耗量之減少,一方面抽吸處理液配管內之處理液。
上述基板處理裝置亦可進而包含對向構件,該對向構件具有與保持於上述基板保持單元之基板之主面對向、且無法於沿著上述基板之主面之方向上移動之基板對向面。於該情況下,上述吐出口亦可形成於上述基板對向面。
根據該構成,無法使吐出口於沿著保持在基板保持單元之基板之表面之方向上移動。於該情況下,亦可一方面實現處理液之消耗量之減少且實現產出量之降低之抑制,一方面抽吸處理液配管內之處理液。
又,本發明提供一種基板處理方法,係藉由包含與吐出口連通之處理液配管之基板處理裝置而執行者,其包括:處理液供給步驟,其係為了自上述吐出口吐出處理液而對上述處理液配管供給處理液;及抽吸步驟,其係對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;上述抽吸步驟包括:第1抽吸步驟,其係使處理液之前端面後退,而使抽吸後之處理液之前端面配置於上述處理液配管之內部之預先規定之待機位置;及第2抽吸步驟,其係使處理液之前端面較上述待機位置大幅地後退;且上述第1及第2抽吸步驟係選擇性地執行。
根據該方法,於抽吸步驟中,抽吸存在於處理液配管之內部之處理液,使處理液之前端面後退。作為抽吸步驟,選擇性地執行使處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟與使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟。
又,於第1抽吸步驟中,所抽吸之處理液之量及時間較第2抽吸步驟減少。因此,於所有的抽吸步驟中,與執行第2抽吸步驟之情況相比,可實現處理液之消耗量之減少,又,亦可抑制 產出量之降低。
藉由以上,可一方面實現處理液之消耗量之減少且實現產出量之降低之抑制,一方面抽吸處理液配管內之處理液。
於該發明之一實施形態中,上述基板處理裝置進而包含連接部,該連接部連接於上述處理液配管,且於內部具有用以供液體流通之流通空間。又,上述第2抽吸步驟亦可包含使處理液之前端面較上述連接部之上游端後退之步驟。
根據該方法,於第2抽吸步驟中,使處理液之前端面較連接部之上游端後退。即,於第2抽吸步驟中,可自處理液配管之內部及連接部之流通空間之全域排除處理液。藉此,於處理液配管內之處理液經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之情況下,可確實地防止該處理液用於下一基板處理。
又,上述第1抽吸步驟亦可包含以既定之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液之步驟。於該情況下,上述第2抽吸步驟亦可包含以較上述第1抽吸步驟大之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液之步驟。
又,若於第1及第2抽吸步驟兩者中以較強之抽吸力抽吸處理液,則有無法準確地控制第1抽吸步驟之抽吸後之處理液之前端面之虞。若於第1及第2抽吸步驟兩者中以較弱之抽吸力抽吸處理液,則有第2抽吸步驟之執行需要較長時間之虞。
根據該方法,於第1抽吸步驟中,以相對較弱之抽吸力抽吸處理液配管內之處理液,使處理液之前端面後退。因此,能準確地控制第1抽吸步驟之抽吸後之處理液之前端面,且能以短時間進行第2抽吸步驟之執行。
又,上述第1抽吸步驟亦可為於連續進行使用自上述吐出口吐出之處理液處理基板之基板處理的連續處理中進行之步驟。於該情況下,上述第2抽吸步驟亦可為於上述連續處理之前及/或上述連續處理之後進行之步驟。
根據該方法,於連續處理中,由於連續地執行基板處理,故而處理液不會長時間地持續滯留於處理液配管內。因此,就減少處理液消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,於連續處理中,執行使抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟作為抽吸步驟。
另一方面,於連續處理之前及/或連續處理之後,處理液長時間地持續滯留於處理液配管內。由於不能將經時變化之處理液用於下一基板處理,故而於連續處理之前及/或連續處理之後,執行使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟作為抽吸步驟。
藉由以上,可將殘留於處理液配管內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
又,上述第1抽吸步驟亦可為於使用自上述吐出口吐出之處理液處理一片基板之基板處理期間進行之步驟。於該情況下,上述第2抽吸步驟亦可為於上述基板處理之前及/或上述基板處理之後進行之步驟。
根據該方法,對一片基板之基板處理中,處理液不會長時間地持續滯留於處理液配管內。因此,就減少處理液消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,於基板處理中,執行使抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟作為抽吸步 驟。
另一方面,根據基板處理之內容,於基板處理之前及/或基板處理之後,有處理液長時間地持續滯留於處理液配管內之情況。由於不能將經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之處理液用於下一基板處理,故而於連續處理之前及/或連續處理之後,執行使處理液之前端面較待機位置後退之第2抽吸步驟作為抽吸步驟。
藉由以上,可將殘留於處理液配管內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
又,上述第1抽吸步驟亦可為於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為未滿既定期間之情況下進行之步驟。於該情況下,上述第2抽吸步驟亦可為於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為既定期間以上之情況下進行之步驟。
根據該方法,於自處理液從吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間不那麼長之情況下,滯留於處理液配管內之處理液未發生經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低),因此可用於下一基板處理。於該情況下,就減少處理液消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,執行使抽吸後之處理液之前端面配置於待機位置之第1抽吸步驟作為抽吸步驟。
另一方面,於自處理液之吐出停止經過較長時間之情況下,有殘留於處理液配管內之處理液發生經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之情況。此種處理液不宜直接用於處理,因此必須於下一基板處理之前將處理液配管內之處理液全部排出至配管外。因此,於該情況下,執行使處理液之前端面較待機位置後退之 第2抽吸步驟作為抽吸步驟。
藉由以上,可將殘留於處理液配管內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
又,上述基板處理方法進而包括計測自處理液從上述吐出口之吐出停止起之經過期間的經過期間計測步驟,上述第1抽吸步驟係於上述經過期間為未滿上述既定期間之情況下執行之步驟,上述第2抽吸步驟係於上述經過期間為上述既定期間以上之情況下執行之步驟。
根據該方法,藉由計測自處理液從吐出口之吐出停止起之經過期間,可高精度地判別自處理液從吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間是否為上述既定期間以上。
本發明中之上述之或進而其他之目的、特徵及效果參照隨附圖式並藉由如下所述之實施形態之說明而明瞭。
1、201‧‧‧基板處理裝置
2、202‧‧‧處理單元
3、203‧‧‧控制裝置
4、204‧‧‧腔室
5、205‧‧‧旋轉夾盤
8、231a‧‧‧第1吐出口
9、231‧‧‧第1噴嘴配管
10、232a‧‧‧第2吐出口
11、232‧‧‧第2噴嘴配管
12、233a‧‧‧第3吐出口
13、233‧‧‧第3噴嘴配管
14‧‧‧第1供給/抽吸單元
15‧‧‧第2供給/抽吸單元
16‧‧‧第3供給/抽吸單元
17‧‧‧承杯
17a、212a‧‧‧上端部
18、213‧‧‧間隔壁
19、214‧‧‧FFU
20、215‧‧‧排氣管
21a、29、221a‧‧‧基板對向面
22、216‧‧‧旋轉馬達
23‧‧‧下旋轉軸
24、218‧‧‧旋轉基底
25、219‧‧‧夾持構件
26、206‧‧‧對向構件
27、221‧‧‧阻斷板
28、217‧‧‧旋轉軸
30、224‧‧‧貫通孔
31‧‧‧支持臂
32、207‧‧‧中心軸噴嘴
33、230‧‧‧套管
34‧‧‧阻斷板旋轉單元
35、247‧‧‧對向構件升降單元
41‧‧‧第1上下方向部
42‧‧‧第1左右方向部
43‧‧‧第1共用配管
44‧‧‧第1連接部
45‧‧‧第1排液配管
46、236‧‧‧化學液配管
47、238‧‧‧沖洗液配管
48、49、111‧‧‧沖洗液抽吸配管
50‧‧‧第1共用閥
51‧‧‧第1排液閥
52、237‧‧‧化學液閥
53、239‧‧‧沖洗液閥
54、56‧‧‧沖洗液抽吸閥
55、57、112‧‧‧沖洗液抽吸裝置
61‧‧‧第2上下方向部
62‧‧‧第2左右方向部
63‧‧‧第2共用配管
64‧‧‧第2連接部
65‧‧‧第2排液配管
66、242‧‧‧有機溶劑配管
69‧‧‧有機溶劑抽吸配管
70‧‧‧第2共用閥
71‧‧‧第2排液閥
72、243‧‧‧有機溶劑閥
75‧‧‧第1有機溶劑抽吸裝置
76‧‧‧有機溶劑抽吸閥
77‧‧‧第2有機溶劑抽吸裝置
81‧‧‧第3上下方向部
82‧‧‧第3左右方向部
83‧‧‧第3共用配管
84‧‧‧第3連接部
85‧‧‧第3排液配管
86‧‧‧第1表面改質劑配管
87‧‧‧第2表面改質劑配管
89‧‧‧表面改質劑抽吸配管
90‧‧‧第3共用閥
91‧‧‧第3排液閥
92‧‧‧第1表面改質劑閥
93‧‧‧第2表面改質劑閥
95‧‧‧第1表面改質劑抽吸裝置
96‧‧‧表面改質劑抽吸閥
97‧‧‧第2表面改質劑抽吸裝置
101‧‧‧操作鍵
102、304‧‧‧配方記憶部
103‧‧‧抽吸旗標
103A‧‧‧第1抽吸旗標
103B‧‧‧第2抽吸旗標
103C‧‧‧第3抽吸旗標
104A‧‧‧第1經過期間計時器
104B‧‧‧第2經過期間計時器
104C‧‧‧第3經過期間計時器
113、124、263‧‧‧抽吸閥
121、256‧‧‧抽吸配管
122‧‧‧化學液/沖洗液抽吸裝置
123‧‧‧流量調整閥
208‧‧‧化學液供給單元
209‧‧‧沖洗液供給單元
210‧‧‧疏水化劑供給單元
211‧‧‧有機溶劑供給單元
212‧‧‧處理承杯
220‧‧‧對向構件支持部
221b‧‧‧簷部
221c‧‧‧旋轉夾盤銜接部
222‧‧‧銜接部
223‧‧‧支持部
225‧‧‧圓筒部
226‧‧‧凸緣部
226a‧‧‧銜接孔
227‧‧‧支持部本體
228‧‧‧凸緣支持部
228a‧‧‧突起
229、252‧‧‧連接部
230a‧‧‧外周面
230b‧‧‧對向面
234‧‧‧第4噴嘴配管
234a‧‧‧第4吐出口
240‧‧‧疏水化劑配管
241‧‧‧疏水化劑閥
251‧‧‧共用配管
251a‧‧‧上下方向部分
251b‧‧‧左右方向部分
252a‧‧‧側壁
252b‧‧‧一端壁
252c‧‧‧另一端壁
253‧‧‧排出配管
255‧‧‧疏水化劑供給配管
257‧‧‧洗淨液供給配管
259‧‧‧排出閥
260‧‧‧共用閥
261‧‧‧第1抽吸裝置
262‧‧‧疏水化劑供給閥
264‧‧‧第2抽吸裝置
265‧‧‧流體供給配管
266‧‧‧流體供給閥
267‧‧‧洗淨液供給閥
301‧‧‧運算單元
302‧‧‧記憶單元
303‧‧‧程式
305‧‧‧操作部
306‧‧‧製程配方
307‧‧‧預配方
308‧‧‧後配方
309‧‧‧流程配方
A1、A2‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧基板收容器
CR、IR‧‧‧搬送機器人
D1‧‧‧流通方向
E1、S1‧‧‧基板W搬入
E2、S2‧‧‧基板W旋轉開始
E3、S3‧‧‧化學液供給步驟
E4、S4‧‧‧沖洗步驟
E5、S5‧‧‧第1有機溶劑供給步驟
E6‧‧‧疏水化劑供給步驟
E7、S7‧‧‧第2有機溶劑供給步驟
E8、S8‧‧‧旋轉乾燥步驟
E9、S9‧‧‧基板W旋轉停止
E10、S10‧‧‧基板W搬出
F‧‧‧前端面
H‧‧‧機械手
HF‧‧‧氫氟酸
IPA‧‧‧異丙醇
LP‧‧‧負載埠
MV‧‧‧混合閥單元
P1‧‧‧連接部洗淨步驟
P2‧‧‧配管洗淨步驟
P3‧‧‧第2抽吸步驟
P4‧‧‧填充步驟
RE1‧‧‧化學液供給配方
RE2‧‧‧有機溶劑供給配方
RE3‧‧‧表面改質劑供給配方
S6‧‧‧表面改質劑供給步驟
SP‧‧‧待機位置
SP1‧‧‧流通空間
T1~T9‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1係於水平方向上觀察該發明之第1實施形態之基板處理裝置之圖。
圖2係上述基板處理裝置所具備之對向構件之縱截面圖。
圖3係上述對向構件之仰視圖。
圖4係表示上述基板處理裝置所具備之第1供給/抽吸單元之構成之圖。
圖5係表示上述基板處理裝置所具備之第2供給/抽吸單元之構成之圖。
圖6係表示上述基板處理裝置所具備之第3供給/抽吸單元之構 成之圖。
圖7係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。
圖8係用以說明藉由上述基板處理裝置執行之基板處理例之流程圖。
圖9係表示使用上述第1供給/抽吸單元之化學液之吐出之圖。
圖10係表示使用上述第1供給/抽吸單元之化學液之吐出停止之圖。
圖11係表示使用上述第1供給/抽吸單元之化學液之第1抽吸之圖。
圖12係表示使用上述第1供給/抽吸單元之化學液之第2抽吸之圖。
圖13係表示使用上述第2供給/抽吸單元之有機溶劑之吐出之圖。
圖14係表示使用上述第2供給/抽吸單元之有機溶劑之吐出停止之圖。
圖15係表示使用上述第2供給/抽吸單元之有機溶劑之第1抽吸之圖。
圖16係表示使用上述第2供給/抽吸單元之有機溶劑之第2抽吸之圖。
圖17係用以詳細地說明上述基板處理例中所包含之各處理液供給步驟之流程圖。
圖18係用以說明本發明之第1變形例之圖。
圖19係用以說明本發明之第2變形例之圖。
圖20係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置之內部之佈局之圖解性俯視圖。
圖21係用以說明圖20所示之處理單元之構成例之圖解性剖面圖。
圖22係圖21所示之中心軸噴嘴之縱截面圖。
圖23係上述中心軸噴嘴之仰視圖。
圖24係用以說明圖21所示之疏水化劑供給單元之構成之圖。
圖25係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電性構成之方塊圖。
圖26係用以說明上述處理單元中執行之基板處理之內容之流程圖。
圖27係表示於上述處理單元中根據預配方執行之預處理之流程之流程圖。
圖28係表示於上述處理單元中根據製程配方執行之基板處理之流程之流程圖。
圖29係表示於上述處理單元中根據製程配方執行之預處理之流程之流程圖。
圖30A係表示向上述基板處理裝置搬入基板之前之處理單元之狀態之圖。
圖30B係用以說明圖27所示之預分配步驟之圖。
圖31係用以說明圖28所示之疏水化劑供給步驟之圖。
圖32係用以說明於上述疏水化劑供給步驟後進行之第1抽吸步驟之圖。
圖33係用以說明圖29所示之連接部洗淨步驟之圖。
圖34係用以說明圖29所示之配管洗淨步驟之圖。
圖35係用以說明圖29所示之第2抽吸步驟之圖。
圖36係用以說明圖29所示之填充步驟之圖。
圖1係於水平方向上觀察本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之圖。基板處理裝置1係逐片處理作為基板W之一例之半導體晶圓的單片型裝置。基板處理裝置1包含處理基板W之處理單元2、及控制基板處理裝置1所具備之裝置或閥之開關之控制裝置3。
處理單元2包含:箱形之腔室4,其具有內部空間;旋轉夾盤(基板保持單元)5,其於腔室4內將一片基板W以水平之姿勢保持並且使基板W繞通過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線旋轉;第1噴嘴配管(處理液配管)9,其具有用以朝向保持於旋轉夾盤5之基板W之上表面(主面)之中央部吐出處理液之第1吐出口(吐出口)8;第2噴嘴配管(處理液配管)11,其具有用以朝向保持於旋轉夾盤5之基板W之上表面之中央部吐出處理液之第2吐出口(吐出口)10;第3噴嘴配管(處理液配管)13,其具有用以朝向保持於旋轉夾盤5之基板W之上表面之中央部吐出處理液之第3吐出口(吐出口)12;第1供給/抽吸單元(處理液供給單元、抽吸單元)14,其用以對第1噴嘴配管9選擇性地供給化學液及沖洗液,且抽吸第1噴嘴配管9內之化學液;第2供給/抽吸單元(處理液供給單元、抽吸單元)15,其用以對第2噴嘴配管11供給液態之有機溶劑,且抽吸第2噴嘴配管11內之有機溶劑;第3供給/抽吸單元(處理液供給單元、抽吸單元)16,其用以對第3噴嘴配管13供給液體之表面改 質劑,且抽吸第3噴嘴配管13內之表面改質劑;及筒狀之承杯17,其包圍旋轉夾盤5。
腔室4包含:箱狀之間隔壁18,其收容旋轉夾盤5或噴嘴;作為送風單元之風機過濾單元(FFU,Fan Filter Unit)19,其自間隔壁18之上部向間隔壁18內輸送淨化空氣(經過濾器過濾之空氣);及排氣管20,其自間隔壁18之下部排出腔室4內之氣體。FFU19配置於間隔壁18之上方,安裝於間隔壁18之頂壁。FFU19自間隔壁18之頂壁向腔室4內朝下輸送淨化空氣。排氣管20連接於承杯17之底部,朝向設置基板處理裝置1之工廠中設置之排氣處理設備導出腔室4內之氣體。因此,藉由FFU19及排氣管20形成於腔室4內向下方流動之降流(下降流)。基板W之處理係於在腔室4內形成有降流之狀態下進行。
作為旋轉夾盤5,採用於水平方向上夾著基板W而將基板W水平地保持之夾持式夾盤。具體而言,旋轉夾盤5包含:旋轉馬達22;下旋轉軸23,其與該旋轉馬達22之驅動軸一體化;及圓板狀之旋轉基底24,其大致水平地安裝於下旋轉軸23之上端。
於旋轉基底24之上表面,於其周緣部配置有數個(3個以上,例如6個)夾持構件25。數個夾持構件25於旋轉基底24之上表面周緣部,在與基板W之外周形狀對應之圓周上隔開適當之間隔而配置。
又,作為旋轉夾盤5,並不限於夾持式者,例如亦可採用藉由真空吸附基板W之背面而將基板W以水平之姿勢保持,進而藉由於該狀態下繞鉛垂之旋轉軸線旋轉而使保持於旋轉夾盤5之基板W旋轉的真空吸附式者(真空吸盤)。
基板處理裝置1進而包含與保持於旋轉夾盤5之基板W之上表面對向之對向構件26。圖2係對向構件26之縱截面圖。圖3係對向構件26之仰視圖。一面參照圖1~圖3,一面說明對向構件26。
對向構件26包含阻斷板27、及設置為可與阻斷板27一體地旋轉之旋轉軸28。阻斷板27係具有與基板W大致相同之直徑或其以上之直徑之圓板狀。阻斷板27於其下表面具有與基板W之上表面全域對向之由圓形之水平平坦面所構成之基板對向面29。於基板對向面29之中央部,形成有將阻斷板27上下貫通之圓筒狀之貫通孔30。貫通孔30係由圓筒狀之內周面區劃出。
旋轉軸28設置為能夠繞通過阻斷板27之中心且鉛垂地延伸之旋轉軸線A2(與基板W之旋轉軸線A1一致之軸線)旋轉。旋轉軸28為圓筒狀。旋轉軸28之內周面形成為以旋轉軸線A2為中心之圓筒面。旋轉軸28之內部空間連通於阻斷板27之貫通孔30。旋轉軸28於阻斷板27之上方能夠相對於水平地延伸之支持臂31旋轉地被支持。於該實施形態中,支持臂31僅可於上下方向上移動,於左右方向(即,沿著基板W之表面之方向)上不移動。換言之,基板對向面29及各吐出口8、10、12僅可於上下方向上移動,於左右方向(即,沿著基板W之表面之方向)上無法移動。
於貫通孔30之內部插通有沿阻斷板27之旋轉軸線A2上下延伸之中心軸噴嘴32。中心軸噴嘴32包含套管、以及於套管之內部上下相通之第1噴嘴配管9、第2噴嘴配管11及第3噴嘴配管13。於該實施形態中,第1~第3噴嘴配管9、11、13分別為內管。套管33於與阻斷板27或旋轉軸28非接觸之狀態下插入至 貫通孔30之內部。
於阻斷板27結合有包含電動馬達等之構成之阻斷板旋轉單元34。阻斷板旋轉單元34使阻斷板27及旋轉軸28相對於支持臂31繞旋轉軸線A2旋轉。
於支持臂31結合有包含電動馬達、滾珠螺桿等之構成之對向構件升降單元35。對向構件升降單元35將對向構件26(阻斷板27及旋轉軸28)及第1~第3噴嘴配管9、11、13與支持臂31一起於鉛垂方向上升降。對向構件升降單元35使阻斷板27及噴嘴配管9、11、13於阻斷板27之基板對向面29接近保持於旋轉夾盤5之基板W之上表面之鄰近位置與設置於鄰近位置之上方之退避位置之間升降。對向構件升降單元35能夠於鄰近位置與退避位置之間之各位置保持阻斷板27。
如圖1所示,承杯17配置於較保持於旋轉夾盤5之基板W靠外側(自旋轉軸線A1離開之方向)。承杯17包圍旋轉基底24之周圍。若於旋轉夾盤5使基板W旋轉之狀態下將處理液供給至基板W,則供給至基板W之處理液會被甩向基板W之周圍。於將處理液供給至基板W時,向上敞開之承杯17之上端部17a配置於較旋轉基底24靠上方。因此,排出至基板W之周圍之處理液(化學液、沖洗液、有機溶劑、表面改質劑等)由承杯17接住。繼而,由承杯17接住之處理液被送至未圖示之回收裝置或排液裝置。
圖4係表示第1供給/抽吸單元14之構成之圖。
第1噴嘴配管9具有第1上下方向部41及第1左右方向部42。第1左右方向部42之前端部連接於第1上下方向部41之基端部(上端部)。於第1上下方向部41之前端部(下端部)形成有 第1吐出口8。
第1供給/抽吸單元14包含:第1共用配管43,其一端側(圖4之左側)連接於第1噴嘴配管9之第1左右方向部42;第1連接部44,其連接有第1共用配管43之另一端側(圖4之右側);第1排液配管45,其一端側(圖4之左側)連接於第1連接部44;化學液配管46,其一端側(圖4之左側)連接於第1連接部44;沖洗液配管47,其一端側(圖4之左側)連接於第1連接部44;第1化學液/沖洗液抽吸配管48,其一端側(圖4之左側)分支連接於第1共用配管43之中途部;及第2化學液/沖洗液抽吸配管49,其一端側(圖4之左側)連接於第1連接部44。
於第1共用配管43中之第1化學液/沖洗液抽吸配管48之分支位置之上游側部分(第1吐出口8側之部分),介裝有用以開關第1共用配管43之第1共用閥50。
於第1排液配管45介裝有用以開關第1排液配管45之第1排液閥51。第1排液配管45之另一端側連接於機器外之排液設備。
於化學液配管46介裝有用以開關化學液配管46之化學液閥52。自化學液供給源對化學液配管46之另一端側供給化學液。化學液之具體例為氫氟酸(HF)。然而,化學液並不限於氫氟酸,亦可為包含硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH:氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑、防腐蝕劑中之至少一種之液體。
於沖洗液配管47介裝有用以開關沖洗液配管47之沖洗液閥53。自沖洗液供給源對沖洗液配管47之另一端側供給沖洗 液。
沖洗液之具體例例如為去離子水(DIW),但並不限於DIW,亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10ppm~100ppm左右)之氨水之任一者。
於第1共用配管43分支連接有第1化學液/沖洗液抽吸配管48。於第1化學液/沖洗液抽吸配管48介裝有用以開關第1化學液/沖洗液抽吸配管48之第1化學液/沖洗液抽吸閥54。於第1化學液/沖洗液抽吸配管48之另一端側(前端)連接有第1化學液/沖洗液抽吸裝置(第1抽吸裝置)55。第1化學液/沖洗液抽吸裝置55為虹吸管式抽吸裝置。
所謂虹吸管式抽吸裝置係指將配管(第1化學液/沖洗液抽吸配管48)內以液體裝滿,利用虹吸管之原理抽吸(排液)第1共用配管43內之液體之裝置。虹吸管式抽吸裝置與以下所述之真空產生器或抽氣器等噴射器式抽吸裝置相比,可抑制用於抽吸之能量消耗。
於第2化學液/沖洗液抽吸配管49介裝有用以開關第2化學液/沖洗液抽吸配管49之第2化學液/沖洗液抽吸閥56。於第2化學液/沖洗液抽吸配管49之另一端側(前端)連接有第2化學液/沖洗液抽吸裝置(第2抽吸裝置)57。第2化學液/沖洗液抽吸裝置57為噴射器式抽吸裝置。噴射器式抽吸裝置與虹吸管式抽吸裝置相比,抽吸力較強(抽吸速度較快),且可抽吸之液流量亦較多。
若於其他閥關閉之狀態下,打開化學液閥52及第1共用閥50,則化學液自化學液配管46供給至第1噴嘴配管9,自第1吐出口8朝向下方吐出化學液。
又,若於其他閥關閉之狀態下,打開化學液閥52及第1排液閥51,則化學液自化學液配管46供給至第1排液配管45。藉此,可將化學液配管46內之化學液排出(廢棄)。
若於其他閥關閉之狀態下,打開沖洗液閥53及第1共用閥50,則沖洗液自沖洗液閥53供給至第1噴嘴配管9,自第1吐出口8朝向下方吐出沖洗液。
又,若於其他閥關閉之狀態下,打開沖洗液閥53及第1排液閥51,則沖洗液自沖洗液閥53供給至第1排液配管45。藉此,可將沖洗液配管47內之沖洗液排出(廢棄)。
第1化學液/沖洗液抽吸裝置55例如設為隨時作動狀態。於第1化學液/沖洗液抽吸裝置55之作動狀態下,若打開第1化學液/沖洗液抽吸閥54,則第1化學液/沖洗液抽吸裝置55之作用有效化,第1化學液/沖洗液抽吸配管48之內部被抽吸,第1化學液/沖洗液抽吸配管48中所含之處理液(化學液或沖洗液)被引入至第2化學液/沖洗液抽吸配管49。第1化學液/沖洗液抽吸裝置55之抽吸力相對較弱,其抽吸速度亦相對較慢。
又,第2化學液/沖洗液抽吸裝置57例如設為隨時作動狀態。於第2化學液/沖洗液抽吸裝置57之作動狀態下,若打開第2化學液/沖洗液抽吸閥56,則第2化學液/沖洗液抽吸裝置57之作用有效化,第2化學液/沖洗液抽吸配管49之內部被抽吸,第2化學液/沖洗液抽吸配管49、第1連接部44、第1共用配管43及第1噴嘴配管9中所含之處理液(化學液或沖洗液)被引入至第2化學液/沖洗液抽吸配管49。第2化學液/沖洗液抽吸裝置57之抽吸力強於第1化學液/沖洗液抽吸裝置55之情況,其抽吸速度亦較第 1化學液/沖洗液抽吸裝置55之情況快。
第1供給/抽吸單元14之中,第1共用配管43、第1連接部44、化學液配管46、化學液閥52、沖洗液配管47及沖洗液閥53構成處理液供給單元。又,第1供給/抽吸單元14之中,第1共用配管43、第1化學液/沖洗液抽吸配管48、第1化學液/沖洗液抽吸裝置55、第1連接部44、第2化學液/沖洗液抽吸配管49及第2化學液/沖洗液抽吸裝置57構成抽吸單元。
圖5係表示第2供給/抽吸單元15之構成之圖。
第2噴嘴配管11具有第2上下方向部61及第2左右方向部62。第2左右方向部62之前端部連接於第2上下方向部61之基端部(上端部)。於第2上下方向部61之前端部(下端部)形成有第2吐出口10。
第2供給/抽吸單元15包含:第2共用配管63,其一端側(圖5之左側)連接於第2噴嘴配管11之第2左右方向部62;第2連接部64,其連接有第2共用配管63之另一端側(圖5之右側);第2排液配管65,其一端側(圖5之左側)連接於第2連接部64;有機溶劑配管66,其一端側(圖5之左側)連接於第2連接部64;及有機溶劑抽吸配管69,其一端側(圖5之左側)連接於第2連接部64。
於第2共用配管63介裝有用以開關第2共用配管63之第2共用閥70。
於第2排液配管65介裝有用以開關第2排液配管65之第2排液閥71。第2排液配管65之另一端側連接於機器外之排液設備。
於有機溶劑配管66介裝有用以開關有機溶劑配管66之有機溶劑閥72。自有機溶劑供給源對有機溶劑配管66之另一端側供給有機溶劑。有機溶劑之一例為IPA(isopropyl alcohol,異丙醇)。
於第2共用配管63,在較第2共用閥70之介裝位置靠下游側部分介裝有第1有機溶劑抽吸裝置(第1抽吸裝置)75。第1有機溶劑抽吸裝置75為隔膜式抽吸裝置。隔膜式抽吸裝置係如下之抽吸裝置,其包含介裝於第2共用配管63之中途部之筒狀之頭、及收容於頭內之隔膜,且藉由隔膜之驅動而使形成於頭內之流路之容積變化(參照日本專利特開2016-111306號公報等)。
於有機溶劑抽吸配管69介裝有用以開關有機溶劑抽吸配管69之有機溶劑抽吸閥76。於有機溶劑抽吸配管69之另一端側(前端)連接有第2有機溶劑抽吸裝置(第2抽吸裝置)77。第2有機溶劑抽吸裝置77係與第2化學液/沖洗液抽吸裝置57相同之噴射器式抽吸裝置。噴射器式抽吸裝置與隔膜式抽吸裝置相比,抽吸力較強(抽吸速度較快),且可抽吸之液流量亦較多。
若於其他閥關閉之狀態下,打開有機溶劑閥72及第2共用閥70,則有機溶劑自有機溶劑配管66供給至第2噴嘴配管11,自第2吐出口10朝向下方吐出有機溶劑。
又,若於其他閥關閉之狀態下,打開有機溶劑閥72及第2排液閥71,則有機溶劑自有機溶劑配管66供給至第2排液配管65。藉此,可將有機溶劑配管66內之有機溶劑排出(廢棄)。
第1有機溶劑抽吸裝置75藉由控制裝置3而作動(第1有機溶劑抽吸裝置75之作用有效化)。於該作動狀態下,第2共 用配管63中所含之有機溶劑被引入至第1有機溶劑抽吸裝置75。第1有機溶劑抽吸裝置75之抽吸力相對較弱,其抽吸速度亦相對較慢。
又,第2有機溶劑抽吸裝置77例如設為隨時作動狀態。於第2有機溶劑抽吸裝置77之作動狀態下,若打開有機溶劑抽吸閥76,則第2有機溶劑抽吸裝置77之作用有效化,有機溶劑抽吸配管69之內部被抽吸,有機溶劑抽吸配管69、第2連接部64、第2共用配管63及第2噴嘴配管11中所含之有機溶劑被引入至有機溶劑抽吸配管69。第2有機溶劑抽吸裝置77之抽吸力強於第1有機溶劑抽吸裝置75之情況,其抽吸速度亦較第1有機溶劑抽吸裝置75之情況快。
第2供給/抽吸單元15之中,第2共用配管63、第2連接部64、有機溶劑配管66及有機溶劑閥72構成處理液供給單元。又,第2供給/抽吸單元15之中,第2共用配管63、第1有機溶劑抽吸裝置75、第2連接部64、有機溶劑抽吸配管69及第2有機溶劑抽吸裝置77構成抽吸單元。
圖6係表示第3供給/抽吸單元16之構成之圖。
第3噴嘴配管13具有第3上下方向部81及第3左右方向部82。第3左右方向部82之前端部連接於第3上下方向部81之基端部(上端部)。於第3上下方向部81之前端部(下端部)形成有第3吐出口12。
第3供給/抽吸單元16包含:第3共用配管83,其一端側(圖6之左側)連接於第3噴嘴配管13之第3左右方向部82;第3連接部84,其連接有第3共用配管83之另一端側(圖6之右 側);第3排液配管85,其一端側(圖6之左側)連接於第3連接部84;第1表面改質劑配管86,其一端側(圖6之左側)連接於第3連接部84;第2表面改質劑配管87,其一端側(圖6之左側)連接於第3連接部84;及表面改質劑抽吸配管89,其一端側(圖6之左側)連接於第3連接部84。表面改質劑之一例為疏水化劑。疏水化劑可為矽系疏水化劑,亦可為金屬系疏水化劑。
矽系疏水化劑係使矽(Si)本身及含有矽之化合物疏水化之疏水化劑。矽系疏水化劑例如為矽烷偶合劑。矽烷偶合劑例如包含HMDS(六甲基二矽氮烷)、TMS(四甲基矽烷)、氟化烷氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系疏水化劑之至少一種。非氯系疏水化劑例如包含二甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲基胺基)二甲基矽烷、N,N-二甲基胺基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲胺及有機矽烷化合物之至少一種。
金屬系疏水化劑係例如具有較高之配位性,主要藉由配位鍵使金屬疏水化之溶劑。該疏水化劑例如包含具有疏水基之胺、及有機矽化合物之至少一種。
於第3共用配管83介裝有用以開關第3共用配管83之第3共用閥90。
於第3排液配管85介裝有用以開關第3排液配管85之第3排液閥91。第3排液配管85之另一端側連接於機器外之排液設備。
於第1表面改質劑配管86介裝有用以開關第1表面改質劑配管86之第1表面改質劑閥92。自第1表面改質劑原液供 給源對第1表面改質劑配管86之另一端側供給第1表面改質劑原液。
於第2表面改質劑配管87介裝有用以開關第2表面改質劑配管87之第2表面改質劑閥93。自第2表面改質劑原液供給源對第2表面改質劑配管87之另一端側供給第2表面改質劑原液。
於第3共用配管83,於較第3共用閥90之介裝位置靠下游側部分介裝有第1表面改質劑抽吸裝置(第1抽吸裝置)95。第1表面改質劑抽吸裝置95係與第1有機溶劑抽吸裝置75相同之隔膜式抽吸裝置。
於表面改質劑抽吸配管89介裝有用以開關表面改質劑抽吸配管89之表面改質劑抽吸閥96。於表面改質劑抽吸配管89之另一端側(前端)連接有第2表面改質劑抽吸裝置(第2抽吸裝置)97。第2表面改質劑抽吸裝置97係與第2化學液/沖洗液抽吸裝置57相同之噴射器式抽吸裝置。
若於其他閥關閉之狀態下,打開第1表面改質劑閥92、第2表面改質劑閥92及第3共用閥90,則來自第1表面改質劑配管86之第1表面改質劑原液及來自第2表面改質劑配管87之第2表面改質劑原液流入至第3連接部84,於第3連接部84內混合而生成表面改質劑。該表面改質劑被供給至第3噴嘴配管13,自第3吐出口12朝向下方吐出表面改質劑。
又,若於其他閥關閉之狀態下,打開第1表面改質劑閥92及第3排液閥91,則第1表面改質劑原液自第1表面改質劑配管86供給至第3排液配管85。藉此,可將第1表面改質劑配管 86內之第1表面改質劑原液排出(廢棄)。
又,若於其他閥關閉之狀態下,打開第2表面改質劑閥93及第3排液閥91,則第2表面改質劑原液自第2表面改質劑配管87供給至第3排液配管85。藉此,可將第2表面改質劑配管87內之第2表面改質劑原液排出(廢棄)。
第1表面改質劑抽吸裝置95藉由控制裝置3而作動(第1表面改質劑抽吸裝置95之作用有效化)。於該作動狀態下,第3共用配管83中所含之表面改質劑被引入至第1表面改質劑抽吸裝置95。第1表面改質劑抽吸裝置95之抽吸力相對較弱,其抽吸速度亦相對較慢。
又,第2表面改質劑抽吸裝置97例如設為隨時作動狀態。於第2表面改質劑抽吸裝置97之作動狀態下,若打開表面改質劑抽吸閥96,則第2表面改質劑抽吸裝置97之作用有效化,表面改質劑抽吸配管89之內部被抽吸,表面改質劑抽吸配管89、第3連接部84、第3共用配管83及第3噴嘴配管13中所含之表面改質劑被引入至表面改質劑抽吸配管89。第2表面改質劑抽吸裝置97之抽吸力強於第1表面改質劑抽吸裝置95之情況,其抽吸速度亦較第1表面改質劑抽吸裝置95之情況快。
第3供給/抽吸單元16之中,第3共用配管83、第3連接部84、第1表面改質劑配管86、第1表面改質劑閥92及第2表面改質劑閥93構成處理液供給單元。又,第3供給/抽吸單元16之中,第3共用配管83、第1表面改質劑抽吸裝置95、第3連接部84、表面改質劑抽吸配管89及第2表面改質劑抽吸裝置97構成抽吸單元。
圖7係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電性構成之方塊圖。
控制裝置3係使用例如微電腦而構成。於控制裝置3連接有由基板處理裝置1之使用者等操作之操作鍵101。控制裝置3具有CPU等運算單元、固體記憶體元件、硬碟驅動器等記憶單元、及輸入輸出單元(未圖示)。於記憶單元中記憶有運算單元執行之程式。
記憶單元包含記憶配方之配方記憶部102,該配方記憶對基板W之各處理之內容。配方記憶部102包括可電性地覆寫資料之非揮發性記憶體。藉由操作鍵101之操作,使用者輸入各處理步驟中之基板W之轉數等執行內容,藉此可製作配方。藉由操作鍵101之操作而製作之配方記憶(保存)於配方記憶部102。
記憶(保存)於配方記憶部102(參照圖7)之配方包含用於執行化學液供給步驟(圖8之S3)之化學液供給配方RE1、用於執行有機溶劑供給步驟(圖8之S5、S7)之有機溶劑供給配方RE2、及用於執行表面改質劑供給步驟(圖8之S6)之表面改質劑供給配方RE3。
於化學液供給配方RE1中規定化學液供給步驟(圖8之S3)中之處理條件。具體而言,規定化學液供給步驟(圖8之S3)中之基板W之旋轉速度、處理期間等處理條件。又,於化學液供給配方RE1中指定,於吐出化學液後,進行使用第1化學液/沖洗液抽吸裝置55(參照圖4)之抽吸動作。基於此種化學液供給配方RE1,執行化學液供給步驟(圖8之S3)。
於有機溶劑供給配方RE2中規定第1有機溶劑供給 步驟(圖8之S5)中之處理條件、及第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)中之處理條件。具體而言,規定第1有機溶劑供給步驟(圖8之S5)及第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)中之基板W之旋轉速度、處理期間等處理條件。又,於有機溶劑供給配方RE2中指定,於吐出有機溶劑後,進行使用第1有機溶劑抽吸裝置75(參照圖5)之抽吸動作。基於此種有機溶劑供給配方RE2,執行第1有機溶劑供給步驟(圖8之S5)及第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)。
於表面改質劑供給配方RE3中規定表面改質劑供給步驟(圖8之S6)中之處理條件。具體而言,規定表面改質劑供給步驟(圖8之S6)中之基板W之旋轉速度、處理期間等處理條件。又,於表面改質劑供給配方RE3中指定,於吐出表面改質劑後,進行使用第1表面改質劑抽吸裝置95(參照圖6)之抽吸動作。基於此種表面改質劑供給配方RE3,執行表面改質劑供給步驟(圖8之S6)。
又,記憶單元包含用於設定化學液供給步驟(圖8之S3)中之抽吸之態樣之第1抽吸旗標103A、用於設定第1有機溶劑供給步驟(圖8之S5)及第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)中之抽吸之態樣之第2抽吸旗標103B、及用於設定表面改質劑供給步驟(圖8之S6)中之抽吸之態樣之第3抽吸旗標103C。
於各抽吸旗標103A、103B、103C中選擇儲存預先規定之值(5A[H]或00[H])。於抽吸旗標103A、103B、103C中儲存有00[H]作為初始值。於自前次化學液供給步驟(圖8之S3)結束經過既定期間之情況下,於第1抽吸旗標103A中儲存5A[H]。於自前次第1有機溶劑供給步驟(圖8之S5)結束或前次第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)結束經過既定期間之情況下,於第2抽吸旗標103B 中儲存5A[H]。於自前次表面改質劑供給步驟(圖8之S6)結束經過既定期間之情況下,於第3抽吸旗標103C中儲存5A[H]。於抽吸旗標103A、103B、103C中儲存有5A[H]之情況下,該抽吸旗標成為打開狀態。另一方面,於抽吸旗標103A、103B、103C中儲存有00[H]之情況下,該抽吸旗標成為關閉狀態。
又,控制裝置3內置有計時器。計時器包含:第1經過期間計時器104A,其用以對自前次化學液供給步驟(圖8之S3)結束後(即,前次之化學液自第1吐出口8之吐出結束後)起之經過期間進行計時(計測);第2經過期間計時器104B,其用以對自前次第1有機溶劑供給步驟(圖8之S5)結束後、或前次第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)結束後(即,前次之有機溶劑自第2吐出口10之吐出結束後)起之經過期間進行計時(計測);及第3經過期間計時器104C,其用以對自前次表面改質劑供給步驟(圖8之S6)結束後(即,前次之表面改質劑自第3吐出口12之吐出結束後)起之經過期間進行計時(計測)。
進而,控制裝置3控制旋轉馬達22、對向構件升降單元35、阻斷板旋轉單元34、第1化學液/沖洗液抽吸裝置55、第2化學液/沖洗液抽吸裝置57、第1有機溶劑抽吸裝置75、第2有機溶劑抽吸裝置77、第1表面改質劑抽吸裝置95、第2表面改質劑抽吸裝置97等之動作。又,控制裝置3將第1共用閥50、第1排液閥51、化學液閥52、沖洗液閥53、第1化學液/沖洗液抽吸閥54、第2化學液/沖洗液抽吸閥56、第2共用閥70、第2排液閥71、有機溶劑閥72、有機溶劑抽吸閥76、第3共用閥90、第3排液閥91、第1表面改質劑閥92、第2表面改質劑閥93、表面改質劑抽 吸閥96等進行開關。
基板W於保持在基板搬送機器人(未圖示)之機械手(未圖示)之狀態下搬入至處理單元2內。若基板W被搬入至處理單元2內,則控制裝置3之運算單元自配方記憶部102讀出與該基板W對應之配方。於該配方中設定有用以依序執行如下所述之各步驟之控制參數。而且,控制裝置3控制處理單元2,執行所讀出之配方所規定之一系列處理。
圖8係用以說明利用處理單元2之基板處理例之流程圖。圖9~圖12係表示化學液供給步驟(圖8之S3)中之化學液之吐出動作及抽吸動作之圖。圖13~圖16係表示第1有機溶劑供給步驟(圖8之S5)或第2有機溶劑供給步驟(圖8之S7)中之有機溶劑之吐出動作及抽吸動作之圖。以下,一面參照圖1~圖8,一面對基板處理例進行說明。對於圖9~圖16則適當參照。基板處理例可為蝕刻處理,亦可為洗淨處理。關於基板處理例之執行,隨時參照自配方記憶部102讀出之配方。
於執行基板處理例時,未處理之基板W被搬入至腔室4之內部(圖8之步驟S1)。
具體而言,藉由使保持基板W之基板搬送機器人之機械手進入腔室4之內部,而將基板W以其表面(化學液處理對象面)朝向上方之狀態交給旋轉夾盤5。其後,將基板W保持於旋轉夾盤5。
其後,控制裝置3藉由旋轉馬達22而使基板W之旋轉開始(圖8之步驟S2)。基板W被迫上升至預先規定之液體處理速度(於約10~1200rpm之範圍內,例如約1000rpm),並維持於該 液體處理速度。
繼而,控制裝置3進行對基板W之上表面供給化學液之化學液供給步驟(圖8之步驟S3)。控制裝置3一面關閉其他閥,一面打開化學液閥52及第1共用閥50。藉此,如圖9所示,自形成於阻斷板27之基板對向面29之第1吐出口8朝向基板W之上表面中央部吐出化學液。供給至基板W之上表面之化學液受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,使用化學液處理基板W之上表面全域。
若自化學液吐出開始經過預先規定之期間,則控制裝置3關閉化學液閥52。藉此,如圖10所示,化學液自第1吐出口8之吐出停止。此時,於第1噴嘴配管9內、第1共用配管43內及第1連接部44內殘留有化學液。
其後,控制裝置3僅使第1化學液/沖洗液抽吸裝置55及第2化學液/沖洗液抽吸裝置57中之一者之作用有效化,而抽吸第1噴嘴配管9內之化學液。使第1化學液/沖洗液抽吸裝置55及第2化學液/沖洗液抽吸裝置57中之何者之作用有效化係參照與第1供給/抽吸單元14對應之第1抽吸旗標103A之值而決定。
於抽吸旗標103為關閉狀態之情況下,控制裝置3關閉第1共用閥50,且打開第1化學液/沖洗液抽吸閥54,使第1化學液/沖洗液抽吸裝置55之作用有效化。藉此,第1共用配管43之較第1化學液/沖洗液抽吸配管48之分支部分靠上游側部分之內部被抽吸,如圖11所示,殘留於該上游側部分之內部之化學液藉由相對較弱之抽吸力被引入至第1化學液/沖洗液抽吸配管48。化學液之抽吸進行至化學液之前端面後退到設定於第1左右方向部 42內之既定之待機位置為止。若化學液之前端面後退至待機位置,則控制裝置3關閉第1化學液/沖洗液抽吸閥54及第1共用閥50。
另一方面,於抽吸旗標103為打開狀態之情況下,控制裝置3於關閉第1共用閥50之狀態下打開第2化學液/沖洗液抽吸閥56而使第2化學液/沖洗液抽吸裝置57之作用有效化。藉此,第1連接部44之內部被抽吸,如圖12所示,殘留於第1噴嘴配管9及第1共用配管43之內部之化學液通過第1連接部44並藉由相對較強之抽吸力被引入至第2化學液/沖洗液抽吸配管49。若自第1噴嘴配管9內、第1共用配管43內、第1連接部44內及第2化學液/沖洗液抽吸配管49內將化學液全部排出,則控制裝置3關閉第2化學液/沖洗液抽吸閥56及第1共用閥50。
藉由第1共用閥50之閉合,化學液供給步驟S3結束。
繼而,控制裝置3進行對基板W之上表面供給沖洗液之沖洗步驟(圖8之步驟S4)。控制裝置3一面關閉其他閥,一面打開沖洗液閥53及第1共用閥50。藉此,自形成於阻斷板27之基板對向面29之第1吐出口8朝向基板W之上表面中央部吐出沖洗液。供給至基板W之上表面之沖洗液受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之化學液被替換為沖洗液。
若自沖洗液吐出開始經過預先規定之期間,則於基板W之上表面全域被沖洗液覆蓋之狀態下,控制裝置3控制旋轉馬達22,使基板W之旋轉速度自液體處理速度階段性地減速至覆液速度(零或約40rpm以下之低旋轉速度,於第1基板處理例中例如為約10rpm)。其後,將基板W之旋轉速度維持為覆液速度。藉此, 覆蓋基板W之上表面全域之沖洗液之液膜以覆液狀支持於基板W之上表面。於該狀態下,作用於基板W之上表面之沖洗液之液膜的離心力小於作用於沖洗液與基板W之上表面之間之表面張力,或者上述之離心力與上述之表面張力大致拮抗。藉由基板W之減速,作用於基板W上之沖洗液之離心力減弱,自基板W上排出之沖洗液之量減少。
若自將基板W減速至覆液速度起經過預先規定之期間,則控制裝置3關閉沖洗液閥53及第1共用閥50。藉此,沖洗液自第1吐出口8之吐出停止。此時,於第1噴嘴配管9內、第1共用配管43內及第1連接部44內殘留有沖洗液。
其後,控制裝置3於關閉第1共用閥50之狀態下,僅使第1化學液/沖洗液抽吸裝置55之作用有效化,抽吸第1噴嘴配管9內之沖洗液。藉此,第1共用配管43之較第1化學液/沖洗液抽吸配管48之分支部分靠上游側部分之內部被抽吸,殘留於該上游側部分之內部之沖洗液藉由相對較弱之抽吸力被引入至第1化學液/沖洗液抽吸配管48。沖洗液之抽吸進行至沖洗液之前端面後退到設定於第1左右方向部42內之既定之待機位置為止。若沖洗液之前端面後退至待機位置,則控制裝置3關閉第1化學液/沖洗液抽吸閥54。藉此,沖洗步驟S4結束。
繼而,控制裝置3進行將存在於基板W之上表面之沖洗液替換為有機溶劑(例如IPA)之第1有機溶劑供給步驟(圖8之步驟S5)。具體而言,控制裝置3控制對向構件升降單元35,將阻斷板27配置於鄰近位置與退避位置之間之處理位置。
又,控制裝置3一面將基板W之旋轉維持為覆液速 度,一面關閉其他閥並且打開有機溶劑閥72及第2共用閥70。藉此,如圖13所示,自形成於阻斷板27之基板對向面29之第2吐出口10朝向基板W之上表面中央部吐出有機溶劑。供給至基板W之上表面之有機溶劑受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之沖洗液由有機溶劑替換。
若自有機溶劑之吐出開始經過預先規定之期間,則控制裝置3關閉有機溶劑閥72及第2共用閥70。藉此,如圖14所示,自第2吐出口10之有機溶劑之吐出停止。此時,於第2噴嘴配管11內、第2共用配管63內及第2連接部64內殘留有有機溶劑。
其後,控制裝置3於關閉第2共用閥70之狀態下,僅使第1有機溶劑抽吸裝置75及第2有機溶劑抽吸裝置77之一者之作用有效化,抽吸第2噴嘴配管11內之有機溶劑。使第1有機溶劑抽吸裝置75及第2有機溶劑抽吸裝置77中之何者之作用有效化係參照與第2供給/抽吸單元15對應之第2抽吸旗標103B之值而決定。
於第2抽吸旗標103B為關閉狀態之情況下,控制裝置3使第1有機溶劑抽吸裝置75作動而使第1有機溶劑抽吸裝置75之作用有效化。藉此,第2共用配管63之較第1有機溶劑抽吸裝置75之介裝部分靠下游側部分(第2吐出口10側之部分)之內部被抽吸,如圖15所示,殘留於該下游側部分之內部之有機溶劑藉由相對較弱之抽吸力被引入至第1有機溶劑抽吸裝置75之內部(藉由隔膜之驅動而擴展之區域)。有機溶劑之抽吸進行至有機溶劑之前端面後退到設定於第2左右方向部62內之既定之待機位置為 止。此時之有機溶劑之抽吸量為約0.1~1毫升。若有機溶劑之前端面後退至待機位置,則控制裝置3關閉第2共用閥70。
另一方面,於第2抽吸旗標103B為打開狀態之情況下,控制裝置3打開有機溶劑抽吸閥76而使第2有機溶劑抽吸裝置77之作用有效化。藉此,第2連接部64之內部被抽吸,如圖16所示,殘留於第2噴嘴配管11及第2共用配管63之內部之有機溶劑通過第2連接部64並藉由相對較強之抽吸力被引入至有機溶劑抽吸配管69。若自第2噴嘴配管11內、第2共用配管63內、第2連接部64內及有機溶劑抽吸配管69內將有機溶劑全部排出,則控制裝置3關閉有機溶劑抽吸閥76及第2共用閥70。
藉由第2共用閥70之閉合,第1有機溶劑供給步驟S5結束。
繼而,控制裝置3進行將存在於基板W之上表面之沖洗液替換為液體之表面改質劑之表面改質劑供給步驟(圖8之步驟S6)。具體而言,控制裝置3一面將阻斷板27維持於處理位置,一面關閉其他閥並且打開第1表面改質劑閥92、第2表面改質劑閥93及第3共用閥90。藉此,自形成於阻斷板27之基板對向面29之第3吐出口12朝向基板W之上表面中央部吐出表面改質劑。供給至基板W之上表面之表面改質劑受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之有機溶劑由表面改質劑替換。
若自表面改質劑之吐出開始經過預先規定之期間,則控制裝置3關閉第1表面改質劑閥92、第2表面改質劑閥93及第3共用閥90。藉此,表面改質劑自第3吐出口12之吐出停止。此 時,於第3噴嘴配管13內、第3共用配管83內及第3連接部84內殘留有表面改質劑。
其後,控制裝置3於關閉第3共用閥90之狀態下,僅使第1表面改質劑抽吸裝置95及第2表面改質劑抽吸裝置97之一者之作用有效化,抽吸第3噴嘴配管13內之表面改質劑。使第1表面改質劑抽吸裝置95及第2表面改質劑抽吸裝置97中之何者之作用有效化係參照與第3供給/抽吸單元16對應之第3抽吸旗標103C之值而決定。
於第3抽吸旗標103C為關閉狀態之情況下,控制裝置3使第1表面改質劑抽吸裝置95作動而使第1表面改質劑抽吸裝置95之作用有效化。藉此,第3共用配管83之較第1表面改質劑抽吸裝置95之介裝部分靠下游側部分(第3吐出口12側之部分)之內部被抽吸,殘留於該上游側部分之內部之表面改質劑藉由相對較弱之抽吸力被引入至第1表面改質劑抽吸裝置95之內部(藉由隔膜之驅動而擴展之區域)。表面改質劑之抽吸進行至表面改質劑之前端面後退到設定於第2左右方向部62內之既定之待機位置為止。此時之表面改質劑之抽吸量為約0.1~1毫升。若表面改質劑之前端面後退至待機位置,則控制裝置3關閉第3共用閥90。
另一方面,於第3抽吸旗標103C為打開狀態之情況下,控制裝置3打開表面改質劑抽吸閥96而使第2表面改質劑抽吸裝置97之作用有效化。藉此,第3連接部84之內部被抽吸,殘留於第3噴嘴配管13及第3共用配管83之內部之表面改質劑通過第3連接部84並藉由相對較強之抽吸力被引入至表面改質劑抽吸配管89。若自第3噴嘴配管13內、第3共用配管83內、第3連接 部84內及表面改質劑抽吸配管89內將表面改質劑全部排出,則控制裝置3關閉表面改質劑抽吸閥96及第3共用閥90。
藉由第3共用閥90之閉合,表面改質劑供給步驟S6結束。
繼而,控制裝置3進行將存在於基板W之上表面之沖洗液替換為有機溶劑(例如IPA)之第2有機溶劑供給步驟(圖8之步驟S7)。具體而言,控制裝置3一面將阻斷板27維持於處理位置,且將基板W之旋轉維持為旋轉乾燥速度,一面關閉其他閥並且打開有機溶劑閥72及第2共用閥70。藉此,如圖13所示,自第2吐出口10朝向基板W之上表面中央部吐出有機溶劑。供給至基板W之上表面之有機溶劑受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之表面改質劑由有機溶劑替換。
若自有機溶劑之吐出開始經過預先規定之期間,則控制裝置3關閉有機溶劑閥72及第2共用閥70。藉此,如圖14所示,有機溶劑自第2吐出口10之吐出停止。此時,於第2噴嘴配管11內、第2共用配管63內及第2連接部64內殘留有有機溶劑。
其後,控制裝置3於關閉第2共用閥70之狀態下,僅使第1有機溶劑抽吸裝置75及第2有機溶劑抽吸裝置77之作用之一者有效化,而抽吸第2噴嘴配管11內之有機溶劑。使第1有機溶劑抽吸裝置75及第2有機溶劑抽吸裝置77之作用之何者有效化係參照與第2供給/抽吸單元15對應之第2抽吸旗標103B之值而決定。
於第2抽吸旗標103B為關閉狀態之情況下,控制裝 置3使第1有機溶劑抽吸裝置75作動而使第1有機溶劑抽吸裝置75之作用有效化。藉此,第2共用配管63之較第1有機溶劑抽吸裝置75之介裝部分靠上游側部分之內部被抽吸,如圖15所示,殘留於該上游側部分之內部之有機溶劑藉由相對較弱之抽吸力被引入至第1有機溶劑抽吸裝置75內部(藉由隔膜之驅動而擴展之區域)。有機溶劑之抽吸進行至有機溶劑之前端面後退到設定於第2左右方向部62內之既定之待機位置為止。此時之有機溶劑之抽吸量為約0.1~1毫升。若有機溶劑之前端面後退至待機位置,則控制裝置3關閉第2共用閥70。
另一方面,於第2抽吸旗標103B為打開狀態之情況下,控制裝置3打開有機溶劑抽吸閥76而使第2有機溶劑抽吸裝置77之作用有效化。藉此,第2連接部64之內部被抽吸,如圖16所示,殘留於第2噴嘴配管11及第2共用配管63之內部之有機溶劑通過第2連接部64並藉由相對較強之抽吸力被引入至有機溶劑抽吸配管69。若自第2噴嘴配管11內、第2共用配管63內、第2連接部64內及有機溶劑抽吸配管69內將有機溶劑全部排出,則控制裝置3關閉有機溶劑抽吸閥76及第2共用閥70。
藉由第2共用閥70之閉合,第2有機溶劑供給步驟S7結束。
繼而,進行使基板W乾燥之旋轉乾燥步驟(圖8之步驟S8)。具體而言,控制裝置3控制對向構件升降單元35,將阻斷板27配置於鄰近位置。當阻斷板27位於處理位置時,阻斷板27將基板W之上表面與其周圍之空間阻斷。又,控制裝置3藉由控制旋轉馬達22,使基板W加速至大於化學液供給步驟S3~第2有 機溶劑供給步驟S7之各步驟中之旋轉速度的乾燥旋轉速度(例如數千rpm),以該乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此,對基板W上之液體施加較大之離心力,附著於基板W之液體被甩向基板W之周圍。如此,液體自基板W被去除,而使基板W乾燥。
若自基板W之加速起經過預先規定之期間,則控制裝置3藉由控制旋轉馬達22而使利用旋轉夾盤5之基板W之旋轉停止(圖8之步驟S9)。其後,控制裝置3控制對向構件升降單元35,使阻斷板27上升而配置於退避位置。
其次,自腔室4內搬出基板W(圖8之步驟S10)。具體而言,控制裝置3使基板搬送機器人(未圖示)之機械手(未圖示)進入腔室4之內部。繼而,控制裝置3使基板搬送機器人之機械手保持旋轉夾盤5上之基板W。其後,控制裝置3使基板搬送機器人之機械手自腔室4內退避。藉此,自腔室4搬出洗淨後之基板W。
圖17係用以詳細地說明各處理液供給步驟(圖8之步驟S3、S5~S7)中之處理液之吐出動作及抽吸動作的流程圖。
於各處理液供給步驟(圖8之S3、S5~S7)中,若到達預先規定之處理液吐出開始時刻(步驟T1中是(YES)),則控制裝置3一面關閉其他閥,一面打開應當用於該處理之處理液閥(化學液閥52、有機溶劑閥72或表面改質劑閥92、93)(步驟T2),且打開與該處理液閥對應之共用閥(第1共用閥50、第2共用閥70或第3共用閥90)。藉此,自吐出口(第1吐出口8、第2吐出口10或第3吐出口12)吐出處理液(化學液、有機溶劑或表面改質劑)。
若自處理液之吐出開始經過由供給配方RE1、RE2、RE3指示之處理液吐出期間(步驟T3中YES),則控制裝置3關閉 應當用於處理之處理液閥(步驟T4)。藉此,處理液自吐出口之吐出停止。
又,若自處理液之吐出開始經過處理液吐出期間(步驟T3中YES),則利用經過期間計時器(第1經過期間計時器104A、第2經過期間計時器104B或第3經過期間計時器104C)之計時開始(經過時間計測步驟之開始,步驟T5)。其後,到達預先規定之處理液吐出開始時刻。
於處理液供給步驟(圖8之S3、S5~S7)中,若到達預先規定之抽吸時刻(步驟T6中YES),則控制裝置3參照對應之抽吸旗標(第1抽吸旗標103A、第2抽吸旗標103B或第3抽吸旗標103C)之值。於對應之抽吸旗標之值為00[H](抽吸旗標關閉)之情況下,控制裝置3之運算單元使對應之第1抽吸裝置(第1化學液/沖洗液抽吸裝置55、第1有機溶劑抽吸裝置75或第1表面改質劑抽吸裝置95)之作用有效化而進行處理液之抽吸動作。另一方面,於對應之抽吸旗標之值為5A[H](抽吸旗標打開)之情況下,控制裝置3之運算單元使對應之第2抽吸裝置(第2化學液/沖洗液抽吸裝置57、第2有機溶劑抽吸裝置77或第2表面改質劑抽吸裝置97)有效化而進行處理液之抽吸動作。
藉由以上,根據該實施形態,於各處理液供給步驟(圖8之S3、S5~S7)結束時執行之抽吸中,於自處理液之吐出停止之結束起之經過期間未滿基準期間之情況下,以相對較弱之抽吸力抽吸,另一方面,於經過期間為基準期間以上之情況下,以相對較強之抽吸力抽吸。
於自處理液之吐出停止未經過那麼多期間之情況 下,殘留於噴嘴配管9、11、13內之處理液(化學液、有機溶劑、表面改質劑等)於下次處理液供給步驟中亦繼續使用。於該情況下,以處理液之前端面後退至既定位置之方式抽吸處理液。因此,於自處理液之吐出停止之結束起之經過期間未滿基準期間之情況下,藉由相對較弱之抽吸力進行抽吸。藉此,可使處理液之前端面準確地後退至既定位置,其結果為,可消除處理液滴落之虞。
另一方面,於自處理液之吐出停止經過較長期間之情況下,有殘留於噴嘴配管9、11、13或共用配管43、63、83內之處理液(化學液、有機溶劑、表面改質劑等)發生經時變化(溫度變化或成分變化)之情況。此種處理液不宜直接用於處理,必須於執行下次之處理液抽吸供給步驟之前排出至機器外(進行所謂之預配液)。於自處理液之吐出停止起之經過期間為基準期間以上之情況下,藉由較強之抽吸力進行抽吸。藉此,可將經時變化之處理液自噴嘴配管9、11、13或共用配管43、63、83內排出。
藉由以上,可將殘留於噴嘴配管9、11、13或共用配管43、63、83內之處理液以適於該處理液之狀態之態樣抽吸。
例如作為設置於第1供給/抽吸單元14之第1抽吸裝置,如圖18所示,亦可設置包括與第2化學液/沖洗液抽吸裝置57相同之噴射器式抽吸裝置之第1化學液/沖洗液抽吸裝置112。具體而言,第1供給/抽吸單元14具備:第1化學液/沖洗液抽吸配管111,其一端側(圖18之左側)連接於第1連接部44;第1化學液/沖洗液抽吸裝置112,其連接於第1化學液/沖洗液抽吸配管111之另一端側(前端);及抽吸閥113,其用以開關第1化學液/沖洗液抽吸配管111。於如此採用噴射器式抽吸裝置作為第1抽吸裝置之情 況下,藉由使空氣壓力或壓力損耗不同,而以第1化學液/沖洗液抽吸裝置112之抽吸力(抽吸速度)較第2化學液/沖洗液抽吸裝置57變弱之方式(變慢之方式)設定。
又,於第2供給/抽吸單元15或第3供給/抽吸單元16中,亦可與圖18所示之變形例同樣地設置噴射器式第1化學液/沖洗液抽吸裝置112。
又,於第1供給/抽吸單元14中亦可為僅設置1個抽吸裝置之構成。如圖19所示,第1供給/抽吸單元14亦可包含:抽吸配管121,其一端側(圖19之左側)連接於第1連接部44;化學液/沖洗液抽吸裝置(抽吸裝置)122,其連接於抽吸配管121之另一端側(前端);流量調整閥(抽吸力調整單元)123,其介裝於抽吸配管121,用以調整抽吸配管121之開度而調整抽吸力(抽吸速度);及抽吸閥124,其用以開關抽吸配管121。化學液/沖洗液抽吸裝置(抽吸裝置)122例如為與第2化學液/沖洗液抽吸裝置57相同之噴射器式抽吸裝置。流量調整閥123包含:閥本體,其於內部設置有閥座;閥體,其開關閥座;及致動器,其使閥體於打開位置與關閉位置之間移動。關於其他流量調整閥亦相同。流量調整閥123亦可不介裝於抽吸配管121,而介裝於第1共用配管43。
圖20係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置201之內部佈局的圖解性俯視圖。基板處理裝置201係逐片地處理矽晶圓等基板W之單片式裝置。於該實施形態中,基板W為圓板狀基板。基板處理裝置201包含:數個處理單元202,其等利用處理液處理基板W;負載埠LP,其供收容經處理單元202處理之數片基板W之基板收容器C載置;搬送機器人IR及CR,其等 於負載埠LP與處理單元202之間搬送基板W;及控制裝置203,其控制基板處理裝置201。搬送機器人IR於基板收容器C與搬送機器人CR之間搬送基板W。搬送機器人CR於搬送機器人IR與處理單元202之間搬送基板W。數個處理單元202例如具有相同之構成。
圖21係用以說明處理單元202之構成例之圖解性剖面圖。圖22係中心軸噴嘴207之縱截面圖。圖23係中心軸噴嘴207之仰視圖。
處理單元202包含:箱形之腔室204;旋轉夾盤(基板保持單元)205,其於腔室204內將一片基板W以水平之姿勢保持,使基板W繞通過基板W之中心之鉛垂旋轉軸線A1旋轉;對向構件206,其與保持於旋轉夾盤205之基板W之上表面對向;中心軸噴嘴207,其將對向構件206之內部上下插通,用以朝向保持於旋轉夾盤205之基板W之上表面之中央部吐出處理液;化學液供給單元208,其用以對中心軸噴嘴207供給化學液;沖洗液供給單元209,其用以對中心軸噴嘴207供給沖洗液;疏水化劑供給單元210,其用以對中心軸噴嘴207供給液體之疏水化劑;有機溶劑供給單元211,其用以對中心軸噴嘴207供給比重大於空氣且具有低於水之表面張力的作為低表面張力液體之有機溶劑;及筒狀之處理承杯212,其包圍旋轉夾盤205。
腔室204包含:箱狀之間隔壁213,其收容旋轉夾盤205或噴嘴;作為送風單元之FFU(風機過濾單元)214,其自間隔壁213之上部向間隔壁213內輸送淨化空氣(藉由過濾器進行過濾後之空氣);及排氣管215,其自間隔壁213之下部排出腔室204內之氣 體。FFU214配置於間隔壁213之上方,安裝於間隔壁213之頂壁。FFU214自間隔壁213之頂壁朝腔室204內向下輸送淨化空氣。排氣管215連接於處理承杯212之底部,朝向設置有基板處理裝置201之工廠中設置之排氣處理設備導出腔室204內之氣體。因此,藉由FFU214及排氣管215形成於腔室204內流向下方之降流(下降流)。基板W之處理係於在腔室204內形成有降流之狀態下進行。
作為旋轉夾盤205,採用於水平方向上夾著基板W而將基板W水平地保持之夾持式夾盤。具體而言,旋轉夾盤205包含:旋轉馬達216;旋轉軸217,其與該旋轉馬達216之驅動軸一體化;及圓板狀之旋轉基底218,其大致水平地安裝於旋轉軸217之上端。
於旋轉基底218之上表面,於其周緣部配置有數個(3個以上,例如6個)夾持構件219。數個夾持構件219於旋轉基底218之上表面周緣部,於與基板W之外周形狀對應之圓周上隔開適當之間隔而配置。於旋轉基底218之上表面,於以旋轉軸線A1為中心之圓周上,配置有用以自下方支持對向構件206之數個(3個以上)對向構件支持部220。對向構件支持部220與旋轉軸線A1之間之距離設定為大於夾持構件219與旋轉軸線A1之間之距離。
又,作為旋轉夾盤205,並不限於夾持式者,例如亦可採用藉由真空吸附基板W之背面而將基板W以水平之姿勢保持,進而藉由於該狀態下繞鉛垂之旋轉軸線旋轉而使保持於旋轉夾盤205之基板W旋轉的真空吸附式者(真空吸盤)。
對向構件206係隨著旋轉夾盤205而旋轉之從動型對向構件(即阻斷構件)。即,對向構件206於基板處理中,對向構件 206可與旋轉夾盤205一體旋轉地被支持。
對向構件206包含:阻斷板221;銜接部222,其設置為能夠與阻斷板221一起升降;及支持部223,其與銜接部222銜接,用以自上方支持阻斷板221。
阻斷板221係具有大於基板W之直徑之圓板狀。阻斷板221於其下表面具有與基板W之上表面全域對向之圓形之基板對向面221a、於基板對向面221a之周緣部朝向下方突出之圓環狀之簷部221b、及設置於基板對向面221a且用以與對向構件支持部220銜接之旋轉夾盤銜接部221c。於基板對向面221a之中央部形成有將對向構件206上下貫通之貫通孔224。貫通孔224係藉由圓筒狀之內周面區劃出。
銜接部222包含:圓筒部225,其於阻斷板221之上表面包圍貫通孔224之周圍;及凸緣部226,其自圓筒部225之上端朝徑向外側擴展。凸緣部226位於較支持部223中所含之如下所述之凸緣支持部228靠上方,凸緣部226之外周設為直徑大於凸緣支持部228之內周。
支持部223包含例如大致圓板狀之支持部本體227、水平之凸緣支持部228、及連接支持部本體227與凸緣支持部228之連接部229。
中心軸噴嘴207係沿通過阻斷板221及基板W之中心之鉛垂軸線、即旋轉軸線A1朝上下方向延伸。中心軸噴嘴207配置於旋轉夾盤205之上方,將阻斷板221及支持部223之內部空間插通。中心軸噴嘴207係與阻斷板221及支持部223一起升降。
中心軸噴嘴207包含於貫通孔224之內部上下延伸之 圓柱狀之套管230、及將套管230之內部上下插通之第1噴嘴配管231、第2噴嘴配管232、第3噴嘴配管233及第4噴嘴配管234。套管230具有圓筒狀之外周面230a、及設置於套管230之下端部且與基板W之上表面之中央部對向之對向面230b。第1~第4噴嘴配管231~234分別為內管。
於支持部223結合有用以使支持部223升降而使對向構件206升降之對向構件升降單元247。對向構件升降單元247係包含伺服馬達或滾珠螺桿機構等之構成。
對向構件升降單元247使對向構件206及第1~第4噴嘴配管231~234與支持部223一起於鉛垂方向上升降。對向構件升降單元247使阻斷板221及第1~第4噴嘴配管231~234於阻斷板221之基板對向面221a接近保持於旋轉夾盤205之基板W之上表面之鄰近位置與設置於鄰近位置之上方之退避位置之間升降。對向構件升降單元247可於鄰近位置與退避位置之間之各位置保持阻斷板221。
藉由對向構件升降單元247,可使支持部223於下位置(圖21中虛線所示之位置)與上位置(圖21中實線所示之位置)之間升降,藉此,可使對向構件206之阻斷板221於接近保持在旋轉夾盤205之基板W之上表面之鄰近位置(圖21中虛線所示之位置)與大幅地退避至旋轉夾盤205之上方之退避位置(圖21中實線所示之位置)之間升降。
具體而言,在支持部223位於上位置之狀態下,藉由支持部223之凸緣支持部228與凸緣部226進行銜接,銜接部222、阻斷板221及中心軸噴嘴207支持於支持部223。即,阻斷板221 藉由支持部223而垂吊。
在支持部223位於上位置之狀態下,藉由使突出設置於凸緣支持部228之上表面之突起228a銜接至在圓周方向上隔開間隔而形成於凸緣部226之銜接孔226a,阻斷板221相對於支持部223在圓周方向上定位。
若對向構件升降單元247使支持部223自上位置下降,則阻斷板221亦自退避位置下降。其後,若阻斷板221之旋轉夾盤銜接部221c抵接於對向構件支持部220,則阻斷板221及中心軸噴嘴207由對向構件支持部220承接。繼而,若對向構件升降單元247使支持部223下降,則支持部223之凸緣支持部228與凸緣部226之銜接解除,銜接部222、阻斷板221及中心軸噴嘴207脫離支持部223,而由旋轉夾盤205支持。於該狀態下,與旋轉夾盤205(旋轉基底218)之旋轉一起使阻斷板221旋轉。
第1噴嘴配管231包含沿鉛垂方向延伸之鉛垂部分。第1噴嘴配管231之下端於套管230之對向面230b開口,形成第1吐出口231a。對第1噴嘴配管231供給來自化學液供給單元208之化學液。化學液供給單元208包含連接於第1噴嘴配管231之上游端側之化學液配管236及介裝於化學液配管236之中途部之化學液閥237。若打開化學液閥237,則自第1吐出口231a朝向下方吐出化學液。若關閉化學液閥237,則化學液自第1吐出口231a之吐出停止。化學液例如亦可為包含硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH:氫氧化四甲基銨等)、及界面活性劑、防腐蝕劑之至少一種之液體。
第2噴嘴配管232包含沿鉛垂方向延伸之鉛垂部分。第2噴嘴配管232之下端於套管230之對向面230b開口,形成第2吐出口232a。對第2噴嘴配管232供給來自沖洗液供給單元209之沖洗液。沖洗液供給單元209包含連接於第2噴嘴配管232之上游端側之沖洗液配管238及介裝於沖洗液配管238之中途部之沖洗液閥239。若打開沖洗液閥239,則自第2吐出口232a朝向下方吐出沖洗液。若關閉沖洗液閥239,則沖洗液自第2吐出口232a之吐出停止。沖洗液為水。於該實施形態中,水為純水(去離子水)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之氨水之任一者。
第3噴嘴配管233包含沿鉛垂方向延伸之鉛垂部分。第3噴嘴配管233之下端於套管230之對向面230b開口而形成第3吐出口233a。對第3噴嘴配管233供給來自疏水化劑供給單元210之疏水化劑。疏水化劑供給單元210包含連接於第3噴嘴配管233之上游端側之疏水化劑配管(處理液配管)240(與下述之共用配管251相同)、及介裝於疏水化劑配管240之中途部之疏水化劑閥241(與下述之共用閥260相同)。若打開疏水化劑閥241,則自第3吐出口233a朝向下方吐出疏水化劑。若關閉疏水化劑閥241,則疏水化劑自第3吐出口233a之吐出停止。疏水化劑可為矽系疏水化劑,亦可為金屬系疏水化劑。
矽系疏水化劑係使矽(Si)本身及含有矽之化合物疏水化之疏水化劑。矽系疏水化劑例如為矽烷偶合劑。矽烷偶合劑例如包含HMDS(六甲基二矽氮烷)、TMS(四甲基矽烷)、氟化烷氯矽烷、烷基二矽氮烷、及非氯系疏水化劑之至少一種。非氯系疏水化劑例 如包含二甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲基胺基)二甲基矽烷、N,N-二甲基胺基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲胺及有機矽烷化合物之至少一種。
金屬系疏水化劑係例如具有較高之配位性,主要藉由配位鍵而使金屬疏水化之溶劑。該疏水化劑例如包含具有疏水基之胺、及有機矽化合物之至少一種。
第4噴嘴配管234包含沿鉛垂方向延伸之鉛垂部分。第4噴嘴配管234之下端於套管230之對向面230b開口而形成第4吐出口234a。對第4噴嘴配管234供給來自有機溶劑供給單元211之液體之有機溶劑。有機溶劑供給單元211包含連接於第4噴嘴配管234之上游端側之有機溶劑配管242、及介裝於有機溶劑配管242之中途部之有機溶劑閥243。若打開有機溶劑閥243,則自第4吐出口234a朝向下方吐出液體之有機溶劑。若關閉有機溶劑閥243,則液體之有機溶劑自第4吐出口234a之吐出停止。
於該實施形態中,有機溶劑例如為IPA(isopropyl alcohol),作為此種有機溶劑,除IPA以外,例如可例示甲醇、乙醇、丙酮、EG(乙二醇)及HFE(氫氟醚)。又,作為有機溶劑,不僅可為僅由單體成分所構成之情況,亦可為與其他成分混合而成之液體。例如,可為IPA與丙酮之混合液,亦可為IPA與甲醇之混合液。
如圖21所示,處理承杯212配置於較保持在旋轉夾盤205之基板W靠外側(自旋轉軸線A1遠離之方向)。處理承杯212包圍旋轉基底218之周圍。若於旋轉夾盤205使基板W旋轉之狀態下,對基板W供給處理液,則供給至基板W之處理液被甩向基 板W之周圍。於將處理液供給至基板W時,向上敞開之處理承杯212之上端部212a配置於較旋轉基底218靠上方。因此,排出至基板W之周圍之處理液(化學液或沖洗液、疏水化劑、有機溶劑)由處理承杯212承接。繼而,由處理承杯212承接之處理液被送至未圖示之回收裝置或排液裝置。
圖24係用以說明圖21所示之疏水化劑供給單元210之構成之圖。
疏水化劑供給單元210包含連接於第1噴嘴配管231之共用配管251、及經由共用配管251連接於第1噴嘴配管231之混合閥單元MV。混合閥單元MV包含送液至第1噴嘴配管231之連接部252、及數個閥259、260、262、263、267。數個閥259、260、262、263、267均為開關閥。混合閥單元MV進而包含分別連接於連接部252之排出配管253、疏水化劑供給配管255、抽吸配管256及洗淨液供給配管257。
連接部252沿既定之一方向具有長度。連接部252包含:筒狀(例如圓筒狀或角筒狀)之側壁252a,其於流通方向D1上延伸;一端壁252b,其封閉側壁252a之一側端部;及另一端壁252c,其封閉側壁252a之另一側端部。於連接部252之內部形成有用以供液體流通之流通空間SP1。流通空間SP1沿流通方向D1延伸。於連接部252之側壁,自一側(圖24之上側)依序連接有排出配管253、共用配管251、疏水化劑供給配管255、抽吸配管256及洗淨液供給配管257。
共用配管251具有上下方向部分251a及左右方向部分251b。上下方向部分251a之下游端連接於第1噴嘴配管231之 上游端。左右方向部分251b之下游端連接於上下方向部分251a之上游端。左右方向部分251b之上游端連接於連接部252。於共用配管251之左右方向部分251b介裝有用以開關共用配管251之共用閥260。共用閥260為氣動式開關閥。作為此種氣動式開關閥,可列舉隔膜閥、或蝶形閥、針閥等為例。
於共用配管251之左右方向部分251b,於較共用閥260靠下游側介裝有第1抽吸裝置261。第1抽吸裝置261為隔膜式抽吸裝置。隔膜式抽吸裝置係如下之抽吸裝置,其包含介裝於共用配管251之中途部之筒狀頭及收容於頭內之隔膜,且藉由隔膜之驅動而使形成於頭內之流路之容積變化(參照日本專利特開2016-111306號公報等)。
由隔膜式抽吸裝置構成之第1抽吸裝置261為氣動式抽吸裝置。藉由停止對第1抽吸裝置261之內部供給空氣,隔膜發生形體變化而頭內之容積增大,其結果為,存在於共用配管251中較第1抽吸裝置261靠下游側部分之疏水化劑被引入至頭內,該下游側部分之內部被抽吸(即,依照吐出停止信號之輸入,疏水化劑被抽吸至頭內)。藉此,第1抽吸裝置261之作用有效化。又,藉由對第1抽吸裝置261之內部供給空氣,隔膜發生形體變化而頭內之容積減少,藉此,曾被抽吸至頭內之液體(處理液)被擠出(即,依照吐出開始信號之輸入,頭內之疏水化劑被擠出)。藉此,第1抽吸裝置261之作用無效化。
用以驅動共用閥260之驅動源(例如電磁閥,第2驅動源)與用以驅動第1抽吸裝置261之驅動源(例如電磁閥,第1驅動源)彼此獨立。假設用以驅動共用閥260之驅動源與用以驅動第1 抽吸裝置261之驅動源共用,則與共用閥260之開關連動地進行第1抽吸裝置261之抽吸/抽吸解除。由於用以驅動共用閥260之驅動源與用以驅動第1抽吸裝置261之驅動源彼此獨立,故而可將共用閥260之開關與第1抽吸裝置261之抽吸/抽吸解除之各者彼此於最佳之動作時刻進行。
於排出配管253介裝有用以開關排出配管253之排出閥259。排出配管253之下游端側連接於機器外之排液設備。
於疏水化劑供給配管255介裝有用以開關疏水化劑供給配管255之疏水化劑供給閥262。自疏水化劑供給源對疏水化劑供給配管255之上游端側供給疏水化劑。
於抽吸配管256介裝有用以開關抽吸配管256之抽吸閥263。於抽吸配管256之下游端連接有第2抽吸裝置264。第2抽吸裝置264為噴射器式抽吸裝置。噴射器式抽吸裝置包含真空產生器或抽氣器。噴射器式抽吸裝置與隔膜式抽吸裝置或虹吸管式抽吸裝置相比,抽吸力較強(抽吸速度較快)且可抽吸之液流量較多。
第2抽吸裝置264包含流體供給配管265及用以切換流體供給配管265之開關之流體供給閥266。流體供給閥266例如為電磁閥。於第2抽吸裝置264之通電狀態下,藉由打開流體供給閥266,於流體供給配管265內流動流體,而使第2抽吸裝置264之內部被減壓。藉此,抽吸配管256之內部被抽吸。即,第2抽吸裝置264之作用有效化。
於洗淨液供給配管257介裝有用以開關洗淨液供給配管257之洗淨液供給閥267。自洗淨液供給源對洗淨液供給配管257之上游端側供給洗淨液。洗淨液於圖24之例中為例如有機溶劑 (例如IPA),除此以外,亦可使用水作為洗淨液。
若於疏水化劑供給單元210中之其他閥關閉之狀態下,打開共用閥260及疏水化劑供給閥262,則來自疏水化劑供給配管255之疏水化劑流入至連接部252之內部,該疏水化劑經由共用配管251供給至第1噴嘴配管231,自第3吐出口233a朝向下方吐出疏水化劑。
又,若於疏水化劑供給單元210中之其他閥關閉之狀態下,打開疏水化劑供給閥262及排出閥259,則來自疏水化劑供給配管255之疏水化劑流入至連接部252,該疏水化劑通過排出配管253而排出至連接部252外(預分配步驟)。
又,若於疏水化劑供給單元210中之其他閥關閉之狀態下,打開洗淨液供給閥267及排出閥259,則來自洗淨液供給配管257之洗淨液流入至連接部252,該洗淨液通過排出配管253而排出至連接部252外(連接部洗淨步驟)。
又,若於疏水化劑供給單元210中之其他閥關閉之狀態下,打開洗淨液供給閥267及共用閥260,則來自洗淨液供給配管257之洗淨液流入至連接部252,該洗淨液通過共用閥260而自第3吐出口233a吐出(配管洗淨步驟)。
又,若於疏水化劑供給單元210中之其他閥(包括共用閥260)關閉之狀態下,使第1抽吸裝置261之作用有效化,則存在於共用配管251之較第1抽吸裝置261之介裝位置靠下游側部分之液體被抽吸至第1抽吸裝置261(第1抽吸步驟)。此時之疏水化劑之抽吸量為約0.1~1毫升。
又,若於藉由流體供給閥266之開啟而使第2抽吸裝 置264之作用有效化之狀態下,打開抽吸閥263及共用閥260,則抽吸配管256之內部被抽吸,連接部252之內部(流通空間SP1)之液體、及共用配管251之內部之液體由第2抽吸裝置264抽吸(第2抽吸步驟)。
圖25係用以說明基板處理裝置201之主要部分之電性構成之方塊圖。
控制裝置203係使用例如微電腦而構成。控制裝置203具有CPU等運算單元301、固體記憶體元件(未圖示)、硬碟驅動器等記憶單元302、及輸入輸出單元(未圖示)。於記憶單元302中記憶有由運算單元301執行之程式303。
記憶單元302包含配方記憶部304,該配方記憶部304記憶有規定對基板W之各處理之內容之配方。配方記憶部304包含可電性地覆寫資料之非揮發性記憶體。於配方記憶部304中記憶有藉由操作部305之操作而製作之製程配方306、預配方307、後配方308及流程配方309。製程配方306係規定對基板W之處理之內容(包含順序及條件,以下亦同)者。預配方307係預動作配方之一例,且係規定預先規定之預處理之內容者。後配方308係預動作配方之一例,且係規定預先規定之後處理之內容者。流程配方309係規定依照製程配方306之控制(製程配方控制)、依照預配方之控制(預配方控制)及依照後配方之控制(後配方控制)之執行順序及執行次數者。
將構成一個批次之既定片數(例如25片)之基板W以一併收容至基板收容器C(參照圖20)之狀態搬入至基板處理裝置201中。於基板處理裝置201中,對每個基板收容器C設定1個流 程配方309。
進而,控制裝置203依照預先規定之程式,驅動旋轉馬達216、對向構件升降單元247等,又,使第1抽吸裝置261、第2抽吸裝置264等之作用有效化。進而,控制裝置203將化學液閥237、沖洗液閥239、有機溶劑閥243、排出閥259、共用閥260、疏水化劑供給閥262、抽吸閥263、洗淨液供給閥267等進行開關。
圖26係用以說明處理單元202中執行之處理之內容之流程圖。圖27係表示於處理單元202中根據預配方307執行之預處理之流程之流程圖。圖28係表示於處理單元202中根據製程配方306執行之基板處理之流程之流程圖。圖29係表示於處理單元202中根據後配方308執行之後處理之流程之流程圖。圖30A係表示向基板處理裝置201搬入基板W之前之處理單元202之狀態之圖。圖30B係用以說明預分配步驟T1之圖。圖31係用以說明疏水化劑供給步驟E6之圖。圖32係用以說明於疏水化劑供給步驟E6後進行之第1抽吸步驟之圖。圖33係用以說明連接部洗淨步驟P1之圖。圖34係用以說明配管洗淨步驟P2之圖。圖35係用以說明第2抽吸步驟P3之圖。圖36係用以說明填充步驟P4之圖。
一面參照圖20~圖29,一面對處理單元202中執行之基板處理例進行說明。對於圖30A~圖36則適當參照。又,基板處理例可為蝕刻處理,亦可為洗淨處理。
對於一個批次中所包含之數片基板W(收容於1個基板收容器C(參照圖20)之數片基板W),於1個或數個處理單元202中實施處理。若基板收容器C(參照圖20)載置於基板處理裝置201之負載埠LP(參照圖20),則表示基板收容器C中所包含之批次之 資訊之基板資訊從主電腦輸送至控制裝置203。主電腦係統一管理設置於半導體製造工廠之數個基板處理裝置之電腦。控制裝置203基於從主電腦輸送之基板資訊,自配方記憶部304讀出相對於該批次之流程配方309。繼而,依照流程配方309,依序進行預配方控制、製程配方控制及後配方控制。
首先,於各處理單元202(參照圖20)中執行依照預配方307之控制,藉此進行預處理S11(參照圖26)。
其後,藉由反覆執行依照製程配方306之控制,收容於1個基板收容器C之基板W逐一連續地被搬入至處理單元202,於處理單元202中接受基板處理S12(參照圖26)。
繼而,將依照製程配方306之控制執行與收容於基板收容器C之基板之片數相等之既定次數,一系列既定次數之處理一旦結束,便藉由於各處理單元202中執行依照後配方308之控制,而執行後處理S13(參照圖26)。
於由流程配方309規定之製程配方306之執行次數為1次之情況下,於預處理S11與後處理S13之間僅執行1次基板處理S12。然而,於製程配方306之執行次數為N(N為2以上之整數)次之情況下,於預處理S11與後處理S13之間執行N次基板處理S12。即,連續地執行(連續處理)基板處理S12。
對預處理S11進行說明。
於前次之對基板W之一系列處理後,如圖30B所示,疏水化劑之前端面F配置於待機位置SP。待機位置SP係設定於共用配管251之左右方向部分251b之流通方向之一部分。
於預處理S11中,如圖30A所示,控制裝置203執行 預分配步驟T1。預分配步驟T1係用以將存在於疏水化劑供給配管255之內部之疏水化劑自疏水化劑供給配管255排出之步驟。於自前次之對基板W之一系列處理結束後經過較長期間之情況下,有滯留於疏水化劑供給配管255之內部或連接部252之內部(流通空間SP1(參照圖24))之疏水化劑發生經時變化(成分變化(劣化)或溫度降低)之虞。因此,於基板處理S12之前,使滯留於疏水化劑供給配管255之內部或連接部252之內部之疏水化劑自疏水化劑供給配管255之內部及連接部252之內部排出,並替換為新疏水化劑,藉此,經時變化之疏水化劑不會被用於基板處理S12。
具體而言,於進行預分配步驟T1之情況下,控制裝置203於疏水化劑供給單元210中之其他閥關閉之狀態下,打開疏水化劑供給閥262及排出閥259。藉此,來自疏水化劑供給配管255之疏水化劑流入至連接部252之內部,通過排出配管253而排出。
若預分配步驟T1結束,則預處理S11結束。
其次,對基板處理S12(參照圖26)進行說明。關於基板處理S12之執行,隨時參照自配方記憶部304(參照圖25)讀出之製程配方306。
於執行基板處理S12時,未處理之基板W被搬入至腔室204之內部(圖28之步驟E1)。藉由使保持基板W之搬送機器人CR之機械手H進入腔室204之內部,具體而言,將基板W以其表面(器件形成面)朝向上方之狀態交給旋轉夾盤205。其後,將基板W保持於旋轉夾盤205。
其後,控制裝置203控制旋轉馬達216而使基板W之旋轉開始(圖28之步驟E2)。基板W被迫上升至預先規定之液體 處理速度(於約10~1200rpm之範圍內,例如約1000rpm),並維持為該液體處理速度。又,控制裝置203控制對向構件升降單元247而將阻斷板221配置於鄰近位置。
於阻斷板221配置於鄰近位置後,繼而,控制裝置203進行對基板W之上表面供給化學液之化學液供給步驟E3(參照圖28)。控制裝置203打開化學液閥237。藉此,自形成於阻斷板221之基板對向面221a之第1吐出口231a朝向基板W之上表面中央部吐出化學液。供給至基板W之上表面中央部之化學液受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,使用化學液處理基板W之上表面全域。
若自化學液從第1吐出口231a之吐出開始經過由製程配方306所規定之期間,則控制裝置203關閉化學液閥237。
繼而,控制裝置203進行對基板W之上表面供給沖洗液之沖洗步驟E4(參照圖28)。具體而言,控制裝置203打開沖洗液閥239。藉此,自形成於阻斷板221之基板對向面221a之第2吐出口232a朝向基板W之上表面中央部吐出沖洗液。供給至基板W之上表面中央部之沖洗液受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之化學液被替換為沖洗液。
若自化學液從第2吐出口232a之吐出開始經過由製程配方306所規定之期間,自沖洗液之吐出開始經過既定期間,則控制裝置203關閉沖洗液閥239。藉此,沖洗液自第2吐出口232a之吐出停止,結束沖洗步驟E4。
繼而,控制裝置203進行將存在於基板W之上表面 之沖洗液替換為有機溶劑(例如IPA)之第1有機溶劑供給步驟E5(參照圖28)。
具體而言,控制裝置203一面將基板W之旋轉維持為液體處理速度,一面打開有機溶劑閥243。藉此,自形成於阻斷板221之基板對向面221a之第4吐出口234a朝向基板W之上表面中央部吐出有機溶劑。供給至基板W之上表面中央部之有機溶劑受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之沖洗液被替換為有機溶劑。
若自有機溶劑從第4吐出口234a之吐出開始經過由製程配方306所規定之期間,自沖洗液之吐出開始經過既定期間,則控制裝置203關閉有機溶劑閥243。藉此,有機溶劑自第4吐出口234a之吐出停止,結束第1有機溶劑供給步驟E5。
繼而,控制裝置203進行將存在於基板W之上表面之有機溶劑替換為液體之疏水化劑之疏水化劑供給步驟E6(參照圖28)。具體而言,控制裝置203一面將阻斷板221維持於鄰近位置,一面關閉疏水化劑供給單元210中之其他閥並且打開共用閥260及疏水化劑供給閥262。於疏水化劑供給步驟E6開始前,疏水化劑之前端面F配置於待機位置SP。
藉由共用閥260及疏水化劑供給閥262之開啟,來自疏水化劑供給配管255之疏水化劑經由連接部252供給至共用配管251。藉此,如圖31所示,自形成於阻斷板221之基板對向面221a之第3吐出口233a朝向基板W之上表面中央部吐出疏水化劑。供給至基板W之上表面中央部之疏水化劑受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上 之有機溶劑由疏水化劑替換。
又,控制裝置203對第1抽吸裝置261供給空氣。藉此,曾被抽吸至第1抽吸裝置261之少量疏水化劑吐出至共用配管251。
於疏水化劑供給步驟E6中,若自疏水化劑從第3吐出口233a之吐出開始經過由製程配方306所規定之期間,則控制裝置203關閉共用閥260及疏水化劑供給閥262。藉此,如圖32所示,疏水化劑自第3吐出口233a之吐出停止。又,控制裝置203使第1抽吸裝置261有效化。藉此,共用配管251之較第1抽吸裝置261之介裝部分靠下游側部分(中心軸噴嘴207側之部分)之內部被抽吸,如圖32所示,殘留於該下游側部分之內部之疏水化劑被引入至第1抽吸裝置261之內部(藉由隔膜之驅動而擴展之區域)(第1抽吸步驟)。第1抽吸裝置261之抽吸量係以疏水化劑之前端面F後退至設定於左右方向部分251b內之既定之待機位置SP之方式規定。此時之疏水化劑之抽吸量為約0.1~1毫升。藉此,抽吸後之疏水化劑之前端面F配置於待機位置SP。
基於疏水化劑自第3吐出口233a之吐出停止,疏水化劑供給步驟E6結束。
繼而,控制裝置203進行將存在於基板W之上表面之疏水化劑替換為有機溶劑(例如IPA)之第2有機溶劑供給步驟E7(參照圖28)。
具體而言,控制裝置203一面將基板W之旋轉維持為液體處理速度,一面打開有機溶劑閥243。藉此,自形成於阻斷板221之基板對向面221a之第4吐出口234a朝向基板W之上表面 中央部吐出有機溶劑。供給至基板W之上表面中央部之有機溶劑受到因基板W之旋轉所產生之離心力而移動至基板W之周緣部。藉此,基板W之上表面上之疏水化劑被替換為有機溶劑。
若自有機溶劑從第4吐出口234a之吐出開始經過由製程配方306所規定之期間,自沖洗液之吐出開始經過既定期間,則控制裝置203關閉有機溶劑閥243。藉此,有機溶劑自第4吐出口234a之吐出停止,第2有機溶劑供給步驟E7結束。
繼而,進行使基板W乾燥之旋轉乾燥步驟E8(參照圖28)。具體而言,控制裝置203於阻斷板221配置於鄰近位置之狀態下,控制旋轉馬達216,使基板W加速至較化學液供給步驟E3~第2有機溶劑供給步驟E7之各步驟中之旋轉速度大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm),並使基板W以該乾燥旋轉速度旋轉。藉此,對基板W上之液體施加較大之離心力,而使附著於基板W之液體被甩向基板W之周圍。如此,自基板W去除液體,而使基板W乾燥。
若自基板W之加速經過既定期間,則控制裝置203藉由控制旋轉馬達216而使利用旋轉夾盤205之基板W之旋轉停止(圖28之步驟E9)。其後,控制裝置203控制對向構件升降單元247使阻斷板221上升而配置於退避位置。
其後,自腔室204內搬出基板W(圖28之步驟E10)。具體而言,控制裝置203使搬送機器人CR之機械手進入腔室204之內部。繼而,控制裝置203使搬送機器人CR之機械手保持旋轉夾盤205上之基板W。其後,控制裝置203使搬送機器人CR之機械手自腔室204內退避。藉此,將處理後之基板W自腔室204搬 出,結束基板處理S12。
其次,對後處理S13進行說明。
於後處理S13中,控制裝置203首先執行連接部洗淨步驟P1(參照圖29)。
於連接部洗淨步驟P1中,控制裝置203於疏水化劑供給單元210中之其他閥關閉之狀態下,如圖33所示,打開洗淨液供給閥267及排出閥259。藉此,來自洗淨液供給配管257之洗淨液流入至連接部252之內部,該洗淨液於連接部252之內部流通後,排出至排出配管253。藉此,可使用洗淨液將存在於連接部252之內部之疏水化劑擠出至連接部252外。
若自洗淨液供給閥267及排出閥259之開啟經過既定期間(例如2~3秒),則控制裝置203於打開洗淨液供給閥267之狀態下,如圖34所示,關閉排出閥259且打開共用閥260。藉此,流入至連接部252之洗淨液被導入至共用配管251。即,連接部洗淨步驟P1結束,開始配管洗淨步驟P2(參照圖29)。
於配管洗淨步驟P2中,導入至共用配管251之洗淨液通過共用配管251之內部而自第3吐出口233a吐出。藉由使洗淨液於共用配管251之內部流通,而使共用配管251之內部經洗淨液洗淨。又,控制裝置203使第1抽吸裝置261之驅動停止。藉此,曾被抽吸至第1抽吸裝置261之少量之疏水化劑吐出至共用配管251。若自共用閥260之開啟經過既定期間,則關閉洗淨液供給閥267。藉此,結束配管洗淨步驟P2。
繼而,執行第2抽吸步驟P3(參照圖29)。
於第2抽吸步驟P3中,如圖35所示,控制裝置203 於藉由流體供給閥266之開啟而使第2抽吸裝置264之作用有效化之狀態下,打開抽吸閥263及共用閥260,藉此,抽吸配管256之內部被抽吸。藉此,滯留於連接部252之內部之洗淨液、及滯留於共用配管251之內部之所有洗淨液由第2抽吸裝置264抽吸。於第2抽吸步驟P3中,使用包含噴射器裝置等之第2抽吸裝置264進行抽吸,因此可抽吸較長之距離,且可於短時間內進行該抽吸。若自抽吸閥263之開啟經過既定期間,則關閉洗淨液供給閥267。
繼而,控制裝置203執行填充步驟P4(參照圖29)。填充步驟P4係對共用配管251填充(供給)疏水化劑,藉此將前端面F配置於待機位置SP之步驟。具體而言,於填充步驟P4中,控制裝置203於關閉疏水化劑供給單元210中之其他閥之狀態下打開共用閥260及疏水化劑供給閥262。藉由共用閥260及疏水化劑供給閥262之開啟,來自疏水化劑供給配管255之疏水化劑經由連接部252供給至共用配管251。若自疏水化劑供給閥262之開啟經過既定期間,則控制裝置203關閉疏水化劑供給閥262。藉此,如圖36所示,疏水化劑之前端面F配置於待機位置SP。
若填充步驟P4結束,則結束後處理S13。
以上,根據第2實施形態,於抽吸步驟中,存在於共用配管251之內部之疏水化劑被抽吸,使疏水化劑之前端面F後退。作為抽吸步驟,選擇性地執行使疏水化劑之前端面F配置於待機位置SP之第1抽吸步驟(參照圖32)與使疏水化劑之前端面F較連接部252之上游端後退之第2抽吸步驟P3。
於第1抽吸步驟中,抽吸之疏水化劑之量(排液之疏水化劑之量)較第2抽吸步驟P3減少。因此,於所有抽吸步驟中, 與執行第2抽吸步驟P3之情況相比,可實現疏水化劑之消耗量之減少。亦可為,第1抽吸步驟於可將共用配管251內之疏水化劑用於下一基板處理S12之情況下執行,第2抽吸步驟P3於不能將共用配管251內之疏水化劑用於下一基板處理S12之情況下執行。藉此,可一方面實現疏水化劑之消耗量之減少,一方面使共用配管251內之疏水化劑之前端面F後退。
藉由以上,可一方面實現疏水化劑之消耗量之減少,一方面抽吸共用配管251內之疏水化劑。
又,於第1抽吸步驟(參照圖32)中,由於使用作為隔膜式抽吸裝置之第1抽吸裝置261進行抽吸,故而可準確地控制抽吸後之疏水化劑之前端面F。
又,於第2抽吸步驟P3中,由於使用包含噴射器裝置等之第2抽吸裝置264進行抽吸,故而可抽吸較長之距離,且可於短時間內進行該抽吸。
又,於連續處理中(基板處理S12之連續執行中),執行第1抽吸步驟作為抽吸步驟。另一方面,於連續處理後執行之後處理S13中,執行第2抽吸步驟P3。
於連續處理中,由於連續地執行基板處理S12,故而疏水化劑不會長時間地持續滯留於共用配管251內。因此,就減少疏水化劑之消耗量之觀點及/或抑制產出量之降低之觀點而言,連續處理中執行第1抽吸步驟,使抽吸後之疏水化劑之前端面F配置於待機位置。
另一方面,亦認為於後處理S13之後,至下一預處理S11之前需要較長期間。若疏水化劑長時間地持續滯留於共用配管 251內或連接部252內,則有該疏水化劑經時變化或溫度降低之虞。由於不能將經時變化之疏水化劑或溫度降低之疏水化劑用於下一基板處理S12,故而於後處理S13中進行抽吸。作為該抽吸,執行第2抽吸步驟P3。因此,於後處理S13結束後,將共用配管251內及連接部252內保持為空。
以上,對本發明之兩種實施形態進行了說明,但本發明可進而以其他實施形態實施。
例如於第1實施形態中,於第2供給/抽吸單元15或第3供給/抽吸單元16中,亦可與圖19所示之變形例同樣地設置化學液/沖洗液抽吸裝置(抽吸裝置)122與流量調整閥123。
又,於第1實施形態之第1供給/抽吸單元14中,亦可採用隔膜式抽吸裝置作為第1抽吸裝置,於第2及/或第3供給/抽吸單元15、16中,亦可採用虹吸管式抽吸裝置作為第1抽吸裝置。
設為與所有的3個噴嘴配管9、11、13對應地設置有供給/抽吸單元14、15、16而進行了說明,但只要於3個噴嘴配管9、11、13之至少一者設置供給/抽吸單元即可。
又,於第1~第3供給/抽吸單元14、15、16中,列舉處理液供給單元與處理液抽吸單元經由連接部44、64、84並列連接之構成為例進行了說明,當然處理液供給單元與抽吸單元亦可不並列連接。
又,於第1實施形態中,對在基板對向面29形成有吐出口8、10、12之處理液配管進行了說明,但亦可以未組入至阻斷板27之單一之噴嘴之形式設置。於該情況下,亦較佳為噴嘴之 吐出口於左右方向(即沿基板W之表面之方向)上無法移動。
又,於第1實施形態中,有機溶劑並不限於IPA,而是包含IPA、甲醇、乙醇、HFE(氫氟醚)及丙酮中之至少一種。又,作為有機溶劑,不僅可為僅由單體成分所構成之情況,亦可為與其他成分混合而成之液體。例如可為IPA與丙酮之混合液,亦可為IPA與甲醇之混合液。
又,於第2實施形態中,作為第1抽吸裝置261,列舉了隔膜式抽吸裝置為例,但亦可取而代之地採用虹吸管式抽吸裝置。虹吸管式抽吸裝置具有配管,於將該配管之內部以液體裝滿之狀態下,利用虹吸管之原理對共用配管251之內部之疏水化劑進行抽吸(排液)。虹吸管式抽吸裝置可抑制用於抽吸之能量消耗。
又,於第2實施形態中,設為於第2抽吸步驟P3之前進行之洗淨步驟包括連接部洗淨步驟P1及配管洗淨步驟P2兩者而進行了說明,但作為洗淨步驟,包括其中之至少一者即可。又,亦可於第2抽吸步驟P3之前不進行洗淨步驟。
設為於後處理S13中執行第2抽吸步驟P3而進行了說明,但亦可於預處理S11中進行第2抽吸步驟P3。於該情況下,亦可於預分配步驟T1之前或之後進行第2抽吸步驟P3。於該情況下,於預處理S11中,由於可進行殘留於共用配管251內之疏水化劑之去除與存在於疏水化劑供給配管255之內部之疏水化劑之去除,故而可確實地防止經時變化或溫度降低之疏水化劑於基板處理S12開始時被供給至基板W。
又,亦可於後處理S13及預處理S11兩者中進行第2抽吸步驟P3。
又,於第2實施形態中,藉由將製程配方306之執行次數設為1次,可於各基板處理S12之後或各基板處理S12之前執行第2抽吸步驟P3。
又,於第2實施形態中,第2抽吸步驟P3亦可不於由預配方307所規定之預處理S11、及/或由後配方308所規定之後處理S13中執行,而於由製程配方306所規定之基板處理S12中執行。
於該情況下,在製程配方306中,於在如自前次之疏水化劑從吐出口233a之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間未滿既定期間的期間執行之抽吸步驟中,亦可規定第1抽吸步驟。又,於製程配方306中,於在如自前次之疏水化劑從吐出口233a之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間未滿既定期間的期間執行之抽吸步驟中,亦可規定第2抽吸步驟P3。
又,於第2實施形態中,於化學液供給單元208、沖洗液供給單元209及有機溶劑供給單元211中,亦可採用與如圖24所示之疏水化劑供給單元210同等之構成。而且,於該情況下,於該等單元208、209、211中,亦可選擇性地執行第1抽吸步驟及第2抽吸步驟P3。即,抽吸對象之處理液並不限於疏水化劑,亦可為其他處理液(化學液、沖洗液、有機溶劑等)。又,作為洗淨液,採用與抽吸對象之處理液對應之液體種類。
又,於第2實施形態中,對吐出口(吐出口231a~234a)形成於基板對向面21a之共用配管進行了說明,但亦可以未組入至阻斷板221之單一之噴嘴之形式設置。於該情況下,若噴嘴之吐出口於左右方向(即沿基板W之表面之方向)上無法移動,則亦可將本 發明適宜地應用於該噴嘴。
又,於上述實施形態中,對基板處理裝置1、201為處理圓板狀基板W之裝置之情況進行了說明,但基板處理裝置1、201亦可為處理液晶顯示裝置用玻璃基板等多邊形基板之裝置。
本申請案係與2016年9月21日向日本專利局提出之特願2016-184085號、及2017年6月30日向日本專利局提出之特願2017-129559號之各者對應,該等申請案之全部揭示內容藉由引用而併入本文中。

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置,其包含有:基板保持單元,其保持基板;處理液配管,其與用以朝向被保持於上述基板保持單元之基板之主面吐出處理液之吐出口連通;處理液供給單元,其用以對上述處理液配管供給處理液;抽吸單元,其用以對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;以及控制裝置,其控制上述處理液供給單元及上述抽吸單元;且上述控制裝置執行:處理液供給步驟,其藉由上述處理液供給單元將處理液供給至上述處理液配管,以將其自上述吐出口加以吐出;及抽吸步驟,其係藉由上述抽吸單元對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;上述控制裝置於上述抽吸步驟中選擇性地執行第1抽吸步驟與第2抽吸步驟,其中,該第1抽吸步驟抽吸處理液,使抽吸後之處理液之前端面配置於上述處理液配管之內部之預先規定之待機位置,而該第2抽吸步驟抽吸處理液,使處理液之前端面較上述待機位置後退;上述控制裝置於連續進行基板處理之連續處理中執行上述第1抽吸步驟,且於上述連續處理之前及/或上述連續處理之後執行上述第2抽吸步驟,其中,該基板處理係使用自上述吐出口所吐出之處理液對基板進行處理者。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中,其進一步包含有連接部,該連接部被連接於上述處理液配管,且於內部具有用以供液體流通之流通空間,上述控制裝置於上述第2抽吸步驟中,執行使處理液之前端面較上述連接部之上游端後退之步驟。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中,上述抽吸單元包含有:第1抽吸裝置,其以既定之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液;及第2抽吸裝置,其以較上述第1抽吸裝置大之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液;且上述控制裝置於上述第1抽吸步驟中藉由上述第1抽吸裝置抽吸處理液,而於上述第2抽吸步驟中藉由上述第2抽吸裝置抽吸處理液。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其中,其進一步包含有連接部,該連接部被連接於上述處理液配管,且於內部具有用以供液體流通之流通空間,上述第1抽吸裝置被介裝於上述處理液配管或被分支連接於上述處理液配管,且上述第2抽吸裝置經由被連接於上述連接部之抽吸配管對處理液進行抽吸。
  5. 如請求項4之基板處理裝置,其中,上述第2抽吸裝置包含有噴射器式抽吸裝置。
  6. 如請求項4之基板處理裝置,其中,上述第1抽吸裝置包含有隔膜式抽吸裝置。
  7. 如請求項6之基板處理裝置,其中,其進一步包含有:抽吸配管,其係連接於上述處理液配管,且介裝有上述隔膜式抽吸裝置;及處理液閥,其開關上述處理液配管;且用以驅動上述隔膜式抽吸裝置之第1驅動源與用以驅動上述處理液閥之第2驅動源相互地獨立。
  8. 如請求項3之基板處理裝置,其中,上述第1抽吸裝置包含有虹吸管式抽吸裝置。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中,上述控制裝置於使用自上述吐出口所吐出之處理液對一片基板進行處理之基板處理之期間,執行上述第1抽吸步驟,且於上述基板處理之前及/或上述基板處理之後,執行上述第2抽吸步驟。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中,上述控制裝置於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為未滿既定期間之情形時,執行上述第1抽吸步驟,而於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為既定期間以上之情形時,執行上述第2抽吸步驟。
  11. 如請求項10之基板處理裝置,其中,上述控制裝置進一步執行計測自處理液從上述吐出口之吐出停止起之經過期間的經過期間計測步驟,且於上述經過期間為未滿上述既定期間之情形時,執行上述第1抽吸步驟,而於上述經過期間為上述既定期間以上之情形時,執行上述第2抽吸步驟。
  12. 如請求項1或2之基板處理裝置,其中,上述吐出口被設置為無法朝沿著被保持在上述基板保持單元之基板之主面之方向移動。
  13. 如請求項12之基板處理裝置,其中,其進一步包含有對向構件,該對向構件具有與被保持於上述基板保持單元之基板之主面對向且無法朝沿著上述基板之主面之方向移動的基板對向面,上述吐出口係形成於上述基板對向面。
  14. 一種基板處理方法,係藉由包含與吐出口連通之處理液配管之基板處理裝置所執行者,其包含有:處理液供給步驟,其將處理液供給至上述處理液配管,以將處理液自上述吐出口加以吐出;及抽吸步驟,其對存在於上述處理液配管之內部之處理液進行抽吸;上述抽吸步驟包含有第1抽吸步驟及第2抽吸步驟,且上述第1及第2抽吸步驟係選擇性地被執行者,其中,該第1抽吸步驟使處理液之前端面後退,而使抽吸後之處理液之前端面配置於上述處理液配管之內部之預先規定之待機位置,而該第2抽吸步驟使處理液之前端面較上述待機位置大幅地後退;上述第1抽吸步驟係於連續進行基板處理之連續處理中所進行之步驟,且上述第2抽吸步驟係於上述連續處理之前及/或上述連續處理之後所進行之步驟,其中,該基板處理係使用自上述吐出口所吐出之處理液對基板進行處理者。
  15. 如請求項14之基板處理方法,其中,上述基板處理裝置進一步包含有連接部,該連接部被連接於上述處理液配管,且於內部具有用以供液體流通之流通空間,上述第2抽吸步驟包含有使處理液之前端面較上述連接部之上游端後退之步驟。
  16. 如請求項14或15之基板處理方法,其中,上述第1抽吸步驟包含有以既定之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液之步驟,且上述第2抽吸步驟包含有以較上述第1抽吸步驟大之抽吸力抽吸上述處理液配管之內部之處理液之步驟。
  17. 如請求項14或15之基板處理方法,其中,上述第1抽吸步驟係於使用自上述吐出口所吐出之處理液對一片基板進行處理之基板處理之期間所進行之步驟,且上述第2抽吸步驟係於上述基板處理之前及/或上述基板處理之後所進行之步驟。
  18. 如請求項14或15之基板處理方法,其中,上述第1抽吸步驟係於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為未滿既定期間之情形時所進行之步驟,而上述第2抽吸步驟係於自處理液從上述吐出口之吐出結束至下一次吐出開始為止之期間為既定期間以上之情形時所進行之步驟。
  19. 如請求項18之基板處理方法,其進一步包含有計測自處理液從上述吐出口之吐出停止起之經過期間的經過期間計測步驟,且上述第1抽吸步驟係於上述經過期間為未滿上述既定期間之情形時所執行之步驟,而上述第2抽吸步驟係於上述經過期間為上述既定期間以上之情形時所執行之步驟。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7089902B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法
JP7302997B2 (ja) * 2019-03-20 2023-07-04 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法
KR102240924B1 (ko) * 2019-07-18 2021-04-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리
CN111009458A (zh) * 2019-12-25 2020-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
JP7436267B2 (ja) * 2020-04-03 2024-02-21 株式会社ディスコ 洗浄ノズルおよび洗浄方法
JP7460448B2 (ja) * 2020-05-29 2024-04-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法、および、基板処理装置
JP7590281B2 (ja) * 2021-06-28 2024-11-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
JP7628473B2 (ja) * 2021-06-28 2025-02-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
KR102535766B1 (ko) * 2021-08-24 2023-05-26 (주)디바이스이엔지 백 노즐 어셈블리를 포함하는 기판 처리장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200307324A (en) * 2002-04-16 2003-12-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20060219264A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097993A (ja) * 1995-06-20 1997-01-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置
JP4583216B2 (ja) * 2005-03-29 2010-11-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP5891065B2 (ja) * 2012-02-22 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および処理液吸引方法
JP6216200B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6246602B2 (ja) 2014-01-16 2017-12-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6487168B2 (ja) * 2014-09-29 2019-03-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2016111306A (ja) 2014-12-10 2016-06-20 株式会社Screenホールディングス サックバックバルブ、サックバックバルブシステムおよび基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200307324A (en) * 2002-04-16 2003-12-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20060219264A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

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