CN109564860A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

基板处理装置包括：基板保持单元，保持基板；处理液配管，与用以朝上述基板的主面喷出处理液的喷出口连通；处理液供给单元，用以对上述处理液配管供给处理液；抽吸单元，用以对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；以及控制装置，控制上述处理液供给单元及上述抽吸单元；上述控制装置执行：处理液供给步骤，通过上述处理液供给单元对上述处理液配管供给处理液以从上述喷出口喷出；及抽吸步骤，通过上述抽吸单元对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；上述控制装置在上述抽吸步骤中选择性地执行第1抽吸步骤与第2抽吸步骤，该第1抽吸步骤是抽吸处理液，使抽吸后的处理液的前端面配置于上述处理液配管的内部的预先设定的待机位置的步骤，该第2抽吸步骤是抽吸处理液，使处理液的前端面比上述待机位置后退的步骤。

Description

基板处理装置以及基板处理方法

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。成为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示设备用基板、有机场致发光(EL，electroluminescence)显示设备等平板显示器(FPD，Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。

背景技术

在半导体装置或液晶显示设备等的制造步骤中，使用用于对半导体晶片或液晶显示设备用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。逐片地处理基板的单片式基板处理装置例如包括：旋转卡盘，其将基板保持为水平并使其旋转；相向构件，其从上方与保持于旋转卡盘的基板相向；中心轴喷嘴，其收容在形成于相向构件的中央部的中央开口；处理液配管，其对中心轴喷嘴供给处理液；及抽吸装置，其对处理液配管内部的处理液进行抽吸。相向构件是接近基板的上表面而用于使该上表面与其周围的空间阻断的构件。已知在喷出处理液后抽吸处理液而使中心轴喷嘴内的处理液的前端面后退。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-135843号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在处理液配管内的处理液经时变化的情况(例如处理液配管内的处理液发生成分变化(劣化)或温度降低的情况)下，不宜将该处理液用于下一基板处理，因此必须在下一基板处理之前将处理液配管内的处理液全部排出至配管外。另一方面，在能够将处理液配管内的处理液直接用于下一基板处理的情况下，亦抽吸处理液配管内的处理液而使处理液的前端面后退以免处理液从喷出口滴落。

然而，若不论抽吸的目的而一律通过处理液的抽吸将处理液配管内的处理液全部排出至配管外，则处理液的消耗量增大。不仅如此，而且为了进行处理液配管的各抽吸而需要较长时间，有导致产出量降低的担心。因此，要求一方面实现处理液的消耗量的减少并且抑制产出量的降低，一方面抽吸处理液配管内的处理液而使处理液的前端面后退。

因此，本发明的一目的在于提供一种可一方面实现处理液的消耗量的减少、一方面抽吸处理液配管内的处理液的基板处理装置及基板处理方法。另外，本发明的另一目的在于提供一种可一方面抑制产出量的降低、一方面抽吸处理液配管内的处理液的基板处理装置及基板处理方法。

(解决问题的手段)

本发明提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，其保持基板；处理液配管，其与用以朝向保持于上述基板保持单元的基板的主面喷出处理液的喷出口连通；处理液供给单元，其用以对上述处理液配管供给处理液；抽吸单元，其用以对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；以及控制装置，其控制上述处理液供给单元及上述抽吸单元；上述控制装置执行：处理液供给步骤，其通过上述处理液供给单元对上述处理液配管供给处理液以从上述喷出口喷出；及抽吸步骤，其通过上述抽吸单元对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；且上述控制装置在上述抽吸步骤中选择性地执行第1抽吸步骤与第2抽吸步骤，该第1抽吸步骤是抽吸处理液，使抽吸后的处理液的前端面配置于上述处理液配管的内部的预先设定的待机位置的步骤，该第2抽吸步骤是抽吸处理液，使处理液的前端面比上述待机位置后退的步骤。

根据该构成，在抽吸步骤中，抽吸存在于处理液配管的内部的处理液，使处理液的前端面后退。作为抽吸步骤，选择性地执行使处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤与使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤。

另外，在第1抽吸步骤中，所抽吸的处理液的量及时间比第2抽吸步骤减少。因此，在所有的抽吸步骤中，与执行第2抽吸步骤的情况相比，可实现处理液的消耗量的减少，另外，亦可抑制产出量的降低。

通过以上，可一方面实现处理液的消耗量的减少且抑制产出量的降低，一方面抽吸处理液配管内的处理液。

在该发明的一实施方式中，还包括连接部，该连接部连接于上述处理液配管，且在内部具有用以供液体流通的流通空间。该情况下，上述控制装置亦可在上述第2抽吸步骤中执行使处理液的前端面比上述连接部的上游端后退的步骤。

根据该构成，在第2抽吸步骤中使处理液的前端面比连接部的上游端后退。即，在第2抽吸步骤中可从处理液配管的内部及连接部的流通空间都排除处理液。由此，在处理液配管内的处理液经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的情况下，可确实地防止该处理液用在下一基板处理。

另外，上述抽吸单元亦可包括：第1抽吸装置，其以规定的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液；及第2抽吸装置，其以比上述第1抽吸装置大的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液。在该情况下，上述控制装置亦可在上述第1抽吸步骤中通过上述第1抽吸装置抽吸处理液，在上述第2抽吸步骤中通过上述第2抽吸装置抽吸处理液。

另外，若在第1及第2抽吸步骤两者中以较强的抽吸力抽吸处理液，则有无法准确地控制第1抽吸步骤的抽吸后的处理液的前端面的担心。若在第1及第2抽吸步骤两者中以较弱的抽吸力抽吸处理液，则有第2抽吸步骤的执行需要较长时间的担心。

根据该构成，在第1抽吸步骤中，以相对较弱的抽吸力抽吸处理液配管内的处理液，使处理液的前端面后退。因此，能准确地控制第1抽吸步骤的抽吸后的处理液的前端面，且能以短时间进行第2抽吸步骤的执行。

另外，上述基板处理装置亦可还包括连接部，该连接部连接于上述处理液配管，且在内部具有用以供液体流通的流通空间。在该情况下，上述第1抽吸装置亦可安装于上述处理液配管或分支连接于上述处理液配管。上述第2抽吸装置亦可经由连接于上述连接部的抽吸配管而抽吸处理液。

根据该构成，第1抽吸装置相对于连接部而配置于喷出口侧，第2抽吸装置相对于连接部而配置于与喷出口相反的侧。即，构成为能够实现使利用第1抽吸步骤的抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置，且在第2抽吸步骤中使处理液的前端面比连接部的上游端后退。

另外，上述第2抽吸装置亦可包括喷射式抽吸装置。

另外，上述第1抽吸装置亦可包括隔膜式抽吸装置。

上述基板处理装置亦可还包括：抽吸配管，其连接于上述处理液配管，安装有上述隔膜式抽吸装置；及处理液阀，其开关上述处理液配管。在该情况下，用以驱动上述隔膜式抽吸装置的第1驱动源与用以驱动上述处理液阀的第2驱动源亦可彼此独立。

假设用以驱动隔膜式抽吸装置的驱动源与用以驱动处理液阀的驱动源共用，则有与处理液阀的开关连动而进行隔膜式抽吸装置的抽吸/抽吸解除的担心。

根据该构成，由于用以驱动隔膜式抽吸装置的驱动源与用以驱动处理液阀的驱动源彼此独立，故而可分别在最佳的动作时刻进行处理液阀的开关与隔膜式抽吸装置的抽吸/抽吸解除。

另外，上述第1抽吸装置亦可包括虹吸式抽吸装置。

另外，上述控制装置亦可在连续进行使用从上述喷出口喷出的处理液处理基板的基板处理的连续处理中执行上述第1抽吸步骤。在该情况下，上述控制装置亦可在上述连续处理之前及/或上述连续处理之后执行上述第2抽吸步骤。

根据该构成，连续处理中，由于连续地执行基板处理，故而处理液不会长时间地持续滞留在处理液配管内。因此，就减少处理液消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，连续处理中，执行使抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤作为抽吸步骤。

另一方面，在连续处理之前及/或连续处理之后，处理液长时间地持续滞留在处理液配管内。由于不能将经时变化的处理液用于下一基板处理，故而在连续处理之前及/或连续处理之后，执行使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤作为抽吸步骤。

通过以上，可将残留在处理液配管内的处理液以适于该处理液的状态的方式抽吸。

上述控制装置亦可在使用从上述喷出口喷出的处理液处理一片基板的基板处理期间执行上述第1抽吸步骤。在该情况下，上述控制装置亦可在上述基板处理之前及/或上述基板处理之后执行上述第2抽吸步骤。

根据该构成，对一片基板的基板处理中，处理液不会长时间地持续滞留在处理液配管内。因此，就减少处理液消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，基板处理中，执行使抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤作为抽吸步骤。

另一方面，根据基板处理的内容，在基板处理之前及/或基板处理之后，有处理液长时间地持续滞留在处理液配管内的情况。由于不能将经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的处理液用于下一基板处理，故而在连续处理之前及/或连续处理之后，执行使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤作为抽吸步骤。

通过以上，可将残留在处理液配管内的处理液以适于该处理液的状态的方式抽吸。

上述控制装置亦可在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间小于规定期间的情况下执行上述第1抽吸步骤。在该情况下，上述控制装置亦可在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间为规定期间以上的情况下执行上述第2抽吸步骤。

根据该构成，在从处理液从喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间不那么长的情况下，滞留在处理液配管内的处理液未发生经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)，因此可用于下一基板处理。在该情况下，就减少处理液消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，执行使抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤作为抽吸步骤。

另一方面，在从处理液的喷出停止起经过较长时间的情况下，有残留在处理液配管内的处理液经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的情况。此种处理液不宜直接用于处理，因此必须在下一基板处理之前将处理液配管内的处理液全部排出至配管外。因此，在该情况下，执行使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤作为抽吸步骤。

通过以上，可将残留在处理液配管内的处理液以适于该处理液的状态的方式抽吸。

上述控制装置亦可还执行计测从处理液从上述喷出口的喷出停止起的经过期间的经过期间计测步骤。此时，亦可在上述经过期间小于上述规定期间的情况下，由上述控制装置执行上述第1抽吸步骤，在上述经过期间为上述规定期间以上的情况下，由上述控制装置执行上述第2抽吸步骤。

根据该构成，通过计测从处理液从喷出口的喷出停止起的经过期间，可高精度地判别从处理液从喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间是否为上述规定期间以上。

上述喷出口亦可设置为无法在沿着保持于上述基板保持单元的基板的主面的方向上移动。根据该构成，喷出口设置为无法在沿着保持于基板保持单元的基板的表面的方向上移动。

另外，在处理液配管的内部的处理液经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的情况下，必须在下一基板处理的开始前将处理液配管内的处理液全部排出至配管外。然而，在喷出口设置为无法在沿着保持于基板保持单元的基板的主面的方向上移动的情况下，无法进行从喷出口喷出处理液的方式的处理液排出。因此，必须使用抽吸进行残留在处理液配管的内部的处理液的排出。另外，在喷出口设置为无法在沿着保持于基板保持单元的基板的主面的方向上移动的情况下，在喷出口与基板的主面相向的情况下，为了防止从喷出口的处理液的落液(所谓滴落)，必须在从喷出口喷出处理液后对处理液配管的内部进行抽吸而使处理液的前端面后退。

另外，通过根据处理液配管内的抽吸的目的(用于防止滴落的抽吸或用于排出处理液的抽吸)分开使用抽吸步骤，可一方面实现处理液的消耗量的减少以及处理液的消耗量的减少，一方面抽吸处理液配管内的处理液。

上述基板处理装置亦可还包括相向构件，该相向构件具有与保持于上述基板保持单元的基板的主面相向、且无法在沿着上述基板的主面的方向上移动的基板相向面。在该情况下，上述喷出口亦可形成于上述基板相向面。

根据该构成，无法使喷出口在沿着保持于基板保持单元的基板的表面的方向上移动。在该情况下，亦可一方面实现处理液的消耗量的减少且实现产出量的降低的抑制，一方面抽吸处理液配管内的处理液。

另外，本发明提供一种基板处理方法，通过包括与喷出口连通的处理液配管的基板处理装置来执行，包括：处理液供给步骤，为了从上述喷出口喷出处理液而对上述处理液配管供给处理液；及抽吸步骤，对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；上述抽吸步骤包括：第1抽吸步骤，使处理液的前端面后退，而使抽吸后的处理液的前端面配置于上述处理液配管的内部的预先设定的待机位置；及第2抽吸步骤，使处理液的前端面比上述待机位置后退得大；选择性地执行上述第1及第2抽吸步骤。

根据该方法，在抽吸步骤中，抽吸存在于处理液配管的内部的处理液，使处理液的前端面后退。作为抽吸步骤，选择性地执行使处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤与使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤。

另外，在第1抽吸步骤中，所抽吸的处理液的量及时间比第2抽吸步骤减少。因此，在所有的抽吸步骤中，与执行第2抽吸步骤的情况相比，可实现处理液的消耗量的减少，另外，亦可抑制产出量的降低。

通过以上，可一方面实现处理液的消耗量的减少且实现产出量的降低的抑制，一方面抽吸处理液配管内的处理液。

在该发明的一实施方式中，上述基板处理装置还包括连接部，该连接部连接于上述处理液配管，且在内部具有用以供液体流通的流通空间。另外，上述第2抽吸步骤亦可包括使处理液的前端面比上述连接部的上游端后退的步骤。

根据该方法，在第2抽吸步骤中，使处理液的前端面比连接部的上游端后退。即，在第2抽吸步骤中，可从处理液配管的内部及连接部的流通空间都排除处理液。由此，在处理液配管内的处理液经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的情况下，可确实地防止该处理液用于下一基板处理。

另外，上述第1抽吸步骤亦可包括以规定的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液的步骤。在该情况下，上述第2抽吸步骤亦可包括以比上述第1抽吸步骤大的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液的步骤。

另外，若在第1及第2抽吸步骤两者中以较强的抽吸力抽吸处理液，则有无法准确地控制第1抽吸步骤的抽吸后的处理液的前端面的担心。若在第1及第2抽吸步骤两者中以较弱的抽吸力抽吸处理液，则有第2抽吸步骤的执行需要较长时间的担心。

根据该方法，在第1抽吸步骤中，以相对较弱的抽吸力抽吸处理液配管内的处理液，使处理液的前端面后退。因此，能准确地控制第1抽吸步骤的抽吸后的处理液的前端面，且能以短时间进行第2抽吸步骤的执行。

另外，上述第1抽吸步骤亦可为在连续进行使用从上述喷出口喷出的处理液处理基板的基板处理的连续处理中进行的步骤。在该情况下，上述第2抽吸步骤亦可为在上述连续处理之前及/或上述连续处理之后进行的步骤。

根据该方法，在连续处理中，由于连续地执行基板处理，故而处理液不会长时间地持续滞留在处理液配管内。因此，就减少处理液消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，在连续处理中，执行使抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤作为抽吸步骤。

另一方面，在连续处理之前及/或连续处理之后，处理液长时间地持续滞留在处理液配管内。由于不能将经时变化的处理液用于下一基板处理，故而在连续处理之前及/或连续处理之后，执行使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤作为抽吸步骤。

通过以上，可将残留在处理液配管内的处理液以适在该处理液的状态的方式抽吸。

另外，上述第1抽吸步骤亦可为在使用从上述喷出口喷出的处理液处理一片基板的基板处理期间进行的步骤。在该情况下，上述第2抽吸步骤亦可为在上述基板处理之前及/或上述基板处理之后进行的步骤。

根据该方法，对一片基板的基板处理中，处理液不会长时间地持续滞留在处理液配管内。因此，就减少处理液消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，在基板处理中，执行使抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤作为抽吸步骤。

另一方面，根据基板处理的内容，在基板处理之前及/或基板处理之后，有处理液长时间地持续滞留在处理液配管内的情况。由于不能将经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的处理液用于下一基板处理，故而在连续处理之前及/或连续处理之后，执行使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤作为抽吸步骤。

通过以上，可将残留在处理液配管内的处理液以适在该处理液的状态的方式抽吸。

另外，上述第1抽吸步骤亦可为在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间小于规定期间的情况下进行的步骤。在该情况下，上述第2抽吸步骤亦可为在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间为规定期间以上的情况下进行的步骤。

根据该方法，在从处理液从喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间不那么长的情况下，滞留在处理液配管内的处理液未发生经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)，因此可用于下一基板处理。在该情况下，就减少处理液消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，执行使抽吸后的处理液的前端面配置于待机位置的第1抽吸步骤作为抽吸步骤。

另一方面，在从处理液的喷出停止经过较长时间的情况下，有残留在处理液配管内的处理液发生经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的情况。此种处理液不宜直接用于处理，因此必须在下一基板处理之前将处理液配管内的处理液全部排出至配管外。因此，在该情况下，执行使处理液的前端面比待机位置后退的第2抽吸步骤作为抽吸步骤。

通过以上，可将残留在处理液配管内的处理液以适于该处理液的状态的方式抽吸。

另外，上述基板处理方法还包括计测从处理液从上述喷出口的喷出停止起的经过期间的经过期间计测步骤，上述第1抽吸步骤是在上述经过期间小于上述规定期间的情况下执行的步骤，上述第2抽吸步骤是在上述经过期间为上述规定期间以上的情况下执行的步骤。

根据该方法，通过计测从处理液从喷出口的喷出停止起的经过期间，可高精度地判别从处理液从喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间是否为上述规定期间以上。

本发明中的上述的或进而其他的目的、特征及效果参照附图并通过如下所述的实施方式的说明而明了。

附图说明

图1是在水平方向上观察本发明的第1实施方式的基板处理装置的图。

图2是上述基板处理装置所具备的相向构件的纵截面图。

图3是上述相向构件的仰视图。

图4是表示上述基板处理装置所具备的第1供给/抽吸单元的结构的图。

图5是表示上述基板处理装置所具备的第2供给/抽吸单元的结构的图。

图6是表示上述基板处理装置所具备的第3供给/抽吸单元的结构的图。

图7是用以说明上述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。

图8是用以说明通过上述基板处理装置执行的基板处理例的流程图。

图9是表示使用上述第1供给/抽吸单元的药液的喷出的图。

图10是表示使用上述第1供给/抽吸单元的药液的喷出停止的图。

图11是表示使用上述第1供给/抽吸单元的药液的第1抽吸的图。

图12是表示使用上述第1供给/抽吸单元的药液的第2抽吸的图。

图13是表示使用上述第2供给/抽吸单元的有机溶剂的喷出的图。

图14是表示使用上述第2供给/抽吸单元的有机溶剂的喷出停止的图。

图15是表示使用上述第2供给/抽吸单元的有机溶剂的第1抽吸的图。

图16是表示使用上述第2供给/抽吸单元的有机溶剂的第2抽吸的图。

图17是用以详细地说明上述基板处理例中所包括的各处理液供给步骤的流程图。

图18是用以说明本发明的第1变形例的图。

图19是用以说明本发明的第2变形例的图。

图20是用以说明本发明的第2实施方式的基板处理装置的内部的布局的图解性俯视图。

图21是用以说明图20所示的处理单元的结构例的图解性剖面图。

图22是图21所示的中心轴喷嘴的纵截面图。

图23是上述中心轴喷嘴的仰视图。

图24是用以说明图21所示的疏水化剂供给单元的结构的图。

图25是用以说明上述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。

图26是用以说明上述处理单元中执行的基板处理的内容的流程图。

图27是表示在上述处理单元中根据预规程执行的前处理的流程的流程图。

图28是表示在上述处理单元中根据工艺规程执行的基板处理的流程的流程图。

图29是表示在上述处理单元中根据工艺规程执行的前处理的流程的流程图。

图30A是表示向上述基板处理装置搬入基板之前的处理单元的状态的图。

图30B是用以说明图27所示的预分配步骤的图。

图31是用以说明图28所示的疏水化剂供给步骤的图。

图32是用以说明在上述疏水化剂供给步骤后进行的第1抽吸步骤的图。

图33是用以说明图29所示的连接部清洗步骤的图。

图34是用以说明图29所示的配管清洗步骤的图。

图35是用以说明图29所示的第2抽吸步骤的图。

图36是用以说明图29所示的填充步骤的图。

具体实施方式

图1是在水平方向上观察本发明的第1实施方式的基板处理装置1的图。基板处理装置1是逐片处理作为基板W的一例的半导体晶片的单片型装置。基板处理装置1包括处理基板W的处理单元2、及控制基板处理装置1所具备的装置或阀的开关的控制装置3。

处理单元2包括：箱形的腔室4，其具有内部空间；旋转卡盘(基板保持单元)5，其在腔室4内将一片基板W以水平的姿势保持并且使基板W绕通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线旋转；第1喷嘴配管(处理液配管)9，其具有用以朝向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面(主面)的中央部喷出处理液的第1喷出口(喷出口)8；第2喷嘴配管(处理液配管)11，其具有用以朝向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面的中央部喷出处理液的第2喷出口(喷出口)10；第3喷嘴配管(处理液配管)13，其具有用以朝向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面的中央部喷出处理液的第3喷出口(喷出口)12；第1供给/抽吸单元(处理液供给单元、抽吸单元)14，其用以对第1喷嘴配管9选择性地供给药液及冲洗液，且抽吸第1喷嘴配管9内的药液；第2供给/抽吸单元(处理液供给单元、抽吸单元)15，其用以对第2喷嘴配管11供给液态的有机溶剂，且抽吸第2喷嘴配管11内的有机溶剂；第3供给/抽吸单元(处理液供给单元、抽吸单元)16，其用以对第3喷嘴配管13供给液体的表面改性剂，且抽吸第3喷嘴配管13内的表面改性剂；及筒状的杯部17，其包围旋转卡盘5。

腔室4包括：箱状的间隔壁18，其收容旋转卡盘5或喷嘴；作为送风单元的风机过滤单元(FFU，Fan Filter Unit)19，其从间隔壁18的上部向间隔壁18内输送净化空气(经过滤器过滤的空气)；及排气管20，其从间隔壁18的下部排出腔室4内的气体。FFU19配置于间隔壁18的上方，安装于间隔壁18的顶壁。FFU19从间隔壁18的顶壁向腔室4内朝下输送净化空气。排气管20连接于杯部17的底部，朝向设置基板处理装置1的工厂中设置的排气处理设备导出腔室4内的气体。因此，通过FFU19及排气管20形成在腔室4内向下方流动的降流(下降流)。基板W的处理在腔室4内形成有降流的状态下进行。

作为旋转卡盘5，采用在水平方向上夹着基板W而将基板W水平地保持的夹持式卡盘。具体而言，旋转卡盘5包括：旋转马达22；下旋转轴23，其与该旋转马达22的驱动轴一体化；及圆板状的旋转基底24，其大致水平地安装于下旋转轴23的上端。

在旋转基底24的上表面，在其周缘部配置有多个(3个以上，例如6个)夹持构件25。多个夹持构件25在旋转基底24的上表面周缘部，在与基板W的外周形状对应的圆周上隔开适当的间隔而配置。

另外，作为旋转卡盘5，并不限于夹持式卡盘，例如亦可采用通过真空吸附基板W的背面而将基板W以水平的姿势保持，进而通过在该状态下绕铅垂的旋转轴线旋转而使保持于旋转卡盘5的基板W旋转的真空吸附式卡盘(真空吸盘)。

基板处理装置1还包括与保持于旋转卡盘5的基板W的上表面相向的相向构件26。图2是相向构件26的纵截面图。图3是相向构件26的仰视图。一边参照图1～图3，一边说明相向构件26。

相向构件26包括阻断板27、及设置为可与阻断板27一体地旋转的旋转轴28。阻断板27呈具有与基板W大致相同的直径或其以上的直径的圆板状。阻断板27在其下表面具有与基板W的整个上表面相向的由圆形的水平平坦面所构成的基板相向面29。在基板相向面29的中央部，形成有将阻断板27上下贯通的圆筒状的贯通孔30。贯通孔30由圆筒状的内周面划分出。

旋转轴28设置为能够绕通过阻断板27的中心且铅垂地延伸的旋转轴线A2(与基板W的旋转轴线A1一致的轴线)旋转。旋转轴28为圆筒状。旋转轴28的内周面形成为以旋转轴线A2为中心的圆筒面。旋转轴28的内部空间连通于阻断板27的贯通孔30。旋转轴28被在阻断板27的上方水平地延伸的支撑臂31支撑为能够相对旋转。在该实施方式中，支撑臂31仅可在上下方向上移动，在左右方向(即，沿着基板W的表面的方向)上不移动。换言之，基板相向面29及各喷出口8、10、12仅可在上下方向上移动，在左右方向(即，沿着基板W的表面的方向)上无法移动。

在贯通孔30的内部插通有沿阻断板27的旋转轴线A2上下延伸的中心轴喷嘴32。中心轴喷嘴32包括套管、以及在套管的内部上下相通的第1喷嘴配管9、第2喷嘴配管11及第3喷嘴配管13。在该实施方式中，第1～第3喷嘴配管9、11、13分别为内管。套管33在与阻断板27或旋转轴28非接触的状态下插入至贯通孔30的内部。

在阻断板27结合有包括电动马达等的结构的阻断板旋转单元34。阻断板旋转单元34使阻断板27及旋转轴28相对于支撑臂31绕旋转轴线A2旋转。

在支撑臂31结合有包括电动马达、滚珠螺杆等的结构的相向构件升降单元35。相向构件升降单元35将相向构件26(阻断板27及旋转轴28)及第1～第3喷嘴配管9、11、13与支撑臂31一起在铅垂方向上升降。相向构件升降单元35使阻断板27及喷嘴配管9、11、13在阻断板27的基板相向面29接近保持于旋转卡盘5的基板W的上表面的接近位置与设置在接近位置的上方的退避位置之间升降。相向构件升降单元35能够在接近位置与退避位置之间的各位置保持阻断板27。

如图1所示，杯部17比保持于旋转卡盘5的基板W靠外侧(从旋转轴线A1离开的方向)。杯部17包围旋转基底24的周围。若在旋转卡盘5使基板W旋转的状态下将处理液供给至基板W，则供给至基板W的处理液会被甩向基板W的周围。在将处理液供给至基板W时，向上敞开的杯部17的上端部17a比旋转基底24靠上方。因此，排出至基板W的周围的处理液(药液、冲洗液、有机溶剂、表面改性剂等)由杯部17接住。继而，由杯部17接住的处理液被送至未图示的回收装置或排液装置。

图4是表示第1供给/抽吸单元14的结构的图。

第1喷嘴配管9具有第1上下方向部41及第1左右方向部42。第1左右方向部42的前端部连接于第1上下方向部41的基端部(上端部)。在第1上下方向部41的前端部(下端部)形成有第1喷出口8。

第1供给/抽吸单元14包括：第1共用配管43，其一端侧(图4的左侧)连接于第1喷嘴配管9的第1左右方向部42；第1连接部44，其连接有第1共用配管43的另一端侧(图4的右侧)；第1排液配管45，其一端侧(图4的左侧)连接于第1连接部44；药液配管46，其一端侧(图4的左侧)连接于第1连接部44；冲洗液配管47，其一端侧(图4的左侧)连接于第1连接部44；第1药液/冲洗液抽吸配管48，其一端侧(图4的左侧)分支连接于第1共用配管43的中途部；及第2药液/冲洗液抽吸配管49，其一端侧(图4的左侧)连接于第1连接部44。

在第1共用配管43中的第1药液/冲洗液抽吸配管48的分支位置的上游侧部分(第1喷出口8侧的部分)，安装有用以开关第1共用配管43的第1共用阀50。

在第1排液配管45安装有用以开关第1排液配管45的第1排液阀51。第1排液配管45的另一端侧连接于机器外的排液设备。

在药液配管46安装有用以开关药液配管46的药液阀52。从药液供给源对药液配管46的另一端侧供给药液。药液的具体例为氢氟酸(HF)。然而，药液并不限在氢氟酸，亦可为包括硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH：氢氧化四甲基铵等)、界面活性剂、防腐蚀剂中的至少一种的液体。

在冲洗液配管47安装有用以开关冲洗液配管47的冲洗液阀53。从冲洗液供给源对冲洗液配管47的另一端侧供给冲洗液。

冲洗液的具体例例如为去离子水(DIW)，但并不限在DIW，亦可为碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的氨水的任一者。

在第1共用配管43分支连接有第1药液/冲洗液抽吸配管48。在第1药液/冲洗液抽吸配管48安装有用以开关第1药液/冲洗液抽吸配管48的第1药液/冲洗液抽吸阀54。在第1药液/冲洗液抽吸配管48的另一端侧(前端)连接有第1药液/冲洗液抽吸装置(第1抽吸装置)55。第1药液/冲洗液抽吸装置55为虹吸式抽吸装置。

所谓虹吸式抽吸装置是指将配管(第1药液/冲洗液抽吸配管48)内以液体装满，利用虹吸的原理抽吸(排出)第1共用配管43内的液体的装置。虹吸式抽吸装置与以下所述的真空产生器或抽气器等喷射式抽吸装置相比，可抑制用于抽吸的能量消耗。

在第2药液/冲洗液抽吸配管49安装有用以开关第2药液/冲洗液抽吸配管49的第2药液/冲洗液抽吸阀56。在第2药液/冲洗液抽吸配管49的另一端侧(前端)连接有第2药液/冲洗液抽吸装置(第2抽吸装置)57。第2药液/冲洗液抽吸装置57为喷射式抽吸装置。喷射式抽吸装置与虹吸式抽吸装置相比，抽吸力较强(抽吸速度较快)，且可抽吸的液流量亦较多。

若在其他阀关闭的状态下，打开药液阀52及第1共用阀50，则药液从药液配管46供给至第1喷嘴配管9，从第1喷出口8朝向下方喷出药液。

另外，若在其他阀关闭的状态下，打开药液阀52及第1排液阀51，则药液从药液配管46供给至第1排液配管45。由此，可将药液配管46内的药液排出(废弃)。

若在其他阀关闭的状态下，打开冲洗液阀53及第1共用阀50，则冲洗液从冲洗液阀53供给至第1喷嘴配管9，从第1喷出口8朝向下方喷出冲洗液。

另外，若在其他阀关闭的状态下，打开冲洗液阀53及第1排液阀51，则冲洗液从冲洗液阀53供给至第1排液配管45。由此，可将冲洗液配管47内的冲洗液排出(废弃)。

第1药液/冲洗液抽吸装置55例如设为始终工作状态。在第1药液/冲洗液抽吸装置55的工作状态下，若打开第1药液/冲洗液抽吸阀54，则第1药液/冲洗液抽吸装置55的作用被有效化，第1药液/冲洗液抽吸配管48的内部被抽吸，第1药液/冲洗液抽吸配管48中所含的处理液(药液或冲洗液)被引入至第2药液/冲洗液抽吸配管49。第1药液/冲洗液抽吸装置55的抽吸力相对较弱，其抽吸速度亦相对较慢。

另外，第2药液/冲洗液抽吸装置57例如设为始终工作状态。在第2药液/冲洗液抽吸装置57的工作状态下，若打开第2药液/冲洗液抽吸阀56，则第2药液/冲洗液抽吸装置57的作用被有效化，第2药液/冲洗液抽吸配管49的内部被抽吸，第2药液/冲洗液抽吸配管49、第1连接部44、第1共用配管43及第1喷嘴配管9中所含的处理液(药液或冲洗液)被引入至第2药液/冲洗液抽吸配管49。第2药液/冲洗液抽吸装置57的抽吸力强于第1药液/冲洗液抽吸装置55的情况，其抽吸速度亦比第1药液/冲洗液抽吸装置55的情况快。

第1供给/抽吸单元14中，第1共用配管43、第1连接部44、药液配管46、药液阀52、冲洗液配管47及冲洗液阀53构成处理液供给单元。另外，第1供给/抽吸单元14中，第1共用配管43、第1药液/冲洗液抽吸配管48、第1药液/冲洗液抽吸装置55、第1连接部44、第2药液/冲洗液抽吸配管49及第2药液/冲洗液抽吸装置57构成抽吸单元。

图5是表示第2供给/抽吸单元15的结构的图。

第2喷嘴配管11具有第2上下方向部61及第2左右方向部62。第2左右方向部62的前端部连接于第2上下方向部61的基端部(上端部)。在第2上下方向部61的前端部(下端部)形成有第2喷出口10。

第2供给/抽吸单元15包括：第2共用配管63，其一端侧(图5的左侧)连接于第2喷嘴配管11的第2左右方向部62；第2连接部64，其连接有第2共用配管63的另一端侧(图5的右侧)；第2排液配管65，其一端侧(图5的左侧)连接于第2连接部64；有机溶剂配管66，其一端侧(图5的左侧)连接于第2连接部64；及有机溶剂抽吸配管69，其一端侧(图5的左侧)连接于第2连接部64。

在第2共用配管63安装有用以开关第2共用配管63的第2共用阀70。

在第2排液配管65安装有用以开关第2排液配管65的第2排液阀71。第2排液配管65的另一端侧连接于机器外的排液设备。

在有机溶剂配管66安装有用以开关有机溶剂配管66的有机溶剂阀72。从有机溶剂供给源对有机溶剂配管66的另一端侧供给有机溶剂。有机溶剂的一例为IPA(isopropylalcohol，异丙醇)。

在第2共用配管63，在比第2共用阀70的安装位置靠下游侧部分安装有第1有机溶剂抽吸装置(第1抽吸装置)75。第1有机溶剂抽吸装置75为隔膜式抽吸装置。隔膜式抽吸装置是如下的抽吸装置，其包括安装于第2共用配管63的中途部的筒状的头、及收容在头内的隔膜，且通过隔膜的驱动而使形成于头内的流路的容积变化(参照日本特开2016-111306号公报等)。

在有机溶剂抽吸配管69安装有用以开关有机溶剂抽吸配管69的有机溶剂抽吸阀76。在有机溶剂抽吸配管69的另一端侧(前端)连接有第2有机溶剂抽吸装置(第2抽吸装置)77。第2有机溶剂抽吸装置77是与第2药液/冲洗液抽吸装置57相同的喷射式抽吸装置。喷射式抽吸装置与隔膜式抽吸装置相比，抽吸力较强(抽吸速度较快)，且可抽吸的液流量亦较多。

若在其他阀关闭的状态下，打开有机溶剂阀72及第2共用阀70，则有机溶剂从有机溶剂配管66供给至第2喷嘴配管11，从第2喷出口10朝向下方喷出有机溶剂。

另外，若在其他阀关闭的状态下，打开有机溶剂阀72及第2排液阀71，则有机溶剂从有机溶剂配管66供给至第2排液配管65。由此，可将有机溶剂配管66内的有机溶剂排出(废弃)。

第1有机溶剂抽吸装置75通过控制装置3而工作(第1有机溶剂抽吸装置75的作用被有效化)。在该工作状态下，第2共用配管63中所含的有机溶剂被引入至第1有机溶剂抽吸装置75。第1有机溶剂抽吸装置75的抽吸力相对较弱，其抽吸速度亦相对较慢。

另外，第2有机溶剂抽吸装置77例如设为始终工作状态。在第2有机溶剂抽吸装置77的工作状态下，若打开有机溶剂抽吸阀76，则第2有机溶剂抽吸装置77的作用被有效化，有机溶剂抽吸配管69的内部被抽吸，有机溶剂抽吸配管69、第2连接部64、第2共用配管63及第2喷嘴配管11中所含的有机溶剂被引入至有机溶剂抽吸配管69。第2有机溶剂抽吸装置77的抽吸力强于第1有机溶剂抽吸装置75的情况，其抽吸速度亦比第1有机溶剂抽吸装置75的情况快。

第2供给/抽吸单元15中，第2共用配管63、第2连接部64、有机溶剂配管66及有机溶剂阀72构成处理液供给单元。另外，第2供给/抽吸单元15中，第2共用配管63、第1有机溶剂抽吸装置75、第2连接部64、有机溶剂抽吸配管69及第2有机溶剂抽吸装置77构成抽吸单元。

图6是表示第3供给/抽吸单元16的结构的图。

第3喷嘴配管13具有第3上下方向部81及第3左右方向部82。第3左右方向部82的前端部连接于第3上下方向部81的基端部(上端部)。在第3上下方向部81的前端部(下端部)形成有第3喷出口12。

第3供给/抽吸单元16包括：第3共用配管83，其一端侧(图6的左侧)连接于第3喷嘴配管13的第3左右方向部82；第3连接部84，其连接有第3共用配管83的另一端侧(图6的右侧)；第3排液配管85，其一端侧(图6的左侧)连接于第3连接部84；第1表面改性剂配管86，其一端侧(图6的左侧)连接于第3连接部84；第2表面改性剂配管87，其一端侧(图6的左侧)连接于第3连接部84；及表面改性剂抽吸配管89，其一端侧(图6的左侧)连接于第3连接部84。表面改性剂的一例为疏水化剂。疏水化剂可为硅系疏水化剂，亦可为金属系疏水化剂。

硅系疏水化剂是使硅(Si)本身及含有硅的化合物疏水化的疏水化剂。硅系疏水化剂例如为硅烷偶合剂。硅烷偶合剂例如包括HMDS(六甲基二硅氮烷)、TMS(四甲基硅烷)、氟化烷氯硅烷、烷基二硅氮烷、及非氯系疏水化剂的至少一种。非氯系疏水化剂例如包括二甲基硅烷基二甲胺、二甲基硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基胺基)二甲基硅烷、N,N-二甲基胺基三甲基硅烷、N-(三甲基硅烷基)二甲胺及有机硅烷化合物的至少一种。

金属系疏水化剂是例如具有较高的配位性，主要通过配位键使金属疏水化的溶剂。该疏水化剂例如包括具有疏水基的胺、及有机硅化合物的至少一种。

在第3共用配管83安装有用以开关第3共用配管83的第3共用阀90。

在第3排液配管85安装有用以开关第3排液配管85的第3排液阀91。第3排液配管85的另一端侧连接于机器外的排液设备。

在第1表面改性剂配管86安装有用以开关第1表面改性剂配管86的第1表面改性剂阀92。从第1表面改性剂原液供给源对第1表面改性剂配管86的另一端侧供给第1表面改性剂原液。

在第2表面改性剂配管87安装有用以开关第2表面改性剂配管87的第2表面改性剂阀93。从第2表面改性剂原液供给源对第2表面改性剂配管87的另一端侧供给第2表面改性剂原液。

在第3共用配管83，在比第3共用阀90的安装位置靠下游侧部分安装有第1表面改性剂抽吸装置(第1抽吸装置)95。第1表面改性剂抽吸装置95是与第1有机溶剂抽吸装置75相同的隔膜式抽吸装置。

在表面改性剂抽吸配管89安装有用以开关表面改性剂抽吸配管89的表面改性剂抽吸阀96。在表面改性剂抽吸配管89的另一端侧(前端)连接有第2表面改性剂抽吸装置(第2抽吸装置)97。第2表面改性剂抽吸装置97是与第2药液/冲洗液抽吸装置57相同的喷射式抽吸装置。

若在其他阀关闭的状态下，打开第1表面改性剂阀92、第2表面改性剂阀92及第3共用阀90，则来自第1表面改性剂配管86的第1表面改性剂原液及来自第2表面改性剂配管87的第2表面改性剂原液流入至第3连接部84，在第3连接部84内混合而生成表面改性剂。该表面改性剂被供给至第3喷嘴配管13，从第3喷出口12朝向下方喷出表面改性剂。

另外，若在其他阀关闭的状态下，打开第1表面改性剂阀92及第3排液阀91，则第1表面改性剂原液从第1表面改性剂配管86供给至第3排液配管85。由此，可将第1表面改性剂配管86内的第1表面改性剂原液排出(废弃)。

另外，若在其他阀关闭的状态下，打开第2表面改性剂阀93及第3排液阀91，则第2表面改性剂原液从第2表面改性剂配管87供给至第3排液配管85。由此，可将第2表面改性剂配管87内的第2表面改性剂原液排出(废弃)。

第1表面改性剂抽吸装置95通过控制装置3而工作(第1表面改性剂抽吸装置95的作用被有效化)。在该工作状态下，第3共用配管83中所含的表面改性剂被引入至第1表面改性剂抽吸装置95。第1表面改性剂抽吸装置95的抽吸力相对较弱，其抽吸速度亦相对较慢。

另外，第2表面改性剂抽吸装置97例如设为始终工作状态。在第2表面改性剂抽吸装置97的工作状态下，若打开表面改性剂抽吸阀96，则第2表面改性剂抽吸装置97的作用被有效化，表面改性剂抽吸配管89的内部被抽吸，表面改性剂抽吸配管89、第3连接部84、第3共用配管83及第3喷嘴配管13中所含的表面改性剂被引入至表面改性剂抽吸配管89。第2表面改性剂抽吸装置97的抽吸力强于第1表面改性剂抽吸装置95的情况，其抽吸速度亦比第1表面改性剂抽吸装置95的情况快。

第3供给/抽吸单元16中，第3共用配管83、第3连接部84、第1表面改性剂配管86、第1表面改性剂阀92及第2表面改性剂阀93构成处理液供给单元。另外，第3供给/抽吸单元16中，第3共用配管83、第1表面改性剂抽吸装置95、第3连接部84、表面改性剂抽吸配管89及第2表面改性剂抽吸装置97构成抽吸单元。

图7是用以说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。

控制装置3使用例如微型计算机而构成。在控制装置3连接有由基板处理装置1的用户等操作的操作键101。控制装置3具有CPU等运算单元、固体内存组件、硬盘驱动器等存储单元、及输入输出单元(未图示)。在存储单元中存储有运算单元执行的程序。

存储单元包括存储规程的规程存储部102，该规程存储对基板W的各处理的内容。规程存储部102包括可电改写数据的非易性存储器。通过操作键101的操作，使用者输入各处理步骤中的基板W的转速等执行内容，由此可制作规程。通过操作键101的操作而制作的规程存储(保存)在规程存储部102。

存储(保存)在规程存储部102(参照图7)的规程包括用于执行药液供给步骤(图8的S3)的药液供给规程RE1、用于执行有机溶剂供给步骤(图8的S5、S7)的有机溶剂供给规程RE2、及用于执行表面改性剂供给步骤(图8的S6)的表面改性剂供给规程RE3。

在药液供给规程RE1中规定药液供给步骤(图8的S3)中的处理条件。具体而言，规定药液供给步骤(图8的S3)中的基板W的旋转速度、处理期间等处理条件。另外，在药液供给规程RE1中指定，在喷出药液后，进行使用第1药液/冲洗液抽吸装置55(参照图4)的抽吸动作。基于此种药液供给规程RE1，执行药液供给步骤(图8的S3)。

在有机溶剂供给规程RE2中规定第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)中的处理条件、及第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)中的处理条件。具体而言，规定第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)及第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)中的基板W的旋转速度、处理期间等处理条件。另外，在有机溶剂供给规程RE2中指定，在喷出有机溶剂后，进行使用第1有机溶剂抽吸装置75(参照图5)的抽吸动作。基于此种有机溶剂供给规程RE2，执行第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)及第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)。

在表面改性剂供给规程RE3中规定表面改性剂供给步骤(图8的S6)中的处理条件。具体而言，规定表面改性剂供给步骤(图8的S6)中的基板W的旋转速度、处理期间等处理条件。另外，在表面改性剂供给规程RE3中指定，在喷出表面改性剂后，进行使用第1表面改性剂抽吸装置95(参照图6)的抽吸动作。基于此种表面改性剂供给规程RE3，执行表面改性剂供给步骤(图8的S6)。

另外，存储单元包括用于设定药液供给步骤(图8的S3)中的抽吸的方式的第1抽吸标志103A、用于设定第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)及第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)中的抽吸的方式的第2抽吸标志103B、及用于设定表面改性剂供给步骤(图8的S6)中的抽吸的方式的第3抽吸标志103C。

在各抽吸标志103A、103B、103C中选择储存预先设定的值(5A[H]或00[H])。在抽吸标志103A、103B、103C中储存有00[H]作为初始值。在从前次药液供给步骤(图8的S3)结束经过规定期间的情况下，在第1抽吸标志103A中储存5A[H]。在从前次第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)结束或前次第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)结束经过规定期间的情况下，在第2抽吸标志103B中储存5A[H]。在从前次表面改性剂供给步骤(图8的S6)结束经过规定期间的情况下，在第3抽吸标志103C中储存5A[H]。在抽吸标志103A、103B、103C中储存有5A[H]的情况下，该抽吸标志成为打开状态。另一方面，在抽吸标志103A、103B、103C中储存有00[H]的情况下，该抽吸标志成为关闭状态。

另外，控制装置3内置有计时器。计时器包括：第1经过期间计时器104A，其用以对从前次药液供给步骤(图8的S3)结束后(即，前次的药液从第1喷出口8的喷出结束后)起的经过期间进行计时(计测)；第2经过期间计时器104B，其用以对从前次第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)结束后、或前次第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)结束后(即，前次的有机溶剂从第2喷出口10的喷出结束后)起的经过期间进行计时(计测)；及第3经过期间计时器104C，其用以对从前次表面改性剂供给步骤(图8的S6)结束后(即，前次的表面改性剂从第3喷出口12的喷出结束后)起的经过期间进行计时(计测)。

进而，控制装置3控制旋转马达22、相向构件升降单元35、阻断板旋转单元34、第1药液/冲洗液抽吸装置55、第2药液/冲洗液抽吸装置57、第1有机溶剂抽吸装置75、第2有机溶剂抽吸装置77、第1表面改性剂抽吸装置95、第2表面改性剂抽吸装置97等的动作。另外，控制装置3将第1共用阀50、第1排液阀51、药液阀52、冲洗液阀53、第1药液/冲洗液抽吸阀54、第2药液/冲洗液抽吸阀56、第2共用阀70、第2排液阀71、有机溶剂阀72、有机溶剂抽吸阀76、第3共用阀90、第3排液阀91、第1表面改性剂阀92、第2表面改性剂阀93、表面改性剂抽吸阀96等进行开关。

基板W在保持于基板搬送机械手(未图示)的手部(未图示)的状态下搬入至处理单元2内。若基板W被搬入至处理单元2内，则控制装置3的运算单元从规程存储部102读出与该基板W对应的规程。在该规程中设定有用以一次执行如下所述的各步骤的控制参数。而且，控制装置3控制处理单元2，执行所读出的规程所规定的一系列处理。

图8是用以说明利用处理单元2的基板处理例的流程图。图9～图12是表示药液供给步骤(图8的S3)中的药液的喷出动作及抽吸动作的图。图13～图16是表示第1有机溶剂供给步骤(图8的S5)或第2有机溶剂供给步骤(图8的S7)中的有机溶剂的喷出动作及抽吸动作的图。以下，一边参照图1～图8，一边对基板处理例进行说明。对于图9～图16则适当参照。基板处理例可为蚀刻处理，亦可为清洗处理。关于基板处理例的执行，始终参照从规程存储部102读出的规程。

在执行基板处理例时，未处理的基板W被搬入至腔室4的内部(图8的步骤S1)。

具体而言，通过使保持基板W的基板搬送机械手的手部进入腔室4的内部，而将基板W以其表面(药液处理对象面)朝向上方的状态交给旋转卡盘5。其后，将基板W保持于旋转卡盘5。

其后，控制装置3通过旋转马达22而使基板W的旋转开始(图8的步骤S2)。基板W上升至预先设定的液体处理速度(在约10～1200rpm的范围内，例如约1000rpm)，并维持在该液体处理速度。

继而，控制装置3进行对基板W的上表面供给药液的药液供给步骤(图8的步骤S3)。控制装置3一边关闭其他阀，一边打开药液阀52及第1共用阀50。由此，如图9所示，从形成于阻断板27的基板相向面29的第1喷出口8朝向基板W的上表面中央部喷出药液。供给至基板W的上表面的药液受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，使用药液处理基板W的整个上表面。

若从药液喷出开始经过预先设定的期间，则控制装置3关闭药液阀52。由此，如图10所示，药液从第1喷出口8的喷出停止。此时，在第1喷嘴配管9内、第1共用配管43内及第1连接部44内残留有药液。

其后，控制装置3仅使第1药液/冲洗液抽吸装置55及第2药液/冲洗液抽吸装置57中的一者的作用有效化，而抽吸第1喷嘴配管9内的药液。使第1药液/冲洗液抽吸装置55及第2药液/冲洗液抽吸装置57中的哪一个的作用有效化，参照与第1供给/抽吸单元14对应的第1抽吸标志103A的值而决定。

在抽吸标志103为关闭状态的情况下，控制装置3关闭第1共用阀50，且打开第1药液/冲洗液抽吸阀54，使第1药液/冲洗液抽吸装置55的作用有效化。由此，第1共用配管43的比第1药液/冲洗液抽吸配管48的分支部分靠上游侧部分的内部被抽吸，如图11所示，残留在该上游侧部分的内部的药液通过相对较弱的抽吸力被引入至第1药液/冲洗液抽吸配管48。药液的抽吸进行至药液的前端面后退到设定在第1左右方向部42内的规定的待机位置为止。若药液的前端面后退至待机位置，则控制装置3关闭第1药液/冲洗液抽吸阀54及第1共用阀50。

另一方面，在抽吸标志103为打开状态的情况下，控制装置3在关闭第1共用阀50的状态下打开第2药液/冲洗液抽吸阀56而使第2药液/冲洗液抽吸装置57的作用有效化。由此，第1连接部44的内部被抽吸，如图12所示，残留在第1喷嘴配管9及第1共用配管43的内部的药液通过第1连接部44并通过相对较强的抽吸力被引入至第2药液/冲洗液抽吸配管49。若从第1喷嘴配管9内、第1共用配管43内、第1连接部44内及第2药液/冲洗液抽吸配管49内将药液全部排出，则控制装置3关闭第2药液/冲洗液抽吸阀56及第1共用阀50。

通过第1共用阀50的闭合，药液供给步骤S3结束。

继而，控制装置3进行对基板W的上表面供给冲洗液的冲洗步骤(图8的步骤S4)。控制装置3一边关闭其他阀，一边打开冲洗液阀53及第1共用阀50。由此，从形成于阻断板27的基板相向面29的第1喷出口8朝向基板W的上表面中央部喷出冲洗液。供给至基板W的上表面的冲洗液受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的药液被替换为冲洗液。

若从冲洗液喷出开始经过预先设定的期间，则在基板W的整个上表面被冲洗液覆盖的状态下，控制装置3控制旋转马达22，使基板W的旋转速度从液体处理速度阶段性地减速至覆液速度(零或约40rpm以下的低旋转速度，在第1基板处理例中例如为约10rpm)。其后，将基板W的旋转速度维持为覆液速度。由此，覆盖基板W的整个上表面的冲洗液的液膜以覆液状支撑在基板W的上表面。在该状态下，作用在基板W的上表面的冲洗液的液膜的离心力小于作用在冲洗液与基板W的上表面之间的表面张力，或者上述的离心力与上述的表面张力大致平衡。通过基板W的减速，作用在基板W上的冲洗液的离心力减弱，从基板W上排出的冲洗液的量减少。

若从将基板W减速至覆液速度起经过预先设定的期间，则控制装置3关闭冲洗液阀53及第1共用阀50。由此，冲洗液从第1喷出口8的喷出停止。此时，在第1喷嘴配管9内、第1共用配管43内及第1连接部44内残留有冲洗液。

其后，控制装置3在关闭第1共用阀50的状态下，仅使第1药液/冲洗液抽吸装置55的作用有效化，抽吸第1喷嘴配管9内的冲洗液。由此，第1共用配管43的比第1药液/冲洗液抽吸配管48的分支部分靠上游侧部分的内部被抽吸，残留在该上游侧部分的内部的冲洗液通过相对较弱的抽吸力被引入至第1药液/冲洗液抽吸配管48。冲洗液的抽吸进行至冲洗液的前端面后退到设定在第1左右方向部42内的规定的待机位置为止。若冲洗液的前端面后退至待机位置，则控制装置3关闭第1药液/冲洗液抽吸阀54。由此，冲洗步骤S4结束。

继而，控制装置3进行将存在于基板W的上表面的冲洗液替换为有机溶剂(例如IPA)的第1有机溶剂供给步骤(图8的步骤S5)。具体而言，控制装置3控制相向构件升降单元35，将阻断板27配置于接近位置与退避位置之间的处理位置。

另外，控制装置3一边将基板W的旋转维持为覆液速度，一边关闭其他阀并且打开有机溶剂阀72及第2共用阀70。由此，如图13所示，从形成于阻断板27的基板相向面29的第2喷出口10朝向基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。供给至基板W的上表面的有机溶剂受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的冲洗液由有机溶剂替换。

若从有机溶剂的喷出开始经过预先设定的期间，则控制装置3关闭有机溶剂阀72及第2共用阀70。由此，如图14所示，从第2喷出口10的有机溶剂的喷出停止。此时，在第2喷嘴配管11内、第2共用配管63内及第2连接部64内残留有有机溶剂。

其后，控制装置3在关闭第2共用阀70的状态下，仅使第1有机溶剂抽吸装置75及第2有机溶剂抽吸装置77的一者的作用有效化，抽吸第2喷嘴配管11内的有机溶剂。使第1有机溶剂抽吸装置75及第2有机溶剂抽吸装置77中的哪一个的作用有效化，参照与第2供给/抽吸单元15对应的第2抽吸标志103B的值而决定。

在第2抽吸标志103B为关闭状态的情况下，控制装置3使第1有机溶剂抽吸装置75工作而使第1有机溶剂抽吸装置75的作用有效化。由此，第2共用配管63的比第1有机溶剂抽吸装置75的安装部分靠下游侧部分(第2喷出口10侧的部分)的内部被抽吸，如图15所示，残留在该下游侧部分的内部的有机溶剂通过相对较弱的抽吸力被引入至第1有机溶剂抽吸装置75的内部(通过隔膜的驱动而扩展的区域)。有机溶剂的抽吸进行至有机溶剂的前端面后退到设定在第2左右方向部62内的规定的待机位置为止。此时的有机溶剂的抽吸量为约0.1～1毫升。若有机溶剂的前端面后退至待机位置，则控制装置3关闭第2共用阀70。

另一方面，在第2抽吸标志103B为打开状态的情况下，控制装置3打开有机溶剂抽吸阀76而使第2有机溶剂抽吸装置77的作用有效化。由此，第2连接部64的内部被抽吸，如图16所示，残留在第2喷嘴配管11及第2共用配管63的内部的有机溶剂通过第2连接部64并通过相对较强的抽吸力被引入至有机溶剂抽吸配管69。若从第2喷嘴配管11内、第2共用配管63内、第2连接部64内及有机溶剂抽吸配管69内将有机溶剂全部排出，则控制装置3关闭有机溶剂抽吸阀76及第2共用阀70。

通过第2共用阀70的闭合，第1有机溶剂供给步骤S5结束。

继而，控制装置3进行将存在于基板W的上表面的冲洗液替换为液体的表面改性剂的表面改性剂供给步骤(图8的步骤S6)。具体而言，控制装置3一边将阻断板27维持在处理位置，一边关闭其他阀并且打开第1表面改性剂阀92、第2表面改性剂阀93及第3共用阀90。由此，从形成于阻断板27的基板相向面29的第3喷出口12朝向基板W的上表面中央部喷出表面改性剂。供给至基板W的上表面的表面改性剂受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的有机溶剂由表面改性剂替换。

若从表面改性剂的喷出开始经过预先设定的期间，则控制装置3关闭第1表面改性剂阀92、第2表面改性剂阀93及第3共用阀90。由此，表面改性剂从第3喷出口12的喷出停止。此时，在第3喷嘴配管13内、第3共用配管83内及第3连接部84内残留有表面改性剂。

其后，控制装置3在关闭第3共用阀90的状态下，仅使第1表面改性剂抽吸装置95及第2表面改性剂抽吸装置97的一者的作用有效化，抽吸第3喷嘴配管13内的表面改性剂。使第1表面改性剂抽吸装置95及第2表面改性剂抽吸装置97中的哪一个的作用有效化，参照与第3供给/抽吸单元16对应的第3抽吸标志103C的值而决定。

在第3抽吸标志103C为关闭状态的情况下，控制装置3使第1表面改性剂抽吸装置95工作而使第1表面改性剂抽吸装置95的作用有效化。由此，第3共用配管83的比第1表面改性剂抽吸装置95的安装部分靠下游侧部分(第3喷出口12侧的部分)的内部被抽吸，残留在该上游侧部分的内部的表面改性剂通过相对较弱的抽吸力被引入至第1表面改性剂抽吸装置95的内部(通过隔膜的驱动而扩展的区域)。表面改性剂的抽吸进行至表面改性剂的前端面后退到设定在第2左右方向部62内的规定的待机位置为止。此时的表面改性剂的抽吸量为约0.1～1毫升。若表面改性剂的前端面后退至待机位置，则控制装置3关闭第3共用阀90。

另一方面，在第3抽吸标志103C为打开状态的情况下，控制装置3打开表面改性剂抽吸阀96而使第2表面改性剂抽吸装置97的作用有效化。由此，第3连接部84的内部被抽吸，残留在第3喷嘴配管13及第3共用配管83的内部的表面改性剂通过第3连接部84并通过相对较强的抽吸力被引入至表面改性剂抽吸配管89。若从第3喷嘴配管13内、第3共用配管83内、第3连接部84内及表面改性剂抽吸配管89内将表面改性剂全部排出，则控制装置3关闭表面改性剂抽吸阀96及第3共用阀90。

通过第3共用阀90的闭合，表面改性剂供给步骤S6结束。

继而，控制装置3进行将存在于基板W的上表面的冲洗液替换为有机溶剂(例如IPA)的第2有机溶剂供给步骤(图8的步骤S7)。具体而言，控制装置3一边将阻断板27维持在处理位置，且将基板W的旋转维持为旋转干燥速度，一边关闭其他阀并且打开有机溶剂阀72及第2共用阀70。由此，如图13所示，从第2喷出口10朝向基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。供给至基板W的上表面的有机溶剂受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的表面改性剂由有机溶剂替换。

若从有机溶剂的喷出开始经过预先设定的期间，则控制装置3关闭有机溶剂阀72及第2共用阀70。由此，如图14所示，有机溶剂从第2喷出口10的喷出停止。此时，在第2喷嘴配管11内、第2共用配管63内及第2连接部64内残留有有机溶剂。

其后，控制装置3在关闭第2共用阀70的状态下，仅使第1有机溶剂抽吸装置75及第2有机溶剂抽吸装置77的作用的一者有效化，而抽吸第2喷嘴配管11内的有机溶剂。使第1有机溶剂抽吸装置75及第2有机溶剂抽吸装置77的作用的哪一个有效化，参照与第2供给/抽吸单元15对应的第2抽吸标志103B的值而决定。

在第2抽吸标志103B为关闭状态的情况下，控制装置3使第1有机溶剂抽吸装置75工作而使第1有机溶剂抽吸装置75的作用有效化。由此，第2共用配管63的比第1有机溶剂抽吸装置75的安装部分靠上游侧部分的内部被抽吸，如图15所示，残留在该上游侧部分的内部的有机溶剂通过相对较弱的抽吸力被引入至第1有机溶剂抽吸装置75内部(通过隔膜的驱动而扩展的区域)。有机溶剂的抽吸进行至有机溶剂的前端面后退到设定在第2左右方向部62内的规定的待机位置为止。此时的有机溶剂的抽吸量为约0.1～1毫升。若有机溶剂的前端面后退至待机位置，则控制装置3关闭第2共用阀70。

另一方面，在第2抽吸标志103B为打开状态的情况下，控制装置3打开有机溶剂抽吸阀76而使第2有机溶剂抽吸装置77的作用有效化。由此，第2连接部64的内部被抽吸，如图16所示，残留在第2喷嘴配管11及第2共用配管63的内部的有机溶剂通过第2连接部64并通过相对较强的抽吸力被引入至有机溶剂抽吸配管69。若从第2喷嘴配管11内、第2共用配管63内、第2连接部64内及有机溶剂抽吸配管69内将有机溶剂全部排出，则控制装置3关闭有机溶剂抽吸阀76及第2共用阀70。

通过第2共用阀70的闭合，第2有机溶剂供给步骤S7结束。

继而，进行使基板W干燥的旋转干燥步骤(图8的步骤S8)。具体而言，控制装置3控制相向构件升降单元35，将阻断板27配置于接近位置。当阻断板27位于处理位置时，阻断板27将基板W的上表面与其周围的空间阻断。另外，控制装置3通过控制旋转马达22，使基板W加速至大于药液供给步骤S3～第2有机溶剂供给步骤S7的各步骤中的旋转速度的干燥旋转速度(例如数千rpm)，以该干燥旋转速度使基板W旋转。由此，对基板W上的液体施加较大的离心力，附着在基板W的液体被甩向基板W的周围。如此，液体从基板W被去除，而使基板W干燥。

若从基板W的加速起经过预先设定的期间，则控制装置3通过控制旋转马达22而停止旋转卡盘5对基板W的旋转(图8的步骤S9)。其后，控制装置3控制相向构件升降单元35，使阻断板27上升而配置于退避位置。

其次，从腔室4内搬出基板W(图8的步骤S10)。具体而言，控制装置3使基板搬送机械手(未图示)的手部(未图示)进入腔室4的内部。继而，控制装置3使基板搬送机械手的手部保持旋转卡盘5上的基板W。其后，控制装置3使基板搬送机械手的手部从腔室4内退避。由此，从腔室4搬出清洗后的基板W。

图17是用以详细地说明各处理液供给步骤(图8的步骤S3、S5～S7)中的处理液的喷出动作及抽吸动作的流程图。

在各处理液供给步骤(图8的S3、S5～S7)中，若到达预先设定的处理液喷出开始时刻(步骤T1中是)，则控制装置3一边关闭其他阀，一边打开应当用于该处理的处理液阀(药液阀52、有机溶剂阀72或表面改性剂阀92、93)(步骤T2)，且打开与该处理液阀对应的共用阀(第1共用阀50、第2共用阀70或第3共用阀90)。由此，从喷出口(第1喷出口8、第2喷出口10或第3喷出口12)喷出处理液(药液、有机溶剂或表面改性剂)。

若从处理液的喷出开始经过由供给规程RE1、RE2、RE3指示的处理液喷出期间(步骤T3中是)，则控制装置3关闭应当用于处理的处理液阀(步骤T4)。由此，处理液从喷出口的喷出停止。

另外，若从处理液的喷出开始经过处理液喷出期间(步骤T3中是)，则利用经过期间计时器(第1经过期间计时器104A、第2经过期间计时器104B或第3经过期间计时器104C)的计时开始(经过时间计测步骤的开始，步骤T5)。其后，到达预先设定的处理液喷出开始时刻。

在处理液供给步骤(图8的S3、S5～S7)中，若到达预先设定的抽吸时刻(步骤T6中是)，则控制装置3参照对应的抽吸标志(第1抽吸标志103A、第2抽吸标志103B或第3抽吸标志103C)的值。在对应的抽吸标志的值为00[H](抽吸标志关闭)的情况下，控制装置3的运算单元使对应的第1抽吸装置(第1药液/冲洗液抽吸装置55、第1有机溶剂抽吸装置75或第1表面改性剂抽吸装置95)的作用有效化而进行处理液的抽吸动作。另一方面，在对应的抽吸标志的值为5A[H](抽吸标志打开)的情况下，控制装置3的运算单元使对应的第2抽吸装置(第2药液/冲洗液抽吸装置57、第2有机溶剂抽吸装置77或第2表面改性剂抽吸装置97)有效化而进行处理液的抽吸动作。

通过以上，根据该实施方式，在各处理液供给步骤(图8的S3、S5～S7)结束时执行的抽吸中，在从处理液的喷出停止的结束起的经过期间小于基准期间的情况下，以相对较弱的抽吸力抽吸，另一方面，在经过期间为基准期间以上的情况下，以相对较强的抽吸力抽吸。

在从处理液的喷出停止未经过那么多期间的情况下，残留在喷嘴配管9、11、13内的处理液(药液、有机溶剂、表面改性剂等)在下次处理液供给步骤中亦继续使用。在该情况下，以处理液的前端面后退至规定位置的方式抽吸处理液。因此，在从处理液的喷出停止的结束起的经过期间小于基准期间的情况下，通过相对较弱的抽吸力进行抽吸。由此，可使处理液的前端面准确地后退至规定位置，其结果为，可消除处理液滴落的担心。

另一方面，在从处理液的喷出停止经过较长期间的情况下，有残留在喷嘴配管9、11、13或共用配管43、63、83内的处理液(药液、有机溶剂、表面改性剂等)发生经时变化(温度变化或成分变化)的情况。此种处理液不宜直接用于处理，必须在执行下次的处理液抽吸供给步骤之前排出至机器外(进行所谓的预配液)。在从处理液的喷出停止起的经过期间为基准期间以上的情况下，通过较强的抽吸力进行抽吸。由此，可将经时变化的处理液从喷嘴配管9、11、13或共用配管43、63、83内排出。

通过以上，可将残留在喷嘴配管9、11、13或共用配管43、63、83内的处理液以适于该处理液的状态的方式抽吸。

例如作为设置在第1供给/抽吸单元14的第1抽吸装置，如图18所示，亦可设置包括与第2药液/冲洗液抽吸装置57相同的喷射式抽吸装置的第1药液/冲洗液抽吸装置112。具体而言，第1供给/抽吸单元14具备：第1药液/冲洗液抽吸配管111，其一端侧(图18的左侧)连接于第1连接部44；第1药液/冲洗液抽吸装置112，其连接于第1药液/冲洗液抽吸配管111的另一端侧(前端)；及抽吸阀113，其用以开关第1药液/冲洗液抽吸配管111。在如此采用喷射式抽吸装置作为第1抽吸装置的情况下，通过使空气压力或压力损耗不同，而以第1药液/冲洗液抽吸装置112的抽吸力(抽吸速度)比第2药液/冲洗液抽吸装置57变弱的方式(变慢的方式)设定。

另外，在第2供给/抽吸单元15或第3供给/抽吸单元16中，亦可与图18所示的变形例同样地设置喷射式第1药液/冲洗液抽吸装置112。

另外，在第1供给/抽吸单元14中亦可为仅设置1个抽吸装置的结构。如图19所示，第1供给/抽吸单元14亦可包括：抽吸配管121，其一端侧(图19的左侧)连接于第1连接部44；药液/冲洗液抽吸装置(抽吸装置)122，其连接于抽吸配管121的另一端侧(前端)；流量调整阀(抽吸力调整单元)123，其安装于抽吸配管121，用以调整抽吸配管121的开度而调整抽吸力(抽吸速度)；及抽吸阀124，其用以开关抽吸配管121。药液/冲洗液抽吸装置(抽吸装置)122例如为与第2药液/冲洗液抽吸装置57相同的喷射式抽吸装置。流量调整阀123包括：阀本体，其在内部设置有阀座；阀芯，其开关阀座；及致动器，其使阀芯在打开位置与关闭位置之间移动。关在其他流量调整阀亦相同。流量调整阀123亦可不安装于抽吸配管121，而安装于第1共用配管43。

图20是用以说明本发明的第2实施方式的基板处理装置201的内部布局的图解性俯视图。基板处理装置201是逐片地处理硅晶片等基板W的单片式装置。在该实施方式中，基板W为圆板状基板。基板处理装置201包括：多个处理单元202，利用处理液处理基板W；装载埠LP，其供收容经处理单元202处理的多片基板W的基板收容器C载置；搬送机械手IR及CR，在装载埠LP与处理单元202之间搬送基板W；及控制装置203，其控制基板处理装置201。搬送机械手IR在基板收容器C与搬送机械手CR之间搬送基板W。搬送机械手CR在搬送机械手IR与处理单元202之间搬送基板W。多个处理单元202例如具有相同的结构。

图21是用以说明处理单元202的结构例的图解性剖面图。图22是中心轴喷嘴207的纵截面图。图23是中心轴喷嘴207的仰视图。

处理单元202包括：箱形的腔室204；旋转卡盘(基板保持单元)205，其在腔室204内将一片基板W以水平的姿势保持，使基板W绕通过基板W的中心的铅垂旋转轴线A1旋转；相向构件206，其与保持于旋转卡盘205的基板W的上表面相向；中心轴喷嘴207，其将相向构件206的内部上下插通，用以朝向保持于旋转卡盘205的基板W的上表面的中央部喷出处理液；药液供给单元208，其用以对中心轴喷嘴207供给药液；冲洗液供给单元209，其用以对中心轴喷嘴207供给冲洗液；疏水化剂供给单元210，其用以对中心轴喷嘴207供给液体的疏水化剂；有机溶剂供给单元211，其用以对中心轴喷嘴207供给比重大于空气且具有低于水的表面张力的作为低表面张力液体的有机溶剂；及筒状的处理杯部212，其包围旋转卡盘205。

腔室204包括：箱状的间隔壁213，其收容旋转卡盘205或喷嘴；作为送风单元的FFU(风机过滤单元)214，其从间隔壁213的上部向间隔壁213内输送净化空气(通过过滤器进行过滤后的空气)；及排气管215，其从间隔壁213的下部排出腔室204内的气体。FFU214配置于间隔壁213的上方，安装于间隔壁213的顶壁。FFU214从间隔壁213的顶壁朝腔室204内向下输送净化空气。排气管215连接于处理杯部212的底部，朝向设置有基板处理装置201的工厂中设置的排气处理设备导出腔室204内的气体。因此，通过FFU214及排气管215形成于腔室204内流向下方的降流(下降流)。基板W的处理在腔室204内形成有降流的状态下进行。

作为旋转卡盘205，采用在水平方向上夹着基板W而将基板W水平地保持的夹持式卡盘。具体而言，旋转卡盘205包括：旋转马达216；旋转轴217，其与该旋转马达216的驱动轴一体化；及圆板状的旋转基底218，其大致水平地安装于旋转轴217的上端。

在旋转基底218的上表面，在其周缘部配置有多个(3个以上，例如6个)夹持构件219。多个夹持构件219在旋转基底218的上表面周缘部，在与基板W的外周形状对应的圆周上隔开适当的间隔而配置。在旋转基底218的上表面，在以旋转轴线A1为中心的圆周上，配置有用以从下方支撑相向构件206的多个(3个以上)相向构件支撑部220。相向构件支撑部220与旋转轴线A1之间的距离设定为大于夹持构件219与旋转轴线A1之间的距离。

另外，作为旋转卡盘205，并不限于夹持式卡盘，例如亦可采用通过真空吸附基板W的背面而将基板W以水平的姿势保持，进而通过在该状态下绕铅垂的旋转轴线旋转而使保持于旋转卡盘205的基板W旋转的真空吸附式卡盘(真空吸盘)。

相向构件206是随着旋转卡盘205而旋转的从动型相向构件(即阻断构件)。即，相向构件206在基板处理中，相向构件206可与旋转卡盘205一体旋转地被支撑。

相向构件206包括：阻断板221；卡合部222，其设置为能够与阻断板221一起升降；及支撑部223，其与卡合部222卡合，用以从上方支撑阻断板221。

阻断板221是具有大于基板W的直径的圆板状。阻断板221在其下表面具有与基板W的整个上表面相向的圆形的基板相向面221a、在基板相向面221a的周缘部朝向下方突出的圆环状的檐部221b、及设置在基板相向面221a且用以与相向构件支撑部220卡合的旋转卡盘卡合部221c。在基板相向面221a的中央部形成有将相向构件206上下贯通的贯通孔224。贯通孔224通过圆筒状的内周面划分出。

卡合部222包括：圆筒部225，其在阻断板221的上表面包围贯通孔224的周围；及凸缘部226，其从圆筒部225的上端朝径向外侧扩展。凸缘部226位于比支撑部223中所含的如下所述的凸缘支撑部228靠上方，凸缘部226的外周设为直径大于凸缘支撑部228的内周的直径。

支撑部223包括例如大致圆板状的支撑部本体227、水平的凸缘支撑部228、及连接支撑部本体227与凸缘支撑部228的连接部229。

中心轴喷嘴207沿通过阻断板221及基板W的中心的铅垂轴线、即旋转轴线A1在上下方向延伸。中心轴喷嘴207配置于旋转卡盘205的上方，将阻断板221及支撑部223的内部空间插通。中心轴喷嘴207与阻断板221及支撑部223一起升降。

中心轴喷嘴207包括在贯通孔224的内部上下延伸的圆柱状的套管230、及将套管230的内部上下插通的第1喷嘴配管231、第2喷嘴配管232、第3喷嘴配管233及第4喷嘴配管234。套管230具有圆筒状的外周面230a、及设置在套管230的下端部且与基板W的上表面的中央部相向的相向面230b。第1～第4喷嘴配管231～234分别为内管。

在支撑部223结合有用以使支撑部223升降而使相向构件206升降的相向构件升降单元247。相向构件升降单元247是包括伺服马达或滚珠螺杆机构等的结构。

相向构件升降单元247使相向构件206及第1～第4喷嘴配管231～234与支撑部223一起在铅垂方向上升降。相向构件升降单元247使阻断板221及第1～第4喷嘴配管231～234在阻断板221的基板相向面221a接近保持于旋转卡盘205的基板W的上表面的接近位置与设置在接近位置的上方的退避位置之间升降。相向构件升降单元247可在接近位置与退避位置之间的各位置保持阻断板221。

通过相向构件升降单元247，可使支撑部223在下位置(图21中虚线所示的位置)与上位置(图21中实线所示的位置)之间升降，由此，可使相向构件206的阻断板221在接近保持于旋转卡盘205的基板W的上表面的接近位置(图21中虚线所示的位置)与大幅地退避至旋转卡盘205的上方的退避位置(图21中实线所示的位置)之间升降。

具体而言，在支撑部223位于上位置的状态下，通过支撑部223的凸缘支撑部228与凸缘部226进行卡合，卡合部222、阻断板221及中心轴喷嘴207支撑在支撑部223。即，阻断板221通过支撑部223而垂吊。

在支撑部223位于上位置的状态下，通过使突出设置在凸缘支撑部228的上表面的突起228a卡合至在圆周方向上隔开间隔而形成于凸缘部226的卡合孔226a，阻断板221相对于支撑部223在圆周方向上定位。

若相向构件升降单元247使支撑部223从上位置下降，则阻断板221亦从退避位置下降。其后，若阻断板221的旋转卡盘卡合部221c抵接在相向构件支撑部220，则阻断板221及中心轴喷嘴207由相向构件支撑部220承接。继而，若相向构件升降单元247使支撑部223下降，则支撑部223的凸缘支撑部228与凸缘部226的卡合解除，卡合部222、阻断板221及中心轴喷嘴207脱离支撑部223，而由旋转卡盘205支撑。在该状态下，与旋转卡盘205(旋转基底218)的旋转一起使阻断板221旋转。

第1喷嘴配管231包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。第1喷嘴配管231的下端在套管230的相向面230b开口，形成第1喷出口231a。对第1喷嘴配管231供给来自药液供给单元208的药液。药液供给单元208包括连接于第1喷嘴配管231的上游端侧的药液配管236及安装于药液配管236的中途部的药液阀237。若打开药液阀237，则从第1喷出口231a朝向下方喷出药液。若关闭药液阀237，则药液从第1喷出口231a的喷出停止。药液例如亦可为包括硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH：氢氧化四甲基铵等)、及界面活性剂、防腐蚀剂的至少一种的液体。

第2喷嘴配管232包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。第2喷嘴配管232的下端在套管230的相向面230b开口，形成第2喷出口232a。对第2喷嘴配管232供给来自冲洗液供给单元209的冲洗液。冲洗液供给单元209包括连接于第2喷嘴配管232的上游端侧的冲洗液配管238及安装于冲洗液配管238的中途部的冲洗液阀239。若打开冲洗液阀239，则从第2喷出口232a朝向下方喷出冲洗液。若关闭冲洗液阀239，则冲洗液从第2喷出口232a的喷出停止。冲洗液为水。在该实施方式中，水为纯水(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、及稀释浓度(例如10～100ppm左右)的氨水的任一者。

第3喷嘴配管233包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。第3喷嘴配管233的下端在套管230的相向面230b开口而形成第3喷出口233a。对第3喷嘴配管233供给来自疏水化剂供给单元210的疏水化剂。疏水化剂供给单元210包括连接于第3喷嘴配管233的上游端侧的疏水化剂配管(处理液配管)240(与下述的共用配管251相同)、及安装于疏水化剂配管240的中途部的疏水化剂阀241(与下述的共用阀260相同)。若打开疏水化剂阀241，则从第3喷出口233a朝向下方喷出疏水化剂。若关闭疏水化剂阀241，则疏水化剂从第3喷出口233a的喷出停止。疏水化剂可为硅系疏水化剂，亦可为金属系疏水化剂。

硅系疏水化剂是使硅(Si)本身及含有硅的化合物疏水化的疏水化剂。硅系疏水化剂例如为硅烷偶合剂。硅烷偶合剂例如包括HMDS(六甲基二硅氮烷)、TMS(四甲基硅烷)、氟化烷氯硅烷、烷基二硅氮烷、及非氯系疏水化剂的至少一种。非氯系疏水化剂例如包括二甲基硅烷基二甲胺、二甲基硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基胺基)二甲基硅烷、N,N-二甲基胺基三甲基硅烷、N-(三甲基硅烷基)二甲胺及有机硅烷化合物的至少一种。

金属系疏水化剂是例如具有较高的配位性，主要通过配位键而使金属疏水化的溶剂。该疏水化剂例如包括具有疏水基的胺、及有机硅化合物的至少一种。

第4喷嘴配管234包括沿铅垂方向延伸的铅垂部分。第4喷嘴配管234的下端在套管230的相向面230b开口而形成第4喷出口234a。对第4喷嘴配管234供给来自有机溶剂供给单元211的液体的有机溶剂。有机溶剂供给单元211包括连接于第4喷嘴配管234的上游端侧的有机溶剂配管242、及安装于有机溶剂配管242的中途部的有机溶剂阀243。若打开有机溶剂阀243，则从第4喷出口234a朝向下方喷出液体的有机溶剂。若关闭有机溶剂阀243，则液体的有机溶剂从第4喷出口234a的喷出停止。

在该实施方式中，有机溶剂例如为IPA(isopropyl alcohol)，作为此种有机溶剂，除IPA以外，例如可例示甲醇、乙醇、丙酮、EG(乙二醇)及HFE(氢氟醚)。另外，作为有机溶剂，不仅可为仅由单体成分所构成的情况，亦可为与其他成分混合而成的液体。例如，可为IPA与丙酮的混合液，亦可为IPA与甲醇的混合液。

如图21所示，处理杯部212比保持于旋转卡盘205的基板W靠外侧(从旋转轴线A1远离的方向)。处理杯部212包围旋转基底218的周围。若在旋转卡盘205使基板W旋转的状态下，对基板W供给处理液，则供给至基板W的处理液被甩向基板W的周围。在将处理液供给至基板W时，向上敞开的处理杯部212的上端部212a比旋转基底218靠上方。因此，排出至基板W的周围的处理液(药液或冲洗液、疏水化剂、有机溶剂)由处理杯部212承接。继而，由处理杯部212承接的处理液被送至未图示的回收装置或排液装置。

图24是用以说明图21所示的疏水化剂供给单元210的结构的图。

疏水化剂供给单元210包括连接于第1喷嘴配管231的共用配管251、及经由共用配管251连接于第1喷嘴配管231的混合阀单元MV。混合阀单元MV包括送液至第1喷嘴配管231的连接部252、及多个阀259、260、262、263、267。多个阀259、260、262、263、267均为开关阀。混合阀单元MV还包括分别连接于连接部252的排出配管253、疏水化剂供给配管255、抽吸配管256及清洗液供给配管257。

连接部252沿规定的一方向具有长度。连接部252包括：筒状(例如圆筒状或方筒状)的侧壁252a，其在流通方向D1上延伸；一端壁252b，其封闭侧壁252a的一侧端部；及另一端壁252c，其封闭侧壁252a的另一侧端部。在连接部252的内部形成有用以供液体流通的流通空间SP1。流通空间SP1沿流通方向D1延伸。在连接部252的侧壁，从一侧(图24的上侧)依次连接有排出配管253、共用配管251、疏水化剂供给配管255、抽吸配管256及清洗液供给配管257。

共用配管251具有上下方向部分251a及左右方向部分251b。上下方向部分251a的下游端连接于第1喷嘴配管231的上游端。左右方向部分251b的下游端连接于上下方向部分251a的上游端。左右方向部分251b的上游端连接于连接部252。在共用配管251的左右方向部分251b安装有用以开关共用配管251的共用阀260。共用阀260为气动式开关阀。作为此种气动式开关阀，可列举隔膜阀、或蝶形阀、针阀等为例。

在共用配管251的左右方向部分251b，在比共用阀260靠下游侧安装有第1抽吸装置261。第1抽吸装置261为隔膜式抽吸装置。隔膜式抽吸装置是如下的抽吸装置，其包括安装于共用配管251的中途部的筒状头及收容在头内的隔膜，且通过隔膜的驱动而使形成于头内的流路的容积变化(参照日本特开2016-111306号公报等)。

由隔膜式抽吸装置构成的第1抽吸装置261为气动式抽吸装置。通过停止对第1抽吸装置261的内部供给空气，隔膜发生形体变化而头内的容积增大，其结果为，存在于共用配管251中比第1抽吸装置261靠下游侧部分的疏水化剂被引入至头内，该下游侧部分的内部被抽吸(即，依照喷出停止信号的输入，疏水化剂被抽吸至头内)。由此，第1抽吸装置261的作用被有效化。另外，通过对第1抽吸装置261的内部供给空气，隔膜发生形体变化而头内的容积减少，由此，曾被抽吸至头内的液体(处理液)被挤出(即，依照喷出开始信号的输入，头内的疏水化剂被挤出)。由此，第1抽吸装置261的作用被无效化。

用以驱动共用阀260的驱动源(例如电磁阀，第2驱动源)与用以驱动第1抽吸装置261的驱动源(例如电磁阀，第1驱动源)彼此独立。假设用以驱动共用阀260的驱动源与用以驱动第1抽吸装置261的驱动源共用，则与共用阀260的开关连动地进行第1抽吸装置261的抽吸/抽吸解除。由于用以驱动共用阀260的驱动源与用以驱动第1抽吸装置261的驱动源彼此独立，故而可将共用阀260的开关与第1抽吸装置261的抽吸/抽吸解除各自彼此在最佳的动作时刻进行。

在排出配管253安装有用以开关排出配管253的排出阀259。排出配管253的下游端侧连接于机器外的排液设备。

在疏水化剂供给配管255安装有用以开关疏水化剂供给配管255的疏水化剂供给阀262。从疏水化剂供给源对疏水化剂供给配管255的上游端侧供给疏水化剂。

在抽吸配管256安装有用以开关抽吸配管256的抽吸阀263。在抽吸配管256的下游端端连接有第2抽吸装置264。第2抽吸装置264为喷射式抽吸装置。喷射式抽吸装置包括真空产生器或抽气器。喷射式抽吸装置与隔膜式抽吸装置或虹吸式抽吸装置相比，抽吸力较强(抽吸速度较快)且可抽吸的液流量较多。

第2抽吸装置264包括流体供给配管265及用以切换流体供给配管265的开关的流体供给阀266。流体供给阀266例如为电磁阀。在第2抽吸装置264的通电状态下，通过打开流体供给阀266，在流体供给配管265内流动流体，而使第2抽吸装置264的内部被减压。由此，抽吸配管256的内部被抽吸。即，第2抽吸装置264的作用被有效化。

在清洗液供给配管257安装有用以开关清洗液供给配管257的清洗液供给阀267。从清洗液供给源对清洗液供给配管257的上游端侧供给清洗液。清洗液在图24的例中为例如有机溶剂(例如IPA)，除此以外，亦可使用水作为清洗液。

若在疏水化剂供给单元210中的其他阀关闭的状态下，打开共用阀260及疏水化剂供给阀262，则来自疏水化剂供给配管255的疏水化剂流入至连接部252的内部，该疏水化剂经由共用配管251供给至第1喷嘴配管231，从第3喷出口233a朝向下方喷出疏水化剂。

另外，若在疏水化剂供给单元210中的其他阀关闭的状态下，打开疏水化剂供给阀262及排出阀259，则来自疏水化剂供给配管255的疏水化剂流入至连接部252，该疏水化剂通过排出配管253而排出至连接部252外(预分配步骤)。

另外，若在疏水化剂供给单元210中的其他阀关闭的状态下，打开清洗液供给阀267及排出阀259，则来自清洗液供给配管257的清洗液流入至连接部252，该清洗液通过排出配管253而排出至连接部252外(连接部清洗步骤)。

另外，若在疏水化剂供给单元210中的其他阀关闭的状态下，打开清洗液供给阀267及共用阀260，则来自清洗液供给配管257的清洗液流入至连接部252，该清洗液通过共用阀260而从第3喷出口233a喷出(配管清洗步骤)。

另外，若在疏水化剂供给单元210中的其他阀(包括共用阀260)关闭的状态下，使第1抽吸装置261的作用有效化，则存在于共用配管251的比第1抽吸装置261的安装位置靠下游侧部分的液体被抽吸至第1抽吸装置261(第1抽吸步骤)。此时的疏水化剂的抽吸量为约0.1～1毫升。

另外，若在通过流体供给阀266的开启而使第2抽吸装置264的作用有效化的状态下，打开抽吸阀263及共用阀260，则抽吸配管256的内部被抽吸，连接部252的内部(流通空间SP1)的液体、及共用配管251的内部的液体由第2抽吸装置264抽吸(第2抽吸步骤)。

图25是用以说明基板处理装置201的主要部分的电气结构的框图。

控制装置203使用例如微型计算机而构成。控制装置203具有CPU等运算单元301、固体内存组件(未图示)、硬盘驱动器等存储单元302、及输入输出单元(未图示)。在存储单元302中存储有由运算单元301执行的程序303。

存储单元302包括规程存储部304，该规程存储部304存储有规定对基板W的各处理的内容的规程。规程存储部304包括可改写数据的非易性存储器。在规程存储部304中存储有通过操作部305的操作而制作的工艺规程306、预规程307、后规程308及流程规程309。工艺规程306规定对基板W的处理的内容(包括顺序及条件，以下亦同)。预规程307是预动作规程的一例，规定预先设定的前处理的内容。后规程308是预动作规程的一例，且规定预先设定的后处理的内容。流程规程309规定依照工艺规程306的控制(工艺规程控制)、依照预规程的控制(预规程控制)及依照后规程的控制(后规程控制)的执行顺序及执行次数。

将构成一个批次的规定片数(例如25片)的基板W以一并收容至基板收容器C(参照图20)的状态搬入至基板处理装置201中。在基板处理装置201中，对每个基板收容器C设定1个流程规程309。

进而，控制装置203依照预先设定的程序，驱动旋转马达216、相向构件升降单元247等，另外，使第1抽吸装置261、第2抽吸装置264等的作用有效化。进而，控制装置203将药液阀237、冲洗液阀239、有机溶剂阀243、排出阀259、共用阀260、疏水化剂供给阀262、抽吸阀263、清洗液供给阀267等进行开关。

图26是用以说明处理单元202中执行的处理的内容的流程图。图27是表示在处理单元202中根据预规程307执行的前处理的流程的流程图。图28是表示在处理单元202中根据工艺规程306执行的基板处理的流程的流程图。图29是表示在处理单元202中根据后规程308执行的后处理的流程的流程图。图30A是表示向基板处理装置201搬入基板W之前的处理单元202的状态的图。图30B是用以说明预分配步骤T1的图。图31是用以说明疏水化剂供给步骤E6的图。图32是用以说明在疏水化剂供给步骤E6后进行的第1抽吸步骤的图。图33是用以说明连接部清洗步骤P1的图。图34是用以说明配管清洗步骤P2的图。图35是用以说明第2抽吸步骤P3的图。图36是用以说明填充步骤P4的图。

一边参照图20～图29，一边对处理单元202中执行的基板处理例进行说明。对于图30A～图36则适当参照。另外，基板处理例可为蚀刻处理，亦可为清洗处理。

对于一个批次中所包括的多片基板W(收容在1个基板收容器C(参照图20)的多片基板W)，在1个或多个处理单元202中实施处理。若基板收容器C(参照图20)载置在基板处理装置201的装载埠LP(参照图20)，则表示基板收容器C中所包括的批次的信息的基板信息从主计算机输送至控制装置203。主计算机是统一管理设置在半导体制造工厂的多个基板处理装置的计算机。控制装置203基于从主计算机输送的基板信息，从规程存储部304读出相对于该批次的流程规程309。继而，依照流程规程309，依序进行预规程控制、工艺规程控制及后规程控制。

首先，在各处理单元202(参照图20)中执行依照预规程307的控制，由此进行前处理S11(参照图26)。

其后，通过反复执行依照工艺规程306的控制，收容在1个基板收容器C的基板W逐一连续地被搬入至处理单元202，在处理单元202中接受基板处理S12(参照图26)。

继而，将依照工艺规程306的控制执行与收容在基板收容器C的基板的片数相等的规定次数，一系列规定次数的处理一旦结束，便通过在各处理单元202中执行依照后规程308的控制，而执行后处理S13(参照图26)。

在由流程规程309规定的工艺规程306的执行次数为1次的情况下，在前处理S11与后处理S13之间仅执行1次基板处理S12。然而，在工艺规程306的执行次数为N(N为2以上的整数)次的情况下，在前处理S11与后处理S13之间执行N次基板处理S12。即，连续地执行基板处理S12(连续处理)。

对前处理S11进行说明。

在前次的对基板W的一系列处理后，如图30B所示，疏水化剂的前端面F配置于待机位置SP。待机位置SP设定在共用配管251的左右方向部分251b的流通方向的一部分。

在前处理S11中，如图30A所示，控制装置203执行预分配步骤T1。预分配步骤T1是用以将存在于疏水化剂供给配管255的内部的疏水化剂从疏水化剂供给配管255排出的步骤。在从前次的对基板W的一系列处理结束后经过较长期间的情况下，有滞留在疏水化剂供给配管255的内部或连接部252的内部(流通空间SP1(参照图24))的疏水化剂发生经时变化(成分变化(劣化)或温度降低)的担心。因此，在基板处理S12之前，使滞留在疏水化剂供给配管255的内部或连接部252的内部的疏水化剂从疏水化剂供给配管255的内部及连接部252的内部排出，并替换为新疏水化剂，由此，经时变化的疏水化剂不会被用在基板处理S12。

具体而言，在进行预分配步骤T1的情况下，控制装置203在疏水化剂供给单元210中的其他阀关闭的状态下，打开疏水化剂供给阀262及排出阀259。由此，来自疏水化剂供给配管255的疏水化剂流入至连接部252的内部，通过排出配管253而排出。

若预分配步骤T1结束，则前处理S11结束。

其次，对基板处理S12(参照图26)进行说明。关于基板处理S12的执行，随时参照从规程存储部304(参照图25)读出的工艺规程306。

在执行基板处理S12时，未处理的基板W被搬入至腔室204的内部(图28的步骤E1)。通过使保持基板W的搬送机械手CR的手部H进入腔室204的内部，具体而言，将基板W以其表面(器件形成面)朝向上方的状态交给旋转卡盘205。其后，将基板W保持于旋转卡盘205。

其后，控制装置203控制旋转马达216而使基板W的旋转开始(图28的步骤E2)。基板W上升至预先设定的液体处理速度(在约10～1200rpm的范围内，例如约1000rpm)，并维持为该液体处理速度。另外，控制装置203控制相向构件升降单元247而将阻断板221配置于接近位置。

在阻断板221配置于接近位置后，继而，控制装置203进行对基板W的上表面供给药液的药液供给步骤E3(参照图28)。控制装置203打开药液阀237。由此，从形成于阻断板221的基板相向面221a的第1喷出口231a朝向基板W的上表面中央部喷出药液。供给至基板W的上表面中央部的药液受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，使用药液处理基板W的整个上表面。

若从药液从第1喷出口231a的喷出开始经过由工艺规程306所规定的期间，则控制装置203关闭药液阀237。

继而，控制装置203进行对基板W的上表面供给冲洗液的冲洗步骤E4(参照图28)。具体而言，控制装置203打开冲洗液阀239。由此，从形成于阻断板221的基板相向面221a的第2喷出口232a朝向基板W的上表面中央部喷出冲洗液。供给至基板W的上表面中央部的冲洗液受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的药液被替换为冲洗液。

若从药液从第2喷出口232a的喷出开始经过由工艺规程306所规定的期间，从冲洗液的喷出开始经过规定期间，则控制装置203关闭冲洗液阀239。由此，冲洗液从第2喷出口232a的喷出停止，结束冲洗步骤E4。

继而，控制装置203进行将存在于基板W的上表面的冲洗液替换为有机溶剂(例如IPA)的第1有机溶剂供给步骤E5(参照图28)。

具体而言，控制装置203一边将基板W的旋转维持为液体处理速度，一边打开有机溶剂阀243。由此，从形成于阻断板221的基板相向面221a的第4喷出口234a朝向基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的冲洗液被替换为有机溶剂。

若从有机溶剂从第4喷出口234a的喷出开始经过由工艺规程306所规定的期间，从冲洗液的喷出开始经过规定期间，则控制装置203关闭有机溶剂阀243。由此，有机溶剂从第4喷出口234a的喷出停止，结束第1有机溶剂供给步骤E5。

继而，控制装置203进行将存在于基板W的上表面的有机溶剂替换为液体的疏水化剂的疏水化剂供给步骤E6(参照图28)。具体而言，控制装置203一边将阻断板221维持在接近位置，一边关闭疏水化剂供给单元210中的其他阀并且打开共用阀260及疏水化剂供给阀262。在疏水化剂供给步骤E6开始前，疏水化剂的前端面F配置于待机位置SP。

通过共用阀260及疏水化剂供给阀262的开启，来自疏水化剂供给配管255的疏水化剂经由连接部252供给至共用配管251。由此，如图31所示，从形成于阻断板221的基板相向面221a的第3喷出口233a朝向基板W的上表面中央部喷出疏水化剂。供给至基板W的上表面中央部的疏水化剂受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的有机溶剂由疏水化剂替换。

另外，控制装置203对第1抽吸装置261供给空气。由此，曾被抽吸至第1抽吸装置261的少量疏水化剂喷出至共用配管251。

在疏水化剂供给步骤E6中，若从疏水化剂从第3喷出口233a的喷出开始经过由工艺规程306所规定的期间，则控制装置203关闭共用阀260及疏水化剂供给阀262。由此，如图32所示，疏水化剂从第3喷出口233a的喷出停止。另外，控制装置203使第1抽吸装置261有效化。由此，共用配管251的比第1抽吸装置261的安装部分靠下游侧部分(中心轴喷嘴207侧的部分)的内部被抽吸，如图32所示，残留在该下游侧部分的内部的疏水化剂被引入至第1抽吸装置261的内部(通过隔膜的驱动而扩展的区域)(第1抽吸步骤)。第1抽吸装置261的抽吸量以疏水化剂的前端面F后退至设定在左右方向部分251b内的规定的待机位置SP的方式规定。此时的疏水化剂的抽吸量为约0.1～1毫升。由此，抽吸后的疏水化剂的前端面F配置于待机位置SP。

基于疏水化剂从第3喷出口233a的喷出停止，疏水化剂供给步骤E6结束。

继而，控制装置203进行将存在于基板W的上表面的疏水化剂替换为有机溶剂(例如IPA)的第2有机溶剂供给步骤E7(参照图28)。

具体而言，控制装置203一边将基板W的旋转维持为液体处理速度，一边打开有机溶剂阀243。由此，从形成于阻断板221的基板相向面221a的第4喷出口234a朝向基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。供给至基板W的上表面中央部的有机溶剂受到因基板W的旋转所产生的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的疏水化剂被替换为有机溶剂。

若从有机溶剂从第4喷出口234a的喷出开始经过由工艺规程306所规定的期间，从冲洗液的喷出开始经过规定期间，则控制装置203关闭有机溶剂阀243。由此，有机溶剂从第4喷出口234a的喷出停止，第2有机溶剂供给步骤E7结束。

继而，进行使基板W干燥的旋转干燥步骤E8(参照图28)。具体而言，控制装置203在阻断板221配置于接近位置的状态下，控制旋转马达216，使基板W加速至比药液供给步骤E3～第2有机溶剂供给步骤E7的各步骤中的旋转速度大的干燥旋转速度(例如数千rpm)，并使基板W以该干燥旋转速度旋转。由此，对基板W上的液体施加较大的离心力，而使附着在基板W的液体被甩向基板W的周围。如此，从基板W去除液体，而使基板W干燥。

若从基板W的加速经过规定期间，则控制装置203通过控制旋转马达216而停止利用旋转卡盘205使基板W转(图28的步骤E9)。其后，控制装置203控制相向构件升降单元247使阻断板221上升而配置于退避位置。

其后，从腔室204内搬出基板W(图28的步骤E10)。具体而言，控制装置203使搬送机械手CR的手部进入腔室204的内部。继而，控制装置203使搬送机械手CR的手部保持旋转卡盘205上的基板W。其后，控制装置203使搬送机械手CR的手部从腔室204内退避。由此，将处理后的基板W从腔室204搬出，结束基板处理S12。

其次，对后处理S13进行说明。

在后处理S13中，控制装置203首先执行连接部清洗步骤P1(参照图29)。

在连接部清洗步骤P1中，控制装置203在疏水化剂供给单元210中的其他阀关闭的状态下，如图33所示，打开清洗液供给阀267及排出阀259。由此，来自清洗液供给配管257的清洗液流入至连接部252的内部，该清洗液在连接部252的内部流通后，排出至排出配管253。由此，可使用清洗液将存在于连接部252的内部的疏水化剂挤出至连接部252外。

若从清洗液供给阀267及排出阀259的开启起经过规定期间(例如2～3秒)，则控制装置203在打开清洗液供给阀267的状态下，如图34所示，关闭排出阀259且打开共用阀260。由此，流入至连接部252的清洗液被导入至共用配管251。即，连接部清洗步骤P1结束，开始配管清洗步骤P2(参照图29)。

在配管清洗步骤P2中，导入至共用配管251的清洗液通过共用配管251的内部而从第3喷出口233a喷出。通过使清洗液在共用配管251的内部流通，而使共用配管251的内部经清洗液清洗。另外，控制装置203使第1抽吸装置261的驱动停止。由此，曾被抽吸至第1抽吸装置261的少量的疏水化剂喷出至共用配管251。若从共用阀260的开启起经过规定期间，则关闭清洗液供给阀267。由此，结束配管清洗步骤P2。

继而，执行第2抽吸步骤P3(参照图29)。

在第2抽吸步骤P3中，如图35所示，控制装置203在通过流体供给阀266的开启而使第2抽吸装置264的作用有效化的状态下，打开抽吸阀263及共用阀260，由此，抽吸配管256的内部被抽吸。由此，滞留在连接部252的内部的清洗液、及滞留在共用配管251的内部的所有清洗液由第2抽吸装置264抽吸。在第2抽吸步骤P3中，使用由喷射装置等构成的第2抽吸装置264进行抽吸，因此可抽吸较长的距离，且可在短时间内进行该抽吸。若从抽吸阀263的开启经过规定期间，则关闭清洗液供给阀267。

继而，控制装置203执行填充步骤P4(参照图29)。填充步骤P4对共用配管251填充(供给)疏水化剂，由此将前端面F配置于待机位置SP的步骤。具体而言，在填充步骤P4中，控制装置203在关闭疏水化剂供给单元210中的其他阀的状态下打开共用阀260及疏水化剂供给阀262。通过共用阀260及疏水化剂供给阀262的开启，来自疏水化剂供给配管255的疏水化剂经由连接部252供给至共用配管251。若从疏水化剂供给阀262的开启经过规定期间，则控制装置203关闭疏水化剂供给阀262。由此，如图36所示，疏水化剂的前端面F配置于待机位置SP。

若填充步骤P4结束，则结束后处理S13。

以上，根据第2实施方式，在抽吸步骤中，存在于共用配管251的内部的疏水化剂被抽吸，使疏水化剂的前端面F后退。作为抽吸步骤，选择性地执行使疏水化剂的前端面F配置于待机位置SP的第1抽吸步骤(参照图32)与使疏水化剂的前端面F比连接部252的上游端后退的第2抽吸步骤P3。

在第1抽吸步骤中，抽吸的疏水化剂的量(排液的疏水化剂的量)比第2抽吸步骤P3减少。因此，在所有抽吸步骤中，与执行第2抽吸步骤P3的情况相比，可实现疏水化剂的消耗量的减少。亦可为，第1抽吸步骤在可将共用配管251内的疏水化剂用于下一基板处理S12的情况下执行，第2抽吸步骤P3在不能将共用配管251内的疏水化剂用于下一基板处理S12的情况下执行。由此，可一方面实现疏水化剂的消耗量的减少，一方面使共用配管251内的疏水化剂的前端面F后退。

通过以上，可一方面实现疏水化剂的消耗量的减少，一方面抽吸共用配管251内的疏水化剂。

另外，在第1抽吸步骤(参照图32)中，由在使用作为隔膜式抽吸装置的第1抽吸装置261进行抽吸，故而可准确地控制抽吸后的疏水化剂的前端面F。

另外，在第2抽吸步骤P3中，由在使用由喷射装置等构成的第2抽吸装置264进行抽吸，故而可抽吸较长的距离，且可在短时间内进行该抽吸。

另外，在连续处理中(基板处理S12的连续执行中)，执行第1抽吸步骤作为抽吸步骤。另一方面，在连续处理后执行的后处理S13中，执行第2抽吸步骤P3。

在连续处理中，由于连续地执行基板处理S12，故而疏水化剂不会长时间地持续滞留在共用配管251内。因此，就减少疏水化剂的消耗量的观点及/或抑制产出量的降低的观点而言，连续处理中执行第1抽吸步骤，使抽吸后的疏水化剂的前端面F配置于待机位置。

另一方面，亦认为在后处理S13之后，至下一前处理S11之前需要较长期间。若疏水化剂长时间地持续滞留在共用配管251内或连接部252内，则有该疏水化剂经时变化或温度降低的担心。由于不能将经时变化的疏水化剂或温度降低的疏水化剂用于下一基板处理S12，故而在后处理S13中进行抽吸。作为该抽吸，执行第2抽吸步骤P3。因此，在后处理S13结束后，将共用配管251内及连接部252内保持为空。

以上，对本发明的两种实施方式进行了说明，但本发明可进而以其他实施方式实施。

例如在第1实施方式中，在第2供给/抽吸单元15或第3供给/抽吸单元16中，亦可与图19所示的变形例同样地设置药液/冲洗液抽吸装置(抽吸装置)122与流量调整阀123。

另外，在第1实施方式的第1供给/抽吸单元14中，亦可采用隔膜式抽吸装置作为第1抽吸装置，在第2及/或第3供给/抽吸单元15、16中，亦可采用虹吸式抽吸装置作为第1抽吸装置。

说明了与3个喷嘴配管9、11、13都对应地设置有供给/抽吸单元14、15、16，但只要在3个喷嘴配管9、11、13的至少一者设置供给/抽吸单元即可。

另外，在第1～第3供给/抽吸单元14、15、16中，列举处理液供给单元与处理液抽吸单元经由连接部44、64、84并联连接的结构为例进行了说明，当然处理液供给单元与抽吸单元亦可不并联连接。

另外，在第1实施方式中，对在基板相向面29形成有喷出口8、10、12的处理液配管进行了说明，但亦可以未组入至阻断板27的单一的喷嘴的形式设置。在该情况下，较佳为喷嘴的喷出口在左右方向(即沿基板W的表面的方向)上无法移动。

另外，在第1实施方式中，有机溶剂并不限于IPA，而包括IPA、甲醇、乙醇、HFE(氢氟醚)及丙酮中的至少一种。另外，作为有机溶剂，不仅可为仅由单体成分所构成的情况，亦可为与其他成分混合而成的液体。例如可为IPA与丙酮的混合液，亦可为IPA与甲醇的混合液。

另外，在第2实施方式中，作为第1抽吸装置261，列举了隔膜式抽吸装置为例，但亦可取而代之地采用虹吸式抽吸装置。虹吸式抽吸装置具有配管，在将该配管的内部以液体装满的状态下，利用虹吸的原理对共用配管251的内部的疏水化剂进行抽吸(排液)。虹吸式抽吸装置可抑制用于抽吸的能量消耗。

另外，在第2实施方式中，说明了在第2抽吸步骤P3之前进行的清洗步骤包括连接部清洗步骤P1及配管清洗步骤P2两者，但作为清洗步骤，包括其中的至少一者即可。另外，亦可在第2抽吸步骤P3之前不进行清洗步骤。

说明了在后处理S13中执行第2抽吸步骤P3，但亦可在前处理S11中进行第2抽吸步骤P3。在该情况下，亦可在预分配步骤T1之前或之后进行第2抽吸步骤P3。在该情况下，在前处理S11中，由于可进行残留在共用配管251内的疏水化剂的去除与存在于疏水化剂供给配管255的内部的疏水化剂的去除，故而可确实地防止经时变化或温度降低的疏水化剂在基板处理S12开始时被供给至基板W。

另外，亦可在后处理S13及前处理S11两者中进行第2抽吸步骤P3。

另外，在第2实施方式中，通过将工艺规程306的执行次数设为1次，可在各基板处理S12之后或各基板处理S12之前执行第2抽吸步骤P3。

另外，在第2实施方式中，第2抽吸步骤P3亦可不在由预规程307所规定的前处理S11、及/或由后规程308所规定的后处理S13中执行，而在由工艺规程306所规定的基板处理S12中执行。

在该情况下，在工艺规程306中，在如从前次的疏水化剂从喷出口233a的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间小于规定期间的期间执行的抽吸步骤中，亦可规定第1抽吸步骤。另外，在工艺规程306中，在如从前次的疏水化剂从喷出口233a的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间小于规定期间的期间执行的抽吸步骤中，亦可规定第2抽吸步骤P3。

另外，在第2实施方式中，在药液供给单元208、冲洗液供给单元209及有机溶剂供给单元211中，亦可采用与如图24所示的疏水化剂供给单元210同等的结构。而且，在该情况下，在这些单元208、209、211中，亦可选择性地执行第1抽吸步骤及第2抽吸步骤P3。即，抽吸对象的处理液并不限于疏水化剂，亦可为其他处理液(药液、冲洗液、有机溶剂等)。另外，作为清洗液，采用与抽吸对象的处理液对应的液体种类。

另外，在第2实施方式中，对喷出口(喷出口231a～234a)形成于基板相向面21a的共用配管进行了说明，但亦可以未组入至阻断板221的单一的喷嘴的形式设置。在该情况下，若喷嘴的喷出口在左右方向(即沿基板W的表面的方向)上无法移动，则亦可将本发明适宜地应用于该喷嘴。

另外，在上述实施方式中，对基板处理装置1、201为处理圆板状基板W的装置的情况进行了说明，但基板处理装置1、201亦可为处理液晶显示设备用玻璃基板等多边形基板的装置。

本申请与2016年9月21日向日本专利局提出的特愿2016-184085号、及2017年6月30日向日本专利局提出的特愿2017-129559号的各申请对应，这些申请的全部揭示内容通过引用而并入本文中。

【附图标记的说明】

1：基板处理装置

3：控制装置

5：旋转卡盘(基板保持单元)

8：第1喷出口(喷出口)

9：第1喷嘴配管

10：第2喷出口(喷出口)

11：第2喷嘴配管

12：第3喷出口

13：第3喷嘴配管

14：第1抽吸单元(处理液供给单元、抽吸单元)

15：第2抽吸单元(处理液供给单元、抽吸单元)

16：第3抽吸单元(处理液供给单元、抽吸单元)

55：第1药液/冲洗液抽吸装置(第1抽吸装置)

57：第2药液/冲洗液抽吸装置(第2抽吸装置)

75：第1有机溶剂抽吸装置(第1抽吸装置)

77：第2有机溶剂抽吸装置(第2抽吸装置)

95：第1表面改性剂抽吸装置(第1抽吸装置)

97：第2表面改性剂抽吸装置(第2抽吸装置)

122：第1药液/冲洗液抽吸装置(第1抽吸装置)

122：药液/冲洗液抽吸装置

123：流量调整阀(抽吸力调整单元)

201：基板处理装置

203：控制装置

208：药液供给单元

209：冲洗液供给单元

210：疏水化剂供给单元

221：阻断板

221a：基板相向面

231a：第1喷出口

232a：第2喷出口

233a：第3喷出口

234a：第4喷出口

251：共用配管

252：连接部

255：疏水化剂供给配管

256：抽吸配管

261 第1抽吸装置

264 第2抽吸装置

SP1 流通空间

W 基板

Claims (21)

1.一种基板处理装置，包括：

基板保持单元，其保持基板；

处理液配管，其与用以朝向保持于上述基板保持单元的基板的主面喷出处理液的喷出口连通；

处理液供给单元，其用以对上述处理液配管供给处理液；

抽吸单元，其用以对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；以及

控制装置，其控制上述处理液供给单元及上述抽吸单元；

上述控制装置执行如下步骤：

处理液供给步骤，通过上述处理液供给单元对上述处理液配管供给处理液以从上述喷出口喷出，及

抽吸步骤，通过上述抽吸单元对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；

上述控制装置在上述抽吸步骤中选择性地执行第1抽吸步骤与第2抽吸步骤，该第1抽吸步骤是抽吸处理液，使抽吸后的处理液的前端面配置于上述处理液配管的内部的预先设定的待机位置的步骤，该第2抽吸步骤是抽吸处理液，使处理液的前端面比上述待机位置后退的步骤。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

还包括连接部，该连接部连接于上述处理液配管，且在该连接部的内部具有供液体流通的流通空间，

上述控制装置在上述第2抽吸步骤中执行使处理液的前端面比上述连接部的上游端后退的步骤。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

上述抽吸单元包括：

第1抽吸装置，其以规定的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液，及

第2抽吸装置，其以比上述第1抽吸装置的抽吸力大的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液；

上述控制装置在上述第1抽吸步骤中通过上述第1抽吸装置抽吸处理液，在上述第2抽吸步骤中通过上述第2抽吸装置抽吸处理液。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，

还包括连接部，该连接部连接于上述处理液配管，且在该连接部的内部具有供液体流通的流通空间，

上述第1抽吸装置安装于上述处理液配管或分支连接于上述处理液配管，

上述第2抽吸装置经由连接于上述连接部的抽吸配管而抽吸处理液。

5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，

上述第2抽吸装置包括喷射式抽吸装置。

6.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其中，

上述第1抽吸装置包括隔膜式抽吸装置。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，

还包括：

抽吸配管，其连接于上述处理液配管，安装有上述隔膜式抽吸装置，及

处理液阀，其开关上述处理液配管；

用以驱动上述隔膜式抽吸装置的第1驱动源与用以驱动上述处理液阀的第2驱动源彼此独立。

8.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，

上述第1抽吸装置包括虹吸式抽吸装置。

9.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

上述控制装置在连续进行使用从上述喷出口喷出的处理液处理基板的基板处理的连续处理中执行上述第1抽吸步骤，

上述控制装置在上述连续处理之前及/或上述连续处理之后执行上述第2抽吸步骤。

10.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

上述控制装置在使用从上述喷出口喷出的处理液处理一片基板的基板处理期间执行上述第1抽吸步骤，

上述控制装置在上述基板处理之前及/或上述基板处理之后执行上述第2抽吸步骤。

11.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

上述控制装置在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间小于规定期间的情况下，执行上述第1抽吸步骤，

上述控制装置在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间为规定期间以上的情况下，执行上述第2抽吸步骤。

12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，

上述控制装置还执行计测从处理液从上述喷出口的喷出停止起的经过期间的经过期间计测步骤，

在上述经过期间小于上述规定期间的情况下，执行上述第1抽吸步骤，

在上述经过期间为上述规定期间以上的情况下，执行上述第2抽吸步骤。

13.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

上述喷出口设置为无法在沿着保持于上述基板保持单元的基板的主面的方向上移动。

14.如权利要求13所述的基板处理装置，其中，

还包括相向构件，该相向构件具有与保持于上述基板保持单元的基板的主面相向、且无法在沿着上述基板的主面的方向上移动的基板相向面，

上述喷出口形成于上述基板相向面。

15.一种基板处理方法，通过包括与喷出口连通的处理液配管的基板处理装置来执行，

该基板处理方法包括：

处理液供给步骤，为了从上述喷出口喷出处理液，而对上述处理液配管供给处理液，及

抽吸步骤，对存在于上述处理液配管的内部的处理液进行抽吸；

上述抽吸步骤包括：第1抽吸步骤，使处理液的前端面后退，而使抽吸后的处理液的前端面配置于上述处理液配管的内部的预先设定的待机位置；及第2抽吸步骤，使处理液的前端面比上述待机位置后退得大，

选择性地执行上述第1及第2抽吸步骤。

16.如权利要求15所述的基板处理方法，其中，

上述基板处理装置还包括连接部，该连接部连接于上述处理液配管，且在该连接部的内部具有供液体流通的流通空间，

上述第2抽吸步骤包括使处理液的前端面比上述连接部的上游端后退的步骤。

17.如权利要求15或16所述的基板处理方法，其中，

上述第1抽吸步骤包括以规定的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液的步骤，

上述第2抽吸步骤包括以比上述第1抽吸步骤的抽吸力大的抽吸力抽吸上述处理液配管的内部的处理液的步骤。

18.如权利要求15或16所述的基板处理方法，其中，

上述第1抽吸步骤是在连续进行使用从上述喷出口喷出的处理液处理基板的基板处理的连续处理中进行的步骤，

上述第2抽吸步骤是在上述连续处理之前及/或上述连续处理之后进行的步骤。

19.如权利要求15或16所述的基板处理方法，其中，

上述第1抽吸步骤是在使用从上述喷出口喷出的处理液处理一片基板的基板处理期间进行的步骤，

上述第2抽吸步骤是在上述基板处理之前及/或上述基板处理之后进行的步骤。

20.如权利要求15或16所述的基板处理方法，其中，

上述第1抽吸步骤是在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间小于规定期间的情况下进行的步骤，

上述第2抽吸步骤是在从处理液从上述喷出口的喷出结束至下一次喷出开始为止的期间为规定期间以上的情况下进行的步骤。

21.如权利要求20所述的基板处理方法，其中，

还包括计测从处理液从上述喷出口的喷出停止起的经过期间的经过期间计测步骤，

上述第1抽吸步骤是在上述经过期间小于上述规定期间的情况下执行的步骤，

上述第2抽吸步骤是在上述经过期间为上述规定期间以上的情况下执行的步骤。