TWI670536B

TWI670536B - 光電混合基板及其製法

Info

Publication number: TWI670536B
Application number: TW104133249A
Authority: TW
Inventors: 辻田雄一; 田中直幸
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2014-10-24
Filing date: 2015-10-08
Publication date: 2019-09-01
Also published as: US20170285284A1; JP2016085314A; KR20170076655A; KR102523319B1; US10353161B2; CN107076925B; TW201626015A; CN107076925A; WO2016063751A1; JP6460515B2

Abstract

一種光電混合基板，具備：於絕緣層表面形成有電性配線之電路基板；部分地形成於上述電路基板背面側之金屬補強層；及，同樣在上述電路基板背面側以部分重疊配置方式設置的光波導；並且，上述電路基板背面側形成有第2補強層。該光電混合基板藉由上述第2補強層而可在光結合時不招致光損，且特定區域之剛性提高，具優異處置作業性。

Description

光電混合基板及其製法

本發明關於一種積層有電路基板與光波導之光電混合基板及其製法。

背景技術

最近之電子機器等伴隨著傳送資訊量之增加而大量使用光電混合基板，其除了電性配線之外亦採用光配線，而可同時傳送電信號與光信號。此種光電混合基板舉例來說已知如有具下述構造者：如圖11所示，以由聚醯亞胺構成之絕緣層1為基板，在其表面設置由導電圖案構成之電性配線2而製成電路基板E，其背面側則透過補強用之金屬補強層M設置有光波導W(例如，參照專利文獻1)。另，上述電路基板E之表面則藉由覆蓋膜(coverlay)3而受到絕緣保護。此外，上述金屬補強層M設有用以使安裝在電路基板E表面側之光元件(未圖示)與光波導W光結合之貫通孔5、5'。上述光波導W係由下包層6、將成為光通路之芯部7及上包層8等三層所構成。

由於絕緣層1與背面側之光波導W的線膨脹係數不同，若將兩者直接積層，視周圍溫度而定，光波導W會發生應力及微小之彎曲而使光傳播損失增大，上述金屬補強層M即是為避免此一現象而設者。然而，近年來，受到電子機器等之小型化、高積體化之潮流影響，上述光電混合基板需求可撓性俾供於小空間內使用及可在樞軸部等可動部位上使用之情況也日趨增加。於是，即使是如上述般透過金屬補強層M設置光波導W之光電混合基板，亦為了提高其可撓性而提出下述方案：將金屬補強層M本身去除一部分，並在其去除部分鑲入光波導W之包覆層以提高可撓性(例如參照專利文獻2)。

先行技術文獻專利文獻

【專利文獻1】日本特開2009-265342號公報

【專利文獻2】日本特開2013-195532號公報

發明概要

然而，即使同為光電混合基板，在對有配線延伸之部分要求高可撓性的同時，另一方面又從處置作業性的觀點出發，對於安裝有光元件之光結合部分及裝設連接器構件而與其他構件連接的部分，要求須使其儘可能地具有剛性。就現狀而言，由於可見此等部分有剛性不足之傾向，為了在處置作業時或反覆使用時不受翹曲及熱變形影響，而強烈期望進一步提高剛性。

亦即，若要提高光電混合基板之可撓性，將需求可撓性之區域中之金屬補強層M儘可能地去除即可因應。另一方面，若要提高預定部位之剛性，雖可想見僅需使金屬補強層M本身之厚度增厚即可因應，但越是使金屬補強層M之厚度增厚，用以光結合之光路徑(圖11所示貫通孔5、5'內之移動距離)越是增長，光結合時之光損失增大而不理想。因此，用以與其他構件連接之部分等總是難以確保充分剛性。

本發明即是鑑於此種事態而成者，目的在於提供一種光結合時不招致光損失、特定領域之剛性提高且處置作業性優異之光電混合基板及其製法。

為了達成上述目的，本發明係以下述光電混合基板作為第1要旨，該光電混合基板具有於絕緣層表面形成有電性配線之電路基板、部分地形成在上述電路基板背面側之金屬補強層以及同樣在上述電路基板背面側以部分重疊配置方式設置之光波導，且上述電路基板背面側形成有第2補強層；其中，本發明特別以利用上述電路基板背面側未形成光波導之部分來形成上述第2補強層的光電混合基板作為第2要旨。

此外，在其等之中，本發明特別以上述第2補強層與光波導之包覆層係以相同材料形成的光電混合基板作為第3要旨，並且，以上述第2補強層係以金屬板或纖維強化樹脂板形成之光電混合基板作為第4要旨。

再者，本發明係以下述光電混合基板之製法作為第5要旨，其係第1要旨之光電混合基板之製法，具有如下步驟：於金屬補強層表面形成絕緣層，並於該絕緣層表面形成電性配線而製得電路基板；去除上述金屬補強層中不需要之部分，並使電路基板之背面部份地從該去除部分露出；以與上述電路基板之背面側部分重疊配置之方式形成光波導；及，於上述電路基板背面側形成第2補強層；其中，本發明特別以利用上述電路基板背面側未形成光波導之部分來形成上述第2補強層之光電混合基板之製法作為第6要旨。

此外，在上述方法之中，本發明特別以下述光電混合基板之製法作為第7要旨：上述形成光波導之步驟係一依序積層下包層、芯層及上包層之步驟，且於形成上述下包層時，於上述電路基板背面側上使用與下包層相同材料來形成第2補強層之下部，形成上包層時則於上述第2補強層下部之上方使用與上包層相同材料來形成第2補強層之上部，藉此以製得第2補強層。

進一步來說，在上述方法之中，本發明特別以下述光電混合基板之製法作為第8要旨：於上述形成光波導之步驟結束後，在上述電路基板背面側貼附金屬板或纖維強化樹脂板，藉此以製得第2補強層。

亦即，本發明之光電混合基板除了迄今使用之金屬補強層之外，另在電路基板背面側欲提高剛性之預定區域上增設第2補強層。

依據此種結構，變得可考慮所要求之可撓性與剛性的平衡且在光結合時之光損失不成為問題的範圍內來設定金屬補強層之厚度，並可在以該金屬補強層無法獲得充分剛性之部分進一步設置第2補強層來提高此部分之剛性。因此，無須增厚金屬補強層之厚度來提高剛性，而不會有光結合時之光損失增大的情況。再者，因需要高剛性之特定部分設有第2補強層，即使整體具有可撓性，光結合部分及連接器連接部分之剛性仍高，而可安心地進行組入電子機器及連接器之連接作業。又，因晶片等之安裝部分及連接器連接部分之剛性較高，即使跨長期在施加載重及溫度負擔之環境下使用，也不易受翹曲及熱變形影響，可維持安定之品質。

此外，本發明之中，尤以上述第2補強層係利用上述電路基板背面側未形成光波導之部分形成者可不對光波導造成影響而提高光波導周邊部分之剛性，甚是理想。

再者，本發明之中，尤其是上述第2補強層與光波導之包覆層以相同材料形成者可不需另外準備第2補強層並予以裝設，而可在電路基板之背面側形成光波導之過程中同時製得第2補強層，因此即使是纖細之形狀也可簡單形成，具有製造效率佳之優點。

更進一步來說，本發明之中，尤其是上述第2補強層以金屬板或纖維強化樹脂板形成者可因應所要求之剛性來選擇使用適當材質、適當厚度之物，具有容易設計剛性程度之優點。

接著，依據本發明之光電混合基板之製法，可有效率地製造本發明之光電混合基板。

1‧‧‧絕緣層

2‧‧‧電性配線

2a‧‧‧光元件安裝用墊片

2b‧‧‧連接器安裝用墊片

3‧‧‧覆蓋膜

4‧‧‧電鍍層

5,5'‧‧‧貫通孔

6‧‧‧下包層

7‧‧‧芯部

7a‧‧‧反射面

8‧‧‧上包層

9‧‧‧金屬補強層

10‧‧‧光電混合基板

20‧‧‧第2補強層

20a‧‧‧下部

20b‧‧‧上部

21‧‧‧接著劑層

22‧‧‧蓋部

E‧‧‧電路基板

M‧‧‧習知之金屬補強層

P‧‧‧點鍊線

W‧‧‧光波導

圖1(a)為一部分縱截面圖，其模式性地顯示本發明光電混合基板之一實施形態，圖1(b)為其A-A'箭向視圖。

圖2(a)~(d)均為顯示上述光電混合基板之製法中之電路基板製程的說明圖。

圖3(a)~(d)均為顯示上述光電混合基板之製法中之光波導製程的說明圖。

圖4為本發明光電混合基板之其他例示的說明圖。

圖5(a)、(b)均為上述光電混合基板中之第2補強層之變形例的說明圖。

圖6(a)~(c)均為上述第2補強層之變形例之說明圖。

圖7(a)、(b)均為上述第2補強層之變形例之說明圖。

圖8(a)~(c)均為上述第2補強層之變形例之說明圖。

圖9為上述光電混合基板中之第2補強層之其他變形例之說明圖。

圖10(a)~(c)均為上述第2補強層之變形例之說明圖。

圖11為一模式性縱截面圖，其顯示習知光電混合基板之一例。

用以實施發明之形態

接著依據圖式詳細地說明本發明之實施形態。但本發明不限於此實施形態。

圖1(a)係一部分縱截面圖，其模式性地顯示本發明之光電混合基板之一實施形態，圖1(b)則為其A-A'箭向視圖。亦即，該光電混合基板10具備：在絕緣層1表面設有電性配線2之電路基板E；及，設於上述絕緣層1背面側之光波導W。

上述電路基板E係於由聚醯亞胺等構成之絕緣層1表面上形成有電性配線2，該電性配線包含光元件安裝用墊片2a、連接器安裝用墊片2b、其他各種元件安裝用墊片及接地用電極等(未圖示)，且其等當中，除上述墊片2a等之外，電性配線2呈現藉由聚醯亞胺等所構成之覆蓋膜3而受絕緣保護之結構。另，未受覆蓋膜3保護之墊片2a等之表面則由金或鎳等所構成之電鍍層4所被覆。

另一方面，設在上述絕緣層1背面側之光波導W則由下述者構成：下包層6、以預定圖案形成在其表面(在圖1中為下面)之芯部7以及於披覆該芯部7之狀態下與上述下包層6表面一體化之上包層8。

接著，與上述電路基板E之光元件安裝用墊片2a對應之芯部7的部分係相對於芯部7之延伸方向形成為45°之傾斜面。該傾斜面成為光之反射面7a，扮演如下角色：使經芯部7內傳播而至之光的方向改變90°而入射到光元件之受光部，或者相反地使從光元件之發光部射出之光的方向改變90°度而入射到芯部7內。

此外，上述電路基板E與光波導W之間設有用以補強該光電混合基板10之金屬補強層9，且除了要求可撓性之部分形成有圖案。該金屬補強層9上形成有用以確保芯部 7與光元件間之光路的貫通孔5，該貫通孔5內也有上述下包層6鑲入。又，圖1(b)中省略上述貫通孔5之圖示，而將形成有金屬補強層9之部分以間隔較大的朝右下方斜線來表示(以下之圖亦同)。

接著，該金屬補強層9之背面側未形成光波導W之部分係如圖1(b)所示，以從三方向將光波導W包圍之形式形成有第2補強層20。將該第2補強層20之形成部分以間隔較小之朝右上斜線表示(以下之圖亦同)。藉由第2補強層20，此一光電混合基板10之未形成光波導W之部分的剛性較僅形成金屬補強層9之部分大幅提高，於該部分中，翹曲及熱所致變形之發生變得格外受到抑制。此為本發明之重要特徵。

上述第2補強層20之材質只要是可提高形成有該第2補強層20之部分的剛性者，無論是樹脂、金屬等何種材質皆無妨，但於此例中，光波導W之下包層6與上包層8係以相同之形成材料形成，且如下所述般，係與光波導W之形成同時形成。

接著，就上述光電混合基板之製法予以說明 (參照圖2、圖3)。

首先，準備平板狀之金屬補強層9，於其表面塗佈聚醯亞胺等所構成之感光性絕緣樹脂，以光刻法形成預定圖案之絕緣層1[參照圖2(a)]。上述絕緣層1之厚度例如可設定在3~50μm之範圍內。此外，上述金屬補強層9之形成材料可列舉如不鏽鋼、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、白金、金等，其中從剛性等之觀點出發，以不鏽鋼為佳。此外，上述金屬補強層9之厚度雖也視其材質而定，但在使用不鏽鋼時，例如可設在10~70μm之範圍內。這是因為，小於10μm有無法充分獲得補強效果之虞，相反地一旦超過70μm，光在金屬補強層9之貫通孔5[參照圖1(a)]內移動的距離變長，光損失有增大之虞。

接著，如圖2(b)所示，在上述絕緣層1表面上使用諸如部分加成法(semi-additive method)來形成電性配線2(包含光元件安裝用墊片2a及連接器用墊片2b、其他墊片、接地用電極等，以下相同)。該方法係利用濺鍍或無電解鍍覆法等，先於上述絕緣層1表面形成由銅及鉻等構成之金屬膜(未圖示)。該金屬膜會成為進行後續電鍍時之種子層(形成電鍍層之基底之層)。接著，於上述金屬補強層9、絕緣層1及種子層所構成之積層體兩面上積層感光性光阻(未圖示)後，以光刻法於形成有上述種子層之側的感光性光阻上形成上述電性配線2之圖案的孔部，並使上述種子層之表面部分顯露於該孔部之底部。接著，利用電鍍，於顯露於上述孔部之底部的上述種子層之表面部分上積層並形成由銅等構成之電鍍層。接著，以氫氧化鈉水溶液等將上述感光性光阻剝離。之後，以軟蝕刻(soft etching)方式將未形成上述電鍍層之種子層的部分去除。由殘存之種子層與電鍍層所構成之積層部分將成為上述電性配線2。

接著如圖2(c)所示，於光元件安裝用墊片2a及連接器用墊片2b等除外之電性配線2的部分上塗佈聚醯亞胺等構成之感光性絕緣樹脂，並以光刻法形成覆蓋膜3。

接著，如圖2(d)所示，於未被覆蓋膜3被覆之光元件安裝用墊片2a及連接器用墊片2b等之表面形成電鍍層4。如此形成電路基板E。

其次，於上述金屬補強層9與電路基板E所構成之積層體兩面上積層感光性光阻後，於上述金屬補強層9之背面側(形成有電路基板E之面與相反側之面側)的感光性光阻中與無須金屬補強層9之部分及供光路用之貫通孔形成預定部相對應的部分上，以光刻法形成孔部，而使上述金屬補強層9之背面部分地顯露出。

接著，使用已因應該金屬補強層9之金屬材料的蝕刻用水溶液(例如，金屬補強層9為不鏽鋼層時之蝕刻用水溶液為氯化鐵水溶液)，以蝕刻方式將上述金屬補強層9之顯露部分去除而使絕緣層1從該除去痕跡中顯露後，以氫氧化鈉水溶液等將上述感光性光阻剝離。藉此，如圖3(a)所示，金屬補強層9僅形成在需要補強之區域，且光路用貫通孔5也在同時形成。

其次，為了在上述絕緣層1背面(形成有金屬補強層9之部分則是金屬補強層9之背面)形成光波導W[參照圖1(a)]，首先如圖3(b)所示，於上述絕緣層1及金屬補強層9背面(圖中為下面)上塗佈下包層6形成材料之感光性樹脂後，以照射線使該塗布層曝光並硬化而形成下包層6。另，此時使用上述下包層6形成材料來同時形成第2補強層20(參照圖1)下部之部分20a(以下稱為「下部20a」)。上述下包層6與第2補強層20之下部20a可藉光刻法而形成為預定形狀。再者，下包層6可以穿入上述金屬補強層9之光路用貫通孔5將其填塞之狀態來形成。上述下包層6之厚度(自絕緣層1背面起算之厚度)通常設定成較金屬補強層9之厚度更厚。又，第2補強層20之下部20a當然也可形成為與下包層6之厚度相同的厚度。另，用以形成光波導W之連貫作業係在使形成有上述金屬補強層9之絕緣層1背面朝上的狀態下進行，但圖式係以原有狀態表示。

接著，如圖3(c)所示，利用光刻法在上述下包層6表面(圖中為下面)形成預定圖案之芯部7。舉例來說，芯部7之厚度可設定在3~100μm之範圍內，寬度則可設定在3~100μm之範圍內。上述芯部7之形成材料可舉例如與上述下包層6相同之感光性樹脂，且可使用折射率較上述下包層6及後述上包層8之形成材料更大的材料。此種折射率之調整，舉例來說，可藉由選擇下包層6、芯部7、上包層8之各形成材料之種類及調整組成比率來進行。

其次，如圖3(d)所示，以披覆上述芯部7之方式，利用光刻法在下包層6表面(圖中為下面)疊設並形成上包層8。此時，使用上包層8之形成材料，同時在第2補強層20之下部20a上形成會成為其上部之部分20b(以下稱為「上部20b」)。如此，在光波導W形成之同時，第2補強層20形成。另，舉例來說，上述上包層8之厚度(從下包層6表面起算之厚度)可設定為上述芯部7之厚度以上且在300μm以下。此外，第2補強層20之上部20b當然也可形成為與上包層8之厚度相同之厚度。上述上包層8及第2補強層20之上部20b的形成材料可列舉如與上述下包層6相同之感光性樹脂。

茲將上述光波導W之形成材料的具體組成例顯示如下。

<下包層6、上包層8、第2補強層20(下部20a+上部20b)之形成材料>

含脂環骨架之環氧樹脂(Daicel Corporation製，EHPE3150) 20重量份；液狀長鏈二官能半脂肪族環氧樹脂(DIC公司製，EXA-4816) 80重量份

光酸發生劑(ADEKA公司製，SP170) 2重量份

乳酸乙酯(武藏野化學研究所公司製) 40重量份

<芯部7之形成材料>

鄰甲酚酚醛環氧丙基醚(新日鐵住金化學公司製，YDCN-700-10) 50重量份

雙苯氧基乙醇茀二環氧丙基醚(大阪氣體化學公司製，OGSOL EG) 50重量份

光酸發生劑(ADEKA公司製，SP170) 1重量份

乳酸乙酯(武藏野化學研究所公司製) 50重量份

利用雷射加工及切削加工等，在如此形成之光波導W的預定部分上形成相對於芯部7之延伸方向傾斜45°之傾斜面，並令其為用以與安裝於電路基板E表面側之光元件作光結合的反射面7a[參照圖1(a)]。接著，於已設在電路基板E表面側之電性配線2之墊片2a上安裝光元件等，進行必要構件之裝設。

如此，可製得電路基板E之背面側形成有第2補強層20之圖1所示光電混合基板10。此光電混合基板10中，金屬補強層9之厚度係慮及光電混合基板10之可撓性與剛性的平衡性，且設定在光結合時光損失不會成為問題之範圍內。再者，於僅形成上述金屬補強層9有所不足而須更高剛性之部分上則設有第2補強層20。因此，此基板即使整體而言具有可撓性，光結合部分及連接器連接部分之剛性仍高，可安心組入電子機器及進行連接器之連接作業。此外，因晶片等之安裝部分及連接器之連接部分的剛性較高，即使在諸如施加荷重及溫度負擔的環境下跨長期使用，仍不易受翹曲及熱變形之影響，可維持安定之品質。

況且，由於上述第2補強層20係以與光波導W之包覆層相同之材料形成，即使其平面俯視形狀為複雜且纖細之形狀，仍可在形成下包層6與上包層8之圖案時同時形成，因而具有製造效率佳之優點。

另，雖然上述例示係在形成光波導W之下包層6與上包層8時同時進行第2補強層20之形成，但第2補強層20之形成方法不限於此。舉例來說，亦可不形成第2補強層20，而在形成光電混合基板10後如圖4所示，透過接著劑層21將已另行準備之第2補強層20用板材貼附在電路基板E背面。另，上述第2補強層20之貼附無論是在將光元件安裝在電路基板E表面側之前或之後皆無妨。

若以上述方法，第2補強層20之形成材料無須使用與光波導W之包覆用材料相同之物，可使用各種樹脂材料及金屬材料。其中，以可以較薄厚度成形為板狀且可發揮高剛性者為佳，可舉例如不鏽鋼、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、白金及金等金屬材料以及玻璃纖維強化樹脂、碳纖維強化樹脂等纖維強化樹脂。其等之中，尤以使用不鏽鋼板、玻璃環氧板等為最佳。另，將上述第2補強層20貼附於電路基板E背面側之接著劑層21的材料可因應第2補強層20之材質選擇適當之物。

上述第2補強層20之厚度視所要求之剛性與其材料種類來決定，為不鏽鋼板時，例如可設定為20~2000μm。此外，為玻璃環氧板時，例如可設定為100~3000μm。再者，舉例來說，上述第2補強層20對電路基板E之貼附宜以下述方式進行：於剝離片上形成接著劑層21後，於其上積層金屬層及纖維強化樹脂層等並將其沖壓為預定形狀，再將所得之物去除剝離片而貼附於電路基板E背面之預定位置。

另，於本發明中，設於電路基板E背面側之第2補強層20之形成區域不限於上述例示，可因應需要剛性之區域而以各種配置方式來設置。亦即，雖然上述例示係如圖1(b)所示，以電路基板E背面側所設金屬補強層9係與第2補強層20之外形一致的形式，將第2補強層20設在光波導W周圍，但舉例來說，可如圖5(a)所示，於電路基板E背面側形成較金屬補強層9小一圈之第2補強層20，以提高光波導W周圍中心側之剛性。

此外，亦可不包圍光波導W之三邊而如圖5(b)所示，僅在光波導W之長向前端端緣與電路基板E端緣之間的部分形成第2補強層20以提高此部分之剛性。

此外，可如圖6(a)所示般沿著電路基板E之前端端緣將第2補強層20形成帶狀。或者，可如圖6(b)所示，沿著電路基板E之沿光波導W長向的兩側緣分別將第2補強層20形成為帶狀，或如圖6(c)所示，沿著其單側之側緣將第2補強層20形成為帶狀，藉由提高所需方向之側緣部的剛性而提高其處理性。

此外，於電路基板E之背面側，金屬補強層9之外形係形成為較電路基板E之外形更小時，第2補強層20可如圖7(a)所示般跨金屬補強層9與電路基板E之絕緣層1而形成，或如圖7(b)所示以完全不與金屬補強層9重疊之配置方式直接形成在絕緣層1背面。

接著，如上所述，將第2補強層20直接形成在絕緣層1背面時，亦與圖6(a)~(c)所示之例相同，可沿著電路基板E之端緣或側緣形成第2補強層20[參照圖8(a)~(c)]。

又，與圖1之例相同，就包圍光波導W周圍而形成之第2補強層20而言，可如圖9所示般，從其與光波導W對峙之面的上部起，延伸設置一朝側邊(與光波導W重疊之側)延伸之蓋部22。延伸設置有蓋部22之第2補強層20係如其俯視圖之圖10(a)所示，不僅只包圍光波導W之周圍，還將光波導W之光結合部周邊整個包覆成袋狀，因此可進一步提高光結合部周邊之剛性。另，於圖10中係以朝左右方向延伸之窄間隔平行線來表示第2補強層20與金屬補強層9或絕緣層1接合之部分(蓋部22以外之部分)。因此，該光電混合基板10除了處理性更為提高之外，將具有更優異之品質安定性。並且，藉由上述蓋部22，光波導W側之反射面7a(參照圖9)與其周邊部可維持潔淨，而可進一步抑制光損失。

另，上述蓋部22可如圖10(b)所示，以單側支撐之狀態從設在光波導W之前端側的1個部位之第2補強層20延伸設置，亦可如圖10(c)所示，以跨挾持光波導W設在兩側之第2補強層20的配置來延伸設置。

再者，為了製得附上述蓋部22之第2補強層20，例如，可使圖9中較點鍊線P所示部位更靠下方根部側的部分(圖中居上)如前述般與形成光波導W時相同地以包覆材料同時形成，或者以透過接著劑層21貼附板狀補強層材之方法來形成後，在其上(圖中居下)貼附將成為蓋部22之板材，藉此可獲得目的之附蓋部22的第2補強層20。

當然也可利用雷射加工等，準備一已成形為延伸設置有蓋部22之第2輔助層20之形狀的板材，並透過接著劑層21將其直接貼附在電路基板E背面側。

另外，上述蓋部22之厚度可考慮與第2補強層20之整體厚度的平衡性以及形狀保持性能而設定為適當厚度。例如，可令第2補強層20之整體厚度為100~3000μm，蓋部22之厚度為50~2950μm。

此外，在上述一連串例示中，第2補強層20(附蓋部22之物則是蓋部22以外之部分)雖是利用電路基板E背面側上未形成光波導W之部分來形成，但第2補強層20之配置未必限於未形成光波導W之部分。舉例來說，可在電路基板E之背面側上，跨未形成光波導W之部分與光波導W之形成面來形成第2補強層20，或者，亦可在光波導W之形成面上重疊形成第2補強層20。但，於光波導W上重疊形成第2補強層20時，光波導W之芯部7的配置與第2補強層20之配置於俯視下以設成不重疊之配置為宜。

此外，圖1所示例中，光波導W之外形係以下包層6與上包層8雙方來形成，但光波導W之外形無論是僅以上包層8形成或僅以芯部7形成皆無妨。再者，與光波導W同時形成第2補強層20時，第2補強層20可與上包層8同時形成或與芯部7同時形成。

另，上述實施形態係就本發明之具體形態予以顯示，但上述實施形態僅為單純例示，非供作限定解釋之物。對於業界人士而言係屬淺顯之各式變形全在本發明之範圍之內，此事係在意圖之中。

產業上之可利用性

本發明可利用於提供光電混合基板，其電路基板部分不易受翹曲及熱變形之影響、處置性優異且具安定品質。

Claims

一種光電混合基板，其特徵在於具備：於絕緣層表面形成有電性配線之電路基板；部分地形成在上述電路基板背面側之金屬補強層；及同樣在上述電路基板背面側以部分重疊配置方式設置之光波導；並且，上述光電混合基板係利用上述電路基板背面側中未形成上述光波導之部分形成有第2補強層，該第2補強層係以上述光波導之端面與上述第2補強層之外面之間具縫隙的配置方式來形成。
如請求項1之光電混合基板，其中上述第2補強層係以與光波導之包覆層相同的材料形成。
如請求項1或2之光電混合基板，其中上述第2補強層係以金屬板或纖維強化樹脂板形成。
一種光電混合基板之製法，係請求項1之光電混合基板之製法，其特徵在於具備下述步驟：於金屬補強層表面形成絕緣層，並於該絕緣層表面形成電性配線而製得電路基板；去除上述金屬補強層中不需要之部分，並使電路基板之背面部份地從該去除部分露出；以與上述電路基板之背面側部分重疊配置之方式形成光波導；及利用上述電路基板背面側中未形成上述光波導之部分來形成第2補強層，該第2補強層係以上述光波導之端面與上述第2補強層之外面之間具縫隙的配置方式來形成。
如請求項4之光電混合基板之製法，其中上述形成光波導之步驟係一依序形成並積層下包層、芯層及上包層之步驟，且於形成上述下包層時，於上述電路基板背面側上使用與上述下包層相同材料來形成第2補強層之下部，形成上述上包層時則於上述第2補強層下部之上方使用與上述上包層相同材料來形成第2補強層之上部，以藉此製得第2補強層。
如請求項4或5之光電混合基板之製法，其係於上述形成光波導之步驟結束後，在上述電路基板背面側貼附金屬板或纖維強化樹脂板，以藉此製得第2補強層。