JP5271141B2 - 光電気混載モジュールの製造方法およびそれによって得られた光電気混載モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光導波路部分と、電気回路部分と、この電気回路部分に実装された光学素子と備えた光電気混載モジュールの製造方法およびそれによって得られた光電気混載モジュールに関するものである。

従来の光電気混載モジュールは、図１０に示すように、アンダークラッド層５１，コア５２およびオーバークラッド層５３をこの順に形成した光導波路部分Ｗ₀ と、基板５５上に電気回路５７（光学素子１１実装用パッド５７ａを含む）を形成した電気回路部分Ｅ₀ とを個別に作製し、その光導波路部分Ｗ₀ のオーバークラッド層５３の表面に、接着剤（図示せず）により、上記電気回路部分Ｅ₀ の基板５５の裏面を貼り合わせた後、上記電気回路部分Ｅ₀ における電気回路５７の光学素子１１実装用パッド５７ａに光学素子１１を実装して製造される（例えば、特許文献１参照）。このように、光導波路部分Ｗ₀ と電気回路部分Ｅ₀ とを貼り合わせた後に、上記光学素子１１実装用パッド５７ａを目印にして、その電気回路部分Ｅ₀ に光学素子１１を実装すると、光学素子１１を光導波路部分Ｗ₀ のコア５２に対して適正な位置に位置決めし易くなる。したがって、光導波路部分Ｗ₀ と電気回路部分Ｅ₀ とを貼り合わせた後、光学素子１１を実装することが一般的に行われている。

そして、上記光学素子１１が実装された後、バーンイン〔通常の使用条件よりも酷しい条件（例えば高い温度，高い電圧）にさらす処理〕工程を経て、上記光学素子１１の実装状態が検査される。この検査で、光学素子１１の実装状態が適正であるもの（合格品）は、製品として出荷され、適正でないもの（不合格）は、廃棄される。

特開２００４−３０２３４５号公報

しかしながら、上記光電気混載モジュールの製造が、上記従来技術のように、光導波路部分Ｗ₀ と電気回路部分Ｅ₀ とを貼り合わせた後に、その電気回路部分Ｅ₀ に光学素子１１を実装するようにして行われると、上記光学素子１１の実装検査で不合格と判断された場合、光電気混載モジュール全体が廃棄されることになる。上記光導波路部分Ｗ₀ の形成材料は、非常に高価であり、廃棄されると、大幅な損失になる。ところが、従来は、光学素子１１の適正位置への実装を重視していたため、このような損失に目をつぶっていた。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、コスト損失を抑制することができる光電気混載モジュールの製造方法およびそれによって得られた光電気混載モジュールの提供をその目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明は、光導波路部分と、電気回路部分と、この電気回路部分に実装された光学素子とを備えた光電気混載モジュールの製造方法であって、上記光導波路部分の作製を、アンダークラッド層の表面に，光路用の線状のコアを形成した後，型成形法により，上記コアを被覆するオーバークラッド層の形成と同時に，所定の適正位置に，電気回路部分位置決め用の突起を形成して行い、上記電気回路部分の作製を、基板上に，光学素子実装用パッドを含む電気回路を形成するとともに，上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔を形成して行い、上記電気回路部分の光学素子実装用パッドに光学素子を実装した後、その光学素子の実装状態を検査し、適正な実装が確認できたときに、上記電気回路部分位置決め用の突起に、上記電気回路部分の上記貫通孔を嵌合させ、光学素子が実装された電気回路部分と光導波路部分とを一体化して光電気混載モジュールにする光電気混載モジュールの製造方法を第１の要旨とする。

また、本発明は、光導波路部分と、電気回路部分と、この電気回路部分に実装された光学素子とを備えた光電気混載モジュールであって、上記光導波路部分が、アンダークラッド層と，このアンダークラッド層の表面に，光路用の線状のコアと，このコアを被覆する，型成形製のオーバークラッド層と，このオーバークラッド層上に，そのオーバークラッド層と同材料を用いて形成された，上記型成形製の電気回路部分位置決め用の突起とを備え、上記電気回路部分が、基板と，この基板上に形成された光学素子実装用パッドを含む電気回路と，上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔とを備え、上記光学素子が、上記光学素子実装用パッドに実装された状態での適正実装検査の合格品であり、光学素子の実装された電気回路部分と光導波路部分との一体化による光電気混載モジュール化が、上記光導波路部分における上記電気回路部分位置決め用の突起に、上記電気回路部分における上記貫通孔を嵌合してなされている、上記製造方法により得られた光電気混載モジュールを第２の要旨とする。

本発明の光電気混載モジュールの製造方法は、光導波路部分を作製する工程において、電気回路部分位置決め用の突起を適正位置に形成し、電気回路部分を作製する工程において、上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔を適正位置に形成する。そして、その電気回路部分に光学素子を実装した後、その光学素子の実装状態を検査し、その検査により光学素子の適正な実装が確認できた合格品だけを、上記貫通孔を利用して、光導波路部分の上記突起に嵌合し、光電気混載モジュールにする。このため、上記検査により不合格品と判断されたものが光導波路部分に組み付けられて光電気混載モジュール全体が不良品になる、ということを防止することができる。その結果、大幅なコストの低減を実現することができる。また、本発明の光電気混載モジュールの製造方法では、上記のように、光導波路部分の上記突起に電気回路部分の上記貫通孔を嵌合させることにより、光学素子が実装された電気回路部分と光導波路部分とを一体化して光電気混載モジュールにするため、その一体化の際の、上記光学素子と光導波路部分との間の相互の適正な位置決めを、容易に行うことができる。

特に、上記電気回路部分位置決め用の突起が、上記コアの端部に対して適正位置に位置決めされ、その突起に嵌合する貫通孔が、光学素子実装用パッドに対して適正位置に位置決めされている場合には、上記光学素子実装用パッドに光学素子を実装した電気回路部分と、上記光導波路部分とを一体化することにより、上記コアの端部と光学素子とをより適正に位置決めすることができる。

さらに、上記電気回路部分の基板が、金属製であり、上記電気回路部分の作製工程が、その金属製基板の表面に，絶縁層を形成した後，その絶縁層の表面に，上記光学素子実装用パッドを含む電気回路を形成すると同時に，上記貫通孔形成予定部の周縁部分に貫通孔位置決め用の回路を形成する工程と、上記貫通孔位置決め用の回路を基準として上記貫通孔形成予定部の上記金属製基板部分をエッチングにより除去するとともに上記貫通孔形成予定部の絶縁層部分をエッチングにより除去して上記貫通孔を形成する工程と、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に実装用のめっき処理を施す工程と備えている場合には、上記貫通孔位置決め用の回路を利用して、上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔の形成位置を、より適正な位置に位置決めすることができる。しかも、上記基板が金属製であるため、貫通孔形成予定部の上記金属製基板部分をエッチングにより高精度に除去することができる。これらのことから、上記コアの端部と光学素子とをより一層適正に位置決めすることができる。さらに、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に対する上記実装用のめっき処理により、上記電気回路等の防錆効果を向上させることができる。

また、本発明の光電気混載モジュールは、光導波路部分における電気回路部分位置決め用の突起に、電気回路部分における貫通孔を嵌合させることにより、光学素子が実装された電気回路部分と光導波路部分とを一体化させたものであるため、上記光学素子と光導波路部分とが相互に適正に位置決めされた状態になっている。そして、電気回路部分の光学素子実装用パッドに実装された光学素子が適正実装検査の合格品であるため、本発明の光電気混載モジュールは、確実に光伝播することができる。

特に、上記電気回路部分位置決め用の突起が、上記コアの端部に対して適正位置に位置決めされ、その突起に嵌合する貫通孔が、光学素子実装用パッドに対して適正位置に位置決めされている場合には、上記コアの端部と光学素子とがより適正に位置決めされた状態となっている。このため、光伝播効率が向上したものとなっている。

さらに、上記電気回路部分の基板が、金属製であり、その金属製基板の表面に，絶縁層を介して，上記光学素子実装用パッドを含む電気回路と，貫通孔位置決め用の回路とが形成され、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に、実装用のめっき処理によるめっき層が形成されている場合には、上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔が、上記貫通孔位置決め用の回路を利用して、より適正な位置に位置決め形成されている。このため、上記コアの端部と光学素子とがより一層適正に位置決めされた状態となっており、光伝播効率がより向上したものとなっている。さらに、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に形成されためっき層により、上記電気回路等が錆びないようになっている。

（ａ）は、本発明の光電気混載モジュールの一実施の形態を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 上記図１（ａ）の光学素子が実装された電気回路部分のＢ−Ｂ断面の拡大図である。 （ａ）は、上記光電気混載モジュールの製造方法における光導波路部分のアンダークラッド層を形成する工程を模式的に示す説明図であり、（ｂ）〜（ｃ）は、コアを形成する工程を模式的に示す説明図である。 （ａ）〜（ｂ）は、上記光導波路部分のオーバークラッド層を形成する工程を模式的に示す説明図であり、（ｃ）は、上記コア端部の光反射面の形成工程を模式的に示す説明図である。 （ａ）〜（ｅ）は、上記光電気混載モジュールの製造方法における電気回路部分の作製工程を拡大して模式的に示す説明図である。 （ａ）は、上記光電気混載モジュールの製造方法における光学素子の実装工程を拡大して模式的に示す説明図であり、（ｂ）は、上記光学素子を樹脂封止する工程を拡大して模式的に示す説明図である。 上記電気回路部分を上記光導波路部分に組み付ける工程を模式的に示す説明図である。 （ａ）〜（ｄ）は、上記電気回路部分の他の作製工程を模式的に示す説明図である。 本発明の光電気混載モジュールの他の実施の形態を模式的に示す断面図である。 従来の光電気混載モジュールの製造方法を模式的に示す説明図である。

つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。

図１（ａ）は、本発明の光電気混載モジュールの一実施の形態を模式的に示す平面図であり、図１（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図である。この光電気混載モジュールは、電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４を有する光導波路部分Ｗ₁ と、その突起４に嵌合する貫通孔８を有する電気回路部分Ｅ₁ とを、個別に作製し、その電気回路部分Ｅ₁ に光学素子１１を実装した後、その光学素子１１の実装状態を検査し、適正な実装が確認できた合格品だけを、上記貫通孔８を利用して、光導波路部分Ｗ₁ の上記突起４に嵌合し一体化して構成されている。

より詳しく説明すると、上記光導波路部分Ｗ₁ は、アンダークラッド層１と、このアンダークラッド層１の表面に、所定パターンの線状に形成された光路用のコア２と、このコア２を被覆した状態で上記アンダークラッド層１の表面に形成されたオーバークラッド層３と、上記コア２の一端部に対応する上記オーバークラッド層３上に、電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の４本の突起４とを備えている。これら突起４は、上記コア２の一端部に対して適正な位置に位置決めされている。さらに、この実施の形態では、各突起４は、円錐台状に形成されている。また、上記コア２の一端部およびそれに対応するアンダークラッド層１の部分には、図示のように逆Ｖ字状の切欠部４０が形成されており、その逆Ｖ字状の切欠部４０のコア２側の一側面は、上記コア２の軸方向に対して４５°傾斜した傾斜面に形成され、その傾斜面に位置するコア２の端部が光反射面２ａになっている。その光反射面２ａは、上記光学素子１１の下方に位置決め形成されている。さらに、この実施の形態では、上記突起４が形成されているオーバークラッド層３の一端部分３ａは、電気回路部分Ｅ₁ を組み付けるスペースを確保するため、厚みが薄く形成されており、オーバークラッド層３の他端部は、表面が外側に向かって反る略１／４円弧状のレンズ部３ｂに形成されている。

上記電気回路部分Ｅ₁ は、図２にその断面〔図１（ａ）のＢ−Ｂ断面〕を拡大して示すように、四角形のステンレス製基板５と、このステンレス製基板５の下面に形成された絶縁層６と、この絶縁層６の下面に形成された光学素子１１実装用パッド７ａを含む電気回路７と、上記電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４に嵌合する４個〔図１（ａ）参照〕の貫通孔８とを備えている。これら貫通孔８は、上記四角形の四隅部〔図１（ａ）参照〕に形成されている。また、この実施の形態では、上記絶縁層６の下面の上記貫通孔８周縁部分に、貫通孔８位置決め用の回路９が形成されている。この貫通孔８位置決め用の回路９は、上記貫通孔８を位置決め形成する際の目印に利用される。さらに、上記光学素子１１実装用パッド７ａを除く電気回路７および貫通孔８位置決め用の回路９の表面には、実装用のめっき処理によるめっき層１０が形成されている。

上記光学素子１１は、この実施の形態では、ワイヤーボンディングタイプの素子が用いられている。このため、上記光学素子１１の実装は、その光学素子１１の上面の電極（カソード）を、銀ペーストの硬化層（図示せず）を介して、上記光学素子１１実装用パッド７ａの下面に電気的に接続し、上記光学素子１１の下面の電極（アノード）を、ボンディングワイヤ１２により、上記電気回路７の２ｎｄボンド用パッドに電気的に接続して行われている。さらに、上記実装状態では、上記光学素子１１およびその周辺部は、透明樹脂１３によりポッティング封止されている。なお、上記光学素子１１の発光部または受光部は、その光学素子１１の下面に形成されている。

そして、上記本発明の光電気混載モジュールは、図１（ａ），（ｂ）に示すように、上記光導波路部分Ｗ₁ における電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４に、上記電気回路部分Ｅ₁ における貫通孔８を嵌合したものとなっており、それにより、光学素子１１が実装された電気回路部分Ｅ₁ と光導波路部分Ｗ₁ とが一体化している。上記光電気混載モジュールにおける光学素子１１は、前記実装検査で合格したものである。なお、この実施の形態では、上記光学素子１１は、その下面側（発光部または受光部が形成されている側）を光導波路部分Ｗ₁ のコア２側〔図１（ｂ）では下方〕に向けて配置されている。

上記光電気混載モジュールでは、光Ｌは、つぎのように伝播するようになっている。すなわち、例えば、上記光学素子１１が発光素子である場合は、その光学素子１１の発光部から下方に発光された光Ｌは、オーバークラッド層３を通り抜けた後、コア２の一端部に入射する。ついで、その光Ｌは、上記コア２の一端部の光反射面２ａで反射して、コア２内を軸方向に進む。そして、その光Ｌは、コア２の他端面から出射し、その後、オーバークラッド層３の他端部のレンズ部３ｂのレンズ面から、そのレンズ部３ｂの屈折作用により、光Ｌの発散が抑制された状態で出射する。

一方、上記光学素子１１が受光素子である場合は、図示しないが、光は、上記とは逆の方向に進む。すなわち、光は、オーバークラッド層３の他端部のレンズ部３ｂのレンズ面から入射し、そのレンズ部３ｂの屈折作用により、絞って集束された状態で、上記コア２の他端面からコア２内に入射する。ついで、その光は、コア２内を軸方向に進み、コア２の一端部の光反射面２ａで上方に反射し、オーバークラッド層３を通り抜けて出射された後、上記光学素子１１の受光部で受光される。

そして、上記本発明の光電気混載モジュールは、つぎのように、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段として用いることができる。すなわち、上記光学素子１１を発光素子としたもの（光出射側）を、タッチパネルの四角形のディスプレイの画面周縁部の一側部に、複数並設し、上記光学素子１１を受光素子としたもの（光入射側）を、上記ディスプレイの画面周縁部の他側部に、複数並設する。このとき、上記光電気混載モジュールのレンズ面が上記ディスプレイの画面の周縁に沿った状態で並設し、光出射側からの出射光を光入射側で入射できるようにする。これにより、光出射側からの複数の出射光が、ディスプレイの画面上において、その画面と平行に格子状に走るようにすることができる。このため、指でディスプレイの画面に触れると、その指が出射光の一部を遮断し、その遮断された部分を、光入射側で感知することにより、上記指が触れた部分の位置を検知することができる。

上記本発明の光電気混載モジュールは、下記の（１）〜（４）の工程を経て製造される。なお、その製造工程を示す図３（ａ）〜図７のうち、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ），（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する部分の断面を拡大した図であり、それ以外の図は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面に相当する部分の断面図である。
（１）上記光導波路部分Ｗ₁ を作製する工程〔図３（ａ）〜（ｃ），図４（ａ）〜（ｃ）参照〕。
（２）上記電気回路部分Ｅ₁ を作製する工程〔図５（ａ）〜（ｅ）参照〕。
（３）上記電気回路部分Ｅ₁ に光学素子１１を実装した後、その光学素子１１の実装状態を検査する工程〔図６（ａ），（ｂ）参照〕。
（４）上記検査で適正な実装が確認できた合格品だけを、上記光導波路部分Ｗ₁ に組み付ける工程（図７参照）。

上記（１）の光導波路部分Ｗ₁ の作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層１を形成する際に用いる平板状の基台２０〔図３（ａ）参照〕を準備する。この基台２０の形成材料としては、例えば、ガラス，石英，シリコン，樹脂，金属等があげられる。また、基台２０の厚みは、例えば、２０μｍ〜５ｍｍの範囲内に設定される。

ついで、図３（ａ）に示すように、上記基台２０の表面の所定領域に、感光性エポキシ樹脂等の、アンダークラッド層１形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理（５０〜１２０℃×１０〜３０分間程度）して乾燥させ、アンダークラッド層１形成用の感光性樹脂層１Ａを形成する。そして、その感光性樹脂層１Ａを、紫外線等の照射線により露光することにより、アンダークラッド層１に形成する。アンダークラッド層１の厚みは、通常、１〜５０μｍの範囲内に設定される。

つぎに、図３（ｂ）に示すように、上記アンダークラッド層１の表面に、上記アンダークラッド層１形成用の感光性樹脂層１Ａの形成方法と同様にして、コア２形成用の感光性樹脂層２Ａを形成する。そして、コア２のパターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクを介して、上記感光性樹脂層２Ａを照射線により露光する。つぎに、加熱処理を行った後、現像液を用いて現像を行うことにより、図３（ｃ）に示すように、上記感光性樹脂層２Ａにおける未露光部分を溶解させて除去し、残存した感光性樹脂層２Ａをコア２のパターンに形成する。コア２の厚み（高さ）は、通常、５〜６０μｍの範囲内に設定される。コア２の幅は、通常、５〜６０μｍの範囲内に設定される。

なお、上記コア２の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層１と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層１および下記オーバークラッド層３〔図４（ｂ）参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層１，コア２，オーバークラッド層３の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。

つぎに、オーバークラッド層３〔図４（ｂ）参照〕と、電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４〔図４（ｂ）参照〕とを同時に型成形する際に用いる成形型３０〔図４（ａ）参照〕を準備する。この成形型３０の下面には、上記オーバークラッド層３の形状に対応する型面を有する凹部３１が形成されている。この凹部３１は、電気回路部分Ｅ₁ 〔図１（ｂ）参照〕組付用の部分３１ａと、レンズ部３ｂ〔図４（ｂ）参照〕形成用の部分３１ｂとを有している。そして、上記凹部３１の電気回路部分Ｅ₁ 組付用の部分３１ａには、上記電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４の形状に対応する窪み３２が形成されている。また、上記成形型３０の上面には、その使用の際にコア２の一端面〔図４（ａ）では右端面〕に位置合わせして成形型３０を適正に位置決めするためのアライメントマーク（図示せず）が形成されており、このアライメントマークを基準とする所定の適正な位置に、上記凹部３１および窪み３２が形成されている。

すなわち、上記アライメントマークを基準にして上記成形型３０をセットし、その状態で成形すると、コア２の一端面を基準として所定の適正な位置に、オーバークラッド層３と、電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４とを同時に型成形することができるようになっている。また、上記成形型３０のセットは、その成形型３０の下面をアンダークラッド層１の表面に密着させることにより行われ、それにより、上記凹部３１および窪み３２の型面とアンダークラッド層１の表面とコア２の表面で囲まれる空間が成形空間３３になるようになっている。さらに、上記成形型３０には、オーバークラッド層３および電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４形成用の感光性樹脂を上記成形空間３３に注入するための注入孔（図示せず）が、上記凹部３１および窪み３２に連通した状態で形成されている。また、上記成形型３０としては、その成形型３０を通して、上記成形空間３３に満たされたオーバークラッド層３形成用の感光性樹脂を、紫外線等の照射線により露光する必要があるため、照射線を透過する材料からなるもの（例えば石英製のもの）が用いられる。

ついで、図４（ａ）に示すように、上記成形型３０のアライメントマークを上記コア２の一端面に位置合わせし成形型３０全体を適正に位置決めした状態で、その成形型３０の下面をアンダークラッド層１の表面に密着させる。そして、上記凹部３１および窪み３２の型面とアンダークラッド層１の表面とコア２の表面で囲まれた成形空間３３に、オーバークラッド層３および電気回路部分Ｅ1 位置決め用の突起４形成用の感光性樹脂を、上記成形型３０に形成された注入孔から注入し、上記成形空間３３を上記感光性樹脂で満たす。つぎに、上記成形型３０を通して紫外線等の照射線を露光した後に加熱処理を行う。これにより、上記感光性樹脂が硬化し、オーバークラッド層３と、電気回路部分Ｅ1 位置決め用の突起４とが同時に形成される。ついで、脱型し、図４（ｂ）に示すように、オーバークラッド層３と、電気回路部分Ｅ1 位置決め用の突起４とを得る。この電気回路部分Ｅ1 位置決め用の突起４は、先に述べたように、上記成形型３０を用いコア２の一端面を基準として形成したため、コア２の一端面に対して所定の適正な位置に位置決めされている。また、上記オーバークラッド層３のレンズ部３ｂも、適正な位置に位置決めされている。

上記オーバークラッド層３の厚み（アンダークラッド層１の表面からの厚み）は、コア２の一端側（図では右側）の薄い部分がコア２の厚みを上回り１５０μｍ以下の範囲内、コア２の他端側（図では左側）の厚い部分がコア２の厚みを上回り１２００μｍ以下の範囲内に設定される。また、上記電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４は、円錐台状に形成され、高さが５００〜１２００μｍの範囲内、底面の直径が８００〜３０００μｍの範囲内、頂面の直径が５００〜２０００μｍの範囲内に設定される。上記のように、上記電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４を円錐台状に形成すると、後の工程で、その突起４に電気回路部分Ｅ₁ における貫通孔８を嵌合させる際に、上記突起４の外径，上記貫通孔８の内径が設計値から少し外れていたとしても、上記突起４と貫通孔８とは、同軸的に嵌合し、その軸に直角な平面方向の、光導波路部分Ｗ₁ と電気回路部分Ｅ₁ との位置ずれが防止される。

なお、上記オーバークラッド層３の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層１と同様の感光性樹脂があげられる。その粘度は、上記成形空間３３への注入を可能にするため、好適には、１００〜２０００ｍＰａ・ｓの範囲内に設定される。

ついで、アンダークラッド層１の裏面から基台２０を剥離した後、刃先角度９０°のＶ字型刃先のダイシングブレード等を用いて、アンダークラッド層１の裏面側から、コア２の一端部を切削し、図４（ｃ）に示すように、コア２の一端部に対応する部分に、逆Ｖ字状の切欠部４０を形成する。これにより、その逆Ｖ字のコア２部分が、４５°傾斜した光反射面２ａに形成される。この光反射面２ａは、後の工程で実装される光学素子１１の下方に形成される。これにより、上記（１）の光導波路部分Ｗ₁ の作製工程が完了する。

つぎに、上記（２）の電気回路部分Ｅ₁ の作製工程について説明する。まず、四角形のステンレス製基板５〔図５（ａ）参照〕を準備する。このステンレス製基板５の大きさは、例えば、縦の長さ×横の長さが１０〜４０ｍｍ×２０〜４０ｍｍの範囲内、厚みが０．０４〜０．２ｍｍの範囲内に設定される。

ついで、図５（ａ）に示すように、上記ステンレス製基板５の表面全体に、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層６形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層６形成用の感光性樹脂層６Ａを形成する。そして、その感光性樹脂層６Ａを、紫外線等の照射線により露光することにより、絶縁層６に形成する。絶縁層６の厚みは、通常、５〜１５μｍの範囲内に設定される。

つぎに、図５（ｂ）に示すように、セミアディティブ法により、上記絶縁層６の表面に、光学素子１１実装用パッド７ａを含む電気回路７と、貫通孔８〔図５（ｄ）参照〕位置決め用の回路９とを、同時に形成する。これにより、上記貫通孔８位置決め用の回路９は、上記光学素子１１実装用パッド７ａに対して適正に位置決めされた状態で形成される。なお、この実施の形態では、上記電気回路７は、上記四角形の中央部に形成し、上記貫通孔８位置決め用の回路９は、貫通孔８形成予定部（上記四角形の四隅部）の周縁部分に形成している。

なお、上記セミアディティブ法による上記電気回路７および貫通孔８位置決め用の回路９の形成は、例えば、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、上記絶縁層６の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層（厚み６００〜２６００Å程度）を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層（電解めっき層形成の素地となる層）となる。ついで、上記ステンレス製基板５，絶縁層６およびシード層からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、上記シード層が形成されている側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記電気回路７および貫通孔８位置決め用の回路９のパターンの溝部を同時に形成し、その溝部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記溝部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層（厚み５〜２０μｍ程度）を積層形成する。そして、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を電気回路７および貫通孔８位置決め用の回路９に形成する。

そして、それを露光機にセットし、表面側（電気回路７側）と裏面側（ステンレス製基板５側）とをカメラで撮影し、その画像を基に、上記貫通孔８位置決め用の回路９を目印として、上記ステンレス製基板５における貫通孔８形成予定部の位置を適正に位置決めする。ついで、その貫通孔８形成予定部を除く部分を、ドライフィルムレジストで覆う。つぎに、図５（ｃ）に示すように、露呈している上記貫通孔８形成予定部のステンレス製基板５部分を、塩化第２鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、同図に示すように、その除去部分５ａから上記絶縁層６の部分が露呈する。

つぎに、図５（ｄ）に示すように、上記露呈した絶縁層６の部分を、ケミカルエッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記貫通孔８形成予定部に貫通孔８を形成する。この貫通孔８は、上記セミアディティブ法により、光学素子１１実装用パッド７ａと同時に形成した貫通孔８位置決め用の回路９を基準に形成されているため、上記貫通孔８は、上記光学素子１１実装用パッド７ａに対して所定の適正な位置に、自動的に位置決め形成される。

そして、上記光学素子１１実装用パッド７ａをレジストで被覆し、実装用の電解めっき処理を施す。これにより、図５（ｅ）に示すように、上記光学素子１１実装用パッド７ａを除く電気回路７および貫通孔８位置決め用の回路９の表面に、めっき層１０が形成される。このめっき層１０の成分としては、金，ニッケル等があげられる。また、そのめっき層１０の厚みは、通常、０．２〜０．５μｍの範囲内に設定される。その後、上記光学素子１１実装用パッド７ａを被覆しているレジストを、アルカリ液で洗い流すことにより除去する。これにより、上記（２）の電気回路部分Ｅ₁ の作製工程が完了する。

つぎに、前記（３）の光学素子１１の実装，検査工程について説明する。まず、上記電気回路部分Ｅ₁ の光学素子１１実装用パッド７ａの表面に、銀ペースト（図示せず）を塗布する。その後、図６（ａ）に示すように、高精度ダイボンダ（実装装置）を用いて、上記銀ペースト上に、上記光学素子１１を実装する。このとき、光学素子１１の下面の電極（カソード）を上記銀ペーストに接触させる。その後、キュア処理し、上記銀ペーストを硬化させる。ついで、ワイヤボンダ（接続装置）を用いて、上記光学素子１１の上面の電極（アノード）と、上記電気回路７の２ｎｄボンド用パッドとを、ボンディングワイヤ１２により電気的に接続する。その後、図６（ｂ）に示すように、上記光学素子１１およびその周辺部を、透明樹脂１３によりポッティング封止する。これにより、光学素子１１の実装工程が完了する。この光学素子１１が実装された電気回路部分Ｅ₁ においては、先に述べたように、図５（ｄ）の工程で形成された貫通孔８が、上記光学素子１１実装用パッド７ａに対して所定の適正な位置に位置決めされているため、その光学素子１１実装用パッド７ａに実装した光学素子１１と上記貫通孔８とは、所定の適正な位置関係になっている。

そして、上記光学素子１１が実装された電気回路部分Ｅ₁ に対して、バーンイン〔通常の使用条件よりも酷しい条件（例えば高い温度，高い電圧）にさらす処理〕を行った後、上記光学素子１１の実装状態を検査する。この検査では、上記光学素子１１が発光素子である場合、電気回路部分Ｅ₁ の電気回路７に電流を流し、発光素子から光が発光されるか否かを確認する。発光が確認できるものは、合格品と判断でき、発光が確認できないものは、不合格品と判断される。一方、上記光学素子１１が受光素子である場合、その受光素子に光を当て、その受光素子から電気信号が電気回路７に送られるか否かを確認する。この電気信号が確認できるものは、合格品と判断でき、上記電気信号が確認できないものは、不合格品と判断される。これにより、上記（３）の光学素子１１の検査工程が完了する。

つぎに、前記（４）の組み付け工程について説明する。まず、上記（３）の検査工程で合格品と判断されたものを、図７に示すように、上記光学素子１１の実装側を光導波路部分Ｗ₁ のコア２側（図７では下方）に向けた状態で位置決めする。そして、上記光導波路部分Ｗ₁ における電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４に、上記電気回路部分Ｅ₁ における貫通孔８を嵌合させ、上記光導波路部分Ｗ₁ と電気回路部分Ｅ₁ とを一体化する。この場合、さらに、上記突起４と貫通孔８との嵌合部を接着剤で固定してもよい。このようにして、目的とする光電気混載モジュール〔図１（ａ），（ｂ）参照〕が完成する。

ここで、先に述べたように、上記光導波路部分Ｗ₁ では、コア２の一端面と電気回路部分Ｅ₁ 位置決め用の突起４とが適正な位置関係にある。また、上記光学素子１１が実装された電気回路部分Ｅ₁ では、光学素子１１と上記突起４に嵌合する貫通孔８とが適正な位置関係にある。その結果、上記突起４に上記貫通孔８を嵌合してなる上記光電気混載モジュールでは、コア２の一端面と光学素子１１とが、自動的に適正な位置関係になるため、適正な光伝播が可能になっている。

そして、このような光電気混載モジュールの製造方法では、光電気混載モジュールの完成に先立って、電気回路部分Ｅ₁ に実装された光学素子１１の実装状態を検査することができるため、上記検査により不合格品と判断されたものが光導波路部分Ｗ₁ に組み付けられて光電気混載モジュール全体（完成品）が不良品になる、ということが防止される。

なお、上記実施の形態では、電気回路部分Ｅ₁ の作製において、貫通孔８形成予定部の周縁部分に貫通孔８位置決め用の回路９を形成したが、この回路９を形成することなく、電気回路部分Ｅ₂ 〔図８（ｄ）参照〕を作製してもよい。この電気回路部分Ｅ₂ の作製方法は、まず、図８（ａ）に示すように、上記ステンレス製基板５の表面のうち、貫通孔８〔図８（ｃ）参照〕形成予定部を除く部分に、フォトリソグラフィ法により絶縁層６を形成する。ついで、図８（ｂ）に示すように、上記実施の形態と同様にして、セミアディティブ法により、上記絶縁層６の表面に、光学素子１１実装用パッド７ａを含む電気回路７を形成する。ついで、上記ステンレス製基板５，絶縁層６および電気回路７からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、片面側のドライフィルムレジストに、上記光学素子１１実装用パッド７ａを基準として、フォトリソグラフィ法により上記貫通孔８形成予定部のパターンの孔部を形成し、その孔部の底に上記ステンレス製基板５の表面部分を露呈させる。つぎに、図８（ｃ）に示すように、上記孔部の底に露呈した上記ステンレス製基板５部分を、塩化第２鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記貫通孔８形成予定部に貫通孔８を形成する。その後、図８（ｄ）に示すように、上記実施の形態と同様にして、実装用の電解めっき処理を施し、上記光学素子１１実装用パッド７ａを除く電気回路７の表面に、めっき層１０を形成する。このようにして、上記電気回路部分Ｅ₂ を作製してもよい。この場合、製造工程の短縮化が可能になる。

また、上記実施の形態では、図１（ａ），（ｂ）に示すように、オーバークラッド層３の他端部（図では左端部）をレンズ部３ｂに形成したが、図９に示すように、コア２およびオーバークラッド層３の他端部を一端部と同様に形成して光導波路部分Ｗ₂ を作製し、その他端部にも、上記実施の形態と同様にして、光学素子１１を実装した電気回路部分Ｅ₁ ，Ｅ₂ を組み付けて構成してもよい。この場合は、一端側の光学素子１１を発光素子、他端側の光学素子１１を受光素子とし、発光素子の光をコア２を介して受光素子で受光できるようにする。

さらに、上記実施の形態では、オーバークラッド層３および電気回路部分Ｅ₁ ，Ｅ₂ 位置決め用の突起４を型成形する際に、成形型３０をセットしてから、成形空間３３に感光性樹脂を注入したが、上記成形型３０を用いたプレス成形により行ってもよい。すなわち、コア２を被覆するように、オーバークラッド層３形成領域と電気回路部分Ｅ₁ ，Ｅ₂ 位置決め用の突起４形成領域とをもつ感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層に対して上記成形型３０をプレスし、その状態で、上記成形型３０を通して紫外線等の照射線を露光，加熱処理を行ってもよい。

また、上記実施の形態では、電気回路部分Ｅ₁ ，Ｅ₂ の作製工程において、光学素子１１実装用パッド７ａを除く電気回路７の表面，貫通孔８位置決め用の回路９の表面に、めっき層１０を形成したが、このめっき層１０は、必要に応じて形成され、不要な場合は、形成しなくてもよい。

さらに、上記実施の形態では、電気回路部分Ｅ₁ ，Ｅ₂ の作製にステンレス製基板５を用いたが、他の金属材料または樹脂材料等からなる基板５を用いてもよい。その基板５が絶縁性を有するものである場合は、絶縁層６を形成することなく、上記基板５に直接、電気回路７を形成してもよい。上記絶縁層６は、上記金属製基板５のような通電性を有する基板５と電気回路７との短絡を防止するためのものである。

また、上記実施の形態では、光学素子１１として、ワイヤーボンディングタイプの素子を用いたが、フリップチップタイプの素子を用いてもよい。

つぎに、実施例について説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。

〔アンダークラッド層，オーバークラッド層および電気回路部分位置決め用の突起の形成材料〕
ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（成分Ａ）３５重量部、脂環式エポキシ樹脂である３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０２１Ｐ）（成分Ｂ）４０重量部、（３’，４’−エポキシシクロヘキサン）メチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート（ダイセル化学工業社製、セロキサイド２０８１）（成分Ｃ）２５重量部、４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの５０重量％プロピオンカーボネート溶液（成分Ｄ）２重量部とを混合することにより、アンダークラッド層およびオーバークラッド層ならびに電気回路部分位置決め用の突起の形成材料を調製した。

〔コアの形成材料〕
上記成分Ａ：７０重量部、１，３，３−トリス｛４−〔２−（３−オキセタニル）〕ブトキシフェニル｝ブタン：３０重量部、上記成分Ｄ：１重量部を乳酸エチルに溶解することにより、コアの形成材料を調製した。

〔光導波路部分の作製〕
まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚み１８８μｍ）の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をアプリケーターにより塗布した後、２０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線（波長３６５ｎｍ）照射による露光を行うことにより、アンダークラッド層（厚み２５μｍ）を形成した〔図３（ａ）参照〕。

ついで、上記アンダークラッド層の表面に、上記コアの形成材料をアプリケーターにより塗布した後、１００℃×１５分間の乾燥処理を行い、感光性樹脂層を形成した〔図３（ｂ）参照〕。つぎに、その上方に、コアのパターンと同形状の開口パターンが形成された合成石英系のクロムマスク（フォトマスク）を配置した。そして、その上方から、プロキシミティ露光法にて４０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線（波長３６５ｎｍ）照射による露光を行った後、８０℃×１５分間の加熱処理を行った。つぎに、γ−ブチロラクトン水溶液を用いて現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１２０℃×３０分間の加熱処理を行うことにより、コア（厚み５０μｍ、幅５０μｍ）を形成した〔図３（ｃ）参照〕。

つぎに、オーバークラッド層と、電気回路部分位置決め用の突起とを同時に型成形する石英製の成形型を、コアの一端面を基準として所定の適正位置にセットした〔図４（ａ）参照〕。そして、上記オーバークラッド層および電気回路部分位置決め用の突起の形成材料を、成形空間に注入した後、その成形型を通して２０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線照射による露光を行った。つづいて、１２０℃×１５分間の加熱処理を行った後、脱型し、オーバークラッド層と、電気回路部分位置決め用の４本の突起とを得た〔図４（ｂ）参照〕。上記オーバークラッド層は、一端側が薄く形成され、他端側が厚く形成されており、薄い部分の厚み（アンダークラッド層の表面からの厚み）は、接触式膜厚計で測定すると、９０μｍ、厚い部分の厚みは１０００μｍであった。また、上記突起は、円錐台状に形成され、その高さは、電子顕微鏡を用いて測定すると、８００μｍ、底面の直径は２０００μｍ、頂面の直径は１０００μｍであった。

ついで、アンダークラッド層の裏面から上記ＰＥＴフィルムを剥離した後、刃先角度９０°のＶ字型刃先のダイシングブレードを用いて、アンダークラッド層の裏面側から、コアの一端部を切削し、コアの一端部を４５°傾斜した光反射面に形成した。その光反射面は、後の工程で実装される発光素子の発光部の下方に形成した〔図４（ｃ）参照〕。このようにして、光導波路部分を作製した。

〔電気回路部分の作製〕
ステンレス製基板〔２５ｍｍ×３０ｍｍ×３５μｍ（厚み）〕の表面全体に、感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した〔図５（ａ）参照〕。ついで、セミアディティブ法により、上記絶縁層の表面に、銅／ニッケル／クロム合金からなるシード層と、電解銅めっき層（厚み１０μｍ）とが積層形成された光学素子実装用パッドを含む電気回路と、貫通孔位置決め用の回路とを形成した〔図５（ｂ）参照〕。

そして、露光機を用いて、上記貫通孔位置決め用の回路を基準として貫通孔形成予定部のステンレス製基板部分を位置決めした。ついで、その貫通孔形成予定部を除く部分を、ドライフィルムレジストで覆った後、露呈している上記貫通孔形成予定部のステンレス製基板部分を、塩化第２鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去した〔図５（ｃ）参照〕。そして、その除去部分から露呈する上記絶縁層部分を、ポリイミドケミカルエッチング液を用いてエッチングすることにより除去し、貫通孔を形成した〔図５（ｄ）参照〕。

その後、上記光学素子実装用パッドをレジストで被覆し、実装用の電解めっき処理を施し、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に、金からなるめっき層とニッケルからなるめっき層の２層からなるめっき層（厚み０．５μｍ）を形成した〔図５（ｅ）参照〕。このようにして、電気回路部分を作製した。

〔発光素子の実装〕
上記光学素子実装用パッドの表面に、銀ペーストを塗布した後、高精度ダイボンダ（実装装置）を用いて、上記銀ペースト上に、ワイヤーボンディングタイプの発光素子（Ｏｐｔｏｗｅｌｌ社製、ＳＭ８５−１Ｎ００１）を実装した。このとき、発光素子の裏面の電極（カソード）を上記銀ペーストに接触させた。その後、キュア処理し、上記銀ペーストを硬化させた。ついで、ワイヤボンダ（接続装置）を用いて、上記発光素子の表面の電極（アノード）と、上記電気回路の２ｎｄボンド用パッドとを、ボンディングワイヤにより電気的に接続した〔図６（ａ）参照〕。その後、上記光学素子およびその周辺部を、透明樹脂（日東電工社製、ＮＴ−８０３８）によりポッティング封止した〔図６（ｂ）参照〕。このようにして、上記電気回路部分に発光素子を実装した。

〔発光素子の実装検査〕
上記光学素子が実装された電気回路部分に対して、バーンインを行った後、定電流発生源を用いて、上記電気回路部分の電気回路に電流を流し、発光素子から光が発光されるか否かを確認した。発光が確認できたものは、合格品と判断し、発光が確認できなかったものは、不合格品と判断した。

〔光電気混載モジュールの製造〕
上記検査で合格品と判断されたものを、光導波路部分の一端部に組み付けた。すなわち、上記光導波路部分における電気回路部分位置決め用の突起に、上記電気回路部分における貫通孔を嵌合させた。その後、その嵌合部を接着剤で固定した。このようにして、光電気混載モジュールを製造した〔図１（ａ），（ｂ）参照〕。

上記実施例１において、電気回路部分をつぎのようにして作製した。それ以外は、上記実施例１と同様にして、光電気混載モジュールを製造した。

〔電気回路部分の作製〕
上記ステンレス製基板の表面のうち、貫通孔形成予定部を除く部分に、フォトリソグラフィ法により絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した〔図８（ａ）参照〕。ついで、上記実施例１と同様にして、上記絶縁層の表面に、銅／ニッケル／クロム合金からなるシード層と、電解銅めっき層（厚み１０μｍ）とが積層形成された光学素子実装用パッドを含む電気回路を形成した〔図８（ｂ）参照〕。

ついで、上記ステンレス製基板，絶縁層および電気回路からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、片面側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記貫通孔形成予定部のパターンの孔部を形成し、その孔部の底に上記ステンレス製基板の表面部分を露呈させた。つぎに、上記孔部の底に露呈した上記ステンレス製基板部分を、塩化第２鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去し、上記貫通孔形成予定部に貫通孔を形成した〔図８（ｃ）参照〕。その後、上記実施例１と同様にして、実装用の電解めっき処理を施し、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路の表面に、金からなるめっき層とニッケルからなるめっき層の２層からなるめっき層（厚み０．５μｍ）を形成した〔図８（ｄ）参照〕。このようにして、電気回路部分を作製した。

〔光伝播試験〕
上記実施例１，２の光電気混載モジュールの発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させた。そして、光電気混載モジュールの他端部から光が出射されることを確認した。

この結果から、上記製造方法により得られた光電気混載モジュールは、適正に光伝播することがわかる。また、上記製造方法では、光電気混載モジュールの完成に先立って、電気回路部分に実装された光学素子の実装状態を検査することにより、その検査により不合格品と判断されたものが光導波路部分に組み付けられて光電気混載モジュール全体（完成品）が不良品になる、ということが防止された。

本発明の光電気混載モジュールは、タッチパネルにおける指等の触れ位置の検知手段、または音声や画像等のデジタル信号を高速で伝送，処理する情報通信機器，信号処理装置等に用いることができる。

Ｗ₁ 光導波路部分
Ｅ₁ 電気回路部分
４ 突起
８ 貫通孔
１１ 光学素子

Claims (8)

1. 光導波路部分と、電気回路部分と、この電気回路部分に実装された光学素子とを備えた光電気混載モジュールの製造方法であって、上記光導波路部分の作製を、アンダークラッド層の表面に，光路用の線状のコアを形成した後，型成形法により，上記コアを被覆するオーバークラッド層の形成と同時に，所定の適正位置に，電気回路部分位置決め用の突起を形成して行い、上記電気回路部分の作製を、基板上に，光学素子実装用パッドを含む電気回路を形成するとともに，上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔を形成して行い、上記電気回路部分の光学素子実装用パッドに光学素子を実装した後、その光学素子の実装状態を検査し、適正な実装が確認できたときに、上記電気回路部分位置決め用の突起に、上記電気回路部分の上記貫通孔を嵌合させ、光学素子が実装された電気回路部分と光導波路部分とを一体化して光電気混載モジュールにすることを特徴とする光電気混載モジュールの製造方法。
2. 上記電気回路部分位置決め用の突起が、上記コアの端部に対して適正位置に位置決めされ、その突起に嵌合する貫通孔が、光学素子実装用パッドに対して適正位置に位置決めされている請求項１記載の光電気混載モジュールの製造方法。
3. 上記電気回路部分の基板が、金属製であり、上記電気回路部分の作製工程が、その金属製基板の表面に，絶縁層を形成した後，その絶縁層の表面に，上記光学素子実装用パッドを含む電気回路を形成すると同時に，上記貫通孔形成予定部の周縁部分に貫通孔位置決め用の回路を形成する工程と、上記貫通孔位置決め用の回路を基準として上記貫通孔形成予定部の上記金属製基板部分をエッチングにより除去するとともに上記貫通孔形成予定部の絶縁層部分をエッチングにより除去して上記貫通孔を形成する工程と、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に実装用のめっき処理を施す工程と備えている請求項１または２記載の光電気混載モジュールの製造方法。
4. 光導波路部分と、電気回路部分と、この電気回路部分に実装された光学素子とを備えた光電気混載モジュールであって、上記光導波路部分が、アンダークラッド層と，このアンダークラッド層の表面に，光路用の線状のコアと，このコアを被覆する，型成形製のオーバークラッド層と，このオーバークラッド層上に，そのオーバークラッド層と同材料を用いて形成された，上記型成形製の電気回路部分位置決め用の突起とを備え、上記電気回路部分が、基板と，この基板上に形成された光学素子実装用パッドを含む電気回路と，上記電気回路部分位置決め用の突起に嵌合する貫通孔とを備え、上記光学素子が、上記光学素子実装用パッドに実装された状態での適正実装検査の合格品であり、光学素子の実装された電気回路部分と光導波路部分との一体化による光電気混載モジュール化が、上記光導波路部分における上記電気回路部分位置決め用の突起に、上記電気回路部分における上記貫通孔を嵌合してなされていることを特徴とする、請求項１の製造方法により得られた光電気混載モジュール。
5. 上記電気回路部分位置決め用の突起が、上記コアの端部に対して適正位置に位置決めされ、その突起に嵌合する貫通孔が、光学素子実装用パッドに対して適正位置に位置決めされている請求項４記載の光電気混載モジュール。
6. 上記電気回路部分の基板が、金属製であり、その金属製基板の表面に，絶縁層を介して，上記光学素子実装用パッドを含む電気回路と，貫通孔位置決め用の回路とが形成され、上記光学素子実装用パッドを除く電気回路および貫通孔位置決め用の回路の表面に、実装用のめっき処理によるめっき層が形成されている請求項４または５記載の光電気混載モジュール。
7. 上記電気回路部分位置決め用の突起が、円錐台状に形成されている請求項４〜６のいずれか一項に記載の光電気混載モジュール。
8. 上記電気回路部分位置決め用の突起が形成されているオーバークラッド層の部分が、他のオーバークラッド層の部分よりも、厚みが薄く形成されている請求項４〜７のいずれか一項に記載の光電気混載モジュール。

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