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TWI668693B - 動態隨機存取記憶體及其操作方法 - Google Patents

動態隨機存取記憶體及其操作方法 Download PDF

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TWI668693B
TWI668693B TW107122980A TW107122980A TWI668693B TW I668693 B TWI668693 B TW I668693B TW 107122980 A TW107122980 A TW 107122980A TW 107122980 A TW107122980 A TW 107122980A TW I668693 B TWI668693 B TW I668693B
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TW107122980A
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Chung-Hsun Lee
李忠勳
Hsien-Wen Liu
劉獻文
Original Assignee
Nanya Technology Corporation
南亞科技股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本揭露提供一種動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及其操作方法。該動態隨機存取記憶體包括一記憶體陣列、一溫度感測器及一控制元件。該溫度感測器經配置以感測該動態隨機存取記憶體的一溫度。該控制元件經配置以基於該記憶體陣列的一保留能力來調整一感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率來啟動該溫度感測器。

Description

動態隨機存取記憶體及其操作方法
本申請案主張2017/12/22申請之美國臨時申請案第62/609,618號及2018/02/20申請之美國正式申請案第15/900,298號的優先權及益處，該美國臨時申請案及該美國正式申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)及其操作方法，特別是關於一種動態隨機存取記憶體的溫度感測的管理。
動態隨機存取記憶體是一種隨機存取記憶體的型態。該種型態的隨機存取記憶體將每個位元的資料儲存在單獨的電容器中。最簡單的DRAM單元包括單個N型金屬氧化物半導體（n-type metal-oxide-semiconductor，NMOS）電晶體和單個電容器。如果電荷儲存在電容器中，則根據所使用的慣例，該單元被稱為儲存邏輯高。如果不存在電荷，則稱該單元儲存邏輯低。由於電容器中的電荷隨時間消耗，因此DRAM系統需要額外的更新電路來週期性地更新儲存在電容器中的電荷。由於電容器只能儲存非常有限的電荷量，為了快速區分邏輯1和邏輯0之間的差異，通常每個位元使用兩個位元線（bit line，BL），其中位元線對的第一個被稱為位線真數（bit line true，BLT），另一個則稱為位元線補數（bit line complement，BLC）。單個NMOS電晶體的閘極則由字元線（word line，WL）予以控制。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露提供一種動態隨機存取記憶體(DRAM)。該動態隨機存取記憶體包括一記憶體陣列、一溫度感測器及一控制元件。該溫度感測器經配置以感測該DRAM的一溫度。該控制元件經配置以基於該記憶體陣列的一保留能力調整一感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率啟動該溫度感測器。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以基於該溫度調整該感測頻率。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以因應一事件將該感測頻率調整為一第一感測頻率，其中在該事件中，該溫度滿足一臨界溫度。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以因應一事件將該感測頻率調整為一第二感測頻率，其中在該事件中，該溫度不滿足該臨界溫度。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以基於該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率來調整該感測頻率。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以因應一事件將該感測頻率調整為一第一感測頻率，其中在該事件中，該更新率滿足一臨界更新率。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以因應一事件將該感測頻率調整為一第二感測頻率，其中在該事件中，該更新率不滿足該臨界更新率。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以，基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率之兩者來調整該感測頻率。
在一些實施例中，該控制元件更經配置以，基於該溫度以一粗調方式調整該感測頻率，以及基於該更新率以一微調方式調整該感測頻率。
在一些實施例中，該動態隨機存取記憶體更包括由該控制元件控制的一開關。該控制元件經配置以，透過根據該調整感測頻率改變開關的一導通狀態的方式，以啟動該溫度感測器。
本揭露另提供一種動態隨機存取記憶體(DRAM)。該動態隨機存取記憶體包括一記憶體陣列、一溫度感測器及一控制元件。該溫度感測器經配置以感測該動態隨機存取記憶體的一溫度。該控制元件經配置以基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率之兩者來調整該感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率來啟動該溫度感測器。該調整感測頻率包括一第一感測頻率，因應於一第一事件，其中在該第一事件中，該溫度滿足一臨界溫度且該更新率滿足一第一臨界更新率。
在一些實施例中，該調整感測頻率包括大於該第一感測頻率的一第二感測頻率，因應於一第二事件，其中在該第二事件中，該溫度滿足該臨界溫度且該更新率不滿足該第一臨界更新率。
在一些實施例中，該調整感測頻率包括大於該第二感測頻率的一第三感測頻率，因應於一第三事件，其中在該第三事件中，該溫度不滿足該臨界溫度且該更新率滿足該第二臨界更新率，其中該第二臨界更新率小於該第一臨界更新率。
在一些實施例中，該調整感測頻率包括大於該第三感測頻率的一第四感測頻率，因應於一第四事件，其中在該第四事件中，該溫度不滿足該臨界溫度且該更新率不滿足該第二臨界更新率。
本揭露另提供一種動態隨機存取記憶體(DRAM)的操作方法，包括：透過一溫度感測器感測該動態隨機存取記憶體的一溫度；基於一記憶體陣列的一保留能力調整一感測頻率以得到一調整頻率；以及根據該調整感測頻率啟動該溫度感測器。
在一些實施例中，該操作方法更包括：基於該溫度調整該感測頻率。
在一些實施例中，該操作方法更包括：基於該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率來調整該感測頻率。
在一些實施例中，該操作方法更包括：基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率之兩者來調整該感測頻率。
在一些實施例中，該操作方法更包括：基於該溫度以一粗調方式調整該感測頻率；以及基於該更新率以一微調方式調整該感測頻率。
在一些實施例中，該操作方法更包括：基於該更新率以一粗調方式調整該感測頻率；以及基於該溫度以一微調方式調整該感測頻率。
在本揭露中，在動態隨機存取記憶體的溫度相對較低的一環境下，例如30攝氏度(ºC)，記憶體陣列12的保留能力較佳。因應於較佳的保留能力，更新元件根據相對較低的更新率，更新記憶體陣列，控制元件根據更大的感測頻率來啟動溫度感測器。如此，溫度感測器在一給定的時間內，以更大的頻率運作。例如，溫度感測器在給定的時間內，感測相對較多次的溫度。如果溫度突然升高，更新元件能夠迅速提高自更新操作的更新率。如此，儲存在記憶體陣列的資料較不易遺失。
此外，在本揭露中，在動態隨機存取記憶體溫度相對較高的一環境下，例如60攝氏度(ºC)，記憶體陣列的保留能力較差。因應於較差的保留能力，更新元件根據相對較高的更新率，更新記憶體陣列，控制元件根據更小的感測頻率來啟動溫度感測器。如此，溫度感測器在一給定的時間內，以更小的頻率運作。例如，溫度感測器在給定的時間內，感測相對較少次的溫度。因此，動態隨機存取記憶體較省電。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包含特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包含該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了實施方式之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於實施方式的內容，而是由申請專利範圍定義。
圖1是示意圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體(DRAM)10。參照圖1，動態隨機存取記憶體10包括記憶體陣列12、更新元件14、溫度感測器16、開關18及控制元件19。
記憶體陣列12經配置以儲存資料。記憶體陣列12包括複數個記憶胞120。記憶胞120經配置以儲存資料。除了記憶胞120，記憶體陣列12更包括複數個字元線(WL至WLn)，和複數個位元線(BL1至BLm)，其中n和m是正整數。字元線(WL1至WLn)和位元線(BL1至BLm)用於控制關聯的記憶胞120的操作。記憶胞120在一單個列中，字元線經配置以存取該等記憶胞120，該等記憶胞120可視為是一個記憶列。
更新元件14經配置以對記憶體陣列12執行自更新操作。自更新操作指的是更新元件14透過，例如，使用內部更新計數器自動執行更新操作的過程。更新元件14不需從例如， 動態隨機存取記憶體10外部的處理器獲得任何資訊來執行自更新操作。動態隨機存取記憶體10中的更新元件14和/或其他元件可以自己產生執行自更新操作所需的任何資訊。此外，更新元件14以一種方式更新記憶體體陣列12，例如，從記憶胞120讀取電荷，並立即將電荷寫回記憶胞120。但是，本揭露不限於此。更新操作可更包括其他細部的操作。
溫度感測器16經配置以感測動態隨機存取記憶體10的溫度，特別是記憶體陣列12的溫度。隨著溫度升高，記憶體陣列12保留儲存資料的保留能力降低，導致資料遺失的可能性增加。為避免這種不利的影響，當溫度較高時，更新元件14根據相對較高的更新率，更新記憶體體陣列12，亦即溫度與更新率正相關。
開關18可由控制元件19控制。當開關18導通時，啟動溫度感測器16。相反地，當開關18不導通時，停用溫度感測器16。例如，開關18耦合於溫度感測器16和電源之間。當開關不導通時，溫度感測器16無法接收電源。因此，溫度感測器16停用。
控制元件19經配置以控制更新元件14、溫度感測器16和開關18。更詳細地說，控制元件19經配置以基於記憶體陣列12的保留能力來調整一感測頻率以得到一調整感測頻率。此外，控制元件19經配置以根據調整感測頻率來啟動溫度感測器16。在一實施例中，控制元件19經配置以根據調整感測頻率，改變開關18的導通狀態來啟動溫度感測器16。
在本揭露中，在動態隨機存取記憶體的10的溫度相對較低的一環境下，例如30ºC，記憶體陣列12的保留能力較佳。因應於較佳的保留能力，更新元件14根據相對較低的更新率，更新記憶體陣列12，控制元件19根據更大的感測頻率來啟動溫度感測器16。如此，溫度感測器16在一給定的時間內，以更大的頻率運作。例如，溫度感測器16在給定的時間內，感測相對較多次的溫度。如果溫度突然升高，更新元件16能夠迅速提高自更新操作的更新率。如此，記憶體陣列12儲存的資料較不易遺失。
在操作動態隨機存取記憶體的一些可能的現有方法中，動態隨機存取記憶體的溫度感測器是以固定頻率來感測溫度。或者，溫度感測器僅因應於來自動態隨機存取記憶體外部的處理器的命令來感測溫度。亦即，溫度感測器的感測頻率不能動態改變，特別是不能根據動態隨機存取記憶體的保留能力而改變。如此，如果溫度突然增加，在下一個溫度感測之前，處於相對較高溫度的動態隨機存取記憶體的更新元件，根據在相對較低溫度下更新記憶體陣列的更新率，繼續更新動態隨機存取記憶體的記憶體陣列。結果，儲存在儲存的資料更可能遺失。
此外，在本揭露中，在動態隨機存取記憶體10溫度相對較高的一環境下，例如60ºC，記憶體陣列12的保留能力較差。因應於較差的保留能力，更新元件14根據較高的更新率，更新記憶體陣列12，控制元件19根據更小的感測頻率來啟動溫度感測器16。如此，溫度感測器16在一給定的時間內，以更小的頻率運作。例如，溫度感測器16在給定的時間內，感測相對較少次的溫度。因此，動態隨機存取記憶體10較省電。
在操作動態隨機存取記憶體的一些可能的現有方法中，不論動態隨機存取記憶體的保留能力何，動態隨機存取記憶體的溫度感測器是以固定頻率來感測溫度。由於溫度感測器的感測頻率不能降低，特別是更新元件14根據在相對較高溫度下，相對較高的更新率更新記憶體陣列12的一事件，動態隨機存取記憶體較耗電。
圖2是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體20的操作方法。參照圖2，操作方法20包括操作22和操作24。
操作方法20從操作22開始，其中基於記憶體陣列的一保留能力調整一感測頻率以得到一調整感測頻率。
操作方法20繼續操作24，其中根據該調整感測頻率啟動一溫度感測器。該溫度感測器經配置以感測操作的一溫度。
操作方法20僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法20之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
圖3是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖1之動態隨機存取記憶體10的操作。參照圖3，控制元件19經配置以基於溫度感測器16感測的溫度來調整一感測頻率而得到一調整感測頻率。控制元件19經配置以根據該調整感測頻率，改變開關18的導通狀態來啟動溫度感測器16。
控制元件19基於溫度的詳細操作，請參照後文圖4和圖5的圖示和說明。
圖4是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖3之第一方案的操作。參照圖4，溫度感測器16感測到相對較高的溫度T1。控制元件19基於相對較高的溫度T1，調整該感測頻率到較相對較低的感測頻率SF1，並根據相對較低的感測頻率SF1，啟動溫度感測器16。
圖5是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖3之第二方案的操作。參照圖5，溫度感測器16感測到低於溫度T1的相對較低的溫度T2。控制元件19基於相對較低的溫度T2，調整該感測頻率到高於感測頻率SF1的相對較高的感測頻率SF2，並根據相對較高的感測頻率SF2，啟動溫度感測器16。
如前所述，在本揭露中，控制元件19能夠動態地改變溫度感測器16的感測頻率。因此，如果溫度突然升高，更新元件16能夠迅速提高自更新操作的更新率。如此，儲存在記憶體陣列12的資料較不易遺失。此外，當溫度相對較高時，溫度感測器16在一給定時間內，感測相對較少次的溫度。因此，種動態隨機存取記憶體10較省電。
圖6是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法30。參照圖6，操作方法30與圖2描述和說明的操作方法20類似，操作方法30包括操作32和操作34。
操作方法30從操作32開始，其中透過溫度感測器感測動態隨機存取記憶體的一溫度。
操作方法30繼續操作34，其中基於該溫度來調整一感測頻率。
操作方法30僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法30之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
圖7是流程圖，例示本揭露一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法40。參照圖7，操作方法40與圖6描述和說明的操作方法30類似，操作方法40更包括操作42、44、46和44之外。
在操作42中，判斷溫度是否滿足一臨界溫度(Tth)。如果溫度滿足該臨界溫度，操作方法40繼續操作44，其中調整感測頻率到一第一感測頻率(1 stSF)。如果溫度不滿足該臨界溫度，操作方法40繼續操作48，其中該感測頻率調整到大於該第一感測頻率的一第二感測頻率(2 ndSF)。
在操作44和操作48之後，在操作46中，根據該調整感測頻率啟動一溫度感測器。
操作方法40僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法40之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
圖8是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖1之動態隨機存取記憶體10的另一操作。參照圖8，控制元件19經配置以基於一自更新操作的一更新率來調整一感測頻率，藉以得到一調整感測頻率。控制元件19經配置以根據該調整感測頻率，改變開關18的導通狀態來啟動溫度感測器16。
控制元件19基於更新率的詳細操作，請參照圖9和圖10的圖示和說明。
圖9是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖8之第一方案的操作。參照圖9，控制元件19獲得相對較高的更新率R1的自更新操作資訊。控制元件19基於相對較高的更新率R1，調整感測頻率到較低的感測頻率SF1，並基於相對較低的感測頻率SF1，啟動溫度感測器16。
圖10是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖8之第二方案的操作。參照圖10，控制元件19獲得相對較低的更新率R2，其中更新率R2低於更新率R1。控制元件19根據較低的更新率R2，調整該感測頻率到高於感測頻率SF1的相對較高的感測頻率SF2，並基於相對較高的感測頻率SF2，啟動溫度感測器16。
如前文所述，本揭露中，控制元件19能夠動態地改變溫度感測器16的感測頻率。因此，如果溫度突然升高，更新元件16能夠迅速提高自更新操作的更新率。如此，儲存在記憶體陣列12的資料較不易遺失。此外，當更新率較大時，溫度感測器16在給一定時間區段內，感測相對較少次的溫度。因此，動態隨機存取記憶體10較省電。
圖11是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法50。參照圖11，操作方法50與圖2描述和說明的操作方法20類似，操作方法50包括操作52和操作54。
操作方法50從操作52開始，其中獲得關於一更新率的資訊。
操作方法50繼續操作54，其中基於該更新率來調整一感測頻率，以獲得一調整感測頻率。
操作方法50僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法50之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
圖12是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作操作方法60。參照圖7，操作方法60與圖11描述和說明的操作方法50類似，操作方法60更包括操作62、64、66和68。
在操作62中，判斷該更新率是否到達一臨界更新率(Rth)。如果該更新率到達該臨界更新率，操作方法60繼續操作64，其中調整一感測頻率到一第一感測頻率(1 stSF)。如果該更新率未到達該臨界更新率，操作方法60繼續操作68，其中調整該感測頻率到大於該第一感測頻率的一 第二感測頻率(2 ndSF)。
在操作64和操作68之後，在操作66中，根據該調整感測頻率，啟動一溫度感測器。
操作方法60僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法60之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
圖13是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖1之動態隨機存取記憶體的10的另一操作。參照圖13，控制元件19經配置以根據記憶體陣列12的自更新操作的溫度T和更新率R之兩者來調整感測頻率。
控制元件19基於溫度和更新率之兩者的詳細操作，請參照如下圖14和圖15的圖示和說明。
圖14是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法70。參照圖14，操作方法70與圖11描述和說明的操作方法50及圖6描述和說明的操作方法30類似，操作方法70更包括操作72。
在操作72中，根據溫度和更新率之兩者來調整感測頻率。
操作方法70僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法70之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
圖15是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法80。參照圖15，操作方法80與圖14描述和說明的操作方法70類似，操作方法80包括操作800、802、804、806、808、810、812和814。
在操作800中，判斷該溫度是否到達一臨界溫度(Tth)。如果該溫度到達該臨界溫度，操作方法80繼續操作802，其中判斷該更新率是否到達一第一臨界更新率(1 stRth)。如果該更新率到達該第一臨界更新率，操作方法80繼續操作804，其中調整一感測頻率到一第一感測頻率(1 stSF)。如果該更新率未到達該第一臨界更新率，操作方法80繼續操作808，其中調整一感測頻率到大於該第一感測頻率的一第二感測頻率(2 ndSF)。
在操作800，如果溫度未到達該臨界溫度，操作方法80繼續操作810，其中判斷該更新率是否到達小於該第一臨界更新率的一第二臨界更新率(2 ndRth)。如果該更新率到達該第二臨界更新率，操作方法80繼續操作812，其中調整一感測頻率到大於該第二感測頻率的一第三感測頻率(3 rdSF)。如果該更新率未到達該第二臨界更新率，操作方法80繼續操作814，其中調整一感測頻率到大於該第三感測頻率的一第四感測頻率(4th SF)。
在操作804、808、812和操作814之後，在操作806中，根據該調整感測頻率，啟動一溫度感測器。
操作方法80僅是本揭露的一個實施例，非意圖限制申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。在操作方法80之前、期間和之後可以有額外的操作，並可替換、刪除或移動一些操作以用於此方法的另外實施例。
在操作方法80中，在判斷記憶體陣列12的保留能力方面，溫度是相對較顯著的，而更新率則相對較不顯著。因此，溫度作為判斷如何調整感測頻率的第一階段，更新率作為第二階段。亦即，基於溫度以一粗調方式調整感測頻率。其次，基於更新率以一微調方式調整感測頻率。但是，本揭露不限於此。在一些實施例中，更新率可以作為第一階段，溫度亦可作為第二階段。
本揭露中，控制元件19能夠動態地改變溫度感測器16的感測頻率。因此，如果溫度突然升高，更新元件16能夠迅速提高自更新操作的更新率。如此，儲存在記憶體陣列12的資料較不易遺失。此外，當更新率較大時，溫度感測器16在一給定時間區段內，感測相對較少次的溫度。因此，動態隨機存取記憶體10更較省電。
本揭露提供一動態隨機存取記憶體，包括一記憶體陣列、一溫度感測器及一控制元件。該溫度感測器經配置以感測該動態隨機存取記憶體的一溫度。該控制元件經配置以基於該記憶體陣列的一保留能力來調整一感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率來啟動該溫度感測器。
本揭露另提供一種動態隨機存取記憶體，包括一記憶體陣列、一溫度感測器及一控制元件。該溫度感測器經配置以感測該動態隨機存取記憶體的一溫度。該控制元件經配置以基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的的一更新率之兩者來調整該感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率來啟動該溫度感測器。該調整感測頻率因應於該溫度到達一臨界溫度且該更新率到達一第一臨界更新率的一事件包括一第一感測頻率。
本揭露另提供一種動態隨機存取記憶體的操作方法。該操作方法包括：透過一溫度感測器感測該操作的一溫度；基於該記憶體陣列的一保留能力調整一感測頻率以得到一調整感測頻率；以及基於該調整感測頻率啟動該溫度感測器。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。
10 動態隨機存取記憶體 12 記憶體陣列 14 更新元件 16 溫度感測器 18 開關 19 控制元件 20 方法 22 操作 24 操作 30 方法 32 操作 34 操作 40 方法 42 操作 44 操作 46 操作 48 操作 50 方法 52 操作 54 操作 60 方法 62 操作 64 操作 66 操作 68 操作 70 方法 72 操作 80 方法 120 記憶胞 800 操作 802 操作 804 操作 806 操作 808 操作 810 操作 812 操作 814 操作 BL1…BLm 位元線 R 更新率 R1 更新率 R2 更新率 SF1 較對較低的感測頻率 SF2 較對較高的感測頻率 T 溫度 T1 溫度 WL1…WLn 字元線
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。 圖1是示意圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體； 圖2是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的操作方法； 圖3是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖1之動態隨機存取記憶體的操作； 圖4是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖3之第一方案的操作； 圖5是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖3之第二方案的操作； 圖6是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法； 圖7是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法； 圖8是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖1之動態隨機存取記憶體的另一操作； 圖9是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖8之第一方案的操作。 圖10是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖8之第二方案的操作。 圖11是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法； 圖12是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法； 圖13是示意圖，例示說明本揭露的一些實施例圖1之動態隨機存取記憶體的另一操作； 圖14是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法； 圖15是流程圖，例示本揭露的一些實施例之動態隨機存取記憶體的另一操作方法。

Claims (20)

  1. 一種動態隨機存取記憶體(DRAM)，包括： 一記憶體陣列； 一溫度感測器，經配置以感測該動態隨機存取記憶體的一溫度；以及 一控制元件，經配置以基於該記憶體陣列的一保留能力調整一感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率啟動該溫度感測器。
  2. 如請求項1所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以基於該溫度調整該感測頻率。
  3. 如請求項2所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以因應於一第一事件將該感測頻率調整為一第一感測頻率，其中在該第一事件中，該溫度滿足一臨界溫度。
  4. 如請求項3所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以因應於一第二事件將該感測頻率調整為大於該第一感測頻率的一第二感測頻率，其中在該第二事件中，該溫度不滿足該臨界溫度。
  5. 如請求項1所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以基於該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率來調整該感測頻率。
  6. 如請求項5所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以因應於一事件將該感測頻率調整為一第一感測頻率，其中在該事件中，該更新率滿足一臨界更新率。
  7. 如請求項6所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以因應於一事件將該感測頻率調整為大於該第一感測頻率的一第二感測頻率，其中在該事件中，該更新率不滿足一臨界更新率。
  8. 如請求項1所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以，基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率之兩者來調整該感測頻率。
  9. 如請求項8所述的DRAM，其中該控制元件更經配置以，基於該溫度以一粗調方式調整該感測頻率，以及基於該更新率以一微調方式調整該感測頻率。
  10. 如請求項1所述的DRAM，更包括： 一開關，可由該控制元件控制； 其中該控制元件經配置以，透過根據該調整感測頻率改變該開關的一導通狀態的方式，以啟動該溫度感測器。
  11. 一種動態隨機存取記憶體(DRAM)，包括： 一記憶體陣列； 一溫度感測器，經配置以感測該動態隨機存取記憶體的一溫度；以及 一控制元件，經配置基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率之兩者來調整該感測頻率以得到一調整感測頻率，且根據該調整感測頻率來啟動該溫度感測器； 其中該調整感測頻率包括一第一感測頻率，該第一感測頻率因應於一第一事件，在該第一事件中，該溫度滿足一臨界溫度且該更新率滿足一第一臨界更新率。
  12. 如請求項11所述的DRAM，其中該調整感測頻率包括大於該第一感測頻率的一第二感測頻率，該第二感測頻率因應於一第二事件，在該第二事件中，該溫度滿足該臨界溫度且該更新率不滿足該第一臨界更新率。
  13. 如請求項12所述的DRAM，其中該調整感測頻率包括大於該第二感測頻率的一第三感測頻率，該第三感測頻率因應於一第三事件，在該第三事件中，該溫度不滿足該臨界溫度且該更新率滿足一第二臨界更新率，其中該第二臨界更新率小於該第一臨界更新率。
  14. 如請求項13所述的DRAM，其中該調整感測頻率包括大於該第三感測頻率的一第四感測頻率，該第四感測頻率因應於一第四事件，在該第四事件中，該溫度不滿足該臨界溫度且該更新率不滿足該第二臨界更新率。
  15. 一種動態隨機存取記憶體(DRAM)的操作方法，包括： 透過一溫度感測器感測該DRAM的一溫度； 基於一記憶體陣列的一保留能力調整一感測頻率以得到一調整感測頻率；以及 根據該調整感測頻率啟動該溫度感測器。
  16. 如請求項15所述的操作方法，更包括： 基於該溫度調整該感測頻率。
  17. 如請求項15所述的操作方法，更包括： 基於該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率來調整該感測頻率。
  18. 如請求項15所述的操作方法，更包括： 基於該溫度及該記憶體陣列的一自更新操作的一更新率之兩者來調整該感測頻率。
  19. 如請求項18所述的操作方法，更包括： 基於該溫度以一粗調方式調整該感測頻率；以及 基於該更新率以一微調方式調整該感測頻率。
  20. 如請求項18所述的操作方法，更包括： 基於該更新率以一粗調方式調整該感測頻率；以及 基於該溫度以一微調方式調整該感測頻率。
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