TWI666741B - 封裝構件、以此封裝構件封裝而成之封裝基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

以具有薄膜狀或托盤狀的形態、並且至少周緣部13包含熱塑性樹脂(共聚合聚醯胺系樹脂等)的封裝構件11，來覆蓋裝置1的被封裝區域；且在被封裝區域的內側，以封裝構件11與裝置1的安裝部件3a~3c為游離的形態，使封裝構件11的周緣部13與裝置1的基板2熱接著，來製造裝置1之被封裝區域係以封裝構件11所蓋住的封裝裝置。共聚合聚醯胺系樹脂可包含源自於具有C_8-16伸烷基之長鏈成分(C_9-17內醯胺及胺基C_9-17烷羧酸等)之單元。該封裝構件係能夠選擇性且有效地封裝而保護裝置的規定部分。

Description

封裝構件、以此封裝構件封裝而成之封裝基板及其製造方法

本發明係有關於在將安裝有部件(電子部件等)之基板蓋住而封裝上為有用的封裝構件，以此封裝構件蓋住而被封裝的封裝基板、以及其製造方法。

為了保護免於水分、塵垢等，而進行在模具腔內配置印刷基板、半導體元件、太陽能電池單元等精密部件(或電子裝置)並注入流動性樹脂，將精密部件以樹脂來封裝。

就代表性的方法而言，係使用低黏度且流動性高的熱硬化性樹脂(例如環氧樹脂)。惟，熱硬化性樹脂係因添加有用以硬化的交聯劑或硬化劑等添加物之故，認為不僅是由於與工作壽命的關係而作為熱硬化性樹脂的品質管理係困難，且為了硬化反應，而通常必須要如數小時以上的長時間。

亦已知將熱塑性樹脂射出成形而封裝(或保護)精密部件的方法。惟，封裝面積變得越大，則樹脂越被要求有高的流動性。因此，不得不將成形條件設為更高溫、高壓，會有所安裝之精密部件因熱或壓力而損傷的狀況。於日本特開2000-133665號公報(專利文獻1)揭示了一種方法，其係於模具腔內配置安裝有電子部件的印 刷基板，將加熱至160~230℃而熔融之聚醯胺樹脂以2.5~25kg/cm²的壓力注入至前述模具腔內，來封裝安裝有電子部件之印刷基板。此文獻的實施例中記載著係將聚醯胺樹脂以熔融溫度190℃、壓力20kg/cm²注入模具內而封裝印刷基板。惟，此方法中也是比較高溫高壓作用於電子部件，因而電子部件會有損傷的狀況。特別是若封裝面積變大，則將必須為更高溫及高壓的成形條件，因而電子部件損傷的可能性會變高。

又，若無法完全地將樹脂填充至精密部件的各個角落，而產生小的孔隙等，則因樹脂之添加物或低分子量成分等的影響，亦會有電子電路腐蝕或短路的情事。

進一步，因使用條件下之樹脂的膨脹及收縮應力，也會有在對於基板固定電子部件之焊接部分發生微細的裂痕而損傷的狀況。如此地，若焊接部分損傷，則就會發生電子裝置的故障。如此地，樹脂與電子部件或其端子的接觸、或者不完全的封裝，亦有可能是近年成為問題之由電子部件的端子產生金屬鬚的原因之一。

為了避免因在射出成形之熱或壓力的不良影響，亦有一種將樹脂粉末化，而以粉末來封裝的提案。惟，若使用粉末，則前述孔隙變得較射出成形的狀況更容易產生，而因樹脂的膨脹及收縮應力的焊接部分之損傷並未被解除。而且，粉末易飛散，要效率良好地封裝所期望之處亦為困難。

另一方面，亦有提案一種使用薄膜來封裝的方法。薄膜的狀況，係能夠避免在射出成形之熱及壓力的不良影響，且因形狀薄而亦能夠解決焊接部分之損傷的問題。日本特開2001-284779號公報(專利文獻2)中揭示著：藉由將具備有電子部件的電路基板插入筒狀薄膜內，將上述筒狀薄膜兩方的開口部閉塞而捆包上述電路基板的方法、將具備有前述電子部件之區域以片狀薄膜覆蓋的方法、在將電路基板的表裏兩面以2片片狀薄膜來覆蓋並以上述片狀薄膜捆包上述電路基板的方法，而製造電子電路形成品的方法；亦記載著：以預先加熱而已軟化之薄膜覆蓋、將上述薄膜與上述基板之間減壓而使上述薄膜順應上述部件或上述基板。日本特開平11-259021號公報(專利文獻3)中揭示著將包含複數個液晶顯示面板構件之液晶顯示面板構件類以薄膜包覆並層合而成的液晶顯示面板構件，而作為塑料薄膜亦例示了聚醯胺。惟，此等方法並無法只保護或不保護電子裝置的特定部分。例如，當電子裝置具有需要裝卸之連接器類的情形，會連此連接器部位都被捆包。因此，無法使連接器類作為電機/電子製品的1個部件而發揮機能，而沒有電子裝置的意義，並不實用。又，起因於與所安裝之電子部件等的密接不均勻，仍然還殘留著電子電路的腐蝕或短路等問題。進一步，而藉由薄膜的封裝，則所謂對於電子裝置表面的凹凸部如何使薄膜順應係成為一個技術上的焦點。因此，雖提案有真空成形等，但以真空成形而要只保護基板的特定部位係於技術上為困難。又，與基 板的複合化結束之後，有切除不需要的薄膜之外緣部的必要。

又，日本特開2008-282906號公報(專利文獻4)中，關於太陽能電池單元係在基板與薄膜之間以樹脂所封裝的太陽能電池模組之製造方法，揭示了在前述基板與前述太陽能電池單元之間配置覆蓋前述基板之實質上整面的第1封裝樹脂片，在前述薄膜與前述太陽能電池單元之間配置覆蓋前述基板之實質上整面的第2封裝樹脂片而製作積層體，層疊複數個該積層體並且在最上層的積層體之前述薄膜的外側配置抵接板，將前述基板與前述薄膜之間的空氣排出，加熱使樹脂熔融並冷卻而進行封裝；亦記載了前述封裝樹脂係選自包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯縮丁醛(polyvinyl butyral)及聚胺基甲酸酯之群組的一種樹脂。

進一步，日本特開2009-99417號公報(專利文獻5)中揭示了一種有機電子裝置封裝面板，其係包含將基板上所形成之有機電子裝置封裝的阻隔薄膜，且在前述有機電子裝置與前述阻隔薄膜之間配置有熱熔型構件；且記載了前述熱熔型構件係包含水分捕捉劑及蠟、前述熱熔型構件的厚度為100μm以下的薄膜狀。又，日本特開2009-99805號公報(專利文獻6)中揭示著，包含水分捕捉劑及蠟的有機薄膜太陽能電池用熱熔型構件(薄膜狀、板狀，不定形狀等的熱熔型構件)。

惟，使用該等薄膜狀封裝劑的技術，其任一者都是以封裝劑係對電子裝置的被封裝部位或被保護對 象區域密接為前提之技術。因此，這樣的方法係潛在地或外顯地具有如前述般因電子裝置與封裝劑密接之故而發生的各種問題，例如：因封裝劑的膨脹/收縮應力而對於被封裝部位或被保護區域的不良影響、起因於非意圖之孔隙或不完全之密接的問題。

日本特開2012-87292號公報(專利文獻7)中記載著將裝置之至少一部分以包含共聚合聚醯胺系樹脂的薄膜狀封裝劑覆蓋，使此封裝劑加熱熔融並冷卻，被覆裝置而封裝。此薄膜狀封裝劑對於裝置之凹凸部的順應性高，可防止孔隙的產生，並於裝置的細部緊密地封裝。惟，此專利文獻7的技術亦係於使電子裝置與封裝劑密接的形態進行封裝而保護的技術，而以封裝劑密接為前提。因此，與前述同樣地，專利文獻7中記載的方法亦潛在地或外顯地具有因電子裝置與封裝劑密接之故而發生的各種問題，例如：因封裝劑的膨脹/收縮應力而對於被封裝部位或被保護區域的不良影響、起因於非意圖之孔隙或不完全之密接的問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2000-133665號公報(申請專利範圍，實施例)

[專利文獻2]日本特開2001-284779號公報(申請專利範圍)

[專利文獻3]日本特開平11-259021號公報(申請專利 範圍，[0022])

[專利文獻4]日本特開2008-282906號公報(申請專利範圍)

[專利文獻5]日本特開2009-99417號公報(申請專利範圍，[0024])

[專利文獻6]日本特開2009-99805號公報(申請專利範圍)

[專利文獻7]日本特開2012-87292號公報(申請專利範圍)

本發明的目的係在於提供一種封裝構件，其係能夠選擇性且有效地封裝而保護具備有部件(電子部件等安裝部件)之基板(安裝基板、裝置)的規定部分；一種藉由此封裝構件而被蓋住且被封裝的安裝基板(保護基板)、以及其製造方法。

本發明的其他目的係在於提供一種封裝構件，其係能夠將具備有部件(電子部件等安裝部件)之基板(安裝基板、裝置)以高密接力封裝，並且即便因使用條件下之溫度的變動亦可有效地保護安裝部件及焊接部分；一種藉由此封裝構件而被封裝之安裝基板(保護基板)、及其製造方法。

本發明之進一步其他的目的係在於提供一種封裝構件，其係生產性優良、即便封裝及保護區域為大面積也不會損傷已安裝之電子部件，且能夠防止電子電 路之腐蝕或短路；一種藉由此封裝構件而被封裝之安裝基板(保護基板)、及其製造方法。

本發明之其他的目的係在於提供一種封裝構件，其係即便具有薄膜狀等形態亦不需要薄膜外緣部之切除等作業；以該封裝構件所蓋住且被封裝之安裝基板、及其製造方法。

如前述般，迄今的方法，其任一者皆係於若在基板及/或部件與封裝樹脂之間有孔隙，則水分及氣體等侵入而使封裝性降低的認知之下，而以使封裝樹脂緊密地密接於部件及/或基板，不形成孔隙地封裝為前提。惟，這般的方法，由於部件、基板及焊接部分係與封裝樹脂緊密地接著，而封裝樹脂的膨脹/收縮應力會直接地作用於部件及焊接部分，而會有使裂痕或龜裂在焊接部分產生的可能性。進一步，也無法避免地有孔隙會生成的危險性。

本發明人等，為了達成前述課題深入探討的結果，係以與所謂使封裝樹脂對部件及基板形狀順應而使安裝基板的被封裝區域在全面緊密地密接並封裝之概念為截然不同的概念，進一步發展專利文獻7關聯的發明，而完成了本發明。亦即，發現了：若僅使薄膜狀等規定的形態之封裝構件的周緣部熱接著於裝置的規定部分(被封裝區域的周緣部)，而將裝置以使封裝構件的內部區域自安裝部件游離的形態覆蓋，則不僅可防止孔隙的發生，還能夠有效地防止熱膨脹/收縮應力作用於安裝部 件及焊接部分、以高密接力緊密地封裝並且能夠有效地保護安裝基板。

本發明的封裝裝置，其裝置的被封裝區域係以封裝構件而被封裝。此封裝裝置具有薄膜狀或托盤狀的形態，且前述封裝構件之至少周緣部包含熱塑性樹脂；係以前述封裝構件與裝置的安裝部件為游離的形態，前述封裝構件之周緣部與裝置接著。亦即，在裝置之被封裝區域的內側，前述封裝構件係與裝置(包含電路及安裝部件等)游離而形成有游離空間；前述封裝構件之周緣部與裝置的基板接著，在裝置之被封裝區域的周緣部形成了封裝被封裝區域的封裝部。

前述封裝構件之至少周緣部含熱接著性熱塑性樹脂(例如，共聚合聚醯胺系樹脂)，亦可具有薄膜狀或托盤狀的形態。又，亦可僅封裝構件的周緣部與裝置的基板熱接著。

進一步，薄膜狀或托盤狀的封裝構件，亦可具有與裝置之基板能夠線或面接觸的周緣部，亦可包含具有以下之至少1個特性的共聚合聚醯胺系樹脂。

(1)熔點或軟化點為75~160℃(例如，熔點為90~160℃)左右；(2)具有結晶性；(3)具有結晶性，並且具有熔點90~160℃左右。

進一步，封裝構件亦可為多元共聚物，例如二元共聚物~四元共聚物(例如二元或三元共聚物)之共聚合聚醯胺系樹脂，此共聚合聚醯胺系樹脂亦可具有以 下之至少1個單元。

(a)源自於具有C_8-16伸烷基(例如，C_10-14伸烷基)之長鏈成分的單元(b)源自於選自C_9-17內醯胺及胺基C_9-17烷羧酸之至少一種成分的單元(c)源自於選自月桂內醯胺、胺基十一烷酸及胺基十二烷酸之至少一種成分的單元。

進一步，封裝構件不限於單層結構亦可具有積層結構，例如亦可包含：含共聚合聚醯胺系樹脂的封裝層，與被積層於此封裝層之其中一面且以耐熱性樹脂所形成的保護層。耐熱性樹脂係例如為可具有170℃以上的熔點或軟化點，耐熱性樹脂係亦可為選自聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂及氟樹脂之至少一種。封裝構件的厚度(整體的厚度)係例如可為10~1000μm左右。本發明之封裝構件亦可應用於裝置的兩面，但對於應用於裝置之其中一面係有用的。

本發明亦包含一種製造封裝裝置的方法，該封裝裝置係裝置的被封裝區域以封裝構件所封裝。此方法中係使用具有薄膜狀或托盤狀的形態，且至少周緣部包含熱塑性樹脂的封裝構件。而後，以在被封裝區域的內側封裝構件係與裝置的安裝部件為游離的形態，使封裝構件的周緣部與裝置的基板(被封裝區域的周緣部)接著，來製造裝置之被封裝區域係以封裝構件而被蓋住及密封的裝置。

於上述製造方法，亦可以封裝構件之至少周 緣部係包含共聚合聚醯胺系樹脂的封裝構件(薄膜狀或托盤狀形態的封裝構件)來覆蓋裝置的被封裝區域，使前述封裝構件的周緣部與裝置之基板熱接著並進行冷卻。

進一步，本發明亦包含用以封裝裝置的被封裝區域之封裝構件。該封裝構件係被成形為薄膜狀或托盤狀，且周緣部包含熱塑性樹脂。並且，封裝構件係具備：用以形成不與裝置接著而游離之游離空間的內部區域；能夠與裝置之基板接著的周緣部(鄰接於前述內部區域的周緣部)。此封裝構件亦可具備能夠與裝置之基板熱接著(或熱熔接)的周緣部(接著部)，亦可為至少前述周緣部包含共聚合聚醯胺系樹脂。

再者，於本說明書中，所謂「共聚合聚醯胺系樹脂」不僅是形成同元聚醯胺之醯胺形成成分係種類或碳數不同之複數個醯胺形成成分的共聚物(共聚醯胺)，係以亦包含藉由複數個醯胺形成成分所形成且種類不同之複數個共聚物(共聚醯胺)的混合物之意味而使用。

所謂「裝置」係廣泛地意味被要求要藉由封裝來保護的機能性構件(電氣或電子構件)，係包含機能元件等電子部件，形成有電氣電路(包含半導體電路)的基板、已安裝部件(機能元件等電子部件等)之基板、例如安裝或搭載有電子部件之印刷配線基板等。「裝置」係通常大多具有平坦部的狀況。

所謂「游離」係意味著實質上未與裝置接著，游離空間的封裝構件係依裝置之部件或需要而亦可與基板物理性地接觸。

本發明中，係以在裝置之被封裝區域的內側封裝構件自裝置(電路及部件等)游離(形成游離空間)，且封裝構件的周緣部接著於被封裝區域之基底基板的形態來封裝裝置，並未將安裝部件及焊接部分以封裝樹脂製模而封裝。因此，能夠選擇性且有效地封裝而保護裝置之規定部分。特別是由於相對於基板之封裝構件的接著面積小，因而能夠抑制孔隙的發生，在使用條件下即便溫度變動，應力亦不作用在安裝部件及焊接部分。所以，在能夠防止電路之腐蝕或短路的同時，可保護安裝部件及焊接部分免於損傷。此外，由於封裝構件之至少周緣部包含熱塑性樹脂(特別是共聚合聚醯胺系樹脂等熱接著性熱塑性樹脂等)，因而能夠以高密接力來封裝被封裝區域的周緣部。進一步，即便被封裝區域(封裝及保護區域)係大面積亦不會損傷已安裝之電子部件，還能夠防止電子電路的腐蝕或短路。又，並沒有使薄膜狀或粉末狀樹脂整體熔融或真空成形的必要，且由於亦能夠實質上降低相對於基板之封裝構件的接著面積，因而封裝裝置的生產性亦可提升。進一步，由於只要使用適合被封裝區域之尺寸的封裝構件即可，因而薄膜之外緣部的切除作業也不用。此外，即便是以上述形態來進行封裝，亦可藉由熱塑性樹脂的封裝構件而由水分有效地保護安裝部件及焊接部分。如此地，本發明係可簡便且確實地高可靠性且有效地保護裝置。

1‧‧‧裝置

2‧‧‧基板

3a~3c‧‧‧電子部件

11、21‧‧‧封裝構件

12、22a、22b‧‧‧收納凹部

13、23‧‧‧周緣部

15、25a、25b‧‧‧游離空間

圖1係顯示本發明的封裝裝置之一例的概略側面圖。

圖2係顯示本發明的封裝裝置之其他例的概略側面圖。

圖3係顯示在實施例所用之試驗用基板的概略平面圖。

[實施發明之形態]

[封裝構件]

用以封裝裝置的被封裝區域之封裝構件，係至少周緣部包含有熱塑性樹脂，於本發明，係使封裝構件的周緣部(或外緣部)接著於裝置之被封裝區域的基板。因此，即便是利用熱接著，因熱而給予裝置的損壞小，而不受限於低熔點或低軟化點的封裝構件，能夠使用比較高熔點或高軟化點的熱塑性樹脂。因此，熱塑性樹脂的種類並未被特別限制，能使用各種的熱塑性樹脂，例如，可使用烯烴系樹脂[低密度、中密度或高密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯等聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等乙烯與共聚合性單體之乙烯系共聚物等聚乙烯系樹脂；聚丙烯、丙烯-乙烯共聚物等聚丙烯系樹脂；乙烯-降莰烯共聚物等環狀烯烴系樹脂等]、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚酯系樹脂(對苯二甲酸乙二酯、對苯二甲酸丁二酯等之包含伸烷基芳酯(alkylene arylate)單元的共聚合聚酯等)、聚醯胺系樹脂(共聚合聚 醯胺系樹脂等)等。此等熱塑性樹脂係可單獨或者組合二種以上來使用。

較佳之熱塑性樹脂係當使封裝構件熱接著於基板之情形，能夠以比較低溫而牢固地接著的熱接著性熱塑性樹脂，例如烯烴系樹脂、包含伸烷基芳酯單元的共聚合聚酯，特別是從膜強度、耐藥品性、製膜性、與基板的密接性(熔接性)等點來看係共聚合聚醯胺系樹脂。又，包含共聚合聚醯胺系樹脂的封裝構件係可提升對於裝置的密接性、可賦予裝置高的耐衝擊性及耐磨耗性、可提高對於裝置的保護效果。共聚合聚醯胺系樹脂中係包含共聚合聚醯胺(熱塑性共聚合聚醯胺)與聚醯胺彈性體。

熱塑性共聚合聚醯胺亦可為脂環族共聚合聚醯胺，通常大多為脂肪族共聚合聚醯胺。共聚合聚醯胺係組合二胺成分、二羧酸成分、內醯胺成分、胺基羧酸成分而可形成。再者，二胺成分及二羧酸成分雙方的成分能夠形成共聚合聚醯胺的醯胺鍵，而內醯胺成分及胺基羧酸成分能夠分別單獨地形成共聚合聚醯胺的醯胺鍵。因此，共聚合聚醯胺能夠藉由選自一對成分(組合了二胺成分與二羧酸成分的兩成分)、內醯胺成分及胺基羧酸成分之複數個醯胺形成成分的共聚合而獲得。又，共聚合聚醯胺能夠藉由選自前述一對成分、內醯胺成分及胺基羧酸成分之至少一種醯胺形成成分，與和此醯胺形成成分為不同種之(或同種而碳數不同之)醯胺形成成分的共聚合而獲得。又，所謂內醯胺成分與胺基羧酸成分， 若是碳數及支鏈結構相同，則亦可作為等價的成分來處理。

因此，若使組合了二胺成分與二羧酸成分的一對成分為第1醯胺形成成分、使內醯胺成分及胺基羧酸成分為第2醯胺形成成分，則共聚合聚醯胺可為例如：由第1醯胺形成成分而成之共聚合聚醯胺，係二胺成分及二羧酸成分之中至少其中一者的成分係包含碳數不同之複數個成分的共聚合聚醯胺；第1醯胺形成成分、與第2醯胺形成成分(選自內醯胺成分及胺基羧酸成分之至少一種成分)的共聚合聚醯胺；以第2醯胺形成成分(選自內醯胺成分及胺基羧酸成分之至少一種成分)所形成之共聚合聚醯胺，係內醯胺成分及胺基羧酸成分之中其中一者的成分係包含碳數不同之複數個成分的共聚合聚醯胺；碳數相同或彼此不同之內醯胺成分與胺基羧酸成分的共聚合聚醯胺等。

作為二胺成分，可例示：脂肪族二胺或伸烷二胺成分(例如四亞甲二胺(tetramethylene diamine)、己二胺、三甲基己二胺、辛二胺、十二烷二胺等C_4-16伸烷二胺等)等。此等二胺成分係可單獨或者組合二種以上來使用。較佳的二胺成分係至少包含伸烷二胺(較佳為C_6-14伸烷二胺，更佳為C_6-12伸烷二胺)。

再者，若有必要，亦可併用脂環族二胺成分(二胺基環己烷等二胺基環烷(二胺基C_5-10環烷等)；雙(4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷、2,2-雙(4’-胺基環己基)丙烷等雙(胺基環烷基)烷[雙(胺基C_5-8 環烷基)C_1-3烷等]；氫化苯二甲基二胺等)、芳香族二胺成分(間苯二甲胺等)作為二胺成分。二胺成分(例如，脂環族二胺成分)亦可具有烷基(甲基、乙基等C_1-4烷基)等取代基。

相對於二胺成分整體，伸烷二胺成分的比例可為50~100莫耳%，較佳為60~100莫耳%(例如，70~97莫耳%)，更佳為75~100莫耳%(例如，80~95莫耳%)左右。

作為二羧酸成分，可舉出：脂肪族二羧酸或烷二羧酸成分(例如已二酸、庚二酸、壬二酸、癸二酸、十二烷二酸、二聚酸或其氫化物等碳數4~36左右的二羧酸或C_4-36烷二羧酸等)等。此等二羧酸成分係可單獨或者組合二種以上來使用。較佳的二羧酸成分係包含C_6-36烷二羧酸(例如，C_6-16烷二羧酸，較佳為C_8-14烷二羧酸等)。進一步，若有必要，亦可併用脂環族二羧酸成分(環己烷-1,4-二羧酸、環己烷-1,3-二羧酸等C_5-10環烷-二羧酸等)、芳香族二羧酸(對苯二甲酸、間苯二甲酸等)。再者，再者作為二胺成分及二羧酸成分，已知為與脂環族二胺成分及/或脂環族二羧酸成分一起，併用前述例示之脂肪族二胺成分及/或脂肪族二羧酸成分所獲得之脂環族聚醯胺樹脂，即所謂的透明聚醯胺，係透明性高。

相對於二羧酸成分，烷二羧酸成分的比例可為50~100莫耳%，較佳為60~100莫耳%(例如，70~97莫耳%)，更佳為75~100莫耳%(例如，80~95莫耳%)左右。

在第1醯胺形成成分中，相對於二羧酸成分1莫耳，二胺成分係可在0.8~1.2莫耳，較佳為0.9~1.1莫耳左右的範圍來使用。

作為內醯胺成分，例如可例示：δ-戊內醯胺、ε-己內醯胺、ω-庚內醯胺、ω-辛內醯胺、ω-癸內醯胺、ω-十一碳內醯胺、ω-月桂內醯胺(或ω-十二碳內醯胺(ω-Laurinlactam))等C_4-20內醯胺等；作為胺基羧酸成分，例如可例示：ω-胺基癸酸、ω-胺基十一烷酸、ω-胺基十二烷酸等C_6-20胺基羧酸等。此等內醯胺成分及胺基羧酸成分亦可單獨或者組合二種以上來使用。

較佳的內醯胺成分係包含C_6-19內醯胺，較佳為C_8-17內醯胺，更佳為C_10-15內醯胺(月桂內醯胺等)。又，較佳的胺基羧酸係包含胺基_C6-19烷羧酸，較佳為胺基C_8-17烷羧酸，更佳為胺基_C10-15烷羧酸(胺基十一烷酸、胺基十二烷酸等)。

再者，共聚合聚醯胺亦可為使用少量的聚羧酸成分及/或聚胺成分，而導入有支鏈結構的聚醯胺等改性聚醯胺。

第1醯胺形成成分(組合了二胺成分與二羧酸成分的兩成分)與第2醯胺形成成分(選自內醯胺成分及胺基羧酸成分之至少一種醯胺形成成分)的比例(莫耳比)，係可選自前者/後者=100/0~0/100的範圍，例如可為90/10~0/100(例如，80/20~5/95)，較佳為75/25~10/90(例如，70/30~15/85)，更佳為60/40~20/80左右。

進一步，共聚合聚醯胺係較佳為作為構成單 元而含有具有長鏈脂肪鏈(長鏈伸烷基或伸烯基)之長鏈成分(或包含源自於長鏈成分的單元)。作為這樣的長鏈成分，係包含具有碳數8~36左右之長鏈脂肪鏈或伸烷基(較佳為C_8-16伸烷基，更佳為C_10-14伸烷基)的成分。作為長鏈成分，例如可例示：選自C_8-18烷二羧酸(較佳為C_10-16烷二羧酸，更佳為C_10-14烷二羧酸等)、C_9-17內醯胺(較佳為月桂內醯胺等C_11-15內醯胺)及胺基C_9-17烷羧酸(較佳為胺基十一烷酸、胺基十二烷酸等胺基C11-15烷羧酸)的至少一種成分。此等長鏈成分係可單獨或者組合二種以上來使用。此等長鏈成分之中，大多使用內醯胺成分及/或胺基烷羧酸成分，例如選自月桂內醯胺，胺基十一烷酸及胺基十二烷酸之至少一種成分。包含源自於這樣的成分之單元的共聚合聚醯胺，係於耐水性高的同時，對於電子裝置的密接性、耐磨耗性及耐衝擊性亦優良，能夠有效地保護電子裝置。

相對於形成共聚合聚醯胺之單體成分整體，長鏈成分的比例可為10~100莫耳%(例如，25~95莫耳%)，較佳為30~90莫耳%(例如，40~85莫耳%)，更佳為50~80莫耳%(例如，55~75莫耳%)左右。

進一步，共聚合聚醯胺可為前述醯胺形成成分的多元共聚物，例如，二元共聚物~五元共聚物等，通常為二元共聚物~四元共聚物，特別大多為二元共聚物或三元共聚物。

共聚合聚醯胺，係大多為作為構成單元而包含選自例如聚醯胺11、聚醯胺12、聚醯胺610、聚醯胺612 及聚醯胺1010的醯胺形成成分(或包含源自於上述醯胺形成成分之單元)。共聚合聚醯胺亦可為此等複數個醯胺形成成分的共聚物，亦可為上述1或複數個的醯胺形成成分與其他醯胺形成成分(選自聚醯胺6及聚醯胺66之至少1個醯胺形成成分等)的共聚物。

具體而言，作為共聚合聚醯胺係可舉出例如：共聚醯胺6/11、共聚醯胺6/12、共聚醯胺66/11、共聚醯胺66/12、共聚醯胺610/11、共聚醯胺612/11、共聚醯胺610/12、共聚醯胺612/12、共聚醯胺1010/12、共聚醯胺6/11/610、共聚醯胺6/11/612、共聚醯胺6/12/610、共聚醯胺6/12/612等。此等共聚合聚醯胺可單獨或者組合二種以上來使用。再者，在此等共聚合聚醯胺中，以斜線「/」所分隔之成分係表示醯胺形成成分。

如前述般，封裝構件亦可具有以下的至少1個單元。

(a)源自於具有C_8-16伸烷基之長鏈成分的單元

(b)源自於選自C_9-17內醯胺及胺基C_9-17烷羧酸之至少一種成分的單元

(c)源自於選自月桂內醯胺、胺基十一烷酸及胺基十二烷酸之至少一種成分的單元

就聚醯胺彈性體(聚醯胺嵌段共聚物)而言，作為包含硬鏈段(或硬嵌段)之聚醯胺鏈段(源自於選自例如聚醯胺11、聚醯胺12、聚醯胺610、聚醯胺612及聚醯胺1010之醯胺形成成分的聚醯胺鏈段)與軟鏈段(或軟嵌段)的聚 醯胺嵌段共聚物，可舉出例如：聚醯胺-聚醚嵌段共聚物、聚醯胺-聚酯嵌段共聚物、聚醯胺-聚碳酸酯嵌段共聚物等。代表性的聚醯胺彈性體為聚醯胺-聚醚嵌段共聚物，可舉出例如：聚醚醯胺(polyether amide)[例如具有二胺末端之聚醯胺嵌段與具有二羧基末端之聚伸烷基二醇(polyalkylene glycol)嵌段(或聚氧伸烷基嵌段(polyoxyalkylene block))的嵌段共聚物、具有二羧基末端之聚醯胺嵌段與具有二胺末端之聚伸烷基二醇嵌段(或聚氧伸烷基嵌段)的嵌段共聚物等]、聚醚酯醯胺(polyether ester amide)[具有二羧基末端之聚醯胺嵌段與具有二羥基末端之聚伸烷基二醇嵌段(或聚氧伸烷基嵌段)的嵌段共聚物等]等。作為聚醚(聚醚嵌段)，可舉出例如：聚伸烷基二醇(例如聚乙二醇、聚丙二醇，聚四亞甲基二醇(polytetramethylene glycol)等聚C_2-6伸烷基二醇(alkylene glycol)，較佳為聚C_2-4伸烷基二醇)等。再者，聚醯胺彈性體亦可具有酯鍵。

在聚醯胺彈性體中，軟鏈段(聚醚嵌段等)的數量平均分子量可選自例如100~10000左右的範圍，較佳為300~6000(例如，300~5000)，更佳為500~4000(例如，500~3000)，特別可為1000~2000左右。

又，在聚醯胺彈性體中，聚醯胺嵌段(聚醯胺鏈段)與軟鏈段(或嵌段)的比例(重量比)，可為例如前者/後者=75/25~10/90，較佳為70/30~15/85，更佳為60/40~20/80(例如，50/50~25/75)左右。

此等共聚合聚醯胺系樹脂可單獨或組合二種 以上。此等共聚合聚醯胺系樹脂之中，由電子裝置之封裝性的點來看，較佳為共聚合聚醯胺(非聚醯胺彈性體或聚醯胺無規共聚物)，特佳為作為構成單元包含源自於聚醯胺12之醯胺形成成分的共聚合聚醯胺。

共聚合聚醯胺系樹脂之胺基濃度未被特別限制，可為例如10~300mmol/kg，較佳為15~280mmol/kg，更佳為20~250mmol/kg左右。若共聚合聚醯胺系樹脂的胺基濃度高，則將其他層(後述之保護層等)積層在封裝構件時，可提升接著性而有利。

共聚合聚醯胺系樹脂的羧基濃度未被特別限制，可為例如10~300mmol/kg，較佳為15~280mmol/kg，更佳為20~250mmol/kg左右。若共聚合聚醯胺系樹脂的末端羧基濃度高，則熱安定性高，在長期穩定性(連續加工性)之點係有利。

共聚合聚醯胺系樹脂的數量平均分子量可選自例如5000~200000左右的範圍，可為例如6000~100000，較佳為7000~70000(例如7000~15000)，更佳為8000~40000(例如8000~12000)左右，通常為8000~30000左右。共聚合聚醯胺系樹脂的分子量係能夠以HFIP(六氟異丙醇)為溶劑，藉由凝膠滲透層析法，以聚甲基丙烯酸甲酯換算來測定。

每一共聚合聚醯胺系樹脂，其共聚合聚醯胺系樹脂之醯胺鍵含量，例如可選自100單位以下的範圍，從裝置之封裝性的點來看可為30~90單位，較佳為40~80單位，更佳為50~70單位(例如55~60單位)左右。再 者，醯胺鍵含量，例如可藉由將數量平均分子量除以重複單元(1單位)的分子量而算出。

共聚合聚醯胺系樹脂可為非晶性，亦可為具有結晶性。共聚合聚醯胺系樹脂的結晶化度可為例如20%以下(例如1~18%)，較佳為15%以下(例如2~13%)，更佳為10%以下(例如2~8%)。再者，結晶化度係可藉由慣用的方法，例如基於密度或熔解熱的測定法、X射線繞射法、紅外線吸收法等而測定。

再者，非晶性共聚合聚醯胺系樹脂的熱熔融性，係可藉由示差掃描熱卡計而以軟化溫度來測定，結晶性之共聚合聚醯胺系樹脂的熔點係可藉由示差掃描熱卡計(DSC)來測定。

共聚合聚醯胺系樹脂(或共聚合聚醯胺或聚醯胺彈性體)的熔點或軟化點可為75~160℃(例如80~150℃)，較佳為90~140℃(例如95~135℃)，更佳為100~130℃左右，通常為90~160℃(例如100~150℃)左右。由於共聚合聚醯胺系樹脂具有低熔點或軟化點，且具有高接著性，因而可在比較低溫下熔融而與裝置表面(基板)牢固地接著。再者，共聚合聚醯胺系樹脂的熔點，當各成分互溶而在DSC產生單一之峰的情形，係意味著對應單一之峰的溫度，而當各成分不互溶，而在DSC產生複數個峰的情形，係意味著對應於複數個峰之中高溫側之峰的溫度。

再者，如前述，共聚合聚醯胺系樹脂亦可具有以下至少1個特性。

(1)熔點或軟化點為75~160℃；(2)具有結晶性；(3)具有結晶性並且具有熔點90~160℃。

本發明中係由於係使封裝構件的周緣部接著於裝置，因而與以往的封裝方法不同，熱塑性樹脂並沒有必定一定要具有高的熔融流動特性。熱塑性樹脂(例如，共聚合聚醯胺系樹脂)的熔融流動速率(MFR)，在溫度160℃及荷重2.16kg下，可為1~350g/10分鐘，較佳為3~300g/10分鐘，更佳為5~250g/10分鐘左右。

在不損及密接性等特性的範圍，熱塑性樹脂(例如，共聚合聚醯胺系樹脂)中可添加其他的樹脂，例如同元聚醯胺(例如由形成前述共聚合聚醯胺之成分而成的同元聚醯胺等)。相對於共聚合聚醯胺系樹脂100重量份，同元聚醯胺的比例可為30重量份以下(例如1~25重量份)，較佳為2~20重量份，更佳為3~15重量份左右。再者，在混合物形態的共聚合聚醯胺系樹脂中，各聚醯胺亦可彼此具有互溶性。

若有必要，封裝構件亦可包含前述其他熱塑性樹脂，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。相對於共聚合聚醯胺系樹脂100重量份，其他樹脂的比例可為例如100重量份以下(例如1~80重量份左右)，較佳為2~70重量份，更佳為2~50重量份，特別為30重量份以下(例如3~20重量份左右)。

熱塑性樹脂(例如，共聚合聚醯胺系樹脂)，亦可依需要而包含各種的添加劑，例如填料、穩定劑( 耐熱穩定劑、耐候穩定劑等)、著色劑、塑化劑、潤滑劑、阻燃劑、抗靜電劑、導熱劑等。添加劑亦可單獨或組合2種以上。該等添加劑之中，穩定劑、導熱劑等係廣泛被使用。

如上述，本發明之封裝構件能夠以共聚合聚醯胺系樹脂、複數個共聚合聚醯胺系樹脂的混合物，或者包含共聚合聚醯胺系樹脂與其他成分(同元聚醯胺、添加劑等)的混合物(共聚合聚醯胺系樹脂組成物)而形成。

本發明之封裝構件係被成形為薄膜狀(或片狀)或托盤狀(或箱狀)。薄膜狀或托盤狀之封裝構件，為了提高與基板的接著加工性，只要具有包含前述熱塑性樹脂(共聚合聚醯胺系樹脂等熱接著性樹脂等)的周緣部即可，此周緣部亦可與裝置之基板能夠線或面接觸。再者，只要封裝構件之至少周緣部(特別係與基板的接觸部)係以前述熱塑性樹脂所形成即可，在封裝構件的周緣部(與基板的接觸部)亦可形成前述熱塑性樹脂的被膜，但通常，大多為包含周緣部之封裝構件整體係包含前述熱塑性樹脂。

這樣形態的封裝構件係具備：用以形成不與裝置(基板之電路及安裝部件等)接著而游離之游離空間的內部區域；及能與裝置之基板接著的周緣部(鄰接於前述內部區域的周緣部)。在游離空間，封裝構件係不與裝置接著，可防止封裝構件所造成的應力作用於裝置(游離空間內的安裝部件等)。又，由於可只有封裝構件的周緣部與裝置的基板接著，而能夠大大地降低孔隙的發生， 可有效地防止電路的腐蝕及短路。還能夠選擇性地封裝裝置的封裝區域。亦即，能夠將裝置之所期望的封裝區域(裝置之特定的部位或全部)的周緣部，藉由封裝構件的熱塑性樹脂，而以高密接力來封裝。

薄膜狀(或片狀)封裝構件亦可為未拉伸薄膜或拉伸薄膜(單軸或雙軸拉伸薄膜)。薄膜的拉伸倍率，亦可為例如，對於1個方向1.2~10倍(較佳為1.5~7倍，更佳為2~5倍)左右。薄膜狀封裝構件係可利用慣用的薄膜成膜法，例如流延法、擠出成形法、吹製成形法等而製造。又，若有必要，亦可使用單軸或雙軸拉伸機而以規定的倍率來拉伸。

單層之薄膜狀封裝構件的厚度，例如可選自1~1000μm左右的範圍，通常可為5~500μm(例如5~300μm)，較佳為10~250μm(例如25~200μm)，更佳為50~200μm(例如75~150μm)左右。若厚度過小，則會有變得在被封裝區域無法有效地保護安裝部件的情形，而若厚度過大，則會有封裝構件對基板的密接性降低的情形。

單層之薄膜狀封裝構件的水蒸氣滲透度(40℃，90%RH)，以厚度1mm換算，例如可為100g/m²/天以下，較佳為50g/m²/天以下(例如0.01~30g/m²/天左右)。特別是包含共聚合聚醯胺之封裝構件係水蒸氣阻隔性優良，上述水蒸氣滲透度，以厚度1mm換算，例如為0.01~2g/m²/天，較佳為0.05~1.5g/m²/天，更佳為0.1~1g/m²/天左右。再者，水蒸氣滲透度係可藉由慣用的方 法，例如，JIS Z0208之杯法(cup method)來測定。

又，薄膜狀封裝構件可為單層薄膜，亦可為積層薄膜(或積層片)。積層薄膜，只要至少是具備以前述熱塑性樹脂所形成之封裝層(例如以共聚合聚醯胺系樹脂所形成之封裝層等)，則未被特別限制，例如亦可具備：包含前述熱塑性樹脂(共聚合聚醯胺系樹脂等熱接著性熱塑性樹脂等)的封裝層、與被積層於此封裝層之其中一面且以耐熱性樹脂(或疏水性樹脂)所形成的保護層(耐熱性樹脂層或疏水性樹脂層)。再者，保護層可對於封裝層的整面積層，亦可將封裝層的周緣部(對應於封裝構件之周緣部的部位)除外(即，在封裝層的內部區域)而積層保護層。在前者的積層形態，可將保護層朝向與裝置相反側而將封裝構件的周緣部接著至裝置，在後者的積層形態，則亦可將保護層朝向裝置側而將封裝構件的周緣部接著於裝置。

再者，在封裝層之其中一面，亦可積層有複數個保護層。保護層係被利用來用以自熱、濕氣等外在不良因子保護裝置，例如，耐熱性樹脂層係能夠防止伴隨著周緣部之接著的薄膜之破損，疏水性樹脂層係能夠防止因濕氣之裝置的腐蝕，而可提升裝置的耐久性。

作為耐熱性樹脂，只要是具有能耐受封裝構件的接著溫度(或熱接著溫度)之程度的耐熱性，則未被特別限制，可例示例如：氟樹脂、烯烴系樹脂(包含環狀烯烴系樹脂)、苯乙烯系樹脂、芳香族聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚 醯亞胺系樹脂(聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺等)、聚縮醛系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚醚酮系樹脂(例如聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)等)、聚苯硫醚系樹脂、聚醚碸系樹脂、纖維素衍生物、芳香族環氧樹脂等。

此等耐熱性樹脂可單獨或組合二種以上。此等耐熱性樹脂之中，較佳為芳香族聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂(芳香族聚醯胺等)、聚苯醚系樹脂、聚苯硫醚系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、氟樹脂等。特別是作為代表性的耐熱性樹脂，可舉出聚酯系樹脂(芳香族聚酯等)、聚醯胺系樹脂、氟樹脂等。作為聚酯系樹脂，可例示例如：聚伸烷基芳酯系樹脂[同元聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚C_2-4伸烷基芳酯)、共聚酯(例如，包含C_2-4伸烷基芳酯單元作為主成分的共聚酯等)等]、聚芳酯系樹脂、液晶聚酯等。聚酯系樹脂亦包含聚酯彈性體。

就聚酯彈性體(聚酯嵌段共聚物)而言，可舉出包含了作為硬鏈段(或硬嵌段)之芳香族聚酯與軟鏈段(或軟嵌段)的聚酯嵌段共聚物，例如：芳香族聚酯-聚醚嵌段共聚物、芳香族聚酯-脂肪族聚酯嵌段共聚物等。芳香族聚酯鏈段(或嵌段)可包含前述聚伸烷基芳酯系樹脂(例如，聚對苯二甲酸丁二酯等聚C_2-4對苯二甲酸伸烷基酯)，軟鏈段可包含在前述聚醯胺彈性體例示之聚醚(例如，聚四亞甲基二醇(polytetramethylene glycol)等聚C_2-6伸烷基二醇)等聚醚。在聚酯彈性體中，相對於全鏈段，芳香族聚酯嵌段(硬鏈段)的比例，可為例如25~95重量% ，較佳為30~90重量%(例如50~85重量%)左右。

作為聚醯胺系樹脂，可例示前述同元聚醯胺(例如聚醯胺11、聚醯胺12、聚醯胺610、聚醯胺612、聚醯胺1010、聚醯胺1012等)，與封裝構件所含有之共聚合聚醯胺系樹脂為不同種的共聚合聚醯胺系樹脂(及聚醯胺彈性體等)等。聚醯胺系樹脂係通常為共聚合聚醯胺以外的聚醯胺系樹脂。

作為氟樹脂，可例示例如聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚三氟乙烯(PTrFE)、聚氯三氟乙烯、聚四氟乙烯(PTFE)等單獨聚合物、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚共聚物等。

再者，耐熱性樹脂亦可為疏水性高的樹脂，例如烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂、氟樹脂等。

耐熱性樹脂的熔點或軟化點，可為例如160℃以上(例如165~250℃左右)，較佳為170℃以上(例如175~220℃左右)。再者，熔點或軟化點係可藉由慣用的方法，例如，示差掃描熱卡計(DSC)來測定。

耐熱性樹脂的熱變形溫度可依據ISO75-1，在高荷重(1.82MPa)的條件下，而選自例如160℃以下的範圍，可為40~155℃，較佳為50~150℃左右。

保護層的厚度(形成有複數個保護層的情形，各保護層的厚度的合計)，只要是積層薄膜的周緣部能夠接觸裝置表面，則未被特別限定，可為例如1~800μm(例如5~700μm)，較佳為10~600μm(例如20~500μm)， 更佳為30~400μm(例如50~300μm)左右。若保護層的厚度過小，則易於斷裂而作為保護層的機能會降低。再者，若為形成有複數個保護層時，各保護層的厚度可為例如1~100μm，較佳為5~50μm左右。

積層薄膜係例如可為在封裝層的其中一面直接形成有保護層的積層薄膜，亦可為隔著接著層(中間層)而在封裝層的其中一面形成有保護層的積層薄膜。又，依需要而在複數個保護層之間亦可分別使中間層(接著層)存在。接著層亦能夠以慣用的接著劑或黏著劑，例如氯乙烯系接著劑、乙酸乙烯酯系接著劑、烯烴系接著劑、丙烯酸系接著劑、聚酯系接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、環氧系接著劑、橡膠系接著劑等來形成。接著層的厚度未被特別限制，可為例如1~50μm(例如3~30μm)，較佳為2~10μm左右。

也將積層薄膜包含在內，封裝構件的厚度(整體的厚度)可為例如10~1000μm，較佳為30~800μm，更佳為50~500μm左右。

封裝層與保護層(具有複數個保護層及/或接著層的情形，各層厚度的合計)的厚度比，可選自前者/後者=5/95~95/5(例如10/90~90/10)左右的範圍，可為例如10/90~90/10(例如10/90~80/20)，較佳為15/85~70/30(例如15/85~60/40)，更佳為20/80~50/50(例如20/80~40/60)左右。

相較於單層薄膜，積層薄膜係能夠提升耐熱性、耐藥品性、耐水性等特性。例如，積層薄膜的熱變 形溫度(最高使用溫度)為例如160~300℃，較佳為170~280℃，更佳為180~250℃左右。又，使單層薄膜的熱變形溫度為100時，積層薄膜的熱變形溫度為例如120~200，較佳為125~180，更佳為130~160左右。再者，所謂熱變形溫度係意味以15秒的熱處理而薄膜會變形之最小的溫度。

又，積層薄膜係對於有機成分(例如，脂肪族烴、芳香烴、醇類、酮類等)及無機成分(例如，鹽酸等無機酸)之任一者都能夠提升耐藥品性，特別是能夠提升對於甲醇等醇類的耐藥品性。

積層薄膜係能夠藉由慣用的方法，例如層合(熱層合、乾層合等)、使用通用之附有進料塊(feed block)的模具或多歧管模具(multi-manifold die)等來共擠出的方法、塗布(包含網版印刷等印刷)等，來積層封裝層與保護層而製備。

在表面的凹凸或起伏大之裝置的封裝中，封裝構件的較佳形態為托盤狀。此托盤狀的封裝構件，通常具有：因應裝置之安裝部件的高度而可將安裝部件覆蓋並收納的收納部(收納凹部)、與從此收納部延伸出來的外周緣部(凸緣部)。前述收納部(收納凹部)可因應部件的安裝形態，而具有各種形態，例如彎曲而膨出之形態(截面倒U字形狀或山形狀等形態)、具有牆面與頂牆的截面字形狀或梯形之形態等；封裝構件可具有單一收納部(收納凹部)，亦可鄰接或隔著規定間隔而具有複數個收納部(收納凹部)。又，封裝構件的周緣部(凸緣部)較佳 為能夠與裝置之基板面接觸。薄膜狀或托盤狀之封裝構件的周緣部，亦可依需要而以接著劑接著於基板，較佳為藉由熱接著而被接著。特別是托盤狀封裝構件的周緣部(凸緣部)亦可為能夠與裝置之基板熱接著或熱熔接。再者，只要封裝構件之至少周緣部係與裝置之基板接著即可，在具有複數個收納凹部的封裝構件，亦可依需要而複數個收納凹部之間的部位係與裝置之基板接著。

將封裝構件成形為托盤狀的方法未被特別限制，托盤狀封裝構件係可藉由將前述單層或積層薄膜狀(或片狀)封裝構件以慣用的容器成形法，例如，壓空成型(Pressure Forming)、真空成形等成形法來成形為規定形狀而製備。再者，托盤狀的封裝構件並沒有一定要沿著安裝在電子裝置之電子部件的形狀之必要。

封裝構件係可依需而應用於裝置的兩面，但通常被應用於裝置之其中一面。

[封裝裝置]

本發明的封裝裝置，雖然裝置的被封裝區域係以前述封裝構件而被封裝，但是係以前述封裝構件與裝置的安裝部件為游離的形態，而前述封裝構件的周緣部與裝置接著。亦即，在裝置之被封裝區域的內側(內部區域)，前述封裝構件係與裝置(基板之電路及安裝部件等)游離而游離空間被形成；在裝置之被封裝區域的周緣部則是前述封裝構件的周緣部與裝置之基板接著而形成封裝部。在這樣的封裝形態，於游離空間中，就算是封裝構件與安裝部件等物理性地接觸了，封裝構件與安裝部件 的接著強度係實質上為「0」，而對於游離空間內的裝置，因封裝構件之應力係實質上不作用。進一步，由於封裝構件的周緣部密接於基板，因而游離空間係形成了被空氣等氣體所充滿的緩衝空間，而能夠藉由氣體的緩衝性來有效地保護游離空間內的安裝部件。特別是若以具有柔軟性的熱塑性樹脂(特別是共聚合聚醯胺系樹脂等熱接著性熱塑性樹脂)來形成封裝構件，則能夠將基板的被封裝區域以氣球狀之形態的封裝構件來封裝，即便是外力作用亦能夠以氣球狀的封裝構件與緩衝空間來保護游離空間內的安裝部件。又，由於封裝構件的周緣部係與裝置的基板接著，因而能夠大大地降低孔隙的發生。因此，能夠有效地防止電路的腐蝕及短路。特別是若使用熱接著性熱塑性樹脂(前述共聚合聚醯胺系樹脂等)作為封裝構件的熱塑性樹脂，則能夠使裝置之所期望之封裝區域的周緣部藉由封裝構件而以高密接力接著。還可因應安裝部件與部件的安裝形態，而選擇性地封裝裝置之規定的部位(封裝區域)。

圖1係顯示本發明的封裝裝置之一例的概略側面圖。

於此例中，在基板2上係安裝或搭載有複數個電子部件3a~3c，而形成電子裝置1。另一方面，托盤狀封裝構件11係具備了：可將電子裝置1之規定的封裝區域覆蓋並收納的收納凹部12、與由此收納凹部的開口周緣向外方向(側部方向)延伸出來而可與電子裝置1的基板2接著的周緣部13。

而後，電子裝置1之規定的封裝區域係被以將開口部朝向基板方向所配設之托盤狀的封裝構件11覆蓋，封裝構件11的周緣部13係在整周熱接著於電子裝置1的基板2，而將封裝區域封裝。在這樣的封裝形態，係以電子裝置1之安裝部件3a~3c被收納於封裝構件11之收納凹部12的形態，而包含封裝區域內之基板部2在內，在安裝部件3a~3c與封裝構件11之間形成了游離空間15。

圖2係顯示本發明的封裝裝置其他例的概略側面圖。再者，對與圖1相同之構件或要素係以相同的符號來說明。

於此例，封裝構件21係因應在裝置1之複數個電子部件3a~3c的安裝及配置形態而具備：深度及容積不同之複數個的收納凹部22a、22b；在複數個收納凹部之間向基板方向彎曲或屈曲而延伸除來且能與裝置1之基板2接觸的接觸部24；及形成在外周部並且能與裝置1接觸的周緣部23。在這樣的封裝構件21，係以複數個收納凹部22a、22b覆蓋複數個被封裝區域，而能夠將封裝構件21的周緣部23與複數個收納凹部22a、22b之間的部位(接觸部)24接著於裝置1的基板2，並在各收納凹部22a、22b能夠形成游離空間(或緩衝空間)25a、25b。

如此地，只要封裝構件之至少周緣部與裝置之基板接著即可，並不侷限於具有1或複數個收納凹部之封裝構件，即便是薄膜狀封裝構件，因應需要，在不會給予裝置之部件及電路等不良影響的範圍，即使是在封裝構件的內部區域亦可點狀或線狀(或帶狀)地接著(或熱 接著)於基板。

再者，在封裝裝置，係藉由將封裝構件之至少周緣部對於裝置的基板來接著，而形成有以框狀(四角框、多角框、環狀等框狀)的形態而封閉之封裝部(閉合封裝部)。特別是本發明的封裝裝置中，大多只有封裝構件的周緣部與裝置之基板接著(或熱接著)。又，封裝構件的周緣部可對基板以規定的寬度來封裝(或接著)，亦可對基板以線狀或帶狀的形態來封裝(或接著)。

[封裝裝置的製造方法]

本發明的方法中，係藉由將裝置之規定的被封裝區域以封裝構件與裝置之被封裝區域的安裝部件為游離之形態覆蓋，並使封裝構件的周緣部與裝置的基板接著，而能夠製造裝置的被封裝區域係被以封裝構件蓋住及密封的裝置。亦即，本發明的方法係包含將裝置之規定的被封裝區域以薄膜狀(或片狀)或托盤狀形態之封裝構件覆蓋的蓋住步驟、與使封裝構件之周緣部接著的步驟；在使封裝構件之周緣部加熱熔融並熱接之情形，係進一步包含冷卻的步驟，藉由經過這樣的步驟，而能夠製造在被封裝區域係以封裝構件與安裝部件為游離的形態，而被封裝區域的周緣部係被以封裝構件封裝的封裝裝置。

作為前述裝置，可例示各種的有機或無機裝置，例如半導體元件、電致發光(EL)元件、發光二極體、太陽能電池單元等精密部件、形成有電路(包含濾波電路等)的電路基板、搭載有各種電子部件或電子元件(電 容器、過濾器等)等部件之配線電路基板(印刷基板)等電子部件(特別係精密電子部件或電子裝置等)。

在蓋住步驟，只要將裝置的被封裝區域以封裝構件覆蓋即可，亦可覆蓋裝置之其中一面的整個區域、裝置的特定區域(電子部件的搭載區域、配線區域等)。在此蓋住步驟，較佳為封裝構件的周緣部與基板為線或面接觸。

再者，當因基板上之電子部件所致之凹凸(或起伏)不怎麼大的情形，不預先成形為托盤狀或箱狀，例如只進行將薄膜狀封裝構件重疊在基板上並使封裝構件的周緣部(外緣部)熔接，而被封裝區域內的電子部件及焊接部分係不與封裝構件接著，能夠達成本發明效果。另一方面，當因基板上之電子部件所致之凹凸(或起伏)大的情形，較佳為將已預先成形為托盤或箱狀之封裝構件蓋在裝置的被封裝區域並僅使封裝構件的外緣部熔接。

再者，裝置之被封裝區域，通常大多為易損傷的部位，例如電子元件的搭載部位，配線部位等。

接著步驟中最重要的點係在於，基板與封裝構件的接著面積(接著部位)小，且使封裝構件之周緣部(外緣部)與基板接著的點。使其接著的方法未被特別限定，可例示例如：藉由雷射光之加熱、藉由熱封機等熱密封裝置之加熱等，較佳為只將接著部位加熱而使其熔接的方法。本發明，由於主要是只要能夠僅將被封裝區域(被保護區域)之周緣部(外緣部)的接著部位以熱來熔接即 可，因而給予電子裝置之熱的損壞小。因此，即便不是如以往技術般低熔點的封裝構件亦能夠使用。

再者，亦可因應需要而加熱封裝構件整體，但以如封裝構件整體會熔融的條件，則在電子裝置上的電子部件封裝構件會不均勻地熔接、或熔融而接觸於電子部件的焊接部分或電路部、或是因熔融而在封裝部的厚度生出厚薄而依狀況有開孔的狀況，係不佳。不過，只要是在不產發生這樣的問題之範圍，亦可將封裝構件預熱並使其接著。

在將雷射利用於熔接的情形，亦可採用如通常之雷射焊接般，在封裝構件的周緣部(或外緣部)使雷射透過而將基板加熱，以該熱來熔融封裝構件的周緣部使其熔接的方法，但也可依裝置的種類(例如，基板的顏色、基板內部電路的有無等)而調整雷射強度。例如，若在基板上有能夠吸收雷射光的顯示部(能夠吸收雷射光之深色的顯示文字等)，則在該顯示部之雷射的吸收會變強，而會有所需以上地發熱的情況，在極端的情形也會有發生火災的可能性。

本發明中係與通常之熱塑性樹脂彼此的雷射焊接不同，並沒有增大基板側之溫度的必要，只要封裝構件的周緣部加熱熔融即可。因此，會有以下之較佳的情況：以包含能夠吸收雷射光的著色劑(碳黑等顏料、染料)與熱塑性樹脂的熱塑性樹脂組成物(雷射吸收性熱塑性樹脂組成物)形成封裝構件的至少周緣部，將前述周緣部(或外緣部)的熱塑性樹脂直接地以雷射加熱而使其熔 接的方法。再者，以雷射吸收性熱塑性樹脂組成物，係可成形封裝構件整體，亦可僅成形封裝構件的周緣部(外緣部)。又，積層薄膜或該托盤狀成形體中，亦可將與基板接觸的樹脂層(封裝層)以前述雷射吸收性熱塑性樹脂組成物形成。

封裝構件之周緣部(外緣部)的加熱溫度，係因應封裝構件之熱塑性樹脂的熔點或軟化點，而可為例如75~200℃，較佳為80~180℃，更佳為100~175℃(例如110~150℃)左右。再者，在積層薄膜，加熱溫度係以熱塑性樹脂的熔點以上(例如熔點+5℃以上，較佳為熔點+10℃以上)，且形成保護層之耐熱性樹脂的熔點+10℃以下(例如，熔點+5℃以下，較佳係低於熔點)為較佳。又，加熱溫度亦可為通常形成保護層之耐熱性樹脂的玻璃轉移溫度以上(較佳係熱變形溫度以上)。加熱係可在空氣中、惰性氣體環境中進行。若有必要，則亦可在常壓、加壓下或減壓條件下使其接著。進一步，若有必要，則熱接著亦可重複。

冷卻步驟中，可將已熱接著之封裝構件的周緣部(外緣部)自然冷卻，亦可階段性地或連續地冷卻或急冷。

藉由經過這樣的步驟，而能夠獲得封裝構件之周緣部(外緣部)係經熱熔接於裝置之基板的封裝裝置。

這樣的方法中，與射出成形等不同，由於高溫高壓不作用在裝置，而只是封裝構件的周緣部被加熱 ，因而裝置不會損傷。又，由於並沒有將部件及焊接部分以樹脂來填充的必要，只要僅接著封裝構件的周緣部即可，因而能夠大大地降低孔隙的發生。進一步，即便僅為裝置之特定被封裝區域，亦能夠以高密接性及封裝性封裝。再者，由於若使用熱接著性熱塑性樹脂，則能夠以比較低溫來熔接封裝構件之周緣部，因而少有會對裝置造成熱損傷的情形，能夠提升裝置的可靠性。而且，還能夠在短時間內以高可靠性來封裝裝置，可大大地提升封裝裝置的生產性。

[實施例]

於以下，基於實施例來更詳細地說明本發明，但本發明並非因該等實施例而受到限定者。再者，以下之實施例及比較例中係使用相同的熱塑性樹脂，僅改變封裝及保護方法來進行評價。在實施例及比較例使用的樹脂及各評價項目的評價方法如下。

[樹脂]

樹脂A：共聚合聚醯胺(EVONIK公司製「Vestamelt X1038P1」，含有C_10-14伸烷基，熔點125℃)

樹脂B：共聚合聚醯胺(EVONIK公司製「Vestamelt X1051」，含有C_10-14伸烷基，熔點130℃)

樹脂C：共聚合聚醯胺(EVONIK公司製「Vestamelt X1333P1」，含有C_10-14伸烷基，熔點105℃)

樹脂D：共聚合聚醯胺(EVONIK公司製「Vestamelt 4680」，含有C_10-14伸烷基，熔點105℃)

樹脂E：共聚合聚醯胺(EVONIK公司製「Vestamelt X7079」，含有C_10-14伸烷基，熔點130℃)

樹脂F：將2種共聚合聚醯胺(以重量比1/1之比例來包含EVONIK公司製「Vestamelt X1038」以及「Vestamelt Z2131」之組成物)以2軸擠出機熔融混練而複合的熔融摻混物(EVONIK公司製「DAIAMID Z1117」，含有C_10-14伸烷基，熔點130℃)

[焊接部分的裂痕]

在以聚醚醚酮樹脂(EVONIK公司製「VESTAKEEP-J ZV7403」)形成之平板(縱100mm、橫100mm、厚度3mm)，於所規定的4處所(自縱方向及橫方向的兩端，分別在內側僅隔開30mm的距離而在縱橫方向延伸之直線所交叉的4處所)開孔(直徑2mm)，於此孔插入銅線(直徑1mm、長度10mm)，以焊料來固定，藉此而製備了試驗用基板。再者，焊料係使用了錫-銅-鎳合金的無鉛焊料。

將所獲得之試驗用基板，以實施例及比較例的方法來封裝，以纖維鏡來觀察焊接部分裂痕的有無。

[電特性試驗]

在印刷配線板(於玻璃環氧樹脂製基板上以銅箔貼附了配線者)的配線間形成梳型電極部，製備了試驗用基板。再者，如於圖3所示，在試驗用基板(厚度1.5mm)形成一對的對向電極部(寬度4.4mm，長度29mm)31a、31b：係隔著20.1mm的間隔而被直線狀地形成，與延伸電極部(寬度3.5mm，長度10.5mm)32a、32b：係從此一對的對向電極部之端部在相互接近之方向上直線地延伸，與連接電極部(寬度4.4mm，長度8.8mm)33a、33b：係從此延 伸電極部的端部隔著7.8mm的間隔而向與一對的對向電極部31a、31b之相反方向延伸；而由前述一對的對向電極部31a、31b係在分別為對向的方向形成有交互而梳齒狀地延伸的梳型電極部34a、34b，而形成規定的電路。再者，於梳型電極部34a、34b，在朝著相互對向之方向延伸的梳齒中，鄰接而重複之梳齒的長度(重複寬度)W係16.5mm。再者，於圖3，係以虛線表示將試驗用基板封裝之薄膜狀封裝構件的外周。

將所獲得之試驗片以實施例及比較例的方法來封裝，供至以下的試驗。

再者，作為試驗用基板係使用了形成有間距(間隔)為0.4mm之梳型電極的試驗用基板(實施例1、2、5及比較例1~6、13~15)，與形成有間距為0.25mm之梳型電極的試驗用基板(其他實施例及比較例)。

(1)耐濕性試驗

在85℃，85%RH的條件下，施加12V的直流電壓在已以樹脂封裝之試驗用基板的連接電極部，並測定電阻值的變化，確認了電阻值成為1×10⁶Ω以下之時的時間。電阻值的變化係確認至最大500小時。再者，未以樹脂封裝之試驗用基板的電阻值為5×10⁸Ω。

(2)熱衝擊試驗

將施加12V的直流電壓在已以樹脂封裝之試驗用基板的連接電極部，在-30℃下保持1小時後，迅速地升溫至40℃、在90%RH的濕度下保持1小時，再度冷卻至-30℃之循環設為1循環，重複此循環，測定其間電阻值的變化 ，並確認了電阻值成為1×10⁶Ω以下之時的次數(循環數)。電阻值的變化，係確認至最大500循環。再者，未以樹脂封裝之試驗用基板的電阻值為1.0×10⁹Ω。

(實施例1)

將樹脂A熱壓而製備了厚度100μm的薄膜。而後將所獲得之薄膜，切成對應各試驗用基板之被封裝區域的大小，僅將所規定尺寸之薄膜的周緣部以熱封機來熔接至試驗用基板的基板，而製備了已以樹脂封裝的試驗片。

再者，在焊接部分之裂痕的評價，係切成縱100mm，橫100mm之尺寸，以切出之薄膜狀封裝構件來覆蓋試驗用基板，僅將封裝構件之周緣部(寬度約3mm的外緣部)對於全周進行熱封至試驗用基板，而製備了已以封裝構件封裝的試驗片。熱封後的薄膜狀封裝構件與銅線並不接觸，除熱封部外，係不接著地自試驗用基板、焊接部分及銅線游離。

又，在電特性試驗，係切為縱38mm、橫38mm的尺寸，以切出之薄膜狀封裝構件來覆蓋試驗用基板之一對的對向電極部及梳型電極部(至少包含梳型電極部，於圖3以虛線顯示的區域)，僅將封裝構件之周緣部(寬度約3mm之外緣部)熱封至試驗用基板的基板部及電極部而熔接封裝，製備了試驗片。在試驗片中，薄膜狀封裝構件除熱封部外，係自梳型電極部及基板游離。

(比較例1)

在直立式射出成型(vertical injection molding machine)嵌入各試驗用基板，以圓筒溫度200℃、射出壓 力10Mpa、模具溫度30℃的條件，將試驗片整體以樹脂A包覆成型(overmolding)，而製備了已以樹脂A封裝的試驗片。再者，封裝之樹脂的厚度係約5mm。

(比較例2)

將冷凍粉碎樹脂A的粉末，散布在各試驗用基板上，在180℃的烘箱內加熱5分鐘，製備了已以樹脂A封裝的試驗片。再者，封裝之樹脂的厚度係約5mm。

(比較例3)

製備了將樹脂A熱壓所獲得之厚度100μm的薄膜。而後，將所獲得之薄膜切成對應各試驗用基板之被覆區域的大小，將薄膜狀封裝劑載置在試驗用基板上，在180℃的烘箱內加熱5分鐘使其熔融，藉此而封裝，製備了試驗片。

(實施例2~6)

除了在實施例1中使用樹脂B(實施例2)、樹脂C(實施例3)、樹脂D(實施例4)、樹脂E(實施例5)、樹脂F(實施例6)代替樹脂A以外，係與實施例1同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例4)

除了在比較例1中使用樹脂B代替樹脂A以外，係與比較例1同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例5)

除了在比較例2中使用樹脂B代替樹脂A以外，係與比較例2同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例6)

除了在比較例3中使用樹脂B代替樹脂A以外，係與比較例3同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例7)

除了在比較例1中使用樹脂C代替樹脂A、並使圓筒溫度為170℃以外，係與比較例1同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例8)

除了在比較例2中使用樹脂C代替樹脂A以外，係與比較例2同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例9)

除了在比較例3中使用樹脂C代替樹脂A以外，係與比較例3同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例10)

除了在比較例1中使用樹脂D代替樹脂A、並使圓筒溫度為170℃以外，係與比較例1同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例11)

除了在比較例2中使用樹脂D代替樹脂A以外，係與比較例2同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例12)

除了在比較例3中使用樹脂D代替樹脂A以外，係與比較例3同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例13)

除了在比較例1中使用樹脂E代替樹脂A以外，係與比較例1同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例14)

除了在比較例2中使用樹脂E代替樹脂A以外，係與比較例2同樣地進行，而製備了試驗片。

(比較例15)

除了在比較例3中使用樹脂E代替樹脂A以外，係與比較例3同樣地進行，而製備了試驗片。

將結果顯示於表。

電壓施加試驗中係使用了梳型電極之間距為0.4mm的試驗用基板。

在耐濕性試驗中，於實施例1及實施例2，在500小時的時間點為5x10⁸Ω。

在熱衝擊試驗中，於實施例1、實施例2及比較例1，在500循環(500次)之時間點為1.0x10⁹Ω。

電壓施加試驗中係使用了梳型電極之間距為0.25mm的試驗用基板。

在耐濕性試驗中，於實施例3及實施例4，在500小時之時間點為5x10⁸Ω。

在熱衝擊試驗中，於實施例3、實施例4及比較例7，在500循環(500次)之時間點為1.0x10⁹Ω。

於電壓施加試驗中，在實施例5及比較例13~15係使用了梳型電極之間距為0.4mm的試驗用基板，在實施例6則使用了梳型電極之間距為0.25mm的試驗用基板。

在耐濕性試驗中，於實施例5及實施例6，在500小時之時間點為5x10⁸Ω。

在熱衝擊試驗中，於實施例5、實施例6、比較例13，在500循環(500次)的時間點為1.0x10⁹Ω。

如上述般，實施例中任一者皆能夠以高密接力來封裝，並且即便是僅將封裝構件的周緣部接著於基板，亦能夠有效地保護基板的被封裝區域。

[產業上之可利用性]

本發明係於將搭載有半導體元件、EL元件、太陽能電池單元等電子元件或電子部件，各種電子部件 或電子元件之印刷基板等封裝為有用。

Claims (10)

1. 一種封裝裝置，其係裝置的被封裝區域以封裝構件所封裝之封裝裝置，該封裝構件不含導電性構件，具有薄膜狀或托盤狀的形態，且封裝構件之至少周緣部包含共聚合聚醯胺系樹脂；此共聚合聚醯胺系樹脂係二元共聚物~四元共聚物的共聚合聚醯胺，且具有(c)源自於選自月桂內醯胺、胺基十一烷酸及胺基十二烷酸之至少一種成分的單元；而以該封裝構件與裝置的安裝部件為游離的形態，該封裝構件的周緣部係與裝置接著。
2. 如請求項1之封裝裝置，其中封裝構件之至少周緣部包含熱接著性共聚合聚醯胺系樹脂，且僅封裝構件的周緣部與裝置的基板熱接著。
3. 如請求項1或2之封裝裝置，其中薄膜狀或托盤狀的封裝構件係具有與裝置之基板能夠線或面接觸的周緣部，且包含至少具有1個以下之特性的共聚合聚醯胺系樹脂：(1)熔點或軟化點為75~160℃；(2)具有結晶性；(3)具有結晶性，且具有熔點90~160℃。
4. 如請求項1或2之封裝裝置，其中封裝構件係包含：包含共聚合聚醯胺系樹脂的封裝層，以及積層於該封裝層之其中一面且以耐熱性樹脂所形成的保護層。
5. 如請求項4之封裝裝置，其中耐熱性樹脂係具有170℃以上之熔點或軟化點，且係選自聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂及氟樹脂的至少一種。
6. 如請求項1或2之封裝裝置，其中封裝構件的厚度係10~1000μm。
7. 一種方法，其係製造裝置的被封裝區域以封裝構件所封裝之封裝裝置的方法，該封裝構件不含導電性構件，具有薄膜狀或托盤狀的形態，且封裝構件之至少周緣部包含共聚合聚醯胺系樹脂；此共聚合聚醯胺系樹脂係二元共聚物~四元共聚物的共聚合聚醯胺，且具有(c)源自於選自月桂內醯胺、胺基十一烷酸及胺基十二烷酸之至少一種成分的單元；而以在被封裝區域的內側封裝構件與裝置的安裝部件呈游離的形態，使封裝構件的周緣部與裝置的基板接著，來製造裝置之被封裝區域係以封裝構件而被蓋住及密封之裝置的方法。
8. 如請求項7之方法，其中以封裝構件之至少周緣部係包含共聚合聚醯胺系樹脂的封裝構件來覆蓋裝置的被封裝區域，使該封裝構件之周緣部與裝置之基板熱接著並進行冷卻。
9. 一種封裝構件，其係用以封裝裝置的被封裝區域，該封裝構件不含導電性構件，被成形為薄膜狀或托盤狀，且周緣部包含共聚合聚醯胺系樹脂；此共聚合聚醯胺系樹脂係二元共聚物~四元共聚物的共聚合聚醯胺，且具有(c)源自於選自月桂內醯胺、胺基十一烷酸及胺基十二烷酸之至少一種成分的單元；該封裝構件具備用以形成不與裝置之安裝部件接著而游離之游離空間的內部區域，以及能與裝置之基板接著的周緣部。
10. 如請求項9之封裝構件，其具備能與裝置之基板熱接著的周緣部，且至少該周緣部包含共聚合聚醯胺系樹脂。