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TWI666475B - 偏光板片狀體的製造方法 - Google Patents

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TWI666475B
TWI666475B TW104136293A TW104136293A TWI666475B TW I666475 B TWI666475 B TW I666475B TW 104136293 A TW104136293 A TW 104136293A TW 104136293 A TW104136293 A TW 104136293A TW I666475 B TWI666475 B TW I666475B
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石川宙孝
加藤泰礼
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日商住友化學股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種偏光板片狀體的製造方法，係包含下述步驟：準備第1偏光板片狀體之步驟，該第1偏光板片狀體含有偏光片及積層在其至少一面上之保護薄膜且為具有長邊與短邊的方形形狀之偏光板片狀體，且在至少任意1個長邊中具有1個以上之波形缺陷；以及將第1偏光板片狀體中之包含具有波形缺陷之長邊的端部予以切開去除而得到第2偏光板片狀體之步驟。

Description

偏光板片狀體的製造方法
本發明係有關一種適合在液晶顯示裝置等的影像顯示裝置中使用的波形缺陷減少的偏光板片狀體之製造方法。
液晶顯示裝置等的影像顯示裝置中使用的偏光板，一般是具有在偏光片的單面或兩面隔著接著劑層貼合保護薄膜之積層結構，使用長條狀的偏光片及長條狀的保護薄膜，藉由卷對卷的方式作成長條物(偏光板卷)而製造[例如日本特開2009-134190號公報(專利文獻1)]。得到的長條狀的偏光板，係對應影像顯示裝置的畫面尺寸而裁切成預定尺寸的片狀體，使用黏著劑層等而貼合積層在液晶單元(liquid crystal cell)等之影像顯示元件上，並在影像顯示裝置中組合。
在專利文獻1中記載，作為用以抑制在偏光板中產生的所謂逆捲曲及波形捲曲之問題的方法者，係將長條狀的偏光片與長條狀之保護薄膜隔著接著劑重疊而得到積層體，然後，沿著此積層體的長邊方向在形成之圓弧 狀的凸曲面上一面密接該積層體，一面使接著劑聚合硬化。
[先前技術文獻]
(專利文獻)
[專利文獻1]日本特開2009-134190號公報
根據專利文獻1中記載之方法，在剛製造至少長條狀的偏光板之後或是剛將此等裁切成片狀體之後，有可能抑制上述問題的發生。然而，經裁切成片狀體的偏光板(偏光板片狀體)，在初期即使沒有上述問題，但經由其保管環境，會有隨著吸濕而在保管中產生波形缺陷之情形。「波形缺陷」是指在偏光板片狀體的至少1邊及含有此等之端部區域起伏成波狀之變形缺陷。在偏光板片狀體中產生波形缺陷時，例如以液晶顯示裝置中適用的情形為例時，在隔著黏著劑層將偏光板片狀體與液晶單元貼合時，黏著劑層與液晶單元的貼合界面，特別是在貼合界面的端部區域及其附近容易混入氣泡。此氣泡如在液晶面板的影像顯示區域內產生時，在點亮時變成亮點而會降低液晶顯示裝置的能見度。
在此本發明之目的係提供一種降低波形缺陷的個數或高度之偏光板片狀體的製造方法。
本發明是提供以下所示之偏光板片狀體的製 造方法。
[1]一種偏光板片狀體的製造方法，係包含下述步驟：準備第1偏光板片狀體之步驟，該第1偏光板片狀體係包含偏光片及積層在其至少一面上之保護薄膜且為具有長邊與短邊的方形形狀之偏光板片狀體，且在至少任意1個長邊中具有1個以上之波形缺陷；將上述第1偏光板片狀體中之包含具有上述波形缺陷之長邊的端部予以切開去除而得到第2偏光板片狀體之步驟。
[2]如[1]記載的製造方法，其中，在準備上述第1偏光板片狀體之步驟中，上述至少任意1個長邊中具有的波形缺陷為4個以上。
[3]如[1]或[2]記載的製造方法，其中，在準備上述第1偏光板片狀體的步驟中，上述至少任意1個的長邊具有的波形缺陷之高度是超過2mm。
[4]如[1]至[3]中任一項記載的製造方法，其中，於得到上述第2偏光板片狀體之步驟中，將上述第1偏光板片狀體中包含具有上述波形缺陷之長邊端部以65mm以上的寬度予以切開去除。
[5]如[1]至[4]中任一項記載的製造方法，其中，上述 第1偏光板片狀體係包含：上述偏光片，隔著第1接著劑層積層在其一面上之第1保護薄膜，以及隔著第2接著劑層積層在另一面上之第2保護薄膜。
[6]如[5]記載的製造方法，其中，上述第1保護薄膜與上述第2保護薄膜，在溫度40℃、相對濕度90%的透濕度相差30g/(m2‧24hr)以上。
[7]如[5]或[6]記載的製造方法，其中，上述第1接著劑層及上述第2接著劑層的至少任意一方，係由活性能量線硬化性接著劑的硬化物所構成。
[8]如[1]至[7]中任一項記載的製造方法，其中，上述第1偏光板片狀體更包含下述(a)及(b)：(a)積層在上述保護薄膜上之保護膜，(b)積層在上述偏光片上或上述保護薄膜上之黏著劑層，與積層在其外表面的分離薄膜。
依據本發明，即可提供一種降低波形缺陷的個數或高度之偏光板片狀體。特別是，本發明可提供一種偏光板片狀體之製造方法，即使對進而產生波形缺陷而具有4個以上或其高度超過2mm之波形缺陷的偏光板片狀體，亦可使波形缺陷降低到充分足夠之程度。
1‧‧‧第1偏光板片狀體
10‧‧‧偏光片
20‧‧‧第1保護薄膜
30‧‧‧第2保護薄膜
40‧‧‧黏著劑層
50‧‧‧分離薄膜
60‧‧‧保護膜
第1圖係表示第1偏光板片狀體的層構成之一例的概略剖面圖。
本發明的偏光板片狀體之製造方法，係包含下述步驟：(1)準備第1偏光板片狀體之步驟，該第1偏光板片狀體為包含偏光片及積層在其至少一面上之保護薄膜且具有長邊與短邊之方形形狀的偏光板片狀體，且在至少任意1個長邊中有1個以上之波形缺陷，並且(2)將包含第1偏光板片狀體中具有上述波形缺陷之長邊的端部予以切開去除而得到第2偏光板片狀體之步驟。
以下，對各步驟進行說明。
(1)準備第1偏光板片狀體之步驟
第1偏光板片狀體係波形缺陷之正在發生而容易伴隨著如上述般之氣泡的混入及隨此而有的能見度降低的問題之偏光板片狀體，具體而言，係在至少任意1個長邊中具有1個以上的波形缺陷之偏光板片狀體。第1偏光板片狀體進一步產生波形缺陷的結果，可為在至少任意1個的長邊中具有高度超過2mm之波形缺陷，或在至少任意1個的長邊中具有4個以上的波形缺陷之偏光板片狀體，第1偏光板片狀體在至少任意1個的長邊中具有4個以上之波形缺陷，並且，此等波形缺陷的任意1個以上為高度超過2mm 之波形缺陷。
波形缺陷的高度是指，將第1偏光板片狀體放置在平面台時，由平面台到波形缺陷頂部的高度，此時，第1偏光板片狀體，係將貼合在影像顯示元件(例如液晶單元(liquid crystal cell))側之面朝上而放置在平面台上。波形缺陷的高度是在第1偏光板片狀體的邊(端部)中測定。又，波形缺陷的個數，實質上是確認為波形缺陷之個數，具體而言，係將第1偏光板片狀體放置於平面台時，上述高度為自平面台算起有0.5mm以上之波形缺陷的個數。波形缺陷的個數亦是在第1偏光板片狀體的邊緣(端部)中測定。
第1偏光板片狀體是具有有長邊與短邊之方形形狀，為典型的長方形。長邊及短邊的長度雖無特別限制，但通常，第1偏光板片狀體的長邊是在700mm以上，短邊是在400mm以上。波形缺陷是第1偏光板片狀體的尺寸愈大，波形的高度或產生的個數則愈容易變得顯著。尺寸(長邊及/或短邊)過小時，波形缺陷的問題本身就不易產生。第1偏光板片狀體，係將製造成長條物的偏光板經裁切之後，在任意的條件下保管、運輸等的過程中，可以產生如上述般的波形缺陷之偏光板。
一般，在任意1個長邊具有高度超過2mm的波形缺陷或4個以上的波形缺陷之第1偏光板片狀體，在該長邊對向的長邊亦有相同程度的波形缺陷者居多。又，在任意1個長邊具有高度超過2mm的波形缺陷或4個以上的波形缺陷之第1偏光板片狀體，在2個短邊亦有波形缺 陷者居多。但是，在2個短邊產生的波形缺陷，於此高度及/或個數中，相較於長邊產生的波形缺陷有較小的傾向，又，在短邊中的波形缺陷，相較於長邊的波形缺陷則有不易產生氣泡混入的問題之傾向。於是，為了抑制氣泡混入及隨此之能見度降低的問題，不得不特別降低在長邊產生的波形缺陷。
第1偏光板片狀體的層構成，只要包含偏光片與在此至少一面上所積層貼合之保護薄膜者，則無特別限制，可在偏光片的兩面積層貼合保護薄膜。保護薄膜通常是在偏光片上隔著接著劑層而積層貼合。
第1偏光板片狀體，亦可具有偏光片及保護薄膜之外的層(或薄膜)。例如，一般，製造成長條物的偏光板及將此裁切而成的偏光板片狀體係將用以貼合在影像顯示元件(例如液晶單元)的黏著劑層，作成預先積層在偏光板外表面之附有黏著劑層的偏光板，雖很多也在市場上流通，但可包含第1偏光板片狀體，或如此之黏著劑層。含有黏著劑層時，通常是以用以保護其表面(外表面)的分離薄膜(分離片)積層在黏著劑層之外表面。
又，製造成長條物的偏光板，通常是將其捲繞作為偏光板卷而保管或流通，惟在捲繞時，為了保護外側的保護薄膜表面，一般是在該保護薄膜上預先設置有保護膜(表面保護薄膜)，此情形，該偏光板裁切成偏光板片狀體一般亦同時具有保護膜。如此情形般，第1偏光板片狀體可為包含保護薄膜上積層有保護膜者。
進一步，第1偏光板片狀體所具有的保護薄膜，可為在其外表面(與偏光片為相反側的面)具備如硬塗層、防眩層、抗反射層、抗靜電層、防污層的表面處理層(塗布層)者。又，第1偏光板片狀體可包含偏光片之外的其它具有光學機能之層或薄膜。此之一例是相位差薄膜。
第1偏光板片狀體的層構成之一例呈示於第1圖。第1圖所示之第1偏光板片狀體1係包含：偏光片10；貼合在偏光片10的一面之第1保護薄膜20；貼合在偏光片10的另一面之第2保護薄膜30；積層在第2保護薄膜30的外表面之黏著劑層40；積層在黏著劑層40的外表面之分離薄膜50；積層在第1保護薄膜20的外表面之保護膜60。除了偏光片10及保護薄膜(第1保護薄膜20、第2保護薄膜30)之外，具有黏著劑層40與分離薄膜50之層構成、具有保護膜60之層構成，或是具有黏著劑層40、分離薄膜50及保護膜60之層構成，係第1偏光板片狀體的較佳層構成之例。黏著劑層40，如後述般，係將第1保護薄膜20及第2保護薄膜30的任一方省略，而可在偏光片10之上直接積層。
偏光片10，係具有吸收持有與光學軸平行之振動面的直線偏光，透過持有與光學軸正交之振動面的直線偏光性質之光學薄膜，例如，可以是單軸延伸、二色性色素經吸附定向的聚乙烯醇系樹脂薄膜。作為二色性色素者，係使用碘或二色性有機染料。構成偏光片10之聚乙烯醇系樹脂，除了聚醋酸乙烯的皂化物之聚乙烯醇之外，可 為可與醋酸乙烯酯與其共聚合的其它單體(例如乙烯或不飽和羧酸等)之共聚合物的皂化物之乙烯醇系共聚合物。偏光片10的厚度，通常是5至40μm左右。
偏光片10，可藉由包含下述步驟之方法進行。該等步驟係：將聚乙烯醇系樹脂薄膜進行單軸延伸之步驟、將聚乙烯醇系樹脂薄膜以二色性色素染色而吸附該二色性色素之步驟、將經吸附有二色性色素的聚乙烯醇系樹脂薄膜以硼酸水溶液進行處理之步驟，及藉由硼酸水溶液處理後進行水洗步驟的方法。二色性色素的染色係可藉由在含有二色性色素之水溶液中浸漬薄膜，藉由硼酸水溶液之處理係可藉由在硼酸水溶液中浸漬薄膜而進行。
聚乙烯醇系樹脂薄膜的單軸延伸，可在二色性色素的染色前、與染色之同時，或是在染色之後進行。單軸延伸在染色之後進行時，此單軸延伸可在硼酸處理之前或是硼酸處理中進行。又，亦可在此等的複數階段中進行單軸延伸。
第1及第2保護薄膜20、30，可為具有透光性的(理想的是光學透明之)熱塑性樹脂薄膜。熱塑性樹脂的具體例，含有：如鏈狀聚烯烴系樹脂(聚丙烯系樹脂等)、環狀聚烯烴系樹脂(降莰烯系樹脂等)的聚烯烴系樹脂；聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂等)；(甲基)丙烯酸系樹脂(甲基丙烯酸甲酯系樹脂等)；纖維素系樹脂(如三乙醯纖維素[TAC]、二乙醯纖維素的醋酸纖維素系樹脂等)；聚碳酸酯系樹脂；聚乙烯醇系樹脂；聚醋酸乙烯酯系樹脂； 聚芳酯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；聚醚碸系樹脂；聚碸系樹脂；聚醯胺系樹脂；聚亞醯胺系樹脂；及此等的混合物、共聚合物。第1及第2保護薄膜20、30的厚度，例如是5至200μm左右，以10至150μm為佳，以15至100μm更佳。在本說明書中之「(甲基)丙烯酸」是指選自丙烯酸及甲基丙烯酸中至少一者的意思。
如第1圖中所示的第1偏光板片狀體1，在偏光片10的一面上具備第1保護薄膜20，在另一面上具備第2保護薄膜30時，第1保護薄膜20與第2保護薄膜30，可以相同種類的熱塑性樹脂構成，亦可用不同種類的熱塑性樹脂構成，但以不同種類的熱塑性樹脂構成時等，貼合在兩面之保護薄膜的透濕度互為不同時，因吸濕性的不同而特別容易發生波形缺陷，故在如此的情形下本發明是特別有利。根據本發明，即使貼合在兩面的保護薄膜之透濕度差是在30g/(m2‧24hr)以上，進一步為50g/(m2‧24hr)以上，甚至為100g/(m2‧24hr)以上，特別是在300g/(m2‧24hr)以上時，亦可得到波形缺陷降低，難以發生氣泡混入及伴隨此之能見度降低的問題之偏光板片狀體。通常，貼合在兩面貼合之保護薄膜的透濕度差是在900g/(m2‧24hr)以下。
上述透濕度係在溫度40℃、相對濕度90%的透濕度，係依JIS Z 0208所規定的藉由杯法來測定。作為在溫度40℃、相對濕度90%的透濕度差為30g/(m2‧24hr)以上之保護薄膜的組合者，可列舉例如：纖維素系樹脂薄膜 (TAC薄膜等)與環狀聚烯烴系樹脂的組合、纖維素系樹脂薄膜(TAC薄膜等)與(甲基)丙烯酸系樹脂薄膜的組合、環狀聚烯烴系樹脂與(甲基)丙烯酸系樹脂薄膜的組合等。又，即使構成貼合在兩面的保護薄膜之熱塑性樹脂為相同種類者，但由於在此之上所積層的表面處理層之有無或種類的不同，而會產生透濕度差。
偏光片10，與第1保護薄膜20及第2保護薄膜30，係可隔著接著劑層而貼合。作為形成接著劑層的接著劑者，係可使用水系接著劑，亦即，可使用接著劑成分溶解在水中者，或在水中分散者，或是活性能量線硬化性接著劑。
水系接著劑的接著劑成分，例如可為聚乙烯醇系樹脂或胺甲酸乙酯樹脂。活性能量線硬化性接著劑，例如，可為包含環氧系化合物或(甲基)丙烯酸系化合物等的活性能量線硬化性化合物，與聚合起始劑之硬化性組成物。活性能量線硬化性接著劑可為是無溶劑型的接著劑，惟亦可包含有機溶劑。若使用無溶劑型的接著劑，即無須用以去除溶劑的乾燥處理。使用活性能量線硬化性接著劑時，隔著接著劑層而貼合保護薄膜之後，照射可見光、紫外光、X射線、電子束等的活性能量線，理想的是照射紫外光而使接著劑層硬化。於是，此情形，在第1偏光板片狀體的接著劑層係包含活性能量線硬化性接著劑的硬化物。
如第1圖所示之第1偏光板片狀體1，在偏 光片10的一面上具備第1保護薄膜20，在另一面上具備第2保護薄膜30時，貼合第1保護薄膜20之第1接著劑層與貼合第2保護薄膜30之第2接著劑層，可由相同種類的接著劑而形成，亦可由不同種類的接著劑而形成，但從製造效率的觀點而言，理想的是由相同種類的接著劑而形成。
在第1接著劑層及第2接著劑層的至少任一方(理想的是雙方)包含活性能量線硬化性接著劑的硬化物時，由於特別容易發生因吸濕所致的波形缺陷，故在如此之情形中本發明是特別有利。
作為構成用以貼合影像顯示元件(例如液晶單元)之黏著劑層40之黏著劑者，例如，可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、聚醚系黏著劑、含氟系黏著劑、橡膠系黏著劑等。其中，從透明性、黏著力、可信度、再加工性等的觀點而言，以使用(甲基)丙烯酸系黏著劑為理想。黏著劑層40的厚度，通常是2至40μm。
分離薄膜50及保護膜60，分別是在將偏光板進行保管/運搬，或是檢査之時，用以暫時保護黏著劑層40、第1保護薄膜20之目的而設置者。保護黏著劑層40之分離薄膜50，實際上是供後述之第2偏光板片狀體使用(例如，在如液晶單元的影像顯示元件中貼合)後立即被剝離去除。又，保護膜60，通常是供第2偏光板片狀體使用(例如，在如液晶單元的影像顯示元件中貼合)之後，依其 黏著劑層而被剝離去除。
分離薄膜50，通常是以單面經實施脫模處理之熱塑性樹脂薄膜所構成，而該脫模處理面是貼合在黏著劑層40上。又，保護膜60，通常是在熱塑性樹脂薄膜的單面設置黏著劑層而構成。構成分離薄膜50及保護膜60之熱塑性樹脂，例如可為如聚乙烯的聚乙烯系樹脂、如聚丙烯的聚丙烯系樹脂、如聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯的聚酯系樹脂等。關於保護膜60所含之黏著劑層，係引用上述黏著劑層40的相關記述。
第1偏光板片狀體的層構成並不限定第1圖中所示之例者，例如亦可為如下述的層構成。
[a]省略黏著劑層40、分離薄膜50及保護膜60的任意1個以上之構成，[b]省略第1保護薄膜20及第2保護薄膜30的任意一方之構成，[c]使用作為第2保護薄膜30之如相位差薄膜的光學補償薄膜之構成，[d]除了第1保護薄膜20及第2保護薄膜30之外，具有如相位差薄膜的光學補償薄膜之構成。
上述[b]的一個例子是省略第2保護薄膜30之構成，期較佳具體例係在偏光片10中與第1保護薄膜20為相反側的面上直接積層黏著劑層40，作成保護膜60/第1保護薄膜20/偏光片10/黏著劑層40/分離薄膜 50的層構成者。
上述[c]的較佳具體例，係作成保護膜60/第1保護薄膜20/偏光片10/相位差薄膜(第2保護薄膜30)/黏著劑層40/分離薄膜50的層構成者。上述[d]的較佳具體例，係作成保護膜60/第1保護薄膜20/偏光片10/第2保護薄膜30/相位差薄膜/黏著劑層40/分離薄膜50的層構成者。此情形，第2保護薄膜30與相位差薄膜例如可隔著黏著劑層而貼合。
相位差薄膜係具有單軸或二軸等的光學各向異性的光學薄膜，例如可為熱塑性樹脂的延伸薄膜。熱塑性樹脂，除了可為有關第1及第2保護薄膜20、30的上述所例示者之外，亦可使用聚偏二氟乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯共聚合體、液晶聚酯、乙醯纖維素、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合體的皂化物、聚氯乙烯等。延伸倍率通常是1.01至6倍左右。
(2)得到第2偏光板片狀體之步驟
本步驟，係將在至少任意1個的長邊中有1個以上的波形缺陷之第1偏光板片狀體之長邊端部(包含具有該波形缺陷之長邊的端部)予以切開去除，而得到該波形缺陷經降低之第2偏光板片狀體之步驟。在切開時，係可以使用剪切刀(shear cutter)等之以往周知的裁切(切斷)手段。
第1偏光板片狀體含有積層在保護薄膜上之保護膜60，及/或在偏光片10或保護薄膜上所積層之黏 著劑層40與在其外表面積層之分離薄膜50時，在端部(特別是上述長邊端部)產生波形缺陷的第1偏光板片狀體中，該端部的色調變黑而伴隨著有外觀不良之現象。此外觀不良應該是因發生波形缺陷時的應力而在構成保護膜60之熱塑性樹脂薄膜與黏著劑層的界面，或是分離薄膜50與黏著劑層40的界面中發生位移而使黏著劑層表面粗糙的原因所致。尤其是在黏著劑層40的表面產生粗糙時，如液晶單元的影像顯示元件中貼合之後，恐怕也會殘留不良的外觀。
藉由本步驟，若試圖去除上述外觀不良部分而進行切開去除的話，也可以得到在色調的面上有良好品質的外觀之偏光板片狀體。
切開去除，係在具有上述波形缺陷之長邊端部進行。特別是，在任意1個長邊中具有高度超過2mm之波形缺陷或是4個以上的波形缺陷的第1偏光板片狀體中，很多是在該長邊對面之長邊中也有相同程度的波形缺陷，典型上，係針對兩方的長邊端部進行切開去除。
關於經切開去除的長邊端部之寬W1，在至少任意1個的長邊中具有高度超過2mm之波形缺陷或是4個以上的波形缺陷之偏光板片狀體的情形，從降低波形缺陷效果的觀點而言，每個單個端部是以65mm以上為佳。值得注意的是，只要第1偏光板片狀體是上述之一般尺寸(長邊700mm以上，且短邊400mm以上)，則不管其大小尺寸，藉由以較佳為65mm以上的切開寬W1來去除長邊端部， 係可以得到良好的降低波形缺陷效果。從波形缺陷更有效果地降低之觀點而言，每單個端部之切開寬W1較佳為70mm以上，更佳為80mm以上，又更佳為100mm以上，特佳為140mm以上。
如上述，會在2個短邊中產生的波形缺陷，其高度及/或個數中，相較於長邊產生的波形缺陷係有較小的傾向，又，由於短邊中之波形缺陷，相較於長邊的波形缺陷係有不易產生氣泡混入的問題之傾向，故雖不必要將短邊端部切開去除，但在短邊中為了降低波形缺陷，除了在產生波形缺陷的長邊端部之外，也可以將產生波形缺陷之短邊端部(單個端部或是兩端部)予以切開去除。每單個端部之短邊端部的切開寬W2，例如可為35mm以上，以40mm以上為佳，以45mm以上更佳。
又，不管短邊端部是否產生波形缺陷，將短邊端部的一方或是兩方切開去除，可以由第1偏光板片狀體得到尺寸減少之第2偏光板片狀體。作為尺寸減少的具体例者，可以列舉：將46吋大小(長邊1031mm×短邊585mm)的第1偏光板片狀體的長邊端部及短邊端部切開去除，得到39吋大小(長邊860mm×短邊490mm)的第2偏光板片狀體之情形，或將39吋大小(長邊860mm×短邊490mm)的第1偏光板片狀體的長邊端部及短邊端部切開去除，得到32吋大小(長邊700mm×短邊400mm)的第2偏光板片狀體之情形等。
為了減少尺寸的切開去除中，在有高度超過 2mm的波形缺陷或是具有4個以上的波形缺陷之偏光板片狀體的情形，只要將長邊端部以每單個端部為65mm以上的切開寬W1予以去除，則可僅切開去除2個長邊端部的其中一方，也可以將雙方的長邊端部切開去除。同樣地，也可僅將2個短邊端部的其中一方切開去除，亦可將雙方的短邊端部切開去除。
[實施例]
以下，例示實施例以更具體地說明本發明，但本發明並不被此等例所侷限。在以下的例子中，波形缺陷的個數及高度，係根據下述的測定方法。
(波形缺陷的個數及高度)
將分離薄膜50側朝上，在平面台上放置偏光板片狀體，分別測定偏光板片狀體的2個長邊中波形缺陷之個數(如上述，限定高度是自平面台算起有0.5mm以上之波形缺陷。)，及自波形缺陷的平面台算起之高度。於表1中，記載2個長邊之中，有較多波形缺陷之長邊中的波形缺陷個數及高度。於表1中記載的波形缺陷之高度，有複數個波形缺陷的情形，係指最高波形缺陷的高度。
<實驗例1>
[1]第1偏光板片狀體的製作
準備有第1圖所示層構成之長條狀偏光板。此偏光板的層構成，係厚度53μm的保護膜60(包含(甲基)丙烯酸系 黏著劑層與聚對苯二甲酸乙二酯薄膜而成)/厚度60μm的第1保護薄膜20(TAC薄膜)/厚度25μm的偏光片10(吸附定向碘之單軸延伸聚乙烯醇薄膜)/厚度52μm的第2保護薄膜30(包含環狀聚烯烴系樹脂的相位差薄膜)/厚度20μm的黏著劑層40((甲基)丙烯酸系黏著劑層)/厚度38μm的分離薄膜50(在單面經實施脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜)。第1保護薄膜20及第2保護薄膜30，都是隔著包含活性能量線硬化性接著劑(含有陽離子聚合性環氧系化合物的硬化性化合物與光陽離子聚合起始劑之紫外線硬化性接著劑之ADEKA(股)公司製的「KR-70T」)的硬化物之接著劑層貼合在偏光片10上。又，第1保護薄膜20及第2保護薄膜30，在40℃、相對濕度90%中之透濕度分別是560g/(m2‧24hr)、5g/(m2‧24hr)。
由上述長條狀的偏光板，切取46吋大小(長邊1031mm×短邊585mm)的長方形偏光板片狀體之後，於30℃相對濕度80%的環境下保管3天，依據上述測定方法，得到具有波形高度3.5mm，波形缺陷個數為5個之長邊的第1偏光板片狀體。
[2]第2偏光板片狀體的製作(長邊端部的切開去除)
將在上述中得到的第1偏光板片狀體之波形高度為3.5mm，波形缺陷的個數為5個的長邊端部，使用剪切刀以10mm的寬切開去除，測定縫隙後的第2偏光板片狀體的長邊之波形缺陷的高度及個數。將此操作重覆直到全部 的切開寬(切開寬W1)成為170mm為止，調查有關切開寬W1與波形缺陷降低效果的關係。將結果在表1中表示。
<實驗例2>
與上述實驗例1同樣操作，得到具有波形高度3.5mm，波形缺陷個數為4個的長邊之46吋大小(長邊1031mm×短邊585mm)的第1偏光板片狀體中，將2個長邊端部，使用剪切刀，在每一單個端部分別切開去除85.5mm的同時，藉由將2個短邊端部，於每一單個端部分別切開去除47.5mm，得到尺寸減少到39吋大小(長邊860mm×短邊490mm)之第2偏光板片狀體。對於此第2偏光板片狀體，測定相當於波形高度為3.5mm、波形缺陷的個數為4個的第1偏光板片狀體之長邊的長邊中之波形缺陷的高度及個數。將結果在表2中表示。
其次，將在上述得到的39吋大小的第2偏光板片狀體中之2個長邊端部，使用剪切刀，將每一單個端部分別切開去除80.0mm，並且將2個的短邊端部，在每一單個端部分別切開去除45.0mm，藉此而得到大小尺寸減少到32吋大小(長邊700mm×短邊400mm)之第2偏光板片狀體。對於此第2偏光板片狀體，測定相當於在上述波形缺陷高度及個數經測定的39吋大小之第2偏光板片狀體之長邊的長邊中之波形缺陷的高度及個數。將結果在表2中表示。

Claims (7)

  1. 一種偏光板片狀體的製造方法，係包含下述步驟：準備第1偏光板片狀體之步驟，該第1偏光板片狀體包含偏光片及積層在其至少一面上之保護薄膜且為具有長邊與短邊的方形形狀之偏光板片狀體，且在至少任意1個長邊中具有1個以上之波形缺陷；將上述第1偏光板片狀體中之包含具有上述波形缺陷之長邊的端部予以切開去除而得到第2偏光板片狀體之步驟，在得到上述第2偏光板片狀體的步驟中，將上述第1偏光板片狀體中之包含具有上述波形缺陷之長邊的端部以65mm以上的寬度予以切開去除。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中，在準備上述第1偏光板片狀體的步驟中，在上述至少任意1個長邊中具有的波形缺陷為4個以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，在準備上述第1偏光板片狀體的步驟中，上述至少任意1個長邊具有的波形缺陷之高度是超過2mm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，上述第1偏光板片狀體係包含：上述偏光片，隔著第1接著劑層積層在其一面上的第1保護薄膜，以及隔著第2接著劑層積層在另一面上之第2保護薄膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之製造方法，其中，上述第1保護薄膜與上述第2保護薄膜，在溫度40℃、相對濕度90%的透濕度相差30g/(m2‧24hr)以上。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之製造方法，其中，上述第1接著劑層及上述第2接著劑層的至少一方，係由活性能量線硬化性接著劑的硬化物所構成。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之製造方法，其中，上述第1偏光板片狀體更包含下述(a)及(b)的至少一方：(a)積層在上述保護薄膜上的保護膜，(b)積層在上述偏光片上或上述保護薄膜上的黏著劑層，以及積層在其外表面的分離薄膜。
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