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TWI664765B - 具有修復區域的有機發光顯示裝置 - Google Patents

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TWI664765B
TWI664765B TW106135946A TW106135946A TWI664765B TW I664765 B TWI664765 B TW I664765B TW 106135946 A TW106135946 A TW 106135946A TW 106135946 A TW106135946 A TW 106135946A TW I664765 B TWI664765 B TW I664765B
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light emitting
display device
hole
emitting display
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金英美
申宇燮
崔時赫
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韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種有機發光顯示裝置，其能夠在不改變光學特性的情況下實現快速且安全的修復程序。該有機發光顯示裝置包括依次堆疊的一下部電極、一有機發光層、一上部電極、以及一光學補償層。該上部電極比該下部電極薄。一開口由該有機發光層和該上部電極中的顆粒形成。由該等顆粒造成的該開口在該下部電極與該有機發光層之間延伸。

Description

具有修復區域的有機發光顯示裝置
本發明涉及一種有機發光顯示裝置，其包括一修復區域，其中已經去除了由於顆粒而連接到一下部電極的一上部電極連。
一般來說，諸如監視器、電視機、筆記型電腦、和數位相機的電子設備包括用於顯示影像的顯示裝置。舉例而言，該顯示裝置可以包括液晶顯示裝置(LCD)和有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置可以包括發射特定顏色的發光結構。例如，該有機發光顯示裝置的發光結構可以包含依次堆疊的下部電極、有機發光層、和上部電極。
有機發光顯示裝置可以包括複數個發光區域。獨立驅動的發光結構可以位於發光區域中。例如，在有機發光顯示裝置中，每個發光結構的下部電極可以與相鄰的發光結構的下部電極絕緣。有機發光顯示裝置還可以包括填充相鄰發光結構的下部電極之間的空間的壟部絕緣層。
製造有機發光顯示裝置的方法可以包括修復程序，以便去除由於在製造過程中產生的顆粒而連接到下部電極的上部電極的一部分。例如，該修復程序可以包括使用焦耳加熱的一R-老化程序。
然而，由於厚的上部電極使有機發光顯示裝置的修復程序需要很長時間。此外，有機發光顯示裝置的修復程序難以預測程序終止時間，因為與下部電極接觸的上部電極的面積取決於顆粒的形狀。又，由於上部電極的厚度 與發射光的光學特性有關，所以難以減小上部電極的設定厚度，以解決修復程序的問題。
本發明的一個目的是提供一種有機發光顯示器，用於在不改變光學特性的情況下減少修復程序所需的時間。
本發明的另一個目的是提供一種有機發光顯示裝置，用於容易地去除由於顆粒而連接到下部電極的上部電極的一部分。
本發明解決的技術問題不限於上面的技術問題，並且熟悉本領域的技術人員可從下面描述理解其他技術問題。
為了達到本發明的目的，根據本發明實施例的一種有機發光顯示裝置包括：一下部電極，位在一下部基板上；一有機發光層，位在該下部電極上並包括一第一穿透孔；一上部電極，在該有機發光層上並包含與該第一穿透孔對齊的一第二穿透孔；以及一光學補償層，位在該上部電極上並覆蓋該第二穿透孔。該第一穿透孔的側壁包含一下側壁和設置在該下側壁上的一上側壁。該第一穿透孔的該下側壁是負錐形。該第一穿透孔的該上側壁是正錐形。
該第二穿透孔的最小寬度可以大於該第一穿透孔的最小寬度。
該第二穿透孔的側壁可以設置在該第一穿透孔的該上側壁上。
該第一穿透孔的該下側壁的垂直長度可以小於該第一穿透孔的該上側壁的垂直長度。
該光學補償層可以延伸到該第一穿透孔和該第二穿透孔的內部。
該光學補償層可以直接與該第一穿透孔中的該下部電極接觸。
該光學補償層可以直接與該第一穿透孔的該下側壁接觸。
該上部電極的厚度可以小於該下部電極的厚度。
該有機發光顯示裝置進一步可以包括一元件鈍化層，位在該光學補償層上。該光學補償層可以具有該上部電極的折射率與該元件鈍化層的折射率之間的折射率。
該光學補償層的電阻可以大於該上部電極的電阻。
該光學補償層可以包括金屬氧化物。
該光學補償層可以包括儲氫金屬。
為了實現本發明的另一個目的，有機發光顯示裝置包括：一下部基板，包含一正常區域和一修復區域；一發光結構，位在該下部基板上，該發光結構包含依次堆疊的一下部電極、一有機發光層、和一上部電極；一光學補償層，位在該發光結構的該上部電極上；以及一穿透孔，位在該下部基板的該修復區域上，該穿透孔穿透該發光結構的該有機發光層和該上部電極。該上部電極可以比該下部電極薄。在示例性實施例中，當該上部電極的厚度與該下部電極的厚度的比率被設定為一期望的範圍時，可以在短時間內成功地執行一修復程序。例如，該比例可以設定為不超過約2/3、1/2、1/3、1/4、1/5、1/6、1/7、1/8、1/9、1/10、1/11、1/12、或1/13，或甚至不大於1/14或1/15。更具體地，該上部電極的厚度與該下部電極的厚度的比率設定為不大於約1/6、或1/9、或1/12、或1/14。在一些示例性實施例中，該上部電極的厚度可以設定為不超過約700nm、600nm、500nm、400nm、300nm、250nm、200nm、150nm、120nm、或100nm。面向該穿透孔的該有機發光層的一端部包括一底切部。面向該穿透孔的該有機發光層的該端部可以配置為比面向該穿透孔的該上部電極的一端部更靠近該穿透孔的中心軸。
該有機發光顯示裝置進一步可以包括在該下部基板的該修復區域上的該下部電極與該光學補償層之間的空氣間隙。
該空氣間隙可以連接到該有機發光層的該底切部。
在根據本發明的技術精神的有機發光顯示裝置中，可以容易地去除由於顆粒而連接到下部電極的上部電極的一部分。因此，根據本發明的技術精神，在有機發光顯示裝置的修復程序之後，可以減少修復程序所需的時間，並且由於顆粒而連接到下部電極的上部電極的該部分在修復程序之後不會殘留。因此，根據本發明的技術精神，可以提高有機發光顯示裝置的生產效率和可靠性。
110‧‧‧下部基板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧外覆層
210‧‧‧半導體圖案
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧閘極電極
240‧‧‧層間絕緣層
250‧‧‧源極電極
260‧‧‧汲極電極
300‧‧‧發光結構
310‧‧‧下部電極
320‧‧‧有機發光層
320h‧‧‧第一穿透孔
330‧‧‧上部電極
330h‧‧‧第二穿透孔
350‧‧‧壟部絕緣層
400‧‧‧光學補償層
500‧‧‧元件鈍化層
AG‧‧‧空氣間隙
CH‧‧‧穿透孔
Cst‧‧‧儲存電容器
DL‧‧‧資料線
EA‧‧‧發光區域
GL‧‧‧閘極線
K‧‧‧區域
LS‧‧‧下側壁
NA‧‧‧正常區域
NEA‧‧‧非發光區域
P‧‧‧顆粒
R1‧‧‧區域
R2‧‧‧區域
RA‧‧‧修復區域
t1‧‧‧垂直長度
t2‧‧‧垂直長度
Tr1‧‧‧薄膜電晶體/選擇薄膜電晶體
Tr2‧‧‧薄膜電晶體/驅動薄膜電晶體
UC‧‧‧底切部
US‧‧‧上側壁
VDD‧‧‧電源供應電壓線
W1‧‧‧最小寬度
W2‧‧‧最小寬度
第1圖為根據本發明一實施例之一有機發光顯示裝置的平面圖。
第2圖為沿著第1圖的I-I’線所取得的剖面圖。
第3圖為第2圖的區域R1的放大視圖。
第4圖為第3圖的區域K的放大視圖。
第5圖為根據本發明另一實施之有機發光顯示裝置的剖面圖。
第6圖為第5圖的區域R2的放大視圖。
第7a圖至第7c圖為依次顯示根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
第8a圖和第8b圖為依次顯示根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
在下文中，藉由參考說明本發明實施例的附圖及以下詳細描述將清楚地理解與本發明的上述目的、技術結構、和操作效果有關的細節。這裡提供了本發明的實施例，以便使本發明的技術精神能夠充分地傳達給本領域技術人員，因此本發明可以以其他形式實施，並不限於這些如下面所描述的實施例。
另外，在整個說明書中，相同或非常相似的元件由相同的參考編號表示，並且在附圖中，為了方便，層和區域的長度和厚度可能被誇大。應當理解的是，當第一元件被稱為在第二元件「上」時，儘管第一元件可以設置在第二元件上以便與第二元件接觸，但是可以在第一元件和第二元件之間插入第三元件。
這裡，可以使用例如「第一」和「第二」這樣的術語來區分任何一個元件與另一個元件。然而，為了本領域技術人員的方便，在不脫離本發明的技術要點的情況下，第一元件和第二元件可以任意地命名。
本發明的說明書中使用的術語僅為了描述特定實施例而使用，並不意圖限制本發明的範圍。例如，以單數形式描述的元件旨在包括多個元件， 除非上下文另有明確指出。此外，在本發明的說明書中，還將理解的是，術語「包含」和「包括」指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件、元件及/或其組合的存在，但是不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、元件及/或組合。
除非有其他定義，否則在此所用的所有詞彙(技術用語或科學用語)與本發明所屬技術領域的技術人員所熟知的意義相同。應瞭解的是，用語，例如在通常使用的字典中所定義的，應解釋成與相關技術領域的上下文的意義相一致的意義，而除非文中明白定義，否則不解釋成理想化意思或過度正式的意思。
(實施方式)
第1圖為根據本發明一實施例之有機發光顯示裝置的平面圖。第2圖為沿著第1圖的I-I’線所取得的剖面圖。第3圖為第2圖的區域R1的放大視圖。第4圖為第3圖的區域K的放大視圖。
如第1圖至第4圖所示，根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置可以包括一下部基板110、至少一個薄膜電晶體Tr1和Tr2、一發光結構300、以及一光學補償層400。
下部基板110可以支撐薄膜電晶體Tr1和Tr2以及發光結構300。下部基板110可以包括一絕緣材料。例如，下部基板110可以包括玻璃或塑膠。
一閘極線GL、一資料線DL、和一電源供應電壓線VDD可以設置在下部基板110上。資料線DL可以與閘極線GL相交。電源供應電壓線VDD可以與閘極線GL或資料線DL平行。例如，電源供應電壓線VDD可以與閘極線GL相文。
閘極線GL、資料線DL、和電源供應電壓線VDD可以界定像素區域。例如，每個像素區域可以被閘極線GL、資料線DL、和電源供應電壓線VDD包圍。用於控制發光結構300的電路可以位於每個像素區域中。例如，可以在每個像素區域中設置一選擇薄膜電晶體Tr1、一驅動薄膜電晶體Tr2、和一儲存電容器Cst。
選擇薄膜電晶體Tr1可以根據通過閘極線GL所供應的閘極信號來開啟/關閉驅動薄膜電晶體Tr2。驅動薄膜電晶體Tr2可以根據選擇薄膜電晶體Tr1的信號向對應的發光結構300提供驅動電流。例如，選擇薄膜電晶體Tr1可以具有與驅動薄膜電晶體Tr2相同的結構。儲存電容器Cst可以將供應給驅動薄膜電晶體Tr2的選擇薄膜電晶體Tr1的信號保持一預定時間。
驅動薄膜電晶體Tr2可以包括一半導體圖案210、一閘極絕緣層220、一閘極電極230、一層間絕緣層240、一源極電極250、以及一汲極電極260。
半導體圖案210可以設置成靠近下部基板110。半導體圖案210可以包括一半導體材料。例如，半導體圖案210可以包括非晶矽或多晶矽。例如，半導體圖案210可以包括諸如IGZO的氧化物半導體材料。
半導體圖案210可以包括一源極區域、一汲極區域、以及一通道區。通道區可以位於源極區域與汲極區域之間。通道區的電導率可以低於源極區域和汲極區域的電導率。例如，源極區域和汲極區域可以包含導電雜質。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置進一步可以包括設置在下部基板110與半導體圖案210之間的一緩衝層120。緩衝層120可以延伸超過薄膜電晶體Tr1和Tr2。例如，緩衝層120可以完全覆蓋下部基板110的表面。緩衝層120可以包括一絕緣材料。例如，緩衝層120可以包括氧化矽。
閘極絕緣層220可以設置在半導體圖案210上。閘極絕緣層220可以延伸超過半導體圖案210。例如，閘極絕緣層220可以與半導體圖案外部的緩衝層120直接接觸。閘極絕緣層220可以包括一絕緣材料。例如，閘極絕緣層220可以包括氧化矽及/或氮化矽。閘極絕緣層220可以包含一高K材料。例如，閘極絕緣層220可以包括氧化鉿(HfO)或氧化鈦(TiO)。閘極絕緣層220可以是一多層結構。
閘極電極230可以設置在閘極絕緣層220上。閘極電極230可以與半導體圖案210的通道區重疊。閘極電極230可以包括一導電材料。例如，閘極電極230可以包括諸如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、或鎢(W)的金屬。
層間絕緣層240可以設置在閘極絕緣層220和閘極電極230上。層間絕緣層240可以延伸超過半導體圖案210。例如，層間絕緣層240可以在半導體 圖案210外部直接接觸閘極絕緣層220。層間絕緣層240可以包括一絕緣材料。例如，層間絕緣層240可以包括氧化矽及/或氮化矽。層間絕緣層240可以是一多層結構。
源極電極250和汲極電極260可以設置在層間絕緣層240上。汲極電極260可以與源極電極250間隔開。源極電極250可以電性連接到半導體圖案210的源極區域。汲極電極260可以電性連接到半導體圖案210的汲極區域。例如，閘極絕緣層220和層間絕緣層240可以包括暴露半導體圖案210的源極區域的一接觸孔以及暴露半導體圖案210的汲極區域的一接觸孔。
源極電極250和汲極電極260中的每一個可以包括導電材料。例如，源極電極250和汲極電極260中的每一個可以包括諸如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、和鎢(W)的金屬。汲極電極260可以包括與源極電極250相同的材料。例如，汲極電極260和源極電極250可以通過相同的蝕刻程序來形成。閘極電極230可以包括不同於汲極電極260的材料。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置描述如下：薄膜電晶體Tr1和Tr2包括靠近下部基板110設置的半導體圖案210。然而，在根據本發明另一個實施例的有機發光顯示裝置中，薄膜電晶體Tr1和Tr2的半導體圖案210可以設置在閘極電極230與源極電極250和汲極電極260之間。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置還可以包括在薄膜電晶體Tr1和Tr2上的一外覆層130。外覆層130可以去除由薄膜電晶體Tr1和Tr2造成的厚度差。外覆層130可以包括一絕緣材料。例如，外覆層130可以包括氧化矽。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置描述如下：薄膜電晶體Tr1和Tr2與外覆層130直接接觸。然而，根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置還可以包括在薄膜電晶體Tr1和Tr2與外覆層130之間的一下部鈍化層。下部鈍化層可以包括一絕緣材料。下部鈍化層可以包括不同於外覆層130的材料。例如，下部鈍化層可以包括氮化矽。
發光結構300可以實現一特定的顏色。例如，發光結構300可以包括依次堆疊的一下部電極310、一有機發光層320、以及一上部電極330。
發光結構300可以由位於相應像素區域中的薄膜電晶體Tr1和Tr2控制。例如，發光結構300的下部電極310可以電性連接到相應的驅動薄膜電晶體Tr2的汲極電極260。發光結構300可以設置在外覆層130上。例如，外覆層130可以包括暴露驅動薄膜電晶體Tr2的汲極電極260的一接觸孔。
下部電極310可以包括一導電材料。下部電極310可以包括具有高反射率的材料。例如，下部電極310可以包括諸如鋁(Al)或銀(Ag)的金屬。下部電極310可以是一多層結構。例如，下部電極310可以具有其中包括具有高反射率的材料的一反射電極位於包括諸如ITO或IZO的一透明導電材料的透明電極之間的結構。
有機發光層320可以產生具有對應於下部電極310與上部電極330之間的電壓差的亮度的光。例如，有機發光層320可以包括包含發光材料的一發光材料層(EML)。該發光材料可以是一有機材料。為了提高發光效率，有機發光層320可以是一多層結構。例如，有機發光層320可以包括一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一電子傳輸層(ETL)、以及一電子注入層(EIL)中的至少一個。
上部電極330可以包括一導電材料。上部電極330可以包括不同於下部電極310的材料。例如，上部電極330可以包括一透明材料。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，從有機發光層320產生的光可以通過上部電極330發射。上部電極330可以比下部電極310薄。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置還可以包括用於將位於相鄰像素區域中的下部電極310彼此絕緣的一壟部絕緣層350。例如，壟部絕緣層350可以覆蓋下部電極310的邊緣。有機發光層320和上部電極330可以形成在由壟部絕緣層350暴露出的下部電極310的表面的一部分上。因此，根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的下部基板110可以包括一發光區域EA，其中設置包含依次堆疊的下部電極310、有機發光層320、和上部電極330的發光結構300；以及一非發光區域NEA，其與壟部絕緣層350重疊。有機發光層320和上部電極330可以延伸到壟部絕緣層350。
顆粒P可以位於下部電極310上。下部電極310圍繞顆粒P的表面的一部分可能不被有機發光層320和上部電極330覆蓋。根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的發光區域EA可以包含一正常區域NA，其中下部電極310的表面被有機發光層320覆蓋；以及一修復區域RA，其中下部電極310的表面不被有機發光層320覆蓋。顆粒P可以設置在與下部基板110的修復區域RA重疊的下部電極310的表面的一部分上。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置還可以包括在修復區域RA上的一穿透孔CH。穿透孔CH可以穿透有機發光層320和上部電極330。顆粒P可以設置在穿透孔CH中。穿透孔CH可以包含在有機發射層320中的一第一穿透孔320h以及在上部電極330中的一第二穿透孔330h。
第一穿透孔320h可以包含一下側壁LS和一上側壁US。第一穿透孔320h的下側壁LS可以設置在下部電極310附近。第一穿透孔320h的上側壁US可以設置在第一穿透孔320h的下側壁LS上。第一穿透孔320h的上側壁US可以設置在第一穿透孔320h的下側壁LS與上部電極330之間。
第一穿透孔320h的下側壁LS可以是負錐形的。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，面向穿透孔CH的有機發光層320的一端部可以與下部電極310分離。例如，面向穿透孔CH的有機發光層320的該端部可以包括一底切部UC。第一穿透孔320h的上側壁US可以是正錐形的。第一穿透孔320h的下側壁LS的垂直長度t1可以小於第一穿透孔320h的上側壁US的垂直長度t2。
第二穿透孔330h可以與第一穿透孔320h對齊。第一穿透孔320h的最小寬度W1可以小於第二穿透孔330h的最小寬度W2。例如，第二穿透孔330h的側壁可以設置在第一穿透孔320h的上側壁US上。面向穿透孔CH的有機發光層320的該端部可以比面向穿透孔CH的上部電極330的一端部更靠近穿透孔CH的中心軸線。因此，在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，可以有效地防止圍繞顆粒P的下部電極310與上部電極330之間的電性連接。
光學補償層400可以設置在發光結構300上。從發光結構300發射光的光學特性可以由光學補償層400控制。例如，光學補償層400可以校正通過上部電極330的光的顏色視角和顏色座標。因此，在根據本發明實施例的有機發 光顯示裝置中，可以減小上部電極330的厚度，而不改變發射出的光的光學特性。再者，當上部電極330的厚度與下部電極310的厚度的比率被設定為一期望的範圍時，可以在短時間內成功地執行一修復處理。例如，該比例可以設定為不大於約2/3、1/2、1/3、1/4、1/5、1/6、1/7、1/8、1/9、1/10、/11、1/12、或1/13，甚至不超過1/14或1/15。更具體地，上部電極330的厚度與下部電極310的厚度的比率被設定為不大於約1/6或1/9、或1/12、或1/14。在一些示例性實施例中，上部電極330的厚度可以設定為不超過約700nm、600nm、500nm、400nm、300nm、250nm、200nm、150nm、120nm、或100nm。
光學補償層400可以延伸到壟部絕緣層350上。穿透孔CH可以被光學補償層400覆蓋。例如，光學補償層400可以覆蓋第二穿透孔330h。光學補償層400可以延伸到第一穿透孔320h和第二穿透孔330h的內部。例如，光學補償層400可以在第一穿透孔320h中與下部電極310直接接觸。光學補償層400可以與第一穿透孔320h的下側壁LS直接接觸。光學補償層400可以圍繞顆粒P。例如，穿透孔CH可以完全地被填充有顆粒P和光學補償層400。
光學補償層400可以防止下部電極310與上部電極330之間的電性連接。例如，光學補償層400的電阻可能比下部電極310和上部電極330的電阻大得多。光學補償層400可以包括一透明材料。例如，光學補償層400可以包括氧化物。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置還可以包括在光學補償層400上的一元件鈍化層500。元件鈍化層500可以保護發光結構300免受外部濕氣或衝擊。元件鈍化層500可以包括一絕緣材料。元件鈍化層500可以包含一透明材料。例如，元件鈍化層500可以包含氧化矽及/或氮化矽。元件鈍化層500可以是一多層結構。
在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，可以將在上部電極330與光學補償層400之間以及光學補償層400與元件鈍化層500之間的介面處的光反射最小化。例如，光學補償層400可以具有上部電極330的折射率與元件鈍化層500的折射率之間的折射率。因此，在根據本發明實施方式的有機發光顯示裝置中，可以防止光學補償層400引起的發光效率的劣化。
光學補償層400可以防止氫從元件鈍化層500或其外部滲透。例如，光學補償層400可以包括儲氫金屬的氧化物。光學補償層400可以包含第1族、第2族、第3族、第4族、第12族、第13族、和第14族金屬和過渡金屬中的至少一種作為儲氫金屬。例如，光學補償層400可以包含氧化鈮(NbO)、氧化鉬(MoO)、氧化鉭(TaO)、氧化鉿(HfO)、氧化鈦(TiO)、和氧化鋅(ZnO)中的至少一種。光學補償層400可以是一多層結構。
根據本發明實施例的有機發光顯示裝置有描述如下：光學補償層400在第一穿透孔320h中與下部電極310直接接觸。然而，根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置還可以包括在下部基板110的修復區域RA上的下部電極310與光學補償層400之間的一空氣間隙AG，如第5圖和第6圖所示。空氣間隙AG可以指填充有空氣的空間。空氣間隙AG可以連接到有機發光層320的底切部。
第7a圖至第7c圖為依次顯示根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法的剖面圖。
參考第1圖、第4圖、和第7a圖至第7c圖描述根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法。參考第7a圖，根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法可以包括在下部基板110上形成緩衝層120的程序；在緩衝層120上形成薄膜電晶體Tr2的程序；在下部基板110上形成覆蓋薄膜電晶體Tr2的外覆層130的程序；在外覆層130上形成與薄膜電晶體Tr2電性連接的下部電極310的程序；形成覆蓋下部電極310的邊緣的壟部絕緣層350的程序；在下部電極310和壟部絕緣層350上形成有機發光層320的程序；以及在有機發光層320上形成上部電極330的程序。
形成薄膜電晶體Tr2的程序可以包括形成半導體圖案210的程序；在半導體圖案210上形成閘極絕緣層220的程序；在閘極絕緣層220上形成閘極電極230的程序；在閘極電極230上形成層間絕緣層240的程序；以及在層間絕緣層240上形成源極電極250和汲極電極260的程序。
形成下部電極310的程序可以包括在外覆層130上形成一導電材料層的程序以及圖案化導電材料層的程序。形成壟部絕緣層350的程序可以包括 形成覆蓋下部電極310的一絕緣材料層的程序和藉由蝕刻絕緣材料層暴露下部電極310的表面的程序。
顆粒P可以附著到由壟部絕緣層350暴露的下部電極310的表面。顆粒P可以在圖案化用於形成下部電極310的導電材料層的程序中及/或蝕刻用於形成壟部絕緣層350的絕緣材料層的程序中產生。
形成有機發光層320的程序可以包括使用蒸鍍的一沉積程序。有機發光層320可以不覆蓋圍繞顆粒P的下部電極310的表面。下部基板110之與顆粒P垂直重疊的部分表面可以被定義為修復區域RA。由於顆粒P，有機發光層320可以暴露設置在下部基板110的修復區域RA上的下部電極310的一部分。
形成上部電極330的程序可以包括具有相對較高階梯覆蓋的一濺鍍程序。有機發光層320和顆粒P可以被上部電極330包圍。上部電極330可以覆蓋由有機發光層320暴露的下部電極310的表面。上部電極330可以與在下部基板110的修復區域RA上的下部電極310直接接觸。
參考第7b圖，根據本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法可以包括一修復程序，其是由於顆粒P而去除連接到下部電極310的上部電極330的一部分的程序。
該修復程序可以包括使用焦耳加熱的一R-老化程序。例如，修復程序可以包括將脈衝形式的一高電壓施加到下部電極310和上部電極330的程序。
在根據本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法中，上部電極330可以相對較薄地形成，以減少修復程序所需的時間。例如，上部電極330可以比下部電極310薄。
在根據本發明實施例的有機發光顯示裝置中，由於上部電極330較薄，所以由於粒子P而與下部電極連接的上部電極330的部分可以藉由修復程序執行短時間來完全地去除。該修復程序可能會影響面向顆粒P的有機發射層320的端部，因為上部電極330被快速地去除。例如，面向顆粒P的有機發光層320的端部的底部可以藉由修復程序被部分地去除。例如，由於修復程序，一底切部可能在面向顆粒P的有機發光層320的端部處形成。
參考第7c圖，根據本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法可以包括在上部電極330上形成光學補償層400的程序。
光學補償層400可以延伸到下部基板110的修復區域RA上。光學補償層400可以延伸到顆粒P與有機發光層320之間以及顆粒P與上部電極330之間的空間。例如，顆粒P可以被光學補償層400包圍。在顆粒P與有機發光層320之間以及顆粒P與上部電極330之間的空間可以填滿充有光學補償層400。例如，光學補償層400可以延伸到有機發光層320的底切部。
如第2圖所示，根據本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法可以包括在光學補償層400上形成元件鈍化層500的程序。
在根據本發明實施例的製造方法所製造的有機發光顯示裝置中，如第3圖和第4圖所示，由於修復程序，底切部UC可以形成在面向顆粒P的有機發光層320的端部處。因此，在根據本發明實施例的製造方法所製造的有機發光顯示裝置中，在下部基板110的修復區域RA上，面向穿透有機發光層320和上部電極330的穿透孔CH的有機發光層320的端部可以比面向穿透孔CH的上部電極330的端部更靠近顆粒P設置。因此，在根據本發明實施例的製造方法所製造的有機發光顯示裝置中，上部電極330可以藉由修復程序與下部電極310可靠地絕緣。
因此，在根據本發明實施例的製造方法所製造的有機發光顯示裝置中，由於用於校正光學特性的光學補償層400形成在上部電極330上，以便能夠形成薄的上部電極330，所以可以減少執行修復程序所花費的時間。因此，在根據本發明實施例的製造方法所製造的有機發光顯示裝置中，有機發光層320的端部可以藉由薄上部電極330的修復程序變形，從而可靠地防止由於顆粒P而引起的下部電極310與上部電極330之間的電性連接。因此，可以提高根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的生產效率和可靠性。
根據本發明實施例之製造有機發光顯示裝置的方法描述如下：因為在修復程序之後形成光學補償層，所以光學補償層被填充在藉由去除有機發光層和上部電極由於修復程序而形成的空間內。然而，根據本發明另一實施例之製造有機發光顯示裝置的方法，在上部電極上形成光學補償層之後進行修復 程序，從而可以在下部電極310與圍繞顆粒P的光學補償層400之間形成空氣間隙AG，如第8a圖和第8b圖所示。
本申請案主張於2017年10月31日提交的韓國專利申請第10-2016-0143862號的優先權權益，該專利申請在此全部引用作為參考。

Claims (15)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：一下部電極，位於一下部基板上，該下部基板包含一正常區域和一修復區域；一有機發光層，位於該下部電極上，該有機發光層包含一第一穿透孔；一上部電極，位於該有機發光層上，該上部電極包含與該第一穿透孔對齊的一第二穿透孔；以及一光學補償層，位於該上部電極上，該光學補償層覆蓋該第二穿透孔，其中，該第一穿透孔的一側壁包含一下側壁，該下側壁為負錐形；以及一上側壁，位於該下側壁上並且為正錐形，以及其中，該有機發光顯示裝置進一步包括一空氣間隙，位在該下部基板的該修復區域上的該下部電極與該光學補償層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該第二穿透孔的最小寬度大於該第一穿透孔的最小寬度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光顯示裝置，其中，該第二穿透孔的側壁設置在該第一穿透孔的該上側壁上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該第一穿透孔的該下側壁的垂直長度小於該第一穿透孔的該上側壁的垂直長度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該光學補償層延伸到該第一穿透孔和該第二穿透孔的內部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的有機發光顯示裝置，其中，該光學補償層與該第一穿透孔中的該下部電極直接接觸。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的有機發光顯示裝置，其中，該光學補償層與該第一穿透孔的該下側壁直接接觸。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該上部電極的厚度與該下部電極的厚度的比率不大於2/3、1/2、1/3、1/4、1/5、1/6、1/7、1/8、1/9、1/10、1/11、1/12、1/13、1/14、或1/15；或者該上部電極的厚度設定為不超過700nm、600nm、500nm、400nm、300nm、250nm、200nm、150nm、120nm、或100nm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，進一步包括一元件鈍化層，位於該光學補償層上，其中，該光學補償層的折射率是該上部電極的折射率與該元件鈍化層的折射率之間的值。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光顯示裝置，其中，該光學補償層的電阻大於該上部電極的電阻。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的有機發光顯示裝置，其中，該光學補償層包括金屬氧化物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的有機發光顯示裝置，其中，該光學補償層包括儲氫金屬。
  13. 一種有機發光顯示裝置，包括：一下部基板，包含一正常區域和一修復區域；一發光結構，位於該下部基板上，該發光結構包含依次堆疊的一下部電極、一有機發光層、和一上部電極，該上部電極比該下部電極薄；一光學補償層，位於該發光結構的該上部電極上；以及一穿透孔，位於該下部基板的該修復區域上，該穿透孔穿透該發光結構的該有機發光層和該上部電極，其中，面向該穿透孔的該有機發光層的一端部包括一底切部，以及其中，該有機發光顯示裝置進一步包括一空氣間隙，位在該下部基板的該修復區域上的該下部電極與該光學補償層之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的有機發光顯示裝置，其中，面向該穿透孔的該有機發光層的該端部配置為比面向該穿透孔的該上部電極的一端部更靠近該穿透孔的一中心軸線。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的有機發光顯示裝置，其中，該空氣間隙連接到該有機發光層的該底切部。
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