TWI661870B

TWI661870B - 流路構造及處理裝置

Info

Publication number: TWI661870B
Application number: TW106125268A
Authority: TW
Inventors: 東真也; Shinya Higashi; 寺田貴洋; Takahiro Terada; 松田拓也; Takuya Matsuda; 加藤視紅磨; Shiguma Kato; 田中正幸; Masayuki Tanaka
Original assignee: 東芝股份有限公司; Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date: 2016-08-10
Filing date: 2017-07-27
Publication date: 2019-06-11
Also published as: JP6352993B2; JP2018026482A; WO2018030009A1; US10844485B2; KR20180031760A; US20190271080A1; KR102016456B1; TW201806673A

Abstract

本發明之一個實施形態之流路構造具備：殼體、及複數個第1壁部。前述殼體具有位於第1方向之端的外表面，且在內部設置有彼此獨立之二個通路，該二個通路分別包含：至少一個流體室、在前述外表面開口之複數個開口、及與前述流體室連接之複數個分歧路，前述二個通路之各自之前述流體室係在前述第1方向上交替地配置，前述複數個分歧路包含連接前述複數個開口中至少一個與一個前述流體室的前述複數個分歧路及連接一個前述流體室與其他前述流體室的前述複數個分歧路之至少一者。前述複數個第1壁部設置於前述殼體，面向前述流體室且在前述第1方向上介隔前述流體室而並排。

Description

流路構造及處理裝置

本發明之實施形態係關於一種流路構造及處理裝置。

已知悉在自複數個開口抽吸或吐出流體之裝置中，抽吸或吐出複數種流體之構件。例如，複數種流體在由構件形成之複數個通路中分別擴散，並自複數個開口吐出。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2012-102409號公報

[發明所欲解決之問題] 通過構件之複數個開口之流體的抽吸或吐出存在不均一之情形。 [解決問題之技術手段] 一個實施形態之流路構造具備：殼體、及複數個第1壁部。前述殼體具有位於第1方向之端的外表面，且在內部設置有彼此獨立之二個通路，該二個通路分別包含：至少一個流體室、在前述外表面開口之複數個開口、及與前述流體室連接之複數個分歧路。前述二個通路之各自之前述流體室係在前述第1方向上交替地配置。前述複數個分歧路包含連接前述複數個開口中至少一個與一個前述流體室的前述複數個分歧路及連接一個前述流體室與其他前述流體室的前述複數個分歧路的至少一者。前述複數個第1壁部設置於前述殼體，面向前述流體室且在前述第1方向上前述介隔前述流體室而並排。

以下，針對第1實施形態參照圖1至圖8進行說明。又，在本說明書中原則上而言，將鉛垂上方定義為上方向、將鉛垂下方定義為下方向。此外，在本說明書中，存在有針對實施形態之構成要件及該要件之說明而記載為複數種表現之情形。對被賦予複數種表現之構成要件及說明，可賦予未被記載之其他表現。再者，對未被賦予複數種表現之構成要件及說明，亦可賦予未記載之其他表現。圖1係概略地顯示第1實施形態之半導體製造裝置10之剖視圖。半導體製造裝置10係處理裝置之一例，亦可被稱為例如：製造裝置、加工裝置、吸排裝置、供給裝置、或裝置。又，處理裝置並不限定於半導體製造裝置10，亦可為針對成為對象之物體，例如進行如加工、洗淨、及試驗之處理的其他裝置。如各圖式所示般，在本說明書中定義有X軸、Y軸及Z軸。X軸與Y軸及Z軸相互交。X軸沿半導體製造裝置10之寬度。Y軸沿半導體製造裝置10之深度(長度)。Z軸沿半導體製造裝置10之高度。在本實施形態中，Z軸在鉛垂方向上延伸。又，Z軸延伸之方向亦可與鉛垂方向為不同方向。圖1所示之第1實施形態之半導體製造裝置10係例如化學蒸鍍(CVD)裝置。半導體製造裝置10亦可為其他裝置。半導體製造裝置10具有：製造部11、載台12、噴淋板13、第1泵14、及第2泵15。製造部11亦可被稱為例如框體。載台12亦可被稱為例如載置部或台。噴淋板13係流路構造及殼體之一例，亦可被稱為例如分歧部、吐出部、排出部、抽吸部、構件、或部件。在本實施形態中，噴淋板13吐出流體。不過，流路構造可抽吸流體。第1泵14係第1流體供給部之一例。第2泵15係第2流體供給部之一例。第1泵14及第2泵15亦可被稱為例如供給部、排出部、或給送部。在製造部11之內部設置有能夠氣密地密閉之腔室室21。腔室室21亦可被稱為例如房間或空間。半導體製造裝置10例如在腔室室21中製造半導體晶圓(以下稱為晶圓)W。晶圓W係物體之一例。製造部11具有上壁23、及周壁24。上壁23具有內面23a。內面23a係朝向下方向之大致平坦之面。內面23a形成腔室室21之一部分。亦即，內面23a朝向腔室室21之內部。周壁24具有內周面24a。內周面24a係朝向大致水平方向之面。內周面24a形成腔室室21之一部分。亦即，內周面24a朝向腔室室21之內部。在周壁24設置有複數個排氣口27。自排氣口27可抽吸腔室室21之氣體。載台12及噴淋板13配置於腔室室21。又，如圖1所示般，載台12之一部分及噴淋板13之一部分亦可位於腔室室21之外。載台12具有支持部12a。支持部12a係物體支持部之一例。支持部12a位於腔室室21，朝向上壁23之內面23a而支持晶圓W。載台12具有加熱器，能夠加熱由支持部12a支持之晶圓W。載台12藉由例如吸附晶圓W，而可將該晶圓W固定於支持部12a。再者，載台12亦可以支持晶圓W之狀態能夠旋轉。噴淋板13具有擴散部31、及管部32。擴散部31形成為在X‐Y平面上擴展之大致圓盤狀。管部32自擴散部31之大致中央部在沿Z軸之正方向(Z軸之箭頭朝向之方向、上方向)上延伸。管部32貫通上壁23。例如，藉由管部32固定於上壁23，而噴淋板13安裝於製造部11之上壁23。另外，噴淋板13亦可藉由其他機構安裝於製造部11。擴散部31具有底面31a及上表面31b。底面31a係外表面之一例，亦可被稱為例如表面。底面31a位於噴淋板13之沿Z軸之負方向(Z軸之箭頭所朝向方向之相反方向、下方向)之端，大致平坦地形成。沿Z軸之負方向係第1方向之一例。底面31a朝向沿Z軸之負方向。另外，底面31a可為曲面，還可具有凹凸。擴散部31之底面31a面向由載台12之支持部12a支持之晶圓W。換言之，載台12將晶圓W支持於擴散部31之底面31a所朝向之位置。擴散部31之上表面31b位於底面31a之相反側。上表面31b大致平坦地形成，朝向沿Z軸之正方向。另外，上表面31b亦可為曲面，還可具有凹凸。管部32自上表面31b在沿Z軸之正方向上延伸。圖2係顯示第1實施形態之擴散部31之一部分之剖視圖。如圖2所示般，在擴散部31設置有二個通路41。二個通路41亦可分別被稱為例如空間、房間、或流路。為了便於說明，有將二個通路41個別地稱為通路41A及通路41B之情形。對於通路41A與通路41B共通之說明，記載為關於通路41之說明。二個通路41分別設置於噴淋板13之內部。二個通路41係彼此獨立。換言之，通路41A自通路41B隔開，通路41B自通路41A隔開。二個通路41分別包含：複數個流體室42、複數個流出口43、及複數個分歧路44。流體室42亦可被稱為例如房間、流路、或空間。流出口43係開口之一例，亦可被稱為例如開口端、端部、緣、或洞。分歧路44亦可被稱為例如分支、孔、開口、或流路。各个通路41之複數個流體室42在沿Z軸之負方向上介以間隔而配置。二個通路41之各自之流體室42在沿Z軸之負方向上交替地配置。例如，通路41A之一個流體室42在沿Z軸之負方向上，位於通路41B之二個流體室42之間。再者，通路41B之一個流體室42在沿Z軸之負方向上，位於通路41A之二個流體室42之間。在一個通路41中，一個流體室42之一部分與另一流體室42之一部分可在沿Z軸之負方向上相鄰。在沿Z軸之負方向上，若在一個通路41之一個流體室42之一部分與另一個流體室42之一部分之間，位在有另一通路41之一個流體室42，則可稱為二個通路41之各自之流體室42在沿Z軸之負方向上交替地配置。複數個流出口43在擴散部31之底面31a開口。流出口43設置在若干個分歧路44之端。換言之，流出口43由位於若干個分歧路44之端之底面31a之緣而形成。圖3係顯示第1實施形態之通路41A之一部分之立體圖。圖3省略擴散部31而顯示通路41A。圖4係顯示第1實施形態之通路41B之一部分之立體圖。圖4省略擴散部31而顯示通路41B。如圖3及圖4所示般，在第1實施形態中，複數個流出口43在沿X軸之方向與沿Y軸之方向上等間隔地配置。換言之，複數個流出口43呈矩陣狀地配置。複數個流出口43亦可採用其他配置。如圖2所示般，複數個分歧路44分別與至少一個流體室42連接。複數個分歧路44在第1實施形態中，包含：複數個連接路47、複數個流出路48、及複數個流入路49。複數個連接路47係分別連接一個流體室42與其他流體室42之分歧路44。一個通路41之由連接路47連接之二個流體室42，在沿Z軸之負方向上，介隔另一通路41之一個流體室42而在沿Z軸之負方向上相鄰。複數個流出路48係分別連接複數個流出口43中至少一個與一個流體室42的分歧路44。一個通路41之流出路48所連接之流體室42係該一個通路41之複數個流體室42中，最接近擴散部31之底面31a之流體室42。流出口43設置於流出路48之端。複數個流入路49分別與一個流體室42連接。一個通路41之流入路49所連接之流體室42係在該一個通路41之複數個流體室42中最接近擴散部31之上表面31b之流體室42。在擴散部31設置有複數個壁51。複數個壁51係第1壁部之一例。複數個壁51包含：底壁52、上壁53、及複數個分隔壁54。底壁52及上壁53亦可被稱為例如外壁。分隔壁54亦可被稱為例如曲壁、介在部、或隔離部。底壁52與上壁53及複數個分隔壁54在沿Z軸之負方向上，介隔流體室42而並排。在沿Z軸之負方向上，複數個分隔壁54位於上壁53與底壁52之間。例如，在底壁52與一個分隔壁54之間，介在有通路41A之一個流體室42。在上壁53與一個分隔壁54之間，介在有通路41B之一個流體室42。在相鄰之二個分隔壁54之間，介在有通路41A之一個流體室42或通路41B之一個流體室42。底壁52形成為大致平坦之板狀。又，底壁52亦可形成為其他形狀。底壁52具有擴散部31之底面31a。亦即，底壁52在底壁52、上壁53、及複數個分隔壁54中位於最下方向。底壁52進一步具有內面52a。內面52a係第1面之一例。內面52a位於底面31a之相反側。內面52a係朝向沿Z軸之正方向之大致平坦之面。內面52a亦可形成為其他形狀。上壁53形成為大致平坦之板狀。又，上壁53亦可形成為其他形狀。上壁53具有擴散部31之上表面31b。亦即，上壁53在底壁52、上壁53、及複數個分隔壁54中位於最上方向。上壁53進一步具有內面53a。內面53a係第2面之一例。內面53a位於上表面31b之相反側。內面53a係朝向沿Z軸之負方向之大致平坦之面。內面53a亦可形成為其他形狀。複數個分隔壁54設置於擴散部31之內部。在第1實施形態中，複數個分隔壁54分別形成為週期性彎曲之板狀。分隔壁54亦可形成為其他形狀。複數個分隔壁54在沿Z軸之負方向上重合。複數個分隔壁54分別具有下表面54a及上表面54b。下表面54a係第2面之一例。上表面54b係第1面之一例。上表面54b位於下表面54a之相反側。上表面54b較下表面54a位於沿Z軸之正方向。如上述般配置之底壁52、上壁53、及複數個分隔壁54分別面向通路41A之流體室42及通路41B之流體室42之至少一者。例如，底壁52之內面52a面向通路41A之一個流體室42。上壁53之內面53a面向通路41B之一個流體室42。複數個分隔壁54之下表面54a及上表面54b分別面向通路41A之一個流體室42、或通路41B之一個流體室42。在第1實施形態中，在擴散部31之內部設置有三個分隔壁54。為了便於說明，三個分隔壁54有被個別地稱為分隔壁54A、54B、54C之情形。對於分隔壁54A、54B、54C共通之說明，記載為關於分隔壁54之說明。分隔壁54B在沿Z軸之負方向上，位於分隔壁54C與分隔壁54A之間。分隔壁54A較分隔壁54B更接近底壁52。分隔壁54C較分隔壁54B更接近上壁53。複數個分隔壁54分別具有複數個曲部61。又，底壁52及上壁53之至少一者可進一步具有複數個曲部61。複數個曲部61包含複數個上曲部62、及複數個下曲部63。上曲部62係第1曲部及第3曲部之一例。下曲部63係第2曲部之一例。上曲部62係分隔壁54之一部分，係在沿Z軸之正方向上凸出之部分。沿Z軸之正方向係第1方向之相反方向之一例。上曲部62以遠離底壁52之方式凹陷，而朝向上壁53突出。在上曲部62上，下表面54a朝沿Z軸之正方向凹陷，上表面54b朝沿Z軸之正方向突出。上曲部62具有：頂部、及頂部之周圍之部分。頂部係上曲部62中位於最沿Z軸之正方向(上方向)之部分。頂部之周圍之部分位於較頂部沿Z軸之負方向(下方向)之位置。上曲部62隨著朝向沿Z軸之正方向而漸細。換言之，上曲部62之內側之空間之剖面積隨著朝向沿Z軸之正方向而變小。上曲部62亦可具有其他形狀。下曲部63係分隔壁54之一部分，係在沿Z軸之負方向上凸出之部分。下曲部63朝向底壁52突出，以遠離上壁53之方式凹陷。在下曲部63上，下表面54a朝沿Z軸之負方向上突出，上表面54b朝沿Z軸之負方向上凹陷。下曲部63具有頂部、及頂部之周圍之部分。頂部係下曲部63中位於最沿Z軸之負方向(下方向)之部分。頂部之周圍之部分位於較頂部沿Z軸之正方向(上方向)之位置。下曲部63隨著朝向沿Z軸之負方向而漸細。換言之，下曲部63之內側之空間之剖面積隨著朝向沿Z軸之負方向而變小。下曲部63亦可具有其他形狀。圖5係顯示第1實施形態之一個分隔壁54之平面圖。如圖5所示般，在第1實施形態中，曲部61形成為大致四角錐狀。亦即，上曲部62之下方向之端部與下曲部63之上方向之端部分別形成為大致四角形。複數個上曲部62與複數個下曲部63在沿X軸之方向上交替地配置。再者，複數個上曲部62與複數個下曲部63在沿Y軸之方向上交替地配置。在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，複數個上曲部62與複數個下曲部63在平面內無間隙且無重複地填充。如圖2所示般，具有複數個上曲部62及複數個下曲部63之分隔壁54分別在沿Y軸之方向上俯視觀察時之一個剖面為正弦波形狀。換言之，分隔壁54具有可根據週期函數而表現之形狀。分隔壁54亦可具有其他形狀。分隔壁54A之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿X軸之方向上以週期LA配置。沿X軸之方向係第2方向之一例。週期LA係第1週期之一例。週期LA為分隔壁54A之二個上曲部62之頂部之間之距離。分隔壁54A之二個下曲部63之頂部之間之距離亦為週期LA。再者，分隔壁54A之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿Y軸之方向上以週期LA配置。分隔壁54B之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿X軸之方向上，以週期LB配置。週期LB係第1週期及第2週期之一例。週期LB係分隔壁54B之二個上曲部62之頂部之間之距離。分隔壁54B之二個下曲部63之頂部之間之距離亦為週期LB。再者，分隔壁54B之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿Y軸之方向上以週期LB配置。分隔壁54C之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿X軸之方向上，以週期LC配置。週期LC係第2週期之一例。週期LC係分隔壁54C之二個上曲部62之頂部之間之距離。分隔壁54C之二個下曲部63之頂部之間之距離亦為週期LC。再者，分隔壁54C之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿Y軸之方向上以週期LC配置。在第1實施形態中，週期LB實質上係週期LA之2倍之週期。亦即，週期LB較週期LA長且具有與週期LA之公倍數。週期LB亦可為例如週期LA乘以2的整數倍之其他週期。週期LB可為與週期LA相同之週期，亦可為其他週期。週期LC實質上係週期LB之2倍之週期。亦即，週期LC較週期LB長且具有與週期LB之公倍數。週期LC亦可為例如週期LB乘以2的整數倍之其他週期。週期LC可為與週期LB相同之週期，亦可為其他週期。如下述之式所示般，在将相鄰之分隔壁54之上曲部62及下曲部63之週期之擴大倍率A設為整數N倍時，成為整數M。又，擴大倍率A為1以上。 A=M/N (M≧N) 再者，擴大倍率A亦可不以一定之倍率增加。例如，可行的是，週期LB為週期LA之2倍之週期，而週期LC為週期LB之6倍之週期。在噴淋板13上，設置有至少一個曲部61之頂部與具有該曲部61之壁51不同之壁51的連接部65。噴淋板13具有複數個連接部65。複數個連接部65包含分隔壁54A之複數個下曲部63之頂部與底壁52的複數個連接部65A。複數個連接部65包含分隔壁54A之複數個上曲部62之頂部與分隔壁54B之複數個下曲部63之頂部的複數個連接部65AB。複數個連接部65包含分隔壁54B之複數個上曲部62之頂部與分隔壁54C之複數個下曲部63之頂部的複數個連接部65BC。複數個連接部65包含分隔壁54C之複數個上曲部62之頂部與上壁53的複數個連接部65C。在連接部65處，二個壁51被一體化。換言之，連接部65係相鄰之二個壁51一體地成形之部分。連接部65係例如相鄰之二個壁51彼此安裝、接著、或熔接之部分。圖6係將第1實施形態之擴散部31之一部放大而顯示之剖視圖。如圖6所示般，在複數個連接部65分別設置有管部67。管部67係第2壁部之一例，亦可被稱為例如管、介在部、或隔離部。在圖6中，連接部65及管部67係由兩點鏈線表示。複數個管部67分別設置於噴淋板13之內部，將一個通路41之分歧路44與另一通路41之流體室42隔開。換言之，在管部67之內側設置有一個通路41之分歧路44，在管部67之外側設置有另一通路41之流體室42。例如，複數個管部67設置於底壁52與分隔壁54A之複數個下曲部63之頂部的連接部65A。底壁52與分隔壁54A面向通路41A之一個流體室42。設置於連接部65A之管部67將通路41A之流體室42與通路41B之流出路48隔開。設置於連接部65A之通路41B之流出路48在分隔壁54A之上表面54b開口。通路41B之流出路48亦可進一步設置於底壁52，而連接流體室42與流出口43。另一方面，通路41A之流出路48在底壁52之內面52a開口。複數個管部67設置於分隔壁54A之複數個上曲部62中若干個頂部與分隔壁54B之複數個下曲部63之頂部的連接部65AB。分隔壁54A與分隔壁54B面向通路41B之一個流體室42。設置於連接部65AB之管部67將通路41B之流體室42與通路41A之連接路47隔開。設置於連接部65AB之通路41A之連接路47在分隔壁54A之下表面54a開口，且在分隔壁54B之上表面54b開口。複數個管部67設置於分隔壁54B之複數個上曲部62中若干個頂部與分隔壁54C之複數個下曲部63之頂部的連接部65BC。分隔壁54B與分隔壁54C面向通路41A之一個流體室42。設置於連接部65BC之管部67將通路41A之流體室42與通路41B之連接路47隔開。設置於連接部65BC之通路41B之連接路47在分隔壁54B之下表面54a開口，且在分隔壁54C之上表面54b開口。複數個管部67設置於分隔壁54C之複數個上曲部62之頂部與上壁53的連接部65C。分隔壁54C與上壁53面向通路41B之一個流體室42。設置於連接部65C之管部67將通路41B之流體室42與通路41A之流入路49隔開。設置於連接部65C之通路41A之流入路49在分隔壁54C之下表面54a開口。通路41A之流入路49亦進一步設置於上壁53。另一方面，通路41B之流入路49在上壁53之內面53a開口。設置於各個連接部65之管部67及分歧路44之數目隨著朝向沿Z軸之負方向而增加。換言之，在一個通路41中，在一個流體室42開口之分歧路44之數目，多於在與該流體室42相比距離擴散部31之底面31a更遠之其他流體室42開口之分歧路44之數目。在底壁52之內面52a開口之複數個流出路48之數目，多於在分隔壁54A之下表面54a開口之複數個連接路47之數目，為例如4倍。底壁52之內面52a與分隔壁54A之下表面54a面向通路41A之一個流體室42。在分隔壁54A之上表面54b開口之複數個流出路48之數目，多於在分隔壁54B之下表面54a開口之複數個連接路47之數目，為例如4倍。分隔壁54A之上表面54b與分隔壁54B之下表面54a面向通路41B之一個流體室42。在分隔壁54B之上表面54b開口之複數個連接路47之數目，多於在分隔壁54C之下表面54a開口之複數個流入路49之數目，為例如4倍。分隔壁54B之上表面54b與分隔壁54C之下表面54a面向通路41A之一個流體室42。在分隔壁54C之上表面54b開口之複數個連接路47之數目，多於在上壁53之內面53a開口之複數個流入路49之數目，為例如4倍。分隔壁54C之上表面54b與上壁53之內面53a面向通路41B之一個流體室42。分隔壁54A之複數個上曲部62未與分隔壁54B之複數個下曲部63連接，而包含自分隔壁54B之複數個下曲部63分隔之複數個上曲部62。分隔壁54A之複數個上曲部62中自分隔壁54B之複數個下曲部63分隔之至少一個係面向設置有管部67之連接部65BC。換言之，分隔壁54A之複數個上曲部62中自分隔壁54B之複數個下曲部63分隔之至少一個位於設置有管部67之連接部65BC之下方向之位置。分隔壁54B之複數個上曲部62未與分隔壁54C之複數個下曲部63連接，而包含自分隔壁54C之複數個下曲部63分隔之複數個上曲部62。分隔壁54B之複數個上曲部62中自分隔壁54C之複數個下曲部63分隔之至少一個係面向設置有管部67之連接部65C。換言之，分隔壁54B之複數個上曲部62中自分隔壁54C之複數個下曲部63分隔之至少一個位於設置有管部67之連接部65C之下方向之位置。如圖5所示般，在複數個分隔壁54之各者上，複數個曲部61之複數個頂部在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，配置於與填充於平面內之複數個正多角形P之頂點(角)重合之位置。在第1實施形態中，正多角形P係四角形。換言之，在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，由複數個曲部61之頂部形成之正多角形P係無間隙且無重複地填充在平面內。在複數個分隔壁54之各者上，設置於複數個曲部61之頂部之連接部65、管部67、及分歧路44亦然，在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，配置於與填充於平面內之複數個正多角形P之頂點(角)重合之位置。因此，在複數個分隔壁54之各者上，曲部61之頂部、連接部65、管部67、及分歧路44係等間隔地配置。複數個分隔壁54之正多角形P為相似。例如，分隔壁54A之正多角形P係較四角形之分隔壁54B之正多角形P大之四角形。分隔壁54B之正多角形P係較四角形之分隔壁54C之正多角形P大之四角形。如圖2所示般，流出路48之各者之長度較連接路47之各者之長度為長。在第1實施形態中，流出路48之內徑與連接路47之內徑大致相同。又，流出路48之內徑與連接路47之內徑亦可為不同。圖7係概略地顯示第1實施形態之噴淋板13之剖面之立體圖。圖8係顯示第1實施形態之第1管路75、第2管路76、複數個第1分配路77、及複數個第2分配路78之立體圖。如圖7及圖8所示般，在噴淋板13上設置有第1管路75、第2管路76、複數個第1分配路77、及複數個第2分配路78(在圖8中顯示)。圖8省略管部32，而顯示第1管路75、第2管路76、複數個第1分配路77、及複數個第2分配路78。第1管路75與第2管路76分別設置於管部32，在沿Z軸之方向上延伸。第2管路76具有環狀之剖面。第1管路75位於第2管路76之內側。亦即，第1管路75與第2管路76係所謂之雙重管。第1管路75之一個端部在管部32之上方向之端部開口。第1管路75之另一端部藉由複數個第1分配路77與通路41A之流入路49連接。第1管路75經由通路41A之流入路49與通路41A之一個流體室42連接。第2管路76之一個端部在管部32之上方向之端部開口。第2管路76之另一端部藉由複數個第2分配路78與通路41B之流入路49連接。第2管路76經由通路41B之流入路49與通路41B之一個流體室42連接。如圖1所示般，第1泵14經由例如配管與噴淋板13之管部32連接。第1泵14通過圖8所示之第1管路75及複數個第1分配路77，將第1氣體G1供給至通路41A。第1氣體G1係第1流體之一例。第1流體並不限定於氣體，亦可為例如液體。自第1泵14供給至第1管路75之第1氣體G1通過複數個第1分配路77及複數個流入路49而供給至通路41A之一個流體室42。第1氣體G1被供給至圖2所示之通路41A之上方之流體室42。在流體室42，複數個分歧路44開口。然而，流體室42之剖面積大於分歧路44之剖面積。因此，在流體室42流動之第1氣體G1之壓力損失小於在分歧路44流動之第1氣體G1之壓力損失。因此，第1氣體G1在進入在流體室42開口之連接路47之前，先在流體室42擴散，而充滿流體室42。若第1氣體G1充滿上方之流體室42，則第1氣體G1通過複數個連接路47，而供給至下方之流體室42。第1氣體G1在進入在流體室42開口之流出路48之前，先在流體室42擴散，而充滿流體室42。若第1氣體G1充滿下方之流體室42，則第1氣體G1通過複數個流出路48，自複數個流出口43朝向由載台12支持之晶圓W而吐出。圖1以細線之箭頭示意性地表示自流出口43吐出之第1氣體G1。第2泵15經由例如配管與噴淋板13之管部32連接。第2泵15通過圖8所示之第2管路76及第2分配路78，將第2氣體G2供給至通路41B。第2氣體G2係第2流體之一例。第2流體並不限定於氣體，亦可為例如液體。自第2泵15供給至第2管路76之第2氣體G2通過複數個第2分配路78及複數個流入路49，而供給至圖2所示之通路41B之上方之流體室42。在流體室42，複數個分歧路44開口。然而，流體室42之剖面積大於分歧路44之剖面積。因此，在流體室42流動之第2氣體G2之壓力損失小於在分歧路44流動之第2氣體G2之壓力損失。因此，第2氣體G2在進入在流體室42開口之連接路47之前，先在流體室42擴散，而充滿流體室42。若第2氣體G2充滿於上方之流體室42，則第2氣體G2通過複數個連接路47，而供給至下方之流體室42。第2氣體G2在進入在流體室42開口之流出路48之前，先在流體室42擴散，而充滿流體室42。若第2氣體G2充滿下方之流體室42，則第2氣體G2通過複數個流出路48，自複數個流出口43朝向由載台12支持之晶圓W而吐出。圖1以兩點鏈線之箭頭示意性地表示自流出口43吐出之第2氣體G2。第1氣體G1係例如甲基矽烷。第2氣體G2係例如過氧化氫。自噴淋板13吐出之第1氣體G1與第2氣體G2藉由化學反應而在晶圓W上形成二氧化矽膜。又，第1氣體G1與第2氣體G2亦可為其他流體。此外，第1氣體G1與第2氣體G2可為具有相同組成之流體。另外，第1氣體G1及第2氣體G2亦可不經由第1及第2管路75、76，而是例如自噴淋板13之側方供給至通路41A及通路41B。在本實施形態中，噴淋板13係由例如3D列印而積層造形。因此，噴淋板13係以一體物而成形。亦即，噴淋板13與複數個壁51及複數個管部67係一體地成形。另外，噴淋板13與複數個壁51及複數個管部67可個別地成形。如上述所述般，分隔壁54分別在沿Y軸之方向上俯視觀察時之一個剖面具有正弦波形狀。如此之無朝向下方向之平坦之面的分隔壁54藉由3D列印而易於積層造形。另外，噴淋板13亦可以其他方法成形。在以上說明之第1實施形態之半導體製造裝置10中，二個通路41A、41B之各自之流體室42係在沿Z軸之負方向上交替地配置。藉此，在如第1實施形態般二個通路41A、41B分別具有複數個流體室42之情形下，抑制通路41A之流出路48之長度與通路41B之流出路48之長度大不相同之情形。因此，抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。又，二個通路41A、41B之流體室42及分歧路44可有效地配置。管部67將一個通路41之分歧路44與另一通路41之流體室42隔開。藉此，例如，通路41B之分歧路44無須迂回通路41A之流體室42，而抑制分歧路44變長之情形。二個通路41A、41B分別包含複數個流體室42。例如，二個通路41A、41B可分別使氣體G1、G2在上游之流體室42擴散之後，通過設置在下游之流體室42之多個流出路48而自流出口43將氣體G1、G2排出。因此，抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。分隔壁54分別具有在沿Z軸之負方向上凸出或在沿Z軸之正方向上凸出之至少一個曲部61。藉此，分隔壁54之強度提高，而分隔壁54能夠更加減薄。因此，噴淋板13可實現薄型化及輕量化。在噴淋板13上，設置有曲部61之頂部與其他壁51的連接部65。藉此，提高噴淋板13之剛性及強度。在連接部65設置有管部67。藉此，提高噴淋板13之剛性及強度。再者，由於在接近其他壁51之部分之連接部65設置有管部67，故分歧路44之長度變短，而分歧路44之壓力損失降低且傳導性提高。另外，無須在一個通路41之流體室42設置例如連接彼此分隔之二個壁51的管狀之管部67。在上曲部62中至少一個頂部與下曲部63中至少一個頂部的連接部65設置有管部67。藉此，提高噴淋板13之剛性及強度。再者，由於在沿Z軸之正方向上連接有凸出之上曲部62、在沿Z軸之負方向上連接有凸出之下曲部63，故流體室42在沿Z軸之方向上更寬廣地形成。因此，流體室42之氣體G1、G2之壓力損失降低且傳導性提高，而氣體G1、G2易於在流體室42中擴散。例如，分隔壁54A之複數個上曲部62在沿X軸之方向及沿Y軸之方向上以週期LA配置。分隔壁54B之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿X軸之方向及沿Y軸之方向上以週期LB配置。週期LB具有較週期LA長且具有與週期LA之公倍數。又，分隔壁54C之下曲部63之週期LC較週期LB長且具有與週期LB之公倍數。藉此，伴隨著朝向沿Z軸之負方向而二個壁51之連接部65之數目增加。因此，氣體G1、G2自流出口43吐出時，二個通路41可分別使氣體G1、G2在連接部65及分歧路44為少之上游之流體室42擴散之後，通過設置在下游之流體室42之多個流出路48而自流出口43將氣體G1、G2排出。因此，抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。此外，可表現相鄰之二個分隔壁54之形狀的週期函數，若該週期函數之週期具有公倍數，則亦可為不同之函數形式。若週期LB係週期LA乘以2的整數倍之週期，週期LC係週期LB乘以2的整數倍之週期，則在設置有分歧路44及管部67之連接部65之下、上設置有凸出之上曲部6。藉此，如圖2之箭頭所示般，自分歧路44在沿Z軸之負方向上，噴出之氣體G1、G2碰撞上曲部62，而大致均等地分配。因此，抑制產生氣體G1、G2之流動之剝離，而抑制氣體G1、G2在流體室42滯留。上曲部62中之自下曲部63分隔之至少一個面向設置有管部67之上曲部62之連接部65。換言之，在設置有分歧路44及管部67的連接部65之下、上設置有凸出之上曲部62。藉此，如圖2之箭頭所示般，自分歧路44在沿Z軸之負方向上噴出之氣體G1、G2碰撞上曲部62，而大致均等地分配。因此，抑制產生氣體G1、G2之流動之剝離，而抑制氣體G1、G2在流體室42滯留。上曲部62朝向沿Z軸之正方向而漸細。藉此，如圖2之箭頭所示般，自設置於上曲部62與下曲部63之連接部65的管部67之分歧路44朝沿Z軸之負方向上噴出之氣體G1、G2沿上曲部62而流動。因此，抑制產生氣體G1、G2之流動之剝離，而抑制氣體G1、G2在流體室42滯留。曲部61之頂部在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，配置於與填充於平面內之複數個正多角形P之頂點重合之位置。藉此，分歧路44及流出口43均等地配置，而抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。進而，在晶圓W上形成更均一之二氧化矽膜。在面向一個流體室42之上表面54b開口之複數個分歧路44之數目，多於在面向該一個流體室42之下表面54a開口之複數個分歧路44之數目。因此，氣體G1、G2自流出口43吐出時，二個通路41A、41B可分別使氣體G1、G2在分歧路44為少之上游之流體室42擴散之後，通過設置在下游之流體室42之多個流出路48而自流出口43將氣體G1、G2排出。因此，抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。連接流出口43與流體室42之流出路48之長度較連接二個流體室42之連接路47之長度更長。分歧路44愈長，則通過分歧路44之氣體G1、G2之壓力損失愈大且傳導性愈低。因此，自流出口43吐出氣體G1、G2時，氣體G1、G2在進入連接流出口43與流體室42之流出路48之前，先在流體室42擴散。因此，二個通路41A、41B可分別使氣體G1、G2在流體室42擴散之後，通過流出路48自流出口43將氣體G1、G2排出。因此，抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。例如，在噴淋板13係由複數個構件形成之情形下，有氣體G1、G2自構件與構件之間漏出之可能性。另一方面，在本實施形態中，噴淋板13與壁51及管部67係一體地成形。藉此，抑制氣體G1、G2自噴淋板13漏出之情形。以下，針對第2實施形態參照圖9進行說明。又，在以下之複數個實施形態之說明中，具有與已被說明之構成要件相同功能之構成要件，有賦予與該已述之構成要件相同之符號，進而省略說明之情形。此外，被賦予相同符號之複數個構成要件並不限定於全部功能及性質為共通，亦可具有相應於各實施形態之不同之功能及性質。圖9係顯示第2實施形態之一個分隔壁54之平面圖。如圖9所示般，在第2實施形態中，曲部61形成為大致三角錐狀。亦即，上曲部62之下方向之端部與下曲部63之上方向之端部分別形成為大致三角形。複數個上曲部62與複數個下曲部63在沿X軸之方向上交替地配置。再者，複數個上曲部62與複數個下曲部63在圖9中以箭頭所示之方向D上交替地配置。方向D係第2方向之一例，係相對於X軸交叉120度之方向。在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，複數個上曲部62與複數個下曲部63在平面內無間隙且無重複地填充。在複數個分隔壁54之各者上，曲部61之頂部、連接部65、管部67、及分歧路44，在沿Z軸之負方向上俯視觀察之情形下，配置於與填充在平面內之複數個正多角形P之頂點(角)重合之位置。在第2實施形態中，正多角形P係三角形。因此，在複數個分隔壁54之各者上，曲部61之頂部、連接部65、管部67、及分歧路44係等間隔地配置。如以上說明之第2實施形態所示般，正多角形P並不限定於第1實施形態之四角形，亦可為如第2實施形態之三角形之其他形狀。再者，正多角形P可包含複數個形狀。例如，正多角形P可包含形成阿基米德之平面填充之六角形、四角形、及三角形。正多角形P亦可包含其他形狀。以下，針對第3實施形態參照圖10及圖11進行說明。圖10係顯示第3實施形態之擴散部31之一部分之剖面之立體圖。如圖10所示般，第3實施形態之分隔壁54係形成為週期性彎曲之板狀，具有與第1實施形態之分隔壁54不同之形狀。再者，在第3實施形態中，在擴散部31之內部設置有六個分隔壁54。在第3實施形態中，曲部61所包含之上曲部62及下曲部63分別由二個平坦之板狀之部分與二個彎曲之板狀之部分而形成。該曲部61之頂部形成為大致四角錐狀。曲部61亦可具有其他形狀。在第3實施形態中，複數個上曲部62包含具有互不相同之形狀的複數個上曲部62。亦即，一個分隔壁54具有：具有某一形狀之上曲部62、及具有與該上曲部62不同之形狀之其他上曲部62。與上曲部62相同地，複數個下曲部63包含具有互不相同之形狀的複數個下曲部63。亦即，一個分隔壁54具有：具有某一形狀之下曲部63、及具有與該下曲部63不同之形狀之其他下曲部63。具有上述之複數個上曲部62與複數個下曲部63之分隔壁54在沿Y軸之方向上俯視觀察時之一個剖面係形成為鋸齒狀。亦即，分隔壁54之剖面形狀並不限定於如第1實施形態之正弦波形狀之連續之曲線形狀，亦可形成為如第3實施形態之鋸齒形之其他形狀。第3實施形態之分隔壁54之形狀亦可由週期函數來表現。圖11係顯示第3實施形態之擴散部31之一部分之剖視圖。如圖11所示般，在著眼於面向一個流體室42之二個分隔壁54時，有將位於較另一者沿Z軸之負方向上之一者稱為分隔壁54L，將另一者稱為分隔壁54U之情形。如圖11所示般，在沿Y軸之方向上俯視觀察噴淋板13之某位置之剖面時，分隔壁54U、54L之一者(圖11中為分隔壁54U)之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿X軸之方向上以週期L而配置。又，分隔壁54U、54L之另一者(圖11中為分隔壁54L)之複數個上曲部62及複數個下曲部63在沿X軸之方向上以週期L之2倍之週期而配置。另外，在沿Y軸之方向上俯視觀察噴淋板13之其他位置之剖面時，分隔壁54U、54L之週期與上述之週期不同。分隔壁54L之複數個上曲部62中之至少一個，未與分隔壁54U之複數個下曲部63連接，而包含自分隔壁54U之複數個下曲部63分隔之複數個上曲部62。分隔壁54L之複數個上曲部62中自分隔壁54U之複數個下曲部63分隔之至少一個面向設置有管部67之分隔壁54U之上曲部62之連接部65。如以上說明之第3實施形態所示般，分隔壁54之形狀並不限定於如第1實施形態之正弦函數之單純之週期函數，亦可為可由複雜之週期函數來表現之形狀。在第3實施形態中，分隔壁54L之上曲部62中自分隔壁54U之下曲部63分隔之至少一個面向設置有分隔壁54U之管部67之上曲部62之連接部65。藉此，自分歧路44在沿Z軸之負方向上噴出之氣體G1、G2碰撞分隔壁54L之上曲部62而被大致均等地分配。因此，抑制產生氣體G1、G2之流動之剝離，而抑制氣體G1、G2在流體室42滯留。以下，針對第4實施形態參照圖12進行說明。圖12係顯示第4實施形態之擴散部31之一部分之剖面之立體圖。如圖12所示般，第4實施形態之分隔壁54係形成為週期性彎曲之板狀，具有與第1實施形態之分隔壁54不同之形狀。再者，在第4實施形態中，在擴散部31之內部設置有一個分隔壁54。在第4實施形態中，曲部61所包含之上曲部62及下曲部63分別由四個平坦之板狀之部分而形成。該曲部61之頂部形成為大致四角錐狀。曲部61亦可具有其他形狀。具有上述之複數個上曲部62與複數個下曲部63之分隔壁54在沿Y軸之方向上俯視觀察時之一個剖面形成為鋸齒狀。第4實施形態之分隔壁54之形狀亦可由週期函數來表現。在上曲部62之頂部與上壁53之連接部65設置有管部67。該管部67將通路41A之流入路49與通路41B之流體室42隔開。又，在下曲部63之頂部與底壁52之連接部65設置有管部67。該管部67將通路41B之流出路48與通路41A之流體室42隔開。在第4實施形態中，底壁52之內面52a與分隔壁54之下表面54a面向通路41A之流體室42。再者，分隔壁54之上表面54b與上壁53之內面53a面向通路41B之流體室42。通路41A之流體室42與通路41B之流體室42在沿Z軸之方向上配置於大約同一位置。在以上說明之第4實施形態之半導體製造裝置10中，在噴淋板13上設置有曲部61之頂部與其他壁51的連接部65。藉此，提高噴淋板13之剛性及強度。再者，將一個通路41A之流體室42之形狀設為與另一通路41B之流體室42之形狀在幾何學上大致相同，而能夠使一個通路41A之流體室42的第1氣體G1之壓力損失及傳導性、與另一通路41B之流體室42的第2氣體G2之壓力損失及傳導性更接近。因此，抑制複數個流出口43之氣體G1、G2之排出或抽吸之不均一。在連接部65設置有管部67。藉此，無須在一個通路41之流體室42設置例如連接彼此分隔之二個壁51的管狀之管部67。因此，能夠將一個通路41A之流體室42之形狀設為與另一通路41B之流體室42之形狀在幾何學上大致相同。以下，針對第5實施形態參照圖13進行說明。圖13係顯示第5實施形態之擴散部31之一部分之剖面之立體圖。如圖13所示般，第5實施形態之分隔壁54形成為大致平坦之板狀。因此，分隔壁54之下表面54a及上表面54b形成為大致平坦。再者，在第5實施形態中，在擴散部31之內部設置有三個分隔壁54(54A、54B、54C)。在第5實施形態中，複數個壁51彼此分隔而在沿Z軸之負方向上並排。亦即，三個分隔壁54A、54B、54C係彼此分隔。底壁52自分隔壁54A分隔。上壁53自分隔壁54C分隔。第5實施形態之管部67形成為在沿Z軸之負方向上延伸之管狀，而連接彼此分隔之二個壁51。再者，在流體室42設置有在沿Z軸之負方向上延伸、且連接彼此分隔之二個壁51的支柱81。因此，彼此分隔之二個壁51藉由管部67及支柱81而相互支持。與第1至第4實施形態之管部67相同地，第5實施形態之複數個管部67將通路41A之分歧路44與通路41B之流體室42隔開。其他複數個管部67將通路41B之分歧路44與通路41A之流體室42隔開。在以上說明之第5實施形態之半導體製造裝置10中，分隔壁54之下表面54a及上表面54b形成為大致平坦。藉此，例如，易於在流體室42配置使氣體G1、G2擴散之擴散板。以下，針對第6實施形態參照圖14至圖16進行說明。圖14係顯示第6實施形態之底壁52之一部分之剖視圖。如圖14所示般，第6實施形態之流出路48被分歧。流出路48分別包含內側開口101、流路102、及複數個分歧部103。內側開口101在底壁52之內面52a開口。換言之，內側開口101朝流體室42開口。內側開口101設置於流出路48之端。換言之，內側開口101由位於流出路48之端之內面52a之緣而形成。流路102連接朝流體室42開口之內側開口101與至少二個流出口43。亦即，至少二個流出口43經由流路102而與一個內側開口101連接。複數個分歧部103設置於流路102。換言之，分歧部103係流路102之一部分。複數個分歧部103分別包含：第1延路111、複數個第2延路112、及氣體積存部113。第1延路111係上游通路之一例。第2延路112係下游通路之一例。氣體積存部113係腔室之一例，亦可稱為例如滯止部、連結部。第1延路111在沿Z軸之方向上延伸。又，第1延路111亦可在其他方向上延伸，還可為曲線狀地延伸。複數個第2延路112分別在與第1延路111延伸之方向為交叉之方向上延伸。在圖14中，複數個第2延路112係在沿X軸之方向上延伸。第2延路112亦可在如沿Y軸之方向之其他方向上延伸。複數個第2延路112分別在流路102中，較第1延路111更接近流出口43。換言之，在氣體G1、G2自內側開口101朝流出口43流動之情形下，第1延路111較第2延路112位於上游側，第2延路112較第1延路111位於下游側。因此，第1延路111與流出口43之間之距離可較第2延路112與流出口43之間之距離短。第1延路111具有第1連接端部111a。第1連接端部111a係在沿Z軸之方向上之第1延路111之一個端部。第1連接端部111a不僅包含第1延路111之端，還包含與該端鄰接之第1延路111之一部分。複數個第2延路112分別具有第2連接端部112a。第2連接端部112a係複數個下游通路之各自之上游側之端部之一例。第2連接端部112a係在第2延路112延伸之方向(沿X軸之方向)之第2延路112之一個端部。第2連接端部112a不僅包含第2延路112之端，還包含與該端鄰接之第2延路112之一部分。氣體積存部113位於第1延路111與複數個第2延路112之間。在氣體積存部113連接有第1延路111及複數個第2延路112。換言之，第1延路111朝氣體積存部113開口，再者，複數個第2延路112分別朝氣體積存部113開口。在氣體積存部113連接有第1延路111之第1連接端部111a。換言之，在第1連接端部111a處，連接第1延路111與氣體積存部113。再者，在氣體積存部113連接有第2延路112之第2連接端部112a。換言之，在第2連接端部112a處，連接第2延路112與氣體積存部113。在本實施形態中，氣體積存部113形成為在沿Z軸之方向上延伸之大致橢圓體形狀或長球形狀。氣體積存部113亦可形成為其他形狀。氣體積存部113具有第1端部113a及第2端部113b。第1端部113a係沿Z軸之方向之氣體積存部113之一個端部。第2端部113b係沿Z軸之方向之氣體積存部113之另一端部。亦即，第2端部113b位於第1端部113a之相反側。第1延路111之第1連接端部111a與第1端部113a連接。第2延路112之第2連接端部112a在沿Z軸之方向上，在自第2端部113b分隔之位置與氣體積存部113連接。第1延路111經由氣體積存部113與複數個第2延路112連接。換言之，複數個第2延路112自一個第1延路111而分歧。複數個第2延路112係例如自氣體積存部113呈放射狀地延伸。氣體積存部113包含積存部113c。積存部113c係氣體積存部113之一部分，係沿Z軸方向之第2連接端部112a與第2端部113b之間之部分。分歧部103進一步包含第1縮窄部115及複數個第2縮窄部116。第1縮窄部115位於第1延路111之第1連接端部111a。換言之，第1縮窄部115位於第1延路111與氣體積存部113之間。在本實施形態中，在沿Z軸之方向平面觀察之情形下，第1縮窄部115之剖面積小於第1延路111之其他部分之剖面積。例如，第1縮窄部115之剖面積隨著接近氣體積存部113而縮小。換言之，第1縮窄部115朝向氣體積存部113而漸細。第1縮窄部115亦可為例如被自第1延路111之內面突出之壁而縮小剖面積之部分。又，分歧部103可不具有第1縮窄部115。換言之，第1延路111之剖面積亦可為一定。第2縮窄部116位於複數個第2延路112之各自之第2連接端部112a。換言之，第2縮窄部116位於第2延路112與氣體積存部113之間。在本實施形態中，在該第2延路112延伸之方向上俯視觀察之情形下，第2縮窄部116之剖面積小於第2延路112之其他部分之剖面積。例如，第2縮窄部116之剖面積隨著接近氣體積存部113而縮小。換言之，第2縮窄部116朝向氣體積存部113而漸細。第2縮窄部116亦可為例如被自第2延路112之內面突出之壁而縮小剖面積之部分。第2縮窄部116係在流出路48上，較與該第2縮窄部116之上游鄰接之上游區間剖面積為小之部分。因此，第2縮窄部116之剖面積與第2延路112之剖面積可為相同。連接各個第2延路112與氣體積存部113的部分之剖面積小於連接第1延路111與氣體積存部113的部分之剖面積。換言之，第2縮窄部116之最小剖面積小於第1縮窄部115之最小剖面積。在沿Z軸之方向俯視觀察之情形下，氣體積存部113之最大剖面積大於第1縮窄部115之最小剖面積。再者，在本實施形態中，氣體積存部113之最大剖面積大於第1延路111之最大剖面積。另外，氣體積存部113之最大剖面積並不限定於此。如圖14所示般，第6實施形態之流出路48被二次分歧。以下，為了便於說明，而有將複數個分歧部103個別地稱為分歧部103A、103B之情形。對於分歧部103A、103B共通之說明，記載為關於分歧部103之說明。複數個分歧部103包含一個分歧部103A、及複數個分歧部103B。分歧部103A係第一階層之分歧部103，分歧部103B係第二階層之分歧部103。分歧部103A之第1延路111與內側開口101連接。分歧部103A之第2延路112與分歧部103B之第1延路111係彼此連接。分歧部103B之第2延路112與流出口43連接。分歧部103A之氣體積存部113之體積大於分歧部103B之氣體積存部113之體積。分歧部103A之第2縮窄部116之最小剖面積大於分歧部103B之第2縮窄部116之最小剖面積。又，分歧部103A與分歧部103B之形狀並不限定於此。如圖14中以箭頭所示般，第1氣體G1或第2氣體G2(氣體G1、G2)自內側開口101流入至流出路48。氣體G1、G2在分歧部103A中自第1延路111流入至氣體積存部113。第2縮窄部116之最小剖面積小於氣體積存部113之最大剖面積。因此，氣體G1、G2與通過第2縮窄部116而流入至第2延路112相比，更易於在氣體積存部113滯留。因此，氣體G1、G2通過朝氣體積存部113開口之第2延路112，朝向氣體積存部113之積存部113c而流動。氣體G1、G2於在氣體積存部113滯留之後，通過複數個第2縮窄部116而流出至複數個第2延路112。朝分歧部103A之第2延路112流出之氣體G1、G2在分歧部103B中自第1延路111流入至氣體積存部113。在分歧部103B中亦然，氣體G1、G2於在氣體積存部113滯留之後，通過複數個第2縮窄部116而流出至複數個第2延路112。氣體G1、G2通過第2延路112而自流出口43排出。如上述般，氣體G1、G2在通過複數個第2縮窄部116流出至複數個第2延路112之前，在氣體積存部113滯留。因此，抑制因第1延路111之流動之影響導致在複數個第2延路112流動之氣體G1、G2之流量不均一之情形。以下，參照圖15及圖16，針對在包含氣體積存部113及第2縮窄部116之分歧部103處的氣體G1、G2之流動之一例進行說明。圖15係顯示氣體G1、G2相對於第6實施形態之氣體積存部113之半徑之朝第2延路112之分配比的圖。圖16係顯示氣體G1、G2相對於第6實施形態之第2縮窄部116之最小半徑之朝第2延路112之分配比的圖。圖15及圖16之圖顯示氣體G1、G2在以下條件下之朝第2延路112之分配比之一例。亦即如下：連接第1延路111與氣體積存部113之部分形成為大致長方形。分歧部103包含在彼此相反方向上延伸之二個第2延路112。連接第2延路112與氣體積存部113之部分形成為圓形，且具有與第2延路112相同之半徑。在圖16中，第2延路112之半徑被變更。氣體積存部113形成為圓柱形。在圖15中，氣體積存部113之半徑被變更。如圖15所示般，氣體積存部113之半徑(氣體積存部113之體積)愈大，則分配比愈接近0.5。在分配比為0.5時，氣體G1、G2均等地在二個第2延路112中流動。如此般，氣體積存部113之體積愈大，則氣體G1、G2愈均等地在複數個第2延路112中流動。如圖16所示般，第2縮窄部116之最小半徑(第2縮窄部116之最小之剖面積)愈小，則分配比愈接近0.5。如此般，第2縮窄部116之最小剖面積愈小，則氣體G1、G2愈均等地在複數個第2延路112中流動。在以上說明之第6實施形態之半導體製造裝置10中，流出路48包含位於複數個第2延路112之各自之第2連接端部112a的複數個第2縮窄部116。如此之本實施形態之流出路48與未設置第2縮窄部116之情形相比，可降低在第2縮窄部116之上游側之氣體G1、G2之速度及壓力之因位置所致之不均一。因此，進一步降低在複數個第2縮窄部116及與其下游鄰接之複數個下游區間之各者中的氣體G1、G2之流量之不均一。流出路48包含位於一個第1延路111與複數個第2延路112之間之作為腔室的氣體積存部113。如此之本實施形態之流出路48與未設置氣體積存部113之情形相比，可降低在氣體積存部113之上游側之氣體G1、G2之速度及壓力之因位置所致之不均一。因此，進一步降低在複數個氣體積存部113及與其下游鄰接之複數個下游區間之各者的氣體G1、G2之流量之不均一。在下游側之分歧部103B，能夠形成氣體積存部113之部分較小。然而，分歧部103B之氣體積存部113之體積小於分歧部103A之氣體積存部113之體積。因此，可容易地設置分歧部103B之氣體積存部113。在下游側之分歧部103B之氣體G1、G2之流速較上游側之分歧部103A之氣體G1、G2之流速遲緩。然而，分歧部103B之第2縮窄部116之最小剖面積小於分歧部103A之第2縮窄部116之最小剖面積。因此，可在第2縮窄部116之上游側與下游側之間確保壓力差，而可降低在第2縮窄部116之上游側之氣體G1、G2之速度及壓力之因位置所致之不均一。圖17係概略地顯示第6實施形態之變化例之分歧部103的圖。如圖17所示般，第1延路111可具有延長部111b。延長部111b係第1延路111之一部分，自氣體積存部113之第1端部113a朝向第2端部113b而延伸。藉由設置延長部111b，而第1延路111在氣體積存部113之內部朝該氣體積存部113開口。第1延路111在較第2延路112更接近第2端部113b之位置朝氣體積存部113開口。藉此，抑制因第1延路111之流動之影響導致在複數個第2延路112流動之氣體G1、G2之流量不均一之情形。根據以上說明之至少一個實施形態，二個通路分別具有至少一個流體室。二個通路之各自之流體室在第1方向上交替地配置。藉此，抑制在複數個開口處之流體之排出或抽吸之不均一。雖然說明了本發明之若干個實施形態，但該等實施形態係作為例子而提出者，並非意欲限定本發明之範圍。該等新穎之實施形態可利用其他各種方式實施，在不脫離本發明之要旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變化係包含於本發明之範圍及要旨內，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍。

10‧‧‧半導體製造裝置

11‧‧‧製造部

12‧‧‧載台

12a‧‧‧支持部

13‧‧‧噴淋板

14‧‧‧第1泵

15‧‧‧第2泵

21‧‧‧腔室室

23‧‧‧上壁

23a‧‧‧內面

24‧‧‧周壁

24a‧‧‧內周面

27‧‧‧排氣口

31‧‧‧擴散部

31a‧‧‧底面

31b‧‧‧上表面

32‧‧‧管部

41‧‧‧通路

41A‧‧‧通路

41B‧‧‧通路

42‧‧‧流體室

43‧‧‧流出口

44‧‧‧分歧路

47‧‧‧連接路

48‧‧‧流出路

49‧‧‧流入路

51‧‧‧壁

52‧‧‧底壁

52a‧‧‧內面

53‧‧‧上壁

53a‧‧‧內面

54‧‧‧分隔壁

54a‧‧‧下表面

54A‧‧‧分隔壁

54b‧‧‧上表面

54B‧‧‧分隔壁

54C‧‧‧分隔壁

54L‧‧‧分隔壁

54U‧‧‧分隔壁

61‧‧‧曲部

62‧‧‧上曲部

63‧‧‧下曲部

65‧‧‧連接部

65A‧‧‧連接部

65AB‧‧‧連接部

65BC‧‧‧連接部

65C‧‧‧連接部

67‧‧‧管部

75‧‧‧第1管路

76‧‧‧第2管路

77‧‧‧第1分配路

78‧‧‧第2分配路

81‧‧‧支柱

101‧‧‧內側開口

102‧‧‧流路

103‧‧‧分歧部

103A‧‧‧分歧部

103B‧‧‧分歧部

111‧‧‧第1延路

111a‧‧‧第1連接端部

111b‧‧‧延長部

112‧‧‧第2延路

112a‧‧‧第2連接端部

113‧‧‧氣體積存部

113a‧‧‧第1端部

113b‧‧‧第2端部

113c‧‧‧積存部

15‧‧‧第1縮窄部

116‧‧‧第2縮窄部

D‧‧‧方向

G1‧‧‧第1氣體/氣體

G2‧‧‧第2氣體/氣體

L‧‧‧週期

LA‧‧‧週期

LB‧‧‧週期

LC‧‧‧週期

P‧‧‧正多角形

W‧‧‧半導體晶圓(晶圓)

X‧‧‧軸

Y‧‧‧軸

Z‧‧‧軸

圖1係概略地顯示第1實施形態之半導體製造裝置之剖視圖。圖2係顯示第1實施形態之擴散部之一部分之剖視圖。圖3係顯示第1實施形態之一個通路之一部分之立體圖。圖4係顯示第1實施形態之另一通路之一部分之立體圖。圖5係顯示第1實施形態之一個分隔壁之平面圖。圖6係將第1實施形態之擴散部之一部分放大而顯示之剖視圖。圖7係概略地顯示第1實施形態之噴淋板之剖面之立體圖。圖8係顯示第1實施形態之第1管路、第2管路、複數個第1分配路、及複數個第2分配路之立體圖。圖9係顯示第2實施形態之一個分隔壁之平面圖。圖10係顯示第3實施形態之擴散部之一部分之剖面之立體圖。圖11係顯示第3實施形態之擴散部之一部分之剖視圖。圖12係顯示第4實施形態之擴散部之一部分之剖面之立體圖。圖13係顯示第5實施形態之擴散部之一部分之剖面之立體圖。圖14係顯示第6實施形態之底壁之一部分之剖視圖。圖15係顯示氣體相對於第6實施形態之氣體積存部之半徑之朝第2延路之分配比的圖。圖16係氣體相對於第6實施形態之第2縮窄部之最小半徑之朝第2延路之分配比之圖。圖17係概略地顯示第6實施形態之變化例之分歧部之圖。

Claims

一種流路構造，其具備：殼體，其具有位於第1方向之端的外表面，且在內部設置有彼此獨立之二個通路，該二個通路分別包含：至少一個流體室、在前述外表面開口之複數個開口、及與前述流體室連接之複數個分歧路，前述二個通路之各自之前述流體室係在前述第1方向上交替地配置，前述複數個分歧路包含：複數個第1分歧路及複數個第2分歧路之至少一者，上述複數個第1分歧路係連接前述複數個開口中至少一個與一個前述流體室，上述複數個第2分歧路係連接一個前述流體室與其他前述流體室；及複數個第1壁部，其等設置於前述殼體，面向前述流體室且在前述第1方向上介隔前述流體室而並排。
如請求項1之流路構造，其中進一步具備至少一個第2壁部，該第2壁部設置於前述殼體之內部，將一個前述通路之前述分歧路與另一前述通路之前述流體室隔開。
如請求項2之流路構造，其中前述二個通路分別包含複數個前述流體室。
如請求項2之流路構造，其中前述複數個第1壁部之至少一個具有分別在前述第1方向上凸出或在前述第1方向之相反方向上凸出之至少一個曲部。
如請求項4之流路構造，其中進一步具備至少一個前述曲部之頂部和與具有該曲部之前述第1壁部不同之前述第1壁部的連接部。
如請求項5之流路構造，其中在前述連接部設置前述第2壁部。
如請求項6之流路構造，其中面向一個前述流體室之二個前述第1壁部中較另一者更位於前述第1方向上之一者，具有包含於前述曲部且在前述第1方向之相反方向上凸出之複數個第1曲部，面向該一個前述流體室之二個前述第1壁部中之另一者，具有包含於前述曲部且在前述第1方向上凸出之複數個第2曲部，在前述複數個第1曲部中之至少一個頂部與前述複數個第2曲部中之至少一個頂部的前述連接部設置有前述第2壁部。
如請求項7之流路構造，其中前述複數個第1曲部在與前述第1方向交叉之第2方向上以第1週期配置，前述複數個第2曲部在前述第2方向上較前述第1週期長且以具有與前述第1週期之公倍數的第2週期而配置。
如請求項8之流路構造，其中前述第2週期係前述第1週期乘以2的整數倍之週期。
如請求項7之流路構造，其中在具有前述複數個第2曲部之前述第1壁部，設置有在前述第1方向之相反方向上凸出之複數個第3曲部，在前述複數個第3曲部中之至少一個頂部、與較具有前述複數個第2曲部之前述第1壁部更位於在前述第1方向之相反方向上之其他前述第1壁部的前述連接部，設置有前述第2壁部，前述複數個第1曲部中之自前述第2曲部分隔之至少一個，面向設置有前述第2壁部之前述第3曲部之前述連接部。
如請求項7之流路構造，其中前述第1曲部朝向前述第1方向之相反方向漸細。
如請求項4之流路構造，其中在具有前述曲部之前述複數個第1壁部之各者上，在前述第1方向上俯視觀察前述曲部之頂部之情形下，配置於與填充於平面內之複數個正多角形之頂點重合之位置。
如請求項1之流路構造，其中面向一個前述流體室之二個前述第1壁部中，較另一者更位於前述第1方向之一者面向該一個前述流體室，且具有前述複數個分歧路開口之第1面，面向該一個前述流體室之二個前述第1壁部中之另一者，面向該一個前述流體室，且具有前述複數個分歧路開口之第2面，在前述第1面開口之前述複數個分歧路之數目多於在前述第2面開口之前述複數個分歧路之數目。
如請求項1之流路構造，其中連接前述複數個開口之一個與一個前述流體室之前述第1分歧路之長度較連接一個前述流體室與其他前述流體室之前述第2分歧路之長度更長。
如請求項2之流路構造，其中前述殼體與前述複數個第1壁部及前述至少一個第2壁部係一體地成形。
如請求項1之流路構造，其中連接前述複數個開口中之至少一個與前述流體室之前述複數個第1分歧路分別包含：一個上游通路、自前述一個上游通路分歧之複數個下游通路、及位於前述複數個下游通路之各自之上游側之端部的複數個縮窄部。
如請求項16之流路構造，其中連接前述複數個開口中之至少一個與前述流體室之前述複數個第1分歧路分別包含位於前述一個上游通路與前述複數個下游通路之間的腔室，且前述複數個下游通路分別開口於前述腔室，前述縮窄部位於前述腔室與前述下游通路之間。
一種處理裝置，其具備：如請求項1之流路構造；物體支持部，其構成為在前述外表面所朝向之位置支持物體；第1流體供給部，其構成為將第1流體供給至一個前述通路；及第2流體供給部，其構成為將第2流體供給至另一前述通路。