TWI655995B - 玻璃板之製造方法、及玻璃板之研磨裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於提供一種可提高玻璃板之端面研磨效率之玻璃板之製造方法、及玻璃板之研磨裝置。

於玻璃板之製造方法中，使由第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23所形成之磁場保持之研磨漿料24，與第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23一併繞旋轉軸21旋轉，於該狀態下，使玻璃板92之端部92a接觸研磨漿料24，而對端部92a進行研磨。利用磁通集中構件25，使自第1磁場形成構件22朝向第2磁場形成構件23之磁通集中，從而增加磁通密度。磁通集中構件25係安裝於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23上之磁性體。使玻璃板92之端部92a，接觸藉由磁通集中構件25而磁通密度增加之空間所保持之研磨漿料24。

Description

玻璃板之製造方法、及玻璃板之研磨裝置

本發明係關於一種玻璃板之製造方法、及玻璃板之研磨裝置。

玻璃板於製造工序中會被切斷成所需之尺寸。例如，液晶顯示器、電漿顯示器等平板顯示器用玻璃基板、觸控用玻璃基板、及保護用玻璃基板等之製造工序包含如下工序，即，於稱為母玻璃之大型玻璃板上形成劃線而進行切斷。玻璃板之切斷面上通常會形成細微裂痕或非常鋒利之邊緣。為了除去形成於該切斷面之邊緣，而進行切斷面之倒角。例如，以截面成為R形狀之方式，對切斷面進行倒角。經倒角後之切斷面進而藉由使用研磨輪之研磨加工而被精加工成鏡面狀。

於專利文獻1(國際公開第2012/067587號公報)中，揭示有一種於玻璃板之端面研磨加工中使用磁性流體之技術。使用磁性流體之研磨加工中，係於一對磁鐵之間保持含研磨粒之磁性流體，使玻璃板之端面接觸磁性流體，於該狀態下，使玻璃板之端面與磁性流體相對移動，藉此對玻璃板之端面進行研磨。利用磁性流體之研磨加工中，係使磁性流體追隨被加工物之形狀而進行研磨加工，因此，對被加工物之損傷相對較少。因此，於玻璃板之端面之研磨加工中使用保持磁性流體之研磨輪之情形時，與使用含金剛石研磨粒之研磨輪之研磨加工相比，能獲得更平滑之端面。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2012/067587號公報

但，於保持磁性流體之先前研磨輪中，一對磁鐵周圍之空間內存在之磁通之密度較低，磁性流體之保持力不充分。因此，先前之研磨輪有如下問題：玻璃板之端面研磨效率較低，為了獲得所需品質之端面，要花費非常長之時間。因此，要求提高研磨輪之一對磁鐵周圍之空間內存在之磁通之密度，增加磁性流體之保持力，以提高玻璃板之研磨效率。

本發明之目的在於提供一種可提高玻璃板之端面研磨效率之玻璃板之製造方法、及玻璃板之研磨裝置。

本發明之玻璃板之製造方法中，使被第1磁場形成構件及第2磁場形成構件所形成之磁場保持之磁性體研磨粒，與第1磁場形成構件及第2磁場形成構件一併繞旋轉軸旋轉，於該狀態下使玻璃板之端部接觸磁性體研磨粒，從而對端部進行研磨。該玻璃板之製造方法中，利用磁通集中構件，使自第1磁場形成構件朝向第2磁場形成構件之磁通集中，從而增加磁通之密度。磁通集中構件係安裝於第1磁場形成構件及第2磁場形成構件上之磁性體。該玻璃板之製造方法係使玻璃板之端部，接觸被利用磁通集中構件而磁通密度增加之空間保持之磁性體研磨粒。

該玻璃板之製造方法係如下方法，即，使玻璃板之端面接觸繞旋轉軸旋轉之磁性體研磨粒而進行研磨。磁性體研磨粒係被第1磁場形成構件及第2磁場形成構件所形成之磁場保持。磁通集中構件設為，於保持磁性體研磨粒之空間之至少一部分空間內使磁通集中，從而增加磁通之密度。於利用磁通集中構件而磁通密度增加之空間內，第1磁場形 成構件及第2磁場形成構件之磁性體研磨粒之保持力較其他空間內之保持力大。磁性體研磨粒之保持力越高，於玻璃板之端面已接觸磁性體研磨粒之情形時，磁性體研磨粒便越難以移動。藉此，因旋轉之磁性體研磨粒而施加於玻璃板端面之研磨壓力變高，玻璃板之端面研磨能力亦變高。因此，該玻璃板之製造方法可提高玻璃板之端面研磨效率。

又，該玻璃板之製造方法較佳為，於第1磁場形成構件與第2磁場形成構件之間之空間、以及第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之、旋轉軸之徑向外側之空間的至少一個空間內，磁通之密度因磁通集中構件而增加。

該玻璃板之製造方法中，以磁力線通過磁通集中構件之中之方式設置磁通集中構件，該磁力線自第1磁場形成構件朝向第2磁場形成構件，且通過磁性體研磨粒所保持之空間。藉此，於與玻璃板端面接觸之磁性體研磨粒所保持之空間內，磁通之密度增加。因此，該玻璃板之製造方法可提高玻璃板之端面研磨效率。

又，該玻璃板之製造方法較佳為，第2磁場形成構件相對於第1磁場形成構件所處一側之相反側之空間、以及第1磁場形成構件相對於第2磁場形成構件所處一側之相反側之空間的至少一個空間內，磁通之密度因磁通集中構件而增加。

該玻璃板之製造方法中，以磁力線通過磁通集中構件之中之方式設置磁通集中構件，該磁力線自第1磁場形成構件朝向第2磁場形成構件，且通過磁性體研磨粒所保持之空間。藉此，於與玻璃板端面接觸之磁性體研磨粒所保持之空間內，磁通之密度增加。因此，該玻璃板之製造方法可提高玻璃板之端面研磨效率。

本發明之玻璃板之研磨裝置具備旋轉軸、第1磁場形成構件、第2磁場形成構件、磁性體研磨粒、及磁通集中構件。第1磁場形成構件連 結於旋轉軸，且繞旋轉軸旋轉。第2磁場形成構件連結於旋轉軸，且繞旋轉軸旋轉。磁性體研磨粒係被第1磁場形成構件及第2磁場形成構件所形成之磁場保持。磁通集中構件係安裝於第1磁場形成構件及第2磁場形成構件上之磁性體。磁通集中構件使自第1磁場形成構件朝向第2磁場形成構件之磁通集中，從而增加磁通之密度。被利用磁通集中構件而磁通密度增加之空間保持之磁性體研磨粒，與第1磁場形成構件及第2磁場形成構件一併繞旋轉軸旋轉，於該狀態下與玻璃板之端部接觸，而對端部進行研磨。

又，該玻璃板之研磨裝置較佳為，磁通集中構件於第1磁場形成構件與第2磁場形成構件之間之空間、以及第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之、旋轉軸之徑向外側之空間的至少一個空間內，使磁通之密度增加。

又，該玻璃板之研磨裝置較佳為，磁通集中構件至少安裝於第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之、旋轉軸之徑向外側，且具有磁通集中槽。磁通集中槽係如下槽，即，於磁通集中構件之旋轉軸之徑向外側之表面，與旋轉軸之中心軸成直角。

該玻璃板之研磨裝置中，玻璃板之端面與被形成於磁通集中構件之磁通集中槽之內側空間保持之磁性體研磨粒接觸，而進行研磨。磁通集中構件以使磁通集中槽之內側空間之磁通密度增加之方式設置。

又，該玻璃板之研磨裝置較佳為，磁通集中構件進而於旋轉軸之中心軸方向安裝於第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之各個上。

該玻璃板之研磨裝置中，以磁力線通過磁通集中構件之中之方式設置磁通集中構件，該磁力線自第1磁場形成構件朝向第2磁場形成構件，且通過磁通集中槽。藉此，磁通集中槽中之磁通之密度增加。因此，該玻璃板之製造裝置可提高玻璃板之端面研磨效率。再者，磁通集中構件亦可設置於第1磁場形成構件與第2磁場形成構件之間。

又，該玻璃板之研磨裝置較佳為，第1磁場形成構件於旋轉軸之中心軸方向上與第2磁場形成構件鄰接。

又，該玻璃板之研磨裝置較佳為，第1磁場形成構件及第2磁場形成構件具有尺寸相同之圓筒形狀。又，第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之中心軸較佳位於旋轉軸之中心軸上。又，磁通集中槽之位於旋轉軸之徑向最內側之點、與旋轉軸之中心軸之間的距離，較佳為等於第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之外徑。

該玻璃板之研磨裝置中，沿旋轉軸之中心軸觀察之情形時，磁通集中槽之最深之點位於與第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之外周面相同之位置上。

又，該玻璃板之研磨裝置較佳為，磁通集中構件使磁通集中槽之內側空間之磁通之密度增加。

本發明之玻璃板之製造方法、及玻璃板之研磨裝置可提高玻璃板之端面研磨效率。

10‧‧‧研磨裝置

12‧‧‧搬送機構

14‧‧‧研磨機構

20‧‧‧研磨輪

21‧‧‧旋轉軸

21a‧‧‧旋轉軸之中心軸

22‧‧‧第1磁場形成構件

22a‧‧‧第1中心構件

22b‧‧‧第1圓環狀磁鐵

22c‧‧‧第1上部磁場形成面

22d‧‧‧第1下部磁場形成面

23‧‧‧第2磁場形成構件

23a‧‧‧第2中心構件

23b‧‧‧第2圓環狀磁鐵

23c‧‧‧第2上部磁場形成面

23d‧‧‧第2下部磁場形成面

24‧‧‧研磨漿料(磁性體研磨粒)

24a‧‧‧漿料面

25‧‧‧磁通集中構件

25a‧‧‧上部集中構件

25b‧‧‧下部集中構件

25c‧‧‧第1側部集中構件

25d‧‧‧第2側部集中構件

25e‧‧‧第1側面

25f‧‧‧第1傾斜面

25g‧‧‧第2側面

25h‧‧‧第2傾斜面

26‧‧‧磁通集中槽

27‧‧‧磁通集中空間

90‧‧‧熔融玻璃

91‧‧‧玻璃帶

92‧‧‧玻璃板

92a‧‧‧玻璃板之端面(玻璃板之端部)

100‧‧‧玻璃板製造裝置

101‧‧‧熔解裝置

102‧‧‧澄清裝置

103‧‧‧攪拌裝置

104‧‧‧成形裝置

105‧‧‧切斷裝置

120‧‧‧研磨輪

121‧‧‧旋轉軸

122‧‧‧第1磁場形成構件

122a‧‧‧第1中心構件

122b‧‧‧第1圓環狀磁鐵

123‧‧‧第2磁場形成構件

123a‧‧‧第2中心構件

123b‧‧‧第2圓環狀磁鐵

124‧‧‧研磨漿料

125‧‧‧間隔件

126‧‧‧磁場形成槽

127‧‧‧槽空間

220‧‧‧研磨輪

221‧‧‧旋轉軸

222‧‧‧第1磁場形成構件

222a‧‧‧第1中心構件

222b‧‧‧第1圓環狀磁鐵

223‧‧‧第2磁場形成構件

223a‧‧‧第2中心構件

223b‧‧‧第2圓環狀磁鐵

224‧‧‧研磨漿料

226‧‧‧磁場形成槽

227‧‧‧槽空間

320‧‧‧研磨輪

321‧‧‧旋轉軸

322‧‧‧第1磁場形成構件

322a‧‧‧第1中心構件

322b‧‧‧第1圓環狀磁鐵

323‧‧‧第2磁場形成構件

323a‧‧‧第2中心構件

323b‧‧‧第2圓環狀磁鐵

324‧‧‧研磨漿料

325‧‧‧磁通集中構件325

325c‧‧‧第1側部集中構件

325d‧‧‧第2側部集中構件

326‧‧‧磁場形成槽

327‧‧‧磁通集中空間

420‧‧‧研磨輪

421‧‧‧旋轉軸

422‧‧‧第1磁場形成構件

422a‧‧‧第1中心構件

422b‧‧‧第1圓環狀磁鐵

423‧‧‧第2磁場形成構件

423a‧‧‧第2中心構件

423b‧‧‧第2圓環狀磁鐵

424‧‧‧研磨漿料

425‧‧‧磁通集中構件

425a‧‧‧上部集中構件

425b‧‧‧下部集中構件

425c‧‧‧第1側部集中構件

425d‧‧‧第2側部集中構件

425e‧‧‧中間構件

425f‧‧‧第1側面

425g‧‧‧第1傾斜面

425h‧‧‧第2側面

425i‧‧‧第2傾斜面

426‧‧‧磁通集中槽

427‧‧‧磁通集中空間

520‧‧‧研磨輪

521‧‧‧旋轉軸

522‧‧‧第1磁場形成構件

522a‧‧‧第1中心構件

522b‧‧‧第1圓環狀磁鐵

523‧‧‧第2磁場形成構件

523a‧‧‧第2中心構件

523b‧‧‧第2圓環狀磁鐵

524‧‧‧研磨漿料

525‧‧‧磁通集中構件

525c‧‧‧第1側部集中構件

525d‧‧‧第2側部集中構件

525e‧‧‧中間構件

525f‧‧‧第1側面

525g‧‧‧第1傾斜面

525h‧‧‧第2側面

525i‧‧‧第2傾斜面

526‧‧‧磁通集中槽

527‧‧‧磁通集中空間

S10~S80‧‧‧步驟

圖1係本實施形態之玻璃板之製造方法之流程圖。

圖2係自圖1之熔解工序進行至切斷工序為止之裝置之模式圖。

圖3係研磨裝置之概略圖。

圖4係研磨輪之外觀圖。

圖5係研磨輪之剖視圖。

圖6係研磨輪之剖視圖之一部分。

圖7係表示研磨輪所形成之磁場之圖。

圖8係作為第1比較例之研磨輪之剖視圖。

圖9係表示作為第1比較例之研磨輪所形成之磁場之圖。

圖10係作為第2比較例之研磨輪之剖視圖。

圖11係表示作為第2比較例之研磨輪所形成之磁場之圖。

圖12係變化例A之研磨輪之剖視圖。

圖13係表示變化例A之研磨輪所形成之磁場之圖。

圖14係變化例B之研磨輪之剖視圖。

圖15係變化例B之研磨輪之剖視圖之一部分。

圖16係表示變化例B之研磨輪所形成之磁場之圖。

圖17係變化例C之研磨輪之剖視圖。

圖18係變化例C之研磨輪之剖視圖之一部分。

圖19係表示變化例C之研磨輪所形成之磁場之圖。

圖20係變化例D之研磨輪之剖視圖。

圖21係變化例E之研磨輪之剖視圖之一部分。

圖22係變化例F之研磨輪之剖視圖之一部分。

圖23係變化例G之研磨輪之剖視圖之一部分。

一面參照圖式，一面對作為本發明之實施形態之玻璃板之製造方法進行說明。本實施形態之玻璃板之製造方法包含如下方法，即，對使用溢流下拉法製造之玻璃板之端面進行研磨。

(1)玻璃板之製造方法之概要

首先，對玻璃板之製造方法之概要進行說明。利用該製造方法製造之玻璃板被用作液晶顯示器、電漿顯示器及有機EL顯示器等平板顯示器(FPD)用玻璃基板、觸控用玻璃基板、太陽能電池面板用玻璃基板、及保護用玻璃基板等。玻璃板具有如0.2mm~0.8mm之厚度，且具有縱680mm~2200mm及橫880mm~2500mm之尺寸。玻璃板具有例如以下組成(a)~(j)。

(a)SiO₂：50質量%~70質量%、(b)Al₂O₃：10質量%~25質量%、 (c)B₂O₃：5質量%~18質量%、(d)MgO：0質量%~10質量%、(e)CaO：0質量%~20質量%、(f)SrO：0質量%~20質量%、(g)BaO：0質量%~10質量%、(h)RO：5質量%~20質量%(R係自Mg、Ca、Sr及Ba中選擇之至少1種)、(i)R'₂O：0質量%~2.0質量%(R'係自Li、Na及K中選擇之至少1種)、(j)自SnO₂、Fe₂O₃及CeO₂選擇之至少1種金屬氧化物。

其次，對使用溢流下拉法之玻璃板之製造工序進行說明。圖1係表示玻璃板之製造工序之流程圖之一例。玻璃板之製造工序主要包含熔解工序(步驟S10)、澄清工序(步驟S20)、攪拌工序(步驟S30)、成形工序(步驟S40)、緩冷工序(步驟S50)、切斷工序(步驟S60)、研削工序(步驟S70)、及研磨工序(步驟S80)。圖2係自熔解工序S10進行至切斷工序S60為止之玻璃板製造裝置100之模式圖。玻璃板製造裝置100包括熔解裝置101、澄清裝置102、攪拌裝置103、成形裝置104、及切斷裝置105。

於熔解工序S10中，藉由熔解裝置101，利用燃燒器等加熱器件將玻璃原料熔解，產生1500℃~1600℃之高溫之熔融玻璃90。玻璃原料係以可實質上獲得所需組成之玻璃之方式進行製備。此處，所謂「實質上」，係指於小於0.1質量%之範圍內，允許其他微量成分之存在。

於澄清工序S20中，藉由澄清裝置102，使於熔解工序S10中產生之熔融玻璃90進一步升溫，藉此進行熔融玻璃90之澄清。於澄清裝置102中，熔融玻璃90之溫度上升至1600℃~1750℃，較佳上升至1650℃~1700℃。於澄清裝置102中，熔融玻璃90所含之O₂、CO₂及SO₂之微小氣泡吸收因玻璃原料所含之SnO₂等澄清劑之還原產生之O₂而成長，浮上熔融玻璃90之液面而消失。

於攪拌工序S30中，藉由攪拌裝置103，對於澄清工序S20經過澄清之熔融玻璃90進行攪拌，實現化學均質化及熱均質化。於攪拌裝置103中，熔融玻璃90一面朝鉛垂方向流動，一面繞軸旋轉之攪拌器攪拌，並自設於攪拌裝置103底部之流出口被送往下游工序。又，於攪拌工序S30中，富氧化鋯之熔融玻璃90等、具有與熔融玻璃90之平均比重不同之比重之玻璃成分自攪拌裝置103中被除去。

於成形工序S40中，藉由成形裝置104，利用溢流下拉法自於攪拌工序S30中攪拌後之熔融玻璃90成形玻璃帶91。具體而言，自成形單元上部溢出並分流之熔融玻璃90，沿成形單元之側壁流向下方，並於成形單元之下端合流，藉此連續地成形玻璃帶91。熔融玻璃90在流入成形工序S40之前，被冷卻至適於利用溢流下拉法成形之溫度、例如1200℃。

於緩冷工序S50中，對利用成形裝置104在成形工序S40中連續產生之玻璃帶91，以不產生應變及翹曲之方式一面進行溫度控制，一面緩冷至緩冷點以下。

於切斷工序S60中，藉由切斷裝置105，將於緩冷工序S50中緩冷至室溫之玻璃帶91每隔特定長度切斷。切換玻璃帶91時，於玻璃帶91上形成刻劃線，使拉伸應力集中於刻劃線而割斷玻璃帶91。形成刻劃線通常使用藉由使用金剛石切割器而機械形成之方法、及利用雷射加熱與急冷而使初始龜裂行進之方法。於切斷工序S60中，進而將每隔特定長度切斷之玻璃帶91切斷成特定之尺寸，從而獲得玻璃板92。

於研削工序S70中，研削於切斷工序S60中獲得之玻璃板92之角部，對玻璃板92之端面進行倒角。於切斷工序S60中切斷之玻璃板92之端面與主表面之間之角部，形成有非常鋒利之邊緣。於研削工序S70中，使用金剛石輪等對玻璃板92之角部進行研削，藉此除去形成於角部之邊緣。藉由研削而被倒角之玻璃板92之端面之截面形狀為R形狀。

於研削工序S70中，以玻璃板92之端面之加工寬度處於特定範圍內之方式，對玻璃板92之端面進行研削。加工寬度係玻璃板92被倒角之端面之最外端、和端面與主表面之交界之間之距離的最大值。於倒角加工時，玻璃板92之端面自金剛石輪等承受之力會自端面之最外端起，朝著端面與主表面之交界而逐漸變小。因此，於加工寬度過大之情形時，玻璃板92之端面與主表面之交界附近之區域有可能研削不充分，無法均勻地加工端面。另一方面，於加工寬度過小之情形時，形成於玻璃板92之角部之邊緣有可能除去不充分。於將玻璃板92之厚度設為t之情形時，加工寬度之上述特定範圍較佳為1/50t~t，更較佳為1/20t~1/2t，進而較佳為1/10t~1/3t。又，於研削工序S70中，以玻璃板92之端面之算術平均粗糙度Ra為0.1μm~0.2μm之方式，對玻璃板92之端面進行研削。

於研削工序S70被倒角之玻璃板92之端面上，形成有包含被稱為微裂痕或水平裂痕之微小裂痕之層。該層被稱為加工變質層或脆弱破壞層。若形成加工變質層，則玻璃板92之端面之破壞強度降低。於研削工序S70中，以加工變質層之厚度小於3μm之方式，對玻璃板92之端面進行研削。

更具體而言，研削工序S70包含第1研削工序及第2研削工序。於第1研削工序中，係使用利用金屬結合劑加固之研削輪(金屬結合劑金剛石輪等)。於第2研削工序中，係使用利用樹脂結合劑加固之研削輪(樹脂結合劑金剛石輪等)。於第2研削工序中，係使用硬度及剛性較第1研削工序中使用之研削輪低之研削輪。於第1研削工序中，短時間內形成玻璃板92之端面所需之R形狀。於第2研削工序中，以使玻璃板92之端面之形狀齊整且端面之表面粗糙度變小之方式，於短時間內進行加工。

於研磨工序S80中，對於研削工序S70中被倒角之玻璃板92之端面 進行研磨。研磨工序S80之目的為，進而除去加工變質層，提高玻璃板92之端面之破壞強度。

於研磨工序S80之後，進行玻璃板92之清洗工序及檢查工序。最終，將玻璃板92捆包，向FPD製造業者等出貨。FPD製造業者於玻璃板92之表面形成TFT等半導體元件，而製造FPD。

(2)研磨工序之詳細情形

其次，對於研磨工序S80中進行之玻璃板92之端面92a之研磨處理進行說明。於研磨工序S80中，利用研磨裝置10對玻璃板92之端面92a進行研磨。圖3係研磨裝置10之概略圖。研磨裝置10一面搬送玻璃板92，一面對沿玻璃板92之長邊之一對端面92a進行研磨。

如圖3所示，研磨裝置10主要具備搬送機構12及研磨機構14。搬送機構12沿玻璃板92之長邊搬送玻璃板92。搬送機構12使用輸送帶及真空浮板等搬送玻璃板92。真空浮板係如下裝置：向玻璃板92之下側表面吹拂空氣，且自玻璃板92之下側空間抽吸空氣，藉此使玻璃板92穩定地懸浮。研磨機構14以與玻璃板92之一對端面92a分別對向之方式，設置於玻璃板92之兩側。研磨機構14具有研磨輪20。研磨機構14朝向玻璃板92之端面92a擠壓旋轉中之研磨輪20，對玻璃板92之端面92a進行研磨。於圖3中，玻璃板92之搬送方向、及研磨輪20之旋轉方向係用箭頭表示。

(2-1)研磨輪之構成

其次，對研磨輪20之構成進行說明。於以下說明中，「搬送方向」係指玻璃板92之長邊方向、即玻璃板92之端面92a之長度方向，且係指搬送機構12搬送玻璃板92之方向。「寬度方向」係指沿玻璃板92之表面之方向，且係指與搬送方向正交之方向。「鉛垂方向」係指與玻璃板92之表面正交之方向。於圖式中，搬送方向係用「y軸」表示，寬度方向係用「x軸」表示，鉛垂方向係用「z軸」表示。將與鉛垂方向正交之 平面稱為「水平面」。玻璃板92之表面與水平面平行。

研磨輪20用於對玻璃板92之端面92a進行研磨。圖4係研磨輪20之外觀圖。圖5係以包含旋轉軸21之中心軸21a之xz平面切斷研磨輪20後之剖視圖。圖5中，作為參考，示出研磨輪20要研磨之玻璃板92之端部。如圖5所示，玻璃板92之端面92a被倒角成R形狀。研磨輪20主要具備旋轉軸21、第1磁場形成構件22、第2磁場形成構件23、研磨漿料24、及磁通集中構件25。

(2-1-1)旋轉軸

旋轉軸21係用於使研磨輪20旋轉之軸。研磨輪20繞旋轉軸21之中心軸21a而旋轉。中心軸21a與鉛垂方向平行。如圖3所示，研磨輪20之旋轉方向係使玻璃板92在與玻璃板92之搬送方向相反之方向上移動之方向。旋轉軸21以磁通不集中於旋轉軸21之方式，利用SUS304等非磁性體之不鏽鋼鋼材成形。以下，將旋轉軸21之直徑方向、即與旋轉軸21之中心軸21a正交之方向稱為「徑向」。又，關於徑向之直線上之2點，將距離中心軸21a較長之1點所處一側稱為「徑向外側」，將距離中心軸21a較短之1點所處一側稱為「徑向內側」。

旋轉軸21連接於旋轉軸驅動部(未圖示)，且以所需之旋轉速度繞中心軸21a旋轉。旋轉軸21連接於旋轉軸移動機構(未圖示)，以相對於玻璃板92之端面92a接近或背離之方式移動。

(2-1-2)第1磁場形成構件

如圖5所示，第1磁場形成構件22包括第1中心構件22a、及第1圓環狀磁鐵22b。第1中心構件22a係具有沿鉛垂方向形成之貫通孔之圓柱形狀之構件。第1中心構件22a以磁通不集中於第1中心構件22a之方式，利用SUS304等非磁性體之不鏽鋼鋼材成形。旋轉軸21貫通第1中心構件22a之貫通孔。第1中心構件22a固定於旋轉軸21。第1圓環狀磁鐵22b係具有沿鉛垂方向形成之貫通孔之圓柱形狀之構件。第1中心構件22a 嵌入於第1圓環狀磁鐵22b之貫通孔。第1圓環狀磁鐵22b係永久磁鐵及電磁鐵等磁鐵，於鉛垂方向上被磁化，上側為N極且下側為S極。以下，將第1圓環狀磁鐵22b之上表面稱為第1上部磁場形成面22c，將第1圓環狀磁鐵22b之下表面稱為第1下部磁場形成面22d。

(2-1-3)第2磁場形成構件

如圖5所示，第2磁場形成構件23包括第2中心構件23a、及第2圓環狀磁鐵23b。第2中心構件23a係具有沿鉛垂方向形成之貫通孔之圓柱形狀之構件。第2中心構件23a以磁通不集中於第2中心構件23a之方式，利用SUS304等非磁性體之不鏽鋼鋼材成形。旋轉軸21貫通第2中心構件23a之貫通孔。第2中心構件23a固定於旋轉軸21。第2圓環狀磁鐵23b係具有沿鉛垂方向形成之貫通孔之圓柱形狀之構件。第2中心構件23a嵌入於第2圓環狀磁鐵23b之貫通孔。第2圓環狀磁鐵23b係永久磁鐵及電磁鐵等磁鐵，於鉛垂方向上被磁化，上側為N極且下側為S極。以下，將第2圓環狀磁鐵23b之上表面稱為第2上部磁場形成面23c，將第2圓環狀磁鐵23b之下表面稱為第2下部磁場形成面23d。

第1磁場形成構件22具有與第2磁場形成構件23相同之尺寸。如圖5所示，第1磁場形成構件22設於第2磁場形成構件23之鉛垂方向上方。第1磁場形成構件22與第2磁場形成構件23鄰接。即，第1下部磁場形成面22d與第2上部磁場形成面23c接觸。

第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23在它們周圍之空間內形成磁場。藉此，研磨輪20可以在其周圍之空間內形成磁場。再者，第1磁場形成構件22之第1圓環狀磁鐵22b、及第2磁場形成構件23之第2圓環狀磁鐵23b均可為上側係S極且下側係N極之磁鐵。

(2-1-4)研磨漿料

研磨漿料24係磁性體研磨粒與液體之混合物。研磨漿料24被藉由研磨輪20形成之磁場保持。

磁性體研磨粒係用於研磨玻璃板92等脆性材料之研磨粒。磁性體研磨粒例如包括氧化鐵及鐵氧體等磁性體之粒子。於使用鐵氧體作為磁性體研磨粒之情形時，不需要用於防止氧化之添加物、或用於防止氧化之添加物之使用量減少，因此，可以抑制磁性體研磨粒之經時變質。

與磁性體研磨粒混合之液體例如為水、烴、酯類、醚類及氟化氫。與磁性體研磨粒混合之液體亦可為以水為主成分且添加有烴、酯類、醚類及氟化氫等之液體。與磁性體研磨粒混合之液體較佳為水。藉由使用水，可以抑制玻璃板92在研磨處理中之研磨漿料24之溫度上升。

為了抑制磁性體研磨粒之凝結，亦可於研磨漿料24中添加0.5wt%以下之界面活性劑。界面活性劑例如為脂肪酸酯。又，為了抑制研磨漿料24之組成變化，亦可於研磨漿料24中添加小於3.0wt%之丙二醇。

研磨漿料24之磁性體研磨粒例如使用BASF公司製之羰基鐵粉。羰基鐵粉為圓球狀，具有直徑1μm~8μm之粒度分佈。研磨漿料24係藉由於該磁性體研磨粒中適當地混合界面活性劑、防銹劑、潤濕劑、增黏劑及水而作成。又，亦可於研磨漿料24中進而混合氧化鈰、氧化鋁及氧化矽等非磁性漿料，以提高研磨力。

磁性體研磨粒較佳為，最大磁通密度為1.0T以上，最大磁導率為3.0H/m以上。於研磨漿料24所含之磁性體研磨粒之濃度小於85%之情形時，較佳為最大磁通密度為1.3T以上，最大磁導率為3.3H/m以上，更較佳為最大磁通密度為1.6T以上。

(2-1-5)磁通集中構件

如圖5所示，磁通集中構件25包括上部集中構件25a、下部集中構件25b、第1側部集中構件25c、及第2側部集中構件25d。構成磁通集中構件25之各構件係利用SUS430等強磁性體之軟鐵鋼成形。再者，構成磁通集中構件25之各構件亦可具有較高之剛性，且利用其他材質之強 磁性體成形。又，於與研磨漿料24之磁性體研磨粒混合之液體為水之情形時，磁通集中構件25較佳利用不鏽鋼等不易生銹之材質成形。第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23除了旋轉軸21向鉛垂方向突出之部分以外，被磁通集中構件25覆蓋。被磁通集中構件25覆蓋之第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23具有旋轉軸21沿鉛垂方向貫通之圓柱形狀。磁通集中構件25固定於旋轉軸21。圖6係將圖5所示之研磨輪20之剖視圖之徑向外側之端部放大後之圖。於圖6中，省略了研磨漿料24及玻璃板92。

上部集中構件25a以覆蓋至少第1圓環狀磁鐵22b之上表面(N極)之方式設置。下部集中構件25b以覆蓋至少第2圓環狀磁鐵23b之下表面(S極)之方式設置。第1側部集中構件25c覆蓋第1磁場形成構件22之外周面。第2側部集中構件25d覆蓋第2磁場形成構件23之外周面。如圖5所示，上部集中構件25a、下部集中構件25b、第1側部集中構件25c及第2側部集中構件25d之徑向外側之端部在徑向上全部位於相同位置。如圖6所示，第1側部集中構件25c之上表面與上部集中構件25a之徑向外側之下表面接觸，第2側部集中構件25d之下表面與下部集中構件25b之徑向外側之上表面接觸。

如圖6所示，第1側部集中構件25c具有第1側面25e、及第1傾斜面25f。第1側面25e係第1側部集中構件25c之外周面。第1傾斜面25f係自第1側面25e之下端朝向徑向內側而朝鉛垂方向下方傾斜之平面。第1傾斜面25f之最靠徑向內側之點與第1磁場形成構件22之外周面之下端一致。

如圖6所示，第2側部集中構件25d具有第2側面25g、及第2傾斜面25h。第2側面25g係第2側部集中構件25d之外周面。第2傾斜面25h係自第2側面25g之上端朝向徑向內側而朝鉛垂方向上方傾斜之平面。第2傾斜面25h之最靠徑向內側之點與第2磁場形成構件23之外周面之上端 一致。

第1磁場形成構件22沿鉛垂方向而與第2磁場形成構件23鄰接。因此，第1側部集中構件25c之第1傾斜面25f之最靠徑向內側之點與第2側部集中構件25d之第2傾斜面25h之最靠徑向內側之點一致。結果，如圖6所示，於磁通集中構件25之外周面形成有磁通集中槽26。磁通集中槽26係包括第1傾斜面25f及第2傾斜面25h之V字型之槽。磁通集中槽26之內側空間、即第1傾斜面25f與第2傾斜面25h之間之空間係磁通集中空間27。磁通集中空間27係作為研磨輪20所形成之磁場之通量即磁通集中之空間。利用包含磁場容易通過之強磁性體之磁通集中構件25，將磁場導向所需之方向，藉此作為表示磁場之假像線即磁力線之閉迴路之磁路。磁通集中空間27係包含磁路之一部分之空間。

磁通集中空間27之最靠徑向內側之點和第1磁場形成構件22與第2磁場形成構件23之間之接觸面之最靠徑向外側之點一致。研磨漿料24藉由研磨輪20所形成之磁場而被保持於磁通集中空間27。

再者，構成磁通集中構件25之各構件亦可一體地成形。例如，上部集中構件25a與第1側部集中構件25c可作為一體構件而成形，且下部集中構件25b與第2側部集中構件25d亦可作為一體構件而成形。

(2-2)研磨輪所形成之磁場

圖7係將圖5所示之研磨輪20之剖視圖之徑向外側之端部放大後之圖。於圖7中，記載有作為表示研磨輪20之第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23所形成之磁場之假像線之磁力線。於圖7中，省略了研磨漿料24及玻璃板92。再者，於圖7中，為了使磁力線醒目，而省略圖5及圖6所示之影線。

於圖7中，表示有自第1磁場形成構件22之第1圓環狀磁鐵22b之N極，朝向第2磁場形成構件23之第2圓環狀磁鐵23b之S極之磁力線。於圖7中，表示有如下磁力線，即，例如自第1磁場形成構件22之第1上部 磁場形成面22c出發，繞過第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23之徑向外側之空間，並到達第2磁場形成構件23之第2下部磁場形成面23d。

磁通集中構件25使研磨漿料24保持之磁通集中空間27之磁通密度增加。具體而言，上部集中構件25a以形成自第1上部磁場形成面22c向上方流出(放出)之磁力線，朝徑向外側穿過上部集中構件25a之磁路之方式，導引磁力線。上部集中構件25a抑制自第1上部磁場形成面22c向上方流出之磁力線漏出至上部集中構件25a上方之空間。第1側部集中構件25c以形成被上部集中構件25a導引之磁力線穿過第1側部集中構件25c而朝向磁通集中空間27之磁路之方式，導引磁力線。第1側部集中構件25c抑制被上部集中構件25a導引之磁力線漏出至第1側部集中構件25c之徑向外側之空間。第2側部集中構件25d以形成被第1側部集中構件25c導引之磁力線穿過第2側部集中構件25d而朝向下部集中構件25b之磁路之方式，導引磁力線。第2側部集中構件25d抑制被第1側部集中構件25c導引之磁力線漏出至第2側部集中構件25d之徑向外側之空間。下部集中構件25b以形成被第2側部集中構件25d導引之磁力線朝徑向內側穿過下部集中構件25b之磁路之方式，導引磁力線。下部集中構件25b抑制被第2側部集中構件25d導引之磁力線漏出至下部集中構件25b下方之空間。

因此，如圖7所示，磁通集中構件25能夠將自第1上部磁場形成面22c朝上方流出之磁力線之一部分，不漏出至研磨輪20周圍之空間地，導引至第2下部磁場形成面23d。藉此，可形成漏出磁通較少之磁路。若對比設置磁通集中構件25且磁力線流出至磁通集中構件25之情形、與不設置磁通集中構件25而磁力線流出至周圍空間之情形，前者使磁場通過包含磁場(磁力線)容易通過之強磁性體之磁通集中構件25，藉此向空間漏出之磁通變少，形成磁動勢強之磁路。另一方面，後者會 使磁場向周圍空間漏出，因此與前者相比，形成磁動勢弱之磁路。因此，自第1上部磁場形成面22c出發，通過作為強磁性體之磁通集中構件25後到達第2下部磁場形成面23d之磁力線所表示之磁路之漏出磁通較小。所以，自第1上部磁場形成面22c朝上方流出之磁力線所表示之磁力、與通過磁通集中空間27之磁力線所表示之磁力之差較小。因此，藉由將磁通集中構件25安裝於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23，具有使磁通集中空間27、即第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23周圍之空間之磁通密度增加之效果。

研磨漿料24係被利用磁通集中構件25而磁通密度增加之磁通集中空間27之磁場保持。研磨漿料24填滿磁通集中槽26。如圖5所示，被磁通集中空間27保持之研磨漿料24具有漿料面24a。漿料面24a係填滿磁通集中槽26之研磨漿料24之徑向外側之表面。磁通集中空間27之磁通密度越高，則磁通集中空間27之磁場之強度越高，因此，研磨漿料24所含之磁性體研磨粒自磁通集中空間27之磁場承受之力之大小變得越高。即，由第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23形成之磁場保持研磨漿料24之力於磁通集中空間27中因磁通集中構件25而增大。因此，磁通集中構件25可提高研磨輪20對研磨漿料24之保持力。

(2-3)研磨裝置之動作

對於研磨工序S80中，研磨裝置10研磨玻璃板92之端面92a之工序進行說明。首先，利用搬送機構12來搬送端部被倒角成R形狀之玻璃板92。沿搬送方向被搬送之玻璃板92逐漸靠近研磨機構14之研磨輪20。亦可以一對研磨輪20之位置與玻璃板92之寬度吻合之方式，預先設置研磨機構14。又，研磨機構14亦可利用感測器等，偵測玻璃板92之端面92a已十分接近研磨輪20、或玻璃板92之端面92a已接觸研磨輪20，然後使以旋轉軸21之中心軸21a為中心而旋轉之研磨輪20朝向玻璃板92之端面92a移動。結果，如圖5所示，玻璃板92之端面92a自漿料面 24a插入研磨漿料24之中。於玻璃板92之端面92a插入研磨漿料24之中之狀態下，利用搬送機構12沿搬送方向搬送玻璃板92。藉此，於玻璃板92之端面92a接觸研磨漿料24之狀態下，旋轉中之研磨輪20與玻璃板92之端面92a沿搬送方向而相對移動。玻璃板92之端面92a與和研磨輪20一併旋轉之研磨漿料24所含之磁性體研磨粒碰撞而進行研磨。再者，亦可不沿搬送方向移動玻璃板92，而係使研磨輪20沿搬送方向移動，讓旋轉中之研磨輪20與玻璃板92之端面92a沿搬送方向相對移動。又，亦可沿搬送方向移動玻璃板92及研磨輪20兩者，使旋轉中之研磨輪20與玻璃板92之端面92a沿搬送方向相對移動。

於研削工序S70中被研削之玻璃板92之端面92a上，形成有包含被稱為微裂痕或水平裂痕之微小裂痕之層。該層被稱為加工變質層或脆弱破壞層，具有小於3μm之厚度。於研削工序S70中，進行上述第1研削工序及第2研削工序，控制玻璃板92之端面92a之品質。研磨輪20對玻璃板92之端面92a進行研磨，除去端面92a之加工變質層或脆弱破壞層。研磨輪20較佳以玻璃板92之端面92a之算術平均粗糙度Ra變成例如10nm以下之方式，研磨玻璃板92之端面92a。

(3)特徵

本實施形態之玻璃板之製造方法包含研磨工序S80，該研磨工序S80係使利用溢流下拉法製造之玻璃板92之端面92a與旋轉之研磨漿料24接觸而進行研磨。含有作為磁性體研磨粒之研磨粒之研磨漿料24利用第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23所形成之磁場，而被保持於形成於磁通集中構件25之外周面之磁通集中槽26內側之磁通集中空間27。於磁通集中空間27，第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23所形成之磁場保持研磨漿料24之力因磁通集中構件25而增大。磁通集中構件25抑制自第1磁場形成構件22之第1上部磁場形成面22c朝上方流出之磁力線，於到達第2磁場形成構件23之第2下部磁場形成面23d 之前，漏出至研磨輪20周圍之空間。即，磁通集中構件25構成自第1上部磁場形成面22c朝第2下部磁場形成面23d流動之磁力線之磁路之一部分。磁通集中構件25藉由將該磁力線導引至磁通集中空間27，來抑制磁通集中空間27之磁通密度降低。因此，藉由將磁通集中構件25安裝於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23，而具有增加磁通集中空間27之磁通密度之效果。

如此，磁通集中空間27係利用磁通集中構件25而磁通密度降低得到抑制之空間，因此，該磁通集中空間27係研磨漿料24之保持力較高之空間。保持研磨漿料24之研磨輪20、及玻璃板92之端面92a係沿搬送方向而相對移動，所以，研磨漿料24之保持力越高，於端面92a接觸研磨漿料24之情形時，研磨漿料24所含之研磨粒越難以移動。而且，研磨漿料24所含之研磨粒越難以移動，研磨粒對端面92a施加之壓力越高，因此，研磨輪20對玻璃板92之端面92a之研磨能力越高。因此，本實施形態之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件25來增加對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料24之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。又，本實施形態之玻璃板之製造方法能夠局部地提高磁通集中空間27之磁通密度，因此，即便連續地加工玻璃板92之端面92a，亦可抑制研磨漿料24自磁通集中槽26流出及分散。

其次，為了說明增加磁通集中空間27之磁通密度之磁通集中構件25之效果，而說明本實施形態之研磨輪20之兩個比較例。圖8係作為第1比較例之研磨輪120之剖視圖。圖9表示作為第1比較例之研磨輪120之剖視圖之一部分，且係表示研磨輪120所形成之磁場之圖。圖10係作為第2比較例之研磨輪220之剖視圖。圖11表示作為第2比較例之研磨輪220之剖視圖之一部分，且係表示研磨輪220所形成之磁場之圖。圖9及圖11中，省略了研磨漿料124、224及玻璃板92。再者，於圖9及圖11中，為了使磁力線醒目，省略了影線。

於第1比較例中，研磨輪120主要具備旋轉軸121、第1磁場形成構件122、第2磁場形成構件123、研磨漿料124、及間隔件(spacer)125。旋轉軸121、第1磁場形成構件122、第2磁場形成構件123及研磨漿料124分別與本實施形態之旋轉軸21、第1磁場形成構件22、第2磁場形成構件23及研磨漿料24相同，因此省略說明。第1磁場形成構件122具有第1中心構件122a、及第1圓環狀磁鐵122b。第2磁場形成構件123具有第2中心構件123a、及第2圓環狀磁鐵123b。間隔件125係不鏽鋼鋼板，被夾在第1磁場形成構件122與第2磁場形成構件123之間，且被旋轉軸121貫通。間隔件125具有形成有被旋轉軸121貫通之孔之圓柱形狀。間隔件125之外周面較第1磁場形成構件122及第2磁場形成構件123之外周面更靠徑向內側。因此，研磨輪120具有第1磁場形成構件122與第2磁場形成構件123之間之縫隙即磁場形成槽126。磁場形成槽126係第1磁場形成構件122之第1圓環狀磁鐵122b、與第2磁場形成構件123之第2圓環狀磁鐵123b之間之空間。研磨漿料124被保持於磁場形成槽126之內側之槽空間127。

如圖9所示，於第1比較例中，自第1圓環狀磁鐵122b之上表面朝上方流出之磁力線，通過第1磁場形成構件122及第2磁場形成構件123之徑向外側之空間，並到達第2圓環狀磁鐵123b之下表面。於槽空間127，自第2圓環狀磁鐵123b之上表面朝上方流出之磁力線朝向第1圓環狀磁鐵122b之下表面流動。

如圖9所示，於第1比較例中，磁力線隔著第1磁場形成構件122及第2磁場形成構件123而流出至槽空間127之相反側之空間。因此，向該相反側之空間漏出之磁通變大，所以，槽空間127之磁通密度較小。因此，槽空間127之磁通密度較本實施形態之磁通集中空間27之磁通密度小。

於第2比較例中，研磨輪220主要具備旋轉軸221、第1磁場形成構 件222、第2磁場形成構件223、及研磨漿料224。旋轉軸221及研磨漿料224分別與本實施形態之旋轉軸21及研磨漿料24相同，因此省略說明。第1磁場形成構件222具有第1中心構件222a、及第1圓環狀磁鐵222b。第2磁場形成構件223具有第2中心構件223a、及第2圓環狀磁鐵223b。第1圓環狀磁鐵222b具有自其外周面朝徑向內側向鉛垂方向下方傾斜之傾斜面。第2圓環狀磁鐵223b具有自其外周面朝徑向內側向鉛垂方向上方傾斜之傾斜面。第1圓環狀磁鐵222b及第2圓環狀磁鐵223b各自之傾斜面與本實施形態之第1傾斜面25f及第2傾斜面25h同樣地，形成作為V字型之槽之磁場形成槽226。磁場形成槽226係第1圓環狀磁鐵222b與第2圓環狀磁鐵223b之間之空間。研磨漿料224被保持於作為磁場形成槽226內側之空間之槽空間227。

如圖11所示，於第2比較例中，自第1圓環狀磁鐵222b之上表面朝上方流出之磁力線，通過第1磁場形成構件222及第2磁場形成構件223之徑向外側之空間，並到達第2圓環狀磁鐵223b之下表面。於槽空間227，自第2圓環狀磁鐵223b之上表面朝上方流出之磁力線朝向第1圓環狀磁鐵222b之下表面流動。

如圖11所示，於第2比較例中，磁力線隔著第1磁場形成構件222及第2磁場形成構件223而流出至槽空間227之相反側之空間。因此，漏出至該相反側之空間之磁通變大，所以槽空間227之磁通密度較小。因此，槽空間227之磁通密度較本實施形態之磁通集中空間27之磁通密度小。

根據以上說明，第1比較例及第2比較例之、未被強磁性體覆蓋之研磨輪120、220與本實施形態之研磨輪20相比，研磨漿料24保持之空間之磁通密度較低，研磨漿料24之保持力較小。於本實施形態中，為了增加研磨漿料24保持之磁通集中空間27之至少一部分之磁通密度，而設置有磁通集中構件25。因此，本實施形態之研磨裝置10使用作為 強磁性體之磁通集中構件25，來增加對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料24之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

(4)變化例

以上，對本實施形態之玻璃板之製造方法進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，於不脫離本發明之主旨之範圍內，可以實施各種改良及變更。

(4-1)變化例A

如圖5所示，本實施形態之磁通集中構件25包括上部集中構件25a、下部集中構件25b、第1側部集中構件25c、及第2側部集中構件25d。但，磁通集中構件25亦可不具有上部集中構件25a及下部集中構件25b。

圖12係本變化例之研磨輪320之剖視圖。圖13係研磨輪320之剖視圖之一部分，且係表示研磨輪320所形成之磁場之圖。於圖13中，省略了研磨漿料324及玻璃板92。再者，於圖13中，為了使磁力線醒目，而省略了影線。

於本變化例中，研磨輪320主要具備旋轉軸321、第1磁場形成構件322、第2磁場形成構件323、研磨漿料324、及磁通集中構件325。旋轉軸321、第1磁場形成構件322、第2磁場形成構件323及研磨漿料324分別與本實施形態之旋轉軸21、第1磁場形成構件22、第2磁場形成構件23及研磨漿料24相同，因此省略說明。第1磁場形成構件322具有第1中心構件322a、及第1圓環狀磁鐵322b。第2磁場形成構件323具有第2中心構件323a、及第2圓環狀磁鐵323b。磁通集中構件325包括第1側部集中構件325c、及第2側部集中構件325d。即，磁通集中構件325具有自本實施形態之磁通集中構件25中除去上部集中構件25a及下部集中構件25b後之構成。如圖12所示，磁通集中構件325具有作為形成於外周面之V字型之槽之磁場形成槽326。研磨漿料324被保持於作為磁場 形成槽326內側之空間之磁通集中空間327。

如圖13所示，於本變化例中，自第1圓環狀磁鐵322b之上表面向上方流出之磁力線之一部分，依次通過第1側部集中構件325c、磁通集中空間327及第2側部集中構件325d，並到達第2圓環狀磁鐵323b之下表面。通過磁通集中空間327之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪320之一部分之強磁性體之磁通集中構件325。因此，磁通集中構件325將自第1圓環狀磁鐵322b之上表面朝第2圓環狀磁鐵323b之下表面流動之磁力線導引至磁通集中空間327，所以，磁通集中空間327之磁通密度變大。即，藉由將磁通集中構件325安裝於第1磁場形成構件322及第2磁場形成構件323，具有增加磁通集中空間327之磁通密度，並增加磁通集中空間327對研磨漿料324之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件325來增加對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料324之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

(4-2)變化例B

如圖5所示，本實施形態之磁通集中構件25包括上部集中構件25a、下部集中構件25b、第1側部集中構件25c、及第2側部集中構件25d。但，磁通集中構件25亦可更具有間隔件，該間隔件被夾在第1磁場形成構件22與第2磁場形成構件23之間。

圖14係本變化例之研磨輪420之剖視圖。圖15係研磨輪420之剖視圖之一部分。圖16係研磨輪420之剖視圖之一部分，且係表示研磨輪420所形成之磁場之圖。於圖15及圖16中，省略了研磨漿料424及玻璃板92。再者，於圖16中，為了使磁力線醒目，而省略了影線。

於本變化例中，研磨輪420主要具備旋轉軸421、第1磁場形成構件422、第2磁場形成構件423、研磨漿料424、及磁通集中構件425。旋轉軸421及研磨漿料424分別與本實施形態之旋轉軸21及研磨漿料24相 同，因此省略說明。第1磁場形成構件422具有第1中心構件422a、及第1圓環狀磁鐵422b。第2磁場形成構件423具有第2中心構件423a、及第2圓環狀磁鐵423b。磁通集中構件425包括上部集中構件425a、下部集中構件425b、第1側部集中構件425c、及第2側部集中構件425d。磁通集中構件425在第1側部集中構件425c與第2側部集中構件425d之間具有中間構件425e。中間構件425e係不鏽鋼等鋼板，被夾在第1磁場形成構件422與第2磁場形成構件423之間，且被旋轉軸421貫通。中間構件425e具有形成有被旋轉軸421貫通之孔之圓柱形狀。中間構件425e之外周面在徑向上位於與第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423之外周面相同之位置上。再者，位於第1側部集中構件425c與第2側部集中構件425d之間之中間構件425e較佳為強磁性體，亦可與第1側部集中構件425c及第2側部集中構件425d之至少一個一體成形。

第1側部集中構件425c具有第1側面425f、及第1傾斜面425g。第1側面425f係第1側部集中構件425c之外周面。第1傾斜面425g係自第1側面425f之下端朝向徑向內側而向鉛垂方向下方傾斜之平面。第1傾斜面425g之最靠徑向內側之點和中間構件425e之外周面之上端與下端之間之中間的點一致。

第2側部集中構件425d具有第2側面425h、及第2傾斜面425i。第2側面425h係第2側部集中構件425d之外周面。第2傾斜面425i係自第2側面425h之上端朝徑向內側而向鉛垂方向上方傾斜之平面。第2傾斜面425i之最靠徑向內側之點和中間構件425e之外周面之上端與下端之間之中間的點一致。

第1側部集中構件425c之第1傾斜面425g之最靠徑向內側之點與第2側部集中構件425d之第2傾斜面425i之最靠徑向內側之點一致。結果，如圖15所示，於磁通集中構件425之外周面形成作為V字型之槽之磁通集中槽426。研磨漿料424被保持於作為磁場形成槽426內側之空間 之磁通集中空間427。

如圖16所示，於本變化例中，自第1圓環狀磁鐵422b之上表面朝上方流出之磁力線之一部分，依次通過上部集中構件425a、第1側部集中構件425c、磁通集中空間427、第2側部集中構件425d及下部集中構件425b，並到達第2圓環狀磁鐵423b之下表面。又，自第2圓環狀磁鐵423b之上表面朝上方流出之磁力線通過中間構件425e，並到達第1圓環狀磁鐵422b之下表面。通過磁通集中空間427之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪420之強磁性體之磁通集中構件425。因此，磁通集中構件425設為形成自第1圓環狀磁鐵422b之上表面朝第2圓環狀磁鐵423b之下表面流動之磁力線之磁路。磁通集中構件425藉由將該磁力線導引至磁通集中空間427，而增加磁通集中空間427之磁通密度。即，藉由將磁通集中構件425安裝於第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423，而具有增加磁通集中空間427之磁通密度，並增加磁通集中空間427對研磨漿料424之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件425來增加對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料424之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

(4-3)變化例C

如圖5所示，本實施形態之磁通集中構件25包括上部集中構件25a、下部集中構件25b、第1側部集中構件25c、及第2側部集中構件25d。但，磁通集中構件25亦可更具有被第1磁場形成構件22與第2磁場形成構件23夾著之間隔件，且不具有上部集中構件25a及下部集中構件25b。

圖17係本變化例之研磨輪520之剖視圖。圖18係研磨輪520之剖視圖之一部分。圖19係研磨輪520之剖視圖之一部分，且係表示研磨輪520所形成之磁場之圖。於圖18及圖19中，省略了研磨漿料524及玻璃板 92。再者，於圖19中，為了使磁力線醒目，而省略了影線。研磨輪520具有使變化例A之研磨輪320、與變化例B之研磨輪420組合而成之構成。

於本變化例中，研磨輪520主要具備旋轉軸521、第1磁場形成構件522、第2磁場形成構件523、研磨漿料524、及磁通集中構件525。旋轉軸521及研磨漿料524分別與本實施形態之旋轉軸21及研磨漿料24相同，因此省略說明。第1磁場形成構件522具有第1中心構件522a、及第1圓環狀磁鐵522b。第2磁場形成構件523具有第2中心構件523a、及第2圓環狀磁鐵523b。磁通集中構件525包括第1側部集中構件525c、及第2側部集中構件525d。即，磁通集中構件525具有如下構成：在本實施形態之磁通集中構件25上追加中間構件525e，且除去上部集中構件25a及下部集中構件25b。中間構件525e係不鏽鋼等鋼板，被夾在第1磁場形成構件522與第2磁場形成構件523之間，且被旋轉軸521貫通。中間構件525e具有形成有被旋轉軸521貫通之孔之圓柱形狀。中間構件525e之外周面在徑向上位於與第1磁場形成構件522及第2磁場形成構件523之外周面相同之位置上。再者，位於第1側部集中構件525c與第2側部集中構件525d之間之中間構件525e較佳為強磁性體，亦可與第1側部集中構件525c及第2側部集中構件525d之至少一個一體成形。

第1側部集中構件525c具有第1側面525f、及第1傾斜面525g。第1側面525f係第1側部集中構件525c之外周面。第1傾斜面525g係自第1側面525f之下端朝徑向內側而向鉛垂方向下方傾斜之平面。第1傾斜面525g之最靠徑向內側之點和中間構件525e之外周面之上端與下端之中間的點一致。

第2側部集中構件525d具有第2側面525h、及第2傾斜面525i。第2側面525h係第2側部集中構件525d之外周面。第2傾斜面525i係自第2側面525h之上端朝徑向內側而向鉛垂方向上方傾斜之平面。第2傾斜面 525i之最靠徑向內側之點和中間構件525e之外周面之上端與下端之中間的點一致。

第1側部集中構件525c之第1傾斜面525g之最靠徑向內側之點與第2側部集中構件525d之第2傾斜面525i之最靠徑向內側之點一致。結果，如圖18所示，於磁通集中構件525之外周面形成作為V字型之槽之磁通集中槽526。研磨漿料524被保持於作為磁場形成槽526內側之空間之磁通集中空間527。

如圖19所示，於本變化例中，自第1圓環狀磁鐵522b之上表面朝上方流出之磁力線之一部分，依次通過第1側部集中構件525c、磁通集中空間527及第2側部集中構件525d，並到達第2圓環狀磁鐵523b之下表面。又，自第2圓環狀磁鐵523b之上表面朝上方流出之磁力線通過中間構件525e，並到達第1圓環狀磁鐵522b之下表面。通過磁通集中空間527之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪520之一部分之強磁性體之磁通集中構件525。因此，磁通集中構件525設為形成自第1圓環狀磁鐵522b之上表面朝第2圓環狀磁鐵523b之下表面流動之磁力線之磁路。磁通集中構件525藉由將該磁力線導引至磁通集中空間527，而增加磁通集中空間527之磁通密度。即，藉由將磁通集中構件525安裝於第1磁場形成構件522及第2磁場形成構件523，而具有增加磁通集中空間527之磁通密度，並增加磁通集中空間527對研磨漿料524之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件525來提高對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料524之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

(4-4)變化例D

本實施形態之磁通集中構件25具有上部集中構件25a、及下部集中構件25b。如圖5所示，上部集中構件25a覆蓋第1中心構件22a之上表面、及第1圓環狀磁鐵22b之上表面兩者，且下部集中構件25b覆蓋第2 中心構件23a之下表面、及第2圓環狀磁鐵23b之下表面兩者。但，上部集中構件25a亦可不覆蓋第1中心構件22a之上表面，且下部集中構件25b亦可不覆蓋第2中心構件23a之下表面。

圖20係本變化例之研磨輪20之剖視圖。於圖20中，除了上部集中構件25a及下部集中構件25b以外之構成要素與本實施形態相同。上部集中構件25a只覆蓋第1磁場形成構件22之第1圓環狀磁鐵22b之上表面、及第1側部集中構件25c之上表面。下部集中構件25b只覆蓋第2磁場形成構件23之第2圓環狀磁鐵23b之下表面、及第2側部集中構件25d之下表面。

於本變化例中，與本實施形態之圖6同樣地，通過磁通集中空間27之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪20之一部分之強磁性體之磁通集中構件25。因此，藉由將磁通集中構件25安裝於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23，而具有增加磁通集中空間27之磁通密度，並增加磁通集中空間27對研磨漿料24之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件25來提高對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料24之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

再者，可將本變化例之上部集中構件25a及下部集中構件25b應用於變化例A~C。

又，第1中心構件22a及第2中心構件23a亦可為一體構件，第1圓環狀磁鐵22b及第2圓環狀磁鐵23b亦可為一體構件。

(4-5)變化例E

本實施形態之磁通集中構件25具有第1側部集中構件25c、及第2側部集中構件25d。於磁通集中構件25之外周面，形成有作為V字型之槽之磁通集中槽26。但，亦可於磁通集中構件25之外周面，形成V字型以外之形狀之槽。

圖21相當於本實施形態之圖6，係本變化例之研磨輪20之剖視圖之一部分。於圖21中，除了第1側部集中構件25c及第2側部集中構件25d以外之構成要素與本實施形態相同。

第1側部集中構件25c具有第1側面25e、及第1彎曲面25f。第1側面25e係第1側部集中構件25c之外周面。第1彎曲面25f係自第1側面25e之下端朝徑向內側而向鉛垂方向下方彎曲之面。第1彎曲面25f之最靠徑向內側之點與第1磁場形成構件22之外周面之下端一致。

第2側部集中構件25d具有第2側面25g、及第2彎曲面25h。第2側面25g係第2側部集中構件25d之外周面。第2彎曲面25h係自第2側面25g之上端朝徑向內側向鉛垂方向上方彎曲之面。第2彎曲面25h之最靠徑向內側之點與第2磁場形成構件23之外周面之上端一致。

如圖21所示，第1側部集中構件25c之第1彎曲面25f之最靠徑向內側之點與第2側部集中構件25d之第2彎曲面25h之最靠徑向內側之點一致。結果，如圖21所示，於磁通集中構件25之外周面，形成有磁通集中槽26。磁通集中槽26係包括第1彎曲面25f及第2彎曲面25h之槽。作為磁通集中槽26內側之空間之磁通集中空間27係保持研磨漿料24之空間。

於本變化例中，與本實施形態之圖6同樣地，通過磁通集中空間27之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪20之一部分之強磁性體之磁通集中構件25。因此，藉由將磁通集中構件25安裝於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23，而具有增加磁通集中空間27之磁通密度，並增加磁通集中空間27對研磨漿料24之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件25來提高對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料24之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

再者，可以將本變化例之第1側部集中構件25c及第2側部集中構件 25d應用於變化例A~D。

(4-6)變化例F

本實施形態之磁通集中構件25具有第1側部集中構件25c、及第2側部集中構件25d。於磁通集中構件25之外周面形成有作為V字型之槽之磁通集中槽26。磁通集中槽26之最靠徑向內側之點位於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23之外周面上。但，磁通集中槽26之最靠徑向內側之點亦可不位於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23之外周面上。

圖22相當於本實施形態之圖6，係本變化例之研磨輪20之剖視圖之一部分。於圖22中，除了第1側部集中構件25c及第2側部集中構件25d以外之構成要素與本實施形態相同。

第1側部集中構件25c具有第1側面25e、及第1傾斜面25f。第1側面25e係第1側部集中構件25c之外周面。第1傾斜面25f係自第1側面25e之下端朝徑向內側向鉛垂方向下方傾斜之平面。第1傾斜面25f之最靠徑向內側之點之位置較第1磁場形成構件22之外周面之下端更靠徑向外側。

第2側部集中構件25d具有第2側面25g、及第2傾斜面25h。第2側面25g係第2側部集中構件25d之外周面。第2傾斜面25h係自第2側面25g之上端朝徑向內側向鉛垂方向上方傾斜之平面。第2傾斜面25h之最靠徑向內側之點之位置較第2磁場形成構件23之外周面之上端更靠徑向外側。

如圖22所示，第1側部集中構件25c之第1傾斜面25f之最靠徑向內側之點與第2側部集中構件25d之第2傾斜面25h之最靠徑向內側之點一致。結果，如圖22所示，於磁通集中構件25之外周面形成有磁通集中槽26。磁通集中槽26之最靠徑向內側之點之位置較第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23之外周面更靠徑向外側。作為磁通集中槽26內側 之空間之磁通集中空間27，係保持研磨漿料24之空間。

於本變化例中，與本實施形態之圖6同樣地，通過磁通集中空間27之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪20之強磁性體之磁通集中構件25。因此，藉由將磁通集中構件25安裝於第1磁場形成構件22及第2磁場形成構件23，而具有增加磁通集中空間27之磁通密度，並增加磁通集中空間27對研磨漿料24之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件25來提高對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料24之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

再者，可以將本變化例之第1側部集中構件25c及第2側部集中構件25d應用於變化例A~E。

(4-7)變化例G

變化例B之磁通集中構件425具有第1側部集中構件425c、及第2側部集中構件425d。於磁通集中構件425之外周面，形成有作為V字型之槽之磁通集中槽426。磁通集中槽426之最靠徑向內側之點位於第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423之外周面上。但，磁通集中槽426之最靠徑向內側之點亦可不位於第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423之外周面上。

圖23相當於變化例B之圖15，係本變化例之研磨輪420之剖視圖之一部分。於圖23中，除了第1側部集中構件425c及第2側部集中構件425d以外之構成要素與變化例B相同。

第1側部集中構件425c具有第1側面425f、及第1傾斜面425g。第1側面425f係第1側部集中構件425c之外周面。第1傾斜面425g係自第1側面425f之下端朝徑向內側向鉛垂方向下方傾斜之平面。第1傾斜面425g之最靠徑向內側之點之位置較第1磁場形成構件422之外周面之下端更靠徑向內側。

第2側部集中構件425d具有第2側面425h、及第2傾斜面425i。第2側面425h係第2側部集中構件425d之外周面。第2傾斜面425i係自第2側面425h之上端朝徑向內側向鉛垂方向上方傾斜之平面。第2傾斜面425i之最靠徑向內側之點之位置較第2磁場形成構件423之外周面之上端更靠徑向內側。

如圖23所示，第1側部集中構件425c之第1傾斜面425g之最靠徑向內側之點與第2側部集中構件425d之第2傾斜面425i之最靠徑向內側之點一致。結果，如圖23所示，於磁通集中構件425之外周面形成有磁通集中槽426。磁通集中槽426係包括第1傾斜面425g及第2傾斜面425i之槽。磁通集中槽426之最靠徑向內側之點之位置較第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423之外周面更靠徑向內側。作為磁通集中槽426內側之空間之磁通集中空間427，係保持研磨漿料424之空間。

於本變化例中，與變化例B之圖15同樣地，通過磁通集中空間427之磁力線，會通過作為覆蓋研磨輪420之強磁性體之磁通集中構件425。因此，藉由將磁通集中構件425安裝於第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423，而具有增加磁通集中空間427之磁通密度，並增加磁通集中空間427對研磨漿料424之保持力之效果。

因此，本變化例之玻璃板之製造方法使用磁通集中構件425來提高對玻璃板92之端面92a進行研磨之研磨漿料424之保持力，藉此可提高玻璃板92之端面92a之研磨效率。

再者，可以將本變化例之第1側部集中構件425c及第2側部集中構件425d同樣地應用於變化例C。

(4-8)變化例H

本實施形態之研磨裝置10對玻璃板92之端面92a進行研磨。但，研磨裝置10亦可對金屬板及陶瓷板等其他板狀物品之端面進行研磨。

(5)實施例

其次，對本實施形態之玻璃板之製造方法之實施例進行說明。

[實施例1]

使用具備本實施形態之研磨輪20之研磨裝置10，對玻璃板92之端面92a進行研磨。然後，測定研磨輪20研磨端面92a時之、端面92a之最靠徑向內側之點之磁通密度。

而且，對圖8所示之第1比較例之研磨輪120、圖10所示之第2比較例之研磨輪220、圖12所示之變化例A之研磨輪320、圖14所示之變化例B之研磨輪420、圖17所示之變化例C之研磨輪520，亦分別進行相同之測定。

本實施例使用之全體研磨輪中，第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之外徑為125mm、內徑為90mm、鉛垂方向之尺寸為10mm。

下表表示本實施例之測定結果。測定之磁通密度之單位為特斯拉(T)。如表所示，確認使用本實施形態之研磨輪20時測定之磁通密度之值最高。又，確認使用本實施形態之研磨輪20、變化例A之研磨輪320、變化例B之研磨輪420及變化例C之研磨輪520時測定之磁通密度之值，較使用第1比較例之研磨輪120及第2比較例之研磨輪220時測定之磁通密度之值高。

[實施例2]

使用具備變化例B之研磨輪420之研磨裝置10，對玻璃板92之端面 92a進行研磨。然後，測定研磨輪420研磨端面92a時之、端面92a之最靠徑向內側之點之磁通密度。

而且，對像變化例F及變化例G之研磨輪那樣，最內點之徑向之位置與研磨輪420不同之多種研磨輪，分別進行相同之測定。此處，所謂「最內點」，係指形成於研磨輪420之磁通集中構件425之外周面之磁通集中槽426之最靠徑向內側之點。

最內點之徑向之位置係以基準點之徑向之位置為基準而進行測定。此處，所謂「基準點」，係指第1磁場形成構件422及第2磁場形成構件423之外周面上之點。如變化例F之圖22所示，於最內點較基準點更靠徑向外側之情形時，最內點之徑向之位置定義為具有正值。如變化例G之圖23所示，於最內點較基準點更靠徑向內側之情形時，最內點之徑向之位置定義為具有負值。

又，最內點之徑向之位置係將基準點之徑向之位置設為零而測定。例如，於最內點之徑向之位置為「+1mm」之情形時，最內點位於自基準點朝徑向外側移動1mm之位置上，於最內點之徑向之位置為「-1mm」之情形時，最內點位於自基準點朝徑向內側移動1mm之位置上。

本實施例使用之全體研磨輪中，第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之外徑為125mm、內徑為90mm、鉛垂方向之尺寸為10mm。

下表表示本實施例之測定結果。測定之磁通密度之單位為特斯拉(T)。如表所示，確認使用最內點之徑向之位置為0mm之研磨輪、即本變化例B之研磨輪420時測定之磁通密度之值最高。

[實施例3]

使用本實施形態之研磨輪20對玻璃板92之端面92a進行多次研磨，並測定研磨後之端面92a之算術平均粗糙度Ra。

又，使用第1比較例之研磨輪120對玻璃板92之端面92a進行多次研磨，並測定研磨後之端面92a之算術平均粗糙度Ra。

本實施例使用之全體研磨輪中，第1磁場形成構件及第2磁場形成構件之外徑為125mm、內徑為90mm、鉛垂方向之尺寸為10mm。又，本實施例中使用之玻璃板92之厚度為0.5mm，研磨輪之旋轉速度為每分鐘2000轉，玻璃板92之搬送速度為每分鐘2400mm。

下表表示本實施例之測定結果。於使用第1比較例之研磨輪120對玻璃板92之端面92a進行研磨之情形時，對端面92a研磨6次之後，端面92a之算術平均粗糙度Ra變成10nm。另一方面，於使用本實施形態之研磨輪20對玻璃板92之端面92a進行研磨之情形時，對端面92a研磨2次之後，端面92a之算術平均粗糙度Ra變成10nm。

根據以上說明，於本實施例中，藉由2次研磨加工便可使端面92a之算術平均粗糙度Ra變成10nm以下，可以自端面92a除去裂痕(微裂痕或水平裂痕)。

再者，研磨加工前之端面92a係藉由以下步驟而獲得。首先，藉由使用切斷輪之機械刻劃將玻璃板92切斷成特定尺寸。其次，對玻璃板 92之切斷面即端面92a，使用金屬結合劑金剛石輪進行研削加工。藉此，於短時間內形成端面92a所需之形狀。其次，使用樹脂結合劑金剛石輪對對端面92a進行研削加工。藉此，進行使端面92a之形狀齊整且端面92a之表面粗糙度變小之加工。藉由上述工序，最終獲得加工變質層小於3μm之端面92a。

再者，於這些實施例中，使用本實施形態之研磨輪20，對利用雷射切斷之玻璃板92之端面92a進行研磨。利用雷射切斷之玻璃板92之端面92a具有截面大致為直角之角部。另一方面，利用研磨輪20研磨加工後之端面92a具有截面為R形狀之角部，獲得R形狀之曲率半徑小於10μm之端面92a。

Claims (10)

1. 一種玻璃板之製造方法，其係包含第1磁場形成構件以及第2磁場形成構件，使由上述第1磁場形成構件以及上述第2磁場形成構件所形成之磁場保持之磁性體研磨粒，與上述第1磁場形成構件以及上述第2磁場形成構件一併繞旋轉軸旋轉，於該狀態下，使玻璃板之端部接觸上述磁性體研磨粒，而對上述端部進行研磨，上述第1磁場形成構件以及上述第2磁場形成構件係包含供上述旋轉軸貫通之上表面及下表面、以及位於上述旋轉軸周圍之側面之圓筒形狀之磁鐵，且沿上述旋轉軸磁化，上述端部係於形成於上述側面之研磨空間內被研磨，上述第1磁場形成構件以及上述第2磁場形成構件於上述上表面、上述下表面及上述側面安裝有磁通集中構件，該等磁通集中構件係將自上述上表面或上述下表面流出之磁力線導入上述研磨空間之磁性體。
2. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中上述第1磁場形成構件與上述第2磁場形成構件之間之空間、以及上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件之上述旋轉軸之徑向外側之空間的至少一個空間內，上述磁通之密度因上述磁通集中構件而增加。
3. 如請求項2之玻璃板之製造方法，其中上述第2磁場形成構件相對於上述第1磁場形成構件所處一側之相反側之空間、以及上述第1磁場形成構件相對於上述第2磁場形成構件所處一側之相反側之空間的至少一個空間內，上述磁通之密度因上述磁通集中構件而增加。
4. 一種玻璃板之研磨裝置，其具備：旋轉軸；第1磁場形成構件，其連結於上述旋轉軸，且繞上述旋轉軸旋轉；第2磁場形成構件，其連結於上述旋轉軸，且繞上述旋轉軸旋轉；磁性體研磨粒，其由上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件所形成之磁場保持；及磁通集中構件，其係安裝於上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件上之磁性體，使自上述第1磁場形成構件朝向上述第2磁場形成構件之磁通集中，從而增加上述磁通之密度；且由藉由上述磁通集中構件而上述磁通之密度增加之空間保持之上述磁性體研磨粒，與上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件一併繞上述旋轉軸旋轉，於該狀態下與玻璃板之端部接觸而對上述端部進行研磨。
5. 如請求項4之玻璃板之研磨裝置，其中上述磁通集中構件於上述第1磁場形成構件與上述第2磁場形成構件之間之空間、以及上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件之上述旋轉軸之徑向外側之空間的至少一個空間內，使上述磁通之密度增加。
6. 如請求項4或5之玻璃板之研磨裝置，其中上述磁通集中構件至少安裝於上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件之上述旋轉軸之徑向外側，且具有磁通集中槽，上述磁通集中槽係於上述磁通集中構件之上述旋轉軸之徑向外側之表面中與上述旋轉軸之中心軸成直角之槽。
7. 如請求項6之玻璃板之研磨裝置，其中上述磁通集中構件進而於上述旋轉軸之中心軸方向安裝於上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件之各個上。
8. 如請求項6之玻璃板之研磨裝置，其中上述第1磁場形成構件於上述旋轉軸之中心軸方向與上述第2磁場形成構件鄰接。
9. 如請求項6之玻璃板之研磨裝置，其中上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件具有尺寸相同之圓筒形狀，上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件之中心軸位於上述旋轉軸之中心軸上，上述磁通集中槽之位於上述旋轉軸之徑向最內側之點、與上述旋轉軸之中心軸之間的距離，等於上述第1磁場形成構件及上述第2磁場形成構件之外徑。
10. 如請求項6之玻璃板之研磨裝置，其中上述磁通集中構件使上述磁通集中槽之內側空間之上述磁通之密度增加。