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TWI655789B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI655789B
TWI655789B TW106132825A TW106132825A TWI655789B TW I655789 B TWI655789 B TW I655789B TW 106132825 A TW106132825 A TW 106132825A TW 106132825 A TW106132825 A TW 106132825A TW I655789 B TWI655789 B TW I655789B
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phosphor
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增田昌嗣
寺島賢二
Original Assignee
美商奇異磷光體科技公司
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Abstract

本發明藉由如下發光裝置(1)，而提供一種色再現性(NTSC比)優異之發光裝置，該發光裝置(1)包括發射初級光之發光元件(2)，及吸收自發光元件(2)發射之初級光之一部分、並發射具有較初級光之波長更長之波長的次級光之波長轉換部(3)；上述波長轉換部(3)包含綠色系發光螢光體(4)及紅色系發光螢光體(5)，上述綠色系發光螢光體(4)包含選自實質上以EuaSibAlcOdNe表示之2價銪活化氧氮化物螢光體、以及實質上以2(Ba1-f-gMIfEug)O‧SiO2表示之2價銪活化矽酸鹽螢光體中的至少一種；上述紅色系發光螢光體(5)包含選自實質上以MII2(MIII1-hMnh)F6及/或MIV(MIII1-hMnh)F6表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體中的至少一種。

Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置，其包括發射初級光之發光元件，及吸收自發光元件發射之初級光之一部分、並發射具有較初級光之波長更長之波長的次級光之波長轉換部。
半導體發光元件與螢光體組合之發光裝置，作為於低電力消耗、小型化、高亮度、進而廣範圍之色再現性方面備受期待的下一代發光裝置而受到關注，正在活躍地進行研究、開發。自發光元件所發射之初級光，通常係使用自長波長之紫外線至藍色之範圍、即380~480nm者。又，亦提出有使用適於該用途之各種螢光體之波長轉換部。
進而，近年來小型液晶顯示器(以下稱為LCD(Liquid Crystal Display))用背光之開發競爭正在激化。於此領域中雖提出有各種方式，但並未發現同時滿足亮度與色再現性(NTSC比)之方式。
現在，作為白色之發光裝置，主要係使用藍色發光之發光元件(峰值波長：450nm左右)與顯示由該藍色所激發之黃色發光的以3價鈰活化之(Y、Gd)3(Al,Ga)5O12螢光體 或以2價銪活化之(Sr,Ba,Ca)2SiO4螢光體之組合。然而，該等發光裝置之色再現性(NTSC比)為65%左右(CIE1931)。另一方面，近年來，小型LCD亦要求色再現性更好者。於此背景下，小型LCD用背光之色再現性(NTSC比)之改善成為當務之急。
作為著眼於LCD之色再現性(NTSC比)者，例如有日本專利特開2003-121838號公報(專利文獻1)。專利文獻1中記載有，作為背光光源，於505~535nm之範圍內具有光譜峰值；以及，作為該光源中所使用之綠螢光體之活化劑，而包含銪、鎢、錫、銻、錳中之任一者；進而，實施例中記載有使用MgGa2O4：Mn、Zn2SiO4：Mn作為綠螢光體。然而，於發光元件之峰值波長為430~480nm之範圍之情形時，包含銪、鎢、錫、銻、錳中之任一者之螢光體並非全部適用。即，專利文獻1之實施例中所記載之MgGa2O4：Mn、Zn2SiO4：Mn，若為430~480nm之範圍內之激發光，則其發光效率明顯降低。
又，例如於日本專利特開2004-287323號公報(專利文獻2)中記載有，作為背光，除紅發光LED晶片、綠發光LED晶片與藍發光LED晶片成為1個封裝體之RGB-LED以外，亦有3波長型螢光管、紫外光LED+RGB螢光體、有機EL光源等。然而於專利文獻2中並無以藍色光作為激發源之RG螢光體之相關具體記載。
另一方面，關於4價錳活化氟化金屬鹽螢光體，例如於US20060169998A1(專利文獻3)中有記載。然而於專利文獻3中，與高效率之綠色螢光體組合，並未言及其色再現 性(NTSC比)。
專利文獻1：日本專利特開2003-121838號公報
專利文獻2：日本專利特開2004-287323號公報
專利文獻3：US20060169998A1
本發明係為解決上述課題而完成者，其目的在於使用藉由來自發光元件之430~480nm之範圍的光而高效率地發光之特定螢光體，藉此提供色再現性(NTSC比)優異之發光裝置。
本發明之發光裝置之特徵在於包括：發光元件，其係發射初級光；及波長轉換部，其係吸收自發光元件發射之初級光之一部分，並發射具有較初級光之波長更長之波長的次級光；且上述波長轉換部包含綠色系發光螢光體及紅色系發光螢光體，上述綠色系發光螢光體包含：選自實質上以通式(A)：EuaSibAlcOdNe
(於上述通式(A)中，0.005≦a≦0.4，b+c=12，d+e=16)表示之β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物螢光體，以及實質上以通式(B)：2(Ba1-f-gMIfEug)O‧SiO2
(於上述通式(B)中，MI表示選自Mg、Ca及Sr中之至少一種之鹼土金屬元素，0<f≦0.55，0.03≦g≦0.10)表示之2價銪活化矽酸鹽螢光體中之至少一種； 上述紅色系發光螢光體(5)包含：選自實質上以通式(C)：MII2(MIII1-hMnh)F6
(於上述通式(C)中，MII表示選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種之4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體；及實質上以通式(D)：MIV(MIII1-hMnh)F6
(於上述通式(D)中，MIV表示選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中之至少一種之鹼土金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種之4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體中之至少一種。
此處，較好的是MII為K，MIII為Ti。
又，於本發明之發光裝置中，較好的是0.005≦h≦0.05。
又，於本發明之發光裝置中，較好的是MI為Sr。
本發明之發光裝置之發光元件，較好的是發射峰值波長430~480nm之初級光之氮化鎵系半導體。
根據本發明，可提供一種發光裝置，其可於波長轉換部高效率地吸收來自發光元件之發光，發出高效率之白色光，並且獲得色再現性(NTSC比)明顯良好之白色光。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧發光元件
3‧‧‧波長轉換部
4‧‧‧綠色系發光螢光體
5‧‧‧紅色系發光螢光體
6‧‧‧密封劑
圖1係示意性地表示本發明之較好一例的發光裝置1之 剖面圖。
圖2係表示可用於本發明之發光裝置中之β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物螢光體之具體一例的發光光譜分布之圖表。
圖3係表示可用於本發明之發光裝置中之2價銪活化矽酸鹽螢光體之具體一例的發光光譜分布之圖表。
圖4係表示可用於本發明之發光裝置中之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體之具體一例的發光光譜分布之圖表。
圖5係表示本發明之較好一例之發光裝置的發光光譜分布之圖表。
圖6係表示組入有本發明之較好一例之發光裝置作為背光光源的LCD之色再現性之色度圖。
圖7係表示使用黃色系發光螢光體之先前之發光裝置的發光光譜分布之圖表。
圖8係表示組入有使用黃色系發光螢光體之先前之發光裝置作為背光光源的LCD之色再現性之色度圖。
圖1係模式性地表示本發明較好一例的發光裝置1之剖面圖。本發明之發光裝置1如圖1所示，基本上包括：發射初級光之發光元件2，及吸收自發光元件2發射之初級光之一部分並發射具有較初級光之波長更長之波長之次級光的波長轉換部3；波長轉換部3包含綠色系發光螢光體4及紅色系發光螢光體5。圖1中表示以如下方式實現波長轉換部3之例：發光元件2、綠色系發光螢光體4及紅色系發光螢 光體5密封於密封劑6中，吸收自發光元件2發射之初級光之一部分，可發射具有初級光波長以上之長度波長之次級光。本發明之發光裝置1中之波長轉換部3，其特徵在於：包含選自以下之(A)β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物螢光體及(B)2價銪活化矽酸鹽螢光體中的至少一種作為綠色系發光螢光體4；包含選自以下2種之(C)、(D)4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體中的至少一種作為紅色系發光螢光體。
(A)β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物綠色系發光螢光體
該2價銪活化氧氮化物綠色系發光螢光體實質上以通式(A)：EuaSibAlcOdNe
表示(以下，將該2價銪活化氧氮化物綠色系發光螢光體稱為「第1綠色系發光螢光體」)。於通式(A)中，Eu表示銪，Si表示矽，Al表示鋁，O表示氧，N表示氮。於通式(A)中，表示Eu之組成比(濃度)之a之值為0.005≦a≦0.4。因為於a之值未滿0.005之情形時，無法獲得充分之亮度；又因為於a之值超過0.4之情形時，由於濃度淬滅而亮度大幅度下降。再者，考慮到粉體特性之穩定性、母體之均質性，上述式中之a之值較好的是0.01≦a≦0.2。又，於通式(A)中，表示Si之組成比(濃度)之b及表示Al之組成比(濃度)之c係滿足b+c=12之數，表示O之組成比(濃度)之d及表示N之組成比(濃度)之e係滿足d+e=16之數。
作為該第1綠色系發光螢光體，具體而言可列舉Eu0.05Si11.50Al0.50O0.05N15.95、Eu0.10Si11.00Al1.00O0.10N15.90 、Eu0.30Si9.80Al2.20O0.30N15.70、Eu0.15Si10.00Al2.00O0.20N15.80、Eu0.01Si11.60Al0.40O0.01N15.99、Eu0.005Si11.70Al0.30O0.03N15.97等，當然並不限定於此。
(B)2價銪活化矽酸鹽螢光體
該2價銪活化矽酸鹽螢光體實質上以通式(B)：2(Ba1-f-g MIfEug)O‧SiO2
表示(以下，將該2價銪活化矽酸鹽螢光體稱為「第2綠色系發光螢光體」)。於通式(B)中，Ba表示鋇，Eu表示銪，O表示氧，Si表示矽。於通式(B)中，MI表示選自Mg、Ca及Sr中之至少一種之鹼土金屬元素，為獲得高效率之母體，較好的是Mi為Sr。於通式(B)中，表示MI之組成比(濃度)之f之值為0<f≦0.55，藉由f之值為於此範圍內，可獲得510~540nm之範圍之綠色系發光。於f之值超過0.55之情形時，會成為發黃之綠色系發光，導致色純度變差。進而，就效率、色純度之觀點而言，較好的是f之值為0.15≦f≦0.45之範圍之範圍內。又於通式(B)中，表示Eu之組成比(濃度)之g之值為0.03≦g≦0.10。因為於g之值未滿0.03之情形時，無法獲得充分之亮度；又，因為於g之值超過0.10之情形時，由於濃度淬滅而亮度大幅度下降。再者，考慮到亮度及粉體特性之穩定性，較好的是g之值於0.04≦g≦0.08之範圍內。
作為該第2綠色系發光螢光體，具體而言可列舉2(Ba0.70Sr0.26Eu0.04)‧SiO2、2(Ba0.57Sr0.38Eu0.05)O‧SiO2、2(Ba0.53Sr0.43Eu0.04)O‧SiO2、2(Ba0.82Sr0.15Eu0.03)O‧SiO2、 2(Ba0.46Sr0.49Eu0.05)O‧SiO2、2(Ba0.59Sr0.35Eu0.06)O‧SiO2、2(Ba0.52Sr0.40Eu0.08)O‧SiO2、2(Ba0.85Sr0.10Eu0.05)O‧SiO2、2(Ba0.47Sr0.50Eu0.03)O‧SiO2、2(Ba0.54Sr0.36Eu0.10)O‧SiO2、2(Ba0.69Sr0.25Ca0.02Eu0.04)O‧SiO2、2(Ba0.56Sr0.38Mg0.01Eu0.05)O‧SiO2、2(Ba0.81Sr0.13Mg0.01Ca0.01Eu0.04)O‧SiO2等，當然並不限定於此。
(C)4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體
該4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體，實質上以通式(C)：MII2(MIII1-hMnh)F6
表示(以下，將該4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體稱為「第1紅色系發光螢光體」)。再者，於通式(C)中，Mn表示錳，F表示氟。於通式(C)中，MII表示選自Na、K、Rb及Cs中的至少一種之鹼金屬元素，考慮到亮度及粉體特性之穩定性，較好的是MII為K。又於通式(C)中，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少一種之4價金屬元素，考慮到亮度及粉體特性之穩定性，較好的是MIII為Ti。又，於通式(C)中，表示Mn之組成比(濃度)之h之值為0.001≦h≦0.1。因為於h之值未滿0.001之情形時，具有無法獲得充分之亮度之不良情況，又，於h之值超過0.1之情形時，具有由於濃度淬滅而亮度大幅度下降之不良情況。考慮到亮度及粉體特性之穩定性，較好的是h之值為0.005≦h≦0.5。
作為該第1紅色系發光螢光體，具體而言可列舉K2(Ti0.99Mn0.01)F6、K2(Ti0.9Mn0.1)F6、K2(Ti0.999Mn0.001)F6、 Na2(Zr0.98Mn0.02)F6、Cs2(Si0.95Mn0.05)F6、Cs2(Sn0.98Mn0.02)F6、K2(Ti0.88Zr0.10Mn0.02)F6、Na2(Ti0.75Sn0.20Mn0.05)F6、Cs2(Ge0.999Mn0.001)F6、(K0.80Na0.20)2(Ti0.69Ge0.30Mn0.01)F6等，當然並不限定於此。
(D)4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體
該4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體，實質上以通式(D)：MIV(MIII1-hMnh)F6
表示(以下，將該4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體稱為「第2紅色系發光螢光體」)。再者，於通式(D)中，Mn表示錳，F表示氟。於通式(D)中，MIII與上述通式(C)中之MIII相同，表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少一種之4價金屬元素，出於同樣之理由，較好的是MIII為Ti。又於通式(D)中，MIV表示選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的至少一種之鹼土金屬元素，考慮到亮度及粉體特性之穩定性，較好的是MIV為Ca。又，於通式(D)中，表示Mn之組成比(濃度)之h之值與上述通式(C)中之h相同，為0.001≦h≦0.1，出於同樣之理由，較好的是0.005≦h≦0.5。
作為該第2紅色系發光螢光體，具體而言可列舉Zn(Ti0.98Mn0.02)F6、Ba(Zr0.995Mn0.005)F6、Ca(Ti0.995Mn0.005)F6、Sr(Zr0.98Mn0.02)F6等，當然並不限定於此。
本發明之發光裝置中之波長轉換部，包含選自上述之(A)β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物螢光體(第1綠色系發光螢光體)及(B)2價銪活化矽酸鹽螢光體(第2綠色系發光螢光體)中的至少一種來作為綠色系發光螢光體；包含選自 上述2種之(C)4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體(第1紅色系發光螢光體)及(D)4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體(第2紅色系發光螢光體)中的至少一種來作為紅色系發光螢光體。再者，分別於圖2中表示可用於本發明之發光裝置中的β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物螢光體之具體一例(具體組成：Eu0.05Si11.50Al0.50O0.05N15.95)之發光光譜分布，於圖3中表示可用於本發明之發光裝置中的2價銪活化矽酸鹽螢光體之具體一例(具體組成：2(Ba0.70Sr0.26Eu0.04)O‧SiO2)之發光光譜分布，於圖4中表示可用於本發明之發光裝置中的4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體之具體一例(具體組成：K2(Ti0.99Mn0.01)F6)之發光光譜分布。圖2至圖4所表示之發光光譜均為利用激發波長450nm、使用螢光分光光度計所測定之結果，縱軸為強度(任意單位)，橫軸為波長(nm)。
於本發明之發光裝置中，綠色系發光螢光體與紅色系發光螢光體之混合比率並無特別限制，相對於紅色系發光螢光體，較好的是以重量比為5~70%之範圍內之混合比率混合綠色系發光螢光體，更好的是以15~45%之範圍內之混合比率混合。
此處，圖5係表示本發明之較好一例之發光裝置(後述之實施例1中製作之發光裝置)的發光光譜分布之圖表，於圖5中，縱軸為強度(任意單位)，橫軸為波長(nm)。又圖6係表示組入有本發明之較好一例之發光裝置(後述之實施例1所製作之發光裝置)作為背光光源的LCD之色再現性之色度圖(CIE1931)。相對於此，圖7係表示使用黃色系發光螢光體之先前之發光裝置(後述之比較例1中製作之發光裝 置)的發光光譜分布之圖表，圖8係表示組入有使用該發光裝置作為背光光源的LCD之色再現性之色度圖(CIE1931)。再者，圖5及圖7所表示之發光裝置之發光光譜分布，係使用MCPD-2000(大塚電子股份有限公司製造)所測定之結果；又，圖6及圖8所表示之色再現性，係使用Bm5(拓普康股份有限公司製造)所測定之結果。自圖5至圖8可知，根據本發明，提供如下發光裝置，其與先前之發光裝置不同，於波長轉換部高效率地吸收來自發光元件之發光，發出高效率之白色光，並且可獲得色再現性(NTSC比)明顯良好之白色光。再者，所謂NTSC比，係指：NTSC(National Television System Committee)所規定之紅、綠、藍各色之XYZ表色系色度圖中之色度座標(x、y)分別為紅(0.670，0.330)、綠(0.210，0.710)、藍(0.140，0.080)，相對於連結該紅、綠、藍各自之色度座標所獲得之三角形之面積之比率。
作為用於上述本發明之發光裝置中之發光元件，並無特別限制，可較好地使用發射峰值波長為430~480nm(更合適的是440~480nm)之藍色區域的初級光之氮化鎵(GaN)系半導體來作為發光元件。因為於使用峰值波長未滿430nm之發光元件之情形時，有藍色光成分之貢獻變小、顯色性變差，而變得不實用之虞；又，因為於使用峰值波長超過480nm之發光元件之情形時，有白色下之亮度降低，而變得不實用之虞。
本發明之發光裝置，若具備上述特徵，則對於其他構成並無特別限制。作為密封劑6，可使用具有透光性之樹 脂材料即環氧樹脂、矽樹脂、尿素樹脂等，但並不限定於此。又，於波長轉換部3中，除上述螢光體及密封劑以外，於不妨礙本發明之效果範圍內，當然亦可含有適宜之SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3等添加劑。
再者，用於本發明之發光裝置中之上述綠色系發光螢光體、紅色系發光螢光體，均為眾所周知者，可藉由先前眾所周知之適宜之方法製造、或作為產品而獲得。
以下，列舉實施例及比較例對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不限定於該等。
<實施例1>
按以下方式製作圖1所示之例之發光裝置1。使用於450nm具有峰值波長之氮化鎵(GaN)系半導體作為發光元件2，波長轉換部3中，使用Eu0.05Si11.50Al0.50O0.05N15.95(β型SiAlON)作為綠色系發光螢光體，使用K2(Ti0.99Mn0.01)F6作為紅色系發光螢光體。將該等綠色系發光螢光體與紅色系發光螢光體以30：70之比例(重量比)混合而成者分散於規定之樹脂中(樹脂與螢光體之比率為1.00：0.25)，製作波長轉換部。按此方式製作實施例1之發光裝置。
<比較例1>
除於波長轉換部中使用以(Y0.40Gd0.45Ce0.15)3Al5O12所表示之黃色系發光螢光體以外，與實施例1同樣製作發光裝置。
針對於實施例1、比較例1中分別獲得之發光裝置，評 價亮度、Tc-duv及色再現性(NTSC比)。亮度係藉由於順向電流(IF)20mA之條件下點燈，將來自發光裝置之白色光轉換為光電流而求得。又關於Tc-duv，於順向電流(IF)20mA之條件下點燈，使用大塚電子股份有限公司製造之MCPD-2000測定來自發光裝置之白色光，求得其值。又，關於色再現性(NTSC比)，組入所製作之發光裝置作為於市場上出售之LCD電視顯示器之背光光源，使用拓普康股份有限公司製造之Bm5進行測定，求得其值。結果示於表1中。
自表1可知，本發明之發光裝置與先前產品相比，色再現性(NTSC比)飛躍性地提高，作為中、小型LCD用背光具有較好之特性。
<實施例2>
使用於440nm具有峰值波長之氮化鎵(GaN)系半導體作為發光元件2，使用2(Ba0.70Sr0.26Eu0.04)O‧SiO2作為綠色系發光螢光體，使用K2(Ti0.995Mn0.005)F6作為紅色系發光 螢光體，除此以外，與實施例1同樣製作發光裝置。
<比較例2>
除於波長轉換部中使用以(Y0.40Gd0.50Ce0.10)3Al5O12所表示之黃色系發光螢光體以外，與實施例2同樣製作發光裝置。
針對於實施例2、比較例2中分別獲得之發光裝置，與上述實施例1、比較例1之發光裝置之情形同樣評價亮度、Tc-duv及色再現性(NTSC比)。結果示於表2中。
自表2可知，本發明之發光裝置與先前產品相比，色再現性(NTSC比)飛躍性地提高，作為中、小型LCD用背光具有較好之特性。
<實施例3~8、比較例3~8>
除分別使用如下述表3所示之發光元件之峰值波長及螢光體之組合以外，與實施例1同樣製作實施例3~8及比較例3~8之發光裝置，與上述同樣評價亮度、Tc-duv及色再現性(NTSC比)。結果亦合併示於表3中。
自表3亦可知，本發明之發光裝置與先前產品相比，色再現性(NTSC比)飛躍性地提高，作為中、小型LCD用之背光光源具有較好之特性。

Claims (26)

  1. 一種組入有包含發光裝置之背光光源的液晶顯示器，發光裝置包括：發光元件，其發射初級光；及波長轉換部，其吸收自發光元件發射之初級光之一部分，並發射具有較初級光之波長為長之波長的次級光；且上述波長轉換部包含綠色系發光螢光體及紅色系發光螢光體，上述綠色系發光螢光體包含自實質上以通式(A)表示之β型SiAlON即2價銪活化氧氮化物螢光體、與實質上以通式(B)表示之2價銪活化矽酸鹽螢光體中所選之至少一種：通式(A)：Eu aSi bAl cO dN e(上述通式(A)中，0.005≦a≦0.4，b+c=12，d+e=16)；通式(B)：2(Ba 1-f-gMI fEu g)O‧SiO 2(上述通式(B)中，MI表示選自Mg、Ca及Sr中之至少一種鹼土金屬元素，0<f≦0.55，0.03≦g≦0.10)；上述紅色系發光螢光體包含自實質上以通式(C)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體、與實質上以通式(D)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體中所選之至少一種：通式(C)：MII 2(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(C)中，MII表示選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)； 通式(D)：MIV(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(D)中，MIV表示選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中之至少一種鹼土金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)。
  2. 一種組入有包含發光裝置之背光光源的液晶顯示器，發光裝置包括：發光元件，其發射初級光；及波長轉換部，其吸收自發光元件發射之初級光之一部分，並發射具有較初級光之波長為長之波長的次級光；且上述波長轉換部包含綠色系發光螢光體及紅色系發光螢光體，上述紅色系發光螢光體包含自實質上以通式(C)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體、與實質上以通式(D)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體中所選之至少一種：通式(C)：MII 2(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(C)中，MII表示選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)；通式(D)：MIV(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(D)中，MIV表示選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中之至少一種鹼土金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)，且其中以重量比為紅色系發光螢光體及綠色系發光螢光體之5~70%之範圍內混合綠色系發光螢光體。
  3. 一種組入有包含發光裝置之背光光源的液晶顯示器，發光裝置包括：發光元件，其發射初級光；及波長轉換部，其吸收自發光元件發射之初級光之一部分，並發射具有較初級光之波長為長之波長的次級光；且上述波長轉換部包含綠色系發光螢光體及紅色系發光螢光體，上述紅色系發光螢光體包含自實質上以通式(C)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體、與實質上以通式(D)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體中所選之至少一種：通式(C)：MII 2(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(C)中，MII表示選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)；通式(D)：MIV(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(D)中，MIV表示選自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中之至少一種鹼土金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)，且其中紅色系發光螢光體之混合比率高於綠色系發光螢光體之混合比率。
  4. 一種組入有包含發光裝置之背光光源的液晶顯示器，發光裝置包括：發光元件，其為發射峰值波長430~480nm之初級光之氮化鎵系半導體；及波長轉換部，其包含吸收自發光元件 發射之初級光之一部分，並發射具有較初級光之波長為長之波長的次級光的第一螢光體；及發射具有較自第一螢光體發射的次級光之波長為長之波長的次級光的第二螢光體，其中上述第二螢光體為實質上以通式(C)表示之4價錳活化氟化4價金屬鹽螢光體：通式(C)：MII 2(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(C)中，MII表示選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)，且其中第二螢光體之混合比率高於第一螢光體之混合比率。
  5. 一種組入有包含發光裝置之背光光源的液晶顯示器，發光裝置包括：發光元件，其用於產生峰值波長430~480nm之初級光；及矽樹脂，其覆蓋上述發光元件並包含：第一螢光體，其由錳、鉀、氟及選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之4價金屬元素所構成；及第二螢光體，其由銪、矽、鋁、氧及氮所構成，第二螢光體相對於第一螢光體的重量比為5至70%；及添加劑，其由二氧化矽所構成。
  6. 一種組入有包含發光裝置之背光光源的液晶顯示器，發光裝置包括： 發光元件，其用於產生峰值波長430~480nm之初級光；及矽樹脂，其覆蓋上述發光元件並包含：第一螢光體，其由錳、鉀、氟及選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之4價金屬元素所構成，及第二螢光體，其由銪、矽、鋁、氧及氮所構成，第二螢光體小於第一螢光體以重量計的量；及添加劑，其由二氧化矽所構成。
  7. 如請求項5之液晶顯示器，其中上述發光元件位在發光裝置之凹陷部的底部上；及分佈在上述矽樹脂中的第一螢光體及第二螢光體係提供於凹陷部中。
  8. 如請求項6之液晶顯示器，其中第二螢光體相對於第一螢光體之重量比為15至45%。
  9. 如請求項8之液晶顯示器，其中上述發光元件位在發光裝置之凹陷部的底部上；及分佈在上述矽樹脂中的第一螢光體及第二螢光體係提供於凹陷部中。
  10. 一種發光裝置，其包括：發光元件，其為發射峰值波長430~480nm之初級光之氮化鎵系半導體；及波長轉換部，其包含吸收自發光元件發射之初級光之一部分，並發射具有較初級光之波長為長之波長的次級光的第一螢光體；及發射具有較自第一螢光體發射的次級光之波長為長之波長的次級光的第二螢光體，其中上述第二螢光體為實質上以通式(C)表示之4價錳 活化氟化4價金屬鹽螢光體：通式(C)：MII 2(MIII 1-hMn h)F 6(上述通式(C)中，MII表示選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素，MIII表示選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素，0.001≦h≦0.1)，且其中第二螢光體之混合比率高於第一螢光體之混合比率。
  11. 如請求項10之發光裝置，其中波長轉換部含有至少一種選自SiO 2、TiO 2、ZrO 2、Al 2O 3及Y 2O 3之群組中之添加劑。
  12. 如請求項10之發光裝置，其中MIII為選自Si及Ti之群組中之至少一種。
  13. 如請求項10之發光裝置，其中0.005≦h≦0.05。
  14. 一種發光裝置，其包括：發光元件，其用於產生峰值波長430~480nm之初級光；及矽樹脂，其覆蓋上述發光元件並包含：第一螢光體，其由錳、鉀、氟及選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之4價金屬元素所構成，及第二螢光體，其由銪、矽、鋁、氧及氮所構成，第二螢光體相對於第一螢光體的重量比為5至70%；及添加劑，其由二氧化矽所構成。
  15. 如請求項14之發光裝置，其中上述發光元件位在發光裝置之凹陷部的底部上；及在上述矽樹脂中的第一螢 光體及第二螢光體係提供於凹陷部中。
  16. 一種發光裝置，其包括：發光元件，其用於產生峰值波長430~480nm之初級光；及矽樹脂，其覆蓋上述發光元件並包含：第一螢光體，其由錳、鉀、氟及選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之4價金屬元素所構成，及第二螢光體，其由銪、矽、鋁、氧及氮所構成，第二螢光體小於第一螢光體以重量計的量；及添加劑，其由二氧化矽所構成。
  17. 如請求項16之發光裝置，其中第二螢光體相對於第一螢光體的重量比為15至45%。
  18. 如請求項17之發光裝置，其中上述發光元件位在發光裝置之凹陷部的底部上；及在上述矽樹脂中的第一螢光體及第二螢光體係提供於凹陷部中。
  19. 一種發光裝置，其包括：發光元件，其用於產生峰值波長430~480nm之初級光；及矽樹脂，其覆蓋上述發光元件並包含：第一螢光體，其由錳、鉀、氟及選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之4價金屬元素所構成，自上述發光裝置發射的光具有第一螢光體所致紅發光峰值波長與上述發光元件所致藍發光峰值波長的光譜，紅發光峰值波長的強度大於藍發光峰值波長的強度；及 第二螢光體，其由銪、矽、鋁、氧及氮所構成，自上述發光裝置發射的光的光譜具有第二螢光體所致綠發光峰值波長，藍發光峰值波長的強度比綠發光峰值波長的兩倍強度大。
  20. 如請求項19之發光裝置，其中上述發光元件位在發光裝置之凹陷部的底部上；及上述矽樹脂係提供於凹陷部中。
  21. 如請求項20之發光裝置，其中第一螢光體及第二螢光體係分布在上述矽樹脂中。
  22. 如請求項21之發光裝置，其中上述矽樹脂進一步包含由二氧化矽所構成之添加劑。
  23. 一種發光裝置，其包括：發光元件，其用於產生峰值波長430~480nm之初級光；及矽樹脂，其覆蓋上述發光元件並包含：第一螢光體，其由錳、氟、選自Li、Na、K、Rb及Cs中之至少一種鹼金屬元素、及選自Ge、Si、Sn、Ti及Zr中之至少一種4價金屬元素所構成；及第二螢光體，其由銪、矽、鋁、氧及氮所構成，自上述發光裝置發射之色溫不小於6800K的光的光譜具有第二螢光體所致綠發光峰值波長與上述發光元件所致藍發光峰值波長，且藍發光峰值波長的強度比綠發光峰值波長的兩倍強度大。
  24. 如請求項23之發光裝置，其中上述發光元件位在 發光裝置之凹陷部的底部上；及上述矽樹脂係提供於凹陷部中。
  25. 如請求項24之發光裝置，其中第一螢光體及第二螢光體係分布在上述矽樹脂中。
  26. 如請求項25之發光裝置，其中上述矽樹脂進一步包含由二氧化矽所構成之添加劑。
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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8214741B2 (en) 2002-03-19 2012-07-03 Sharp Laboratories Of America, Inc. Synchronization of video and data
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
EP3045965B1 (en) 2008-02-07 2020-05-27 Mitsubishi Chemical Corporation Red emitting fluoride phosphor activated by mn4+
US8237348B2 (en) 2008-03-03 2012-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
TWI515286B (zh) * 2010-11-22 2016-01-01 宇部材料股份有限公司 Silicate phosphors and light-emitting devices having high light-emitting characteristics and moisture resistance
JP5864851B2 (ja) * 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
CN102250611B (zh) * 2011-07-26 2013-09-11 彩虹集团公司 一种硅酸盐绿色荧光粉及其制备方法
US9082349B2 (en) * 2011-08-30 2015-07-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-primary display with active backlight
US10688527B2 (en) 2011-09-22 2020-06-23 Delta Electronics, Inc. Phosphor device comprising plural phosphor agents for converting waveband light into plural color lights with different wavelength peaks
US10310363B2 (en) 2011-09-22 2019-06-04 Delta Electronics, Inc. Phosphor device with spectrum of converted light comprising at least a color light
TWI448806B (zh) 2011-09-22 2014-08-11 Delta Electronics Inc 螢光劑裝置及其所適用之光源系統及投影設備
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
DE102012105208A1 (de) * 2012-06-15 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlichtquelle
JP5928610B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置
KR20150103125A (ko) 2012-12-28 2015-09-09 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 발광 장치
US9580648B2 (en) 2013-03-15 2017-02-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9698314B2 (en) 2013-03-15 2017-07-04 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
CN105324860A (zh) * 2013-06-18 2016-02-10 夏普株式会社 发光装置
US9399732B2 (en) 2013-08-22 2016-07-26 General Electric Company Processes for preparing color stable manganese-doped phosphors
US10268078B2 (en) 2013-08-23 2019-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US11041118B2 (en) 2013-08-29 2021-06-22 Nichia Corporation Fluoride fluorescent material and method for producing the same as well as light emitting device using the same
JP6334133B2 (ja) * 2013-10-30 2018-05-30 大日本印刷株式会社 高色域液晶表示装置
US20150123153A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-07 General Electric Company Led package with red-emitting phosphors
WO2015068513A1 (ja) 2013-11-08 2015-05-14 シャープ株式会社 発光装置、及び照明装置
JP6201665B2 (ja) * 2013-11-13 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法並びに発光装置及びカラーフィルターの選択方法
US9388336B2 (en) 2013-12-13 2016-07-12 General Electric Company Processes for preparing color stable manganese-doped complex fluoride phosphors
CN105899641B (zh) 2013-12-26 2019-05-14 电化株式会社 荧光体和发光装置
WO2015114958A1 (ja) 2014-01-28 2015-08-06 シャープ株式会社 発光ダイオード駆動装置及び照明装置
WO2015129741A1 (ja) 2014-02-26 2015-09-03 電気化学工業株式会社 蛍光体、発光素子及び発光装置
JP6155383B2 (ja) 2014-02-26 2017-06-28 デンカ株式会社 蛍光体、発光素子及び発光装置
US10230022B2 (en) 2014-03-13 2019-03-12 General Electric Company Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots
US9755116B2 (en) 2014-03-14 2017-09-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP6187509B2 (ja) * 2014-03-14 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6394742B2 (ja) * 2014-03-14 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR102164079B1 (ko) 2014-05-30 2020-10-12 엘지이노텍 주식회사 산질화물계 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지
US9385282B2 (en) 2014-06-12 2016-07-05 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9567516B2 (en) 2014-06-12 2017-02-14 General Electric Company Red-emitting phosphors and associated devices
US9376615B2 (en) 2014-06-12 2016-06-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9371481B2 (en) 2014-06-12 2016-06-21 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9929319B2 (en) 2014-06-13 2018-03-27 General Electric Company LED package with red-emitting phosphors
KR101809793B1 (ko) 2014-09-30 2017-12-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 불화물 형광체 및 그 제조 방법 및 발광 장치
WO2016056485A1 (ja) * 2014-10-10 2016-04-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
US10047286B2 (en) 2014-10-27 2018-08-14 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
US9982190B2 (en) 2015-02-20 2018-05-29 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
JP5952938B1 (ja) 2015-04-21 2016-07-13 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
CN106281320A (zh) 2015-05-21 2017-01-04 隆达电子股份有限公司 荧光粉、其制备方法及包含其发光装置与背光模块
JP6100831B2 (ja) * 2015-05-26 2017-03-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
CN106244143B (zh) 2015-06-04 2019-08-27 隆达电子股份有限公司 具有优选方向的荧光粉、其制备方法及包含其的发光元件封装结构
DE102016111384A1 (de) * 2015-06-29 2016-12-29 Ford Global Technologies, Llc Photolumineszierende Windenvorrichtung
US10381528B2 (en) 2015-08-31 2019-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Image display apparatus
TWI564367B (zh) 2015-11-16 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 氟化物螢光粉、其製備方法及包含其之發光裝置與背光模組
JP6852401B2 (ja) * 2015-12-04 2021-03-31 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
TWI618946B (zh) * 2015-12-22 2018-03-21 Delta Electronics, Inc. 螢光劑裝置及其製造方法
TWI575058B (zh) 2016-01-06 2017-03-21 隆達電子股份有限公司 螢光粉、其製備方法、調控其晶相的方法、及使其產生相轉變的方法
JP6212589B2 (ja) 2016-03-28 2017-10-11 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
US11114591B2 (en) 2016-08-17 2021-09-07 Current Lighting Solutions, Llc Core-shell materials with red-emitting phosphors
TWI652329B (zh) 2016-10-19 2019-03-01 隆達電子股份有限公司 含有片狀結晶體之氟化物螢光粉及其製造方法與應用
TWI615458B (zh) 2016-10-28 2018-02-21 隆達電子股份有限公司 波長轉換膜片及應用其之發光裝置與顯示器
JP6923816B2 (ja) * 2017-01-13 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018137321A (ja) 2017-02-21 2018-08-30 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
WO2018181908A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示装置及びヘッドマウントディスプレイ
JP6670804B2 (ja) * 2017-08-02 2020-03-25 シャープ株式会社 発光装置及び画像表示装置
US10177287B1 (en) * 2017-09-19 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Gamut broadened displays with narrow band green phosphors
WO2021185756A1 (de) * 2020-03-16 2021-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoff, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060169998A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Gelcore, Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US20070012931A1 (en) * 2003-04-25 2007-01-18 Luxpia Co., Ltd. White semiconductor light emitting device
WO2007066733A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016A (en) * 1849-01-09 Improvement in corn-planters
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2003121838A (ja) 2001-08-06 2003-04-23 Toray Ind Inc 液晶表示装置
EP1490453B1 (en) 2002-03-25 2012-08-15 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Tri-color white light led lamp
JP4053926B2 (ja) 2002-05-27 2008-02-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子とそれを用いた発光装置
JP2005530349A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 クリー　インコーポレイテッド 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
JP4124684B2 (ja) 2003-03-25 2008-07-23 セイコーインスツル株式会社 半透過型液晶表示装置
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
US7391060B2 (en) 2004-04-27 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
US20070291467A1 (en) 2004-06-29 2007-12-20 Hideo Nagai Illumination Source
JP2006083219A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP5086641B2 (ja) * 2004-09-22 2012-11-28 株式会社東芝 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
JP2006165266A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US20070114562A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7648649B2 (en) 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
JP2006261600A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法
JP2007027421A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Harison Toshiba Lighting Corp Ｌｅｄパッケージ及び照明装置
JP2007088300A (ja) 2005-09-22 2007-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びに照明装置及び画像表示装置
JP4769132B2 (ja) 2005-11-30 2011-09-07 シャープ株式会社 発光装置
JP4971630B2 (ja) * 2005-12-21 2012-07-11 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに発光装置
EP1985683B1 (en) 2006-02-02 2013-08-28 Mitsubishi Chemical Corporation Complex oxynitride phosphor, light-emitting device using same, image display, illuminating device, phosphor-containing composition and complex oxynitride
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP2008021868A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Nippon Electric Glass Co Ltd 蛍光体複合部材
CN101600778B (zh) 2006-11-20 2013-10-23 电气化学工业株式会社 荧光物质及其生产方法、以及发光器件
US8237348B2 (en) 2008-03-03 2012-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2009280763A (ja) 2008-05-26 2009-12-03 Sharp Corp 蛍光体調製物およびそれを用いた発光装置
KR101378813B1 (ko) 2010-01-08 2014-03-27 샤프 가부시키가이샤 형광체, 발광 장치, 및 그를 사용한 액정 표시 장치
JP4740379B1 (ja) 2010-02-25 2011-08-03 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体、その用途及びβ型サイアロン蛍光体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070012931A1 (en) * 2003-04-25 2007-01-18 Luxpia Co., Ltd. White semiconductor light emitting device
US20060169998A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Gelcore, Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
WO2007066733A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具

Also Published As

Publication number Publication date
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TW201828490A (zh) 2018-08-01
US8362685B2 (en) 2013-01-29
TWI456789B (zh) 2014-10-11
US20110043101A1 (en) 2011-02-24
CN101960624B (zh) 2012-09-26
TW201503406A (zh) 2015-01-16
US9184353B2 (en) 2015-11-10

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