TWI648611B - 電壓調節器 - Google Patents
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Abstract
提供即使於高溫中，也可保持輸出電壓的精
度的電壓調節器。
作為具備將基準電壓電路所輸出的基準
電壓與對輸出電晶體輸出之輸出電壓進行分壓的分壓電路所輸出的分壓電壓此兩者的差，予以放大並輸出，控制輸出電晶體的閘極的誤差放大電路、切換分壓電路的分壓電壓的開關電路、及輸出因應溫度的訊號，控制開關電路的溫度檢測電路的構造。
Description
本發明係關於在高溫時減低漏電流的影響，具備可保持輸出電壓之精度的分壓電路的電壓調節器。
針對先前的電壓調節器進行說明。圖9係揭示先前的電壓調節器的電路圖。
差動放大電路104係比較基準電壓電路103所輸出的基準電壓VREF與分壓電路106所輸出的回授電壓VFB，以基準電壓VREF與回授電壓VFB成為相同電壓之方式控制輸出電晶體105的閘極電壓。將輸出端子102的電壓設為VOUT的話，VOUT可利用後述的計算式求出。
VOUT=(RS+RF)/RS×VREF‧‧‧(1)
在此，RF表示電阻121的電阻值，RS表示電阻122的電阻值。
基準電壓電路103係以Nch空乏電晶體131與NMOS電晶體132構成，以保持對於溫度之輸出電壓
VOUT的精度之方式進行控制(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開平9-326469號公報
構成基準電壓電路103的NMOS電晶體132及Nch空乏電晶體131變成流通接面漏電流及通道漏電流的高溫狀態的話，會因為漏電流的影響，基準電壓VREF減少(參照圖8(A))。所以，先前的電壓調節器係有高溫時無法將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內的課題。
本發明係有鑑於前述課題所發明者，提供即使因漏電流的影響而基準電壓VREF減少，也可保持輸出電壓VOUT之精度的電壓調節器。
為了解決先前的課題，本發明的電壓調節器如以下的構造。
具備將基準電壓電路所輸出的基準電壓與對輸出電晶體輸出之輸出電壓進行分壓的分壓電路所輸出的分壓電壓
此兩者的差，予以放大並輸出，控制輸出電晶體的閘極的誤差放大電路、切換分壓電路的分壓電壓的開關電路、及輸出因應溫度的訊號，控制開關電路的溫度檢測電路。
本發明之具備分壓電路的電壓調節器，係即使因高溫時的漏電流而基準電壓減少，也可利用使連接於輸出端子之分壓電阻的電阻值變化，讓輸出電壓VOUT上升，可將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
102‧‧‧輸出端子
103‧‧‧基準電壓電路
104‧‧‧差動放大電路
105‧‧‧輸出電晶體
106‧‧‧分壓電路
111‧‧‧溫度檢測電路
112‧‧‧分壓電路
121‧‧‧電阻
122‧‧‧電阻
123‧‧‧電阻
124‧‧‧NMOS電晶體
131‧‧‧Nch空乏電晶體
132‧‧‧NMOS電晶體
201‧‧‧反相器
202‧‧‧反相器
203‧‧‧定電流電路
204‧‧‧二極體
301‧‧‧定電流電路
302‧‧‧比較電路
303‧‧‧電阻
403‧‧‧定電流電路
404‧‧‧反相器
405‧‧‧反相器
406‧‧‧二極體
502‧‧‧NMOS電晶體
504‧‧‧二極體
601‧‧‧PMOS電晶體
701‧‧‧NMOS電晶體
[圖1]揭示第一實施形態的電壓調節器的概略圖。
[圖2]揭示第一實施形態的電壓調節器之一例的電路圖。
[圖3]揭示第一實施形態的電壓調節器之其他例的電路圖。
[圖4]揭示第一實施形態的電壓調節器之其他例的電路圖。
[圖5]揭示第二實施形態的電壓調節器之一例的電路圖。
[圖6]揭示第二實施形態的電壓調節器之其他例的電路圖。
[圖7]揭示第二實施形態的電壓調節器之其他例的電
路圖。
[圖8]各實施形態及先前電路之電壓調節器的輸出電壓與溫度特性的圖。
[圖9]揭示先前的電壓調節器的電路圖。
圖1係第一實施形態的電壓調節器的概略圖。第一實施形態的電壓調節器，係以基準電壓電路103、差動放大電路104、輸出電晶體105、分壓電路112、溫度檢測電路111、接地端子100、電源端子101、輸出端子102構成。基準電壓電路103係以Nch空乏電晶體131與NMOS電晶體132構成。分壓電路112係以電阻121、122、123與NMOS電晶體124構成。
差動放大電路104係基準電壓電路103的輸出端子連接於反轉輸入端子，分壓電路112的輸出端子連接於非反轉輸入端子，輸出端子連接於輸出電晶體105的閘極。輸出電晶體105係源極連接於電源端子101，汲極連接於輸出端子102。分壓電路112係電阻121、電阻122、電阻123串聯連接於輸出端子102與接地端子100之間，NMOS電晶體124與電阻122並聯連接。溫度檢測電路111係輸出端子連接於NMOS電晶體124的閘極。
接著，針對第一實施形態的電壓調節器的動
作進行說明。
將基準電壓電路103之常溫時的輸出電壓設為VREF。常溫時，溫度檢測電路111係輸出High訊號，使NMOS電晶體124成為ON。所以，分壓電路112係以電阻121、123構成。
高溫時，因為電晶體的接面漏電流及通道漏電流的影響，基準電壓電路103的輸出電壓會減少。然後，溫度檢測電路111的輸出係輸出Low訊號，使NMOS電晶體124成為OFF。所以，分壓電路112係以電阻121、電阻122、123構成。此時，輸出端子102的輸出電壓VOUT係以以下式表示。
VOUT=(RS+RF+RA)/RS×VREFH‧‧‧(2)
RS表示電阻123的電阻值，RF表示電阻121的電阻值，RA表示電阻122的電阻值，VREFH表示高溫時之基準電壓電路103的輸出電壓。利用使分壓電路112的電阻值RA增加因高溫時的漏電流而基準電壓VREF減少之份量，可抵消輸出電壓VOUT的減少。電阻值RA係滿足以下條件為佳。
RA/RS×VREFH>(VREF-VREFH)‧‧‧(3)
於圖8(B)揭示第一實施形態的電壓調節器之輸出電壓VOUT與溫度Ta的關係。利用高溫時溫度檢測電路111進行檢測動作，輸出Low訊號，可使輸出電壓VOUT上升而保持一定範圍內。
圖2係詳細揭示第一實施形態的電壓調節器之溫度檢測電路111的構造的電路圖。溫度檢測電路111係以定電流電路203、二極體204、反相器201、202構成。定電流電路203係一方的端子連接於電源端子101，另一方的端子連接於反相器201的輸入及二極體204的陽極。二極體204的陰極係連接於接地端子100。反相器202係輸入連接於反相器201的輸出，輸出連接於NMOS電晶體124的閘極。
說明溫度檢測電路111的動作。定電流電路203的定電流係例如像能帶隙參考電路之不溫度相依的電流。二極體204的兩端的電壓大概具有-2mV程度的負的溫度係數。因此，高溫時二極體204的陽極的電壓減少，成為反相器201的轉向電壓以下時，反相器201係輸出High訊號，反相器202係輸出Low訊號。亦即，溫度檢測電路111係高溫時輸出Low訊號。
再者，NMOS電晶體124及電阻122係連接在輸出端子102與電阻121之間亦可。又，NMOS電晶體124係使閘極的輸入訊號轉向的話，使用PMOS電晶體亦可。又，基準電壓電路103與溫度檢測電路111係只要是滿足本發明的動作者，作為任何構造亦可。
根據以上內容，第一實施形態的電壓調節器，係即使因高溫時的漏電流而基準電壓VREF減少，也可利用增加分壓電路112的電阻值，將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內。
圖3係揭示第一實施形態的電壓調節器之其他例的電路圖。
以下記載與圖2的電路的不同。分壓電路112係將NMOS電晶體701並聯設置於電阻123，將輸出端子設為電阻121與電阻122的連接點。溫度檢測電路111係以反相器201構成輸出級，將反相器201的輸出端子，作為溫度檢測電路111的輸出端子，與NMOS電晶體701的閘極連接。
溫度檢測電路111的動作，係輸出邏輯以外，與圖2相同。在高溫時，二極體204之兩端的電壓會減少，超過反相器201的臨限值時，反相器201係作為溫度檢測電路111的輸出，輸出High訊號。然後，為了讓分壓電路112的NMOS電晶體701成為ON，輸出電壓VOUT以式(6)表示。
VOUT=(RA+RF)/RA×VREFH‧‧‧(6)
所以，藉由使回授電壓VFB減少因漏電流的影響而基準電壓電路103的基準電壓VREF減少之量，可將輸出電壓VOUT保持在一定範圍內。
圖4係揭示第一實施形態的電壓調節器之溫度檢測電路111的其他例的電路圖。溫度檢測電路111係以定電流電路301、比較電路302、電阻303構成。定電流電路301係一方的端子連接於電源端子101，另一方的端子連接於電阻303及比較電路302的反轉輸入端子。電
阻303係一方的端子連接於比較電路302的反轉輸入端子，另一方的端子連接於接地端子100。比較電路302係非反轉輸入端子連接於基準電壓電路103的輸出，輸出端子連接於NMOS電晶體124的閘極。
定電流電路301的定電流，係例如如利用電晶體的弱反轉區域的電路及PTAT電路，具有具正的溫度係數的電流，電阻303係例如以-100ppm程度之具有稍微負的溫度係數的電阻。如此一來，電阻303的兩端的電壓能以具有正的溫度係數之方式構成。又，利用於電阻303使用例如具有-4000ppm程度之較大負的溫度係數的電阻，能以電阻303的兩端的電壓具有負的溫度係數之方式構成。定電流電路301的定電流與電阻303係以可微調(trimming)之方式設定。
溫度檢測電路111係利用比較電路302比較具有正的溫度係數或負的溫度係數之電阻303的兩端的電壓與基準電壓電路103的輸出電壓。基準電壓電路103的輸出電壓低於電阻303之兩端的電壓時，比較電路302的輸出端子係輸出Low訊號。因此，利用以微調來調整電阻303之兩端的電壓的溫度係數，不僅高溫時的漏電流的影響，也可直接檢測出基準電壓電路103之輸出端子的溫度特性。
分壓電路112的動作係與第一實施例相同，高溫時，從溫度檢測電路111輸出Low訊號，NMOS電晶體124成為OFF，於電阻121加算電阻123。如此，滿
足式(2)及式(3)的條件，輸出電壓VOUT一度上升，輸出電壓VOUT的精度可保持在一定範圍內。又，在低溫時，基準電壓電路103的輸出電壓減少時，從溫度檢測電路111輸出Low訊號，NMOS電晶體124成為OFF，於電阻121加算電阻123。如此，輸出電壓VOUT會一度上升，可將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內。如圖8(C)所示，在高溫側與低溫側中輸出電壓VOUT會一度上升。
再者，基準電壓電路與溫度檢測電路係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，第一實施形態的電壓調節器，係可不依據溫度，利用增加連接於輸出端子之分壓電阻的電阻值，使輸出電壓VOUT上升。所以，可將輸出電壓VOUT的精度，不依據溫度而保持在一定範圍內。
圖5係揭示第二實施形態的電壓調節器之一例的電路圖。與第一實施形態的不同，是存在兩個溫度檢測電路之處。
例如，定電流電路403與203係電流值不同，二極體406與204使用相同特性者。反相器201、202、404、405使用相同特性者。根據定電流電路403與203之電流值的差，二極體406與二極體204之兩端的電
壓會產生差，檢測之溫渡也會產生差。因此，在溫度檢測電路111的兩個輸出，輸出Low訊號的溫度不同。所以，使分壓電路112的NMOS電晶體124與NMOS電晶體402成為OFF的溫度產生差，可對於溫度來階段性修正輸出電壓VOUT。如此，滿足式(2)及式(3)的條件，如圖8(D)所示，可縮小高溫時之輸出電壓VOUT的溫度變化。
再者，在圖5中，使用兩個與分壓電路112的NMOS電晶體並聯連接的電阻，但是，並不限定於兩個，將3個以上串聯連接亦可。又，基準電壓電路與溫度檢測電路係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，第二實施形態的電壓調節器，係將高溫時與分壓電路112的NMOS電晶體並聯連接之電阻設為至少兩個以上，與使溫度檢測電路111的輸出具有檢測溫度差。如此一來，高溫時，利用使連接於輸出端子102之分壓電阻的電阻值階段性增加，使輸出電壓VOUT階段性上升，可將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內。
圖6係揭示第二實施形態的電壓調節器之其他例的電路圖。與圖5之電壓調節器的不同，係串聯連接定電流電路203與二極體204與二極體504來構成溫度檢測電路111之處。
溫度檢測電路111係藉由串聯連接兩個二極
體，使二極體204之陽極的電壓具有大概具有-4mV程度的負的溫度係數。另一方面，二極體504之陽極的電壓大概具有-2mV程度的負的溫度係數。因此，可藉由二極體之溫度係數的差，使檢測溫度具有差。所以，使分壓電路112的NMOS電晶體502與NMOS電晶體124成為OFF狀態之溫度產生差，故可對於溫度來階段性修正輸出電壓VOUT。如此，滿足式(2)及式(3)，如圖8(D)所示，可縮小高溫時輸出電壓VOUT的溫度變化。又，利用將定電流電路設為1個，可低消費化。
再者，關於具有檢測溫度差的方法，使用定電流電路之電流值的差及二極體之溫度係數的差，但是，使反相器的臨限值具有差的方法亦可。又，使用兩個與分壓電路112的NMOS電晶體並聯連接的電阻，但是，並不限定於兩個，將3個以上串聯連接亦可。又，基準電壓電路與溫度檢測電路係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，本實施形態的電壓調節器，係將高溫時與分壓電路112的NMOS電晶體並聯連接之電阻設為至少兩個以上，與使溫度檢測電路111的輸出具有檢測溫度差。如此一來，高溫時，利用使連接於輸出端子102之分壓電阻的電阻值階段性增加，使輸出電壓VOUT階段性上升，可將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內。
圖7係揭示第二實施形態的電壓調節器之其
他例的電路圖。與圖6的不同，係刪除反相器202，將NMOS電晶體124變更為PMOS電晶體601之處。
藉由使用PMOS電晶體601，利用流通從電源端子101經由基板而流入電路內的接面漏電流，與從NMOS電晶體502的內部流出至接地端子的接面漏電流相抵消之方向的電流，可抑制對輸出電壓VOUT之漏電流的影響。
再者，基準電壓電路103與溫度檢測電路111係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，利用作為高溫時使輸出電壓VOUT上升的分壓電路112的開關，使用NMOS電晶體與PMOS電晶體，使開關用的電晶體產生之漏電流相抵消，可更高精度地使輸出電壓VOUT階段性上升。又，可更縮小高溫時輸出電壓VOUT的溫度變化。
如以上所說明般，本發明的電壓調節器，係於溫度檢測電路111與分壓電路112設置承受該輸出的開關電晶體，根據溫度，控制分壓電路112的電阻值，藉此，可將輸出電壓VOUT的精度保持在一定範圍內。
再者，本發明的電路構造並不限定於圖1至圖7者，也可適當組合構成。
又，基準電壓電路與溫度檢測電路係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
Claims (3)
- 一種電壓調節器，其特徵為具備：誤差放大電路，係將基準電壓電路所輸出的基準電壓，與對輸出電晶體輸出之輸出電壓進行分壓的分壓電路所輸出的分壓電壓此兩者的差，予以放大並輸出，控制前述輸出電晶體的閘極；開關電路，係切換前述分壓電路的前述分壓電壓；及溫度檢測電路，係輸出因應溫度的訊號，控制前述開關電路；前述溫度檢測電路係具備：定電流電路及電阻，係串聯連接於電源端子與接地端子之間；及比較電路，係反轉輸入端子連接於前述定電流電路及前述電阻的連接點，非反轉輸入端子連接於前述基準電壓電路，輸出端子連接於前述開關電路。
- 如申請專利範圍第1項所記載之電壓調節器，其中，前述分壓電路係具備：複數電阻，係串聯連接；及前述開關電路，係並聯連接於前述電阻。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之電壓調節器，其中，前述開關電路，係以MOS電晶體所構成。
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| KR20240079337A (ko) * | 2022-11-29 | 2024-06-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전압 레귤레이터 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4505600A (en) * | 1982-11-18 | 1985-03-19 | Nittan Company, Ltd. | Temperature sensor |
| JPH09326469A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Seiko Instr Inc | 基準電圧回路およびその設計方法 |
| US20020057125A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-05-16 | Hironobu Demizu | Switching power supply device |
| US20070216461A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Koichi Morino | Semiconductor device and an electronic apparatus incorporating the semiconductor device |
| US7319314B1 (en) * | 2004-12-22 | 2008-01-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Replica regulator with continuous output correction |
| US20130038314A1 (en) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Renesas Electronics Corporation | Voltage generation circuit |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3198820B2 (ja) * | 1994-09-08 | 2001-08-13 | 富士電機株式会社 | 温度検出装置 |
| JP2003029855A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 定電圧回路装置 |
| JP4108695B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2008-06-25 | 三菱電機株式会社 | 車載電子制御装置 |
| JP4869839B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-02-08 | 株式会社リコー | ボルテージレギュレータ |
| JP2009087293A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Nec Electronics Corp | 安定化電源回路 |
| JP5099505B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-12-19 | セイコーインスツル株式会社 | ボルテージレギュレータ |
| JP2013012000A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | レギュレータ用半導体集積回路 |
| US9280164B2 (en) * | 2013-01-18 | 2016-03-08 | Sanken Electric Co., Ltd. | Switching power-supply device and method for manufacturing switching power-supply device |
-
2013
- 2013-10-15 JP JP2013214936A patent/JP6211887B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-09-19 TW TW103132400A patent/TWI648611B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2014-10-13 US US14/512,732 patent/US9618951B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4505600A (en) * | 1982-11-18 | 1985-03-19 | Nittan Company, Ltd. | Temperature sensor |
| JPH09326469A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Seiko Instr Inc | 基準電圧回路およびその設計方法 |
| US20020057125A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-05-16 | Hironobu Demizu | Switching power supply device |
| US7319314B1 (en) * | 2004-12-22 | 2008-01-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Replica regulator with continuous output correction |
| US20070216461A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Koichi Morino | Semiconductor device and an electronic apparatus incorporating the semiconductor device |
| US20130038314A1 (en) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Renesas Electronics Corporation | Voltage generation circuit |
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