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TWI644525B - 用於光子通訊及光子定址之裝置及方法 - Google Patents

用於光子通訊及光子定址之裝置及方法 Download PDF

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TWI644525B
TWI644525B TW106105447A TW106105447A TWI644525B TW I644525 B TWI644525 B TW I644525B TW 106105447 A TW106105447 A TW 106105447A TW 106105447 A TW106105447 A TW 106105447A TW I644525 B TWI644525 B TW I644525B
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席翁 昆蘭
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Abstract

本文揭示用於光通訊及光定址之裝置及方法。一實例性裝置包含提供各依一不同波長之複數個光源之一光源層、複數個第二層及一第三層。該等第二層之各者可與一各自波長相關聯，且可包含調諧至其等各自波長之光濾波器、一光調變器及一光偵測器。該第三層可包含複數個光電路，其中各光電路與一各自第二層相關聯且包含調諧至與一各自第二層相關聯之一各自波長之一光濾波器、一光偵測器及一光調變器。經調變光信號及未經調變光信號可提供於該等第二層與第三層之間，其中該等光信號之各自波長充當該複數個第二層之各者之一位址。

Description

用於光子通訊及光子定址之裝置及方法
包含多個半導體晶粒之封裝型半導體器件可能需要高內部資料速率以滿足操作速度之當前及未來趨勢。雖然標準資料傳輸技術仍可提供對資料速率之未來增加，但當前可用增加可受限於晶粒之實體組件及互連材料。例如，形成於晶粒之間的電連接可限制其上提供之信號，且亦可限制可達成之資料速率。據此，可能需要替代通訊技術。
在本發明之一個態樣中，一種裝置包含第一光路徑及第二光路徑以及一第一層、複數個第二層及一第三層。該第一層至少耦合至該第一光路徑，且該第一層經組態以將複數個光信號提供至該第一光路徑，其中該複數個光信號之各者具有一不同波長。該複數個第二層耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，其中該複數個第二層之各第二層基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯。該複數個第二層之各第二層包含一第一光調變器電路及一第二光濾波器。該第一光調變器電路耦合至該第一光路徑。第一光濾波器經組態以自該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將包含該各自波長之該經濾波光信號之該複數個光信號提供至該第一光路徑。該第二光濾波器耦合至該第二光路徑。該第二光濾波器經組態以自該第二光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將剩餘複數個光信號提供至該第二光路徑。該第三層包含複數個光電路且耦合至該第一光路徑及該第二光路徑。該複數個光電路之各光電路基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，使得存在與該複數個第二層之各第二層相關聯之一光電路。該複數個光電路之各光電路經組態以接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該各自波長之該經濾波光信號提供至該第二光路徑。 在本發明之另一態樣中，一種裝置包含第一光路徑及第二光路徑、一第一層、複數個第二層及一第三層。該第一層至少耦合至該第一光路徑，且該第一層經組態以將複數個光信號提供至該第一光路徑，其中該複數個光信號之各者具有一不同波長。該複數個第二層耦合至該第一光路徑及該第二光路徑。該複數個第二層之各第二層基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯。該複數個第二層之各第二層包含一第一光濾波器及一第一光調變器。該第一光濾波器耦合至該第一光路徑且經組態以自該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該複數個光信號提供至該第一光路徑。該第一光調變器耦合至該第一光濾波器且經組態以調變該各自波長之該經濾波光信號且將該各自波長之該經調變光信號提供至該第一光路徑。該第三層包含複數個光電路且耦合至該第一光路徑及該第二光路徑。該複數個光電路之各光電路基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯。該複數個光電路之各光電路經組態以經由該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該各自波長之一經調變光信號轉換成對應電信號。 在本發明之另一態樣中，一種裝置包含第一光路徑及第二光路徑、一第一層、複數個第二層及一第三層。該第一層至少耦合至該第一光路徑且經組態以將複數個光信號提供至該第一光路徑，其中該複數個光信號之各者具有一不同波長。該複數個第二層耦合至該第一光路徑及該第二光路徑且基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯。該複數個第二層之各第二層包含一第一光調變器電路、一第二光濾波器及一第一光偵測器。該第一光調變器電路耦合至該第一光路徑。第一光濾波器經組態以自該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將包含該各自波長之該經濾波光信號之該複數個光信號提供至該第一光路徑。該第二光濾波器耦合至該第二光路徑。該第二光濾波器經組態以自該第二光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將剩餘複數個光信號提供至該第二光路徑。該第一光偵測器耦合至該第二光濾波器，且經組態以接收該各自波長之該光信號，且基於該各自波長之該經濾波光信號經調變，將該各自波長之該經調變經濾波光信號轉換成對應電信號。該第三層包含複數個光電路且耦合至該第一光路徑及該第二光路徑。該複數個光電路之各光電路基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，使得存在與該複數個第二層之各第二層相關聯之一光電路。該複數個光電路之各光電路經組態以接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、調變該各自波長之該光信號、及將該各自波長之該經濾波經調變光信號提供至該第二光路徑。 在本發明之另一態樣中，一種裝置包含一光源層、複數個記憶體晶粒及一邏輯晶粒。該光源層包含複數個光源。該複數個光源之各者提供一不同波長之一光信號，其中該複數個光信號提供至一第一光路徑。該複數個記憶體晶粒之各記憶體晶粒包含耦合至該第一光路徑之一光調變電路，且進一步包含耦合至一第二光路徑之一光偵測電路。該複數個記憶體晶粒之各記憶體晶粒與一光信號之一各自波長相關聯且由該光信號之該各自波長定址。該邏輯晶粒耦合至該第一光路徑及該第二光路徑且包含複數個光電路。該複數個光電路之各光電路與一光信號之一各自波長相關聯，且與該第一光路徑及該第二光路徑相關聯。該複數個光信號之各者藉由該第一光路徑提供至該第三層，且藉由該第三層提供該複數個光信號至該第二光路徑。
本文揭示用於光通訊及光定址之裝置及方法。本發明之實施例提供在具有多個半導體晶粒之一封裝型半導體器件內使用基於光之信號來傳輸及接收封包且進一步使用該等信號之一特性來定址該器件之個別晶粒的實例。例如，包含一記憶體晶粒堆疊之一記憶體器件可由於存在記憶體晶粒而包含各自數目個光源，且各個各自光源之波長可用來指示一封包提供至其或自其接收之一記憶體晶粒。下文闡述特定細節以提供本發明之實施例之一充分理解。然而，熟習此項技術者將清楚，可在無此等特定細節之各個態樣之情況下實踐本發明之實施例。在一些例項中，未詳細展示熟知器件組件、電路、控制信號、時序協定及軟體操作以避免不必要地模糊所描述之本發明之實施例。 資料傳輸速率與基於半導體之電子器件之電子效能並駕齊驅地增加。然而，在使用標準電信號(例如，傳播通過一導電跡線之電脈衝)時較高資料速率可引發各種問題。例如，多數電子電路(例如IC)較小且包含通常載送大量快速移動電信號之各種信號通路。快速移動電信號可產生(列舉一些潛在問題)串擾、同時切換雜訊及干擾問題。在包含多個互連半導體晶粒且大量資料在晶粒間移動之器件中此等問題可複雜化。另外，高資料速率，且更具體言之，驅動資料速率之電子電路可需要高功率位準，此可產生過量熱。 除其他限制因素外，互連半導體晶粒內之資料速率亦可受限於實體互連件(例如，提供連接之電跡線)。實體通路限制資料速率之一種方式可歸因於在任何給定時間可透過電跡線傳輸之有限資訊量。例如，雖然電信號之頻率調變可容許同時傳輸不同資訊(例如，資訊封包)，但用於驅動及偵測各種頻率之電信號之電路可能不具能量效率。因而，可能需要在限制能量消耗之數個互連半導體晶粒內傳輸多個不同資訊封包，同時提供高資料速率。 一種解決方案可為在數個互連半導體晶粒之間提供光通訊路徑。在一些實例中，互連晶粒可包含於一單個封包中。光通訊路徑可包含各提供不同波長之光信號之一或多個光源。不同波長之各者可與互連晶粒之一單個晶粒相關聯，使得該波長操作為一各自晶粒之一位址。例如，包含複數個互連記憶體晶粒之一記憶體器件可使用一不同波長之一光信號來定址複數個記憶體晶粒之各者。實例性記憶體器件亦可包含一邏輯層以接收及提供各波長之光信號，且一包含光層可提供各波長之一光信號。 圖1係根據本發明之一實施例之一裝置100之一方塊圖。裝置100可為包含數個互連半導體晶粒之一電子器件。雖然本發明不限於一特定類型之電子器件，出於圖解目的，本發明將使用一記憶體器件作為一實例進行論述，但該記憶體器件不應被視為限制性。然而，一般言之，裝置100可為包含安置於一單個封包中之多個互連晶粒之任何電子器件。裝置100可包含光通訊路徑，該等光通訊路徑容許在裝置100之各種晶粒之間傳輸封包(例如，包含諸如資料、命令、位址、時脈及其等組合之資訊之封包)。裝置100可使用其中所傳輸之光信號之一特性來指示(例如，定址)互連晶粒之一子集之至少各者之哪個互連晶粒正被提供或正在提供資料及/或命令封包。例如，若干晶粒之各者可與一特定波長之一光信號相關聯，並且其等相關聯波長可用來定址各自晶粒且用來指示一封包之一源。因此，可使用一波長之一光信號來傳輸封包，該波長指示待接收一封包之任一目標晶粒，及/或可由一晶粒傳輸一封包，其中該封包之光信號之波長指示該封包之來源。一邏輯晶粒(例如，其可為一系統單晶片或一記憶體控制器)可自裝置100之其他晶粒之一或多者接收封包及將封包傳輸至裝置100之其他晶粒之一或多者。裝置100可另外包含各光信號之一源。 裝置100包含一層112、複數個層114 (諸如層114A至114D)及一層116。例如，層112、114及116之各者可為形成為一晶粒堆疊之單獨的個別半導體晶粒。該堆疊之個別晶粒可實體耦合至一或多個相鄰晶粒。另外，該晶粒堆疊之晶粒可電耦合及光學耦合，如本文將論述。如本文所使用，術語「層」指代個別半導體晶粒。雖然圖1將該裝置描繪為包含一晶粒堆疊，但其他配置(諸如一平面內)亦落於本發明之範疇內。層112、114及116之各者可對裝置100提供一或多個操作。各層之各自操作係本發明之一非限制性態樣。在一些實施例中，裝置100可為包含一邏輯晶粒、複數個記憶體晶粒及一光源層之一記憶體器件。例如，層112可為一光源層，層116可為一邏輯晶粒，且層114A至114D可各為一記憶體晶粒。 裝置100之各層可藉由複數個光基板穿孔(PTSV) 104及122之一或多者至少耦合至相鄰層。層114A至114D可各包含一光濾波器/調變器電路106及一光濾波器/偵測器電路108。層112可包含複數個光源102 (諸如光源102A至102D)，其中該複數個光源之各者提供一不同波長之一光信號。除其他事物外，層116亦可包含複數個光電路110，諸如光電路110A至110D。複數個光電路110之各者可基於一對應波長而與複數個層114之一對應層相關聯。 複數個PTSV 104、122之各者可安置於裝置100之相鄰層之間，且複數個PTSV 104、122可形成兩個單獨光通訊路徑，諸如一下行路徑118及一上行路徑120。例如，下行路徑118可與複數個PTSV 104A至104E相關聯，例如下行路徑118可由複數個PTSV 104A至104E形成，且上行路徑120可與複數個PTSV 122B至122E相關聯，例如上行路徑120可由複數個PTSV 122B至122E形成。雖然在層112與114A之間未展示PTSV 122，但在一些實施例中，一PTSV 122A可包含於此兩個層之間。此外，包含於各通訊路徑中之PTSV 104、122可自彼此偏移，使得層114之各者例如可存取耦合至其之其等各自PTSV 104、122(例如自其等各自PTSV 104、122接收光信號及將光信號提供至其等各自PTSV 104、122)。此外，各層112、114及116之特徵可為具有一傳入(inbound) PTSV及一傳出(outbound) PTSV，且如本文所使用，一「傳入PTSV」可為光信號藉由其到達一層處之PTSV，且一「傳出PTSV」可為光信號藉由其離開一層之PTSV。例如，在下行路徑118中，層114A可在一濾波器/調變器電路106A處自耦合於層112與114A之間的一傳入PTSV 104A接收光信號。層114A可將光信號進一步提供至可耦合於層114A與114B之間的一傳出PTSV 104B。對於上行路徑120，一給定層之一傳入PTSV 122可耦合至其正下方之一層，且一傳出PTSV 122可耦合至其正上方之一層。各PTSV 104、122可組態為如此項技術中已知之一波導，例如一多層結構，該多層結構歸因於結構之不同層之間的折射率之差限定光信號。PTSV之實例可於美國專利第7,119,321號中找到，該專利出於所有目的併入本文中。 在一些實施例中，下行路徑118可為光通訊路徑，未經調變光信號透過該光通訊路徑由層112提供至層114之各者。此外，層114A至114D之各者可能調變一各自波長之一光信號，且將該經調變光信號提供至下行路徑118。由層114A提供之一經調變光信號例如可在到達層116處之前傳播通過下行路徑118中之各後續層。由層114A提供之經調變光信號之波長可向層116指示經調變光信號之源。一般言之，下行路徑118可同時包含裝置100之所有波長(例如，波長λ1至λ4)之光信號(在裝置100中依一經調變狀態或未經調變狀態傳播)，其中經調變信號可提供除光信號之波長外之資訊。 在一些實施例中，上行路徑120可為光通訊路徑，層116透過該通訊路徑將經調變光信號提供至層114A至114D之各者。例如，層116可藉由上行路徑120將一經調變光信號提供至層114A。層116可藉由使用與層114A相關聯之波長之一光信號來定址用於層114A之命令封包。層116可自下行路徑118接收與層114A相關聯之一波長之一未經調變光信號，調變該光信號，且藉由上行路徑120將該經調變光信號提供(例如，傳輸)至層114A。在通往層114A之路上，封包可傳播通過中介層114D至114B之各者。提供至上行路徑之光信號可源自層112，且可藉由層116重引導至上行路徑120。一般言之，裝置100之所有波長(例如，波長λ1至λ4)之光信號可依一經調變狀態或一未經調變狀態同時經由上行路徑120傳播。 雖然下行路徑118及上行路徑120兩者可包含經調變光信號(其等亦可稱為封包)，但所有波長之未經調變光信號可在裝置100之任何給定操作時刻穿越下行路徑118及上行路徑120兩者。一般言之，可在分別待由層116及一層114提供命令及/或資料時調變光信號，否則光信號可依一未經調變狀態穿越上行路徑120及下行路徑118兩者。 層112 (例如，光源層)可包含複數個光源102A至102d。雖然僅展示四個光源，但包含於層112中之光源之數目不受限制，且對於包含N個層(層116不算在內)之裝置，可包含N個光源。各光源102可提供一不同波長之一光信號。另外，複數個光源102之各者之波長可自其他波長偏移使得可基於波長濾波光信號。此外，各光源102可藉由使光源之波長與一層相關聯而對應於層114A至114D之一者。換言之，各層114可調諧至由一對應光源102提供之一相關聯波長。因而，除層112及116外，各層可與一特定波長相關聯，使得可基於其等各自波長而定址彼等層之各者。例如，光源102A可提供具有可與層114A相關聯(例如，指派至層114A)之一波長λ1之一光信號。光源102B可提供具有可指派至層114B之一波長λ2之一光信號，依此類推。各光源102可將其等各自光信號提供至下行路徑118。在一些實施例中，來自光源102之各者之光信號可同時且連續地提供至下行路徑118。另外，由層112提供之光信號可處於一原始狀態(例如，未經調變)，使得層112不提供除各光信號之波長外之資訊。 各層114可藉由下行路徑118之PTSV 104及上行路徑120之PTSV 122耦合至相鄰層。各層114可藉由一或多個表面耦合器(未展示)耦合至其等各自PTSV 104、122，待下文詳細論述。表面耦合器可自一傳入PTSV提取所有波長之光信號，且將經提取光信號提供至一光電路，諸如一光濾波器/偵測器電路108或一光濾波器/調變器電路106。接著，可藉由一各自表面耦合器將光信號耦合至一傳出PTSV。雖然在本發明中論述表面耦合器，但表面耦合器係本發明之一非限制性態樣，且預期現在已知或未來開發之任何光耦合器件。一般言之，光信號提供自及提供至各層112、114及116處之PTSV，使得對應光電路接收光信號。 層114A至114D可基於由層116提供之命令執行所要操作。例如，層114A至114D之各者可為回應於自層116接收之命令儲存及提供資料之一記憶體晶粒，諸如揮發性或非揮發性記憶體。為了提供封包(例如，讀取資料封包)，複數個層114之各者可包含用於濾波及調變一各自波長之一光信號之一光濾波器/調變器電路106，其中經調變光信號係封包。為了接收封包(例如，命令封包)，複數個層114之各者可包含用於濾波及接收一各自波長之一經調變光信號之一光濾波器/偵測器電路108，其中經調變光信號係封包。光濾波器/調變器電路106可與下行路徑118相關聯，且光濾波器/偵測器電路108可與上行路徑120相關聯。據此，各層114可能至少濾波、調變及偵測一各自波長之光信號。另外，各層亦可將光信號提供至一後續層，該後續層在下行路徑118中與在上行路徑120中不同。 各光濾波器/調變器電路106可自一傳入PTSV 104接收所有波長之光信號且濾波各自波長之一光信號。各自波長之經濾波光信號可提供至一光調變器。光調變器可基於一輸入信號調變光信號，且將該經調變光信號提供至一傳出PTSV 104。該經調變光信號可為提供至層116之一封包。例如，該封包可包含讀取資料。提供層114可發送指示層116開始監測一封包之一警示信號，使得層116知道期待該封包。該警示信號可為一各自波長之一經調變光信號，或其可為藉由一電連接(未展示)提供至層116之一電信號。在一些實施例中，可在一層114與層116之間執行一交握以向接收層警示資料即將來臨。 此外，各層114及116可接收及向前傳遞由層112提供之各光信號。例如，在下行路徑118中，層114A可接收處於一未經調變狀態之各波長λ1至λ4之光信號，且藉由下行路徑118將該等光信號向前傳遞至層114B。另外，沿著下行路徑118之各層114A至114D可能調變及提供(例如，傳輸)其等各自波長之一經調變光信號。該等經調變光信號可例如為讀取資料之封包或指示一經接收命令之效能之一確認旗標。例如，可自上行路徑120接收命令。 各光濾波器/偵測器電路108可自一傳入PTSV 122接收光信號且將該等光信號提供至一光濾波器。由上行路徑120中之任何一個層114接收之光信號可取決於層114之位置。例如，層114D可接收所有波長之光信號，而層114A僅可接收其相關聯波長之一光信號。各層之光濾波器可經調諧以濾波各自波長之光信號。光偵測器可為一光電轉換器，其接收各自波長之光信號且在該光信號經調變時將該光信號轉換成一對應電信號。經調變光信號可為一資訊封包，諸如包含一命令、一位址及資料之一命令封包。在一些實例中，一時脈信號可嵌入至串列化封包中。在一些實施例中，該時脈信號可單獨提供，及以光學方式或以電方式提供。由各光濾波器/偵測器電路108接收之未經調變光信號可被忽略且終止於其等各自層處。 一般言之，各波長之光信號可透過層114連續地提供至下行路徑118及上行路徑120。可根據需要調變光信號以將一命令封包自層116提供至層114之一或多者，或同時提供至彼等層之所有者。另外，光信號可經調變以將一資料封包自層114之一者或所有者提供至層116。下行路徑118及上行路徑120中提供之封包可在兩個方向上同時提供，且各層114可同時提供及接收封包。 層116可透過傳入PTSV 104E及傳出PTSV 122E耦合至複數個層114，且層116可包含複數個光電路110。例如，複數個光電路110之各者可包含一光濾波器、一光偵測器及一光調變器。如本文所使用，術語「光電路」可包含光組件、光電轉換器及電組件。複數個光電路110之各者可對應於一特定波長，使得可存在基於一各自波長而與各層114相關聯之一光電路110。此外，各光電路110可能自下行路徑118之傳入PTSV 104E接收光信號，濾波一各自波長之一光信號，且接著偵測或調變各自波長之光信號。是否由層116偵測或調變(或可能忽略)光信號可取決於由層116接收之外部命令。例如，在光信號經調變以將一命令封包提供至層114之一者時，經調變光信號可藉由光電路110提供至傳出PTSV 122。 層116可接收例如由一主機提供之外部命令，且基於該等經接收外部命令將回應提供至該主機。例如，可將由層116接收之一寫入命令轉換成一封包，該封包藉由上行路徑120提供至一目標層114。為了向一層114警示監測一封包，層116可提供向目標層114通知期待一封包之一光信號或一電信號。在一些實施例中，可在層116將一命令封包提供至一層114時發生一交握程序。回應於一讀取命令，例如，層114之一者可將一讀取資料封包提供至層116。例如，層116可偵測該讀取資料封包，將該讀取資料封包轉換成電信號，且將該等電信號提供至一請求主機。 在操作中，層116可自一外部主機接收一外部命令，諸如一讀取命令或一寫入命令。接著，層116可基於包含於該經接收外部命令中之位址資訊判定引導該外部命令至層114之哪者(例如，目標係哪層)。接著，層116可調變與目標層114相關聯之波長之一光信號，且藉由上行路徑120將該經調變光信號提供至目標層。例如，可由層116接收包含位址資訊及資料之一寫入命令。層116可判定朝向層114B引導寫入命令，該層114B可用光波長λ2定址。接著，層116可將電信號提供至光電路110B，該光電路110B調變波長λ2之光信號以將該寫入命令編碼成一經調變光信號，且將該經調變信號提供至上行路徑120。層116亦可對層114B提供一信號，該信號經引導以預先向層114B警示經調變光信號即將進入。 作為回應，光濾波器/偵測器電路108B可濾除波長λ2之經調變光信號且偵測資訊，諸如命令類型、寫入資料之位址及資料。另外，若一時脈信號嵌入於命令封包中，則層114B可實施已知時脈恢復技術以恢復該時脈信號。例如，在執行寫入命令後，層114B可用光濾波器/調變器電路106B調變波長λ2之光信號以產生一確認旗標。該確認旗標可藉由下行路徑118提供至層116。 雖然關於一單個層114論述操作，但應理解，層116可將命令同時提供至所有層114。據此，一次依所有波長傳輸之能力容許層116與各層114並行通訊，此增加裝置100之資料速率。另外，使用光信號以在裝置100內提供一通訊媒體，裝置100可消耗較少功率且產生較少熱。此等優點可歸因於光源係低功率光源。 圖2係根據本發明之一實施例之一層200之一傳輸側之一圖解。層200之傳輸側可為圖1的下行路徑118及各層114之相關聯光濾波器/調變器電路106之一實例。層200之傳輸側可包含一表面耦合器202、一表面耦合器204、一光濾波器206及一光調變器208。層200之傳輸側可接收波長1至n之光信號，濾波經接收波長之一者，潛在地調變經濾波波長之光信號，且提供經濾波波長之光信號(經調變或未經調變)與剩餘波長之光信號。一般言之，未由濾波器206濾波之波長之光信號可不受影響地傳遞通過層200之傳輸側。 表面耦合器202及204可經配置以位於層200之一接收側及一傳輸側處。各表面耦合器202、204可耦合至一單獨PTSV (未展示)。例如，表面耦合器202可在一傳入PTSV (諸如圖1之下行路徑118中之PTSV 104A)之一底側處，且表面耦合器204可在一傳出PTSV (諸如下行路徑118中之PTSV 104B)之一頂側處。一般言之，表面耦合器202、204可將光信號耦合至各自PTSV及耦合來自各自PTSV之光信號。據此，表面耦合器202可將來自一PTSV之所有波長之光信號耦合至光濾波器206，且表面耦合器204可將來自光調變器208及路徑218之所有波長之光信號耦合至一PTSV。路徑218可為安置於一層(諸如層114之一者)上之一光波導，該光波導可提供用於在表面耦合器202與204之間運送光信號之一路徑。 光濾波器206可自表面耦合器202接收所有波長1至n之光信號，且濾波一選擇波長(例如波長1)之光信號。未由光濾波器206濾波之其他波長2至n可處於一經調變狀態或未經調變狀態。波長1之經濾波光信號可藉由路徑214提供至光調變器208，該路徑214可為形成於層200之一表面上之一波導。未經濾波光信號(例如，波長2至n之剩餘光信號)可透過路徑218提供至表面耦合器204。可基於由電壓源212提供之一電壓調諧光濾波器206。調諧光濾波器206可容許自光信號濾波波長1至n當中之一所要波長(諸如波長1)之一光信號。關於圖1，由於各光濾波器/調變器106包含於一不同層114中且可濾波一不同波長，故各層114之電壓源可提供一不同電壓使得各光濾波器/調變器106濾波一各自波長。 光調變器208可調變波長1之光信號以提供由波長1之一經調變光信號形成之一資料封包，該資料封包可為例如讀取資料。光調變器208可回應於由一驅動器電路210提供之一電信號調變光信號。驅動器電路210可自層200之電路(舉例而言諸如輸出驅動器電路)接收電信號。波長1之光信號之調變可提供一串列化資料封包之傳輸。 圖3係根據本發明之一實施例之一層300之一接收側之一圖解。層300之接收側可為圖1的上行路徑120及各層114之相關聯光濾波器/偵測器電路108之一實例。層300之接收側可包含表面耦合器302及304、光濾波器306、光二極體308、及一轉阻放大器(TIA) 310。層300之接收側可接收處於一經調變狀態或一未經調變狀態之波長1至n之光信號，容許未由光濾波器306濾波之波長之光信號傳遞通過，且偵測光濾波器306經調諧以濾波之波長之光信號。若經濾波光信號經調變，則作為回應光二極體308可組合TIA 310偵測及提供電信號。然而，若經濾波波長未經調變，則經濾波光信號可終止於層300處。 表面耦合器302及304自各自PTSV提取光信號且將光信號耦合至各自PTSV，且表面耦合器302及304可類似於圖2之表面耦合器202、204般特性化。據此，表面耦合器302可自一傳入PTSV提取所有波長之光信號且經由路徑314而將該等光信號耦合至光濾波器306，且表面耦合器304可將未由光濾波器306濾波之波長之光信號耦合至一傳出PTSV。例如，表面耦合器304可耦合至圖1之傳入PTSV 122E，且將經接收之所有波長之光信號提供至光濾波器306。反之，表面耦合器302可接收未由光濾波器306濾波之波長之光信號，且將該等光信號提供至傳出PTSV 122D。 光濾波器306可經調諧以基於由電壓源312提供之一電壓濾波(例如，選擇)一所要波長之一光信號。關於圖1，由於各光濾波器/偵測器電路108包含於一不同層114中且可濾波一不同波長，故各層114之電壓源可提供一不同電壓使得各光濾波器/偵測器108濾波一各自波長。經濾波光信號可經由路徑316提供至光二極體308。光二極體308可偵測光信號且將光信號轉換成電信號，如此項技術中已知。隨後可由TIA 310放大對應電信號。可將經放大電信號提供至層300之電路(未展示)。 一般言之，層300之接收側對與層300無關聯之波長之光信號提供一直通路徑，但提供光組件及電組件以用於濾波及偵測一相關聯波長之光信號。 圖4係根據本發明之一實施例之一邏輯層400之一圖解。邏輯層400可為圖1之層116之一者之一實例，但僅展示一單個光電路110。邏輯層400可包含表面耦合器402及404、及一光電路450。雖然在圖4中僅展示一個光電路450，但光電路之數目係本發明之一非限制性態樣，且在邏輯層400中可包含與個別波長一樣多之光電路。據此，包含邏輯層400之一裝置(諸如裝置100)針對該裝置可包含之各層/波長可包含一單獨光電路450。例如，若一裝置包含具有一經指派波長之N個層，則該裝置可包含至少N個光電路450。可在包含於邏輯層400中之所有光電路450之間共用表面耦合器。光電路450包含一光濾波器406、一光開關418、一光二極體414、一TIA 416及一光調變器408。此外，可由複數個光電路450共用表面耦合器402及404。光電路450包含先前關於圖2及圖3所論述之諸多特徵及組件，且為了簡潔起見，關於圖4將不再詳細描述。光電路450可接收波長1至n之光信號，且偵測一相關聯波長之一光信號或調變及提供該相關聯波長之一光信號。在一些實施例中，光信號之一或多者可傳遞通過光電路450而無需經偵測或經調變。 如上文所論述，表面耦合器402、404耦合來自一PTSV之光信號或將光信號耦合至一PTSV。例如，表面耦合器402可耦合來自一傳入PTSV (諸如圖1之PTSV 104E)之光信號。相比之下，表面耦合器404可將光信號提供至一傳出PTSV (諸如圖1之PTSV 122E)。據此，表面耦合器402可耦合由一或多個層(諸如層114)提供之光信號，且將光信號提供至一或多個層(諸如層114)。 光濾波器406可經調諧以基於由電壓源412提供之電壓濾波一相關聯波長之一光信號。未經濾波光信號可藉由一路徑420提供至表面耦合器404。在一些實施例中，未經濾波光信號可提供至經調諧至一不同波長之一後續光濾波器。經濾波光信號可藉由路徑422提供至光開關418。開關418可經控制以將經濾波光信號提供至光電路450之偵測器部分(例如，光二極體414及TIA 416)，或將經濾波光信號提供至光調變器408。可基於一封包是即將自一各自記憶體層進入還是一封包待提供至該各自記憶體層而控制開關418，該各自記憶體層係與波長1相關聯之一記憶體層。提供至開關418之控制信號可基於由提供一封包之一層提供之一警示信號或基於一經接收外部命令。例如，若一層114提供一封包，則可接收向邏輯層400警示此事件之一信號，此可致使開關418將光電路400之偵測器部分耦合至光濾波器406之輸出。然而，在邏輯層400提供一命令封包時，邏輯層400可致使開關418將光濾波器406之輸出耦合至光調變器408之一輸入。 在接收資料時，光二極體414可透過一光路徑424 (例如，一波導)接收經濾波光信號，且將該光信號轉換成電信號，隨後可由TIA416放大該等電信號。在提供一經調變光信號(例如，一命令封包)時，光調變器408可回應於由一驅動器電路410提供之一調變信號調變經濾波光信號。驅動器電路410可自一或多個電路(未展示)接收電信號。可將經調變光信號提供至表面耦合器404。 圖5係根據本發明之一實施例之一光源層500之一方塊圖。光源層500包含(但不限於)複數個光源506A至N (統稱為複數個光源506)、一基板502及一PTSV 504。層500可為圖1之光源層112之一實例，且可提供N個不同波長之光信號。 基板502可提供用於複數個光源506之一基底，且可透過與一或多個其他層(如圖1中所展示)之電連接接收功率(未展示)及一封裝(未展示)。基板502可由有機材料或無機材料形成。例如，基板502可由樹脂及聚合物形成，或由矽形成。基板502可安置為一裝置(諸如裝置100)中之一層，以提供用於光通訊路徑中之一或多個光源。 PTSV 504可為一光通道，且可由不同折射率之材料形成。例如，PTSV之一中間區域(例如，一核心)可由具有比形成PTSV 504之一外層之一材料更高的一折射率之一材料形成。PTSV 504可形成如此項技術中已知之一波導，且歸因於核心與外層之間的邊界處之折射率之變化的內部反射可防止或減少光信號之損耗。PTSV 504可藉由一對應光耦合器508耦合至複數個光源506之各者，該光耦合器508可為形成於基板502中或基板502上之一波導。PTSV 504可將光信號自複數個光源之各者引導至一或多個其他層(未展示)。 層500可包含用於複數個光源506之各者之一單獨光學耦合件508。例如，光源506A可藉由光學耦合件508A耦合至PTSV 504。在一些實施例中，複數個光耦合件508之各者可由形成於基板502中之一單個波導形成。 複數個光源506可提供N個不同波長之複數個光信號。複數個光源506之各者之間的波長之差可足夠使得各波長可相對於其他波長濾波。複數個光源之各者可為經組態以提供一所要波長之一光信號之一固定或可調諧光源。在一些實施例中，複數個光源之各者可為雷射。例如，複數個光源之各者可為垂直腔面射型雷射(VCSEL)。 層500可在接收功率時連續地自複數個光源506之各者提供光信號以用於一封裝型器件(未展示封裝)內之光通訊。各源可與一不同層相關聯，使得光信號之波長可用來指示該器件之一不同層。 自前文將明白，儘管本文已出於圖解目的描述本發明之特定實施例，但可在不偏離本發明之精神及範疇之情況下作出各種修改。據此，本發明除隨附申請專利範圍外不受限制。
100‧‧‧裝置
102A-D‧‧‧光源
104A-E‧‧‧光基板穿孔(PTSV)
106A-D‧‧‧光濾波器/調變器電路
108A-D‧‧‧光濾波器/偵測器電路
110A-D‧‧‧光電路
112‧‧‧層/光源層
114A-D‧‧‧層
116‧‧‧層
118‧‧‧下行路徑
120‧‧‧上行路徑
122B-E‧‧‧光基板穿孔(PTSV)
200‧‧‧層
202‧‧‧表面耦合器
204‧‧‧表面耦合器
206‧‧‧光濾波器
208‧‧‧光調變器
210‧‧‧驅動器電路
212‧‧‧電壓源
214‧‧‧路徑
218‧‧‧路徑
300‧‧‧層
302‧‧‧表面耦合器
304‧‧‧表面耦合器
306‧‧‧光濾波器
308‧‧‧光二極體
310‧‧‧轉阻放大器(TIA)
312‧‧‧電壓源
314‧‧‧路徑
316‧‧‧路徑
400‧‧‧邏輯層
402‧‧‧表面耦合器
404‧‧‧表面耦合器
406‧‧‧光濾波器
408‧‧‧光調變器
410‧‧‧驅動器電路
412‧‧‧電壓源
414‧‧‧光二極體
416‧‧‧轉阻放大器(TIA)
418‧‧‧開關
420‧‧‧路徑
422‧‧‧路徑
424‧‧‧路徑
450‧‧‧光電路
500‧‧‧光源層
502‧‧‧基板
504‧‧‧光基板穿孔(PTSV)
506A-N‧‧‧光源
508A-N‧‧‧光耦合器/光學耦合件/光耦合件
λ1‧‧‧波長
λ2‧‧‧波長
λ3‧‧‧波長
λ4‧‧‧波長
圖1係根據本發明之一實施例之一裝置之一方塊圖。 圖2係根據本發明之一實施例之一層之一傳輸側之一圖解。 圖3係根據本發明之一實施例之一層之一接收側之一圖解。 圖4係根據本發明之一實施例之一邏輯層之一圖解。 圖5係根據本發明之一實施例之一光源層之一方塊圖。

Claims (27)

  1. 一種用於光子通訊及光子定址之裝置，其包括：第一光路徑及第二光路徑；一第一層，其至少耦合至該第一光路徑，該第一層經組態以將複數個光信號提供至該第一光路徑，其中該複數個光信號之各者具有一不同波長；複數個第二層，其等耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，其中該複數個第二層之各第二層基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，其中該複數個第二層之各第二層包括：一第一光調變器電路，其耦合至該第一光路徑，其中第一光調變器電路經組態以自該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將包含該各自波長之該經濾波光信號之該複數個光信號提供至該第一光路徑；及一第二光濾波器，其耦合至該第二光路徑，其中該第二光濾波器經組態以自該第二光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該剩餘複數個光信號提供至該第二光路徑；及一第三層，其包含複數個光電路，該第三層耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，該複數個光電路之各光電路基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，使得存在與該複數個第二層之各第二層相關聯之一光電路，其中該複數個光電路之各光電路經組態以接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該各自波長之該經濾波光信號提供至該第二光路徑。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第一光調變器電路包括耦合至該第一光路徑之一第一光濾波器及耦合至該第一光濾波器之一第一光調變器，其中該第一光調變器經組態以調變該各自波長之該經濾波光信號且將該各自波長之該經調變光信號提供至該第一光路徑。
  3. 如請求項2之裝置，其中該複數個光電路之各光電路包括一第三光濾波器，該第三光濾波器經組態以濾波該各自波長之該經調變光信號且將該各自波長之該經濾波經調變光信號提供至一第一光偵測器，該第一光偵測器經組態以將該各自波長之該經濾波經調變光信號轉換成對應電信號。
  4. 如請求項1之裝置，其中該複數個光電路之各光電路包括一第三光濾波器，該第三光濾波器經組態以濾波該各自波長之該光信號，且將該各自波長之該經濾波光信號提供至一第二光調變器，該第二光調變器經組態以調變該各自波長之該經濾波光信號且將該各自波長之該經調變光信號提供至該第二光路徑。
  5. 如請求項4之裝置，其中該複數個第二層之各第二層進一步包括耦合至該第二光濾波器之一第二光偵測器，其中該第二光偵測器經組態以自該第二光濾波器接收該各自波長之該經調變光信號且將該各自波長之該經濾波經調變光信號轉換成對應電信號。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第一光路徑及該第二光路徑包括各自複數個光基板穿孔(PTSV)，其中各PTSV透過表面耦合器耦合至各自第一層、第二層及第三層。
  7. 如請求項1之裝置，其中該第一層包括經組態以提供一各自波長之一光信號之複數個光源。
  8. 一種用於光子通訊及光子定址之裝置，其包括：第一光路徑及第二光路徑；一第一層，其至少耦合至該第一光路徑，該第一層經組態以將複數個光信號提供至該第一光路徑，其中該複數個光信號之各者具有一不同波長；複數個第二層，其等耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，其中該複數個第二層之各第二層基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，其中該複數個第二層之各第二層包括：一第一光濾波器，其耦合至該第一光路徑，其中該第一光濾波器經組態以自該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該複數個光信號提供至該第一光路徑；及一第一光調變器，其耦合至該第一光濾波器，其中該第一光調變器經組態以調變該各自波長之該經濾波光信號且將該各自波長之該經調變光信號提供至該第一光路徑；及一第三層，其包含複數個光電路，該第三層耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，該複數個光電路之各光電路基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，其中該複數個光電路之各光電路經組態以經由該第一光路徑接收該複數個光信號，自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號且將該各自波長之一經調變光信號轉換成對應電信號。
  9. 如請求項8之裝置，其中該複數個光電路之各光電路包括：一第三光濾波器，其經組態以濾波該各自波長之該經調變光信號；及一第一光偵測器，其經由一光開關耦合至該第三光濾波器，該第一光偵測器經組態以將該各自波長之該經濾波經調變光信號轉換成該等對應電信號。
  10. 如請求項9之裝置，其中該第一光偵測器包括一第一光二極體及一第一轉阻放大器，其中該光二極體經組態以將該各自波長之該經濾波經調變光信號轉換成該等對應電信號，且其中該轉阻放大器經組態以放大該等對應電信號。
  11. 如請求項8之裝置，其中由該第一層提供之該複數個光信號處於一未經調變狀態。
  12. 如請求項8之裝置，其中該複數個第二層之各第二層進一步包括耦合至該第二光路徑之一第二光濾波器，其中該第二光濾波器經組態以自該第二光路徑接收該複數個光信號，自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號且將該剩餘複數個光信號提供至該第二光路徑。
  13. 如請求項8之裝置，其中該第一層包含複數個光源，該複數個光源之各者經組態以提供該複數個光信號中之一各自波長之一光信號。
  14. 如請求項13之裝置，其中該複數個光源之各者係一垂直腔面射型雷射。
  15. 一種用於光子通訊及光子定址之裝置，其包括：第一光路徑及第二光路徑；一第一層，其至少耦合至該第一光路徑，該第一層經組態以將複數個光信號提供至該第一光路徑，其中該複數個光信號之各者具有一不同波長；複數個第二層，其等耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，其中該複數個第二層之各第二層基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，其中該複數個第二層之各第二層包括：一第一光調變器電路，其耦合至該第一光路徑，其中第一光調變器電路經組態以自該第一光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將包含該各自波長之該經濾波光信號之該複數個光信號提供至該第一光路徑；一第二光濾波器，其耦合至該第二光路徑，其中該第二光濾波器經組態以自該第二光路徑接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、及將該剩餘複數個光信號提供至該第二光路徑；及一第一光偵測器，其耦合至該第二光濾波器，該第一光偵測器經組態以接收該各自波長之該光信號，且基於該各自波長之該經濾波光信號經調變，將該各自波長之該經調變經濾波光信號轉換成對應電信號；及一第三層，其包含複數個光電路，該第三層耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，該複數個光電路之各光電路基於一各自波長而與該複數個光信號之一光信號相關聯，使得存在與該複數個第二層之各第二層相關聯之一光電路，其中該複數個光電路之各光電路經組態以接收該複數個光信號、自該複數個光信號濾波一各自波長之一光信號、調變該各自波長之該光信號、及將該各自波長之該經濾波經調變光信號提供至該第二光路徑。
  16. 如請求項15之裝置，其中該第一光調變器電路包括耦合至該第一光路徑之一第一光濾波器及耦合至該第一光濾波器之一第一光調變器，其中該第一光調變器經組態以調變該各自波長之該經濾波光信號且將該各自波長之該經調變光信號提供至該第一光路徑。
  17. 如請求項15之裝置，其中該複數個光電路之各光電路包括一第三光濾波器，該第三光濾波器經組態以濾波該各自波長之該光信號且將該各自波長之該經濾波光信號提供至一第二光調變器，該第二光調變器經組態以調變該各自波長之該經濾波光信號且將該各自波長之該經調變光信號提供至該第二光路徑。
  18. 如請求項15之裝置，其中該第一光偵測器包括：一光二極體，其耦合至該第二光濾波器且經組態以將該各自波長之該經濾波經調變光信號轉換成對應電信號；及一轉阻放大器，其耦合至該光二極體且經組態以放大該等對應電信號。
  19. 如請求項15之裝置，其中該第一光路徑及該第二光路徑包括各自複數個光基板穿孔(PTSV)，其中各PTSV透過表面耦合器耦合至各自第一層、第二層及第三層。
  20. 如請求項15之裝置，其中該第一層包括經組態以提供一各自波長之一光信號之複數個光源。
  21. 一種用於光子通訊及光子定址之裝置，其包括：一光源層，其包含複數個光源，該複數個光源之各者提供一不同波長之一光信號，其中該複數個光信號提供至一第一光路徑；複數個記憶體晶粒，該複數個記憶體晶粒之各記憶體晶粒包括耦合至該第一光路徑之一光調變電路，且進一步包括耦合至一第二光路徑之一光偵測電路，其中該複數個記憶體晶粒之各記憶體晶粒與一光信號之一各自波長相關聯且由該光信號之該各自波長定址；及一邏輯晶粒，其耦合至該第一光路徑及該第二光路徑，該邏輯晶粒包含複數個光電路，該複數個光電路之各光電路與一光信號之一各自波長相關聯，且其中該複數個光電路之各光電路與該第一光路徑及該第二光路徑相關聯，且其中該複數個光信號之各者藉由該第一光路徑提供至該第三層，且其中藉由該第三層提供該複數個光信號至該第二光路徑。
  22. 如請求項21之裝置，其中各光調變電路包括一可調諧光濾波器，該可調諧光濾波器經調諧以濾波一各自波長之一光信號且將該各自波長之該經濾波光信號提供至一調變電路，該調變電路經組態以基於一調變信號調變該各自波長之該光信號，該各自波長之該經調變光信號將資料自一各自記憶體晶粒提供至該邏輯晶粒，其中該各自波長之該經調變光信號提供至該第一光路徑。
  23. 如請求項21之裝置，其中各光偵測器電路包括一可調諧光濾波器，該可調諧光濾波器經調諧以濾波一各自波長之一光信號且將該各自波長之該經濾波光信號提供至一偵測器電路，該偵測器電路經組態以在該各自波長之該經濾波光信號經調變時將該各自波長之該經濾波光信號轉換成一電信號。
  24. 如請求項21之裝置，其中該複數個光電路之各光電路經組態以在一各自波長之一光信號經調變時濾波及偵測該各自波長之該光信號，且進一步經組態以基於一經接收外部命令濾波及調變一各自波長之一光信號。
  25. 如請求項21之裝置，其中該複數個光電路之各光電路經組態以基於一經接收外部命令濾波及調變一各自波長之一光信號。
  26. 如請求項21之裝置，其中該第一光路徑及該第二光路徑之各者包括複數個光基板穿孔(PTSV)，且其中該複數個PTSV之各PTSV形成一波導。
  27. 如請求項21之裝置，其中該複數個光源之各者係一雷射。
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